RŮST POLOVODIČOVÝCH HETEROSTRUKTUR METODOU ORGANOKOVOVÉ EPITAXE Z PLYNNÉ FÁZE
|
|
- Eliška Němečková
- před 5 lety
- Počet zobrazení:
Transkript
1 RŮST POLOVODIČOVÝCH HETEROSTRUKTUR METODOU ORGANOKOVOVÉ EPITAXE Z PLYNNÉ FÁZE Eduard Hulicius Fyzikální ústav AV ČR v. v. i. Praha 1 Úvod Polovodičové heterostruktury a zvláště nanostruktury co nejdokonalejší krystalografické kvality pro nejrůznější badatelské účely a průmyslové aplikace se připravují epitaxními technologiemi. Je zvykem tyto technologie označovat podle skupenství výchozího materiálu. Konečný produkt je vždy pevná fáze, ale prekursor může být plynný, kapalný i pevný. Pro některé speciální účely se používá i plasma. 1.1 Epitaxe z pevné fáze - SPE Epitaxe z pevné fáze - SPE je již delší dobu používaná metoda, avšak s nově objevenými aplikacemi. Metastabilní amorfní fáze pevné látky, která je v kontaktu s monokrystalem, postupně krystalizuje od rozhraní a kopíruje monokrystalickou mřížku. Rychlost růstu je obvykle desetiny nm za sekundu a je dána aktivační energií SPE - Ea a řídí se rovnicí v = v0 exp(-ea/kt). Metoda se používá na přípravu silných polovodičových epitaxních vrstev s vysokou úrovní legování. Nízkoteplotní epitaxe (Ga(Mn)As spinotronika?). Růst oddělovacích vrstev (buffer layers) pro zlepšení vlastností heterostruktur, v nichž vznikají vysoké koncentrace dislokací. Nitridy! Silicidové vrstvy pro elektrické kontakty a Schottkyho bariéry pro Si součástky. 1.2 Epitaxe z kapalné fáze LPE Epitaxe z kapalné fáze LPE - byla rozhodující metoda pro přípravu vrstev v sedmdesátých a osmdesátých letech minulého století. Stále je to ještě významná průmyslová metoda na přípravu levných LED, slunečních článků a všude kde jsou potřeba epitaxní vrstvy silné desítky μm. Je velmi vhodná pro růst složitých sloučeninových systémů, kde se požaduje termodynamická rovnováha a také pro dotování prvky vzácných zemin. V mnoha laboratořích je to dnes spíše Metoda chudého muže, neboť je podstatně levnější než jiné epitaxní metody a stále ještě skýtá prostor pro zajímavá bádání. Princip metody: Nasycený roztok požadovaných látek (např. arzén v galiu) chladne (nebo se vypařuje což ale neplatí pro uvedený příklad - Ga má malou tenzi par a skoro se nevypařuje, spíš by unikl As), stává se přesyceným a As se ve formě GaAs vylučuje na vhodné podložce např. na destičce objemového či epitaxního GaAs. 1.3 Epitaxe z plynné fáze VPE Dnes to je, a troufnu si prognózovat, že i nejméně příštích deset let to bude, zásadní metoda badatelská i průmyslová. Detailní popis VPE je v kapitole 4. 2 Definice heterostruktur kvantově mechanických struktur (z hlediska pásové struktury). 2.1 Heterogenní struktury "Klasické" Klasické heterogenní struktury (příklady struktur s různými heteropřechody jsou na obr. 1) zdaleka nejsou pouze heterogenní P-N přechody, ale lze v nich připravovat skoky, či pozvolné přechody šířky zakázaného pásu, indexu lomu a tak účinně miniaturizovat struktury i součástky, ale v oboru klasické pouze na úrovni mikro (nikoliv nano ). Obr. 1. Příklady struktur s heteropřechody I. (a), II. (b) a III. ( c) typu. 12 Škola růstu krystalů 2008
2 Obr. 2. Heterostruktury prvního typu mohou být různé podle složení (a tím šířky zakázaného pásu), jam i barier. (a) - jednoduchá kvantová jáma; (b) mnohonásobná kvantová jáma, nebo supermřížka (to závisí na šířce bariéry); (c) - totéž uzavřené v heterostruktuře, nebo ve vlnovodu; (d) jednoduchá kvantová jáma ve vlnovodu (oddělení elektronů a fotonů v aktivní oblasti laseru); (e) totéž s gradovaným vlnovodem. Rozměry jednotlivých vrstev (objektů) v heterostruktuře mohou podstatným způsobem, často principiálně odlišným od klasické fyziky, ovlivňovat vlastnosti, chování a využití struktur a součástek realizovaných na jejich bázi. Tím se dostáváme ke kvantovým strukturám, často nazývaným kvantověrozměrové struktury, nebo zjednodušeně nanostruktury. Příklady nanostruktur jsou na obr Kvantové Zmenšením jednoho, nebo více rozměrů v heterostruktuře na úroveň srovnatelnou s vlnovou délkou elektronu (od desetin do desítek nanometrů) vznikají: Kvantové jámy; Kvantové dráty; Kvantové tečky. Dále se pomocí kombinací různých typů pásových struktur mohou vytvářet supermřížky, mnohonásobné kvantové jámy, kaskádové mezi či inter-sub pásové struktury. Ve výše uvedených strukturách přestává fungovat spojitá pásová struktura a objevují se opět hladiny pro povolené energie elektronů (obr. 3-5). 3 Polovodičové materiály z nichž se nanostruktury připravují a jejich vlastnosti (Eg, mřížková konstanta, index lomu,...) Vhodné a užívané prvky, sloučeniny a materiály: Elementární polovodiče: především křemík a dále germanium, selen a diamant jsou rozhodující pro elektroniku (mikroelektroniku), ale často mají nepřímé přechody, Eg a n lze měnit jen málo, nejsou tedy příliš vhodné pro optoelektroniku ani většinu oblastí nanoelektroniky. Přehled materiálů a jejich mřížkových konstant je na obr. 6. Sloučeninové polovodiče: A III B V - GaAs, InP, GaSb,... A II B VI - CdTe, CdSe,... A IV B IV Ax III B(1-X) III C V AX III B(1-X) III CY V D(1-Y) V - GeSi, - AlGaAs, - GaInAsSb, A, B, C, D, jsou druhy atomů a indexy II, III, IV, V jsou sloupce v periodické tabulce prvků. Obr. 3. Hladiny v různých typech kvantových jam. Škola růstu krystalů
3 Obr. 4. Hustoty (možných) stavů elektronů pro uvedené objekty. Obr. 5. Srovnání elektronových hladin pro: atom pevnou látku a kvantovou tečku. Obr. 6. Závislost šířky zakázaného pásu - vlevo (a odpovídající absorpční hrany vpravo) na mřížkové konstantě pro různé sloučeninové polovodiče binární jsou body, ternární jsou hrany a kvaternární plochy vymezené hranami. 14 Škola růstu krystalů 2008
4 4 Způsoby přípravy nanostruktur, hlavně epitaxní růst - MBE a MOVPE Název "epitaxe" je z řeckého epi-taxis "uspořádaně na" a zavedl ho L. Royer v r Jde o krystalický růst na (obvykle) monokrystalické podložce. Při rozdílu mřížkových konstant větším než 15% růst (obvykle) přestává být epitaxním. Vysvětlení významu, principu a zasazení do souvislostí. Proč jsou technologické aparatury tak monstrózní, drahé, nebezpečné a náročné? Druhy epitaxních růstů jsou znázorněny na obr. 7. Příprava a vlastnosti objemových krystalů. Epitaxní růst výhody, nové možnosti, omezení. Homo- a hetero- epitaxe. Rovnice o minimu energie. Princip epitaxního růstu: Atomy či molekuly látky, kterou chceme epitaxně deponovat na vhodný substrát, se dopraví na jeho povrch, ten ovšem musí být atomárně čistý - zbaven oxidů a různých adsorbovaných látek - a atomárně hladký (maximálně s atomárními schody danými rozorientací monokrystalu). Na povrchu dojde nejprve k fyzisorpci, pak na vhodných místech s minimem energie, k chemisorpci jednotlivých atomů, k růstu atomárních vrstev a postupně celé struktury. Obr. 7. Druhy epitaxních růstů: a) Vrstva po vrstvě Frank-van der Merwe; b) Vrstva po vrstvě spojitě; c) Ostrůvky na smáčecí vrstvě - Stranski-Krastanow; d) Ostrůvky na substrátu Volmer-Weber; e) Sloupkový růst. Typy epitaxních růstů a vysvětlení různých používaných zkratek: Epitaxe z pevné fáze SPE (Solid Phase Epitaxy) Epitaxe z kapalné fáze LPE (Liquid Phase Epitaxy) Epitaxe z plynné fáze Epitaxe z plynné fáze LPEE (Liquid Phase Electroepitaxy) VPE (Vapor Phase Epitaxy) CVD (Chemical Vapour Deposition) PVD (Physical Vapour Deposition) Epitaxi z plynné fáze je možné principiálně rozdělit na fyzikální (PVD - Physical Vapour Deposition) a chemickou (CVD - Chemical Vapour Deposition), podle způsobu transportu materiálu od zdroje k substrátu. V prvním případě - PVD - jde o napaření materiálu (pomocí vypařování, naprašování, laserové ablace, výbojem apod.) bez jeho chemické změny. V druhém případě - CVD - jde o transport těkavých chemických sloučenin (prekursorů) pomocí nosného plynu k substrátu, kde se většinou termicky rozkládají. Vlastní epitaxní růst na dokonale čistém a hladkém povrchu většinou monokrystalického substrátu je pak podobný. I parametry vrstev jsou podobné, i když se struktury v některých aspektech mohou lišit. V obou případech je nutno zajistit extrémní polovodičovou čistotu prostředí, ať je to vakuum (10 10 torru) nebo nosný plyn H2 či N2 (na úrovni ppb). Ohřev substrátu (kvůli jeho dokonalému očištění a atomárnímu vyrovnání - viz výše principy epitaxe) se, vzhledem k těmto extrémním požadavkům na čistotu, provádí nepřímo vysokofrekvenčním ohřevem, světlem (optickou výbojkou - MOVPE), nebo nepřímým odporovým ohřevem (MBE). VPE umožňuje i růst jednotlivých atomárních rovin (Ultra High Vacuum Atomic Layer Epitaxy). Pro vlastní PVD růstové procesy má adsorpčnědesorpční kinetika na růstovém povrchu zásadní význam. Poměrně snadno lze růst modelovat a počítat v případě (kvazi-) rovnovážného stavu; horší je to v nerovnovážném stavu, nebo při přechodových jevech. CVD Chemický stav daného systému dobře popisuje chemický potenciál μ. Pro danou fázi je definován jako vzrůst volné Gibbsovy energie δg když se přidá jeden mol látky při konstantní teplotě a tlaku μ = δg/δn/t,p. Vyjádříme-li molární Gibbsovu energii ΔG pomocí entalpie ΔH a entropie ΔS μ = ΔG = ΔH - TΔS což lze po dosazení používat k výpočtům. Příklady: Halidová epitaxe Kovy a elementární polovodiče: (WF6 W +..., SiCl4 Si +...) Sloučeninové polovodiče Škola růstu krystalů
5 (GaCl + AsH3 GaAs +...) Granáty vzácných zemin - (YCl3 + FeCl2 + O2 Y3Fe5O ) Oxidová epitaxe Sloučeninové polovodiče (GaO2 + PH4 GaP +...) Hydridová epitaxe Elementární polovodiče, veledůležitý křemík (SiH4 Si +...) Izolační vrstvy: oxidy, nitridy (SiH4 + H2O SiO2 +...; SiH4 + NH3 Si3N4 +...) Organokovová epitaxe Sloučeninové polovodiče - (Ga(CH3)3 + AsH3 GaAs +...) Kovy (Al(C4H9)3 Al +...) Vysokoteplotní supravodiče YBaCuO Obr. 8. Schematické znázornění organokovů (trimetylgallium a terciár-butyl arzen), hydridů (arsín a silan) a dopant tetrachlormetan (a). Fotografie probublávačky, ve které jsou organokovy ukládány (b). (b) MOVPE Metoda organokovové epitaxe z plynné fáze - MetalOrganic Vapour Phase Epitaxy (MOVPE) či MetalOrganic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) je nejvýznamnější průmyslová ale i důležitá badatelská technologie. Schéma a princip jsou na obr. 9 a 10. Princip metody: Ohřejeme substrát v prostředí ultračistého plynu (redukční vodík, výjimečně inertní dusík) na tak vysokou teplotu, aby desorbovaly přirozené oxidy a povrchové nečistoty a také, aby se povrch atomárně vyhladil. Pak přivedeme do blízkosti ohřátého substrátu vhodné prekursory (organokovy a hydridy, viz obr. 8), tyto se zde termicky rozloží a atomy budoucí epitaxní vrstvy se usadí na povrchu (fyzisorpce), migrují po něm a posléze se naváží na správná místa krystalové mřížky (chemisorpce). Základní sumární rovnice pro růst GaAs z trimetylgallia (TMGa) a arsínu je Ga(CH3)3 + AsH3 GaAs + 3CH4 a velmi podobně je to pro ternární, případně kvaternární sloučeninové polovodiče: xga(ch3)3 + (1-x)Al(CH3)3 + AsH3 GaxAl(1-x)As + 3CH4 Obr. 9. Maximálně zjednodušené schéma MOVPE aparatury (reálné aparatury mívají desítky větví). Ve schématu jsou plynné zdroje (prekursory) AsH3 (zdroj arzénu pro GaAs) a SiH4 (zdroj křemíku jako dopantu), H2 jako nosný plyn pro probublávání DEZn (zdroj zinku jako dopantu), TMAl a TMGa (zdroj hliníku a galia pro AlGaAs), také na proplachování aparatury. Prázdné obdélníčky jsou přesné regulátory průtoku. Vlastní reaktor, kde probíhá růst je vpravo nahoře. 5 Charakterizace in-situ (při růstu struktur- RHEED, RAS) a nanocharakterizace připravených struktur (STM, AFM, TEM,...) 1. In situ obecné: 1.1. Měření vakua (tlaku) Měření teploty Hmotnostní spektroskopie Absorpční spektroskopie Ramanův rozptyl Laserem indukovaná fluorescence. (a) 2. In situ povrchové analýzy: 2.1. Difrakční techniky Optické metody Sondové rastrovací metody 16 Škola růstu krystalů 2008
6 3. Ex situ 3.1. Optické metody Elektrické (transportní) RTG difrakce Mikroskopie elektronové i sondové. 2. In situ povrchové analýzy 2.1. Difrakční techniky LEED - Difrakce nízkoenergetických elektronů RHEED - Difrakce vysokoenergetických elektronů odrazem GIXS - Plochý RTG rozptyl (Grazing Incidence X-ray Scattering) Reflektance Polarizovaného světla Anizotropická spektroskopie (viz obr 11 a 12) Rozptyl Elipsometrie Polarizovaná spektroskopie Povrchová fotoabsorpce Reflektometrie Laserového světla Ramanův 2.3. Sondové rastrovací metody (pouze příklady dostupné ve FZÚ AV ČR v. v. i.). Viz obr AFM STM Princip in-situ metody rozptylu vysoko-energetických elektronů - RHEED pro MBE, (jen pro vakuové technologie) bude popsán v jiné přednášce. Obr. 10. Fotografie MOVPE aparatury AIXTRON 200. Zprava: Vkládací komora; Reaktor a řízení jeho teploty; Rozvody plynů, regulátory jejich průtoků a termostaty v nichž jsou uloženy probublávačky; Elektronické řízení aparatury. Obr. 11. Princip in-situ MOVPE metody odrazové neizotropní spektroskopie RAS a měření teploty povrchu vzorku (i pro nevakuové technologie!, a měří i povrchovou teplotu!). Škola růstu krystalů
7 Obr. 12. Časový průběh RAS signálu (při růstu struktury dvojnásobných kvantových teček) intenzit odražených fotonů (pro dvě různé energie) a oscilace při růstu jednotlivých atomárních rovin. Obr. 13. STM obrázky příčného lomu našich struktur s QW (vysoké píky jsou artefakty způsobené desorpcí atomů As) tři kvantové jámy (silné 1.5 atomárních rovin a vzdálené 17 atomárních rovin); jedna kvantová jáma mírně asymetrická (silná zhruba 1 atomární rovinu). Příklad falešného signálu dvojité sedmijamové struktury kvůli rozštěpenému hrotu. 18 Škola růstu krystalů 2008
8 Závěr Epitaxní technologie slouží k přípravě polovodičových heterostruktur a nanostruktur vysoké krystalografické kvality pro nejrůznější badatelské účely a průmyslové aplikace. MOVPE a MBE jsou dnes a nejméně i příštích deset let budou zásadní polovodičové metody badatelské (MBE i MOVPE) i průmyslové (hlavně MOVPE) pro oblast optoelektroniky, rychlé elektroniky a asi i spinotroniky. Nákladná investice i provoz vyžadují odpovídající metody charakterizační i diagnostické (in-situ i ex situ) a také přesné a spolehlivé modelování růstu i struktur. Některé výsledky a obrázky ilustrující epitaxní růst a jeho charakterizaci byly získány v rámci projektu GA AV č. IAA Literatura M.A. Herman, W. Richter, H. Sitter, Epitaxy, Springer- Verlag, Berlin, Heidelberg, New York 2004, ISBN D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov, Quantum dot heterostructuresctures, John Wiley and Sons, Chichester, New York, Weinheim, Brisbane, Singapore, Toronto, 2000, ISBN V.A. Schuskin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Epitaxy of Nanostructures, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, New York 2004, ISBN Škola růstu krystalů
12PN, ve FZÚ AV ČR, v. v. i., Cukrovarnická 10, letní sem. od 16.2. 2015, pondělí (15:30) (18:30) 23.2., 9.3., 23.3., 13.4., 27.4.; 18.5.
POLOVODIČOVÉ nanotechnologie 12PN, ve FZÚ AV ČR, v. v. i., Cukrovarnická 10, letní sem. od 16.2. 2015, pondělí (15:30) (18:30) 23.2., 9.3., 23.3., 13.4., 27.4.; 18.5. ZK Eduard Hulicius hulicius@fzu.cz
VíceTECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ III.
TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ III. NANÁŠENÍ VRSTEV V mikroelektronice se nanáší tzv. tlusté a tenké vrstvy. a) Tlusté vrstvy: Používají se v hybridních integrovaných obvodech. Nanáší
VíceE. Hulicius: 12NT (Polovodičové) nanotechnologie, FJFI, Cukrovarnická 10, zasedačka v budově A, 2015, čtvrtek 15:50 (4 hod.): 1.10., 8.10.,
E. Hulicius: 12NT (Polovodičové) nanotechnologie, FJFI, Cukrovarnická 10, zasedačka v budově A, 2015, čtvrtek 15:50 (4 hod.): 1.10., 8.10., 12.11.- exkurse, 19.11. F. Novotný: Kvantové kovové tečky, Troja,
VíceOptoelektronika polovodičové zdroje záření
Optoelektronika polovodičové zdroje záření Doc. Ing. Eduard Hulicius, CSc. Fyzikální ústav Akademie věd ČR hulicius@fzu.cz Role optoelektroniky ve vědě a v aplikacích Definice optoelektroniky: Optoelektronika
VíceJiří Oswald. Fyzikální ústav AV ČR v.v.i.
Jiří Oswald Fyzikální ústav AV ČR v.v.i. I. Úvod Polovodiče Zákládní pojmy Kvantově-rozměrový jev II. Luminiscence Si nanokrystalů III. Luminiscence polovodičových nanostruktur A III B V IV. Aplikace Pásová
VíceOpakování: shrnutí základních poznatků o struktuře atomu
11. Polovodiče Polovodiče jsou krystalické nebo amorfní látky, jejichž elektrická vodivost leží mezi elektrickou vodivostí kovů a izolantů a závisí na teplotě nebo dopadajícím optickém záření. Elektrické
Vícegalvanicky chemicky plazmatem ve vakuu Vrstvy ve vakuu MBE Vakuová fyzika 2 1 / 39
Vytváření vrstev galvanicky chemicky plazmatem ve vakuu Vrstvy ve vakuu povlakování MBE měření tloušt ky vrstvy během depozice Vakuová fyzika 2 1 / 39 Velmi stručná historie (více na www.svc.org) 1857
VíceNauka o materiálu. Přednáška č.10 Difuze v tuhých látkách, fáze a fázové přeměny
Nauka o materiálu Přednáška č.10 Difuze v tuhých látkách, fáze a fázové přeměny Difuze v tuhých látkách Difuzí nazýváme přesun atomů nebo iontů na vzdálenost větší než je meziatomová vzdálenost. Hnací
VíceIradiace tenké vrstvy ionty
Iradiace tenké vrstvy ionty Ve většině technologických aplikací dochází k depozici tenké vrstvy za nízké teploty > jsme v zóně I nebo T > vrstvá má sloupcovou strukturu, je porézní a hrubá. Ukazuje se,
VícePřehled metod depozice a povrchových
Kapitola 5 Přehled metod depozice a povrchových úprav Tabulka 5.1: První část přehledu technologií pro depozici tenkých vrstev. Klasifikované podle použitého procesu (napařování, MBE, máčení, CVD (chemical
VícePlazmová depozice tenkých vrstev oxidu zinečnatého
Plazmová depozice tenkých vrstev oxidu zinečnatého Bariérový pochodňový výboj za atmosférického tlaku Štěpán Kment Doc. Dr. Ing. Petr Klusoň Mgr. Zdeněk Hubička Ph.D. Obsah prezentace Úvod do problematiky
VícePřednáška 3. Napařování : princip, rovnovážný tlak par, rychlost vypařování.
Přednáška 3 Napařování : princip, rovnovážný tlak par, rychlost vypařování. Realizace vypařovadel, směrovost vypařování, vypařování sloučenin a slitin, Vypařování elektronovým svazkem a MBE Napařování
VíceZákladní typy článků:
Základní typy článků: Články z krystalického Si c on ta c t a ntire fle c tio n c o a tin g Tenkovrstvé články N -ty p e P -ty p e Materiály a technologie pro fotovoltaické články Nové materiály Gratzel,
VíceMikroskopie se vzorkovací sondou. Pavel Matějka
Mikroskopie se vzorkovací sondou Pavel Matějka Mikroskopie se vzorkovací sondou 1. STM 1. Princip metody 2. Instrumentace a příklady využití 2. AFM 1. Princip metody 2. Instrumentace a příklady využití
VíceSkupenské stavy látek. Mezimolekulární síly
Skupenské stavy látek Mezimolekulární síly 1 Interakce iont-dipól Např. hydratační (solvatační) interakce mezi Na + (iont) a molekulou vody (dipól). Jde o nejsilnější mezimolekulární (nevazebnou) interakci.
VíceF7030 Rentgenový rozptyl na tenkých vrstvách
F7030 Rentgenový rozptyl na tenkých vrstvách O. Caha PřF MU Prezentace k přednášce Numerické simulace Příklady experimentů Vybrané vztahy Sylabus Elementární popis vlnového pole: Rtg vlna ve vakuu; Greenova
VíceElektronová mikroskopie SEM, TEM, AFM
Elektronová mikroskopie SEM, TEM, AFM Historie 1931 E. Ruska a M. Knoll sestrojili první elektronový prozařovací mikroskop 1939 první vyrobený elektronový mikroskop firma Siemens rozlišení 10 nm 1965 první
VíceFotonické nanostruktury (nanofotonika)
Základy nanotechnologií KEF/ZANAN Fotonické nanostruktury (nanofotonika) Jan Soubusta 4.11. 2015 Obsah 1. ÚVOD 2. POHLED DO MIKROSVĚTA 3. OD ELEKTRONIKY K FOTONICE 4. FYZIKA PRO NANOFOTONIKU 5. PERIODICKÉ
Více5. Vedení elektrického proudu v polovodičích
5. Vedení elektrického proudu v polovodičích - zápis výkladu - 26. až 27. hodina - A) Stavba látky a nosiče náboje Atom: základní stavební částice; skládá se z atomového jádra (protony a neutrony) a atomového
Vícenano.tul.cz Inovace a rozvoj studia nanomateriálů na TUL
Inovace a rozvoj studia nanomateriálů na TUL nano.tul.cz Tyto materiály byly vytvořeny v rámci projektu ESF OP VK: Inovace a rozvoj studia nanomateriálů na Technické univerzitě v Liberci Přednášky pro
VíceVýstupní práce Materiály a technologie přípravy M. Čada
Výstupní práce Makroskopická veličina charakterizující povrch z pohledu elektronických vlastností. Je to míra vazby elektronu k pevné látce a hraje důležitou roli při procesech transportu nabitých částic
VíceFotonické nanostruktury (alias nanofotonika)
Základy nanotechnologií KEF/ZANAN Fotonické nanostruktury (alias nanofotonika) Jan Soubusta 27.10. 2017 Obsah 1. ÚVOD 2. POHLED DO MIKROSVĚTA 3. OD ELEKTRONIKY K FOTONICE 4. FYZIKA PRO NANOFOTONIKU 5.
VíceTenké vrstvy pro lékařství 1. Laserové vrstvy ( metody přípravy vrstev, laser, princip metody pulzní laserové depozice PLD, růst vrstev, )
Tenké vrstvy pro lékařství 1. Laserové vrstvy ( metody přípravy vrstev, laser, princip metody pulzní laserové depozice PLD, růst vrstev, ) 2. Vybrané vrstvy a aplikace - gradientní vrstvy, nanokrystalické
VíceLaboratoř pro přípravu a charakterizaci polovodičových struktur na bázi nitridů LABONIT, registrační číslo projektu CZ.2.16/3.1.
ODŮVODNĚNÍ VEŘEJNÉ ZAKÁZKY v souladu s 156 odst. 1 zákona č. 137/2006 Sb., o veřejných zakázkách, ve znění pozdějších předpisů (dále jen zákon ), a vyhlášky č. 232/2012 Sb. (dále jen vyhláška ) Název veřejné
VíceOptoelektronika. elektro-optické převodníky - LED, laserové diody, LCD. Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA)
Optoelektronika elektro-optické převodníky - LED, laserové diody, LCD Elektro-optické převodníky žárovka - nejzákladnější EO převodník nevhodné pro optiku široké spektrum vlnových délek vhodnost pro EO
VíceLasery optické rezonátory
Lasery optické rezonátory Optické rezonátory Optickým rezonátorem se rozumí dutina obklopená odrazovými plochami, v níž je pasivní dielektrické prostředí. Rezonátor je nezbytnou součástí laseru, protože
Více1. Millerovy indexy, reciproká mřížka
Obsah 1. Millerovy indexy, reciproká mřížka 2. Krystalografické soustavy, Bravaisovy mřížky 3. Poruchy v pevných látkách 4. Difrakční metody určování struktury pevných látek 5. Mechanické vlastnosti pevných
Více1. Kvantové jámy. Tabulka 1: Efektivní hmotnosti nosičů v krystalech GaAs, AlAs, v jednotkách hmotnosti volného elektronu m o.
. Kvantové jámy Pokročilé metody růstu krystalů po jednotlivých vrstvách (jako MBE) dovolují vytvořit si v krystalu libovolný potenciál. Jeden z hojně používaných materiálů je: GaAs, AlAs a jejich ternární
VíceSPEKTROMETRIE. aneb co jsem se dozvěděla. autor: Zdeňka Baxová
SPEKTROMETRIE aneb co jsem se dozvěděla autor: Zdeňka Baxová FTIR spektrometrie analytická metoda identifikace látek (organických i anorganických) všech skupenství měříme pohlcení IČ záření (o různé vlnové
VíceU BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D.
Napěťový průraz polovodičových přechodů Zvyšování napětí na přechodu -přechod se rozšiřuje, ale pouze s U (!!) - intenzita elektrického pole roste -překročení kritické hodnoty U (BR) -vzrůstu závěrného
VíceLEED (Low-Energy Electron Diffraction difrakce elektronů s nízkou energií)
LEED (Low-Energy Electron Diffraction difrakce elektronů s nízkou energií) RHEED (Reflection High-Energy Electron Diffraction difrakce elektronů s vysokou energií na odraz) Úvod Zkoumání povrchů pevných
Více3. Vlastnosti skla za normální teploty (mechanické, tepelné, optické, chemické, elektrické).
PŘEDMĚTY KE STÁTNÍM ZÁVĚREČNÝM ZKOUŠKÁM V BAKALÁŘSKÉM STUDIU SP: CHEMIE A TECHNOLOGIE MATERIÁLŮ SO: MATERIÁLOVÉ INŽENÝRSTVÍ POVINNÝ PŘEDMĚT: NAUKA O MATERIÁLECH Ing. Alena Macháčková, CSc. 1. Souvislost
VíceTechnologie a vlastnosti tenkých vrstev, tenkovrstvé senzory
Vysoká škola chemicko-technologická v Praze Technologie a vlastnosti tenkých vrstev, tenkovrstvé senzory Technologie CVD, PVD, PECVD, MOVPE, MBE, coating technologie (spin-, spray-, dip-) Ondřej Ekrt Vymezení
VíceLasery RTG záření Fyzika pevných látek
Lasery RTG záření Fyzika pevných látek Lasery světlo monochromatické koherentní malá rozbíhavost svazku lze ho dobře zfokusovat aktivní prostředí rezonátor fotony bosony laser stejný kvantový stav učební
VíceMikroskopie rastrující sondy
Mikroskopie rastrující sondy Metody charakterizace nanomateriálů I RNDr. Věra Vodičková, PhD. Metody mikroskopie rastrující sondy SPM (scanning( probe Microscopy) Metody mikroskopie rastrující sondy soubor
VícePřednáška 8. Chemické metody a fyzikálně-chemické metody : princip CVD, metody dekompozice, PE CVD
Přednáška 8 Chemické metody a fyzikálně-chemické metody : princip CVD, metody dekompozice, PE CVD CVD Chemical Vapor Deposition Je chemický proces používaný k vytváření tenkých vrstev. Substrát je vystaven
VíceMetody charakterizace
Metody y strukturní analýzy Metody charakterizace nanomateriálů I Význam strukturní analýzy pro studium vlastností materiálů Experimentáln lní metody využívan vané v materiálov lovém m inženýrstv enýrství:
VíceÚvod do laserové techniky KFE FJFI ČVUT Praha Michal Němec, 2014. Energie elektronů v atomech nabývá diskrétních hodnot energetické hladiny.
Polovodičové lasery Energie elektronů v atomech nabývá diskrétních hodnot energetické hladiny. Energetické hladiny tvoří pásy Nejvyšší zaplněný pás je valenční, nejbližší vyšší energetický pás dovolených
VícePolovodičové senzory. Polovodičové materiály Teplotní závislost polovodiče Piezoodporový jev Fotonové jevy Radiační jevy Magnetoelektrické jevy
Polovodičové senzory Polovodičové materiály Teplotní závislost polovodiče Piezoodporový jev Fotonové jevy Radiační jevy Magnetoelektrické jevy Polovodičové materiály elementární polovodiče Elementární
VícePRINCIPY ZAŘÍZENÍ PRO FYZIKÁLNÍ TECHNOLOGIE (FSI-TPZ-A)
PRINCIPY ZAŘÍZENÍ PRO FYZIKÁLNÍ TECHNOLOGIE (FSI-TPZ-A) GARANT PŘEDMĚTU: Prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (ÚFI) VYUČUJÍCÍ PŘEDMĚTU: Prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc., Ing. Stanislav Voborný, Ph.D. (ÚFI) JAZYK
Víceλ hc Optoelektronické součástky Fotorezistor, Laserová dioda
Optoelektronické součástky Fotorezistor, Laserová dioda Úvod Optoelektronické součástky jsou založeny na interakci optického záření s elektricky nabitými částicemi v polovodičích. Vztah mezi energií fotonů
VíceATOMOVÁ SPEKTROMETRIE
ATOMOVÁ SPEKTROMETRIE doc. Ing. David MILDE, Ph.D. tel.: 585634443 E-mail: david.milde@upol.cz (c) -017 Doporučená literatura Černohorský T., Jandera P.: Atomová spektrometrie. Univerzita Pardubice 1997.
VíceDODATEČNÉ INFORMACE K ZADÁVACÍM PODMÍNKÁM č. 4
DODATEČNÉ INFORMACE K ZADÁVACÍM PODMÍNKÁM č. 4 Název zadavatele: Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. Sídlo: Na Slovance 1999/2, 182 21 Praha 8 Identifikační číslo: 68378271 Osoby oprávněné jednat za zadavatele:
VícePočet atomů a molekul v monomolekulární vrstvě
Počet atomů a molekul v monomolekulární vrstvě ϑ je stupeň pokrytí ϑ = N 1 N 1p N 1 = ϑn 1p ν 1 = 1 4 nv a ν 1ef = γν 1 = γ 1 4 nv a γ je koeficient ulpění () F6450 1 / 23 8kT v a = πm = 8kNa T π M 0 ν
VíceFyzikální chemie. Magda Škvorová KFCH CN463 magda.skvorova@ujep.cz, tel. 3302. 14. února 2013
Fyzikální chemie Magda Škvorová KFCH CN463 magda.skvorova@ujep.cz, tel. 3302 14. února 2013 Co je fyzikální chemie? Co je fyzikální chemie? makroskopický přístup: (klasická) termodynamika nerovnovážná
VíceDODATEČNÉ INFORMACE K ZADÁVACÍM PODMÍNKÁM č. 5
DODATEČNÉ INFORMACE K ZADÁVACÍM PODMÍNKÁM č. 5 Zadavatel: Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. Sídlo: Na Slovance 1999/2, 182 21 Praha 8 Idetifikační číslo: 68378271 Osoba oprávněná jednat za zadavatele: prof.
VíceBlue-light LED, modrá
Blue-light LED, modrá je dobrá Jan Soubusta Společná laboratoř optiky UP a FZÚ AVČR Obsah přednášky Nobelova cena Laureáti za fyziku 2014 Historický přehled Co je to LED? Výhody LED? Nobelova cena za fyziku
VícePodivuhodný grafen. Radek Kalousek a Jiří Spousta. Ústav fyzikálního inženýrství a CEITEC Vysoké učení technické v Brně. Čichnova 19. 9.
Podivuhodný grafen Radek Kalousek a Jiří Spousta Ústav fyzikálního inženýrství a CEITEC Vysoké učení technické v Brně Čichnova 19. 9. 2014 Osnova přednášky Úvod Co je grafen? Trocha historie Některé podivuhodné
Vícer W. Shockley, J. Bardeen a W. Brattain, zahájil epochu polovodičové elektroniky, která se rozvíjí dodnes.
r. 1947 W. Shockley, J. Bardeen a W. Brattain, zahájil epochu polovodičové elektroniky, která se rozvíjí dodnes. 2.2. Polovodiče Lze je definovat jako látku, která má elektronovou bipolární vodivost, tj.
VíceTechnologie CMOS. Je to velmi malý svět. Technologie CMOS Lokální oxidace. Vytváření izolačních příkopů. Vytváření izolačních příkopů
Je to velmi malý svět Technologie CMOS Více než 2 000 000 tranzistorů v 45nm technologii může být integrováno na plochu tečky za větou. From The Oregonian, April 07, 2008 Jiří Jakovenko Struktury integrovaných
VíceTECHNICKÁ UNIVERZITA V LIBERCI
TECHNICKÁ UNIVERZITA V LIBERCI Fakulta mechatroniky, informatiky a mezioborových studií Polovodičové zdroje fotonů Přehledový učební text Roman Doleček Liberec 2010 Materiál vznikl v rámci projektu ESF
VíceKrystalografie a strukturní analýza
Krystalografie a strukturní analýza O čem to dneska bude (a nebo také nebude): trocha historie aneb jak to všechno začalo... jak a čím pozorovat strukturu látek difrakce - tak trochu jiný mikroskop rozptyl
VíceProč elektronový mikroskop?
Elektronová mikroskopie Historie 1931 E. Ruska a M. Knoll sestrojili první elektronový prozařovací mikroskop,, 1 1939 první vyrobený elektronový mikroskop firma Siemens rozlišení 10 nm 1965 první komerční
VíceE g IZOLANT POLOVODIČ KOV. Zakázaný pás energií
Polovodiče To jestli nazýváme danou látku polovodičem, závisí především na jejích vlastnostech ve zvoleném teplotním oboru. Obecně jsou to látky s 0 ev < Eg < ev. KOV POLOVODIČ E g IZOLANT Zakázaný pás
VíceElektrické vlastnosti pevných látek
Elektrické vlastnosti pevných látek elektrická vodivost gradient vnějšího elektrického pole vyvolá přenos náboje volnými nositeli (elektrony, díry, ionty) měrná vodivost = e n n e p p [ -1 m -1 ] Kovy
VíceČeské vysoké učení technické v Praze Fakulta jaderná a fyzikálně inženýrská. Příloha formuláře C OKRUHY
Příloha formuláře C OKRUHY ke státním závěrečným zkouškám BAKALÁŘSKÉ STUDIUM Obor: Studijní program: Aplikace přírodních věd Základy fyziky kondenzovaných látek 1. Vazebné síly v kondenzovaných látkách
VíceSTUDIUM POVRCHŮ A ROZHRANÍ. Pavel Svoboda, Tomáš Jungwirth. Čs. čas. fyz. 53 /2003/
InAs v GaAs. U obou systémů se předpokládá aplikace pro optoelektronické součástky s velkou účinností do vysokých teplot. Tyto systémy jsou připravovány metodou MOVPE v oddělení polovodičů a proto máme
VíceStudijní opora pro předmět Technologie elektrotechnické výroby
Studijní opora pro předmět Technologie elektrotechnické výroby Doc. Ing. Václav Kolář Ph.D. Předmět určen pro: Fakulta metalurgie a materiálového inženýrství, VŠB-TU Ostrava. Navazující magisterský studijní
VíceVakuové metody přípravy tenkých vrstev
Vakuové metody přípravy tenkých vrstev Metody vytváření tenkých vrstev Vakuové metody dnes nejužívanější CVD Chemical Vapour Deposition (PE CVD Plasma Enhanced CVD nebo PA CVD Plasma Assisted CVD) PVD
VíceTermodynamika (td.) se obecně zabývá vzájemnými vztahy a přeměnami různých druhů
Termodynamika (td.) se obecně zabývá vzájemnými vztahy a přeměnami různých druhů energií (mechanické, tepelné, elektrické, magnetické, chemické a jaderné) při td. dějích. Na rozdíl od td. cyklických dějů
VíceFyzikální chemie. ochrana životního prostředí analytická chemie chemická technologie denní. Platnost: od 1. 9. 2009 do 31. 8. 2013
Učební osnova předmětu Fyzikální chemie Studijní obor: Aplikovaná chemie Zaměření: Forma vzdělávání: Celkový počet vyučovacích hodin za studium: Analytická chemie Chemická technologie Ochrana životního
VíceChemické metody depozice z plynné fáze
Kapitola 7 Chemické metody depozice z plynné fáze Chemickými procesy v plynné fázi jsou metody vytváření tenkých vrstev s využitím čistě chemických procesů, jedná se o reakci plynné fáze nebo par na jedné
VíceChemické metody plynná fáze
Chemické metody plynná fáze Chemické reakce prekurzorů lze aktivovat i UV zářením PHCVD. Foton aktivuje molekuly nebo atomy, které pak vytvářejí volné radikály nesoucí hodně energie > ty pak rozbijí velké
Více1. Látkové soustavy, složení soustav
, složení soustav 1 , složení soustav 1. Základní pojmy 1.1 Hmota 1.2 Látky 1.3 Pole 1.4 Soustava 1.5 Fáze a fázové přeměny 1.6 Stavové veličiny 1.7 Složka 2. Hmotnost a látkové množství 3. Složení látkových
VíceModel dokonalého spalování pevných a kapalných paliv Teoretické základy spalování. Teoretické základy spalování
Spalování je fyzikálně chemický pochod, při kterém probíhá organizovaná příprava hořlavé směsi paliva s okysličovadlem a jejich slučování (hoření) za intenzivního uvolňování tepla, což způsobuje prudké
VíceNauka o materiálu. Přednáška č.2 Poruchy krystalické mřížky
Nauka o materiálu Přednáška č.2 Poruchy krystalické mřížky Opakování z minula Materiál Degradační procesy Vnitřní stavba atomy, vazby Krystalické, amorfní, semikrystalické Vlastnosti materiálů chemické,
VíceNultá věta termodynamická
TERMODYNAMIKA Nultá věta termodynamická 2 Práce 3 Práce - příklady 4 1. věta termodynamická 5 Entalpie 6 Tepelné kapacity 7 Vnitřní energie a entalpie ideálního plynu 8 Výpočet tepla a práce 9 Adiabatický
VícePlazmové metody Materiály a technologie přípravy M. Čada
Plazmové metody Existuje mnoho druhů výbojů v plynech. Ionizovaný plyn = elektrony + ionty + neutrály Depozice tenkých vrstev za pomocí plazmatu je jednou z nejpoužívanějších metod. Pomocí plazmatu lze
Více7. Elektrický proud v polovodičích
7. Elektrický proud v polovodičích 7.1 Elektrické vlastnosti polovodičů Kromě vodičů a izolantů existují polovodiče. Definice polovodiče: Je to řada minerálů, rud, krystalů i amorfních látek, řada oxidů
VíceTřídění látek. Chemie 1.KŠPA
Třídění látek Chemie 1.KŠPA Systém (soustava) Vymezím si kus prostoru, látky v něm obsažené nazýváme systém soustava okolí svět Stěny soustavy Soustava může být: Izolovaná = stěny nedovolí výměnu částic
VíceDODATEČNÉ INFORMACE K ZADÁVACÍM PODMÍNKÁM č. 2
DODATEČNÉ INFORMACE K ZADÁVACÍM PODMÍNKÁM č. 2 Název zadavatele: Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. Sídlo: Na Slovance 1999/2, 182 21 Praha 8 Identifikační číslo: 68378271 Osoby oprávněné jednat za zadavatele:
VíceMikro a nano vrstvy. Technologie a vlastnosti tenkých vrstev, tenkovrstvé sensory - N444028
Mikro a nano vrstvy 1 Co je nanotechnolgie? Slovo pochází z řečtiny = malost, trpaslictví. Z něj n j odvozen termín n nanotechnologie. Jako nanotechnologie je označov ována oblast vědy, jejímž cílem je
VíceEmise vyvolaná působením fotonů nebo částic
Emise vyvolaná působením fotonů nebo částic PES (fotoelektronová spektroskopie) XPS (rentgenová fotoelektronová spektroskopie), ESCA (elektronová spektroskopie pro chemickou analýzu) UPS (ultrafialová
VíceSkenovací tunelová mikroskopie a mikroskopie atomárních sil
Skenovací tunelová mikroskopie a mikroskopie atomárních sil M. Vůjtek Tento projekt je spolufinancován Evropským sociálním fondem a státním rozpočtem České republiky v rámci projektu Vzdělávání výzkumných
VíceVybrané technologie povrchových úprav. Metody vytváření tenkých vrstev Doc. Ing. Karel Daďourek 2008
Vybrané technologie povrchových úprav Metody vytváření tenkých vrstev Doc. Ing. Karel Daďourek 2008 Metody vytváření tenkých vrstev Vakuové metody dnes nejužívanější CVD Chemical vapour deposition PE CVD
VíceFyzikální metody nanášení tenkých vrstev
Fyzikální metody nanášení tenkých vrstev Vakuové napařování Příprava tenkých vrstev kovů některých dielektrik polovodičů je možné vytvořit i epitaxní vrstvy (orientované vrstvy na krystalické podložce)
VíceNanokrystalické tenké filmy oxidu železitého pro solární štěpení vody
Nanokrystalické tenké filmy oxidu železitého pro solární štěpení vody J. Frydrych, L. Machala, M. Mašláň, J. Pechoušek, M. Heřmánek, I. Medřík, R. Procházka, D. Jančík, R. Zbořil, J. Tuček, J. Filip a
Více2.4 Stavové chování směsí plynů Ideální směs Ideální směs reálných plynů Stavové rovnice pro plynné směsi
1. ZÁKLADNÍ POJMY 1.1 Systém a okolí 1.2 Vlastnosti systému 1.3 Vybrané základní veličiny 1.3.1 Množství 1.3.2 Délka 1.3.2 Délka 1.4 Vybrané odvozené veličiny 1.4.1 Objem 1.4.2 Hustota 1.4.3 Tlak 1.4.4
VíceSpeciální analytické metody pro léčiva
Speciální analytické metody pro léčiva doc. RNDr. Ing. Pavel Řezanka, Ph.D. E-mail: pavel.rezanka@vscht.cz Místnost: A234 Příprava předmětu byla podpořena projektem OPPA č. CZ.2.17/3.1.00/33253 1 Harmonogram
VíceStředoškolská odborná činnost 2005/2006. Kvantové tečky
Středoškolská odborná činnost 2005/2006 Obor 02 fyzika Kvantové tečky Autor: Adam Janečka Mendelovo gymnázium, Opava, příspěvková org. Komenského 5, 746 01 Opava, 4. ročník Konzultant práce: Ing. Jiří
VíceMol. fyz. a termodynamika
Molekulová fyzika pracuje na základě kinetické teorie látek a statistiky Termodynamika zkoumání tepelných jevů a strojů nezajímají nás jednotlivé částice Molekulová fyzika základem jsou: Látka kteréhokoli
VíceLasery v mikroelektrotechnice. Soviš Jan Aplikovaná fyzika
Lasery v mikroelektrotechnice Soviš Jan Aplikovaná fyzika Obsah Úvod Laserové: žíhání rýhování (orýsování) dolaďování depozice tenkých vrstev dopování příměsí Úvod Vysoká hustota výkonu laseru změna struktury
VíceMateriálový výzkum na ústavu anorganické chemie. Ondřej Jankovský
Materiálový výzkum na ústavu anorganické chemie Ondřej Jankovský ÚSTAV ANORGANICKÉ CHEMIE Koordinační chemie Materiály pro fotoniku Oxidové materiály Polovodiče a nanomateriály Teoretická chemie Vedoucí
VíceFyzika pro chemiky II
Fyzika pro chemiky II P. Klang, J. Novák, R. Štoudek, Ústav fyziky kondenzovaných látek, PřF MU Brno 18. února 2004 1 Optika 1. Rovinná elektromagnetická vlna o frekvenci f = 5.45 10 14 Hz polarizovaná
VícePOLOVODIČE. Jozef Krištofík, Eduard Hulicius, Pavel Lipavský a kolektiv. Čs. čas. fyz. 53 /2003/ TEORIE
netické rezonance (V. Šik, V. Havlíček), v níž byla studována spektra magnetických nečistot, zejména iontů skupiny železa v nemagnetických oxidech - spinelech a granátech. Motivací bylo pochopit chování
VíceMetody využívající rentgenové záření. Rentgenografie, RTG prášková difrakce
Metody využívající rentgenové záření Rentgenografie, RTG prášková difrakce 1 Rentgenovo záření 2 Rentgenovo záření X-Ray Elektromagnetické záření Ionizující záření 10 nm 1 pm Využívá se v lékařství a krystalografii.
VíceOtázky pro samotestování. Téma1 Sluneční záření
Otázky pro samotestování Téma1 Sluneční záření 1) Jaká je vzdálenost Země od Slunce? a. 1 AU b. 6378 km c. 1,496 x 10 11 m (±1,7%) 2) Jaké množství záření dopadá přibližně na povrch atmosféry? a. 1,60210-19
VíceGlass temperature history
Glass Glass temperature history Crystallization and nucleation Nucleation on temperature Crystallization on temperature New Applications of Glass Anorganické nanomateriály se skelnou matricí Martin Míka
VíceFYZIKÁLNÍ CHEMIE I: 1. ČÁST KCH/P401
Univerzita J. E. Purkyně v Ústí nad Labem Přírodovědecká fakulta FYZIKÁLNÍ CHEMIE I: 1. ČÁST KCH/P401 Magda Škvorová Ústí nad Labem 2013 Obor: Toxikologie a analýza škodlivin, Chemie (dvouoborová) Klíčová
Více13. Spektroskopie základní pojmy
základní pojmy Spektroskopicky významné OPTICKÉ JEVY absorpce absorpční spektrometrie emise emisní spektrometrie rozptyl rozptylové metody Evropský sociální fond Praha & EU: Investujeme do vaší budoucnosti
VíceFázové diagramy a krystalizace slitin
Fázové diagramy a krystalizace slitin KRYSTALICKÁ STAVBA KOVOVÝCH SLITIN Základní pojmy Izotropní látka má ve všech krystalografických směrech stejné vlastnosti (plyn, kapalina). Anizotropní látka má v
VíceCPV (Concentrated Photovoltaics) - Vývoj fotovoltaických panelů nové generace v Elceram a TTS
CPV (Concentrated Photovoltaics) - Vývoj fotovoltaických panelů nové generace v Elceram a TTS Ing. Jan Johan, Ing. Vratislav Gábrt - ELCERAM a.s., Okružní 1144, Hradec Králové jan.johan@email.cz, vyzkum@elceram.cz
VíceTECHNOLOGIE PŘÍPRAVY EPITAXNÍCH VRSTEV KŘEMÍKU
TECHNOLOGIE PŘÍPRAVY EPITAXNÍCH VRSTEV KŘEMÍKU David Krupa, LPE CZ s.r.o. 1 Technologie epitaxního růstu křemíku Název epitaxní je odvozen z řečtiny: epi = na taxis = uspořádaný, pravidelný na růst vrstvy
VíceNanotechnologie a jejich aplikace. doc. RNDr. Roman Kubínek, CSc.
Nanotechnologie a jejich aplikace doc. RNDr. Roman Kubínek, CSc. Předpona pochází z řeckého νανος což znamená trpaslík 10-9 m 380-780 nm rozsah λ viditelného světla Srovnání známých malých útvarů SPM Vyjasnění
VíceF6450. Vakuová fyzika 2. Vakuová fyzika 2 1 / 32
F6450 Vakuová fyzika 2 Pavel Slavíček email: ps94@sci.muni.cz Vakuová fyzika 2 1 / 32 Osnova Vázané plyny Sorpční vývěvy kryogenní zeolitové sublimační iontové getrové - vypařované, nevypařované (NEG)
VíceBarva produkovaná vibracemi a rotacemi
Barva produkovaná vibracemi a rotacemi Hana Čechlovská Fakulta chemická Obor fyzikální a spotřební chemie Purkyňova 118 612 00 Brno Barva, která je produkována samotnými vibracemi je relativně mimořádná.
VíceELEKTRONICKÉ PRVKY TECHNOLOGIE VÝROBY POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ
ELEKTRONICKÉ PRVKY TECHNOLOGIE VÝROBY POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ Polovodič - prvek IV. skupiny, v elektronice nejčastěji křemík Si, vykazuje vysokou čistotu (10-10 ) a bezchybnou strukturu atomové mřížky v monokrystalu.
Více2. Elektrotechnické materiály
. Elektrotechnické materiály Předpokladem vhodného využití elektrotechnických materiálů v konstrukci elektrotechnických součástek a zařízení je znalost jejich vlastností. Elektrické vlastnosti materiálů
VícePlazmatické metody pro úpravu povrchů
Plazmatické metody pro úpravu povrchů Aleš Kolouch Technická Univerzita v Liberci Studentská 2 461 17 Liberec 1 Obsah 1. Plazma 2. Plazmové stříkání 3. Plazmové leptání 4. PVD 5. PECVD 6. Druhy reaktorů
VíceMetody využívající rentgenové záření. Rentgenovo záření. Vznik rentgenova záření. Metody využívající RTG záření
Metody využívající rentgenové záření Rentgenovo záření Rentgenografie, RTG prášková difrakce 1 2 Rentgenovo záření Vznik rentgenova záření X-Ray Elektromagnetické záření Ionizující záření 10 nm 1 pm Využívá
Více