5 Monolitické integrované obvody

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Rozměr: px
Začít zobrazení ze stránky:

Download "5 Monolitické integrované obvody"

Transkript

1 Technologie 5 Monolitické integrované obvody Jak je všeobecně známo, jsou využívány dvě hlavní technologie integrovaných obvodů. Jednou z nich jsou monolitické integrované obvody, druhou hybridní. Zde se zaměříme na monolitické integrované obvody. 5.1 Rozdělení monolitických integrovaných obvodů Integrované monolitické obvody můžeme rozdělit do různých skupin z mnoha hledisek. Hledisko stupně integrace bylo uvedeno ve stati o polovodičových materiálech. Zde jsou uvedena další dvě: a) Hledisko typu přenášeného signálu: obvody analogové; obvody analogově číslicové; obvody logické a číslicové. b) Hledisko obvodové technologie: obvody bipolární; obvody unipolární; obvody smíšené. Analogové obvody Úkolem analogových obvodů je zpracovávat a přenášet analogové signály, které se vyznačují tím, že v daném rozsahu mohou nabývat libovolnou hodnotu (např. v rozsahu napětí 0 V až 5 V mohou nabývat libovolnou hodnotu). Tyto signály jsou spojité, obvody určené pro jejich zpracování musejí mít, kromě jiných vlastností, předepsanou linearitu (případně nelinearitu). Základními prvky analogových obvodů jsou zesilovače, filtry a jejich obvodové kombinace. Analogově-číslicové obvody Rozvoj integrovaných obvodů umožňuje programové číslicové zpracování signálů. Analogově číslicové obvody převádějí analogový signál na číslicový, číslicově analogové převodníky slouží k převodu čísla na analogový signál. Logické a číslicové obvody Logické a číslicové obvody zpravidla pracují se signály nabývajícími dvě diskrétní úrovně. Rozdíl mezi nimi spočívá v tom, že logické obvody slouží ke konstrukci různých logických funkcí, kdežto číslicové obvody umožňují provádět různé početní operace, jako jsou kromě logických operací také aritmetické. Speciálními typy těchto obvodů jsou paměti umožňující uchovat po stanovenou dobu číslicovou nebo logickou informaci. Obvody, které dokáží vykonávat jak číslicové tak logické operace, jsou různé typy mikrořadičů (mikrokontrolérů) a mikroprocesorů. Moderní typy mikroprocesorů často obsahují i analogověčíslicové převodníky a další obvody. 5.2 Technologický postup při výrobě integrovaných obvodů Výroba čipů integrovaných obvodů využívá obdobné technologické postupy jako výroba diskrétních polovodičových součástek. Jedním z nejdůležitějších faktorů ovlivňujících činnost polovodičových součástek je způsob jejich výroby. řed rokem 1960 byly při výrobě polovodičových součástek používány dvě hlavní metody, tzv. tažený polovodičový přechod a slitinový polovodičový přechod. Obě tyto metody byly nedokonalé. Během 60. let byla vyvinuta planární technologie, později zdokonalená na planárně epitaxní technologii. V současné době umožňuje planárně epitaxní technologie výrobu velmi složitých Si, GaAs a SiGe Struktur

2 Integrované obvody lanárně epitaxní technologie lanárně epitaxní technologie obsahuje následující hlavní výrobní postupy: epitaxní růst; oxidace; dotování příměsemi; fotolitografie; měření; kontaktování a pouzdření. Charakteristickým znakem polovodičových prvků vyrobených planární technologií je, že jsou jejich vývody umístěny v jedné rovině (planar znamená rovinný, dvojrozměrný). ři výrobě jsou využívány maskovací vlastnosti oxidu křemičitého SiO 2. Epitaxe Epitaxe byla původně vyvinuta k rozšíření kvality výroby bipolárních tranzistorů a je stále v bipolárních technologiích využívána. Základní polovodičový materiál má poměrně značnou tloušťku (až 250 µm) a pro elektrické vlastnosti polovodičových součástek zůstává nevyužitý. a základním monokrystalickém materiálu s vysokou elektrickou vodivostí je vytvořena tenká vrstva polovodičového materiálu, která má stejnou krystalickou orientaci a stejnou strukturu jako materiál podložky. Výhoda, kterou epitaxe výrobcům IO poskytuje vzhledem k použití iontové implantace nebo difúze tkví v tom, že dopování epitaxní vrstvy je nezávislé na substrátu. a lehce dopovaném substrátu může být vytvořena silně dopovaná vrstva, případně naopak. Tloušťka epitaxní vrstvy může nabývat velikosti od 5 µm do 500 µm. Výhodou epitaxe je i to, že probíhá za nižších teplot než výroba monokrystalu Oxidace Oxidace křemíku je počáteční fází výroby integrovaných obvodů. ři tom je vytvořena tenká vrstva oxidu křemičitého SiO 2, který je velmi stabilním materiálem. Je to krok usnadňující provedení dalších kroků při výrobě integrovaných obvodů. Dopování Dopováním rozumíme dodání stanoveného množství určitého typu nečistot do polovodivého materiálu. Dotování může být buďto neselektivní, kdy je dotován celý objem materiálu nebo selektivní, kdy dochází k dotování pouze určených oblastí. Dotování může být provedeno dvěma metodami: - difúzí; - iontovou implantací. Difúze je starším způsobem a je levnější. Iontová implantace umožňuje nejlepší možnost řízení procesu dopování. Iontová implantace je rovněž využívána k nastavení prahového napětí obvodů MOS. Řídicí počítač řevodníky a obvody pro ovládání paprsku Destička s vrstvou fotorezistu Aktivace fotorezistu paprskem Obr.č rincip elektronolitografie Systém generování a zaostřování paprsku Vychylovací systém Elektronový paprsek odložka s přesným posuvem X,Y Hloubka implantace je závislá na zrychlení iontů vyvolaném přiloženou energií od 3 kev do 5000 kev. Výroba funkčních částí obvodových prvků Aby byl vyroben celý integrovaný obvod, musejí být nejprve vyrobeny jeho jednotlivé části, jako jsou např. kolektor, emitor a báze bipolárního tranzistoru, rezistory, kondenzátory apod. ři tom je využíván systém CAD

3 Technologie Obr.č říklad masky integrovaného obvodu Maska Maska plátku Obr.č říklad masky plátku Místo, na kterém jsou tyto části vytvořeny je definováno pomocí tzv. fotolitografie, která spočívá v osvětlení fotorezistu UV světlem procházejícím otvory v masce (obr.č.5.2.2, 5.2.3) případně svazkem elektronů pomocí elektronolitografie. rincip elektronolitografie je znázorněn na obr.č Elektronový paprsek je pomocí vychylovacího systému zaměřen na předepsaná místa destičky, na které jej nanesen fotorezist. Elektronolitografie je též využívána k výrobě masek pro fotolitografii. rvním krokem procesu je nanesení fotorezistu. Jako fotorezist je používán polymer, který je rozpustný či nerozpustný v závislosti na osvětlení ve speciálním rozpouštědle. anesený fotorezist je osvětlován zařízením, jehož vychýlení je řízeno počítačem. Další postup je shodný s postupem popsaným ve stati olovodiče. oznámka: S pojmem litografie je svázána zkratka EUV (Extreme Ultraviolet lithography). Tato zkratka označuje technologický proces, který umožňuje vyrábět mikroprocesory pracující na kmitočtech do 10 GHz. Konečná verze tohoto zařízení má být hotova v roce Obvodové technologie integrovaných obvodů Binární technologie 1. fáze 2. fáze 3. fáze Bor 4. fáze 5. fáze Implantace Sb onořená vrstva epitaxní vrstva onořená vrstva Izolace Báze Kolektor Bor SiO 2 Binární technologií jsou realizovány integrované obvody využívající binární tranzistory, polovodičové diody, rezistory, kondenzátory. Základem výroby je polovodičový plátek. Výroba probíhá v několika fázích. Každá fáze začíná vytvořením vrstvy SiO 2 na povrchu plátku. ásleduje nanesení fotorezistu, fotolitografický proces a odleptání fotorezistu a oxidu křemičitého z požadovaných plošek. V nich je prováděna dotace příměsemi pro vytvoření oblastí s potřebným typem vodivosti. ři tom je využíván princip změny typu vodivosti z na, z na, případně vytvoření oblastí s vodivostí, dotací dostatečného množství příměsí používaných pro vytvoření požadovaného typu vodivosti. Obr.č znázorňuje na příkladu tranzistoru fáze výroby bipolárního integrovaného obvodu. 1. fáze v plátku polovodivého materiálu, který má vodivost typu je vytvořena ponořená vrstva (buried layer) s vodivostí typu. 2. fáze na polovodivém plátku je vytvořena epitaxní vrstva typu. 3. fáze vytvoření oblastí typu, které slouží k vzájemnému odizolování jednotlivých komponent integrovaného obvodu. 4. fáze vytvoření oblasti, která zároveň s dalšími oblastmi typu slouží jako kolektor tranzistoru. 5. fáze vytvoření oblasti s vodivostí typu, která je základem pro bázi tranzistoru. 6. fáze v 6. fázi je v oblasti typu, která byla vytvořena v 5. fázi vytvořena oblast typu, která je určena pro emitor tranzistoru. 7. fáze je to konečná fáze, nazývaná metalizace, pomocí které jsou vytvořeny kontakty polovodičových komponent a zároveň jsou - 3 -

4 Integrované obvody 6,fáze 7. fáze Emitor onořená vrstva Báze Emitor Kolektor Obr.č rincip výroby bipolárních integrovaných obvodů Obr.č rincip výroby bipolárních integrovaných obvodů propojeny jednotlivé součástky. Metalizace je uskutečňována zpravidla pomocí tenké vrstvy hliníku, případně mědi. Grafické znázornění uspořádání vrstev tranzistoru je znázorněno na obr.č Jiné součástky, jako jsou diody, rezistory, kondenzátory i cívky jsou rovněž vyrobeny v procesu výroby tranzistorů (rezistor např. jako prvek s dotací určitých rozměrů, pro výrobu kondenzátorů jsou využívány kapacity přechodů, diody jsou zpravidla vyrobeny jako tranzistory se zkratovanými vývody bází a kolektorů). Jednotlivých integrovaných obvodů je na polovodivém plátku vyrobeno velké množství (počet závisí na velikosti IO). oslední fází výroby jsou měření provedená v předepsaných bodech vyrobeného plátku, po vyhodnocení měření následuje nařezání plátku diamantovou pilou a rozlámání plátku na jednotlivé čipy (na jednotlivé kousky IO chips). Vyrobené čipy jsou relativně odolné proti vlivům vnějšího prostředí, jako je oxidace, koroze apod. roto jsou často transportovány a zapouzdřeny v jiné továrně (často dokonce i v jiné zemi). řed zapouzdřením jsou čipy testovány. To se děje automaticky zařízeními, ve kterých je čip automaticky připojen pomocí jehlových kontaktů k testovacímu systému, který odzkouší jeho funkce a provede předepsaná měření. evyhovující čipy jsou automaticky označeny kapkou barvy obsahující magnetickou suspenzi. omocí magnetického pole jsou potom vytříděny. Čip, který odpovídá předepsaným parametrům, je přitmelen na skleněnou nebo keramickou podložku opatřenou fyzickými vývody pro letování (nožičkami). ásleduje propojení výstupů čipu s těmito vývody, což je obvykle provedeno pomocí zlatých drátků (stroje, pomocí kterých je propojování prováděno jsou nazývány šicí stroje ). Konečným výrobním krokem je pouzdření, při kterém je obvod uložen do určitého typu pouzdra (pouzdra obvodů pro komerční použití jsou jiná a levnější než pouzdra obvodů pro průmyslové nebo dokonce speciální použití vojenské, kosmické,..). Zapouzdřené obvody jsou opět změřeny, podle dosažených parametrů tříděny a expedovány. Technologie komplementárních bipolárních obvodů Epitaxní vrstva onořená vrstva Obr.č Vytvoření vnořené vrstvy pro realizaci tranzistoru Báze Emitor Báze Kolektor onořená vrstva Obr.č Způsob uspořádání tranzistoru Komplementární obvody obsahují oba typy tranzistorů, tj. jak tak. Analogové obvody jsou nedílnou součástí v současných systémech a jejich význam vzrůstá v aplikacích, ve kterých se vyskytují vyšší napětí, nebo kde je vyžadován styk s vnějším prostředím (čidla apod.). Obvody, které obsahují kvalitní tranzistory mají velký význam při výrobě operačních zesilovačů i jiných typů analogových, případně i logických obvodů. Z obr.č a je zřejmé, že princip uspořádání tranzistoru je obdobný jako uspořádání tranzistoru. U tranzistoru je vytvořena navíc ponořená vrstva s vodivostí typu. Izolace různých komponent integrovaného obvodu je, stejně jako u tranzistoru, realizována pomocí přechodu vytvořeného vložením oblasti typu

5 5.3.2 Unipolární technologie CMOS. U DD výstup U SS Obr.č Obvod CMOS kanál U DD vst kanál výst Oxid substrát Obr.č Uspořádání CMOS BiCMOS technologie Technologie Unipolární technologie téměř výhradně realizují zapojení CMOS complementary MOS (obr.č.5.3.5). Tato technologie umožňuje realizaci obvodů s velmi malou spotřebou a velmi malými napájecími napětími (od 1,2 V výše). Technologie výroby těchto obvodů je obdobný popsanému postupu výroby bipolárních obvodů, uspořádání obvodů je jiné. Technologie CMOS je výhodnější především pro menší počet výrobních operací. Schématické znázornění uspořádání CMOS struktury je znázorněno na obr.č CMOS technologie jsou využívány jak pro výrobu analogových obvodů, jako jsou např. operační zesilovače, tak pro výrobu U SS logických obvodů. Bez těchto technologií si není možné představit rozvoj mikroprocesorové techniky. V současné době je technologie CMOS dominantní technologií pro výrobu mikroprocesorů, pamětí a různých specifických typů obvodů (ASIC aplication specific integrated circuits). evýhodou oproti MOS nebo MOS technologiím je to, že je pro výrobu hradla potřebná větší plocha polovodičové destičky. BiCMOS technologie umožňuje výrobu integrovaných obvodů obsahujících jak CMOS, tak bipolární komponenty zpravidla komplementární bipolární komponenty. Využití této technologie je v logických obvodech odlišné od využití v obvodech analogových. oužití této technologie umožňuje zvýšení rychlosti, zmenšení spotřeby a snížení úrovně šumů integrovaných obvodů. V oblasti rychlých obvodů přecházejí některé firmy na využití kombinované technologie SiGe, která umožňuje další zvýšení rychlosti jak logických tak analogových obvodů do oblasti desítek GHz BiFET technologie Obr.č říklad zapojení operačního zesilovače vyrobeného technologií BiFET Jak je zřejmé z obr.č.5.3.7, použitá bipolární technologie je komplementární. BiFET technologie je založena na kombinaci binární technologii a technologii tranzistorů JFET. říklad je znázorněn na obr.č Je využívána v analogových integrovaných obvodech, u kterých jsou vstupy osazeny tranzistory JFET. Vyznačuje se proto vysokými vstupními odpory a z toho plynoucími malými vstupními proudy. Další vlastností těchto obvodů je velká šířka pásma, vysoké mezní kmitočty v porovnání s CMOS technologií, velká hodnota rychlosti přeběhu. evýhodou jsou o něco vyšší šumová napětí a nutnost souměrného napájení, např. ± 15 V nelze napájet z nesouměrného zdroje

VY_32_INOVACE_ELT-1.EI-20-VYROBA INTEGROVANEHO OBVODU. Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno

VY_32_INOVACE_ELT-1.EI-20-VYROBA INTEGROVANEHO OBVODU. Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Číslo projektu Číslo materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník CZ.1.07/1.5.00/34.0581 VY_32_INOVACE_ELT-1.EI-20-VYROBA INTEGROVANEHO OBVODU Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup

I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup ELEKTONIKA I N V E S T I C E D O O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í 1. Usměrňování a vyhlazování střídavého a. jednocestné usměrnění Do obvodu střídavého proudu sériově připojíme diodu. Prochází jí proud

Více

Měření na unipolárním tranzistoru

Měření na unipolárním tranzistoru Měření na unipolárním tranzistoru Teoretický rozbor: Unipolární tranzistor je polovodičová součástka skládající se z polovodičů tpu N a P. Oproti bipolárnímu tranzistoru má jednu základní výhodu. Bipolární

Více

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Polovodičové prvky V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

U BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D.

U BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D. Napěťový průraz polovodičových přechodů Zvyšování napětí na přechodu -přechod se rozšiřuje, ale pouze s U (!!) - intenzita elektrického pole roste -překročení kritické hodnoty U (BR) -vzrůstu závěrného

Více

Technologie číslicových obvodů

Technologie číslicových obvodů Technologie číslicových obvodů Technologie výroby IO pouzdření Vyšší montážní celky 30.1.2013 O. Novák, CIE 3 1 Diode logic DL: 30.1.2013 O. Novák, CIE 3 2 DL: nepoužívá se, nemožnost invertovat signál,

Více

6 Hybridní integrované obvody, tenkovrstvé a tlustovrstvé technologie a jejich využití

6 Hybridní integrované obvody, tenkovrstvé a tlustovrstvé technologie a jejich využití 6 Hybridní integrované obvody, tenkovrstvé a tlustovrstvé technologie a jejich využití 6.1 Úvod Monolitické integrované obvody není výhodné pro některé aplikace, zejména pro přístroje s některými náročnějšími

Více

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.05 Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566,

Více

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů (elektrony nebo díry) pracují s kanálem jednoho typu vodivosti

Více

Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna

Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Tato otázka přepokládá znalost otázky č. - polovodiče. Doporučuji ujasnit

Více

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická

Více

Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů

Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů Tranzistor je elektronická aktivní součástka se třemi elektrodami.podstatou jeho funkce je transformace odporu mezi

Více

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Diody a usměrňova ovače Přednáška č. 2 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Diody a usměrňova ovače 1 Voltampérová charakteristika

Více

FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů

FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů Unipolární tranzistory Řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem: FET [Field - Effect Transistor] Proud přenášen jedním typem nosičů náboje (unipolární): - majoritní nosiče v inverzním kanálu - neuplatňuje

Více

1 VA-charakteristiky tranzistorů JFET a MOSFET. Úloha č. 7

1 VA-charakteristiky tranzistorů JFET a MOSFET. Úloha č. 7 1 A-charakteristik tranzistorů JFET a MOSFET Úloha č. 7 Úkol: 1. Změřte A charakteristik unipolárního tranzistoru (JFET - BF245) v zapojení se společnou elektrodou S 2. JFET v zapojení se společnou elektrodou

Více

9. ČIDLA A PŘEVODNÍKY

9. ČIDLA A PŘEVODNÍKY Úvod do metrologie - 49-9. ČIDLA A PŘEVODNÍKY (V.LYSENKO) Čidlo (senzor, detektor, receptor) je em jedné fyzikální veličiny na jinou fyzikální veličinu. Snímač (senzor + obvod pro zpracování ) je to člen

Více

popsat princip činnosti základních zapojení čidel napětí a proudu samostatně změřit zadanou úlohu

popsat princip činnosti základních zapojení čidel napětí a proudu samostatně změřit zadanou úlohu 9. Čidla napětí a proudu Čas ke studiu: 15 minut Cíl Po prostudování tohoto odstavce budete umět popsat princip činnosti základních zapojení čidel napětí a proudu samostatně změřit zadanou úlohu Výklad

Více

Kód VM: VY_32_INOVACE_5 PAV04 Projekt: Zlepšení výuky na ZŠ Schulzovy sady registrační číslo: CZ.1.07./1.4.00/21.2581

Kód VM: VY_32_INOVACE_5 PAV04 Projekt: Zlepšení výuky na ZŠ Schulzovy sady registrační číslo: CZ.1.07./1.4.00/21.2581 Kód VM: VY_32_INOVACE_5 PAV04 Projekt: Zlepšení výuky na ZŠ Schulzovy sady registrační číslo: CZ.1.07./1.4.00/21.2581 Autor: Mgr. Petr Pavelka Datum: 15. 10. 2012 Ročník: 9. Vzdělávací oblast: Člověka

Více

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY VZORY OTÁZEK A PŘÍKLADŮ K TUTORIÁLU 1 1. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Proč je používáme. 2. Co jsou polovodiče vlastní. 3. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Jakým způsobem

Více

Určeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče

Určeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče Určeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče Pracovní list - test vytvořil: Ing. Lubomír Kořínek Období vytvoření VM: listopad 2013 Klíčová slova: dioda, tranzistor,

Více

Název: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení

Název: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení Název: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení Autor: Mgr. Petr Majer Název školy: Gymnázium Jana Nerudy, škola hl. města Prahy Předmět (mezipředmětové vztahy) : Fyzika Tematický celek:

Více

Historie počítačů. 0.generace. (prototypy)

Historie počítačů. 0.generace. (prototypy) Historie počítačů Historie počítačů se dělí do tzv. generací, kde každá generace je charakteristická svou konfigurací, rychlostí počítače a základním stavebním prvkem. Generace počítačů: Generace Rok Konfigurace

Více

Proudové zrcadlo. Milan Horkel

Proudové zrcadlo. Milan Horkel roudové zrcadlo MLA roudové zrcadlo Milan Horkel Zdroje proudu jsou při konstrukci integrovaných obvodů asi stejně důležité, jako obyčejný rezistor pro běžné tranzistorové obvody. Zdroje proudu se často

Více

PRINCIP MĚŘENÍ TEPLOTY spočívá v porovnání teploty daného tělesa s definovanou stupnicí.

PRINCIP MĚŘENÍ TEPLOTY spočívá v porovnání teploty daného tělesa s definovanou stupnicí. 1 SENZORY TEPLOTY TEPLOTA je jednou z nejdůležitějších veličin ovlivňujících téměř všechny stavy a procesy v přírodě Ke stanovení teploty se využívá závislosti určitých fyzikálních veličin na teplotě (A

Více

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.06 Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01

Více

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická

Více

SAMOSTATNÁ PRÁCE Z ELEKTRONIKY UNIPOLÁRNÍ TRANZISTORY

SAMOSTATNÁ PRÁCE Z ELEKTRONIKY UNIPOLÁRNÍ TRANZISTORY Střední odborné učiliště technické Frýdek-Místek SAMOSTATNÁ PRÁCE Z ELEKTRONIKY UNIPOLÁRNÍ TRANZISTORY Jméno: Luděk Bordovský Třída: NE1 Datum: Hodnocení: 1.1. Vlastnosti unipolární tranzistorů Jsou založeny

Více

Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek

Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Hlavní požadavky na ideální budič Galvanické

Více

Způsoby realizace paměťových prvků

Způsoby realizace paměťových prvků Způsoby realizace paměťových prvků Interní paměti jsou zapojeny jako matice paměťových buněk. Každá buňka má kapacitu jeden bit. Takováto buňka tedy může uchovávat pouze hodnotu logická jedna nebo logická

Více

Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/34.0452

Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/34.0452 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/34.0452 Číslo projektu Číslo materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0452 OV_2_61_Převodník kmitočtu na napětí

Více

+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2

+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2 Pro zadané hodnoty napájecího napětí, odporů a zesilovacího činitele β vypočtěte proudy,, a napětí,, (předpokládejte, že tranzistor je křemíkový a jeho pracovní bod je nastaven do aktivního normálního

Více

VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů

VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů Vodivost polovodičů pojem polovodiče čistý polovodič, vlastní vodivost příměsová vodivost polovodičová dioda tranzistor Polovodiče Polovodiče jsou látky, jejichž

Více

1.3 Bipolární tranzistor

1.3 Bipolární tranzistor 1.3 Bipolární tranzistor 1.3.1 Úkol: 1. Změřte vstupní charakteristiku bipolárního tranzistoru 2. Změřte převodovou charakteristiku bipolárního tranzistoru 3. Změřte výstupní charakteristiku bipolárního

Více

Učební osnova vyučovacího předmětu elektronika Volitelný vyučovací předmět. Pojetí vyučovacího předmětu. 23-41-M/01 Strojírenství

Učební osnova vyučovacího předmětu elektronika Volitelný vyučovací předmět. Pojetí vyučovacího předmětu. 23-41-M/01 Strojírenství Učební osnova vyučovacího předmětu elektronika Volitelný vyučovací předmět Obor vzdělání: -1-M/01 Strojírenství Délka a forma studia: roky, denní studium Celkový počet týdenních vyuč. hodin: Platnost od:

Více

Bipolární tranzistory

Bipolární tranzistory Bipolární tranzistory h-parametry, základní zapojení, vysokofrekvenční vlastnosti, šumy, tranzistorový zesilovač, tranzistorový spínač Bipolární tranzistory (bipolar transistor) tranzistor trojpól, zapojení

Více

Základní zapojení s OZ. Vlastnosti a parametry operačních zesilovačů

Základní zapojení s OZ. Vlastnosti a parametry operačních zesilovačů OPEAČNÍ ZESLOVAČ (OZ) Operační zesilovač je polovodičová součástka vyráběná formou integrovaného obvodu vyznačující se velkým napěťovým zesílením vstupního rozdílového napětí (diferenciální napěťový zesilovač).

Více

Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto

Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto Registrační číslo projektu Šablona Autor Název materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0951 III/2 INOVACE A ZKVALITNĚNÍ VÝUKY PROSTŘEDNICTVÍM ICT Mgr. Petr

Více

Nízkofrekvenční (do 1 MHz) Vysokofrekvenční (stovky MHz až jednotky GHz) Generátory cm vln (až desítky GHz)

Nízkofrekvenční (do 1 MHz) Vysokofrekvenční (stovky MHz až jednotky GHz) Generátory cm vln (až desítky GHz) Provazník oscilatory.docx Oscilátory Oscilátory dělíme podle několika hledisek (uvedené třídění není zcela jednotné - bylo použito vžitých názvů, které vznikaly v různém období vývoje a za zcela odlišných

Více

TECHNICKÁ DOKUMENTACE

TECHNICKÁ DOKUMENTACE Střední škola, Havířov-Šumbark, Sýkorova 1/613, příspěvková organizace TECHNICKÁ DOKUMENTACE Rozmístění a instalace prvků a zařízení Ing. Pavel Chmiel, Ph.D. OBSAH VÝUKOVÉHO MODULU 1. Součástky v elektrotechnice

Více

Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr

Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr. Zadání: A. Na předloženém kompenzovaném vstupní děliči k nf milivoltmetru se vstupní impedancí Z vst = MΩ 25 pf, pro dělící poměry :2,

Více

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: T3.2.1 MĚŘENÍ NA UNIPOLÁRNÍCH TRANZISTORECH A IO Obor: Mechanik elektronik Ročník: 2. Zpracoval(a): Bc. Josef Mahdal Střední průmyslová škola Uherský Brod,

Více

Senzor teploty. Katalogový list SMT 160-30

Senzor teploty. Katalogový list SMT 160-30 Senzor teploty Katalogový list SMT 160-30 Obsah 1. Úvod strana 2 2. Inteligentní senzor teploty strana 2 3. Vývody a pouzdro strana 4 4. Popis výrobku strana 4 5. Charakteristické údaje strana 5 6. Definice

Více

Unipolární tranzistory

Unipolární tranzistory Unipolární tranzistory MOSFET, JFET, MeSFET, NMOS, PMOS, CMOS Unipolární tranzistory aktivní součástka řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem většinové nosiče menšinové nosiče parazitní charakter

Více

Oscilátory Oscilátory

Oscilátory Oscilátory Oscilátory. Oscilátory Oscilátory dělíme podle několika hledisek (uvedené třídění není zcela jednotné bylo použito vžitých názvů, které vznikaly v různých období vývoje a za zcela odlišných podmínek):

Více

Střední průmyslová škola elektrotechniky a informatiky, Ostrava VÝROBNÍ DOKUMENTACE

Střední průmyslová škola elektrotechniky a informatiky, Ostrava VÝROBNÍ DOKUMENTACE Střední průmyslová škola elektrotechniky a informatiky, Ostrava Číslo dokumentace: VÝROBNÍ DOKUMENTACE Jméno a příjmení: Třída: E2B Název výrobku: Interface/osmibitová vstupní periferie pro mikropočítač

Více

Zpětná vazba a linearita zesílení

Zpětná vazba a linearita zesílení Zpětná vazba Zpětná vazba přivádí část výstupního signálu zpět na vstup. Kladná zp. vazba způsobuje nestabilitu, používá se vyjímečně. Záporná zp. vazba (zmenšení vstupního signálu o část výstupního) omezuje

Více

Zesilovače. Ing. M. Bešta

Zesilovače. Ing. M. Bešta ZESILOVAČ Zesilovač je elektrický čtyřpól, na jehož vstupní svorky přivádíme signál, který chceme zesílit. Je to tedy elektronické zařízení, které zesiluje elektrický signál. Zesilovač mění amplitudu zesilovaného

Více

Bipolární tranzistor. Bipolární tranzistor - struktura. Princip práce tranzistoru. Princip práce tranzistoru. Zapojení SC.

Bipolární tranzistor. Bipolární tranzistor - struktura. Princip práce tranzistoru. Princip práce tranzistoru. Zapojení SC. ipolární tranzistor Tranzistor (angl. transistor) transfer resistor bipolární na přenosu proudu se podílejí jak elektrony, tak díry je tvořen dvěma přechody na jednom základním monoktystalu Emitorový přechod

Více

TRANZISTORY TRANZISTORY. Bipolární tranzistory. Ing. M. Bešta

TRANZISTORY TRANZISTORY. Bipolární tranzistory. Ing. M. Bešta TRANZISTORY Tranzistor je aktivní, nelineární polovodičová součástka schopná zesilovat napětí, nebo proud. Tranzistor je asi nejdůležitější polovodičová součástka její schopnost zesilovat znamená, že malé

Více

Nalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R = 100 kω, φ = 5mW/cm 2.

Nalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R = 100 kω, φ = 5mW/cm 2. Nalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R 00 kω, φ 5mW/cm 2. Fotovoltaický režim: fotodioda pracuje jako zdroj (s paralelně zapojeným odporem-zátěží). Obvod je popsán

Více

Procesor. Hardware - komponenty počítačů Procesory

Procesor. Hardware - komponenty počítačů Procesory Procesor Jedna z nejdůležitějších součástek počítače = mozek počítače, bez něhož není počítač schopen vykonávat žádné operace. Procesor v počítači plní funkci centrální jednotky (CPU - Central Processing

Více

Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika

Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika Garant přípravného studia: Střední průmyslová škola elektrotechnická a ZDVPP, spol. s r. o. IČ: 25115138 Učební osnova: Základní

Více

Základní pojmy. p= [Pa, N, m S. Definice tlaku: Síla působící kolmo na jednotku plochy. diference. tlaková. Přetlak. atmosférický tlak. Podtlak.

Základní pojmy. p= [Pa, N, m S. Definice tlaku: Síla působící kolmo na jednotku plochy. diference. tlaková. Přetlak. atmosférický tlak. Podtlak. Základní pojmy Definice tlaku: Síla působící kolmo na jednotku plochy F p= [Pa, N, m S 2 ] p Přetlak tlaková diference atmosférický tlak absolutní tlak Podtlak absolutní nula t 2 ozdělení tlakoměrů Podle

Více

Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice 2 Číslo úlohy : 1

Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice 2 Číslo úlohy : 1 Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice Číslo úlohy : 1 Název úlohy : Vypracoval : ročník : 3 skupina : F-Zt Vnější podmínky měření : měřeno dne : 3.. 004 teplota : C tlak

Více

Obrázek a/struktura atomů čistého polovodičeb/polovodič typu N

Obrázek a/struktura atomů čistého polovodičeb/polovodič typu N POLOVODIČE Vlastnosti polovodičů Polovodiče jsou materiály ze 4. skupiny Mendělejevovy tabulky. Nejznámější jsou germanium (Ge) a křemík (Si). Každý atom má 4 vazby, pomocí kterých se váže na sousední

Více

Dioda jako usměrňovač

Dioda jako usměrňovač Dioda A K K A Dioda je polovodičová součástka s jedním P-N přechodem. Její vývody se nazývají anoda a katoda. Je-li na anodě kladný pól napětí a na katodě záporný, dioda vede (propustný směr), obráceně

Více

1.1 Pokyny pro měření

1.1 Pokyny pro měření Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1 Bipolární tranzistor jako zesilovač Úkol: Proměřte amplitudové kmitočtové charakteristiky bipolárního tranzistoru 1. v zapojení se společným emitorem (SE)

Více

Profilová část maturitní zkoušky 2015/2016

Profilová část maturitní zkoušky 2015/2016 Střední průmyslová škola, Přerov, Havlíčkova 2 751 52 Přerov Profilová část maturitní zkoušky 2015/2016 TEMATICKÉ OKRUHY A HODNOTÍCÍ KRITÉRIA Studijní obor: 26-41-M/01 Elektrotechnika Zaměření: počítačové

Více

Test. Kategorie M. 1 Na obrázku je průběh napětí, sledovaný osciloskopem. Jaké je efektivní napětí signálu?

Test. Kategorie M. 1 Na obrázku je průběh napětí, sledovaný osciloskopem. Jaké je efektivní napětí signálu? Oblastní kolo, Vyškov 2006 Test Kategorie M START. ČÍSLO BODŮ/OPRAVIL U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Na obrázku je průběh napětí, sledovaný osciloskopem. Jaké je efektivní napětí

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

Kategorie Ž1. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení!

Kategorie Ž1. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! Krajské kolo soutěže dětí a mládeže v radioelektronice, Vyškov 2009 Test Kategorie Ž1 START. ČÍSLO BODŮ/OPRAVIL U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Proč se pro dálkový přenos elektrické

Více

1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny

1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny 1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny Popsaný přijímač slouží k poslechu rozhlasových stanic v pásmu středních vln. Přijímač je napájen z USB portu počítače přijímaný signál je pak připojen na

Více

5. Napište čtyři hlavní skupiny obvodů ASIC (Aplikačně Specifické Integrované Obvody)

5. Napište čtyři hlavní skupiny obvodů ASIC (Aplikačně Specifické Integrované Obvody) 1. Kdy a kým byl vynalezen integrovaný obvod? 1958 Jack Kilby (Texas Instruments) 2. Jaké jsou dnešní nejmodernější technologie integrovaných obvodů? Napište hlavní vlastnosti a charakteristiky. Vysoká

Více

1 SENZORY V MECHATRONICKÝCH SOUSTAVÁCH

1 SENZORY V MECHATRONICKÝCH SOUSTAVÁCH 1 V MECHATRONICKÝCH SOUSTAVÁCH Senzor - důležitá součást většiny moderních elektronických zařízení. Účel: Zjišťovat přítomnost různých fyzikálních, většinou neelektrických veličin, a umožnit další zpracování

Více

Vítězslav Bártl. březen 2013

Vítězslav Bártl. březen 2013 VY_32_INOVACE_VB08_K Jméno autora výukového materiálu Datum (období), ve kterém byl VM vytvořen Ročník, pro který je VM určen Vzdělávací oblast, vzdělávací obor, tematický okruh, téma Anotace Vítězslav

Více

Kategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-422 se používá pro:

Kategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-422 se používá pro: Mistrovství České republiky soutěže dětí a mládeže v radioelektronice, Vyškov 2011 Test Kategorie M START. ČÍSLO BODŮ/OPRAVIL U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-422

Více

Kapitola 9: Návrh vstupního zesilovače

Kapitola 9: Návrh vstupního zesilovače Kapitola 9: Návrh vstupního zesilovače Vstupní zesilovač musí zpracovat celý dynamický rozsah mikrofonu s přijatelným zkreslením a nízkým ekvivalentním šumovým odporem. To s sebou nese určité specifické

Více

Obrázek 1: Schematická značka polovodičové diody. Obrázek 2: Vlevo dioda zapojená v propustném směru, vpravo dioda zapojená v závěrném směru

Obrázek 1: Schematická značka polovodičové diody. Obrázek 2: Vlevo dioda zapojená v propustném směru, vpravo dioda zapojená v závěrném směru Škola: Autor: DUM: Vzdělávací obor: Tematický okruh: Téma: Masarykovo gymnázium Vsetín Mgr. Jitka Novosadová MGV_F_SS_2S2_D16_Z_ELMAG_Polovodicove_soucastky_PL Člověk a příroda Fyzika Elektřina a magnetismus

Více

Optický oddělovač nízkofrekvenčního audio signálu Michal Slánský

Optický oddělovač nízkofrekvenčního audio signálu Michal Slánský Optický oddělovač nízkofrekvenčního audio signálu Michal Slánský K této stavbě tohoto zařízení optického oddělovače NF signálu mě vedla skutečnost, neustálé pronikajícího brumu do audio signálu. Tato situace

Více

K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ

K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ ČESKOSLOVENSKÁ SOCIALISTICKÁ R E P U B L I K A ( 19 ) POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ (Ы) (23) Výstavní priorita (22) Přihlášeno 03 11 82 (21) pv 7798-82 229 332 ('i) (Bl) (51) Int. Cľ G 01 N 1/20,

Více

Programovatelný časový spínač 1s 68h řízený jednočip. mikroprocesorem v3.0a

Programovatelný časový spínač 1s 68h řízený jednočip. mikroprocesorem v3.0a Programovatelný časový spínač 1s 68h řízený jednočip. mikroprocesorem v3.0a Tato konstrukce představuje časový spínač řízený mikroprocesorem Atmel, jehož hodinový takt je odvozen od přesného krystalového

Více

5. Optické počítače. 5.1 Optická propojení

5. Optické počítače. 5.1 Optická propojení 5. Optické počítače Cíl kapitoly Cílem kapitoly je pochopit funkci optických počítačů. Proto tato kapitola doplňuje poznatky z předešlých kapitol k objasnění funkcí optických počítačů Klíčové pojmy Optické

Více

Témata profilové maturitní zkoušky z předmětu Souborná zkouška z odborných elektrotechnických předmětů (elektronická zařízení, elektronika)

Témata profilové maturitní zkoušky z předmětu Souborná zkouška z odborných elektrotechnických předmětů (elektronická zařízení, elektronika) ta profilové maturitní zkoušky z předmětu Souborná zkouška z odborných elektrotechnických předmětů (elektronická zařízení, elektronika) 1. Cívky - vlastnosti a provedení, řešení elektronických stejnosměrných

Více

3. D/A a A/D převodníky

3. D/A a A/D převodníky 3. D/A a A/D převodníky 3.1 D/A převodníky Digitálně/analogové (D/A) převodníky slouží k převodu číslicově vyjádřené hodnoty (např. v úrovních TTL) ve dvojkové soustavě na hodnotu nějaké analogové veličiny.

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

http://www.zlinskedumy.cz

http://www.zlinskedumy.cz Číslo projektu Číslo a název šablony klíčové aktivity Tematická oblast Autor Ročník Obor CZ.1.07/1.5.00/34.0514 III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Algoritmizace, vy_32_inovace_ma_03_10

Více

ROZDĚLENÍ SNÍMAČŮ, POŽADAVKY KLADENÉ NA SNÍMAČE, VLASTNOSTI SNÍMAČŮ

ROZDĚLENÍ SNÍMAČŮ, POŽADAVKY KLADENÉ NA SNÍMAČE, VLASTNOSTI SNÍMAČŮ ROZDĚLENÍ SNÍMAČŮ, POŽADAVKY KLADENÉ NA SNÍMAČE, VLASTNOSTI SNÍMAČŮ (1.1, 1.2 a 1.3) Ing. Pavel VYLEGALA 2014 Rozdělení snímačů Snímače se dají rozdělit podle mnoha hledisek. Základním rozdělení: Snímače

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

ELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky... 7-1 7.2 První a druhý průraz bipolárního

ELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky... 7-1 7.2 První a druhý průraz bipolárního Bohumil BRTNÍK, David MATOUŠEK ELEKTRONICKÉ PRVKY Praha 2011 Tato monografie byla vypracována a publikována s podporou Rozvojového projektu VŠPJ na rok 2011. Bohumil Brtník, David Matoušek Elektronické

Více

Měření vlastností jednostupňových zesilovačů. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS.

Měření vlastností jednostupňových zesilovačů. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS. Měření vlastností jednostupňových zesilovačů Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS. Cílem měření je seznámit se s funkcí a základními vlastnostmi jednostupňových zesilovačů a to jak

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.4 Prvky elektronických obvodů Kapitola

Více

Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody

Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody Přírodní vědy moderně a interaktivně FYZIKA 2. ročník šestiletého studia Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody G Gymnázium Hranice Přírodní vědy moderně a interaktivně

Více

ELEKTROTECHNICKÁ SCHÉMATA A ZAŘÍZENÍ, DESKY S PLOŠNÝMI SPOJI

ELEKTROTECHNICKÁ SCHÉMATA A ZAŘÍZENÍ, DESKY S PLOŠNÝMI SPOJI ELEKTROTECHNICKÁ SCHÉMATA A ZAŘÍZENÍ, DESKY S PLOŠNÝMI SPOJI Označování komponent ve schématu Zkratky jmenovitých hodnot rezistorů a kondenzátorů Zobrazování komponentů ve schématu Elektrotechnická schémata

Více

Integrované obvody. Obvody malé, střední a velké integrace Programovatelné obvody

Integrované obvody. Obvody malé, střední a velké integrace Programovatelné obvody Integrované obvody Obvody malé, střední a velké integrace Programovatelné obvody Integrovaný obvod zkratka: IO anglický termín: integrated circuit = IC Co to je? elekrotechnická součástka na malé ploše

Více

18A - PRINCIPY ČÍSLICOVÝCH MĚŘICÍCH PŘÍSTROJŮ Voltmetry, A/D převodníky - principy, vlastnosti, Kmitoměry, čítače, fázoměry, Q- metry

18A - PRINCIPY ČÍSLICOVÝCH MĚŘICÍCH PŘÍSTROJŮ Voltmetry, A/D převodníky - principy, vlastnosti, Kmitoměry, čítače, fázoměry, Q- metry 18A - PRINCIPY ČÍSLICOVÝCH MĚŘICÍCH PŘÍSTROJŮ Voltmetry, A/D převodníky - principy, vlastnosti, Kmitoměry, čítače, fázoměry, Q- metry Digitální voltmetry Základním obvodem digitálních voltmetrů je A/D

Více

Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Hustopeče, Masarykovo nám. 1

Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Hustopeče, Masarykovo nám. 1 Číslo Projektu Škola CZ.1.07/1.5.00/34.0394 Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Hustopeče, Masarykovo nám. 1 Autor Ing. Bc.Štěpán Pavelka Číslo VY_32_INOVACE_EL_2.17_zesilovače 8 Název Základní

Více

Kapitola 3: Šumy v lineárních obvodech

Kapitola 3: Šumy v lineárních obvodech Kapitola 3: Šumy v lineárních obvodech Teorie šumů má základ v termodynamice. Z termodynamických vět je možné dokázat toto tvrzení: /35/ Šumový výkon v jakémkoliv obvodu je absolutní funkcí frekvence a

Více

Kategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-485 se používá pro:

Kategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-485 se používá pro: Krajské kolo soutěže dětí a mládeže v radioelektronice, Vyškov 2009 Test Kategorie M START. ČÍSLO BODŮ/OPRAVIL U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-485 se používá pro:

Více

Paměťové prvky. ITP Technika personálních počítačů. Zdeněk Kotásek Marcela Šimková Pavel Bartoš

Paměťové prvky. ITP Technika personálních počítačů. Zdeněk Kotásek Marcela Šimková Pavel Bartoš Paměťové prvky ITP Technika personálních počítačů Zdeněk Kotásek Marcela Šimková Pavel Bartoš Vysoké učení technické v Brně, Fakulta informačních technologií v Brně Božetěchova 2, 612 66 Brno Osnova Typy

Více

Odolný LNA pro 1296 MHz s E-PHEMT prvkem

Odolný LNA pro 1296 MHz s E-PHEMT prvkem Odolný LNA pro 1296 MHz s E-PHEMT prvkem Ing.Tomáš Kavalír, OK1GTH kavalir.t@seznam.cz, http://ok1gth.nagano.cz Zde uvedený článek se zabývá návrhem a realizací vysoce odolného předzesilovače pro radioamatérské

Více

Kosmická technologie v galvanizovnách

Kosmická technologie v galvanizovnách Kosmická technologie v galvanizovnách Ing. Libor Vodehnal, AITEC s.r.o., Ledeč nad Sázavou Využívání galvanických povlaků vyloučených ze slitinových lázní v současné době nabývá na významu vzhledem k požadavkům

Více

3. Maturitní otázka PC komponenty 1. Počítačová skříň 2. Základní deska

3. Maturitní otázka PC komponenty 1. Počítačová skříň 2. Základní deska 3. Maturitní otázka Počítač, jeho komponenty a periferní zařízení (principy fungování, digitální záznam informací, propojení počítače s dalšími (digitálními) zařízeními) Počítač je elektronické zařízení,

Více

MĚŘENÍ TRANZISTOROVÉHO ZESILOVAČE

MĚŘENÍ TRANZISTOROVÉHO ZESILOVAČE Úloha č. 3 MĚŘÍ TRAZISTOROVÉHO ZSILOVAČ ÚOL MĚŘÍ:. Změřte a) charakteristiku I = f (I ) při U = konst. tranzistoru se společným emitorem a nakreslete její graf; b) zesilovací činitel β tranzistoru se společným

Více

Kapitola 1. Signály a systémy. 1.1 Klasifikace signálů

Kapitola 1. Signály a systémy. 1.1 Klasifikace signálů Kapitola 1 Signály a systémy 1.1 Klasifikace signálů Signál představuje fyzikální vyjádření informace, obvykle ve formě okamžitých hodnot určité fyzikální veličiny, která je funkcí jedné nebo více nezávisle

Více

ODHALOVÁNÍ PADĚLKŮ SOUČÁSTEK PARAMETRICKÝM MĚŘENÍM

ODHALOVÁNÍ PADĚLKŮ SOUČÁSTEK PARAMETRICKÝM MĚŘENÍM ODHALOVÁNÍ PADĚLKŮ SOUČÁSTEK PARAMETRICKÝM MĚŘENÍM Unites Systems a.s. 8.12.2011 1 recyklace ZDROJE PROBLÉMOVÝCH SOUČÁSTEK degradace parametrů přehřátím při demontáži, ESD problémy apod. vyřazení při testech/

Více

Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/34.0452

Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/34.0452 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/34.0452 Číslo projektu Číslo materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0452 OV_2_36_Aktivní zátěž Název školy Střední

Více

Číslicové obvody základní pojmy

Číslicové obvody základní pojmy Číslicové obvody základní pojmy V číslicové technice se pracuje s fyzikálními veličinami, které lze popsat při určité míře zjednodušení dvěma stavy. Logické stavy binární proměnné nabývají dvou stavů:

Více