Daniel Franta. jaro Ústav fyzikální elektroniky, Přírodovědecká fakulta, Masarykova univerzita
|
|
|
- Ondřej Vacek
- před 5 lety
- Počet zobrazení:
Transkript
1 Pokročilé disperzní modely v optice tenkých vrstev Lekce 4: Univerzální disperzní model amorfních pevných látek aplikace na elipsometrická a spektrofotometrická měření HfO 2 vrstvy v rozsahu ev Daniel Franta Ústav fyzikální elektroniky, Přírodovědecká fakulta, Masarykova univerzita jaro 24
2 Oblast použitelnosti modelu Obsah Oblast použitelnosti modelu 2 Sumační pravidlo 3 Experiment: odezva od elektronů elipsometrie NIR VUV 4 Experiment: odezva od fononů propustnost FIR NIR Experiment: odrazivost UV VUV 6 Shrnutí Daniel Franta (Ústav fyzikální elektroniky) Pokročilé disperzní modely 2 / 2
3 Oblast použitelnosti modelu Oblast použitelnosti modelu Model je navržen tak aby popsal dielektrickou funkci libovolné amorfní pevné látky na základě našeho nového konceptu publikovaného v Thin Solid Films Lze použít pro popis libovolné neuspořádané látky, jako jsou polykrystaly a kapaliny. Všude kde je možný popis dielektrické odezvy pomocí středních polí (dielektrická funkce). Správný název by tedy měl znít Univerzální disperzní model neuspořádaných kondenzovaných látek Popisovaný model lze dokonce použít i pro uspořádané látky včetně monokrystalů, ale není to moc efektivní. Použití je mnohem efektivnější, než použití klasických modelů (DHO, Drude model). V této přednášce budeme model demonstrovat na optické charakterizaci HfO 2 vrstvy deponované na oboustranně leštěném křemíku. D. Franta, D. Nečas, L. Zajíčková, Application of Thomas Reiche Kuhn sum rule to construction of advanced dispersion models, Thin Solid Films 34 (23) D. Franta, D. Nečas, L. Zajíčková, I. Ohlídal, J. Stuchlík, D. Chvostová, Application of Sum Rule to the Dispersion Model of Hydrogenated Amorphous Silicon, Thin Solid Films 39 (23) D. Franta, D. Nečas, L. Zajíčková, I. Ohlídal, J. Stuchlík, Advanced modeling for optical characterization of amorphous hydrogenated silicon films, Thin Solid Films 4 (23) D. Franta, D. Nečas, L. Zajíčková, I. Ohlídal, Broadening of dielectric response and sum rule conservation, Thin Solid Films (in print) D. Franta, D. Nečas, L. Zajíčková, I. Ohlídal, Utilization of the Sum Rule for Construction of Advanced Dispersion Model of Crystalline Silicon Containing Interstitial Oxygen, Thin Solid Films (in print) Daniel Franta (Ústav fyzikální elektroniky) Pokročilé disperzní modely 3 / 2
4 Sumační pravidlo Obsah Oblast použitelnosti modelu 2 Sumační pravidlo 3 Experiment: odezva od elektronů elipsometrie NIR VUV 4 Experiment: odezva od fononů propustnost FIR NIR Experiment: odrazivost UV VUV 6 Shrnutí Daniel Franta (Ústav fyzikální elektroniky) Pokročilé disperzní modely 4 / 2
5 Sumační pravidlo Sumační pravidlo Sumační pravidlo svazuje hustotu látky s dielektrickou odezvou: ρ = 968 kg/m 3 = N = F(E) de = n en au = N celková síla přechodů (total transition strength) F(E) (E)E je funkce síly přechodů (transition strength function) n e průměrný počet elektronů na atom N a parametr hustoty (density parameter); N a = MN a U korekce příspěvku od jader 8.23 = 28 ev 2 Většina sumy N má původ v excitacích elektronů, od jader je jen N. Přechody od jaderných elektronů jsou nám optickými metodami běžně nedostupné a mají jen malý vliv na dielektrickou funkci v UV-VIS spektrálním oboru. 8 el. Hf 4f 7/2-4.2 ev 6 el. Hf 4f /2 -.9 ev 2 el. O 2s -22 ev Daniel Franta (Ústav fyzikální elektroniky) Pokročilé disperzní modely / 2
6 Sumační pravidlo Elektronová odezva V případě univerzálního modelu místo N a používáme jako fitovací parametr N, tedy celkovou sumu. V případě zanedbání excitací jaderných elektronů odpovídá excitacím valenčních elektronů. Pro HfO 2 má hodnotu: N N ve n ven a = =.33 8 = 96 ev 2 core level valence band conduction band DOS higher excitations E F E x 2. ev transition strength, F(E) electron energy interband transitions 7% total high energy transitions 3% E g ev E x +E g /2. ev E h 2 ev photon energy, E Daniel Franta (Ústav fyzikální elektroniky) Pokročilé disperzní modely 6 / 2
7 Experiment: odezva od elektronů elipsometrie NIR VUV Obsah Oblast použitelnosti modelu 2 Sumační pravidlo 3 Experiment: odezva od elektronů elipsometrie NIR VUV 4 Experiment: odezva od fononů propustnost FIR NIR Experiment: odrazivost UV VUV 6 Shrnutí Daniel Franta (Ústav fyzikální elektroniky) Pokročilé disperzní modely 7 / 2
8 Experiment: odezva od elektronů elipsometrie NIR VUV Experiment: odezva od elektronů fit # Elipsometrie, I s, I cii, I ciii Energie fotonu, E (ev) Dielektrická odezva od valenčních elektronů vrstvy je v rámci našeho modelu popsána základními disperzními parametry a tloušt kou (2 nm SiO 2 přechodová vrstva,.38 mm c-si) volné: E g =.2 ev, E h = 2. ev, d f = 8 nm fixováno: N = 96 ev 2, E x = 2. ev, α x =.3 kvalita fitu: χ E : 26. Daniel Franta (Ústav fyzikální elektroniky) Pokročilé disperzní modely 8 / 2
9 Experiment: odezva od elektronů elipsometrie NIR VUV Experiment: odezva od elektronů fit # Elipsometrie, I s Energie fotonu, E (ev) Dielektrická odezva od valenčních elektronů vrstvy je v rámci našeho modelu popsána základními disperzními parametry a tloušt kou (2 nm SiO 2 přechodová vrstva,.38 mm c-si) volné: E g =.2 ev, E h = 2. ev, d f = 8 nm fixováno: N = 96 ev 2, E x = 2. ev, α x =.3 kvalita fitu: χ E : 26. (špatně nafitovaná oblast E > E g) Daniel Franta (Ústav fyzikální elektroniky) Pokročilé disperzní modely 8 / 2
10 Experiment: odezva od elektronů elipsometrie NIR VUV Experiment: odezva od elektronů fit #2 Elipsometrie, I s Energie fotonu, E (ev) volné E g =.33 ev, E h = 27.4 ev, d f =.8 nm + exciton na 7 ev fixováno: N = 96 ev 2, E x = 2. ev, α x =.3 kvalita fitu: χ E : Daniel Franta (Ústav fyzikální elektroniky) Pokročilé disperzní modely 9 / 2
11 Experiment: odezva od elektronů elipsometrie NIR VUV Experiment: odezva od elektronů fit #2 Elipsometrie, I s Energie fotonu, E (ev) volné E g =.33 ev, E h = 27.4 ev, d f =.8 nm + exciton na 7 ev fixováno: N = 96 ev 2, E x = 2. ev, α x =.3 kvalita fitu: χ E : oblast E > E g nelze zlepšit na třídě KK konzistentních modelů (chybí drsnost) Daniel Franta (Ústav fyzikální elektroniky) Pokročilé disperzní modely 9 / 2
12 Experiment: odezva od elektronů elipsometrie NIR VUV Experiment: odezva od elektronů fit #3 Elipsometrie, I s Energie fotonu, E (ev) volné: E g =.32 ev, E h = 2.6 ev, d f = 2.7 nm + exciton na 7 ev + drsnost (σ/τ =.6/3.6 nm) fixováno: N = 96 ev 2, E x = 2. ev, α x =.3 kvalita fitu: χ E : Daniel Franta (Ústav fyzikální elektroniky) Pokročilé disperzní modely / 2
13 Experiment: odezva od elektronů elipsometrie NIR VUV Experiment: odezva od elektronů fit #3 Elipsometrie, I s Energie fotonu, E (ev) volné: E g =.32 ev, E h = 2.6 ev, d f = 2.7 nm + exciton na 7 ev + drsnost (σ/τ =.6/3.6 nm) fixováno: N = 96 ev 2, E x = 2. ev, α x =.3 kvalita fitu: χ E : E h poměrně vysoké Daniel Franta (Ústav fyzikální elektroniky) Pokročilé disperzní modely / 2
14 Experiment: odezva od elektronů elipsometrie NIR VUV Experiment: odezva od elektronů fit #4 Elipsometrie, I s Energie fotonu, E (ev) volné: E g =.27 ev, N = 764 ev 2, d f = 3.3 nm + 2 excitony na 7 a 2 ev + drsnost fixováno: E h = 2 ev, E x = 2. ev, α x =.3 kvalita fitu: χ E : Daniel Franta (Ústav fyzikální elektroniky) Pokročilé disperzní modely / 2
15 Experiment: odezva od elektronů elipsometrie NIR VUV Experiment: odezva od elektronů fit #4 Elipsometrie, I s Energie fotonu, E (ev) volné: E g =.27 ev, N = 764 ev 2, d f = 3.3 nm + 2 excitony na 7 a 2 ev + drsnost fixováno: E h = 2 ev, E x = 2. ev, α x =.3 kvalita fitu: χ E : Dá se zlepšit transparentní oblast? Oblast zakázaných energií. Daniel Franta (Ústav fyzikální elektroniky) Pokročilé disperzní modely / 2
16 Experiment: odezva od elektronů elipsometrie NIR VUV Experiment: odezva od elektronů fit # Elipsometrie, I s Energie fotonu, E (ev) volné: E g =.43 ev, N = 7 ev 2, d f =.8 nm + 2 excitony na 7 a 2 ev + drsnost + Urbachův tail E u = 22 mev, α u =.3, transition layer 3. nm fixováno: E h = 2 ev, E x = 2. ev, α x =.3 kvalita fitu: χ E : Daniel Franta (Ústav fyzikální elektroniky) Pokročilé disperzní modely 2 / 2
17 Experiment: odezva od elektronů elipsometrie NIR VUV Experiment: odezva od elektronů fit # Elipsometrie, I s Energie fotonu, E (ev) volné: E g =.43 ev, N = 7 ev 2, d f =.8 nm + 2 excitony na 7 a 2 ev + drsnost + Urbachův tail E u = 22 mev, α u =.3, transition layer 3. nm fixováno: E h = 2 ev, E x = 2. ev, α x =.3 kvalita fitu: χ E : Co úhel dopadu? Daniel Franta (Ústav fyzikální elektroniky) Pokročilé disperzní modely 2 / 2
18 Experiment: odezva od elektronů elipsometrie NIR VUV Experiment: odezva od elektronů fit #6 Elipsometrie, I s Energie fotonu, E (ev) volné: E g =.44 ev, N = 767 ev 2, d f = 2. nm + 2 excitony na 7 a 2 ev + drsnost + Urbachův tail, transition layer 2.9 nm, úhel dopadu fixováno: E h = 2 ev, E x = 2. ev, α x =.3 kvalita fitu: χ E : Daniel Franta (Ústav fyzikální elektroniky) Pokročilé disperzní modely 3 / 2
19 Experiment: odezva od elektronů elipsometrie NIR VUV Experiment: odezva od elektronů fit #6 Elipsometrie, I s Energie fotonu, E (ev) volné: E g =.44 ev, N = 767 ev 2, d f = 2. nm + 2 excitony na 7 a 2 ev + drsnost + Urbachův tail, transition layer 2.9 nm, úhel dopadu fixováno: E h = 2 ev, E x = 2. ev, α x =.3 kvalita fitu: χ E : minimální hodnota 2 Daniel Franta (Ústav fyzikální elektroniky) Pokročilé disperzní modely 3 / 2
20 Experiment: odezva od fononů propustnost FIR NIR Obsah Oblast použitelnosti modelu 2 Sumační pravidlo 3 Experiment: odezva od elektronů elipsometrie NIR VUV 4 Experiment: odezva od fononů propustnost FIR NIR Experiment: odrazivost UV VUV 6 Shrnutí Daniel Franta (Ústav fyzikální elektroniky) Pokročilé disperzní modely 4 / 2
21 Experiment: odezva od fononů propustnost FIR NIR Experiment: odezva od fononů Propustnost, T Vlnočet, ν (/cm) Použijeme stejné parametry jako ve Fitu #6 (nad 2 cm propustnost sedí pěkně). Daniel Franta (Ústav fyzikální elektroniky) Pokročilé disperzní modely / 2
22 Experiment: odezva od fononů propustnost FIR NIR Experiment: odezva od fononů Propustnost, T Vlnočet, ν (/cm) Použijeme stejné parametry jako ve Fitu #6 (nad 2 cm propustnost sedí pěkně). Daniel Franta (Ústav fyzikální elektroniky) Pokročilé disperzní modely / 2
23 Experiment: odezva od fononů propustnost FIR NIR Experiment: odezva od fononů Propustnost, T Vlnočet, ν (/cm) Použijeme stejné parametry jako ve Fitu #6 (nad 2 cm propustnost sedí pěkně). Je nutné změnit parametry substrátu. f O = 2 ppm (typická hodnota pro Czochralski křemík), f P =.7 ppm (odpovídá přibližně koncentraci fosforu v Si26:.48 Ωcm) Daniel Franta (Ústav fyzikální elektroniky) Pokročilé disperzní modely / 2
24 Experiment: odezva od fononů propustnost FIR NIR Experiment: odezva od fononů Propustnost, T Vlnočet, ν (/cm) Použijeme stejné parametry jako ve Fitu #6 (nad 2 cm propustnost sedí pěkně). Je nutné změnit parametry substrátu. f O = 2 ppm (typická hodnota pro Czochralski křemík), f P =.7 ppm (odpovídá přibližně koncentraci fosforu v Si26:.48 Ωcm) Propustnost nesedí pouze v oblasti 2 7 cm, tj. v oblasti jednofononové absorpce HfO 2. Daniel Franta (Ústav fyzikální elektroniky) Pokročilé disperzní modely / 2
25 Experiment: odezva od fononů propustnost FIR NIR Experiment: odezva od fononů fit #7 Propustnost, T Vlnočet, ν (/cm) Modelujeme pomocí 3 gaussovských píků. kvalita fitu: χ T MIR : χ T FIR : Daniel Franta (Ústav fyzikální elektroniky) Pokročilé disperzní modely 6 / 2
26 Experiment: odezva od fononů propustnost FIR NIR Experiment: odezva od fononů fit #7 Propustnost, T Vlnočet, ν (/cm) Modelujeme pomocí 3 gaussovských píků. kvalita fitu: χ T MIR : Offset v T-MIR χ T FIR : Daniel Franta (Ústav fyzikální elektroniky) Pokročilé disperzní modely 6 / 2
27 Experiment: odezva od fononů propustnost FIR NIR Experiment: odezva od fononů fit #8 Propustnost, T Vlnočet, ν (/cm) 4 gaussovské píky Offset:.7 kvalita fitu: χ T MIR : χ T FIR : Daniel Franta (Ústav fyzikální elektroniky) Pokročilé disperzní modely 7 / 2
28 Experiment: odezva od fononů propustnost FIR NIR Experiment: odezva od fononů fit #8 Propustnost, T Vlnočet, ν (/cm) 4 gaussovské píky Offset:.7 kvalita fitu: χ T MIR : χ T FIR : Artefakt kolem 6 cm Daniel Franta (Ústav fyzikální elektroniky) Pokročilé disperzní modely 7 / 2
29 Experiment: odezva od fononů propustnost FIR NIR Experiment: odezva od fononů fit #9 Propustnost, T Vlnočet, ν (/cm) volné: tloušt ka substrátu d s = nm, f O = ppm, f Op = 4.8%, f P =.7.76 ppm, všechny korekční parametry propustnosti kvalita fitu: χ T MIR : χ T FIR : Daniel Franta (Ústav fyzikální elektroniky) Pokročilé disperzní modely 8 / 2
30 Experiment: odezva od fononů propustnost FIR NIR Experiment: odezva od fononů fit #9 Propustnost, T Vlnočet, ν (/cm) volné: tloušt ka substrátu d s = nm, f O = ppm, f Op = 4.8%, f P =.7.76 ppm, všechny korekční parametry propustnosti kvalita fitu: χ T MIR : χ T FIR : Artefakt kolem 6 cm zmizel. Daniel Franta (Ústav fyzikální elektroniky) Pokročilé disperzní modely 8 / 2
31 Experiment: odezva od fononů propustnost FIR NIR Experiment: kompletní odezva fit # T, I s Energie fotonu, E (ev) Fit elektronové i fononové části. kvalita fitu: χ E : χ T MIR : χ T FIR : Daniel Franta (Ústav fyzikální elektroniky) Pokročilé disperzní modely 9 / 2
32 Experiment: odrazivost UV VUV Obsah Oblast použitelnosti modelu 2 Sumační pravidlo 3 Experiment: odezva od elektronů elipsometrie NIR VUV 4 Experiment: odezva od fononů propustnost FIR NIR Experiment: odrazivost UV VUV 6 Shrnutí Daniel Franta (Ústav fyzikální elektroniky) Pokročilé disperzní modely 2 / 2
33 Experiment: odrazivost UV VUV Experiment: kompletní odezva fit # Odrazivost, R Energie fotonu, E (ev) Je nutné předpokládat různé tloušt ky pro elipsometrická a spektrofotometrická data. d f,e =.9 nm, d f,r =.8 nm kvalita fitu: χ R : Daniel Franta (Ústav fyzikální elektroniky) Pokročilé disperzní modely 2 / 2
34 Experiment: odrazivost UV VUV Experiment: kompletní odezva fit #2 Odrazivost, R Energie fotonu, E (ev) Konečný fit reprezentuje simultánní fit všech experimentálních dat pomocí všech parametrů (47) jako v předchozích fitech. kvalita fitu: χ R : Daniel Franta (Ústav fyzikální elektroniky) Pokročilé disperzní modely 22 / 2
35 Experiment: odrazivost UV VUV Experiment: kompletní odezva fit #2 R, T, I s, I cii, I ciii Energie fotonu, E (ev) Konečný fit jen mírně zhoršil proložení elipsometrických dat, tj. snížily se korelace a zvěrohodnil se výsledek. kvalita fitu: χ E : χ R : , χ T MIR a χ T FIR beze změn Daniel Franta (Ústav fyzikální elektroniky) Pokročilé disperzní modely 23 / 2
36 Shrnutí Obsah Oblast použitelnosti modelu 2 Sumační pravidlo 3 Experiment: odezva od elektronů elipsometrie NIR VUV 4 Experiment: odezva od fononů propustnost FIR NIR Experiment: odrazivost UV VUV 6 Shrnutí Daniel Franta (Ústav fyzikální elektroniky) Pokročilé disperzní modely 24 / 2
37 Shrnutí Shrnutí Kromě standardních výsledků, tj. optické konstanty, tloušt ka, drsnost, šířka zakázaného pásu atd. můžeme z disperzního modelu získat následující informace: Efektivní vs. skutečný počet valenčních elektronů: n ve = N = 769 N a nve = Příspěvek fononové části do sumy: α ph =.4 = N ph =.3 ev 2 vs. N n =.22 ev 2 Fonony přispívají jen 2.% nukleonové částí sumy Příspěvek fononové části do statické permitivity: Drsnost: ε() = 4.46 vs. ε ee() = 4.2 = ε ph () =.2 σ/τ =.7/2.99 nm z AFM: σ/τ =.6/6.29 nm Pro zvýšení věrohodnosti v oblasti E > ev je nutné rozšířit měření do vyšších energií. Daniel Franta (Ústav fyzikální elektroniky) Pokročilé disperzní modely 2 / 2
Daniel Franta. jaro Ústav fyzikální elektroniky, Přírodovědecká fakulta, Masarykova univerzita
Pokročilé disperzní modely v optice tenkých vrstev Lekce 3: Základní schéma disperzního modelu založeného na TRK sumačním pravidle rozdělení dielektrické funkce na elektronovou a nukleonovou část versus
Daniel Franta Ústav fyzikální elektroniky, Přírodovědecká fakulta, Masarykova univerzita
Pokročilé disperzní modely v optice tenkých vrstev Lekce 2: Klasické modely Drudeho model, Lorentzův oscilátor; empirické modely; semiklasické modely zahrnující gap; použitelnost klasických modelů Daniel
Daniel Franta. jaro Ústav fyzikální elektroniky, Přírodovědecká fakulta, Masarykova univerzita
Pokročilé disperzní modely v optice tenkých vrstev Lekce 2: Kvantově mechanický popis Thomas-Reiche-Kuhnovo (TRK) sumační pravidlo; Fermiho zlaté pravidlo; dipólová aproximace; dielektrická odezva Daniel
Základy Mössbauerovy spektroskopie. Libor Machala
Základy Mössbauerovy spektroskopie Libor Machala Rudolf L. Mössbauer 1958: jev bezodrazové rezonanční absorpce záření gama atomovým jádrem 1961: Nobelova cena Analogie s rezonanční absorpcí akustických
Daniel Franta. jaro Ústav fyzikální elektroniky, Přírodovědecká fakulta, Masarykova univerzita
Pokročilé disperzní modely v optice tenkých vrstev Lekce 1: Úvod dielektrická odezva; časově reverzní symetrie; Kramers-Kronigovy relace; sumační pravidlo; klasické modely Daniel Franta Ústav fyzikální
13. Spektroskopie základní pojmy
základní pojmy Spektroskopicky významné OPTICKÉ JEVY absorpce absorpční spektrometrie emise emisní spektrometrie rozptyl rozptylové metody Evropský sociální fond Praha & EU: Investujeme do vaší budoucnosti
Plazmová depozice tenkých vrstev oxidu zinečnatého
Plazmová depozice tenkých vrstev oxidu zinečnatého Bariérový pochodňový výboj za atmosférického tlaku Štěpán Kment Doc. Dr. Ing. Petr Klusoň Mgr. Zdeněk Hubička Ph.D. Obsah prezentace Úvod do problematiky
Daniel Franta Ústav fyzikální elektroniky, Přírodovědecká fakulta, Masarykova univerzita
Pokročilé disperzní modely v optice tenkých vrstev Lekce 3: Kvantově mechanický popis Thomas-Reiche-Kuhnovo (TRK) sumační pravidlo; Fermiho zlaté pravidlo; dipólová aproximace; dielektrická odezva Daniel
Jiří Oswald. Fyzikální ústav AV ČR v.v.i.
Jiří Oswald Fyzikální ústav AV ČR v.v.i. I. Úvod Polovodiče Zákládní pojmy Kvantově-rozměrový jev II. Luminiscence Si nanokrystalů III. Luminiscence polovodičových nanostruktur A III B V IV. Aplikace Pásová
Detekce nabitých částic Jak se ztrácí energie průchodem částice hmotou?
Detekce nabitých částic Jak se ztrácí energie průchodem částice hmotou? 10/20/2004 1 Bethe Blochova formule (1) je maximální možná předaná energie elektronu N r e - vogadrovo čislo - klasický poloměr elektronu
Úvod do spektrálních metod pro analýzu léčiv
Evropský sociální fond Praha & EU: Investujeme do vaší budoucnosti Úvod do spektrálních metod pro analýzu léčiv Pavel Matějka, Vadym Prokopec pavel.matejka@vscht.cz pavel.matejka@gmail.com Vadym.Prokopec@vscht.cz
Balmerova série. F. Grepl 1, M. Benc 2, J. Stuchlý 3 Gymnázium Havlíčkův Brod 1, Gymnázium Mnichovo Hradiště 2, Gymnázium Šumperk 3
Balmerova série F. Grepl 1, M. Benc 2, J. Stuchlý 3 Gymnázium Havlíčkův Brod 1, Gymnázium Mnichovo Hradiště 2, Gymnázium Šumperk 3 Grepl.F@seznam.cz Abstrakt: Metodou dělených svazků jsme určili lámavý
Laserová technika prosince Katedra fyzikální elektroniky.
Laserová technika 1 Aktivní prostředí Šíření rezonančního záření dvouhladinovým prostředím Jan Šulc Katedra fyzikální elektroniky České vysoké učení technické jan.sulc@fjfi.cvut.cz 22. prosince 2016 Program
1. Kvantové jámy. Tabulka 1: Efektivní hmotnosti nosičů v krystalech GaAs, AlAs, v jednotkách hmotnosti volného elektronu m o.
. Kvantové jámy Pokročilé metody růstu krystalů po jednotlivých vrstvách (jako MBE) dovolují vytvořit si v krystalu libovolný potenciál. Jeden z hojně používaných materiálů je: GaAs, AlAs a jejich ternární
ATOMOVÁ SPEKTROMETRIE
ATOMOVÁ SPEKTROMETRIE Atomová spektrometrie valenčních e - 1. OES (AES). AAS 3. AFS 1 Atomová spektra čárová spektra Tok záření P - množství zářivé energie (Q E ) přenesené od zdroje za jednotku času.
Fyzika IV. -ezv -e(z-zv) kov: valenční elektrony vodivostní elektrony. Elektronová struktura pevných látek model volných elektronů
Elektronová struktura pevných látek model volných elektronů 1897: J.J. Thomson - elektron jako částice 1900: P. Drude: kinetická teorie plynů - kov jako plyn elektronů Drudeho model elektrony se mezi srážkami
Detektory. požadovaná informace o částici / záření. proudový puls p(t) energie. čas příletu. výstupní signál detektoru. poloha.
Detektory požadovaná informace o částici / záření energie čas příletu poloha typ citlivost detektoru výstupní signál detektoru proudový puls p(t) E Q p t dt účinný průřez objem vnitřní šum vstupní okno
1. Ze zadané hustoty krystalu fluoridu lithného určete vzdálenost d hlavních atomových rovin.
1 Pracovní úkoly 1. Ze zadané hustoty krystalu fluoridu lithného určete vzdálenost d hlavních atomových rovin. 2. Proměřte úhlovou závislost intenzity difraktovaného rentgenového záření při pevné orientaci
Fyzikální vlastnosti materiálů FX001
Fyzikální vlastnosti materiálů FX001 Ondřej Caha 1. Vazba v pevné látce, elastické a tepelné vlastnosti materiálů 2. Elektrické vlastnosti materiálů 3. Optické vlastnosti materiálů 4. Magnetické vlastnosti
MASARYKOVA UNIVERZITA
MASARYKOVA UNIVERZITA Přírodovědecká fakulta Ústav fyzikální elektroniky BAKALÁŘSKÁ PRÁCE Plazmochemická depozice organosilikonových tenkých vrstev Václav Pekař Vedoucí bakalářské práce: Mgr. Lenka Zajíčková,
E g IZOLANT POLOVODIČ KOV. Zakázaný pás energií
Polovodiče To jestli nazýváme danou látku polovodičem, závisí především na jejích vlastnostech ve zvoleném teplotním oboru. Obecně jsou to látky s 0 ev < Eg < ev. KOV POLOVODIČ E g IZOLANT Zakázaný pás
Fotonásobič. fotokatoda. typicky: - koeficient sekundární emise = počet dynod N = zisk: G = fokusační elektrononová optika
Fotonásobič vstupní okno fotokatoda E h fokusační elektrononová optika systém dynod anoda e zesílení G N typicky: - koeficient sekundární emise = 3 4 - počet dynod N = 10 12 - zisk: G = 10 5-10 7 Fotonásobič
Fotoelektronová spektroskopie Instrumentace. Katedra materiálů TU Liberec
Fotoelektronová spektroskopie Instrumentace RNDr. Věra V Vodičkov ková,, PhD. Katedra materiálů TU Liberec Obecné schéma metody Dopad rtg záření emitovaného ze zdroje na vzorek průnik fotonů několik µm
Fyzikální vlastnosti materiálů FX001
Fyzikální vlastnosti materiálů FX001 Ondřej Caha 1. Vazba v pevné látce, elastické a tepelné vlastnosti materiálů 2. Elektrické vlastnosti materiálů 3. Optické vlastnosti materiálů 4. Magnetické vlastnosti
Fyzika IV. g( ) Vibrace jader atomů v krystalové mříži
Vibrace jader atomů v krystalové mříži v krystalu máme N základních buněk, v každé buňce s atomů, které kmitají kolem rovnovážných poloh výchylky kmitů jsou malé (Taylorův rozvoj): harmonická aproximace
Polarizace světla a optické veličiny
Speciální praktikum optická charakterizace 1 Polarizace světla a optické veličiny Světelné svazky v přístrojích mezi zdroji světla detektory měřenými vzorky a různými elementy skutečných optických přístrojů
Opakování: shrnutí základních poznatků o struktuře atomu
11. Polovodiče Polovodiče jsou krystalické nebo amorfní látky, jejichž elektrická vodivost leží mezi elektrickou vodivostí kovů a izolantů a závisí na teplotě nebo dopadajícím optickém záření. Elektrické
- Rayleighův rozptyl turbidimetrie, nefelometrie - Ramanův rozptyl. - fluorescence - fosforescence
ROZPTYLOVÉ a EMISNÍ metody - Rayleighův rozptyl turbidimetrie, nefelometrie - Ramanův rozptyl - fluorescence - fosforescence Ramanova spektroskopie Každá čára Ramanova spektra je svými vlastnostmi závislá
Měření nanodrsnosti pomocí optických metod a mikroskopie atomové síly
Měření nanodrsnosti pomocí optických metod a mikroskopie atomové síly IvanOhlídal 1,2,DanielFranta 1,2 apetrklapetek 3 1 Katedrafyzikálníelektroniky,Přírodovědeckáfakulta,Masarykovauniverzita,Kotlářská2,61137,Brno
Lehký topný olej. 0 t CO 2 /MWh výhřevnosti paliva. 1,17 t CO 2 /MWh elektřiny
Druh paliva Hnědé uhlí Černé uhlí Těžký topný olej Lehký topný olej Zemní plyn Biomasa Elektřina Emisní faktor 0,36 t CO 2 /MWh výhřevnosti paliva 0,33 t CO 2 /MWh výhřevnosti paliva 0,27 t CO 2 /MWh výhřevnosti
VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií Ústav mikroelektroniky
VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií Ústav mikroelektroniky Ing. Ondřej Hégr CHARAKTERIZACE NANOSTRUKTUR DEPONOVANÝCH VYSOKOFREKVENČNÍM MAGNETRONOVÝM NAPRAŠOVÁNÍM
Struktura a vlastnosti kovů I.
Struktura a vlastnosti kovů I. Vlastnosti fyzikální (teplota tání, měrný objem, moduly pružnosti) Vlastnosti elektrické (vodivost,polovodivost, supravodivost) Vlastnosti magnetické (feromagnetika, antiferomagnetika)
Fyzikální vlastnosti materiálů FX001
Fyzikální vlastnosti materiálů FX001 Ondřej Caha 1. Vazba v pevné látce, elastické a tepelné vlastnosti materiálů 2. Elektrické vlastnosti materiálů 3. Optické vlastnosti materiálů 4. Magnetické vlastnosti
Základní parametry absorpčního spektra, vliv přístrojové funkce (spektrální šířky štěrbiny), vliv polohy kyvety a vlastní fluorescence vzorku
Základní parametry absorpčního spektra, vliv přístrojové funkce (spektrální šířky štěrbiny), vliv polohy kyvety a vlastní fluorescence vzorku A. ZADÁNÍ 1. Naučte se ovládat spektrofotometr Unicam UV55
ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ
ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ Katedra technologií a měření DIPLOMOVÁ PRÁCE Optické vlastnosti dielektrických tenkých vrstev Bc. Martin Malán 214 Abstrakt Předkládaná diplomová
ATOMOVÁ SPEKTROMETRIE
ATOMOVÁ SPEKTROMETRIE doc. Ing. David MILDE, Ph.D. tel.: 585634443 E-mail: david.milde@upol.cz (c) -017 Doporučená literatura Černohorský T., Jandera P.: Atomová spektrometrie. Univerzita Pardubice 1997.
Fotovodivost. Destička polovodiče s E g a indexem lomu n 1. Dopadající záření o intenzitě I 0 a hν E g. Do polovodiče pronikne záření o intenzitě:
Fotovodivost Destička polovodiče s E g a indexem lomu n 1. Dopadající záření o intenzitě I 0 a hν E g. Do polovodiče pronikne záření o intenzitě: Vznikne g párů díra elektron. Přírůstek koncentrace a vodivosti:
Příprava grafénu. Petr Jelínek
Příprava grafénu Petr Jelínek Schéma prezentace Úvod do tématu Provedené experimenty - příprava grafénu - charakterizace Plánovaná činnost - experimenty Závěr 2 Pohled do historie 1960 HOPG (Arthur Moore)
SPEKTRÁLNÍ METODY. Ing. David MILDE, Ph.D. Katedra analytické chemie Tel.: ; (c) David MILDE,
SEKTRÁLNÍ METODY Ing. David MILDE, h.d. Katedra analytické chemie Tel.: 585634443; E-mail: david.milde@upol.cz (c) -2008 oužitá a doporučená literatura Němcová I., Čermáková L., Rychlovský.: Spektrometrické
2. Elektrotechnické materiály
. Elektrotechnické materiály Předpokladem vhodného využití elektrotechnických materiálů v konstrukci elektrotechnických součástek a zařízení je znalost jejich vlastností. Elektrické vlastnosti materiálů
Úvod do fyziky tenkých vrstev a povrchů. Spektroskopie Augerových elektron (AES), elektronová mikrosonda, spektroskopie prahových potenciál
Úvod do fyziky tenkých vrstev a povrchů Spektroskopie Augerových elektron (AES), elektronová mikrosonda, spektroskopie prahových potenciál ty i hlavní typy nepružných srážkových proces pr chodu energetických
F7030 Rentgenový rozptyl na tenkých vrstvách
F7030 Rentgenový rozptyl na tenkých vrstvách O. Caha PřF MU Prezentace k přednášce Numerické simulace Příklady experimentů Vybrané vztahy Sylabus Elementární popis vlnového pole: Rtg vlna ve vakuu; Greenova
Spektroskopie Augerových elektronů AES. KINETICKÁ ENERGIE AUGEROVÝCH e - NEZÁVISÍ NA ENERGII PRIMÁRNÍHO ZDROJE
Spektroskopie Augerových elektronů AES KINETICKÁ ENERGIE AUGEROVÝCH e - NEZÁVISÍ NA ENERGII PRIMÁRNÍHO ZDROJE Spektroskopie Augerových elektronů AES Jev Augerových elektronů objeven 1923 - Lise Meitner
SPEKTROMETRIE. aneb co jsem se dozvěděla. autor: Zdeňka Baxová
SPEKTROMETRIE aneb co jsem se dozvěděla autor: Zdeňka Baxová FTIR spektrometrie analytická metoda identifikace látek (organických i anorganických) všech skupenství měříme pohlcení IČ záření (o různé vlnové
ELEKTRONICKÉ PRVKY TECHNOLOGIE VÝROBY POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ
ELEKTRONICKÉ PRVKY TECHNOLOGIE VÝROBY POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ Polovodič - prvek IV. skupiny, v elektronice nejčastěji křemík Si, vykazuje vysokou čistotu (10-10 ) a bezchybnou strukturu atomové mřížky v monokrystalu.
nano.tul.cz Inovace a rozvoj studia nanomateriálů na TUL
Inovace a rozvoj studia nanomateriálů na TUL nano.tul.cz Tyto materiály byly vytvořeny v rámci projektu ESF OP VK: Inovace a rozvoj studia nanomateriálů na Technické univerzitě v Liberci Optické vlastnosti
Elektromagnetické záření. lineárně polarizované záření. Cirkulárně polarizované záření
Elektromagnetické záření lineárně polarizované záření Cirkulárně polarizované záření Levotočivé Pravotočivé 1 Foton Jakékoli elektromagnetické vlnění je kvantováno na fotony, charakterizované: Vlnovou
Možnosti rtg difrakce. Jan Drahokoupil (FZÚ) Zdeněk Pala (ÚFP) Jiří Čapek (FJFI)
Možnosti rtg difrakce Jan Drahokoupil (FZÚ) Zdeněk Pala (ÚFP) Jiří Čapek (FJFI) AdMat 13. 3. 2014 Aplikace Struktura krystalických látek Fázová analýza Mřížkové parametry Textura, orientace Makroskopická
Fyzika pro chemiky II
Fyzika pro chemiky II P. Klang, J. Novák, R. Štoudek, Ústav fyziky kondenzovaných látek, PřF MU Brno 18. února 2004 1 Optika 1. Rovinná elektromagnetická vlna o frekvenci f = 5.45 10 14 Hz polarizovaná
Svazek pomalých pozitronů
Svazek pomalých pozitronů pozitrony emitované + zářičem moderované pozitrony střední hloubka průniku Příklad: 0 z P z dz 1 Mg: -1 =154 m Al: -1 = 99 m Cu: -1 = 30 m z pravděpodobnost, p že pozitron pronikne
Rozměr a složení atomových jader
Rozměr a složení atomových jader Poloměr atomového jádra: R=R 0 A1 /3 R0 = 1,2 x 10 15 m Cesta do hlubin hmoty Složení atomových jader: protony + neutrony = nukleony mp = 1,672622.10 27 kg mn = 1,6749272.10
Fotovoltaické systémy
Fotovoltaické systémy Prof. Ing. Vitězslav Benda, CSc ČVUT Praha, Fakulta elektrotechnická katedra elektrotechnologie 1000 W/m 2 Na zemský povrch dopadá část záření pod úhlem ϕ 1 6 MWh/m 2 W ( ϕ) = W0
galvanicky chemicky plazmatem ve vakuu Vrstvy ve vakuu MBE Vakuová fyzika 2 1 / 39
Vytváření vrstev galvanicky chemicky plazmatem ve vakuu Vrstvy ve vakuu povlakování MBE měření tloušt ky vrstvy během depozice Vakuová fyzika 2 1 / 39 Velmi stručná historie (více na www.svc.org) 1857
Chování látek v nanorozměrech
Univerzita J.E. Purkyně v Ústí nad Labem Chování látek v nanorozměrech Pavla Čapková Přírodovědecká fakulta Univerzita J.E. Purkyně v Ústí nad Labem Březen 2014 Chování látek v nanorozměrech: Co se děje
Oddělení fyziky vrstev a povrchů makromolekulárních struktur
Oddělení fyziky vrstev a povrchů makromolekulárních struktur Témata diplomových prací 2014/2015 Studium změn elektrické vodivosti emeraldinových solí vystavených pokojovým a mírně zvýšeným teplotám klíčová
CZ.1.07/2.2.00/ AČ (RCPTM) Spektroskopie 1 / 24
MĚŘENÍ SPEKTRA SVĚTLA Antonín Černoch Regionální centrum pokročilých technologií a materiálů CZ.1.07/2.2.00/15.0147 AČ (RCPTM) Spektroskopie 1 / 24 Úvod Obsah 1 Úvod 2 Zobrazovací spektrometry Disperzní
KOMPLEXY EUROPIA(III) LUMINISCENČNÍ VLASTNOSTI A VYUŽITÍ V ANALYTICKÉ CHEMII. Pavla Pekárková
KOMPLEXY EUROPIA(III) LUMINISCENČNÍ VLASTNOSTI A VYUŽITÍ V ANALYTICKÉ CHEMII Pavla Pekárková Katedra analytické chemie, Přírodovědecká fakulta, Masarykova univerzita, Kotlářská 2, 611 37 Brno E-mail: 78145@mail.muni.cz
Balmerova série vodíku
Balmerova série vodíku Josef Navrátil 1, Barbora Pavlíková 2, Pavel Mičulka 3 1 Gymnázium Ivana Olbrachta, pepa.navratil.ez@volny.cz 2 Gymnázium Jeseník, barca@progeo-sys.cz 3 Gymnázium a SOŠ Frýdek Místek,
Emise vyvolaná působením fotonů nebo částic
Emise vyvolaná působením fotonů nebo částic PES (fotoelektronová spektroskopie) XPS (rentgenová fotoelektronová spektroskopie), ESCA (elektronová spektroskopie pro chemickou analýzu) UPS (ultrafialová
Něco o laserech. Ústav fyzikální elektroniky Přírodovědecká fakulta Masarykovy univerzity 13. května 2010
Něco o laserech Ústav fyzikální elektroniky Přírodovědecká fakulta Masarykovy univerzity 13. května 2010 Pár neuspořádaných faktů LASER = Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation Zdroj dobře
Glass temperature history
Glass Glass temperature history Crystallization and nucleation Nucleation on temperature Crystallization on temperature New Applications of Glass Anorganické nanomateriály se skelnou matricí Martin Míka
Experimentální laboratoře (beamlines) ve Středoevropské synchrotronové laboratoři (CESLAB)
www.synchrotron.cz www.ceslab.cz www.ceslab.eu Experimentální laboratoře (beamlines) ve Středoevropské synchrotronové laboratoři (CESLAB) Petr Mikulík Ústav fyziky kondenzovaných látek Masarykova univerzita
SBÍRKA ŘEŠENÝCH FYZIKÁLNÍCH ÚLOH
SBÍRKA ŘEŠENÝCH FYZIKÁLNÍCH ÚLOH MECHANIKA MOLEKULOVÁ FYZIKA A TERMIKA ELEKTŘINA A MAGNETISMUS KMITÁNÍ A VLNĚNÍ OPTIKA FYZIKA MIKROSVĚTA ATOM, ELEKTRONOVÝ OBAL 1) Sestavte tabulku: a) Do prvního sloupce
POKUSY VEDOUCÍ KE KVANTOVÉ MECHANICE III
POKUSY VEDOUCÍ KE KVANTOVÉ MECHANICE III FOTOELEKTRICKÝ JEV OBJEV ATOMOVÉHO JÁDRA 1911 Rutherford některé radioaktivní prvky vyzařují částice α, jde o kladné částice s nábojem 2e a hmotností 4 vodíkových
Polovodičové detektory
Polovodičové detektory vodivostní pás záchytové nebo rekombinační centrum valenční pás Polovodičové detektory pn přechod díry p typ n typ elektrony + + + depleted layer ~ 100 m Polovodičové detektory pn
Laserové technologie v praxi I. Přednáška č.8. Laserové zpracování materiálu. Hana Chmelíčková, SLO UP a FZÚ AVČR Olomouc, 2011
Laserové technologie v praxi I. Přednáška č.8 Laserové zpracování materiálu Hana Chmelíčková, SLO UP a FZÚ AVČR Olomouc, 2011 Lasery pro průmyslové zpracování materiálu E (ev) 0,12 1,17 1,17 1,2 1,5 4,17
Fyzikální praktikum FJFI ČVUT v Praze
Fyzikální praktikum FJFI ČVUT v Praze Úloha 4: Balrmerova série Datum měření: 13. 5. 016 Doba vypracovávání: 7 hodin Skupina: 1, pátek 7:30 Vypracoval: Tadeáš Kmenta Klasifikace: 1 Zadání 1. DÚ: V přípravě
Diamantu podobné uhlíkové vrstvy pro pokrytí kloubních náhrad
České vysoké učení technické v Praze Fakulta biomedicínského inženýrství Diamantu podobné uhlíkové vrstvy pro pokrytí kloubních náhrad Ing. Petr Písařík petr.pisarik@fbmi.cvut.cz Kladno Listopad 2010 Cíl
Pozitron teoretická předpověď
Pozitron teoretická předpověď Diracova rovnice: αp c mc x, t snaha popsat relativisticky pohyb elektronu x, t ˆ i t řešení s negativní energií vakuum je Diracovo moře elektronů pozitrony díry ve vaku Paul
Rentgenová spektrální analýza Elektromagnetické záření s vlnovou délkou 10-2 až 10 nm
Rtg. záření: Rentgenová spektrální analýza Elektromagnetické záření s vlnovou délkou 10-2 až 10 nm Vznik rtg. záření: 1. Rtg. záření se spojitým spektrem vzniká při prudkém zabrzdění urychlených elektronů.
Nanokrystalické tenké filmy oxidu železitého pro solární štěpení vody
Nanokrystalické tenké filmy oxidu železitého pro solární štěpení vody J. Frydrych, L. Machala, M. Mašláň, J. Pechoušek, M. Heřmánek, I. Medřík, R. Procházka, D. Jančík, R. Zbořil, J. Tuček, J. Filip a
elektrony v pevné látce verze 1. prosince 2016
F6122 Základy fyziky pevných látek seminář elektrony v pevné látce verze 1. prosince 2016 1 Drudeho model volných elektronů 1 1.1 Mathiessenovo pravidlo............................................... 1
ρ = 0 (nepřítomnost volných nábojů)
Učební text k přednášce UFY Světlo v izotropním látkovém prostředí Maxwellovy rovnice v izotropním látkovém prostředí: B rot + D rot H ( r, t) div D ρ rt, ( ) div B a materiálové vztahy D ε pro dielektrika
3. Vlastnosti skla za normální teploty (mechanické, tepelné, optické, chemické, elektrické).
PŘEDMĚTY KE STÁTNÍM ZÁVĚREČNÝM ZKOUŠKÁM V BAKALÁŘSKÉM STUDIU SP: CHEMIE A TECHNOLOGIE MATERIÁLŮ SO: MATERIÁLOVÉ INŽENÝRSTVÍ POVINNÝ PŘEDMĚT: NAUKA O MATERIÁLECH Ing. Alena Macháčková, CSc. 1. Souvislost
POKUSY VEDOUCÍ KE KVANTOVÉ MECHANICE II
POKUSY VEDOUCÍ KE KVANTOVÉ MECHANICE II FOTOELEKTRICKÝ JEV VNĚJŠÍ FOTOELEKTRICKÝ JEV na intenzitě záření závisí jen množství uvolněných elektronů, ale nikoliv energie jednotlivých elektronů energie elektronů
V nejnižším energetickém stavu valenční elektrony úplně obsazují všechny hladiny ve valenčním pásu, nemohou zprostředkovat vedení proudu.
POLOVODIČE Vlastní polovodiče Podle typu nosiče náboje dělíme polovodiče na vlastní (intrinsické) a příměsové. Příměsové polovodiče mohou být dopované typu N (majoritními nosiči volného náboje jsou elektrony)
Přednáška IX: Elektronová spektroskopie II.
Přednáška IX: Elektronová spektroskopie II. 1 Försterův resonanční přenos energie Pravděpodobnost (rychlost) přenosu je určená jako: k ret 1 = τ 0 D R r 0 6 0 τ D R 0 r Doba života donoru v excitovaném
Spektroskopie subvalenčních elektronů Elektronová mikroanalýza, rentgenfluorescenční spektroskopie
Spektroskopie subvalenčních elektronů Elektronová mikroanalýza, rentgenfluorescenční spektroskopie Metody charakterizace nanomateriálů I RNDr. Věra Vodičková, PhD. rentgenová spektroskopická metoda k určen
Využití UV/VIS a IR spektrometrie v analýze potravin
Využití UV/VIS a IR spektrometrie v analýze potravin Chemické laboratorní metody v analýze potravin MVDr. Zuzana Procházková, Ph.D. MVDr. Michaela Králová, Ph.D. Spektrometrie: základy Interakce záření
Praktikum III - Optika
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK Praktikum III - Optika Úloha č. 13 Název: Vlastnosti rentgenového záření Pracoval: Matyáš Řehák stud.sk.: 13 dne: 3. 4. 2008 Odevzdal
Lasery. Biofyzikální ústav LF MU. Projekt FRVŠ 911/2013
Lasery Biofyzikální ústav LF MU Elektromagnetické spektrum http://cs.wikipedia.org/wiki/soubor:elmgspektrum.png http://cs.wikipedia.org/wiki/ Soubor:Spectre.svg Bezkontaktní termografie 2 Součásti laseru
Využití infrastruktury CESNET pro distribuci signálu optických atomových hodin
Využití infrastruktury CESNET pro distribuci signálu optických atomových hodin Ondřej Číp, Martin Čížek, Lenka Pravdová, Jan Hrabina, Břetislav Mikel, Šimon Řeřucha a Josef Lazar (ÚPT AV ČR) Josef Vojtěch,
Senzory ionizujícího záření
Senzory ionizujícího záření Senzory ionizujícího záření dozimetrie α = β = He e 2+, e + γ, n X... elmag aktivita [Bq] (Becquerel) A = A e 0 λt λ...rozpadová konstanta dávka [Gy] (Gray) = [J/kg] A = 0.5
SPR Povrchová Plasmonová Resonance. Zdroj: Wiki
SPR Povrchová Plasmonová Resonance Zdroj: Wiki Co je SPR? Fyzikální jev využívající interakci světla s tenkou vrstvou kovu k měření absorbce látek na tuto vrstvu Rozhraní optický hranol voda Voda Lom Odraz
MODERNÍ METODY CHEMICKÉ FYZIKY I lasery a jejich použití v chemické fyzice Přednáška 5
MODERNÍ METODY CHEMICKÉ FYZIKY I lasery a jejich použití v chemické fyzice Přednáška 5 Ondřej Votava J. Heyrovský Institute of Physical Chemistry AS ČR Opakování z minula Light Amplifier by Stimulated
Thermodynamické disociační konstanty antidepresiva Vortioxetinu
Thermodynamické disociační konstanty antidepresiva Vortioxetinu Aneta Čápová, Bc Katedra analytické chemie, Chemicko-technologická fakulta, Univerzita Pardubice, CZ 532 10 Pardubice, Česká republika st38457@student.upce.cz
ZADÁNÍ BAKALÁŘSKÉ PRÁCE
Vysoké učení technické v Brně, Fakulta strojního inženýrství Ústav fyzikálního inženýrství Akademický rok: 2013/2014 ZADÁNÍ BAKALÁŘSKÉ PRÁCE student(ka): Jakub Kuba který/která studuje v bakalářském studijním
Soubory (atomů) molekul
Soubory (atomů) molekul H 2 O M r = 18,015 M h = 18,015 g/mol V = ρ.m, ρ 25 C = 0,99710 g/cm 3 1 mol: m = 18,015 g, V = 17,963 cm 3 N = n.n A, N A = 6,02214129(27) 10 23 mol 1 1 mol: N = 6,022 10 23 molekul
Krystalografie a strukturní analýza
Krystalografie a strukturní analýza O čem to dneska bude (a nebo také nebude): trocha historie aneb jak to všechno začalo... jak a čím pozorovat strukturu látek difrakce - tak trochu jiný mikroskop rozptyl
Studium tenkých mazacích filmů spektroskopickou reflektometrií
Studium tenkých mazacích filmů spektroskopickou reflektometrií Ing. Vladimír Čudek Ústav konstruování Odbor metodiky konstruování Fakulta strojního inženýrství Vysoké učení technické v Brně OBSAH EHD mazání
Kovy - model volných elektronů
Kovy - model volných elektronů Kovová vazba 1. Preferuje ji většina prvků vyskytujících se v přírodě. Kov je tvořen kladně nabitými ionty (s konfigurací vzácného plynu) a relativně velmi volnými elektrony.
5. Stavy hmoty Kapaliny a kapalné krystaly
a kapalné krystaly Vlastnosti kapalin kapalných krystalů jako rozpouštědla Evropský sociální fond Praha & EU: Investujeme do vaší budoucnosti kapaliny nestálé atraktivní interakce (kohezní síly) mezi molekulami,
OPTICKÁ EMISNÍ SPEKTROMETRIE
OPTICKÁ EMISNÍ SPEKTROMETRIE Optical Emission Spectrometry (OES) ATOMOVÁ EMISNÍ SPEKTROMETRIE (AES) (c) -2010 OES je založena na registrování fotonů vzniklých přechody valenčních e - z vyšších energetických
Infračervená spektroskopie
Infračervená spektroskopie 1 Teoretické základy Podstatou infračervené spektroskopie je interakce infračerveného záření se studovanou hmotou, kdy v případě pohlcení fotonu studovanou hmotou mluvíme o absorpční
PSI (Photon Systems Instruments), spol. s r.o. Ústav přístrojové techniky AV ČR, v.v.i.
PSI (Photon Systems Instruments), spol. s r.o. Ústav přístrojové techniky AV ČR, v.v.i. Konstrukce a výroba speciálních optických dielektrických multivrstev pro systémy FluorCam Firma příjemce voucheru
Světlo jako elektromagnetické záření
Světlo jako elektromagnetické záření Základní pojmy: Homogenní prostředí prostředí, jehož dané vlastnosti jsou ve všech místech v prostředí stejné. Izotropní prostředí prostředí, jehož dané vlastnosti
Urychlené částice z pohledu sluneční rentgenové emise Brzdné záření
Urychlené částice z pohledu sluneční rentgenové emise Brzdné záření Jana Kašparová Astronomický ústav AV ČR, Ondřejov kasparov@asu.cas.cz Vybrané kapitoly z astrofyziky, MFF UK, 1. listopadu 2006 Energie
!!! #!! # % & ()!+ %& #( ) +,,!,!!./0./01 2 34 % 00 (1!#! #! #23 + )!!,,5,!+ 4)!005!! 6 )! %,76!,8, )! 44 %!! #! #236!!1 1 5 6 5+!!1 ( 9 9!5 6 + /+ # % 7 8 % : 4; 2,/! = %
TERMOMECHANIKA 15. Základy přenosu tepla
FSI VUT v Brně, Energetický ústav Odbor termomechaniky a techniky prostředí Prof. Ing. Milan Pavelek, CSc. TERMOMECHANIKA 15. Základy přenosu tepla OSNOVA 15. KAPITOLY Tři mechanizmy přenosu tepla Tepelný
Unipolární tranzistory
Unipolární tranzistory MOSFET, JFET, MeSFET, NMOS, PMOS, CMOS Unipolární tranzistory aktivní součástka řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem většinové nosiče menšinové nosiče parazitní charakter