12PN, ve FZÚ AV ČR, v. v. i., Cukrovarnická 10, letní sem. od , pondělí (15:30) (18:30) 23.2., 9.3., 23.3., 13.4., 27.4.; 18.5.

Rozměr: px
Začít zobrazení ze stránky:

Download "12PN, ve FZÚ AV ČR, v. v. i., Cukrovarnická 10, letní sem. od 16.2. 2015, pondělí (15:30) (18:30) 23.2., 9.3., 23.3., 13.4., 27.4.; 18.5."

Transkript

1 POLOVODIČOVÉ nanotechnologie 12PN, ve FZÚ AV ČR, v. v. i., Cukrovarnická 10, letní sem. od , pondělí (15:30) (18:30) 23.2., 9.3., 23.3., 13.4., 27.4.; ZK Eduard Hulicius Laboratoř MOVPE, Oddělení polovodičů, Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. Praha 6, Cukrovarnická 10

2 Sylabus dvouhodinové semestrální přednášky " Příprava polovodičových nanostruktur"pro obor magisterského studia "Fyzikální inženýrství" zaměření "Fyzika nanostruktur" Eduard Hulicius, Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 0. Úvod co to je NANO- 1. Příprava objemových polovodičových monokrystalů. (1. přednáška) Vysvětlení základních principů růstových metod. Parametry vlastnosti a důvody omezení krystalografické dokonalosti těchto krystalů. 2. Epitaxni růst vrstev a struktur. (2.-5. přednáška) Principy, fáze a typy růstu. Druhy epitaxí - epitaxe z pevné, kapalné a plynné fáze, jednotlivé varianty. Epitaxní růst z hlediska materiálového. SPE, LPE, VPE, MOVPE, MBE, fajnovosti,...

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17 Atom - Pevná látka - Kvantová tečka

18

19 Elektroluminiscenční displeje QLED vytvořené pomocí kvantových teček mají oproti dosavadním displejům hodně výhod. Tenké displeje s přesným a kontrastním vykreslováním tvarů a barev dobývají svět. Vývoj se nezastaví u dnešních displejů typu LCD nebo LED, popř. U displejů na bázi organických polymerů, tzv. OLED. Několik firem teď přichází s pokročilou technologií elektroluminiscence, která je založena na tzv. kvantových tečkách. Jedná se o displeje QLED. Kvantové tečky jsou ostře lokalizované krystalické oblasti polovodiče o nanometrových rozměrech. Kvantové tečky jsou schopny vázat jednotlivé elektrony a pracovat s nimi, případně jsou schopny produkovat fotony,které lze použít v dalším kroku. Elektroluminiscence označuje jev, při kterém lze v určitém materiálu řídit vyzařování světla pomocí elektrického proudu nebo elektrického pole.

20 Čtyři rozdílné barvy odpovídají čtyřem druhům kvantových teček. Foto: Padova University Raffaella Signorini

21

22

23

24

25 Aplikace Nanostruktur Nano ipod MacBook Air Glass Photo / Self Cleaning Textile / Clothing CNT Bat Cosmetics Automotive Applications Tennis Racquet Head Nano Titanium Detection of Cancerous Cells Catalysts Anti Odor / Anti Bacterial Insoles for Shoes Air Purification / NanoBreeze Odorless socks Chocolate Chewing Gum

26 Future R&D Directions of NMP Programme for the Period Materials Science and Engineering 3.1 Present State-of-the-art 3.2 Cross-cutting Research Directions in Materials Materials by Design: Synthesis, Characterization, Processing & Modelling Understanding Surfaces and Interfacial Phenomena Design and Manufacturing of Multifuctional Materials Design and Manufacturing of Structural Materials Integration of Multiple-Scale Phenomena (Molecular, Nano and Micro) in Materials Design and Production Development of Computational Tools for Predicting Functional and Structural Properties of Materials Metrology, Instrumentation: New Analytical Tools for Measurement of Materials Functional and Structural Properties 3.3 Materials Applications for Selective Industrial Sectors Materials for Information Technologies Biomaterials, Biomimetcs and Biomedical Engineering Materials for Energy Applications Surface Engineering and Coatings Catalysis and Chemicals Technologies Polymers, Composites and Hybrid Materials Renewable Materials, Ecomaterials Disassembly Recovery and Recycle of Materials 3.4 Recommendations and Priority Research Directions

27 Future R&D Directions of NMP Programme for the Period Industrial Production Systems 4.1 Present State-of-the-art 4.2 Cross-Cutting Research Directions in Manufacturing New Business Models Adaptive Manufacturing Networking in Manufacturing Digital Knowledge-based Engineering Emerging Technologies ICT for Manufacturing 4.3 Exploitation of the Convergence of Technologies Next-generation HVA Products Education and training in Learning Factories Disruptive Factory: Bio-nano convergence Disruptive Factory: Bio-cogno-ICT convergence 4.4 Cross-cutting Research Directions in Production Systems Batch and Continuous Production Systems Scale-up, Scale-down Developments and Process Intensification Enabling Technologies (e.g., On-line Monitoring, On-line Sensors, Process Optimization and Control, Supply Chain Management) Digital Production (integration of product design and production systems) New Products/Services and New Production Paradigms Alternative, Renewable and Novel Feedstocks and Processes for Chemicals and Materials Production 4.5 Recommendations and Priority Research Directions

28 Polovodičové technologie Příprava a vlastnosti objemových krystalů. Růst z taveniny při teplotě tání Název epitaxe z řeckého epi-taxis "uspořádaně na" zavedl L. Royer v r Jde o krystalický růst na (obvykle) monokrystalické podložce. Při rozdílu mřížkových konstant větším než 15% růst (obvykle) přestává být epitaxním. Vysvětlení významu, principu a zasazení do souvislostí Proč tak monstrózní, drahé, nebezpečné a náročné technologické aparatury? Epitaxní růst výhody, nové možnosti, omezení. Homo a hetero epitaxe. Rovnice o minimu energie Princip epitaxního růstu. Atomy či molekuly látky, kterou chceme epitaxně deponovat na vhodný substrát, se dopraví na jeho povrch, ten ovšem musí být atomárně čistý - zbaven oxidů a různých adsorbovaných látek - a atomárně hladký (maximálně s atomárními schody danými rozorientací monokrystalu). Na povrchu dojde nejprve k fyzisorpci, pak na vhodných místech s minimem energie, k chemisorpci jednotlivých atomů, k růstu atomárních vrstev a postupně celé struktury.

29 < Bridgeman či HGF Vertikální sestupné chlazení Czochralského metoda <

30 Růst monokrystalů metodou Czochralského

31 Polovodičové (mono)krystaly i jiné:

32 Polovodičové (mono)krystaly konference Berlin 2011

33 Růst monokrystalů metodou horizontální Bridgman

34 Růst monokrystalů metodou horizontální Bridgman

35 Růst monokrystalů metodou horizontální Bridgman

36 Růst monokrystalů metodou horizontální Bridgman

37 Epitaxní technologie - obecně Název epitaxe z řeckého epi-taxis "uspořádaně na" zavedl L. Royer r Jde o krystalický růst na (obvykle) monokrystalické podložce. Při rozdílu mřížkových konstant větším než 15% růst (obvykle) přestává být epitaxním. Vysvětlení významu, principu a zasazení do souvislostí Proč tak monstrózní, drahé, nebezpečné a náročné technologické aparatury? Epitaxní růst výhody, nové možnosti, omezení. Homo a hetero epitaxe. Rovnice o minimu energie Princip epitaxního růstu. Atomy či molekuly látky, kterou chceme epitaxně deponovat na vhodný substrát, se dopraví na jeho povrch, ten ovšem musí být atomárněčistý - zbaven oxidů a různých adsorbovaných látek - a atomárně hladký (maximálně s atomárními schody danými rozorientací monokrystalu). Na povrchu dojde nejprve k fyzisorpci, pak na vhodných místech s minimem energie, k chemisorpci jednotlivých atomů, k růstu atomárních vrstev a postupně celé struktury. Obr jak to létá a sedá si.

38

39

40 Druhy epitaxních růstů a) Vrstva po vrstvě Frankův-van der Merweův růst b) Vrstva po vrstvě - spojitě c) Ostrůvky na smáčecí vrstvě - Stranského-Krastanowův d) Ostrůvky na substrátu Volmerův-Weberův e) Sloupkový růst

41 Typy epitaxních růstů a vysvětlení různých používaných zkratek: Epitaxe z pevné fáze Epitaxe z kapalné fáze Epitaxe z plynné fáze SPE (Solid Phase Epitaxy) LPE (Liquid Phase Epitaxy) LPEE (Liquid Phase Electroepitaxy) VPE (Vapour (Vapor) Phase Epitaxy) CVD (Chemical Vapour Deposition) PVD (Physical Vapour Deposition)

42 Hlavní typy VPE epitaxních růstů Molekulární epitaxe - MBE (Molecular beam epitaxy) SSMBE = SolidSource MBE, CBE = ChemicalBeamEpitaxy, GSMBE = GasSource MBE (HydrideSource MOMBE, MetalOrganic MBE), UHV ALE = UltraHighVacuum AtomicLayerEpitaxy Plynná epitaxe z organokovových sloučenin - MOVPE (MetalOrganic Vapour Phase Epitaxy) MOCVD (MetalOrganic Chemical Vapour Deposition) Photo-MOVPE (Netermální, světlem. aktivov.) Plasma-MOVPE (Netermální, plasm. aktivov.)

43 Polovodičové (mono)krystaly a jejich struktura krystalická, elektronová, optická Krystalické mřížky Pásová struktura

44 Polovodičové (mono)krystaly a jejich struktura krystalická, elektronová, optická Krystalické mřížky Proč látky krystalizují? Proč právě v určitých strukturách? Co vše to ovlivní? Minimum energie Podmínky při vzniku Skoro všechno el. i opt. Elementární buňky složené el. buňky (trik souměrnost, jednodušší souřadnicový systém) nejsměsnanější uspořádání Sedm krystalových soustav prvky souměrnosti Bravaisovy mřížky 14 proč jich je právě tolik? Millerovy indexy podle toho jak se krystal uřízne či uštípne

45 Polovodičové (mono)krystaly a jejich struktura krystalická, elektronová, optická Elementární buňky Složené el. buňky (trik souměrnost, jednodušší souřadnicový systém) Nejsměsnanější uspořádání

46 Polovodičové (mono)krystaly a jejich struktura krystalická, elektronová, optická Sedm krystalových soustav prvky souměrnosti

47 Polovodičové (mono)krystaly a jejich struktura krystalická, elektronová, optická Bravaisovy mřížky -14 proč jich je právě tolik?

48 Bravaisovy mříže Dá se dokázat (např. systematickým vyšetřováním možných způsobů vrstvení rovinných mříží), že existuje pouze 14 různých prostorových mříží. Nazývají se také Bravaisovy mříže podle autora prvního úplného odvození (r. 1850). Jejich rozdělení do krystalových soustav je uvedeno v tabulce a graficky. krystalová soustava triklinická (trojklonná) monoklinická (jednoklonná) ortorombická (rombická, kosočtverečná) tetragonální (čtverečná) kubická (izometrická) hexagonální (šesterečná) trigonální (romboedrická, klencová) minimální symetrie žádná jedna 2četná osa podél c tři 2četné osy podél a, b, c jedna 4četná osa podél c čtyři 3četné osy podél tělesových úhlopříček krychle jedna 6četná osa podél c jedna 3četná osa podél hexagon. Buňky

49 Polovodičové (mono)krystaly a jejich struktura krystalická, elektronová, optická Millerovy indexy popisují roviny v nichž se krystal uřízne či uštípne

50 Polovodičové (mono)krystaly a jejich struktura krystalická, elektronová, optická Pásová struktura elektronových (a děrových) energetických stavů, je dána atomy ale hlavně mřížkou, lze ji vypočítat (ale ne up-initio mám atomy uhlíku, co mi vznikne?), lze ji určovat z nejrůznějších měření, rozhoduje o elektrických i optických vlastnostech monokrystalů a nejsou to jen vlastní pásy (valenční, zakázaný a vodivostní) ale i příměsové hladiny, výběžky pásů, diskontinuity na heterorozhraní, p-n přechody a celý svět kvantových jam.

51 Vznik pásové struktury

52 Pásová struktura v k-prostoru První aproximace poruchového počtu, bez započtení spinorbitální interakce První aproximace poruchového počtu, se započtením spinorbitální interakce Druhá aproximace poruchovéh počtu, se započtením spinorbitální interakce

53

54 lze znázorňovat: středoškolsky : Polovodičové (mono)krystaly a jejich struktura krystalická, elektronová, optická Pásovou strukturu elektronových (a děrových) energetických stavů na y energie a na x délka na spoustu věcí to stačí, pěkně se popisují heterostruktury i p-n přechod vysokoškolsky : na y energie a na x hybnost (v k prostoru) jedině takto lze pochopit přímé a nepřímé polovodiče, efektivní hmotu elektronů a děr a další, třeba Augerovy přechody.

55 Polovodičové (mono)krystaly a jejich struktura krystalická, elektronová, optická Prostor na diskusi a dotazy k pásové struktuře

56 Polovodičové (mono)krystaly a jejich struktura krystalická, elektronová, optická Defekty krystalické mřížky a jejich vliv na pásovou strukturu Zrna, mikrokrystaly, vměstky Plošné defekty (hranice zrn, ) Čarové defekty (dislokace,. ) Bodové defekty (vlastní, nečistoty, dopanty) v polovodičích ne! taky moc ne. většinou velmi škodlivé základ většiny aplikací, ale i nezářivé rekombinace, rozptyl elektronů, Vše může být škodlivé i užitečné!

57 POLOVODIČOVÉ nanotechnologie II - epitaxe 12PN Polovodičové nanotechnologie, FJFI, letní sem , Eduard Hulicius Laboratoř MOVPE, Oddělení polovodičů, Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. Praha 6, Cukrovarnická 10

58 Epitaxní technologie - konkrétně Název epitaxe z řeckého epi-taxis "uspořádaně na" zavedl L. Royer r Jde o krystalický růst na (obvykle) monokrystalické podložce. Při rozdílu mřížkových konstant větším než 15% růst (obvykle) přestává být epitaxním. Vysvětlení významu, principu a zasazení do souvislostí Proč tak monstrózní, drahé, nebezpečné a náročné technologické aparatury? Epitaxní růst výhody, nové možnosti, omezení. Homo a hetero epitaxe. Rovnice o minimu energie Princip epitaxního růstu. Atomy či molekuly látky, kterou chceme epitaxně deponovat na vhodný substrát, se dopraví na jeho povrch, ten ovšem musí být atomárněčistý - zbaven oxidů a různých adsorbovaných látek - a atomárně hladký (maximálně s atomárními schody danými rozorientací monokrystalu). Na povrchu dojde nejprve k fyzisorpci, pak na vhodných místech s minimem energie, k chemisorpci jednotlivých atomů, k růstu atomárních vrstev a postupně celé struktury.

59 Epitaxní technologie - konkrétně Vysvětlení významu, principu a zasazení do souvislostí Proč tak monstrózní, drahé, nebezpečné a náročné technologické aparatury? Monokrystaly vznikají protože systém atomů má minimum energie. To ale přesně platí jen při T = 0 K! Při nenulových teplotách má rovnovážný sytém minimum energie s určitou koncentrací defektů (obvykle bodových vakance, intersticiály, výměnné defekty (antisite Ga-As) a jejich kombinace). Člen TS v rovnici pro minimum energie (G=H-TS). Entropie S = ln(n). Více viz Objemové monokrystaly rostou z taveniny, při teplotě tání, ta je mnohem vyšší než teplota epitaxního růstu.

60 Epitaxe z pevné fáze - SPE Stará metoda s nově objevenými aplikacemi. Metastabilní amorfní fáze pevné látky, která je v kontaktu s monokrystalem postupně od rozhraní krystalizuje kopírujíc monokrystalickou mřížku. Obr. E 4.1. a 2. a 3. v jednom Rychlost růstu obvykle desetiny nm za sekundu je dána aktivační energií SPE E a a řídí se rovnicí v = v 0 exp (-E a /kt) Použití: Příprava silných polovodičových epitaxních vrstev s vysokou úrovní legování. Nízkoteplotní epitaxe (Ga(Mn)As spinotronika?). Růst oddělovacích vrstev (buffer layers) pro zlepšení vlastností heterostruktur, v nichž vznikají vysoké koncentrace dislokací. Nitridy! Silicidové vrstvy pro elektrické kontakty a Schottkyho bariéry pro Si součástky.

61

62 Epitaxe z pevné fáze - SPE Stará metoda s nově objevenými aplikacemi. Metastabilní amorfní fáze pevné látky, která je v kontaktu s monokrystalem postupně od rozhraní krystalizuje kopírujíc monokrystalickou mřížku. Obr. E 4.1. a 2. a 3. v jednom Rychlost růstu v obvykle desetiny nm za sekundu je dána aktivační energií SPE E a a řídí se rovnicí v = v 0 exp (-E a /kt) Použití: Příprava silných polovodičových epitaxních vrstev s vysokou úrovní legování. Nízkoteplotní epitaxe (Ga(Mn)As spinotronika?). Růst oddělovacích vrstev (buffer layers) pro zlepšení vlastností heterostruktur, v nichž vznikají vysoké koncentrace dislokací. Nitridy! Silicidové vrstvy pro elektrické kontakty a Schottkyho bariéry pro Si součástky.

63 Epitaxe z kapalné fáze - LPE Rozhodující epitaxní metoda v sedmdesátých a osmdesátých letech minulého století. Stále ještě významná průmyslová metoda (levné LED, sluneční články(?) a všude kde jsou potřeba epitaxní vrstvy silné desítky μm). Velmi vhodná pro růst složitých sloučeninových systémů v termodynamické rovnováze a pro dotování zeminami vzácných zemin. V laboratořích je to dnes spíše Metoda chudého muže. Princip metody Nasycený roztok požadovaných látek (např. arzén v galiu) chladne (vypařuje se neplatí pro uvedený příklad - Ga má malou tenzi par a skoro se nevypařuje, spíš by unikl As), stává se přesyceným a As se ve formě GaAs vylučuje na vhodné podložce např. na destičce objemového či epitaxního GaAs. Velká věda s materiálem a tvarem lodičky. Obr E 5.1. a stařičké "didaktické" blány schema i rovnice

64

65

66

67

68

69

70 Epitaxe z kapalné fáze - LPE Rozpustnost jednoduchá (v binárním systému) Dotace (i amfoterní) složitější závislosti (ternární, kvaternární,..., na tlaku, dynamické procesy,...) Výpočty rychlosti růstu, difusní omezení Růst ultratenkých vrstev (pod 100 nm)

71 Epitaxe z kapalné fáze - LPE Příklad výše zmíněného amfoterního legování GaAs křemíkem, který v závislosti na teplotě růstu mění místo zabudování (Ga či As) v GaAs mříži doba růstu hodiny. Tenké vrstvy (i pod 100 nm!) dělat pomocí LPE lze, ale kontakt substrátu s kapalinou je i jen milisekundy a je to nereprodukovatelné, nehomogenní atd. Kapalná elektroepitaxe Modifikace kapalné epitaxe, která je řízena proudem, který prochází rozhraním roztok-substrát a vyvolává Peltierův jev a elektromigraci. Používá se pro silných (několik mm) homogenních (lepší než 1%) ternárních vrstev. Např. InGaAs na InP či GaAs; AlGaSb na GaSb a pod. Obr E 5.5. a 5.6.

72

73 Epitaxe z plynné fáze - VPE Dnes a nejméně příštích deset let to bude zásadní metoda nejen badatelská, ale i průmyslová. Je možné ji principiálně rozdělit na fyzikální (PVD - Physical Vapour Deposition) a chemickou (CVD - Chemical Vapour Deposition), podle způsobu transportu materiálu od zdroje k substrátu. V prvním případě - PVD - jde o napaření materiálu (pomocí vypařování, naprašování, laserové ablace, výbojem a pod.) bez jeho chemické změny. V druhém případě - CVD - jde o transport těkavých chemických sloučenin (prekursorů) pomocí nosného plynu k substrátu, kde se většinou termicky rozkládají. Vlastní epitaxní růst na dokonale čistém a hladkém povrchu většinou monokrystalického substrátu je pak podobný. I parametry vrstev jsou podobné i když se struktury v některých aspektech mohou lišit. V obou případech je nutno zajistit extrémní polovodičovou čistotu prostředí, ať je to vakuum (10-10 torru) nebo nosný plyn H 2 či N 2 (na úrovni ppb).

74

75

76

77 Epitaxe z plynné fáze - VPE Ohřev substrátu (kvůli jeho dokonalému očištění a atomárnímu vyrovnání - viz výše principy epitaxe) se, vzhledem k těmto extrémním požadavkům na čistotu, provádí nepřímo vysokofrekvenčním ohřevem, světlem (optickou výbojkou - MOVPE), nebo nepřímým odporovým ohřevem (MBE). VPE umožňuje i růst jednotlivých atomárních rovin ( Ultra High Vacuum Atomic Layer Epitaxy). PVD Vypařování: Teoreticky je počet molekul dn e vypařujících se z plochy A e za čas dt roven dn e /A e dt = (p eq -p) sqr(n A /2πMk B T) [m -2 s -1 ] kde M je molekulární hmotnost vypařované látky, p eq je rovnovážný tlak, p je hydrostatický tlak vypařované látky v plynném stavu, k B je Boltzmannova konstanta a N A je Avogadrovo císlo.

78 Ve skutečnosti musíme zavést koeficient vypařování a v (neboťčást vypařených molekul (1 - a v ) přispívá k jen tlaku, nikoliv toku molekul. Dostáváme tak obecnou rovnici pro vypařování z volné plochy - Hertzovu-Knudsenovu dn e /A e dt = a v (p eq -p) sqr(n A /2πMk B T) [m -2 s -1 ] Vypařujeme-li z Knudsenovy efusní cely, která má otvor podstatně menší než je povrch vypařované látky a má nejméně desetkrát menší průměr než je volná dráha vypařovaných molekul, dostáváme po úpravách pro celkovou efusní rychlost Γ c rovnici Γ c = dn e /dt = 3,51 x pa e /sqr(mt) [molekul -1 ] Pro vlastní PVD růstové procesy má adsorpčně-desorpční kinetika na růstovém povrchu zásadní význam. Poměrně snadno lze růst modelovat a počítat v případě (kvazi-) rovnovážného stavu; horší je to v nerovnovážném stavu, nebo při přechodových jevech.

79 Příklad PVD je Molekulární epitaxe - MBE Můžeme ji dělit podle toho z čeho získáváme molekulární svazky: Solid Source MBE, Gas Source MBE (neboli Chemical Beam Epitaxy) Hydride Source MBE, MetalOrganic MBE, Další varianty MBE Ultrahigh Vacuum Atomic Layer Epitaxy Migrací urychlená MBE UV zářením stimulovaná MBE Plasmou aktivovaná MBE Dotování MBE vrstev pomocí iontů což lze po dosazení používat k výpočtům. CVD Chemický stav daného systému dobře popisuje chemický potenciál μ. Pro danou fázi je definován jako vzrůst volné Gibbsovy energie δg když se přidá jeden mol látky při konstantní teplotě a tlaku μ = δg/δn/ T,p Vyjádříme-li molarní Gibbsovu energii ΔG pomocí enthalpie ΔH a entropie ΔS μ = ΔG = ΔH - TΔS

80 Příklady: Halidová epitaxe Kovy či elementární polovodiče - (WF 6 W +..., SiCl 4 Si +...) Sloučeninové polovodiče - (GaCl + AsH 3 GaAs +...) Granáty vzácných zemin - (YCl 3 + FeCl 2 + O 2 Y 3 Fe 5 O ) Oxidová epitaxe Sloučeninové polovodiče - (GaO 2 + PH 4 GaP +...) Hydridová epitaxe Elementární polovodiče, veledůležitý křemík - (SiH 4 Si +...) Izolační vrstvy: oxidy, nitridy - (SiH 4 + H 2 O SiO ; SiH 4 + NH 3 Si 3 N ) Organokovová epitaxe Sloučeninové polovodiče - (Ga(CH 3 ) 3 + AsH 3 GaAs +...) Kovy - (Al(C 4 H 9 ) 3 Al +...) Vysokoteplotní supravodiče YBaCuO

81

82 Zásadní pro optoelektroniku a nanotechnologie jsou MBE a MOVPE Můžeme ji dělit podle toho z čeho získáváme molekulární svazky: Solid Source MBE, Gas Source MBE (neboli Chemical Beam Epitaxy) Hydride Source MBE, MetalOrganic MBE, Schéma aparatury Obr E 6.3. a 2. Příklad růstového cyklu Obr/blána Molekulární epitaxe - MBE

83 Zdroj:

84

85

86

87

88

89

90

91

92

93

94

95

96 Molekulární epitaxe Princip metody: Ohřejeme substrát(y) (obvykle je to rotující monokrystalická polovodičová destička o průměru 2 až 8 (palců), která je silná μm) vprostředí ultravysokého vakua (10 -(9-10) torr) na tak vysokou teplotu, aby desorbovaly přirozené oxidy a povrchové nečistoty, a také aby se povrch atomárně vyhladil. Pak se otevře clonka před otvorem předehřáté efusní Knudsenovy cely a atomy (molekuly) prakticky bez srážek prolétají desítky centimetrů růstovou komorou, dopadají na substrát a napaří se i do jeho okolí. Atomy budoucí epitaxní vrstvy se usadí na povrchu (fyzisorpce), migrují po něm a posléze se naváží na správná místa krystalové mřížky (chemisorpce) a vytváří epitaxní vrstvu to je vlastní princip epitaxe. Otázky?

97 Očekávané otázky: Proč zrovna tyto rozměry substrátu? Jak se vkládá a vyměňuje? Jaká je maximální plocha? Ohřejeme substrát(y) (obvykle je to rotující monokrystalická polovodičová destička o průměru 2 až 8 (palců), která je silná μm) vprostředí ultravysokého vakua (10 -(9-10) torr) na tak vysokou teplotu, aby desorbovaly přirozené oxidy a povrchové nečistoty, a také aby se povrch atomárně vyhladil. Pak se otevře clonka před otvorem předehřáté efusní Knudsenovy cely a atomy (molekuly) prakticky bez srážek prolétají desítky centimetrů růstovou komorou, dopadají na substrát a napaří se i do jeho okolí. Atomy budoucí epitaxní vrstvy se usadí na povrchu (fyzisorpce), migrují po něm a posléze se naváží na správná místa krystalové mřížky (chemisorpce) a vytváří epitaxní vrstvu to je vlastní princip epitaxe.

98 Očekávané otázky: Proč zrovna tyto rozměry substrátu? Jak se vkládá a vyměňuje? Jaká je maximální plocha? Proč substrát rotuje? Ohřejeme substrát(y) (obvykle je to rotující monokrystalická polovodičová destička o průměru 2 až 8 (palců), která je silná μm) vprostředí ultravysokého vakua (10 -(9-10) torr) na tak vysokou teplotu, aby desorbovaly přirozené oxidy a povrchové nečistoty, a také aby se povrch atomárně vyhladil. Pak se otevře clonka před otvorem předehřáté efusní Knudsenovy cely a atomy (molekuly) prakticky bez srážek prolétají desítky centimetrů růstovou komorou, dopadají na substrát a napaří se i do jeho okolí. Atomy budoucí epitaxní vrstvy se usadí na povrchu (fyzisorpce), migrují po něm a posléze se naváží na správná místa krystalové mřížky (chemisorpce) a vytváří epitaxní vrstvu to je vlastní princip epitaxe.

99 Očekávané otázky: Proč zrovna tyto rozměry substrátu? Jak se vkládá a vyměňuje? Jaká je maximální plocha? Proč substrát rotuje? Proč tak vysoké vakuum? Ohřejeme substrát(y) (obvykle je to rotující monokrystalická polovodičová destička o průměru 2 až 8 (palců), která je silná μm) vprostředí ultravysokého vakua (10 -(9-10) torr) na tak vysokou teplotu, aby desorbovaly přirozené oxidy a povrchové nečistoty, a také aby se povrch atomárně vyhladil. Pak se otevře clonka před otvorem předehřáté efusní Knudsenovy cely a atomy (molekuly) prakticky bez srážek prolétají desítky centimetrů růstovou komorou, dopadají na substrát a napaří se i do jeho okolí. Atomy budoucí epitaxní vrstvy se usadí na povrchu (fyzisorpce), migrují po něm a posléze se naváží na správná místa krystalové mřížky (chemisorpce) a vytváří epitaxní vrstvu to je vlastní princip epitaxe.

100 Očekávané otázky: Proč zrovna tyto rozměry substrátu? Jak se vkládá a vyměňuje? Jaká je maximální plocha? Proč substrát rotuje? Proč tak vysoké vakuum? Na jakou teplotu se substrát ohřívá? ( Vypékání aparatury?) Ohřejeme substrát(y) (obvykle je to rotující monokrystalická polovodičová destička o průměru 2 až 8 (palců), která je silná μm) vprostředí ultravysokého vakua (10 -(9-10) torr) na tak vysokou teplotu, aby desorbovaly přirozené oxidy a povrchové nečistoty, a také aby se povrch atomárně vyhladil. Pak se otevře clonka před otvorem předehřáté efusní Knudsenovy cely a atomy (molekuly) prakticky bez srážek prolétají desítky centimetrů růstovou komorou, dopadají na substrát a napaří se i do jeho okolí. Atomy budoucí epitaxní vrstvy se usadí na povrchu (fyzisorpce), migrují po něm a posléze se naváží na správná místa krystalové mřížky (chemisorpce) a vytváří epitaxní vrstvu to je vlastní princip epitaxe.

101 Očekávané otázky: Proč zrovna tyto rozměry substrátu? Jak se vkládá a vyměňuje? Jaká je maximální plocha? Proč substrát rotuje? Proč tak vysoké vakuum? Na jakou teplotu se substrát ohřívá? ( Vypékání aparatury?) Jak je cela uzavřena před otevřením? Neutíká něco z cely? Nekazí se vakuum?

102 Očekávané otázky: Proč zrovna tyto rozměry substrátu? Jak se vkládá a vyměňuje? Jaká je maximální plocha? Proč substrát rotuje? Proč tak vysoké vakuum? Na jakou teplotu se substrát ohřívá? ( Vypékání aparatury?) Jak je cela uzavřena před otevřením? Neutíká něco z cely? Nekazí se vakuum? Jak se ohřívají Knudsenovy cely? Na jakou teplotu? Z čeho jsou? Jak se v nich doplňuje materiál?

103 Očekávané otázky: Proč zrovna tyto rozměry substrátu? Jak se vkládá a vyměňuje? Jaká je maximální plocha? Proč substrát rotuje? Proč tak vysoké vakuum? Na jakou teplotu se substrát ohřívá? ( Vypékání aparatury?) Jak je cela uzavřena před otevřením? Neutíká něco z cely? Nekazí se vakuum? Jak se ohřívají Knudsenovy cely? Na jakou teplotu? Z čeho jsou? Jak se v nich doplňuje materiál? Jaký je rozdíl mezi svazkem molekul a atomů pro epitaxní růst?

104 Očekávané otázky: Proč zrovna tyto rozměry substrátu? Jak se vkládá a vyměňuje? Jaká je maximální plocha? Proč substrát rotuje? Proč tak vysoké vakuum? Na jakou teplotu se substrát ohřívá? ( Vypékání aparatury?) Jak je cela uzavřena před otevřením? Neutíká něco z cely? Nekazí se vakuum? Jak se ohřívají Knudsenovy cely? Na jakou teplotu? Z čeho jsou? Jak se v nich doplňuje materiál? Jaký je rozdíl mezi svazkem molekul a atomů pro epitaxní růst? Jakou roli hrají rozměry růstové komory?

105 Očekávané otázky: Proč zrovna tyto rozměry substrátu? Jak se vkládá a vyměňuje? Jaká je maximální plocha? Proč substrát rotuje? Proč tak vysoké vakuum? Na jakou teplotu se substrát ohřívá? ( Vypékání aparatury?) Jak je cela uzavřena před otevřením? Neutíká něco z cely? Nekazí se vakuum? Jak se ohřívají Knudsenovy cely? Na jakou teplotu? Z čeho jsou? Jak se v nich doplňuje materiál? Jaký je rozdíl mezi svazkem molekul a atomů pro epitaxní růst? Jakou roli hrají rozměry růstové komory? Čím se řídí rychlost růstů epitaxní vrstvy? Jak dlouho trvá celý růst?

106 Očekávané otázky: Proč zrovna tyto rozměry substrátu? Jak se vkládá a vyměňuje? Jaká je maximální plocha? Proč substrát rotuje? Proč tak vysoké vakuum? Na jakou teplotu se substrát ohřívá? ( Vypékání aparatury?) Jak je cela uzavřena před otevřením? Neutíká něco z cely? Nekazí se vakuum? Jak se ohřívají Knudsenovy cely? Na jakou teplotu? Z čeho jsou? Jak se v nich doplňuje materiál? Jaký je rozdíl mezi svazkem molekul a atomů pro epitaxní růst? Jakou roli hrají rozměry růstové komory? Čím se řídí rychlost růstů epitaxní vrstvy? Jak dlouho trvá celý růst? Proč nenaroste epitaxní vrstva jinde než na substrátu?

107 Očekávané otázky: Proč zrovna tyto rozměry substrátu? Jak se vkládá a vyměňuje? Jaká je maximální plocha? Proč substrát rotuje? Proč tak vysoké vakuum? Na jakou teplotu se substrát ohřívá? ( Vypékání aparatury?) Jak je cela uzavřena před otevřením? Neutíká něco z cely? Nekazí se vakuum? Jak se ohřívají Knudsenovy cely? Na jakou teplotu? Z čeho jsou? Jak se v nich doplňuje materiál? Jaký je rozdíl mezi svazkem molekul a atomů pro epitaxní růst? Jakou roli hrají rozměry růstové komory? Čím se řídí rychlost růstů epitaxní vrstvy? Jak dlouho trvá celý růst? Proč nenaroste epitaxní vrstva jinde než na substrátu? Jak se růst ukončí?

108 Očekávané otázky: Proč zrovna tyto rozměry substrátu? Jak se vkládá a vyměňuje? Jaká je maximální plocha? Proč substrát rotuje? Proč tak vysoké vakuum? Na jakou teplotu se substrát ohřívá? ( Vypékání aparatury?) Jak je cela uzavřena před otevřením? Neutíká něco z cely? Nekazí se vakuum? Jak se ohřívají Knudsenovy cely? Na jakou teplotu? Z čeho jsou? Jak se v nich doplňuje materiál? Jaký je rozdíl mezi svazkem molekul a atomů pro epitaxní růst? Jakou roli hrají rozměry růstové komory? Čím se řídí rychlost růstů epitaxní vrstvy? Jak dlouho trvá celý růst? Proč nenaroste epitaxní vrstva jinde než na substrátu? Jak se růst ukončí? Co to znamená podstata epitaxního růstu?

109 Očekávané otázky: Proč zrovna tyto rozměry substrátu? Jak se vkládá a vyměňuje? Jaká je maximální plocha? Proč substrát rotuje? Proč tak vysoké vakuum? Na jakou teplotu se substrát ohřívá? ( Vypékání aparatury?) Jak je cela uzavřena před otevřením? Neutíká něco z cely? Nekazí se vakuum? Jak se ohřívají Knudsenovy cely? Na jakou teplotu? Z čeho jsou? Jak se v nich doplňuje materiál? Jaký je rozdíl mezi svazkem molekul a atomů pro epitaxní růst? Jakou roli hrají rozměry růstové komory? Čím se řídí rychlost růstů epitaxní vrstvy? Jak dlouho trvá celý růst? Proč nenaroste epitaxní vrstva jinde než na substrátu? Jak se růst ukončí? Co to znamená podstata epitaxního růstu? Kolik to stojí? (jeden růst, celá aparatura, MBE čip?)

LEED (Low-Energy Electron Diffraction difrakce elektronů s nízkou energií)

LEED (Low-Energy Electron Diffraction difrakce elektronů s nízkou energií) LEED (Low-Energy Electron Diffraction difrakce elektronů s nízkou energií) RHEED (Reflection High-Energy Electron Diffraction difrakce elektronů s vysokou energií na odraz) Úvod Zkoumání povrchů pevných

Více

Optoelektronika polovodičové zdroje záření

Optoelektronika polovodičové zdroje záření Optoelektronika polovodičové zdroje záření Doc. Ing. Eduard Hulicius, CSc. Fyzikální ústav Akademie věd ČR hulicius@fzu.cz Role optoelektroniky ve vědě a v aplikacích Definice optoelektroniky: Optoelektronika

Více

Skupenské stavy látek. Mezimolekulární síly

Skupenské stavy látek. Mezimolekulární síly Skupenské stavy látek Mezimolekulární síly 1 Interakce iont-dipól Např. hydratační (solvatační) interakce mezi Na + (iont) a molekulou vody (dipól). Jde o nejsilnější mezimolekulární (nevazebnou) interakci.

Více

2. Molekulová stavba pevných látek

2. Molekulová stavba pevných látek 2. Molekulová stavba pevných látek 2.1 Vznik tuhého tělesa krystalizace Při přeměně kapaliny v tuhou látku vzniknou nejprve krystalizační jádra, v nichž nastává tuhnutí kapaliny. Ochlazování kapaliny se

Více

Elektronová mikroskopie SEM, TEM, AFM

Elektronová mikroskopie SEM, TEM, AFM Elektronová mikroskopie SEM, TEM, AFM Historie 1931 E. Ruska a M. Knoll sestrojili první elektronový prozařovací mikroskop 1939 první vyrobený elektronový mikroskop firma Siemens rozlišení 10 nm 1965 první

Více

U BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D.

U BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D. Napěťový průraz polovodičových přechodů Zvyšování napětí na přechodu -přechod se rozšiřuje, ale pouze s U (!!) - intenzita elektrického pole roste -překročení kritické hodnoty U (BR) -vzrůstu závěrného

Více

Metody využívající rentgenové záření. Rentgenovo záření. Vznik rentgenova záření. Metody využívající RTG záření

Metody využívající rentgenové záření. Rentgenovo záření. Vznik rentgenova záření. Metody využívající RTG záření Metody využívající rentgenové záření Rentgenovo záření Rentgenografie, RTG prášková difrakce 1 2 Rentgenovo záření Vznik rentgenova záření X-Ray Elektromagnetické záření Ionizující záření 10 nm 1 pm Využívá

Více

Optoelektronika. elektro-optické převodníky - LED, laserové diody, LCD. Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA)

Optoelektronika. elektro-optické převodníky - LED, laserové diody, LCD. Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA) Optoelektronika elektro-optické převodníky - LED, laserové diody, LCD Elektro-optické převodníky žárovka - nejzákladnější EO převodník nevhodné pro optiku široké spektrum vlnových délek vhodnost pro EO

Více

Speciální analytické metody pro léčiva

Speciální analytické metody pro léčiva Speciální analytické metody pro léčiva doc. RNDr. Ing. Pavel Řezanka, Ph.D. E-mail: pavel.rezanka@vscht.cz Místnost: A234 Příprava předmětu byla podpořena projektem OPPA č. CZ.2.17/3.1.00/33253 1 Harmonogram

Více

1. Millerovy indexy, reciproká mřížka

1. Millerovy indexy, reciproká mřížka Obsah 1. Millerovy indexy, reciproká mřížka 2. Krystalografické soustavy, Bravaisovy mřížky 3. Poruchy v pevných látkách 4. Difrakční metody určování struktury pevných látek 5. Mechanické vlastnosti pevných

Více

Fyzika, maturitní okruhy (profilová část), školní rok 2014/2015 Gymnázium INTEGRA BRNO

Fyzika, maturitní okruhy (profilová část), školní rok 2014/2015 Gymnázium INTEGRA BRNO 1. Jednotky a veličiny soustava SI odvozené jednotky násobky a díly jednotek skalární a vektorové fyzikální veličiny rozměrová analýza 2. Kinematika hmotného bodu základní pojmy kinematiky hmotného bodu

Více

Zdroje optického záření

Zdroje optického záření Metody optické spektroskopie v biofyzice Zdroje optického záření / 1 Zdroje optického záření tepelné výbojky polovodičové lasery synchrotronové záření Obvykle se charakterizují zářivostí (zářivý výkon

Více

Úvod do laserové techniky KFE FJFI ČVUT Praha Michal Němec, 2014. Plynové lasery. Plynové lasery většinou pracují v kontinuálním režimu.

Úvod do laserové techniky KFE FJFI ČVUT Praha Michal Němec, 2014. Plynové lasery. Plynové lasery většinou pracují v kontinuálním režimu. Aktivní prostředí v plynné fázi. Plynové lasery Inverze populace hladin je vytvářena mezi energetickými hladinami některé ze složek plynu - atomy, ionty nebo molekuly atomární, iontové, molekulární lasery.

Více

Elektrické vlastnosti pevných látek

Elektrické vlastnosti pevných látek Elektrické vlastnosti pevných látek elektrická vodivost gradient vnějšího elektrického pole vyvolá přenos náboje volnými nositeli (elektrony, díry, ionty) měrná vodivost = e n n e p p [ -1 m -1 ] Kovy

Více

Termodynamika (td.) se obecně zabývá vzájemnými vztahy a přeměnami různých druhů

Termodynamika (td.) se obecně zabývá vzájemnými vztahy a přeměnami různých druhů Termodynamika (td.) se obecně zabývá vzájemnými vztahy a přeměnami různých druhů energií (mechanické, tepelné, elektrické, magnetické, chemické a jaderné) při td. dějích. Na rozdíl od td. cyklických dějů

Více

PRINCIPY ZAŘÍZENÍ PRO FYZIKÁLNÍ TECHNOLOGIE (FSI-TPZ-A)

PRINCIPY ZAŘÍZENÍ PRO FYZIKÁLNÍ TECHNOLOGIE (FSI-TPZ-A) PRINCIPY ZAŘÍZENÍ PRO FYZIKÁLNÍ TECHNOLOGIE (FSI-TPZ-A) GARANT PŘEDMĚTU: Prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (ÚFI) VYUČUJÍCÍ PŘEDMĚTU: Prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc., Ing. Stanislav Voborný, Ph.D. (ÚFI) JAZYK

Více

Mikroskopie se vzorkovací sondou. Pavel Matějka

Mikroskopie se vzorkovací sondou. Pavel Matějka Mikroskopie se vzorkovací sondou Pavel Matějka Mikroskopie se vzorkovací sondou 1. STM 1. Princip metody 2. Instrumentace a příklady využití 2. AFM 1. Princip metody 2. Instrumentace a příklady využití

Více

Vybrané technologie povrchových úprav. Metody vytváření tenkých vrstev Doc. Ing. Karel Daďourek 2008

Vybrané technologie povrchových úprav. Metody vytváření tenkých vrstev Doc. Ing. Karel Daďourek 2008 Vybrané technologie povrchových úprav Metody vytváření tenkých vrstev Doc. Ing. Karel Daďourek 2008 Metody vytváření tenkých vrstev Vakuové metody dnes nejužívanější CVD Chemical vapour deposition PE CVD

Více

Fotonické nanostruktury (nanofotonika)

Fotonické nanostruktury (nanofotonika) Základy nanotechnologií KEF/ZANAN Fotonické nanostruktury (nanofotonika) Jan Soubusta 4.11. 2015 Obsah 1. ÚVOD 2. POHLED DO MIKROSVĚTA 3. OD ELEKTRONIKY K FOTONICE 4. FYZIKA PRO NANOFOTONIKU 5. PERIODICKÉ

Více

Molekulová spektroskopie 1. Chemická vazba, UV/VIS

Molekulová spektroskopie 1. Chemická vazba, UV/VIS Molekulová spektroskopie 1 Chemická vazba, UV/VIS 1 Chemická vazba Silová interakce mezi dvěma atomy. Chemické vazby jsou soudržné síly působící mezi jednotlivými atomy nebo ionty v molekulách. Chemická

Více

Blue-light LED, modrá

Blue-light LED, modrá Blue-light LED, modrá je dobrá Jan Soubusta Společná laboratoř optiky UP a FZÚ AVČR Obsah přednášky Nobelova cena Laureáti za fyziku 2014 Historický přehled Co je to LED? Výhody LED? Nobelova cena za fyziku

Více

Metalografie ocelí a litin

Metalografie ocelí a litin Metalografie ocelí a litin Metalografie se zabývá pozorováním a zkoumáním vnitřní stavby neboli struktury kovů a slitin. Dále také stanoví, jak tato struktura souvisí s chemickým složením, teplotou a tepelným

Více

Tenké vrstvy pro lékařství 1. Laserové vrstvy ( metody přípravy vrstev, laser, princip metody pulzní laserové depozice PLD, růst vrstev, )

Tenké vrstvy pro lékařství 1. Laserové vrstvy ( metody přípravy vrstev, laser, princip metody pulzní laserové depozice PLD, růst vrstev, ) Tenké vrstvy pro lékařství 1. Laserové vrstvy ( metody přípravy vrstev, laser, princip metody pulzní laserové depozice PLD, růst vrstev, ) 2. Vybrané vrstvy a aplikace - gradientní vrstvy, nanokrystalické

Více

1 Krystalické a amorfní látky. 4 Deformace pevného tělesa 7. Základní stavební jednotkou krystalické látky jsou monokrystaly.

1 Krystalické a amorfní látky. 4 Deformace pevného tělesa 7. Základní stavební jednotkou krystalické látky jsou monokrystaly. Obsah Obsah 1 Krystalické a amorfní látky 1 2 Ideální krystalová mřížka 3 3 Vazby v krystalech 5 4 Deformace pevného tělesa 7 4.1 Síla pružnosti. Normálové napětí................ 9 5 Teplotní roztažnost

Více

SPEKTROMETRIE. aneb co jsem se dozvěděla. autor: Zdeňka Baxová

SPEKTROMETRIE. aneb co jsem se dozvěděla. autor: Zdeňka Baxová SPEKTROMETRIE aneb co jsem se dozvěděla autor: Zdeňka Baxová FTIR spektrometrie analytická metoda identifikace látek (organických i anorganických) všech skupenství měříme pohlcení IČ záření (o různé vlnové

Více

Fyzikální chemie. ochrana životního prostředí analytická chemie chemická technologie denní. Platnost: od 1. 9. 2009 do 31. 8. 2013

Fyzikální chemie. ochrana životního prostředí analytická chemie chemická technologie denní. Platnost: od 1. 9. 2009 do 31. 8. 2013 Učební osnova předmětu Fyzikální chemie Studijní obor: Aplikovaná chemie Zaměření: Forma vzdělávání: Celkový počet vyučovacích hodin za studium: Analytická chemie Chemická technologie Ochrana životního

Více

Technologie a vlastnosti tenkých vrstev, tenkovrstvé senzory

Technologie a vlastnosti tenkých vrstev, tenkovrstvé senzory Vysoká škola chemicko-technologická v Praze Technologie a vlastnosti tenkých vrstev, tenkovrstvé senzory Technologie CVD, PVD, PECVD, MOVPE, MBE, coating technologie (spin-, spray-, dip-) Ondřej Ekrt Vymezení

Více

Adresa místa konání: Na Slovance 2, 182 21 Praha 8 Cukrovarnická 10, 162 53 Praha 6

Adresa místa konání: Na Slovance 2, 182 21 Praha 8 Cukrovarnická 10, 162 53 Praha 6 Dny otevřených dveří 2010 Název ústavu: Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. Adresa místa konání: Na Slovance 2, 182 21 Praha 8 Cukrovarnická 10, 162 53 Praha 6 Datum a doba otevření: 4. 11. 9 až 16 hod. pro

Více

STRUKTURA A VLASTNOSTI PEVNÝCH LÁTEK

STRUKTURA A VLASTNOSTI PEVNÝCH LÁTEK STRUKTURA A VLASTNOSTI PEVNÝCH LÁTEK Základními vlastnosti pevných látek jsou KRYSTALICKÉ A AMORFNÍ LÁTKY Jak vzniká pevná látka z kapaliny Krystalické látky se vyznačují uspořádáním Dělíme je na 2 základní

Více

Struktura a vlastnosti pevných látek

Struktura a vlastnosti pevných látek Struktura a vlastnosti pevných látek (test version, not revised) Petr Pošta pposta@karlin.mff.cuni.cz 24. listopadu 2010 Obsah Krystalické a amorfní látky Ideální krystalová mřížka Vazby v krystalech Deformace

Více

1. Látkové soustavy, složení soustav

1. Látkové soustavy, složení soustav , složení soustav 1 , složení soustav 1. Základní pojmy 1.1 Hmota 1.2 Látky 1.3 Pole 1.4 Soustava 1.5 Fáze a fázové přeměny 1.6 Stavové veličiny 1.7 Složka 2. Hmotnost a látkové množství 3. Složení látkových

Více

Mikrostruktura materiálů

Mikrostruktura materiálů Mikrostruktura materiálů Mikrostruktura oxidů molybdenu N. Luptáková ÚFM AV ČR, v. v. i. Struktura materiálu Materiál lze chápat jako celek, tvořený menšími stavebními bloky. Struktura materiálu je množina

Více

Typy interakcí. Obsah přednášky

Typy interakcí. Obsah přednášky Co je to inteligentní a progresivní materiál - Jaderné analytické metody-využití iontových svazků v materiálové analýze Anna Macková Ústav jaderné fyziky AV ČR, Řež 250 68 Obsah přednášky fyzikální princip

Více

Maturitní témata fyzika

Maturitní témata fyzika Maturitní témata fyzika 1. Kinematika pohybů hmotného bodu - mechanický pohyb a jeho sledování, trajektorie, dráha - rychlost hmotného bodu - rovnoměrný pohyb - zrychlení hmotného bodu - rovnoměrně zrychlený

Více

λ hc Optoelektronické součástky Fotorezistor, Laserová dioda

λ hc Optoelektronické součástky Fotorezistor, Laserová dioda Optoelektronické součástky Fotorezistor, Laserová dioda Úvod Optoelektronické součástky jsou založeny na interakci optického záření s elektricky nabitými částicemi v polovodičích. Vztah mezi energií fotonů

Více

Polymorfismus kovů Při změně podmínek (zejména teploty), nebo např.mechanickým působením změna krystalické struktury.

Polymorfismus kovů Při změně podmínek (zejména teploty), nebo např.mechanickým působením změna krystalické struktury. Struktura kovů Kovová vazba Krystalová mříž: v uzlových bodech kationy (pro atom H: m jádro :m obal = 2000:1), Mezi kationy: delokalizovaný elektronový plyn, vyplňuje celé kovu těleso. Hmotu udržuje elektrostatická

Více

Nanotechnologie a jejich aplikace. doc. RNDr. Roman Kubínek, CSc.

Nanotechnologie a jejich aplikace. doc. RNDr. Roman Kubínek, CSc. Nanotechnologie a jejich aplikace doc. RNDr. Roman Kubínek, CSc. Předpona pochází z řeckého νανος což znamená trpaslík 10-9 m 380-780 nm rozsah λ viditelného světla Srovnání známých malých útvarů SPM Vyjasnění

Více

Laserové technologie v praxi I. Přednáška č.8. Laserové zpracování materiálu. Hana Chmelíčková, SLO UP a FZÚ AVČR Olomouc, 2011

Laserové technologie v praxi I. Přednáška č.8. Laserové zpracování materiálu. Hana Chmelíčková, SLO UP a FZÚ AVČR Olomouc, 2011 Laserové technologie v praxi I. Přednáška č.8 Laserové zpracování materiálu Hana Chmelíčková, SLO UP a FZÚ AVČR Olomouc, 2011 Lasery pro průmyslové zpracování materiálu E (ev) 0,12 1,17 1,17 1,2 1,5 4,17

Více

VY_32_INOVACE_ELT-1.EI-20-VYROBA INTEGROVANEHO OBVODU. Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno

VY_32_INOVACE_ELT-1.EI-20-VYROBA INTEGROVANEHO OBVODU. Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Číslo projektu Číslo materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník CZ.1.07/1.5.00/34.0581 VY_32_INOVACE_ELT-1.EI-20-VYROBA INTEGROVANEHO OBVODU Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno

Více

stavební kostičky, z těch vše sestaví TESELACE chybí měřítko na velikosti kostiček nezáleží Pyrit krychle pentagonalní dodekaedr granát trapezoedr

stavební kostičky, z těch vše sestaví TESELACE chybí měřítko na velikosti kostiček nezáleží Pyrit krychle pentagonalní dodekaedr granát trapezoedr René Hauy otec moderní krystalografie islandský živec stejné částečky (stejné úhly, plochy) 1781 prezentace pro fr. akademii věd hlubší studium i dalších krystalů: krystaly stejného složení mají stejný

Více

Podivuhodný grafen. Radek Kalousek a Jiří Spousta. Ústav fyzikálního inženýrství a CEITEC Vysoké učení technické v Brně. Čichnova 19. 9.

Podivuhodný grafen. Radek Kalousek a Jiří Spousta. Ústav fyzikálního inženýrství a CEITEC Vysoké učení technické v Brně. Čichnova 19. 9. Podivuhodný grafen Radek Kalousek a Jiří Spousta Ústav fyzikálního inženýrství a CEITEC Vysoké učení technické v Brně Čichnova 19. 9. 2014 Osnova přednášky Úvod Co je grafen? Trocha historie Některé podivuhodné

Více

Využití plazmových metod ve strojírenství. Metody depozice povlaků a tenkých vrstev

Využití plazmových metod ve strojírenství. Metody depozice povlaků a tenkých vrstev Využití plazmových metod ve strojírenství Metody depozice povlaků a tenkých vrstev Metody depozice povlaků Využití plazmatu pro depozice (nanášení) povlaků a tenkých vrstev je moderní a stále častěji aplikovaná

Více

Lasery. Biofyzikální ústav LF MU. Projekt FRVŠ 911/2013

Lasery. Biofyzikální ústav LF MU. Projekt FRVŠ 911/2013 Lasery Biofyzikální ústav LF MU Elektromagnetické spektrum http://cs.wikipedia.org/wiki/soubor:elmgspektrum.png http://cs.wikipedia.org/wiki/ Soubor:Spectre.svg Bezkontaktní termografie 2 Součásti laseru

Více

VLASTNOSTI VLÁKEN. 3. Tepelné vlastnosti vláken

VLASTNOSTI VLÁKEN. 3. Tepelné vlastnosti vláken VLASNOSI VLÁKEN 3. epelné vlastnosti vláken 3.. Úvod epelné vlastnosti vláken jsou velice důležité, neboť jsou rozhodující pro volbu vhodných parametrů zpracování i použití vláken. Závisí na chemickém

Více

Chemie a fyzika pevných látek p2

Chemie a fyzika pevných látek p2 Chemie a fyzika pevných látek p2 difrakce rtg. záření na pevných látkch, reciproká mřížka Doporučená literatura: Doc. Michal Hušák dr. Ing. B. Kratochvíl, L. Jenšovský - Úvod do krystalochemie Kratochvíl

Více

Uhlíkové struktury vázající ionty těžkých kovů

Uhlíkové struktury vázající ionty těžkých kovů Uhlíkové struktury vázající ionty těžkých kovů 7. června/june 2013 9:30 h 17:30 h Laboratoř metalomiky a nanotechnologií, Mendelova univerzita v Brně a Středoevropský technologický institut Budova D, Zemědělská

Více

Lasery optické rezonátory

Lasery optické rezonátory Lasery optické rezonátory Optické rezonátory Optickým rezonátorem se rozumí dutina obklopená odrazovými plochami, v níž je pasivní dielektrické prostředí. Rezonátor je nezbytnou součástí laseru, protože

Více

Fyzikální chemie. Magda Škvorová KFCH CN463 magda.skvorova@ujep.cz, tel. 3302. 14. února 2013

Fyzikální chemie. Magda Škvorová KFCH CN463 magda.skvorova@ujep.cz, tel. 3302. 14. února 2013 Fyzikální chemie Magda Škvorová KFCH CN463 magda.skvorova@ujep.cz, tel. 3302 14. února 2013 Co je fyzikální chemie? Co je fyzikální chemie? makroskopický přístup: (klasická) termodynamika nerovnovážná

Více

MATERIÁLY PRO ELEKTROTECHNIKU

MATERIÁLY PRO ELEKTROTECHNIKU Vysoká škola báňská Technická univerzita Ostrava MATERIÁLY PRO ELEKTROTECHNIKU učební text Jaromír Drápala Ostrava 2013 ` Recenze: Ing. Dušan Nohavica, CSc. Název: Materiály pro elektrotechniku Autor:

Více

Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice 2 Číslo úlohy : 1

Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice 2 Číslo úlohy : 1 Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice Číslo úlohy : 1 Název úlohy : Vypracoval : ročník : 3 skupina : F-Zt Vnější podmínky měření : měřeno dne : 3.. 004 teplota : C tlak

Více

Chování látek v nanorozměrech

Chování látek v nanorozměrech Univerzita J.E. Purkyně v Ústí nad Labem Chování látek v nanorozměrech Pavla Čapková Přírodovědecká fakulta Univerzita J.E. Purkyně v Ústí nad Labem Březen 2014 Chování látek v nanorozměrech: Co se děje

Více

ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ

ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ Katedra technologií a měření DIPLOMOVÁ PRÁCE Optické vlastnosti dielektrických tenkých vrstev Bc. Martin Malán 214 Abstrakt Předkládaná diplomová

Více

VLNOVÁ OPTIKA. Mgr. Jan Ptáčník - GJVJ - Fyzika - Optika - 3. ročník

VLNOVÁ OPTIKA. Mgr. Jan Ptáčník - GJVJ - Fyzika - Optika - 3. ročník VLNOVÁ OPTIKA Mgr. Jan Ptáčník - GJVJ - Fyzika - Optika - 3. ročník Vlnová optika Světlo lze chápat také jako elektromagnetické vlnění. Průkopníkem této teorie byl Christian Huyghens. Některé jevy se dají

Více

REAKTIVNÍ MAGNETRONOVÉ NAPRAŠOV. Jan VALTER HVM Plasma s.r.o. www.hvm.cz

REAKTIVNÍ MAGNETRONOVÉ NAPRAŠOV. Jan VALTER HVM Plasma s.r.o. www.hvm.cz REAKTIVNÍ MAGNETRONOVÉ NAPRAŠOV OVÁNÍ Jan VALTER SCHEMA REAKTIVNÍHO NAPRAŠOV OVÁNÍ zdroj výboje katoda odprašovaný terč plasma inertní napouštění plynů reaktivní zdroj předpětí p o v l a k o v a n é s

Více

Úloha č. 8 Vlastnosti optických vláken a optické senzory

Úloha č. 8 Vlastnosti optických vláken a optické senzory Úloha č. 8 Vlastnosti optických vláken a optické senzory Optické vlákna patří k nejmodernějším přenosovým médiím. Jejich vysoká přenosová kapacita a nízký útlum jsou hlavní výhody, které je staví před

Více

- zabývá se pozorováním a zkoumáním vnitřní stavby neboli struktury (slohu) kovů a slitin

- zabývá se pozorováním a zkoumáním vnitřní stavby neboli struktury (slohu) kovů a slitin 2. Metalografie - zabývá se pozorováním a zkoumáním vnitřní stavby neboli struktury (slohu) kovů a slitin Vnitřní stavba kovů a slitin ATOM protony, neutrony v jádře elektrony v obalu atomu ve vrstvách

Více

- Rayleighův rozptyl turbidimetrie, nefelometrie - Ramanův rozptyl. - fluorescence - fosforescence

- Rayleighův rozptyl turbidimetrie, nefelometrie - Ramanův rozptyl. - fluorescence - fosforescence ROZPTYLOVÉ a EMISNÍ metody - Rayleighův rozptyl turbidimetrie, nefelometrie - Ramanův rozptyl - fluorescence - fosforescence Ramanova spektroskopie Každá čára Ramanova spektra je svými vlastnostmi závislá

Více

Úloha 1: Vypočtěte hustotu uhlíku (diamant), křemíku, germania a α-sn (šedý cín) z mřížkové konstanty a hmotnosti jednoho atomu.

Úloha 1: Vypočtěte hustotu uhlíku (diamant), křemíku, germania a α-sn (šedý cín) z mřížkové konstanty a hmotnosti jednoho atomu. Úloha : Vypočtěte hustotu uhlíku (diamant), křemíku, germania a α-sn (šedý cín) z mřížkové konstanty a hmotnosti jednoho atomu. Všechny zadané prvky mají krystalovou strukturu kub. diamantu. (http://en.wikipedia.org/wiki/diamond_cubic),

Více

23.2., 9.3., 23.3., 13.4., 27.4.; 18.5. ZK

23.2., 9.3., 23.3., 13.4., 27.4.; 18.5. ZK POLOVODIČOVÉ nanotechnologie 12PN, ve FZÚ AV ČR, v. v. i., Cukrovarnická 10, letní sem. od 16.2. 2015, pondělí (14:30) (18:00) 23.2., 9.3., 23.3., 13.4., 27.4.; 18.5. ZK Eduard Hulicius hulicius@fzu.cz

Více

Středoškolská odborná činnost 2005/2006. Kvantové tečky

Středoškolská odborná činnost 2005/2006. Kvantové tečky Středoškolská odborná činnost 2005/2006 Obor 02 fyzika Kvantové tečky Autor: Adam Janečka Mendelovo gymnázium, Opava, příspěvková org. Komenského 5, 746 01 Opava, 4. ročník Konzultant práce: Ing. Jiří

Více

C Mapy Kikuchiho linií 263. D Bodové difraktogramy 271. E Počítačové simulace pomocí programu JEMS 281. F Literatura pro další studium 289

C Mapy Kikuchiho linií 263. D Bodové difraktogramy 271. E Počítačové simulace pomocí programu JEMS 281. F Literatura pro další studium 289 OBSAH Předmluva 5 1 Popis mikroskopu 13 1.1 Transmisní elektronový mikroskop 13 1.2 Rastrovací transmisní elektronový mikroskop 14 1.3 Vakuový systém 15 1.3.1 Rotační vývěvy 16 1.3.2 Difúzni vývěva 17

Více

Ideální krystalová mřížka periodický potenciál v krystalu. pásová struktura polovodiče

Ideální krystalová mřížka periodický potenciál v krystalu. pásová struktura polovodiče Cvičení 3 Ideální krystalová mřížka periodický potenciál v krystalu Aplikace kvantové mechaniky pásová struktura polovodiče Nosiče náboje v polovodiči hustota stavů obsazovací funkce, Fermiho hladina koncentrace

Více

METODY CHARAKTERIZACE POLOVODIVÝCH TERMOELEKTRICKÝCH MATERIÁLŮ

METODY CHARAKTERIZACE POLOVODIVÝCH TERMOELEKTRICKÝCH MATERIÁLŮ METODY CHARAKTERIZACE POLOVODIVÝCH TERMOELEKTRICKÝCH MATERIÁLŮ J. KAŠPAROVÁ, Č. DRAŠAR Fakulta chemicko - technologická, Univerzita Pardubice, Studentská 573, 532 10 Pardubice, CZ, e-mail:jana.kasparova@upce.cz

Více

Energie v chemických reakcích

Energie v chemických reakcích Energie v chemických reakcích Energetická bilance reakce CH 4 + Cl 2 = CH 3 Cl + HCl rozštěpení vazeb vznik nových vazeb V chemických reakcích dochází ke změně vazeb mezi atomy. Vazebná energie uvolnění

Více

VODIVOST x REZISTIVITA

VODIVOST x REZISTIVITA VODIVOST x REZISTIVITA Ohmův v zákon: z U = I.R = ρ.l.i / S napětí je přímo úměrné proudu, který vodičem prochází drát délky l a průřezu S, mezi jehož konci je napětí U ρ převrácená hodnota měrné ele.

Více

Chemie - 3. ročník. přesahy, vazby, mezipředmětové vztahy průřezová témata. očekávané výstupy RVP. témata / učivo. očekávané výstupy ŠVP.

Chemie - 3. ročník. přesahy, vazby, mezipředmětové vztahy průřezová témata. očekávané výstupy RVP. témata / učivo. očekávané výstupy ŠVP. očekávané výstupy RVP témata / učivo Chemie - 3. ročník Žák: očekávané výstupy ŠVP přesahy, vazby, mezipředmětové vztahy průřezová témata 1.1., 1.2., 1.3., 1.4., 2.1. 1. Látky přírodní nebo syntetické

Více

Úvod. Povrchové vlastnosti jako jsou koroze, oxidace, tření, únava, abraze jsou často vylepšovány různými technologiemi povrchového inženýrství.

Úvod. Povrchové vlastnosti jako jsou koroze, oxidace, tření, únava, abraze jsou často vylepšovány různými technologiemi povrchového inženýrství. Laserové kalení Úvod Povrchové vlastnosti jako jsou koroze, oxidace, tření, únava, abraze jsou často vylepšovány různými technologiemi povrchového inženýrství. poslední době se začínají komerčně prosazovat

Více

PSK1-14. Optické zdroje a detektory. Bohrův model atomu. Vyšší odborná škola a Střední průmyslová škola, Božetěchova 3 Ing. Marek Nožka.

PSK1-14. Optické zdroje a detektory. Bohrův model atomu. Vyšší odborná škola a Střední průmyslová škola, Božetěchova 3 Ing. Marek Nožka. PSK1-14 Název školy: Autor: Anotace: Vyšší odborná škola a Střední průmyslová škola, Božetěchova 3 Ing. Marek Nožka Optické zdroje a detektory Vzdělávací oblast: Informační a komunikační technologie Předmět:

Více

Vícefázové reaktory. Probublávaný reaktor plyn kapalina katalyzátor. Zuzana Tomešová

Vícefázové reaktory. Probublávaný reaktor plyn kapalina katalyzátor. Zuzana Tomešová Vícefázové reaktory Probublávaný reaktor plyn kapalina katalyzátor Zuzana Tomešová 2008 Probublávaný reaktor plyn - kapalina - katalyzátor Hydrogenace méně těkavých látek za vyššího tlaku Kolony naplněné

Více

PRINCIP MĚŘENÍ TEPLOTY spočívá v porovnání teploty daného tělesa s definovanou stupnicí.

PRINCIP MĚŘENÍ TEPLOTY spočívá v porovnání teploty daného tělesa s definovanou stupnicí. 1 SENZORY TEPLOTY TEPLOTA je jednou z nejdůležitějších veličin ovlivňujících téměř všechny stavy a procesy v přírodě Ke stanovení teploty se využívá závislosti určitých fyzikálních veličin na teplotě (A

Více

Sklářské a bižuterní materiály 2005/06

Sklářské a bižuterní materiály 2005/06 Sklářské a bižuterní materiály 005/06 Cvičení 4 Výpočet parametru Y z hmotnostních a molárních % Vlastnosti skla a skloviny Viskozita. Viskozitní křivka. Výpočet pomocí Vogel-Fulcher-Tammannovy rovnice.

Více

Číslo materiálu Předmět ročník Téma hodiny Ověřený materiál Program

Číslo materiálu Předmět ročník Téma hodiny Ověřený materiál Program Číslo materiálu Předmět ročník Téma hodiny Ověřený materiál Program 1 VY_32_INOVACE_01_13 fyzika 6. Elektrické vlastnosti těles Výklad učiva PowerPoint 6 4 2 VY_32_INOVACE_01_14 fyzika 6. Atom Výklad učiva

Více

Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna

Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Tato otázka přepokládá znalost otázky č. - polovodiče. Doporučuji ujasnit

Více

Návod pro laboratorní úlohu: Komerční senzory plynů a jejich testování

Návod pro laboratorní úlohu: Komerční senzory plynů a jejich testování Návod pro laboratorní úlohu: Komerční senzory plynů a jejich testování Úkol měření: 1) Proměřte závislost citlivosti senzoru TGS na koncentraci vodíku 2) Porovnejte vaši citlivostní charakteristiku s charakteristikou

Více

λ, (20.1) 3.10-6 infračervené záření ultrafialové γ a kosmické mikrovlny

λ, (20.1) 3.10-6 infračervené záření ultrafialové γ a kosmické mikrovlny Elektromagnetické vlny Optika, část fyziky zabývající se světlem, patří spolu s mechanikou k nejstarším fyzikálním oborům. Podle jedné ze starověkých teorií je světlo vyzařováno z oka a oko si jím ohmatává

Více

Optoelektronické polovodičové součástky

Optoelektronické polovodičové součástky Optoelektronické polovodičové součástky směr převodu energie optická na elektrickou elektrická na optickou solární články fotodetektory LED LASER Mechanizmy absorpce a emise fotonů mezipásové přechody

Více

Chemie. Mgr. Petra Drápelová Mgr. Jaroslava Vrbková. Gymnázium, SOŠ a VOŠ Ledeč nad Sázavou

Chemie. Mgr. Petra Drápelová Mgr. Jaroslava Vrbková. Gymnázium, SOŠ a VOŠ Ledeč nad Sázavou Chemie Mgr. Petra Drápelová Mgr. Jaroslava Vrbková Gymnázium, SOŠ a VOŠ Ledeč nad Sázavou Složení látek VY_32_INOVACE_03_3_02_CH Gymnázium, SOŠ a VOŠ Ledeč nad Sázavou SLOŽENÍ LÁTEK Fyzikálním kritériem

Více

Vazby v pevných látkách

Vazby v pevných látkách Vazby v pevných látkách Hlavní body 1. Tvorba pevných látek 2. Van der Waalsova vazba elektrostatická interakce indukovaných dipólů 3. Iontová vazba elektrostatická interakce iontů 4. Kovalentní vazba

Více

Charakteristiky optoelektronických součástek

Charakteristiky optoelektronických součástek FYZIKÁLNÍ PRAKTIKUM Ústav fyziky FEKT VUT BRNO Spolupracoval Jan Floryček Jméno a příjmení Jakub Dvořák Ročník 1 Měřeno dne Předn.sk.-Obor BIA 27.2.2007 Stud.skup. 13 Odevzdáno dne Příprava Opravy Učitel

Více

Monika Fialová VAKUOVÁ FYZIKA II. ZÍSKÁVÁNÍ NÍZKÝCH TLAKŮ

Monika Fialová VAKUOVÁ FYZIKA II. ZÍSKÁVÁNÍ NÍZKÝCH TLAKŮ Monika Fialová VAKUOVÁ FYZIKA II. ZÍSKÁVÁNÍ NÍZKÝCH TLAKŮ CHARAKTERISTIKY VÝVĚV vývěva = zařízení snižující tlak plynu v uzavřeném objemu parametry: mezní tlak čerpací rychlost pracovní tlak výstupní tlak

Více

Nabídkový list spolupráce 2014

Nabídkový list spolupráce 2014 Nabídkový list spolupráce 2014 Fyzikální ústav AV ČR v Praze Centrum pro inovace a transfer technologií www.citt.cz 2014 Kontaktní osoba prof. Jan Řídký, DrSc. e-mail: ridky@fzu.cz citt@fzu.cz tel: 266

Více

Fázové diagramy a krystalizace slitin

Fázové diagramy a krystalizace slitin Fázové diagramy a krystalizace slitin KRYSTALICKÁ STAVBA KOVOVÝCH SLITIN Základní pojmy Izotropní látka má ve všech krystalografických směrech stejné vlastnosti (plyn, kapalina). Anizotropní látka má v

Více

Fotovoltaické systémy

Fotovoltaické systémy Fotovoltaické systémy Prof. Ing. Vitězslav Benda, CSc ČVUT Praha, Fakulta elektrotechnická katedra elektrotechnologie 1000 W/m 2 Na zemský povrch dopadá část záření pod úhlem ϕ 1 6 MWh/m 2 W ( ϕ) = W0

Více

Ultrazvuková defektoskopie. Vypracoval Jan Janský

Ultrazvuková defektoskopie. Vypracoval Jan Janský Ultrazvuková defektoskopie Vypracoval Jan Janský Základní principy použití vysokých akustických frekvencí pro zjištění vlastností máteriálu a vad typické zařízení: generátor/přijímač pulsů snímač zobrazovací

Více

STUDIUM POVRCHŮ A ROZHRANÍ. Pavel Svoboda, Tomáš Jungwirth. Čs. čas. fyz. 53 /2003/

STUDIUM POVRCHŮ A ROZHRANÍ. Pavel Svoboda, Tomáš Jungwirth. Čs. čas. fyz. 53 /2003/ InAs v GaAs. U obou systémů se předpokládá aplikace pro optoelektronické součástky s velkou účinností do vysokých teplot. Tyto systémy jsou připravovány metodou MOVPE v oddělení polovodičů a proto máme

Více

Mgr. Ladislav Blahuta

Mgr. Ladislav Blahuta Mgr. Ladislav Blahuta Střední škola, Havířov-Šumbark, Sýkorova 1/613, příspěvková organizace Tento výukový materiál byl zpracován v rámci akce EU peníze středním školám - OP VK 1.5. Výuková sada ZÁKLADNÍ

Více

Oddělení fyziky vrstev a povrchů makromolekulárních struktur

Oddělení fyziky vrstev a povrchů makromolekulárních struktur Oddělení fyziky vrstev a povrchů makromolekulárních struktur Témata diplomových prací 2014/2015 Studium změn elektrické vodivosti emeraldinových solí vystavených pokojovým a mírně zvýšeným teplotám klíčová

Více

ČESKÉ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V PRAZE Fakulta biomedicínského inženýrství. Teplotní vlastnosti

ČESKÉ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V PRAZE Fakulta biomedicínského inženýrství. Teplotní vlastnosti ČESKÉ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V PRAZE Fakulta biomedicínského inženýrství Teplotní vlastnosti Student: Ondřej Rozinek květen 2009 1 Teplotní vlastnosti Vlastnosti materiálu závisí na skupenství. Skupenství

Více

10. Energie a její transformace

10. Energie a její transformace 10. Energie a její transformace Energie je nejdůležitější vlastností hmoty a záření. Je obsažena v každém kousku hmoty i ve světelném paprsku. Je ve vesmíru a všude kolem nás. S energií se setkáváme na

Více

FYZIKA VE FIRMĚ HVM PLASMA

FYZIKA VE FIRMĚ HVM PLASMA FYZIKA VE FIRMĚ HVM PLASMA Jiří Vyskočil HVM Plasma spol.s r.o. Na Hutmance 2, 158 00 Praha 5 OBSAH HVM PLASMA spol. s r.o. zaměření a historie firmy hlavní činnost a produkty POVRCHOVÉ TECHNOLOGIE metody

Více

VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH

VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH Jan Hruška TV-FYZ Ahoj, tak jsme tady znovu a pokusíme se Vám vysvětlit problematiku vedení elektrického proudu v látkách. Co je to vlastně elektrický proud? Na to

Více

Elektřina: Elektrostatika: Elektrostatika: Elektrostatika: Analogie elektřiny s mechanikou: Elektrostatika: Souvislost a analogie s mechanikou.

Elektřina: Elektrostatika: Elektrostatika: Elektrostatika: Analogie elektřiny s mechanikou: Elektrostatika: Souvislost a analogie s mechanikou. Elektřina pro bakalářské obory Elektron ( v antice ) =?? Petr Heřman Ústav biofyziky, K.LF Elektron ( v antice ) = jantar Jak souvisí jantar s elektřinou?? Jak souvisí jantar s elektřinou: Mechanické působení

Více

Uhlík a jeho alotropy

Uhlík a jeho alotropy Uhlík Uhlík a jeho alotropy V přírodě se uhlík nachází zejména v karbonátových usazeninách, naftě, uhlí, a to jako směs grafitu a amorfní formy C. Rozeznáváme dvě základní krystalické formy uhlíku: a)

Více

MODERNÍ METODY CHEMICKÉ FYZIKY I lasery a jejich použití v chemické fyzice Přednáška 5

MODERNÍ METODY CHEMICKÉ FYZIKY I lasery a jejich použití v chemické fyzice Přednáška 5 MODERNÍ METODY CHEMICKÉ FYZIKY I lasery a jejich použití v chemické fyzice Přednáška 5 Ondřej Votava J. Heyrovský Institute of Physical Chemistry AS ČR Opakování z minula Light Amplifier by Stimulated

Více

R10 F Y Z I K A M I K R O S V Ě T A. R10.1 Fotovoltaika

R10 F Y Z I K A M I K R O S V Ě T A. R10.1 Fotovoltaika Fyzika pro střední školy II 84 R10 F Y Z I K A M I K R O S V Ě T A R10.1 Fotovoltaika Sluneční záření je spojeno s přenosem značné energie na povrch Země. Její velikost je dána sluneční neboli solární

Více

Látkové množství. 6,022 10 23 atomů C. Přípravný kurz Chemie 07. n = N. Doporučená literatura. Látkové množství n. Avogadrova konstanta N A

Látkové množství. 6,022 10 23 atomů C. Přípravný kurz Chemie 07. n = N. Doporučená literatura. Látkové množství n. Avogadrova konstanta N A Doporučená literatura Přípravný kurz Chemie 2006/07 07 RNDr. Josef Tomandl, Ph.D. Mailto: tomandl@med.muni.cz Předmět: Přípravný kurz chemie J. Vacík a kol.: Přehled středoškolské chemie. SPN, Praha 1990,

Více

Úvod Vlastnosti materiálů a pojmy, které byste měli znát

Úvod Vlastnosti materiálů a pojmy, které byste měli znát Úvod Vlastnosti materiálů a pojmy, které byste měli znát Co je to materiál? Definice hmota, která splňuje svými vlastnostmi nároky na spolehlivou funkci a požadovanou životnost. Jaké znáte příklady? Ve

Více

Elektřina. Elektrostatika: Elektrostatika: Elektrostatika: Analogie elektřiny s mechanikou: Elektrostatika: Souvislost a analogie s mechanikou.

Elektřina. Elektrostatika: Elektrostatika: Elektrostatika: Analogie elektřiny s mechanikou: Elektrostatika: Souvislost a analogie s mechanikou. Elektrostatika: Elektřina pro bakalářské obory Souvislost a analogie s mechanikou. Elektron ( v antice ) =?? Petr Heřman Ústav biofyziky, UK.LF Elektrostatika: Souvislost a analogie s mechanikou. Elektron

Více