Submikronové technologie součastné trendy SOI technologie. Vývoj CMOS technologií. Vývoj CMOS technologií. Proč chceme stále menší tranzistory?
|
|
- Pavla Pavlíková
- před 5 lety
- Počet zobrazení:
Transkript
1 Sbohem mikroelektroniko Vítej nanoelektroniko Submikronové technologie součastné trendy SOI technologie SiGe Tranzistor pro 50nm proces Virus Tloušťka hradlového oxidu = 1.2 nm!!! Dnes již přecházíme na 45nm proces hradlový oxid 0.8nm Vývoj CMOS technologií Vývoj CMOS technologií Kdy už to skončí??? Tloušťka hradlového oxidu = 1.2 nm Předepnutý křemík Strained Silicon Proč chceme stále menší tranzistory? Zmenšování rozměrů IO technologií (180, 130, 90, 65, 45, 32 nm) Vyšší rychlost Menší ztrátový výkon a spotřeba na funkční blok Počet tranzistorů na čipu Menší náklady na funkční blok Hlavní problémy Zabezpečení dostatečného I on (řídící proud) a I off (zbytkový proud) Ultratenký hradlový oxid parazitní svodový proud Velice mělké S/D difúzní oblasti a přechody Metalické propojení roste zpoždění (RC konstanta) Atd. Potenciální řešení je ve vysoce dielektrických mat. pro hradlovou izolaci, kovové hradlo, nové CMOS struktury, atd. Důsledky zmenšování rozměrů Technologie 65 nm a menší: Malé V dd, V t Kontrola nad OPN Těžkosti s výrobou ultra malých struktur (litografie, hloubka přechodů) Důsledky kvantových efektů a statistických odchylek
2 Feature Size ( m) Potenciální řešení: Zvýšit efektivní (V dd - V t ) Multi-V t, dynamické V t Zvýšit přípustný I off snížit V t Snižovat V dd pomaleji Různé napájení a rychlosti pro jednotlivé bloky Využití nových materiálů Limity planárních substrátových MOSFETů Řešení: alternativní CMOS technologie Multi-napěťové bloky s vypínáním napájení k jednotlivým blokům 0.7V OFF 0.9V 0.9V Snížení dynamických ztrát a svodového proudu SOI Dual gate SOI Vertikální FETs SiGe Strained Silicon Atd. Rychlost nikdy nestačí Metodologie pro zmenšování rozměrů tranzistorů Hodinové frekvence rostou exponenciálně Moorovy zákony 1 Miliarda Tranzistorů 1,000, ,000 10,000 1, K i486 Pentium i Nahalem Pentium IV Pentium III Pentium II Pentium Pro Zdroj: Intel Rok Zmenšování rozměrů - Scaling Velikosti rozměrů se zmenší o 30% každé 2-3 years Tranzistory jsou levnější Jsou i rychlejší Rychlost metalického propojení se však nezlepšuje Koeficient změny velikosti (Scale factor) S Typické kroky: S Předpoklady zmenšování rozměrů motivu Výchozí předpoklad: Zachování konstantního elektrického pole Musíme přizpůsobit všechny rozměry (x, y, z => W, L, t ox ) Velikost napětí (V DD ) Hodnoty dotací difúzních oblastí Musí se přizpůsobit i metalizace Některé materiály již nevyhovují svými vlastnostmi Year
3 Změna rozměrů o faktor S Změna rozměrů o faktor S Parametr Redukční faktor Délka kanálu L 1/S Šířka kanálu W 1/S Hradlový oxid t ox 1/S Napájecí napětí V DD 1/S Vlastnosti tranzistorů Parametr Redukční faktor Poznámka Proudový faktor b S Proud I DS 1/S b(v DD -V t ) 2 Odpor 1 V DD /I DS Prahové napětí Vt 1/S Dotace substrátu N A S Redukce 1/5 Hradlová kapacita 1/S W.L/C ox Zpoždění 1/S RC Hodinová frekvence S 1/t Dynamické ztráty 1/S 2 C.V 2 / f Plocha čipu 1/S 2 Změna rozměrů - zhodnocení Tranzistory jsou rychlejší (+) Dynamická spotřeba klesá (+) Proudová hustota však roste (-) Roste odpor kontaktů Tloušťka metalických propojek Zůstává konstantní Dálka propojení Lokální / zmenšeno o faktor S Globální - nezměněno Metalické propojení Submikronová IO struktura v měřítku: Submikronová IO struktura v měřítku: Copper Conductors (8 Levels) Pasivační vrstva SiO 2 (500nm) + Si 3N 4 (200 nm) Metal #6 Metal #5 Low-k Dielectric Metal #4 Metal #3 Copper Plugs Metal #2 Metal #1 TRANZISTORY Trench izolace PolySi Gate
4 Rezistivita vodivých spojů Rozptýlená a vzájemná kapacita Zmenšují spolehlivost Mají vliv na výkon Klasifikace parazitních vlivu Kapacita Rezistivita Indukčtnost Ro = odpor na čtverec Vytváří přeslechy Parametr Změna rozměrů o faktor S Redukční faktor Šířka metalizace W 1/S Vzájemná vzdálenost 1/S Tloušťka t 1/S Tloušťka izolantu 1/S Změna rozměrů - Metalizace Důsledek zmenšování rozměrů Zpoždění dosáhlo minimuma při nm, dále se bude jen zhoršovat Ale Parametr Redukční faktor Odpor na jednotkovou délku S 2 1/W.t Kapacita ve stejné vrstvě 1 t/s Kapacita mezi vrstvami 1 W/h Poznámka Redukce 1/5 Celková kapacita 1 W.L/C ox RC konstanta na jednot. délku S 2 [SIA97] ITRS Jak to bude? Intl. Technology Roadmap for Semiconductors Důsledky redukce rozměrů Lepší výkon Nižší cena Problémy se ztrátovým výkonem Potřeba nových materiálů Fyzikální limity Největší problémy: Ztrátový výkon Statický ztrátový výkon Prahové napětí vs napájecí napětí
5 Vývoj MOSFET struktur pod 70 nm technologiemi Bulk MOSFET SOI/ MOSFET Dual-Gate MOSFET Technologie SOI Silicon On Insulator Vertical MOSFET Technologie SOI SOI - Silicon On Insulator křemík na izolantu. Řez waferem s utopenou vrstvou izolujícího SiO2 Výhody SOI Lepší výkon díky eliminaci parazitních kapacit PN přechodů a Body Effectu 25-35% vyšší výkon než Si CMOS SOI může pracovat při menších napájecích napětích se stejným výkonem jako Si CMOS 40-50% Lepší využití plochy čipu menší plocha izolací Redukovaný efekt zpětného hradla (Body Effect) Zamezení svodových proudů do substrátu Menší oblasti PN přechodů Větší hustota integrace Zamezení latch-up efektu Větší provozní teplota (250 C) Odolnost proti záření Porovnání CMOS součástky v klasické technologii a SOI Nevýhody SOI Velice málo nevýhod: Teplotní vlastnosti Dražší substráty o 3 10 % než CMOS Hystereze prahového napětí
6 Druhy SOI Částečně ochuzená (Partially-Depleted) návaznost na CMOS postupy Plně ochuzená (Fully-Depleted) užší izol. hradla (náročnost),ug je funkcí náboje Plovoucí - body effect parazitní bipolární tranzistor prahové napětí Použití SOI Vhodné pro obvody s nízkou a velmi nízkou spotřebou Mikroprocesory s vyššími taktovacími frekvencemi IBM a Motorola Grafické procesory - Sony/IBM/Toshiba : PlayStation Obvody pro vysokorychlostní sériovou komunikaci: 10Gbps Ultra-low power systémy na čipu: hodinky na solární energii RFID Technologie výroby SOI waferů SOS - silicon on sapphire (1978) SIMOX - separation by implantation of oxygen (1983) ZMR - zone melting and recrystallisation (1983) BESOI - bond and etch back SOI (1989) Smart-Cut SOI (1996) Veškeré technologie pod 90 nm jsou na SOI Výroba Wafefů (SIMOX) 1. implantace kyslíkových iontů energie a množství implantace určuje hloubku a tloušťku utopené oxidové vrstvy a tím i tloušťku vrchní Si vrstvy 2. žíhání - postupné zvyšování teploty z 1050 na 1350 C zformování kvalitní celistvé oxidové vrstvy zamezení vzniku dislokací ve vrchní vrstvě křemíku Výroba substrátů Smart Cut
7 Porovnání SOI vs klasická CMOS Porovnání SOI oproti objemovému polovodiči při stejné technologii: o 30% rychlejší o 30% vetší hustota integrace o 20% méně výrobních kroků 50% spotřeba Technologie předepnutého křemíku Strained Silicon Technologie předepnutého křemíku Strain = napnout Využívá se rozdílné mřížkové konstatnty Si a Ge Technologie výroby pseudomorfního SiGe Používá se epitaxní růst při nízkých teplotách ( o C) Zvýší se pohyblivost elektronů a děr SiGe Si substrát pseudomorfní SiGe vazba s dislokacemi Implementace do CMOS struktury Fotografie Tranzistoru Jiří Jakovenko Struktury integrovaných systémů - Katedra mikroelektroniky ČVUT 11/19 FEL
8 Výhody předepnutého křemíku Pouze o 2% větší náklady větší rychlost čipů - až o 35% zvýšení pohyblivosti nosičů o 50 % jednoduchost není potřeba zmenšovat tloušťku oxidu možnost kombinace s jinými technologiemi do budoucna SSOI Strained SOI Kombinace technologie SOI a technologie předepnutého křemíku zdroj: mpi-halle.de 25 nm FDSOI tranzistor, zdroj: CEA-Léti, Technologie High-k dielektrika v kombinaci s technologií kovových hradel Vývoj HKMG trval více než deset let Dnes se používá ve 45 nm a 32 nm technologiích Výkon tranzistorů až o 22% vyšší Svodové proudy 5 10x nižší Technologie SiGe HBT Technologie SiGe je známa již velmi dlouho, ale nikdo nedokázal spojit vrstvu SiGe s vrstvou Si bez poruch v krystalické struktuře V 90. letech nastává rozvoj v oblasti bipolárních tranzistorů vyvolaný rozvojem SiGe HBT Aplikace vrstvy SiGe je jen jedním přidaným výrobním krokem není nutná reorganizace výroby 45 nm tranzistor firmy s použitím technologie HKMG, zdroj: Intel Zdroj: Intel Jiří Jakovenko Struktury integrovaných systémů - Katedra mikroelektroniky ČVUT FEL Výhody a nevýhody SiGe HBT 3D Tri-Gate CMOS tranzistory - MuGFET Lepší výkon než Si BiCMOS Nižší cena než III-V Polovodiče (GaAs) Využití pro RF obvody Rychlost GHz Náklady pouze o 2-3% vyšší Vyšší rychlost o % Rok implementace 2012 Planární tranzistor 22 nm tří hradlový tranzistor Plně ochuzená oblast + Vyšší f T ~ 550GHz + Vyšší výkon (účinnost) + Nižší spotřeba - Vyšší náklady na výrobu - Náročnější výroba Zdroj: Intel
9 T ox SiO 2 Hradlo Si substrát Materiály s vyšším e T ox,equiv (e) = T K * (3.9/e) Protože T K > T ox, zbytkový proud hradla se při větším e zmenší Vhodné materiály: Si 3 N 4 (e~7); Ta 2 O 5 (e~25); LaO 2 /HfO 2 /ZrO 2 (e~15-30); Hf, Zr-SiO4 (e~12-16); a jiné Nejpravděpodobněji: Si 3 N 4 bude využíván co nejdéle T K Hradlo Si substrát High K Materiál Problémy materiálů s vysokým e Teplotní stabilita materiálů s vysokým e Rozhraní s Si substrátem Teplotní a chemická kompatibilita s PolySi, & B penetrace Požadavek kovového hradla? Vlastnosti povrchu: náboje na rozhraní; snížená pohyblivost Nové materiály: nutné pod 100 nm hradla Kovové hradlo Limity Polyhradla Ochuzení PolySi: zakřivení zak. pásu Penetrace Bóru přes velmi slabý oxid; Slučitelnost s novými materiály ( fyz. a chem. Vlastnosti ) Odpor velmi tenkých hradel Možné užití kovového hradla: 50 nm a méně Žádné ochuzení, malý odpor hradla, kompatibilní s materiály s velkým e Problémy Sesazení hradel a difúzních oblastí parazitní kapacity Technologie 3D čipů 3D čipy Plnohodnotný SOC SOC System On Chip 3-D IC : Několik aktivních Si vrstev Výhody Redukce délky propojení Lepší výkon čipu Menší plocha čipu Heterogenní integrace: digital, analog, optické
10 Nutná nová architektura návrhu Problém s chlazením Náhrada horizontálního propojení za vertikální 3-D Technologie Dnes plošný SOC Návrh na bázi GaAs Pohyblivost nosičů pro běžné polovodiče
11 Materiálové Vlastnosti GaAs Max. rychlost elektronů = 2 x Silicon = 2 x 10 7 cm/sec Pohyblivost děr GaAs (= 400) < Si (489 cm 2 V/sec) Vylučuje komplementární logiku Pohyblivost elektronů GaAs ( ) >> Si ( ) Max. El. pole (max. rychlost) GaAs (0.3 V/ m) < Si (1 V/ m) Nízké napájecí napětí Křehký Materiál 3 až 4 palcové wafery Vysoká hustota defektů Velký Q SS a Q ox Není možná realizace MOS transistoru! Materiálové problémy GaAs Křehký Materiál 3 až 4 palcové wafery Vysoká hustota defektů Velký Q SS a Q ox Není možná realizace MOS transistoru! Malá pohyblivost děr Problém u komlementárních hradel Nejvhodnější součástka: MESFET I-V Charakteristiky Velké změny prahového napětí na jednom waferu ( mv) Speciální technologie MEMS Mikrozrcátka
12 Cutoff frequency, GHz Digitální signálový procesor f max, f T, GHz Pohyblivost Velocity, 10 7 cm/s Vysokofrekvenční elektronika Spotřební elektronika Mikroprocesory, paměti, senzorová elektronika Typy tranzistorů MOSFET (98 % aplikací) Bipolární: BJT vf elektronika Typy tranzistorů Bipolární: - BJT - HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) FET - MESFET (Metal Semiconductor FET) - HEMT (High Electron Mobility Transistor) - MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) Polovodičové materiály Si Polovodičové materiály III-V's (GaAs, InP AlGaAs, InGaAs, InAlAs, ) Si SiGe Širokopásové polovodiče (SiC, GaN, AlGaN) Evoluce mikrovlnných technologií Trendy ve vývoji vf technologií: Zvyšování mezní frekvence tranzistorů, f T a f max (III-V) Růst výstupního výkonu (polovodiče s širokým zakázaným pásem) Nízkonákladové křemíkové technologie(cmos a SiGe technologie) f max AlGaAs/GaAs HEMT GaAs MESFET Ge BJT f T GaAs phemt Si BJT InP HEMT AlGaAs/GaAs HEMT * Transferred substrate InP HBT Year Rok * InP HBT InP HEMT GaAs In 0.53 Ga 0.47 As InP Si Elektrické Electric pole field, kv/cm Růst mezního kmitočtu MOS tranzistorů Typický vf komunikační systém Dnes je velice rychlý nárůst CMOS technologií pro aplikace mikrovlnných obvodů Díky novým technologiím dosahují CMOS technologie téměř stejných vlastností jako speciální technologie pro RF Upper limit nmosfet Exp. data nmosfet Exp. data pmosfet LNA Kombinace vf analogových a digitálních obvodů N f ref VCO AG C AA filtr reference I,V,f Analogový signálový procesor ADC hodiny PA DAC CMOS 32 nm f T / f MAx GHz/440 GHz Gate length, µm Regulátory Řízení napájení
Submikronové technologie součastné trendy SOI technologie. Vývoj CMOS technologií. Proč chceme stále menší tranzistory?
Sbohem mikroelektroniko Vítej nanoelektroniko Submikronové technologie součastné trendy SOI technologie SiGe Tranzistor pro 50nm proces Virus Tloušťka hradlového oxidu = 1.2 nm!!! Dnes již přecházíme na
VíceUnipolární tranzistory
Unipolární tranzistory MOSFET, JFET, MeSFET, NMOS, PMOS, CMOS Unipolární tranzistory aktivní součástka řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem většinové nosiče menšinové nosiče parazitní charakter
VíceFET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů
FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů (elektrony nebo díry) pracují s kanálem jednoho typu vodivosti
VíceVY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl
Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická
VíceNavrhované a skutečné rozměry. Návrhová pravidla pro návrh topologie (layoutu) čipu. Základní parametry návrhových pravidel
Navrhované a skutečné rozměry Změna skutečných rozměrů oproti navrhovaným Al spoje Kontaktní otvor v SiO Návrhová pravidla pro návrh topologie (layoutu) čipu Jiří Jakovenko Difuzní oblast N+ Vzájemné sesazení
VíceFEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů
Unipolární tranzistory Řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem: FET [Field - Effect Transistor] Proud přenášen jedním typem nosičů náboje (unipolární): - majoritní nosiče v inverzním kanálu - neuplatňuje
VíceAplikace elektroniky. Čím se budeme zabývat? Struktury integrovaných systémů A2M34SIS. Čím se budeme zabývat - cvičení?
Čím se budeme zabývat? Struktury integrovaných systémů A2M34SIS Přednášející: Cvičící: Jiří Jakovenko Vladimír Janíček Jan Novák Historický přehled vývoje integrovaných obvodů, Moorovy zákony, metody návrhu,
VíceTechnologie CMOS. Je to velmi malý svět. Technologie CMOS Lokální oxidace. Vytváření izolačních příkopů. Vytváření izolačních příkopů
Je to velmi malý svět Technologie CMOS Více než 2 000 000 tranzistorů v 45nm technologii může být integrováno na plochu tečky za větou. From The Oregonian, April 07, 2008 Jiří Jakovenko Struktury integrovaných
VíceUniverzita Tomáše Bati ve Zlíně
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Unipolárn rní tranzistory Přednáška č. 5 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Unipolárn rní tranzistory 1 Princip činnosti
VíceVY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl
Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická
VíceVÝKONOVÉ TRANZISTORY MOS
VÝKONOVÉ TANZSTOY MOS Pro výkonové aplikace mají tranzistory MOS přednosti: - vysoká vstupní impedance, - vysoké výkonové zesílení, - napěťové řízení, - teplotní stabilita PNP FNKE TANZSTO MOS Prahové
VícePolovodičov. ové prvky. 4.přednáška
Polovodičov ové prvky 4.přednáška Polovodiče Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku (Si). Čisté krystaly křemíku mají za pokojové teploty jen
VíceMěření na unipolárním tranzistoru
Měření na unipolárním tranzistoru Teoretický rozbor: Unipolární tranzistor je polovodičová součástka skládající se z polovodičů tpu N a P. Oproti bipolárnímu tranzistoru má jednu základní výhodu. Bipolární
VíceSpínače s tranzistory řízenými elektrickým polem. Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT
Spínače s tranzistory řízenými elektrickým polem Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT Základní vlastnosti spínačů s tranzistory FET, IGBT resp. IGCT plně řízený spínač nízkovýkonové řízení malý
VíceOtázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna
Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Tato otázka přepokládá znalost otázky č. - polovodiče. Doporučuji ujasnit
VíceZáklady elektrotechniky
Základy elektrotechniky Přednáška Tranzistory 1 BIPOLÁRNÍ TRANZISTOR - třívrstvá struktura NPN se třemi vývody (elektrodami): e - emitor k - kolektor b - báze Struktura, náhradní schéma a schematická značka
VíceODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY
Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: MEII - 5.4.1 KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY Obor: Mechanik elektronik Ročník: 2. Zpracoval(a): Jiří Kolář Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2010 Projekt je
VíceISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec
ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.05 Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566,
VícePolovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.
Polovodičové prvky V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
VíceSOI technologie. Studijní materiál k předmětu A4M34SIS ČVUT FEL katedra mikroelektroniky
SOI technologie Studijní materiál k předmětu A4M34SIS ČVUT FEL katedra mikroelektroniky Technologie SOI je v zásadě pokračovaní technologie CMOS. Přechod od CMOS k SOI není ani zdaleka takovým skokem jako
VíceUrčení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů
Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů Tranzistor je elektronická aktivní součástka se třemi elektrodami.podstatou jeho funkce je transformace odporu mezi
VíceÚvod do moderní fyziky. lekce 9 fyzika pevných látek (vedení elektřiny v pevných látkách)
Úvod do moderní fyziky lekce 9 fyzika pevných látek (vedení elektřiny v pevných látkách) krystalické pevné látky pevné látky, jejichž atomy jsou uspořádány do pravidelné 3D struktury zvané mřížka, každý
VíceUNIPOLÁRNÍ TRANZISTOR
UNIPOLÁRNÍ TRANZISTOR Unipolární tranzistor neboli polem řízený tranzistor, FET (Field Effect Transistor), se stejně jako tranzistor bipolární používá pro zesilování, spínání signálů a realizaci logických
Více5 Monolitické integrované obvody
Technologie 5 Monolitické integrované obvody Jak je všeobecně známo, jsou využívány dvě hlavní technologie integrovaných obvodů. Jednou z nich jsou monolitické integrované obvody, druhou hybridní. Zde
VíceOdolný LNA pro 1296 MHz s E-PHEMT prvkem
Odolný LNA pro 1296 MHz s E-PHEMT prvkem Ing.Tomáš Kavalír, OK1GTH kavalir.t@seznam.cz, http://ok1gth.nagano.cz Zde uvedený článek se zabývá návrhem a realizací vysoce odolného předzesilovače pro radioamatérské
VíceProjekt Pospolu. Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky. Pro obor M/01 Informační technologie
Projekt Pospolu Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky Pro obor 18-22-M/01 Informační technologie Autorem materiálu a všech jeho částí je Ing. Petr Voborník, Ph.D. Bipolární tranzistor Bipolární
VíceMOSFET. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Julius Edgar Lilienfeld, U.S. Patent 1,745,175 (1930)
MOFET Metal Oxide emiconductor Field Effect Transistor Julius Edgar Lilienfeld, U.. Patent 1,745,175 (193) MOFET Metal Oxide emiconductor Field Effect Transistor 196 ovládnutí povrchových stavů:. Kahng,
VíceDioda - ideální. Polovodičové diody. nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem)
Polovodičové diody: deální dioda Polovodičové diody: struktury a typy Dioda - ideální anoda [m] nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem) deální vs. reálná
VíceTechnologie číslicových obvodů
Technologie číslicových obvodů Technologie výroby IO pouzdření Vyšší montážní celky 30.1.2013 O. Novák, CIE 3 1 Diode logic DL: 30.1.2013 O. Novák, CIE 3 2 DL: nepoužívá se, nemožnost invertovat signál,
VíceTECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ III.
TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ III. NANÁŠENÍ VRSTEV V mikroelektronice se nanáší tzv. tlusté a tenké vrstvy. a) Tlusté vrstvy: Používají se v hybridních integrovaných obvodech. Nanáší
VíceNeřízené polovodičové prvky
Neřízené polovodičové prvky Výkonová elektronika - přednášky Projekt ESF CZ.1.07/2.2.00/28.0050 Modernizace didaktických metod a inovace výuky technických předmětů. Neřízené polovodičové spínače neobsahují
VíceBipolární tranzistory
Bipolární tranzistory h-parametry, základní zapojení, vysokofrekvenční vlastnosti, šumy, tranzistorový zesilovač, tranzistorový spínač Bipolární tranzistory (bipolar transistor) tranzistor trojpól, zapojení
VíceŘídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek
Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Hlavní požadavky na ideální budič Galvanické
VíceNové trendy polovodičových součástek - pohledem začátku roku 2005
Nové trendy polovodičových součástek - pohledem začátku roku 2005 Jan Vobecký Katedra mikroelektroniky, FEL - ČVUT v Praze Technická 2, 166 27 Praha 6, vobecky@fel.cvut.cz 1. Úvod Letos je tomu čtyřicet
VíceElektrický proud v polovodičích
Elektrický proud v polovodičích Polovodič Látka, jejíž měrný elektrický odpor je při obvyklých teplotách mnohem menší než u izolantů, ale zase mnohem větší než u kovů. Polovodič Látka, jejíž měrný elektrický
VíceELEKTRONICKÉ PRVKY TECHNOLOGIE VÝROBY POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ
ELEKTRONICKÉ PRVKY TECHNOLOGIE VÝROBY POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ Polovodič - prvek IV. skupiny, v elektronice nejčastěji křemík Si, vykazuje vysokou čistotu (10-10 ) a bezchybnou strukturu atomové mřížky v monokrystalu.
VíceI. Současná analogová technika
IAS 2010/11 1 I. Současná analogová technika Analogové obvody v moderních komunikačních systémech. Vývoj informatických technologií v poslední dekádě minulého století digitalizace, zvýšení objemu přenášených
VíceELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky... 7-1 7.2 První a druhý průraz bipolárního
Bohumil BRTNÍK, David MATOUŠEK ELEKTRONICKÉ PRVKY Praha 2011 Tato monografie byla vypracována a publikována s podporou Rozvojového projektu VŠPJ na rok 2011. Bohumil Brtník, David Matoušek Elektronické
VíceTechnologie předepnutého křemíku (Strained Silicon) pro vysokofrekvenční integrované obvody
Technologie předepnutého křemíku (Strained Silicon) pro vysokofrekvenční integrované obvody Studijní materiál k předmětu A4M34SIS ČVUT FEL katedra mikroelektroniky Abstrakt: - Tento článek shrnuje základní
VíceMĚŘENÍ HRADLA 1. ZADÁNÍ: 2. POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU: 3. TEORETICKÝ ROZBOR. Poslední změna
MĚŘENÍ HRADLA Poslední změna 23.10.2016 1. ZADÁNÍ: a) Vykompenzujte sondy potřebné pro připojení k osciloskopu b) Odpojte vstupy hradla 1 na přípravku a nastavte potřebný vstupní signál (Umax, Umin, offset,
VíceI N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup
ELEKTONIKA I N V E S T I C E D O O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í 1. Usměrňování a vyhlazování střídavého a. jednocestné usměrnění Do obvodu střídavého proudu sériově připojíme diodu. Prochází jí proud
Více2.3 Elektrický proud v polovodičích
2.3 Elektrický proud v polovodičích ( 6 10 8 10 ) Ωm látky rozdělujeme na vodiče polovodiče izolanty ρ ρ ( 10 4 10 8 ) Ωm odpor s rostoucí teplotou roste odpor nezávisí na osvětlení nebo ozáření odpor
VíceLOGICKÉ OBVODY. Dle vnitřní struktury logické obvody rozdělujeme na:
OGICKÉ OBVODY Dle vnitřní strktry logické obvody rozděljeme na: a) kombinační - nemají vnitřní zpětné vazby. Všem kombinacím vstpů jso jednoznačně přiřazeny hodnoty výstpů, bez ohled na předcházející stav.
VíceNávrhová pravidla pro návrh topologie (layoutu) čipu Vzájemné sesazení masek kontaktu, poly
Navrhované a skutečné rozměry Návrhová pravidla pro návrh topologie (layoutu) čipu Vzájemné sesazení masek kontaktu, poly Minimální šířka motivu Minimální vzdálenost motivů Minimální a maximální rozměr
VíceTRANZISTORY TRANZISTORY. Bipolární tranzistory. Ing. M. Bešta
TRANZISTORY Tranzistor je aktivní, nelineární polovodičová součástka schopná zesilovat napětí, nebo proud. Tranzistor je asi nejdůležitější polovodičová součástka její schopnost zesilovat znamená, že malé
VíceHistorie počítačů. 0.generace. (prototypy)
Historie počítačů Historie počítačů se dělí do tzv. generací, kde každá generace je charakteristická svou konfigurací, rychlostí počítače a základním stavebním prvkem. Generace počítačů: Generace Rok Konfigurace
VíceELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY
ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY VZORY OTÁZEK A PŘÍKLADŮ K TUTORIÁLU 1 1. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Proč je používáme. 2. Co jsou polovodiče vlastní. 3. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Jakým způsobem
VíceOsnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika
Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika Garant přípravného studia: Střední průmyslová škola elektrotechnická a ZDVPP, spol. s r. o. IČ: 25115138 Učební osnova: Základní
VíceUniverzita Tomáše Bati ve Zlíně
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Diody a usměrňova ovače Přednáška č. 2 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Diody a usměrňova ovače 1 Voltampérová charakteristika
VícePřednáška 3 - Obsah. 2 Parazitní body effect u NMOS tranzistoru (CMOS proces) 2
PŘEDNÁŠKA 3 - OBSAH Přednáška 3 - Obsah i 1 Parazitní substrátový PNP tranzistor (PSPNP) 1 1.1 U NPN tranzistoru... 1 1.2 U laterálního PNP tranzistoru... 1 1.3 Příklad: proudové zrcadlo... 2 2 Parazitní
VíceBipolární tranzistory
Bipolární tranzistory Historie V prosinci 1947 výzkumní pracovníci z Bellových laboratořích v New Jersey zjistili, že polovodičová destička z germania se zlatými hroty zesiluje slabý signál. Vědci byli
VíceVY_32_INOVACE_ELT-1.EI-20-VYROBA INTEGROVANEHO OBVODU. Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno
Číslo projektu Číslo materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník CZ.1.07/1.5.00/34.0581 VY_32_INOVACE_ELT-1.EI-20-VYROBA INTEGROVANEHO OBVODU Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno
VíceUniverzita Tomáše Bati ve Zlíně
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Struktura logických obvodů Přednáška č. 10 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Struktura logických obvodů 1 Struktura logických
VíceSOUČÁSTKY ELEKTRONIKY
SOUČÁSTKY ELEKTRONIKY Učební obor: ELEKTRO bakalářské studium Počet hodin: 90 z toho 30 hodin v 1. semestru 60 hodin ve 2. semestru Předmět je zakončen zápočtem v 1. semestru a zápočtem a zkouškou ve 2.
VíceJiří Oswald. Fyzikální ústav AV ČR v.v.i.
Jiří Oswald Fyzikální ústav AV ČR v.v.i. I. Úvod Polovodiče Zákládní pojmy Kvantově-rozměrový jev II. Luminiscence Si nanokrystalů III. Luminiscence polovodičových nanostruktur A III B V IV. Aplikace Pásová
Víceteorie elektronických obvodů Jiří Petržela analýza šumu v elektronických obvodech
Jiří Petržela co je to šum? je to náhodný signál narušující zpracování a přenos užitečného signálu je to signál náhodné okamžité amplitudy s časově neměnnými statistickými vlastnostmi kde se vyskytuje?
VíceTranzistory. tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor. Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET
Tranzistory tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET Shockey, Brattain a Bardeen 16.12. 1947 Shockey 1952 Bipolární tranzistor
VíceZákladní druhy tranzistorů řízených elektrickým polem: Technologie výroby: A) 1. : A) 2. : B) 1. :
ZADÁNÍ: Změřte výstupní a převodní charakteristiky unipolárního tranzistoru KF 520. Z naměřených charakteristik určete v pracovním bodě strmost S, vnitřní odpor R i a zesilovací činitel µ. Určete katalogové
VíceFEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4
Využití vlastností polovodičových přechodů Oblast prostorového náboje elektrické pole na přechodu Propustný směr difůze majoritních nosičů Závěrný směr extrakce minoritních nosičů Rekombinace na přechodu
Více7b. Tlakové senzory II piezoelektrické kapacitní pn přechod s Hallovým senzorem optické. 1. Piezoelektrické tlakové senzory. Tlakové senzory II
POLOVODIČOVÉ TLAKOVÉ SENZORY Přednášející: 7b. Tlakové senzory II piezoelektrické kapacitní pn přechod s Hallovým senzorem optické Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc. husak@fel.cvut.cz tel.: 2 2435 2267 http://micro.feld.cvut.cz
VíceLidský vlas na povrchu čipu Více než tranzistorů v 45nm technologii může být integrováno na plochu tečky za větou.
Studijní materiály Technologie výroby integrovaných systémů www.micro.feld.cvut.cz/home/a2m34sis/prednasky Jak integrovat 1 000 000 000 Součástek na 1 cm 2 Jiří Jakovenko Struktury integrovaných systémů
VíceINFORMAČNÍ A KOMUNIKAČNÍ TECHNOLOGIE
Název školy: Střední odborná škola stavební Karlovy Vary Sabinovo náměstí 16, 360 09 Karlovy Vary Autor: Ing. Hana Šmídová Název materiálu: VY_32_INOVACE_13_HARDWARE_S1 Číslo projektu: CZ 1.07/1.5.00/34.1077
VíceElektronické a optoelektronické součástky
Garant předmětu: prof. Ing. Pavel Hazdra, CSc. hazdra@fel.cvut.cz Otevřené Elektronické Systémy Virtual Labs OES 1 / 4 Čím se zde bude zabývat? Principy činnosti struktur užívaných k ovládání elektronů
Vícearchitektura mostů severní / jižní most (angl. north / south bridge) 1. Čipové sady s architekturou severního / jižního mostu
Čipová sada Čipová sada (chipset) je hlavní logický integrovaný obvod základní desky. Jeho úkolem je řídit komunikaci mezi procesorem a ostatními zařízeními a obvody. V obvodech čipové sady jsou integrovány
VíceVY_32_INOVACE_ENI_3.ME_18_Technologie polovodičových součástek. Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing.
Číslo projektu Číslo materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_18_Technologie polovodičových součástek Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav
VíceModerní trendy v pouzdření elektronických obvodů a systémů Modern Trends in Electronic Circuits and Systems Packaging
Moderní trendy v pouzdření elektronických obvodů a systémů Modern Trends in Electronic Circuits and Systems Packaging Ivan Szendiuch, VUT v Brně, FEKT, ÚMEL, Údolní 53, 602 00 Brno, szend@feec.vutbr.cz
VíceU BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D.
Napěťový průraz polovodičových přechodů Zvyšování napětí na přechodu -přechod se rozšiřuje, ale pouze s U (!!) - intenzita elektrického pole roste -překročení kritické hodnoty U (BR) -vzrůstu závěrného
VíceIntegrované obvody. Obvody malé, střední a velké integrace Programovatelné obvody
Integrované obvody Obvody malé, střední a velké integrace Programovatelné obvody Integrovaný obvod zkratka: IO anglický termín: integrated circuit = IC Co to je? elekrotechnická součástka na malé ploše
VíceTechnologie výroby číslicových obvodů
Technologie výroby číslicových obvodů Studijní materiál pro předmět Architektury počítačů Ing. Petr Olivka katedra informatiky FEI VŠB-TU Ostrava email: petr.olivka@vsb.cz Ostrava, 2010 1 1 Technologie
VícePřednáška A3B38MMP. Bloky mikropočítače vestavné aplikace, dohlížecí obvody. 2015, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer
Přednáška A3B38MMP Bloky mikropočítače vestavné aplikace, dohlížecí obvody 2015, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer A3B38MMP, 2015, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL Praha 1 Hlavní bloky procesoru
Více9. ČIDLA A PŘEVODNÍKY
Úvod do metrologie - 49-9. ČIDLA A PŘEVODNÍKY (V.LYSENKO) Čidlo (senzor, detektor, receptor) je em jedné fyzikální veličiny na jinou fyzikální veličinu. Snímač (senzor + obvod pro zpracování ) je to člen
VíceŘízené polovodičové součástky. Výkonová elektronika
Řízené polovodičové součástky Výkonová elektronika Polovodičové součástky s řízeným zapnutím řídící signál přivede spínač z blokovacího do propustného stavu do závěrného stavu jen vnější komutací (přerušením)
VíceBudoucnost mikroelektroniky ve hvězdách.... spintronika jednou z možných cest
Budoucnost mikroelektroniky ve hvězdách... spintronika jednou z možných cest Transistor Transistor 1:1 1:0.000001 1. transistor z roku 1947..dnes s velikostí hradla pod 20 nm a vzdáleností 2 nm od polovodivého
Více7. Elektrický proud v polovodičích
7. Elektrický proud v polovodičích 7.1 Elektrické vlastnosti polovodičů Kromě vodičů a izolantů existují polovodiče. Definice polovodiče: Je to řada minerálů, rud, krystalů i amorfních látek, řada oxidů
VíceA8B32IES Úvod do elektronických systémů
A8B3IES Úvod do elektronických systémů..04 Ukázka činnosti elektronického systému DC/DC měniče a optické komunikační cesty Aplikace tranzistoru MOSFET jako spínače Princip DC/DC měniče zvyšujícího napětí
VícePolovodičové senzory. Polovodičové materiály Teplotní závislost polovodiče Piezoodporový jev Fotonové jevy Radiační jevy Magnetoelektrické jevy
Polovodičové senzory Polovodičové materiály Teplotní závislost polovodiče Piezoodporový jev Fotonové jevy Radiační jevy Magnetoelektrické jevy Polovodičové materiály elementární polovodiče Elementární
VíceELEKTRICKÝ PROUD V POLOVODIČÍCH
LKTRIKÝ ROUD V OLOVODIČÍH 1. olovodiče olovodiče mohou snadno měnit svůj odpor. Mohou tak mít vlastnosti jak vodičů tak izolantů, což záleží například na jejich teplotě, osvětlení, příměsích. Odpor mění
VícePolovodičové diody. Dělení polovodičových diod podle základního materiálu: Germaniové Křemíkové Galium-arsenid+Au
Polovodičové diody Dioda definice: Elektronická dvojpólová součástka, která při své činnosti využívá přechod, který vykazuje usměrňující vlastnosti (jednosměrnou vodivost). Vlastnosti se liší způsobem
VíceETC Embedded Technology Club setkání 6, 3B zahájení třetího ročníku
ETC Embedded Technology Club setkání 6, 3B 13.11. 2018 zahájení třetího ročníku Katedra měření, Katedra telekomunikací,, ČVUT- FEL, Praha doc. Ing. Jan Fischer, CSc. ETC club,6, 3B 13.11.2018, ČVUT- FEL,
VíceSAMOSTATNÁ PRÁCE Z ELEKTRONIKY UNIPOLÁRNÍ TRANZISTORY
Střední odborné učiliště technické Frýdek-Místek SAMOSTATNÁ PRÁCE Z ELEKTRONIKY UNIPOLÁRNÍ TRANZISTORY Jméno: Luděk Bordovský Třída: NE1 Datum: Hodnocení: 1.1. Vlastnosti unipolární tranzistorů Jsou založeny
VíceProjekt Pospolu. Polovodičové součástky diody. Pro obor M/01 Informační technologie
Projekt Pospolu Polovodičové součástky diody Pro obor 18-22-M/01 Informační technologie Autorem materiálu a všech jeho částí je Ing. Petr Voborník, Ph.D. Polovodičová součástka je elektronická součástka
VíceOpakování: shrnutí základních poznatků o struktuře atomu
11. Polovodiče Polovodiče jsou krystalické nebo amorfní látky, jejichž elektrická vodivost leží mezi elektrickou vodivostí kovů a izolantů a závisí na teplotě nebo dopadajícím optickém záření. Elektrické
VíceStudijní opora pro předmět Technologie elektrotechnické výroby
Studijní opora pro předmět Technologie elektrotechnické výroby Doc. Ing. Václav Kolář Ph.D. Předmět určen pro: Fakulta metalurgie a materiálového inženýrství, VŠB-TU Ostrava. Navazující magisterský studijní
VíceKOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY
KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY Použité zdroje: http://cs.wikipedia.org/wiki/logická_funkce http://www.ibiblio.org http://martin.feld.cvut.cz/~kuenzel/x13ups/log.jpg http://www.mikroelektro.utb.cz http://www.elearn.vsb.cz/archivcd/fs/zaut/skripta_text.pdf
VícePřenos signálů, výstupy snímačů
Přenos signálů, výstupy snímačů Topologie zařízení, typy průmyslových sběrnic, výstupní signály snímačů Přenosy signálů informací Topologie Dle rozmístění ŘS Distribuované řízení Většinou velká zařízení
Více2 Bipolární technologie
1 Technologie výroby číslicových obvodů - úvod Podle technologie výroby rozlišujeme číslicové obvody na hybridní a monolitické. Hybridní integrované obvody obsahují pasivní a aktivní součástky, které se
VíceV Rmax 3500 V T = 125 o C I. no protons
Příprava, modifikace a charakterizace materiálů energetickým zářením ČVUT Praha, fakulta elektrotechnická, Praha 6 Řešitelský tým katedra mikroelektroniky FEL, ČVUT v Praze Jan Vobecký garant, člen Rady
Více2.8 Procesory. Střední průmyslová škola strojnická Vsetín. Ing. Martin Baričák. Název šablony Název DUMu. Předmět Druh učebního materiálu
Název školy Číslo projektu Autor Název šablony Název DUMu Tematická oblast Předmět Druh učebního materiálu Anotace Vybavení, pomůcky Ověřeno ve výuce dne, třída Střední průmyslová škola strojnická Vsetín
VíceOptoelektronické senzory. Optron Optický senzor Detektor spektrální koherence Senzory se CCD prvky Foveon systém
Optoelektronické senzory Optron Optický senzor Detektor spektrální koherence Senzory se CCD prvky Foveon systém Optron obsahuje generátor světla (LED) a detektor optické prostředí změna prostředí změna
VíceVýstupní práce Materiály a technologie přípravy M. Čada
Výstupní práce Makroskopická veličina charakterizující povrch z pohledu elektronických vlastností. Je to míra vazby elektronu k pevné látce a hraje důležitou roli při procesech transportu nabitých částic
VíceElektřina a magnetizmus polovodiče
DUM Základy přírodních věd DUM III/2-T3-11 Téma: polovodiče Střední škola Rok: 2012 2013 Varianta: A Zpracoval: Mgr. Pavel Hrubý a Mgr. Josef Kormaník VÝKLAD Elektřina a magnetizmus polovodiče Obsah POLOVODIČ...
VíceProcesor. Hardware - komponenty počítačů Procesory
Procesor Jedna z nejdůležitějších součástek počítače = mozek počítače, bez něhož není počítač schopen vykonávat žádné operace. Procesor v počítači plní funkci centrální jednotky (CPU - Central Processing
VíceBipolární tranzistor. Bipolární tranzistor - struktura. Princip práce tranzistoru. Princip práce tranzistoru. Zapojení SC.
ipolární tranzistor Tranzistor (angl. transistor) transfer resistor bipolární na přenosu proudu se podílejí jak elektrony, tak díry je tvořen dvěma přechody na jednom základním monoktystalu Emitorový přechod
Víceelektrické filtry Jiří Petržela filtry založené na jiných fyzikálních principech
Jiří Petržela filtry založené na jiných fyzikálních principech piezoelektrický jev při mechanickém namáhání krystalu ve správném směru na něm vzniká elektrické napětí po přiložení elektrického napětí se
Více2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω.
A5M34ELE - testy 1. Vypočtěte velikost odporu rezistoru R 1 z obrázku. U 1 =15 V, U 2 =8 V, U 3 =10 V, R 2 =200Ω a R 3 =1kΩ. 2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty
VíceGFK-1913-CZ Prosinec 2001. Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Skladovací teplota -25 C až +85 C.
Modul slouží pro výstup digitálních signálů 24 Vss. Specifikace modulu Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení 48,8 mm x 120 mm x 71,5 mm dvou- a třídrátové Provozní teplota -25 C až +55 C
VíceŘádkové snímače CCD. zapsané v předmětu: Videometrie a bezdotykové měření, ČVUT- FEL, katedra měření, přednášející Jan Fischer
Řádkové snímače CCD v. 2011 Materiál je určen pouze jako pomocný materiál pro studenty zapsané v předmětu: Videometrie a bezdotykové měření, ČVUT- FEL, katedra měření, přednášející Jan Fischer Jan Fischer,
VíceÚvod, optické záření. Podkladový materiál k přednáškám A0M38OSE Obrazové senzory ČVUT- FEL, katedra měření, Jan Fischer, 2014
Úvod, optické záření Podkladový materiál k přednáškám A0M38OSE Obrazové senzory ČVUT- FEL, katedra měření, Jan Fischer, 2014 Materiál je pouze grafickým podkladem k přednášce a nenahrazuje výklad na vlastní
Více