MASARYKOVA UNIVERZITA

Rozměr: px
Začít zobrazení ze stránky:

Download "MASARYKOVA UNIVERZITA"

Transkript

1 MASARYKOVA UNIVERZITA Přírodovědecká fakulta Ústav fyziky kondenzovaných látek FYZIKA POLOVODIČŮ Předmluva k učebním textům Vladimír Strakoš Brno

2 Úvod ke skriptům a pár slov k historii polovodičové techniky. Polovodičová technika a především nové znalosti v této oblasti zaznamenaly v posledních 50 až 70 letech obrovský nárůst. Dá se proto říci, že druhá polovina dvacátého století je érou polovodičů. Publikovány byly tisíce prací a patentů. Tento trend nekončí a bude i nadále pokračovat. Při přípravě studijních textů je třeba vyřešit otázku na co se zaměřit, aby text byl stále aktuální a přinesl i v budoucnosti nezbytné informace, bez kterých lze jen těžko pochopit principy polovodičových součástek. Zde se nabízí analogie s vývojem lidského embrya, které odráží skutečný vývoj živých organismů v horizontu miliónů let. Vývoj začíná rýhováním mateřské buňky, jejím dělením, pak nabývá forem připomínajících organizmus plazů, ptáků až do konečné podoby dnešního lidského embrya. Nedochází zde k přeskočení základních vývojových fází. Při studiu polovodičové problematiky rovněž nelze přeskočit celou polovodičovou historii a věnovat se jen aktuální problematice. Je třeba čerpat z těch poznatků, které mají obecnou, trvalou platnost a dají se aplikovat také na jevy, které přicházejí s aktuálními problémy nových technologií a které je nutné analyzovat. Předkládané učební texty mají následující členění: V prvním dílu Fyziky polovodičů Přechod PN, kterou zpracoval Ing.Radomír Lenhard, CSc. Je uveden přehled elementárních veličin a vztahů mezi nimi, bez kterých lze jen velmi těžce pochopit principy polovodičových součástek popisovaných v dalších dílech skript. Tento díl je rozdělen do devíti kapitol. Detailně jsou zde vysvětleny pojmy a výhody konceptu dvou typů nosičů elektronů a děr a jejich chování se v energetickém pásovém diagramu. Koncept energetických stavů v pásovém diagramu a jejich obsazování nosiči řízené statistickou Fermi-Diracovou rozdělovací funkcí pomáhá pochopit problematiku elektrostatických jevů zvláště pak v okolí přechodu PN, ale také dynamických transportních jevů. Vysvětleny jsou pojmy jako generace a rekombinace a následně pak pohyblivost, drift a difúze nosičů, které jsou nezbytné pro studium nerovnovážných jevů v polovodičích. Značná pozornost je věnována teorii přechodu PN. Řešení Poissonovy rovnice dává jednoduchý nástroj pro nalezení závislosti jak elektrický náboj ovlivňuje rozložení elektrického pole a elektrického potenciálu. Velmi podrobně jsou popsány průrazné mechanismy a proudová bilance přechodu PN. Závěrečná kapitola prvního dílu je věnována popisu fotovoltaického článku. Detailní analýza přechodu PN je dobrým a potřebným odrazovým můstkem pro studium principů složitějších polovodičových součástek jako jsou bipolární a unipolární tranzistory. Těm jsou věnovány další díly skript. V druhém dílu Fyziky polovodičů Bipolární tranzistor, Ing. Radomíra Lenharda, CSc. jsou v šesti kapitolách zpracována nejdůležitější témata teorie bipolárních tranzistorů. V první kapitole je vysvětlen princip činnosti bipolárního tranzistoru a uvedeny jsou definice základních parametrů. V druhé kapitole je popsán klasický model bipolárního tranzistoru na základě obecné fyziky polovodičů jako je rovnice kontinuity, rovnice Poisonovy, Einseteinova vztahu, difúzních a driftových složek proudů atd. Následující třetí kapitola přináší rozšíření klasického modelu bipolárního tranzistoru. Zavádí možnost pracovat s obecnými koncentračními profily v emitoru a v bázi, zohledňuje vliv silné injekce, dále modulace vodivosti báze (Websterův efekt), proudový crowding efekt v bázi, vliv rozšiřování báze (Kirkův efekt), zúžování neutrální báze (Early efekt), vliv vysoké koncentrace příměsí, zvláště pak zúžení šířky zakázaného pásu. Čtvrtá kapitola je věnována mezním hodnotám napětí, především různým typům napěťových průrazů. Popsány jsou také saturace a kvasisaturace. Pátá kapitola rozebírá vysokofrekvenční vlastnosti bipolárního tranzistoru, uveden je 2

3 také přehled základních mechanizmů šumu. Poslední šestá kapitola rozebírá parazitní prvky v bipolárních tranzistorech realizovaných v integrovaných strukturách a způsob jejich měření. Ve třetím dílu Fyziky polovodičů-unipolární tranzistor MOSFET Ing.Vladimíra Strakoše, CSc. jsou uvedeny čtyři kapitoly. První kapitola je věnována základní fyzice ideálního a reálného MOS kondenzátoru včetně rozložení náboje, elektrického pole, potenciálu a pásového diagramu MOS struktury. Dále je vysvětlen model MOS struktury respektující pevný a pohyblivý náboj, rozdíl výstupních prací mezi hradlem a polovodičem a podmínka vyrovnání pásů. Druhá kapitola je věnována C-V křivkám, zvláště pak jejich závislosti na tloušťce dielektrika a dotace polovodiče MOS struktury, dále pak na frekvenci měřícího signálu, na vliv teploty a osvětlení. Vysvětleny jsou pojmy akumulace, ochuzení, hlubokého ochuzení a inverze. Je uveden popis C-t metody v souvislosti, generační dobou života minoritních nosičů a rozmístěním generačně-rekombinačních center v zakázaném pásu. Součástí této kapitoly je také podrobná charakterizace nábojů v oxidu a na rozhraní oxid polovodič. Závěr kapitoly je věnován napěťově teplotním tj. BT testům. Třetí kapitola pojednává o testovacích strukturách a metodách vhodných pro studium povrchových vlastností polovodičů. Analyzovány jsou: kanálová vodivost, hradlem řízený pn-přechod, polem indukované přechody včetně kanálových proudů, vliv povrchových efektů na průrazné napětí přechodu, prahové napětí a další povrchové jevy. Čtvrtá kapitola je zaměřena na MOS tranzistor. Vysvětlen je princip činnosti MOSFETu včetně odvození volt-ampérových charakteristik. Činnost tohoto tranzistoru je pro lepší pochopení vysvětlena pomocí analogie s vodním modelem. Základní model MOS tranzistoru je dále rozšířen o vysvětlení tzv. body efektu, diskutován je také vliv délky kanálu, velikost prahového napětí a jeho nastavení, komplementární MOS tranzistory a další. V závěru jsou uvedeny různé druhy struktur, ve kterých je používám MOSFET jako např.: CCD, CMOS, VDMOS, IGBT,... Pojďme se podívat na zásadní pionýrské práce, objevy a teorie, které ovlivnily významně rozvoj polovodičů v minulosti. Již v roce 1926 německý fyzik Julius Edgar Lilienfeld patentuje princip polem řízeného tranzistoru - viz obr1. Byl to, bohužel, jen princip, bez realizace. Obr.1 Julius Edgar Lilienfeld a jeho koncept tranzistoru řízeného elektrickým polem. Američan Russell Ohl v Bellových laboratořích vytvořil a jako první popsal polovodičový přechod P-N na monokrystalickém křemíku v roce Zároveň ve stejném roce vynalezl fotočlánek, který v roce 1941 patentoval. Oba vynálezy významně ovlivnily další rozvoj polovodičové techniky. 3

4 Pochopení jevů na přechodu P-N, bezprostředně přispělo k objevu bipolárního tranzistoru. Komerční využití objevu fotočlánku nabývá teprve dnes neskutečného rozsahu. Obr.2 Russel Ohl vytvořil první přechod P-N a vynalezl fotočlánk, které jsou znázorněny na demonstračním obrázku (uprostřed a vpravo). Pracovníci Bellových laboratoří John Bardeen a Walter Brattain vytvořili první germaniový hrotový tranzistor a následně William Shockley tranzistor s přechodem P-N. Bellovy laboratoře zveřejnily objev hrotového tranzistoru v roce 1948, objev plošného tranzistoru v roce V souvislosti s vynálezem tranzistoru získali pak v roce 1956 všichni tři Nobelovu cenu za fyziku. Pozn.: John Bardeen získal později jako jediný vědec na světě druhou Nobelovu ceny za fyziku společně s Leonem Neilem Cooperem a Johnem Robertem Schriefferem v roce 1972 za základní teorii konvenční supravodivosti. Obr.3 William Bradford Shockley, Walter Hauser Brattain a John Bardeen (vpravo). W. Shockley publikoval v roce 1950 své stěžejní dílo Elektrony a díry v polovodiči, které na 558 stranách podrobně vysvětluje moderní polovodičovou fyziku. Stěžejní přínos spočívá v důsledném použití konceptu děr vedle elektronů a yavedení konceptu statistických inženýrských veličin jako drift a difuzivita do transportních jevů. Popsal také pohyb nosičů pomocí diferenciálních rovnic, proslavila jej především Shockleyho diodová rovnice. Tato práce se stala Biblí pro začínající techniky a vědce v polovodičové fyzice. 4

5 Jack Kilby ze společnosti Texas Instruments realizuje v roce 1958 první integrovaný obvod za použití drátových propojek (RC oscilátor s 5 rezistory, 3 kapacitory a jedním tranzistorem). Kilby zhotovil celkem tři integrované obvody již v roce Vyrobeny byly z kousku germania s kontakty tvořenými přiletovanými drátky a každý z nich měl velikost zhruba 11 2mm. Rok nato si společnost Texas Instruments tyto integrované obvody nechala patentovat. Obr.4 Jack Kilby a první integrovaný obvod, Texas Instrument, Obr.5 Jean Hoerni a layout planárního tranzistoru Fairchild Jean Hoerni ze společnosti Fairchild realizuje prvý planární tranzistor v roce 1958, čímž je odstartována úspěšná cesta planární technologie. 5

6 Robert Noyce ze společnosti Fairchild Semiconductor konstruuje první funkční planární integrovaný obvod jako monolitický čip (klopný obvod se čtyřmi tranzistory). Noyce namísto drahého germania použil křemík a na začátku roku 1959 vytvořil integrovaný obvod planární technologií, která se ukázala pro průmyslovou výrobu mnohem vhodnější než Kilbyho hrotové obvody. První patent byl udělen 25. dubna 1961 Noycemu, Kilbymu byl patent udělen až o tři roky později. Díky dohodám obou firem soud nakonec uznal Kilbyho patent na integrovaný obvod, zatímco Noycemu patent na způsob výroby integrovaných obvodů lišící se od toho, jaký předložil Kilby. Obr.6. Robert Noyce, jeden z vynálezců integrovaného obvodu a společně s Andy Grovem a Gordonem Moorem spoluzakladatel společnosti Intel Corp. Obr.7. Andrew Stephen Grove autor vynikající vysokoškolské učebnice : Physics and Technology of Semiconductor Devices, pracovník fy Fairchild a spoluzakladatel fy Intel Anddrew (Andy) Sephen Grove původním jménem András ("Andris") Gróf, maďarský emigrant židovského původu emigroval do USA v roce Dokončil studia v NY v USA, na Universitě v Berkeley obhájil doktorát v r Ve firmě Fairchild patřil ke špičkovým vývojářům, kde publikoval řadu zásadních prací. Stal se spoluzakladatelem fy Intel a později jeho vrcholným manažerem. Novodobou historii rozvoje unipolárních tranzistorů nastartovali pracovníci Bellových laboratoří M.M. (John) Attala a Dawon Kahng, kteří v roce 1959, na rozdíl od J.E. Lilienfelda myšlenku tranzistoru řízeného elektrickým polem dokázali realizovat. 6

7 M.M.Attala Dawon Kahng Obr.8. V roce 1959 M.M. (John) Attala a Dawon Kahng z Bell Labs dokázali realizovat první úspěšný field-effect tranzistor (FET) s izolovaným hradlem Velmi důležitým objevem, který ovlivnil celý další vývoj integrovaných obvodů byl koncept CMOS struktury, jehož objevitelem byl Frank Marion Wanlass z fy Fairchild. Wanlass chtěl původně použít planární technologický process vyvinutý u fy Fairchild ke zlepšení stability field-efect tranzistorů. Poté, co se mu podařilo zrealizovat zatím neexistující n-kanálový MOS tranzistor už, nic nestálo v cestě jeho objevu CMOS obvodu. CMOS invertor CMOS hradlo NAND Obr.9. Frank Marion Wanlass z fy Fairchild objevil a popsal v rove 1963 CMOS logické obvody, na které následně získává patent 7

8 Obr.10 George E.Smith a Willard Boyle z AT&T Bell Labs vynalezli v roce 1969 součástku s nábojem vázanou strukturou (CCD - Charge Coupled Device) Objev CCD struktury spočívá v přenosu náboje podél povrchu polovodiče z jednoho sběrného kapacitoru do sousedního. Posaný princip sběru a transportu náboje, který generuje světlo dopadající na povrch součástky byl později využit pro konstrukci foto-senzoru. Obr.11. Steven Sasson z fy Estman Kodak Company v roce 1975 je vynálezcem první digitální kamery. Její čipový senzor je používá 100x100 CCD fy Faichild. Obr. 12 Indický pracovník společnosti General Electric B. Jayant Baliga předvádí v roce 1980 první rychlý spínací tranzistor velkých proudů IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 8

9 Pionýrské práce, objevy a vynálezy zde uvedené mají přímou souvislost s předkládanými učebními texty, všechny se týkají buď přechodů-pn a bipolárních tranzistorů nebo CMOS kapacitorů a MOS tranzistorů, anebo jejich kombinací či modifikací. Poslední z jmenovaných objevů - IGBT je z r Vývoj však pokračuje nezpomaleným tempem dále, jen jeho cíle se poněkud změnily. Stabilita parametrů součástek a z nich vyrobených integrovaných obvodů je zaručována tak, aby jejich životnost byla minimálně 10 let. Výrobní náklady a tím i prodejní cena obvodů jsou trvale snižovány. Klíčem k tomu je zlepšení výtěžnosti, která dnes u Si desek s hotovými LSI obvody překračuje běžně 98%, což je nesrovnatelné se situací v šedesátých letech, kdy se u desek s malou integrací dosahovalo kolem 60%. Vysoká výtěžnost umožňuje zvětšení integrace tj. zvětšování čipů. Dalším faktorem snižování ceny je přechod na Si desky velkých průměrů. Zatímco v šedesátých letech se pracovalo s Si deskami 2 až 2.5 dnes má většina firem linky na 8 desky, několik firem však provozuje linky s 12 Si deskami. Vzrůstá komplexnost procesů. Vedle jednoduchých bipolárních či unipolárních technologických procesů, se čím dále více používají procesy kombinující unipolární a bipolární struktury jako např. IGBT, anebo podstatně složitější kombinaci CMOS, bipolární a DMOS. Používají se také technologie CMOS obsahující několik druhů tranzistorů o různých prahových napětích. Takové procesy jsou velmi složité a není výjimkou, že vyžadují až 35 maskových úrovní. Jsme svědky neskutečného zmenšování struktur. Tento trend předpovězený v r a později ještě dvakrát modifikovaný Gordonem Moorem trvá nepřetržitě již 5 dekád. Složité kombinované procesy, zmenšování detailů a velmi vysoká integrace přináší problémy s propojením jednotlivých součástek v obvodu. To si vynutilo vývoj a zavedení dvou až pěti-úrovňových metalizací. Obr.13 Gordon Moore, člen týmu Williama Shockleyho, zakladatel fy Fairchild a později spoluzakladatel fy Intel je autorem Mooreho Zákona (Moore s Law) Znění Moorova zákona: 1964: Velikost skladovaných informací na dané ploše křemíku se zdvojnásobuje každý rok. 1970: Velikost detailů realizovaných v polovodičovém materiálu klesá na polovinu každých 18 měsíců Poslední verze: Všechny indikátory výkonu použitelné v oblasti informačních technologií se zdvojnásobují v periodě jednoho a půl až tři roky. Je zřejmé, že kromě křemíkových technologií pro bipolární a unipolární součástky a obvody probíhá vývoj a výzkum v dalších křemíkových strukturách (senzory, mikromechanické součástky, ). Paralelně probíhá jak základní, tak aplikovaný výzkum polovodičových technologií a struktur na 9

10 jiných materiálech než křemík. Původní předpovědi o brzké náhradě křemíku pávě těmito materiály se nenaplnily. Na křemíku se dnes vyrábí drtivá většina světové produkce integrovaných obvodů a tento trend spíše expanduje, než aby docházelo k jeho útlumu. Hlavním důvodem pomalého zavádění nových materiálů je nutnost přezbrojení technologického parku. To je extrémně drahé. Svou roli hraje i obrovský objem znalostí o křemíkových technologiích a strukturách ve srovnání se skromnými informacemi v oblasti nových materiálů. Jaká byla situace v polovodičové technice v bývalém Československu a nyní v České Republice. S hrdostí se dá říci, že čeští vědci, vývojáři a technici drželi krok se světovým vývojem přes řadu bariér specifických pro tehdejší politickou a hospodářskou situaci. Významnou roli hrály univerzity. V Praze, v Brně a v Bratislavě byly založeny katedry mikroelektroniky. Polovodičová fyzika a technika byly předmětem studia také na jiných katedrách ČVUT Praha, VUT Brno a SVŠT Bratislava, ale také na jiných universitách. Za všechny čs. vědce a pedagogy je třeba uvést alespoň jednoho - Profesora Helmara Franka, celosvětově uznávaného odborníka a vynikajícího pedagoga, který publikoval řadu vědeckých prací, včetně prací o tranzistoru jen s malým zpožděním po jeho objevu. Významným počinem byly především jeho knihy: Helmar Frank a Václav Šnejdar: Principy a vlastnosti polovodičových součástek, SNTL,1976 Helmar Frank: Fyzika a technika polovodičů, SNTL Praha, 1990 Obr.14. Prof.RNDr. Helmar Frank DrSc., dr. h. c. Vědec, pedagog, autor v oblasti polovodičové fyziky a techniky Oblastí základního a aplikovaného výzkumu se zabývalo několik přacovišt. Byly to především některé ústavy akademie věd, rezortní výzkumné ústavy ale také výzkumná a vývojová pracoviště podniků vyrábějících polovodičové součástky a integrované obvody. O tom jak probíhal vývoj technologie u největšího výrobce polovodičových součástek v Československu svědčí nejlépe zpráva Otištěná při příležitosti 10.výročí vzniku společnosti TESLA SEZAM a.s. a TEROSIL a.s. (1992 až 2002) Vývoj křemíkových technologií v Tesle Rožnov v období (Ing. Vladimír Strakoš, CSc.) Počátky vývoje planární technologie v Tesle Rožnov. V roce 1958 vyvinula firma Fairchild prvý planární transistor. V následujícím roce byly publikovány základní principy planární technologie. V roce 1961 zahajuje Tesla Rožnov výzkum vlastní verze planární technologie. Projekt sestával z následujících částí: 10

11 a) Vývoj čistých materiálů (monokrystalický křemík, fotolaky, čisté plyny, deionizovaná voda, čisté kyseliny a další.) b) Vývoj základních technologických operací (epitaxe, difúze, oxidace, fotolitografie, masky, metalizace, pouzdření, ) c) Konstrukce a realizace technologických zařízení. d) Vybudování prvých čistých prostor včetně flow-boxů. Zvládnutí vývoje prvé verze planární technologie v Tesle Rožnov bylo demonstrováno v roce 1964 na prvém planárním tranzistoru KF506, který byl úspěšně zaveden do výroby. V roce 1965 je zahájen nový projekt: Studijní etapa IOPF, který představuje nástup integrovaných obvodů v Rožnově. Křemíkové diody Křemiková technologie se začala prosazovat nejprve slitinovými diodami. Jednou z prvních aplikací planární diodové struktury byla fotodioda KP 101 určená pro rychlé čtení děrné pásky, která byla v první polovině šedesátých let dobrým exportním artiklem na Západ. Křemíkové tranzistory. V Tesle Rožnov byly křemíkové tranzistory vyvíjeny a zaváděny do výroby vedle běžící výroby germaniových tranzistorů již od začátku šedesátých let. Byly to předně MESA technologie s epitaxní vrstvou a technologie MESA s epitaxní bází pro NPN výkonové transistory řady KU, KUX. Později od poloviny šedesátých let jsou vyvíjeny planární výkonové transistory řady KD. Velmi populární byla řada malo-výkonových transistorů KC na planárně epitaxní technologii. Koncem šedesátých let dochází k rozvoji technologie spínacích tranzistorů v planární technologii dotované zlatem pro zkrácení zotavovací doby. Pokrok v planární technologii specielně vyřešení pasivace povrchových parazitních kanálů umožnil rozšířit jednotlivé skupiny NPN tranzistorů o tranzistory PNP, např. transistor KF 517, a vytvořit tak komplementární páry. Tento trend pokračuje i v sedmdesátých letech. Významný byl pokrok ve vysokonapěťových transistorech. V roku 1978 byl vyvinut KUY 70 s UCEO > 400V technologií tzv. Otočené MESY. V roce 1989 byly vyvinuty transistory s UCEO > 1000V. V letech došlo ke konverzi MESA technologie na plnou planární technologii. V polovině šedesátých let se také bouřlivě rozvíjí oblast vysokofrekvenčních lineárních a spínacích tranzistorů. Sem patří např. KF 167 a KF173 vyrobené planární epitaxní technologií anebo NPN tranzistor KF 242 pro UHF pásmo (900 MHz). MIS technologie v Tesle Rožnov. V roce 1966 byla vyvinuta klasická Metal Gate technologie. V následujícím roce byl do výroby zaveden prvý N-kanálový MOS tranzistor KF520. Následovaly transistory KF521 a další, které měly již vysokou strmost a tím i širokou použitelnost. V roce začíná vyvoj MTNS technologie slučitelné s TTL obvody. Je to technologie obdobná technologii LOCOS to je technologie využívající tlustý oxid křemíku v poli s tím, že hradlové dielektrikum je tvořeno dvojvrstvou nitrid křemíku / oxid křemíku, Si deska je v rovině (111) a použité transistory jsou P-kanalové. Vývoj této technologie byl umožněn zvládnutím vysokoteplotní depozice nitridu křemíku. Používána byla oxidace z tekutého kyslíku ve dvojité difúzní trubici. Na bázi MTNS technologie byl vyvinut nejprve dvojitý P-kanálový transistor KF 551, později byl převzat z VÚST A.S. Popova v Praze sortiment několika posuvných registrů, z nichž prvý tzv. "váhový registr byl zaveden do výroby. V roce 1971 byl celý program MIS technologií delimitován z Tesly Rožnov do Tesly Piešťany. 11

12 Technologie bipolárních IO. První analogové IO. V prosinci roku 1966 je pod vedením Ing.E. Belluše v Tesle Rožnov úspěšně dokončen vývoj prvého integrovaného obvodu. Je to jednoduchý zesilovač obsahující 3 transistory a 2 resistory, který umožnil ověření základních principů izolačních a principů metalizace. TTL V roce 1967 začiná v Tesle Rožnov vývoj planárně epitaxní technologie pro čislicové bipolárni IO. Jako první byla vyvinuta klasická struktura SBC (Standard Buried Collector), což je struktura s utopenou kolektorovou vrstvou. Zavedení difúze zlata pro zkrácení zotavovací doby v bázi tranzistoru byla základem pro vývoj a výrobu velmi úspěšné řady TTL číslicových integrovaných obvodů, které byly ekvivalentem k obvodům firmy řady SN74.., firmy Texas Instrument. Výrobní realizace prvých TTL obvodů se datuje od roku V lednu 1970 byl ukončen vývoj zakladní řady těchto TTL obvodů. Zdokonalení analogové technologie. V roce 1969 je otevřen projekt Realizace prvých operačních zesilovačů. Stěžejní úlohou v tomto projektu bylo zvládnutí technologie pro integrovaný obvod MAA ( ekvivalent k IO A709). Šlo především o využití laterálního PNP tranzistoru ( Beta ~ 8 ) a substrátového PNP transistoru ( Beta ~ 30 ). Dalším problémem, který tato technologie úspěšně řešila byla povrchová pasivace, neboť závěrné napětí struktury dosahovalo 40V. Vyvoj tohoto operačního zesilovače byl ukončen v prosinci 1970, což bylo jen o 6 let později proti vyvoji A709 v USA (Fairchild). STTL Začátkem semdesátých let se zavádí pro čislicové integrované obvody technologie STTL (Schottky Transistor Transistor Logic). Tato technologie již nepoužívá zlato pro zkrácení doby života minoritních nosiču, ale zavadí Schottkyho antisaturační diodu zapojenou mezi bázi a kolektor transistoru. Tato úprava představuje zkrácení spínacich časů STTL obvodů až o řád ve srovnání s obvody TTL. STTL technologie prošla později rekonstrukcí (shrink), při které došlo k výraznému zvýšení hustoty funkčních prvků v čipu. Paměti využívající technologii TTL a STTL Významnou aplikací na technologii TTL a STTL byly v polovině sedmdesátých let polovodičové paměti. Na TTL technologii to byla prvá 64 bitová RAM paměť MH 7489, další paměť na technologii STTL byla MH74S201 a konečně 1k-bitová RAM paměť MH 82S11. Paralelně s vývojem RAM paměti jsou vyvíjeny take ROM a PROM paměti. Byly to například MH74188, MH74S187, MH74S287 a 2k-bitová PROM paměť MH74S571. Rozvoj nových technologických operací Další rozvoj polovodičových struktur byl nemyslitelný bez inovací jednotlivých operací. Důležitým mezníkem byl přechod od želatinových masek k maskám chromovým a hlavně zavedení licenční ( Balzers ) výroby těchto masek v Rožnově. Pro zvýšení kvality vody byla zavedena technologie reversní osmosy. Důležité byly investice do nových technologických operací jako iontová implantace, naprašování kovových slitin, plasmatické leptání a depozice, laserové trimování a další. Isoplanární technologie V polovině sedmdesátých let startuje vyvoj generačně nové technologie pro velmi rychlé číslicové obvody s vysokou hustotou součástek. Tato technologie se plně rozvíjí hlavně v omdesátých létech. Je to Isoplanární technologie. Mezi základní rysy této technologie patří dielektrická isolace součástek v horizontálním směru umožňující použití přesahových masek a tím radikální zvýšení hustoty součástek, 12

13 dále významné zmenšení struktury ve vertikálním směru (epitaxní vrstva tenčí než m ), použití iontové implantace pro všechny vrstvy aktivní tranzistorové struktury, zachování tlustých oxidů v poli, které snižují parazitní kapacity, využití trojvrstvé metalizace PtSi-TiW-AlSiCu umožňující realizovat Schottkyho diody a dalši progresívní vlastnosti a zlepšení. Paměti a ALS obvody na Isoplanární technologii Technologie Isoplanar byla použita jednak pro realizaci velmi rychlých číslicových obvodů řady ALS (Advanced Low power Schottky) a jednak pro realizaci rychlých RAM a PROM pamětí. Úspěšný vývoj dvojúrovňové metalizace využívající v první úrovni trojvrstvu PtSi-TiW-AlSiCu a novější verze Ioplanar 2 s vymývanými emitory vedl ke konstrukci velmi rychlé 1kbitové paměti RAM typu MH 93425, ale i velkých ALS obvodů. Mezi největší obvody na isoplanární technologii patřila 4 kbitová a 8 kbitová PROM paměť (MH74448 a MH74451) Rozšíření lineární SBC technologie V základním sortimentu lineárních IO na SBC technologii byly začátkem sedmdesátých let operační zesilovače, napěťové regulátory, později televizní obvody a první typy převodníků. Další vývoj se po roce 1970 ubíral cestou rozšiřování základní struktury SBC o nové difúzní a implantované vrstvy umožňující rozšíření sortimentu základních funkčních prvků. Zavedení hlubokých difúzí P+ a N+ umožnilo vývoj a výrobu výkonových nízkofrekvenčních audio zesilovačů MBA 810, výkonových operačních zesilovačů MDA 2010, MDA2020 a dalších. Tranzistory PNP byly zdokonaleny na úroveň NPN tranzistorů, což umožnilo kromě jiného realizovat komplementární předzesilovací stupně. Kvalitní vertikální substrátový PNP transistor byl uspěšně využíván v Darlingtonově zapojení na vstupu obvodu. Toto řešení významně potlačuje 1/f šum, což je vítané především u akustických výkonových zesilovačů a u vícebitových převodníků. Jiným příkladem rozšíření návrhových možností byla integrace vertikálního plně izolovaného PNP transistoru. Tato verze technologie umožnila podstatně zlepšit symetrii komplementární dvojice transistorů NPN PNP, které se s úspěchem využívají v push-pull zapojení. Tento typ transistoru byl vyvinut pro obvod MDA6200. Zavedení Silicid Chromovych odporů Dalším zlepšením SBC struktury bylo zavedení depozice Silicid Chromových odporů v roce 1980 použitých nejprve v MAC 01. Tyto odpory s téměr nulovým tepelným koeficientem odporu, trimované laserem, umožnily vývoj stabilniho 12 bitového DA převodníku MDAC 565/566. Řešení laserového trimování přineslo mnoho nových poznatků zvláště z oblasti optických vlastností dielekrických multivrstev, což svědčilo o relativně vysoké odborné úrovni týmu VaV v Tesle Rožnov na přelomu sedmdesátých a osmdesátých let. Kombinovaná technologie BIFET Významnou vývojovou větví lineárních integrovaných obvodů konce sedmdesátých a začátku omdesátých let představuje technologie BIFET. Standardní struktura SBC je v tomto případě doplněna nezbytnými implantovanými a pasivačními vrstvami, které umožňují vytvořit v této struktuře přechodový polem řízený transistor JFET. JFET transistory integrované do SBC struktury nabízejí jejich použití jako vysokoimpedanční součastky pro vstupy v IO. Jejich hlavní použití bylo v BIFET převodnících a analogových multiplexerech. Integrovaná Injekčni Logika I 2 L V polovině sedmdesátých let se rozvíjí důležitá komodita zákaznické integrované obvody. V Tesle Rožnov byl vývoj veden dvěma cestami. Jednak to byla jednoduchá technologie I 2 L využívající epitaxní vrstvu na N+ substrátu a jednak to byla kombinovaná lineární technologie SBC s injekční logikou. Obě verze byly relatívně úspěšné. V rámci projektu zákaznických obvodů se začal budovat 13

14 knihovní systém funkčních bloků. Příkladem kombinace hned tří technologií v jediném procesu byl v roce 1989 IO MDA1533, ve kterém byly použity technologické bloky: Lineárni I 2 L CML. Tenzometry Do sortimentu Tesly Rožnov patřily také tenzometry, které byly vyvíjeny a do výroby zaváděny ve spolupráci s Teslou VÚST A.S.Popova. Prvá skupina tenzometrů využívala tlustou membránu tvořenou celou tloušťkou Si desky, novější mnohem citlivější verze vzužívala již leptáním ztenčenou membránu. Superbeta technologie Díky využití výhod iontové implantace byla v roce 1981 vyvinuta a výrobně aplikovaná technologie superbeta, jejiž transistory dosahují reprodukovatelné bety až Další výhodou superbeta technologie jsou velmi nízké šumy, což bylo využito s úspěchem například v IO typu MDA2054. Technologie kardiostimulátoru Pečlivé přehodnocení vysokoteplotních operací a redukce maximálních koncentrací difúzních a implantovaných vrstev byly základními předpoklady pro vývoj technologie s vysokou spolehlivostí vhodnou pro integrovaný obvod kardiostimulátoru.požadavek extrémní spolehlivosti si vynutil studium poruchových mechanismů této struktury a prevence proti jejich vzniku. Tím se všeobecně změnil přístup ke spolehlivosti od pasívního vytřídění nespolehlivých obvodů měřením k aktivnímu zabudování prvků spolehlivosti přímo do technolo-gického procesu a jednotlivých polovodičových struktur. Technologie slunečních článků Na přelomu 80 a devadesátých let vzniká projekt vývoje slunečních článků. Projekt je zahájen v době hledání nových trhů po pádu sovětské ekonomiky a tím i největšího zákazníka Tesly Rožnov. Rychlý vývoj této technologie a slibná jednání s odbytovými firmami v bývalé Jugoslavii a Rakousku byla přerušena válečným konfliktem na Balkaně. Přesto vývoj technologie slunečních článků pokračoval a vyústil do výrobní realizace. Později, v roce 1993 došlo k založení nové společnosti Solartec a posléze k úplnému oddělení od výrobní linky Tesla Sezam. GHz technologie IMPACT X Koncem 80 let začal vývoj generačně nové technologie určené pro aplikace v GHz oblasti. Prvé dvě části projektu zahrnovaly vývoj 12GHz tranzistoru a trench izolace. Transistor na extrémně tenké epitaxní vrstvě < 1 m využíval dvě vrstvy Poly Si pro realizaci básových kontaktů a emitoru. Pro přesné nastavení rbb a pro přesnou kontrolu emitor-básové kapacity byl vyvinut spacer. Pro zlepšení vf vlastností byl použit vysokoenergetický implant fosforu do subkolektoru. Zatimco vyvoj samotné tranzistorové struktury byl úspěšně dokončen, druhá část tj. trench isolace byly v relativně vysokém stupni vývoje přerušeny a kompletní GHz technologie nebyla výrobně realizována. Důvodem byl nedostatek financí při hluboke krizi v r Technologie IMPACT X patřila v oblasti bipolárních technologií v r.1993 ke špičkovým technologiím na světě. Detektory rychlých elementárních částic Začatkem 90 let byla úspěšně vyvinuta technologie stripe detektoru pro CERN (Evropske centrum nukleárniho výzkumu) v Ženevě. Tyto detektory jsou vysokonapětové diody s tloušťkou ochuzené vrstvy rovnou tloušťce Si desky tj. 200 m a velmi dlouhou difúzní délkou minoritních nosičů. Tento process vyžaduje extrémní čistotu křemíku stejně jako extrémní čistotu všech vysokoteplotních operací. Po stripe detektorech byl vyvinut process pro pixel detektory s dvojúrovňovou metalizací. Tyto detektory vyžadovaly Si 14

15 materiál s požadovaným odporem 6 kohmcm, což byl důvod, proč průmyslové realizaci. nakonec nedošlo k jejich Infračervená kamera Tesla Rožnov spolupracovala na rozsáhlém projektu vývoje infračervené kamery. Srdcem kamery byl čip sensoru s maticí Schottkyho diod Pt-PSi. Pro nedostatek finančních prostředků však musel být projekt ve vysokém stupni rozpracování zastaven. Původní rožnovská Tesla prošla řadou změn, dnes je součástí americké fy ON Semiconductor s globální působností, která se oddělila z části fy Motorola. V ON Semiconductor Czech Republic v Rožnově p.r. pracuje výzkumně vývojové pracoviště podílející se na řadě vývojových projektů. Ve dvou výrobních linkách se vyrábějí křemíkové desky a moderní integrované obvody. Součástí rožnovského ON Semi je i velké návrhové centrun pracující pro všechny ON Semi výrobní linky.. 15

16 16

Bipolární tranzistory

Bipolární tranzistory Bipolární tranzistory Historie V prosinci 1947 výzkumní pracovníci z Bellových laboratořích v New Jersey zjistili, že polovodičová destička z germania se zlatými hroty zesiluje slabý signál. Vědci byli

Více

Unipolární tranzistory

Unipolární tranzistory Unipolární tranzistory MOSFET, JFET, MeSFET, NMOS, PMOS, CMOS Unipolární tranzistory aktivní součástka řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem většinové nosiče menšinové nosiče parazitní charakter

Více

Otázka č.4. Silnoproudé spínací polovodičové součástky tyristor, IGBT, GTO, triak struktury, vlastnosti, aplikace.

Otázka č.4. Silnoproudé spínací polovodičové součástky tyristor, IGBT, GTO, triak struktury, vlastnosti, aplikace. Otázka č.4 Silnoproudé spínací polovodičové součástky tyristor, IGBT, GTO, triak struktury, vlastnosti, aplikace. 1) Tyristor Schematická značka Struktura Tyristor má 3 PN přechody a 4 vrstvy. Jde o spínací

Více

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická

Více

TRANZISTORY TRANZISTORY. Bipolární tranzistory. Ing. M. Bešta

TRANZISTORY TRANZISTORY. Bipolární tranzistory. Ing. M. Bešta TRANZISTORY Tranzistor je aktivní, nelineární polovodičová součástka schopná zesilovat napětí, nebo proud. Tranzistor je asi nejdůležitější polovodičová součástka její schopnost zesilovat znamená, že malé

Více

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.05 Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566,

Více

ELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky... 7-1 7.2 První a druhý průraz bipolárního

ELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky... 7-1 7.2 První a druhý průraz bipolárního Bohumil BRTNÍK, David MATOUŠEK ELEKTRONICKÉ PRVKY Praha 2011 Tato monografie byla vypracována a publikována s podporou Rozvojového projektu VŠPJ na rok 2011. Bohumil Brtník, David Matoušek Elektronické

Více

Unipolární Tranzistory

Unipolární Tranzistory Počítačové aplikace 000 Unipolární Tranzistor aktivní součástka polovodičový zesilující prvek znám od r. 960 proud vedou majoritní nositelé náboje náznak teorie čtřpólů JFET MOS u i i Y Čtřpól - admitanční

Více

UNIPOLÁRNÍ TRANZISTOR

UNIPOLÁRNÍ TRANZISTOR UNIPOLÁRNÍ TRANZISTOR Unipolární tranzistor neboli polem řízený tranzistor, FET (Field Effect Transistor), se stejně jako tranzistor bipolární používá pro zesilování, spínání signálů a realizaci logických

Více

Polovodičov. ové prvky. 4.přednáška

Polovodičov. ové prvky. 4.přednáška Polovodičov ové prvky 4.přednáška Polovodiče Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku (Si). Čisté krystaly křemíku mají za pokojové teploty jen

Více

Aplikace elektroniky. Čím se budeme zabývat? Struktury integrovaných systémů A2M34SIS. Čím se budeme zabývat - cvičení?

Aplikace elektroniky. Čím se budeme zabývat? Struktury integrovaných systémů A2M34SIS. Čím se budeme zabývat - cvičení? Čím se budeme zabývat? Struktury integrovaných systémů A2M34SIS Přednášející: Cvičící: Jiří Jakovenko Vladimír Janíček Jan Novák Historický přehled vývoje integrovaných obvodů, Moorovy zákony, metody návrhu,

Více

4. Vysvětlete mechanismus fotovodivosti. Jak závisí fotovodivost na dopadajícím světelném záření?

4. Vysvětlete mechanismus fotovodivosti. Jak závisí fotovodivost na dopadajícím světelném záření? Dioda VA 1. Dvě křemíkové diody se liší pouze plochou PN přechodu. Dioda D1 má plochu přechodu dvakrát větší, než dioda D2. V jakém poměru budou jejich diferenciální odpory, jestliže na obou diodách bude

Více

MOSFET. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Julius Edgar Lilienfeld, U.S. Patent 1,745,175 (1930)

MOSFET. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Julius Edgar Lilienfeld, U.S. Patent 1,745,175 (1930) MOFET Metal Oxide emiconductor Field Effect Transistor Julius Edgar Lilienfeld, U.. Patent 1,745,175 (193) MOFET Metal Oxide emiconductor Field Effect Transistor 196 ovládnutí povrchových stavů:. Kahng,

Více

Zavádění inovativních metod a výukových materiálů do přírodovědných předmětů na Gymnáziu v Krnově. 07_3_Elektrický proud v polovodičích

Zavádění inovativních metod a výukových materiálů do přírodovědných předmětů na Gymnáziu v Krnově. 07_3_Elektrický proud v polovodičích Zavádění inovativních metod a výukových materiálů do přírodovědných předmětů na Gymnáziu v Krnově 07_3_Elektrický proud v polovodičích Ing. Jakub Ulmann 3 Polovodiče Př. 1: Co je to? Př. 2: Co je to? Mikroprocesor

Více

Úvod do moderní fyziky. lekce 9 fyzika pevných látek (vedení elektřiny v pevných látkách)

Úvod do moderní fyziky. lekce 9 fyzika pevných látek (vedení elektřiny v pevných látkách) Úvod do moderní fyziky lekce 9 fyzika pevných látek (vedení elektřiny v pevných látkách) krystalické pevné látky pevné látky, jejichž atomy jsou uspořádány do pravidelné 3D struktury zvané mřížka, každý

Více

VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů

VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů Vodivost polovodičů pojem polovodiče čistý polovodič, vlastní vodivost příměsová vodivost polovodičová dioda tranzistor Polovodiče Polovodiče jsou látky, jejichž

Více

Způsoby realizace paměťových prvků

Způsoby realizace paměťových prvků Způsoby realizace paměťových prvků Interní paměti jsou zapojeny jako matice paměťových buněk. Každá buňka má kapacitu jeden bit. Takováto buňka tedy může uchovávat pouze hodnotu logická jedna nebo logická

Více

Řízené polovodičové součástky. Výkonová elektronika

Řízené polovodičové součástky. Výkonová elektronika Řízené polovodičové součástky Výkonová elektronika Polovodičové součástky s řízeným zapnutím řídící signál přivede spínač z blokovacího do propustného stavu do závěrného stavu jen vnější komutací (přerušením)

Více

FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů

FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů Unipolární tranzistory Řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem: FET [Field - Effect Transistor] Proud přenášen jedním typem nosičů náboje (unipolární): - majoritní nosiče v inverzním kanálu - neuplatňuje

Více

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Polovodičové prvky V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku

Více

éra elektrického proudu a počítačů 3. generace

éra elektrického proudu a počítačů 3. generace 3. generace Znaky 3. generace tranzistory vydávaly teplo - poškozování dalších součástek uvnitř počítače vynález integrovaného obvodu (IO) zvýšení rychlosti, zmenšení rozměrů modely relativně malých osobních

Více

FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4

FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4 Využití vlastností polovodičových přechodů Oblast prostorového náboje elektrické pole na přechodu Propustný směr difůze majoritních nosičů Závěrný směr extrakce minoritních nosičů Rekombinace na přechodu

Více

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: T3.2.1 MĚŘENÍ NA UNIPOLÁRNÍCH TRANZISTORECH A IO Obor: Mechanik elektronik Ročník: 2. Zpracoval(a): Bc. Josef Mahdal Střední průmyslová škola Uherský Brod,

Více

Zkouškové otázky z A7B31ELI

Zkouškové otázky z A7B31ELI Zkouškové otázky z A7B31ELI 1 V jakých jednotkách se vyjadřuje napětí - uveďte název a značku jednotky 2 V jakých jednotkách se vyjadřuje proud - uveďte název a značku jednotky 3 V jakých jednotkách se

Více

Měření na unipolárním tranzistoru

Měření na unipolárním tranzistoru Měření na unipolárním tranzistoru Teoretický rozbor: Unipolární tranzistor je polovodičová součástka skládající se z polovodičů tpu N a P. Oproti bipolárnímu tranzistoru má jednu základní výhodu. Bipolární

Více

způsobují ji volné elektrony, tzv. vodivostní valenční elektrony jsou vázány, nemohou být nosiči proudu

způsobují ji volné elektrony, tzv. vodivostní valenční elektrony jsou vázány, nemohou být nosiči proudu Vodivost v pevných látkách způsobují ji volné elektrony, tzv. vodivostní valenční elektrony jsou vázány, nemohou být nosiči proudu Pásový model atomu znázorňuje energetické stavy elektronů elektrony mohou

Více

11-1. PN přechod. v přechodu MIS (Metal - Insolator - Semiconductor),

11-1. PN přechod. v přechodu MIS (Metal - Insolator - Semiconductor), 11-1. PN přechod Tzv. kontaktní jevy vznikají na přechodu látek s rozdílnou elektrickou vodivostí a jsou základem prakticky všech polovodičových součástek. v přechodu PN (který vzniká na rozhraní polovodiče

Více

SNÍMÁNÍ OBRAZU. KAMEROVÉ SYSTÉMY pro 3. ročníky tříletých učebních oborů ELEKTRIKÁŘ. Petr Schmid listopad 2011

SNÍMÁNÍ OBRAZU. KAMEROVÉ SYSTÉMY pro 3. ročníky tříletých učebních oborů ELEKTRIKÁŘ. Petr Schmid listopad 2011 KAMEROVÉ SYSTÉMY pro 3. ročníky tříletých učebních oborů ELEKTRIKÁŘ SNÍMÁNÍ OBRAZU Petr Schmid listopad 2011 Projekt Využití e-learningu k rozvoji klíčových kompetencí reg. č.: CZ.1.07/1.1.10/03.0021 je

Více

Paměťové prvky. ITP Technika personálních počítačů. Zdeněk Kotásek Marcela Šimková Pavel Bartoš

Paměťové prvky. ITP Technika personálních počítačů. Zdeněk Kotásek Marcela Šimková Pavel Bartoš Paměťové prvky ITP Technika personálních počítačů Zdeněk Kotásek Marcela Šimková Pavel Bartoš Vysoké učení technické v Brně, Fakulta informačních technologií v Brně Božetěchova 2, 612 66 Brno Osnova Typy

Více

Určeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče

Určeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče Určeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče Pracovní list - test vytvořil: Ing. Lubomír Kořínek Období vytvoření VM: listopad 2013 Klíčová slova: dioda, tranzistor,

Více

Spínače s tranzistory řízenými elektrickým polem. Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT

Spínače s tranzistory řízenými elektrickým polem. Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT Spínače s tranzistory řízenými elektrickým polem Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT Základní vlastnosti spínačů s tranzistory FET, IGBT resp. IGCT plně řízený spínač nízkovýkonové řízení malý

Více

1 ÚVOD DO PŘEDMĚTU...11 1.1 1.2 1.3 2 ZÁKLADNÍ OBVODY...14

1 ÚVOD DO PŘEDMĚTU...11 1.1 1.2 1.3 2 ZÁKLADNÍ OBVODY...14 Obsah 1 ÚVOD DO PŘEDMĚTU...11 1.1 Cíl učebnice...11 1.2 Přehled a rozdělení elektroniky...11 1.3 Vstupní test...12 2 ZÁKLADNÍ OBVODY...14 2.1 Základní pojmy z elektroniky...14 2.1.1 Pracovní bod...16 2.2

Více

1. Energetická pásová struktura pevných látek; izolanty, polovodiče, kovy; typy vodivostí, drift a difúze.

1. Energetická pásová struktura pevných látek; izolanty, polovodiče, kovy; typy vodivostí, drift a difúze. 1. Energetická pásová struktura pevných látek; izolanty, polovodiče, kovy; typy vodivostí, drift a difúze. 2. Druhy polovodičů (vlastní a nevlastní polovodiče); generace a rekombinace páru elektron díra.

Více

Tranzistory. tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor. Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET

Tranzistory. tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor. Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET Tranzistory tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET Shockey, Brattain a Bardeen 16.12. 1947 Shockey 1952 Bipolární tranzistor

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_18_Technologie polovodičových součástek. Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing.

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_18_Technologie polovodičových součástek. Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Číslo projektu Číslo materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_18_Technologie polovodičových součástek Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav

Více

Polovodiče Polovodičové měniče

Polovodiče Polovodičové měniče Polovodiče Polovodičové měniče Ing. Tomáš Mlčák, Ph.D. Fakulta elektrotechniky a informatiky VŠB TUO Katedra elektrotechniky www.fei.vsb.cz/kat452 PEZ I ELEKTRONIKA Podoblast elektrotechniky která využívá

Více

Klasifikace počítačů a technologické trendy Modifikace von Neumanova schématu pro PC

Klasifikace počítačů a technologické trendy Modifikace von Neumanova schématu pro PC Přednáší: doc. Ing. Jan Skrbek, Dr. - KIN Přednášky: středa 14 20 15 55 Obsah: Historie počítačů Počítačové generace Spojení: e-mail: jan.skrbek@tul.cz 16 10 17 45 tel.: 48 535 2442 Klasifikace počítačů

Více

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická

Více

Nové trendy polovodičových součástek - pohledem začátku roku 2005

Nové trendy polovodičových součástek - pohledem začátku roku 2005 Nové trendy polovodičových součástek - pohledem začátku roku 2005 Jan Vobecký Katedra mikroelektroniky, FEL - ČVUT v Praze Technická 2, 166 27 Praha 6, vobecky@fel.cvut.cz 1. Úvod Letos je tomu čtyřicet

Více

IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor speciální polovodičová struktura IGBT se používá jako spínací tranzistor nejdůležitější součástka výkonové

IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor speciální polovodičová struktura IGBT se používá jako spínací tranzistor nejdůležitější součástka výkonové IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor speciální polovodičová struktura IGBT se používá jako spínací tranzistor nejdůležitější součástka výkonové elektroniky chová se jako bipolární tranzistor řízený unipolárním

Více

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: MEII - 5.4.1 KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY Obor: Mechanik elektronik Ročník: 2. Zpracoval(a): Jiří Kolář Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2010 Projekt je

Více

Nanotechnologie a jejich aplikace. doc. RNDr. Roman Kubínek, CSc.

Nanotechnologie a jejich aplikace. doc. RNDr. Roman Kubínek, CSc. Nanotechnologie a jejich aplikace doc. RNDr. Roman Kubínek, CSc. Předpona pochází z řeckého νανος což znamená trpaslík 10-9 m 380-780 nm rozsah λ viditelného světla Srovnání známých malých útvarů SPM Vyjasnění

Více

Výroba čipů ve firmě ON Semiconductor Rožnov pod Radhoštěm. Fyzika ve firmě Přírodovědecká fakulta MU Brno

Výroba čipů ve firmě ON Semiconductor Rožnov pod Radhoštěm. Fyzika ve firmě Přírodovědecká fakulta MU Brno Výroba čipů ve firmě ON Semiconductor Rožnov pod Radhoštěm Fyzika ve firmě Přírodovědecká fakulta MU Brno 1 M. Libezny 18-Apr-2012 Obsah Firma ON Semiconductor - stručný přehled ON Semiconductor v České

Více

ELEKTRICKÝ PROUD V KAPALINÁCH, PLYNECH A POLOVODIČÍCH

ELEKTRICKÝ PROUD V KAPALINÁCH, PLYNECH A POLOVODIČÍCH Škola: Autor: DUM: Vzdělávací obor: Tematický okruh: Téma: Masarykovo gymnázium Vsetín Mgr. Jitka Novosadová MGV_F_SS_3S3_D14_Z_OPAK_E_Elektricky_proud_v_kapalinach _plynech_a_polovodicich_t Člověk a příroda

Více

VLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU

VLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU VLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU Úvod: Čas ke studiu: Polovodičové součástky pro výkonovou elektroniku využívají stejné principy jako běžně používané polovodičové součástky

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY TEMATICKÉ OKRUHY ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 1. Základní pojmy fyziky polovodičů. Pásová struktura její souvislost s elektronovým obalem atomu, vliv na elektrickou vodivost materiálů. Polovodiče vlastní a nevlastní.

Více

Obrázek 1: Schematická značka polovodičové diody. Obrázek 2: Vlevo dioda zapojená v propustném směru, vpravo dioda zapojená v závěrném směru

Obrázek 1: Schematická značka polovodičové diody. Obrázek 2: Vlevo dioda zapojená v propustném směru, vpravo dioda zapojená v závěrném směru Škola: Autor: DUM: Vzdělávací obor: Tematický okruh: Téma: Masarykovo gymnázium Vsetín Mgr. Jitka Novosadová MGV_F_SS_2S2_D16_Z_ELMAG_Polovodicove_soucastky_PL Člověk a příroda Fyzika Elektřina a magnetismus

Více

Katalog vybraných součástek TESLA

Katalog vybraných součástek TESLA Katalog vybraných součástek TESLA Diody pro všeobecné Typ Popis Závěrné napětí Propustný proud Výkonová ztráta Pouzdro 1NN40 hrotová vf detekce 20V 15mA D-40 1NN41 hrotová vf detekce 20V 15mA D-41 2NN40

Více

Základní pojmy a historie výpočetní techniky

Základní pojmy a historie výpočetní techniky Základní pojmy a historie výpočetní techniky Vaše jméno 2009 Základní pojmy a historie výpočetní techniky...1 Základní pojmy výpočetní techniky...2 Historický vývoj počítačů:...2 PRVOHORY...2 DRUHOHORY...2

Více

TECHNICKÝ POPIS ZDROJŮ ŘADY EZ1 T 73304

TECHNICKÝ POPIS ZDROJŮ ŘADY EZ1 T 73304 Signal Mont s.r.o Hradec Králové T73304 List č.: 1 Výzkumný ústav železniční Praha Sdělovací a zabezpečovací dílny Hradec Králové TECHNICKÝ POPIS ZDROJŮ ŘADY EZ1 T 73304 JKPOV 404 229 733 041 Zpracoval:

Více

Základy elektrotechniky

Základy elektrotechniky Základy elektrotechniky Přednáška Tranzistory 1 BIPOLÁRNÍ TRANZISTOR - třívrstvá struktura NPN se třemi vývody (elektrodami): e - emitor k - kolektor b - báze Struktura, náhradní schéma a schematická značka

Více

Digitální fotografie

Digitální fotografie Semestrální práce z předmětu Kartografická polygrafie a reprografie Digitální fotografie Autor: Magdaléna Kršnáková, Štěpán Holubec Editor: Zdeněk Poloprutský Praha, duben 2012 Katedra mapování a kartografie

Více

Řádkové snímače CCD. zapsané v předmětu: Videometrie a bezdotykové měření, ČVUT- FEL, katedra měření, přednášející Jan Fischer

Řádkové snímače CCD. zapsané v předmětu: Videometrie a bezdotykové měření, ČVUT- FEL, katedra měření, přednášející Jan Fischer Řádkové snímače CCD v. 2011 Materiál je určen pouze jako pomocný materiál pro studenty zapsané v předmětu: Videometrie a bezdotykové měření, ČVUT- FEL, katedra měření, přednášející Jan Fischer Jan Fischer,

Více

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů (elektrony nebo díry) pracují s kanálem jednoho typu vodivosti

Více

Ústav technologie, mechanizace a řízení staveb. Teorie měření a regulace. snímače foto. p. 2q. ZS 2015/2016. 2015 - Ing. Václav Rada, CSc.

Ústav technologie, mechanizace a řízení staveb. Teorie měření a regulace. snímače foto. p. 2q. ZS 2015/2016. 2015 - Ing. Václav Rada, CSc. Ústav technologie, mechanizace a řízení staveb Teorie měření a regulace snímače foto p. 2q. ZS 2015/2016 2015 - Ing. Václav Rada, CSc. Obrazová analýza je proces velice starý vyplývající automaticky z

Více

Programovatelná logika

Programovatelná logika Programovatelná logika Přehled historie vývoje technologie programovatelných obvodů. Obvody PLD, GAL,CPLD, FPGA Příklady systémů a vývojových prostředí. Moderní elektrotechnický průmysl neustále stupňuje

Více

λ hc Optoelektronické součástky Fotorezistor, Laserová dioda

λ hc Optoelektronické součástky Fotorezistor, Laserová dioda Optoelektronické součástky Fotorezistor, Laserová dioda Úvod Optoelektronické součástky jsou založeny na interakci optického záření s elektricky nabitými částicemi v polovodičích. Vztah mezi energií fotonů

Více

Elektronické a optoelektronické součástky

Elektronické a optoelektronické součástky Garant předmětu: prof. Ing. Pavel Hazdra, CSc. hazdra@fel.cvut.cz Otevřené Elektronické Systémy Virtual Labs OES 1 / 4 Čím se zde bude zabývat? Principy činnosti struktur užívaných k ovládání elektronů

Více

Optoelektronické snímače fotodiodová pole, obrazové senzory CMOS

Optoelektronické snímače fotodiodová pole, obrazové senzory CMOS Optoelektronické snímače fotodiodová pole, obrazové senzory CMOS Podkladový materiál k přednáškám A0M38OSE Obrazové senzory ČVUT- FEL, katedra měření, Jan Fischer, 2014 Materiál je pouze grafickým podkladem

Více

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY VZORY OTÁZEK A PŘÍKLADŮ K TUTORIÁLU 1 1. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Proč je používáme. 2. Co jsou polovodiče vlastní. 3. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Jakým způsobem

Více

Cílem kapitoly je seznámit studenta s pamětmi. Jejich minulostí, současností, budoucností a hlavními parametry.

Cílem kapitoly je seznámit studenta s pamětmi. Jejich minulostí, současností, budoucností a hlavními parametry. Paměti Cílem kapitoly je seznámit studenta s pamětmi. Jejich minulostí, současností, budoucností a hlavními parametry. Klíčové pojmy: paměť, RAM, rozdělení pamětí, ROM, vnitřní paměť, vnější paměť. Úvod

Více

Inovace výuky předmětu Robotika v lékařství

Inovace výuky předmětu Robotika v lékařství Přednáška 7 Inovace výuky předmětu Robotika v lékařství Senzory a aktuátory používané v robotických systémech. Regulace otáček stejnosměrných motorů (aktuátorů) Pro pohon jednotlivých os robota jsou často

Více

3. REALIZACE KOMBINAČNÍCH LOGICKÝCH FUNKCÍ

3. REALIZACE KOMBINAČNÍCH LOGICKÝCH FUNKCÍ 3. REALIZACE KOMBINAČNÍCH LOGICKÝCH FUNKCÍ Realizace kombinační logické funkce = sestavení zapojení obvodu, který ze vstupních proměnných vytvoří výstupní proměnné v souhlasu se zadanou logickou funkcí.

Více

Praktikum II Elektřina a magnetismus

Praktikum II Elektřina a magnetismus Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK Praktikum II Elektřina a magnetismus Úloha č. XI Název: Charakteristiky diod Pracoval: Matyáš Řehák stud.sk.: 13 dne: 17.10.2008 Odevzdal

Více

Přednáška 4, 5 a část 6 A4B38NVS Návrh vestavěných systémů 2014 katedra měření, ČVUT - FEL, Praha. J. Fischer

Přednáška 4, 5 a část 6 A4B38NVS Návrh vestavěných systémů 2014 katedra měření, ČVUT - FEL, Praha. J. Fischer Přednáška 4, 5 a část 6 A4B38NVS Návrh vestavěných systémů 2014 katedra měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer A4B38NVS, 2014, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 1 Informace Toto je grafický a heslovitý

Více

Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna

Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Tato otázka přepokládá znalost otázky č. - polovodiče. Doporučuji ujasnit

Více

Úvod do laserové techniky KFE FJFI ČVUT Praha Michal Němec, 2014. Energie elektronů v atomech nabývá diskrétních hodnot energetické hladiny.

Úvod do laserové techniky KFE FJFI ČVUT Praha Michal Němec, 2014. Energie elektronů v atomech nabývá diskrétních hodnot energetické hladiny. Polovodičové lasery Energie elektronů v atomech nabývá diskrétních hodnot energetické hladiny. Energetické hladiny tvoří pásy Nejvyšší zaplněný pás je valenční, nejbližší vyšší energetický pás dovolených

Více

Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů

Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů Tranzistor je elektronická aktivní součástka se třemi elektrodami.podstatou jeho funkce je transformace odporu mezi

Více

Navrhované a skutečné rozměry. Návrhová pravidla pro návrh topologie (layoutu) čipu. Základní parametry návrhových pravidel

Navrhované a skutečné rozměry. Návrhová pravidla pro návrh topologie (layoutu) čipu. Základní parametry návrhových pravidel Navrhované a skutečné rozměry Změna skutečných rozměrů oproti navrhovaným Al spoje Kontaktní otvor v SiO Návrhová pravidla pro návrh topologie (layoutu) čipu Jiří Jakovenko Difuzní oblast N+ Vzájemné sesazení

Více

Polovodičové diody Definice

Polovodičové diody Definice Polovodičové diody Definice Toto slovo nemám rád. Navádí k puntičkářskému recitování, které často doprovází totální nepochopení podstaty. Jemnější je obrat vymezení pojmu. Ještě lepší je obyčejné: Co to

Více

8. Operaèní zesilovaèe

8. Operaèní zesilovaèe zl_e_new.qxd.4.005 0:34 StrÆnka 80 80 Elektronika souèástky a obvody, principy a pøíklady 8. Operaèní zesilovaèe Operaèní zesilovaèe jsou dnes nejvíce rozšíøenou skupinou analogových obvodù. Jedná se o

Více

Projekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.08/03.0009 NAPÁJECÍ ZDROJE

Projekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.08/03.0009 NAPÁJECÍ ZDROJE Projekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.08/03.0009 NAPÁJECÍ ZDROJE Použitá literatura: Kesl, J.: Elektronika I - analogová technika, nakladatelství BEN - technická

Více

ELEKTRICKÝ PROUD V POLOVODIČÍCH

ELEKTRICKÝ PROUD V POLOVODIČÍCH LKTRIKÝ ROUD V OLOVODIČÍH 1. olovodiče olovodiče mohou snadno měnit svůj odpor. Mohou tak mít vlastnosti jak vodičů tak izolantů, což záleží například na jejich teplotě, osvětlení, příměsích. Odpor mění

Více

A8B32IES Úvod do elektronických systémů

A8B32IES Úvod do elektronických systémů A8B32IE Úvod do elektronických systémů 5.11.2014 Tranzistor MOFET charakteristiky, parametry, aplikace Tranzistor řízený polem - princip a základní aplikace Charakteristiky a mezní parametry tranzistoru

Více

TELEVIZNÍ ZÁZNAM A REPRODUKCE OBRAZU

TELEVIZNÍ ZÁZNAM A REPRODUKCE OBRAZU TELEVIZNÍ ZÁZNAM A REPRODUKCE OBRAZU Hystorie Alexander Bain (Skot) 1843 vynalezl fax (na principu vodivé desky s napsaným textem nevodivým, který se snímal kyvadlem opatřeným jehlou s posunem po malých

Více

Lineární urychlovače. Jan Pipek jan.pipek@gmail.com 24.11.2011 Dostupné na http://fjfi.vzdusne.cz/urychlovace

Lineární urychlovače. Jan Pipek jan.pipek@gmail.com 24.11.2011 Dostupné na http://fjfi.vzdusne.cz/urychlovace Lineární urychlovače Jan Pipek jan.pipek@gmail.com 24.11.2011 Dostupné na http://fjfi.vzdusne.cz/urychlovace Lineární urychlovače Elektrostatické urychlovače Indukční urychlovače Rezonanční urychlovače

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Technologie CMOS. Je to velmi malý svět. Technologie CMOS Lokální oxidace. Vytváření izolačních příkopů. Vytváření izolačních příkopů

Technologie CMOS. Je to velmi malý svět. Technologie CMOS Lokální oxidace. Vytváření izolačních příkopů. Vytváření izolačních příkopů Je to velmi malý svět Technologie CMOS Více než 2 000 000 tranzistorů v 45nm technologii může být integrováno na plochu tečky za větou. From The Oregonian, April 07, 2008 Jiří Jakovenko Struktury integrovaných

Více

Klasifikace: bodů výborně bodů velmi dobře bodů dobře 0-49 bodů nevyhověl. Příklad testu je na následující straně.

Klasifikace: bodů výborně bodů velmi dobře bodů dobře 0-49 bodů nevyhověl. Příklad testu je na následující straně. Elektronika - pravidla Zkouška: Délka trvání testu: 12 minut Doporučené pomůcky: propisovací tužka, obyčejná tužka, čistý papír, guma, pravítko, kalkulačka se zanedbatelně malou pamětí Zakázané pomůcky:

Více

Projekt Pospolu. Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky. Pro obor M/01 Informační technologie

Projekt Pospolu. Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky. Pro obor M/01 Informační technologie Projekt Pospolu Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky Pro obor 18-22-M/01 Informační technologie Autorem materiálu a všech jeho částí je Ing. Petr Voborník, Ph.D. Bipolární tranzistor Bipolární

Více

Název: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení

Název: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení Název: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení Autor: Mgr. Petr Majer Název školy: Gymnázium Jana Nerudy, škola hl. města Prahy Předmět (mezipředmětové vztahy) : Fyzika Tematický celek:

Více

SNÍMAČE. - čidla, senzory snímají měří skutečnou hodnotu regulované veličiny (dávají informace o stavu technického zařízení).

SNÍMAČE. - čidla, senzory snímají měří skutečnou hodnotu regulované veličiny (dávají informace o stavu technického zařízení). SNÍMAČE - čidla, senzory snímají měří skutečnou hodnotu regulované veličiny (dávají informace o stavu technického zařízení). Rozdělení snímačů přímé- snímaná veličina je i na výstupu snímače nepřímé -

Více

KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY

KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY Použité zdroje: http://cs.wikipedia.org/wiki/logická_funkce http://www.ibiblio.org http://martin.feld.cvut.cz/~kuenzel/x13ups/log.jpg http://www.mikroelektro.utb.cz http://www.elearn.vsb.cz/archivcd/fs/zaut/skripta_text.pdf

Více

Logické obvody, aspekty jejich aplikace ve vestavných systémech

Logické obvody, aspekty jejich aplikace ve vestavných systémech Logické obvody, aspekty jejich aplikace ve vestavných systémech 2015 A4M38AVS Aplikace vestavných systémů J. Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření

Více

Moderní svět. Kapitola 9

Moderní svět. Kapitola 9 Kapitola 9 Moderní svět V roce 1947 byl sestrojen první tranzistor na světě. Dnes se jich ročně vyrobí přes 10 000 000 000 000 000 000, což je stokrát víc, než je celkový počet zrnek rýže snědených každý

Více

Kód VM: VY_32_INOVACE_5 PAV04 Projekt: Zlepšení výuky na ZŠ Schulzovy sady registrační číslo: CZ.1.07./1.4.00/21.2581

Kód VM: VY_32_INOVACE_5 PAV04 Projekt: Zlepšení výuky na ZŠ Schulzovy sady registrační číslo: CZ.1.07./1.4.00/21.2581 Kód VM: VY_32_INOVACE_5 PAV04 Projekt: Zlepšení výuky na ZŠ Schulzovy sady registrační číslo: CZ.1.07./1.4.00/21.2581 Autor: Mgr. Petr Pavelka Datum: 15. 10. 2012 Ročník: 9. Vzdělávací oblast: Člověka

Více

Ing. Milan Nechanický. Cvičení. SOUBOR PŘÍPRAV PRO 3. R. OBORU 23-41-M/01 Elektrotechnika - Mechatronika. Monitorovací indikátor 06.43.

Ing. Milan Nechanický. Cvičení. SOUBOR PŘÍPRAV PRO 3. R. OBORU 23-41-M/01 Elektrotechnika - Mechatronika. Monitorovací indikátor 06.43. STŘEDNÍ PRŮMYSLOVÁ ŠKOLA STROJNICKÁ A STŘEDNÍ ODBORNÁ ŠKOLA PROFESORA ŠVEJCARA, PLZEŇ, KLATOVSKÁ 109 Ing. Milan Nechanický Měření a diagnostika Cvičení SOUBOR PŘÍPRAV PRO 3. R. OBORU 23-41-M/01 Elektrotechnika

Více

Příprava a výroba polovodičových součástek testovací struktury litografickou cestou ve spolupráci s VUT Brno

Příprava a výroba polovodičových součástek testovací struktury litografickou cestou ve spolupráci s VUT Brno Příprava a výroba polovodičových součástek testovací struktury litografickou cestou ve spolupráci s VUT Brno Technologický postup: Si deska psi 0.5-1 Wcm mytí oxidace 1050 C Maskování ZS Maskování difúze

Více

Oddělení fyziky vrstev a povrchů makromolekulárních struktur

Oddělení fyziky vrstev a povrchů makromolekulárních struktur Oddělení fyziky vrstev a povrchů makromolekulárních struktur Témata diplomových prací 2014/2015 Studium změn elektrické vodivosti emeraldinových solí vystavených pokojovým a mírně zvýšeným teplotám klíčová

Více

Inteligentní Polovodičový Analyzér Provozní manuál

Inteligentní Polovodičový Analyzér Provozní manuál Inteligentní Polovodičový Analyzér Provozní manuál Před uvedením přístroje do provozu si velmi pečlivě přečtěte tento provozní manuál. Obsahuje důležité bezpečnostní informace. 3 Obsah.. Strana Úvod...

Více

Rozvoj vzdělávání žáků karvinských základních škol v oblasti cizích jazyků Registrační číslo projektu: CZ.1.07/1.1.07/02.0162

Rozvoj vzdělávání žáků karvinských základních škol v oblasti cizích jazyků Registrační číslo projektu: CZ.1.07/1.1.07/02.0162 Určeno pro Sekce Předmět Rozvoj vzdělávání žáků karvinských základních škol v oblasti cizích jazyků Registrační číslo projektu: CZ.1.07/1.1.07/02.0162 8. a 9. ročník Základní Dějepis Téma / kapitola Technický

Více

Elektronika pro informační technologie (IEL)

Elektronika pro informační technologie (IEL) Elektronika pro informační technologie (IEL) Čtvrté laboratorní cvičení Brno University of Technology, Faculty of Information Technology Božetěchova 1/2, 612 66 Brno - Královo Pole Petr Veigend,iveigend@fit.vutbr.cz

Více

SAMOSTATNÁ PRÁCE Z ELEKTRONIKY UNIPOLÁRNÍ TRANZISTORY

SAMOSTATNÁ PRÁCE Z ELEKTRONIKY UNIPOLÁRNÍ TRANZISTORY Střední odborné učiliště technické Frýdek-Místek SAMOSTATNÁ PRÁCE Z ELEKTRONIKY UNIPOLÁRNÍ TRANZISTORY Jméno: Luděk Bordovský Třída: NE1 Datum: Hodnocení: 1.1. Vlastnosti unipolární tranzistorů Jsou založeny

Více

Výstaviště v Brně, Kongresové centrum, sál B, 14. září 2010

Výstaviště v Brně, Kongresové centrum, sál B, 14. září 2010 Jiří Roubal, Senior Specialist, Divize výrobků a systémů pro energetiku, ABB s.r.o. Zařízení výkonové v energetických sítích Energie pro budoucnost Efektivní distribuce a spotřeba elektřiny v průmyslu

Více

Cílem kapitoly je seznámit studenta s pamětmi. Jejich minulostí, současností a hlavnímu parametry.

Cílem kapitoly je seznámit studenta s pamětmi. Jejich minulostí, současností a hlavnímu parametry. Paměti Cílem kapitoly je seznámit studenta s pamětmi. Jejich minulostí, současností a hlavnímu parametry. Klíčové pojmy: paměť, RAM, rozdělení pamětí, ROM, vnitřní paměť, vnější paměť. Úvod Operační paměť

Více

R10 F Y Z I K A M I K R O S V Ě T A. R10.1 Fotovoltaika

R10 F Y Z I K A M I K R O S V Ě T A. R10.1 Fotovoltaika Fyzika pro střední školy II 84 R10 F Y Z I K A M I K R O S V Ě T A R10.1 Fotovoltaika Sluneční záření je spojeno s přenosem značné energie na povrch Země. Její velikost je dána sluneční neboli solární

Více

České vysoké učení technické v Praze Technická 2 - Dejvice, 166 27. Návrh a realizace detektoru pohybu s využitím pyrosenzoru

České vysoké učení technické v Praze Technická 2 - Dejvice, 166 27. Návrh a realizace detektoru pohybu s využitím pyrosenzoru České vysoké učení technické v Praze Technická 2 - Dejvice, 166 27 Fakulta elektrotechnická Katedra teorie obvodů Návrh a realizace detektoru pohybu s využitím pyrosenzoru Květen 2006 Zpracoval: Dalibor

Více