7. VÍCEVRSTVÉ SPÍNACÍ SOUČÁSTKY
|
|
- Karolína Havlová
- před 8 lety
- Počet zobrazení:
Transkript
1 7. VÍCEVRSTVÉ SPÍNACÍ SOUČÁSTKY V této kapitole se budeme zabývat spínacími prvky tyristorového typu. Slovo tyristor má anglickou obdobu thyristor a pochází z řečtiny, kde znamená dveře. Tyristor je obecné označení pro bistabilní polovodičové součástky, které mají tři nebo více přechodů PN a mohou se přepínat z blokovacího do propustného stavu a obráceně. Do skupiny tyristorů se počítá mnoho součástek. Podle průběhu ampérvoltové charakteristiky se tyristory dělí do tří skupin: A) závěrně blokující, které mohou spínat jen při jedné polaritě hlavního napětí (hlavním napětím rozumíme napětí přivedené na hlavní vývody A-K nebo A 1 -A 2 ). Při opačné polaritě mají stejné vlastnosti jako usměrňovací diody v závěrném směru. B) obousměrné spínací, které mohou spínat při obou polaritách hlavního napětí. C) závěrně vodivé, které mohou spínat jen při jedné polaritě hlavního napětí a při opačné polaritě mají stejné vlastnosti jako usměrňovací diody v propustném směru. Obr Průběhy ampérvoltových charakteristik tří skupin tyristorů Podle počtu elektrod (vývodů) rozlišujeme: a) diodové tyristory, které mají dva hlavní vývody (značené A a K nebo A 1 a A 2 ). Jejich zapnutí se uskutečňuje zvýšením blokovacího napětí nad hodnotu blokovacího spínacího napětí U (B0) nebo světelným signálem. Diodové tyristory jsou vyráběny jako nevýkonové součástky a v aplikacích se používají v pomocných a ovládacích obvodech triodových tyristorů. b) triodové tyristory, které mají dva hlavní a jeden pomocný vývod G (řídicí elektrodu, hradlo, mřížku, gate), k němuž se přivádí proudový signál pro převedení tyristoru z blokovacího do zapnutého stavu. Zapínání řídicím proudem je u nich převažujícím způsobem. Triodové tyristory se nejvíce rozšířily, a to jak v nevýkonových, tak ve výkonových aplikacích. c) tetrodové tyristory (tyristorové tetrody), které mají dva hlavní a dva pomocné vývody. Pomocné vývody slouží k zapínání, popř. i vypínání, řídicím proudem obou polarit. Činnost tyristorů je založena na tyristorovém jevu. Všechny tyristory jsou vyráběny z křemíku a patří k nejdůležitějším a nejrozšířenějším polovodičovým součástkám. Svými aplikačními možnostmi tyristory pronikavě ovlivnily řešení všech problémů souvisejících s řízením elektrického výkonu. Je potřeba uvést, že názvy jednotlivých tyristorových součástek vytvořených kombinací přívlastků A, B, C a přívlastky a, b, c jsou v praxi málo používané. V praxi (i v katalozích) se používají názvy kratší. Uveďme nyní přehled jednotlivých součástek a jejich názvů: Aa) Diodový závěrně blokující tyristor (čtyřvrstvá dioda, Shockleyova dioda). Ba) Diodový obousměrně vodivý tyristor (pětivrstvá dioda). Podobnou AV charakteristiku má třívrstvá dioda (diak), což je souměrný lavinový tranzistor. Ab) Triodový tyristor závěrně blokující. Je v praxi nejrozšířenější a nazýváme jej zkráceně tyristor. Pokud tedy hovoříme o tyristorech (bez dalšího upřesnění), míníme tím vždy triodové tyristory. V anglicky psané literatuře se označuje jako SCR (silicon controlled rectifier). Kap. 7. Vícevrstvé spínací součástky 171
2 Bb) Triodový tyristor obousměrně vodivý. Nazýváme jej triak nebo obousměrný tyristor. Je to pětivrstvá struktura. Cb) Triodový tyristor závěrně vodivý. Ac) Tetrodový tyristor závěrně blokující (tyristorová tetroda). Další kombinace neexistují. 7.1 Tyristor Funkce tyristoru je založena na tzv. tyristorovém jevu. tj. lavinovém přechodu z blokovacího do propustného stavu. Tyristorový jev je vlastně spojení dvou tranzistorových jevů ve čtyřvrstvé struktuře. Vznik tyristorového jevu je podmíněn existencí závislosti proudového zesilovacího činitele plošného tranzistoru na proudu emitoru a na kolektorovém napětí (obr. 7.2). Tyristor je čtyřvrstvá struktura se třemi přechody PN (obr. 7.3). Tyto přechody ovlivňují funkci součástky ve třech základních stavech, které jsou: - závěrný stav, - blokovací (vypnutý) stav, - propustný (sepnutý) stav. Poznamenejme, že je nutné důsledně rozlišovat závěrný a blokovací stav, přestože v obou případech tyristor téměř nevede proud. Obr Závislost zesilovacího činitele bipolárního křemíkového tranzistoru na: a) proudu emitoru při třech různých teplotách struktury a b) kolektorovém napětí a) b) Obr Základní uspořádání vrstev a schematické značení tyristoru a) PNPN a b) NPNP V praxi je možné konstruovat tyristory typu PNPN i NPNP (obr. 7.3). Zkratky PNPN a NPNP vyžadují vysvětlení (čteme-li první odzadu, dostaneme druhou). Oba typy se rozlišují tím, ke které vrstvě je připojena řídicí elektroda, buď k vnitřní vrstvě P, nebo k vni-třní vrstvě N. Potom tyristor PNPN má řídící elektrodu G P a tyristor NPNP má řídicí elektrodu G N. V praxi se užívá struktura PNPN, protože u struktury NPNP se z fy-zikálně technologických dů- vodů nedaří dosahovat potřeb- Obr Rozložení koncentrace příměsí v tyristoru PNPN a AV charakteristika tyristoru 172 Kap. 7. Vícevrstvé spínací součástky
3 ných parametrů (tj. při odpovídající struktuře jsou vždy horší; jiná situace je u nevýkonových tyristorů, kde jsou známy vydařené konstrukce tyristorové tetrody, která má řídicí elektrodu G P i G N ). Anoda a katoda jsou připojeny k vnějším vrstvám, anoda k vrstvě P, katoda k vrstvě N. Tyristor má tři přechody PN, označené J 1, J 2, J 3, jejichž funkce jsou odlišné. Na obr. 7.4 je schematicky znázorněno rozložení koncentrace příměsí ve struktuře PNPN. Je zřejmé, že v rovnovážném stavu budou oblasti přechodu J 1 a J 2 širší než oblast přechodu J Tyristor v závěrném stavu V tomto případě bude na anodu tyristoru připojen záporný pól a na katodu kladný pól vnějšího zdroje. Poznamenejme, že v tomto případě nesmí být na řídicí elektrodě G kladný potenciál. Přechody J 1 a J 3 jsou proto polarizovány v závěrném směru, zatímco přechod J 2 je v propustném stavu. Ochuzené oblasti přechodů J 1 a J 3 se proto rozšíří (dochází k extrakci minoritních nosičů náboje), přechod J 2 však minoritní nosiče náboje injektuje. Vzhledem k platnosti rovnice celkové neutrality prostorového náboje na přechodu PN bude ochuzená oblast přechodu J 1 nejširší, takže téměř celé napětí vnějšího zdroje bude na přechodu J 1. Z tohoto důvodu určuje přechodová oblast J 1 závěrné vlastnosti tyristoru. Celkový proud, který v tomto případě prochází tyristorem, bude určen saturační proudovou hustotou přechodu J 1. Všimněme si, že ve svých úvahách nepředpokládáme vliv injektovaných minoritních nosičů náboje z přechodu J 2. To znamená, tloušťka vrstvy N 1 mezi přechody J 1 a J 2 musí vyhovovat podmínce L>L p, kde L p je difúzní délka minoritních děr v diskutované oblasti. Obr Tranzistorové náhradní schéma čtyřvrstvé struktury tyristoru Tyristor v blokovacím stavu V případě, že na anodu A tyristoru připojíme kladný pól vnějšího zdroje a na katodu K záporný pól zdroje, budou přechody J 1 a J 3 polarizovány v propustném směru a přechod J 2 je polarizován ve směru závěrném. Vzhledem k tomu, že tloušťka vrstvy N 1 mezi přechody J 1 a J 2 vyhovuje podmínce L>L p, nedochází k injekci minoritních nosičů náboje z oblasti přechodu J 1 do oblasti přechodu J 2. Současně nemůže docházet ani k injekci nosičů náboje z oblasti přechodu J 3 do oblasti přechodu J 2, protože téměř celé napětí vnějšího zdroje bude na přechodu J 2, takže na přechodu J 3, který je polarizován v propustném směru, je velmi nízké napětí. Přesto konstrukce tyristoru nevylučuje, že pro dostatečně vysoké hodnoty napětí vnějšího zdroje, nemůže dojít ke stavu, kdy injektované minoritní nosiče náboje (elektrony) z oblasti přechodu J 3 mohou proniknout vrstvou P 2 do oblasti přechodu J Přechod tyristoru z blokovacího do propustného stavu Dosud jsme ve svých úvahách o jednotlivých stavech tyristoru předpokládali, že na řídicí elektrodě G tyristoru nebyl žádný potenciál, který by umožnil vznik proudu i G. Pro vysvětlení přechodu tyristoru z blokovacího stavu do stavu propustného (též tzv. zapnutý stav) vyjdeme z blokovacího stavu, který musí nutně sepnutí tyristoru předcházet. V blokovacím stavu tyristoru jsou přechody J 1 a J 3 polarizovány v propustném směru a přechod J 2 je polarizován ve směru závěrném. Kdyby se podařilo oblast přechodu J 2 zaplavit volnými nosiči náboje tak, že jejich koncentrace postačí ke kompenzaci ionizovaných příměsí v oblasti přechodu J 2, došlo by k podstatnému zúžení Kap. 7. Vícevrstvé spínací součástky 173
4 ochuzené oblasti přechodu J 2 a tím k přepolarizaci tohoto přechodu do propustného stavu. Protože ani jedna z dosud uvedených variant možných polarit vnějšího napětí tento stav nevyvolá (s jedinou výjimkou, o které se zmíníme později), je nutné využít řídící elektrodu G. Připojíme-li na řídicí elektrodu napětí proti katodě K tak, aby byl přechod J 3 mezi řídicí elektrodou a katodou polarizován v propustném stavu, začne řídicí elektrodou procházet proud i G. Přechodem J 3 nyní tedy prochází podstatně vyšší proudová hustota, než při blokovacím stavu. Přechod J 3 injektuje do vrstvy P 2 minoritní nosiče (elektrony), z nichž velká část se difúzí dostane do oblasti přechodu J 2 který je polarizován v závěrném směru. Elektrické pole, vytvořené v ochuzené (vyčerpané) oblasti přechodu přechodu J 2, přicházející nosiče (elektrony) urychlí, a ty se snadno dostanou do vrstvy N 1, ve které jsou již majoritními nosiči. Vyšší koncentrace majoritních nosičů v oblasti N 1 podmíní zvýšení injekce minoritních nosičů z přechodu J 1. Část injektovaných nosičů (tentokráte děr) se opět difúzním pohybem dostane k přechodu J 2 (proto podmínka L>L P ) a snadno pronikne až do vrstvy P 2. Zde jako majoritní nosiče podmiňují zvýšení injekce přechodu J 3. Proces zvyšování injekce přechodů J 1 a J 3 pokračuje tak dlouho, až v obou vrstvách N 1 a P 2 bude takové množství minoritních nosičů náboje, že postačí ke kompenzaci náboje ionizovaných příměsí v oblasti prostorového náboje přechodu J 2. Tím dojde k přepolarizaci přechodu J 2 do propustného stavu. Poznámka: Toto je podstatou tyristorového jevu. Na obr. 7.5 vidíme, že si (pro účel jeho vysvětlení) můžeme tyristor nahradit dvěma komplementárními tranzistory, které mají společný kolektorový přechod PN (J 2 ). Tím vznikne klopný obvod s kladnou zpětnou vazbou. Proud řídicí elektrody vyvolá zvětšující se emisi obou emitorových přechodů, které pokračuje tak dlouho... Přepolarizací přechodu J 2 klesá úbytek napětí na celé čtyřvrstvé struktuře na malou hodnotu (řádově kolem 1V). Na této hodnotě potom setrvá tak dlouho, dokud proud procházející tyristorem neklesne pod hodnotu tzv. vratného proudu I H, a to i v tom případě, že řídicí proud i G se zmenší na nulu. Popsaný způsob sepnutí tyristoru je nejrozšířenějším způsobem. Dalším používaným způsobem je zvýšení blokovacího napětí nad hodnotu U (B0), kdy injektované minoritní nosiče z oblasti přechodu J 3 proniknou vrstvou P 2 do oblasti přechodu J 2, přičemž v oblasti závěrně polarizovaného přechodu se začne uplatňovat lavinový jev (obr. 7.2). Tento způsob sepnutí (vyvolání tyristorového jevu) se uplatňuje především u diodových tyristorů a u ostatních typů jej lze použít pouze tehdy, pokud to výrobce povoluje. Třetí způsob je spínání světelným zářením. Světelné záření vyvolává generaci nosičů náboje (párů elektron - díra) v ochuzené oblasti přechodu J 2. Elektrony jsou působením elektrického pole převáděny přes přechod J 2 do vrstvy N 1 a zmenšují její potenciál vůči vrstvě P 1 (stejně tak jako zbylé díry zmenšují potenciál vrstvy P 2 vůči vrstvě N 2 ). Následkem toho emitují přechody J 1 a J 3 minoritní nosiče. Je-li osvětlení dostatečně velké, vznikne v oblasti přechodu J 2 takové množství párů elektron - díra, že přechody J 1 a J 3 budou emitovat dostatečné množství minoritních nosičů a tyristor přejde do sepnutého stavu. Obr Princip sepnutí nadměrnou strmostí nárůstu blokovacího napětí Kromě uvedených a v praxi využívaných způsobů sepnutí tyristoru se vyskytují i dva způsoby nežádoucí: - sepnutí zvýšenou teplotou, - sepnutí strmostí nárůstu blokovacího napětí. Sepnutí zvýšenou teplotou křemíkové destičky vychází z teplotní závislosti proudových zesilovacích činitelů (obr. 7.2a) obou náhradních tranzistorů a z teplotní závislosti obou složek zbytkového proudu I po a I no ; s teplotou se zvětšují podle exponenciální závislosti. Při zvyšování teploty křemíkové destičky (obvykle s důsledky vývinu tepla od procházejícího proudu) tak dochází k podstatnému zvětšení počtu párů elektron - díra, které procházejí závěrně polarizovaným přechodem J 2 a zvětšený proud prochází i oběma emitorovými přechody J 1 a J 3. Při určité teplotě křemíkové destičky se může natolik zvětšit proud procházející přechodem J 2, a tím i proudové zesilovací činitele náhradních tranzistorů, že je α 1 + α 2 1. Tyristor zapne při menším řídicím proudu a nižším anodovém napětí (než když měl teplotu okolí). Čím vyšší je teplota, tím dříve (při nižším napětí) tyristor zapne, až při určité teplotě ( J 3 na obr. 7.2a) ztratí tyristor zcela blokovací schopnosti a bude se chovat stejně jako usměrňovací dioda. Zapínání tyristoru zvýšenou teplotou je nežádoucí jev. Je jednou z hlavních příčin poměrně nízkých dovolených provozních teplot tyristorů, z čehož vyplývá i menší měrná proudová zatížitelnost těchto součástek ve srovnání s usměrňovacími diodami. Proto také, pokud nepracujeme se zcela malými proudy, je tyristor za provozu třeba chladit. Princip sepnutí velkou strmostí nárůstu blokovacího napětí vysvětlíme dle obr Kapacitor C 2 připojený k vrstvám N 1 a P 2 struktury, představuje kapacitu přechodu J 2. Při strmém nárůstu blokovacího napětí u D prochází 174 Kap. 7. Vícevrstvé spínací součástky
5 kapacitorem C 2 proud i C = C 2 (du AK /dt), který zároveň prochází oběma emitorovými přechody J 1 a J 3. Zvětšuje tak proudové zesilovací činitele obou náhradních tranzistorů. Je-li i C dostatečně velký, je α 1 + α 2 1 a tyristor zapne. Kapacitní proud se chová stejným způsobem jako řídicí přiváděný do některé z bázových vrstev (N 1, P 2 ). Praktickým důsledkem působení kapacitního proudu v době nárůstu blokovacího napětí je, že čtyřvrstvé struktury (tyristory) mohou zapínat, aniž by blokovací napětí dosáhlo hodnoty spínacího napětí U (B0) zjištěného při a) b) c) d) e) f) Obr Konstrukce tyristoru: a) základní, b) princip zkratování emitorvého přechodu J 3 (sh=shunt), c) dvoutranzistorové náhradní schéma při zkratovaném katodovém emitoru, d) konkrétní provedení zkratů, e) zkratování emitorového přechodu J 1 (anodového), f) náhradní schéma struktury ad e), proudová zatížitelnost diody je nižší než samotného tyristoru T pomalu vzrůstajícím napětí. Zmenšení vlivu obou nežádoucích způsobů zapínání se u výkonových tyristorů dosahuje úpravou vrstvy N 2 podle obr Tato vrstva je na mnoha místech zkratována výběžky vrstvy P 2 (které jsou vzájemně propojené katodovým kontaktem), nazýváme je mikrosvody. Úprava způsobí, že kapacitní proud nebo teplotou zvětšený proud přechodu J 2 prochází výběžky vrstvy P 2 až ke katodovému vývodu. Prochází tak mimo přechod J 3 a neovlivňuje činnost náhradního tranzistoru NPN. K zapnutí této čtyřvrstvé struktury dojde při vyšších teplotách křemíkové destičky nebo při vyšších strmostech nárůstu blokovacího napětí v okamžiku, kdy úbytek na odporu svodů (výběžcích vrstvy P 2 ) dosáhne hodnoty, při níž nastane emise minoritních nosičů z vrstvy N 2. Přechod ze sepnutého (propustného) stavu blokovacího docílíme tím, že: - snížíme proud procházející tyristorem na hodnotu menší než je hodnota vratného proudu I H (v prvém přiblížení je možné říci: na hodnotu blízkou nule), - na tyristor připojíme závěrné napětí. Lze tedy vypnutí docílit tím, že přerušíme pracovní obvod tyristoru nebo ve druhém případě změnou polarity napětí připojeného na tyristor. Připomínáme, že vypnutí tyristoru nelze dosáhnout přerušením proudu v řídicím obvodu (tj. na rozdíl od bipolárního tranzistoru setrvává tyristor ve vodivém stavu, i když odpojíme zdroj proudu od řídicí elektrody G; uveďme ještě, že v řadě případů je nutné zapínat řídicí elektrodu jen tehdy, je-li na tyristoru napětí v propustném směru, a to až před okamžikem sepnutí - jinak dochází k růstu závěrného proudu a velkému ohřevu tyristoru). Závěrem našich úvah o dějích v tyristorové struktuře uveďme funkci jednotlivých přechodů v tyristoru. Přechod J 3 se uplatní při spínání, působí jako řídicí přechod. Tvoří jej silně dotované polovodiče. Přechod J 2 určuje blokovací schopnosti tyristoru, a tím v podstatě poměr odporů v sepnutém a vypnutém (blokovacím) stavu. Přechod J 1 určuje závěrné vlastnosti tyristoru. Kap. 7. Vícevrstvé spínací součástky 175
6 7.2 Tyristor jako spínač Tyristor lze použít pouze jako spínač, jiná použití (oscilátor, zesilovač) jsou možná jen se speciálními konstrukcemi. Tyristor je popsán statickými a dynamickými parametry. Dynamické parametry vyjadřují chování tyristoru při přechodech z blokovacího do propustného stavu (spínání), z propustného do závěrného stavu (komutace) a ze závěrného do blokovacího stavu (obnovení blokovací schopnosti). Na obr. 7.8 jsou znázorněny průběhy řídicího a anodového proudu a průběh napětí mezi anodou a katodou během typického pracovního cyklu tyristoru. Obr Průběhy řídicího a anodového proudu, průběhy vnějšího napětí a napětí mezi anodou a katodou při sepnutí a vypnutí tyristoru (vypnutí pomocí komutace obvodu) 7.3 Speciální druhy tyristorů Požadavky na současné dosažení vysoké úrovně statických i dynamických parametrů nejdou splnit současně. Dále aplikace požadují jednoduché způsoby zapínání i vypínání, galvanické oddělení řídicích a silových obvodů a také integraci několika součástek do jednoho pouzdra. Proto jsou konstruovány - speciální tyristory pro různé oblasti použití (vysokonapěťové tyristory, rychlé tyristory), - speciálně řízené tyristory (GATT, vypínací tyristor GTO, triak, foto- a optotyristor, tyristor řízený polem SIT), - výkonové integrované součástky, tyto: a) z důvodu funkce (zpětně propustný tyristor, triak, v jistém smyslu i středofrekvenční tyristor, GATT, GTO), b) z důvodů zjednodušení a ekonomického zvýhodnění montáže (bezpotenciálové moduly, výkonové hybridní obvody, relé v pevné fázi) Rychlý tyristor Základní požadavky na rychlý tyristor jsou: krátká zapínací a vypínací doba, vysoká odolnost proti nárůstu blokovacího napětí du D /dt a proti nárůstu propustného proudu di T /dt. 176 Kap. 7. Vícevrstvé spínací součástky
7 Zkrácení vypínací doby lze dosáhnout konstrukčními úpravami, zejména zkrácením doby života nosičů a optimalizací sítě mikrosvodů. Jejich použitelnost je omezena na jednotky khz Středofrekvenční tyristor (též frekvenční tyristor) Základní požadavky na středofrekvenčních tyristor jsou tytéž jako u rychlého tyristoru, navíc tento rozsah pracovních kmitočtů do asi 10 khz bez významného poklesu proudové zatížitelnosti. Zde je problém ve snížení zapínacích a vypínacích ztrát (které při vyšších kmitočtech vedou k nepřípustnému vzrůstu teploty). Řešení je ve složitém tvaru řídicí elektrody, aby se zabezpečila maximální velikost prvotně sepnuté plochy tyristoru. V prvních okamžicích po přiložení řídicího signálu se totiž vytvoří lokální sepnutá oblast v těsné blízkosti řídicí elektrody. Tato sepnutá oblast se v dalším průběhu zapínacího procesu postupně rozšiřuje určitou Obr Konstrukce výkonových tyristorů: pouzdro s centrální maticí (vlevo) a tabletové pouzdro (vpravo rychlostí. Při vyšším kmitočtu potom prochází proud pouze menší částí tyristorové struktury a v této části je také vyšší proudová hustota, která je spojena s vyšším úbytkem napětí. Frekvenční tyristory jsou často konstruovány jako tyristory typu GATT. Další možností zvýšení pracovní frekvence je konstrukce asymetrických a zpětně propustných tyristorů Tyristor typu GATT Základní požadavky na parametry: oproti středofrekvenčnímu tyristoru zvýšení rozsahu pracovních kmitočtů na 15 až 20 khz a zkrácení vypínací doby. Ke zkrácení vypínací doby se využívá pomocného záporného řídicího signálu, přivedeného na řídicí elektrodu v průběhu vypínání komutací napětí v hlavním obvodu. Proto zkratka GATT (Gate-Assisted Turn-off Thyristor) Vypínací tyristor (GTO) Základní požadavky na vypínací tyristor jsou: možnost přímého sepnutí i vypnutí součástky řídicím signálem, vysoká hodnota maximálního vypínatelného proudu a vysoké vypínací zesílení. Zatímco u tyristoru GATT odvádí záporný řídicí signál pouze zbytkové náboje na konci vypínacího procesu, je při vypínání tyristoru GTO (Gate Turn- Off thyristor) nutno odvést ze struktury daleko vyšší náboj. Schopnost GTO účinně vypínat propustný proud je proto podmíněna rozčleněním katody na úzké pásky (o šířce asi 300 µm) obklopené řídicí elektrodou. Pojem integrované struktury je již zřejmý. Výkonová součástka vzniká paralelním spojením několika set elementárních tyristorů GTO v jedné monokrystalické destičce Asymetrický tyristor Kap. 7. Vícevrstvé spínací součástky 177
8 Vhodnou změnou koncentrace jednotlivých vrstev můžeme získat strukturu se stlačeným polem v blokovacím režimu. Úprava umožňuje při zachování max. blokovacího napětí zúžit vrstvu N 1 a tudíž dosažení kratší vypínací doby t q (např. redukcí doby života) při stejných propustných vlastnostech na úkor snížení závěrného napětí U RRM. Takto konstruované tyristory se nazývají asymetrické (protože u nich U RRM < U DRM oproti zpětně závěrným tyristorům U RRM = U DRM ). Asymetrické tyristory je možno používat v obvodech, ve kterých lze závěrné vlastnosti realizovat pomocí sériové Obr Řez tyristorem GATT (vlevo) a tyristorem GTO (vpravo diody, nebo kde je možno v obvodu invertorového typu používat kombinace tyristoru s antiparalelní diodou Zpětně propustný tyristor (RCT) Jde o asymetrický tyristor s antiparalelní diodou integrovanou v jedné monokrystalické destičce. Nemá závěrné vlastnosti - v závěrném směru vede rychlá dioda s krátkou dobou zotavení. Užívá se zkratka RCT (Reverse Conducting Thyristor). V průběhu procesu vypínání této struktury nedochází při komutaci hlavního proudu tyristoru k závěrnému zotavení struktury (poklesu zpětného proudu), ale proud prochází antiparalelní diodovou částí. Po dobu průchodu zpětného proudu je tyristorová část struktury závěrně polarizována, závěrné napětí na tyristorové oblasti odpovídá propustnému napětí na diodě. K nárůstu blokovacího napětí na tyristoru dochází v okamžiku zpětného zotavení diodové části struktury. Obr.7.11.: Řez zpětně propustným tyristorem Zpětně propustné tyristory se uplatňují v tyristorových spínačích a střídačích. Umístění tyristoru i diody do jednoho pouzdra umožňuje zmenšení celkového objemu a hmotnosti zařízení ve všech typech obvodů, ve kterých se používá antiparalelní kombinace tyristoru s diodou. Jsou proto známy zpětně propustné tyristory GATT i zpětně propustné vypínací tyristory Tyristory řízené světlem (fototyristory a optotyristory) Tyristory řízené (spínané) světlem, zkratkou LTT (Light-Triggered Thyristor), mají stejnou strukturu jako tyristory spínané elektrickým signálem. Musí mít samozřejmě zajištěný přístup světla do oblasti P 2. Potřebný světelný výkon je řádu 10 mw. Součástky, které obsahují zdroj světla v pouzdře, nazýváme optotyristory. Ty, které nemají zdroj světla v pouzdře, nazýváme fototyristory. U optotyristoru je nevýhodou menší dovolené oteplení. Princip spínání tyristoru byl již vyložen. Pokud je u fototyristoru vyvedena řídicí elektroda, lze ji použít k přizpůsobení daným provozním podmínkám (citlivost na dopadající záření - obvykle rezistorem R GK ). Hlavní použití fototyristorů a optotyristorů je ke galvanickému oddělení výkonové a řídicí části. Vedle použití výkonových fototyristorů je časté použití pomocného fototyristoru nebo optotyristoru Polem řízené tyristory Polem řízené tyristory byly již vzpomínány. Předpokládá se jejich použití ve středofrekvenční oblasti. Jsou technologicky ještě náročnější než tyristory GTO. Důsledkem velmi náročné technologie je vysoká cena. 7.4 Triak Triak je jednoslovný název pro obousměrný triodový tyristor (pětivrstvý triodový tyristor). Název pochází od firemního názvu fy General Electric TRIAC (TRIode AC semiconductor switch); v češtině se ujal název triak. Vývoj 178 Kap. 7. Vícevrstvé spínací součástky
9 a) b) c) d) Obr Pětivrstvá struktura: a) princip, b) rozdělení na tyristorovou a diodovou strukturu, c) princip zkratování krajních přechodů PN, d) reálná struktura triaku NPNPN s přídavnou vrstvou N G triaku byl motivován snahou nahradit nahradit antiparalelní zapojení dvou tyristorů jediným prvkem s cílem zmenšit počet součástek silového řídicího obvodu). Oproti dvěma diskrétním antiparalelním tyristorům se však u triaku uplatňují některé nové jevy: - spínání záporným řídicím signálem (je zajištěno spojením části plochy řídicí elektrody s pomocným emitorem N + ), - řízení vzdálené báze, kdy je spínán tyristor 2, jehož emitor N + a přilehlá báze P jsou umístěny na opačné straně destičky než řídicí elektroda, - vzájemné ovlivnění obou dílčích tyristorových struktur při komutaci v hlavním obvodu. Triaky jsou pětivrstvé součástky NPNPN (dále mají ještě šestou vrstvu, přes níž je vyvedena řídicí elektroda). Teoreticky by struktura triaku mohla být stejně dobře PNPNP, ale z technologických důvodů se tato struktura nepoužívá. Činnost pětivrstvé struktury NPNPN pro obojí polaritu lze znázornit vždy sériovým zapojením příslušné čtyřvrstvé struktury PNPN a přechodu PN polarizovaného v závěrném směru (obr. 7.12b). Odtud je zřejmé, že vždy jeden krajní přechod PN je polarizován v závěrném směru (dioda D), kdežto druhý krajní přechod je součástí čtyřvrstvé struktury a je zapojen v propustném směru. Je tedy vidět, že pětivrstvá struktura může působit jako čtyřvrstvá pro obojí polaritu přiloženého napětí. Usměrňující jeden krajní přechod PN by byl však přitom nevýhodný, protože by na něm vznikal velký úbytek napětí, takže by byl značně tepelně namáhán. Proto se oba krajní přechody (P 1 N 1 a P 2 N 2 ) vytvářejí tak, aby jejich odpor v závěrném stavu byl minimální. Toho se dosahuje tím, že se krajní přechody vytvoří jako zkratované přívodní elektrodou. Na obr. 7.12f je uvedena struktura triaku s řídicí elektrodou s pomocnou vrstvou N G. Triak může spínat střídavý proud procházející mezi hlavními elektrodami A 1 a A 2 a řídí se proudem libovolné polarity mezi elektrodou a řídicí elektrodou (hradlem G). Je-li elektroda A 2 kladná vzhledem k elektrodě A 1, je přechod P 2 N 2 polarizován v závěrném směru, takže proud z elektrody A 2 vychází z místa zkratovaného přechodu P 2 N 2. V tomto případě je možno tento triak zapnout buď kladným napětím přivedeným na řídicí elektrodu nebo záporným napětím. Přivedením kladného napětí na řídicí elektrodu G působí pětivrstvá struktura jako tyristor P 2 N 0 P 1 N 1 řízený proudem do vrstvy P 1. Přechod J 4 je polarizován v závěrném směru a je tedy z činnosti vyřazen. Při záporném napětí na řídicí elektrodě G vzhledem k anodě A 1 působí přechod J 5 jako řídící přechod pomocného tyristoru P 2 N 0 P 1 N G řízeného kladným napětím z elektrody A 1 vzhledem k elektrodě G. Pomocný tyristor má střední přechod J 2 společný s tyristorem P 2 N 0 P 1 N 1, takže při sepnutí pomocného tyristoru sepne i hlavní tyristor a proud I může procházet od elektrody A 2 k elektrodě A 1. Oba výše uvedené způsoby se nazývají řízení do blízké báze (P 1 ). Při opačné polaritě hlavních elektrod (tj. elektroda A 1 kladná, elektroda A 2 záporná), lze opět pětivrstvou strukturu sepnout vložením napětí libovolné polarity na řídicí elektrodu G. Je-li tato polarita kladná vzhledem k elektrodě A 1, prochází řídicí proud od elektrody G vrstvou P 1 do vrstvy N 1 takže polarizuje přechod J 1 v propustném směru. Dílčí tranzistorovou strukturou N G P 1 N 1 prochází proud od N G kolektorovým přechodem J 5, Kap. 7. Vícevrstvé spínací součástky 179
10 vrstvou P 1, emitorovým přechodem J 1 do vrstvy N 1 Tranzistor N 1 P 1 N G se dostane do oblasti nasycení. Část proudu procházejícího tranzistorem N 1 P 1 N G pronikne propustně polarizovaným přechodem J 2 do báze N 0 tranzistoru P 1 N 0 P 2, který je součástí tyristorové pracovní struktury P 1 N 0 P 2 N 2, které proto sepne. Pětivrstvá struktura vede proud při vyřazení přechodu J 1. Při opačné polaritě řídicího napětí je průběh spínání stejný, jen vrstvy N 1 a N G si vymění funkce v pomocné tranzistorové struktuře N G P 1 N 1. V těchto dvou posledně popsaných způsobech řízení pětivrstvé struktury - triaku - mluvíme o řízení do vzdálené báze (N 0 ). Ve výše uvedených čtyřech možnostech spínání má tyristor různou citlivost. Obvykle se nedoporučuje spínání záporného hlavního napětí záporným proudem hradla. Pětivrstvý triak se vypíná podobně jako tyristor (triodový) poklesem proudu v sepnutém stavu pod hodnotu vratného proudu I H. Závažným problémem je komutace triaku. Vzhledem ke konstrukci, kdy obě dílčí tyristorové struktury nejsou od sebe prakticky vůbec odděleny, zůstává při vypnutí jedné části v bázích ještě určitý zbytkový náboj nerovnovážných nosičů. Při komutaci hlavního napětí tento náboj spolu s kapacitním proudem vznikajícím při nárůstu napětí na blokovacím přechodu působí jako řídící proud pro blokující tyristor a může způsobit jeho nežádoucí sepnutí. Velikost tohoto "řídicího" impulsu je úměrná velikosti propustného proudu, který tekl vypnutým tyristorem, strmosti di/dt, se kterou tento proud komutuje, a strmosti nárůstu napětí du/dt na blokovacím přechodu. Důsledkem je, že úroveň těchto parametrů je u triaku značně omezena oproti běžným tyristorům. K popsané situaci dochází při použití triaku v obvodech s induktivní zátěží. Proud zátěží je zpožděn za napájecím napětím a klesá na nulu v čase, kdy napájecí napětí dosáhlo určité velikosti v opačné polaritě. Triak vypíná při poklesu proudu pod I H (prakticky v nule) a mezi hlavními elektrodami narůstá se značnou strmostí napětí (strmost nárůstu závisí na kapacitě triaku a přívodů). Při kritické strmosti nárůstu dochází k sepnutí. Použití triaků v obvodech s induktivními prvky je proto relativně omezené. V obvodech vyžadujících vyšší dynamické parametry a v náročných průmyslových aplikacích se stále používají dva antiparalelně zapojené tyristory. Triaky se používají zejména v malo-výkonových obvodech spotřební elektroniky (různé regulátory výkonu). Obr Ampérvoltová charakteristika triaku Obr Triak jako výsledek integrace dvou antiparalelních tyristorových struktur 7.5 Diak (spínací třívrstvá dioda) Spínací třívrstvá dioda je vlastně symetrický lavinový tranzistor. Název diak vznikl z firemního názvu fy General Electric (DIAC). Přivedeme-li na diak vnější napětí (bez přihlédnutí k polaritě), pak je jeden z přechodů PN polarizován v přímém směru a druhý ve směru závěrném. Jakmile však přiložené napětí dosáhne hodnoty U (BO), minoritní nosiče injektované z přechodu PN polarizovaného v přímém směru dosáhnou ochuzenou oblast přechodu PN, který je polarizován v závěrném směru, a vyvolají zde lavinové násobení nosičů. Prudce vzroste procházející proud a napětí na diaku poklesne. 180 Kap. 7. Vícevrstvé spínací součástky
11 Diak se vyznačuje symetrickou AV charakteristickou s oblastí záporného diferenciálního odporu, ale s dosti značným úbytkem napětí v propustném směru. Diaky se používají k ochraně při přepětí (např. vstupů tranzistorů MOS) a pro řídicí obvody tyristorů a triaků, přičemž řídicí obvody vycházejí velmi jednoduché a plně vyhovující pro jednodušší aplikace. Poznámka: Ve starší literatuře je možné se pod názvem diak setkat s pětivrstvou strukturou (obousměrným diodovým tyristorem). Užívaly se v počátcích tyristorové techniky (1960 až 1965), byly vytlačeny třívrstvými strukturami a název diak přešel na ně. Je zajímavé, že ČSN se drží pětivrstvého diaku a pro třívrstvý diak jednoslovný název neuvádí. Obr Ampérvoltová charakteristika a schématická značka diaku 7.6 Aplikace tyristorů Aplikace tyristorů v obvodech střídavého proudu využívají obvykle fázového řízení (obr. 7.16), méně často časového řízení (po určitý počet period je sepnuto nebo vypnuto). Obr až 7.20 uvádí různé možnosti spínání stžídavého napětí tyristorem nebo triakem. Pro spínání Obr Princip fázového řízení stejnosměrného napětí musí být tyristor doplněn vypínacím obvodem s pomocným tyristorem nebo ranzistorem (obr. 7.21). Princip použití tyristorů ukážeme na příkladu stmívače světla podle obr Přes potenciometr P se nabíjí kondenzátor C o kapacitě 1 µf. Až se kondenzátor nabije na spínací napětí tyristoru, tyristor sepne a kondenzátor se přes něj vybije. V nové půlvlně anodového napětí se celý pochod opakuje. Nevýhodou je, že se Obr Spínání střídavého napětí jedním tyristorem tyristor otevírá již při 130 až 140 kladné půlperiody anodového napětí (obr. 7.24d). To se projevuje jako skokové počáteční rozsvícení žárovky (obr. 7.23b); znamená to, že nemůžeme regulovat průběh rozsvícení od nuly. Téměř úplného odstranění tohoto světelného skoku lze dosáhnout vhodnou volbou kapacity C. Zvětší-li se kapacita C na 10 µf bude na tyristoru průběh napětí podle obr. 7.24b. To znamená, že během Obr Spínání střídavého napětí dvěma tyristory první půlperiody anodového napětí se kondenzátor nestačí nabít na potřebné spínací napětí. Teprve při druhé půlperiodě se kondenzátor dobije na patřičné napětí a tyristor povede. Tím se docílí plynulé regulace od nuly. Další zvýšení kapacity kondenzátoru (např. 20 µf - obr. 7.24c) se může projevit Obr Spínání střídavého napětí triakem znatelným blikáním žárovky. Poznámka: Zapojení dle obr by v praxi muselo být doplněno filtrem, který omezí průnik rušivých impulzů vzniklých při spínání tyristoru do sítě. Obr Spínání střídavého napětí jedním tyristorem Kap. 7. Vícevrstvé spínací součástky 181
12 Obr Pro spínání stejnosměrného napětí musí být tyristor doplněn vypínacím obvodem Obr Zapojení stmívače světla Obr Napětí a proudy na žárovce: a) žárovka nesvítí; b) napětí a proud žárovky při úhlu otevření tyristoru 40 až 50 ; c) napětí a proud žárovky při velkém úhlu otevření Obr Průběh napětí a proudu na tyristoru: a) napětí na tyristoru (žárovka nesvítí); b) napětí na tyristoru (C = 10 µf, žárovkou teče proud - čárkovaná část); c) napětí na tyristoru (C = 20 µf); d) napětí a proud tyristoru (C = 1 µf nebo přechod skokem z průběhu b); e) tyristor otevřen po dobu θ Obr Průběhy: a) napětí na kondenzátoru C, žárovka nesvítí; b) napětí na kondenzátoru C, žárovka plně svítí; c) zbytkové napětí na tyristoru 182 Kap. 7. Vícevrstvé spínací součástky
Součástky s více PN přechody
Součástky s více PN přechody spínací polovodičové součástky tyristor, diak, triak Součástky s více PN přechody první realizace - 1952 třívrstvé tranzistor diak čtyřvrstvé tyristor pětivrstvé triak diak
VíceTYRISTORY. Spínací součástky pro oblast největších napětí a nejvyšších proudů Nejčastěji triodový tyristor
TYRSTORY Spínací součástky pro oblast největších napětí a nejvyšších proudů Nejčastěji triodový tyristor Závěrný směr (- na A) stav s vysokou impedancí, U R, R parametr U RRM Přímý směr (+ na A) dva stavy
VíceZáklady elektrotechniky
Základy elektrotechniky Přednáška Tyristory 1 Tyristor polovodičová součástka - čtyřvrstvá struktura PNPN - tři přechody při polarizaci na A, - na K je uzavřen přechod 2, při polarizaci - na A, na K jsou
VíceNeřízené polovodičové prvky
Neřízené polovodičové prvky Výkonová elektronika - přednášky Projekt ESF CZ.1.07/2.2.00/28.0050 Modernizace didaktických metod a inovace výuky technických předmětů. Neřízené polovodičové spínače neobsahují
VíceIGBT Insulated Gate Bipolar Transistor speciální polovodičová struktura IGBT se používá jako spínací tranzistor nejdůležitější součástka výkonové
IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor speciální polovodičová struktura IGBT se používá jako spínací tranzistor nejdůležitější součástka výkonové elektroniky chová se jako bipolární tranzistor řízený unipolárním
VíceOtázka č.4. Silnoproudé spínací polovodičové součástky tyristor, IGBT, GTO, triak struktury, vlastnosti, aplikace.
Otázka č.4 Silnoproudé spínací polovodičové součástky tyristor, IGBT, GTO, triak struktury, vlastnosti, aplikace. 1) Tyristor Schematická značka Struktura Tyristor má 3 PN přechody a 4 vrstvy. Jde o spínací
VíceVLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU
VLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU Úvod: Čas ke studiu: Polovodičové součástky pro výkonovou elektroniku využívají stejné principy jako běžně používané polovodičové součástky
VíceInterakce ve výuce základů elektrotechniky
Střední odborné učiliště, Domažlice, Prokopa Velikého 640, Místo poskytovaného vzdělávaní Stod, Plzeňská 245 CZ.1.07/1.5.00/34.0639 Interakce ve výuce základů elektrotechniky TYRISTORY Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0639
VíceElektronické součástky - laboratorní cvičení 1
Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1 Charakteristiky tyristoru Úkol: 1. Změřte vstupní charakteristiku tyristoru I G = f (U GK ) 2. Změřte spínací charakteristiku U B0 = f (I G ) 1.1 Pokyny pro
VíceProjekt Pospolu. Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky. Pro obor M/01 Informační technologie
Projekt Pospolu Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky Pro obor 18-22-M/01 Informační technologie Autorem materiálu a všech jeho částí je Ing. Petr Voborník, Ph.D. Bipolární tranzistor Bipolární
VíceVÝKONOVÉ TRANZISTORY MOS
VÝKONOVÉ TANZSTOY MOS Pro výkonové aplikace mají tranzistory MOS přednosti: - vysoká vstupní impedance, - vysoké výkonové zesílení, - napěťové řízení, - teplotní stabilita PNP FNKE TANZSTO MOS Prahové
VíceELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY
ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY VZORY OTÁZEK A PŘÍKLADŮ K TUTORIÁLU 1 1. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Proč je používáme. 2. Co jsou polovodiče vlastní. 3. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Jakým způsobem
VíceA1M14 SP2 Min. NULOVÉ SPÍNAČE
NULOVÉ SPÍNAČE 1 Nulové spínače Určené pro spínání odporových zátěží Snižují riziko rušení vyvolané sepnutím v náhodném okamžiku po průchodu napětí nulou. Sepnutí v t > 0 strmý nárůst napětí a proudu na
VíceTyristor. Tyristor. Tyristor. 1956: Bell Labs Silicon Controlled Rectifier (SCR) 1958: General Electric Thyristor. Výkonové polovodičové součástky
(kv) Výkonové polovodičové součástky 1 1 3 1 1 1 VELÝ VÝ SDÉ ŘÍZEÍ VYSOÁ FREVEE 1 1 Thyristor TO BJT MOS 198 1 1 1 1 1 1 1 f (khz) (kv) 1 1 3 1 1 1 1 1 Thyristor BJT TO (kv) IBT MOS 1 5 1 1 3 1 1 1 1 1
VíceJednofázové a třífázové polovodičové spínací přístroje
Jednofázové a třífázové polovodičové spínací přístroje Použité spínací elementy tyristory triaky GTO tyristory Zapínání dle potřeby aplikace Vypínání buď v přirozené nule proudu nebo s nucenou komutací
VícePolovodičové diody Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA)
Polovodičové diody varikap, usměrňovací dioda, Zenerova dioda, lavinová dioda, tunelová dioda, průrazy diod Polovodičové diody (diode) součástky s 1 PN přechodem varikap usměrňovací dioda Zenerova dioda
VíceMĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů tyristoru část 3-5-1 Teoretický rozbor
MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření část 3-5-1 Teoretický rozbor Výukový materiál Číslo projektu: CZ.1.07/1.5.00/34.0093 Šablona: III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Sada: 1 Číslo materiálu:
Více17. Elektrický proud v polovodičích, užití polovodičových součástek
17. Elektrický proud v polovodičích, užití polovodičových součástek Polovodiče se od kovů liší především tím, že mají větší rezistivitu (10-2 Ω m až 10 9 Ω m), (kovy 10-8 Ω m až 10-6 Ω m). Tato rezistivita
VíceProjekt Pospolu. Polovodičové součástky diody. Pro obor M/01 Informační technologie
Projekt Pospolu Polovodičové součástky diody Pro obor 18-22-M/01 Informační technologie Autorem materiálu a všech jeho částí je Ing. Petr Voborník, Ph.D. Polovodičová součástka je elektronická součástka
VíceSoučástky v elektronice pro OV_MET_2
Součástky v elektronice pro OV_MET_2 Značení odporů Jmenovitá hodnota. Je to hodnota odporu vyznačená na rezistoru. Značí se písmenným nebo barevným kódem. Hodnoty odporu odpovídají vyvoleným číslům geometrických
VíceOtázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna
Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Tato otázka přepokládá znalost otázky č. - polovodiče. Doporučuji ujasnit
Více1.1 Pokyny pro měření
Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1 Bipolární tranzistor jako zesilovač Úkol: Proměřte amplitudové kmitočtové charakteristiky bipolárního tranzistoru 1. v zapojení se společným emitorem (SE)
VíceELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY
TEMATICKÉ OKRUHY ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 1. Základní pojmy fyziky polovodičů. Pásová struktura její souvislost s elektronovým obalem atomu, vliv na elektrickou vodivost materiálů. Polovodiče vlastní a nevlastní.
VíceJednofázové a třífázové polovodičové spínací přístroje
Jednofázové a třífázové polovodičové spínací přístroje Použité spínací elementy tyristory triaky GTO tyristory Zapínání dle potřeby aplikace Vypínání buď v přirozené nule proudu nebo s nucenou komutací
VíceZesilovače. Ing. M. Bešta
ZESILOVAČ Zesilovač je elektrický čtyřpól, na jehož vstupní svorky přivádíme signál, který chceme zesílit. Je to tedy elektronické zařízení, které zesiluje elektrický signál. Zesilovač mění amplitudu zesilovaného
VíceZákladní pojmy z oboru výkonová elektronika
Základní pojmy z oboru výkonová elektronika prezentace k přednášce 2013 Projekt ESF CZ.1.07/2.2.00/28.0050 Modernizace didaktických metod a inovace výuky technických předmětů. výkonová elektronika obor,
VíceŘídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek
Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Hlavní požadavky na ideální budič Galvanické
VíceZÁSADY PARALELNÍHO A SÉRIOVÉHO ŘAZENÍ SOUČÁSTEK VE VÝKONOVÝCH OBVODECH
ZÁSADY PARALELNÍHO A SÉRIOVÉHO ŘAZENÍ SOUČÁSTEK VE VÝKONOVÝCH OBVODECH Jestliže je v dané aplikaci vyžadován větší proud než jaký je možno získat použitím jedné součástky, je třeba součástky zapojovat
VíceELEKTRONICKÉ PRVKY TECHNOLOGIE VÝROBY POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ
ELEKTRONICKÉ PRVKY TECHNOLOGIE VÝROBY POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ Polovodič - prvek IV. skupiny, v elektronice nejčastěji křemík Si, vykazuje vysokou čistotu (10-10 ) a bezchybnou strukturu atomové mřížky v monokrystalu.
VícePolovodičové součástky
Polovodičové součástky Základní materiály používané pro výrobu polovodičových součástek jsou čtyřmocné prvky křemík a germanium (obr. 1a). V krystalové mřížce jsou atomy těchto prvků tak uspořádány, že
VícePolovodičové diody. Dělení polovodičových diod podle základního materiálu: Germaniové Křemíkové Galium-arsenid+Au
Polovodičové diody Dioda definice: Elektronická dvojpólová součástka, která při své činnosti využívá přechod, který vykazuje usměrňující vlastnosti (jednosměrnou vodivost). Vlastnosti se liší způsobem
VícePolovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.
Polovodičové prvky V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku
VíceMetodický návod: 5. Zvyšování vnějšího napětí na 3 V. Dochází k dalšímu zakřivování hladin a rozšiřování hradlové vrstvy.
Metodický návod: 1. Spuštění souborem a.4.3_p-n.exe. Zobrazeny jsou oddělené polovodiče P a N, majoritní nositelé náboje (elektrony červené, díry modré), ionty příměsí (čtverečky) a Fermiho energetické
Více7. Elektrický proud v polovodičích
7. Elektrický proud v polovodičích 7.1 Elektrické vlastnosti polovodičů Kromě vodičů a izolantů existují polovodiče. Definice polovodiče: Je to řada minerálů, rud, krystalů i amorfních látek, řada oxidů
VíceI N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup
ELEKTONIKA I N V E S T I C E D O O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í 1. Usměrňování a vyhlazování střídavého a. jednocestné usměrnění Do obvodu střídavého proudu sériově připojíme diodu. Prochází jí proud
VíceFEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4
Využití vlastností polovodičových přechodů Oblast prostorového náboje elektrické pole na přechodu Propustný směr difůze majoritních nosičů Závěrný směr extrakce minoritních nosičů Rekombinace na přechodu
VíceDioda jako usměrňovač
Dioda A K K A Dioda je polovodičová součástka s jedním P-N přechodem. Její vývody se nazývají anoda a katoda. Je-li na anodě kladný pól napětí a na katodě záporný, dioda vede (propustný směr), obráceně
VíceVÝKONOVÉ POLOVODIČOVÉ PRVKY
TECHNICKÁ UNIVERZITA V LIBERCI Fakulta mechatroniky a mezioborových inženýrských studií Katedra elektrotechniky a elektromechanických systémů VÝKONOVÉ POLOVODIČOVÉ PRVKY Učební text Doc. Ing. Eva Konečná,
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
VíceUrčení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů
Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů Tranzistor je elektronická aktivní součástka se třemi elektrodami.podstatou jeho funkce je transformace odporu mezi
VíceODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII - 3.2.2 MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH
Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: MEII - 3.2.2 MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH Obor: Mechanik elektronik Ročník: 2. Zpracoval(a): Bc. Josef Mahdal Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2010
Více3. Diody, tranzistory, tyristory, triaky, diaky. Použitá literatura: Jan Kesl: Elektronika I. a II. Internet
3. Diody, tranzistory, tyristory, triaky, diaky Použitá literatura: Jan Kesl: Elektronika I. a II. Internet Diody - polovodiče s 1 přechodem PN Princip: zapojíme-li monokrystal PN dle obr. elektrony(-)
VíceTel-30 Nabíjení kapacitoru konstantním proudem [V(C1), I(C1)] Start: Transient Tranzientní analýza ukazuje, jaké napětí vytvoří proud 5mA za 4ms na ka
Tel-10 Suma proudů v uzlu (1. Kirchhofův zákon) Posuvným ovladačem ohmické hodnoty rezistoru se mění proud v uzlu, suma platí pro každou hodnotu rezistoru. Tel-20 Suma napětí podél smyčky (2. Kirchhofův
VíceElektřina a magnetizmus polovodiče
DUM Základy přírodních věd DUM III/2-T3-11 Téma: polovodiče Střední škola Rok: 2012 2013 Varianta: A Zpracoval: Mgr. Pavel Hrubý a Mgr. Josef Kormaník VÝKLAD Elektřina a magnetizmus polovodiče Obsah POLOVODIČ...
VíceZáklady elektrotechniky
Základy elektrotechniky Přednáška Diody, usměrňovače, stabilizátory, střídače 1 VÝROBA POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ Polovodič - prvek IV. skupiny, nejčastěji Si, - vysoká čistota (10-10 ), - bezchybná struktura
VíceSpínače s tranzistory řízenými elektrickým polem. Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT
Spínače s tranzistory řízenými elektrickým polem Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT Základní vlastnosti spínačů s tranzistory FET, IGBT resp. IGCT plně řízený spínač nízkovýkonové řízení malý
VíceŘízené polovodičové součástky. Výkonová elektronika
Řízené polovodičové součástky Výkonová elektronika Polovodičové součástky s řízeným zapnutím řídící signál přivede spínač z blokovacího do propustného stavu do závěrného stavu jen vnější komutací (přerušením)
VícePolovodičové diody Definice
Polovodičové diody Definice Toto slovo nemám rád. Navádí k puntičkářskému recitování, které často doprovází totální nepochopení podstaty. Jemnější je obrat vymezení pojmu. Ještě lepší je obyčejné: Co to
VíceVY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl
Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická
VíceMěření na unipolárním tranzistoru
Měření na unipolárním tranzistoru Teoretický rozbor: Unipolární tranzistor je polovodičová součástka skládající se z polovodičů tpu N a P. Oproti bipolárnímu tranzistoru má jednu základní výhodu. Bipolární
VíceZáklady elektrotechniky
Základy elektrotechniky Přednáška Tranzistory 1 BIPOLÁRNÍ TRANZISTOR - třívrstvá struktura NPN se třemi vývody (elektrodami): e - emitor k - kolektor b - báze Struktura, náhradní schéma a schematická značka
VícePOPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ. (40) Zveřejněno 31 07 79 N
ČESKOSLOVENSKÁ SOCIALISTICKÁ R E P U B L I K A (19) POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ 196670 (11) (Bl) (51) Int. Cl. 3 H 01 J 43/06 (22) Přihlášeno 30 12 76 (21) (PV 8826-76) (40) Zveřejněno 31 07
VíceStatické měniče v elektrických pohonech Pulsní měniče Jsou to stejnosměrné měniče, mění stejnosměrné napětí. Účel: změna velikosti střední hodnoty
Statické měniče v elektrických pohonech Pulsní měniče Jsou to stejnosměrné měniče, mění stejnosměrné napětí. Účel: změna velikosti střední hodnoty stejnosměrného napětí U dav Užití v pohonech: řízení stejnosměrných
VíceProjekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.08/
Projekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.08/03.0009 1. Čím se vyznačuje polovodičový materiál Polovodič je látka, jejíž elektrická vodivost lze měnit. Závisí na
Více2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω.
A5M34ELE - testy 1. Vypočtěte velikost odporu rezistoru R 1 z obrázku. U 1 =15 V, U 2 =8 V, U 3 =10 V, R 2 =200Ω a R 3 =1kΩ. 2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty
VíceTranzistory. tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor. Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET
Tranzistory tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET Shockey, Brattain a Bardeen 16.12. 1947 Shockey 1952 Bipolární tranzistor
Více1.1 Usměrňovací dioda
1.1 Usměrňovací dioda 1.1.1 Úkol: 1. Změřte VA charakteristiku usměrňovací diody a) pomocí osciloskopu b) pomocí soustavy RC 2000 2. Ověřte vlastnosti jednocestného usměrňovače a) bez filtračního kondenzátoru
VíceStudium tranzistorového zesilovače
Studium tranzistorového zesilovače Úkol : 1. Sestavte tranzistorový zesilovač. 2. Sestavte frekvenční amplitudovou charakteristiku. 3. Porovnejte naměřená zesílení s hodnotou vypočtenou. Pomůcky : - Generátor
Více7. Elektrický proud v polovodičích
7. Elektrický proud v polovodičích 7.1 Elektrické vlastnosti polovodičů Kromě vodičů a izolantů existují polovodiče. Definice polovodiče: Je to řada minerálů, rud, krystalů i amorfních látek, řada oxidů
VíceISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec
ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.05 Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566,
Víceelektrické filtry Jiří Petržela filtry založené na jiných fyzikálních principech
Jiří Petržela filtry založené na jiných fyzikálních principech piezoelektrický jev při mechanickém namáhání krystalu ve správném směru na něm vzniká elektrické napětí po přiložení elektrického napětí se
VíceImpulsní regulátor ze změnou střídy ( 100 W, 0,6 99,2 % )
ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI Fakulta elektrotechnická Impulsní regulátor ze změnou střídy ( 100 W, 0,6 99,2 % ) Školní rok: 2007/2008 Ročník: 2. Datum: 12.12. 2007 Vypracoval: Bc. Tomáš Kavalír Zapojení
Více1.3 Bipolární tranzistor
1.3 Bipolární tranzistor 1.3.1 Úkol: 1. Změřte vstupní charakteristiku bipolárního tranzistoru 2. Změřte převodovou charakteristiku bipolárního tranzistoru 3. Změřte výstupní charakteristiku bipolárního
VíceObrázek 1: Schematická značka polovodičové diody. Obrázek 2: Vlevo dioda zapojená v propustném směru, vpravo dioda zapojená v závěrném směru
Škola: Autor: DUM: Vzdělávací obor: Tematický okruh: Téma: Masarykovo gymnázium Vsetín Mgr. Jitka Novosadová MGV_F_SS_2S2_D16_Z_ELMAG_Polovodicove_soucastky_PL Člověk a příroda Fyzika Elektřina a magnetismus
VícePolovodiče, dioda. Richard Růžička
Polovodiče, dioda Richard Růžička Motivace... Chceme součástku, která propouští proud jen jedním směrem. I + - - + Takovou součástkou může být polovodičová dioda. Schematická značka polovodičové diody
VíceFET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů
FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů (elektrony nebo díry) pracují s kanálem jednoho typu vodivosti
VíceBipolární tranzistory
Bipolární tranzistory h-parametry, základní zapojení, vysokofrekvenční vlastnosti, šumy, tranzistorový zesilovač, tranzistorový spínač Bipolární tranzistory (bipolar transistor) tranzistor trojpól, zapojení
VíceUsměrňovače, filtrace zvlněného napětí, zdvojovač a násobič napětí
Usměrňovače, filtrace zvlněného napětí, zdvojovač a násobič napětí Usměrňovače slouží k převedení střídavého napětí, nejčastěji napětí na sekundárním vinutí síťového transformátoru, na stejnosměrné. Jsou
Více11. Polovodičové diody
11. Polovodičové diody Polovodičové diody jsou součástky, které využívají fyzikálních vlastností přechodu PN nebo přechodu kov - polovodič (MS). Nelinearita VA charakteristiky, zjednodušeně chápaná jako
VíceBipolární tranzistory
Bipolární tranzistory Historie V prosinci 1947 výzkumní pracovníci z Bellových laboratořích v New Jersey zjistili, že polovodičová destička z germania se zlatými hroty zesiluje slabý signál. Vědci byli
VíceElektronika pro informační technologie (IEL)
Elektronika pro informační technologie (IEL) Třetí laboratorní cvičení Brno University of Technology, Faculty of Information Technology Božetěchova 1/2, 612 66 Brno - Královo Pole inecasova@fit.vutbr.cz
VíceFEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů
Unipolární tranzistory Řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem: FET [Field - Effect Transistor] Proud přenášen jedním typem nosičů náboje (unipolární): - majoritní nosiče v inverzním kanálu - neuplatňuje
VíceSAMOSTATNÁ PRÁCE Z ELEKTRONIKY UNIPOLÁRNÍ TRANZISTORY
Střední odborné učiliště technické Frýdek-Místek SAMOSTATNÁ PRÁCE Z ELEKTRONIKY UNIPOLÁRNÍ TRANZISTORY Jméno: Luděk Bordovský Třída: NE1 Datum: Hodnocení: 1.1. Vlastnosti unipolární tranzistorů Jsou založeny
VíceUkázka práce na nepájivém poli pro 2. ročník SE. Práce č. 1 - Stabilizovaný zdroj ZD + tranzistor
Ukázka práce na nepájivém poli pro 2. ročník SE Práce č. 1 - Stabilizovaný zdroj ZD + tranzistor Seznam součástek: 4 ks diod 100 V/0,8A, tranzistor NPN BC 337, elektrolytický kondenzátor 0,47mF, 2ks elektrolytického
VíceKompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr
Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr. Zadání: A. Na předloženém kompenzovaném vstupní děliči k nf milivoltmetru se vstupní impedancí Z vst = MΩ 25 pf, pro dělící poměry :2,
VíceNázev: Téma: Autor: Číslo: Prosinec 2013. Střední průmyslová škola a Vyšší odborná škola technická Brno, Sokolská 1
Střední průmyslová škola a Vyšší odborná škola technická Brno, Sokolská 1 Šablona: Název: Téma: Autor: Číslo: Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Elektrický proud střídavý Elektronický oscilátor
VíceStudium klopných obvodů
Studium klopných obvodů Úkol : 1. Sestavte podle schématu 1 astabilní klopný obvod a ověřte jeho funkce.. Sestavte podle schématu monostabilní klopný obvod a buďte generátorem a sledujte výstupní napětí.
Více200W ATX PC POWER SUPPLY
200W ATX PC POWER SUPPLY Obecné informace Zde vám přináším schéma PC zdroje firmy DTK. Tento zdroj je v ATX provedení o výkonu 200W. Schéma jsem nakreslil, když jsem zdroj opravoval. Když už jsem měl při
VíceRezistor je součástka kmitočtově nezávislá, to znamená, že se chová stejně v obvodu AC i DC proudu (platí pro ideální rezistor).
Rezistor: Pasivní elektrotechnická součástka, jejíž hlavní vlastností je schopnost bránit průchodu elektrickému proudu. Tuto vlastnost nazýváme elektrický odpor. Do obvodu se zařazuje za účelem snížení
VícePolovodičové usměrňovače a zdroje
Polovodičové usměrňovače a zdroje Druhy diod Zapojení a charakteristiky diod Druhy usměrňovačů Filtrace výstupního napětí Stabilizace výstupního napětí Zapojení zdroje napětí Závěr Polovodičová dioda Dioda
VíceZdroje napětí - usměrňovače
ZDROJE NAPĚTÍ Napájecí zdroje napětí slouží k přeměně AC napětí na napětí DC a následnému předání energie do zátěže, která tento druh napětí (proudu) vyžaduje ke správné činnosti. Blokové schéma síťového
VíceZákladní druhy tranzistorů řízených elektrickým polem: Technologie výroby: A) 1. : A) 2. : B) 1. :
ZADÁNÍ: Změřte výstupní a převodní charakteristiky unipolárního tranzistoru KF 520. Z naměřených charakteristik určete v pracovním bodě strmost S, vnitřní odpor R i a zesilovací činitel µ. Určete katalogové
VíceZÁKLADY POLOVODIČOVÉ TECHNIKY. Doc.Ing.Václav Vrána,CSc. 03/2008
ZÁKLADY POLOVODIČOVÉ TECHNIKY Doc.Ing.Václav Vrána,CSc. 3/28 Obsah 1. Úvod 2. Polovodičové prvky 2.1. Polovodičové diody 2.2. Tyristory 2.3. Triaky 2.4. Tranzistory 3. Polovodičové měniče 3.1. Usměrňovače
VíceElektronika pro informační technologie (IEL)
Elektronika pro informační technologie (IEL) Druhé laboratorní cvičení Vysoké učení technické v Brně, Fakulta informačních technologií v Brně Božetěchova 2, 612 66 Brno Cvičící: Petr Veigend (iveigend@fit.vutbr.cz)
VíceStřídavé měniče. Přednášky výkonová elektronika
Přednášky výkonová elektronika Projekt ESF CZ.1.07/2.2.00/28.0050 Modernizace didaktických metod a inovace výuky technických předmětů. Vstupní a výstupní proud střídavý Rozdělení střídavých měničů f vst
VíceOsnova: 1. Polovodiče materiály, dotace 2. Polovodičové diody 3. Dynamické parametry. 5. Aplikace diod
K621ZENT Základy elektrotechniky Přednáška ř č. 2 Osnova: 1. Polovodiče materiály, dotace 2. Polovodičové diody 3. Dynamické parametry 4. Typy diod 5. Aplikace diod 6. Tranzistory Polovodiče Pro polovodiče
VíceETC Embedded Technology Club setkání 6, 3B zahájení třetího ročníku
ETC Embedded Technology Club setkání 6, 3B 13.11. 2018 zahájení třetího ročníku Katedra měření, Katedra telekomunikací,, ČVUT- FEL, Praha doc. Ing. Jan Fischer, CSc. ETC club,6, 3B 13.11.2018, ČVUT- FEL,
VíceFakulta biomedic ınsk eho inˇzen yrstv ı Teoretick a elektrotechnika Prof. Ing. Jan Uhl ıˇr, CSc. L eto 2017
Fakulta biomedicínského inženýrství Teoretická elektrotechnika Prof. Ing. Jan Uhlíř, CSc. Léto 2017 8. Nelineární obvody nesetrvačné dvojpóly 1 Obvodové veličiny nelineárního dvojpólu 3. 0 i 1 i 1 1.5
VíceA8B32IES Úvod do elektronických systémů
A8B3IES Úvod do elektronických systémů..04 Ukázka činnosti elektronického systému DC/DC měniče a optické komunikační cesty Aplikace tranzistoru MOSFET jako spínače Princip DC/DC měniče zvyšujícího napětí
VíceVýkonová elektronika KE
Vysoká škola báňská - Technická univerzita Ostrava Fakulta elektrotechniky a informatiky Výkonová elektronika KE Učební texty pro kombinované a distanční studium Tomáš Pavelek Václav Sládeček Ostrava 2005
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
VíceUrčeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče
Určeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče Pracovní list - test vytvořil: Ing. Lubomír Kořínek Období vytvoření VM: listopad 2013 Klíčová slova: dioda, tranzistor,
VíceFotoelektrické snímače
Fotoelektrické snímače Úloha je zaměřena na měření světelných charakteristik fotoelektrických prvků (součástek). Pro měření se využívají fotorezistor, fototranzistor a fotodioda. Zadání 1. Seznamte se
VícePolovodiče. Co je polovodič? Polovodiče jsou látky, jejichž rezistivita leží při obvyklých teplotách v intervalu 10 Ω m až 8
Polovodiče Co je polovodič? 4 Polovodiče jsou látky, jejichž rezistivita leží při obvyklých teplotách v intervalu 10 Ω m až 8 10 Ω m. Je tedy mnohem větší než u kovů, u kterých dosahuje intervalu 6 10
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
VíceBipolární tranzistor. Bipolární tranzistor - struktura. Princip práce tranzistoru. Princip práce tranzistoru. Zapojení SC.
ipolární tranzistor Tranzistor (angl. transistor) transfer resistor bipolární na přenosu proudu se podílejí jak elektrony, tak díry je tvořen dvěma přechody na jednom základním monoktystalu Emitorový přechod
VíceTRANZISTORY TRANZISTORY. Bipolární tranzistory. Ing. M. Bešta
TRANZISTORY Tranzistor je aktivní, nelineární polovodičová součástka schopná zesilovat napětí, nebo proud. Tranzistor je asi nejdůležitější polovodičová součástka její schopnost zesilovat znamená, že malé
VíceLC oscilátory s transformátorovou vazbou
1 LC oscilátory s transformátorovou vazbou Ing. Ladislav Kopecký, květen 2017 Základní zapojení oscilátoru pro rezonanční řízení motorů obsahuje dva spínače, které spínají střídavě v závislosti na okamžité
VíceObrázek a/struktura atomů čistého polovodičeb/polovodič typu N
POLOVODIČE Vlastnosti polovodičů Polovodiče jsou materiály ze 4. skupiny Mendělejevovy tabulky. Nejznámější jsou germanium (Ge) a křemík (Si). Každý atom má 4 vazby, pomocí kterých se váže na sousední
Více