Logické obvody, aspekty jejich aplikace ve vestavných systémech
|
|
- Dagmar Matějková
- před 8 lety
- Počet zobrazení:
Transkript
1 Logické obvody, aspekty jejich aplikace ve vestavných systémech 2015 A4M38AVS Aplikace vestavných systémů J. Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 1
2 Polovodiče pro logické obvody, silně zjednodušený pohled detaily viz. kniha- Vobecký, Záhlava: Elektronika Polovodičový materiál pro log. obvody - křemík, Si, čtyřmocný 4 elektrony v el. obalu. atomu křemíku A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 2
3 Polovodič Si Intrinzický polovodič, pouze jeden prvek, čistý materiál, ideální krystalová struktury bez poruch (dislokací) krystalové struktury Vodivost intrinzická vodivost pouze tepelně generovanými páry elektron díra Si Si Si Si Si Si Si Si Si společné valenční elektrony Si A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 3
4 Polovodič Si Dodání tepelné energie kmity, možnost uvolnění elektronu z elektronového obalu, vznik páru elektron - díra Intrinzická vodivost pouze tepelně generovanými páry elektron - díra elektron při působení vnějšího elektrického pole pohyb ve směru el. pole. Růst intr. vodivosti s teplotou Uspořádaný pohyb elektronů elektrický proud, Díry též pohyb při působení vnějšího el. pole, Si Si díra volný elektron tepelná energie Pohyblivost elektronu - trojnásobná oproti pohyblivosti díry v (Si materiálu) (důsledek vliv na volbu šířky tranzistoru NMOS a PMOS ve struktuře CMOS (PMOS volby 3x širší pro dosažení stejného odporu) A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 4
5 Nevlastní polovodič typu N a P Dotace prvky V nebo III skupiny, zvýšení vodivosti (5 el. v obalu, 3 el. v obalu) nevlastní vodivost, nevlastní polovodič způsobená působením příměsí Polovodič typu N (pátý elektron atomu dopantu vázán slabě k jádru, dodání malé energie možnost uvolnění elektronu, za pokojové teploty atom dopantu volný elektron) Polovodič typu P (3 elektrony v obalu, chybí jeden el. pro kovalentní vazbu, toto místo může zastoupit jiný elektron (analogie hra s chybějící židlí). Pohyb díry Si volný elektron Si díra Si As Si Si B Si Si Si a) b) A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 5
6 Nevlastní polovodič typu N Zvýšení vodivosti polovodiče - zvýšení počtu volných nosičů náboje polovodič typu N, příměsi ze skupiny V (5- mocné, 5 el. v obalu) Dopant - donor - dárce- poskytuje elektron Přidání příměsí - difúzí, iontovou implantací, 4 el. vázané ve struktuře pevně, pátý el. vázán slabě, dodání malé ionizační energie (řádu desítek mev) na uvolnění elektronu Za pokojové teploty - všechny atomy donorů - ionizovány Elektronová vodivost materiálu, nevlastní polovodič typu N Polovodič N - majoritní nosiče - elektrony, minoritní nosiče díry Polovodič N je navenek ale stále elektricky neutrální počet kladně a záporně nabitých částic je shodný Pokud elektron opustí atom donoru vznikne ionizovaný atom donoru - představuje místo kladného fixovaného náboje Vyšší koncentrace volných elektronů - vyšší vodivost Velmi vysoká koncentrace dopantů, degenerovaný polovodič N + A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 6
7 Nevlastní polovodič typu P Polovodič typu P, příměsi - ze skupiny III (3- mocné, 3 el. v obalu) Dopant - akceptor - příjemce, může přijmout elektron není úplná kovalentní vazba, chybí pro ni elektron Elektron se může přijmout z vedlejšího atomu Si, zde pak chybí elektron ve vazbě- díra se posune, tato díra se takto může pohybovat dále Děrová vodivost, materiál typu P Pohyblivost díry je 1/3 oproti pohyblivosti elektronu - vodivost materiálu typu P je 1/3 oproti typu N při stejné koncentraci volných nosičů Polovodič P - majoritní nosiče - díry, minoritní nosiče - elektrony Polovodič P je ale stále elektricky neutrální, počet kladně a záporně nabitých částic je opět shodný Pohyb díry - Ionizovaný atom akceptoru - představuje místo záporného fixovaného náboje Velmi vysoká koncentrace dopantů akceptorů - degenerovaný polovodič P + A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 7
8 Přechod PN Polovodiče P a N na sobě difůze elektronů z oblasti N do oblasti P, děr z P do N, rekombinace (difůzní délka - střední dráha nosiče, než rekombinuje ) Vznik chuzené oblasti - bez volných nosičů - elektronů, nebo děr, oblast prostorového náboje (OPN) vyprázdněná oblast, (depletion region) - oblast PN přechodu Po odešlých děrách a elektronech zůstávají ionizované atomy donorů a akceptorů, představují místa fixovaných záporných a kladných nábojů, elektrická dvouvrstva PN přechod - uspořádání i P + na N, nebo N + na P čím vyšší koncentrace dopantů- kratší dif. délka, menší OPN difuze el. a děr ochuzená oblast P N P N A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření elektrická dvouvrstva 8
9 Dioda s přechodem PN Dioda s přechodem PN, Si materiál, napětí v předním směru, 0,6 až 0,7 V Zapojení diody v propustném směru nutnost překonat působení elektrického -elektrické dvouvrstvy v oblasti přechodu. Průchod elektronů a děr do oblasti přechodu PN, rekombinace. uvolnění energie ve formě tepelné energie. Schottkyho dioda přechod kov polovodič, napětí v předním směru 0, 3 V (příklad Schottkyho diody např.m dioda BAT 46) Závěrný proud Si diody s přechodem PN, roste s teplotou, způsoben tepelnou generací párů elektron díra Problém klidových proudů obvodů CMOS s bateriovým napájením. (též omezení funkce obrazových senzorů CMOS pro dlouhé expozice snímku) Světloemitující dioda LED, zapojení v předním směru působení vnějšího pole napájecí obvod - příchod elektronů a děr do oblasti přechodu PN, rekombinace, uvolnění energie - částečně ve formě optické nebo světlo, částečně ve formě tepelné napětí v předním směru LED přibl. 2 V ( červená LED), zelená vyšší 2 2, 5 V, bílá LED 3 V a více A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 9
10 Návrh obvodu s diodami Si a LED Návrh- výstupní napětí obvodu, napětí v předním směru LED, volby proudu, výpočet odporu zvoleného rezistoru. Umět výpočet! parametry U F napětí LED v předním směru (červená cca 2V, zelená 2V (+) (pozn. LED nikdy nemá v předním směru napětí U F tak malé, jako Si dioda) up I B U F R K I F + U cc LED Dioda Si jako ochranný prvek proti přepólování, příp. kolizi více zdrojů napájení zapojená do série s napájením - úbytek napětí 0,7 V ( viz schéma desky VL Discovery) dioda antiparalelně při přepólování napájení- zkrat. A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 10
11 MOS tranzistor s indukovaným kanálem N Substrát, polovodič P, izolant SiO 2, Gate - polykrystalická Si elektroda MOS Tranzistor M - Metal poly Si (dříve i Al), izolant O - Oxid, S- Silicon substrát křemík U G kladné, přitahování elektronů, až počet elektronů přesáhne počet děr, Při U G > U T - prahové napětí, vznik inverzní vrstvy pod G indukovaný kanál n tranzistor NMOS elektrody G- gate, S - Source ( zdroj nosičů!), D Drain ( odvaděč nosičů ), pomocí oblastí N+, kontakt substrát P + poly - Si U G =0 G SiO 2 N + - Si U G > U T G N + - Si substrát P - Si substrát P - Si inverzní oblast indukovaný kanál n A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 11
12 Tranzistor NMOS s indukovaným kanálem - vlastnosti Napětí mezi elektrodami Gate a Source U GS > U T (prahové napětí - threshold) V log. obvodech - MOS tranzistor jako spínač I DS spínač proti zemi, U G - U GS = U G - 0 > U T, elementární N- MOS invertor U T U GS S -source U GS = U G - U S > U T D - drain U G N + - Si N + - Si + Ucc D U S substrát P - Si U 1 S U 2 A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 12
13 Tranzistor NMOS jako spínač ve vzorkovači + Ucc G D D S D G U 2 B- sub. S U 1 S Kanál n, elektrony, U S nižší napětí oproti U D, symetrická konstrukce, záměna funkce S a D podle připojeného napětí NMOS jako spínač - vzorkovač U G - U S > U T, pozor U G > U S + U T! Diody tvořené D a S proti substrátu- musí být v záv. směru- substrát zapojit na nejzápornější napětí vyskytující se v obvodu tranzistoru Spínání napětí (-2 V až +2 V), substrát -2V, napětí U G ( -2V vyp, + 5 V zap.) Pro přepínač, vzorkovač - použitelný pouze typ se samostatně vyvedeným substrátem, Pozor - substrátová dioda u všech MOS tranzistorů A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 13
14 Příklady tranzistorů NMOS Příklad tranzistoru NMOS 3 vývody BS170 vhodné pro spínání proti zemi (analogie výstupu open drain ) Příklad tranzistoru NMOS - 4 vývody, BSS 83, spínací tranzistor drain i source mohou byt na nenulovém potenciálu b substrát (na nejzápornější napětí v obvodu) (vhodný pro multiplexery, vzorkovače) A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 14
15 Příklady tranzistorů NMOS DMOS příklad tranzistor BS170 NMOS Oblast odporová modře proud I DS určen napětím U DS (Ohmův zák). NMOS, PMOS v log. obvodech CMOS provozovány v odporové oblastimalé napětí U DS na sepnutém tranzistoru NMOS, velké U DS na rozepnutém tranzistoru PMOS, a opačně (viz. též dále náhrad. schéma výstupu log. obvodu. CMOS) Oblast saturace červeně, velikost proudu nezávisí na dalším růstu napětí U DS ( jako zdroj proudu I DS řízený napětím U GS ) U log. obvodu CMOS tranzistor ve výst. obvodu přejde do režimu saturace při chybě, např. zkrat výst ve stavu H na GND, zkrat výst. v L na U CC Přímé ovládání DMOS pinem procesoru STM32Fxx omezené napětí 3,3 V na pinu, omezený proud cca 100 ma (viz. charakteristika pro U GS = 3 V) Řešení použít tzv. MOS driver generující zvýšené napětí, nebo v případě impulsního řízení budič s nábojovou pumpou A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 15
16 Tranzistor PMOS s indukovaným kanálem P jako spínač S -source P + - Si U G D - drain P + - Si S + Ucc S B- sub. D + Ucc U S U 1 D R U 2 G substrát N - Si 0 Kanál P, (nosiče náboje díry), zdroj nosičů source S - na vyšší (kladné) napětí oproti D - drain, Symetrická konstrukce, záměna funkce S a D podle orientace připojeného napětí mezi elektrodami U 1 = Ucc PMOS rozepnut - nevede, U 1 = 0 PMOS sepnut - vede! Diody tvořené D a S proti B -substrátu- musí být v záv. směru- B - zapojit na nejkladnější napětí vyskytující se v obvodu tranzistoru PMOS s kanálem P A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 16
17 Bipolární tranzistory pro vestavné systémy Tranzistory NPN, PNP, parametry h 21E, ( h FE ), U CB max, U CE max, I Cmax, P max, U BE = typ. 0,7 V napětí na přechodů B- E v propustném směru (jako dioda) Proudový zesilovací činitel h 21E I C = h 21E. I B h 21E u tranz. malých výkonů, I C do 0,5 A typicky Parametr h 21E, v katalozích také označen jako h FE, nebo β (beta) (rozptyl hodnot h 21E. třídění do skupin BC 546-2, BC546-3, a jiná označení). Výkonové tranzistory při větších proudech nižší h 21E Tranzistor jako zesilovač převod proud báze I B na proud kolektoru I C Proud emitoru I E = I C + I B I C U 1 R b I B U CE GND A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 17
18 Mezní parametry tranzistorů Tranzistor jako zesilovač převod proud báze I b proud kolektoru I c Mezní napěťové parametry U CB max, U CE max, (U EBmax max. napětí přechodu Báze Emitor v závěrném směru (typicky 5 až 7V u většiny tranzistorů) při překročení hrozí průraz přechodu BE Mezní proudové paramtery: I Cmax, max. proud kolektoru I bmax max. proud báze pro nepřekročení správná volba R b Mezní výkonová ztráta P max (výkonová ztráta P = U CE x I C ) Především u výkonových tranzistorů, P max udává, jakou výkonovou ztrátou se tranzistor může zatížit při jeho dostatečném chlazení, konstrukčně chladičem je nutno zajistit chlazení a dostatečný odvod tepla I C U 1 R b I b U CE GND A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 18
19 Bipolární tranzistor jako spínač pro vestavné systémy Tranzistor v lineární oblasti nárůst I b způsobí nárůst I c, (zesilovač proud proud) U cc = U RC + U CE = I C x R C + U CE Dosažení meze lineární oblasti I C x R C blíží U cc = I b další nárůst I b nezpůsobí nárůst I C, Dosažení saturace, tranzistor funguje jako spínač se I C + U cc (velikost I C je pak dána pouze vnějším obvodem) Na tranzistoru je malé saturační napětí U CEsat U CEsat desetiny voltu, podle velikosti I C a typu tranz. (0,2 V,.0, 5 V) Výstupní char. NPN BC 546 Ib R C R b U RC U CE GND oblasti saturace kolektoru A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 19
20 Příklad návrhu spínače ovládaného up STM32F207 Příklad. LED přední napětí U F = 2 V ( podle typu LED) Požadován proud 100 ma, napájení + 5 V, NPN BC637, h FE - volba 50 odhad U CEsat = 0, 5 V I B U F R C I C + U cc LED U cc = U F + U CEsat + I C x R C 5 V= 2 V + 0,5 V + I C x R C volba R C = 25 Ohmů, proud báze min. I B = I C / h FE = 100 / 50= 2 ma (min.) odhad U OH procesoru 3 V (při U CC = 3,3 V) R B = (U OH U BE ) / I B = (3 0, 7) / 0,002 = 1150 Ohmů (max.) R B U CE GND Co se stane, pokud by h FE menší než 50 (např. 40), Proud I C bude = h 21E. I B = 80 ma, Tranzistor - v lineární oblasti (nebude již v saturaci), nárůst U CE, nárůst výkon. ztráty P C = U CE x I C Použití většího proudu I B, než odpovídá výpočtu, Činitel saturace k sat, volíme např. 2. I Bsat = k sat x I B = 4 ma, tedy R B = 570 Ohmů (v řadě je k dispozici 560 Ohmů) (příměr saturace,nákup = odhadovaná spotřeba x k sat, jistá forma předimenzování) A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 20
21 Kontrola návrhu buzení spín. dle par.výstupu STM32F207 Kontrola U OH napětí na pinu generujícího vysokou úroveň H (high) pro buzení tranzistoru proudem 4 ma pro. celkový proud 6 ma bude U OH = U DD 0, 4 V U DD napáj. napětí proc. pro 4 ma bude pokles (lin. aproximace) odhad přibl. U OH = U DD 0, 27 V= 3, 3 0, 27 V = přibl.3 V A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 21
22 Dolní spínač Low side switch Ovládání napětí pro výkonovou (odporovou) zátěž NPN tranzistor Připnutí spínačem k zemi low side Low side switch také integrované s tepelnou a nadproudovou ochranou výhoda- jednoduchost nevýhoda zátěž je na potenciálu U P (zkrat na zem aktivuje zátěž) R B I B I C U CE GND + U P R L R B I C U CE U 1 I B GND A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 22
23 Horní spínač High side switch Ovládání napětí pro výkonovou ( odporovou) zátěž PNP tranzistor Varianta pro napětí zátěže shodné s napájecím napětím procesoru GND up I B R B + U cc = 3,3 V U CE I CE Varianta pro napětí zátěže vyšší než napáj. napětí procesoru I C1 = I B2 volba I B2 dle I L I B2 > I L /h 21E-T2 + U cc = 3,3 V U CC < U L I B2 + U P = 12 V R B2 = (U P U CE1sat U BE2 ) / I B2 R B1 = (U CC U BE1 ) / I C1 U CE1sat saturační napětí sepnutého T 1 Umět - návrh a výpočet prvků obvodu up R B1 I B1 R B2 IL T 1 NPN T 2 PNP U L ~ 11 V R L Zadání,STM32F100, U p. 24 V, proud 1 A A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 23
24 Výkonové MOS tranzistory pro vest. systémy Ve vestavném systém tranzistor použit nejčastěji jako spínač Výkonové MOS tranzistory pro vestavné systémy spínání větších proudů - ovládání relé, motorků,.. nejčastěji NMOS s indukovaným kanálem, velké kapacity mezi Gate a Drain potřeba větší (dynamické) budicí proudy při spínání, potřeba vložit mezi procesor a tranzistor budič tzv MOS driver. Obvykle nepostačuje malé napětí 3 V z procesoru, potřeba větší napětí,např. 10 V výklad děj při spínání velkého proudu, působení parazitní kapacity, změna napětí U DS působení kapacity C GD, kapacitní proud z drain na gate, snaha opět snížit napětí na gate (analogie dveře proti ) zavřená brána síla - otevírání brány A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 24
25 Invertor CMOS CMOS - komplementární MOS logika využívající kombinaci NMOS a PMOS tranzistorů invertor CMOS (není CMOS tranzistor!) S p D p D n + Ucc p kanál nosiče - díry n kanál, nosiče - el. S n + Ucc vstup U G výstup invertoru GND P + P + N + N + N + (kontakt) P - kanál (N - kanál) vana P - Si P + (kontakt) substrát N - Si A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 25
26 Invertor CMOS CMOS - komplementární MOS logika využívající kombinaci NMOS a PMOS tranzistorů + Ucc S p CMOS invertor ( není CMOS tranzistor!) D n D 2 D 1 D n D 3 S n + Ucc vstup U G výstup invertoru GND P + P + N + N + N + (kontakt) P - kanál D 2 D 3 (N - kanál) vana P - Si P + (kontakt) substrát N - Si D 1 A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 26
27 Invertor CMOS Důsledky V každém logickém obvodu CMOS je záporně polarizovaný PN přechod mezi svorkami Ucc napájení a GND zem. Při přepólování napájení v propustném směru Pro uživení zařízení použít zdroj s omezením proudu CMOS - komplementární MOS logika využívající kombinaci tranz. Tyto závěrně polarizované přechody PN- závěrný proud problém klidového odběru Stand By režim procesorů pro bateriové napájení- při požadavku na etrémně malé klidové odběry- řádu ua. (Příklad- měřidla, rozpočítávací měřidlo topných nákladů - požadavek na funkci 10 let z jediné baterie, el. vodoměr, ) A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 27
28 Náhradní schéma výstupu CMOS Sériově zapojené tranzistory PMOS a NMOS, Klidový stav Rp, nebo Rn se blíží nekonečnu rozepnutý stav Druhý tranzistor sepnutý R ON CMOS invertor (není CMOS tranzistor!) R P +U CC Náhradní schéma: Zdroj UCC do série R P_ON nebo GND ( 0 V) do série R N_ON u řady HCMOS a dalších, odpory 100 Ohmů a nižší ( 74LVCxxx R N_ON ~15 Ohmů, podle typu) Při změně stavu, malý okamžik vedou oba tranzistory proudový impuls mezi U CC a GND R P_ON R N_ON R N U 2 GND +U CC U 2 GND A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 28
29 Logický obvod jako dvoubran- statické parametry 1 U cc napájení ( U DD ), zem- GND- (ground) I i U cc I o Vstup, U i, I i vstupní napětí, proud Výstup U O, I O, výstupní napětí, proud Pozor na orientaci výstupního proudu. U i U o Kladný výstupní proud I O - vtéká do výstupu (proud z výstupu přes rezistor do GND - záporný) důležité kvůli orientaci v katalogových údajích (pozn. v aglosaské lit. napětí onačeno jako V -Voltage, tedy V i, V O,,...) (u STM32 a dalších proc. označení V DD - napájení, V SS - zem) Pomůcka pro zapamatování označení - Ucc ( bipolární log. obvody, NPN tranzistory, kolektory na kladné napět) U CC U - colector, colector Podobně NMOS logika, Drain na kladné napětí tedy U DD (napětí U -Drain, Drain - U DD, jako U CC kladné napájení) U STM32F103,..logika společné elektrody Source (U SS - source, source) - ekvivalent GND. A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 29
30 Logický obvod jako dvoubran- statické parametry 2 U cc Charakteristické parametry obvodu I i I o U i U o U ih - vstup. napětí pro vysokou log. úroveň - High U ihmin - minimální vstupní napětí pro vysokou log. úroveň - High!!! (které obvod vyhodnotí jako úroveň High) U il - vstup. napětí pro nízkou log. úroveň - Low, U ilmax - maximální vstupní napětí pro nízkou log. úroveň - Low!!! (které obvod vyhodnotí jako úroveň Low) U OH - napětí na výstupu obvodu generujícího vysokou úroveň - High U OL - napětí na výstupu obvodu generujícího nízkou úroveň - Low I ih - vstupní proud pro vysokou log. úroveň High připojenou na vstup I il - vstupní proud pro nízkou log. úroveň Low připojenou na vstup I OH - výstupní proud při vysoké úrovni - H High I OL - výstupní proud při nízké úrovni - L Low A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 30
31 Pouzdro log. obvodu, číslování vývodů Číslování vývodů na pouzdře logického obvodu proti směru hodinových ručiček Vývod č. 1 umístěn vlevo od indexové značky směr platí i u pouzder pro SMD (povrch. montáž) Přívody napájení U CC a GND u TTL, TTL - LS,..., CD4000, 74HC, 74HCT,.. - vlevo dole GND, vpravo nahoře U CC, pouzdro 14 vývodů GND pin 7, Ucc pin 14 pouzdro 16 vývodů GND pin 8, Ucc pin 16 pouzdro DIL 40 vývodů GND pin 20, Ucc pin 40 směr číslování vývodů GND indexová značka U CC Neplatí však obecně. U mikrořadičů s vnitřním převodníkem A/D podobně STM32F50F6P6 (ARMCortex M0) pouzdro TSSOP20, zem a napájení uprostřed pouzdra svorky U CC a GND uprostřed na stranách pouzdra, pro zkrácení vnitřních přívodů v nitřních přívodů v pouzdře a snížení jejich impedance A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 31
32 Bipolární logické obvody Logika TTL (nepoužívá se), význam - definice standardu a úrovní Ucc napájení Ucc = + 5V proti zemi - GND příklad - obvod NAND 7400 vstupy A, B, výstup Y, Y = /(AxB) A B T1 4k 1k6 130 T4 T2 D Y 1k T3 GND Vstup na U IL - nízká úroveň, vstupní proud I IL - záporný (= -1,6 ma), vytéká z emitoru T1 a vtéká do výstupu budicího obvodu pro TTL logiku - kritický parametromezení počtu vstupů, které může výstup ve stavu L budit; snaha snížit I IL Vstup na U IH - úroveň H, vtéká nulový nebo malý kladný proud do vstupu U OH omezeno. Úbytek na U AK na diodě D a U CET4 (emitorový sledovač T 4 ) U OH < U CC - U CET4 = 5 V - 0,7 V- 0,7 V= 3,6 V - důsledek na výstupu Y hradla TTL není ve stavu H napětí 5 V ale nižší A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 32
33 Bipolární logické obvody TTL -LS a TTL - ALS Snížení I IL i dalších proudů v obvodu, řady bipolárních log. obvodů TTL - LS ( Low Power Schottky) ALS (Advanced Low Power Schottky) 20k 8k 120 Ucc 37k 50k 14k 50 Ucc A B 12k 4k Y 5k Y A 1k5 3k B 2k8 5k6 GND GND I IL - záporný (= -0,4 ma) I IL - záporný (= -0,1 ma) Při definici paramtrů CMOS log obvodů (např. i mikroprocesorů) často odkaz na parametry TTL, nebo TTL - LS, např. formou, že výstupu up je schopen budit vstup jednoho TTL hradla ( to drive one TTL load ), A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 33
34 Parametry řad bipolárních log. obvodů Důležité údaje: U ILmax max. napětí pro úroveň L (nízká úroveň na vstupu) U IHmin min. napětí pro úroveň H (vysoká úroveň na vstupu) I ILmax - vstupní proud pro U IL - nízkou úroveň na vstupu U t - rozhodovací napěťová úroveň na vstupu U CC - napájecí napětí typicky + 5 V ( + 4,75 až + 5,25 V) řada U ILmax I ILmax U IHmin I IH I OLmax U OLmax I OH U OHmin t PD U t I CCL [V] [ma] [V] [ua] [ma] [V] [ma] [V] [ns] [V] [ma] TTL 0,8-1, ,4-0,4 2,4 10 1,3 3 LS - TTL 0,8-0, ,5-0,4 2,7 10 1,1 0,6 S TTL 0, ,5-1 2,4 4,7 1,3 5 FAST 0,8-0, , ,3 1,5 1,4 ALS 0,8-0, ,5-0, ,4 0,4 pro TTL: U ILmax = 0,8 V, U IHmin = 2 V, I ILmax = 1,6mA, zpoždění t pd - jednotky ns, a více podle typu obvodu. A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 34
35 Struktura vstupů, výstupů TTL -LS v jiných obvodech Struktura TTL LS se objevuje se i v jiných aktuálně používaných obvodech SN75176 B (firma Texas Instruments) budič RS485 Ucc 20k 8k 120 A B 12k 4k Y 1k5 3k GND A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 35
36 Bipolární log. obvody Nevyužité vstupy u TTL, TTL LS, TTL ALS Pro stav L připojit na zem - GND, Pro stav H připojit na výstup hradla s definovanou úrovní H (invertor se vstupem na GND) nebo na U CC ( i přes odpor 2-5 kohmů) Nezapojený vstup TTL, TTL LS, TTL ALS se chová jako by byl připojen na úroveň H ale není to korektní stav A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 36
37 Logické obvody HC MOS Rychlé logické obvody CMOS - High Speed CMOS 74HCxx náhrada za TTL, obdobné označení, funkce i rozložení vývodů TTL 7400, 74LC00, 74 ALS 00 funkční náhrada 74HC00, atd. Technologie CMOS s křemíkovým hradlem - Poly Si Gate hradlo z polykrystalického křemíku používáno u všech současných miroprocesorů, ) Napájecí napětí U CC = + 2 až + 6V, typicky U CC = + 5V 74HC odlišné vstupní úrovně od TTL 74HCxxx U m (U t ) = 0,5 Ucc rozhodovací úroveň polovina napájecího napětí U ihmin = 0,7 x Ucc, 3,5 V!!! (při U CC = 5V) U ilmax = 0,3 x Ucc 1,5 V (při U CC = 5V) Výstup TTL není možno připojit na vstup HC (U CC = +5 V) U OH TTL obvodu není kompatibilní s U IH min u HC obvodu! vstupní klidové proudy I IH, I IL velmi malé, typ. 100 na, zaručováno- menší 1 ua A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 37
38 Logické obvody HCT MOS Rychlé logické obvody CMOS - High Speed CMOS 74HCTxx Úprava vstupu HCT obvodu - kompatibilní s výstupními úrovněmi TTL posun, zpětná vazba,.. (úprava pouze ve vstup. obvodu, ostatní je jako u HC, žádné další diody) S p + Ucc (Napájení standardně U CC = +5V, rozmezí + 4,5 V až +5,5 V) Výstupní obvod HCT vlastnosti - jako výstup HC 74HCTxxx U m (U t ) = 1,3 V rozhodovací úroveň na vstupu U ihmin = 2 V!!! U ilmax = 0,8 V D p D n S n A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 38
39 Logické obvody HCT MOS Pozor, na vstupu 74HCT může být U ih = 2,4 V, ale roste I CC Příčný proud- NMOS již vede, PMOS ještě není zcela vypnut S p D p D n + Ucc I CC změna napáj. proudu I CC, pokud bude jeden vstup na U ih = 2,4 V u SN74HCT00 (Texas Instruments I CC = typ. 1,4 ma, Philips NXP 0,6 ma) Požadavek strmosti hran vstupního signálu (stejný důvod) zamezit výskytu napětí na vstupu v oblasti rozhodovací úrovně, požadavek doba hran kratší než 500 ns - jinak nárůst I CC Pro bateriové napájení vstupy - úroveň 0, nebo U CC, jinak zvýšení odběru. Nevyužité vstupy připojit na GND nebo U CC, Vysokoimpedanční vstup- nepředvídatelné chování, elektrostatická indukce úroveň H nebo L. Nepředvídatelné chování obvodu CMOS -!!!! kontrola vstupů S n A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 39
40 Typické vstupní parametry obvodů HC, HCT 74HCxxx U m (U t ) = 0,5 Ucc rozhodovací úroveň I i U cc I o U ihmin = 0,7 x Ucc, 3,5 V!!! (při U CC = 5V) U ilmax = 0,3 x Ucc 1,5 V U i U o 74HCTxxx při Ucc= 5 V U m (U t ) = 1,4 V rozhodovací úroveň U ihmin U ilmax = 2 V = 0,8 V I i zbytkový vstupní proud (Input Leakage Current) typ. do 0,1 ua, CMOS prakticky nulový statický vstupní proud oproti TTL. (typicky i menší - řádu na, určen svodovými proudy ochranných diod) (vstup připojen na Ucc, nebo GND) Vstupní kapacity C i = typ. řádově 5-10 pf A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 40
41 Typické výstupní parametry obvodů HC, HCT U OH - určen U CC a velikostí výstupního proudu, vnitřním odporem R P I i U cc I o naprázdno přibližně U OH = U CC U OL určeno velikostí výstupního proudu U i U o a vnitřním odporem R N naprázdno přibližně U OL = 0 V (GND) Vnitřní odpory, pro odhad napětí - přibližně 100 Ohmů a méně (R - pro NMOS tranzistor typ 50 Ohmů a méně) Náhradní schéma výstupu +U CC R P U OL = I O. R N U OH = U CC (I O. R N ) R N U O GND A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 41
42 Mezní parametry obvodů HC, HCT I CC, I GND, I O, I ik, I OK (absolute maximum) překročením hrozí poškození I i U cc I o I CC, I GND - proud svorkou U CC nebo GND = 50 ma (70mA - bus typy)!!! I O - výstupní proud = ± 25 ma (± 35 ma bus typy) (output source or sink current) I IK proud vstupními záchytnými diodami ±20 ma (input diode current) při (U Oi < 0.5 V nebo U Oi > U CC V) (vstup zápornější, než GND; kladnější než Ucc) U i U o I OK output diode current (U O < 0.5 V to U O > U CC V) proud výstupními (parazitními) diodami ±20 ma A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 42
43 Mezní parametry obvodů HC, HCT, důsledky I CC, I GND, I O, I ik, I OK U cc I i I o U i U o Příklad - posuvný registr 74HCT595, použit pro buzení 7- segment LED, výstupy buzení LED proti U CC (úloha cvič.) jak volit proud? I O?? 10mA, katalog I Omax = 25 ma, ANO - OK 10 ma méně než 25 ma, ale!!! 7x 10 ma = 70 ma = I GND max.absolutní pro 74HCT595 je právě 70 ma NE!!! volit nižší proud, např. 5 ma (7x 5 ma = celkem 35 ma) analogicky úvahy u jednočip. mikropočítače D.úkol. - nalézt příslušné parametry a omezení pro AT89C2051 a AT89S8252, STM32F103. Jak by bylo možno budit připojené LED (max. velikost proudů)? A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 43
44 Mezní parametry konkrétních obvodů Způsob orientace v katalogovém listu obvodu přednáška s využitím katalogového listu HC00, 74HCT00, 74HCT595, AT89C2051, STM32F103 viz. katalog - PDF Demonstrace typických a mezních parametrů U i, I ik, I Ok, I CCmax, I GND max, I Omax Vysvětlení způsobu specifikace parametrů obvodu a jak je nalézt v katalogovém listu viz vysvětlení na přednášce a příslušné katalogové listy. STM32F100, hesla: Absolute maximum ratings, General input/output characteristics A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 44
45 STM32F10x Maxima A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 45
46 Ochrana vstupů CMOS log obvody, průrazné napětí izolantu MOS tranzistorů - desítky V, působení statické elektřiny 10 -ky kv, vstupy bez ochrany - průraz poškození struktury ochrana vstupů, - záporně polarizované PN přechody D 1, D 2 Ideové schéma ochrany - obecně důsledky 0 <U i < U cc ; vstupní napětí nesmí být záporné, ani větší, než napájecí U CC D1 U 1 D2 CMOS obvod U 2 příp. omezení velikosti vstup. proudu rezistorem U CC R s U i 1 A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 46
47 Ochranné diody - model Ochrany vstupů, různé řešení, ochrany vstupu 74HCxx poly- Si rezistor 100 Ω D2 U CC U 1 U 2 D Ω HC MOS obvod difundovaný didový rezistor U CC D3 D5 U 1 D4 CMOS obvod U 2 D6 D7 Obecně model s diodami proti GND a U CC. zjednodušený model (pro zapamatování) obvodu CMOS z hlediska diod na vstupech a výstupech A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 47
48 Přídavná ochrana vstupů s rezistorem Situace s částmi obvodu s různými napájecími zdroji nebezpečí částečného výpadku napájení nebo různě rychlého náběhu napájení. Nebezpečí poškození budicího i buzeného obvodu U CC1 U CC2 U CC1 U CC2 R R 2 D 1 1 Ochranný rezistor R 1 (470 Ohmů, - 1 kohm) kompromis mezi ochranou a dynamikou, limitně R = 270 ( příp. 220) Ohmů (5V /270 Ohmů = méně než 20 ma) Zhoršení dynamiky pro výpočet. čas. konstanty C = pf kapacita vstupu obvodu ( až 10 pf) + parazit kapacity krátkého spoje čas. konstanta (tau) τ = 470 Ohmů x 20 pf = přibl s doba náběžné hrany t nab = 2,2 x τ = přibl. 2 x 10-8 s = 20 ns A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 48
49 Řešení ochrany vstupů Pokud není možno zajistit správnou sekvenci náběhu napájení - v nouzi možno použít ochranné rezistory, U CC1 U CC2 U CC1 U CC2 R 1 1 D R 1 1 Využívat na cvičení, zamezení poškození procesoru!!! Volba velikosti ochranného odporu - omezení velikosti vstupního proudu na bezpečnou velikost, např. 5 ma, detaily- hledání v katalogu., absolute ---- max. ratings výpočet časové konstanty ochranného obvodu, parazitní kapacity vstupu obvodu a spojů A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 49
50 Působení diod ve vstupu obvodu CMOS zdroj signálu funguje (nechtěně) jako napáječ obvodu U CC1 = 5V U CC2 < 5V I n zatěžování zdroje signálu jednocestný usměrňovač s D a C zdroj signálu C + i v U n D CMOS log. obv. CMOS log. obv. Pozor na připojení zdroje signálu na vstup procesoru bez napájení (!!! cvičení, připojení vstupů obvodu 74HC595 bez napájení na výstupy STM32F103, použít ochranné rezistory) parazitní napájení obvodu ze zdroje signálu, (příklad, čítač CMOS, viz. výklad) A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 50
51 Působení diod na výstupu obvodu CMOS Působení diody D5 ve výstupní struktuře (důsledek přítomnosti tranzistoru PMOS ve výstupní struktuře) Výpadek napájení U CC2 nebo snížení napájecího napětí CMOS obvodu (např. s třístavovým výstupem) kolize sběrnice Nelze paralelně spojit třístavové výstupy budičů (CMOS) s různým napájecím napětí, např. 5 V a 3,3V Obvod s U CC2 by působil jako parazitní napěťový omezovač. D budič A U CC1 = 5V D U CC D3 D5 U 1 D4 CMOS obvod U 2 D6 D7 budič B U CC2 < 5V i v U CC3 přijímač Řešení: použít obvody 74FCTxxx T, které mají koncový stupeň (analogicky jako TTL ) pouze s MOS tranzistory jednoho druhu vodivosti NMOS A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 51
52 Latch - UP efekt, parazitní tyristor ve struktuře CMOS Přítomnost ochranných diod na vstupu i parazitních diod na výstupu ve struktuře CMOS, parazitní tyristor mezi U CC a GND P - gate T1 U CC R - N sub. Vnucení nadměrného proudu do vstupu nebo výstupu a tekoucího PN přechody - nebezpečí sepnutí parazit. tyristoru mezi U CC a GND. Tyristor - zůstává sepnutý i po odeznění spínacího impulsu. U1 R - P obl. T2 N - gate Omezení proudu tyristoru - pouze odporem přívodů a zdrojem (spálení obvodu). Vypnutí tyristoru, pouze vypnutím napájení Latch UP free - struktura odolná Latch UPefektu, omezení proudu ochranným odporem. u HC - dřívejší zničení vstupní struktury. Pozor CMOS - převodníky, progr. obvody,... A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 52
53 Latch - UP efekt - Proudová injektáž možná i výbojem statické elektřiny do vstupu u jistých konstrukcí možné vyvolání Latch UP a a zničení obvodu (zmínit přiklad obvodu.7). Chránit obvody CMOS před výbojem statické elektřiny a před napěťovými špičkami, možnost částečného poškození vstup/výst bloku, zvýšení proudového odběru (ilustrační příklad se STM32F m.t. ) Výklad na přednášce ochrana proti působení statické elektřiny důsledky pro práci v laboratoři ochranné diody ve vstupech, předávání desek, ukazování rukou na desku, A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 53
54 Působení statické elektřiny práce v laboratoři Předávání desky z ruky do ruky NE!!! Laboratoř, sucho, problém oblečení z umělých materiálů osoba kapacita několik set pf, Elstat napětí i řádu desítek kv každá osoba jiné napětí podle pohybu, chování,oblečení, (svléknutí umělého svetru nabití.). před sáhnutím na desku nejdříve se vybít deska zapojená v obvodu na USB jako uzemněná v nouzi nejdříve se dotknout kostry desky kovové části konektoru,..aby nedošlo k přeskoku na součástku vyrovnat potenciál desky s potenciálem osoby obvod se nemusí zničit hned, ale částečně se poškozuje,.. (příklad- embedded World. expozice - předávání desky C os C 1 os 2 U U 1 2 C desky dotyk na desku C os 1 U 1 GND A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 54
55 Elektrostatický výboj z hlediska obvodů CMOS Elektrostatický výboj Electrostatic Discharge (ESD) ochrana obvodů CMOS počítána na normální podmínky provozu obvodů ( V pro model člověka Human body model náhrada kapacitou) normální neupravené prostory potenciál i desítky kv opakované menší výboje postupné poškozování obvodů, výrok chytráka - sahal jsem na součástky a ještě jsem nic nezničil ukazuje na naprostou neznalost problematiky, Nikdy neukazovat prstem na součástku na desce, ke které jsme právě přišli. Pomocné řešení při práci- spojit se ochranným zemnicím zařízením (s rezistorem řádu megaohmů a počítaného na odolnost napětí řádu Kilovoltů) Pozor - nikdy se nespojovat se zemí přímo vodičem!!! nebezpečí úrazu!!! při dotyku na poškozený přístroj 230 V A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 55
56 Ochrana vstupů 2 Problém pro vstupní napětí U 1 = U i > U cc řešení v některých obvodech náhrada diody MOS tranzistorem vyšší napětí - otevření tranzistoru T 1 U imax = 5 V (5,5 V) (využití u 5V tolerantních obvodů) 100 Ω U CC U 1 U 2 T 1 D 1 CMOS obvod pokud není explicitně uvedeno- počítat s diodou mezi vstupem a U CC CMOS obvody - paměti, mikroprocesory, jednočip. mikropočítače, převodníky A/D v CMOS technologii,... přivedení měřeného napětí ( ze zdroje s malým vnitřním odporem) na vstup A/D převodníku bez napájení - poškození obvodu nadměrným proudem nutné omezení vstupního proudu I I na 10 ( příp. 20 ma), řešení - použití vnějšího rezistoru R= cca 1 kohm (pozor, dynamika) Pamatovat pojem 5V tolerantní vstup, kdy má tento výraz smysl - pouze u obvodu s napájecím napětím nižším než 5 V. Umět nalézt tuto informaci v katalogu A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 56
57 Logické obvody CMOS- advanced varianty Vývoj log. obvodů řady pro zvýšení rychlosti AC - Advanced CMOS, ACT - Advanced CMOS, TTL compatible AC, AHC, VHC napájení Ucc = +2 až +5,5 V ( příp +6 V) U ilmax = 0,3 x Ucc ; U ihmin = 0,7 x Ucc, ACT, AHCT, VHCT, FCT typické napájení má Ucc = + 5 V T značí - obvod je na vstupu kompatibilní s výstupními úrovněmi TTL U ihmin = 2 V; U ilmax = 0,8 V Doporučení řada AHC, kompromis vyšší rychlost než HC, menší rušení a proudové impulsy než AC. AHC má již specifikovány dyn. parametry i pro U CC = +3,3 V AHCT vyšší rychlost oproti HCT, avšak ještě únosné proudové špičky A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 57
58 Parametry log. obvodů CMOS s napájením + 5 V U CCsp napájecí nap.,při kterém jsou specifikovány dynamické parametry řada U CC U CCsp U t U IHmin U ILmax I OLmax I OHmax [V] [V] [V] [V] [V] [ma] [ma] toler. HC ,5.U CC 3,5 1, ne HCT 4,5-5,5 5 1,4 2 0, AHC 2-5,5 3,3; 5 0,5. U CC 3,5 1, ano AHCT 4,5-5,5 5 1,4 2 0, VHC 2-5,5 3,3; 5 0,5.U CC 3,5 1, ano VHCT 4,5-5,5 5 1,4 2 0, AC 2-6 3,3; 5 0,5.U CC 3,5 1, ne ACT 4,5-5,5 5 1,4 2 0, FCT 4,75-5,25 5 1,4 2 0, V A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 58
59 Nízkonapěťová logika CMOS Snižování dynamické výkonové ztráty snižování napájecího napětí L Low Voltage, nízkonapěťová logika. Významná hodnota napájení U CC = +3,3 V Např. sig. procesory, jádro 1,2V, interface obvody 3,3 V otázka + 5 V tolerance vstupů existují řady i s nižším napájecím napětím Řada 74LVC výhodná pro aplikace, rychlost, schopnost budit, + 5 V tolerance vstupů LV řady velmi často pouze v pouzdrech pro povrchovou montáž (není možno pro škol. lab.) A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 59
60 Nízkonapěťová logika CMOS přehled vybraných řad řada U CC U CCopt U t I OLmax I OHmax 5V tol techn. [V] [V] [V] [ma] [ma] vstup LV 2-5,5 3,3 0,5*U CC +8-8 ne CMOS LVT 2,7-3,6 3,3 1, ano BiCMOS ALVT 2,3-3,6 3,3; 2,5 1, ano BiCMOS LVC 2-3,6 3,3 0,5*U CC ano CMOS ALVC 1,65-3,6 3,3; 2,5 0,5*U CC ne CMOS FCT3 2,7-3,6 3,3 1, ano CMOS AVC 1,4-3,6 2,5 0,5*U CC +8-8 ne CMOS LVX 2-3,6 3,3 0,5*U CC +4-4 ano CMOS LVQ 2-3,6 3,3 0,5*U CC ne CMOS LCX 2-3,6 3,3 0,5*U CC ano CMOS VCX 1,4-3,6 2,5 0,5*U CC ne CMOS AUC 1,1-2,7 1,8 0,5*U CC +8-8 ne CMOS A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 60
61 Společné rysy logických obvodů CMOS U t = 0,5.U CC, U IH min = 0,7.U CC, U ILmax = 0,3.U CC (mimo 74**Txx s U CC =5 V) U t 1,4 V, U IH min = 0,8 V, U ILmax = 2 V, pro CMOS TTL komp. ( 74**Txxx) Výstup ve stavu H se chová jako zdroj napětí U out = U CC s vnitřním odporem 25Ω-100Ω (neplatí pro řady 74FCTxxxT se dvěma tranz. NMOS na výst.). Výstup ve stavu L se chová jako zdroj napětí U out = 0 V s R V = 15Ωaž 70Ω. Vstupní klidové proudy jsou velmi malé I I < 1µA. Klidový napájecí proud I CC0 - je řádu jednotek, maximálně stovek mikroampér ( při mezních kladných teplotách C). Na vstupech jsou clamp-diody proti svorce GND (D 2, D 4 dle ). Část obvodů má na vstupech clamp-diody proti svorce U CC (jako D 1, D 3 ). Max. napětí na vstupu U Imax = U CC (s výjimkou 5 V, příp. 3,6 V toler. vstupů) A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 61
62 Proudový odběr logických obvodů Bipolární log. obvody statický proudový odběr a jeho růst s frekvencí Logické obvody CMOS v klidu buzení odporových zátěží proud zátěží zbytkové závěrné proudy přechodů PN, zbytkový proud tepelně generovanými nosiči, roste s teplotou Dynamický proudový odběr - přebíjení kapacit A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 62
63 Dynamická výkonová ztráta obvodů CMOS Přebíjení kapacity C L frekvencí f Dynamická výkonová ztráta nezávislá na velikosti odporů R P, R N (ovlivňují pouze dynamiku) +U CC +U CC C i R P U 1 U 2 C L C PD GND R N U 2 GND C L P= 2 P= fu CC C fu 2 C CC L I = CC f U CC C L A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 63
64 Dynamická výkonová ztráta obvodů CMOS Ekvivalentní ztrátová kapacita C PD (power dissipation capacitace), C PD I CC vyjadřuje parazitní vnitřní kapacity i ztráty proudovým impulsem mezi svorkami +U CC a GND = fu C CC I = CC f U 2 CC C L +U CC U 1 U2 CL C i CC i CC ( CPD+ CL) ICC0UCC I = fu + GND CC0 ( ficpd+ focl) UCC ICC0UCC I = + C PD v katalogu pro daný. log. obvod ( ficpd+ focl) UCC ICC0 I = + Napájecí proud logiky CMOS roste lineárně s frekvencí hod. signálu SN74HC04 (jediný invertor z obvodu) CC SN74HC164 (posuvný registr) A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 64
65 Snižování dynamického odběru obvodů CMOS Snižování proudového odběru: snižování napájecího napětí snižování pracovní frekvence zkracování doby aktivní funkce obvodu (Viz. dig. hodinky, 1,5 V, Hz XTAL) Použití obvodů nízkonapětové logiky, P 2 = fu C CC Snížení odběru mikroprocesorů a mikrořadičů: Rozdělení napájení jádra procesoru 2,5 V, 1,8 V, 1,2V.. napájení budičů výstupů často stále 3,3 V kvůli kompatibilitě s další logikou, ale možno i nižší napětí viz STM32F103 napájení jádra nižší napětí, vnější vstup napájecího napětí, někdy vnitřní regulátor sníženého napětí Snížení taktovací frekvence jádra (PLL) na nutnou hodnotu, aktivace pouze periferií a sběrnic potřebných pro činnost (viz STM32F103) Volba dvou procesorů výkonný (hlavní) a monitorovací (zap.) viz. výklad Problematika bateriového napájení, především snížení odběru A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření 65
Přednáška 4, 5 a část 6 A4B38NVS Návrh vestavěných systémů 2014 katedra měření, ČVUT - FEL, Praha. J. Fischer
Přednáška 4, 5 a část 6 A4B38NVS Návrh vestavěných systémů 2014 katedra měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer A4B38NVS, 2014, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 1 Informace Toto je grafický a heslovitý
VíceLogické obvody CMOS. 2014, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer. A3B38MMP, 2014, J. Fischer, ČVUT - FEL, Praha, kat. měření 1
Logické obvody CMOS 2014, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer A3B38MMP, 2014, J. Fischer, ČVUT - FEL, Praha, kat. měření 1 Polovodiče pro logické obvody, silně zjednodušený pohled detaily viz. kniha-
VícePřednáška 4, 5. A4B38NVS Návrh vestavěných systémů,2012, J. Fischer, katedra měření, ČVUT - FEL, Praha otočení ctrl shift +
Přednáška 4, 5 A4B38NVS Návrh vestavěných systémů,2012, J. Fischer, katedra měření, ČVUT - FEL, Praha otočení ctrl shift + A4B38NVS, 2012, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 1 Informace Toto je grafický
VícePřednáška 4, 5. A4B38NVS Návrh vestavěných systémů,2012, J. Fischer, katedra měření, ČVUT - FEL, Praha otočení ctrl shift +
Přednáška 4, 5 A4B38NVS Návrh vestavěných systémů,2012, J. Fischer, katedra měření, ČVUT - FEL, Praha otočení ctrl shift + A4B38NVS, 2012, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 1 Informace Toto je grafický
VícePřednáška 4, 5 a část 6 A4B38NVS Návrh vestavěných systémů 2015 katedra měření, ČVUT - FEL, Praha
Přednáška 4, 5 a část 6 A4B38NVS Návrh vestavěných systémů 2015 katedra měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer Grafický podkladový materiál k přednášce A4B38NVS Studium tohoto materiálu nenahrazuje účast
Více2015 katedra měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer
Přednáška 4, 5 a část 6 A4B38NVS Návrh vestavěných systémů 2015 katedra měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer Grafický podkladový materiál k přednášce A4B38NVS Studium tohoto materiálu nenahrazuje účast
VícePřednáška 4, 6, část 7. A4B38NVS Návrh vestavěných systémů 2014 katedra měření, ČVUT - FEL, Praha. J. Fischer
Přednáška 4, 6, část 7 A4B38NVS Návrh vestavěných systémů 2014 katedra měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer A4B38NVS, 2014, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 1 Informace Toto je grafický a heslovitý podkladový
VíceVY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů
VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů Vodivost polovodičů pojem polovodiče čistý polovodič, vlastní vodivost příměsová vodivost polovodičová dioda tranzistor Polovodiče Polovodiče jsou látky, jejichž
VícePřednáška 4, 5 a část 6, část 7 A4B38NVS Návrh vestavěných systémů, 2013, J. Fischer, katedra měření, ČVUT - FEL, Praha
Přednáška 4, 5 a část 6, část 7 A4B38NVS Návrh vestavěných systémů, 2013, J. Fischer, katedra měření, ČVUT - FEL, Praha A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 1 Informace Toto je grafický a
VíceUnipolární tranzistory
Unipolární tranzistory MOSFET, JFET, MeSFET, NMOS, PMOS, CMOS Unipolární tranzistory aktivní součástka řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem většinové nosiče menšinové nosiče parazitní charakter
Vícezpůsobují ji volné elektrony, tzv. vodivostní valenční elektrony jsou vázány, nemohou být nosiči proudu
Vodivost v pevných látkách způsobují ji volné elektrony, tzv. vodivostní valenční elektrony jsou vázány, nemohou být nosiči proudu Pásový model atomu znázorňuje energetické stavy elektronů elektrony mohou
VíceÚvod do moderní fyziky. lekce 9 fyzika pevných látek (vedení elektřiny v pevných látkách)
Úvod do moderní fyziky lekce 9 fyzika pevných látek (vedení elektřiny v pevných látkách) krystalické pevné látky pevné látky, jejichž atomy jsou uspořádány do pravidelné 3D struktury zvané mřížka, každý
Více4. Vysvětlete mechanismus fotovodivosti. Jak závisí fotovodivost na dopadajícím světelném záření?
Dioda VA 1. Dvě křemíkové diody se liší pouze plochou PN přechodu. Dioda D1 má plochu přechodu dvakrát větší, než dioda D2. V jakém poměru budou jejich diferenciální odpory, jestliže na obou diodách bude
Více8. Operaèní zesilovaèe
zl_e_new.qxd.4.005 0:34 StrÆnka 80 80 Elektronika souèástky a obvody, principy a pøíklady 8. Operaèní zesilovaèe Operaèní zesilovaèe jsou dnes nejvíce rozšíøenou skupinou analogových obvodù. Jedná se o
VícePolovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.
Polovodičové prvky V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku
VíceTRANZISTORY TRANZISTORY. Bipolární tranzistory. Ing. M. Bešta
TRANZISTORY Tranzistor je aktivní, nelineární polovodičová součástka schopná zesilovat napětí, nebo proud. Tranzistor je asi nejdůležitější polovodičová součástka její schopnost zesilovat znamená, že malé
VíceOtázka č.4. Silnoproudé spínací polovodičové součástky tyristor, IGBT, GTO, triak struktury, vlastnosti, aplikace.
Otázka č.4 Silnoproudé spínací polovodičové součástky tyristor, IGBT, GTO, triak struktury, vlastnosti, aplikace. 1) Tyristor Schematická značka Struktura Tyristor má 3 PN přechody a 4 vrstvy. Jde o spínací
VíceOdrušení plošných spoj Vlastnosti plošných spoj Odpor Kapacitu Induk nost mikropáskového vedení Vlivem vzájemné induk nosti a kapacity eslechy
Odrušení plošných spojů Ing. Jiří Vlček Tento text je určen pro výuku praxe na SPŠE. Doplňuje moji publikaci Základy elektrotechniky Elektrotechnologii. Vlastnosti plošných spojů Odpor R = ρ l/s = ρ l/t
VíceTranzistor polopatě. Tranzistor jako spínač
Tranzistor polopatě Ing. Jiří Bezstarosti Úlohou toho článku není vysvětlit fyzikální činnost tranzistoru, ale spíše naznačit způsoby jeho použití. Zároveň se tento článek bude snažit vysvětlit problematiku
VíceKontrolní otázky a okruhy k testu v semestru A4B38NVS (verze r. 2012) Procesory s jádrem ARM Cortex - M3, (V dalším textu dotazy směřují na jádro ARM
Kontrolní otázky a okruhy k testu v semestru A4B38NVS (verze r. 2012) Procesory s jádrem ARM Cortex - M3, (V dalším textu dotazy směřují na jádro ARM Cortex- M3 - proto, pokud je dotaz na procesor, míní
VíceZkouškové otázky z A7B31ELI
Zkouškové otázky z A7B31ELI 1 V jakých jednotkách se vyjadřuje napětí - uveďte název a značku jednotky 2 V jakých jednotkách se vyjadřuje proud - uveďte název a značku jednotky 3 V jakých jednotkách se
VíceA4B38NVS, 2011, kat. měření, J.Fischer, ČVUT - FEL. 2011, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha. J. Fischer. Přednáška 7
Přednáška 7 011, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer 1 Náplň přednášky Poznámky ke cvičením: živení HW RS-3 + 5 V tolerance pinů STM3 log. obvody CBT dynamický odběr CMOS, blokování rozvodu napájení
VíceIGBT Insulated Gate Bipolar Transistor speciální polovodičová struktura IGBT se používá jako spínací tranzistor nejdůležitější součástka výkonové
IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor speciální polovodičová struktura IGBT se používá jako spínací tranzistor nejdůležitější součástka výkonové elektroniky chová se jako bipolární tranzistor řízený unipolárním
VíceUNIPOLÁRNÍ TRANZISTOR
UNIPOLÁRNÍ TRANZISTOR Unipolární tranzistor neboli polem řízený tranzistor, FET (Field Effect Transistor), se stejně jako tranzistor bipolární používá pro zesilování, spínání signálů a realizaci logických
VíceVLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU
VLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU Úvod: Čas ke studiu: Polovodičové součástky pro výkonovou elektroniku využívají stejné principy jako běžně používané polovodičové součástky
VíceNapájení mikroprocesorů. ČVUT- FEL, katedra měření, přednášející Jan Fischer. studenty zapsané v předmětu: A4B38NVS
Napájení mikroprocesorů v. 2012 Materiál je určen jako pomocný materiál pouze pro studenty zapsané v předmětu: A4B38NVS ČVUT- FEL, katedra měření, přednášející Jan Fischer A4B38NVS, 2012, J.Fischer, kat.
VíceÚloha Ohmetr zadání úlohy
Úloha Ohmetr zadání úlohy Přednáška 3 - část A3B38MMP kat. měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer A3B38MMP, 2015, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 1 Měření odporu pomocí MKO 74121 Sestavte mikroprocesorem
VícePolovodičov. ové prvky. 4.přednáška
Polovodičov ové prvky 4.přednáška Polovodiče Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku (Si). Čisté krystaly křemíku mají za pokojové teploty jen
VíceŘízené polovodičové součástky. Výkonová elektronika
Řízené polovodičové součástky Výkonová elektronika Polovodičové součástky s řízeným zapnutím řídící signál přivede spínač z blokovacího do propustného stavu do závěrného stavu jen vnější komutací (přerušením)
Vícemaxon motor maxon motor řídicí jednotka ADS 50/10 Objednací číslo 201583 Návod k obsluze vydání duben 2006
maxon motor řídicí jednotka ADS 50/10 Objednací číslo 201583 Návod k obsluze vydání duben 2006 ADS 50/10 je výkonná řídicí jednotka pro řízení stejnosměrných DC motorů s permanentními magnety a výkony
VíceKroužek elektroniky 2010-2011
Dům dětí a mládeže Bílina Havířská 529/10 418 01 Bílina tel. 417 821 527 http://www.ddmbilina.cz e-mail: ddmbilina@seznam.cz Kroužek elektroniky 2010-2011 Dům dětí a mládeže Bílina 2010-2011 1 (pouze pro
VíceLOGICKÉ OBVODY. souèástka se doplòuje na sklad # souèástka na skladì, výprodej Dodací podmínky neoznaèených souèástek sdìlíme na poptávku
LOGICKÉ OBVODY Logické obvody øada technologie log. úroveò (V) rozsah Uc (V) Ic ( A) tpd max (ns] vstup výstup MOS 4000 Standard CMOS 5.0 3.0 ~ 18.0 20 CMOS CMOS 74 HC High Speed CMOS 5.0 2.0 ~ 6.0 80
VíceODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ
Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: T3.2.1 MĚŘENÍ NA UNIPOLÁRNÍCH TRANZISTORECH A IO Obor: Mechanik elektronik Ročník: 2. Zpracoval(a): Bc. Josef Mahdal Střední průmyslová škola Uherský Brod,
VíceDatum tvorby 15.6.2012
Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_2.MA_01_Lineární prvky el_obvodů Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická
VíceOkruhy a kontrolní otázky k testu v semestru A4B38NVS (verze r. 2015) Procesory s jádrem ARM Cortex - M3, (V dalším textu dotazy směřují na jádro ARM
Okruhy a kontrolní otázky k testu v semestru A4B38NVS (verze r. 2015) Procesory s jádrem ARM Cortex - M3, (V dalším textu dotazy směřují na jádro ARM Cortex- M3 - proto, pokud je dotaz na procesor, míní
VíceInteligentní Polovodičový Analyzér Provozní manuál
Inteligentní Polovodičový Analyzér Provozní manuál Před uvedením přístroje do provozu si velmi pečlivě přečtěte tento provozní manuál. Obsahuje důležité bezpečnostní informace. 3 Obsah.. Strana Úvod...
VíceRozhraní mikrořadiče, SPI, IIC bus,..
Rozhraní mikrořadiče, SPI, IIC bus,.. Přednáška A3B38MMP 2013 kat. měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer A3B38MMP, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha 1 Rozhraní SPI Rozhraní SPI ( Serial Peripheral
Více3. D/A a A/D převodníky
3. D/A a A/D převodníky 3.1 D/A převodníky Digitálně/analogové (D/A) převodníky slouží k převodu číslicově vyjádřené hodnoty (např. v úrovních TTL) ve dvojkové soustavě na hodnotu nějaké analogové veličiny.
VíceOptoelektrické senzory, obrazové senzory CMOS pro vestavné systémy
Optoelektrické senzory, obrazové senzory CMOS pro vestavné systémy Materiál je určen pouze jako pomocný materiál pro studenty zapsané v předmětu: A4M38AVS ČVUT- FEL, katedra měření, přednášející Jan Fischer
VíceSupertex MOSFET. Typy. MOSFET s vodivým kanálem. MOSFET s indukovaným kanálem N. Pro vypnutí je nutné záporné napětí V. napětí VGS zvýší vodivost
Supertex MOSFET Napěťové stabilizátory Budiče LED Vícekanálové budiče pro velké napětí Budiče elektroluminisenčních svítidel Ultrazvukové IO Speciální IO Supertex MOSFET Typy MOSFET s vodivým kanálem Normálně
VíceVážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího
VíceETC Embedded Technology Club setkání 6, 3B zahájení třetího ročníku
ETC Embedded Technology Club setkání 6, 3B 13.11. 2018 zahájení třetího ročníku Katedra měření, Katedra telekomunikací,, ČVUT- FEL, Praha doc. Ing. Jan Fischer, CSc. ETC club,6, 3B 13.11.2018, ČVUT- FEL,
VíceFET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů
FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů (elektrony nebo díry) pracují s kanálem jednoho typu vodivosti
VíceManuální, technická a elektrozručnost
Manuální, technická a elektrozručnost Realizace praktických úloh zaměřených na dovednosti v oblastech: Vybavení elektrolaboratoře Schématické značky, základy pájení Fyzikální principy činnosti základních
VíceMěření na unipolárním tranzistoru
Měření na unipolárním tranzistoru Teoretický rozbor: Unipolární tranzistor je polovodičová součástka skládající se z polovodičů tpu N a P. Oproti bipolárnímu tranzistoru má jednu základní výhodu. Bipolární
VíceKurs praktické elektroniky a kutění
Kurs praktické elektroniky a kutění Katedra měření, ČVUT FEL, Praha 12.9. 16.9.2016 19.9. 23.9.2016 Doc. Ing. Jan Holub, PhD. Vedoucí katedry měření Doc. Ing. Jan Fischer, CSc. prezentující Tento materiál
VíceMĚŘENÍ POLOVODIČOVÉHO USMĚRŇOVAČE STABILIZACE NAPĚTÍ
Úloha č. MĚŘENÍ POLOVODIČOVÉHO SMĚRŇOVČE STBILIZCE NPĚTÍ ÚKOL MĚŘENÍ:. Změřte charakteristiku křemíkové diody v propustném směru. Měřenou závislost zpracujte graficky formou I d = f ( ). d. Změřte závěrnou
VíceSTAVEBNÍ NÁVODY 1 pro činnost v elektro a radio kroužcích a klubech
STAVEBNÍ NÁVODY 1 pro činnost v elektro a radio kroužcích a klubech Nejjednodušší stavební návody Verze V.4, stav k 5. prosinci 2014. Byl upraven Stavební návod na Cvrčka. Víte o dalších zajímavých návodech?
VícePřevodníky f/u, obvod NE555
Převodníky f/u, obvod NE555 Na tomto cvičení byste se měli seznámit s funkcí jednoduchého převodníku kmitočet/napětí sestaveného z dvojice operačních zesilovačů. Dále byste se měli seznámit s obvodem NE555.
VícePřednáška A3B38MMP. Bloky mikropočítače vestavné aplikace, dohlížecí obvody. 2015, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer
Přednáška A3B38MMP Bloky mikropočítače vestavné aplikace, dohlížecí obvody 2015, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer A3B38MMP, 2015, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL Praha 1 Hlavní bloky procesoru
VíceFEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů
Unipolární tranzistory Řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem: FET [Field - Effect Transistor] Proud přenášen jedním typem nosičů náboje (unipolární): - majoritní nosiče v inverzním kanálu - neuplatňuje
VíceNapájení mikroprocesorů
Napájení mikroprocesorů Přednáška A4B38NVS ČVUT- FEL, katedra měření, přednášející Jan Fischer A4B38NVS, 2014, J.Fischer, kat. měření, ČVUT FEL, Praha 1 Náplň Napájení síťové napájení, bateriové napájení
VíceMĚŘENÍ TRANZISTOROVÉHO ZESILOVAČE
Úloha č. 3 MĚŘÍ TRAZISTOROVÉHO ZSILOVAČ ÚOL MĚŘÍ:. Změřte a) charakteristiku I = f (I ) při U = konst. tranzistoru se společným emitorem a nakreslete její graf; b) zesilovací činitel β tranzistoru se společným
VíceODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY
Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: MEII - 5.4.1 KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY Obor: Mechanik elektronik Ročník: 2. Zpracoval(a): Jiří Kolář Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2010 Projekt je
VíceZadání úlohy: Vestavný systém schodišťový automat se zobrazením
Zadání úlohy: Vestavný systém schodišťový automat se zobrazením Úkol: Navrhněte a realizujte vestavný systém řídicí jednotku schodišťového automatu s nastavením délky času sepnutí a jeho číslicovou indikací.
VíceUrčeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče
Určeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče Pracovní list - test vytvořil: Ing. Lubomír Kořínek Období vytvoření VM: listopad 2013 Klíčová slova: dioda, tranzistor,
VíceLOGIC. Stavebnice PROMOS Line 2. Technický manuál
ELSO, Jaselská 177 28000 KOLÍN, Z tel/fax +420-321-727753 http://www.elsaco.cz mail: elsaco@elsaco.cz Stavebnice PROMOS Line 2 LOGI Technický manuál 17. 04. 2014 2005 sdružení ELSO Účelová publikace ELSO
Více11-1. PN přechod. v přechodu MIS (Metal - Insolator - Semiconductor),
11-1. PN přechod Tzv. kontaktní jevy vznikají na přechodu látek s rozdílnou elektrickou vodivostí a jsou základem prakticky všech polovodičových součástek. v přechodu PN (který vzniká na rozhraní polovodiče
VíceELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY
ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY VZORY OTÁZEK A PŘÍKLADŮ K TUTORIÁLU 1 1. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Proč je používáme. 2. Co jsou polovodiče vlastní. 3. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Jakým způsobem
VíceÚloha- Systém sběru dat, A4B38NVS, ČVUT - FEL, 2015 1
Úloha Sběr dat (v. 2015) Výklad pojmu systém sběru dat - Systém sběru dat (Data Acquisition System - DAQ) je možno pro účely této úlohy velmi zjednodušeně popsat jako zařízení, které sbírá a vyhodnocuje
VíceKUFŘÍK ELEKTŘINA EA2 419.0009
KUFŘÍK ELEKTŘINA EA 49.0009 ELEKTŘINA ELEKTRONIKA Francouzský překlad: Michelle Vadon Český překlad: Jaromír Kekule SEZNAM POMŮCEK Kat. číslo 33005404 3700006 33005306 33005307 3300506038 3300530 3364006083
VíceZavádění inovativních metod a výukových materiálů do přírodovědných předmětů na Gymnáziu v Krnově. 07_3_Elektrický proud v polovodičích
Zavádění inovativních metod a výukových materiálů do přírodovědných předmětů na Gymnáziu v Krnově 07_3_Elektrický proud v polovodičích Ing. Jakub Ulmann 3 Polovodiče Př. 1: Co je to? Př. 2: Co je to? Mikroprocesor
VíceProjekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.08/03.0009 NAPÁJECÍ ZDROJE
Projekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.08/03.0009 NAPÁJECÍ ZDROJE Použitá literatura: Kesl, J.: Elektronika I - analogová technika, nakladatelství BEN - technická
VíceElektronický analogový otáčkoměr V2.0 STAVEBNICE
Elektronický analogový otáčkoměr V2.0 STAVEBNICE Dostala se Vám do rukou elektronická stavebnice skládající se z desky plošného spoje a elektronických součástek. Při sestavování stavebnice je třeba dbát
VíceELEKTRICKÝ PROUD V KAPALINÁCH, PLYNECH A POLOVODIČÍCH
Škola: Autor: DUM: Vzdělávací obor: Tematický okruh: Téma: Masarykovo gymnázium Vsetín Mgr. Jitka Novosadová MGV_F_SS_3S3_D14_Z_OPAK_E_Elektricky_proud_v_kapalinach _plynech_a_polovodicich_t Člověk a příroda
VíceMĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření parametrů logického obvodu, část 3-6-3
MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů logického obvodu, část Číslo projektu: Název projektu: Šablona: III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Sada: 21 Číslo materiálu: VY_32_INOVACE_SPŠ-ELE-5-III2_E3_03
Více1. Energetická pásová struktura pevných látek; izolanty, polovodiče, kovy; typy vodivostí, drift a difúze.
1. Energetická pásová struktura pevných látek; izolanty, polovodiče, kovy; typy vodivostí, drift a difúze. 2. Druhy polovodičů (vlastní a nevlastní polovodiče); generace a rekombinace páru elektron díra.
VíceFEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4
Využití vlastností polovodičových přechodů Oblast prostorového náboje elektrické pole na přechodu Propustný směr difůze majoritních nosičů Závěrný směr extrakce minoritních nosičů Rekombinace na přechodu
VíceInovace výuky předmětu Robotika v lékařství
Přednáška 7 Inovace výuky předmětu Robotika v lékařství Senzory a aktuátory používané v robotických systémech. Regulace otáček stejnosměrných motorů (aktuátorů) Pro pohon jednotlivých os robota jsou často
VíceTest. Kategorie M. 1 Laboratorní měřicí přístroj univerzální čítač (např. Tesla BM641) využijeme například k:
Krajské kolo soutěže dětí a mládeže v radioelektronice, Vyškov 2009 Test Kategorie M START. ČÍSLO BODŮ/OPRAVIL U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Laboratorní měřicí přístroj univerzální
VíceProjekt - Voltmetr. Přednáška 3 - část A3B38MMP, 2015 J. Fischer kat. měření, ČVUT - FEL, Praha. A3B38MMP, 2015, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 1
Projekt - Voltmetr Přednáška 3 - část A3B38MMP, 2015 J. Fischer kat. měření, ČVUT - FEL, Praha A3B38MMP, 2015, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 1 Náplň Projekt Voltmetr Princip převodu Obvodové řešení
VíceIng. Milan Nechanický. Cvičení. SOUBOR PŘÍPRAV PRO 3. R. OBORU 23-41-M/01 Elektrotechnika - Mechatronika. Monitorovací indikátor 06.43.
STŘEDNÍ PRŮMYSLOVÁ ŠKOLA STROJNICKÁ A STŘEDNÍ ODBORNÁ ŠKOLA PROFESORA ŠVEJCARA, PLZEŇ, KLATOVSKÁ 109 Ing. Milan Nechanický Měření a diagnostika Cvičení SOUBOR PŘÍPRAV PRO 3. R. OBORU 23-41-M/01 Elektrotechnika
VíceZesilovač. Elektronický obvod zvyšující hodnotu napětí nebo proudu při zachování tvaru jeho průběhu. Princip zesilovače. Realizace zesilovačů
Zesilovač Elektronický obvod zvyšující hodnotu napětí nebo proudu při zachování tvaru jeho průběhu Princip zesilovače Zesilovač je dvojbran který může současně zesilovat napětí i proud nebo pouze napětí
VíceROZD LENÍ ZESILOVA Hlavní hledisko : Další hlediska : A) Podle kmito zesilovaných signál B) Podle rozsahu zpracovávaného kmito tového pásma
ROZDĚLENÍ ZESILOVAČŮ Hlavní hledisko : A) Zesilovače malého signálu B) Zesilovače velkého signálu Další hlediska : A) Podle kmitočtů zesilovaných signálů -nízkofrekvenční -vysokofrekvenční B) Podle rozsahu
VícePolovodiče Polovodičové měniče
Polovodiče Polovodičové měniče Ing. Tomáš Mlčák, Ph.D. Fakulta elektrotechniky a informatiky VŠB TUO Katedra elektrotechniky www.fei.vsb.cz/kat452 PEZ I ELEKTRONIKA Podoblast elektrotechniky která využívá
VíceSpínače s tranzistory řízenými elektrickým polem. Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT
Spínače s tranzistory řízenými elektrickým polem Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT Základní vlastnosti spínačů s tranzistory FET, IGBT resp. IGCT plně řízený spínač nízkovýkonové řízení malý
VíceŘádkové snímače CCD. zapsané v předmětu: Videometrie a bezdotykové měření, ČVUT- FEL, katedra měření, přednášející Jan Fischer
Řádkové snímače CCD v. 2011 Materiál je určen pouze jako pomocný materiál pro studenty zapsané v předmětu: Videometrie a bezdotykové měření, ČVUT- FEL, katedra měření, přednášející Jan Fischer Jan Fischer,
VíceOsnova: 1. Klopné obvody 2. Univerzálníobvod 555 3. Oscilátory
K620ZENT Základy elektroniky Přednáška ř č. 6 Osnova: 1. Klopné obvody 2. Univerzálníobvod 555 3. Oscilátory Bistabilní klopný obvod Po připojení ke zdroji napájecího napětí se obvod ustálí tak, že jeden
VíceVY_32_INOVACE_ENI_2.MA_04_Zesilovače a Oscilátory
Číslo projektu Číslo materiálu CZ..07/.5.00/34.058 VY_3_INOVACE_ENI_.MA_04_Zesilovače a Oscilátory Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická
Více2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω.
A5M34ELE - testy 1. Vypočtěte velikost odporu rezistoru R 1 z obrázku. U 1 =15 V, U 2 =8 V, U 3 =10 V, R 2 =200Ω a R 3 =1kΩ. 2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty
Vícenapájecí zdroj I 1 zesilovač Obr. 1: Zesilovač jako čtyřpól
. ZESILOVACÍ OBVODY (ZESILOVAČE).. Rozdělení, základní pojmy a vlastnosti ZESILOVAČ Zesilovač je elektronické zařízení, které zesiluje elektrický signál. Má vstup a výstup, tzn. je to čtyřpól na jehož
VícePRAKTIKUM III. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Název: Charakteristiky optoelektronických součástek
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM III. Úloha č. 5 Název: Charakteristiky optoelektronických součástek Pracoval: Lukáš Vejmelka obor (kruh) FMUZV (73) dne 3.3.2014
VíceELEKTRICKÝ PROUD V POLOVODIČÍCH
LKTRIKÝ ROUD V OLOVODIČÍH 1. olovodiče olovodiče mohou snadno měnit svůj odpor. Mohou tak mít vlastnosti jak vodičů tak izolantů, což záleží například na jejich teplotě, osvětlení, příměsích. Odpor mění
VíceIntegrovaná střední škola, Sokolnice 496
Název projektu: Moderní škola Integrovaná střední škola, Sokolnice 496 Registrační číslo: CZ.1.07/1.5.00/34.0467 Název klíčové aktivity: III/2 - Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Kód výstupu:
VíceElektronika pro informační technologie (IEL)
Elektronika pro informační technologie (IEL) Třetí laboratorní cvičení Brno University of Technology, Faculty of Information Technology Božetěchova 1/2, 612 66 Brno - Královo Pole inecasova@fit.vutbr.cz
VíceETC Embedded Technology Club 7. setkání
T mbedded Technology lub 7. setkání 31.1. 2017 Katedra telekomunikací, Katedra měření, ČVUT- FL, Praha doc. Ing. Jan Fischer, Sc. T club - 7, 31.1.2017, ČVUT- FL, Praha 1 Náplň Výklad: ipolární tranzistor
VíceStopař pro začátečníky
Stopař pro začátečníky Miroslav Sámel Před nějakou dobou se na http://letsmakerobots.com/node/8396 objevilo zajímavé a jednoduché zapojení elektroniky sledovače čáry. Zejména začínající robotáři mají problémy
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
VíceIntegrovaná střední škola, Kumburská 846, Nová Paka Elektronika - Zdroje SPÍNANÉ ZDROJE
SPÍNANÉ ZDROJE Problematika spínaných zdrojů Popularita spínaných zdrojů v poslední době velmi roste a stávají se převažující skupinou zdrojů na trhu. Umožňují vytvářet kompaktní přístroje s malou hmotností
VíceHlídač plamene SP 1.4 S
Hlídač plamene SP 1.4 S Obsah: 1. Úvod 2. Technické údaje 3. Vnější návaznosti 4. Provoz 4.1 Způsob použití 4.2 Aplikace tubusu 4.3 Pokyny pro provoz 4.4 Bezpečnostní předpisy 4.5 Kontrola funkce 4.6 Zkušební
Více1 ÚVOD DO PŘEDMĚTU...11 1.1 1.2 1.3 2 ZÁKLADNÍ OBVODY...14
Obsah 1 ÚVOD DO PŘEDMĚTU...11 1.1 Cíl učebnice...11 1.2 Přehled a rozdělení elektroniky...11 1.3 Vstupní test...12 2 ZÁKLADNÍ OBVODY...14 2.1 Základní pojmy z elektroniky...14 2.1.1 Pracovní bod...16 2.2
VíceObrázek 1: Schematická značka polovodičové diody. Obrázek 2: Vlevo dioda zapojená v propustném směru, vpravo dioda zapojená v závěrném směru
Škola: Autor: DUM: Vzdělávací obor: Tematický okruh: Téma: Masarykovo gymnázium Vsetín Mgr. Jitka Novosadová MGV_F_SS_2S2_D16_Z_ELMAG_Polovodicove_soucastky_PL Člověk a příroda Fyzika Elektřina a magnetismus
VíceElektřina a magnetizmus polovodiče
DUM Základy přírodních věd DUM III/2-T3-11 Téma: polovodiče Střední škola Rok: 2012 2013 Varianta: A Zpracoval: Mgr. Pavel Hrubý a Mgr. Josef Kormaník VÝKLAD Elektřina a magnetizmus polovodiče Obsah POLOVODIČ...
VíceSpecifikace modulu. Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Skladovací teplota. Provozní vlhkost. Skladovací vlhkost.
Modul má čtyři elektricky oddělené kontakty typu C. Specifikace modulu Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení 48,8 mm x 120 mm x 71,5 mm K elektricky oddělenému kontaktu relé. Provozní teplota
VíceSLP-KONSTANTER, řady SLP 120 / 240 / 320 Laboratorní zdroj
Vydání: 3/2004 Velmi krátké časové konstanty díky BET technologii (dvousměrná transformace energie) Auto-ranging výstup se 120 W, 240 W příp. 320 W Krátkodobě dvojnásobný výstupní výkon Remote sensing
VíceA8B32IES Úvod do elektronických systémů
A8B32IES Úvod do elektronických systémů 29.10.2014 Polovodičová dioda charakteristiky, parametry, aplikace Elektronické prvky a jejich reprezentace Ideální dioda Reálná dioda a její charakteristiky Porovnání
VíceFYZIKA 2. ROČNÍK. Elektrický proud v kovech a polovodičích. Elektronová vodivost kovů. Ohmův zákon pro část elektrického obvodu
FYZK. OČNÍK a polovodičích - v krystalové mřížce kovů - valenční elektrony - jsou společné všem atomům kovu a mohou se v něm volně pohybovat volné elektrony Elektronová vodivost kovů Teorie elektronové
VíceMĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů logického obvodu část Teoretický rozbor
MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření část 3-6-1 Teoretický rozbor Výukový materiál Číslo projektu: CZ.1.07/1.5.00/34.0093 Šablona: III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Sada: 1 Číslo materiálu:
VíceELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY
TEMATICKÉ OKRUHY ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 1. Základní pojmy fyziky polovodičů. Pásová struktura její souvislost s elektronovým obalem atomu, vliv na elektrickou vodivost materiálů. Polovodiče vlastní a nevlastní.
VíceOtázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna
Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Tato otázka přepokládá znalost otázky č. - polovodiče. Doporučuji ujasnit
Více