TENKÉ VRSTVY. 1. Modifikací povrchu materiálu (teplem, okysličením, laserem,.. 2. Depozicí (nanášením)
|
|
- Jarmila Kučerová
- před 7 lety
- Počet zobrazení:
Transkript
1 TENKÉ VRSTVY Lze připravit : 1. Modifikací povrchu materiálu (teplem, okysličením, laserem,.. 2. Depozicí (nanášením) Metody fyzikální (Physical Vapor Deposition PVD) Metody chemické (Chemical Vapor Deposition- CVD) většinou rozkladem kapalin nebo plynů buď za vysokých teplot pyrolýzou, nebo např. fotodisociací Metody fyzikálně chemické (Plasma Enhanced CVD PECVD, plasma assisted CVD PACVD) většinou založené na doutnavém výboji a reaktivním naprašování)
2 PVD Napařování (termické, vakuové,...) Naprašování (diodové naprašování, magnetronové naprašování, ECR Electron cyclotron resonance- elektronová cyklotronová rezonance, supersonická tryska, ) Iontové plátování Plasmový nástřik Laserová depozice ECR CVD PA CVD Plasmochemický reaktor se supersonickou tryskou Laser CVD
3 Přehled a klasifikace TV depozičních technologií (modifikováno podle K.K. Schuegraf : Handbook of Thin Film.) NAPAŘOVACÍ METODY- PVD Vakuové napařování konvenční vakuové napařování napařování elektronovým svazkem pulsní laserová depozice molekulární epitaxe (molecular beam epitaxy MBE) reaktivní napařování
4 PROCESY V DOUTNAVÉM VÝBOJI - PVD (Glow- Discharge Processes) Naprašování (sputtering) - diodové naprašování (diode sputtering) - reaktivní naprašování (reactive sputtering) - naprašováni s předpětím (bias sputtering) - magnetronové naprašování - depozice iontovým svazkem (ion beam sputtering) - reaktivní plátování (reactive ion plating) - depozice svazky klusterů (cluster beam sputtering CBS)
5 Plazmové procesy - plasmou stimulované CVD (plasma enhanced CVD) - plazmová oxidace (plasma oxidation) - plasma anodization - plasma polymerization - plazmová nitridace (plasma nitridation) - plasma reduction - mikrovlnné ECR CVD (microwave ECR plasma CVD) - depozice katodovým obloukem (cathodic arc deposition) - RF supersonická tryska (RF supersonic plasma jet)
6 CVD - CHEMICKÉ PROCESY Z PLYNNÉ FÁZE (Gas- phase Chemical Processes) Chemická depozice z plynné fáze (CVD) - CVD epitaxe - atmosférické CVD (atmospheric pressure CVD) - nízkotlaké CVD (low- pressure CVD) - metaloorganické CVD (metalorganic CVD) - foto- stimulované CVD (photo enhanced CVD) - laser CVD (laser induced CVD) - elektronově stimulované CVD (electron enhanced CVD) Tepelné procesy (thermal forming processes) - tepelná oxidace (thermal oxidation) - tepelná nitridace (thermal nitridation) - tepelná polymerizace (thermal polymerisation)
7 CHEMICKÉ TECHNIKY KAPALNÉ FÁZE (liquid- phase chemical technique) Elektro- procesy (electro- processes) - elektroplátování (electroplating) - bezelektrodové plátování (electroless plating) - elektrolytická anodizace (electrolytic anodisation) - chemical reduction plating - chemical displacement plating - electrophoretic deposition Mechanické techniky (mechanical techniques) - spray pyrolysis - spray- on techniques - spin- on techniques - liquid phase epitaxi (epitaxe z kapalné fáze)
8 Kriteria pro výběr depozičních technologií TV : 1. Aplikační hledisko 2. Materiálové charakteristiky 3. Vhodná technologie přípravy 4. Depoziční zařízení
9 1. Aplikační hledisko Elektronické komponenty- nejrozšířenější je výroba pevnolátkových komponentů a integrovaných obvodů pro mikroelektroniku. Patří sem polovodičové materiály, dielektrické a izolační materiály, kovové a nebo odrazné vodivé vrstvy na bázi kovsilicidy. Elektronické displeje jsou používány různé komponenty a struktury jako displeje z tekutých krystalů svítivé diody LED elektroluminiscenční displeje plazmové a fluorescenční displeje elektrochromické displeje Pro tyto účely je třeba vyrobit vrstvy které jsou mají následující vlastnosti nebo kombinaci vlastností : jsou vodivé, vykazují luminiscenci nebo fluorescenci, jsou dielektrické, izolační, transparentní, Optické vrstvy- optické pokrytí je používáno pro antireflexní ochranu, pro interferenční filmy na solárních panelech, pro IČ solární reflektory, a pro laserovou optiku. Jsou vyžadovány dielektrické materiály s přesně definovaným indexem lomu a koeficientem absorpce. Laserová optika vyžaduje kovové odrazné pokrytí schopné odolávat bez degradace vysokým intenzitám záření.
10 Magnetické vrstvy pro záznam dat vrstvy mají široké komerční využití (záznam dat v počítačích). Jako substráty jsou používány kovovy, sklo a plastické polymerní materiály. Depoziční proces musí umožňovat nanášet magnetické materiály s vysokým stupněm mechanické odolnosti. Optický záznam dat - pro záznamová media (kompaktní disky a paměti počítačů) jsou používány organické polymerní materiály pokrytá ochrannou vrstvou. Antistatické pokrytí pro ochranu před elektrostatickými výboji jsou používány vodivé a polovodivé materiály. Tvrdé ochranné vrstvy - jedná se o vrstvy karbidů, silicidů, nitridů a boridů jsou používánu pro zvýšení otěruvzdornosti povrchů kovových nástrojů, ložisek a částí strojních zařízení. Pozornost je věnována diamantupodobnému uhlíku vzhledem k jeho dobrým tepelným vlastnostem (odvod tepla), elektrickým izolačním schopnostem, tvrdosti a odolnosti k vysokým teplotám a vysokoenergetickému záření.
11 2. Materiálové charakteristiky Jsou ve většině případů rozhodujícím faktorem for výběr vhodné depoziční technologie. Většinou jsou vlastnosti tenkých vrstev odlišné od vlastností objemových materiálů. Vliv na to má velký povrch vrstev ve vztahu k objemu. Morfologie, struktura, fyzikální a chemické vlastnosti jsou rovněž jiné než u bulku. Velká plocha povrchu může vlastnosti drasticky ovlivnit díky kontaminaci, nukleárním charakteristikám, povrchové mobilitě, chemickým povrchovým reakcím, absorbovaným plynům, katalytickým vlivům, topografii povrchu, krystalografické orientaci a napětí ve vrstvě (vznikajícím mj. i díky rozdílným teplotním koeficientům podložky a vrstvy).
12 Hlavní fyzikální a chemické vlastnosti vrstev : i. Elektrické ii. Tepelné iii. Mechanické iv. Morfologie v. Optické vi. Magnetické vii. Chemické viii. Speciální (např. biokompatibilita)
13 i. Elektrické odpor vodivost dielektrická konstanta dielektrické ztráty stabilita pod napětím polarizace permitivita elektromigrace odolnost vůči záření
14 ii. Tepelné koeficient roztažnosti tepelná vodivost teplotní změna vlastností stabilita a drift vlastností těkavost a tenze par
15 iii. Mechanické vlastní, zbytkové a kompozitní pnutí anizotropie adheze tvrdost hustota odolnost vůči lomu tažnost tvrdost pružnost
16 iv. Morfologie krystalické nebo amorfní vrstvy strukturální defekty hustoty stejnoměrná tloušťka vrstvy mikrostruktura povrchová topografie krystalová orientace v. Optické index lomu absorpce dvojlom spektrální charakteristiky disperze
17 vi. Magnetické saturace hustoty toku koercitivní síla permeabilita vii. Chemické složení nečistoty reagování s podložkou a okolním prostředím termodynamická stabilita rychlost leptání odolnost vůči korozi a erozi toxicita hygroskopie karcinogenita stabilita
18 3. Vhodná technologie přípravy Je obrovská škála možných technologií které se liší aplikovanými fyzikálními a chemickými procesy a komerční dostupností. Každý vyvinutý depoziční technologický proces má obvykle své unikátní výhody a liší se od jiných. Každá technologie má rovněž svá omezení. Pro docílení optimálních žádaných vlastností vrstev je tedy nutné porozumět principům, výhodám a omezením technologických procesů. Tloušťka vrstvy- úzce souvisí s depoziční rychlostí. Ekonomické hledisko ve velké míře ovlivní výběr vhodné technologie. Tenké vrstvy mohou být silné 1 nm až několik mikrometrů, od monovrstev po tloušťky kdy materiál vykazuje bulkové vlastnosti. Velkou roli hraje hustota nežádoucích částic (droplets) důležité pro mikroelektroniku a multivrstvy. Rozsah tlaků pracovní atmosféry, vákuové požadavky. Velikost (cena) a tvar terčového materiálu (kontaminace při depozici a výrobě, homogenita vrstev, aj.). Terč (zdroj) může být pevnolátkový, kapalina nebo plyn.
19 Kontaminace vrstev závisí na čistotě zdrojovém materiálu, jakosti vakuového systému a rovněž na způsobu čištění podložky před depozicí. Některé depoziční technologie vyžadují hladinu nečistot menší než atomů/cm 2. Stabilita a reprodukovatelnost depozičního procesu je třeba znát podrobně faktory ovlivňující depoziční proces. Rovnoměrnost (uniformity) deponované vrstvy co do tloušťky a složení. Pro VLSI se vyžaduje max. odchylka 5%. Složité systémy, několik operací, integrita depozičního procesu, neovlivňování (ničení) již vytvořených struktur. Je třeba uvažovat teplotní, chemickou a metalurgickou kompatibilitu a dále funkční požadavky a omezení. Flexibilita možnost změny (depoziční konfigurace, procesu, uniformity, složení, aj.). Depozice na neplanární povrchy- uniformní vrstva na všech strukturálních detailech. Řada depozičních parametrů, které mají vliv na uniformitu a složení, může být monitorována in- situ (tlak, teplota, složení reakčních plynů, depoziční rychlost) monitorování v reálném čase.
20 Vysvětlení zkratek pro následující tabulky : IBAD - Atomic Layer Epitaxy (atomová epitaxe) ICBD Ion Beam Cluster Deposition (depozice iontovými klustry) PECVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (plazmochemická depozice) AMBE Accelerated Molecular Beam Epitaxy (molekulární epitaxe) IVD Ionized Vapor Deposition (depozice v ionizovaných parách) S Sputtering (naprašování) PLD Pulsed Laser Deposition (pulzní laserová depozice) IBD Ion Beam Deposition (depozice iontovým svazkem) ALE Atomic Layer Epitaxy (atomová epitaxe) CVD Chemical Vapor Deposition (chemická depozice z plynné fáze) LA CVD- Laser Assisted Chemical Vapor Deposition (laserem asistovaná CVD) MO CVD Metal Organic Chemivcal Vapor Deposition (metaloorganická CVD) MBE Molecular Beam Epitaxy (molekulární epitaxe) TE Thermal Evaporation (napařování) 4. Depoziční zařízení pro výzkum a vývoj prototypy tovární výroba
21 optimální energetický rozsah? IBAD ICBD, PECVD AMBE, IVD S PLD typická možná IBD ALE, CVD, LACVD, MOCVD, MBE, TE 0, energie deponovaných atomů [ev] Obr. Energetický rozsah deponovaných částic pro různé depoziční techniky (pevná čára běžně úpoužívané energie. Čerchovaná čára- max. a min. energie částic pro danou metodu. Stíněná část indikuje energetický rozsah toku atomů považovaný z hlediska růstu vrstvy za optimální
22 10000 PLD (okamžitá) CVD S TE ICBD IVD depoziční rychlost [Å/s] ,1 MBE AMBE ALE PLD S IBD IBAD 0, střední energie na deponovaný atom [ev] Obr. Diagram znázorňující oblasti rychlosti růstu vrstev a středních hodnot kinetických energií deponovaných částic
23 PLD ALL CVD S IBAD, IBD, ICBD, IVD, TE ALE, AMBE, MBE 1, , , tlak [Pa] S Obr. Oblast běžných tlaků jednotlivých metod
24 Tab. Základní parametry depozičních metod (vákuum UHV ~ 10-7 Pa, vakuum HV ~ 10-4 Pa) Metoda Kontrola teploty Rozsah energií [ev] Vákuum Možnost řízení vícesložkové depozice Depoziční rychlost [Å/s] Reaktivní plyn 1,3 Pa (10 mtorr) AMBE dobrá 0,1-100 UHV střední 3 ne ALE dobrá 0,1 UHV střední 1 ne CVD dobrá 0,1 HV střední 20 ano IBAD špatná 0, HV obtížná 10 ne IBD špatná UHV obtížná 0,1 ne ICBD dobrá 0,1-10 HV obtížná 10 ne IVD dobrá 0, HV obtížná 20 ne LACVD dobrá 0,1 HV střední 10 ano MOCVD dobrá 0,1 UHV střední 10 ano MBE dobrá 0,1 UHV střední 3 ne PECVD dobrá 0,1-500 HV střední 20 ano PLD dobrá HV snadná 10 ano S dobrá HV snadná 10 ne TE dobrá 0,1 HV obtížná 20 ne
25 Metoda Ep ita xe Hetero struktr. Vys. dep. rychl. Nízká tepl. podlož. Velká depon. plocha Pokryt í hran Adhez Nízké nákl. Snadná změna mater. Malá spotřeba mater. Problémy, omezení AMBE X X X X homog. povrchu ALE X X malá rychl. růstu CVD X X X X vys. tepl. podl. IBAD X X X příměsi, homog. IBD X X X X X X malá rychl. růstu a plocha ICBD X X X X X příměsi, reprod.. IVD X X X X X X příměsi LACVD X pouze vybr. obl. MOCVD X X X X X X vys. tepl. podl. MBE X X X vys. tepl. podl. PECVD X X X X X X homogenita PLD X X? X?? X X X X kapičky, malá plocha S X X X X X X příměsi TE X X X X příměsi Tab. Charakterizace depozičních technik z uživatelského hlediska
26 Tab. Srovnání nejběžnějších typů materiálů vytvořených depozičními metodami Metoda Tekuté kovy Kovy s nízk. vypař. tlakem Polovod iče Boridy Karbidy Nitridy Oxidy (1-2 složky) Oxidy (3-4 složky) Fluoridy Silicidy Sulfidy AMBE X X X ALE X X X X CVD X X X X X X IBAD X X X X X IBD X X X ICBD X IVD X X X LACVD X X X X MOCVD X X X X MBE X X X X PECVD X X X X PLD X X X X X X X X X X S T X X X X X X X X X X X X
Přehled metod depozice a povrchových
Kapitola 5 Přehled metod depozice a povrchových úprav Tabulka 5.1: První část přehledu technologií pro depozici tenkých vrstev. Klasifikované podle použitého procesu (napařování, MBE, máčení, CVD (chemical
VíceTenké vrstvy pro lékařství 1. Laserové vrstvy ( metody přípravy vrstev, laser, princip metody pulzní laserové depozice PLD, růst vrstev, )
Tenké vrstvy pro lékařství 1. Laserové vrstvy ( metody přípravy vrstev, laser, princip metody pulzní laserové depozice PLD, růst vrstev, ) 2. Vybrané vrstvy a aplikace - gradientní vrstvy, nanokrystalické
VícePlazmové metody Materiály a technologie přípravy M. Čada
Plazmové metody Existuje mnoho druhů výbojů v plynech. Ionizovaný plyn = elektrony + ionty + neutrály Depozice tenkých vrstev za pomocí plazmatu je jednou z nejpoužívanějších metod. Pomocí plazmatu lze
VíceVyužití plazmových metod ve strojírenství. Metody depozice povlaků a tenkých vrstev
Využití plazmových metod ve strojírenství Metody depozice povlaků a tenkých vrstev Metody depozice povlaků Využití plazmatu pro depozice (nanášení) povlaků a tenkých vrstev je moderní a stále častěji aplikovaná
VíceVakuové metody přípravy tenkých vrstev
Vakuové metody přípravy tenkých vrstev Metody vytváření tenkých vrstev Vakuové metody dnes nejužívanější CVD Chemical Vapour Deposition (PE CVD Plasma Enhanced CVD nebo PA CVD Plasma Assisted CVD) PVD
VíceDepozice tenkých vrstev I.
Depozice tenkých vrstev I. Naprašování Mgr. Tereza Schmidtová 15. dubna 2010 Aplikace Klasifikace Obecný přehled aplikací použití pro optické vlastnosti - laserová optika, zrcadla, reflexní a anti-reflexní
VíceNanokrystalické tenké filmy oxidu železitého pro solární štěpení vody
Nanokrystalické tenké filmy oxidu železitého pro solární štěpení vody J. Frydrych, L. Machala, M. Mašláň, J. Pechoušek, M. Heřmánek, I. Medřík, R. Procházka, D. Jančík, R. Zbořil, J. Tuček, J. Filip a
VíceLasery v mikroelektrotechnice. Soviš Jan Aplikovaná fyzika
Lasery v mikroelektrotechnice Soviš Jan Aplikovaná fyzika Obsah Úvod Laserové: žíhání rýhování (orýsování) dolaďování depozice tenkých vrstev dopování příměsí Úvod Vysoká hustota výkonu laseru změna struktury
Vícegalvanicky chemicky plazmatem ve vakuu Vrstvy ve vakuu MBE Vakuová fyzika 2 1 / 39
Vytváření vrstev galvanicky chemicky plazmatem ve vakuu Vrstvy ve vakuu povlakování MBE měření tloušt ky vrstvy během depozice Vakuová fyzika 2 1 / 39 Velmi stručná historie (více na www.svc.org) 1857
VíceIradiace tenké vrstvy ionty
Iradiace tenké vrstvy ionty Ve většině technologických aplikací dochází k depozici tenké vrstvy za nízké teploty > jsme v zóně I nebo T > vrstvá má sloupcovou strukturu, je porézní a hrubá. Ukazuje se,
VíceVybrané technologie povrchových úprav. Metody vytváření tenkých vrstev Doc. Ing. Karel Daďourek 2008
Vybrané technologie povrchových úprav Metody vytváření tenkých vrstev Doc. Ing. Karel Daďourek 2008 Metody vytváření tenkých vrstev Vakuové metody dnes nejužívanější CVD Chemical vapour deposition PE CVD
VíceAnotace přednášek LŠVT 2015 Česká vakuová společnost. Téma: Plazmové technologie a procesy. Hotel Racek, Úštěk, 1 4. června 2015
Anotace přednášek LŠVT 2015 Česká vakuová společnost Téma: Plazmové technologie a procesy Hotel Racek, Úštěk, 1 4. června 2015 1) Úvod do plasmochemie Lenka Zajíčková, Ústav fyzikální elektroniky, PřF
VícePlazmatické metody pro úpravu povrchů
Plazmatické metody pro úpravu povrchů Aleš Kolouch Technická Univerzita v Liberci Studentská 2 461 17 Liberec 1 Obsah 1. Plazma 2. Plazmové stříkání 3. Plazmové leptání 4. PVD 5. PECVD 6. Druhy reaktorů
VíceTECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ III.
TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ III. NANÁŠENÍ VRSTEV V mikroelektronice se nanáší tzv. tlusté a tenké vrstvy. a) Tlusté vrstvy: Používají se v hybridních integrovaných obvodech. Nanáší
VícePřednáška 8. Chemické metody a fyzikálně-chemické metody : princip CVD, metody dekompozice, PE CVD
Přednáška 8 Chemické metody a fyzikálně-chemické metody : princip CVD, metody dekompozice, PE CVD CVD Chemical Vapor Deposition Je chemický proces používaný k vytváření tenkých vrstev. Substrát je vystaven
VíceVakuová technika. Výroba tenkých vrstev vakuové naprašování
VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ Vakuová technika Výroba tenkých vrstev vakuové naprašování Tomáš Kahánek ID: 106518 Datum: 17.11.2010 Výroba tenkých vrstev
VíceTenká vrstva - aplikace
Poznámka: tyto materiály slouží pouze pro opakování STT žáků SPŠ Na Třebešíně, Praha 10; s platností do r. 2016 v návaznosti na platnost norem. Zákaz šíření a modifikace těchto materiálů. Děkuji Ing. D.
VíceTechnologie a vlastnosti tenkých vrstev, tenkovrstvé senzory
Vysoká škola chemicko-technologická v Praze Technologie a vlastnosti tenkých vrstev, tenkovrstvé senzory Technologie CVD, PVD, PECVD, MOVPE, MBE, coating technologie (spin-, spray-, dip-) Ondřej Ekrt Vymezení
VíceREAKTIVNÍ MAGNETRONOVÉ NAPRAŠOV. Jan VALTER HVM Plasma s.r.o. www.hvm.cz
REAKTIVNÍ MAGNETRONOVÉ NAPRAŠOV OVÁNÍ Jan VALTER SCHEMA REAKTIVNÍHO NAPRAŠOV OVÁNÍ zdroj výboje katoda odprašovaný terč plasma inertní napouštění plynů reaktivní zdroj předpětí p o v l a k o v a n é s
VíceANALÝZA POVLAKOVANÝCH POVRCHŮ ŘEZNÝCH NÁSTROJŮ
Středoškolská technika 2019 Setkání a prezentace prací středoškolských studentů na ČVUT ANALÝZA POVLAKOVANÝCH POVRCHŮ ŘEZNÝCH NÁSTROJŮ Jakub Chlaň, Matouš Hyk, Lukáš Procházka Střední škola elektrotechniky
VícePřednáška 3. Napařování : princip, rovnovážný tlak par, rychlost vypařování.
Přednáška 3 Napařování : princip, rovnovážný tlak par, rychlost vypařování. Realizace vypařovadel, směrovost vypařování, vypařování sloučenin a slitin, Vypařování elektronovým svazkem a MBE Napařování
VícePlazmová depozice tenkých vrstev oxidu zinečnatého
Plazmová depozice tenkých vrstev oxidu zinečnatého Bariérový pochodňový výboj za atmosférického tlaku Štěpán Kment Doc. Dr. Ing. Petr Klusoň Mgr. Zdeněk Hubička Ph.D. Obsah prezentace Úvod do problematiky
VíceFYZIKA VE FIRMĚ HVM PLASMA
FYZIKA VE FIRMĚ HVM PLASMA Jiří Vyskočil HVM Plasma spol.s r.o. Na Hutmance 2, 158 00 Praha 5 OBSAH HVM PLASMA spol. s r.o. zaměření a historie firmy hlavní činnost a produkty POVRCHOVÉ TECHNOLOGIE metody
VíceZákladní typy článků:
Základní typy článků: Články z krystalického Si c on ta c t a ntire fle c tio n c o a tin g Tenkovrstvé články N -ty p e P -ty p e Materiály a technologie pro fotovoltaické články Nové materiály Gratzel,
VíceZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ
ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ Katedra technologií a měření DIPLOMOVÁ PRÁCE Optické vlastnosti dielektrických tenkých vrstev Bc. Martin Malán 214 Abstrakt Předkládaná diplomová
VíceDOUTNAVÝ VÝBOJ. Další technologie využívající doutnavý výboj
DOUTNAVÝ VÝBOJ Další technologie využívající doutnavý výboj Plazma doutnavého výboje je využíváno v technologiích depozice povlaků nebo modifikace povrchů. Jedná se zejména o : - depozici povlaků magnetronovým
VíceChemické metody plynná fáze
Chemické metody plynná fáze Chemické reakce prekurzorů lze aktivovat i UV zářením PHCVD. Foton aktivuje molekuly nebo atomy, které pak vytvářejí volné radikály nesoucí hodně energie > ty pak rozbijí velké
VíceMetody depozice tenkých vrstev pomocí nízkoteplotního plazmatu
Jihočeská univerzita v Českých Budějovicích Pedagogická fakulta Katedra aplikované fyziky a techniky diplomová práce Metody depozice tenkých vrstev pomocí nízkoteplotního plazmatu Vypracoval: Martin Günzel
VíceFyzikální metody depozice KFY / P223
Fyzikální metody depozice KFY / P223 Obsah Vymezení pojmu tenkých vrstev, význam TV ve vědě a technice, přehled metod vytváření TV Růst tenkých vrstev: módy a fáze růstu TV, vliv parametrů procesu. Napařování
VíceTenké vrstvy. metody přípravy. hodnocení vlastností
Tenké vrstvy metody přípravy hodnocení vlastností 1 / 39 Depozice tenkých vrstev Depozice vrstev se provádí jako finální operace na hotovém již tepelně zpracovaném substrátu. Pro dobré adhezní vlastnosti
VíceFyzikální metody nanášení tenkých vrstev
Fyzikální metody nanášení tenkých vrstev Vakuové napařování Příprava tenkých vrstev kovů některých dielektrik polovodičů je možné vytvořit i epitaxní vrstvy (orientované vrstvy na krystalické podložce)
VíceMetody depozice povlaků - CVD
Procesy CVD, PA CVD, PE CVD Chemická metoda depozice vrstev CVD využívá pro depozici směs chemicky reaktivních plynů (např. CH 4, C 2 H 2, apod.) zahřátou na poměrně vysokou teplotu 900 1100 C. Reakční
VíceMikro a nanotribologie materiály, výroba a pohon MEMS
Tribologie Mikro a nanotribologie materiály, výroba a pohon MEMS vypracoval: Tomáš Píza Obsah - Co je to MEMS - Materiály pro MEMS - Výroba MEMS - Pohon MEMS Co to je MEMS - zkratka z anglických slov Micro-Electro-Mechanical-Systems
VíceTVORBA MOTIVŮ TENKOVRSTVÝMI METODAMI
VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ ÚSTAV ELEKTROTECHNOLOGIE FACULTY OF ELECTRICAL ENGINEERING AND COMMUNICATION DEPARTMENT OF
VíceDOUTNAVÝ VÝBOJ. Magnetronové naprašování
DOUTNAVÝ VÝBOJ Magnetronové naprašování Efektivním způsobem jak získat částice vhodné k růstu povlaku je nahrazení teploty používané u odpařování ekvivalentem energie dodané dopadem těžkéčástice přenosem
VíceTECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ II.
TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ II. 1. OXIDACE KŘEMÍKU Oxid křemíku SiO2 se během technologického procesu užívá k vytváření: a) Maskovacích vrstev b) Izolačních vrstev (izolují prvky
Vícevodič u něho dochází k transportu el. nabitých částic, který je nevratný, dochází ke vzniku proudu a disipaci energie
Chování polymerů v elektrickém a magnetickém poli vodič u něho dochází k transportu el. nabitých částic, který je nevratný, dochází ke vzniku proudu a disipaci energie dielektrikum, izolant, nevodič v
VíceTechnologie CMOS. Je to velmi malý svět. Technologie CMOS Lokální oxidace. Vytváření izolačních příkopů. Vytváření izolačních příkopů
Je to velmi malý svět Technologie CMOS Více než 2 000 000 tranzistorů v 45nm technologii může být integrováno na plochu tečky za větou. From The Oregonian, April 07, 2008 Jiří Jakovenko Struktury integrovaných
VíceOTĚRUVZDORNÉ POVRCHOVÉ ÚPRAVY. Jan Suchánek ČVUT FS, ÚST
OTĚRUVZDORNÉ POVRCHOVÉ ÚPRAVY Jan Suchánek ČVUT FS, ÚST Úvod Povrchové úpravy zlepšující tribologické charakteristiky kovových materiálů: A) Povrchové vrstvy a povlaky s vysokou tvrdostí pro podmínky adhezívního
VíceÚpravy brýlových čoček. LF MU Brno Brýlová technologie
Úpravy brýlových čoček LF MU Brno Brýlová technologie Struktura prezentace Rozdělení úprav brýlových čoček Tenké vrstvy Antireflexní vrstva Reflexní vrstva Hydrofobní vrstva Absorpční vrstva Tvrzení Fototropní
VíceTypy interakcí. Obsah přednášky
Co je to inteligentní a progresivní materiál - Jaderné analytické metody-využití iontových svazků v materiálové analýze Anna Macková Ústav jaderné fyziky AV ČR, Řež 250 68 Obsah přednášky fyzikální princip
VícePlazma v technologiích
Plazma v technologiích Mezi moderními strojírenskými technologiemi se stále častěji prosazují metody využívající různé formy plazmatu. Plazma je plynné prostředí skládající se z poměrně volných částic,
VíceSYSTÉM TENKÁ VRSTVA SUBSTRÁT V APLIKACI NA ŘEZNÝCH NÁSTROJÍCH
Západočeská univerzita v Plzni SYSTÉM TENKÁ VRSTVA SUBSTRÁT V APLIKACI NA ŘEZNÝCH NÁSTROJÍCH Antonín Kříž Univerzitní 22, 306 14 Plzeň, e-mail: kriz@kmm.zcu.cz Tento příspěvek vznikl na základě řešení
VíceMETODY OBRÁBĚNÍ. Dokončovací metody, nekonvenční metody, dělení mat.
METODY OBRÁBĚNÍ Dokončovací metody, nekonvenční metody, dělení mat. Dokončovací metody obrábění Dokončovací metody takové způsoby obrábění, kterými dosahujeme u výrobku přesného geometrického tvaru a jakosti
VíceFyzikální metody přípravy tenkých vrstev. Martin Kormunda
Fyzikální metody přípravy tenkých vrstev Co je to za techniky? Procesy vyváření tenkých vrstev fyzikálními metodami využívají procesy probíhající za nízkého tlaku k dosažení efektivního transportu částic
VíceMaturitní témata fyzika
Maturitní témata fyzika 1. Kinematika pohybů hmotného bodu - mechanický pohyb a jeho sledování, trajektorie, dráha - rychlost hmotného bodu - rovnoměrný pohyb - zrychlení hmotného bodu - rovnoměrně zrychlený
VíceFyzika, maturitní okruhy (profilová část), školní rok 2014/2015 Gymnázium INTEGRA BRNO
1. Jednotky a veličiny soustava SI odvozené jednotky násobky a díly jednotek skalární a vektorové fyzikální veličiny rozměrová analýza 2. Kinematika hmotného bodu základní pojmy kinematiky hmotného bodu
VíceVýstupní práce Materiály a technologie přípravy M. Čada
Výstupní práce Makroskopická veličina charakterizující povrch z pohledu elektronických vlastností. Je to míra vazby elektronu k pevné látce a hraje důležitou roli při procesech transportu nabitých částic
VíceChemické metody depozice z plynné fáze
Kapitola 7 Chemické metody depozice z plynné fáze Chemickými procesy v plynné fázi jsou metody vytváření tenkých vrstev s využitím čistě chemických procesů, jedná se o reakci plynné fáze nebo par na jedné
VíceOTĚRUVZDORNÉ POVLAKY VYTVÁŘENÉ METODAMI ŽÁROVÉHO NÁSTŘIKU
OTĚRUVZDORNÉ POVLAKY VYTVÁŘENÉ METODAMI ŽÁROVÉHO NÁSTŘIKU Ing. Alexander Sedláček S.A.F. Praha, spol. s r.o. 1. Úvod, princip 2. Přehled metod vytváření ochranných povlaků 3. Použití technologií žárového
VíceVÝROBKY PRÁŠKOVÉ METALURGIE
1 VÝROBKY PRÁŠKOVÉ METALURGIE Použití práškové metalurgie Prášková metalurgie umožňuje výrobu součástí z práškových směsí kovů navzájem neslévatelných (W-Cu, W-Ag), tj. v tekutém stavu nemísitelných nebo
VíceIONTOVÉ ZDROJE. Účel. Požadavky. Elektronové zdroje. Iontové zdroje. Princip:
Účel IONTOVÉ ZDROJE vyrobit svazek částic vytvarovat ho a dopravit do urychlovací komory předurychlit ho (10 kev) Požadavky intenzita svazku malá emitance svazku trvanlivost zdroje stabilita zdroje minimální
VíceNaprašování a napařování vodivých vrstev
ČESKÉ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V PRAZE Fakulta elektrotechnická Katedra elektrotechnologie Naprašování a napařování vodivých vrstev Sputtering and Vacuum Evaporation of Thin Film Layers Bakalářská práce
VíceChemické metody přípravy tenkých vrstev
Chemické metody přípravy tenkých vrstev verze 2013 Povrchové filmy monomolekulární Langmuirovy filmy PAL (povrchově aktivní látky) na polární kapalině (vodě), 0,205 nm 2 na 1 molekulu, tloušťka dána délkou
VíceTenké vrstvy. historie předdepoziční přípravy stripping
Tenké vrstvy historie předdepoziční přípravy stripping 1 HISTORIE TENKÝCH VRSTEV Historie depozice vrstev obloukovým odpařováním z katody sahá až do devatenáctého století. Pozorování pulzního a později
VíceDOUTNAVÝ VÝBOJ. 1. Vlastnosti doutnavého výboje 2. Aplikace v oboru plazmové nitridace
DOUTNAVÝ VÝBOJ 1. Vlastnosti doutnavého výboje 2. Aplikace v oboru plazmové nitridace Doutnavý výboj Připomeneme si voltampérovou charakteristiku výboje v plynech : Doutnavý výboj Připomeneme si, jaké
Více3.3 Výroba VBD a druhy povlaků
3.3 Výroba VBD a druhy povlaků 3.3.1 Výroba výměnných břitových destiček Slinuté karbidy Slinuté karbidy jsou materiály vytvořené pomocí práškové metalurgie. Skládají se z tvrdých částic: karbidu wolframu
VíceKatedra chemie FP TUL Chemické metody přípravy vrstev
Chemické metody přípravy vrstev Metoda sol-gel Historie nejstarší příprava silikagelu 1939 patent na výrobu antireflexních vrstev na fotografické čočky 60. léta studium vrstev SiO 2 a TiO 2 70. léta výroba
VíceZdroje optického záření
Metody optické spektroskopie v biofyzice Zdroje optického záření / 1 Zdroje optického záření tepelné výbojky polovodičové lasery synchrotronové záření Obvykle se charakterizují zářivostí (zářivý výkon
VíceDiagram Fe N a nitridy
Nitridace Diagram Fe N a nitridy Nitrid Fe 4 N s KPC mřížkou také γ fáze. Tvrdost 450 až 500 HV. Přítomnost uhlíku v oceli jeho výskyt silně omezuje. Nitrid Fe 2-3 N s HTU mřížkou, také εε fáze. Je stabilní
VíceAnalýza PIN-on-DISC. Ing. Jiří Hájek Dr. Ing. Antonín Kříž ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI
Analýza PIN-on-DISC Ing. Jiří Hájek Dr. Ing. Antonín Kříž ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI 1/18 TRIBOLOGICKÝ PROCES Tribological process Factors that influence the process: loading, loading type, movement
Víceruvzdorné povlaky endoprotéz Otěruvzdorn Obsah TRIBOLOGIE Otěruvzdorné povlaky endoprotéz Fakulta strojního inženýrství
Otěruvzdorn ruvzdorné povlaky endoprotéz Obsah Základní části endoprotéz Požadavky na materiály Materiály endoprotéz Keramické povlaky DLC povlaky MPC povlaky Metody vytváření povlaků Testy povlaků Závěr
VíceGas Discharges. Overview of Different Types. 14. listopadu 2011
Gas Discharges Overview of Different Types Jan Voráč ÚFE 14. listopadu 2011 Obrázky použité v této prezentaci jsou nestoudně ukradeny z internetu, z archivů pracovníků ÚFE MU, ze skript Základy fyziky
VíceCo je litografie? - technologický proces sloužící pro vytváření jemných struktur (obzvláště mikrostruktur a nanostruktur)
Co je litografie? - technologický proces sloužící pro vytváření jemných struktur (obzvláště mikrostruktur a nanostruktur) -přenesení dané struktury na povrch strukturovaného substrátu Princip - interakce
VíceTECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ I. APLIKACE LITOGRAFIE
TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ I. APLIKACE LITOGRAFIE Úvod Litografické technologie jsou požívány při výrobě integrovaných obvodů (IO). Výroba IO začíná definováním jeho funkce a
VíceKRYSTALY PRO VĚDU, VÝZKUM A ŠPIČKOVÉ TECHNOLOGIE
KRYSTALY PRO VĚDU, VÝZKUM A ŠPIČKOVÉ TECHNOLOGIE MONOKRYSTALICKÉ LUMINOFORY Řešení vyvinuté za podpory TAČR Projekt: TA04010135 LED SVĚTELNÉ ZDROJE Světlo v barvě přirozené pro lidské oko Luminofor Modré
VíceOchrana obalem před změnami teploty a úloha obalu při tepelných procesech v technologii potravin. Sdílení tepla sáláním. Balení pro mikrovlnný ohřev
Převod tepla obalem z potraviny do vnějšího prostředí a naopak Ochrana obalem před změnami teploty a úloha obalu při tepelných procesech v technologii potravin 1 Obecně tepelné procesy snaha o co nejmenší
VíceUniverzita Pardubice Fakulta chemicko-technologická Katedra polygrafie a fotofyziky
Univerzita Pardubice Fakulta chemicko-technologická Katedra polygrafie a fotofyziky Příprava a charakterizace tenkých vrstev Al2O3 Diplomová práce Autor práce: Bc. Milan Karhánek Vedoucí práce: prof. Ing.
VíceUniverzita Tomáše Bati ve Zlíně Fakulta technologická. Ing. Ondřej Hudeček Ing. Tomáš Sedláček, PhD.
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Fakulta technologická Ing. Ondřej Hudeček Ing. Tomáš Sedláček, PhD. 1 Obsah Úvod do problematiky Dostupná technologická zařízení Pracující v podtlaku Pracující při atmosférických
VíceFyzika pevných látek. doc. RNDr. Jan Voves, CSc. Fyzika pevných látek Virtual Labs OES 1 / 4
Garant předmětu: doc. RNDr. Jan Voves, CSc. voves@fel.cvut.cz Otevřené Elektronické Systémy Fyzika pevných látek Virtual Labs OES 1 / 4 Čím se zde bude zabývat? Obecné základy fyziky pevných látek Základy
VíceVytržení jednotlivých atomů, molekul či jejich shluků bombardováním terče (targetu) ionty s vysokou energií (~kev)
Naprašování: Vytržení jednotlivých atomů, molekul či jejich shluků bombardováním terče (targetu) ionty s vysokou energií (~kev) Po nárazu iont předává hybnost částicím terče, dojde k vytržení Depozice
VíceFyzikální vzdělávání. 1. ročník. Učební obor: Kuchař číšník Kadeřník. Implementace ICT do výuky č. CZ.1.07/1.1.02/02.0012 GG OP VK
Fyzikální vzdělávání 1. ročník Učební obor: Kuchař číšník Kadeřník 1 Elektřina a magnetismus - elektrický náboj tělesa, elektrická síla, elektrické pole, kapacita vodiče - elektrický proud v látkách, zákony
Více1.1.1 Hodnocení plechů s povlaky [13, 23]
1.1.1 Hodnocení plechů s povlaky [13, 23] Hodnocení povlakovaných plechů musí být komplexní a k určování vlastností základního materiálu přistupuje ještě hodnocení vlastností povlaku v závislosti na jeho
VícePRINCIPY ZAŘÍZENÍ PRO FYZIKÁLNÍ TECHNOLOGIE (FSI-TPZ-A)
PRINCIPY ZAŘÍZENÍ PRO FYZIKÁLNÍ TECHNOLOGIE (FSI-TPZ-A) GARANT PŘEDMĚTU: Prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (ÚFI) VYUČUJÍCÍ PŘEDMĚTU: Prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc., Ing. Stanislav Voborný, Ph.D. (ÚFI) JAZYK
VíceMetody analýzy povrchu
Metody analýzy povrchu Metody charakterizace nanomateriálů I RNDr. Věra Vodičková, PhD. Povrch pevné látky: Poslední monoatomární vrstva + absorbovaná monovrstva Ovlivňuje fyzikální vlastnosti (ukončení
VíceLasery optické rezonátory
Lasery optické rezonátory Optické rezonátory Optickým rezonátorem se rozumí dutina obklopená odrazovými plochami, v níž je pasivní dielektrické prostředí. Rezonátor je nezbytnou součástí laseru, protože
VíceVytváření tenkých speciálních vrstev metodou plazmochemické depozice z plynné fáze
Vytváření tenkých speciálních vrstev metodou plazmochemické depozice z plynné fáze Teoretické základy: Plazmochemická depozice z plynné fáze metoda PECVD Rozvoj plazmochemických metod vytváření tenkých
VíceVYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií Ústav mikroelektroniky
VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií Ústav mikroelektroniky Ing. Ondřej Hégr CHARAKTERIZACE NANOSTRUKTUR DEPONOVANÝCH VYSOKOFREKVENČNÍM MAGNETRONOVÝM NAPRAŠOVÁNÍM
VícePlazmové depozice povlaků. Plazmový nástřik Plasma Spraying
Plazmové depozice povlaků Plazmový nástřik Plasma Spraying Plazmový nástřik patří do kategorie žárových nástřiků. Žárový nástřik je částicový proces vytváření povlaků o tloušťce obvykle větší než 50 µm,
VíceF4160. Vakuová fyzika 1. () F / 23
F4160 Vakuová fyzika 1 Pavel Slavíček email: ps94@sci.muni.cz () F4160 1 / 23 Osnova: Úvod a historický vývoj Volné plyny statický stav plynů dynamický stav plynů Získávání vakua - vývěvy s transportem
VíceÚvod do laserové techniky KFE FJFI ČVUT Praha Michal Němec, 2014. Energie elektronů v atomech nabývá diskrétních hodnot energetické hladiny.
Polovodičové lasery Energie elektronů v atomech nabývá diskrétních hodnot energetické hladiny. Energetické hladiny tvoří pásy Nejvyšší zaplněný pás je valenční, nejbližší vyšší energetický pás dovolených
VíceELEKTRONICKÉ PRVKY TECHNOLOGIE VÝROBY POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ
ELEKTRONICKÉ PRVKY TECHNOLOGIE VÝROBY POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ Polovodič - prvek IV. skupiny, v elektronice nejčastěji křemík Si, vykazuje vysokou čistotu (10-10 ) a bezchybnou strukturu atomové mřížky v monokrystalu.
VíceÚvod do laserové techniky KFE FJFI ČVUT Praha Michal Němec, 2014. Plynové lasery. Plynové lasery většinou pracují v kontinuálním režimu.
Aktivní prostředí v plynné fázi. Plynové lasery Inverze populace hladin je vytvářena mezi energetickými hladinami některé ze složek plynu - atomy, ionty nebo molekuly atomární, iontové, molekulární lasery.
VíceTabulace učebního plánu. Vzdělávací obsah pro vyučovací předmět : Fyzika. Ročník: I.ročník - kvinta
Tabulace učebního plánu Vzdělávací obsah pro vyučovací předmět : Fyzika Ročník: I.ročník - kvinta Fyzikální veličiny a jejich měření Fyzikální veličiny a jejich měření Soustava fyzikálních veličin a jednotek
VíceMgr. Ladislav Blahuta
Mgr. Ladislav Blahuta Střední škola, Havířov-Šumbark, Sýkorova 1/613, příspěvková organizace Tento výukový materiál byl zpracován v rámci akce EU peníze středním školám - OP VK 1.5. Výuková sada ZÁKLADNÍ
VíceElektronová Mikroskopie SEM
Elektronová Mikroskopie SEM 26. listopadu 2012 Historie elektronové mikroskopie První TEM Ernst Ruska (1931) Nobelova cena za fyziku 1986 Historie elektronové mikroskopie První SEM Manfred von Ardenne
VíceVLIV ZPŮSOBŮ OHŘEVU NA TEPLOTNÍ DEGRADACI TENKÝCH OTĚRUVZDORNÝCH PVD VRSTEV ZJIŠŤOVANÝCH POMOCÍ VYBRANÝCH METOD
23. 25.11.2010, Jihlava, Česká republika VLIV ZPŮSOBŮ OHŘEVU NA TEPLOTNÍ DEGRADACI TENKÝCH OTĚRUVZDORNÝCH PVD VRSTEV ZJIŠŤOVANÝCH POMOCÍ VYBRANÝCH METOD Ing.Petr Beneš Ph.D. Doc.Dr.Ing. Antonín Kříž Katedra
VícePRINCIP MĚŘENÍ TEPLOTY spočívá v porovnání teploty daného tělesa s definovanou stupnicí.
1 SENZORY TEPLOTY TEPLOTA je jednou z nejdůležitějších veličin ovlivňujících téměř všechny stavy a procesy v přírodě Ke stanovení teploty se využívá závislosti určitých fyzikálních veličin na teplotě (A
VíceNano a mikrotechnologie v chemickém inženýrství. Hi-tech VYSOKÁ ŠKOLA CHEMICKO-TECHNOLOGICKÁ V PRAZE ÚSTAV CHEMICKÉHO INŽENÝRSTVÍ
Nano a mikrotechnologie v chemickém inženýrství Hi-tech VYSOKÁ ŠKOLA CHEMICKO-TECHNOLOGICKÁ V PRAZE ÚSTAV CHEMICKÉHO INŽENÝRSTVÍ Hi-tech Nano a mikro technologie v chemickém inženýrství umožňují: Samočisticí
VíceKatedra materiálu.
Katedra materiálu Vedoucí katedry: prof. Ing. Petr Louda, CSc. Zástupce vedoucího katedry: doc. Ing. Dora Kroisová, Ph.D. Tajemnice katedry: Ing. Daniela Odehnalová http://www.kmt.tul.cz/ EF TUL, Gaudeamus
Vícečlen švýcarské skupiny BCI
> úvod povlakování Tento katalog nabízí základní přehled tvrdých a kluzných vrstev deponovaných PVD technologiemi našeho povlakovacího centra na nástroje a strojní součástí včetně možností předúprav. V
Více6 Hybridní integrované obvody, tenkovrstvé a tlustovrstvé technologie a jejich využití
6 Hybridní integrované obvody, tenkovrstvé a tlustovrstvé technologie a jejich využití 6.1 Úvod Monolitické integrované obvody není výhodné pro některé aplikace, zejména pro přístroje s některými náročnějšími
VíceMASARYKOVA UNIVERZITA
MASARYKOVA UNIVERZITA Přírodovědecká fakulta Ústav fyzikální elektroniky BAKALÁŘSKÁ PRÁCE Plazmochemická depozice organosilikonových tenkých vrstev Václav Pekař Vedoucí bakalářské práce: Mgr. Lenka Zajíčková,
VíceVliv energie částic na vlastnosti vrstev Me-B-C-(N) připravených reaktivní magnetronovou depozicí
ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI FAKULTA APLIKOVANÝCH VĚD KATEDRA FYZIKY Vliv energie částic na vlastnosti vrstev Me-B-C-(N) připravených reaktivní magnetronovou depozicí Plzeň 2014 Veronika Šímová Prohlášení
VíceVzdělávání výzkumných pracovníků v Regionálním centru pokročilých technologií a materiálů reg. č.: CZ.1.07/2.3.00/09.0042
Vzdělávání výzkumných pracovníků v Regionálním centru pokročilých technologií a materiálů reg. č.: CZ.1.07/2.3.00/09.0042 Tento projekt je spolufinancován Evropským sociálním fondem a státním rozpočtem
VíceVAKUOVÁ TECHNIKA VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ. Semestrální projekt FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ
VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ VAKUOVÁ TECHNIKA Semestrální projekt Téma: Aplikace vakuového napařovaní v optice Vypracoval:
VíceElektrická zařízení III.ročník
Elektrická zařízení III.ročník (Ing. Jiří Hájek) Přehled témat a tématických celků, odpřednášených pro žáky SPŠE oboru Zařízení silnoproudé elektrotechniky v rámci předmětu Elektrická zařízení El. světlo
VíceVliv povlakování na životnost šneku VS. Kovařík Václav
Vliv povlakování na životnost šneku VS Kovařík Václav Bakalářská práce 2011 Příjmení a jméno:. Obor:. P R O H L Á Š E N Í Prohlašuji, že beru na vědomí, že odevzdáním diplomové/bakalářské práce souhlasím
VíceLaserové depoziční metody - obecná charakteristika
Laserové depoziční metody - obecná charakteristika Laserové odprašování zdrojového materiálu z tzv. targetu (terče), upraveného do zhutnělé formy (lisovaná či zmražená tableta) vhodné pro depozici. Laserové
VíceLasery. Biofyzikální ústav LF MU. Projekt FRVŠ 911/2013
Lasery Biofyzikální ústav LF MU Elektromagnetické spektrum http://cs.wikipedia.org/wiki/soubor:elmgspektrum.png http://cs.wikipedia.org/wiki/ Soubor:Spectre.svg Bezkontaktní termografie 2 Součásti laseru
Více