ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ
|
|
- Olga Machová
- před 8 lety
- Počet zobrazení:
Transkript
1 Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: T3.2.1 MĚŘENÍ NA UNIPOLÁRNÍCH TRANZISTORECH A IO Obor: Mechanik elektronik Ročník: 2. Zpracoval(a): Bc. Josef Mahdal Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2010
2 Obsah 1. FET TRANZISTORY Test tranzistoru FET Integrované obvody Měření...7 Použitá literatura...8
3 1. FET TRANZISTORY Polem řízené (neboli unipolární či FET) tranzistory spínají/omezují protékající proud na základě toho, jaké napětí je na řídící elektrodě. Ve všech případech u tranzistoru najdeme a rozlišíme tři elektrody: řídící se nazývá gate a značí se G, spínavý proud vstupuje do drainu D a vystupuje z source S. Obr.1: Je to podobné jako u bipolárních tranzistorů: drain je zde jako kolektor, source jako emitor a gate jako báze. Na rozdíl od bipolárních tranzistorů (které jsou řízeny bázovým proudem, ale do gate nemusí téct žádný proud), stačí napětí. Rozlišujeme několik technologií, které se liší použitím. Z nejčastěji používaných jmenujeme: MOSFET obohacovací typ- spíná při přiložení napětí (cca 3 V) MOSFET ochuzovací typ vypíná při přiložení napětí J-FET se chová jako napětím řízený rezistor (používán zejm. pro zesilování) IGBT je kříženec, kde polem řízený tranzistor spíná proud do báze výkonového bipolárního tranzistoru. Všechny tyto technologie se dají vyrábět v kladné a záporné variantě (podobně jako PNP a NPN u bipolárních tranzistorů). Nejčastěji se použvá obohacovací FET s N-kanálem, které spínají přiložením kladného napětí, najdete ale i FET s P-kanálem. Nejčastěji se setkáme s výkonovými obohacovacími n-kanálovými MOSFETy řady IRF630, IRF740.
4
5 1.1 TEST TRANZISTORU FET Tranzistory FET se používají hlavně pro jejich lepší vlastnosti oproti běžným tranzistorům. Tyto tranzistory jsou však tak citlivé, že hlavně při jejich manipulaci musíme dát pozor, abychom je nezničili statickou elektřinou, která je přítomna kolem nás. Proto je výhodné tyto tranzistory před jejich zapájením změřit, zda jsou dobré, či nikoliv. Vpravo na obrázku je zapojení jednoduchého obvodu, s jehož pomocí je možné zkontrolovat funkčnost a kvalitu neznámého FET tranzistoru. Zapojení je velice jednoduché a funkčnost tranzistoru se ukáže na voltmetru. Je-li na něm po zapnutí napětí 5 V, je tranzistor proražený, a tím pádem i zničený. Pokud nám voltmetr neukáže žádné napětí, tedy 0 V, je tranzistor přerušen, a tím pádem zničen. Pokud nám voltmetr ukáže napětí mezi 2,5 až 4 V, je tranzistor funkční. Podle velikosti tohoto napětí lze odhadnout i jeho zesílení. Čím je toto napětí vyšší, tím je vyšší jeho zesílení. Čím více tranzistor zesiluje, tím větší proud teče odporem R2 a větší proud zanechá i větší úbytek napětí. Velká část těchto tranzistorů je opatřena záchytnými substrátovými diodami. Ty ochraňují G před průrazem statickou elektřinou, ale u neošetřených (starších) typů je nutná opatrnost při zacházení. Tyto tranzistory by také měly mít zkratované vývody jak při skladování, tak i při montáži. Pokud při měření tranzistoru nenaměříme žádné napětí, je docela možné, že se jedná o typ s opačnou vodivostí, u nich je nutné odpor R1 odpojit od mínusu a připojit na plus. Tuto změnu však raději provádějte při vypnutém napájení.
6 2. INTEGROVANÉ OBVODY Integrovaný obvod je mikroelektronický celek s pasivními a aktivními prvky, který tvoří určitý funkční obvod a je umístěný v jedné křemíkové destičce čipu. Hlavní výhody: poměrně vysoká spolehlivost malé rozměry nízká váha nízká spotřeba elektrické energie Nevýhody: v malých sériích vysoká cena výkonové IO je nutno chladit (např. Mikroprocesory v počítačích) Druhy Integrovaných obvodů Obr.2 Analogové zpracovávají signál spojitě se měnící Digitální zpracovávaný signál může mít jen 2 logické úrovně 0 a 1 Výroba IO Nejrozšířenější je tzv. planární technologie. Základní surovinou je křemík. Zpracování destičky křemíku Vytvoření vrstvy oxidu křemičitého na povrchu křemíkové destičky. Nanesení vrstvy citlivé na světlo (fotoemulse). Osvětlení fotoemulse přes masku. Vyvolání a následné rozpuštění vyvolané fotoemulse. Leptání oxidu křemíku. Odstranění zbylé (nevyvolané emulse). Propojení čipu Destička se po proměření funkčnosti rozřeže na jednotlivé čipy a ty se nalepí na nosné podložky. Vývody čipu se zlatými drátky propojí ke kolíkům pouzdra. Zapouzdření Celek se hermeticky umístí do ochranného pouzdra (zapouzdří). Pouzdra mohou být buď kovová, jako u tranzistorů, nebo umělohmotná typu DIL (dual-in line).
7 2.1 MĚŘENÍ Měření statických parametrů multimetrem, tak jako u tranzistorů, nelze u integrovaných obvodů provádět pro jejich složité vnitřní zapojení. Měření vstupních a výstupních hodnot napětí, proudů, popř. frekvence, lze provádět pouze na základě katalogových údajů nebo doporučeného zapojení výrobce integrovaného obvodu. Nejlépe je však dobré provádět měření na integrovaném obvodu na podkladě technické dokumentace a schématu zapojení k přístroji, ve kterém je daný integrovaný obvod použitý.
8 POUŽITÁ LITERATURA 1. MALINA, V.: Poznáváme elektroniku VI., KOPP, 2007, 292str. 2. Amatérské radio B6/82, B5/82 3. Konstrukční elektronika K Funkamateur (D) č. 2/1989
TRANZISTORY TRANZISTORY. Bipolární tranzistory. Ing. M. Bešta
TRANZISTORY Tranzistor je aktivní, nelineární polovodičová součástka schopná zesilovat napětí, nebo proud. Tranzistor je asi nejdůležitější polovodičová součástka její schopnost zesilovat znamená, že malé
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
VíceUNIPOLÁRNÍ TRANZISTOR
UNIPOLÁRNÍ TRANZISTOR Unipolární tranzistor neboli polem řízený tranzistor, FET (Field Effect Transistor), se stejně jako tranzistor bipolární používá pro zesilování, spínání signálů a realizaci logických
VíceMěření na unipolárním tranzistoru
Měření na unipolárním tranzistoru Teoretický rozbor: Unipolární tranzistor je polovodičová součástka skládající se z polovodičů tpu N a P. Oproti bipolárnímu tranzistoru má jednu základní výhodu. Bipolární
VíceIGBT Insulated Gate Bipolar Transistor speciální polovodičová struktura IGBT se používá jako spínací tranzistor nejdůležitější součástka výkonové
IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor speciální polovodičová struktura IGBT se používá jako spínací tranzistor nejdůležitější součástka výkonové elektroniky chová se jako bipolární tranzistor řízený unipolárním
VícePolovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.
Polovodičové prvky V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku
VíceVY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl
Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická
VíceOtázka č.4. Silnoproudé spínací polovodičové součástky tyristor, IGBT, GTO, triak struktury, vlastnosti, aplikace.
Otázka č.4 Silnoproudé spínací polovodičové součástky tyristor, IGBT, GTO, triak struktury, vlastnosti, aplikace. 1) Tyristor Schematická značka Struktura Tyristor má 3 PN přechody a 4 vrstvy. Jde o spínací
VíceZesilovač. Elektronický obvod zvyšující hodnotu napětí nebo proudu při zachování tvaru jeho průběhu. Princip zesilovače. Realizace zesilovačů
Zesilovač Elektronický obvod zvyšující hodnotu napětí nebo proudu při zachování tvaru jeho průběhu Princip zesilovače Zesilovač je dvojbran který může současně zesilovat napětí i proud nebo pouze napětí
VíceZáklady elektrotechniky
Základy elektrotechniky Přednáška Tranzistory 1 BIPOLÁRNÍ TRANZISTOR - třívrstvá struktura NPN se třemi vývody (elektrodami): e - emitor k - kolektor b - báze Struktura, náhradní schéma a schematická značka
VíceUnipolární tranzistory
Unipolární tranzistory MOSFET, JFET, MeSFET, NMOS, PMOS, CMOS Unipolární tranzistory aktivní součástka řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem většinové nosiče menšinové nosiče parazitní charakter
VícePolovodiče Polovodičové měniče
Polovodiče Polovodičové měniče Ing. Tomáš Mlčák, Ph.D. Fakulta elektrotechniky a informatiky VŠB TUO Katedra elektrotechniky www.fei.vsb.cz/kat452 PEZ I ELEKTRONIKA Podoblast elektrotechniky která využívá
VíceVY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl
Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.4 Prvky elektronických obvodů Kapitola
VíceRegulátor krokových motorů
http://www.coptkm.cz/ Regulátor krokových motorů Roztočit stejnosměrný motor je velmi jednoduché, ale s krokovým motorem již je to složitější. V minulosti bylo publikováno mnoho nejrůznějších zapojení,
VíceVLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU
VLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU Úvod: Čas ke studiu: Polovodičové součástky pro výkonovou elektroniku využívají stejné principy jako běžně používané polovodičové součástky
VíceŘízené polovodičové součástky. Výkonová elektronika
Řízené polovodičové součástky Výkonová elektronika Polovodičové součástky s řízeným zapnutím řídící signál přivede spínač z blokovacího do propustného stavu do závěrného stavu jen vnější komutací (přerušením)
VíceUrčení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů
Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů Tranzistor je elektronická aktivní součástka se třemi elektrodami.podstatou jeho funkce je transformace odporu mezi
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
VíceROZD LENÍ ZESILOVA Hlavní hledisko : Další hlediska : A) Podle kmito zesilovaných signál B) Podle rozsahu zpracovávaného kmito tového pásma
ROZDĚLENÍ ZESILOVAČŮ Hlavní hledisko : A) Zesilovače malého signálu B) Zesilovače velkého signálu Další hlediska : A) Podle kmitočtů zesilovaných signálů -nízkofrekvenční -vysokofrekvenční B) Podle rozsahu
VíceTRANZISTORY BIPOLÁRNÍ
TRNZISTORY BIPOLÁRNÍ Tranzistory NF do 1.5W BC547B BC557B 45 0.1 0.5 00~450 100 0.6 (1) BC547C BC557C T/B 45 0.1 0.5 40~800 100 0.6 (1) BC546B BC556B 65 0.1 0.5 00~450 100 0.6 (1) N3904 T/B N3906 T/B 40
VíceISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec
ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace Metodický pokyn CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.20 Integrovaná střední škola technická Mělník,
VíceVY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů
VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů Vodivost polovodičů pojem polovodiče čistý polovodič, vlastní vodivost příměsová vodivost polovodičová dioda tranzistor Polovodiče Polovodiče jsou látky, jejichž
VíceŘídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek
Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Hlavní požadavky na ideální budič Galvanické
VíceKroužek elektroniky 2010-2011
Dům dětí a mládeže Bílina Havířská 529/10 418 01 Bílina tel. 417 821 527 http://www.ddmbilina.cz e-mail: ddmbilina@seznam.cz Kroužek elektroniky 2010-2011 Dům dětí a mládeže Bílina 2010-2011 1 (pouze pro
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.4 Prvky elektronických obvodů Kapitola
VíceSpínače s tranzistory řízenými elektrickým polem. Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT
Spínače s tranzistory řízenými elektrickým polem Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT Základní vlastnosti spínačů s tranzistory FET, IGBT resp. IGCT plně řízený spínač nízkovýkonové řízení malý
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
Více15. ZESILOVAČE V KOMUNIKAČNÍCH ZAŘÍZENÍCH
15. ZESILOVAČE V KOMUNIKAČNÍCH ZAŘÍZENÍCH Rozdělení zesilovačů podle velikosti rozkmitu vstupního napětí, podle způsobu zapojení tranzistoru do obvodu, podle způsobu vazby na následující stupeň a podle
VíceZpůsoby realizace paměťových prvků
Způsoby realizace paměťových prvků Interní paměti jsou zapojeny jako matice paměťových buněk. Každá buňka má kapacitu jeden bit. Takováto buňka tedy může uchovávat pouze hodnotu logická jedna nebo logická
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
Vícenapájecí zdroj I 1 zesilovač Obr. 1: Zesilovač jako čtyřpól
. ZESILOVACÍ OBVODY (ZESILOVAČE).. Rozdělení, základní pojmy a vlastnosti ZESILOVAČ Zesilovač je elektronické zařízení, které zesiluje elektrický signál. Má vstup a výstup, tzn. je to čtyřpól na jehož
VíceOsnova: 1. Klopné obvody 2. Univerzálníobvod 555 3. Oscilátory
K620ZENT Základy elektroniky Přednáška ř č. 6 Osnova: 1. Klopné obvody 2. Univerzálníobvod 555 3. Oscilátory Bistabilní klopný obvod Po připojení ke zdroji napájecího napětí se obvod ustálí tak, že jeden
VíceTranzistory. BI-CiAO Číslicové a analogové obvody 4. přednáška Martin Novotný ČVUT v Praze, FIT, 2009-2012
Tranzistory I-iAO Číslicové a analogové obvody 4. přednáška Martin Novotný ČVT v Praze, FIT, 2009-2012 Tranzistory ipolární nipolární NPN PNP MOSFET MESFET JFET NMOS PMOS MOS Tranzistory ipolární nipolární
VíceELEKTRICKÝ PROUD V POLOVODIČÍCH
LKTRIKÝ ROUD V OLOVODIČÍH 1. olovodiče olovodiče mohou snadno měnit svůj odpor. Mohou tak mít vlastnosti jak vodičů tak izolantů, což záleží například na jejich teplotě, osvětlení, příměsích. Odpor mění
VíceZavádění inovativních metod a výukových materiálů do přírodovědných předmětů na Gymnáziu v Krnově. 07_3_Elektrický proud v polovodičích
Zavádění inovativních metod a výukových materiálů do přírodovědných předmětů na Gymnáziu v Krnově 07_3_Elektrický proud v polovodičích Ing. Jakub Ulmann 3 Polovodiče Př. 1: Co je to? Př. 2: Co je to? Mikroprocesor
VíceODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ
Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: MEI 2.5 ZÁKLADY PÁJENÍ Obor: Mechanik elektronik Ročník: 1. Zpracoval(a): Bc. Josef Mahdal Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2009 Projekt je spolufinancován
VíceÚvod do moderní fyziky. lekce 9 fyzika pevných látek (vedení elektřiny v pevných látkách)
Úvod do moderní fyziky lekce 9 fyzika pevných látek (vedení elektřiny v pevných látkách) krystalické pevné látky pevné látky, jejichž atomy jsou uspořádány do pravidelné 3D struktury zvané mřížka, každý
VíceManuální, technická a elektrozručnost
Manuální, technická a elektrozručnost Realizace praktických úloh zaměřených na dovednosti v oblastech: Vybavení elektrolaboratoře Schématické značky, základy pájení Fyzikální principy činnosti základních
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
VíceUnipolární Tranzistory
Počítačové aplikace 000 Unipolární Tranzistor aktivní součástka polovodičový zesilující prvek znám od r. 960 proud vedou majoritní nositelé náboje náznak teorie čtřpólů JFET MOS u i i Y Čtřpól - admitanční
VíceISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec
ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.05 Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566,
VícePolovodičov. ové prvky. 4.přednáška
Polovodičov ové prvky 4.přednáška Polovodiče Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku (Si). Čisté krystaly křemíku mají za pokojové teploty jen
Více1.3 Bipolární tranzistor
1.3 Bipolární tranzistor 1.3.1 Úkol: 1. Změřte vstupní charakteristiku bipolárního tranzistoru 2. Změřte převodovou charakteristiku bipolárního tranzistoru 3. Změřte výstupní charakteristiku bipolárního
VíceStopař pro začátečníky
Stopař pro začátečníky Miroslav Sámel Před nějakou dobou se na http://letsmakerobots.com/node/8396 objevilo zajímavé a jednoduché zapojení elektroniky sledovače čáry. Zejména začínající robotáři mají problémy
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
VíceODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ
Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: ME II-4.2.1. STAVBA JEDNODUCHÉHO ZESILOVAČE Obor: Mechanik - elekronik Ročník: 2. Zpracoval: Ing. Michal Gregárek Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2010
VíceVoltův článek, ampérmetr, voltmetr, ohmmetr
Úloha č. 1b Voltův článek, ampérmetr, voltmetr, ohmmetr Úkoly měření: 1. Sestrojte Voltův článek. 2. Seznamte se s multimetry a jejich zapojováním do obvodu. 3. Sestavte obvod pro určení vnitřního odporu
VíceInteligentní Polovodičový Analyzér Provozní manuál
Inteligentní Polovodičový Analyzér Provozní manuál Před uvedením přístroje do provozu si velmi pečlivě přečtěte tento provozní manuál. Obsahuje důležité bezpečnostní informace. 3 Obsah.. Strana Úvod...
VíceRegulovatelný síťový adaptér NT 255
Regulovatelný síťový adaptér NT 255 Objednací číslo: 19 58 47 Použití: Profesionální laboratorní síťový adaptér - pro: - dílny, školy - laboratoře, radioamatéry - počítače 100 % stabilita napětí Technická
VícePolovodiče, polovodičové měniče
Polovodiče, polovodičové měniče Zpracoval: Václav Kolář, Václav Vrána, Jan Ddek ELEKTONIKA Podoblast elektrotechniky která vyžívá vedení elektrického prod v polovodičích. (V minlosti též ve vak či plynech
VíceInovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/34.0452
Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/34.0452 Číslo projektu Číslo materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0452 OV_2_27_Koncový stupeň Název školy
VíceInovace výuky předmětu Robotika v lékařství
Přednáška 7 Inovace výuky předmětu Robotika v lékařství Senzory a aktuátory používané v robotických systémech. Regulace otáček stejnosměrných motorů (aktuátorů) Pro pohon jednotlivých os robota jsou často
VíceLABORATORNÍ CVIČENÍ Elektrotechnika a elektronika
VUT FSI BRNO ÚVSSaR, ODBOR ELEKTROTECHNIKY JMÉNO: ŠKOLNÍ ROK: 2010/2011 PŘEDNÁŠKOVÁ SKUPINA: 1E/95 LABORATORNÍ CVIČENÍ Elektrotechnika a elektronika ROČNÍK: 1. KROUŽEK: 2EL SEMESTR: LETNÍ UČITEL: Ing.
VíceOsnova: 1. Speciální diody 2. Tranzistory 3. Operační zesilovače 4. Řízené usměrňovače
K621ZENT Základy elektroniky Přednáška ř č. 3 Osnova: 1. Speciální diody 2. Tranzistory 3. Operační zesilovače 4. Řízené usměrňovače LED Přiložením napětí v propustném směru dochází k injekci nosičů přes
VíceNázev: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení
Název: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení Autor: Mgr. Petr Majer Název školy: Gymnázium Jana Nerudy, škola hl. města Prahy Předmět (mezipředmětové vztahy) : Fyzika Tematický celek:
VíceMĚŘENÍ TRANZISTOROVÉHO ZESILOVAČE
Úloha č. 3 MĚŘÍ TRAZISTOROVÉHO ZSILOVAČ ÚOL MĚŘÍ:. Změřte a) charakteristiku I = f (I ) při U = konst. tranzistoru se společným emitorem a nakreslete její graf; b) zesilovací činitel β tranzistoru se společným
VícePaměťové prvky. ITP Technika personálních počítačů. Zdeněk Kotásek Marcela Šimková Pavel Bartoš
Paměťové prvky ITP Technika personálních počítačů Zdeněk Kotásek Marcela Šimková Pavel Bartoš Vysoké učení technické v Brně, Fakulta informačních technologií v Brně Božetěchova 2, 612 66 Brno Osnova Typy
VíceTyp UCE0 (V) IC (A) PCmax (W)
REDL 3.EB 11 1/13 1.ZADÁNÍ Změřte statické charakteristiky tranzistoru K605 v zapojení se společným emitorem a) Změřte výstupní charakteristiky naprázdno C =f( CE ) pro B =1, 2, 4, 6, 8, 10, 15mA do CE
VíceFET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů
FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů (elektrony nebo díry) pracují s kanálem jednoho typu vodivosti
VíceObrázek 1: Schematická značka polovodičové diody. Obrázek 2: Vlevo dioda zapojená v propustném směru, vpravo dioda zapojená v závěrném směru
Škola: Autor: DUM: Vzdělávací obor: Tematický okruh: Téma: Masarykovo gymnázium Vsetín Mgr. Jitka Novosadová MGV_F_SS_2S2_D16_Z_ELMAG_Polovodicove_soucastky_PL Člověk a příroda Fyzika Elektřina a magnetismus
VíceIng. Milan Nechanický. Cvičení. SOUBOR PŘÍPRAV PRO 3. R. OBORU 23-41-M/01 Elektrotechnika - Mechatronika. Monitorovací indikátor 06.43.
STŘEDNÍ PRŮMYSLOVÁ ŠKOLA STROJNICKÁ A STŘEDNÍ ODBORNÁ ŠKOLA PROFESORA ŠVEJCARA, PLZEŇ, KLATOVSKÁ 109 Ing. Milan Nechanický Měření a diagnostika Cvičení SOUBOR PŘÍPRAV PRO 3. R. OBORU 23-41-M/01 Elektrotechnika
VíceKurs praktické elektroniky a kutění
Kurs praktické elektroniky a kutění Katedra měření, ČVUT FEL, Praha 12.9. 16.9.2016 19.9. 23.9.2016 Doc. Ing. Jan Holub, PhD. Vedoucí katedry měření Doc. Ing. Jan Fischer, CSc. prezentující Tento materiál
VíceODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEIII - 3.0.2 ÚVOD DO SMT TECHNOLOGIE II
Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: MEIII - 3.0.2 ÚVOD DO SMT TECHNOLOGIE II Obor: Mechanik elektronik Ročník: 3. Zpracoval(a): Jiří Kolář Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2010 Projekt
VíceFEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů
Unipolární tranzistory Řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem: FET [Field - Effect Transistor] Proud přenášen jedním typem nosičů náboje (unipolární): - majoritní nosiče v inverzním kanálu - neuplatňuje
VíceZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ. Katedra aplikované elektroniky a telekomunikací BAKALÁŘSKÁ PRÁCE
ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ Katedra aplikované elektroniky a telekomunikací BAKALÁŘSKÁ PRÁCE Přehled a srovnání vlastností moderních tranzistorů pro klasické výkonové audio
Více4. Vysvětlete mechanismus fotovodivosti. Jak závisí fotovodivost na dopadajícím světelném záření?
Dioda VA 1. Dvě křemíkové diody se liší pouze plochou PN přechodu. Dioda D1 má plochu přechodu dvakrát větší, než dioda D2. V jakém poměru budou jejich diferenciální odpory, jestliže na obou diodách bude
VíceETC Embedded Technology Club setkání 5, 3B zahájení třetího ročníku
ETC Embedded Technology Club setkání 5, 3B 6.11. 2018 zahájení třetího ročníku Katedra měření, Katedra telekomunikací,, ČVUT- FEL, Praha doc. Ing. Jan Fischer, CSc. ETC club,5, 3B 30.10.2018, ČVUT- FEL,
VíceMĚŘENÍ POLOVODIČOVÉHO USMĚRŇOVAČE STABILIZACE NAPĚTÍ
Úloha č. MĚŘENÍ POLOVODIČOVÉHO SMĚRŇOVČE STBILIZCE NPĚTÍ ÚKOL MĚŘENÍ:. Změřte charakteristiku křemíkové diody v propustném směru. Měřenou závislost zpracujte graficky formou I d = f ( ). d. Změřte závěrnou
VíceBipolární tranzistory
Bipolární tranzistory Historie V prosinci 1947 výzkumní pracovníci z Bellových laboratořích v New Jersey zjistili, že polovodičová destička z germania se zlatými hroty zesiluje slabý signál. Vědci byli
VíceMĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření VA-charakteristik bipolárního tranzistoru, část 3-10-1
MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření VA-carakteristik bipolárnío tranzistoru, část 3-10-1 Výukový materiál Číslo projektu: Z.1.07/1.5.00/34.0093 Šablona: /2 novace a zkvalitnění výuky prostřednictvím
VíceNázev projektu: EU peníze školám. Základní škola, Hradec Králové, M. Horákové 258
Název projektu: EU peníze školám Registrační číslo projektu: CZ.1.07/1.4.00/21.2575 Základní škola, Hradec Králové, M. Horákové 258 Téma: Elektronika Název: VY_32_INOVACE_07_02B_27. Práce s páječkou, značky
VíceNEBEZPEČÍ KTERÁPŘEDSTAVUJE STATICKÁ ELEKTŘINA V LETECTVÍ
NEBEZPEČÍ KTERÁPŘEDSTAVUJE STATICKÁ ELEKTŘINA V LETECTVÍ PŘI ÚDERU BLESKU DO LETADLA POŠKOZENÍ DRAKU LETADLA A AVIONIKY ROZDÍL POTENCIÁLŮ DESÍTKY AŽ STOVKY kv VYVOLÁ JISKROVÝ VÝBOJ VZNÍCENÍ PALIVA POŠKOZENÍ
VíceInovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/34.0452
Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/34.0452 Číslo projektu Číslo materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0452 OV_2_21_Detektor lži Název školy Střední
VíceTranzistor polopatě. Tranzistor jako spínač
Tranzistor polopatě Ing. Jiří Bezstarosti Úlohou toho článku není vysvětlit fyzikální činnost tranzistoru, ale spíše naznačit způsoby jeho použití. Zároveň se tento článek bude snažit vysvětlit problematiku
VíceIntegrovaná střední škola, Kumburská 846, Nová Paka Elektronika - Zdroje SPÍNANÉ ZDROJE
SPÍNANÉ ZDROJE Problematika spínaných zdrojů Popularita spínaných zdrojů v poslední době velmi roste a stávají se převažující skupinou zdrojů na trhu. Umožňují vytvářet kompaktní přístroje s malou hmotností
VíceI N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup
ELEKTONIKA I N V E S T I C E D O O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í 1. Usměrňování a vyhlazování střídavého a. jednocestné usměrnění Do obvodu střídavého proudu sériově připojíme diodu. Prochází jí proud
VíceBipolární tranzistor. Bipolární tranzistor. Otevřený tranzistor
Bipolární tranzistor Bipolární tranzistor polovodičová součástka se dvěma PN přechody a 3 elektrodami: C - kolektorem E - emitorem B - bází vrstvy mohou být v pořadí NPN nebo PNP, častější je varianta
VíceODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII - 3.2.2 MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH
Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: MEII - 3.2.2 MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH Obor: Mechanik elektronik Ročník: 2. Zpracoval(a): Bc. Josef Mahdal Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2010
VíceUrčeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče
Určeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče Pracovní list - test vytvořil: Ing. Lubomír Kořínek Období vytvoření VM: listopad 2013 Klíčová slova: dioda, tranzistor,
VíceUniverzita Tomáše Bati ve Zlíně
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Unipolárn rní tranzistory Přednáška č. 5 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Unipolárn rní tranzistory 1 Princip činnosti
Více[Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] Na rezistoru je napětí 25 V a teče jím proud 50 ma. Rezistor má hodnotu.
[Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] 04.01.01 Na rezistoru je napětí 5 V a teče jím proud 25 ma. Rezistor má hodnotu. A) 100 ohmů B) 150 ohmů C) 200 ohmů 04.01.02 Na rezistoru
VíceUnipolÄrnÅ tranzistory JFET. DělenÅ unipolärnåch tranzistorů. (Junction Field Effect Tranzistor)
UnipolÄrnÅ tranzistory Na rozdäl od bipolårnäch tranzistorů, u kteréch řäzené proud prochåzä dvěma polovodičovémi přechody a ovlådajä se båzovém proudem (čämž zatěžujä budäcä obvod näzkém vstupnäm odporem),
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.4 Prvky elektronických obvodů Kapitola
VíceCZ.1.07/1.1.08/03.0009
Projekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.08/03.0009 Elektrický proud Elektrický proud je uspořádaný tok volných elektronů ze záporného pólu ke kladnému pólu zdroje.
VíceSTAVEBNÍ NÁVODY 1 pro činnost v elektro a radio kroužcích a klubech
STAVEBNÍ NÁVODY 1 pro činnost v elektro a radio kroužcích a klubech Nejjednodušší stavební návody Verze V.4, stav k 5. prosinci 2014. Byl upraven Stavební návod na Cvrčka. Víte o dalších zajímavých návodech?
VíceProjekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.08/03.0009 NAPÁJECÍ ZDROJE
Projekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.08/03.0009 NAPÁJECÍ ZDROJE Použitá literatura: Kesl, J.: Elektronika I - analogová technika, nakladatelství BEN - technická
VíceODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII - 3.1 MĚŘENÍ ZÁKLADNÍCH EL. VELIČIN
Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: MEII - 3.1 MĚŘENÍ ZÁKLADNÍCH EL. VELIČIN Obor: Mechanik Elektronik Ročník: 2. Zpracoval(a): Jiří Kolář Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2010 Projekt
VíceNÁVOD K MONTÁŽI A OBSLUZE. Obj. č.: 29 90 22
NÁVOD K MONTÁŽI A OBSLUZE Obj. č.: 29 90 22 2 OBSAH Strana: 1. Popis zapojení... 2 2. Profil hotové stavebnice... 2 3. Pomocné prostředky, potřebné k zhotovení... 3 4. Schéma zapojení... 3 5. Schéma osazení...
VíceLaboratorní úloha č. 1 Základní elektrická měření
Laboratorní úloha č. 1 Základní elektrická měření Úkoly měření: 1. Zvládnutí obsluhy klasických multimetrů. 2. Jednoduchá elektrická měření měření napětí, proudu, odporu. 3. Měření volt-ampérových charakteristik
VíceMěnič pro obloukové svařování řízený signálovým procesorem
Měnič pro obloukové svařování řízený signálovým procesorem Ing. Petr Hapal Vysoké učení technické v Brně, Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, Ústav výkonové elektroniky, Technická 8, 612
VíceČESKÉ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V PRAZE FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ. Katedra řídící techniky BAKALÁŘSKÁ PRÁCE
ČESKÉ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V PRAZE FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ Katedra řídící techniky BAKALÁŘSKÁ PRÁCE Spínaný zdroj 4V/,5A Praha 00 Petr Janda Prohlášení Prohlašuji, že jsem svou bakalářskou práci vypracoval
VíceVážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího
Více11-1. PN přechod. v přechodu MIS (Metal - Insolator - Semiconductor),
11-1. PN přechod Tzv. kontaktní jevy vznikají na přechodu látek s rozdílnou elektrickou vodivostí a jsou základem prakticky všech polovodičových součástek. v přechodu PN (který vzniká na rozhraní polovodiče
VíceDetektor bouřek. PETR ADÁMEK, PAVEL VARNUŠKA Pedagogická fakulta JU, České Budějovice. Resume. Úvod. Bouřky. Veletrh nápadů učitelů fyziky 23
Detektor bouřek PETR ADÁMEK, PAVEL VARNUŠKA Pedagogická fakulta JU, České Budějovice Resume Příspěvek se zabývá praktickými konstrukcemi elektronických detektorů úderu blesků pro mladé členy kroužku elektroniky.
VíceManuální, technická a elektrozručnost
Manuální, technická a elektrozručnost Realizace praktických úloh zaměřených na dovednosti v oblastech: Vybavení elektrolaboratoře Schématické značky, základy pájení Fyzikální principy činnosti základních
VíceOdrušení plošných spoj Vlastnosti plošných spoj Odpor Kapacitu Induk nost mikropáskového vedení Vlivem vzájemné induk nosti a kapacity eslechy
Odrušení plošných spojů Ing. Jiří Vlček Tento text je určen pro výuku praxe na SPŠE. Doplňuje moji publikaci Základy elektrotechniky Elektrotechnologii. Vlastnosti plošných spojů Odpor R = ρ l/s = ρ l/t
VíceVyzařování černého tělesa, termoelektrický jev, závislost odporu na teplotě.
Klíčová slova Vyzařování černého tělesa, termoelektrický jev, závislost odporu na teplotě. Princip Podle Stefanova-Boltzmannova zákona vyzařování na jednotu plochy a času černého tělesa roste se čtvrtou
VíceÚloha- Systém sběru dat, A4B38NVS, ČVUT - FEL, 2015 1
Úloha Sběr dat (v. 2015) Výklad pojmu systém sběru dat - Systém sběru dat (Data Acquisition System - DAQ) je možno pro účely této úlohy velmi zjednodušeně popsat jako zařízení, které sbírá a vyhodnocuje
Více