Základy návrhu elektrických pouzder (7) Teplotní management návrhu elektronických systémů

Rozměr: px
Začít zobrazení ze stránky:

Download "Základy návrhu elektrických pouzder (7) Teplotní management návrhu elektronických systémů"

Transkript

1 Základy návrhu elektrických pouzder (7) Teplotní management návrhu elektronických systémů

2 Obsah Úvod a vymezení pojmů Šíření a vedení tepla teplotní management Teplotní součinitel roztažnosti Trendy v pouzdření elektronických obvodů Zásady volby a návrhu pouzder Spolehlivost pouzder nové generace Modelování a simulace Závěr 2

3 Úvod Každý elektronický systém se vyznačuje určitou spotřebou energie. Průvodním jevem je přitom přeměna elektrické energie na energii tepelnou, což znamená, že veškeré elektronické systémy a zařízení jsou ovlivňovány teplem To způsobuje z hlediska vlastní funkce systému změnu pracovních podmínek, a s tím také změnu parametrů Projevem působení tepelné energie je ohřev zařízení a zvýšení jejich teploty. Teplo je generováno: - pasivními prvky (rezistory, kondenzátory atd.), kde vzniká jako vedlejší projev průchodu elektrického proudu (náboje) látkou, nebo jako důsledek polarizačních mechanismů, - aktivními prvky, kde jsou jeho zdrojem zejména polovodičové přechody 3

4 Co je to pouzdření Elektronické pouzdření (pouzdro) je definováno jako veškeré části elektronického systému s výjimkou integrovaných obvodů (čipů). Samotný elektronický systém může být např. PC, laptop, server, ale také zařízení spotřební elektroniky, automobilového průmyslu, spotřebiče, průmyslové přístroje, lékařská elektronika atd. Typický hardware náležející k elektronickému pouzdru zahrnuje substráty (PCB, keramické), veškeré nosiče čipů (chip carriers), konektory, kabely, výkonové zdroje a součástky, ventilátory a větráky, a také kryty, chassis, skříně atd. Pouzdření se netýká jen samotného pouzdra, ale i technologických procesů výroby elektronického systému (od součástek přes vlastní konstrukční řešení a využívání v návaznosti na legislativu).

5 Úrovně pouzdření 1. úroveň - Propojení kontaktních plošek čipu k vývodům pouzdra 1,5. úroveň -Připojení čipu na hybridní integrovaný obvod, multičipový modul, připojení DCA,COB,WLP 2. úroveň - Propojení pouzdra na nosný substrát (základní deska, rozšiřující karta) 3. úroveň - Propojení jednotlivých desek a rozšiřujících karet na systémovou desku 4. úroveň - Propojení mezi deskami ve skříňce zařízení 5. úroveň - Propojení mezi jednotlivými systémovými skříňkami

6 Obsah Úvod a vymezení pojmů Šíření a vedení tepla teplotní management Teplotní součinitel roztažnosti Trendy v pouzdření elektronických obvodů Zásady volby a návrhu pouzder Spolehlivost pouzder nové generace Modelování a simulace Závěr

7 Tepelný management základ pouzdření Technicky řečeno teplota je míra průměrné molekulární kinetické energie v hmotě. Normálně proudí kinetická energie z místa s vyšší teplotou směrem do místa s nižší teplotou. Tento tepelný tok je nazýván přenos tepla (heat transfer). Proudový tok nebo alternativní elektromagnetické pole způsobuje ve všech elektronických součástkách výkonovou ztrátu, v jejímž důsledku dochází k nárůstu teploty. To ovlivňuje spolehlivost a životnost součástek, jež jsou přímo závislé na tepelném namáhání. Při určité teplotě dochází k nevratnému zničení každé elektronické součástky (typická hodnota maximální pracovní teploty je proto omezena a může být pro polovodičové přechody o C, kapacitory o C, magnetické materiály o C ) Tepelný management a teplotní analýza jsou dnes základní a nedílnou součástí elektronického návrhu.

8 Teplo a teplota Teplo je obecně druhem energie, která v elektronických systémech vzniká ztrátami z energie elektrické, jíž je zařízení napájeno, a proto je na něj nahlíženo jako na ztrátový výkon. Teplota komponent má vliv na celou řadu faktorů (např. na stárnutí a tedy na životnost a degradaci materiálů), které ovlivňují spolehlivost funkce součástek a s tím také celkovou spolehlivost elektronického systému. Změna teploty celého funkčního zařízení a zejména jednotlivých prvků sebou přináší řadu průvodních dějů, jejichž následky se mohou projevit jako: -změny parametrů obvodových prvků (velikost odporu rezistoru, zesílení tranzistoru, změna pracovního bodu zesilovače,...), - vznik termomechanického namáhání pevných spojů (např. vznik pnutí v pájených spojích mezi součástkami a substrátem), - zvýšení pravděpodobnosti vzniku chybné funkce nebo chybového signálu v polovodičovém prvku tepelnou generací nosičů a pod. 8

9 Trend ve výrobě elektronických systémů je stálé snižování rozměrů a zvyšování výkonu - stále vyšší úroveň integrace (více součástek). Obecně v elektronických obvodech platí: s nárůstem pracovního kmitočtu se zvyšuje i počet spínání polovodičových přechodů na čipu, a s tím dochází i k růstu ztrátového výkonu, který se rozptyluje do okolí. Ztrátový výkon lze obecně vyjádřit následujícím vztahem : P 2 CV 2 Úvod f kde P je ztrátový výkon (W) C je vstupní kapacita (F) V je spínané napětí (V) f je spínaný kmitočet (Hz) Jak je ze vztahu patrné, snížení vstupní kapacity a zmenšení rozdílu spínaného napětí přispívá k redukci ztrátového tepla generovaného polovodičovou součástkou. To je jeden z důvodů proč nové generace polovodičových součástek mají stále nižší vstupní kapacity, a rovněž spínané napětí odvozené z napájecího napětí se snižuje zdříve typické hodnoty 5V směrem k hodnotě blížící se 1V. 9

10 Šíření tepla Elektronické součástky jsou ochlazovány přirozeným odvodem tepla, které nastává v důsledku uplatnění principů přenosu tepelné energie. Základní způsoby sdílení tepla jsou: vedení, proudění, vyzařování. Odvod tepla může být dále podpořen prvky jako jsou pasivní chladiče, nebo je použita některá z metod nuceného chlazení za pomocí mechanických větráků či termoelektrického (Peltierova) chladiče. 10

11 Vedení tepla Mírou tepelné vodivosti látek je součinitel tepelné vodivosti λ. Udává číselné množství tepla, které projde za jednotku času krychlí o jednotkové hraně mezi dvěmi protilehlými stěnami, mezi nimiž je teplotní rozdíl 1 o K ( o C). Jednotkou je [λ] = J.m -1.s- 1.K -1 = W.m -1.K -1. Sdílení tepla vedením je popsáno Fourierovým zákonem, který vyjadřuje to, že plošná hustota tepelného toku je úměrná teplotnímu gradientu a součiniteli tepelné vodivosti a směřuje proti gradientu: q gradt Úpravou Fourierova zákona pro jednorozměrný případ a zanedbáním tepelné kapacity materiálu získáme vztah: A T d kde Ф je tepelný tok prošlý plochou A (W) λ je součinitel tepelné vodivosti (W.m -1.K -1 ) A je plocha kolmá k tepelnému toku (m 2 ) T je rozdíl teplot (K; o C) d je vzdálenost míst rozdílné teploty (m) 11

12 Teorie přenosu tepla Znázornění přenosu tepelné energie z elektronické součástky do okolí Ve skutečnosti se tyto mechanismy uplatňují společně a k ochlazování elektronických součástek dochází současně vedením (odvodem tepla pevnou částí například do substrátu), prouděním (tepelným tokem proudícího vzduchu v okolí pouzdra, substrátu bez nebo s použitím ventilátoru) a vyzařováním energie z povrchu pouzdra do okolí. 12

13 Náhradní tepelný obvod Náhradní tepelný odporový obvod představuje statický (dynamický) model přenosu tepla v součástkách a elektronických systémech. Může být velmi dobře využit například pro modelování chlazení elektronických součástek a pro určení možného maximálního výkonového zatížení. Tepelný obvod se soustředěnými parametry přiřazenými obvodovým prvkům získáme na základě fiktivního rozdělení objektu na konečné množství sekcí. Jednotlivé sekce jsou nahrazeny obvodovými prvky a cesty sdílení tepla mezi nimi vzájemným spojením prvků. Prvkům obvodu se přiřazují tepelné odpory, tepelné kapacity (dynamický model), zdroje teploty a zdroje tepelného toku. Výpočet těchto parametrů obvodových prvků přiřazeným sekcím probíhá na základě vlastností látky příslušné sekce a fyzikálního děje v ní uplatňovaného. Tepelné odpory je možné přiřadit i nedokonale tepelně vodivým cestám v objektu i mezi objekty a okolím. Větvemi tepelného obvodu teče tepelný tok, v uzlech obvodu je teplota a na uzlových párech oteplení. Obvod je matematicky popsán systémem diferenciálních rovnic a pro řešení statického problému je postačující popis systémem algebraických rovnic. 13

14 Náhradní tepelný obvod V náhradních obvodech se vyskytují obvodové prvky popsané odpovídajícími tepelnými veličinami, které jsou analogické veličinám elektrickým: oteplení (teplotní rozdíl, spád) T (K) analogie rozdílu el. napětí tepelný tok (výkon) Φ (W) analogie el. proudu tepelný odpor R (K.W-1) analogie el. odporu tepelná vodivost (Wm-1.K-1) analogie el. vodivosti 14

15 Náhradní tepelný obvod Na základě vztahů odvozených pro vedení v pevných látkách týkajících se fyzikální podstaty sdílení tepla můžeme vyjádřit obdobu Ohmova zákona pro tepelný obvod následovně: kde T R ΔT je tepelný rozdíl, ΔT=T2 - T1 (K) Ф je tepelný tok (W) R je tepelný odpor (K.W -1 ) Podobně pro tepelný odpor platí analogie s elektrickým odporem vycházející z geometrie segmentu a jeho materiálu: d R A kde R je tepelný odpor (K.W -1 ) d je vzdálenost míst míst na nichž je tepelný rozdíl T (m) l je tepelná vodivost materiálu (Wm -1.K -1 ) A je průřez plochy jimž prochází tok F (m 2 ) 15

16 Analogie el. proud - teplo Náhradní obvod je odporová síť obsahující větve a uzly, které vytvářejí smyčky a uzlové dvojice. Uzel je bod sítě, v němž se stýkají obvodové prvky. Je na něm v určitém čase jen jedno oteplení. Větev náhradního obvodu je tepelně vodivá cesta mezi dvěma uzly. Zdroj tepelného toku mezi dvěma uzly nepředstavuje větev (přerušuje vodivou cestu). O uzlech a smyčkách platí podle teorie elektrických obvodů Kirchhoffovy zákony. Pro uzel platí I. Kirchhoffův zákon: 0 Podobně pro nezávislou smyčku platí II. Kirchhoffův zákon: T R 0 V náhradních obvodech se vyskytují obvodové prvky popsané odpovídajícími tepelnými veličinami, které jsou analogické veličinám elektrickým: oteplení (teplotní rozdíl, spád) θt (K) analogie rozdílu el. napětí tepelný tok (výkon) φ (W) analogie el. proudu tepelný odpor R (K.W-1) analogie el. odporu tepelná vodivost λ (Wm-1.K-1) analogie el vodivosti

17 Tepelná charakteristika zapouzdřené součástky Náhradní tepelný obvod se skládá z jednotlivých tepelných odporů, které musí teplo vznikající na přechodech překonat na cestě do okolí. Teplo generované PN přechody se šíří polovodičovým čipem do pouzdra a z pouzdra do okolního prostředí. Tepelný tok se rozdělí na: - část procházející z pouzdřícího materiálu (epoxidová výplň, vzduch) přes vývody resp. vývodový systém do nosného substrátu (deska plošného spoje, keramika) a z něj dále do okolního vzduchu povrchem substrátu (přirozené, nucené proudění; vyzařování) a někdy podélným vedením substrátu do nosných kovových částí. - druhá část prochází z pouzdřícího materiálu do vlastního pouzdra a z něj přímo do okolí pomocí proudění (přirozené, nucené) a vyzařování, nebo přes chladič. 17

18 Tepelná charakteristika zapouzdřené součástky Obecně se u zapouzdřených součástek celkový tepelný odpor R JA (Chip-Junction- Ambient) skládá z tepelného odporu mezi čipem a pouzdrem R JC (Junction-Case) a odporu mezi pouzdrem a okolím R CA (Case-Ambient), jak je patrné z obr. Vliv chladiče vyjádřuje přídavný sériový odpor R TA. Obecný tepelný odporový obvod pro chlazení polovodičové součástky modelované jediným tepelným odporem Rjc mezi přechodem a pouzdrem ( a- součástka bez chladiče, b- součástka s chladičem, c- výsledný model charakterizovaný jediným prvkem) 18

19 Ekvivalentní teplotní obvod Výrobci udávají teplotní rozdíl mezi čipem a pouzdrem RθJC a max teplotu Tjmax Max. teplotní rozdíl mezi přechodem a okolím = TJMAX (TAMB + THS). závisí na typu pouzdra tepelný odpor spojení mezi pouzdrem a vývodem Q je výkon vyzářený souč. TJ je teplota přechodu TC je teplota na pouzdře TH je teplota na chladiči TAMB je teplota okolí RθJC je tepelný odpor přechod - pouzdro RθCH je tepelný odpor pouzdro - chladič RθHA je tepelný odpor chladiče

20 Tepelná charakteristika zapouzdřené součástky Flip chip n d 20

21 Tepelná charakteristika zapouzdřené MCM součástky Prvek cesty odvodu tepla Materiál Tepelná vodivost K[W/m. C] Spoj Epoxid 0.3 Spoj Vodivý epoxid 2.0 Spoj Pájka zlato-cín 180 Spoj Hliník 200 Vývody čipu Pájka 30 Vývody pouzdra Slitina mědi 30 Vývody pouzdra Slitina Fe/Ni 15 Prostor pouzdro -- substrát Vzduch 0,024 21

22 Srovnání tepelného odporu u pouzder se stejnou hustotou propojování

23 Obsah Úvod a vymezení pojmů Šíření a vedení tepla teplotní management Teplotní součinitel roztažnosti Trendy v pouzdření elektronických obvodů Zásady volby a návrhu pouzder Spolehlivost pouzder nové generace Modelování a simulace Závěr

24 Koeficient teplotní roztažnosti - TCE Pro termomechanické namáhání obecně platí, že při změně teploty dochází ke změně rozměrů materiálů.při zvýšení teploty dochází obecně k roztažení (prodloužení) materiálů a při snížení teploty pak k jejich smrštění (zkrácení). Mírou teplotní závislosti délkových rozměrů pevného tělesa je teplotní součinitel délkové roztažnosti a (K 1 ; o C -1 ), v anglické literatuře nazývaný TCE (Temperature Coefficient of Expansion), který je definován vztahem : kde, TCE dl 1 dt dl je změna délky (m) l 0 je délka tělesa při výchozí teplotě (m) dt je změna teploty (K; o C) l 0 Průběh TCE není obecně v širokém rozsahu teplot lineární, zejména u polymerních materiálů dochází k velké změně hodnoty v oblasti teploty skelného přechodu (Tg), kde materiál přechází z elastického do sklovitého stavu. Například při přímém připojení holých čipů (DCA) na organické substráty je TCE součástky (křemíkový čip) 3 ppm/ o C a TCE substrátu (FR4) 13 ppm/ o C 24

25 Koeficient teplotní roztažnosti - TCE Spojíme-li pevně dva různé materiály s různými koeficienty TCE a dojde-li ke změně jejich teploty, vzniká mechanické namáhání (v tahu i ve smyku resp. střihu), které působí na spoj. V elektronických obvodech a systémech se jedná zejména o mechanické namáhání pájených spojů aktivních i pasivních součástek pájených na substráty. To je způsobeno tou skutečností, že materiál součástky bývá rozdílný oproti materiálu substrátu. Potom může dojít ke vzniku prasklin či trhlin (mikrotrhlin) a jejich dalšímu narůstání v místě spoje nebo v okrajové oblasti substrátu či součástky. Takový spoj má odlišné mechanické i elektrické vlastnosti a může způsobit okamžitě, nebo za určitý čas provozu nefunkčnost obvodu. Mechanické napětí ve spoji je definováno Hookovým zákonem : E E l l kde σ je mechanické napětí ve spoji (N. m -2 ) E je Youngův modul pružnosti v tahu (N. m -2, Pa) ε je poměrné prodloužení (-) 25

26 Hodnoty Youngova modulu Material GPa lbf/in² (psi) Rubber (small strain) ,500-15,000 PTFE (Teflon) ,000 Pine wood ,300,000 Aluminium 69 10,000,000 Glass Kevlar Bronze ,000,000 Titanium (Ti) 16,000,000 Titanium alloys ,000,000-17,500,000 Copper (Cu) ,000,000 Steel ,000,000 carbon nanotube 1, ,000,000 Diamond (C) ,000, ,000,000

27 Teplotní součinitel roztažnosti - TCE Poměrné prodloužení působící na spoj lze vyjádřit rozdílem změn délek spojených materiálů. Pro relativní prodloužení platí: ( TCE TCE ) T C S Kde je poměrné prodloužení, TCE C je teplotní součinitel délkové roztažnosti součástky TCE S je teplotní součinitel délkové roztažnosti substrátu T= T2 - T1 ; T2 - teplota okolí, T1 - pracovní teplota 27

28 Eliminování pnutí: Volbou vývodů (pnutí je redukováno pružností vývodu pouzdra). Doplněním výztužného jádra v substrátu, které sníží TCE a zvýší tuhost substrátu. Použitím výztužného rámu (interposer). Optimálním návrhem plošek. Volbou pájecí slitiny aj. dokonalým odvodem tepla 28

29 Materiálové hledisko volby pouzdra Materiály běžně používané v pouzdření mohou mít teplotní koeficient roztažnosti, který se liší až o dva řády. Cílem je vytvořit návrhy ve kterých tlaky nebo rázy nepřekročí provozní (dovolenou) mez, a to buď použitím materiálů s podobným koeficientem roztažnosti, nebo použitím měkkých (poddajných) prvků na rozhraní materiálů. Tři nejčastěji používané uspořádání jsou: 1. Vrstvy s odlišným koeficientem roztažnosti spojeny po celé délce (viz. Obr.a) - Vrstva IO spojená se substrátovou vrstvou - Vrstvy skelných vláken ve vrstvě pryskyřice - Vrstvy vodičů v dielektrických vrstvách b) - Substrát připevněný k pouzdru 2. Dvě struktury s různým CTE spojeny na koncích (viz. Obr.b) - Čip R/C připájen na substrát -Součástky připájeny do děr desky plošných spojů - Vývody SMT připájené na PWB - Kovové víčko přivařené c) ke keramickému pouzdru -Vývody tranzistoru připájené k substrátu 3. Struktura zapouzdřená v materiále s odlišným CTE (viz. Obr.c) - Slitina FeNi pájena v PTH - Obvody zapouzdřené v ochranném povrchu - Nosný rám v lisované směsi - Vývody v pájeném spoji 29

30 Obsah Úvod a vymezení pojmů Šíření a vedení tepla teplotní management Teplotní součinitel roztažnosti Trendy v pouzdření elektronických obvodů Zásady volby a návrhu pouzder Spolehlivost pouzder nové generace Modelování a simulace Závěr

31 Trendy v pouzdření Dlouhodobě proklamovaný trend - Pouzdro je navrhováno specificky pro čipy a jejich aplikace Nedostatek standardních tvarů a rozměrů - Např. urgentní pro paměti určené pro PoP stacking Požadavek na velkou šířku pásma z hlediska nových procesorů - Vyžaduje 3D metody propojování (Bandwidth Bottleneck) Některé čipy nelze použít pro určitý typ pouzder bez jejich re-designu - Objevují se nové přístupy ke způsobu návrhu čipů Nízkoprofilová pouzdra (<1.2mm vysoká) se stávají normou - Požadavek pro mobilní telefony Vývoj moderního pouzdření je hnán především všeobecnou potřebou redukce finální ceny systémů, před technologickými zlepšeními - Rostoucí požadavky na provedení bez nárůstu ceny Východoasijské firmy OSAT se zaměřují na vývoj pouzdřících technologií - Primárním požadavkem je LOW COST (PacTech, Amkor.)

32 TRENDY v POUZDŘENÍ IC and Package co-design CSP Die Stacking, 3D Design Embedding Direct die/wafer wafer/wafer bonding (WLP) Optical Interconnect System in Package (SiP) Package on Package (PoP) IC je navrhován současně s variantami pouzdra Simulace ICzahrnuje pouzdření a propojování Změna pouzdra vyvolává změnu topologie čipu Teplotní simulace pro čip/pouzdro (ANSYS, Flowmeric ) Napomáhá optimalizovat výkonové ztráty Optimalizuje I/O na aktuální propoje (impedanční přizpůsobení) Optimalizace pouzdra a propojení čipu s ohledem na montáž do systému Plastic packages for high-power Effects of Regulation / Legislation Nové výkonové pouzdra s kavitou Pro bázové stanice mobilních telefonů Plast je Liquid Crystal Polymer (LCP) Používají se také pro pouzdra MEMS Jsou rovněž v provedení QFN package Ochrana výkonového IC nemusí být vždy hermetická

33 Aktuální vývoj pouzdření

34 Aktuální vývoj pouzdření QFN or Quad Flat No leads package is an integrated circuit package used with surface mounted printed circuit boards. MicroLeadFrame (MLF) is a type of chip scale microchip package. OSAT=Outsourced Semi Assembly & Test Outsourcing Semiconducter Assembly Tech

35 Flip Chip Obr.24: Provedení Flip Chip

36 Flip chip náhradní obvod elektrický Obr.25: Náhradní elektrický obvod FCH

37 Flip Chip Model je sestaven ze sériového a paralelního spojení několika pasivních prvků nahrazujících jednotlivé vlivy působící na cestě signálu, přičemž signál postupuje od zdroje k přijímači. Přitom prochází cestou k vývodu čipu přes odpor R výst, jenž se chová na výstupu jako C-L-C článek. Tento vyjadřuje právě vliv samotných vývodů na čipu. Čas pro přenos signálu, resp. čas který potřebuje signál na překonání vzdálenosti z čipu na další aktivní místo je přímo úměrný vzdálenosti a dán vztahem: t z l, ε r, C, L, kde l je vzdálenost kterou musí signál překonat εr je permitivita vyjadřující vlastnost substrátu C, L jsou kapacita a indukčnost vývodů

38 Flip Chip náhradní obvod - tepelný Obr.26: Náhradní tepelný obvod pro FCH

39 C a L pouzder Typický průměr kulových vývodů se pohybuje kolem 0,2 mm, což je oproti délce drátků přibližně 10x méně (Wire bonding 2,5 mm). Právě tato skutečnost výrazně ovlivňuje kapacitu a indukčnost vývodů, jak je patrné z tab. Tabulka : Typické hodnoty kapacity a indukčnosti vývodů Typ vývodu/pouzdra pf nh SOIC BGA 1 2 Wire Bonding 0,5 1-2 TAB 0,6 1-6 Flip Chip 0,1 0,01

40 Chip Scale Package CSP: Velikost pouzdra nepřesahuje 1,5 násobek velikosti čipu. Připojení na substrát je kompatibilní s povrchovou montáží. Spojuje výhody přímého připojení čipu a klasické metody montáže čipů.

41 Vertikální propoje a různé průměry bumpů CSP + WLP

42 Pouzdra s kulovými vývody (bumpy) Zdroj:

43 HDI pouzdra Spojuje přímé kontaktování s velkokapacitním propojování (high-density interconnect). Schématicky je naznačen na obrázku 1. Holý čip vytvořený na Si substrátu je kontaktován na nosný substrát a na Si substrátu je dále připojeny další polovodičové prvky, jako jsou paměti apod. Tímto je vytvořena 3D struktura, která je kompaktní a má malé rozměry. VF část pasivní prvky DRAM,FLASH Si podložka propojení nosný substrát

44 3D pouzdra Typické 3-D pouzdro se skládá z čipu DSP a paměti. Montáž provádí buď sám výrobce DSP nebo OEM. Typické je, že výrobce dělá DSP a koupí paměť a může provést pouzdření jak v SoP, tak i v PiP pouzdru. OEM koupí oboje, pouzdřené DSP a paměť a uspořádá je v PoP přímo na úrovni motherboardu. Výběr typu pouzdra je dán nejen použitou aplikací (footprinty, profil, cena), ale také koncepcí z hlediska použitých součástek, výrobní technologií a požadavkem koncového uživatele.

45 Moderní pouzdření - přehled Zdroj:

46 Obsah Úvod a vymezení pojmů Šíření a vedení tepla teplotní management Teplotní součinitel roztažnosti Trendy v pouzdření elektronických obvodů Zásady volby a návrhu moderních pouzder Spolehlivost pouzder nové generace Modelování a simulace Závěr

47 Na jaké úrovni budeme pouzdřit? 1. úroveň - Propojení kontaktních plošek čipu k vývodům pouzdra 1,5. úroveň -Připojení čipu na substrát (HIO, MCM, CSP, připojení DCA, COB, WLP 2. úroveň - Propojení pouzdra na nosný substrát (základní deska, rozšiřující karta)

48 Zásady návrhu elektronického systému Pro správnou volbu pouzdra je velmi důležité porozumět jak technickým tak ekonomickým (obchodním) požadavkům daného výrobku. Po dlouhou dobu byla pozornost zaměřena pouze na čip. Prioritní snahou bylo vyrábět ho menší, rychlejší, výkonnější a efektivnější, a to vše za současného snižování nákladů a zvyšování efektivnosti. Výrobci polovodičů jednoduše navrhli IO a vložili jej do určitého typu pouzdra, jež mělo příslušnou velikost a tvar. Otestovali obvod a prodali jej. Dnes je k dispozici velké množství pouzder IO. Konstruktér čipu i uživatel integrovaných obvodů musí mít znalosti o těchto pouzdrech předtím, než se rozhodne pro vhodný typ v závislosti na elektrických a tepelných požadavcích obvodu. Tento nový přístup vyžaduje investice do nových návrhářských systémů a testovacích nástrojů a přehodnocení testovacích postupů a procesů.

49 Zásady návrhu elektronických systémů Výrobci zařízení a inženýři zabývající se pouzdřením musí řešit nejprve následující otázky: Jak má být pouzdro navrženo (s ohledem na čip) Jak bude připojeno do obvodu (s ohledem na substrát) Jaká bude jeho testovatelnost (před i po montáži) Jaká je aplikace a jaké jsou požadované parametry (včetně spolehlivosti) Důležitým faktorem při volbě pouzdra je rozhodnutí o umístění čipu (lead frame?) příp. volba substrátu, který předurčuje nejvyšší hustotu a nejmenší rozměry vodivé sítě (organický, anorganický nebo pružný - ten však nezajistí stejné spolehlivostní výsledky jako tuhé substráty). (K dosažení optimálního řešení při narůstající hustotě musí výrobci čipů investovat do komplexnějších návrhů stejně jako do vysoce inteligentních prostředků na modelování teplotních a elektrických parametrů tak, aby byl čip přizpůsoben příslušným typům pouzder.)

50 Volba typu pouzdra Výběr a volba typu pouzdra pro danou aplikaci závisí na řadě faktorů, a to především na: Výkonu spotřebovávaném na čipu Požadovaných elektrických vlastnostech Počtu vývodů čipu Rozměru a váze elektronického systému Typu použití

51 Elektrický návrh pouzdra Primární elektrická funkce pouzdra je připojit různé vstupy a výstupy, nápájení atd. na čipu k vnějšímu okolí (do obvodu) Přitom musí být zachována integrita signálu, tj. nesmí dojít k jeho zkreslení a ke generaci šumů Musí být dosaženo přijatelné ceny pouzdra

52 Elektrický návrh pouzdra Pracovní kmitočet je jedním z výchozích parametrů který musí být respektován (1GHz) Porozumění důvodů pro generaci nežádoucích signálů (šumů), především delta I šumu Omezení kapacity spojů mezi čipy (je minimálně o řád vyšší než spojů na úrovni samotného čipu Vyvarování se přeslechům mezi jednotlivými vodiči (z důvodů stále větší integrace obvodů dochází ke zkracování vzdáleností mezi jednotlivými vodiči a tyto se posléze začínají navzájem ovlivňovat)

53 Elektrický návrh pouzdra U 3D struktur je elektrický návrh veden ve dvou směrech, jež jsou zaměřeny na: systém zajišťující přenos signálu systém rozvodu napájení Např. v první řadě se zohledňuje systém rozvodu napájení, potom se následně provede obvodový návrh s použitím simulačních nástrojů, a jako poslední se realizuje vlastní návrh pouzdra obsahující polohu jednotlivých součástí a jejich vzájemné propojení.

54 Důvody pro optimalizaci pouzdra Provedení pouzdra vs. Cena pouzdra rozměry parametry jakost

55 Systémové pouzdření Parametry čipu Požadavky systému Výrobní aspekty - rozměr - provedení - manipulace - výkon - cena - koplanarita - rychlost - spolehlivost - pájitelnost - počet vývodů - rozměry - testovatelnost Volba typu substrátu Základní rysy vývoje pouzder integrovaných obvodů můžeme shrnout do následujících bodů : rostoucí počet vývodů od původně nejrozšířenějšího počtu 16 na 28, 40, 68, 160, 208 a více, snižující se rozteč vývodů z 2,54 mm na 1,27 mm, a na 1 mm, 0,762 mm, 0,5 mm, 0,3 mm a méně, náhrada původního materiálu vývodů (42 % Ni-ocel) materiálem (98 % Cu- SnPbNi) - tepelná vodivost možnost vkládání součástek do patic (především těch, jež se před vsazováním programují), vznik velkého počtu různých typů pouzder, z nichž každé je vhodné pro určitý typ čipu a použití.

56 Systémová integrace v budoucnu nutná Application Environments Application Integration Technology Requirements Multi Chip Integration SoC SoP System Integration Heterogenous Integration Micro Systems Single Chip Integration More Moore Nanoelectronics Microelectronics More than Moore (Nano) Electronics + Sensors & Actuators (e.g. Opto-/ Biotechnology)

57 Návrh substrátu 9 hledisek Návrh se řídí určitými pravidly, která jsou sestavena tak, aby navržený substrát splňoval co nejvíce požadavků, mezi něž patří především: nezkreslené zpracování signálu (minimální přeslechy, šum, zpoždění a odrazy) elektromagnetická kompatibilita (vyloučení rušení, citlivost) teplotní vlastnosti (schopnost zvládat rozdílné součinitele tepelné roztažnosti různých materiálů, ztrátový výkon a odvod tepla) mechanické požadavky (síla, tuhost, ohebnost) minimální spotřeba materiálu výrobní kompatibilita (jednoduchá technologie výroby a úspora nákladů) testovací kompatibilitu (snadnost testování, začlenění testovacích bloků) klimatická odolnost (vlhkost, prach, atd.) ekologie (výroby, provozu i likvidace).

58 Návrh substrátu NÁVRH OBVODU SCHÉMA OBVODU PRAVIDLA PRO NÁVRH OVĚŘENÍ NÁVRHU SIMULACÍ OBVODU OPTIMALIZACE parametry : - relativní permitivita r, - tangenta ztrátového činitele tg -izolační odpor Ri NÁVRH SUBSTRÁTU (DPS) - VÝBĚR TVARU A VELIKOSTI SUBSTRÁTU - ROZMÍSTĚNÍ SOUČÁSTEK - VYGENEROVÁNÍ TOPOLOGIE - KONTROLA NÁVRHU INTEGRITA SIGNÁLU, EMC A TEPELNÁ ANALÝZA VÝROBA PŘEDLOH VÝROBA SUBSTRÁTU TESTOVÁNÍ SUBSTRÁTU Vlastní proces návrhu probíhá ve třech následujících krocích: - volba rozměrů a tvaru - způsob připojení (typ vývodů nebo konektorů) - výběr součástek a jejich rozmístění

59 Elektrické vlastnosti substrátu Elektrické analogové a digitální signály jsou přenášeny vodivou sítí, která ovlivňuje šíření signálu, a tím také výsledné elektrické vlastnosti (Z o ) Spoje mohou být charakterizovány jako elektrický zkrat a modelovány jako prvky se soustředěnými parametry, jestliže vlnová délka signálu λ je velká v porovnání s délkou spoje l (λ > 30 l) Např. pro číslicové signály je důležitý poměr mezi zpožděním náběhové hrany signálu Tr a zpožděním šíření signálu Td (např. Tr >10 Td). Zpoždění signálu představuje čas, který signál urazí od vstupu do jiného vzdálenějšího místa.

60 Elektrické vlastnosti substrátu Přenosové vedení je definováno charakteristickou impedancí Z o a měrným útlumem vztaženými na určitou délku vlny (resp. kmitočet) signálu, pro něž platí: Z 0 ( R ( G j L) j C) j ( R j L)( G j C) Konstanta přenosu y = α + j β se skládá ze dvou částí, kde α se nazývá měrný útlum, jenž charakterizuje ztráty při vedení signálu a β měrný fázový posun při daném kmitočtu signálu.

61 Elektrické vlastnosti substrátu Napětí V odpovídající signálu o daném kmitočtu může být vyjádřeno v libovolném místě následovně: kdev 0 je amplituda na vstupu ( z = 0) z je vzdálenost od vstupu V V e cos( t ) z 0 z Měrný fázový posun β určuje rychlost, s jakou se signál šíří po vedení. Napětí a proud se na vedení periodicky mění s časem, přičemž doba jedné periody je T a rychlost šíření v. Dále βz vyjadřuje fázové zpoždění signálu na vedení ve vzdálenosti z od počátku vedení. Při kmitočtu tomuto fázovému zpoždění odpovídá čas t = βx/. Aby signál (vlna) prošla za tento čas na vedení cestu x, musí se šířit rychlostí v = x/t a z toho vyplývá: 2 f v Takto se šířící vlna na vedení projde za jednu periodu vzdálenost, která se nazývá délka vlny a vypočte se následovně: 2 f vt.. T f Pro ideální bezeztrátové vedení rychlost signálu v a charakteristická impedance Zo může být vyjádřena následovně: 2 v 1 LC reff Z L C reff C

62 Elektrické vlastnosti substrátu Efektivní permitivita (dielektrická konstanta) ref je důležitý parametr používaný pro vyjádření vlastností dielektrických materiálů, v tomto případě substrátu. Nízká permitivita materiálu zvyšuje možnou hustotu vodivé sítě vpřípadě, kdy signálové vlastnosti převyšují technologické omezení. Jestliže vedení nejsou zakončena svými charakteristickými impedancemi, dochází na konci vedení k odrazům signálu. Tento jev lze vyjádřit jako podíl odraženého napětí Vr nebo proudu Ir kpřímému napětí Vp nebo proudu Ip, což lze popsat vztahem: V V r p I I r p Z Z r r Z Z 0 0 kde Z r je impedance na konci vedení Z 0 je charakteristická impedance vedení. Vliv nepřizpůsobení vedení na změnu přenášeného signálu a) útlum signálu b) zkreslení signálu

dodavatel vybavení provozoven firem Plošné spoje se SMD. návrh a konstrukce Obj. číslo: Popis Ing.

dodavatel vybavení provozoven firem  Plošné spoje se SMD. návrh a konstrukce Obj. číslo: Popis Ing. dodavatel vybavení provozoven firem www.abetec.cz Plošné spoje se SMD. návrh a konstrukce Obj. číslo: 105000446 Popis Ing. Martin Abel Publikace je určena pro konstruktéry desek plošných spojů s povrchově

Více

Měřená veličina. Rušení vyzařováním: magnetická složka (9kHz 150kHz), magnetická a elektrická složka (150kHz 30MHz) Rušivé elektromagnetické pole

Měřená veličina. Rušení vyzařováním: magnetická složka (9kHz 150kHz), magnetická a elektrická složka (150kHz 30MHz) Rušivé elektromagnetické pole 13. VYSOKOFREKVENČNÍ RUŠENÍ 13.1. Klasifikace vysokofrekvenčního rušení Definice vysokofrekvenčního rušení: od 10 khz do 400 GHz Zdroje: prakticky všechny zdroje rušení Rozdělení: rušení šířené vedením

Více

Základní pojmy. p= [Pa, N, m S. Definice tlaku: Síla působící kolmo na jednotku plochy. diference. tlaková. Přetlak. atmosférický tlak. Podtlak.

Základní pojmy. p= [Pa, N, m S. Definice tlaku: Síla působící kolmo na jednotku plochy. diference. tlaková. Přetlak. atmosférický tlak. Podtlak. Základní pojmy Definice tlaku: Síla působící kolmo na jednotku plochy F p= [Pa, N, m S 2 ] p Přetlak tlaková diference atmosférický tlak absolutní tlak Podtlak absolutní nula t 2 ozdělení tlakoměrů Podle

Více

SNÍMAČE PRO MĚŘENÍ TEPLOTY

SNÍMAČE PRO MĚŘENÍ TEPLOTY SNÍMAČE PRO MĚŘENÍ TEPLOTY 10.1. Kontaktní snímače teploty 10.2. Bezkontaktní snímače teploty 10.1. KONTAKTNÍ SNÍMAČE TEPLOTY Experimentální metody přednáška 10 snímač je připevněn na měřený objekt 10.1.1.

Více

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY POUZDŘENÍ ČIP POUZDRO ZÁKLADNA umožňuje připojení OCHRANNÝ KRYT ne vždy POUZDRO ZÁKLADNÍ FUNKCE rozvod napájení rozvod signálu odvod tepla zajištění mechanické pevnosti zajištění

Více

TECHNICKÁ DOKUMENTACE

TECHNICKÁ DOKUMENTACE Střední škola, Havířov-Šumbark, Sýkorova 1/613, příspěvková organizace TECHNICKÁ DOKUMENTACE Rozmístění a instalace prvků a zařízení Ing. Pavel Chmiel, Ph.D. OBSAH VÝUKOVÉHO MODULU 1. Součástky v elektrotechnice

Více

STUDENTSKÉ PRÁCE 2013/2014

STUDENTSKÉ PRÁCE 2013/2014 STUDENTSKÉ PRÁCE 2013/2014 Společnost, nabízí studentům následující témata ke zpracování s odbornou konzultací a možností zpracování v anglickém jazyce. Rozsah témat možno upravit na bakalářskou eventuálně

Více

Účinky měničů na elektrickou síť

Účinky měničů na elektrickou síť Účinky měničů na elektrickou síť Výkonová elektronika - přednášky Projekt ESF CZ.1.07/2.2.00/28.0050 Modernizace didaktických metod a inovace výuky technických předmětů. Definice pojmů podle normy ČSN

Více

Reflexní parotěsná fólie SUNFLEX Roof-In Plus v praktické zkoušce

Reflexní parotěsná fólie SUNFLEX Roof-In Plus v praktické zkoušce Reflexní parotěsná SUNFLEX Roof-In Plus v praktické zkoušce Měření povrchových teplot předstěny s reflexní fólií a rozbor výsledků Tepelné vlastnosti SUNFLEX Roof-In Plus s tepelně reflexní vrstvou otestovala

Více

SOUČÁSTKY ELEKTRONIKY

SOUČÁSTKY ELEKTRONIKY SOUČÁSTKY ELEKTRONIKY Učební obor: ELEKTRO bakalářské studium Počet hodin: 90 z toho 30 hodin v 1. semestru 60 hodin ve 2. semestru Předmět je zakončen zápočtem v 1. semestru a zápočtem a zkouškou ve 2.

Více

6. Viskoelasticita materiálů

6. Viskoelasticita materiálů 6. Viskoelasticita materiálů Viskoelasticita materiálů souvisí se schopností materiálů tlumit mechanické vibrace. Uvažujme harmonické dynamické namáhání (tzn. střídavě v tahu a tlaku) materiálu v oblasti

Více

Přenosová média KIV/PD Přenos dat Martin Šimek

Přenosová média KIV/PD Přenos dat Martin Šimek Přenosová média KIV/PD Přenos dat Martin Šimek O čem přednáška je? 2 Frekvence, připomenutí skutečností 3 Úvodní přehled 4 Úvodní přehled 5 6 Frekvenční spektrum elektromagnetických kanálů Základní klasifikace

Více

Odrušení plošných spoj Vlastnosti plošných spoj Odpor Kapacitu Induk nost mikropáskového vedení Vlivem vzájemné induk nosti a kapacity eslechy

Odrušení plošných spoj Vlastnosti plošných spoj Odpor Kapacitu Induk nost mikropáskového vedení Vlivem vzájemné induk nosti a kapacity eslechy Odrušení plošných spojů Ing. Jiří Vlček Tento text je určen pro výuku praxe na SPŠE. Doplňuje moji publikaci Základy elektrotechniky Elektrotechnologii. Vlastnosti plošných spojů Odpor R = ρ l/s = ρ l/t

Více

Vysoká škola technická a ekonomická v Českých Budějovicích. Institute of Technology And Business In České Budějovice

Vysoká škola technická a ekonomická v Českých Budějovicích. Institute of Technology And Business In České Budějovice KOMPOZITNÍ MATERIÁLY Vysoká škola technická a ekonomická v Českých Budějovicích Institute of Technology And Business In České Budějovice Tento učební materiál vznikl v rámci projektu "Integrace a podpora

Více

Základní otázky pro teoretickou část zkoušky.

Základní otázky pro teoretickou část zkoušky. Základní otázky pro teoretickou část zkoušky. Platí shodně pro prezenční i kombinovanou formu studia. 1. Síla současně působící na elektrický náboj v elektrickém a magnetickém poli (Lorentzova síla) 2.

Více

zařízení prof.ing. Petr Chlebiš, CSc. Fakulta elektrotechniky a informatiky

zařízení prof.ing. Petr Chlebiš, CSc. Fakulta elektrotechniky a informatiky Konstrukce elektronických zařízení prof.ing. Petr Chlebiš, CSc. Ostrava - město tradiční průmyslové produkce - třetí největší český výrobce v oboru dopravních zařízení - tradice v oblasti vývoje a výroby

Více

ELEKTRICKÝ PROUD ELEKTRICKÝ ODPOR (REZISTANCE) REZISTIVITA

ELEKTRICKÝ PROUD ELEKTRICKÝ ODPOR (REZISTANCE) REZISTIVITA ELEKTRICKÝ PROD ELEKTRICKÝ ODPOR (REZISTANCE) REZISTIVITA 1 ELEKTRICKÝ PROD Jevem Elektrický proud nazveme usměrněný pohyb elektrických nábojů. Např.:- proud vodivostních elektronů v kovech - pohyb nabitých

Více

Obsah TECHNOLOGIE VÝROBY PLOŠNÝCH SPOJÙ, POVRCHOVÁ ÚPRAVA... 13 1.1 Subtraktivní technologie výroby... 15 1.2 Aditivní technologie výroby plošných spojù... 16 1.3 Výroba a konstrukce vícevrstvých desek

Více

Bipolární tranzistory

Bipolární tranzistory Bipolární tranzistory h-parametry, základní zapojení, vysokofrekvenční vlastnosti, šumy, tranzistorový zesilovač, tranzistorový spínač Bipolární tranzistory (bipolar transistor) tranzistor trojpól, zapojení

Více

Průběh řešení a dosažené výsledky v oblasti návrhu a měření spolehlivosti mikroelektronických 3D struktur

Průběh řešení a dosažené výsledky v oblasti návrhu a měření spolehlivosti mikroelektronických 3D struktur Průběh řešení a dosažené výsledky v oblasti návrhu a měření spolehlivosti mikroelektronických 3D struktur Úkol je možno rozdělit na teoretickou a praktickou část. V rámci praktické části bylo řešeno, 1)

Více

Chlazení polovodičových součástek

Chlazení polovodičových součástek Výkonové polovodičové systémy cvičení Chlazení polovodičových součástek Joule-Lencův zákon: Všechny elektronické součástky, které vykazují elektrický činný odpor, produkují při průchodu elektrického proudu

Více

1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny

1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny 1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny Popsaný přijímač slouží k poslechu rozhlasových stanic v pásmu středních vln. Přijímač je napájen z USB portu počítače přijímaný signál je pak připojen na

Více

Povrchová montáž 1. SMT 2. SMD

Povrchová montáž 1. SMT 2. SMD Povrchová montáž Při klasické montáži jsou součástky s drátovými přívody po předchozím natvarování aostřižení zasouvány do pokovených nebo neprokovených děr desky s plošnými spoji a následně zapájeny ze

Více

Zesilovače. Ing. M. Bešta

Zesilovače. Ing. M. Bešta ZESILOVAČ Zesilovač je elektrický čtyřpól, na jehož vstupní svorky přivádíme signál, který chceme zesílit. Je to tedy elektronické zařízení, které zesiluje elektrický signál. Zesilovač mění amplitudu zesilovaného

Více

zařízení 2. přednáška Fakulta elektrotechniky a informatiky prof.ing. Petr Chlebiš, CSc.

zařízení 2. přednáška Fakulta elektrotechniky a informatiky prof.ing. Petr Chlebiš, CSc. Konstrukce elektronických zařízení 2. přednáška prof.ing. Petr Chlebiš, CSc. Pasivní a konstrukční prvky - Rezistory - Kondenzátory - Vinuté díly, cívky, transformátory - Konektory - Kontaktní prvky, spínače,

Více

Nízkofrekvenční (do 1 MHz) Vysokofrekvenční (stovky MHz až jednotky GHz) Generátory cm vln (až desítky GHz)

Nízkofrekvenční (do 1 MHz) Vysokofrekvenční (stovky MHz až jednotky GHz) Generátory cm vln (až desítky GHz) Provazník oscilatory.docx Oscilátory Oscilátory dělíme podle několika hledisek (uvedené třídění není zcela jednotné - bylo použito vžitých názvů, které vznikaly v různém období vývoje a za zcela odlišných

Více

Procesor. Hardware - komponenty počítačů Procesory

Procesor. Hardware - komponenty počítačů Procesory Procesor Jedna z nejdůležitějších součástek počítače = mozek počítače, bez něhož není počítač schopen vykonávat žádné operace. Procesor v počítači plní funkci centrální jednotky (CPU - Central Processing

Více

PRINCIP MĚŘENÍ TEPLOTY spočívá v porovnání teploty daného tělesa s definovanou stupnicí.

PRINCIP MĚŘENÍ TEPLOTY spočívá v porovnání teploty daného tělesa s definovanou stupnicí. 1 SENZORY TEPLOTY TEPLOTA je jednou z nejdůležitějších veličin ovlivňujících téměř všechny stavy a procesy v přírodě Ke stanovení teploty se využívá závislosti určitých fyzikálních veličin na teplotě (A

Více

SINEAX U 554 Převodník střídavého napětí s různými charakteristikami

SINEAX U 554 Převodník střídavého napětí s různými charakteristikami S připojením napájecího napětí Měření efektivní hodnoty Pouzdro P13/70 pro montáž na lištu Použití Převodník SINEAX U 554 (obr. 1) převádí sinusové nebo zkreslené střídavé napětí na vnucený stejnosměrný

Více

Analýza optické trasy optickým reflektometrem

Analýza optické trasy optickým reflektometrem Analýza optické trasy optickým reflektometrem Zadání: Pomocí optického reflektometru, zkrácené označení OTDR (Optical Time-Domain Reflectometer), proměřte trasu, která je složena z několika optických vláken.

Více

GFK-1913-CZ Prosinec 2001. Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Skladovací teplota -25 C až +85 C.

GFK-1913-CZ Prosinec 2001. Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Skladovací teplota -25 C až +85 C. Modul slouží pro výstup digitálních signálů 24 Vss. Specifikace modulu Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení 48,8 mm x 120 mm x 71,5 mm dvou- a třídrátové Provozní teplota -25 C až +55 C

Více

Teplotní profil průběžné pece

Teplotní profil průběžné pece Teplotní profil průběžné pece Zadání: 1) Seznamte se s měřením teplotního profilu průběžné pece a s jeho nastavením. 2) Osaďte desku plošného spoje SMD součástkami (viz úloha 2, kapitoly 1.6. a 2) 3) Změřte

Více

Hodnocení opotřebení a změn tribologických vlastností brzdových kotoučů

Hodnocení opotřebení a změn tribologických vlastností brzdových kotoučů Hodnocení opotřebení a změn tribologických vlastností brzdových kotoučů Vedoucí práce: Doc. Ing. Milan Honner, Ph.D. Konzultant: Doc. Dr. Ing. Antonín Kříž Bc. Roman Voch Obsah 1) Cíle diplomové práce

Více

VÍŘIVÉ PROUDY DZM 2013 1

VÍŘIVÉ PROUDY DZM 2013 1 VÍŘIVÉ PROUDY DZM 2013 1 2 VÍŘIVÉ PROUDY ÚVOD Vířivé proudy tvoří druhou skupinu v metodách, které využívají ke zjišťování vad materiálu a výrobků působení elektromagnetického pole. Na rozdíl od metody

Více

Elektromagnetický oscilátor

Elektromagnetický oscilátor Elektromagnetický oscilátor Již jsme poznali kmitání mechanického oscilátoru (závaží na pružině) - potenciální energie pružnosti se přeměňuje na kinetickou energii a naopak. T =2 m k Nejjednodušší elektromagnetický

Více

FYZIKA II. Petr Praus 6. Přednáška elektrický proud

FYZIKA II. Petr Praus 6. Přednáška elektrický proud FYZIKA II Petr Praus 6. Přednáška elektrický proud Osnova přednášky Elektrický proud proudová hustota Elektrický odpor a Ohmův zákon měrná vodivost driftová rychlost Pohyblivost nosičů náboje teplotní

Více

DIGITÁLNÍ SERVOZESILOVAČ TGA-24-9/20

DIGITÁLNÍ SERVOZESILOVAČ TGA-24-9/20 DIGITÁLNÍ SERVOZESILOVAČ TGA-24-9/20 Instrukční manuál Edice 03/2004 servotechnika Bezpečnostní instrukce Před provedením instalace si přečtěte tuto dokumentaci. Nesprávné zacházení se servozesilovačem

Více

pro RESISTORS Odporníky průmysl a energetiku vysoká flexibilita robustní provedení drátové kompletní řada plechové < litinové

pro RESISTORS Odporníky průmysl a energetiku vysoká flexibilita robustní provedení drátové kompletní řada plechové < litinové Lay 10555_Bremswi_CZ 17.03.2005 12:03 Uhr Seite 1 Odporníky pro RESISTORS průmysl a energetiku vysoká flexibilita robustní provedení drátové kompletní řada plechové < litinové Lay 10555_Bremswi_CZ 17.03.2005

Více

Tepelná technika. Teorie tepelného zpracování Doc. Ing. Karel Daďourek, CSc Technická univerzita v Liberci 2007

Tepelná technika. Teorie tepelného zpracování Doc. Ing. Karel Daďourek, CSc Technická univerzita v Liberci 2007 Tepelná technika Teorie tepelného zpracování Doc. Ing. Karel Daďourek, CSc Technická univerzita v Liberci 2007 Tepelné konstanty technických látek Základní vztahy Pro proces sdílení tepla platí základní

Více

přenosové rychlosti v počítačových sítích útlum

přenosové rychlosti v počítačových sítích útlum přenosové rychlosti v počítačových sítích útlum větší pro vyšší frekvence zvyšuje se s rostoucí délkou kabelu odolnost vůči rušení (interference) přeslechy (crosstalks)= přenášený signál může ovlivňovat

Více

Tématické okruhy teoretických zkoušek Part 66 1 Modul 3 Základy elektrotechniky

Tématické okruhy teoretických zkoušek Part 66 1 Modul 3 Základy elektrotechniky Tématické okruhy teoretických zkoušek Part 66 1 3.1 Teorie elektronu 1 1 1 Struktura a rozložení elektrických nábojů uvnitř: atomů, molekul, iontů, sloučenin; Molekulární struktura vodičů, polovodičů a

Více

TECOMAT TC700 ZÁKLADNÍ DOKUMENTACE K MODULU UC-7201. 1. vydání - červen 2004

TECOMAT TC700 ZÁKLADNÍ DOKUMENTACE K MODULU UC-7201. 1. vydání - červen 2004 TECOMAT TC700 ZÁKLADNÍ DOKUMENTACE K MODULU UC-7201 1. vydání - červen 2004 Podrobná uživatelská dokumentace je k dispozici v elektronické podobě na CD INFO, lze ji také objednat v tištěné podobě - název

Více

Elektronický tlakový spínač s procesním připojením. - Heslo - Paměť maximální a minimální hodnoty Na přání polní pouzdro s průhledem displeje

Elektronický tlakový spínač s procesním připojením. - Heslo - Paměť maximální a minimální hodnoty Na přání polní pouzdro s průhledem displeje s procesním připojením Polovodičový tenzometr Různá procesní připojení Pro potravinářský, chemický a farmaceutický průmysl Teplota média do 00 C Jmenovité rozsahy od 0... 00 mbar do 0... 0 bar DS 00 P

Více

1. Kondenzátory s pevnou hodnotou kapacity Pevné kondenzátory se vyrábí jak pro vývodovou montáž, tak i miniatrurizované pro povrchovou montáž SMD.

1. Kondenzátory s pevnou hodnotou kapacity Pevné kondenzátory se vyrábí jak pro vývodovou montáž, tak i miniatrurizované pro povrchovou montáž SMD. Kondenzátory Kondenzátory jsou pasivní elektronické součástky vyrobené s hodnotou kapacity udané výrobcem. Na součástce se udává kapacita [F] a jmenovité napětí [V], které udává maximální napětí, které

Více

Elektrický proud v kovech Odpor vodiče, Ohmův zákon Kirchhoffovy zákony, Spojování rezistorů Práce a výkon elektrického proudu

Elektrický proud v kovech Odpor vodiče, Ohmův zákon Kirchhoffovy zákony, Spojování rezistorů Práce a výkon elektrického proudu Elektrický proud Elektrický proud v kovech Odpor vodiče, Ohmův zákon Kirchhoffovy zákony, Spojování rezistorů Práce a výkon elektrického proudu Elektrický proud v kovech Elektrický proud = usměrněný pohyb

Více

Kapitola 1. Signály a systémy. 1.1 Klasifikace signálů

Kapitola 1. Signály a systémy. 1.1 Klasifikace signálů Kapitola 1 Signály a systémy 1.1 Klasifikace signálů Signál představuje fyzikální vyjádření informace, obvykle ve formě okamžitých hodnot určité fyzikální veličiny, která je funkcí jedné nebo více nezávisle

Více

Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr

Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr. Zadání: A. Na předloženém kompenzovaném vstupní děliči k nf milivoltmetru se vstupní impedancí Z vst = MΩ 25 pf, pro dělící poměry :2,

Více

íta ové sít baseband narrowband broadband

íta ové sít baseband narrowband broadband Každý signál (diskrétní i analogový) vyžaduje pro přenos určitou šířku pásma: základní pásmo baseband pro přenos signálu s jednou frekvencí (není transponován do jiné frekvence) typicky LAN úzké pásmo

Více

Úvod. Rozdělení podle toku energie: Rozdělení podle počtu fází: Rozdělení podle konstrukce rotoru: Rozdělení podle pohybu motoru:

Úvod. Rozdělení podle toku energie: Rozdělení podle počtu fází: Rozdělení podle konstrukce rotoru: Rozdělení podle pohybu motoru: Indukční stroje 1 konstrukce Úvod Indukční stroj je nejpoužívanější a nejrozšířenější elektrický točivý stroj a jeho význam neustále roste (postupná náhrada stejnosměrných strojů). Rozdělení podle toku

Více

9. ČIDLA A PŘEVODNÍKY

9. ČIDLA A PŘEVODNÍKY Úvod do metrologie - 49-9. ČIDLA A PŘEVODNÍKY (V.LYSENKO) Čidlo (senzor, detektor, receptor) je em jedné fyzikální veličiny na jinou fyzikální veličinu. Snímač (senzor + obvod pro zpracování ) je to člen

Více

Produktová řada Elektricky vodivý Vysoká pevnost v tlaku Dobrá tepelná odolnost Vysoká hodnota pv Dobrá chemická odolnost

Produktová řada Elektricky vodivý Vysoká pevnost v tlaku Dobrá tepelná odolnost Vysoká hodnota pv Dobrá chemická odolnost Elektricky vodivý iglidur Produktová řada Elektricky vodivý Vysoká pevnost v tlaku Dobrá tepelná odolnost Vysoká hodnota pv Dobrá chemická odolnost HENNLICH s.r.o. Tel. 416 711 338 ax 416 711 999 lin-tech@hennlich.cz

Více

Adaptabilní systém pro zvýšení rychlosti a spolehlivosti přenosu dat v přenosové síti

Adaptabilní systém pro zvýšení rychlosti a spolehlivosti přenosu dat v přenosové síti 1 Adaptabilní systém pro zvýšení rychlosti a spolehlivosti přenosu dat v přenosové síti Oblast techniky V oblasti datových sítí existuje různorodost v použitých přenosových technologiích. Přenosové systémy

Více

DOPORUČENÍ PRO KONSTRUKCI DPS

DOPORUČENÍ PRO KONSTRUKCI DPS DOPORUČENÍ PRO KONSTRUKCI DPS Doporučení slouží jako pomůcka při návrhu desek plošných spojů a specifikuje podklady pro výrobu DPS. Podklady musí odpovídat potřebám výrobní technologie. Zákazník si odpovídá

Více

INFORMAČNÍ A KOMUNIKAČNÍ TECHNOLOGIE

INFORMAČNÍ A KOMUNIKAČNÍ TECHNOLOGIE Název školy: Střední odborná škola stavební Karlovy Vary Sabinovo náměstí 16, 360 09 Karlovy Vary Autor: Ing. Hana Šmídová Název materiálu: VY_32_INOVACE_13_HARDWARE_S1 Číslo projektu: CZ 1.07/1.5.00/34.1077

Více

Detektory kovů řady Vistus

Detektory kovů řady Vistus Technické údaje Detektory kovů řady Vistus Dotykový displej Multifrekvenční technologie Vyšší vyhledávací citlivost Kratší bezkovová zóna Větší odolnost proti rušení 1 Základní popis zařízení Detektory

Více

ROZDĚLENÍ SNÍMAČŮ, POŽADAVKY KLADENÉ NA SNÍMAČE, VLASTNOSTI SNÍMAČŮ

ROZDĚLENÍ SNÍMAČŮ, POŽADAVKY KLADENÉ NA SNÍMAČE, VLASTNOSTI SNÍMAČŮ ROZDĚLENÍ SNÍMAČŮ, POŽADAVKY KLADENÉ NA SNÍMAČE, VLASTNOSTI SNÍMAČŮ (1.1, 1.2 a 1.3) Ing. Pavel VYLEGALA 2014 Rozdělení snímačů Snímače se dají rozdělit podle mnoha hledisek. Základním rozdělení: Snímače

Více

MIKROELEKTRONIKA A TECHNOLOGIE SOUČÁSTEK

MIKROELEKTRONIKA A TECHNOLOGIE SOUČÁSTEK Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií Vysoké učení technické v Brně MIKROELEKTRONIKA A TECHNOLOGIE SOUČÁSTEK Garant předmětu: Doc. Ing. Ivan Szendiuch, CSc. Autor textu: Doc. Ing. Ivan Szendiuch,

Více

Typ UCE0 (V) IC (A) PCmax (W)

Typ UCE0 (V) IC (A) PCmax (W) REDL 3.EB 11 1/13 1.ZADÁNÍ Změřte statické charakteristiky tranzistoru K605 v zapojení se společným emitorem a) Změřte výstupní charakteristiky naprázdno C =f( CE ) pro B =1, 2, 4, 6, 8, 10, 15mA do CE

Více

SILNOPROUDÁ ELEKTROTECHNIKA A ELEKTROENERGETIKA. www.uvee.feec.vutbr.cz www.ueen.feec.vutbr.cz

SILNOPROUDÁ ELEKTROTECHNIKA A ELEKTROENERGETIKA. www.uvee.feec.vutbr.cz www.ueen.feec.vutbr.cz SILNOPROUDÁ ELEKTROTECHNIKA A ELEKTROENERGETIKA www.uvee.feec.vutbr.cz www.ueen.feec.vutbr.cz FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ Bakalářský studijní program B-SEE Bakalářský studijní program

Více

popsat princip činnosti základních zapojení čidel napětí a proudu samostatně změřit zadanou úlohu

popsat princip činnosti základních zapojení čidel napětí a proudu samostatně změřit zadanou úlohu 9. Čidla napětí a proudu Čas ke studiu: 15 minut Cíl Po prostudování tohoto odstavce budete umět popsat princip činnosti základních zapojení čidel napětí a proudu samostatně změřit zadanou úlohu Výklad

Více

Přenos signálů, výstupy snímačů

Přenos signálů, výstupy snímačů Přenos signálů, výstupy snímačů Topologie zařízení, typy průmyslových sběrnic, výstupní signály snímačů Přenosy signálů informací Topologie Dle rozmístění ŘS Distribuované řízení Většinou velká zařízení

Více

DIGITÁLNÍ SERVOZESILOVAČ TGA-24-9/20

DIGITÁLNÍ SERVOZESILOVAČ TGA-24-9/20 DIGITÁLNÍ SERVOZESILOVAČ TGA-24-9/20 Instrukční manuál Edice 01/2014 servotechnika Typy servozesilovačů TGA-24-9/20 TGA-24-9/20-O1 TGA-24-9/20-O3 TGA-24-9/20-O4 TGA-24-9/20-O8 standardní verze s volitelným

Více

Témata profilové maturitní zkoušky z předmětu Souborná zkouška z odborných elektrotechnických předmětů (elektronická zařízení, elektronika)

Témata profilové maturitní zkoušky z předmětu Souborná zkouška z odborných elektrotechnických předmětů (elektronická zařízení, elektronika) ta profilové maturitní zkoušky z předmětu Souborná zkouška z odborných elektrotechnických předmětů (elektronická zařízení, elektronika) 1. Cívky - vlastnosti a provedení, řešení elektronických stejnosměrných

Více

TENZOMETRICKÝ PŘEVODNÍK

TENZOMETRICKÝ PŘEVODNÍK TENZOMETRICKÝ PŘEVODNÍK typ TENZ2109-5 Výrobu a servis zařízení provádí: ATERM, Nad Hřištěm 206, 765 02 Otrokovice Telefon/Fax: 577 932 759 Mobil: 603 217 899 E-mail: matulik@aterm.cz Internet: http://www.aterm.cz

Více

Maturitní témata fyzika

Maturitní témata fyzika Maturitní témata fyzika 1. Kinematika pohybů hmotného bodu - mechanický pohyb a jeho sledování, trajektorie, dráha - rychlost hmotného bodu - rovnoměrný pohyb - zrychlení hmotného bodu - rovnoměrně zrychlený

Více

Kategorie Ž1. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení!

Kategorie Ž1. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! Krajské kolo soutěže dětí a mládeže v radioelektronice, Vyškov 2009 Test Kategorie Ž1 START. ČÍSLO BODŮ/OPRAVIL U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Proč se pro dálkový přenos elektrické

Více

Ultrazvuková defektoskopie. Vypracoval Jan Janský

Ultrazvuková defektoskopie. Vypracoval Jan Janský Ultrazvuková defektoskopie Vypracoval Jan Janský Základní principy použití vysokých akustických frekvencí pro zjištění vlastností máteriálu a vad typické zařízení: generátor/přijímač pulsů snímač zobrazovací

Více

CENTRUM VZDĚLÁVÁNÍ PEDAGOGŮ ODBORNÝCH ŠKOL

CENTRUM VZDĚLÁVÁNÍ PEDAGOGŮ ODBORNÝCH ŠKOL Projekt: CENTRUM VZDĚLÁVÁNÍ PEDAGOGŮ ODBORNÝCH ŠKOL Kurz: Stavba a provoz strojů v praxi 1 OBSAH 1. Úvod Co je CNC obráběcí stroj. 3 2. Vlivy na vývoj CNC obráběcích strojů. 3 3. Směry vývoje CNC obráběcích

Více

Fyzika, maturitní okruhy (profilová část), školní rok 2014/2015 Gymnázium INTEGRA BRNO

Fyzika, maturitní okruhy (profilová část), školní rok 2014/2015 Gymnázium INTEGRA BRNO 1. Jednotky a veličiny soustava SI odvozené jednotky násobky a díly jednotek skalární a vektorové fyzikální veličiny rozměrová analýza 2. Kinematika hmotného bodu základní pojmy kinematiky hmotného bodu

Více

3. Kmitočtové charakteristiky

3. Kmitočtové charakteristiky 3. Kmitočtové charakteristiky Po základním seznámení s programem ATP a jeho preprocesorem ATPDraw následuje využití jednotlivých prvků v jednoduchých obvodech. Jednotlivé příklady obvodů jsou uzpůsobeny

Více

11. Polovodičové diody

11. Polovodičové diody 11. Polovodičové diody Polovodičové diody jsou součástky, které využívají fyzikálních vlastností přechodu PN nebo přechodu kov - polovodič (MS). Nelinearita VA charakteristiky, zjednodušeně chápaná jako

Více

Revize elektrických zařízení (EZ) Měření při revizích elektrických zařízení. Měření izolačního odporu

Revize elektrických zařízení (EZ) Měření při revizích elektrických zařízení. Měření izolačního odporu Revize elektrických zařízení (EZ) Provádí se: před uvedením EZ do provozu Výchozí revize při zakoupení spotřebiče je nahrazena Záručním listem ve stanovených termínech Periodické revize po opravách a rekonstrukcích

Více

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická

Více

I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup

I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup ELEKTONIKA I N V E S T I C E D O O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í 1. Usměrňování a vyhlazování střídavého a. jednocestné usměrnění Do obvodu střídavého proudu sériově připojíme diodu. Prochází jí proud

Více

Bezkontaktní spínací prvky: kombinace spojitého a impulsního rušení: strmý napěťový impuls a tlumené vf oscilace výkonové polovodičové měniče

Bezkontaktní spínací prvky: kombinace spojitého a impulsního rušení: strmý napěťový impuls a tlumené vf oscilace výkonové polovodičové měniče 12. IMPULZNÍ RUŠENÍ 12.1. Zdroje impulsního rušení Definice impulsního rušení: rušení, které se projevuje v daném zařízení jako posloupnost jednotlivých impulsů nebo přechodných dějů Zdroje: spínání elektrických

Více

Fázorové diagramy pro ideální rezistor, skutečná cívka, ideální cívka, skutečný kondenzátor, ideální kondenzátor.

Fázorové diagramy pro ideální rezistor, skutečná cívka, ideální cívka, skutečný kondenzátor, ideální kondenzátor. FREKVENČNĚ ZÁVISLÉ OBVODY Základní pojmy: IMPEDANCE Z (Ω)- charakterizuje vlastnosti prvku pro střídavý proud. Impedance je základní vlastností, kterou potřebujeme znát pro analýzu střídavých elektrických

Více

Testování elektrických komponentů

Testování elektrických komponentů Testování elektrických komponentů Historie a současnost zkušební laboratoře Naše laboratoř ITC divize 4 MESIT QM má dlouholetou tradici ve zkoušení komponentů pro leteckou techniku. Historie laboratoře

Více

Senzorika a senzorické soustavy

Senzorika a senzorické soustavy Senzorika a senzorické soustavy Snímače teploty Tato publikace vznikla jako součást projektu CZ.04.1.03/3.2.15.2/0285 Inovace VŠ oborů strojního zaměření, který je spolufinancován evropským sociálním fondem

Více

7. Kondenzátory. dielektrikum +Q + + + + + + + + U - - - - - - - - elektroda. Obr.2-11 Princip deskového kondenzátoru

7. Kondenzátory. dielektrikum +Q + + + + + + + + U - - - - - - - - elektroda. Obr.2-11 Princip deskového kondenzátoru 7. Kondenzátory Kondenzátor (někdy nazývaný kapacitor) je součástka se zvýrazněnou funkční elektrickou kapacitou. Je vytvořen dvěma vodivými plochami - elektrodami, vzájemně oddělenými nevodivým dielektrikem.

Více

Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/34.0452

Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/34.0452 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/34.0452 Číslo projektu Číslo materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0452 OV_2_61_Převodník kmitočtu na napětí

Více

PK Design. Uživatelský manuál. Modul USB-FT245BM v2.2. Přídavný modul modulárního vývojového systému MVS. Verze dokumentu 1.0 (7. 11.

PK Design. Uživatelský manuál. Modul USB-FT245BM v2.2. Přídavný modul modulárního vývojového systému MVS. Verze dokumentu 1.0 (7. 11. Modul USB-FT245BM v2.2 Přídavný modul modulárního vývojového systému MVS Uživatelský manuál Verze dokumentu 1.0 (7. 11. 04) Obsah 1 Upozornění... 3 2 Úvod... 4 2.1 Vlastnosti modulu...4 2.2 Použití modulu...4

Více

www.cometsystem.cz Návod k použití P6181 P6191 Převodník teploty z čidla Pt100 na proudovou smyčku 4-20 ma

www.cometsystem.cz Návod k použití P6181 P6191 Převodník teploty z čidla Pt100 na proudovou smyčku 4-20 ma www.cometsystem.cz Návod k použití P6181 P6191 Převodník teploty z čidla Pt100 na proudovou smyčku 4-20 ma Obsah VŠEOBECNÝ POPIS... 3 INSTALACE PŘEVODNÍKU... 4 TECHNICKÁ DATA... 5 Obecné podmínky... 5

Více

Bezkontaktní spínací moduly typu CTU Úvod: spínací rychlost až 50x za sekundu nedochází k rušení ostatních elektronických zařízení

Bezkontaktní spínací moduly typu CTU Úvod: spínací rychlost až 50x za sekundu nedochází k rušení ostatních elektronických zařízení Bezkontaktní spínací moduly typu CTU Úvod: Moderní elektronické spínání spotřebičů při nulovém napětí zaznamenalo v poslední době velké rozšíření v oblasti výroby kompenzačních zařízení. Jeho výhodou je

Více

Kapacitní senzory. ε r2. Změna kapacity důsledkem změny X. b) c) ε r1. a) aktivní plochy elektrod. b)vzdálenosti elektrod

Kapacitní senzory. ε r2. Změna kapacity důsledkem změny X. b) c) ε r1. a) aktivní plochy elektrod. b)vzdálenosti elektrod Kapacitní senzory a) b) c) ε r1 Změna kapacity důsledkem změny a) aktivní plochy elektrod d) ε r2 ε r1 e) ε r2 b)vzdálenosti elektrod c)plochy dvou dielektrik s různou permitivitou d) tloušťky dvou dielektrik

Více

ELEKTRICKÉ STROJE - POHONY

ELEKTRICKÉ STROJE - POHONY ELEKTRICKÉ STROJE - POHONY Ing. Petr VAVŘIŇÁK 2012 1.1.2 HLAVNÍ ČÁSTI ELEKTRICKÝCH STROJŮ 1. ELEKTRICKÉ STROJE Elektrický stroj je definován jako elektrické zařízení, které využívá ke své činnosti elektromagnetickou

Více

Tenzometry HBM. Petr Wasgestian petr.wasg@hbm.cz. http://www.hbm.cz

Tenzometry HBM. Petr Wasgestian petr.wasg@hbm.cz. http://www.hbm.cz HBM Petr Wasgestian petr.wasg@hbm.cz http://www.hbm.cz - v roce 1938 byl vynalezen první drátkový tenzometr - v roce 1952 byla technologie výroby změněna -> vznik fóliového tenzometru Tenzometr Tenzometry

Více

VLASTNOSTI VLÁKEN. 3. Tepelné vlastnosti vláken

VLASTNOSTI VLÁKEN. 3. Tepelné vlastnosti vláken VLASNOSI VLÁKEN 3. epelné vlastnosti vláken 3.. Úvod epelné vlastnosti vláken jsou velice důležité, neboť jsou rozhodující pro volbu vhodných parametrů zpracování i použití vláken. Závisí na chemickém

Více

Seriové ATA, principy, vlastnosti

Seriové ATA, principy, vlastnosti Seriové ATA, principy, vlastnosti Snahy o zvyšování rychlosti v komunikaci s periferními zařízeními jsou velmi problematicky naplnitelné jedním z omezujících faktorů je fyzická konstrukce rozhraní a kabelů.

Více

Kategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-422 se používá pro:

Kategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-422 se používá pro: Mistrovství České republiky soutěže dětí a mládeže v radioelektronice, Vyškov 2011 Test Kategorie M START. ČÍSLO BODŮ/OPRAVIL U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-422

Více

Signal Integrity prakticky: přizpůsobení spoje přenosu signálu

Signal Integrity prakticky: přizpůsobení spoje přenosu signálu Signal Integrity prakticky: přizpůsobení spoje přenosu signálu S používáním rychlejších součástek na deskách plošných spojů nabývají na stále větším významu analýzy Signal Integrity. Při přenosu rychlého

Více

Zkušenosti zkušební laboratoře ITC v oblasti zkoušení komponentů pro automobilový průmysl

Zkušenosti zkušební laboratoře ITC v oblasti zkoušení komponentů pro automobilový průmysl Zkušenosti zkušební laboratoře ITC v oblasti zkoušení komponentů pro automobilový průmysl 1. Úvod Naše laboratoř ITC divize 4 MESIT QM má dlouholetou tradici ve zkoušení komponentů pro leteckou techniku.

Více

modunet180: opakovač sběrnice novanet

modunet180: opakovač sběrnice novanet SAUTR Y-modulo 2 PS 96.2 cz Katalogový list Y-BU8 modunet8: opakovač sběrnice Vaše výhoda pro dosažení vyšší energetické účinnosti SAUTR Y-modulo 2 osvědčená technologie v novém designu. Přesné řízení

Více

TR 311 TR 319, TR 331 TR 356

TR 311 TR 319, TR 331 TR 356 TR 311 TR 319, TR 331 TR 356 menovité zatížení P N při 25 C typový přehled Nominal load P N at 25 C types summary P N P NED=1% 3W 4W 45W 45W 6W 7W 8W 1W 12W 75W 1W 15W 2W 25W 3W 1W TR 311 125W TR 312 TR

Více

Stack Match neboli dělič výkonu pro 144 MHz

Stack Match neboli dělič výkonu pro 144 MHz Stack Match neboli dělič výkonu pro 144 MHz Ing.Tomáš Kavalír, OK1GTH, kavalir.t@seznam.cz, http://ok1gth.nagano.cz Zde popsané zařízení plní podobnou funkci, jako dříve popsaný Stack Match pro KV [1]

Více

Ve výrobě ocelových konstrukcí se uplatňují následující druhy svařování:

Ve výrobě ocelových konstrukcí se uplatňují následující druhy svařování: 5. cvičení Svarové spoje Obecně o svařování Svařování je technologický proces spojování kovů podmíněného vznikem meziatomových vazeb, a to za působení tepla nebo tepla a tlaku s případným použitím přídavného

Více

Vysoká škola technická a ekonomická v Českých Budějovicích. Institute of Technology And Business In České Budějovice

Vysoká škola technická a ekonomická v Českých Budějovicích. Institute of Technology And Business In České Budějovice 13. VYUŽITÍ NEKOVOVÝCH MATERIÁLŮ VE STROJÍRENSKÝCH APLIKACÍCH, TRENDY VÝVOJE NEKOVOVÝCH MATERIÁLŮ Vysoká škola technická a ekonomická v Českých Budějovicích Institute of Technology And Business In České

Více

Optický oddělovač nízkofrekvenčního audio signálu Michal Slánský

Optický oddělovač nízkofrekvenčního audio signálu Michal Slánský Optický oddělovač nízkofrekvenčního audio signálu Michal Slánský K této stavbě tohoto zařízení optického oddělovače NF signálu mě vedla skutečnost, neustálé pronikajícího brumu do audio signálu. Tato situace

Více

AMPACITA VENKOVNÍCH VEDENÍ Ampacita (Ampere Capacity) = proudová zatížitelnost omezení maximální dovolená provozní teplota vodiče; ta dána typem

AMPACITA VENKOVNÍCH VEDENÍ Ampacita (Ampere Capacity) = proudová zatížitelnost omezení maximální dovolená provozní teplota vodiče; ta dána typem AMPACITA VENKOVNÍCH VEDENÍ Ampacita (Ampere Capacity) = proudová zatížitelnost omezení maximální dovolená provozní teplota vodiče; ta dána typem vodiče a provozním stavem vlivy klimatické (teplota okolí,

Více

Kapitola 9: Návrh vstupního zesilovače

Kapitola 9: Návrh vstupního zesilovače Kapitola 9: Návrh vstupního zesilovače Vstupní zesilovač musí zpracovat celý dynamický rozsah mikrofonu s přijatelným zkreslením a nízkým ekvivalentním šumovým odporem. To s sebou nese určité specifické

Více