Ideální struktura MIS Metal-Insulator-Semiconductor M I S P. Ideální struktura MIS. Ideální struktura MIS. Ochuzení. Akumulace U = 0 U > 0 U < 0 U = 0
|
|
- Radomír Dostál
- před 8 lety
- Počet zobrazení:
Transkript
1 truktura M Akuulace, ochuzeí, slabá a silá iverze rahové apětí, způsob vziku iverzí vrstv Kapacitor M, proud dielektrickou vrstvou razistor MOF truktura, pricip čiosti deálí VA charakteristika odporová a saturačí oblast Vliv krátkého kaálu Reálá VA charakteristika, průraz trazistoru MOF harakteristik jedotlivých tpů trazistorů MOF Klidový pracoví bod Model trazistoru MOF: a A pro alý sigál Model trazistoru MOF v, paraetr deálí struktura M Metal-sulator-eicoductor MO Metal-Oxide-eicoductor A Al M i i- M ideálí A výstupí práce z kovu a polovodiče se rovají Φ Φ s eá povrchové stav a áboj v dielektriku je ulový Q ef rové pás v polovodiči řez A pásový diagra bez apětí eφ eφ s eφ F M c Fs v A deálí struktura M ez apětí Akuulace deálí struktura M ez apětí Ochuzeí klesá eφ eφ s < arůstá p e i i F k eφ eφ s > p e i i F k c eφ F c Fs v e eφ s eφ F c Fs v eφ F c Fs v e eφ s Fs v M M M M - elektro dír kladé iot kovu ioizovaé akceptor
2 deálí struktura M ez apětí verze - jsou vtvoře podík pro vzik vrstv eφ eφ s opačé vodivosti >> klesá p e roste e i i i F k F i k c odíka vziku iverzí vrstv (ideálí M-p k N ϕs( iv. ϕ F l q kocetrace elektroů a povrchu je rova kocetraci děr v objeu a i c eφ F c Fs e eφ s Fs v rahové apětí Q ϕ F e eφ s eφ F Fs v v M M elektro idukce áboje v zahutí pásů o φ F M kladé iot kovu ioizovaé akceptor Q qn a w ( ε en aϕ F / ε ( ϕ iv en a / Reálá struktura M výstupí práce z kovu a polovodiče se rovají Φ Φ s existují povrchové stav a áboj v dielektriku Q ef zabudovaý poteciál φ s rahové apětí Φ M Q ef rozdíl výstupích prací kov-polovodič kopezace áboje Q ef Q ϕ idukce áboje v F pásový diagra bez apětí zahutí pásů o φ F iverzí vrstva ůže vzikout i při M eφ Q ef eφ s eφ s c Fs v Způsob vziku iverzí vrstv ežádoucí a geerace ioritích elektroů spojeá s extrakcí b geerací elektroů přes povrchové stav e M b a c Fs v vužívaé c geerace elektroů ozářeí ( d ijekcí elektroů z vějšího zdroje, apř. přechode N (MOF Δ ħω e M c d c Fs v
3 Kapacitor M je tvoře sériový spojeí kapacitorů tvořeých dielektrike ( a ( -V charakteristik ideálí struktur M silá akuulace ochuzeí silá iverze akuulace iverze kvazi-statická iverze kvazi-statická akuulace slabá iverze slabá akuulace i i ochuzeí vf vf ochuzeí F polovodič tpu polovodič tpu N dq d dq dϕ ε t ε s w iverzí vrstva - elektro iverzí vrstva - dír roud izolačí vrstvou log J růzé echaiz vedeí proudu průraz J Fowler-Nordheiovo tuelováí J A FN exp eφ M ~pa/c veli teké teké tlusté - Fowler-Nordheiovo tuelováí -příé tuelováí - chottkho eise - Frekel-oolova eise -přeskoková vodivost příé tuelováí J J V Φ chottkho eise 4 Φ exp αβ 3 V V Φ 3 / M V -MV/c V/ * e J A exp e Φ / k 4πε eφ M
4 MOF Metal Oxide eicoductor Field ffect rasistor io io MOF Metal Oxide eicoductor Field ffect rasistor io io N kaál N N kaál N kaál N N kaál RÁ RÁ N RÁ RÁ N kaál N kaál idukovaý zabudovaý idukovaý zabudovaý kaál N kaál idukovaý zabudovaý idukovaý zabudovaý začeí vcházející z polarit substrátu N začeí vcházející ze sěru toku proudu 96 J.. iliefeld patetuje pricip pole řízeého trazistoru razistor MOF N-kaálový kovový kotakt ource ( ate kovový kotakt rai ( 99 awo Kahg a M. M. Attala kostruují prví pole řízeý trazistor izolace ource kaál rai hradlový id elektro eergetická bariéra dír
5 razistor MOF N-kaálový MOF posledí techologické uzl kovový kotakt ource ( >> ate kovový kotakt rai ( izolace ource kaál rai hradlový id elektro dír X x MOF pricip čiosti < V io RÁ N N R MO kapacitor je doplě oblasti opačého tpu vodivosti (ource/rai fce ijektoru/extraktoru Vzikají dvě atisériově zapojeé substrátové diod, které usí být evodivé. X x MOF pricip čiosti < V io RÁ N N R ro < eergetická bariéra bráí průchodu elektroů z do. řez X (ev OR V - A V RAN 3 x (μ R V ubstrát usí být a ejižší poteciálu substrátových diod a kaálu izolují aktiví oblast MOFu (kaál od okolí. N N řez X (ev OR V - A V x (μ R RAN 3 V Závěrě polarizovaý přechod substrát kolektor (drai je schope odsávat iorití ositele (elektro. ro < proud eprochází o uožňuje ejvšší hustotu itegrace.
6 MOF pricip čiosti > MOF pricip čiosti X x řez X > io RÁ N N OR V A - N N x (μ R RAN R 3 V > říčé elektrické pole způsobí ohb pásů pod hradle eergetická bariéra již ebráí průchodu elektroů z do. verzí vrstva (vziklá v substrátu tvořeá elektro ze ijekovaýi z eitoru (source N vodivě propojí eitor a kolektor. ro > proud prochází > X x řez X > io RÁ N N OR V A - N N x (μ R RAN R 3 V > razistorový jev : apětí ovládáe proud razistor se chová jako řízeý odpor resp. zdroj proudu. (trasistor trasiet resistor Mezi hradle (ate a kaále je dielektriku (io do vstupu téěř eteče proud! velký vstupí odpor (~MΩ > > razistor je říze apětí (pole. razistor MOF s kaále N Kov (hradlo ε o ε r /t ate t kapacita Oxid (io ource rchlost dt d(x dt áboj dq rai délka kaálu šířka kaálu - kapacita idu a jedotku ploch ε peritivita vakua ε r relativí peritivita idu t tloušťka idu dq dt dq dt d(x (x dq dt v ( [ ( x ] x ( x d μ ( x μ
7 dq ( [ ( x ] v ( x μ μ μ dq dt dq dt [ ( x ] [ ( x ] dt ( x d d x ( [ ( x ] d( x μ μ d ( x Odporový (triodový reži - >> ource kaál rai μ μ μ [ ( x ] ( d ( proud podél kaálu usí být kostatí μ μ ( ( trazistor se chová jako apětí řízeý odpor - Zaškrceí kaálu - ( MOF vliv podélého elektrického pole ource kaál rai N N N N N N dq μ ( [ ( x ] - μ ( ( trazistor se chová jako zdroj proudu řízeý apětí dq kaál se zaškrtí a proud trazistore se saturuje veškerý úbtek apětí ad sat - je a a epřispívá k árůstu 3 4 V,,V V, V V, 3,V odporová oblast 3 4 odulace kaálu apětí 3 4 zaškrceí kaálu saturace proudu
8 MOF výstupí voltapérová charakteristika (dlouhý kaál odporový reži saturace (lieárí, triodový MOF statický odel pice evel (chicha-hodges Odporový reži μ μ aturace ( ( - odporový reži ARAMRY MO μ pohblivost elektroů délka kaálu šířka kaálu kapacita idu a jedotku ploch - saturace -!!! euvažuje se zkráceí délk kaálu s ε ε r /t ε peritivita vakua ε r relativí peritivita idu t tloušťka idu MOF výstupí voltapérová charakteristika (krátký kaál Vliv odulace délk kaálu - odporový reži (lieárí, triodový - - saturace. ource kaál sat - -Δ Δ rai - sat.... μ μ Δ ( μ ( Δ ( ( ( λ μ Δ / Δ λ λ A A Δ << arlho apětí ro kost. r o λ μ ( λ A
9 MOF statický odel pice evel (uvážeí zkráceí r o MOF ožosti průrazu Výstupí ro λ μ ( A sěrice /r průraz dielektrika dík alé vstupí kapacitě stačí k průrazu elektrostatický áboj μ ( A arlho apětí - A -/λ ro oblast saturace platí μ ( ( λ r λ koeficiet odulace délk kaálu [A] Vstupí laviový průraz kolektorového ( přechodu ůže být zvýrazě parazití NN strukturou uch-hrough záik kaálu ef se dotke eitoru (source - MOF idukovaý kaál w (A 3 NKOVANÝ KANÁ N V 4V 3V V 4 V 6 MOF zabudovaý kaál (při výrobě w (A 3 ZAOVANÝ KANÁ N 4 6 V V V -V -V -3V > Norall ON < w (A (A NKOVANÝ KANÁ N V V 4 6 V MOF - kaál N V 4V 3V (A 3 w -V -3V 4 6 ZAOVANÝ KANÁ N V V V -V řevodí charakteristika f ( kost. ( μ -R
10 MOF - kaál -V -V -3V -4V a -V V V V V -V -V b (A (A w N R R (A V 4 w N c 37 MOF V-A charakteristika vliv teplot μ pohblivost klesá s teplotou - doiatí μ (c V - s - (K ( ( λ 4 3 prahové apětí vlive poklesu φ se sižuje s teplotou řevodí charakteristika f( o -4 o o μ MOF ezí paraetr Výstupí MOF katalogový list ax tot Maxiálí apětí rai-ource Maxiálí hodota trvale Maxiálí hodota pulzě Maxiálí apětí ate-ource [A] Vstupí ax ax ax rai-ource Voltage Maxiu otiuous rai urret M ulsed rai urret ax ate-ource Voltage Maxiu tot ower issipiatio rai-ource reakdow Voltage Maxiálí ztrátový výko růrazé apětí rai-ource rahové apětí tatický odpor - v seputé stavu trost Vstupí kapacita píací/vpíací zpožděí
11 Volba poloh klidového pracovího bodu Oezeí: Výstupí Volba poloh klidového pracovího bodu Oezeí: Výstupí. ezíi paraetr ax tot. ezíi paraetr. eliearitai charakteristik ax tot [A] [A] Vstupí ax ax ax rai-ource Voltage Maxiu otiuous rai urret M ulsed rai urret ax ate-ource Voltage Maxiu tot ower issipiatio rai-ource reakdow Voltage Vstupí ax ax ax rai-ource Voltage Maxiu otiuous rai urret M ulsed rai urret ax ate-ource Voltage Maxiu tot ower issipiatio rai-ource reakdow Voltage Volba poloh klidového pracovího bodu pozor a průraz <ax R Většiou dáo použitý zdroje > fixí, dle volí trazistor s odpovídající ax R oezuje polohu ve výstupí charakteristice, ovlivňuje zisk a oezuje ax Miiiálí hodota R je dáa axiálí ztrátový výkoe trazistoru. Zdroj dodává ax. výko do zátěže (Fu je-li / ax > * / * /(*R R i > 4 ax ax R < R < R 3 R 3 R R 3 / tot ax řevodí charakteristika ivertoru MOF seputo ( ON spíače R /R závislost f( v zapojeí společý ource ( < A F A oblast volb pro zesilovač rozeputo ( OFF spíače - - strost lieárí části je úěrá apěťovéu zisku A u ~ - g R F
12 Volba poloh ax Způsob astaveí poloh tot R R R /Δ R s ( - /R ( ax rozptl paraetrů rozptl paraetrů Optiálí poloha pro třídu A b ěla garatovat axiálí rozkit pracovího bodu v lieárí části převodí charakteristik / /R ( o volit uprostřed její lieárí části volba / eusí být ideálí! /3 /3 kost říklad: Nalezěte hodotu apětí trazistoru NMO, jehož paraetr jsou defiová přiložeou výstupí VA charakteristikou. Řešeí: V. opsat obvod ve shodě s charakteristikou R 8k R k V R 68? 3.6 R 8k R k R
13 Řešeí: V. opsat obvod ve shodě s charakteristikou. estavit obvodové rovice R 8k R 68 R ( R R ( R k Úpravou ( - /R ( zatěžovací charakteristika zdroje R (R /(R R ((3 ezatížeý apěťový dělič R R V (/(8 3.7V R ( MOF jako zesilovač alého sigálu převodí charakteristika f( pro okolí lze považovat za lieárí u MOFu platí pokud <<( - Δi Řešeí: R 8k R k V R 68 ( - /R ( vést graf ( racoví bod trazistoru je dá průsečíke grafu rovice ( s vrstevicí výstupí charakteristik pro 3.V. [,, ] [3.V, 9.7V,7.A]. opsat obvod ve shodě s charakteristikou. estavit obvodové rovice 3. rafické řešeí 3.7V 7.A /R MOF jako odporový dvojbra vbrat ejbližší vrstevici charakteristik pro v charakteristice V (, (, popsá dvojicí elieárích časově eproěých rovic h h t [s] t [s] - R d Δi F > řídící veliči jsou apětí (, (,
14 iearizace charakteristik pro okolí (, (, Δi Δi Δi Δi iearizace charakteristik pro okolí Δi Δi NO pro zě veliči Δi Δi g r o Δi, Δi MOF Δi g Δi /r ifereciálí strost g g g Δi 3.7A - 3.A g 3.4V - 3.V g. rozěr [A/V] resp. [] tpické hodot A/V A/V taovit lze z poěru diferecí Δi ku Δi Δi g u u Δi r o u -u ifereciálí výstupí odpor r r / Δi 4V - V r 8A - 7A r r / 4 kω rozěr [Ω] tpické hodot kω kω taovit lze z poěru diferecí ku Δi Δi Δi g Δi r o
15 MOF jako odporový dvojbra popsá dvojicí elieárích časově eproěých rovic h h (, (, dvojbra blok s dvojicí vstupích a výstupích svorek charakterizovaý vztah ezi obvodovýi veličiai,,, F > řídící veliči jsou apětí (, (, iearizace charakteristik pro okolí (, (, Δi Δi Δi Δi iearizace charakteristik pro okolí Δi Δi NO pro zě veliči Δi Δi g r o Δi, Δi MOF Δi g Δi /r ifereciálí strost g g g Δi 3.7A - 3.A g 3.4V - 3.V g. rozěr [A/V] resp. [] tpické hodot A/V A/V taovit lze z poěru diferecí Δi ku Δi Δi g u u Δi r o u -u 3. 3.
16 ifereciálí strost g (traskoduktace g g μ g μ g ( / všší hodot - oezují rozkit výstupího sigálu (rozšířeí odporové oblasti ožost ovládáí g při ávrhu trazistoru vztah platí pro oblast saturace!!! pro daý MOF strost roste s odociou kolektorového proudu pro daý proud je strost úěrá / MOF úplý vsokofrekvečí odel uvažuje řadu parazitích kapacit a vliv odulace kaálu zpětý hradle (od ffect, backgatig ifereciálí výstupí odpor r r / Δi 4V - V r 8A - 7A r r / 4 kω rozěr [Ω] tpické hodot kω kω taovit lze z poěru diferecí ku Δi Δi odporová (triodová oblast saturace evodivý stav gs gd 3 Δi Kapacit trazistoru MOF g Δi gs gd gb gs gd r o dále je uté uvážit parazití kapacit způsobeé přesahe oblastí eitoru a kolektoru pod hradlo tpick ov.. ov ov takto vpočteé hodot je třeba přičíst k gs ad gd
17 MOF zjedodušeý vf odel pro substrát ( spojeý s eitore ( pro substrát ( spojeý s eitore ( zaedbaá kapacita db MOF ezí kitočet Mezí kitočet f je defiová jako frekvece při íž je proudový zisk i out /i i rove jedé. f i i jω i g out g π gs gs u gs u gs ři ff tak platí i i out i gs zaedbá vliv gd gu π f gs gs u gs i out f μ ( π i i
Zesilovač SE s tranzistorem MOSFET. Využití NLO pro harmonickou analýzu zesilovače
MOFET Řešení haronického stáleného stav obvod s tranzistore MOFET (NLO) plikace tranzistor MOFET jako řízeného prodového zdroje esilovač s tranzistore - základní zapojení (,, ) Tranzistor MOFET jako spínač
VíceZesilovač s tranzistorem MOSFET
Cvičení 8 Zesilovač s tranzistorem MOFET Nastavení klidového pracovního bodu a mezní parametry tranzistoru imulace vlivu teploty na polohu P, stabilizace Náhradní Lineární Obvod tranzistoru MOFET, odečet
VíceA8B32IES Úvod do elektronických systémů
A8B32IE Úvod do elektronických systémů 5.11.2014 Tranzistor MOFET charakteristiky, parametry, aplikace Tranzistor řízený polem - princip a základní aplikace Charakteristiky a mezní parametry tranzistoru
Více4. Vysvětlete mechanismus fotovodivosti. Jak závisí fotovodivost na dopadajícím světelném záření?
Dioda VA 1. Dvě křemíkové diody se liší pouze plochou PN přechodu. Dioda D1 má plochu přechodu dvakrát větší, než dioda D2. V jakém poměru budou jejich diferenciální odpory, jestliže na obou diodách bude
Více2. Definice plazmatu, základní charakteristiky plazmatu
2. efiice plazmatu, základí charakteristiky plazmatu efiice plazmatu Plazma bývá obyčejě ozačováo za čtvrté skupeství hmoty. Pokud zahříváme pevou látku, dojde k jejímu roztaveí, při dalším zahříváí se
VíceUnipolární tranzistory
Unipolární tranzistory MOSFET, JFET, MeSFET, NMOS, PMOS, CMOS Unipolární tranzistory aktivní součástka řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem většinové nosiče menšinové nosiče parazitní charakter
VíceVY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů
VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů Vodivost polovodičů pojem polovodiče čistý polovodič, vlastní vodivost příměsová vodivost polovodičová dioda tranzistor Polovodiče Polovodiče jsou látky, jejichž
VíceSeznámení s přístroji, používanými při měření. Nezatížený a zatížený odporový dělič napětí, měření a simulace PSpice
Cvičení Seznámení s přístroji, používanými při měření Nezatížený a zatížený odporový dělič napětí, měření a simulace PSpice eaktance kapacitoru Integrační článek C - přenos - měření a simulace Derivační
Více7. Kondenzátory. dielektrikum +Q + + + + + + + + U - - - - - - - - elektroda. Obr.2-11 Princip deskového kondenzátoru
7. Kondenzátory Kondenzátor (někdy nazývaný kapacitor) je součástka se zvýrazněnou funkční elektrickou kapacitou. Je vytvořen dvěma vodivými plochami - elektrodami, vzájemně oddělenými nevodivým dielektrikem.
VíceFET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů
FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů (elektrony nebo díry) pracují s kanálem jednoho typu vodivosti
VíceExterní paměť pro elektroniku (a obory příbuzné)
Externí paměť pro elektroniku (a obory příbuzné) Neničit, nečmárat, nekrást, netrhat a nepoužívat jako podložku!!! Stejnosměrný a střídavý proud... Efektivní hodnoty napětí a proudu... Střední hodnoty
Více8. Operaèní zesilovaèe
zl_e_new.qxd.4.005 0:34 StrÆnka 80 80 Elektronika souèástky a obvody, principy a pøíklady 8. Operaèní zesilovaèe Operaèní zesilovaèe jsou dnes nejvíce rozšíøenou skupinou analogových obvodù. Jedná se o
VíceMěření na unipolárním tranzistoru
Měření na unipolárním tranzistoru Teoretický rozbor: Unipolární tranzistor je polovodičová součástka skládající se z polovodičů tpu N a P. Oproti bipolárnímu tranzistoru má jednu základní výhodu. Bipolární
VíceMěřící technika - MT úvod
Měřící techika - MT úvod Historie Už Galileo Galilei zavádí vědecký přístup k měřeí. Jeho výrok Měřit vše, co je měřitelé a co eí měřitelým učiit platí stále. - jedotá soustava jedotek fyz. veliči - símače
VícePodívejte se na časový průběh harmonického napětí
Střídavý proud Doteď jse se zabývali pouze proude, který obvode prochází stále stejný sěre (stejnosěrný proud). V praxi se ukázalo, že tento proud je značně nevýhodný. kázalo se, že zdroje napětí ůže být
VíceELEKTRICKÝ PROUD V POLOVODIČÍCH
LKTRIKÝ ROUD V OLOVODIČÍH 1. olovodiče olovodiče mohou snadno měnit svůj odpor. Mohou tak mít vlastnosti jak vodičů tak izolantů, což záleží například na jejich teplotě, osvětlení, příměsích. Odpor mění
VíceZesilovač. Elektronický obvod zvyšující hodnotu napětí nebo proudu při zachování tvaru jeho průběhu. Princip zesilovače. Realizace zesilovačů
Zesilovač Elektronický obvod zvyšující hodnotu napětí nebo proudu při zachování tvaru jeho průběhu Princip zesilovače Zesilovač je dvojbran který může současně zesilovat napětí i proud nebo pouze napětí
VíceÚvod do moderní fyziky. lekce 9 fyzika pevných látek (vedení elektřiny v pevných látkách)
Úvod do moderní fyziky lekce 9 fyzika pevných látek (vedení elektřiny v pevných látkách) krystalické pevné látky pevné látky, jejichž atomy jsou uspořádány do pravidelné 3D struktury zvané mřížka, každý
Vícez možností, jak tuto veličinu charakterizovat, je určit součet
6 Charakteristiky áhodé veličiy. Nejdůležitější diskrétí a spojitá rozděleí. 6.1. Číselé charakteristiky áhodé veličiy 6.1.1. Středí hodota Uvažujme ejprve diskrétí áhodou veličiu X s rozděleím {x }, {p
VíceKABELY. Pro drátové okruhy (za drát se považuje i světlovodné vlákno): metalické kabely optické kabely
KABELY Pro drátové okruhy (za drát se považuje i světlovodé vláko): metalické kabely optické kabely Metalické kabely: osou veličiou je elektrické apětí ebo proud obvykle se jedá o vysokofrekvečí přeos
VíceMOSFET. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Julius Edgar Lilienfeld, U.S. Patent 1,745,175 (1930)
MOFET Metal Oxide emiconductor Field Effect Transistor Julius Edgar Lilienfeld, U.. Patent 1,745,175 (193) MOFET Metal Oxide emiconductor Field Effect Transistor 196 ovládnutí povrchových stavů:. Kahng,
Vícezpůsobují ji volné elektrony, tzv. vodivostní valenční elektrony jsou vázány, nemohou být nosiči proudu
Vodivost v pevných látkách způsobují ji volné elektrony, tzv. vodivostní valenční elektrony jsou vázány, nemohou být nosiči proudu Pásový model atomu znázorňuje energetické stavy elektronů elektrony mohou
VíceTRANZISTORY TRANZISTORY. Bipolární tranzistory. Ing. M. Bešta
TRANZISTORY Tranzistor je aktivní, nelineární polovodičová součástka schopná zesilovat napětí, nebo proud. Tranzistor je asi nejdůležitější polovodičová součástka její schopnost zesilovat znamená, že malé
VíceÚkol měření. Použité přístroje a pomůcky. Tabulky a výpočty
Úkol měřeí ) Na základě vějšího fotoelektrického pole staovte velikost Plackovy kostaty h. ) Určete mezí kmitočet a výstupí práci materiálu fotokatody použité fotoky. Porovejte tuto hodotu s výstupími
VíceMĚŘENÍ TRANZISTOROVÉHO ZESILOVAČE
Úloha č. 3 MĚŘÍ TRAZISTOROVÉHO ZSILOVAČ ÚOL MĚŘÍ:. Změřte a) charakteristiku I = f (I ) při U = konst. tranzistoru se společným emitorem a nakreslete její graf; b) zesilovací činitel β tranzistoru se společným
VícePolovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.
Polovodičové prvky V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku
VíceNezávislý zdroj napětí
Nezávislý zdroj napětí Ideální zdroj: Udržuje na svých svorkách napětí s daným časovým průběhem Je schopen dodat libovolný proud, i nekonečně velký, tak, aby v závislosti na zátěži zachoval na svých svorkách
VícePřevodníky f/u, obvod NE555
Převodníky f/u, obvod NE555 Na tomto cvičení byste se měli seznámit s funkcí jednoduchého převodníku kmitočet/napětí sestaveného z dvojice operačních zesilovačů. Dále byste se měli seznámit s obvodem NE555.
VíceOtázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna
Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Tato otázka přepokládá znalost otázky č. - polovodiče. Doporučuji ujasnit
VíceL A B O R A T O R N Í C V I Č E N Í Z F Y Z I K Y
ČESKÉ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V PRAZE KATED RA F YZIKY L A B O R A T O R N Í C V I Č E N Í Z F Y Z I K Y Jméo TUREČEK Daiel Datum měřeí 8.11.2006 Stud. rok 2006/2007 Ročík 2. Datum odevzdáí 15.11.2006 Stud.
VíceELEKTRICKÝ PROUD ELEKTRICKÝ ODPOR (REZISTANCE) REZISTIVITA
ELEKTRICKÝ PROD ELEKTRICKÝ ODPOR (REZISTANCE) REZISTIVITA 1 ELEKTRICKÝ PROD Jevem Elektrický proud nazveme usměrněný pohyb elektrických nábojů. Např.:- proud vodivostních elektronů v kovech - pohyb nabitých
Více2. Pasivní snímače. 2.1 Odporové snímače
. Pasivní snímače Pasivní snímače mění při působení měřené některou svoji charakteristickou vlastnost. Její změna je pak mírou hodnoty měřené veličiny a ta potom ovlivní tok elektrické energie ve vyhodnocovacím
VíceVytvořeno v rámci Operačního programu Vzdělávání pro konkurenceschopnost CZ.1.07/1.1.30/01,0038 Automatizace výrobních procesů ve strojírenství a
Milan Nechanický Sbírka úloh z MDG Vytvořeno v rámci Operačního programu Vzdělávání pro konkurenceschopnost CZ.1.07/1.1.30/01,0038 Automatizace výrobních procesů ve strojírenství a řemeslech Střední průmyslová
VíceMĚŘENÍ POLOVODIČOVÉHO USMĚRŇOVAČE STABILIZACE NAPĚTÍ
Úloha č. MĚŘENÍ POLOVODIČOVÉHO SMĚRŇOVČE STBILIZCE NPĚTÍ ÚKOL MĚŘENÍ:. Změřte charakteristiku křemíkové diody v propustném směru. Měřenou závislost zpracujte graficky formou I d = f ( ). d. Změřte závěrnou
VíceManuální, technická a elektrozručnost
Manuální, technická a elektrozručnost Realizace praktických úloh zaměřených na dovednosti v oblastech: Vybavení elektrolaboratoře Schématické značky, základy pájení Fyzikální principy činnosti základních
VíceOperační zesilovač je integrovaný obvod se dvěma vstupy (invertujícím a neinvertujícím) a jedním výstupem.
Petr Novotný Úloha č. 7 Operační zesilovač, jeho vlastnosti a využití Operační zesilovač je integrovaný obvod se dvěma vstupy (invertujícím a neinvertujícím) a jedním výstupem. Zapojení zesilovače s invertujícím
VíceElektrické vlastnosti pevných látek
Elektrické vlastnosti pevných látek elektrická vodivost gradient vnějšího elektrického pole vyvolá přenos náboje volnými nositeli (elektrony, díry, ionty) měrná vodivost = e n n e p p [ -1 m -1 ] Kovy
VíceZákladní vlastnosti polovodičů
Základí vlastosti olovodičů Volé osiče áboje - elektroy -e m, - díry +e m V termodyamické rovováze latí Kocetrace osičů je možo vyjádřit omocí Fermiho eergie W F dotace doory ty N dotace akcetory ty P
VícePřechod PN. Přechod PN - pásový diagram. Přechod PN strmý, asymetrický. kontakt přechod PN kontakt. (dotace) Rozložení příměsí. N-typ.
řchod v trmodyamické rovováz Vzik trmodyamické rovováhy, difúzí otciál ásový diagram Oblast rostorového ábo, růběh aětí a itzity lktrického ol roustá olarizac Ikc mioritích ositlů ábo roud řchodm, Shocklyho
VíceSenzory teploty. Evropský sociální fond. Praha & EU: Investujeme do vaší budoucnosti.
Senzory teploty Evropský sociální fond. Praha & EU: Investujeme do vaší budoucnosti. P. Ripka, 00 -teplota termodynamická stavová veličina -teplotní stupnice: Kelvinova (trojný bod vody 73,6 K), Celsiova,...
VícePRAKTIKUM III. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Název: Charakteristiky optoelektronických součástek
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM III. Úloha č. 5 Název: Charakteristiky optoelektronických součástek Pracoval: Lukáš Vejmelka obor (kruh) FMUZV (73) dne 3.3.2014
VíceElektřina a magnetismus Elektrostatické pole
Elektrostatické pole Elektrostatické pole je prostor (v okolí elektricky nabitých částic/těles), ve které na sebe náboje působí elektrickýi silai. Zdroje elektrostatického pole jsou elektrické náboje (vázané
VícePrincip magnetického záznamuznamu
Princip magnetického záznamuznamu Obrázky: IBM, Hitachi 1 Magnetické materiály (1) n I H = l B = μ H B l μ μ = μ μ 0 0 μ = 4π 10 r 7 2 [ N A ] n I Diamagnetické materiály: µ r < 1 (Au, Cu) Paramagnetické
VíceVAROVÁNÍ Abyste zamezili úrazu elektrickým proudem, zranění nebo poškození přístroje, před použitím si prosím pečlivě přečtěte návod k použití.
VAROVÁNÍ Abyste zamezili úrazu elektrickým proudem, zranění nebo poškození přístroje, před použitím si prosím pečlivě přečtěte návod k použití. 1. BEZPEČNOSTNÍ PRAVIDLA 1-1. Před použitím zkontrolujte
VíceNávod pro výpočet základních induktorů s jádrem na síťové frekvenci pro obvody výkonové elektroniky.
Návod pro cvičeí předmětu Výkoová elektroika Návod pro výpočet základích iduktorů s jádrem a síťové frekveci pro obvody výkoové elektroiky. Úvod V obvodech výkoové elektroiky je možé většiu prvků vyrobit
VíceUnipolární Tranzistory
Počítačové aplikace 000 Unipolární Tranzistor aktivní součástka polovodičový zesilující prvek znám od r. 960 proud vedou majoritní nositelé náboje náznak teorie čtřpólů JFET MOS u i i Y Čtřpól - admitanční
VíceElektronika pro informační technologie (IEL)
Elektronika pro informační technologie (IEL) Třetí laboratorní cvičení Brno University of Technology, Faculty of Information Technology Božetěchova 1/2, 612 66 Brno - Královo Pole inecasova@fit.vutbr.cz
VíceCvičení z termomechaniky Cvičení 5.
Příklad V kompresoru je kotiuálě stlačová objemový tok vzduchu [m 3.s- ] o teplotě 20 [ C] a tlaku 0, [MPa] a tlak 0,7 [MPa]. Vypočtěte objemový tok vzduchu vystupujícího z kompresoru, jeho teplotu a příko
VíceOdrušení plošných spoj Vlastnosti plošných spoj Odpor Kapacitu Induk nost mikropáskového vedení Vlivem vzájemné induk nosti a kapacity eslechy
Odrušení plošných spojů Ing. Jiří Vlček Tento text je určen pro výuku praxe na SPŠE. Doplňuje moji publikaci Základy elektrotechniky Elektrotechnologii. Vlastnosti plošných spojů Odpor R = ρ l/s = ρ l/t
VíceLABORATORNÍ CVIČENÍ Elektrotechnika a elektronika
VUT FSI BRNO ÚVSSaR, ODBOR ELEKTROTECHNIKY JMÉNO: ŠKOLNÍ ROK: 2010/2011 PŘEDNÁŠKOVÁ SKUPINA: 1E/95 LABORATORNÍ CVIČENÍ Elektrotechnika a elektronika ROČNÍK: 1. KROUŽEK: 2EL SEMESTR: LETNÍ UČITEL: Ing.
VíceKroužek elektroniky 2010-2011
Dům dětí a mládeže Bílina Havířská 529/10 418 01 Bílina tel. 417 821 527 http://www.ddmbilina.cz e-mail: ddmbilina@seznam.cz Kroužek elektroniky 2010-2011 Dům dětí a mládeže Bílina 2010-2011 1 (pouze pro
VíceZákladní pojmy. T = ϑ + 273,15 [K], [ C] Definice teploty:
Definice teploty: Základní pojmy Fyzikální veličina vyjadřující míru tepelného stavu tělesa Teplotní stupnice Termodynamická (Kelvinova) stupnice je určena dvěma pevnými body: absolutní nula (ustává termický
VícePraktikum II Elektřina a magnetismus
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK Praktikum II Elektřina a magnetismus Úloha č. XI Název: Charakteristiky diod Pracoval: Matyáš Řehák stud.sk.: 13 dne: 17.10.2008 Odevzdal
VíceUrčeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče
Určeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče Pracovní list - test vytvořil: Ing. Lubomír Kořínek Období vytvoření VM: listopad 2013 Klíčová slova: dioda, tranzistor,
Více1 VA-charakteristiky tranzistorů JFET a MOSFET. Úloha č. 7
1 A-charakteristik tranzistorů JFET a MOSFET Úloha č. 7 Úkol: 1. Změřte A charakteristik unipolárního tranzistoru (JFET - BF245) v zapojení se společnou elektrodou S 2. JFET v zapojení se společnou elektrodou
VíceVážeí zákazíci, dovolujeme si Vás upozorit, že a tuto ukázku kihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To zameá, že ukázka má sloužit výhradì pro osobí potøebu poteciálího kupujícího (aby èteáø
VíceČíslicové filtry. Použití : Analogové x číslicové filtry : Analogové. Číslicové: Separace signálů Restaurace signálů
Číslicová filtrace Použití : Separace sigálů Restaurace sigálů Číslicové filtry Aalogové x číslicové filtry : Aalogové Číslicové: + levé + rychlé + velký dyamický rozsah (v amplitudě i frekveci) - evhodé
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
VíceInovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/34.0452
Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/34.0452 Číslo projektu Číslo materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0452 OV_2_29_Směšovač Název školy Střední
VíceFEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4
Využití vlastností polovodičových přechodů Oblast prostorového náboje elektrické pole na přechodu Propustný směr difůze majoritních nosičů Závěrný směr extrakce minoritních nosičů Rekombinace na přechodu
VíceNÍZKOFREKVENČNÍ ZESILOVAČ S OZ
NÍZKOFREKVENČNÍ ZESILOVAČ S OZ 204-4R. Navrhněte a sestavte neinvertující nf zesilovač s OZ : 74 CN, pro napěťový přenos a u 20 db (0 x zesílení) při napájecím napětí cc ± 5 V a zatěžovacím odporu R L
Víceelektrické filtry Jiří Petržela základní pojmy
Jiří Petržela základí ojmy základí ojmy z oblati elektrických filtrů základí ojmy elektrický filtr je lieárí dvojbra, který bez útlumu roouští je určité kmitočtové ložky, které obahuje vtuí igál rouštěé
VíceMěření základních vlastností OZ
Měření základních vlastností OZ. Zadání: A. Na operačním zesilovači typu MAA 74 a MAC 55 změřte: a) Vstupní zbytkové napětí U D0 b) Amplitudovou frekvenční charakteristiku napěťového přenosu OZ v invertujícím
VíceŘízené polovodičové součástky. Výkonová elektronika
Řízené polovodičové součástky Výkonová elektronika Polovodičové součástky s řízeným zapnutím řídící signál přivede spínač z blokovacího do propustného stavu do závěrného stavu jen vnější komutací (přerušením)
Více2. Pasivní snímače. 2.1 Odporové snímače
. Pasivní snímače Pasivní snímače při působení měřené veličiny mění svoji charakteristickou vlastnost, která potom ovlivní tok elektrické energie. Její změna je pak mírou hodnoty měřené veličiny. Pasivní
VíceDidaktika výpočtů v chemii
Didaktika výpočtů v cheii RNDr. ila Šídl, Ph.D. 1 Didaktické zpracováí Pojy: olárí hotost (), hotostí zloek (w), látková ožství (), olárí obje ( ), Avogadrova kostata N A, látková a hotostí kocetrace (c,
VíceR w I ź G w ==> E. Přij.
1. Na baterii se napojily 2 stejné ohřívače s odporem =10 Ω každý. Jaký je vnitřní odpor w baterie, jestliže výkon vznikající na obou ohřívačích nezávisí na způsobu jejich napojení (sériově nebo paralelně)?
Více5. Měření výstupní práce elektronu při fotoelektrickém jevu
5. Měření výstupní práce elektronu při fotoelektrickém jevu Problém A. Změřit voltampérovou charakteristiku ozářené vakuové fotonky v závěrném směru. B. Změřit výstupní práci fotoelektronů na fotokatodě
VíceSignál. Pojmem signál míníme většinou elektrickou reprezentaci informace. měřicí zesilovač. elektrický analogový signál, proud, nebo většinou napětí
Signál Pojmem signál míníme většinou elektrickou reprezentaci informace. fyzikální veličina snímač měřicí zesilovač A/D převodník počítač elektrický analogový signál, proud, nebo většinou napětí digitální
VíceVY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl
Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická
VíceVLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU
VLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU Úvod: Čas ke studiu: Polovodičové součástky pro výkonovou elektroniku využívají stejné principy jako běžně používané polovodičové součástky
Více1 Elektrotechnika 1. 11:00 hod. = + Δ= = 8
:00 hod. Elektrotechnika a) Metodou syčkových proudů (MSP) vypočtěte proudy všech větví uvedeného obvodu. R = Ω, R = Ω, R 3 = Ω, U = 5 V, U = 3 V. b) Uveďte obecný vztah pro výpočet počtu nezávislých syček
Více1. Energetická pásová struktura pevných látek; izolanty, polovodiče, kovy; typy vodivostí, drift a difúze.
1. Energetická pásová struktura pevných látek; izolanty, polovodiče, kovy; typy vodivostí, drift a difúze. 2. Druhy polovodičů (vlastní a nevlastní polovodiče); generace a rekombinace páru elektron díra.
VíceElektron v izolovaném atomu Vazebná energie elektronu v atomu vodíku: E = FEKT VUT v Brně ESO / L1 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / L1 / J.
UML KT VUT V BRNĚ J.Boušek / lektroické součástky / P Niels Bohr (93) : lektro v izolovaé atou Vazebá eergie elektrou v atou vodíku: lektro ůže trvale kroužit kole jádra je v ěkteré z určitých drah (kvatových
VíceHC-UT 204. Digitální klešťový multimetr
HC-UT 204 Digitální klešťový multimetr Souhrn Manuál zahrnuje informace o bezpečnosti a výstrahy. Čtěte pozorně relevantní informace a věnujte velkou pozornost upozorněním a poznámkám.! Upozornění: Abyste
VíceTepelně vlhkostní mikroklima. Vlhkost v budovách
Tepelně vlhkostní mikroklima Vlhkost v budovách Zdroje vodní páry stavební vlhkost - vodní pára vázaná v materiálech v důsledku mokrých technologických procesů (chemicky nebo fyzikálně vázaná) zemní vlhkost
VíceUniverzita Tomáše Bati ve Zlíně
Univerzita omáše Bati ve Zlíně LABORAORNÍ CVIČENÍ ELEKROECHNIKY A PRŮMYSLOVÉ ELEKRONIKY Název úlohy: Měření frekvence a fázového posuvu proměnných signálů Zpracovali: Petr Luzar, Josef Moravčík Skupina:
Vícepodíl permeability daného materiálu a permeability vakua (4π10-7 )
ELEKTROTECHNICKÉ MATERIÁLY 1) Uveďte charakteristické parametry magnetických látek Existence magnetického momentu: základním předpoklad, aby látky měly magnetické vlastnosti tvořen součtem orbitálního
VíceELEKTRICKÝ PROUD V KAPALINÁCH, PLYNECH A POLOVODIČÍCH
Škola: Autor: DUM: Vzdělávací obor: Tematický okruh: Téma: Masarykovo gymnázium Vsetín Mgr. Jitka Novosadová MGV_F_SS_3S3_D14_Z_OPAK_E_Elektricky_proud_v_kapalinach _plynech_a_polovodicich_t Člověk a příroda
VíceIV-1 Energie soustavy bodových nábojů... 2 IV-2 Energie elektrického pole pro náboj rozmístěný obecně na povrchu a uvnitř objemu tělesa...
IV- Eergie soustavy bodových ábojů... IV- Eergie elektrického pole pro áboj rozmístěý obecě a povrchu a uvitř objemu tělesa... 3 IV-3 Eergie elektrického pole v abitém kodezátoru... 3 IV-4 Eergie elektrostatického
Vícenapájecí zdroj I 1 zesilovač Obr. 1: Zesilovač jako čtyřpól
. ZESILOVACÍ OBVODY (ZESILOVAČE).. Rozdělení, základní pojmy a vlastnosti ZESILOVAČ Zesilovač je elektronické zařízení, které zesiluje elektrický signál. Má vstup a výstup, tzn. je to čtyřpól na jehož
VíceFunkční měniče. A. Na předloženém aproximačním funkčním měniči s operačním zesilovačem realizujícím funkci danou tabulkou:
Funční měniče. Zadání: A. Na předloženém aproximačním funčním měniči s operačním zesilovačem realizujícím funci danou tabulou: proveďte: U / V / V a) pomocí oscilosopu měnič nastavte b) změřte na něm jeho
VíceAC/DC Digitální klešťový multimetr. Návod k obsluze. Výměna baterií
Při nepoužívání multimetru přístroj vypněte otočným voličem do polohy OFF. Baterie vám tak déle vydrží. Při dlouhodobém uskladnění přístroje vyjměte baterii. AC/DC Digitální klešťový multimetr Návod k
VíceCharakteristiky tranzistoru MOSFET
Cvičení 7 Charakteristiky tranzistoru MOFET Výstupní V-A charakteristiky tranzistoru MOFET Úplný model tranzistoru MOFET (Ppice-Level 1) a jeho parametry tanovení stejnosměrného pracovního bodu tranzistoru
VíceAC/DC Digitální klešťový multimetr MS2108A. Návod k obsluze -1- -2- R168 R168
AC/DC Digitální klešťový multimetr MS2108A Návod k obsluze Obsah Bezpečnostní instrukce... 3 Základní popis... 4 Rozmístění jednotlivých částí... 8 Prvky na displeji... 9 Specifikace... 11 Elektrické vlastnosti...
VíceZkouškové otázky z A7B31ELI
Zkouškové otázky z A7B31ELI 1 V jakých jednotkách se vyjadřuje napětí - uveďte název a značku jednotky 2 V jakých jednotkách se vyjadřuje proud - uveďte název a značku jednotky 3 V jakých jednotkách se
Více[ db ; - ] Obrázek č. 1: FPCH obecného zesilovače
Teoretický úvod Audio technika obecně je obor, zabývající se zpracováním zvuku a je poměrně silně spjat s elektroakustikou. Elektroakustika do sebe zahrnuje především elektrotechnická zařízení od akusticko-elektrických
VíceUrčení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů
Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů Tranzistor je elektronická aktivní součástka se třemi elektrodami.podstatou jeho funkce je transformace odporu mezi
VíceV ZÁKON ELEKTRICKÝ ODPOR
Fyzika elektrotechnika 1.část Ing. Jiří Vlček Tento soubor je doplňkem mojí publikace Středoškolská fyzika. Je určen studentům středních škol neelektrických oborů pro velmi stručné seznámení s tímto oborem.
VíceOtázka č.4. Silnoproudé spínací polovodičové součástky tyristor, IGBT, GTO, triak struktury, vlastnosti, aplikace.
Otázka č.4 Silnoproudé spínací polovodičové součástky tyristor, IGBT, GTO, triak struktury, vlastnosti, aplikace. 1) Tyristor Schematická značka Struktura Tyristor má 3 PN přechody a 4 vrstvy. Jde o spínací
Více3. Zesilovače. 3.0.1 Elektrický signál
3. Zesilovače V elektronice se velmi často setkáváme s nutností zesílit slabé elektrické signály tak, aby se zvětšila jejich amplituda-rozkmit a časový průběh se nezměnil. Zesilovače se používají ve všech
VíceProzkoumejte chování kondenzátoru v obvodu s generátorem obdélníkového napětí a s generátorem harmonického napětí.
ýstup P: Klíčová slova: inforace pro učitele obvody Střídavý obvod ojtěch Beneš žák porovná účinky elektrického pole na vodič a izolant, aplikuje poznatky o echanisech vedení elektrického proudu při analýze
VíceElektřina a magnetizmus polovodiče
DUM Základy přírodních věd DUM III/2-T3-11 Téma: polovodiče Střední škola Rok: 2012 2013 Varianta: A Zpracoval: Mgr. Pavel Hrubý a Mgr. Josef Kormaník VÝKLAD Elektřina a magnetizmus polovodiče Obsah POLOVODIČ...
VíceTeorie vzájemného převodu analogového a číslicového signálu
Prof. Ing. Radimír Vrba, CSc., Doc. Ing. Jiří Háze, Ph.D. Doc. Ing. Lukáš Fujcik, Ph.D., Ing. Ondřej Sajdl, Ph.D. Teorie vzájemného převodu analogového a číslicového signálu Vysoké učení technické v Brně
VíceTest. Kategorie M. 1 Laboratorní měřicí přístroj univerzální čítač (např. Tesla BM641) využijeme například k:
Krajské kolo soutěže dětí a mládeže v radioelektronice, Vyškov 2009 Test Kategorie M START. ČÍSLO BODŮ/OPRAVIL U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Laboratorní měřicí přístroj univerzální
VícePřehled trhu snímačů teploty do průmyslového prostředí
símače teploty Přehled trhu símačů teploty do průmyslového prostředí Přehled trhu símačů teploty a str. 36 a 37 představuje v přehledé tabulce abídku símačů teploty do průmyslového prostředí, které jsou
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
VíceOptoelektronické snímače fotodiodová pole, obrazové senzory CMOS
Optoelektronické snímače fotodiodová pole, obrazové senzory CMOS Podkladový materiál k přednáškám A0M38OSE Obrazové senzory ČVUT- FEL, katedra měření, Jan Fischer, 2014 Materiál je pouze grafickým podkladem
VíceZemní ochrana rotoru generátoru ve spojení proudové injektážní jednotky PIZ 50V a ochrany REJ 521
Zemní ochrana rotoru generátoru ve spojení proudové injektážní jednotky PIZ 50V a ochrany REJ 521 Číslo dokumentu: 1MCZ300045 CZ Datum vydání: Září 2005 Revize: Copyright Petr Dohnálek, 2005 ISO 9001:2000
VíceTYRISTORY. Spínací součástky pro oblast největších napětí a nejvyšších proudů Nejčastěji triodový tyristor
TYRSTORY Spínací součástky pro oblast největších napětí a nejvyšších proudů Nejčastěji triodový tyristor Závěrný směr (- na A) stav s vysokou impedancí, U R, R parametr U RRM Přímý směr (+ na A) dva stavy
Více