1. Vlastní a nevlastní vodivost 2. Pohyblivost volných nábojů 3.Přechod PN v monokrystalickém polovodiči přechod PN.

Rozměr: px
Začít zobrazení ze stránky:

Download "1. Vlastní a nevlastní vodivost 2. Pohyblivost volných nábojů 3.Přechod PN v monokrystalickém polovodiči přechod PN."

Transkript

1 1. Vlastní a nevlastní vodivost vlastní vodivost - vzniká fononovou generací (pár elektron - díra) nevlastní vodivost - způsobená atomovými poruchami krystalové mříže, zejména substitučními poruchami nevlastní nedegenerovaný polovodič - kladný teplotní součinitel, tedy vodivost klesá, což je způsobeno větším kmitáním atomů kolem rovnovážné polohy,které snižuje pohyblivost nosičů náboje vlastní polovodič - záporný teplotní součinitel, tedy vodivost roste, což je způsobeno tím, že při větší teplotě je větší pravděpodobnost vzniku fononu. 2. Pohyblivost volných nábojů Vedení proudu v polovodičích se zakládá na dvou příčinách: - elektrické pole způsobuje driftový proud - spád (gradient) koncentrace nosičů dává vznik difúznímu proudu Driftová vodivost závisí na druhu nosičů - pohyblivost děr je v důsledku sdílného pohybu asi o řád nižší než elektronů, na pravidelnosti krystalové struktury, koncentraci nosičů, intenzitě elektrického pole a teplotě. Difúzní složka proudu je úměrná gradientu nosičů, takže J q D dn D dp D = n p, kde Dn je dx dx difúzní konstanta elektronů a Dp děr. Střední difúzní délka, je 50% délky jakou prodifundují elektrony nebo díry. Střední volná dráha, je dráha mezi jednotlivými srážkami mezi pohyblivou částicí a krystalovou mřížkou. 3.Přechod PN v monokrystalickém polovodiči Rozhraní mezi dvěma polovodiči různého typu vodivosti nazýváme přechod PN. Vytváří se technologickými postupy v jednom krystalu polovodiče. Dále se uvažuje jen strmý přechod PN(obr 1), kde se typ polovodiče na styčné ploše mění nespojitě. V důsledku gradientu koncentrace pohyblivých nosičů náboje dochází k difúzním tokům elektronů z části N do P a děr z polovodiče typu P do N. Koncentrace nosičů se však nemůže měnit náhle, jako u nepohyblivých příměsových atomů, ale mění se spojitě. V polovodiči N se vytvoří oblast s menší koncentrací elektronů, takže převládá kladný náboj ionizovaných donorů. V části P se vytvoří oblast s menší koncentrací děr, převládá tam náboj ionizovaných akceptorů.(obr 2). Vzniká elektrická dvojvrstva prostorového náboje, která je doprovázena vnitřním elektrickým polom intenzity E. Vnitřní el. pole brání dalšímu difúznímu přechodu elektronù a dìr, take dojde k dynamické rovnováze. Oblast prostorového náboje se nazývá ochuzená vrstva přechodu PN.

2 5. Vyložte možné mechanismy průrazu přechodu PN v závěrném směru - k elektrickému průrazu PN přechodu může dojít dvěma mechanismy a) Zenerův jev - vnitřní emise náboje vyvolaná elektrickým polem - intenzita pole v PN přechodu vzrůstá s rostoucím závěrným napětím (v rozmezí do 6V) - pro tenký přechod může intenzita pole dosáhnout kritické hodnoty 10 7 V/m - po překročení kritické intenzity dojde k vytrhávání elektronů z valenčního pásu a dále tunelovým jevem dojde k přechodu do pásu vodivostního - zvýšení počtu nositelů nábojů, snížení odporu přechodu - charakteristický je záporný teplotní koeficient b) lavinový jev - pohybující se elektrony mají velkou kinetickou energii (větší než šířka zakáz. pásu), že jsou schopny ionizovat atom - počet uvolněných elektronů roste geometrickou řadou (v rozmezí od 50 V) - dochází k němu na širokých přechodech, kde je velká pravděpodobnost srážky elektronu s atomem - charakteristický je kladný teplotní součinitel 6. Vysvětlete, proč má průrazné napětí přechodu PN způsobené Zenerovým jevem jiný teplotní součinitel, než napětí způsobené lavinovým jevem. Zenerův jev se uplatňuje pouze na velmi tenkých přechodech, příslušné napětí diody je do 6V. Lavinový děj je podobný jako Zenerův, ale uplatňuje se na širších přechodech, a tím i na vyšším napětí. Se zvětšováním závěrného napětí, vzrůstá rychlost minoritních elektronů. Po dosažení určitého kritického napětí je jejich kinetická energie tak velká, že letí elektron ionizuje atom. Počet takto uvolněných elektronů roste geometrickou řadou, aniž by se napětí dále zvyšovalo, jde o lavinovou ionizaci krystalové mřížky. Dochází na širších přechodech PN, kde je velká pravděpodobnost srážky elektronu s atomem během průletu. V tenkých přechodech je pravděpodobnost srážky malá. Čím menší je šířka přechodu, tím snadněji se vyvolá intenzita elektrostatického pole. Teplotní důsledek: Mechanizmus průrazu má vliv na znaménko teplotního součinitele napětí. Diody se Zenerovým průrazem mají záporný teplotní součinitel, s lavinovým průrazem kladný. Vzhledem k tomu, že u většiny diod dochází k oběma průrazům, existuje přechodová oblast, kde je teplotní součinitel nulový ( 5 až 6V). Různé znaménko teplotního součinitele lze s výhodou použít ke kompenzaci teplotních změn.

3 7. Teplotní posun VA char. PN přechodu qu a U kt T Podle Shockleyova rovnice j = j0( e 1) = j0( e 1) kde a = q / k. Z tohoto vztahu se dají odpozorovat tři druhy závislosti : a) j je stejné při různých teplotách. Mění se tedy spolu s teplotou napětí. U = f(t) = konst*t b) U je stejné při různých teplotách. Mění se tedy spolu s teplotou proud. U konstt j = f ( T) = j0 ( e 1 ) c) v praxi nejrozšířenější - S teplotou se mění jak proud tak napětí. obrázek naznačující posuny - no moc se nepovedl 8. Fyzikální princip Schottkyho diody Schotkyho dioda využívá přechodu kov-polov. (N-M). Vedení proudu je realizováno pouze majoritními nosiči náboje. V přímém směru menší úbytky napětí než PN. Z N přecházejí do kovu tzv. horké elektrony z vrcholu energ. bariéry, které v kovu ztrácejí přebytek své energie (zpracování signálu s vysokými f). Použití: vvf aplikace (100 Ghz), rychlé spínače, ochranné prvky, součásti IO, ve výkonových usměrňovačích (vysoká účinnost, malé rozměry a hmotnost). Výhody (srovnání s PN): mechanická pevnost, reprodukovatelnost při výrobě, menší šum, vyšší závěrné napětí.

4 9. Fyzikální princip tunelové diody Tunelová dioda je speciální prvek, který se vyznačuje záporným diferenciálním odporem. Jedná se o přechod PNA vyrobený ze silně dotovaných polovodičů s velmi tenkou ochuzenou oblastí (10nm). Fermiho hladina se v tomto případě nachází mimo zakázaný pás. V polovodiči N ve vodivostním pásu a v polovodiči P ve valenčním pásu. Pásový model přechodu je na obrázku: WcP P N P N P N W V P W F P W F N W C N W F P W F N e.u W F P W F N e.u a W V N b c i Princip činnosti: (ma) Celkový proud diody je dán součtem tunelového a C A difúzního proudu. Při malých napětích se uplatňuje 3 pouze tunelový proud. Pásový diagram má v tomto případě tvar podle obrázku b). Volné elektrony z B 2 valenčního pásu polovodiče N, které leží pod kvazi-fermiho hladinou W F N mohou tunelovat přes 1 přechod na prázdné energetické stavy ve valenčním pásu nad kvazi Fermiho hladinou W F P v polovodiči P, 0,1 0,2 0,3 0,4 u(v) čímž se dostaneme do bodu A na V-A charakteristice. Při větších předpětích tunelové diody se kvazi-fermiho úroveň W F N posouvá nad úroveň W F P a pravděpodobnost tunelového přechodu volných elektronů z polovodiče N klesá, protože se zmenšuje počet odpovídajících volných stavů v polovodiči P o stejné energii. Celkový proud procházející diodou se zmenšuje záporný diferenciální odpor. Při dalším zvýšení napětí dochází k posuvu okraje vodivostního pásu v polovodiči N nad okraj valenčního pásu polovodiče P(obrázek c). Tunelový proud zaniká a na V-A charakteristice se dostáváme do bodu B. Další vzrůst napětí má za následek vzrůst difúzního proudu a V-A charakteristika již odpovídá V-A charakteristice obyčejné diody. Ve zpětném směru prochází tunelovou diodou velký proud vlivem tunelování elektronů z valenčního pásu polovodiče P do vodivostního pásu polovodiče N.

5 10. Vyložte fyzikální princip činnosti varikapu (kapacitní diody) a odůvodněte tvar závislosti její kapacity na řídícím napětí. Varikap je dioda, která mění svou kapacitu v závislosti na velikosti přiloženého napětí. Podle vztahu: Cb=KU -n., kde n=0,5 pro strmý přechod PN C n=1/3 pro pozvolný přechod PN. U Pro výrobu se používá zpravidla Si na nižší kmitočty, Ge nebo GaAs pro vysokofrekvenční použití. Princip je stejný jako obyčejná dioda, avšak v závěrném směru, kde se využívá se projevuje kapacita PN přechodu. Na PN přechodu vzniká ochuzená oblast, doprovázena vnitřním elektrickým polem, jejíž velikost se mění v závislosti na přiloženém napětí, čímž se mění i kapacita diody. Nevýhodnou je: nelineární kapacita závislá na kmitočtu pouze jedna polarita kapacity, protože v opačném směru je dioda vodivá jako běžná dioda. malé průrazné napětí. Varikap je tedy kapacitní součástka, jehož kapacita se dá ladit přivedeným pomocným napětím nebo pomalu se měnícím řídícím napětím. Parametry: průrazné napětí -1V - 30V kapacity pF - 2,5-10pF Varikapy se vyrábějí ve skleněných nebo ve slabých platových pouzdrech.

6 11. Struktura bipolárního tranzistoru + fyzikální princip jeho činnosti Struktura - Bipolární tranzistor je tvořen emitorovým a kolektorovým přechodem v jednom základním monokrystalickém materiálu. Typ vodivosti báze rozhoduje o typu tranzistoru - PNP nebo NPN. Fyzikální princip činnosti - U tranzistoru na obrázku teče emitorem propustný proud Ie, složený z injektovaných elektronů do báze Ien a minoritních děr z báze do emitoru Iep. Injekční účinnost γe=ien/ie je blízká jedné pokud je báze velmi tenká a podstatně méně dotovaná než emitor. Poměr proudu Icn, který dosáhne kolektor, k proudu Ien určuje bázový součinitel přenosu κ=icn/ien, který má být opět co nejbližší jedné. Kolektorový proud je tvořen proudem Icn a zbytkovým proudem Icb0, který teče kolektorovým přechodem pólovaným závěrně. Ic = Icb0 + Icn = Icb0 + κien = Icb0 + γeκie = Icb0 + αie, kde α= Icn/Ie je ss proudový zesilovací činitel tranzistoru v zapojení se společnou bází. hodnota se zde pohybuje v rozmezí 0,95 až 0,999. Výkon na výstupu je v průměru 10 až 100krát větší než na vstupu a tranzistor pracuje jako aktivní prvek. 12. Největší výkonové zesílení bipolárního tranzistoru Fakticky neví se tady po mě chce. Bipolární tranzistor pracuje s nějvětším zesílením pokud je zapojen se společným emitorem. Potom je zesílení rovno (proudové ),(napěťové (10-100), (výkonové ), též v tomto režimu je nejlépe přízpůsoben. 13. Tři el. schémata pro klidový bod společný Emitor

7 15. Nakreslete schéma odporově vázaného zesilovače s bipolárním tranzistorem se společnou bází h 21B 1+h 21E A u =R c = R c h 11B h 11E R E h 21E R= R E h 21E + h 11E R C h 21E R= R C h 22E + h 21E R B R C C E U 11 C E R E C C U 22 U CC 16. Nakreslete elektrické schéma základního obvodu odporově vázaného zesilovače malého signálu s bipolárním tranzistorem v zapojení se společným kolektorem a uveďte přibližné vztahy pro jeho diferenciální vstupní odpor, napěťové zesílení a diferenciální výstupní odpor. Au=+ Re vždy menší než 1 h11e Re+ h21e Rvstup= h11e+( Re. h21e) Rvýstup= Re. h11e Re.h21e +h11e

8 17. JFET v zapojení společný source : V obvodech s unipolárními tranzistory na nízkých kmitočtech často zanedbáváme imaginární části diferenciálních parametrů. Dále je třeba míti na paměti, že některé dif. parametry se výrazně mění spolu s pracovním bodem (zejména g 22S ). g21srd Au = g22srd + 1 Rvstup = RG RD Rvýst = g R S D 18. MOSFET nevodivý kanál MOSFET s indukovaným kanálem. Schéma zapojení odporově vázaného zesilovače pro malé signály, Zapojení se společným sourcem R A R v7st U vst = g Rc. R g21s. Rc = g. R + 1 = R 2 22s 22s c c MOSFET vodivý kanál RG2 RD A U g21rd = g22 R + 1, R RG1RG2 VST = A R + R D U G1 G2, R VYST = g Parametry G jsou reálnými částmi parametrů y R R D + 22 D 1 RG1

9 20. Napište definiční vztahy diferenciálních parametrů typu h pro bipolární tranzistor, vyložte jejich obvodový význam, rozměry a okrajové podmínky jejich platnosti, nakreslete příslušný lineární náhradní obvod. SE: SB: SC: ube = h11ib + h12uce ueb =h11ie + h12ucb ubc = h11ib + h12uec ic = h21ib + h22uce ic = h21ie + h22ucb ie = h21ib + h22uec Z těchto linearizovaných rovnic můžeme patřičné h parametry tranzistoru určit, avšak musíme vždy vzít v úvahu, že tranzistor je nelineární součástka, tudíž při výpočtu h parametrů z VA charakteristik musíme vzít vždy malou změnu patřičného proudu nebo napětí podle toho jaký parametr právě měříme. Následující parametry jsou jen pro zapojení tranzistoru se společným emitorem. Jednotlivé h parametry mezi jednotlivými zapojeními se dají převádět pomocí převodních vztahů. Tedy: du BE h11 = při Uce=0 di B [Ω]. jedná se o vstupní impedanci při výstupu nakrátko. du BE h12 = dice při ib=0 [-]. jedná se o zpětný napěťový činitel při vstupu naprázdno dic h21 = di B při Uce=0 [-]. jedná se o proudový zesilovací činitel při výstupu nakrátko dic h22 = du CE při ib=0 [S]. jedná se o výstupní admitanci při vstupu naprázdno. u1 h11 h12 u2 h21 i1 h22 u2 Jednotlivé parametry jsou tedy závislé na poloze pracovního bodu a také jsou závislé na teplotě, zvláště parametry h11, h22.

10 21) Napište definiční vztahy diferenciálních parametrů typu y pro bipolární tranzistor, vyložte jejich obvodový význam i1 y11 =... u22=0 - vstupní vodivost nakrátko [A/V] u11 i1 y12 =... u11=0 - přenosová admitance ve zpětném směru při vstupu nakrátko [A/V] u22 i2 y21 =... u22=0 - přenosová admitance v u11 přímém směru při výstupu nakrátko [A/V] i2 y22 =...u11=0- výstupní vodivost nakrátko u22 [A/V] 22) Napište definiční vztahy diferenciálních parametrů typu y pro JFET, vyložte jejich obvodový význam i1 u2= 0 y11 = Definuje vstupní (diferenciální) vodivost na krátko, která je číselně rovna hodnotě u Po 1 změny vstupního proudu i1 změní-li se vstupní napětí u1 o jednotkovou hodnotu, je na vstupu zajištěna podmínka práce nakrátko. i1 u1= 0 y12 = Definuje přenosovou (diferenciální) admitanci ve zpětném směru při vstupu u Po 2 nakrátko, která se rovná změně vstupního proudu nakrátko při jednotkové změně vstupního napětí. i2 u2= 0 y21 = Definuje přenosovou (diferenciální) admitanci v přímém směru při výstupu u Po 1 nakrátko, která se číselně rovná hodnotě změny výstupního proudu nakrátko při jednotkové změně vstupního napětí. Někdy se označuje jako strmost (transkondukce). i2 u1= 0 y22 = Definuje přenosovou (diferenciální) vodivost nakrátko, je rovna hodnotě změny u Po 2 vstupního proudu při jednotkové změně výstupního napětí a vstupu ve zkratu. u1 Y11 y12u22 y21u11 y22 u2

11 23-Unipolární tranzistor MOSFET V běžném provozním stavu se unipolárních tranzistorů všech tipů předpokládá, že reálná složka jejich vstupního proudu je zanedbatelná. Proto se ve spojení s unipolárními tranzistory užívá téměř výlučně LNO(Lineární návrh. obvod) hybridního( Viz obr bez kapacit). Pro Y parametry platí: i y u y u 1 = , takže jak je patrné z obr. tak se uplatní jen druhá i2 = y21. u1 + y22. u2 rovnice. y 22 výstupní admitance [S] y 21 strmost [S] U unipolárních tranzistorù je tøeba respektovat vliv kapacit( Viz obr) 25. Vyložte, co to je saturační zpoždění bipolárního tranzistoru, jaká je fyzikální příčina jeho vzniku a jak se omezuje - při stavu, kdy na E i na C je kladný pól (saturační stav), se uvnitř báze vytváří oblak minoritních nosičů - než stačí všechny částice zrekombinovat, trvá to dobu řádově s, tato časová prodleva se nazývá saturační zpoždění - při sepnutém stavu má mít tranzistor na výstupu co nejmenší odpor a co nejmenší napětí U CE 26) Popište užití bipolárního tranzistoru jako spínače, uveďte jeho výhody a nevýhody, nakreslete jeho náhradní obvod a uveďte souvislost jeho součástí s parametry tranzistor Spínací tranzistor musí mít krátké spínací časy a v sepnutém stavu malou hodnotu saturačního napětí UCESAT.Činost je zřejmá s obr.1 a výstupních charakteristik spínacího tranzistoru obr.2. V sepnutém stavu má mít tranzistor na vstupu co nejmenší odpor a co nejmenší napětí Uce. Z charakteristik je zřejmé, že tento požadavek splní jen pracovní bod na mezní přímce, Ps. Tranzistor zde pracuje v saturaci. Při sepnutí musí do báze téci proud Ib=Ibsat. Saturačnímu pracovnímu proudu Icsat odpovídá saturační kolektorové napětí Ucesat. Tranzistor představuje v sepnutém stavu odpor Ucesat/Icesat. Ve vypnutém stavu uvažujeme spínací obvod přerušený. Ve skutečnosti ve spínacím obvodu teče tranzistorem zbytkový proud Ice0 a pracovní bod leží na výstupní charakteristice s parametrem Ib=0.Ib=Ibsat - tranzistor sepnut. Ib=0 -tranzistor rozepnut.výhody: Rychlé spínaní.nevýhody: Nenulový odpor v sepnutém stavu a konečný odpor v rozepnutém stavu

12 27. Unipolární tranzistor jako spínač : náhradní schema zapojení unipol. tranz. pto vf Užití stejné jako v otázce č. 26 (dle Vášuly) - používají se MOSFET-y s indukovaným kanálem (U GS = 0 => off) Výhody : - nevýkonnové ovládání s podstatně vyšší pracovní frekvencí - lépe zvládají spínání indukční zátěže Nevýhody : - velký odpor R DS v on (řeší se : moc FET-ů paralelně na jedné křemíkové desce což se projeví na druhé straně : zvýší se vstupní kapacita a dost - nežádoucí proudový impuls) Součásti : a) vstupní kapacita C GS Vlivem této kapacity (která je u výkonových FET-ů veliká) jsou kladeny vysoké nároky na budící obvod, protože kapacita způsobuje velký proudový impuls. b) výstupní admitance y 22 Tato admitance, resp. její převrácená hodnota - impedance - většinou udávaná jako odpor R DS v Ohmech, má dosti veliký vliv na výkonovou ztrátu ve stavu ON. P D = I 2 D R DS Což mluví samo za sebe. c) strmost y 21 - transkonduktance, převodní vodivost tento parametr jetaké důležitý, protože podle něho víme jak velkou úrovní signálu máme anzistor budit vůči velikosti výstupního signálu ot. 28.: (viz příloha na papíře). Zadané souřadnice prac. bodu bipolárního tranzistoru. Ve VA charakteristikách určit parametry h a nakreslit příslušný náhradní obvod...

13 29. I C I C U GS =0V U DS =5V P 0 P 0 I C I C U GS U GS U DS U GS 5 10 U DS Upozornění: Unipolární tranzistor při nízkých kmitočtech má nulový vstupní proud a nulovou vstupní vodivost. Proto je nesmysl chtít u něj určit hybridní parametry. Nejspíš je v zadání chyba. Určuji proto admitanční. Hybridní charakteristiky by se určovaly stejně jako u bipolárního tranzistoru v otázce 28. i c y 21 = u při u I C DS=0, y 21 = ge i c I y 22 = u = U I D DS G C DS y 21 U GS U GS D I C U GS y 22 U DS S 30. Vyložte fyzikální princip tranzistoru JFET, nakreslete příklad jeho VA charakteristik.vyložte fyzikální princip činnosti tranzistoru MOSFET, nakreslete příklad jeho VA charakteristik. JFET: Základem je polovodičová destička s nevlastní vodivostí typu N opatřená na obou koncích neusměrňujícími kovovými kontakty, které slouží k přivádění proudu a mají význam emitoru a kolektoru. Do horní i dolní stěny základní destičky je v délce l vytvořena difúzí solně dotovaná vrstva obráceného typu vodivosti (P+) nazvaná hradlo (G- gate). Obě části hradla jsou spolu vodivě spojeny. Hradlo tvoří řídící elektrodu tranzistoru. Prostor mezi částmi hradla se nazývá kanál. Vyprázdněná oblast G E C G

14 Jsou-li hradlo i kolektor spojeny s emitorem (Uce=Uge=0) vytvoří se v okolí hradla vyprázdněná oblast. Tloušťku vyprázdněné oblasti je možno měnit napětím přiloženém k přechodu. Přiložíme-li tedy mezi hradlo a emitor napětí Uge, tak, aby přechod byl polarizován ve zpětném směru, můžeme obě vyprázdněné oblasti rozšířit, čímž zúžíme vodivou část kanálu a zvětšíme jeho odpor. Přitom přívodem hradla neprochází téměř žádný proud (řádově pa). G P+ G P+ E N C E N C G P+ G P+ Při nulovém nebo velmi malém napětí Uce je vyprázdněná část kolem části hradla rovnoměrná a proud při vzrůstu Uce se zvyšuje lineárně. Při dalším zvyšování napětí Uce začíná kladné napětí připojené v místě kolektoru na kanál vodivosti typu N působit jako přepětí HRADLO- KANÁL ve zpětném směru a tím rozšiřovat vyprázdněnou oblast. Toto rozšíření ne největší v blízkosti kolektoru, neboť napětí mezi kanálem a hradlem se v důsledku napěťového úbytku působeného proudem Ic od kolektoru k emitoru zmenšuje. Výsledkem je nerovnoměrné rozložení vyprázdněné oblasti podél hradla. K úplnému uzavření kanálu nedojte, kanál se pouze v určitém místě zúží na velmi tenkou vrstvičku, která dovoluje průchodu proudu Ic - nasycená oblast. Z tohoto popisu vycházejí VA charakteristiky JFETu. Ic [ma] Uge [V] Uce[V]

15 30b) S n G G SiO 2 D S D SiO 2 n n n p p MOSFET s indukovaným kanálem I D I D indukovaný kanál vodivý kanál U GS =0V MOSFET s vodivýmkanálem MOSFET s indukovaným kanálem: Předpokládejme nejprve U DS =0. Je-li též U GS =0, je odpor mezi S a D dán odporem polovodiče, který je v tomto stavu vysoký. Zvýšíme-li napětí U GS tak, že G je U GS na vyšším potenciálu než S, vytvoříme pod SiO2 na povrchu polovodiče kanál indukovaných záporných nábojů. Tím se odpor mezi S a D zmenší. Připojíme-li nyní U DS, může procházet mezi D a S proud. Tento proud však způsobuje úbytek napětí, takže ve vzdálenosti y od S bude napětí UG mezi hradlem a kanálem dáno vztahem: UG = U GS - u(y). Napětí UG se U DS s rostoucí vzdáleností od S zmenšuje a kanál se zužuje. 2 ef zc0u P Velikost procházejícího proudu: I = µ, kde µ je U GS U DS efektivní pohyblivost, C je kapacita SiO2, l je vzdálenost S a D. Z tohoto vztahu vyplývá kvadratická závislost V-A charakteristik. MOSFET s vodivým kanálem Pod vrstvou SiO2 existuje kanál stejné vodivosti, jako je S a D. Proud tedy může procházet i když je U GS =0. Tento tranzistor má dva režimy činnosti. Pro U GS >0 je to takzvaný obohacený mód. Při tomto módu se vodivost zvětšuje. Kromě toho může pracovat při U GS <0, kdy dochází ke snižování vodivosti (ochuzený mód) 0 l

16 31) odporová a nasycená část VA char. unip. JFETu Pro malé hodnoty Uds se unipolární tranzistor (JFET) chová jako odpor tímto napětím řízený. Pokud však napětí Uds zvětšíme (> 0,x V) dostaneme se do oblasti nasycení, která je způsobena vyprázdněnou vrstvou (viz obr.) a větší proud už neprojde. Z výstupní VA je vidět, že proud stále trochu roste, což je způsobeno silným el. polem, které vyvolává tunelový jev. 32. Odporová a nasycená část výstupních car MOSFET Při malých napětích mezi emitorem a kolektorem (řádově desetiny voltu) se MOSFET chová přibližně jako lineární rezistor, Jehož odpor závisí na napětí Uge. Říkáme, že tranzistor pracuje v odporovém režimu. Voltampérové charakteristiky v odporové oblasti lze v prvním přiblížení nahradit přímkami procházejícími počátkem. Jejich směrnice závisí na napětí Uge. Při určitém napětí Uce je kolektorový proud již tak veliký, že odčerpá všechny elektrony, které je řídící elektroda schopna při daném napětí Uge do kanálu přitáhnout. Kolektorový proud je nasycen a jeho velikost se vzrůstajícím kolektorovým napětím Uce se zvětšuje jen nepatrně. Říkáme, že pracuje v oblasti nasyceného proudu. G C odporová nasycená oblast E 33-JFET-zaškrcení kanálu Pokud je tranzistor bez řídícího napětí ugs, představují oblasti 4 ochuzenou vrstvu přechodu P + N. Připojíme-li dále napětí u DS tak, aby kanálem 1 protékali elektrony, efektivní průřez kanálu se změní, ochuzená vrstva změní tvar. Ochuzená vrstva má příliš vysokou rezistivitu a na přenosu proudu ke kolektoru se při otevřeném kanálu nepodílí. Protože tloušťku oblasti 4 mùžeme měnit staticky napětím na hradle, lze ovlivňovat efektivní průřez kanálu, tj. zmenšovat jej a ovlivňovat proud i d - odtud tranzistor řízený polem. Při nenulovém napětí u DS protéká kanálem proud i d, který způsobuje úbytek napětí u(y) vzhledem k source a s rostoucí vzdáleností se vlastní zvětšuje závěrné napětí u GS. S jeho vzrůstem se zvětšuje oblast prostorového náboje, vodivý kanál se tedy směrem ke kolektoru zužuje. K případnému zaškrcení kanálu by tedy došlo a na jeho konci. Kdyby se kanál zaškrtil neprocházel by místem zaškrcení žádný proud a proto by se právì v tom místě objevilo napětí u DS, jehož intenzita by nutila prùchod proudu.

17 35. Vyložte důvod citlivosti vstupu unipolárního tranzistoru MOSFET na poškození elektrostatickým nábojem - elektrostatický náboj může způsobit průraz dielektrické vrstvy SiO 2 mezi elektrodou G a elektrodami S,D - tato vrstva je velice tenká ( řádově s ) - poškození dielektrické vrstvy lze předejít : 1. elektrody jsou opatřeny zkratovací fólií, která se odstraní až po montáži 2. následujícím zapojením 36) Uveďte definice tříd práce aktivních prvků výkonových zesilovačů a porovnejte jejich vzájemné výhody a nevýhody. Jeden cykl harmonického signálu rozdělím na 360 stupňů.třídy zesilovačů se od sebe liší tím, po jakou část cyklu zpracovávaného signálu pracují (zesilují).záleží na tom,kdy je aktivní výkonový prvek ve vodivém stavu, neboli na tzv. úhlu otevření. Třída A: je definována jako provozní režim,při kterém je úhel otevření aktivního prvku 360 stupňů. ( stale vodivý ). Výhodou je, že zpracovává celou periodu signálu. Nevýhodou je jeho špatná energetická účinnost ( max. 50 %). Je aktivní i při nulovém vstupním signálu. Třída B: je definována jako provozní režim, v němž je úhel otevření 180 stupňů a aktivní prvek je vodivý pouze pro jednu polaritu budícího signálu. O jakou polaritu se jedná záleží na zapojení obvodu. Výhodou je vyšší energetická účinnost až 80%. Nevýhodou je zesílení jen jedné periody a vzniku nelineárního a přechodového zkreslení, které se musí odstraňovat( další součástky). Třída C: je definována jako provozní režim, ve kterém je úhel otevření aktivního prvku menší než 180 stupňů. Je-li úhel otevření podstatně menší než 180 stupňů mluvíme o hluboké třídě C. Výhody: Čím menší úhel otevření tím vyšší účinnost. Nevýhoda: Aby se dosáhlo stejné hodnoty výstupního výkonu, je při zmenšování úhlu otevření zapotřebí úměrně zvětšovat špičkovou hodnotu proudu, vnuceného aktivním prvkem do zátěže, nebo špičkovou hodnotu střídavého napětí, které se objeví na zátěži.=omezující činitel.

18 37. Účinnost zesilovače ve třídě A : Pro účinnost zesilovače platí vztah : P U AC η = = P U DC ef CC I I ef C kde U ef = ( U U ) CC 2 CE 0 a I ef = ( I I ) C 2 CEO kde U CB0 a I CE0 můžeme pro svou velikost vůči U CC nebo I C zanedbat a potom UCC IC P U I AC ef ef η = = = 2 2 = 05. P U I U I DC CC C CC C Toto odvození platí pouze pro : a) Pracovní bod je nastaven na U CE = 0.5 U CC b) Zesilovač je buzen maximálním signálem (aby na výstupu byl signál nezkreslen) Z toho vyplývá, že účinnost je lineárně závislé na velikosti vstupního buzení, to jest při nulovém signálu je účinnost nulová! ot. 38.: Teoretická účinnost tranzistorového zes. ve třídě B. Předpokládáme, že převodní char. má tvar přímky, proudové průběhy na tranz. odpovídají obrázkům a při plném vybuzení je zbytkové napětí na tr. = 0. Dobu trvání půlvlny =. Maximální amplitudy U M a I M uvažujeme jako jednotkové, tím i zatěžovací odpor R z je jednotkový. Vzhledem k tomu, že zesilovač pracuje ve třídě B můžeme za R z volit libovolnou nenulovou hodnotu Omezením je maximální přípustný proud tranz. a P Cmax, pak je výstupní výkon definován: U M. I M U M. I M Pzat = = Příkon je dán součinem stálého (stejnosměrného) napětí U cc, které předpokládáme rovné vrcholovému napětí U M a střední hodnoty odebíraného proudu: π U M U MI M Pnap = It tdt= T ().sin( ω 2.). Pro účinnost potom dostáváme: π 0 U MI M Pzat π η = = 2 = 78, 54% P 2. U I nap M M 4 π

19 40. Uveďte které parametry elektronického aktivního prvku omezující maximální výkon zesilovače užívajícího takového prvku. Zesilovače můžeme rozdělit do několika skupin, podle toho se mění i velikost hodnot parametrů, důležitost těchto parametrů ve funkci jejich zapojení. Zesilovače konstruované pomocí: Bipolárních tranzistorů: Důležité parametry u bipolárních zesilovačů jsou: Mezní hodnoty udává výrobce pro každý druh tranzistoru zvlášť. Např. KC 147. nf Tranzistor : Mezní Ucbo=45V Uce=45V Ic=100mA Uebo=5V Pcmax=0,2W υ=125 C Charakteristické Icbo=15nA při Ucb=10V h21= Ucb=5V ft=150mhz Unipolárních tranzistorů: Např. BF 245 B Mezní Uds=30V Udg=30V Uds=-30V Ig=10mA Pd=350mW υ=150 C Charakteristické Ciss=3pF Crss=0,7pF Coss=0,9pF fmez=700mhz Operačních zesilovačů: Např. MAA 741 Mezní: Ucc=3-22V Uid=30V Ui=15V Ptot=0,5W υ= C Charakteristické Napěťová nesymetrie, Proudová nesymetrie, Vstupní klidový proud, Vstupní odpor,teplotní drift,rycholst přeběhu, Napěťové zesílení otevřené smyčky atd. Rz Rp C + Ty1 Ty2 Předpokládejme, že tyristor Ty1 je sepnutý a je potřeba ho rozepnout. Tyristor Ty2 je rozepnutý. Na kondenzátoru je napětí v naznačené polaritě. Sepnutím tyristoru Ty2 dojde k tomu, že elektroda (+) kondenzátoru se připojí k zemi a tak bude napětí na druhé elektrodě kondenzátoru oproti zemi záporné. Tím dojde i ke komutaci katody tyristoru Ty1 a tyristor se rozepne.

20 41) Zesilovač ve třídě C je charakterizován úhlem otevření menším než π. Aby se dosáhlo stejného výstupního výkonu je při zmenš. úhlu otevř. třeba úměrně zvětšovat špičkovou hodnotu proudu vnucovaného aktivním prvkem do zátěže nebo špičkovou hodnotu střídavého napětí, které se objeví na zátěži => hlavní nevýhoda (každý reálný zes. prvek má mezní hodnoty špičkového U a I.). Výhodou je, že úplně chybí jakýkoli zdroj pro nastavení klidové polohy pracovního bodu (postačuje využití oblasti kladného napětí Ube, ve které ještě tranzistor není otevřen,jako předpětí pro uspokojivý provoz ve třídě C). 42. Zesilovač ve třídě A Zesilovače rozdělujeme dle úhlu otevření do několika skupin. Pokud je úhel otevření rove 360 o říkáme, že zesilovač pracuje ve třídě A. Tedy ve třídě A nenastává v průběhu signálu žádný časový interval ve kterém by aktivní prvek přestal být vodivý, Tedy výstupní signál je nezkreslen po celou dobu periody=>dobrá linearita zesilovaného signálu. Tento režim zesilovače není výhodný, neboť účinnost nepřesáhne 50% (v teoretickém případě, skutečnost 25-30%). U zesilovače ve třídě A je účinnost lineární funkcí vybuzení. Stupeň totiž odebírá z napájecího zdroje stále stejný příkon i v případě že není vůbec vybuzen. Bez buzení je tedy účinnost nulová. UDDIDo Pzat 2 1 η = = = Pnap UDDIDo 2 Příklad zapojení: jakýkoliv zesilovač s pracovním bodě Ucc/2 Ic/ Výkonové zesilovaèe ve třídě B Pro dosažení dobré energetické účinnosti výkonových zesilovačů pracujících s analogovými signály v akustickém pásmu se nejčasněji užívá pracovního režimu aktivních součástek označovaného jako třída B. Charakteristika: aktivní prvek má klidový pracovní bod nastaven tak, že průchod ss proudu je právě na hranici zániku., v ideálním případě tedy právě záporný. Proud výstupem tranzistoru bude tedy procházet pouze pro jednu polaritu okamžitých hodnot střídavého vstupního signálu.(v klidu není odběr, ztrátový výkon je nulový).v přítomnosti nenulového vstupního střídavého signálu se z napájecího zdroje odebírá proud úměrný střední hodnotě té polarity, která daný tranzistor otevírá. -větší energetická účinnost než ve třídě A -veliké nelineární zkreslení vstupního signálu -zesilují se pouze ty signálové hodnoty, které tranzistor otevírají Pro zesílení obou polarit napětí se používá tzv. komplementárního zapojení tranzistorù.(viz obr) -

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY VZORY OTÁZEK A PŘÍKLADŮ K TUTORIÁLU 1 1. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Proč je používáme. 2. Co jsou polovodiče vlastní. 3. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Jakým způsobem

Více

Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna

Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Tato otázka přepokládá znalost otázky č. - polovodiče. Doporučuji ujasnit

Více

Polovodičové diody Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA)

Polovodičové diody Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA) Polovodičové diody varikap, usměrňovací dioda, Zenerova dioda, lavinová dioda, tunelová dioda, průrazy diod Polovodičové diody (diode) součástky s 1 PN přechodem varikap usměrňovací dioda Zenerova dioda

Více

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů (elektrony nebo díry) pracují s kanálem jednoho typu vodivosti

Více

Měření na unipolárním tranzistoru

Měření na unipolárním tranzistoru Měření na unipolárním tranzistoru Teoretický rozbor: Unipolární tranzistor je polovodičová součástka skládající se z polovodičů tpu N a P. Oproti bipolárnímu tranzistoru má jednu základní výhodu. Bipolární

Více

2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω.

2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω. A5M34ELE - testy 1. Vypočtěte velikost odporu rezistoru R 1 z obrázku. U 1 =15 V, U 2 =8 V, U 3 =10 V, R 2 =200Ω a R 3 =1kΩ. 2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty

Více

Zesilovače. Ing. M. Bešta

Zesilovače. Ing. M. Bešta ZESILOVAČ Zesilovač je elektrický čtyřpól, na jehož vstupní svorky přivádíme signál, který chceme zesílit. Je to tedy elektronické zařízení, které zesiluje elektrický signál. Zesilovač mění amplitudu zesilovaného

Více

1.1 Pokyny pro měření

1.1 Pokyny pro měření Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1 Bipolární tranzistor jako zesilovač Úkol: Proměřte amplitudové kmitočtové charakteristiky bipolárního tranzistoru 1. v zapojení se společným emitorem (SE)

Více

Bipolární tranzistory

Bipolární tranzistory Bipolární tranzistory h-parametry, základní zapojení, vysokofrekvenční vlastnosti, šumy, tranzistorový zesilovač, tranzistorový spínač Bipolární tranzistory (bipolar transistor) tranzistor trojpól, zapojení

Více

Dioda jako usměrňovač

Dioda jako usměrňovač Dioda A K K A Dioda je polovodičová součástka s jedním P-N přechodem. Její vývody se nazývají anoda a katoda. Je-li na anodě kladný pól napětí a na katodě záporný, dioda vede (propustný směr), obráceně

Více

Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice 2 Číslo úlohy : 1

Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice 2 Číslo úlohy : 1 Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice Číslo úlohy : 1 Název úlohy : Vypracoval : ročník : 3 skupina : F-Zt Vnější podmínky měření : měřeno dne : 3.. 004 teplota : C tlak

Více

ELEKTRICKÝ PROUD ELEKTRICKÝ ODPOR (REZISTANCE) REZISTIVITA

ELEKTRICKÝ PROUD ELEKTRICKÝ ODPOR (REZISTANCE) REZISTIVITA ELEKTRICKÝ PROD ELEKTRICKÝ ODPOR (REZISTANCE) REZISTIVITA 1 ELEKTRICKÝ PROD Jevem Elektrický proud nazveme usměrněný pohyb elektrických nábojů. Např.:- proud vodivostních elektronů v kovech - pohyb nabitých

Více

Zdroje napětí - usměrňovače

Zdroje napětí - usměrňovače ZDROJE NAPĚTÍ Napájecí zdroje napětí slouží k přeměně AC napětí na napětí DC a následnému předání energie do zátěže, která tento druh napětí (proudu) vyžaduje ke správné činnosti. Blokové schéma síťového

Více

Součástky s více PN přechody

Součástky s více PN přechody Součástky s více PN přechody spínací polovodičové součástky tyristor, diak, triak Součástky s více PN přechody první realizace - 1952 třívrstvé tranzistor diak čtyřvrstvé tyristor pětivrstvé triak diak

Více

FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů

FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů Unipolární tranzistory Řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem: FET [Field - Effect Transistor] Proud přenášen jedním typem nosičů náboje (unipolární): - majoritní nosiče v inverzním kanálu - neuplatňuje

Více

Profilová část maturitní zkoušky 2015/2016

Profilová část maturitní zkoušky 2015/2016 Střední průmyslová škola, Přerov, Havlíčkova 2 751 52 Přerov Profilová část maturitní zkoušky 2015/2016 TEMATICKÉ OKRUHY A HODNOTÍCÍ KRITÉRIA Studijní obor: 26-41-M/01 Elektrotechnika Zaměření: počítačové

Více

Usměrňovače, filtrace zvlněného napětí, zdvojovač a násobič napětí

Usměrňovače, filtrace zvlněného napětí, zdvojovač a násobič napětí Usměrňovače, filtrace zvlněného napětí, zdvojovač a násobič napětí Usměrňovače slouží k převedení střídavého napětí, nejčastěji napětí na sekundárním vinutí síťového transformátoru, na stejnosměrné. Jsou

Více

1 VA-charakteristiky tranzistorů JFET a MOSFET. Úloha č. 7

1 VA-charakteristiky tranzistorů JFET a MOSFET. Úloha č. 7 1 A-charakteristik tranzistorů JFET a MOSFET Úloha č. 7 Úkol: 1. Změřte A charakteristik unipolárního tranzistoru (JFET - BF245) v zapojení se společnou elektrodou S 2. JFET v zapojení se společnou elektrodou

Více

Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů

Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů Tranzistor je elektronická aktivní součástka se třemi elektrodami.podstatou jeho funkce je transformace odporu mezi

Více

Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr

Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr. Zadání: A. Na předloženém kompenzovaném vstupní děliči k nf milivoltmetru se vstupní impedancí Z vst = MΩ 25 pf, pro dělící poměry :2,

Více

Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek

Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Hlavní požadavky na ideální budič Galvanické

Více

1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny

1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny 1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny Popsaný přijímač slouží k poslechu rozhlasových stanic v pásmu středních vln. Přijímač je napájen z USB portu počítače přijímaný signál je pak připojen na

Více

Projekt Pospolu. Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky. Pro obor M/01 Informační technologie

Projekt Pospolu. Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky. Pro obor M/01 Informační technologie Projekt Pospolu Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky Pro obor 18-22-M/01 Informační technologie Autorem materiálu a všech jeho částí je Ing. Petr Voborník, Ph.D. Bipolární tranzistor Bipolární

Více

Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika

Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika Garant přípravného studia: Střední průmyslová škola elektrotechnická a ZDVPP, spol. s r. o. IČ: 25115138 Učební osnova: Základní

Více

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Polovodičové prvky V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku

Více

Neřízené polovodičové prvky

Neřízené polovodičové prvky Neřízené polovodičové prvky Výkonová elektronika - přednášky Projekt ESF CZ.1.07/2.2.00/28.0050 Modernizace didaktických metod a inovace výuky technických předmětů. Neřízené polovodičové spínače neobsahují

Více

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Diody a usměrňova ovače Přednáška č. 2 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Diody a usměrňova ovače 1 Voltampérová charakteristika

Více

1.1 Usměrňovací dioda

1.1 Usměrňovací dioda 1.1 Usměrňovací dioda 1.1.1 Úkol: 1. Změřte VA charakteristiku usměrňovací diody a) pomocí osciloskopu b) pomocí soustavy RC 2000 2. Ověřte vlastnosti jednocestného usměrňovače a) bez filtračního kondenzátoru

Více

Charakteristiky optoelektronických součástek

Charakteristiky optoelektronických součástek FYZIKÁLNÍ PRAKTIKUM Ústav fyziky FEKT VUT BRNO Spolupracoval Jan Floryček Jméno a příjmení Jakub Dvořák Ročník 1 Měřeno dne Předn.sk.-Obor BIA 27.2.2007 Stud.skup. 13 Odevzdáno dne Příprava Opravy Učitel

Více

TYRISTORY. Spínací součástky pro oblast největších napětí a nejvyšších proudů Nejčastěji triodový tyristor

TYRISTORY. Spínací součástky pro oblast největších napětí a nejvyšších proudů Nejčastěji triodový tyristor TYRSTORY Spínací součástky pro oblast největších napětí a nejvyšších proudů Nejčastěji triodový tyristor Závěrný směr (- na A) stav s vysokou impedancí, U R, R parametr U RRM Přímý směr (+ na A) dva stavy

Více

11. Polovodičové diody

11. Polovodičové diody 11. Polovodičové diody Polovodičové diody jsou součástky, které využívají fyzikálních vlastností přechodu PN nebo přechodu kov - polovodič (MS). Nelinearita VA charakteristiky, zjednodušeně chápaná jako

Více

popsat princip činnosti základních zapojení čidel napětí a proudu samostatně změřit zadanou úlohu

popsat princip činnosti základních zapojení čidel napětí a proudu samostatně změřit zadanou úlohu 9. Čidla napětí a proudu Čas ke studiu: 15 minut Cíl Po prostudování tohoto odstavce budete umět popsat princip činnosti základních zapojení čidel napětí a proudu samostatně změřit zadanou úlohu Výklad

Více

Fázorové diagramy pro ideální rezistor, skutečná cívka, ideální cívka, skutečný kondenzátor, ideální kondenzátor.

Fázorové diagramy pro ideální rezistor, skutečná cívka, ideální cívka, skutečný kondenzátor, ideální kondenzátor. FREKVENČNĚ ZÁVISLÉ OBVODY Základní pojmy: IMPEDANCE Z (Ω)- charakterizuje vlastnosti prvku pro střídavý proud. Impedance je základní vlastností, kterou potřebujeme znát pro analýzu střídavých elektrických

Více

Elektřina a magnetizmus závěrečný test

Elektřina a magnetizmus závěrečný test DUM Základy přírodních věd DUM III/2-T3-20 Téma: závěrečný test Střední škola Rok: 2012 2013 Varianta: TEST - A Zpracoval: Mgr. Pavel Hrubý a Mgr. Josef Kormaník TEST Elektřina a magnetizmus závěrečný

Více

Dioda - ideální. Polovodičové diody. nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem)

Dioda - ideální. Polovodičové diody. nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem) Polovodičové diody: deální dioda Polovodičové diody: struktury a typy Dioda - ideální anoda [m] nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem) deální vs. reálná

Více

Nalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R = 100 kω, φ = 5mW/cm 2.

Nalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R = 100 kω, φ = 5mW/cm 2. Nalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R 00 kω, φ 5mW/cm 2. Fotovoltaický režim: fotodioda pracuje jako zdroj (s paralelně zapojeným odporem-zátěží). Obvod je popsán

Více

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická

Více

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě zenerova dioda její hodnoty jsou uvedeny v tabulce:

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě zenerova dioda její hodnoty jsou uvedeny v tabulce: REDL 3.EB 9 1/11 1.ZADÁNÍ a) Změřte voltampérovou charakteristiku zenerovy diody v propustném i závěrném směru. Charakteristiky znázorněte graficky. b) Vypočtěte a graficky znázorněte statický odpor diody

Více

Základní druhy tranzistorů řízených elektrickým polem: Technologie výroby: A) 1. : A) 2. : B) 1. :

Základní druhy tranzistorů řízených elektrickým polem: Technologie výroby: A) 1. : A) 2. : B) 1. : ZADÁNÍ: Změřte výstupní a převodní charakteristiky unipolárního tranzistoru KF 520. Z naměřených charakteristik určete v pracovním bodě strmost S, vnitřní odpor R i a zesilovací činitel µ. Určete katalogové

Více

- Stabilizátory se Zenerovou diodou - Integrované stabilizátory

- Stabilizátory se Zenerovou diodou - Integrované stabilizátory 1.2 Stabilizátory 1.2.1 Úkol: 1. Změřte VA charakteristiku Zenerovy diody 2. Změřte zatěžovací charakteristiku stabilizátoru se Zenerovou diodou 3. Změřte převodní charakteristiku stabilizátoru se Zenerovou

Více

MĚŘENÍ JALOVÉHO VÝKONU

MĚŘENÍ JALOVÉHO VÝKONU MĚŘENÍ JALOVÉHO VÝKONU &1. Které elektrické stroje jsou spotřebiči jalového výkonu a na co ho potřebují? &2. Nakreslete fázorový diagram RL zátěže připojené na zdroj střídavého napětí. &2.1 Z fázorového

Více

FYZIKA II. Petr Praus 6. Přednáška elektrický proud

FYZIKA II. Petr Praus 6. Přednáška elektrický proud FYZIKA II Petr Praus 6. Přednáška elektrický proud Osnova přednášky Elektrický proud proudová hustota Elektrický odpor a Ohmův zákon měrná vodivost driftová rychlost Pohyblivost nosičů náboje teplotní

Více

Základní zapojení s OZ. Vlastnosti a parametry operačních zesilovačů

Základní zapojení s OZ. Vlastnosti a parametry operačních zesilovačů OPEAČNÍ ZESLOVAČ (OZ) Operační zesilovač je polovodičová součástka vyráběná formou integrovaného obvodu vyznačující se velkým napěťovým zesílením vstupního rozdílového napětí (diferenciální napěťový zesilovač).

Více

Otázka č.4. Silnoproudé spínací polovodičové součástky tyristor, IGBT, GTO, triak struktury, vlastnosti, aplikace.

Otázka č.4. Silnoproudé spínací polovodičové součástky tyristor, IGBT, GTO, triak struktury, vlastnosti, aplikace. Otázka č.4 Silnoproudé spínací polovodičové součástky tyristor, IGBT, GTO, triak struktury, vlastnosti, aplikace. 1) Tyristor Schematická značka Struktura Tyristor má 3 PN přechody a 4 vrstvy. Jde o spínací

Více

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická

Více

I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup

I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup ELEKTONIKA I N V E S T I C E D O O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í 1. Usměrňování a vyhlazování střídavého a. jednocestné usměrnění Do obvodu střídavého proudu sériově připojíme diodu. Prochází jí proud

Více

4. Vysvětlete mechanismus fotovodivosti. Jak závisí fotovodivost na dopadajícím světelném záření?

4. Vysvětlete mechanismus fotovodivosti. Jak závisí fotovodivost na dopadajícím světelném záření? Dioda VA 1. Dvě křemíkové diody se liší pouze plochou PN přechodu. Dioda D1 má plochu přechodu dvakrát větší, než dioda D2. V jakém poměru budou jejich diferenciální odpory, jestliže na obou diodách bude

Více

Optoelektronika. elektro-optické převodníky - LED, laserové diody, LCD. Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA)

Optoelektronika. elektro-optické převodníky - LED, laserové diody, LCD. Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA) Optoelektronika elektro-optické převodníky - LED, laserové diody, LCD Elektro-optické převodníky žárovka - nejzákladnější EO převodník nevhodné pro optiku široké spektrum vlnových délek vhodnost pro EO

Více

1 Polovodiče základní pojmy, vlastnosti. Přechody, diody, jejich struktura, vlastnosti a aplikace.

1 Polovodiče základní pojmy, vlastnosti. Přechody, diody, jejich struktura, vlastnosti a aplikace. 1 Polovodiče základní pojmy, vlastnosti. Přechody, diody, jejich struktura, vlastnosti a aplikace. Vypracoval: Vojta Polovodiče: Rozdělení pevných látek na základě velikosti zakázaného pásu. Zakázaný pás

Více

VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH

VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH Jan Hruška TV-FYZ Ahoj, tak jsme tady znovu a pokusíme se Vám vysvětlit problematiku vedení elektrického proudu v látkách. Co je to vlastně elektrický proud? Na to

Více

Tématické okruhy teoretických zkoušek Part 66 1 Modul 3 Základy elektrotechniky

Tématické okruhy teoretických zkoušek Part 66 1 Modul 3 Základy elektrotechniky Tématické okruhy teoretických zkoušek Part 66 1 3.1 Teorie elektronu 1 1 1 Struktura a rozložení elektrických nábojů uvnitř: atomů, molekul, iontů, sloučenin; Molekulární struktura vodičů, polovodičů a

Více

Jméno a příjmení. Ročník. Měřeno dne. 11.3.2013 Příprava Opravy Učitel Hodnocení. Charakteristiky optoelektronických součástek

Jméno a příjmení. Ročník. Měřeno dne. 11.3.2013 Příprava Opravy Učitel Hodnocení. Charakteristiky optoelektronických součástek FYZIKÁLNÍ PRAKTIKUM Ústav fyziky FEKT VUT BRNO Jméno a příjmení Petr Švaňa Ročník 1 Předmět IFY Kroužek 38 ID 155793 Spolupracoval Měřeno dne Odevzdáno dne Ladislav Šulák 25.2.2013 11.3.2013 Příprava Opravy

Více

1.3 Bipolární tranzistor

1.3 Bipolární tranzistor 1.3 Bipolární tranzistor 1.3.1 Úkol: 1. Změřte vstupní charakteristiku bipolárního tranzistoru 2. Změřte převodovou charakteristiku bipolárního tranzistoru 3. Změřte výstupní charakteristiku bipolárního

Více

SAMOSTATNÁ PRÁCE Z ELEKTRONIKY UNIPOLÁRNÍ TRANZISTORY

SAMOSTATNÁ PRÁCE Z ELEKTRONIKY UNIPOLÁRNÍ TRANZISTORY Střední odborné učiliště technické Frýdek-Místek SAMOSTATNÁ PRÁCE Z ELEKTRONIKY UNIPOLÁRNÍ TRANZISTORY Jméno: Luděk Bordovský Třída: NE1 Datum: Hodnocení: 1.1. Vlastnosti unipolární tranzistorů Jsou založeny

Více

POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ. (40) Zveřejněno 31 07 79 N

POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ. (40) Zveřejněno 31 07 79 N ČESKOSLOVENSKÁ SOCIALISTICKÁ R E P U B L I K A (19) POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ 196670 (11) (Bl) (51) Int. Cl. 3 H 01 J 43/06 (22) Přihlášeno 30 12 76 (21) (PV 8826-76) (40) Zveřejněno 31 07

Více

Polovodičové součástky

Polovodičové součástky Polovodičové součástky Základní materiály používané pro výrobu polovodičových součástek jsou čtyřmocné prvky křemík a germanium (obr. 1a). V krystalové mřížce jsou atomy těchto prvků tak uspořádány, že

Více

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřený předmětem jsou v tomto případě polovodičové diody, jejich údaje jsou uvedeny v tabulce:

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřený předmětem jsou v tomto případě polovodičové diody, jejich údaje jsou uvedeny v tabulce: REDL 3.EB 8 1/14 1.ZADÁNÍ a) Změřte voltampérovou charakteristiku polovodičových diod pomocí voltmetru a ampérmetru v propustném i závěrném směru. b) Sestrojte grafy =f(). c) Graficko početní metodou určete

Více

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace Metodický pokyn CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.02 Integrovaná střední škola technická Mělník,

Více

PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus

PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus Úloha č.: XI Název: Charakteristiky diody Pracoval: Pavel Brožek stud. skup. 12 dne 9.1.2009 Odevzdal

Více

Elektromagnetický oscilátor

Elektromagnetický oscilátor Elektromagnetický oscilátor Již jsme poznali kmitání mechanického oscilátoru (závaží na pružině) - potenciální energie pružnosti se přeměňuje na kinetickou energii a naopak. T =2 m k Nejjednodušší elektromagnetický

Více

Polovodičové usměrňovače a zdroje

Polovodičové usměrňovače a zdroje Polovodičové usměrňovače a zdroje Druhy diod Zapojení a charakteristiky diod Druhy usměrňovačů Filtrace výstupního napětí Stabilizace výstupního napětí Zapojení zdroje napětí Závěr Polovodičová dioda Dioda

Více

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů tyristoru část 3-5-1 Teoretický rozbor

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů tyristoru část 3-5-1 Teoretický rozbor MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření část 3-5-1 Teoretický rozbor Výukový materiál Číslo projektu: CZ.1.07/1.5.00/34.0093 Šablona: III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Sada: 1 Číslo materiálu:

Více

Integrovaná střední škola, Sokolnice 496

Integrovaná střední škola, Sokolnice 496 Název projektu: Moderní škola Integrovaná střední škola, Sokolnice 496 Registrační číslo: CZ.1.07/1.5.00/34.0467 Název klíčové aktivity: V/2 - Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných

Více

Flyback converter (Blokující měnič)

Flyback converter (Blokující měnič) Flyback converter (Blokující měnič) 1 Blokující měnič patří do rodiny měničů se spínaným primárním vinutím, což znamená, že výstup je od vstupu galvanicky oddělen. Blokující měniče se používají pro napájení

Více

8. ZÁKLADNÍ ZAPOJENÍ SPÍNANÝCH ZDROJŮ

8. ZÁKLADNÍ ZAPOJENÍ SPÍNANÝCH ZDROJŮ Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Ochranné prvky pro výkonovou elektroniku

Ochranné prvky pro výkonovou elektroniku Ochranné prvky pro výkonovou elektroniku Výkonová elektronika - přednášky Projekt ESF CZ.1.07/2.2.00/28.0050 Modernizace didaktických metod a inovace výuky technických předmětů. Poruchový stav některá

Více

Název: Téma: Autor: Číslo: Prosinec 2013. Střední průmyslová škola a Vyšší odborná škola technická Brno, Sokolská 1

Název: Téma: Autor: Číslo: Prosinec 2013. Střední průmyslová škola a Vyšší odborná škola technická Brno, Sokolská 1 Střední průmyslová škola a Vyšší odborná škola technická Brno, Sokolská 1 Šablona: Název: Téma: Autor: Číslo: Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Elektrický proud střídavý Elektronický oscilátor

Více

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.05 Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566,

Více

Stejnosměrné měniče. přednášky výkonová elektronika

Stejnosměrné měniče. přednášky výkonová elektronika přednášky výkonová elektronika Projekt ESF CZ.1.07/2.2.00/28.0050 Modernizace didaktických metod a ovace výuky technických předmětů. Stejnosměrné měniče - charakteristika vstupní proud stejnosměrný, výstupní

Více

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII - 3.2.2 MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII - 3.2.2 MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: MEII - 3.2.2 MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH Obor: Mechanik elektronik Ročník: 2. Zpracoval(a): Bc. Josef Mahdal Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2010

Více

ELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky... 7-1 7.2 První a druhý průraz bipolárního

ELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky... 7-1 7.2 První a druhý průraz bipolárního Bohumil BRTNÍK, David MATOUŠEK ELEKTRONICKÉ PRVKY Praha 2011 Tato monografie byla vypracována a publikována s podporou Rozvojového projektu VŠPJ na rok 2011. Bohumil Brtník, David Matoušek Elektronické

Více

Obrázek a/struktura atomů čistého polovodičeb/polovodič typu N

Obrázek a/struktura atomů čistého polovodičeb/polovodič typu N POLOVODIČE Vlastnosti polovodičů Polovodiče jsou materiály ze 4. skupiny Mendělejevovy tabulky. Nejznámější jsou germanium (Ge) a křemík (Si). Každý atom má 4 vazby, pomocí kterých se váže na sousední

Více

+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2

+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2 Pro zadané hodnoty napájecího napětí, odporů a zesilovacího činitele β vypočtěte proudy,, a napětí,, (předpokládejte, že tranzistor je křemíkový a jeho pracovní bod je nastaven do aktivního normálního

Více

Elektrický proud v kovech Odpor vodiče, Ohmův zákon Kirchhoffovy zákony, Spojování rezistorů Práce a výkon elektrického proudu

Elektrický proud v kovech Odpor vodiče, Ohmův zákon Kirchhoffovy zákony, Spojování rezistorů Práce a výkon elektrického proudu Elektrický proud Elektrický proud v kovech Odpor vodiče, Ohmův zákon Kirchhoffovy zákony, Spojování rezistorů Práce a výkon elektrického proudu Elektrický proud v kovech Elektrický proud = usměrněný pohyb

Více

Zpětná vazba a linearita zesílení

Zpětná vazba a linearita zesílení Zpětná vazba Zpětná vazba přivádí část výstupního signálu zpět na vstup. Kladná zp. vazba způsobuje nestabilitu, používá se vyjímečně. Záporná zp. vazba (zmenšení vstupního signálu o část výstupního) omezuje

Více

U BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D.

U BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D. Napěťový průraz polovodičových přechodů Zvyšování napětí na přechodu -přechod se rozšiřuje, ale pouze s U (!!) - intenzita elektrického pole roste -překročení kritické hodnoty U (BR) -vzrůstu závěrného

Více

Nízkofrekvenční (do 1 MHz) Vysokofrekvenční (stovky MHz až jednotky GHz) Generátory cm vln (až desítky GHz)

Nízkofrekvenční (do 1 MHz) Vysokofrekvenční (stovky MHz až jednotky GHz) Generátory cm vln (až desítky GHz) Provazník oscilatory.docx Oscilátory Oscilátory dělíme podle několika hledisek (uvedené třídění není zcela jednotné - bylo použito vžitých názvů, které vznikaly v různém období vývoje a za zcela odlišných

Více

Oscilátory Oscilátory

Oscilátory Oscilátory Oscilátory. Oscilátory Oscilátory dělíme podle několika hledisek (uvedené třídění není zcela jednotné bylo použito vžitých názvů, které vznikaly v různých období vývoje a za zcela odlišných podmínek):

Více

Měřicí řetězec. měřicí zesilovač. převod na napětí a přizpůsobení rozsahu převodníku

Měřicí řetězec. měřicí zesilovač. převod na napětí a přizpůsobení rozsahu převodníku Měřicí řetězec fyzikální veličina snímač měřicí zesilovač A/D převodník počítač převod fyz. veličiny na elektrickou (odpor, proud, napětí, kmitočet...) převod na napětí a přizpůsobení rozsahu převodníku

Více

VLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU

VLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU VLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU Úvod: Čas ke studiu: Polovodičové součástky pro výkonovou elektroniku využívají stejné principy jako běžně používané polovodičové součástky

Více

Měření vlnové délky, impedance, návrh impedančního přizpůsobení

Měření vlnové délky, impedance, návrh impedančního přizpůsobení Měření vlnové délky, impedance, návrh impedančního přizpůsobení 1. Zadání: a) Změřte závislost v na kmitočtu pro f 8,12GHz. b) Změřte zadanou impedanci a impedančně ji přizpůsobte. 2. Schéma měřicí soupravy:

Více

Bezkontaktní spínací prvky: kombinace spojitého a impulsního rušení: strmý napěťový impuls a tlumené vf oscilace výkonové polovodičové měniče

Bezkontaktní spínací prvky: kombinace spojitého a impulsního rušení: strmý napěťový impuls a tlumené vf oscilace výkonové polovodičové měniče 12. IMPULZNÍ RUŠENÍ 12.1. Zdroje impulsního rušení Definice impulsního rušení: rušení, které se projevuje v daném zařízení jako posloupnost jednotlivých impulsů nebo přechodných dějů Zdroje: spínání elektrických

Více

popsat činnost základních zapojení operačních usměrňovačů samostatně změřit zadanou úlohu

popsat činnost základních zapojení operačních usměrňovačů samostatně změřit zadanou úlohu 4. Operační usměrňovače Čas ke studiu: 15 minut Cíl Po prostudování tohoto odstavce budete umět popsat činnost základních zapojení operačních usměrňovačů samostatně změřit zadanou úlohu Výklad Operační

Více

Impulsní regulátor ze změnou střídy ( 100 W, 0,6 99,2 % )

Impulsní regulátor ze změnou střídy ( 100 W, 0,6 99,2 % ) ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI Fakulta elektrotechnická Impulsní regulátor ze změnou střídy ( 100 W, 0,6 99,2 % ) Školní rok: 2007/2008 Ročník: 2. Datum: 12.12. 2007 Vypracoval: Bc. Tomáš Kavalír Zapojení

Více

Praktikum II Elektřina a magnetismus

Praktikum II Elektřina a magnetismus Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF K Praktikum II Elektřina a magnetismus Úloha č. V Název: Měření osciloskopem Pracoval: Matyáš Řehák stud.sk.: 13 dne: 1.1.28 Odevzdal dne:...

Více

Základní otázky pro teoretickou část zkoušky.

Základní otázky pro teoretickou část zkoušky. Základní otázky pro teoretickou část zkoušky. Platí shodně pro prezenční i kombinovanou formu studia. 1. Síla současně působící na elektrický náboj v elektrickém a magnetickém poli (Lorentzova síla) 2.

Více

Zdroje optického záření

Zdroje optického záření Metody optické spektroskopie v biofyzice Zdroje optického záření / 1 Zdroje optického záření tepelné výbojky polovodičové lasery synchrotronové záření Obvykle se charakterizují zářivostí (zářivý výkon

Více

5. POLOVODIČOVÉ MĚNIČE

5. POLOVODIČOVÉ MĚNIČE 5. POLOVODIČOVÉ MĚNIČE Měniče mění parametry elektrické energie (vstupní na výstupní). Myslí se tím zejména napětí (střední hodnota) a u střídavých i kmitočet. Obr. 5.1. Základní dělení měničů 1 Obr. 5.2.

Více

MĚŘENÍ PLANCKOVY KONSTANTY

MĚŘENÍ PLANCKOVY KONSTANTY Úloha č. 14a MĚŘENÍ PLANCKOVY KONSTANTY ÚKOL MĚŘENÍ: 1. Změřte napětí U min, při kterém se právě rozsvítí červená, žlutá, zelená a modrá LED. Napětí na LED regulujte potenciometrem. 2. Nakreslete graf

Více

Polovodiče. Co je polovodič? Polovodiče jsou látky, jejichž rezistivita leží při obvyklých teplotách v intervalu 10 Ω m až 8

Polovodiče. Co je polovodič? Polovodiče jsou látky, jejichž rezistivita leží při obvyklých teplotách v intervalu 10 Ω m až 8 Polovodiče Co je polovodič? 4 Polovodiče jsou látky, jejichž rezistivita leží při obvyklých teplotách v intervalu 10 Ω m až 8 10 Ω m. Je tedy mnohem větší než u kovů, u kterých dosahuje intervalu 6 10

Více

Typ UCE0 (V) IC (A) PCmax (W)

Typ UCE0 (V) IC (A) PCmax (W) REDL 3.EB 11 1/13 1.ZADÁNÍ Změřte statické charakteristiky tranzistoru K605 v zapojení se společným emitorem a) Změřte výstupní charakteristiky naprázdno C =f( CE ) pro B =1, 2, 4, 6, 8, 10, 15mA do CE

Více

E L E K T R I C K Á M Ě Ř E N Í

E L E K T R I C K Á M Ě Ř E N Í Střední škola, Havířov Šumbark, Sýkorova 1/613, příspěvková organizace E L E K T R I C K Á M Ě Ř E N Í R O Č N Í K MĚŘENÍ ZÁKLDNÍCH ELEKTRICKÝCH ELIČIN Ing. Bouchala Petr Jméno a příjmení Třída Školní

Více

POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ. (Bl) (И) ČESKOSLOVENSKA SOCIALISTICKÁ REPUBLIKA ( 1S ) (SI) Int Cl* G 21 G 4/08

POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ. (Bl) (И) ČESKOSLOVENSKA SOCIALISTICKÁ REPUBLIKA ( 1S ) (SI) Int Cl* G 21 G 4/08 ČESKOSLOVENSKA SOCIALISTICKÁ REPUBLIKA ( 1S ) POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ 262470 (И) (Bl) (22) přihláženo 25 04 87 (21) PV 2926-87.V (SI) Int Cl* G 21 G 4/08 ÚFTAD PRO VYNÁLEZY A OBJEVY (40)

Více

Úvod do elektrokinetiky

Úvod do elektrokinetiky Úvod do elektrokinetiky Hlavní body - elektrokinetika Elektrické proudy pohyb nábojů Ohmův zákon, mikroskopický pohled Měrná vodivost σ izolanty, vodiče, polovodiče Elektrické zdroje napětí (a proudu)

Více

Usměrňovač. Milan Horkel

Usměrňovač. Milan Horkel MLB Usměrňovač Milan Horkel Článek se zabývá tím, jak pracuje obyčejný usměrňovač napájecího zdroje. Skutečné průběhy napětí vypadají poněkud jinak, než bývá v učebnicích nakresleno.. Změřené průběhy Obrázek

Více

Základy elektrického měření Milan Kulhánek

Základy elektrického měření Milan Kulhánek Základy elektrického měření Milan Kulhánek Obsah 1. Základní elektrotechnické veličiny...3 2. Metody elektrického měření...4 3. Chyby při měření...5 4. Citlivost měřících přístrojů...6 5. Měřící přístroje...7

Více

VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů

VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů Vodivost polovodičů pojem polovodiče čistý polovodič, vlastní vodivost příměsová vodivost polovodičová dioda tranzistor Polovodiče Polovodiče jsou látky, jejichž

Více

ELEKTRICKÝ PROUD V KOVECH. Mgr. Jan Ptáčník - GJVJ - Fyzika - Elektřina a magnetismus - 3. ročník

ELEKTRICKÝ PROUD V KOVECH. Mgr. Jan Ptáčník - GJVJ - Fyzika - Elektřina a magnetismus - 3. ročník ELEKTRICKÝ PROUD V KOVECH Mgr. Jan Ptáčník - GJVJ - Fyzika - Elektřina a magnetismus - 3. ročník Elektrický proud Uspořádaný pohyb volných částic s nábojem Směr: od + k ( dle dohody - ve směru kladných

Více

způsobují ji volné elektrony, tzv. vodivostní valenční elektrony jsou vázány, nemohou být nosiči proudu

způsobují ji volné elektrony, tzv. vodivostní valenční elektrony jsou vázány, nemohou být nosiči proudu Vodivost v pevných látkách způsobují ji volné elektrony, tzv. vodivostní valenční elektrony jsou vázány, nemohou být nosiči proudu Pásový model atomu znázorňuje energetické stavy elektronů elektrony mohou

Více