1. Vlastní a nevlastní vodivost 2. Pohyblivost volných nábojů 3.Přechod PN v monokrystalickém polovodiči přechod PN.

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Rozměr: px
Začít zobrazení ze stránky:

Download "1. Vlastní a nevlastní vodivost 2. Pohyblivost volných nábojů 3.Přechod PN v monokrystalickém polovodiči přechod PN."

Transkript

1 1. Vlastní a nevlastní vodivost vlastní vodivost - vzniká fononovou generací (pár elektron - díra) nevlastní vodivost - způsobená atomovými poruchami krystalové mříže, zejména substitučními poruchami nevlastní nedegenerovaný polovodič - kladný teplotní součinitel, tedy vodivost klesá, což je způsobeno větším kmitáním atomů kolem rovnovážné polohy,které snižuje pohyblivost nosičů náboje vlastní polovodič - záporný teplotní součinitel, tedy vodivost roste, což je způsobeno tím, že při větší teplotě je větší pravděpodobnost vzniku fononu. 2. Pohyblivost volných nábojů Vedení proudu v polovodičích se zakládá na dvou příčinách: - elektrické pole způsobuje driftový proud - spád (gradient) koncentrace nosičů dává vznik difúznímu proudu Driftová vodivost závisí na druhu nosičů - pohyblivost děr je v důsledku sdílného pohybu asi o řád nižší než elektronů, na pravidelnosti krystalové struktury, koncentraci nosičů, intenzitě elektrického pole a teplotě. Difúzní složka proudu je úměrná gradientu nosičů, takže J q D dn D dp D = n p, kde Dn je dx dx difúzní konstanta elektronů a Dp děr. Střední difúzní délka, je 50% délky jakou prodifundují elektrony nebo díry. Střední volná dráha, je dráha mezi jednotlivými srážkami mezi pohyblivou částicí a krystalovou mřížkou. 3.Přechod PN v monokrystalickém polovodiči Rozhraní mezi dvěma polovodiči různého typu vodivosti nazýváme přechod PN. Vytváří se technologickými postupy v jednom krystalu polovodiče. Dále se uvažuje jen strmý přechod PN(obr 1), kde se typ polovodiče na styčné ploše mění nespojitě. V důsledku gradientu koncentrace pohyblivých nosičů náboje dochází k difúzním tokům elektronů z části N do P a děr z polovodiče typu P do N. Koncentrace nosičů se však nemůže měnit náhle, jako u nepohyblivých příměsových atomů, ale mění se spojitě. V polovodiči N se vytvoří oblast s menší koncentrací elektronů, takže převládá kladný náboj ionizovaných donorů. V části P se vytvoří oblast s menší koncentrací děr, převládá tam náboj ionizovaných akceptorů.(obr 2). Vzniká elektrická dvojvrstva prostorového náboje, která je doprovázena vnitřním elektrickým polom intenzity E. Vnitřní el. pole brání dalšímu difúznímu přechodu elektronù a dìr, take dojde k dynamické rovnováze. Oblast prostorového náboje se nazývá ochuzená vrstva přechodu PN.

2 5. Vyložte možné mechanismy průrazu přechodu PN v závěrném směru - k elektrickému průrazu PN přechodu může dojít dvěma mechanismy a) Zenerův jev - vnitřní emise náboje vyvolaná elektrickým polem - intenzita pole v PN přechodu vzrůstá s rostoucím závěrným napětím (v rozmezí do 6V) - pro tenký přechod může intenzita pole dosáhnout kritické hodnoty 10 7 V/m - po překročení kritické intenzity dojde k vytrhávání elektronů z valenčního pásu a dále tunelovým jevem dojde k přechodu do pásu vodivostního - zvýšení počtu nositelů nábojů, snížení odporu přechodu - charakteristický je záporný teplotní koeficient b) lavinový jev - pohybující se elektrony mají velkou kinetickou energii (větší než šířka zakáz. pásu), že jsou schopny ionizovat atom - počet uvolněných elektronů roste geometrickou řadou (v rozmezí od 50 V) - dochází k němu na širokých přechodech, kde je velká pravděpodobnost srážky elektronu s atomem - charakteristický je kladný teplotní součinitel 6. Vysvětlete, proč má průrazné napětí přechodu PN způsobené Zenerovým jevem jiný teplotní součinitel, než napětí způsobené lavinovým jevem. Zenerův jev se uplatňuje pouze na velmi tenkých přechodech, příslušné napětí diody je do 6V. Lavinový děj je podobný jako Zenerův, ale uplatňuje se na širších přechodech, a tím i na vyšším napětí. Se zvětšováním závěrného napětí, vzrůstá rychlost minoritních elektronů. Po dosažení určitého kritického napětí je jejich kinetická energie tak velká, že letí elektron ionizuje atom. Počet takto uvolněných elektronů roste geometrickou řadou, aniž by se napětí dále zvyšovalo, jde o lavinovou ionizaci krystalové mřížky. Dochází na širších přechodech PN, kde je velká pravděpodobnost srážky elektronu s atomem během průletu. V tenkých přechodech je pravděpodobnost srážky malá. Čím menší je šířka přechodu, tím snadněji se vyvolá intenzita elektrostatického pole. Teplotní důsledek: Mechanizmus průrazu má vliv na znaménko teplotního součinitele napětí. Diody se Zenerovým průrazem mají záporný teplotní součinitel, s lavinovým průrazem kladný. Vzhledem k tomu, že u většiny diod dochází k oběma průrazům, existuje přechodová oblast, kde je teplotní součinitel nulový ( 5 až 6V). Různé znaménko teplotního součinitele lze s výhodou použít ke kompenzaci teplotních změn.

3 7. Teplotní posun VA char. PN přechodu qu a U kt T Podle Shockleyova rovnice j = j0( e 1) = j0( e 1) kde a = q / k. Z tohoto vztahu se dají odpozorovat tři druhy závislosti : a) j je stejné při různých teplotách. Mění se tedy spolu s teplotou napětí. U = f(t) = konst*t b) U je stejné při různých teplotách. Mění se tedy spolu s teplotou proud. U konstt j = f ( T) = j0 ( e 1 ) c) v praxi nejrozšířenější - S teplotou se mění jak proud tak napětí. obrázek naznačující posuny - no moc se nepovedl 8. Fyzikální princip Schottkyho diody Schotkyho dioda využívá přechodu kov-polov. (N-M). Vedení proudu je realizováno pouze majoritními nosiči náboje. V přímém směru menší úbytky napětí než PN. Z N přecházejí do kovu tzv. horké elektrony z vrcholu energ. bariéry, které v kovu ztrácejí přebytek své energie (zpracování signálu s vysokými f). Použití: vvf aplikace (100 Ghz), rychlé spínače, ochranné prvky, součásti IO, ve výkonových usměrňovačích (vysoká účinnost, malé rozměry a hmotnost). Výhody (srovnání s PN): mechanická pevnost, reprodukovatelnost při výrobě, menší šum, vyšší závěrné napětí.

4 9. Fyzikální princip tunelové diody Tunelová dioda je speciální prvek, který se vyznačuje záporným diferenciálním odporem. Jedná se o přechod PNA vyrobený ze silně dotovaných polovodičů s velmi tenkou ochuzenou oblastí (10nm). Fermiho hladina se v tomto případě nachází mimo zakázaný pás. V polovodiči N ve vodivostním pásu a v polovodiči P ve valenčním pásu. Pásový model přechodu je na obrázku: WcP P N P N P N W V P W F P W F N W C N W F P W F N e.u W F P W F N e.u a W V N b c i Princip činnosti: (ma) Celkový proud diody je dán součtem tunelového a C A difúzního proudu. Při malých napětích se uplatňuje 3 pouze tunelový proud. Pásový diagram má v tomto případě tvar podle obrázku b). Volné elektrony z B 2 valenčního pásu polovodiče N, které leží pod kvazi-fermiho hladinou W F N mohou tunelovat přes 1 přechod na prázdné energetické stavy ve valenčním pásu nad kvazi Fermiho hladinou W F P v polovodiči P, 0,1 0,2 0,3 0,4 u(v) čímž se dostaneme do bodu A na V-A charakteristice. Při větších předpětích tunelové diody se kvazi-fermiho úroveň W F N posouvá nad úroveň W F P a pravděpodobnost tunelového přechodu volných elektronů z polovodiče N klesá, protože se zmenšuje počet odpovídajících volných stavů v polovodiči P o stejné energii. Celkový proud procházející diodou se zmenšuje záporný diferenciální odpor. Při dalším zvýšení napětí dochází k posuvu okraje vodivostního pásu v polovodiči N nad okraj valenčního pásu polovodiče P(obrázek c). Tunelový proud zaniká a na V-A charakteristice se dostáváme do bodu B. Další vzrůst napětí má za následek vzrůst difúzního proudu a V-A charakteristika již odpovídá V-A charakteristice obyčejné diody. Ve zpětném směru prochází tunelovou diodou velký proud vlivem tunelování elektronů z valenčního pásu polovodiče P do vodivostního pásu polovodiče N.

5 10. Vyložte fyzikální princip činnosti varikapu (kapacitní diody) a odůvodněte tvar závislosti její kapacity na řídícím napětí. Varikap je dioda, která mění svou kapacitu v závislosti na velikosti přiloženého napětí. Podle vztahu: Cb=KU -n., kde n=0,5 pro strmý přechod PN C n=1/3 pro pozvolný přechod PN. U Pro výrobu se používá zpravidla Si na nižší kmitočty, Ge nebo GaAs pro vysokofrekvenční použití. Princip je stejný jako obyčejná dioda, avšak v závěrném směru, kde se využívá se projevuje kapacita PN přechodu. Na PN přechodu vzniká ochuzená oblast, doprovázena vnitřním elektrickým polem, jejíž velikost se mění v závislosti na přiloženém napětí, čímž se mění i kapacita diody. Nevýhodnou je: nelineární kapacita závislá na kmitočtu pouze jedna polarita kapacity, protože v opačném směru je dioda vodivá jako běžná dioda. malé průrazné napětí. Varikap je tedy kapacitní součástka, jehož kapacita se dá ladit přivedeným pomocným napětím nebo pomalu se měnícím řídícím napětím. Parametry: průrazné napětí -1V - 30V kapacity pF - 2,5-10pF Varikapy se vyrábějí ve skleněných nebo ve slabých platových pouzdrech.

6 11. Struktura bipolárního tranzistoru + fyzikální princip jeho činnosti Struktura - Bipolární tranzistor je tvořen emitorovým a kolektorovým přechodem v jednom základním monokrystalickém materiálu. Typ vodivosti báze rozhoduje o typu tranzistoru - PNP nebo NPN. Fyzikální princip činnosti - U tranzistoru na obrázku teče emitorem propustný proud Ie, složený z injektovaných elektronů do báze Ien a minoritních děr z báze do emitoru Iep. Injekční účinnost γe=ien/ie je blízká jedné pokud je báze velmi tenká a podstatně méně dotovaná než emitor. Poměr proudu Icn, který dosáhne kolektor, k proudu Ien určuje bázový součinitel přenosu κ=icn/ien, který má být opět co nejbližší jedné. Kolektorový proud je tvořen proudem Icn a zbytkovým proudem Icb0, který teče kolektorovým přechodem pólovaným závěrně. Ic = Icb0 + Icn = Icb0 + κien = Icb0 + γeκie = Icb0 + αie, kde α= Icn/Ie je ss proudový zesilovací činitel tranzistoru v zapojení se společnou bází. hodnota se zde pohybuje v rozmezí 0,95 až 0,999. Výkon na výstupu je v průměru 10 až 100krát větší než na vstupu a tranzistor pracuje jako aktivní prvek. 12. Největší výkonové zesílení bipolárního tranzistoru Fakticky neví se tady po mě chce. Bipolární tranzistor pracuje s nějvětším zesílením pokud je zapojen se společným emitorem. Potom je zesílení rovno (proudové ),(napěťové (10-100), (výkonové ), též v tomto režimu je nejlépe přízpůsoben. 13. Tři el. schémata pro klidový bod společný Emitor

7 15. Nakreslete schéma odporově vázaného zesilovače s bipolárním tranzistorem se společnou bází h 21B 1+h 21E A u =R c = R c h 11B h 11E R E h 21E R= R E h 21E + h 11E R C h 21E R= R C h 22E + h 21E R B R C C E U 11 C E R E C C U 22 U CC 16. Nakreslete elektrické schéma základního obvodu odporově vázaného zesilovače malého signálu s bipolárním tranzistorem v zapojení se společným kolektorem a uveďte přibližné vztahy pro jeho diferenciální vstupní odpor, napěťové zesílení a diferenciální výstupní odpor. Au=+ Re vždy menší než 1 h11e Re+ h21e Rvstup= h11e+( Re. h21e) Rvýstup= Re. h11e Re.h21e +h11e

8 17. JFET v zapojení společný source : V obvodech s unipolárními tranzistory na nízkých kmitočtech často zanedbáváme imaginární části diferenciálních parametrů. Dále je třeba míti na paměti, že některé dif. parametry se výrazně mění spolu s pracovním bodem (zejména g 22S ). g21srd Au = g22srd + 1 Rvstup = RG RD Rvýst = g R S D 18. MOSFET nevodivý kanál MOSFET s indukovaným kanálem. Schéma zapojení odporově vázaného zesilovače pro malé signály, Zapojení se společným sourcem R A R v7st U vst = g Rc. R g21s. Rc = g. R + 1 = R 2 22s 22s c c MOSFET vodivý kanál RG2 RD A U g21rd = g22 R + 1, R RG1RG2 VST = A R + R D U G1 G2, R VYST = g Parametry G jsou reálnými částmi parametrů y R R D + 22 D 1 RG1

9 20. Napište definiční vztahy diferenciálních parametrů typu h pro bipolární tranzistor, vyložte jejich obvodový význam, rozměry a okrajové podmínky jejich platnosti, nakreslete příslušný lineární náhradní obvod. SE: SB: SC: ube = h11ib + h12uce ueb =h11ie + h12ucb ubc = h11ib + h12uec ic = h21ib + h22uce ic = h21ie + h22ucb ie = h21ib + h22uec Z těchto linearizovaných rovnic můžeme patřičné h parametry tranzistoru určit, avšak musíme vždy vzít v úvahu, že tranzistor je nelineární součástka, tudíž při výpočtu h parametrů z VA charakteristik musíme vzít vždy malou změnu patřičného proudu nebo napětí podle toho jaký parametr právě měříme. Následující parametry jsou jen pro zapojení tranzistoru se společným emitorem. Jednotlivé h parametry mezi jednotlivými zapojeními se dají převádět pomocí převodních vztahů. Tedy: du BE h11 = při Uce=0 di B [Ω]. jedná se o vstupní impedanci při výstupu nakrátko. du BE h12 = dice při ib=0 [-]. jedná se o zpětný napěťový činitel při vstupu naprázdno dic h21 = di B při Uce=0 [-]. jedná se o proudový zesilovací činitel při výstupu nakrátko dic h22 = du CE při ib=0 [S]. jedná se o výstupní admitanci při vstupu naprázdno. u1 h11 h12 u2 h21 i1 h22 u2 Jednotlivé parametry jsou tedy závislé na poloze pracovního bodu a také jsou závislé na teplotě, zvláště parametry h11, h22.

10 21) Napište definiční vztahy diferenciálních parametrů typu y pro bipolární tranzistor, vyložte jejich obvodový význam i1 y11 =... u22=0 - vstupní vodivost nakrátko [A/V] u11 i1 y12 =... u11=0 - přenosová admitance ve zpětném směru při vstupu nakrátko [A/V] u22 i2 y21 =... u22=0 - přenosová admitance v u11 přímém směru při výstupu nakrátko [A/V] i2 y22 =...u11=0- výstupní vodivost nakrátko u22 [A/V] 22) Napište definiční vztahy diferenciálních parametrů typu y pro JFET, vyložte jejich obvodový význam i1 u2= 0 y11 = Definuje vstupní (diferenciální) vodivost na krátko, která je číselně rovna hodnotě u Po 1 změny vstupního proudu i1 změní-li se vstupní napětí u1 o jednotkovou hodnotu, je na vstupu zajištěna podmínka práce nakrátko. i1 u1= 0 y12 = Definuje přenosovou (diferenciální) admitanci ve zpětném směru při vstupu u Po 2 nakrátko, která se rovná změně vstupního proudu nakrátko při jednotkové změně vstupního napětí. i2 u2= 0 y21 = Definuje přenosovou (diferenciální) admitanci v přímém směru při výstupu u Po 1 nakrátko, která se číselně rovná hodnotě změny výstupního proudu nakrátko při jednotkové změně vstupního napětí. Někdy se označuje jako strmost (transkondukce). i2 u1= 0 y22 = Definuje přenosovou (diferenciální) vodivost nakrátko, je rovna hodnotě změny u Po 2 vstupního proudu při jednotkové změně výstupního napětí a vstupu ve zkratu. u1 Y11 y12u22 y21u11 y22 u2

11 23-Unipolární tranzistor MOSFET V běžném provozním stavu se unipolárních tranzistorů všech tipů předpokládá, že reálná složka jejich vstupního proudu je zanedbatelná. Proto se ve spojení s unipolárními tranzistory užívá téměř výlučně LNO(Lineární návrh. obvod) hybridního( Viz obr bez kapacit). Pro Y parametry platí: i y u y u 1 = , takže jak je patrné z obr. tak se uplatní jen druhá i2 = y21. u1 + y22. u2 rovnice. y 22 výstupní admitance [S] y 21 strmost [S] U unipolárních tranzistorù je tøeba respektovat vliv kapacit( Viz obr) 25. Vyložte, co to je saturační zpoždění bipolárního tranzistoru, jaká je fyzikální příčina jeho vzniku a jak se omezuje - při stavu, kdy na E i na C je kladný pól (saturační stav), se uvnitř báze vytváří oblak minoritních nosičů - než stačí všechny částice zrekombinovat, trvá to dobu řádově s, tato časová prodleva se nazývá saturační zpoždění - při sepnutém stavu má mít tranzistor na výstupu co nejmenší odpor a co nejmenší napětí U CE 26) Popište užití bipolárního tranzistoru jako spínače, uveďte jeho výhody a nevýhody, nakreslete jeho náhradní obvod a uveďte souvislost jeho součástí s parametry tranzistor Spínací tranzistor musí mít krátké spínací časy a v sepnutém stavu malou hodnotu saturačního napětí UCESAT.Činost je zřejmá s obr.1 a výstupních charakteristik spínacího tranzistoru obr.2. V sepnutém stavu má mít tranzistor na vstupu co nejmenší odpor a co nejmenší napětí Uce. Z charakteristik je zřejmé, že tento požadavek splní jen pracovní bod na mezní přímce, Ps. Tranzistor zde pracuje v saturaci. Při sepnutí musí do báze téci proud Ib=Ibsat. Saturačnímu pracovnímu proudu Icsat odpovídá saturační kolektorové napětí Ucesat. Tranzistor představuje v sepnutém stavu odpor Ucesat/Icesat. Ve vypnutém stavu uvažujeme spínací obvod přerušený. Ve skutečnosti ve spínacím obvodu teče tranzistorem zbytkový proud Ice0 a pracovní bod leží na výstupní charakteristice s parametrem Ib=0.Ib=Ibsat - tranzistor sepnut. Ib=0 -tranzistor rozepnut.výhody: Rychlé spínaní.nevýhody: Nenulový odpor v sepnutém stavu a konečný odpor v rozepnutém stavu

12 27. Unipolární tranzistor jako spínač : náhradní schema zapojení unipol. tranz. pto vf Užití stejné jako v otázce č. 26 (dle Vášuly) - používají se MOSFET-y s indukovaným kanálem (U GS = 0 => off) Výhody : - nevýkonnové ovládání s podstatně vyšší pracovní frekvencí - lépe zvládají spínání indukční zátěže Nevýhody : - velký odpor R DS v on (řeší se : moc FET-ů paralelně na jedné křemíkové desce což se projeví na druhé straně : zvýší se vstupní kapacita a dost - nežádoucí proudový impuls) Součásti : a) vstupní kapacita C GS Vlivem této kapacity (která je u výkonových FET-ů veliká) jsou kladeny vysoké nároky na budící obvod, protože kapacita způsobuje velký proudový impuls. b) výstupní admitance y 22 Tato admitance, resp. její převrácená hodnota - impedance - většinou udávaná jako odpor R DS v Ohmech, má dosti veliký vliv na výkonovou ztrátu ve stavu ON. P D = I 2 D R DS Což mluví samo za sebe. c) strmost y 21 - transkonduktance, převodní vodivost tento parametr jetaké důležitý, protože podle něho víme jak velkou úrovní signálu máme anzistor budit vůči velikosti výstupního signálu ot. 28.: (viz příloha na papíře). Zadané souřadnice prac. bodu bipolárního tranzistoru. Ve VA charakteristikách určit parametry h a nakreslit příslušný náhradní obvod...

13 29. I C I C U GS =0V U DS =5V P 0 P 0 I C I C U GS U GS U DS U GS 5 10 U DS Upozornění: Unipolární tranzistor při nízkých kmitočtech má nulový vstupní proud a nulovou vstupní vodivost. Proto je nesmysl chtít u něj určit hybridní parametry. Nejspíš je v zadání chyba. Určuji proto admitanční. Hybridní charakteristiky by se určovaly stejně jako u bipolárního tranzistoru v otázce 28. i c y 21 = u při u I C DS=0, y 21 = ge i c I y 22 = u = U I D DS G C DS y 21 U GS U GS D I C U GS y 22 U DS S 30. Vyložte fyzikální princip tranzistoru JFET, nakreslete příklad jeho VA charakteristik.vyložte fyzikální princip činnosti tranzistoru MOSFET, nakreslete příklad jeho VA charakteristik. JFET: Základem je polovodičová destička s nevlastní vodivostí typu N opatřená na obou koncích neusměrňujícími kovovými kontakty, které slouží k přivádění proudu a mají význam emitoru a kolektoru. Do horní i dolní stěny základní destičky je v délce l vytvořena difúzí solně dotovaná vrstva obráceného typu vodivosti (P+) nazvaná hradlo (G- gate). Obě části hradla jsou spolu vodivě spojeny. Hradlo tvoří řídící elektrodu tranzistoru. Prostor mezi částmi hradla se nazývá kanál. Vyprázdněná oblast G E C G

14 Jsou-li hradlo i kolektor spojeny s emitorem (Uce=Uge=0) vytvoří se v okolí hradla vyprázdněná oblast. Tloušťku vyprázdněné oblasti je možno měnit napětím přiloženém k přechodu. Přiložíme-li tedy mezi hradlo a emitor napětí Uge, tak, aby přechod byl polarizován ve zpětném směru, můžeme obě vyprázdněné oblasti rozšířit, čímž zúžíme vodivou část kanálu a zvětšíme jeho odpor. Přitom přívodem hradla neprochází téměř žádný proud (řádově pa). G P+ G P+ E N C E N C G P+ G P+ Při nulovém nebo velmi malém napětí Uce je vyprázdněná část kolem části hradla rovnoměrná a proud při vzrůstu Uce se zvyšuje lineárně. Při dalším zvyšování napětí Uce začíná kladné napětí připojené v místě kolektoru na kanál vodivosti typu N působit jako přepětí HRADLO- KANÁL ve zpětném směru a tím rozšiřovat vyprázdněnou oblast. Toto rozšíření ne největší v blízkosti kolektoru, neboť napětí mezi kanálem a hradlem se v důsledku napěťového úbytku působeného proudem Ic od kolektoru k emitoru zmenšuje. Výsledkem je nerovnoměrné rozložení vyprázdněné oblasti podél hradla. K úplnému uzavření kanálu nedojte, kanál se pouze v určitém místě zúží na velmi tenkou vrstvičku, která dovoluje průchodu proudu Ic - nasycená oblast. Z tohoto popisu vycházejí VA charakteristiky JFETu. Ic [ma] Uge [V] Uce[V]

15 30b) S n G G SiO 2 D S D SiO 2 n n n p p MOSFET s indukovaným kanálem I D I D indukovaný kanál vodivý kanál U GS =0V MOSFET s vodivýmkanálem MOSFET s indukovaným kanálem: Předpokládejme nejprve U DS =0. Je-li též U GS =0, je odpor mezi S a D dán odporem polovodiče, který je v tomto stavu vysoký. Zvýšíme-li napětí U GS tak, že G je U GS na vyšším potenciálu než S, vytvoříme pod SiO2 na povrchu polovodiče kanál indukovaných záporných nábojů. Tím se odpor mezi S a D zmenší. Připojíme-li nyní U DS, může procházet mezi D a S proud. Tento proud však způsobuje úbytek napětí, takže ve vzdálenosti y od S bude napětí UG mezi hradlem a kanálem dáno vztahem: UG = U GS - u(y). Napětí UG se U DS s rostoucí vzdáleností od S zmenšuje a kanál se zužuje. 2 ef zc0u P Velikost procházejícího proudu: I = µ, kde µ je U GS U DS efektivní pohyblivost, C je kapacita SiO2, l je vzdálenost S a D. Z tohoto vztahu vyplývá kvadratická závislost V-A charakteristik. MOSFET s vodivým kanálem Pod vrstvou SiO2 existuje kanál stejné vodivosti, jako je S a D. Proud tedy může procházet i když je U GS =0. Tento tranzistor má dva režimy činnosti. Pro U GS >0 je to takzvaný obohacený mód. Při tomto módu se vodivost zvětšuje. Kromě toho může pracovat při U GS <0, kdy dochází ke snižování vodivosti (ochuzený mód) 0 l

16 31) odporová a nasycená část VA char. unip. JFETu Pro malé hodnoty Uds se unipolární tranzistor (JFET) chová jako odpor tímto napětím řízený. Pokud však napětí Uds zvětšíme (> 0,x V) dostaneme se do oblasti nasycení, která je způsobena vyprázdněnou vrstvou (viz obr.) a větší proud už neprojde. Z výstupní VA je vidět, že proud stále trochu roste, což je způsobeno silným el. polem, které vyvolává tunelový jev. 32. Odporová a nasycená část výstupních car MOSFET Při malých napětích mezi emitorem a kolektorem (řádově desetiny voltu) se MOSFET chová přibližně jako lineární rezistor, Jehož odpor závisí na napětí Uge. Říkáme, že tranzistor pracuje v odporovém režimu. Voltampérové charakteristiky v odporové oblasti lze v prvním přiblížení nahradit přímkami procházejícími počátkem. Jejich směrnice závisí na napětí Uge. Při určitém napětí Uce je kolektorový proud již tak veliký, že odčerpá všechny elektrony, které je řídící elektroda schopna při daném napětí Uge do kanálu přitáhnout. Kolektorový proud je nasycen a jeho velikost se vzrůstajícím kolektorovým napětím Uce se zvětšuje jen nepatrně. Říkáme, že pracuje v oblasti nasyceného proudu. G C odporová nasycená oblast E 33-JFET-zaškrcení kanálu Pokud je tranzistor bez řídícího napětí ugs, představují oblasti 4 ochuzenou vrstvu přechodu P + N. Připojíme-li dále napětí u DS tak, aby kanálem 1 protékali elektrony, efektivní průřez kanálu se změní, ochuzená vrstva změní tvar. Ochuzená vrstva má příliš vysokou rezistivitu a na přenosu proudu ke kolektoru se při otevřeném kanálu nepodílí. Protože tloušťku oblasti 4 mùžeme měnit staticky napětím na hradle, lze ovlivňovat efektivní průřez kanálu, tj. zmenšovat jej a ovlivňovat proud i d - odtud tranzistor řízený polem. Při nenulovém napětí u DS protéká kanálem proud i d, který způsobuje úbytek napětí u(y) vzhledem k source a s rostoucí vzdáleností se vlastní zvětšuje závěrné napětí u GS. S jeho vzrůstem se zvětšuje oblast prostorového náboje, vodivý kanál se tedy směrem ke kolektoru zužuje. K případnému zaškrcení kanálu by tedy došlo a na jeho konci. Kdyby se kanál zaškrtil neprocházel by místem zaškrcení žádný proud a proto by se právì v tom místě objevilo napětí u DS, jehož intenzita by nutila prùchod proudu.

17 35. Vyložte důvod citlivosti vstupu unipolárního tranzistoru MOSFET na poškození elektrostatickým nábojem - elektrostatický náboj může způsobit průraz dielektrické vrstvy SiO 2 mezi elektrodou G a elektrodami S,D - tato vrstva je velice tenká ( řádově s ) - poškození dielektrické vrstvy lze předejít : 1. elektrody jsou opatřeny zkratovací fólií, která se odstraní až po montáži 2. následujícím zapojením 36) Uveďte definice tříd práce aktivních prvků výkonových zesilovačů a porovnejte jejich vzájemné výhody a nevýhody. Jeden cykl harmonického signálu rozdělím na 360 stupňů.třídy zesilovačů se od sebe liší tím, po jakou část cyklu zpracovávaného signálu pracují (zesilují).záleží na tom,kdy je aktivní výkonový prvek ve vodivém stavu, neboli na tzv. úhlu otevření. Třída A: je definována jako provozní režim,při kterém je úhel otevření aktivního prvku 360 stupňů. ( stale vodivý ). Výhodou je, že zpracovává celou periodu signálu. Nevýhodou je jeho špatná energetická účinnost ( max. 50 %). Je aktivní i při nulovém vstupním signálu. Třída B: je definována jako provozní režim, v němž je úhel otevření 180 stupňů a aktivní prvek je vodivý pouze pro jednu polaritu budícího signálu. O jakou polaritu se jedná záleží na zapojení obvodu. Výhodou je vyšší energetická účinnost až 80%. Nevýhodou je zesílení jen jedné periody a vzniku nelineárního a přechodového zkreslení, které se musí odstraňovat( další součástky). Třída C: je definována jako provozní režim, ve kterém je úhel otevření aktivního prvku menší než 180 stupňů. Je-li úhel otevření podstatně menší než 180 stupňů mluvíme o hluboké třídě C. Výhody: Čím menší úhel otevření tím vyšší účinnost. Nevýhoda: Aby se dosáhlo stejné hodnoty výstupního výkonu, je při zmenšování úhlu otevření zapotřebí úměrně zvětšovat špičkovou hodnotu proudu, vnuceného aktivním prvkem do zátěže, nebo špičkovou hodnotu střídavého napětí, které se objeví na zátěži.=omezující činitel.

18 37. Účinnost zesilovače ve třídě A : Pro účinnost zesilovače platí vztah : P U AC η = = P U DC ef CC I I ef C kde U ef = ( U U ) CC 2 CE 0 a I ef = ( I I ) C 2 CEO kde U CB0 a I CE0 můžeme pro svou velikost vůči U CC nebo I C zanedbat a potom UCC IC P U I AC ef ef η = = = 2 2 = 05. P U I U I DC CC C CC C Toto odvození platí pouze pro : a) Pracovní bod je nastaven na U CE = 0.5 U CC b) Zesilovač je buzen maximálním signálem (aby na výstupu byl signál nezkreslen) Z toho vyplývá, že účinnost je lineárně závislé na velikosti vstupního buzení, to jest při nulovém signálu je účinnost nulová! ot. 38.: Teoretická účinnost tranzistorového zes. ve třídě B. Předpokládáme, že převodní char. má tvar přímky, proudové průběhy na tranz. odpovídají obrázkům a při plném vybuzení je zbytkové napětí na tr. = 0. Dobu trvání půlvlny =. Maximální amplitudy U M a I M uvažujeme jako jednotkové, tím i zatěžovací odpor R z je jednotkový. Vzhledem k tomu, že zesilovač pracuje ve třídě B můžeme za R z volit libovolnou nenulovou hodnotu Omezením je maximální přípustný proud tranz. a P Cmax, pak je výstupní výkon definován: U M. I M U M. I M Pzat = = Příkon je dán součinem stálého (stejnosměrného) napětí U cc, které předpokládáme rovné vrcholovému napětí U M a střední hodnoty odebíraného proudu: π U M U MI M Pnap = It tdt= T ().sin( ω 2.). Pro účinnost potom dostáváme: π 0 U MI M Pzat π η = = 2 = 78, 54% P 2. U I nap M M 4 π

19 40. Uveďte které parametry elektronického aktivního prvku omezující maximální výkon zesilovače užívajícího takového prvku. Zesilovače můžeme rozdělit do několika skupin, podle toho se mění i velikost hodnot parametrů, důležitost těchto parametrů ve funkci jejich zapojení. Zesilovače konstruované pomocí: Bipolárních tranzistorů: Důležité parametry u bipolárních zesilovačů jsou: Mezní hodnoty udává výrobce pro každý druh tranzistoru zvlášť. Např. KC 147. nf Tranzistor : Mezní Ucbo=45V Uce=45V Ic=100mA Uebo=5V Pcmax=0,2W υ=125 C Charakteristické Icbo=15nA při Ucb=10V h21= Ucb=5V ft=150mhz Unipolárních tranzistorů: Např. BF 245 B Mezní Uds=30V Udg=30V Uds=-30V Ig=10mA Pd=350mW υ=150 C Charakteristické Ciss=3pF Crss=0,7pF Coss=0,9pF fmez=700mhz Operačních zesilovačů: Např. MAA 741 Mezní: Ucc=3-22V Uid=30V Ui=15V Ptot=0,5W υ= C Charakteristické Napěťová nesymetrie, Proudová nesymetrie, Vstupní klidový proud, Vstupní odpor,teplotní drift,rycholst přeběhu, Napěťové zesílení otevřené smyčky atd. Rz Rp C + Ty1 Ty2 Předpokládejme, že tyristor Ty1 je sepnutý a je potřeba ho rozepnout. Tyristor Ty2 je rozepnutý. Na kondenzátoru je napětí v naznačené polaritě. Sepnutím tyristoru Ty2 dojde k tomu, že elektroda (+) kondenzátoru se připojí k zemi a tak bude napětí na druhé elektrodě kondenzátoru oproti zemi záporné. Tím dojde i ke komutaci katody tyristoru Ty1 a tyristor se rozepne.

20 41) Zesilovač ve třídě C je charakterizován úhlem otevření menším než π. Aby se dosáhlo stejného výstupního výkonu je při zmenš. úhlu otevř. třeba úměrně zvětšovat špičkovou hodnotu proudu vnucovaného aktivním prvkem do zátěže nebo špičkovou hodnotu střídavého napětí, které se objeví na zátěži => hlavní nevýhoda (každý reálný zes. prvek má mezní hodnoty špičkového U a I.). Výhodou je, že úplně chybí jakýkoli zdroj pro nastavení klidové polohy pracovního bodu (postačuje využití oblasti kladného napětí Ube, ve které ještě tranzistor není otevřen,jako předpětí pro uspokojivý provoz ve třídě C). 42. Zesilovač ve třídě A Zesilovače rozdělujeme dle úhlu otevření do několika skupin. Pokud je úhel otevření rove 360 o říkáme, že zesilovač pracuje ve třídě A. Tedy ve třídě A nenastává v průběhu signálu žádný časový interval ve kterém by aktivní prvek přestal být vodivý, Tedy výstupní signál je nezkreslen po celou dobu periody=>dobrá linearita zesilovaného signálu. Tento režim zesilovače není výhodný, neboť účinnost nepřesáhne 50% (v teoretickém případě, skutečnost 25-30%). U zesilovače ve třídě A je účinnost lineární funkcí vybuzení. Stupeň totiž odebírá z napájecího zdroje stále stejný příkon i v případě že není vůbec vybuzen. Bez buzení je tedy účinnost nulová. UDDIDo Pzat 2 1 η = = = Pnap UDDIDo 2 Příklad zapojení: jakýkoliv zesilovač s pracovním bodě Ucc/2 Ic/ Výkonové zesilovaèe ve třídě B Pro dosažení dobré energetické účinnosti výkonových zesilovačů pracujících s analogovými signály v akustickém pásmu se nejčasněji užívá pracovního režimu aktivních součástek označovaného jako třída B. Charakteristika: aktivní prvek má klidový pracovní bod nastaven tak, že průchod ss proudu je právě na hranici zániku., v ideálním případě tedy právě záporný. Proud výstupem tranzistoru bude tedy procházet pouze pro jednu polaritu okamžitých hodnot střídavého vstupního signálu.(v klidu není odběr, ztrátový výkon je nulový).v přítomnosti nenulového vstupního střídavého signálu se z napájecího zdroje odebírá proud úměrný střední hodnotě té polarity, která daný tranzistor otevírá. -větší energetická účinnost než ve třídě A -veliké nelineární zkreslení vstupního signálu -zesilují se pouze ty signálové hodnoty, které tranzistor otevírají Pro zesílení obou polarit napětí se používá tzv. komplementárního zapojení tranzistorù.(viz obr) -

Polovodičové diody Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA)

Polovodičové diody Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA) Polovodičové diody varikap, usměrňovací dioda, Zenerova dioda, lavinová dioda, tunelová dioda, průrazy diod Polovodičové diody (diode) součástky s 1 PN přechodem varikap usměrňovací dioda Zenerova dioda

Více

Dioda jako usměrňovač

Dioda jako usměrňovač Dioda A K K A Dioda je polovodičová součástka s jedním P-N přechodem. Její vývody se nazývají anoda a katoda. Je-li na anodě kladný pól napětí a na katodě záporný, dioda vede (propustný směr), obráceně

Více

Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice 2 Číslo úlohy : 1

Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice 2 Číslo úlohy : 1 Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice Číslo úlohy : 1 Název úlohy : Vypracoval : ročník : 3 skupina : F-Zt Vnější podmínky měření : měřeno dne : 3.. 004 teplota : C tlak

Více

Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika

Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika Garant přípravného studia: Střední průmyslová škola elektrotechnická a ZDVPP, spol. s r. o. IČ: 25115138 Učební osnova: Základní

Více

Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr

Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr. Zadání: A. Na předloženém kompenzovaném vstupní děliči k nf milivoltmetru se vstupní impedancí Z vst = MΩ 25 pf, pro dělící poměry :2,

Více

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Diody a usměrňova ovače Přednáška č. 2 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Diody a usměrňova ovače 1 Voltampérová charakteristika

Více

ELEKTRICKÝ PROUD ELEKTRICKÝ ODPOR (REZISTANCE) REZISTIVITA

ELEKTRICKÝ PROUD ELEKTRICKÝ ODPOR (REZISTANCE) REZISTIVITA ELEKTRICKÝ PROD ELEKTRICKÝ ODPOR (REZISTANCE) REZISTIVITA 1 ELEKTRICKÝ PROD Jevem Elektrický proud nazveme usměrněný pohyb elektrických nábojů. Např.:- proud vodivostních elektronů v kovech - pohyb nabitých

Více

FYZIKA II. Petr Praus 6. Přednáška elektrický proud

FYZIKA II. Petr Praus 6. Přednáška elektrický proud FYZIKA II Petr Praus 6. Přednáška elektrický proud Osnova přednášky Elektrický proud proudová hustota Elektrický odpor a Ohmův zákon měrná vodivost driftová rychlost Pohyblivost nosičů náboje teplotní

Více

1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny

1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny 1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny Popsaný přijímač slouží k poslechu rozhlasových stanic v pásmu středních vln. Přijímač je napájen z USB portu počítače přijímaný signál je pak připojen na

Více

11. Polovodičové diody

11. Polovodičové diody 11. Polovodičové diody Polovodičové diody jsou součástky, které využívají fyzikálních vlastností přechodu PN nebo přechodu kov - polovodič (MS). Nelinearita VA charakteristiky, zjednodušeně chápaná jako

Více

1.1 Usměrňovací dioda

1.1 Usměrňovací dioda 1.1 Usměrňovací dioda 1.1.1 Úkol: 1. Změřte VA charakteristiku usměrňovací diody a) pomocí osciloskopu b) pomocí soustavy RC 2000 2. Ověřte vlastnosti jednocestného usměrňovače a) bez filtračního kondenzátoru

Více

Dioda - ideální. Polovodičové diody. nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem)

Dioda - ideální. Polovodičové diody. nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem) Polovodičové diody: deální dioda Polovodičové diody: struktury a typy Dioda - ideální anoda [m] nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem) deální vs. reálná

Více

I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup

I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup ELEKTONIKA I N V E S T I C E D O O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í 1. Usměrňování a vyhlazování střídavého a. jednocestné usměrnění Do obvodu střídavého proudu sériově připojíme diodu. Prochází jí proud

Více

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická

Více

Obrázek a/struktura atomů čistého polovodičeb/polovodič typu N

Obrázek a/struktura atomů čistého polovodičeb/polovodič typu N POLOVODIČE Vlastnosti polovodičů Polovodiče jsou materiály ze 4. skupiny Mendělejevovy tabulky. Nejznámější jsou germanium (Ge) a křemík (Si). Každý atom má 4 vazby, pomocí kterých se váže na sousední

Více

Fázorové diagramy pro ideální rezistor, skutečná cívka, ideální cívka, skutečný kondenzátor, ideální kondenzátor.

Fázorové diagramy pro ideální rezistor, skutečná cívka, ideální cívka, skutečný kondenzátor, ideální kondenzátor. FREKVENČNĚ ZÁVISLÉ OBVODY Základní pojmy: IMPEDANCE Z (Ω)- charakterizuje vlastnosti prvku pro střídavý proud. Impedance je základní vlastností, kterou potřebujeme znát pro analýzu střídavých elektrických

Více

POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ. (40) Zveřejněno 31 07 79 N

POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ. (40) Zveřejněno 31 07 79 N ČESKOSLOVENSKÁ SOCIALISTICKÁ R E P U B L I K A (19) POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ 196670 (11) (Bl) (51) Int. Cl. 3 H 01 J 43/06 (22) Přihlášeno 30 12 76 (21) (PV 8826-76) (40) Zveřejněno 31 07

Více

U BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D.

U BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D. Napěťový průraz polovodičových přechodů Zvyšování napětí na přechodu -přechod se rozšiřuje, ale pouze s U (!!) - intenzita elektrického pole roste -překročení kritické hodnoty U (BR) -vzrůstu závěrného

Více

Bipolární tranzistory. Produkt: Zavádění cizojazyčné terminologie do výuky odborných předmětů a do laboratorních cvičení

Bipolární tranzistory. Produkt: Zavádění cizojazyčné terminologie do výuky odborných předmětů a do laboratorních cvičení Název projektu: Automatizace výrobních procesů ve strojírenství a řemeslech Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.30/01.0038 Příjemce: SPŠ strojnická a SOŠ profesora Švejcara Plzeň, Klatovská 109 Tento projekt

Více

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII - 3.2.2 MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII - 3.2.2 MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: MEII - 3.2.2 MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH Obor: Mechanik elektronik Ročník: 2. Zpracoval(a): Bc. Josef Mahdal Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2010

Více

Tématické okruhy teoretických zkoušek Part 66 1 Modul 3 Základy elektrotechniky

Tématické okruhy teoretických zkoušek Part 66 1 Modul 3 Základy elektrotechniky Tématické okruhy teoretických zkoušek Part 66 1 3.1 Teorie elektronu 1 1 1 Struktura a rozložení elektrických nábojů uvnitř: atomů, molekul, iontů, sloučenin; Molekulární struktura vodičů, polovodičů a

Více

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě zenerova dioda její hodnoty jsou uvedeny v tabulce:

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě zenerova dioda její hodnoty jsou uvedeny v tabulce: REDL 3.EB 9 1/11 1.ZADÁNÍ a) Změřte voltampérovou charakteristiku zenerovy diody v propustném i závěrném směru. Charakteristiky znázorněte graficky. b) Vypočtěte a graficky znázorněte statický odpor diody

Více

VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH

VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH Jan Hruška TV-FYZ Ahoj, tak jsme tady znovu a pokusíme se Vám vysvětlit problematiku vedení elektrického proudu v látkách. Co je to vlastně elektrický proud? Na to

Více

Polovodičové usměrňovače a zdroje

Polovodičové usměrňovače a zdroje Polovodičové usměrňovače a zdroje Druhy diod Zapojení a charakteristiky diod Druhy usměrňovačů Filtrace výstupního napětí Stabilizace výstupního napětí Zapojení zdroje napětí Závěr Polovodičová dioda Dioda

Více

ELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky... 7-1 7.2 První a druhý průraz bipolárního

ELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky... 7-1 7.2 První a druhý průraz bipolárního Bohumil BRTNÍK, David MATOUŠEK ELEKTRONICKÉ PRVKY Praha 2011 Tato monografie byla vypracována a publikována s podporou Rozvojového projektu VŠPJ na rok 2011. Bohumil Brtník, David Matoušek Elektronické

Více

PSK1-14. Optické zdroje a detektory. Bohrův model atomu. Vyšší odborná škola a Střední průmyslová škola, Božetěchova 3 Ing. Marek Nožka.

PSK1-14. Optické zdroje a detektory. Bohrův model atomu. Vyšší odborná škola a Střední průmyslová škola, Božetěchova 3 Ing. Marek Nožka. PSK1-14 Název školy: Autor: Anotace: Vyšší odborná škola a Střední průmyslová škola, Božetěchova 3 Ing. Marek Nožka Optické zdroje a detektory Vzdělávací oblast: Informační a komunikační technologie Předmět:

Více

PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus

PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus Úloha č.: XI Název: Charakteristiky diody Pracoval: Pavel Brožek stud. skup. 12 dne 9.1.2009 Odevzdal

Více

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřený předmětem jsou v tomto případě polovodičové diody, jejich údaje jsou uvedeny v tabulce:

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřený předmětem jsou v tomto případě polovodičové diody, jejich údaje jsou uvedeny v tabulce: REDL 3.EB 8 1/14 1.ZADÁNÍ a) Změřte voltampérovou charakteristiku polovodičových diod pomocí voltmetru a ampérmetru v propustném i závěrném směru. b) Sestrojte grafy =f(). c) Graficko početní metodou určete

Více

Základní otázky pro teoretickou část zkoušky.

Základní otázky pro teoretickou část zkoušky. Základní otázky pro teoretickou část zkoušky. Platí shodně pro prezenční i kombinovanou formu studia. 1. Síla současně působící na elektrický náboj v elektrickém a magnetickém poli (Lorentzova síla) 2.

Více

Název: Téma: Autor: Číslo: Prosinec 2013. Střední průmyslová škola a Vyšší odborná škola technická Brno, Sokolská 1

Název: Téma: Autor: Číslo: Prosinec 2013. Střední průmyslová škola a Vyšší odborná škola technická Brno, Sokolská 1 Střední průmyslová škola a Vyšší odborná škola technická Brno, Sokolská 1 Šablona: Název: Téma: Autor: Číslo: Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Elektrický proud střídavý Elektronický oscilátor

Více

Elektrický proud v kovech Odpor vodiče, Ohmův zákon Kirchhoffovy zákony, Spojování rezistorů Práce a výkon elektrického proudu

Elektrický proud v kovech Odpor vodiče, Ohmův zákon Kirchhoffovy zákony, Spojování rezistorů Práce a výkon elektrického proudu Elektrický proud Elektrický proud v kovech Odpor vodiče, Ohmův zákon Kirchhoffovy zákony, Spojování rezistorů Práce a výkon elektrického proudu Elektrický proud v kovech Elektrický proud = usměrněný pohyb

Více

ELEKTRICKÝ PROUD V KOVECH. Mgr. Jan Ptáčník - GJVJ - Fyzika - Elektřina a magnetismus - 3. ročník

ELEKTRICKÝ PROUD V KOVECH. Mgr. Jan Ptáčník - GJVJ - Fyzika - Elektřina a magnetismus - 3. ročník ELEKTRICKÝ PROUD V KOVECH Mgr. Jan Ptáčník - GJVJ - Fyzika - Elektřina a magnetismus - 3. ročník Elektrický proud Uspořádaný pohyb volných částic s nábojem Směr: od + k ( dle dohody - ve směru kladných

Více

Učební osnova předmětu ELEKTRONIKA

Učební osnova předmětu ELEKTRONIKA Učební osnova předmětu ELEKTRONIKA Obor vzdělání: 2-1-M/01 Elektrotechnika (slaboproud) Forma vzdělávání: denní studium Ročník kde se předmět vyučuje: druhý, třetí Počet týdenních vyučovacích hodin ve

Více

Zdroje optického záření

Zdroje optického záření Metody optické spektroskopie v biofyzice Zdroje optického záření / 1 Zdroje optického záření tepelné výbojky polovodičové lasery synchrotronové záření Obvykle se charakterizují zářivostí (zářivý výkon

Více

2. Jaké jsou druhy napětí? Vyberte libovolný počet možných odpovědí. Správná nemusí být žádná, ale také mohou být správné všechny.

2. Jaké jsou druhy napětí? Vyberte libovolný počet možných odpovědí. Správná nemusí být žádná, ale také mohou být správné všechny. Psaní testu Pokyny k vypracování testu: Za nesprávné odpovědi se poměrově odečítají body. Pro splnění testu je možné využít možnosti neodpovědět maximálně u šesti o tázek. Doba trvání je 90 minut. Způsob

Více

Obr. 9.1: Elektrické pole ve vodiči je nulové

Obr. 9.1: Elektrické pole ve vodiči je nulové Stejnosměrný proud I Dosud jsme se při studiu elektrického pole zabývali elektrostatikou, která studuje elektrické náboje v klidu. V dalších kapitolách budeme studovat pohybující se náboje elektrický proud.

Více

200W ATX PC POWER SUPPLY

200W ATX PC POWER SUPPLY 200W ATX PC POWER SUPPLY Obecné informace Zde vám přináším schéma PC zdroje firmy DTK. Tento zdroj je v ATX provedení o výkonu 200W. Schéma jsem nakreslil, když jsem zdroj opravoval. Když už jsem měl při

Více

POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ. (Bl) (И) ČESKOSLOVENSKA SOCIALISTICKÁ REPUBLIKA ( 1S ) (SI) Int Cl* G 21 G 4/08

POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ. (Bl) (И) ČESKOSLOVENSKA SOCIALISTICKÁ REPUBLIKA ( 1S ) (SI) Int Cl* G 21 G 4/08 ČESKOSLOVENSKA SOCIALISTICKÁ REPUBLIKA ( 1S ) POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ 262470 (И) (Bl) (22) přihláženo 25 04 87 (21) PV 2926-87.V (SI) Int Cl* G 21 G 4/08 ÚFTAD PRO VYNÁLEZY A OBJEVY (40)

Více

Maturitní témata fyzika

Maturitní témata fyzika Maturitní témata fyzika 1. Kinematika pohybů hmotného bodu - mechanický pohyb a jeho sledování, trajektorie, dráha - rychlost hmotného bodu - rovnoměrný pohyb - zrychlení hmotného bodu - rovnoměrně zrychlený

Více

Parametry a aplikace diod

Parametry a aplikace diod Cvičení 6 Parametry a aplikace diod Teplotní závislost propustného úbytku a závěrného proudu diody (PSpice) Reálná charakteristika diody, model diody v PSpice Extrakce parametrů diody pro PSpice Měření

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

1. Stanovte a graficky znázorněte charakteristiky vakuové diody (EZ 81) a Zenerovy diody (KZ 703).

1. Stanovte a graficky znázorněte charakteristiky vakuové diody (EZ 81) a Zenerovy diody (KZ 703). 1 Pracovní úkoly 1. Stanovte a graficky znázorněte charakteristiky vakuové diody (EZ 81) a Zenerovy diody (KZ 703). 2. Určete dynamický vnitřní odpor Zenerovy diody v propustném směru při proudu 200 ma

Více

musí být odolný vůči krátkodobým zkratům při zkratovém přenosu kovu obloukem,

musí být odolný vůči krátkodobým zkratům při zkratovém přenosu kovu obloukem, 1 SVAŘOVACÍ ZDROJE PRO OBLOUKOVÉ SVAŘOVÁNÍ Svařovací zdroj pro obloukové svařování musí splňovat tyto požadavky : bezpečnost konstrukce dle platných norem a předpisů, napětí naprázdno musí odpovídat druhu

Více

PODPORA ELEKTRONICKÝCH FOREM VÝUKY

PODPORA ELEKTRONICKÝCH FOREM VÝUKY I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í PODPORA ELEKTRONICKÝCH FOREM VÝUKY CZ.1.07/1.1.06/01.0043 Tento projekt je financován z prostředků ESF a státního rozpočtu ČR. SOŠ informatiky a

Více

Účinky měničů na elektrickou síť

Účinky měničů na elektrickou síť Účinky měničů na elektrickou síť Výkonová elektronika - přednášky Projekt ESF CZ.1.07/2.2.00/28.0050 Modernizace didaktických metod a inovace výuky technických předmětů. Definice pojmů podle normy ČSN

Více

Aut 2- regulační technika (2/3) + prvky regulačních soustav (1/2)

Aut 2- regulační technika (2/3) + prvky regulačních soustav (1/2) Předmět: Ročník: Vytvořil: Datum: AUTOMATIZACE DRUHÝ ZDENĚK KOVAL Název zpracovaného celku: 27. 3. 2013 Aut 2- regulační technika (2/3) + prvky regulačních soustav (1/2) 5.5 REGULOVANÉ SOUSTAVY Regulovaná

Více

Proudové zrcadlo. Milan Horkel

Proudové zrcadlo. Milan Horkel roudové zrcadlo MLA roudové zrcadlo Milan Horkel Zdroje proudu jsou při konstrukci integrovaných obvodů asi stejně důležité, jako obyčejný rezistor pro běžné tranzistorové obvody. Zdroje proudu se často

Více

Učební osnova předmětu. Elektronika. studijního oboru. 26-41-M/01 Elektrotechnika (silnoproud)

Učební osnova předmětu. Elektronika. studijního oboru. 26-41-M/01 Elektrotechnika (silnoproud) Učební osnova předmětu Elektronika studijního oboru 26-41-M/01 Elektrotechnika (silnoproud) Pojetí vyučovacího předmětu Předmět elektronika je základním odborným předmětem a je úvodním předmětem do oblasti

Více

Testové otázky za 2 body

Testové otázky za 2 body Přijímací zkoušky z fyziky pro obor PTA K vypracování písemné zkoušky máte k dispozici 90 minut. Kromě psacích potřeb je povoleno používání kalkulaček. Pro úspěšné zvládnutí zkoušky je třeba získat nejméně

Více

Základy elektrotechniky a výkonová elektrotechnika (ZEVE)

Základy elektrotechniky a výkonová elektrotechnika (ZEVE) Základy elektrotechniky a výkonová elektrotechnika (ZEVE) Studijní program Vojenské technologie, 5ti-leté Mgr. studium (voj). Výuka v 1. a 2. semestru, dotace na semestr 24-12-12 (Př-Cv-Lab). Rozpis výuky

Více

Převodníky AC / DC signálů Galvanické oddělovače Napájecí zdroje Zobrazovače

Převodníky AC / DC signálů Galvanické oddělovače Napájecí zdroje Zobrazovače Převodníky AC / DC signálů Galvanické oddělovače Napájecí zdroje Zobrazovače 48,1,2,47,4 6,3,4,4 5,44,5,6,43,42, 7,8,41,4 0,9,10, 39,38,1 1,12,37, 36,13,1 4,35,34,15,16, 33,32,1 7,18,31, 30,19,2 0,29,28,21,22,

Více

Elektronické praktikum EPR1

Elektronické praktikum EPR1 Elektronické praktikum EPR1 Úloha číslo 2 název Vlastnosti polovodičových prvků Vypracoval Pavel Pokorný PINF Datum měření 11. 11. 2008 vypracování protokolu 23. 11. 2008 Zadání 1. Seznamte se s funkcí

Více

3. Kmitočtové charakteristiky

3. Kmitočtové charakteristiky 3. Kmitočtové charakteristiky Po základním seznámení s programem ATP a jeho preprocesorem ATPDraw následuje využití jednotlivých prvků v jednoduchých obvodech. Jednotlivé příklady obvodů jsou uzpůsobeny

Více

Kategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-422 se používá pro:

Kategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-422 se používá pro: Mistrovství České republiky soutěže dětí a mládeže v radioelektronice, Vyškov 2011 Test Kategorie M START. ČÍSLO BODŮ/OPRAVIL U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-422

Více

Základní elektronické obvody

Základní elektronické obvody Základní elektronické obvody Soustava jednotek Coulomb (C) = jednotka elektrického náboje q Elektrický proud i = náboj, který proteče průřezem vodiče za jednotku času i [A] = dq [C] / dt [s] Volt (V) =

Více

1.1. Základní pojmy 1.2. Jednoduché obvody se střídavým proudem

1.1. Základní pojmy 1.2. Jednoduché obvody se střídavým proudem Praktické příklady z Elektrotechniky. Střídavé obvody.. Základní pojmy.. Jednoduché obvody se střídavým proudem Příklad : Stanovte napětí na ideálním kondenzátoru s kapacitou 0 µf, kterým prochází proud

Více

23-41-M/01 Strojírenství. Celkový počet týdenních vyuč. hodin: 3 Platnost od: 1.9.2009

23-41-M/01 Strojírenství. Celkový počet týdenních vyuč. hodin: 3 Platnost od: 1.9.2009 Učební osnova vyučovacího předmětu elektrotechnika Obor vzdělání: 23-41-M/01 Strojírenství Délka a forma studia: 4 roky, denní studium Celkový počet týdenních vyuč. hodin: 3 Platnost od: 1.9.2009 Pojetí

Více

Czech Technical University in Prague Faculty of Electrical Engineering. Fakulta elektrotechnická. České vysoké učení technické v Praze.

Czech Technical University in Prague Faculty of Electrical Engineering. Fakulta elektrotechnická. České vysoké učení technické v Praze. Nejprve několik fyzikálních analogií úvodem Rezonance Rezonance je fyzikálním jevem, kdy má systém tendenci kmitat s velkou amplitudou na určité frekvenci, kdy malá budící síla může vyvolat vibrace s velkou

Více

Otázky z ELI 1/10. 15. Jaký je vztah mezi napětím a proudem na induktoru (obecně a v případě po určitou dobu konstantního napětí)

Otázky z ELI 1/10. 15. Jaký je vztah mezi napětím a proudem na induktoru (obecně a v případě po určitou dobu konstantního napětí) Otázky z ELI 1. V jakých jednotkách se vyjadřuje napětí Volt 2. V jakých jednotkách se vyjadřuje proud Amper 3. V jakých jednotkách se vyjadřuje odpor Ohm 4. V jakých jednotkách se vyjadřuje kapacita Farad

Více

Chemická vazba. Příčinou nestability atomů a jejich ochoty tvořit vazbu je jejich elektronový obal.

Chemická vazba. Příčinou nestability atomů a jejich ochoty tvořit vazbu je jejich elektronový obal. Chemická vazba Volné atomy v přírodě jen zcela výjimečně (vzácné plyny). Atomy prvků mají snahu se navzájem slučovat a vytvářet molekuly prvků nebo sloučenin. Atomy jsou v molekulách k sobě poutány chemickou

Více

Základní poznatky o vedení elektrického proudu, základy elektroniky

Základní poznatky o vedení elektrického proudu, základy elektroniky Pedagogická fakulta Masarykovy univerzity Katedra technické a informační výchovy Základní poznatky o vedení elektrického proudu, základy elektroniky PaedDr. Ing. Josef Pecina, CSc. Mgr. Pavel Pecina, Ph.D.

Více

Maturitní temata z fyziky pro 4.B, OkB ve školním roce 2011/2012

Maturitní temata z fyziky pro 4.B, OkB ve školním roce 2011/2012 Maturitní temata z fyziky pro 4.B, OkB ve školním roce 2011/2012 1. Kinematika pohybu hmotného bodu pojem hmotný bod, vztažná soustava, určení polohy, polohový vektor trajektorie, dráha, rychlost (okamžitá,

Více

10. Energie a její transformace

10. Energie a její transformace 10. Energie a její transformace Energie je nejdůležitější vlastností hmoty a záření. Je obsažena v každém kousku hmoty i ve světelném paprsku. Je ve vesmíru a všude kolem nás. S energií se setkáváme na

Více

PROTOKOL O LABORATORNÍM CVIČENÍ - AUTOMATIZACE

PROTOKOL O LABORATORNÍM CVIČENÍ - AUTOMATIZACE STŘEDNÍ PRŮMYSLOVÁ ŠKOLA V ČESKÝCH BUDĚJOVICÍCH, DUKELSKÁ 13 PROTOKOL O LABORATORNÍM CVIČENÍ - AUTOMATIZACE Provedl: Tomáš PRŮCHA Datum: 17. 4. 2009 Číslo: Kontroloval: Datum: 5 Pořadové číslo žáka: 24

Více

Elektrotechnika SOUBOR PŘÍPRAV PRO 3. R. OBORU 23-41-M/01 Strojírenství

Elektrotechnika SOUBOR PŘÍPRAV PRO 3. R. OBORU 23-41-M/01 Strojírenství STŘEDNÍ PRŮMYSLOVÁ ŠKOLA STROJNICKÁ A STŘEDNÍ ODBORNÁ ŠKOLA PROFESORA ŠVEJCARA, PLZEŇ, KLATOVSKÁ 109 Ing. Petr Vlček Elektrotechnika SOUBOR PŘÍPRAV PRO 3. R. OBORU 23-41-M/01 Strojírenství Vytvořeno v

Více

Výkon střídavého proudu, účiník

Výkon střídavého proudu, účiník ng. Jaromír Tyrbach Výkon střídavého proudu, účiník odle toho, kterého prvku obvodu se výkon týká, rozlišujeme u střídavých obvodů výkon činný, jalový a zdánlivý. Ve střídavých obvodech se neustále mění

Více

propustný směr maximální proud I F MAX [ma] 75 < 1... při I F = 10mA > 50... při I R = 1µA 60 < 0,4... při I F = 10mA > 60...

propustný směr maximální proud I F MAX [ma] 75 < 1... při I F = 10mA > 50... při I R = 1µA 60 < 0,4... při I F = 10mA > 60... Teoretický úvod Diody jsou polovodičové jednobrany s jedním přechodem PN. Dioda se vyznačuje tím, že nepropouští téměř žádný proud (je uzavřena) dokud napětí na ní nestoupne na hodnotu prahového napětí

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

Úvod do laserové techniky KFE FJFI ČVUT Praha Michal Němec, 2014. Plynové lasery. Plynové lasery většinou pracují v kontinuálním režimu.

Úvod do laserové techniky KFE FJFI ČVUT Praha Michal Němec, 2014. Plynové lasery. Plynové lasery většinou pracují v kontinuálním režimu. Aktivní prostředí v plynné fázi. Plynové lasery Inverze populace hladin je vytvářena mezi energetickými hladinami některé ze složek plynu - atomy, ionty nebo molekuly atomární, iontové, molekulární lasery.

Více

Plán doučování z fyziky kvarta Učebnice: Fyzika 9 učebnice pro základní školy a víceletá gymnázia Nakladatelství Fraus 2007

Plán doučování z fyziky kvarta Učebnice: Fyzika 9 učebnice pro základní školy a víceletá gymnázia Nakladatelství Fraus 2007 Plán doučování z fyziky kvarta Učebnice: Fyzika 9 učebnice pro základní školy a víceletá gymnázia Nakladatelství Fraus 2007 1. pololetí Elektrodynamika - magnetická a elektromagnetická indukce - generátory

Více

Gymnázium, Havířov - Město, Komenského 2 MATURITNÍ OTÁZKY Z FYZIKY Školní rok: 2012/2013

Gymnázium, Havířov - Město, Komenského 2 MATURITNÍ OTÁZKY Z FYZIKY Školní rok: 2012/2013 1. a) Kinematika hmotného bodu klasifikace pohybů poloha, okamžitá a průměrná rychlost, zrychlení hmotného bodu grafické znázornění dráhy, rychlosti a zrychlení na čase kinematika volného pádu a rovnoměrného

Více

Title: IX 6 11:27 (1 of 6)

Title: IX 6 11:27 (1 of 6) PŘEVODNÍKY ANALOGOVÝCH A ČÍSLICOVÝCH SIGNÁLŮ Převodníky umožňující transformaci číslicově vyjádřené informace na analogové napětí a naopak zaujímají v řídícím systému klíčové postavení. Značná část měřených

Více

4. Nakreslete hysterezní smyčku feromagnetika a popište ji. Uveďte příklady využití jevu hystereze v praxi.

4. Nakreslete hysterezní smyčku feromagnetika a popište ji. Uveďte příklady využití jevu hystereze v praxi. IZSE/ZKT 1 1.Definujte el. potenciál. Skalární fyzikální veličina, která popisuje potenciální energii jednotkového elektrického náboje v neměnném elektrickém poli. Značka: φ[v],kde W je potenciální energie

Více

Vladimír Straka ELEKTRONIKA

Vladimír Straka ELEKTRONIKA STŘEDNÍ PRŮMYSLOVÁ ŠKOLA STROJNICKÁ A STŘEDNÍ ODBORNÁ ŠKOLA PROFESORA ŠVEJCARA, PLZEŇ, KLATOVSKÁ 109 Vladimír Straka ELEKTRONIKA SOUBOR PŘÍPRAV PRO 2. R. OBORU 26-41-M/01 Elektrotechnika - Mechatronika

Více

Molekulová spektroskopie 1. Chemická vazba, UV/VIS

Molekulová spektroskopie 1. Chemická vazba, UV/VIS Molekulová spektroskopie 1 Chemická vazba, UV/VIS 1 Chemická vazba Silová interakce mezi dvěma atomy. Chemické vazby jsou soudržné síly působící mezi jednotlivými atomy nebo ionty v molekulách. Chemická

Více

Katedra obecné elektrotechniky Fakulta elektrotechniky a informatiky, VŠB - TU Ostrava

Katedra obecné elektrotechniky Fakulta elektrotechniky a informatiky, VŠB - TU Ostrava atedra obecné elektrotechniky Fakulta elektrotechniky a informatiky, VŠB - T Ostrava 9. TRASFORMÁTORY. Princip činnosti ideálního transformátoru. Princip činnosti skutečného transformátoru 3. Pracovní

Více

Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody

Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody Přírodní vědy moderně a interaktivně FYZIKA 2. ročník šestiletého studia Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody G Gymnázium Hranice Přírodní vědy moderně a interaktivně

Více

PRAKTIKUM... Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Odevzdal dne: Seznam použité literatury 0 1. Celkem max.

PRAKTIKUM... Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Odevzdal dne: Seznam použité literatury 0 1. Celkem max. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM... Úloha č. Název: Pracoval: stud. skup. dne Odevzdal dne: Možný počet bodů Udělený počet bodů Práce při měření 0 5 Teoretická

Více

1. Zdroje a detektory optického záření

1. Zdroje a detektory optického záření 1. Zdroje a detektory optického záření 1.1. Zdroje optického záření výkon a jeho časový průběh spektrální charakteristika a její stabilita v čase koherenční vlastnosti 1.1.1. Tepelné zdroje velmi malá

Více

Transformátor trojfázový

Transformátor trojfázový Transformátor trojfázový distribuční transformátory přenášejí elektricky výkon ve všech 3 fázích v praxi lze použít: a) 3 jednofázové transformátory větší spotřeba materiálu v záloze stačí jeden transformátor

Více

26-41-M/01 Elektrotechnika

26-41-M/01 Elektrotechnika Střední škola technická, Most, příspěvková organizace Dělnická 21, 434 01 Most PROFILOVÁ ČÁST MATURITNÍ ZKOUŠKY V JARNÍM I PODZIMNÍM OBDOBÍ ŠKOLNÍ ROK 2014/2015 Obor vzdělání 26-41-M/01 Elektrotechnika

Více

Přenosný zdroj PZ-1. zdroj regulovaného proudu a napětí měření časového zpoždění relé, ochran a jiných přístrojů

Přenosný zdroj PZ-1. zdroj regulovaného proudu a napětí měření časového zpoždění relé, ochran a jiných přístrojů zdroj regulovaného proudu a napětí měření časového zpoždění relé, ochran a jiných přístrojů Použití: Přenosný zdroj PZ1 se používá jako zdroj regulovaného proudu nebo napětí a měření časového zpoždění

Více

2. Diody a usmrovae. 2.1. P N pechod

2. Diody a usmrovae. 2.1. P N pechod 2. Diody a usmrovae schématická znaka A K Dioda = pasivní souástka k P N je charakteristická ventilovým úinkem pro jednu polaritu piloženého naptí propouští, pro druhou polaritu nepropouští lze ho dosáhnout

Více

Výkonová elektronika. Polovodičový stykač BF 9250

Výkonová elektronika. Polovodičový stykač BF 9250 Výkonová elektronika Polovodičový stykač BF 9250 BF 9250 do 10 A BF 9250 do 25 A podle EN 60 947-4-2, IEC 60 158-2, VDE 0660 část 109 1-, 2- a 3-pólová provedení řídící vstup X1 s malým příkonem proudu

Více

Pracovní list žáka (ZŠ)

Pracovní list žáka (ZŠ) Pracovní list žáka (ZŠ) Účinky elektrického proudu Jméno Třída.. Datum.. 1. Teoretický úvod Elektrický proud jako jev je tvořen uspořádaným pohybem volných částic s elektrickým nábojem. Elektrický proud

Více

BIOMECHANIKA DYNAMIKA NEWTONOVY POHYBOVÉ ZÁKONY, VNITŘNÍ A VNĚJŠÍ SÍLY ČASOVÝ A DRÁHOVÝ ÚČINEK SÍLY

BIOMECHANIKA DYNAMIKA NEWTONOVY POHYBOVÉ ZÁKONY, VNITŘNÍ A VNĚJŠÍ SÍLY ČASOVÝ A DRÁHOVÝ ÚČINEK SÍLY BIOMECHANIKA DYNAMIKA NEWTONOVY POHYBOVÉ ZÁKONY, VNITŘNÍ A VNĚJŠÍ SÍLY ČASOVÝ A DRÁHOVÝ ÚČINEK SÍLY ROTAČNÍ POHYB TĚLESA, MOMENT SÍLY, MOMENT SETRVAČNOSTI DYNAMIKA Na rozdíl od kinematiky, která se zabývala

Více

Copyright Moeller Elektrotechnika s.r.o. 2008. Všechna práva vyhrazena.

Copyright Moeller Elektrotechnika s.r.o. 2008. Všechna práva vyhrazena. Časové relé Z-ZR Copyright Moeller Elektrotechnika s.r.o. 2008 Všechna práva vyhrazena. Informace v tomto dokumentu mohou podléhat změnám - platí aktuální verze. Společnost Moeller Elektrotechnika s.r.o.

Více

Stabiliz atory napˇet ı v nap ajec ıch zdroj ıch - mˇeˇren ı z akladn ıch parametr u Ondˇrej ˇ Sika

Stabiliz atory napˇet ı v nap ajec ıch zdroj ıch - mˇeˇren ı z akladn ıch parametr u Ondˇrej ˇ Sika - měření základních parametrů Obsah 1 Zadání 4 2 Teoretický úvod 4 2.1 Stabilizátor................................ 4 2.2 Druhy stabilizátorů............................ 4 2.2.1 Parametrické stabilizátory....................

Více

Mˇeˇren ı vlastn ı indukˇcnosti Ondˇrej ˇ Sika

Mˇeˇren ı vlastn ı indukˇcnosti Ondˇrej ˇ Sika Obsah 1 Zadání 3 2 Teoretický úvod 3 2.1 Indukčnost.................................. 3 2.2 Indukčnost cívky.............................. 3 2.3 Vlastní indukčnost............................. 3 2.4 Statická

Více

5. RUŠENÍ, ELEKTROMAGNETICKÁ KOMPATIBILITA (EMC) a NORMY EMC

5. RUŠENÍ, ELEKTROMAGNETICKÁ KOMPATIBILITA (EMC) a NORMY EMC 5. RUŠENÍ, ELEKTROMAGNETICKÁ KOMPATIBILITA (EMC) a NORMY EMC Závažným problémem konstrukce impulsních regulátorů je jejich odrušení. Výkonové obvody měničů představují aktivní zdroj impulsního a kmitočtového

Více

1. Spouštění asynchronních motorů

1. Spouštění asynchronních motorů 1. Spouštění asynchronních motorů při spouštěni asynchronního motoru je záběrový proud až 7 krát vyšší než hodnota nominálního proudu tím vznikají v síti velké proudové rázy při poměrně malém záběrovém

Více

STŘEDNÍ ŠKOLA ELEKTROTECHNICKÁ, OSTRAVA, NA JÍZDÁRNĚ

STŘEDNÍ ŠKOLA ELEKTROTECHNICKÁ, OSTRAVA, NA JÍZDÁRNĚ STŘEDNÍ ŠKOLA ELEKTROTECHNICKÁ, OSTRAVA, NA JÍZDÁRNĚ 30, p. o. ELEKTRONIKA Ing. Pavel VYLEGALA 006 - - Obsah Elektrické obvody...4 Základní pojmy...4 Polovodičové součástky...6 Polovodič typu P,typu N,přechod

Více

ŠVP Gymnázium Jeseník Seminář z fyziky oktáva, 4. ročník 1/5

ŠVP Gymnázium Jeseník Seminář z fyziky oktáva, 4. ročník 1/5 ŠVP Gymnázium Jeseník Seminář z fyziky oktáva, 4. ročník 1/5 žák řeší úlohy na vztah pro okamžitou výchylku kmitavého pohybu, určí z rovnice periodu frekvenci, počáteční fázi kmitání vypočítá periodu a

Více

3 Mechanická energie 5 3.1 Kinetická energie... 6 3.3 Potenciální energie... 6. 3.4 Zákon zachování mechanické energie... 9

3 Mechanická energie 5 3.1 Kinetická energie... 6 3.3 Potenciální energie... 6. 3.4 Zákon zachování mechanické energie... 9 Obsah 1 Mechanická práce 1 2 Výkon, příkon, účinnost 2 3 Mechanická energie 5 3.1 Kinetická energie......................... 6 3.2 Potenciální energie........................ 6 3.3 Potenciální energie........................

Více

Tabulace učebního plánu. Vzdělávací obsah pro vyučovací předmět : Fyzika. Ročník: I.ročník - kvinta

Tabulace učebního plánu. Vzdělávací obsah pro vyučovací předmět : Fyzika. Ročník: I.ročník - kvinta Tabulace učebního plánu Vzdělávací obsah pro vyučovací předmět : Fyzika Ročník: I.ročník - kvinta Fyzikální veličiny a jejich měření Fyzikální veličiny a jejich měření Soustava fyzikálních veličin a jednotek

Více

Zdeněk Faktor. Transformátory a tlumivky pro spínané napájecí zdroje

Zdeněk Faktor. Transformátory a tlumivky pro spínané napájecí zdroje Zdeněk Faktor Transformátory a tlumivky pro spínané napájecí zdroje 2002 Přestože transformátory a tlumivky byly v nejmodernějších elektronických zařízeních do značné míry nahrazeny jinými obvodovými prvky,

Více

Elektrotechnika - test

Elektrotechnika - test Základní škola, Šlapanice, okres Brno-venkov, příspěvková organizace Masarykovo nám. 1594/16, 664 51 Šlapanice www.zsslapanice.cz MODERNÍ A KONKURENCESCHOPNÁ ŠKOLA reg. č.: CZ.1.07/1.4.00/21.2389 Elektrotechnika

Více

1 Zdroj napětí náhradní obvod

1 Zdroj napětí náhradní obvod 1 Zdroj napětí náhradní obvod Příklad 1. Zdroj napětí má na svorkách naprázdno napětí 6 V. Při zatížení odporem 30 Ω klesne napětí na 5,7 V. Co vše můžete o tomto zdroji říci za předpokladu, že je v celém

Více