6 Hybridní integrované obvody, tenkovrstvé a tlustovrstvé technologie a jejich využití

Rozměr: px
Začít zobrazení ze stránky:

Download "6 Hybridní integrované obvody, tenkovrstvé a tlustovrstvé technologie a jejich využití"

Transkript

1 6 Hybridní integrované obvody, tenkovrstvé a tlustovrstvé technologie a jejich využití 6.1 Úvod Monolitické integrované obvody není výhodné pro některé aplikace, zejména pro přístroje s některými náročnějšími elektrickými vlastnostmi nebo vyráběné v menších sériích, použít. Jedná se např. o konstrukci výkonových obvodů, kde by bylo nutné kombinovat monolitické obvody s diskrétními součástkami nebo o konstrukci obvodů v malých množstvích, kde by byla výroba menšího počtu kusů monolitických obvodů neúměrně nákladná. Hybridní integrované obvody mohou na základní destičce obsahovat nejen pasivní a diskrétní součástky, ale i monolitické integrované obvody. Při jejich výrobě jsou využívány technologie tenkých a tlustých vrstev. Tenkovrstvé a tlustovrstvé technologie mají široké využití jak při výrobě diskrétních pasivních součástek, tak i při výrobě integrovaných obvodů. Tenkovrstvé a tlustovrstvé komponenty jsou realizovány z vodivého, polovodivého nebo nevodivého materiálu a umístěny na keramickou nebo skleněnou podložku. Těmito komponentami jsou zpravidla pasivní prvky jako např. rezistory a kondenzátory. Technika tlustých vrstev je vhodná pro různé typy obvodů, u nichž je vyžadována velká mechanická, případně i klimatická odolnost, nebo schopnost snést větší výkonové zatížení. Jsou jednodušší i z hlediska výroby. Technika tenkých vrstev vyžaduje dražší výrobní zařízení a vyšší kvalifikaci pracovníků a je proto nákladnější než tlustovrstvá technologie. Tato technika je využívána především pro výrobu obvodů s velkými nároky na přesnost, případně na velkou hustotu montáže. Využívá se u nich skutečnosti, že materiál nanesený ve velmi tenké vrstvě začíná mít poněkud odlišné vlastnosti než tlustší vrstva materiálu téhož druhu. 6.2 Tlustovrstvá technologie Tlustou vrstvou je vrstva materiálu, jejíž tloušťka je minimálně 10 krát větší než střední dráha elektronu v daném materiálu, což je přibližně 1 mm. Touto technologií jsou vyráběny pouze pasivní prvky, jako jsou rezistory a kondenzátory. Je možné vytvářet vodivé, odporové i dielektrické vrstvy i prokovené otvory. Technologie umožňuje lepení a kontaktování nepouzdřených čipů na keramický substrát a také pájení součástek určených pro povrchovou montáž. Výroba tlustovrstvých komponent je nejčastěji založena na využití sítotisku, při kterém je nanášen speciální Obr.č Princip sítotisku materiál ve formě pasty na keramickou podložku. Nanesená vrstva materiálu je vytvrzena za vyšší teploty. Sítotisk je poměrně nenáročný, nevakuový způsob nanášení vrstev různých typů past, které mají tixotropní (nestékavý) charakter. Jednotlivé vrstvy jsou tisknuty přes sítotiskovou šablonu na čistou podložku (substrát). Motiv šablony je zpravidla vytvářen pomocí fotolitografie. Šablony pro sítotisk jsou nejčastěji vyhotoveny z tkaniny vyrobené z vláken nerez-oceli, polyesteru nebo nylonu. Substrát (podložka) je keramický (např. korundová keramika), skleněný nebo polymerní. Jeho povrch musí být hladký, rovný a čistý. 6-1

2 Hybridní integrované obvody Hlavní vlastnosti past pro tlusté vrstvy: výborná přilnavost po teplotním vytvrzení; schopnost použití pro vícevrstvé aplikace; nízká cena. Pasty obsahují tyto hlavní složky: funkční složka (funkční fáze) je tvořena: kovovým práškem (Pt - platina, Pd - palladium, Ag stříbro, Au zlato, Cu měď, Ni - nikl atd.) kovovými oxidy v odporových pastách; keramikou a sklem v dielektrických pastách. vazební materiály: organické pojivové materiály, které slouží jako pojivo práškové anorganické složky před vypálením pasty. Jsou to těkavé (rozpouštědla) nebo netěkavé (polymery) organické látky, které jsou odstraněny během sušení, případně na začátku vypalovacího procesu; anorganické vazební materiály v práškové formě (nízkotavná skla a oxidy), které při výpalu vytvářejí vazbu na substrát (podložku); modifikační materiály jsou speciální aditiva (příměsi), které ovlivňují chování past před a po jejich zpracování. Složení pasty je různé pro různé funkce, které má pasta vykonávat. Druhy past: standardní: - vodivé; - odporové; - dielektrické; speciální: - termorezistivní; - piezoelektrické; - magnetorezistivní; - biocitlivé atd. Postup vytváření tlustých vrstev natisknutí vrstvy metodou sítotisku; usazení vrstvy na substrátu (aby se odstranily linky od ok sítě); sušení vrstvy, odstranění těkavých látek sušicí teplota závisí na použitých rozpouštědlech a pohybuje se od 100 C do 150 C, trvá 5 až 15 minut; vypalování je prováděno v závislosti na druhu použité pasty při teplotách od 600 C do 1100 C po dobu 10 minut, některé speciální pasty jsou vypalovány i při teplotách nižších. Při výrobě složitějších uspořádání jsou jako první vypalovány vodiče a spodní elektrody kondenzátorů. Následuje vypalování jednotlivých odporových vrstev a dielektrika kondenzátorů, nakonec jsou vypalovány horní elektrody kondenzátorů. Výhody tlustovrstvé technologie: vysoká úroveň integrace při nízkých nákladech na vývoj nového obvodu i jeho výrobu; vysoká tepelná vodivost substrátu; možnost vytvoření 4 vodivých vrstev při nízkých nákladech na výrobu; automatické aktivní nastavování hodnot rezistorů během měření parametrů hybridního obvodu; možnost různých způsobů pouzdření. Obr.č Princip uspořádání tlustovrsvého termistoru Tlustovrstvé rezistory Tiskem a výpalem je možné dosáhnout u rezistorů tolerancí ±10 %. Menších tolerancí je dosahováno pomocí otryskávání křemenným pískem, moderněji trimováním laserem a to až ± 0,2 %. Obr.č znázorňuje princip uspořádání tlustovrstvého rezistoru (termistoru). 6-2

3 Tlustovrstvé kondenzátory Tiskem a výpalem je možné dosáhnout u kondenzátorů tolerancí ±(20 až 30) %. Kondenzátory jsou vyráběny posloupností nanášení a vypalování několika vrstev. Konečnou fází výroby tlustovrstvých obvodů je nanesení sklovité ochranné vrstvy a její vypálení. 6.3 Tenkovrstvá technologie Tenká vrstva je termín používaný pro technologii nanášení pasivních součástek na izolační podklad (substrát), tloušťka nanesené vrstvy je přibližně 100 µ. Pro nanášení tenkých vrstev bylo vyvinuto velké množství různých metod. Nejpoužívanějšími z nich jsou vakuové napařování a katodové naprašování. Podložky pro tenkovrstvé obvody jsou vyráběny ze skla, glazované keramiky, případně z oxidu křemíku (SiO 2 ) Vakuové napařování držák plátku vývěva vakuová komora plátek s maskou materiál pro napařování vytápění Obr.č Princip uspořádání zařízení pro vakuové napařování Vakuové napařování je metoda používaná k nanášení různých typů materiálů. Destička, na kterou má být vrstva daného materiálu nanesena je umístěna v komoře s vysokým vakuem. Destička je opatřena maskou s motivem nanášené vrstvy. Pod destičkou je ve stanovené vzdálenosti umístěn napařovací materiál. Materiál je elektricky ohřát na teplotu, při které dojde k jeho vypařování. Vypařuje se přímočaře všemi směry a může být odstíněn jakoukoliv překážkou, kterou má v cestě. Po ukončení procesu napařování je vakuum odstraněno a od destičky je uvolněna maska. Na místech vystavených maskou expozici je vytvořena tenká rovnoměrná vrstva nanášeného materiálu. Tento proces je také používán k vytváření spojů mezi komponentami a integrovanými obvody. Technika vakuového napařování je velmi vhodná pro nanášení vrstev materiálů, které jsou snadno oxidovatelné, jako je např. hliník, se kterým je obtížné pracovat na vzduchu. Protože vypařování je přímočaré, mohou být touto metodou vytvářeny velmi přesné obrazce podle masky Katodové naprašování _ napájení + ohřev vakuová komora stínění katody katoda plátky s maskami uzemněná anoda reaktivní plyny Obr.č Princip uspořádání zařízení pro katodové naprašování Typické uspořádání systému pro katodové naprašování znázorňuje obr.č Tento proces je rovněž uskutečňován ve vakuu. Mezi anodu a katodu je přiloženo napětí o velikosti (2 až 5) kv. To vyvolá v prostoru mezi elektrodami doutnavý výboj a dojde k vyvržení atomů, které jsou uloženy rovnoměrně na všechny objekty uvnitř komory. Po ukončení cyklu naprašování je vakuum odstraněno a destičky je možné vyjmout. Následuje odstranění masek od destiček. Používané materiály pro rezistory Pro výrobu tenkovrstvých rezistorů je používáno velké množství materiálů, jako např. NiCr (nichrom), TaN (nitrid tantalu), sloučeniny oxidu křemíku a cermetů s obsahem chromu s tantalem a titanem. 6-3

4 Hybridní integrované obvody Poznámka Název cermet zahrnuje počáteční písmena slov CERamic METal. Je to materiál obsahující keramické částice v kovovém pojivu. Vyznačují se velkou odolností proti oděru, vysokou pevností za tepla a chemickou stabilitou. Při obou metodách vytváření tenkých vrstev jsou používány již známé postupy, mezi které patří maskování a fotolitografie. Tento postup bude znázorněn na příkladu nanesení vodičů. Trimování rezistorů pomocí laseru umožňuje nastavovat absolutní hodnoty rezistorů s tolerancemi až ±0,01 %, poměrné tolerance rezistorů až ±0,005 %. Tenkovrstvé kondenzátory Proces výroby tenkovrstvých kondenzátorů zahrnuje nanesení spodní elektrody, dielektrika a vrchní elektrody. Nejčastěji používanými dielektriky jsou nitrid oxidu (SiN), oxid uhelnatý a oxid uhličitý (SiO a SiO 2 ) a polyimid. Tenkovrstvé cívky Tenkovrstvé cívky jsou dvojího typu a to jednak bez magnetického jádra a jednak s magnetickým jádrem. Cívka bez magnetického jádra mají většinou podobu vodiče stočeného do spirály. Většina elektronických zařízení musí být vybavena napájecím zdrojem nebo stabilizátorem napětí napájecích baterií. Důležitými částmi napájecích zdrojů Obr.č Příklad tenkovrstvé vzduchové cívky Magnetické jádro Nanesené měděné vinutí Obr.č Příklad toroidní struktury cívky jsou magnetické komponenty jako cívky nebo transformátory. Přestože je převážná většina magnetických komponent dosud vyráběna klasickým způsobem, technologický pokrok výroby integrovaných obvodů zasáhl i tuto oblast. Konstrukce tenkovrstvých magnetických komponent spočívá v nanesení vodičů, izolačních vrstev a magnetického materiálu. Obecně jsou využívány dvě základní struktury a to toroidní a pot core, což by bylo možné přeložit jako kelímkové jádro. Pro aplikace v nízkovýkonových dc-dc zdrojích jsou požadovány indukčnosti přibližně 5 µh na kmitočtech (1 až 2) MHz. Při zvýšení spínacího kmitočtu na 10 MHz bude v budoucnu možné snížit velikost indukčnosti na 0,5 µh. fotorezist podložka osvit maska expozice vyvolání nanesení mědi odstranění Obr.č Příklad toroidní struktury cívky Proces výroby tenkovrstvé cívky s magnetickým jádrem zahrnuje nanesení vodičů vinutí cívky, izolace vodičů a nanesení materiálu magnetického jádra. Nanesení vodičů pro vinutí cívky Vodiče transformátorů a cívek jsou měděné. Kvůli nutnosti omezit ztráty v mědi je požadováno, aby byly vrstvy měděných vodičů co nesilnější. Z toho důvodu je používána velká vrstva (desítky µm). Nanesení materiálu magnetického jádra Pro nanášení magnetického materiálu jader cívek a transformátorů je používána metoda elektroplátování permalloye (Ni 80 Fe 20 ). Proces je obdobný jako procesu vytváření vinutí cívky. Aby byly v magnetickém jádru minimalizovány hysterezní ztráty je v průběhu nanášení v magnetickém materiálu pomocí magnetického pole od permanentního magnetu vytvářena anizotropie. Tenkovrstvé rezonátory V elektronických systémech je často vyžadováno přesné nastavení kmitočtu, případně použití různých typů filtrů. toto se v současné době projevuje zejména v systémech pro bezdrátové přenosy informací 6-4

5 jako jsou pagery, mobilní telefony, navigační systémy, satelitní komunikace a různé způsoby datové komunikace. Tyto systémy převážně pracují v kmitočtovém spektru od 500 MHz do 6 GHz. Jsou používány i další systémy, které využívají kmitočty nad 6 GHz. Nároky na přesné udržování kmitočtů rostou s tím, jak se zvětšuje využití kmitočtových pásem různými systémy. Rezonanční obvody a filtry složené z cívek s kondenzátorů mají nízký činitel jakosti Q. Elektromechanické rezonátory jako jsou krystalové piezoelektrocké rezonátory mají vysoké Q, ale lze je použít do kmitočtů přibližně 300 MHz. Od nižších kmitočtů až do mikrovln jsou používány rezonátory s povrchovou akustickou vlnou. Použitá technologie pro jejich výrobu závisí na specifické aplikaci. Jednou z možností výroby rezonátorů na vysokých kmitočtech je získat požadovanou tloušťku rezonátoru tenkovrstvovou technologií. Z funkčního hlediska vyžaduje konstrukce rezonátorů, aby měly volné obě strany povrchů vrstev. Toho se může docílit následujícím způsobem. Na substrát se nanese vrstva piezoelektrického materiálu stanovené tloušťky. Pod ní se část substrátu odstraní, takže je nanesená membrána z obou stran volná a může kmitat. K výrobě tenkovrstvých rezonátorů a filtrů jsou využívány i jiné postupy. Pro poměrnou složitost však zde nejsou prezentovány. 6.4 Hybridní integrované obvody (HIO) Hybridními obvody, jak již bylo naznačeno, budeme rozumět součástky, které mají na jedné destičce propojeny analogové a číslicové obvody, vytvořeny pasivní součástky, případně zapojeny i diskrétní polovodičové součástky jako tranzistory, diody apod. Technologie hybridních obvodů umožňuje výrobu tzv. zákaznických integrovaných obvodů vyráběných v menším počtu kusů. Technologie MCM (Mulit Chlip Module packaje) je označení technologie používané pro vytváření HIO umisťováním nezapouzdřených i zapouzdřených integrovaných obvodů a jejich propojení s podpůrnými obvody a součástkami, jako jsou rezistory, kondenzátory, cívky na jedné laminátové nebo keramické podložce. Příklad provedení HIO je uveden na obr.č. Velmi aktuálním tématem je pouzdření integrovaných obvodů. Jejich rozměry jsou využíváním nových technologií neustále zmenšovány. Pouzdření a propojování obvodů již takové zmenšování neumožňuje. Technologie MCM umožňuje zmenšení pouzdra i snížení hmotnosti, pro propojování obvodů využívá technologie tenkých vrstev. Velkou výhodou hybridní v porovnání s diskrétní technologií je možnost dosahovat vynikající elektrickou a mechanickou stabilitu, protože jakákoliv změna prostředí je společná všem součástkám umístěným v těsné blízkosti na podložce HIO. 6-5

zařízení 2. přednáška Fakulta elektrotechniky a informatiky prof.ing. Petr Chlebiš, CSc.

zařízení 2. přednáška Fakulta elektrotechniky a informatiky prof.ing. Petr Chlebiš, CSc. Konstrukce elektronických zařízení 2. přednáška prof.ing. Petr Chlebiš, CSc. Pasivní a konstrukční prvky - Rezistory - Kondenzátory - Vinuté díly, cívky, transformátory - Konektory - Kontaktní prvky, spínače,

Více

TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ III.

TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ III. TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ III. NANÁŠENÍ VRSTEV V mikroelektronice se nanáší tzv. tlusté a tenké vrstvy. a) Tlusté vrstvy: Používají se v hybridních integrovaných obvodech. Nanáší

Více

5 Monolitické integrované obvody

5 Monolitické integrované obvody Technologie 5 Monolitické integrované obvody Jak je všeobecně známo, jsou využívány dvě hlavní technologie integrovaných obvodů. Jednou z nich jsou monolitické integrované obvody, druhou hybridní. Zde

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

elektrické filtry Jiří Petržela filtry založené na jiných fyzikálních principech

elektrické filtry Jiří Petržela filtry založené na jiných fyzikálních principech Jiří Petržela filtry založené na jiných fyzikálních principech piezoelektrický jev při mechanickém namáhání krystalu ve správném směru na něm vzniká elektrické napětí po přiložení elektrického napětí se

Více

TLUSTÉ VRSTVY TISK, VYTVRZENÍ, MĚŘENÍ

TLUSTÉ VRSTVY TISK, VYTVRZENÍ, MĚŘENÍ TLUSTÉ VRSTVY TISK, VYTVRZENÍ, MĚŘENÍ 1. UVEDENÍ DO PROBLEMATIKY 1.1. Využití tlustovrstvé technologie S rostoucí integrací v elektronických obvodech se objevuje potřeba nahrazovat klasické součástky jinými

Více

PRINCIP MĚŘENÍ TEPLOTY spočívá v porovnání teploty daného tělesa s definovanou stupnicí.

PRINCIP MĚŘENÍ TEPLOTY spočívá v porovnání teploty daného tělesa s definovanou stupnicí. 1 SENZORY TEPLOTY TEPLOTA je jednou z nejdůležitějších veličin ovlivňujících téměř všechny stavy a procesy v přírodě Ke stanovení teploty se využívá závislosti určitých fyzikálních veličin na teplotě (A

Více

1 Vytváření tlustovrstvé pasivní sítě

1 Vytváření tlustovrstvé pasivní sítě FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ Ústv mikroelektroniky 1 Vytváření tlustovrstvé pasivní sítě Cíle kapitoly: Tlustovrstvá pasivní síť hybridních integrovaných

Více

VY_32_INOVACE_ELT-1.EI-20-VYROBA INTEGROVANEHO OBVODU. Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno

VY_32_INOVACE_ELT-1.EI-20-VYROBA INTEGROVANEHO OBVODU. Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Číslo projektu Číslo materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník CZ.1.07/1.5.00/34.0581 VY_32_INOVACE_ELT-1.EI-20-VYROBA INTEGROVANEHO OBVODU Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno

Více

Vakuová technika. Výroba tenkých vrstev vakuové naprašování

Vakuová technika. Výroba tenkých vrstev vakuové naprašování VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ Vakuová technika Výroba tenkých vrstev vakuové naprašování Tomáš Kahánek ID: 106518 Datum: 17.11.2010 Výroba tenkých vrstev

Více

TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ I. APLIKACE LITOGRAFIE

TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ I. APLIKACE LITOGRAFIE TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ I. APLIKACE LITOGRAFIE Úvod Litografické technologie jsou požívány při výrobě integrovaných obvodů (IO). Výroba IO začíná definováním jeho funkce a

Více

Technické podmínky výroby potištěných keramických substrátů tlustovrstvou technologií

Technické podmínky výroby potištěných keramických substrátů tlustovrstvou technologií Technické podmínky výroby potištěných keramických substrátů tlustovrstvou technologií Tento dokument obsahuje popis technologických možností při výrobě potištěných keramických substrátů PS (Printed Substrates)

Více

1. Kondenzátory s pevnou hodnotou kapacity Pevné kondenzátory se vyrábí jak pro vývodovou montáž, tak i miniatrurizované pro povrchovou montáž SMD.

1. Kondenzátory s pevnou hodnotou kapacity Pevné kondenzátory se vyrábí jak pro vývodovou montáž, tak i miniatrurizované pro povrchovou montáž SMD. Kondenzátory Kondenzátory jsou pasivní elektronické součástky vyrobené s hodnotou kapacity udané výrobcem. Na součástce se udává kapacita [F] a jmenovité napětí [V], které udává maximální napětí, které

Více

Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika

Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika Garant přípravného studia: Střední průmyslová škola elektrotechnická a ZDVPP, spol. s r. o. IČ: 25115138 Učební osnova: Základní

Více

dodavatel vybavení provozoven firem Plošné spoje se SMD. návrh a konstrukce Obj. číslo: Popis Ing.

dodavatel vybavení provozoven firem  Plošné spoje se SMD. návrh a konstrukce Obj. číslo: Popis Ing. dodavatel vybavení provozoven firem www.abetec.cz Plošné spoje se SMD. návrh a konstrukce Obj. číslo: 105000446 Popis Ing. Martin Abel Publikace je určena pro konstruktéry desek plošných spojů s povrchově

Více

Využití plazmových metod ve strojírenství. Metody depozice povlaků a tenkých vrstev

Využití plazmových metod ve strojírenství. Metody depozice povlaků a tenkých vrstev Využití plazmových metod ve strojírenství Metody depozice povlaků a tenkých vrstev Metody depozice povlaků Využití plazmatu pro depozice (nanášení) povlaků a tenkých vrstev je moderní a stále častěji aplikovaná

Více

DOPORUČENÍ PRO KONSTRUKCI DPS

DOPORUČENÍ PRO KONSTRUKCI DPS DOPORUČENÍ PRO KONSTRUKCI DPS Doporučení slouží jako pomůcka při návrhu desek plošných spojů a specifikuje podklady pro výrobu DPS. Podklady musí odpovídat potřebám výrobní technologie. Zákazník si odpovídá

Více

7. Kondenzátory. dielektrikum +Q + + + + + + + + U - - - - - - - - elektroda. Obr.2-11 Princip deskového kondenzátoru

7. Kondenzátory. dielektrikum +Q + + + + + + + + U - - - - - - - - elektroda. Obr.2-11 Princip deskového kondenzátoru 7. Kondenzátory Kondenzátor (někdy nazývaný kapacitor) je součástka se zvýrazněnou funkční elektrickou kapacitou. Je vytvořen dvěma vodivými plochami - elektrodami, vzájemně oddělenými nevodivým dielektrikem.

Více

"vinutý program" (tlumivky, odrušovací kondenzátory a filtry), ale i odporové trimry jsou

vinutý program (tlumivky, odrušovací kondenzátory a filtry), ale i odporové trimry jsou Společnost HARLINGEN převzala počátkem roku 2004 část výroby společnosti TESLA Lanškroun, a.s.. Jde o technologii přesných tenkovrstvých rezistorů a tenkovrstvých hybridních integrovaných obvodů, jejichž

Více

Profilová část maturitní zkoušky 2015/2016

Profilová část maturitní zkoušky 2015/2016 Střední průmyslová škola, Přerov, Havlíčkova 2 751 52 Přerov Profilová část maturitní zkoušky 2015/2016 TEMATICKÉ OKRUHY A HODNOTÍCÍ KRITÉRIA Studijní obor: 26-41-M/01 Elektrotechnika Zaměření: počítačové

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

Výroba plošných spojů

Výroba plošných spojů Výroba plošných spojů V současné době se používají tři druhy výrobních postupů: Subtraktivní, aditivní a semiaditivní. Jak vyplývá z názvu, subtraktivní postup spočívá v odstraňování přebytečné mědi (leptání),

Více

Vybrané technologie povrchových úprav. Metody vytváření tenkých vrstev Doc. Ing. Karel Daďourek 2008

Vybrané technologie povrchových úprav. Metody vytváření tenkých vrstev Doc. Ing. Karel Daďourek 2008 Vybrané technologie povrchových úprav Metody vytváření tenkých vrstev Doc. Ing. Karel Daďourek 2008 Metody vytváření tenkých vrstev Vakuové metody dnes nejužívanější CVD Chemical vapour deposition PE CVD

Více

Elektrický proud. Elektrický proud : Usměrněný pohyb částic s elektrickým nábojem. Kovy: Usměrněný pohyb volných elektronů

Elektrický proud. Elektrický proud : Usměrněný pohyb částic s elektrickým nábojem. Kovy: Usměrněný pohyb volných elektronů Elektrický proud Elektrický proud : Usměrněný pohyb částic s elektrickým nábojem. Kovy: Usměrněný pohyb volných elektronů Vodivé kapaliny : Usměrněný pohyb iontů Ionizované plyny: Usměrněný pohyb iontů

Více

vodič u něho dochází k transportu el. nabitých částic, který je nevratný, dochází ke vzniku proudu a disipaci energie

vodič u něho dochází k transportu el. nabitých částic, který je nevratný, dochází ke vzniku proudu a disipaci energie Chování polymerů v elektrickém a magnetickém poli vodič u něho dochází k transportu el. nabitých částic, který je nevratný, dochází ke vzniku proudu a disipaci energie dielektrikum, izolant, nevodič v

Více

Tématické okruhy teoretických zkoušek Part 66 1 Modul 3 Základy elektrotechniky

Tématické okruhy teoretických zkoušek Part 66 1 Modul 3 Základy elektrotechniky Tématické okruhy teoretických zkoušek Part 66 1 3.1 Teorie elektronu 1 1 1 Struktura a rozložení elektrických nábojů uvnitř: atomů, molekul, iontů, sloučenin; Molekulární struktura vodičů, polovodičů a

Více

Vlastnosti a provedení skutečných součástek R, L, C

Vlastnosti a provedení skutečných součástek R, L, C Vlastnosti a provedení skutečných součástek R, L, C Rezistory, kondenzátory a cívky jsou pasivní dvojpóly, vykazující určitý elektrický odpor, indukčnost, kapacitu. Rezistory jsou pasivní součástky, jejichž

Více

Odporové topné články. Elektrické odporové pece

Odporové topné články. Elektrické odporové pece Odporové topné články Otevřené topné články pro odporové pece (vpravo): 1 4 topný vodič v meandru 5 7 topný vodič ve šroubovici Zavřené topné články: a) trubkový (tyčový) článek NiCr izolovaný MgO b) válcové

Více

VAKUOVÁ TECHNIKA VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ. Semestrální projekt FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ

VAKUOVÁ TECHNIKA VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ. Semestrální projekt FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ VAKUOVÁ TECHNIKA Semestrální projekt Téma: Aplikace vakuového napařovaní v optice Vypracoval:

Více

Fyzikální metody nanášení tenkých vrstev

Fyzikální metody nanášení tenkých vrstev Fyzikální metody nanášení tenkých vrstev Vakuové napařování Příprava tenkých vrstev kovů některých dielektrik polovodičů je možné vytvořit i epitaxní vrstvy (orientované vrstvy na krystalické podložce)

Více

PÁJENÍ. Osnova učiva: Druhy pájek. Předmět: Ročník: Vytvořil: Datum: STT první Jindřich RAYNOCH 31.10.2012 Název zpracovaného celku: PÁJENÍ A LEPENÍ

PÁJENÍ. Osnova učiva: Druhy pájek. Předmět: Ročník: Vytvořil: Datum: STT první Jindřich RAYNOCH 31.10.2012 Název zpracovaného celku: PÁJENÍ A LEPENÍ Předmět: Ročník: Vytvořil: Datum: STT první Jindřich RAYNOCH 31.10.2012 Název zpracovaného celku: PÁJENÍ A LEPENÍ PÁJENÍ Osnova učiva: Úvod Rozdělení pájek Význam tavidla Metody pájení Stroje a zařízení

Více

Senzorika a senzorické soustavy

Senzorika a senzorické soustavy Senzorika a senzorické soustavy Snímače teploty Tato publikace vznikla jako součást projektu CZ.04.1.03/3.2.15.2/0285 Inovace VŠ oborů strojního zaměření, který je spolufinancován evropským sociálním fondem

Více

Základní pojmy. p= [Pa, N, m S. Definice tlaku: Síla působící kolmo na jednotku plochy. diference. tlaková. Přetlak. atmosférický tlak. Podtlak.

Základní pojmy. p= [Pa, N, m S. Definice tlaku: Síla působící kolmo na jednotku plochy. diference. tlaková. Přetlak. atmosférický tlak. Podtlak. Základní pojmy Definice tlaku: Síla působící kolmo na jednotku plochy F p= [Pa, N, m S 2 ] p Přetlak tlaková diference atmosférický tlak absolutní tlak Podtlak absolutní nula t 2 ozdělení tlakoměrů Podle

Více

PLOCHÉ SLUNEČNÍ KOLEKTORY REGULUS

PLOCHÉ SLUNEČNÍ KOLEKTORY REGULUS PLOCHÉ SLUNEČNÍ KOLEKTORY REGULUS Ploché sluneční kolektory se vyznačují velkou plochou zasklení a velkým absorbérem. Jejich výkon je při plném slunečním záření velký. Využívají většinu sluneční energie,

Více

Kapacitní senzory. ε r2. Změna kapacity důsledkem změny X. b) c) ε r1. a) aktivní plochy elektrod. b)vzdálenosti elektrod

Kapacitní senzory. ε r2. Změna kapacity důsledkem změny X. b) c) ε r1. a) aktivní plochy elektrod. b)vzdálenosti elektrod Kapacitní senzory a) b) c) ε r1 Změna kapacity důsledkem změny a) aktivní plochy elektrod d) ε r2 ε r1 e) ε r2 b)vzdálenosti elektrod c)plochy dvou dielektrik s různou permitivitou d) tloušťky dvou dielektrik

Více

Zdroje napětí - usměrňovače

Zdroje napětí - usměrňovače ZDROJE NAPĚTÍ Napájecí zdroje napětí slouží k přeměně AC napětí na napětí DC a následnému předání energie do zátěže, která tento druh napětí (proudu) vyžaduje ke správné činnosti. Blokové schéma síťového

Více

Fyzikální vzdělávání. 1. ročník. Učební obor: Kuchař číšník Kadeřník. Implementace ICT do výuky č. CZ.1.07/1.1.02/02.0012 GG OP VK

Fyzikální vzdělávání. 1. ročník. Učební obor: Kuchař číšník Kadeřník. Implementace ICT do výuky č. CZ.1.07/1.1.02/02.0012 GG OP VK Fyzikální vzdělávání 1. ročník Učební obor: Kuchař číšník Kadeřník 1 Elektřina a magnetismus - elektrický náboj tělesa, elektrická síla, elektrické pole, kapacita vodiče - elektrický proud v látkách, zákony

Více

Základy mikroelektronických technologií

Základy mikroelektronických technologií Mikrosenzory a mikroelektromechanické systémy Základy mikroelektronických technologií Technologie tlustých vrstev Technologie tenkých vrstev Základy polovodičových technologií Mikroelektronické technologie

Více

SPECIÁLNÍ METODY OBRÁBĚNÍ SPECIÁLNÍ METODY OBRÁBĚNÍ

SPECIÁLNÍ METODY OBRÁBĚNÍ SPECIÁLNÍ METODY OBRÁBĚNÍ Předmět: Ročník: Vytvořil: Datum: STROJÍRENSKÁ TECHNOLOGIE TŘETÍ JANA ŠPUNDOVÁ 06.04.2014 Název zpracovaného celku: SPECIÁLNÍ METODY OBRÁBĚNÍ SPECIÁLNÍ METODY OBRÁBĚNÍ Používají se pro obrábění těžkoobrobitelných

Více

Tenké vrstvy (TV ) Hybridní Integrované Obvody (HIO)

Tenké vrstvy (TV ) Hybridní Integrované Obvody (HIO) Tenké vrstvy (TV ) (Thin Films) + Hybridní Integrované Obvody (HIO) (Hybrid Integrated Circuits) (3) Doc. Ing. Ivan Szendiuch, CSc., Fellow IMAPS Vysoké Učení Technické v Brně, FEKT, ÚMEL e-mail: szend@feec.vutbr.cz

Více

Chemické metody plynná fáze

Chemické metody plynná fáze Chemické metody plynná fáze Chemické reakce prekurzorů lze aktivovat i UV zářením PHCVD. Foton aktivuje molekuly nebo atomy, které pak vytvářejí volné radikály nesoucí hodně energie > ty pak rozbijí velké

Více

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_18_Technologie polovodičových součástek. Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing.

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_18_Technologie polovodičových součástek. Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Číslo projektu Číslo materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_18_Technologie polovodičových součástek Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav

Více

Nízkofrekvenční (do 1 MHz) Vysokofrekvenční (stovky MHz až jednotky GHz) Generátory cm vln (až desítky GHz)

Nízkofrekvenční (do 1 MHz) Vysokofrekvenční (stovky MHz až jednotky GHz) Generátory cm vln (až desítky GHz) Provazník oscilatory.docx Oscilátory Oscilátory dělíme podle několika hledisek (uvedené třídění není zcela jednotné - bylo použito vžitých názvů, které vznikaly v různém období vývoje a za zcela odlišných

Více

Profilová část maturitní zkoušky 2016/2017

Profilová část maturitní zkoušky 2016/2017 Tematické okruhy a hodnotící kritéria Střední průmyslová škola, 1/8 ELEKTRONICKÁ ZAŘÍZENÍ Přerov, Havlíčkova 2 751 52 Přerov Profilová část maturitní zkoušky 2016/2017 TEMATICKÉ OKRUHY A HODNOTÍCÍ KRITÉRIA

Více

Nízká cena při vysokých množstvích

Nízká cena při vysokých množstvích Nízká cena při vysokých množstvích iglidur Vhodné i pro statické zatížení Bezúdržbový provoz Cenově výhodné Odolný vůči nečistotám Odolnost proti vibracím 225 iglidur Nízká cena při vysokých množstvích.

Více

- základní lineární pasivní součástky používané ve všech oborech elektroniky - rezistory, kondenzátory a cívky.

- základní lineární pasivní součástky používané ve všech oborech elektroniky - rezistory, kondenzátory a cívky. LINEÁRNÍ SOUČÁSTKY ELEKTRONICKÝCH OBVODŮ - základní lineární pasivní součástky používané ve všech oborech elektroniky - rezistory, kondenzátory a cívky. REZISTORY Rezistory jsou elektronické součástky,

Více

Nauka o materiálu. Přednáška č.14 Kompozity

Nauka o materiálu. Přednáška č.14 Kompozity Nauka o materiálu Úvod Technické materiály, které jsou určeny k dalšímu technologickému zpracování zahrnují širokou škálu možného chemického složení, různou vnitřní stavbu a různé vlastnosti. Je nutno

Více

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Diody a usměrňova ovače Přednáška č. 2 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Diody a usměrňova ovače 1 Voltampérová charakteristika

Více

Bezkontaktní spínací prvky: kombinace spojitého a impulsního rušení: strmý napěťový impuls a tlumené vf oscilace výkonové polovodičové měniče

Bezkontaktní spínací prvky: kombinace spojitého a impulsního rušení: strmý napěťový impuls a tlumené vf oscilace výkonové polovodičové měniče 12. IMPULZNÍ RUŠENÍ 12.1. Zdroje impulsního rušení Definice impulsního rušení: rušení, které se projevuje v daném zařízení jako posloupnost jednotlivých impulsů nebo přechodných dějů Zdroje: spínání elektrických

Více

Otázky pro samotestování. Téma1 Sluneční záření

Otázky pro samotestování. Téma1 Sluneční záření Otázky pro samotestování Téma1 Sluneční záření 1) Jaká je vzdálenost Země od Slunce? a. 1 AU b. 6378 km c. 1,496 x 10 11 m (±1,7%) 2) Jaké množství záření dopadá přibližně na povrch atmosféry? a. 1,60210-19

Více

ELEKTRICKÉ STROJE - POHONY

ELEKTRICKÉ STROJE - POHONY ELEKTRICKÉ STROJE - POHONY Ing. Petr VAVŘIŇÁK 2012 1.1.2 HLAVNÍ ČÁSTI ELEKTRICKÝCH STROJŮ 1. ELEKTRICKÉ STROJE Elektrický stroj je definován jako elektrické zařízení, které využívá ke své činnosti elektromagnetickou

Více

11/18/2012. Snímače ve VPM. Snímače ve VPM obsah prezentace. Snímače ve VPM. Konstrukce polovodičových měničů

11/18/2012. Snímače ve VPM. Snímače ve VPM obsah prezentace. Snímače ve VPM. Konstrukce polovodičových měničů Snímače ve VPM Konstrukce polovodičových měničů Snímače ve VPM obsah prezentace Vlastnosti snímačů s Hallovým generátorem Proudová čidla smínač s Hallovým generátorem s otevřenou smyčkou smínač s Hallovým

Více

Generátorové senzory. Termoelektrický článek Piezoelektrické senzory Indukční senzory

Generátorové senzory. Termoelektrický článek Piezoelektrické senzory Indukční senzory Generátorové senzory Termoelektrický článek Piezoelektrické senzory Indukční senzory Obecné vlastnosti termoelektrických článků využívá Seebeckova efektu vodivé spojení dvou různých vodivých materiálů

Více

VY_32_INOVACE_6/15_ČLOVĚK A PŘÍRODA. Předmět: Fyzika Ročník: 6. Poznámka: Vodiče a izolanty Vypracoval: Pták

VY_32_INOVACE_6/15_ČLOVĚK A PŘÍRODA. Předmět: Fyzika Ročník: 6. Poznámka: Vodiče a izolanty Vypracoval: Pták VY_32_INOVACE_6/15_ČLOVĚK A PŘÍRODA Předmět: Fyzika Ročník: 6. Poznámka: Vodiče a izolanty Vypracoval: Pták Izolant je látka, která nevede elektrický proud izolant neobsahuje volné částice s elektrický

Více

Velmivhodnéprohř evagresivníchtekutin

Velmivhodnéprohř evagresivníchtekutin NIBE group Backer Elektro CZ a.s. je největším výrobcem elektrických trubkových topných těles v České republice. Společnost, založená před více než 60 lety, je od roku 2001 členem nadnárodního koncernu

Více

Výukové texty. pro předmět. Měřící technika (KKS/MT) na téma. Základní charakteristika a demonstrování základních principů měření veličin

Výukové texty. pro předmět. Měřící technika (KKS/MT) na téma. Základní charakteristika a demonstrování základních principů měření veličin Výukové texty pro předmět Měřící technika (KKS/MT) na téma Základní charakteristika a demonstrování základních principů měření veličin Autor: Doc. Ing. Josef Formánek, Ph.D. Základní charakteristika a

Více

9. ČIDLA A PŘEVODNÍKY

9. ČIDLA A PŘEVODNÍKY Úvod do metrologie - 49-9. ČIDLA A PŘEVODNÍKY (V.LYSENKO) Čidlo (senzor, detektor, receptor) je em jedné fyzikální veličiny na jinou fyzikální veličinu. Snímač (senzor + obvod pro zpracování ) je to člen

Více

5. Materiály pro MAGNETICKÉ OBVODY

5. Materiály pro MAGNETICKÉ OBVODY 5. Materiály pro MAGNETICKÉ OBVODY Požadavky: získání vysokých magnetických kvalit, úspora drahých kovů a náhrada běžnými materiály. Podle magnetických vlastností dělíme na: 1. Diamagnetické látky 2. Paramagnetické

Více

VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH

VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH Jan Hruška TV-FYZ Ahoj, tak jsme tady znovu a pokusíme se Vám vysvětlit problematiku vedení elektrického proudu v látkách. Co je to vlastně elektrický proud? Na to

Více

Přednáška 3. Napařování : princip, rovnovážný tlak par, rychlost vypařování.

Přednáška 3. Napařování : princip, rovnovážný tlak par, rychlost vypařování. Přednáška 3 Napařování : princip, rovnovážný tlak par, rychlost vypařování. Realizace vypařovadel, směrovost vypařování, vypařování sloučenin a slitin, Vypařování elektronovým svazkem a MBE Napařování

Více

Plazmové metody Materiály a technologie přípravy M. Čada

Plazmové metody Materiály a technologie přípravy M. Čada Plazmové metody Existuje mnoho druhů výbojů v plynech. Ionizovaný plyn = elektrony + ionty + neutrály Depozice tenkých vrstev za pomocí plazmatu je jednou z nejpoužívanějších metod. Pomocí plazmatu lze

Více

TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ II.

TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ II. TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ II. 1. OXIDACE KŘEMÍKU Oxid křemíku SiO2 se během technologického procesu užívá k vytváření: a) Maskovacích vrstev b) Izolačních vrstev (izolují prvky

Více

U BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D.

U BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D. Napěťový průraz polovodičových přechodů Zvyšování napětí na přechodu -přechod se rozšiřuje, ale pouze s U (!!) - intenzita elektrického pole roste -překročení kritické hodnoty U (BR) -vzrůstu závěrného

Více

Rádiové funkční bloky X37RFB Krystalové filtry

Rádiové funkční bloky X37RFB Krystalové filtry Rádiové funkční bloky X37RFB Dr. Ing. Pavel Kovář Obsah Úvod Krystalový rezonátor Diskrétní krystalové filtry Monolitické krystalové filtry Aplikace 2 Typické použití filtrů Rádiový přijímač preselektor

Více

Zdeněk Faktor. Transformátory a tlumivky pro spínané napájecí zdroje

Zdeněk Faktor. Transformátory a tlumivky pro spínané napájecí zdroje Zdeněk Faktor Transformátory a tlumivky pro spínané napájecí zdroje 2002 Přestože transformátory a tlumivky byly v nejmodernějších elektronických zařízeních do značné míry nahrazeny jinými obvodovými prvky,

Více

REAKTIVNÍ MAGNETRONOVÉ NAPRAŠOV. Jan VALTER HVM Plasma s.r.o. www.hvm.cz

REAKTIVNÍ MAGNETRONOVÉ NAPRAŠOV. Jan VALTER HVM Plasma s.r.o. www.hvm.cz REAKTIVNÍ MAGNETRONOVÉ NAPRAŠOV OVÁNÍ Jan VALTER SCHEMA REAKTIVNÍHO NAPRAŠOV OVÁNÍ zdroj výboje katoda odprašovaný terč plasma inertní napouštění plynů reaktivní zdroj předpětí p o v l a k o v a n é s

Více

STEJNOSMĚRNÝ PROUD Elektrický odpor TENTO PROJEKT JE SPOLUFINANCOVÁN EVROPSKÝM SOCIÁLNÍM FONDEM A STÁTNÍM ROZPOČTEM ČESKÉ REPUBLIKY.

STEJNOSMĚRNÝ PROUD Elektrický odpor TENTO PROJEKT JE SPOLUFINANCOVÁN EVROPSKÝM SOCIÁLNÍM FONDEM A STÁTNÍM ROZPOČTEM ČESKÉ REPUBLIKY. STEJNOSMĚNÝ POUD Elektrický odpor TENTO POJEKT JE SPOLUFINANCOVÁN EVOPSKÝM SOCIÁLNÍM FONDEM A STÁTNÍM OZPOČTEM ČESKÉ EPUBLIKY. Elektrický odpor Mějme uzavřený proudový obvod skládající se ze zdroje a delšího

Více

Uhlíkové struktury vázající ionty těžkých kovů

Uhlíkové struktury vázající ionty těžkých kovů Uhlíkové struktury vázající ionty těžkých kovů 7. června/june 2013 9:30 h 17:30 h Laboratoř metalomiky a nanotechnologií, Mendelova univerzita v Brně a Středoevropský technologický institut Budova D, Zemědělská

Více

VÝROBKY PRÁŠKOVÉ METALURGIE

VÝROBKY PRÁŠKOVÉ METALURGIE 1 VÝROBKY PRÁŠKOVÉ METALURGIE Použití práškové metalurgie Prášková metalurgie umožňuje výrobu součástí z práškových směsí kovů navzájem neslévatelných (W-Cu, W-Ag), tj. v tekutém stavu nemísitelných nebo

Více

2.3 Elektrický proud v polovodičích

2.3 Elektrický proud v polovodičích 2.3 Elektrický proud v polovodičích ( 6 10 8 10 ) Ωm látky rozdělujeme na vodiče polovodiče izolanty ρ ρ ( 10 4 10 8 ) Ωm odpor s rostoucí teplotou roste odpor nezávisí na osvětlení nebo ozáření odpor

Více

Zásady návrhu DPS pro povrchovou montáž

Zásady návrhu DPS pro povrchovou montáž Zásady návrhu DPS pro povrchovou montáž 1. Návrh plošného spoje Každý návrh desky s SMD součástkami doporučujeme konzultovat s dodavatelem osazení. Můžete tak příznivě ovlivnit cenu osazení a tedy celkovou

Více

VY_32_INOVACE_ELT-1.EI-13-IZOLACNI MATERIALY. Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno

VY_32_INOVACE_ELT-1.EI-13-IZOLACNI MATERIALY. Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Číslo projektu Číslo materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník CZ.1.07/1.5.00/34.0581 VY_32_INOVACE_ELT-1.EI-13-IZOLACNI MATERIALY Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing.

Více

Rezistor je součástka kmitočtově nezávislá, to znamená, že se chová stejně v obvodu AC i DC proudu (platí pro ideální rezistor).

Rezistor je součástka kmitočtově nezávislá, to znamená, že se chová stejně v obvodu AC i DC proudu (platí pro ideální rezistor). Rezistor: Pasivní elektrotechnická součástka, jejíž hlavní vlastností je schopnost bránit průchodu elektrickému proudu. Tuto vlastnost nazýváme elektrický odpor. Do obvodu se zařazuje za účelem snížení

Více

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ. MEI Technologie jednoduchých montážních prací

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ. MEI Technologie jednoduchých montážních prací Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: MEI - 2.6 Technologie jednoduchých montážních prací Obor: Mechanik elektronik Ročník: 1. Zpracoval(a): Jiří Kolář Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2010

Více

Měření na unipolárním tranzistoru

Měření na unipolárním tranzistoru Měření na unipolárním tranzistoru Teoretický rozbor: Unipolární tranzistor je polovodičová součástka skládající se z polovodičů tpu N a P. Oproti bipolárnímu tranzistoru má jednu základní výhodu. Bipolární

Více

Teplotní profil průběžné pece

Teplotní profil průběžné pece Teplotní profil průběžné pece Zadání: 1) Seznamte se s měřením teplotního profilu průběžné pece a s jeho nastavením. 2) Osaďte desku plošného spoje SMD součástkami (viz úloha 2, kapitoly 1.6. a 2) 3) Změřte

Více

Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto

Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto Registrační číslo projektu Šablona Autor Název materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0951 III/2 INOVACE A ZKVALITNĚNÍ VÝUKY PROSTŘEDNICTVÍM ICT Mgr. Petr

Více

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů (elektrony nebo díry) pracují s kanálem jednoho typu vodivosti

Více

SNÍMAČE. - čidla, senzory snímají měří skutečnou hodnotu regulované veličiny (dávají informace o stavu technického zařízení).

SNÍMAČE. - čidla, senzory snímají měří skutečnou hodnotu regulované veličiny (dávají informace o stavu technického zařízení). SNÍMAČE - čidla, senzory snímají měří skutečnou hodnotu regulované veličiny (dávají informace o stavu technického zařízení). Rozdělení snímačů přímé- snímaná veličina je i na výstupu snímače nepřímé -

Více

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Optoelektronika Přednáška č. 8 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Optoelektronika 1 Optoelektronika zabývá se přeměnou elektrické

Více

Elektřina a magnetizmus závěrečný test

Elektřina a magnetizmus závěrečný test DUM Základy přírodních věd DUM III/2-T3-20 Téma: závěrečný test Střední škola Rok: 2012 2013 Varianta: TEST - A Zpracoval: Mgr. Pavel Hrubý a Mgr. Josef Kormaník TEST Elektřina a magnetizmus závěrečný

Více

POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ. (40) Zveřejněno 31 07 79 N

POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ. (40) Zveřejněno 31 07 79 N ČESKOSLOVENSKÁ SOCIALISTICKÁ R E P U B L I K A (19) POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ 196670 (11) (Bl) (51) Int. Cl. 3 H 01 J 43/06 (22) Přihlášeno 30 12 76 (21) (PV 8826-76) (40) Zveřejněno 31 07

Více

Bipolární tranzistory

Bipolární tranzistory Bipolární tranzistory Historie V prosinci 1947 výzkumní pracovníci z Bellových laboratořích v New Jersey zjistili, že polovodičová destička z germania se zlatými hroty zesiluje slabý signál. Vědci byli

Více

SNÍMAČE PRO MĚŘENÍ TEPLOTY

SNÍMAČE PRO MĚŘENÍ TEPLOTY SNÍMAČE PRO MĚŘENÍ TEPLOTY 10.1. Kontaktní snímače teploty 10.2. Bezkontaktní snímače teploty 10.1. KONTAKTNÍ SNÍMAČE TEPLOTY Experimentální metody přednáška 10 snímač je připevněn na měřený objekt 10.1.1.

Více

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická

Více

Způsoby realizace paměťových prvků

Způsoby realizace paměťových prvků Způsoby realizace paměťových prvků Interní paměti jsou zapojeny jako matice paměťových buněk. Každá buňka má kapacitu jeden bit. Takováto buňka tedy může uchovávat pouze hodnotu logická jedna nebo logická

Více

Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Hradec Králové, Vocelova 1338, příspěvková organizace

Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Hradec Králové, Vocelova 1338, příspěvková organizace Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Hradec Králové, Vocelova 1338, příspěvková organizace Registrační číslo projektu: Číslo DUM: Tematická oblast: Téma: Autor: CZ.1.07/1.5.00/34.0245 VY_32_INOVACE_08_A_07

Více

Pasivní prvky pro výkonovou elektroniku

Pasivní prvky pro výkonovou elektroniku Pasivní prvky pro výkonovou elektroniku Přednášky Výkonová elektronika Projekt ESF CZ.1.07/2.2.00/28.0050 Modernizace didaktických metod a inovace výuky technických předmětů. Pasivní součástky ve výkonové

Více

Využití technologie Ink-jet printing pro přípravu mikro a nanostruktur II.

Využití technologie Ink-jet printing pro přípravu mikro a nanostruktur II. Ústav fyziky a měřicí techniky Vysoká škola chemicko-technologická v Praze Využití technologie Ink-jet printing pro přípravu mikro a nanostruktur II. Výrobci, specializované technologie a aplikace Obsah

Více

Třída přesnosti proudu. Principy senzorů

Třída přesnosti proudu. Principy senzorů Kombinovaný senzor pro vnitřní použití 12, 17,5 a 25 kv, 1250 A a 3200 A KEVCD Nejvyšší napětí pro zařízení kv 12.25 Jmenovitý trvalý tepelný proud A 1250.3200 Jmenovitý transformační převod proudu, K

Více

TECHNICKÁ DOKUMENTACE

TECHNICKÁ DOKUMENTACE Střední škola, Havířov-Šumbark, Sýkorova 1/613, příspěvková organizace TECHNICKÁ DOKUMENTACE Rozmístění a instalace prvků a zařízení Ing. Pavel Chmiel, Ph.D. OBSAH VÝUKOVÉHO MODULU 1. Součástky v elektrotechnice

Více

Lasery v mikroelektrotechnice. Soviš Jan Aplikovaná fyzika

Lasery v mikroelektrotechnice. Soviš Jan Aplikovaná fyzika Lasery v mikroelektrotechnice Soviš Jan Aplikovaná fyzika Obsah Úvod Laserové: žíhání rýhování (orýsování) dolaďování depozice tenkých vrstev dopování příměsí Úvod Vysoká hustota výkonu laseru změna struktury

Více

SMĚRNICE KOMISE 2011/37/EU

SMĚRNICE KOMISE 2011/37/EU 31.3.2011 Úřední věstník Evropské unie L 85/3 SMĚRNICE SMĚRNICE KOMISE 2011/37/EU ze dne 30. března 2011, kterou se mění příloha II směrnice Evropského parlamentu a Rady 2000/53/ES o vozidlech s ukončenou

Více

Senzory tlaku. df ds. p = F.. síla [N] S.. plocha [m 3 ] 1 atm = 100 kpa. - definice tlaku: 2 způsoby měření tlaku: změna rozměrů.

Senzory tlaku. df ds. p = F.. síla [N] S.. plocha [m 3 ] 1 atm = 100 kpa. - definice tlaku: 2 způsoby měření tlaku: změna rozměrů. Senzory tlaku - definice tlaku: 2 způsoby měření tlaku: p = df ds F.. síla [N] S.. plocha [m 3 ] 1 atm = 100 kpa p F pružný člen změna rozměrů přímý (intrinsický) senzor senzor mechanického napětí (v prostředích,

Více

1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny

1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny 1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny Popsaný přijímač slouží k poslechu rozhlasových stanic v pásmu středních vln. Přijímač je napájen z USB portu počítače přijímaný signál je pak připojen na

Více

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Polovodičové prvky V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku

Více

Otázky pro samotestování. Téma1 Sluneční záření

Otázky pro samotestování. Téma1 Sluneční záření Otázky pro samotestování Téma1 Sluneční záření 1) Jaká je vzdálenost Země od Slunce? a. 1 AU b. 6378 km c. 1,496 x 10 11 m (±1,7%) 2) Jaké množství záření dopadá přibližně na povrch atmosféry? a. 1,60210-19

Více

SOUČÁSTKY ELEKTRONIKY

SOUČÁSTKY ELEKTRONIKY SOUČÁSTKY ELEKTRONIKY Učební obor: ELEKTRO bakalářské studium Počet hodin: 90 z toho 30 hodin v 1. semestru 60 hodin ve 2. semestru Předmět je zakončen zápočtem v 1. semestru a zápočtem a zkouškou ve 2.

Více

Zásady návrhu a aplikace A/Č obvodů

Zásady návrhu a aplikace A/Č obvodů ásady návrhu a aplikace A/Č obvodů působy buzení A/Č převodníků Rušivé signály Napájení A/Č systémů Impedanční přizpůsobení Stínění elektronických obvodů ásady návrhu tištěných spojů Přenos signálů z hlediska

Více

Obsah TECHNOLOGIE VÝROBY PLOŠNÝCH SPOJÙ, POVRCHOVÁ ÚPRAVA... 13 1.1 Subtraktivní technologie výroby... 15 1.2 Aditivní technologie výroby plošných spojù... 16 1.3 Výroba a konstrukce vícevrstvých desek

Více