Praktikum z výkonové elektroniky

Rozměr: px
Začít zobrazení ze stránky:

Download "Praktikum z výkonové elektroniky"

Transkript

1 UNIVERZITA OBRANY Fakulta vojenských technologií Katedra elektrotechniky S-3708 Praktikum z výkonové elektroniky Autor: Ing. Jan Leuchter, Ph.D. ISBN BRNO 2006

2 Obsah Obsah Předmluva. 1. Úvod do výkonové elektroniky.. 2. Prvky pro výkonovou elektroniku.. 3. Obvody výkonové elektroniky Laboratorní cvičení: Organizace a pokyny k laboratorním cvičením.. 1-LC: Měření základních elektrických vlastností výkonové diody... 2-LC: Měření elektrických vlastností výkonových spínačů (I).. 3-LC: Měření elektrických vlastností výkonových spínačů (II). 4-LC: Vlastnosti neřízených diodových usměrňovačů... 5-LC: Stejnosměrný pohon napájený z řízeného usměrňovače s tyristory 6-LC: Měření na řízených usměrňovačích s IGBT tranzistory a s PWM 7-LC: Měření DC/DC měničů s indukčností a transformátorem.. 8-LC: Měření na DC/DC měničích (střídačích).. 9-LC: Asynchronní motor s měničem frekvence LC: Měření na fotovoltaických zdrojích elektrické energie. Příloha 1: Obsah a osnova předmětu: Výkonové polovodičové měniče. Příloha 2: Popis frekvenčního měniče SIEMENS SIMOVERT. Literatura

3 Předmluva Skriptum Praktikum z výkonové elektroniky je směřováno posluchačům fakulty Vojenských technologií jak pro elektrotechnické obory, tak pro strojní obory. Je určeno jako pomůcka pro laboratorní praktika a k prohloubení samostatného studia v předmětu magisterské nadstavby Výkonové polovodičové měniče a Zdroje elektrické energie zbraňových systémů. Předmětem jsou moderní zapojení polovodičových pulsních měničů, spínané zdroje elektrické energie a dále obvody používané v oblasti elektrických pohonů. Skriptum obsahuje soubor 10-ti laboratorních úloh, které plně pokrývají obsahem i rozsahem požadavky na domácí přípravu posluchačů v souladu s učebním programem. Některé obrázky a částečně i text obrázků je v anglickém jazyce z důvodů pro seznámení se s anglickou terminologií. Z hlediska metodického přístupu ke studiu je třeba zdůraznit specifický rys předmětu, spočívající v encyklopedickém pojetí předmětu se širokým rozsahem fyzikálních teorií a funkčních principů, na nichž jsou současné výkonové polovodičové měniče založeny. S tím souvisí znalost velkého množství druhů součástek, měničů a jejich aplikačních možností, které vzhledem k předchozí průpravě bakalářského studia ne každý student dokáže bez samostatné přípravy v plném rozsahu dostatečně zvládnout. Bezesporu nejlepším motivačním prvkem je zájem průmyslu (českého i zahraničního: Siemens; ABB; Škoda; Aero Vodochody; atd.) o absolventy v oboru Výkonová elektronika. Závěrem se omlouvám za případné chyby, které při zpracování skript vznikly a současně předem děkuji za případné připomínky, které mohou přispět kvalitě zpracování učebních fondů v budoucnosti. Jan Leuchter 3

4 1. Úvod do Výkonové elektroniky Moderní složité systémy, mezi něž lze samozřejmě zařadit soudobé a postupně nasazované zbraňové systémy, jako jsou např. bojová vozidla, letadla, rakety a systémy jejich řízení, systémy řízení palby, systémy protivzdušné obrany, radiolokační a telekomunikační systémy, vyžadují zcela nový přístup k jejich konstruování a výrobě, ale i nové způsoby organizace celého cyklu užití od nasazení do provozu, obsluhy, oprav až po vyřazení z provozu. S tím ovšem souvisí potřeba nového přístupu k přípravě a zaměření specialistů, kteří budou takovou techniku navrhovat, vyrábět, používat a organizovat její provoz. Klasické, dnes již překonané rozdělení na strojní a elektrotechnické specializace, již nestačí. Mohutný technický rozvoj ve většině technických oborů, zejména v elektrotechnice a informační technice vedl postupně ke vzniku nových studijních oborů a specializací. Vznikají různá mezioborová studia ve snaze využít více elektrotechniky, elektroniky a výpočetní techniky v původně strojařských oborech. Obr Výkonová elektronika (Power Electronics) Výkonová elektronika se stává součástí výkonové elektrotechniky (dříve silnoproudé elektrotechniky) a elektroenergetiky. Při značném zjednodušení je možné říci, že právě výkonová elektronika spojuje mechaniku s elektronikou a s řídící technikou, viz obr Obvody výkonové elektroniky umožnily přechod od elektromechanických kontaktních způsobů ovládání a přeměny elektrické energie k bezkontaktním polovodičovým zařízením a systémům, rotační měniče elektrické energie proměnily na statické polovodičové měniče. 4

5 Elektrická energie je nejvýznamnější formou energie, která nalezla již na začátku tohoto století uplatnění v široké oblasti techniky. Užitná hodnota elektrické energie se výrazně zvyšuje s možností měnit její parametry (napětí, proud, kmitočet, fázi, atd). Jeden z prvních měničů byl selenový usměrňovač kolem roku 1880 a sloužil hlavně jako zařízení pro dobíjení telefonních baterií. Kvalitativním pokrokem byl objev rtuťového usměrňovače v roce Ten byl hromadně použit ve dvacátých letech v měnírnách elektrických drah. V roce 1928 byla zahájena výroba rtuťových usměrňovačů v ČKD. Dalším kvalitativním krokem byl objev PN přechodu v roce 1947 využitého pro slaboproudou elektrotechniku. Pro silnoproudou elektrotechniku byly použity výkonové diody a tyristory v roce 1955 a výkonové tranzistory v roce 1964 [1]. V roce 1970 byl realizován výkonový bipolární tranzistor umožňující stavbu stejnosměrných a střídavých měničů s pulsně šířkovou modulací (PWM). Od roku 1980 jsou používány výkonové unipolární tranzistory MOSFET, vypínatelné tyristory GTO a tranzistory s izolovanou bází IGBT (1990). Současná etapa se vyznačuje dalším zvyšováním parametrů výkonových prvků, jednak nástupem nových prvků jako jsou MCT tyristory (MOS Controlled Thyristor), tranzistory SIT (Static Induction Transistor) a tyristor SITh (Static Induction Thyristor). Souběžně s rozvojem součástek docházelo také k vývoji silových zapojení měničů, komutačních obvodů a ochran součástek. S měnícími se parametry a technickými vlastnostmi součástek výkonové elektroniky a z nich vyráběných měničů, došlo k rozšíření využití této techniky i do dalších oblastí. Měniče výkonové elektroniky byly používány v měnírnách elektrické trakce (např. městské hromadné dopravy) a dále byly např. používány stejnosměrné regulační pohony ve válcovnách a na dolech, střídavé pohony byly nasazeny jako regulační pohony čerpadel, kompresorů atd. Blokové schéma základního uspořádání výkonového elektronického systému je na obr Pro úplnost je obr. popsán anglickou terminologií. Systém je složen z vlastní výkonové části (Power Processor) a dále z řídící jednotky (Controller) a zátěže (Load). Výkonovou část tvoří elektromotor a výkonový měnič. Tuto soustavu je nutno řídit a tedy nedílnou součástí je řídící a regulační systém, na jehož vstupy jsou přiváděny jednak žádané hodnoty, jednak skutečné hodnoty ze zpětnovazebních snímačů. Řídící a regulační podsystém je dnes realizován obvykle mikropočítačem s příslušnými přizpůsobovacími obvody, realizovanými A/D a D/A převodníky, obvody programovatelných logických polí a hardwarovými modulátory pro pulsně šířkovou modulaci. Výkonové mikropočítače umožňují i aplikace moderních metod řízení elektrických pohonů, jakými jsou např. optimální řízení, adaptivní řízení, fuzzy logické řízení a neuronové řízení. Systémový pohled na takový systém vyžaduje znalost kinematického a dynamického popisu poháněcího zařízení, musí znát metodiku dimenzování a musí mít znalosti z měničové techniky (prvky, obvodové 5

6 struktury a způsoby řízení měničů jak elektronických, tak i elektromechanických). Musí mít znalosti jak z analogové regulační techniky tak i z digitální včetně regulačních struktur a algoritmů řízení. Nezbytná je znalost snímačů jak elektrických, tak neelektrických veličin, technické diagnostiky a teorie spolehlivosti. MĚNIČ- CONVERTER Power input Power Processor Power output Load Control Signals Controller Measurements Reference Obr Blokové schéma uspořádání výkonového elektronického systému 6

7 2. Prvky pro výkonovou elektroniku Výkonová elektronika má v současné době velké množství aplikací v celém rozsahu výkonů od jednotek wattů pro obvody spotřební elektroniky po megawatty v oblasti distribuce elektrické energie. Na jedné straně je možno ovládat stále větší výkony, na straně druhé jsou realizovány složité výkonové integrované obvody pro náročné a velmi rychlé aplikace pro systémy automatizovaného řízení. Těžiště pokroku je v součástkové základně výkonové elektroniky, která se v současné době rozvíjí rychlým tempem. Kromě neustálého zvyšování parametrů součástek se objevují i nové součástky a především klesá jejich cena. Současný trend výrobců polovodičů pro výkonovou elektroniku je možné shrnou do následujících bodů: nízká cena, snižování cen, vysoká spolehlivost, velké mezní proudy, velká mezní napětí, rychlé spínání (krátká doba sepnutí a vypnutí spínače), nízké ztráty, vysoké kmitočty, integrovatelnost, velikost a objem. Výše uvedené trendy umožňují nové technologie ve výrobě polovodičů, nové polovodičové prvky s velmi výhodnými statickými a dynamickými parametry, kvalitní a levnější materiály. Nejstaršími prvky výkonové elektroniky, dodnes používanými, jsou výkonové diody a tyristory. Pro použití tyristorů ve střídavých měničích byla nutná vnější komutace (vypnutí) přídavnými komutačními obvody, spínací frekvence nepřevyšuje stovky Hz. Nevýhody tyristorů nemožnost vypnutí proudu řídícím impulsem nemá novější typ tyristoru tzv. vypinatelný GTO (Gate Turn Off). Významným přínosem je použití výkonových tranzistorů s pulsní šířkovou modulací a s opakovacím kmitočtem řádově khz. Napětí Tyristory GTO MCT IGBT BT Proud MOS FET Frekvence T Obr Oblasti použití moderních výkonových součástek [1]. 7

8 Prvním typem výkonového tranzistorového spínače byla dvojice bipolárních tranzistorů v tzv. Darlingtonově zapojení s integrovanou diodou. Od počátku osmdesátých let nastává rychlý rozvoj v oblasti výkonových polovodičových součástek řízených elektrickým polem (MOSFET). Dále se prosazují struktury, které jsou založeny na spojení výhod bipolárních součástek a součástek řízených polem, tzv. tranzistory s izolovanou bází (IGBT). Na obr. 2.1 jsou uvedeny oblasti použití moderních výkonových součástek v závislosti na spínaném výkonu, proudu a frekvenci spínání v letech Nejrychlejšími prvky jsou tranzistory MOSFET, ale právě tranzistory řízené polem mají omezení možností spínání malých výkonů. Nejvyšších výkonů dosahují tyristory, ty však umožňují spínání řádově stovky Hz. Tranzistory IGBT jsou nepatrně pomalejší oproti tranzistorům MOSFET. V současné době jsou vyráběny IGBT v rozsahu napětí 600 V < U CEM < 3000 V a pro proudy 2 A < I C < 1000 A při kmitočtech khz. Obr. 2.1 ukazuje důležitost IGBT v stejnosměrných pulsních měničích a střídačích až do výkonů 500 kw. Z výše uvedeného výčtu je zřejmé, že použití pro malé výkony (jednotky, desítky W) jsou používány tranzistory MOSFET, které dosahují nejvyšších rychlostí spínání. Pro výkony v řádech kilowattů jsou používány výhradně prvky IGBT a pro oblasti výkonů megawatů jsou stále používány tyristory nebo nové moderní prvky na stejné bázi jako jsou tyristory. Použití a význam bipolárních tranzistorů ve výkonových aplikacích klesá. Bipolární tranzistory do proudů 10 A jsou plně nahraditelné tranzistory MOSFET. Darlingtonovy dvojice pro proudy nad 15 A jsou nahrazeny tranzistory IGBT. Dále se nevyplatí vyrábět bipolární tranzistory nad závěrné napětí 800 V, neboť významně klesá rychlost ve srovnání s tranzistory IGBT. Požadavky na polovodičové spínací součástky, které na ně kladou aplikace, jsou velmi vysoké a ve své podstatě jsou totožné s vlastnostmi ideálního spínače, který může být charakterizován nulovým odporem v sepnutém stavu, nekonečná proudová zatížitelnost v sepnutém stavu, nekonečný odpor ve vypnutém stavu, nekonečně velká napěťová odolnost proti průrazu ve vypnutém stavu; nulová doba zapnutí a vypnutí. DIODY Dioda, jako výkonová součástka, se začíná objevovat koncem 50 let minulého století. Na obr. 2.2 je uvedena idealizovaná V-A charakteristika. I F D A K + - U F I F I D U F U F a) b) Obr a) Schématická značka diody b) Idealizovaná V-A charakteristika diody 8

9 Připojíme-li na diodu napětí tak, že kladný pól je připojen k P (anodě) a záporný pól k N (katodě), pak dioda propouští proud, říkáme že je sepnuta. Při opačné polaritě napětí je dioda zapojena v závěrném směru. Závislost proudu diody v tomto propustném stavu na napětí mezi anodou a katodou udává propustná větev V-A charakteristiky (forward characteristic), viz obr. 2.3b. I F U F a) b) Obr a) Výkonová dioda SKKE 15 b) Propustná charakteristika diody SKKE 15 [2] Je-li dioda zapojena v propustném směru, je na ni napětí U F (cca 1V) a prochází proud I F (někdy bývá označován jako I D ), který může dosahovat až několik ka podle typu diody. Prahovým napětím U TO (turn-on) označujeme bod na napěťové ose U F, ve kterém se nám protkne aproximovaná V-A charakteristika přímkou s osou U F. Toto napětí je závislé na typu diody a v našem případě diody SKKE 15 je 0.85 V. Z dynamických vlastností diody má prvořadý význam vypnutí diody. Vypnutí diody se velmi často označuje termínem komutace diody. Po poklesu proudu I F diodou k nule, proud diodou nezaniká, nýbrž přechází, se zachováním původní strmosti poklesu, do zpětného směru. Za krátkou dobu (μs) se vodivost ve zpětném směru ztrácí a závěrný proud prudce klesá na svoji normální statickou hodnotu a dioda je schopna udržet závěrné napětí. Doba zotavení se označuje t rr. I F I D t rr t Obr Komutace diody Obr P F(AV) =f (I F(AV) ) diody SKKE [2] 9

10 B Napěťová zatížitelnost je určena především opakovatelným špičkovým závěrným napětím U RRM (reverse repetitive). Je to nejvyšší přípustná hodnota závěrného napětí, které se na diodě může opakovat. Dále se někdy u diod udává neopakovatelné špičkové napětí U RSM, které se na diodě může objevit, aniž by byla ohrožena, jen jednorázově. Proudová přetížitelnost se udává velikostí neopakovatelného špičkového proudu I FSM (surge), který závisí na době přetížení a na počáteční hodnotě. Pro přetížení trvající do 10 ms se přetížitelnost udává tzv. mezním přetěžovacím intervalem I 2 t. Přetěžovací proud musí vyhovovat podmínce 10ms 2 2 I dt < I t. 0 F Z údajů o proudové přetížitelnosti se vychází při návrhu jištění. U diod vznikají ztráty průchodem propustného proudu, dále jsou na diodě ztráty spínací a ztráty vypínací. Výrobci udávají ve svých katalozích grafické závislosti P F(AV) =f (I F(AV) ) pro sinusový a obdélníkový průběh diodou. Typický průběh je uveden na obr Jednotlivé křivky odpovídají různým časovým intervalům vedení součástky. Je vidět, že ztráty od propustného proudu jsou závislé na velikosti i tvaru proudu. Setkáváme se s následujícími typy diod: a) usměrňovací diody pro průmyslové kmitočty; b) rychlé a tzv. kmitočtové diody (až tisíce Hz); c) Schotkyho usměrňovací diody s nízkým propustným napětím U TO okolo 0.3 V. Vyrábí se s blokovacím napětím jen do 100 V; d) vysokonapěťové diody, které se vyznačují napěťovou přetížitelností U RRM vyšší než 1600 V. TRANZISTORY Ve výkonové elektronice se tranzistory používají jen jako spínače. Jejich zapnutí a vypnutí je ovladatelné prostřednictvím hradla u unipolárních a bipolárních tranzistorů s izolovaným hradlem nebo pomocí báze u bipolárních tranzistorů. BIPOLÁRNÍ TRANZISTOR (BJT) Jak již bylo v úvodu kapitoly 2 uvedeno, význam bipolárních tranzistorů ve výkonových aplikacích velmi klesá. Pro spínací účely se používají obě varianty bipolárního tranzistoru NPN i PNP. Pro tranzistor NPN platí, je-li při nulovém proudu báze I B přiloženo mezi elektrody kolektror a emitor kladné napětí UCE, zůstává také proud kolektoru I C nulový, 10

11 B neboť kolektorový přechod je záporně polarizován. Jestliže se ale připojí mezi elektrody báze emitor kladné napětí U BE, dojde k propustné polarizaci emitorového přechodu, začne jím procházet proud I BB, tím se zaplaví volnými nosiči náboje kolektorový přechod a tranzistorem začne procházet kladný proud I C. Závislost vstupních veličin I B =f B (UBE) vyjadřuje vstupní charakteristika tranzistoru a má podobný tvar jako propustná charakteristika diody, a tedy vstupní odpor tranzistoru je malý (0.1 až 10 kω). Výstupní charakteristika BJT vyjadřuje vzájemný vztah výstupních veličin I C a U CE při konstantních hodnotách budicího proudu I B. ii C ZAP VYP U CE a) b) Obr a) Idealizovaná charakteristika sepnutí b) V-A výstupní charakteristika BJT Leží-li pracovní bod výstupní charakteristiky BJT v závěrné oblasti pro I B =0, je tranzistor vypnut. Tranzistorem a zátěží v tomto stavu prochází jen zanedbatelně malý tzv. zbytkový proud kolektoru. Leží-li pracovní bod v oblasti nasycení, je tranzistor zapnut a tranzistorem prochází kolektorový proud a je na něm malé napětí UCESAT, kterému říkáme zbytkové nebo také saturační. Činitel proudového zesílení je definován parametrem ic h21e =, UCE = konst.. i B Tento činitel proudového zesílení je u bipolárních výkonových tranzistorů zpravidla velmi malý (5 až 10) a tak se používá tzv. kaskádní (Darlingtonovo) spojení tranzistorů za účelem zvýšení činitele proudového zesílení (až 100), viz obr Nevýhodou kaskádního spojení tranzistorů je podstatné zvýšení zbytkového saturačního napětí U CESAT (cca 2 V) a delší doby vypnutí tranzistoru (cca 15 μs). I C C I C C B Ii B B Ii B U CE E U CE Obr Kaskádní Darlingtonovo spojení tranzistorů E 11

12 Dynamické vlastnosti jsou dány přechodnými jevy při spínání. Typické průběhy U CE a proudy I C jsou uvedeny na obr. 2.8 pro případ odporové zátěže. Při zapínání je vždy reakce na nárust proudu i B B zpožděna o tzv. dobu zpoždění td (d delay). Tato doba, spolu s dobou nárustu t r (r rise) určují dobu zapnutí. Při vypínání je reakce na pokles proudu i BB zpožděna o tzv. dobu přesahu t s (s storage). Tato doba, spolu s dobou poklesu t f (f fall) určují dobu vypínání. Průběhy na obr. 2.9 jsou při spínání odporové zátěže, kde dochází při zapnutí nebo vypnutí přechodu pracovního bodu po přímce. Při spínání zátěže obsahující indukčnost se trajektorie pohybu pracovního bodu při zapnutí nebezpečně přibližuje mezi průrazu tranzistoru, viz obr Při spínání do indukční zátěže bývá vhodné zátěž překlenout tzv. nulovou diodou, přes kterou bude doznívat proud zátěže po vypnutí tranzistoru. I B I C U CE I C t U CE t ZAP obvykle do 1us t VYP t obvykle do 10us Obr Zapínací a vypínací doba bipolárního tranzistoru do odporové zátěže Obr Spínání bipolárního tranzistoru při odporové zátěži a při indukční zátěži Doporučení: POZOR NA INDUKČNÍ ZÁTĚŽ VE SPÍNANÝCH OBVODECH VÝKONOVÉ ELEKTRONIKY. INDUKČNOST MŮŽE TVOŘIT I REZISTOR (drátový, vinutý). 12

13 Napěťová přetížitelnost se udává největší přípustnou hodnotou U CEO. V současné době jsou na trhu již bipolární tranzistory s hodnotami okolo 1200 V. Sériové řazení tranzistorů se nedoporučuje. Proudová přetížitelnost je v katalozích běžně dána maximálním přípustným trvalým proudem I C tranzistoru a dále se často udává tzv. špičková hodnota proudu kolektoru I CM doplněna údajem t p (např. proud I CM po dobu 10 ms). VÝKONOVÉ UNIPOLÁRNÍ TRANZISTORY Unipolární tranzistory jsou často označovány názvem FET (Field Effect Tranzistor), neboli tranzistor řízený polem. Elektrické pole je vytvářeno napětím přivedeným na řídicí elektrodu G (gate). Unipolární tranzistor má další elektrody označováné S (source) a D (drain). Unipolární tranzistory jsou děleny podle technologie výroby na dvě skupiny: - tranzistory s přechodovým hradlem J FET (Junction FET); - tranzistory s izolovaným hradlem IG FET (Insulated gate FET). Tranzistory J FET se vyznačují velkým vstupním odporem (až Ω) a tedy tranzistor je řiditelný již zanedbatelně malým proudem, respektive jen intenzitou elektrického pole. J FET s kanálem P se z technologických důvodů neprosadil a je tedy používán výhradně s kanálem N. Jako výkonové tranzistory však do průmyslu nepronikly. Více se používají tranzistory IG FET nebo-li tzv. MOS FET (metal oxid semiconductors). S izolační vrstvou hradla je možné dosáhnou vysokých vstupních odporů až Ω. Rozeznáváme dva typy a to tranzistory MOS FET s indukovaným kanálem (obohacovací typ) a s vodivým kanálem (ochuzovací typ). Výkonové tranzistory IG FET jsou vesměs obohacovacího typu. Jednou z nejvýkonějších variant IG FET jsou tzv. HEX FET od firmy International Rectifier, Dosažitelné maximální napětí mezi kolektorem a emitorem bývá až 1000 V a proud 200 A (NE SOUČASNĚ). Mezní kmitočet bývá až do 10 MHz. V současné době patří MOS FET mezi nejrozšířenější součástky v oblasti nízkých výkonů do jednotek kw. I D I D U DS a) b) Obr Statické charkteristiky MOS FET SKM 121 [2] a) Výstupní b) Převodní U GS 13

14 Princip spínání je založen na následujícím principu. Je-li napětí mezi elektrodou D a S větší jak 0 a napětí mezi elektrodami G a S rovno 0, nemůže strukturou procházet proud, neboť je mu v cestě závěrně polarizován PN přechod. Začne-li se postupně zvětšovat napětí U GS do kladných hodnot, začínají se vytvářet vodivé kanály. Když dosáhne U GS tzv. prahového napětí, které bývá 0.25 až 5 V, jsou tyto kanály ve stavu, který umožňuje průchod proudu mezi elektrodami D a S. S dalším nárůstem napětí U GS se kanály rozšiřují a při stejném napětí U DS umožňují průchod většího proudu. Na obr jsou uvedeny statické VA charakteristiky MOS FET tranzitoru SKM 121 firmy SEMIKRON. Napětí na sepnutém tranzistoru ovlivňuje parametr R DS(on), které vyjadřuje ekvivalentní odpor v sepnutém stavu. U součástek na nižší napětí bývá tato hodnota 0.1 Ω a s nárůstem napěťové zatížitelnosti se tato hodnota zvyšuje až na 1 Ω. Např. na odporu 1 Ω vzniká průtokem proudu 5 A úbytek 5 V, nebo-li ztráta 25 W. Odpovídající bipolární tranzistor má úbytek pouze asi 1 V, nebo-li ztrátu pouze 5 W! Dynamické vlastnosti MOS FET jsou ukázány na obr. 2.11a, kde jsou uvedeny napěťové poměry při spínání odporové zátěže. Z obrázku je patrné jak jsou definovány zapínací t ZAP a vypínací doby t VYP tranzistoru a ostatní doby jako např. doba zpoždění zapnutí t d(zap), doba nárustu t r atd. V souvislosti s dynamickými vlastnostmi je třeba upozornit na poměrně velké parazitní kapacity C GS, C GD (tzv. Millerova kapacita) a dále kapacita C DS, které jsou dány strukturou IG FETu, viz obr. 2.11b. U GS U GS(th) D C R2 epi U DS G R1 G C0 C GD CC2 DS C1 C GS t d(zap) t r t ZAP t VYP a) b) Obr a) Napěťové poměry při spínání a vypínání tranzistoru MOS FET [1] b) Kapacity Při zapínání tranzistoru se napřed nabíjí vstupní kapacita. Chvíli trvá, než napětí na ní dosáhne prahového maxima U GS(TH) (th..threshold voltage). Teprve při něm se tranzistor začne otvírat. Tyto kapacity určuji společně s výstupním odporem budícího generátoru spínací doby tranzistoru. Ke katalogovým údajům charakterizující dynamické parametry patří S E 14

15 vstupní kapacita tranzistoru C iss a dále jsou uváděny běžně grafické závislosti jednotlivých kapacit na napětí U DS. Všechny tři kapacity jsou teplotně nezávislé a spínací vlastnosti výkonových MOS FET právě ovlivňuje napěťová závislost. V praxi se výkonový MOS FET obvykle budí budičem (driverem) s určitým výstupním odporem. Budicí obvod také zajišťuje galvanické oddělení řídicího signálu od výkonového obvodu. Galvanické oddělení je řešeno zpravidla optočleny. Funkční blokové zapojení budiče firmy FUJI je na obr C +Ucc 1 2 AMP R0 Q1 Q2 D3 G E -UCC Rg Obr Funkční blokové zapojení budiče FUJI EXB840 [4] a jeho fotografie Napěťová přetížitelnost se udává největší přípustnou velikostí U DS. Ta dosahuje reálných hodnot maximálně 200 V. S rostoucím napětím U DS výrazně klesá proudová zatížitelnost. Proudová přetížitelnost se pak udává maximálním trvalým proudem I D, který je v katalogu doplňován příslušnou teplotou pouzdra T C a příslušným napětím U GS. Přípustné špičkové hodnoty impulsního charakteru jsou dány proudem I DM. Výkonové tranzistory MOS FET se chovají při opačné polarizaci napětí U DS jako propustná usměrňovací dioda. To je důsledkem architektury výkonového MOS FET. Proudové zatížení diody bývá obdobné jako zatížení vlastního tranzistoru. Čistě teoreticky by mohl být výkonový MOS FET s integrovanou diodou velmi výhodný při spínání induktivní zátěže, viz kapitola 2 kde byl popisován horní a dolní spínač s nulovou diodou. Ale integrovaná dioda je příliš pomalá (cca 1 μs) a proto je vhodná jen podmíněně. Pro napětí U DS do 50 V lze tuto diodu využívat a pro vyšší napětí jen podmínečně. Pro rychlé aplikace je třeba použít vnější diodu, obvykle Schotkyho. Podařilo se vestavěnou diodu urychlit až na 0.3 μs (epitaxial fast recovery diode), kde obchodní název např. u Siemensu je FRED FET. Existuje další kategorie MOS FET tranzistorů, tzv. inteligentní výkonové tranzistory. Jsou zpravidla označovány SMART-FET, SMARTPOWER-tranzistor, SMART-MOS, ale i jinak. Jedná se o tranzistory, ketré obsahují v pouzdře jak výkonovou část MOS, tak i logické obvody MOS a řídící systémy s inteligentními periferiemi. Přídavné obvody zpravidla plní funkci ochranou, omezují záporné napěťové špičky při spínání induktivní zátěže, 15

16 ochranu vstupů proti poškození elektrostaickým nábojem, kompatibilitu vstupů s logickými obvody CMOS a TTL a zpětné hlášení stavů. Dále existují výkonové tranzistory opatřený snímačem proudu za účelem ochrany proti proudovému přetížení. Takové tranzistory jsou označovány SENSFET (Motorola), HEXSENS (International Rectifiers) nebo MirrorFET (IXYS). Při použití čidla proudu je možné přímo na čipu realizovat ochranu proti proudovému přetížení. Zopakujme, že velkou předností IG FET je vysoká vstupní impedance, vysoké výkonové zesílení, dobré kmitočtové vlastnosti, napěťové řízení a ve srovnání s bipolárními tranzistory také vysoká teplotní stabilita i při velkých proudech. Další nespornou výhodou jsou i malé řídící výkony. Nevýhodou je větší zbytkové napětí. Další nevýhodou součástek MOS FET je, že hradlo je vytvořeno na tenké vrstvě izolantu a tranzistory jsou citlivé vůči elektrostatickému náboji. Napětí U GS nesmi překročit maximální hodnotu danou výrobcem, nebo hrozí že dojde k průrazu vrstvy izolujicí hradlo a dráha G-S a nebo G-D budou více nebo méně vodivé. Před zaletováním součástky je účelné spojit vývody součástky navzájem hliníkovou folií nebo měděným drátkem a zkrat odstranit až po zaletování součástky do plošného spoje, viz obr Obr Ochrana MOS struktury proti zničení elektrostatickým výbojem BIPOLÁRNÍ TRANZISTORY S IZOLOVANÝM HRADLEM (IGBT) Označují se zkratkami Bi MOS (bipolar metal oxid semiconductors) nebo častěji IGBT (insulate gate bipolar transistors). Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem kombinují výhodné vlastniti MOS FET (vysoká vstupní impedance, vysoké výkonové zesílení, dobré kmitočtové vlastnosti, napěťové řízení, teplotní stabilita) a bipolárních tranzistorů (vyšší proudová zatížitelnost). IGBT jsou používány v oblasti napětí U CE nad 600 V a jsou řízeny polem jako tranzistory MOS FET. Tranzistory MOS FET mají v této oblasti napětí U CE nad 600 V již příliš vysoký odpor a řazení tranzistorů paralelně je cenově nevýhodné. 16

17 Jsou používány dvě struktury NPT IGBT (non punch through) a PT IGBT (punch through). Hlavní rozdíly mezi NPT IGBT a PT IGBT jsou v teplotní závislosti energetických ztrát při vypínání a v propustném stavu. U PT IGBT ztráty při vypínání s teplotou rostou a v propustném stavu klesají. U NPT IGBT sice ztráty v propustném stavu s teplotou rostou, ale při vypínání zůstávají téměř stálé. Dnes jsou laboratorně připraveny součástky až s průrazným napětím 3600 V a pro proudy až 2000 A. Základní principiální zapojení IGBT tranzistoru je možné znázornit náhradním zapojením, které je uvedeno na obr C G MOSFET BT-PNP IGBT E Obr Náhradní schéma IGBT tranzistoru a fotografie IGBT modulu firmy SEMIKRON Proudová a napěťová zatížitelnost je určena bipolární částí a řiditelnost je dána unipolární částí IGBT tranzistoru. Na obr je uvedena výstupní a převodní charakteristika IGBT tranzistoru SKM 300 GA 123 D firmy SEMIKRON. Tranzistor je určen pro maximální napětí U CE 1200 V a proud I C 300 A. Z převodní charakteristiky tranzistoru z obr. 2.15b je možné odečíst zbytkové napětí U GE od 4.5 do 6.5 V. Další parametry jsou uvedeny katalogovým listem na obr a) b) Obr Statické charakteristiky IGBT SKM 30 GA 123 D [2] a) Výstupní b) Převodní 17

18 Obr Katalogový list IGBT tranzistoru SKM 300 GA 123 D firmy SEMIKRON [2] Dynamické vlastnosti jsou dány podobně jako u tranzistoru MOS FET, ale doby vypínání a zapínání jsou nepatrně větší. Podobně jako u MOS FET se zde projevují poměrně velké vstupní kapacity tranzistorů, které je nutné respektovat vhodnou volbou R G a použitím budičů tranzistorů (driverů) jako u tranzistorů MOS FET. Proudová a napěťová zatížitelnost je dána bipolární částí IGBT a je charakterizována stejně jako u bipolárních tranzistorů. Součástky s proudovou zatížitelností nad 100 A jsou zpravidla vyráběny jen s integrovanou antiparalelní diodou. Zbytkové napětí IGBT je menší než u MOS FET transistorů, ale není menší než 1 V. TYRISTORY Základem tyristoru je čtyřvrstvá struktura se třemi PN přechody. Funkce tyristoru je taková, že čtyřvrstvá struktura nepropustí proud při připojení záporného napětí na anodu a tyristor se nachází v tzv. závěrném stavu. Tyristor zadržuje proud i při připojení kladného napětí na anodu a přechod je polarizován ve vypnutém, tzv. blokovacím stavu. Zrušit blokovací stav je možné přivedením kladného napětí (nebo jen impulsu) do obvodu řídicí elektrody G. Vlivem toho dojde k otevření a tedy zapnutí tyristoru. V zapnutém stavu se tyristor tedy chová jako polovodičová dioda. Průběh V-A charakteristiky tyristoru je uveden na obr Hodnota napětí U BR vyjadřuje závěrné napětí, při kterém proud převyšuje stanovenou hodnotu. Propustná větev nebo též propustná charakteristika má stejný tvar jako propustná charakteristika diody a tedy analogicky jsou zde definovány parametry jako: diferenciální propustný odpor r T a prahové napětí U TO. Určitá odchylka je v oblasti začátku propustné charakteristiky tyristoru až od hodnoty tzv. vratného proudu, při kterém se tyristor udrží v propustném stavu. Pod tuto hodnotu je tyristor ve stavu vypnutém. Bod U BO (break 18

19 over) označuje spínací napětí tyristoru při kterém nedochází k průrazu, ale k zapnutí tyristoru od napětí při I G =0. Zapínaní tyristoru při I G =0 není doporučováno. Dynamické vlastnosti tyristoru jsou podstatně horší než u tranzistorů a tyristory se používají výhradně pro vysokovýkonové obvody s proudy 300 A a více s maximální spínací frekvencí do 400 Hz. Z dynamických parametrů je nejtypičtější vypínací doba tyristoru, která bývá 100 až 300 μs podle výkonu. Zapnutí tyristoru proběhne, pokuď je na tyristoru přiloženo napětí v blokovacím směru a na řídící elektrodu tyristoru je přiveden velký řídící impuls. Vypnutí tyristoru je možné provést jen prostřednictvím vnějšího obvodu, připojeného k anodě a katodě. Vypínací proces u tyristorů je podobný jako u diod. Proud tyristoru musí klesnout k nule, na tyristor musí být přivedeno závěrné napětí po dobu vypínání. U B0 U BR U T0 U T, U D a) b) Obr a) Statické výstupní charkteristiky tyristoru [3] b) Propustná větev V-A charakteristiky tyristoru SKET 330/12 (Semikron) [2] Napěťová zatížitelnost, podobně jako u diod, je určena opakovatelným špičkovým napětím. Závěrná oblast je dána závěrným napětím U RRM a blokovací napětím U DRM. Proudová zatížitelnost se udává střední hodnotou zatěžovacího proudu složeného z kladných půlvln sinusového průběhu 50 Hz při chlazení takovém, aby teplota pouzdra nepřevýšila velikost T C. Proudová přetížitelnost se u tyristorů udává přetěžovacím proudem I TSM a dále přetěžovacím intervalem I 2 t jako u diod. Existují speciální typy tyristorů se zvláštními vlastnostmi a parametry. - vysokonapěťové tyristory se špičkovým opakovatelným napětím nad 1800 V; - rychlé tyristory, které se vyznačují krátkou dobou vypínání a zapínání (menší než 100 us) a lze je používat do kmitočtů až 3kHz; - frekvenční tyristory jsou používány ve smyslu velmi rychlých tyristorů s vypínací dobou pod 60 us a tedy pro kmitočty do 10 khz; 19

20 - tyristory GATT jsou velmi rychlé tyristory vybavené dalším hradlem, kterým se zkrátí vypínací doba až na polovinu a pracovní oblast kmitočtů je do 15 khz; - asymetrické tyristory s malou napěťovou přetížitelností do desítek voltů, ale s menší vypínací dobou a u tyristorů nižších proudových parametrů do 40 khz; - fototyristory, které umožňují zapínání světelným zářením a snadné galvanické oddělení zdroje řídících impulsů a výkonového obvodu; - vypínací tyristory GTO. VYPÍNACÍ TYRISTOR (GTO) Vypínací tyristor označovaný jako GTO (Gate Turn Off) je tyristor, který lze nejen zapnout, ale i vypnout proudem do řídicí elektrody. Tedy umožňuje přechod z propustného stavu do blokovacího prostřednictvím řídícího signálu. To přináší veliké výhody, neboť pro klasický tyristor je nutné vytvářet poměrně složité vypínací komutační obvody, které zajistí spolehlivé vypnutí tyristoru. Vypínací vlastnost je charakterizována hodnotou I TQRM opakovatelnou hodnotou vypínacího proudu. Dynamika je závislá na amplitudě záporného řídícího proudu I GR a strmosti růstu tohoto proudu. Technologicky představuje tyristor GTO velmi náročnou součástku integrující ve své struktuře stovky paralelně zapojených malých tyristorových elementů. Tím, že lze tyristor GTO vypnout, je přínosem pro výkonové pulzní usměrňovače a střídače. To umožňuje dosáhnout vyšších účinností a hlavně zjednodušení měničů v trakčních aplikacích průmyslových pohonů. Jsou používány např. ve stejnosměrném pohonu tramvají či ve frekvenčních měničích na vysoká napětí velkých výkonů (jednotky MW). ZPĚTNĚ PROPUSTNÝ TYRISTOR (RCT) Dalším moderním tyristorem je tzv. zpětně propustný tyristor, označovaný jako RCT (reverse conductive thyristor). Zde je integrován asymetrický tyristor a rychlá dioda do jedné součástky. RCT tyristory se používají tam, kde je třeba používat antiparalelně spojený tyristor a diodu. Výhodou je že se odstraní nežádoucí vliv indukčností propojů diskrétních součástek, což je příznivé pro vypínací proces tyristoru. TYRISTORY MCT Perspektivním prvkem pro trakční pohony je MCT (MOS controlled thyristor) s integrovanou řídicí elektrodou. Lze jej již vypnout řídicím napětím. MCT mají vyšší spínací rychlosti a nižší ztráty než tyristory GTO. Jde o tyristor, který spíná jako tranzistory MOSFET a vede jako tyristor GTO s vypínací schopností v rozmezí 2 μs. 20

2-LC: Měření elektrických vlastností výkonových spínačů (I)

2-LC: Měření elektrických vlastností výkonových spínačů (I) 2-LC: Měření elektrických vlastností výkonových spínačů (I) Cíl měření: Ověření a porovnání vlastností výkonových spínačů: BJT, MOSFET a tyristoru. Zkratování řídících vstupů Obr. 1 Přípravek pro měření

Více

5. POLOVODIČOVÉ MĚNIČE

5. POLOVODIČOVÉ MĚNIČE 5. POLOVODIČOVÉ MĚNIČE Měniče mění parametry elektrické energie (vstupní na výstupní). Myslí se tím zejména napětí (střední hodnota) a u střídavých i kmitočet. Obr. 5.1. Základní dělení měničů 1 Obr. 5.2.

Více

Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek

Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Hlavní požadavky na ideální budič Galvanické

Více

Střídavé měniče. Přednášky výkonová elektronika

Střídavé měniče. Přednášky výkonová elektronika Přednášky výkonová elektronika Projekt ESF CZ.1.07/2.2.00/28.0050 Modernizace didaktických metod a inovace výuky technických předmětů. Vstupní a výstupní proud střídavý Rozdělení střídavých měničů f vst

Více

Měření na unipolárním tranzistoru

Měření na unipolárním tranzistoru Měření na unipolárním tranzistoru Teoretický rozbor: Unipolární tranzistor je polovodičová součástka skládající se z polovodičů tpu N a P. Oproti bipolárnímu tranzistoru má jednu základní výhodu. Bipolární

Více

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická

Více

Aplikace měničů frekvence u malých větrných elektráren

Aplikace měničů frekvence u malých větrných elektráren Aplikace měničů frekvence u malých větrných elektráren Václav Sládeček VŠB-TU Ostrava, FEI, Katedra elektroniky, 17. listopadu 15, 708 33 Ostrava - Poruba Abstract: Příspěvek se zabývá možnostmi využití

Více

Zdroje napětí - usměrňovače

Zdroje napětí - usměrňovače ZDROJE NAPĚTÍ Napájecí zdroje napětí slouží k přeměně AC napětí na napětí DC a následnému předání energie do zátěže, která tento druh napětí (proudu) vyžaduje ke správné činnosti. Blokové schéma síťového

Více

Stejnosměrné měniče. přednášky výkonová elektronika

Stejnosměrné měniče. přednášky výkonová elektronika přednášky výkonová elektronika Projekt ESF CZ.1.07/2.2.00/28.0050 Modernizace didaktických metod a ovace výuky technických předmětů. Stejnosměrné měniče - charakteristika vstupní proud stejnosměrný, výstupní

Více

Neřízené polovodičové prvky

Neřízené polovodičové prvky Neřízené polovodičové prvky Výkonová elektronika - přednášky Projekt ESF CZ.1.07/2.2.00/28.0050 Modernizace didaktických metod a inovace výuky technických předmětů. Neřízené polovodičové spínače neobsahují

Více

Bipolární tranzistory

Bipolární tranzistory Bipolární tranzistory h-parametry, základní zapojení, vysokofrekvenční vlastnosti, šumy, tranzistorový zesilovač, tranzistorový spínač Bipolární tranzistory (bipolar transistor) tranzistor trojpól, zapojení

Více

Zesilovače. Ing. M. Bešta

Zesilovače. Ing. M. Bešta ZESILOVAČ Zesilovač je elektrický čtyřpól, na jehož vstupní svorky přivádíme signál, který chceme zesílit. Je to tedy elektronické zařízení, které zesiluje elektrický signál. Zesilovač mění amplitudu zesilovaného

Více

Řízené polovodičové součástky. Výkonová elektronika

Řízené polovodičové součástky. Výkonová elektronika Řízené polovodičové součástky Výkonová elektronika Polovodičové součástky s řízeným zapnutím řídící signál přivede spínač z blokovacího do propustného stavu do závěrného stavu jen vnější komutací (přerušením)

Více

1.1 Pokyny pro měření

1.1 Pokyny pro měření Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1 Bipolární tranzistor jako zesilovač Úkol: Proměřte amplitudové kmitočtové charakteristiky bipolárního tranzistoru 1. v zapojení se společným emitorem (SE)

Více

2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω.

2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω. A5M34ELE - testy 1. Vypočtěte velikost odporu rezistoru R 1 z obrázku. U 1 =15 V, U 2 =8 V, U 3 =10 V, R 2 =200Ω a R 3 =1kΩ. 2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty

Více

Statické měniče v elektrických pohonech Pulsní měniče Jsou to stejnosměrné měniče, mění stejnosměrné napětí. Účel: změna velikosti střední hodnoty

Statické měniče v elektrických pohonech Pulsní měniče Jsou to stejnosměrné měniče, mění stejnosměrné napětí. Účel: změna velikosti střední hodnoty Statické měniče v elektrických pohonech Pulsní měniče Jsou to stejnosměrné měniče, mění stejnosměrné napětí. Účel: změna velikosti střední hodnoty stejnosměrného napětí U dav Užití v pohonech: řízení stejnosměrných

Více

IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor speciální polovodičová struktura IGBT se používá jako spínací tranzistor nejdůležitější součástka výkonové

IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor speciální polovodičová struktura IGBT se používá jako spínací tranzistor nejdůležitější součástka výkonové IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor speciální polovodičová struktura IGBT se používá jako spínací tranzistor nejdůležitější součástka výkonové elektroniky chová se jako bipolární tranzistor řízený unipolárním

Více

Cvičení 12. Příklad výkonové aplikace. Výkonový MOSFET spínání induktivní zátěže: Měření,

Cvičení 12. Příklad výkonové aplikace. Výkonový MOSFET spínání induktivní zátěže: Měření, Cvičení 12 Příklad výkonové aplikace Výkonový MOSFET spínání induktivní zátěže: Měření, Simulace uacev PSpice Elektronické prvky A2B34ELP Prosté zapínání a vypínání Příklad výkonové aplikace M +PWR I zapnuto

Více

Otázka č.4. Silnoproudé spínací polovodičové součástky tyristor, IGBT, GTO, triak struktury, vlastnosti, aplikace.

Otázka č.4. Silnoproudé spínací polovodičové součástky tyristor, IGBT, GTO, triak struktury, vlastnosti, aplikace. Otázka č.4 Silnoproudé spínací polovodičové součástky tyristor, IGBT, GTO, triak struktury, vlastnosti, aplikace. 1) Tyristor Schematická značka Struktura Tyristor má 3 PN přechody a 4 vrstvy. Jde o spínací

Více

VLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU

VLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU VLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU Úvod: Čas ke studiu: Polovodičové součástky pro výkonovou elektroniku využívají stejné principy jako běžně používané polovodičové součástky

Více

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická

Více

Část pohony a výkonová elektronika 1.Regulace otáček asynchronních motorů

Část pohony a výkonová elektronika 1.Regulace otáček asynchronních motorů 1. Regulace otáček asynchronních motorů 2. Regulace otáček stejnosměrných cize buzených motorů 3. Regulace otáček krokových motorů 4. Jednopulzní usměrňovač 5. Jednofázový můstek 6. Trojpulzní usměrňovač

Více

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY VZORY OTÁZEK A PŘÍKLADŮ K TUTORIÁLU 1 1. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Proč je používáme. 2. Co jsou polovodiče vlastní. 3. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Jakým způsobem

Více

Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr

Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr. Zadání: A. Na předloženém kompenzovaném vstupní děliči k nf milivoltmetru se vstupní impedancí Z vst = MΩ 25 pf, pro dělící poměry :2,

Více

Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika

Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika Garant přípravného studia: Střední průmyslová škola elektrotechnická a ZDVPP, spol. s r. o. IČ: 25115138 Učební osnova: Základní

Více

1. Obecná struktura pohonu s napěťovým střídačem

1. Obecná struktura pohonu s napěťovým střídačem 1. Obecná struktura pohonu s napěťovým střídačem Topologicky můžeme pohonný systém s asynchronním motorem, který je napájen z napěťového střídače, rozdělit podle funkce a účelu do následujících částí:

Více

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.05 Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566,

Více

9. Harmonické proudy pulzních usměrňovačů

9. Harmonické proudy pulzních usměrňovačů Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Součástky s více PN přechody

Součástky s více PN přechody Součástky s více PN přechody spínací polovodičové součástky tyristor, diak, triak Součástky s více PN přechody první realizace - 1952 třívrstvé tranzistor diak čtyřvrstvé tyristor pětivrstvé triak diak

Více

Projekt Pospolu. Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky. Pro obor M/01 Informační technologie

Projekt Pospolu. Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky. Pro obor M/01 Informační technologie Projekt Pospolu Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky Pro obor 18-22-M/01 Informační technologie Autorem materiálu a všech jeho částí je Ing. Petr Voborník, Ph.D. Bipolární tranzistor Bipolární

Více

X14POH Elektrické POHony. K13114 Elektrických pohonů a trakce. elektrický pohon. Silnoproudá (výkonová) elektrotechnika. spotřeba el.

X14POH Elektrické POHony. K13114 Elektrických pohonů a trakce. elektrický pohon. Silnoproudá (výkonová) elektrotechnika. spotřeba el. Předmět: Katedra: X14POH Elektrické POHony K13114 Elektrických pohonů a trakce Přednášející: Prof. Jiří PAVELKA, DrSc. Silnoproudá (výkonová) elektrotechnika podíl K13114 na výuce technická zařízení elektráren

Více

1.1 Usměrňovací dioda

1.1 Usměrňovací dioda 1.1 Usměrňovací dioda 1.1.1 Úkol: 1. Změřte VA charakteristiku usměrňovací diody a) pomocí osciloskopu b) pomocí soustavy RC 2000 2. Ověřte vlastnosti jednocestného usměrňovače a) bez filtračního kondenzátoru

Více

Řídící a regulační obvody fázové řízení tyristorů a triaků

Řídící a regulační obvody fázové řízení tyristorů a triaků A10-1 Řídící a regulační obvody fázové řízení tyristorů a triaků.puls.výstup.proud Ig [ma] pozn. U209B DIP14 155 tacho monitor, softstart, U211B DIP18 155 proud.kontrola, softstart, tacho monitor, limitace

Více

TYRISTORY. Spínací součástky pro oblast největších napětí a nejvyšších proudů Nejčastěji triodový tyristor

TYRISTORY. Spínací součástky pro oblast největších napětí a nejvyšších proudů Nejčastěji triodový tyristor TYRSTORY Spínací součástky pro oblast největších napětí a nejvyšších proudů Nejčastěji triodový tyristor Závěrný směr (- na A) stav s vysokou impedancí, U R, R parametr U RRM Přímý směr (+ na A) dva stavy

Více

Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů

Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů Tranzistor je elektronická aktivní součástka se třemi elektrodami.podstatou jeho funkce je transformace odporu mezi

Více

Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice 2 Číslo úlohy : 1

Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice 2 Číslo úlohy : 1 Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice Číslo úlohy : 1 Název úlohy : Vypracoval : ročník : 3 skupina : F-Zt Vnější podmínky měření : měřeno dne : 3.. 004 teplota : C tlak

Více

Nízkofrekvenční (do 1 MHz) Vysokofrekvenční (stovky MHz až jednotky GHz) Generátory cm vln (až desítky GHz)

Nízkofrekvenční (do 1 MHz) Vysokofrekvenční (stovky MHz až jednotky GHz) Generátory cm vln (až desítky GHz) Provazník oscilatory.docx Oscilátory Oscilátory dělíme podle několika hledisek (uvedené třídění není zcela jednotné - bylo použito vžitých názvů, které vznikaly v různém období vývoje a za zcela odlišných

Více

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů (elektrony nebo díry) pracují s kanálem jednoho typu vodivosti

Více

Impulsní regulátor ze změnou střídy ( 100 W, 0,6 99,2 % )

Impulsní regulátor ze změnou střídy ( 100 W, 0,6 99,2 % ) ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI Fakulta elektrotechnická Impulsní regulátor ze změnou střídy ( 100 W, 0,6 99,2 % ) Školní rok: 2007/2008 Ročník: 2. Datum: 12.12. 2007 Vypracoval: Bc. Tomáš Kavalír Zapojení

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

- Stabilizátory se Zenerovou diodou - Integrované stabilizátory

- Stabilizátory se Zenerovou diodou - Integrované stabilizátory 1.2 Stabilizátory 1.2.1 Úkol: 1. Změřte VA charakteristiku Zenerovy diody 2. Změřte zatěžovací charakteristiku stabilizátoru se Zenerovou diodou 3. Změřte převodní charakteristiku stabilizátoru se Zenerovou

Více

Dioda jako usměrňovač

Dioda jako usměrňovač Dioda A K K A Dioda je polovodičová součástka s jedním P-N přechodem. Její vývody se nazývají anoda a katoda. Je-li na anodě kladný pól napětí a na katodě záporný, dioda vede (propustný směr), obráceně

Více

popsat princip činnosti základních zapojení čidel napětí a proudu samostatně změřit zadanou úlohu

popsat princip činnosti základních zapojení čidel napětí a proudu samostatně změřit zadanou úlohu 9. Čidla napětí a proudu Čas ke studiu: 15 minut Cíl Po prostudování tohoto odstavce budete umět popsat princip činnosti základních zapojení čidel napětí a proudu samostatně změřit zadanou úlohu Výklad

Více

SIMULACE JEDNOFÁZOVÉHO MATICOVÉHO MĚNIČE

SIMULACE JEDNOFÁZOVÉHO MATICOVÉHO MĚNIČE SIMULE JEDNOFÁZOVÉHO MATICOVÉHO MĚNIČE M. Kabašta Žilinská univerzita, Katedra Mechatroniky a Elektroniky Abstract In this paper is presented the simulation of single-phase matrix converter. Matrix converter

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

Polovodičové usměrňovače a zdroje

Polovodičové usměrňovače a zdroje Polovodičové usměrňovače a zdroje Druhy diod Zapojení a charakteristiky diod Druhy usměrňovačů Filtrace výstupního napětí Stabilizace výstupního napětí Zapojení zdroje napětí Závěr Polovodičová dioda Dioda

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

1.3 Bipolární tranzistor

1.3 Bipolární tranzistor 1.3 Bipolární tranzistor 1.3.1 Úkol: 1. Změřte vstupní charakteristiku bipolárního tranzistoru 2. Změřte převodovou charakteristiku bipolárního tranzistoru 3. Změřte výstupní charakteristiku bipolárního

Více

Napájení krokových motorů

Napájení krokových motorů Napájení krokových motorů Průvodce návrhem R AUTOMATIZAČNÍ TECHNIKA Střešovická 49, 162 00 Praha 6, email: s o f c o n @ s o f c o n. c z tel./fax : (02) 20 61 03 48 / (02) 20 18 04 54, http :// w w w.

Více

FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů

FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů Unipolární tranzistory Řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem: FET [Field - Effect Transistor] Proud přenášen jedním typem nosičů náboje (unipolární): - majoritní nosiče v inverzním kanálu - neuplatňuje

Více

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů tyristoru část 3-5-1 Teoretický rozbor

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů tyristoru část 3-5-1 Teoretický rozbor MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření část 3-5-1 Teoretický rozbor Výukový materiál Číslo projektu: CZ.1.07/1.5.00/34.0093 Šablona: III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Sada: 1 Číslo materiálu:

Více

Usměrňovače, filtrace zvlněného napětí, zdvojovač a násobič napětí

Usměrňovače, filtrace zvlněného napětí, zdvojovač a násobič napětí Usměrňovače, filtrace zvlněného napětí, zdvojovač a násobič napětí Usměrňovače slouží k převedení střídavého napětí, nejčastěji napětí na sekundárním vinutí síťového transformátoru, na stejnosměrné. Jsou

Více

8. ZÁKLADNÍ ZAPOJENÍ SPÍNANÝCH ZDROJŮ

8. ZÁKLADNÍ ZAPOJENÍ SPÍNANÝCH ZDROJŮ Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

popsat činnost základních zapojení operačních usměrňovačů samostatně změřit zadanou úlohu

popsat činnost základních zapojení operačních usměrňovačů samostatně změřit zadanou úlohu 4. Operační usměrňovače Čas ke studiu: 15 minut Cíl Po prostudování tohoto odstavce budete umět popsat činnost základních zapojení operačních usměrňovačů samostatně změřit zadanou úlohu Výklad Operační

Více

Základy logického řízení

Základy logického řízení Základy logického řízení 11/2007 Ing. Jan Vaňuš, doc.ing.václav Vrána,CSc. Úvod Řízení = cílené působení řídicího systému na řízený objekt je členěno na automatické a ruční. Automatickéřízení je děleno

Více

Zvyšující DC-DC měnič

Zvyšující DC-DC měnič - 1 - Zvyšující DC-DC měnič (c) Ing. Ladislav Kopecký, 2007 Na obr. 1 je nakresleno principielní schéma zapojení zvyšujícího měniče, kterému se také říká boost nebo step-up converter. Princip je založen,

Více

MĚŘENÍ JALOVÉHO VÝKONU

MĚŘENÍ JALOVÉHO VÝKONU MĚŘENÍ JALOVÉHO VÝKONU &1. Které elektrické stroje jsou spotřebiči jalového výkonu a na co ho potřebují? &2. Nakreslete fázorový diagram RL zátěže připojené na zdroj střídavého napětí. &2.1 Z fázorového

Více

Projekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.08/03.0009 NAPÁJECÍ ZDROJE

Projekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.08/03.0009 NAPÁJECÍ ZDROJE Projekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.08/03.0009 NAPÁJECÍ ZDROJE Použitá literatura: Kesl, J.: Elektronika I - analogová technika, nakladatelství BEN - technická

Více

I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup

I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup ELEKTONIKA I N V E S T I C E D O O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í 1. Usměrňování a vyhlazování střídavého a. jednocestné usměrnění Do obvodu střídavého proudu sériově připojíme diodu. Prochází jí proud

Více

+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2

+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2 Pro zadané hodnoty napájecího napětí, odporů a zesilovacího činitele β vypočtěte proudy,, a napětí,, (předpokládejte, že tranzistor je křemíkový a jeho pracovní bod je nastaven do aktivního normálního

Více

TRANZISTORY TRANZISTORY. Bipolární tranzistory. Ing. M. Bešta

TRANZISTORY TRANZISTORY. Bipolární tranzistory. Ing. M. Bešta TRANZISTORY Tranzistor je aktivní, nelineární polovodičová součástka schopná zesilovat napětí, nebo proud. Tranzistor je asi nejdůležitější polovodičová součástka její schopnost zesilovat znamená, že malé

Více

Elektrická měření pro I. ročník (Laboratorní cvičení)

Elektrická měření pro I. ročník (Laboratorní cvičení) Střední škola informatiky a spojů, Brno, Čichnova 23 Elektrická měření pro I. ročník (Laboratorní cvičení) Studentská verze Zpracoval: Ing. Jiří Dlapal B R N O 2011 Úvod Výuka předmětu Elektrická měření

Více

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Diody a usměrňova ovače Přednáška č. 2 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Diody a usměrňova ovače 1 Voltampérová charakteristika

Více

Praktikum II Elektřina a magnetismus

Praktikum II Elektřina a magnetismus Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF K Praktikum II Elektřina a magnetismus Úloha č. V Název: Měření osciloskopem Pracoval: Matyáš Řehák stud.sk.: 13 dne: 1.1.28 Odevzdal dne:...

Více

Rozvod elektrické energie v průmyslových a administrativních budovách. Sítě se zálohovaným a nepřetržitým napájením. A 5 M 14 RPI Min.

Rozvod elektrické energie v průmyslových a administrativních budovách. Sítě se zálohovaným a nepřetržitým napájením. A 5 M 14 RPI Min. Rozvod elektrické energie v průmyslových a administrativních budovách Sítě se zálohovaným a nepřetržitým napájením Topologie a uspořádání rozvodu elektrické energie v průmyslových objektech a administrativních

Více

Flyback converter (Blokující měnič)

Flyback converter (Blokující měnič) Flyback converter (Blokující měnič) 1 Blokující měnič patří do rodiny měničů se spínaným primárním vinutím, což znamená, že výstup je od vstupu galvanicky oddělen. Blokující měniče se používají pro napájení

Více

Inovace výuky předmětu Robotika v lékařství

Inovace výuky předmětu Robotika v lékařství Přednáška 7 Inovace výuky předmětu Robotika v lékařství Senzory a aktuátory používané v robotických systémech. Regulace otáček stejnosměrných motorů (aktuátorů) Pro pohon jednotlivých os robota jsou často

Více

Bezkontaktní spínací prvky: kombinace spojitého a impulsního rušení: strmý napěťový impuls a tlumené vf oscilace výkonové polovodičové měniče

Bezkontaktní spínací prvky: kombinace spojitého a impulsního rušení: strmý napěťový impuls a tlumené vf oscilace výkonové polovodičové měniče 12. IMPULZNÍ RUŠENÍ 12.1. Zdroje impulsního rušení Definice impulsního rušení: rušení, které se projevuje v daném zařízení jako posloupnost jednotlivých impulsů nebo přechodných dějů Zdroje: spínání elektrických

Více

TECHNICKÁ DOKUMENTACE

TECHNICKÁ DOKUMENTACE Střední škola, Havířov-Šumbark, Sýkorova 1/613, příspěvková organizace TECHNICKÁ DOKUMENTACE Rozmístění a instalace prvků a zařízení Ing. Pavel Chmiel, Ph.D. OBSAH VÝUKOVÉHO MODULU 1. Součástky v elektrotechnice

Více

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření optoelektronického vazebního členu, část 3-11-1

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření optoelektronického vazebního členu, část 3-11-1 MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření optoelektronického vazebního členu, část 3-11-1 Výukový materiál Číslo projektu: CZ.1.07/1.5.00/34.0093 Šablona: III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím

Více

Bipolární tranzistory. Produkt: Zavádění cizojazyčné terminologie do výuky odborných předmětů a do laboratorních cvičení

Bipolární tranzistory. Produkt: Zavádění cizojazyčné terminologie do výuky odborných předmětů a do laboratorních cvičení Název projektu: Automatizace výrobních procesů ve strojírenství a řemeslech Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.30/01.0038 Příjemce: SPŠ strojnická a SOŠ profesora Švejcara Plzeň, Klatovská 109 Tento projekt

Více

Oscilátory. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EO.

Oscilátory. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EO. Oscilátory Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EO. Měření se skládá ze dvou základních úkolů: (a) měření vlastností oscilátoru 1 s Wienovým členem (můstkový oscilátor s operačním zesilovačem)

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.4 Prvky elektronických obvodů Kapitola

Více

ELEKTRICKÉ STROJE - POHONY

ELEKTRICKÉ STROJE - POHONY ELEKTRICKÉ STROJE - POHONY Ing. Petr VAVŘIŇÁK 2013 1.5.2 DERIVAČNÍ MOTOR SCHÉMA ZAPOJENÍ 1.5.2 DERIVAČNÍ MOTOR PRINCIP ČINNOSTI Po připojení zdroje stejnosměrného napětí na svorky motoru začne procházet

Více

E L E K T R I C K Á M Ě Ř E N Í

E L E K T R I C K Á M Ě Ř E N Í Střední škola, Havířov Šumbark, Sýkorova 1/613, příspěvková organizace E L E K T R I C K Á M Ě Ř E N Í R O Č N Í K MĚŘENÍ ZÁKLDNÍCH ELEKTRICKÝCH ELIČIN Ing. Bouchala Petr Jméno a příjmení Třída Školní

Více

Účinky měničů na elektrickou síť

Účinky měničů na elektrickou síť Účinky měničů na elektrickou síť Výkonová elektronika - přednášky Projekt ESF CZ.1.07/2.2.00/28.0050 Modernizace didaktických metod a inovace výuky technických předmětů. Definice pojmů podle normy ČSN

Více

Integrovaná střední škola, Kumburská 846, Nová Paka Elektronika - Zdroje SPÍNANÉ ZDROJE

Integrovaná střední škola, Kumburská 846, Nová Paka Elektronika - Zdroje SPÍNANÉ ZDROJE SPÍNANÉ ZDROJE Problematika spínaných zdrojů Popularita spínaných zdrojů v poslední době velmi roste a stávají se převažující skupinou zdrojů na trhu. Umožňují vytvářet kompaktní přístroje s malou hmotností

Více

ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ. Katedra elektromechaniky a výkonové elektroniky. Regulace jednofázového napěťového střídače

ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ. Katedra elektromechaniky a výkonové elektroniky. Regulace jednofázového napěťového střídače ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ Katedra elektromechaniky a výkonové elektroniky BAKALÁŘSKÁ PRÁCE Regulace jednofázového napěťového střídače vedoucí práce: Ing. Vojtěch Blahník,

Více

Modul výkonových spínačů s tranzistory N-FET

Modul výkonových spínačů s tranzistory N-FET NFET4X0AB Modul výkonových spínačů s tranzistory N-FET Milan Horkel Ve starých mainboardech počítačů PC bývají pěkné veliké tranzistory N-FET, které je možné využít. Tranzistory bývají tak asi na proud

Více

Návrh frekvenčního filtru

Návrh frekvenčního filtru Návrh frekvenčního filtru Vypracoval: Martin Dlouhý, Petr Salajka 25. 9 2010 1 1 Zadání 1. Navrhněte co nejjednodušší přenosovou funkci frekvenčního pásmového filtru Dolní propusti typu Bessel, která bude

Více

ODHALOVÁNÍ PADĚLKŮ SOUČÁSTEK PARAMETRICKÝM MĚŘENÍM

ODHALOVÁNÍ PADĚLKŮ SOUČÁSTEK PARAMETRICKÝM MĚŘENÍM ODHALOVÁNÍ PADĚLKŮ SOUČÁSTEK PARAMETRICKÝM MĚŘENÍM Unites Systems a.s. 8.12.2011 1 recyklace ZDROJE PROBLÉMOVÝCH SOUČÁSTEK degradace parametrů přehřátím při demontáži, ESD problémy apod. vyřazení při testech/

Více

Srovnání kvality snímání analogových veličin řídících desek se signálovým procesorem Motorola DSP56F805. Úvod. Testované desky

Srovnání kvality snímání analogových veličin řídících desek se signálovým procesorem Motorola DSP56F805. Úvod. Testované desky Srovnání kvality snímání analogových veličin řídících desek se signálovým procesorem Motorola DSP56F805 Anotace: Tento dokument vznikl pro interní účely Výzkumného centra spalovacích motorů a automobilů

Více

Ochranné prvky pro výkonovou elektroniku

Ochranné prvky pro výkonovou elektroniku Ochranné prvky pro výkonovou elektroniku Výkonová elektronika - přednášky Projekt ESF CZ.1.07/2.2.00/28.0050 Modernizace didaktických metod a inovace výuky technických předmětů. Poruchový stav některá

Více

VY_32_INOVACE_ENI_2.MA_02_Jednofázové, třífázové a řízené usměrňovače Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing.

VY_32_INOVACE_ENI_2.MA_02_Jednofázové, třífázové a řízené usměrňovače Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Číslo projektu Číslo materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník CZ.1.07/1.5.00/34.0581 VY_32_INOVACE_ENI_2.MA_02_Jednofázové, třífázové a řízené usměrňovače Střední odborná škola a Střední odborné

Více

ELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky... 7-1 7.2 První a druhý průraz bipolárního

ELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky... 7-1 7.2 První a druhý průraz bipolárního Bohumil BRTNÍK, David MATOUŠEK ELEKTRONICKÉ PRVKY Praha 2011 Tato monografie byla vypracována a publikována s podporou Rozvojového projektu VŠPJ na rok 2011. Bohumil Brtník, David Matoušek Elektronické

Více

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Polovodičové prvky V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku

Více

Technická data. Commander SK. Měniče kmitočtu určené k regulaci otáček asynchronních motorů

Technická data. Commander SK. Měniče kmitočtu určené k regulaci otáček asynchronních motorů Technická data Commander SK Měniče kmitočtu určené k regulaci otáček asynchronních motorů Technické. Commander SK, typová velikost A až C Obr. - Příklad typového označení y K ód jmen. výkonu, např.: 00025

Více

VÝVOJOVÁ DESKA PRO JEDNOČIPOVÝ MIKROPOČÍTAČ PIC 16F88 A. ZADÁNÍ FUNKCE A ELEKTRICKÉ PARAMETRY: vstupní napětí: U IN AC = 12 V (např.

VÝVOJOVÁ DESKA PRO JEDNOČIPOVÝ MIKROPOČÍTAČ PIC 16F88 A. ZADÁNÍ FUNKCE A ELEKTRICKÉ PARAMETRY: vstupní napětí: U IN AC = 12 V (např. VÝVOJOVÁ DESKA PRO JEDNOČIPOVÝ MIKROPOČÍTAČ PIC 16F88 A. ZADÁNÍ FUNKCE A ELEKTRICKÉ PARAMETRY: vstupní napětí: U IN AC = 12 V (např. z transformátoru TRHEI422-1X12) ovládání: TL1- reset, vývod MCLR TL2,

Více

Návod k použití výkonového modulu KP10M

Návod k použití výkonového modulu KP10M Návod k použití výkonového modulu KP10M výrobce : sdružení, 552 03 Česká skalice, Pod lesem 763, Česká republika typ : KP0M 1.Technické údaje 1.1 Úvod Výkonový modul KP10M je určen pro řízení dvoufázového

Více

Výkonová elektronika KE

Výkonová elektronika KE Vysoká škola báňská - Technická univerzita Ostrava Fakulta elektrotechniky a informatiky Výkonová elektronika KE Učební texty pro kombinované a distanční studium Tomáš Pavelek Václav Sládeček Ostrava 2005

Více

Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna

Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Tato otázka přepokládá znalost otázky č. - polovodiče. Doporučuji ujasnit

Více

Elektronické praktikum EPR1

Elektronické praktikum EPR1 Elektronické praktikum EPR1 Úloha číslo 2 název Vlastnosti polovodičových prvků Vypracoval Pavel Pokorný PINF Datum měření 11. 11. 2008 vypracování protokolu 23. 11. 2008 Zadání 1. Seznamte se s funkcí

Více

Témata profilové maturitní zkoušky z předmětu Souborná zkouška z odborných elektrotechnických předmětů (elektronická zařízení, elektronika)

Témata profilové maturitní zkoušky z předmětu Souborná zkouška z odborných elektrotechnických předmětů (elektronická zařízení, elektronika) ta profilové maturitní zkoušky z předmětu Souborná zkouška z odborných elektrotechnických předmětů (elektronická zařízení, elektronika) 1. Cívky - vlastnosti a provedení, řešení elektronických stejnosměrných

Více

Bezkontaktní spínací moduly typu CTU Úvod: spínací rychlost až 50x za sekundu nedochází k rušení ostatních elektronických zařízení

Bezkontaktní spínací moduly typu CTU Úvod: spínací rychlost až 50x za sekundu nedochází k rušení ostatních elektronických zařízení Bezkontaktní spínací moduly typu CTU Úvod: Moderní elektronické spínání spotřebičů při nulovém napětí zaznamenalo v poslední době velké rozšíření v oblasti výroby kompenzačních zařízení. Jeho výhodou je

Více