VYSOKOFREKVENČNÍ A MIKROVLNNÁ TECHNIKA

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Rozměr: px
Začít zobrazení ze stránky:

Download "VYSOKOFREKVENČNÍ A MIKROVLNNÁ TECHNIKA"

Transkript

1 VYSOKOFREKVENČNÍ A MIKROVLNNÁ TECHNIKA Přednášky Doc. Ing. Stanislav Hanus, CSc. Prof. Ing. Jiří Svačina, CSc. ÚSTAV RADIOELEKTRONIKY

2 Stanislav Hanus, Jiří Svačina, ISBN 8-4--X

3 P Ř E D M L V A Skripta Vysokofrekvenční a mikrovlnná technika jsou určena studentům, kteří jsou zapsáni a navštěvují stejnojmenný povinný předmět (se zkratkou VMT) vyučovaný ve. ročníku,. stupně oboru Elektronika a sdělovací technika. Skripta jsou rozdělena do dvou částí. V první části s názvem Vysokofrekvenční technika jsou uvedeny základní poznatky týkající se vysokofrekvenčních prvků a obvodů, tedy problematiky, která je studentům v běžné literatuře v takto ucelené formě obtížně přístupná. Ve druhé části skripta s názvem Mikrovlnná technika jsou ve zbývajících kapitolách uvedeny pouze základní poznatky, které je nutno chápat jako úvod do této široké a obtížné problematiky. Doufáme, že tato skripta pomohou doplnit studentům jejich poznatky získané na přednáškách i ostatních formách výuky a tím usnadní jejich přípravu ke zkoušce. Mnoho úspěchů při studiu přejí všem studentům autoři V Brně,.. Doc. Ing. Stanislav Hanus, CSc. Prof. Ing. Jiří Svačina, CSc. 3

4 O B S A H Část první VYSOKOFREKVENČNÍ TECHNIKA ZÁKLADNÍ PRVKY A OBVODY Základní obvodové prvky Sériový rezonanční obvod Paralelní rezonanční obvod....4 Transformační vlastnosti rezonančních obvodů Vázané rezonanční obvody Činitel vazby a stupeň vazby Transformace impedance Rezonanční křivky....6 Filtry se soustředěnou selektivitou Piezokrystalové filtry Piezokeramické filtry Monolitické piezokrystalové filtry Filtry s povrchovou akustickou vlnou Aktivní prvky Bipolární tranzistory Tranzistory řízené elektrickým polem VYSOKOFREKVENČNÍ ZESILOVAČE Úzkopásmové linearizované zesilovače Obvodové funkce zesilovače Stabilita zesilovače Šumové vlastnosti zesilovače Analýza zesilovače Způsoby snížení vlivu vnitřní zpětné vazby tranzistoru Pasivní přizpůsobovací obvody Základní body návrhu jednostupňového zesilovače Několikastupňové zesilovače Širokopásmové zesilovače Širokopásmové zesilovače bez selektivních obvodů Širokopásmové zesilovače se selektivními obvody Širokopásmové zesilovače s rozprostřeným zesílením Výkonové zesilovače Pracovní třídy zesilovače Pracovní stavy zesilovače Stanovení složek výstupního proudu Změna režimu Příklady zapojení Zkreslení signálu a dynamický rozsah zesilovače Zkreslení signálu Dynamický rozsah zesilovače... 85

5 3 OSCILÁTORY Základní parametry Oscilátory LC se záporným diferenciálním odporem Zpětnovazební oscilátory LC Obecné zapojení Základní zapojení oscilátorů Analýza oscilátoru Krystalové oscilátory Stabilita kmitočtu oscilátorů Přeladitelné oscilátory LC... 4 SMĚŠOVAČE Analýza směšovače Základní parametry směšovače Základní zapojení směšovačů MODLÁTORY Modulační charakteristiky Modulátory AM Modulátor s kolektorovou modulací Modulátor s bázovou modulací Modulátor DSB Modulátor SSB Kvadraturní modulátor QAM Modulátory FM Modulátory pro přímou FM Modulátory pro nepřímou FM DEMODLÁTORY Demodulátory AM signálů Diodový detektor Synchronní (koherentní) demodulátor Demodulátory FM signálů Fázový detektor Poměrový demodulátor Koincidenční demodulátor Šumové poměry Preemfáze a deemfáze FÁZOVÝ ZÁVĚS Základní bloky Fázový detektor závěsu Filtr smyčky Napětím řízený oscilátor Přenosové funkce Popis činnosti Vliv filtru smyčky Aplikace fázového závěsu

6 8 KMITOČTOVÉ SYNTEZÁTORY Rozdělení syntezátorů Syntezátory s nepřímou koherentní syntézou Syntezátory s nepřímou koherentní syntézou bez předděliče Syntezátory s nepřímou koherentní syntézou s pevným předděličem Syntezátory s nepřímou koherentní syntézou s řízeným předděličem Jednoduché příklady návrhu syntezátoru Příklady zapojení syntezátorů Syntezátory s přímou koherentní syntézou Metoda přímé přeměny Metoda harmonických Syntezátory s přímou nekoherentní syntézou Základní literatura pro studium části Vysokofrekvenční technika Část druhá MIKROVLNNÁ TECHNIKA 9 MIKROVLNNÁ VLNOVODOVÁ TECHNIKA Úvod do problematiky mikrovlnné techniky Typy mikrovlnných vedení Homogenní duté kovové vlnovody Základní parametry Kovové vlnovody obdélníkového průřezu Kovové vlnovody kruhového průřezu Koaxiální (souosé) vedení a koaxiální vlnovody Srovnání různých druhů vlnovodů a koaxiálních vedení Značení a normalizace ve vlnovodové a koaxiální technice Výroba a technologie vlnovodů a koaxiálních konektorů Dutinové rezonátory Základní parametry Kvádrové rezonátory Válcové rezonátory Koaxiální rezonátory Způsoby zapojení rezonátoru do vedení Buzení vlnovodů a dutinových rezonátorů Mikrovlnné vlnovodové zeslabovače Odporové (absorpční) zeslabovače Bezodrazové koncovky Nereciproční mikrovlnné feritové obvody Gyromagnetické jevy ve feritech a jejich využití v mikrovlnné technice Feritové izolátory Feritové cirkulátory Mikrovlnné posouvače fáze Fázovač se změnou průřezu Fázovače s pohyblivými dielektrickými částmi

7 9.8 Směrové vazební členy (směrové odbočnice) Základní vlastnosti směrových odbočnic Vlnovodové reaktanční členy Vlnovodové písty a tlumivky Vlnovodové clony Vlnovodové kolíky Vlnovodové filtry Literatura... 8 MIKROVLNNÁ INTEGROVANÁ TECHNIKA Historie a vznik mikrovlnné integrované techniky Hybridní mikrovlnné integrované obvody Základní typy pasivních hybridních mikrovlnných integrovaných struktur Technologie hybridních MIO Návrhové problémy hybridních MIO Některé výpočetní vztahy pro analýzu a syntézu mikropáskových struktur MIO se soustředěnými parametry Rozdělení MIO se soustředěnými parametry Monolitické mikrovlnné integrované obvody (MMIO) Materiály pro MMIO Některé otázky a problémy MMIO Druhy pasivních mikrovlnných integrovaných obvodů Základní výpočetní vztahy pro analýzu a návrh některých mikropáskových obvodů Buzení a pouzdra mikrovlnných integrovaných obvodů....7 Kombinované a zvláštní MIO pro pásma mm vln Vícevrstvé (objemové) MIO Ploutvové vedení (fin line) Příklady mikrovlnných integrovaných subsystémů a systémů pro rádiovou komunikaci Literatura... 7

8 ZÁKLADNÍ PRVKY A OBVODY. Základní obvodové prvky Ideální základní obvodové prvky se nazývají rezistor, kapacitor a induktor. Jsou charakterizovány pouze jediným parametrem. Parametrem ideálního rezistoru je odpor R, jeho převrácená hodnota se označuje G a nazývá se vodivost rezistoru. Kapacitor má parametr C nazývaný kapacita, induktor má parametr L nazývaný indukčnost. Schematické značky těchto prvků, užívané pro kreslení schémat radioelektronických obvodů, jsou nakresleny na obr..a,b,c. Skutečné radioelektronické obvody jsou realizovány pomocí vyrobených diskrétních součástek, které se nazývají rezistor (slangově odpor), kondenzátor a cívka. Tyto reálné součástky mají kromě základního (dominantního) parametru i parametry parazitní, jejichž velikost závisí na použité technologii výroby. Obvodové modely reálných obvodových prvků (součástek) lze vytvořit pomocí ideálních obvodových prvků. Příklady užívaných modelů reálných prvků jsou nakresleny na obr.. d,e,f,g,h. a) b) c) d) e) f) g) h) Obr... Schematická značka: a) ideálního rezistoru, b) kapacitoru, c) induktoru, obvodový model: d) reálného rezistoru, e), f) kondenzátoru, g), h) cívky. Sériový rezonanční obvod Sériovým spojením kondenzátoru (kapacitoru) a cívky (induktoru) vznikne sériový rezonanční obvod. Jeho obvodový model nakreslený na obr.. se skládá z kapacitoru, rezistoru (ideálního) a induktoru. Rezistor R zde reprezentuje ztráty kondenzátoru a cívky, případně zahrnuje i vnitřní odpor reálného napájecího zdroje. Pro impedanci obvodu platí Obr... Sériový rezonanční obvod Z ωc jϕ ( ω ) R + j ωl R + jx Ze. (.) Při harmonickém buzení obvodu ze zdroje napětí s amplitudou, závisí proud tekoucí obvodem na modulu impedance Z a tedy na kmitočtu signálu zdroje. Grafické znázornění závislosti proudu I na kmitočtu f (nebo ω ) se nazývá rezonanční křivka. Je nakreslena na obr..3a a lze ji popsat rovnicí I. (.) R + ωl ωc Prochází počátkem souřadnic, neboť při f je kapacitní reaktance nekonečně veliká. Pro f je nekonečně veliká zase induktivní reaktance, takže velikost proudu tekoucího obvodem se opět blíží nule. Stav, kdy kapacitní a induktivní reaktance jsou si rovny, tj. výsledná reaktance obvodu je rovna nule, se 8

9 nazývá sériovou rezonancí obvodu. Z podmínky X lze stanovit Thomsonův vztah pro výpočet rezonančního kmitočtu ω resp. LC f. (.3) π LC Při rezonanci nabývá modul impedance obvodu své minimální hodnoty Z R, proud tekoucí obvodem nabývá naopak své maximální hodnoty I r R. (.4) Šířka propustného pásma B sériového rezonančního obvodu je definována jako rozmezí dvou kmitočtů v okolí rezonance, při kterých je absolutní hodnota reaktance obvodu rovna jeho činnému odporu. Jestliže tedy platí pro uvažovaný případ lze psát X R, potom Z R + X R a Z I r B,77 Ir. (.5) I R Symbol I B označuje proud na mezi propustného pásma. Vyjádříme-li poměr proudů IB a I r v jednotkách db, platí pro mez propustného pásma IB log log log 3 db. (.6) I r Šířka pásma sériového rezonančního obvodu je tedy určena dvěma kmitočty, při kterých poklesne proud tekoucí obvodem na hodnotu,77 I r neboli o 3 db oproti proudu tekoucímu obvodem za rezonance. Na obr..3b je nakreslena kmitočtová závislost argumentu impedance sériového rezonančního obvodu, někdy označovaná jako jeho fázová charakteristika. Na podrezonančních kmitočtech má obvod kapacitní charakter neboť kapacitní reaktance je větší než reaktance induktivní. Argument impedance má proto záporné znaménko a pro kmitočty jdoucí k nule se jeho hodnota blíží 9. Naopak při nadrezonančních kmitočtech má obvod induktivní charakter neboť induktivní reaktance je větší než reaktance kapacitní. Argument impedance má proto kladné f +9 Obr..3. a) Rezonanční křivka sériového rezonančního obvodu b) Kmitočtová závislost argumentu impedance obvodu znaménko a pro se jeho hodnota blíží. Při rezonanci má obvod reálný charakter, a proto argument impedance je roven nule. Pro krajní kmitočty propustného pásma platí X R, takže argument impedance bude roven ± 45. Jestliže změníme u sériového rezonančního obvodu velikost odporu R, např. použitím prvků (kondenzátoru nebo cívky) s většími nebo menšími ztrátovými odpory nebo použitím napěťového zdroje s jiným vnitřním odporem, změní se proud tekoucí obvodem za rezonance i celkový tvar rezonanční křivky, jak vyplývá z rovnice (.). V důsledku toho se změní i šířka propustného pásma B. Na obr..4 jsou nakresleny rezonanční křivky pro různé hodnoty odporu R. Pro malé hodnoty odporu R je rezonanční křivka úzká, proud za rezonance je velký a šířka propustného pásma je malá. Rezonanční obvod vykazuje dobré selektivní vlastnosti. Naopak pro velké hodnoty odporu R je rezonanční křivka plochá, proud za rezonance je malý a šířka propustného pásma je velká. Rezonanční obvod ztrácí charakter selektivního obvodu. Obr..4. Rezonanční křivky sériového rezonančního obvodu pro různé hodnoty odporu R ( R < < R, L a C jsou konstantní) R 3 9

10 Kvalitu rezonančního obvodu můžeme vyjádřit pomocí činitele jakosti obvodu, který se označuje symbolem Q. Je definován vztahem ω A Q, (.7) P kde A je energie, která přechází z elektrického pole do magnetického pole (kmitá) a P je činný výkon, který se ztrácí v odporu R (ztrátový odpor). Součin ω A představuje jalový výkon induktoru nebo kapacitoru při rezonanci. Poněvadž platí A L I a P R I, (.8) lze po dosazení (.8) do (.7) psát ωl Q R ω CR R L C Z R. (.9) Činitel jakosti sériového rezonančního obvodu lze tedy určit jako podíl induktivní nebo kapacitní reaktance obvodu za rezonance a odporu R. Převrácená hodnota činitele jakosti se nazývá činitel tlumení a označuje se symbolem d. Veličina Z je charakteristická impedance obvodu a lze ji vyjádřit pomocí různých veličin, např. Obr..5. Rezonanční křivky sériového rezonančního obvodu pro různé poměry L C ( R je konstantní, L C < C L < L 3 C 3 ) L Z ω L. (.) ω C C Ze vztahu (.9) vyplývá, že činitel jakosti Q je přímo úměrný charakteristické impedanci obvodu Z vyjádřené ve tvaru L C. Máme-li tedy sériový rezonanční obvod naladěný na kmitočet f, potom při konstantní hodnotě odporu R můžeme změnit jeho činitel jakosti změnou poměru L C. Současně s tím se změní i šířka propustného pásma B. Tuto skutečnost dokumentuje obr..5, kde jsou znázorněny rezonanční křivky pro různé poměry L C. Poněvadž ve všech případech uvažujeme stejnou hodnotu odporu R, mají všechny křivky při rezonanci stejnou hodnotu rezonančního proudu. Mění se tedy pouze jejich tvar a s ním i šířka propustného pásma B. Jestliže budíme sériový rezonanční obvod ze zdroje harmonického signálu s amplitudou, protéká při rezonanci obvodem proud I r daný vztahem (.4). Poněvadž za rezonance má obvod reálný charakter, napětí zdroje a proud I r jsou ve fázi. Napětí na odporu R je proto stejné, jako je napětí napájecího zdroje. Pro napětí Lr na induktoru a napětí Cr na kapacitoru při rezonanci lze psát a Lr jω L I r jωl jq (.) R Cr I Q C r j j jω ω C R. (.) Napětí na induktoru předbíhá napětí zdroje a tím i proud I r o 9, zatímco napětí na kapacitoru se zpožďuje za napětím zdroje a proudem I r o 9. Za rezonance jsou tedy napětí na induktoru a kapacitoru stejně veliká, ale opačného směru (jejich součet je roven nule). Ve srovnání s napětím zdroje jsou obě napětí Q krát větší. Jestliže budíme sériový rezonanční obvod např. z generátoru s výstupním napětím V a činitel jakosti obvodu je např. Q, bude napětí na kondenzátoru Cr V!!! Proto je třeba použít kondenzátor s dostatečně vysokým průrazným napětím.

11 Impedance sériového rezonančního obvodu je dána vztahem (.). Jestliže v tomto vztahu vytkneme před závorku člen ω L a člen v závorce upravíme pomocí Thomsonova vztahu dostáváme ω ω ω ( ) + Z ω R + j ωl R + jωl R jωl. (.3) ωc ω ωωlc ω ω Výraz v závorce se nazývá činitel rozladění a označuje se symbolem F. Lze psát F ω ω ω ω f f f f. (.4) S pomocí (.4) můžeme vztah (.3) zjednodušit a z obou členů vytkneme Z ω ω ω ω + ω L R R. Po úpravě dostaneme ( ω ) R + jω L R + jω LF R j F R( + jqf ) R( jα + ). (.5) Součin QF α se nazývá stupeň rozladění. Impedanci sériového rezonančního obvodu můžeme podle vztahu (.) psát také ve tvaru X Z ( ω ) R + jx R + j. (.6) R Srovnáním (.5) a (.6) dostáváme, že stupeň rozladění lze vyjádřit také vztahem X α tgϕ, (.7) R kde ϕ je argument impedance rezonančního obvodu. Pro modul impedance sériového rezonančního obvodu platí S pomocí (.8) lze vyjádřit proud tekoucí obvodem Z R + α. (.8) Úpravou (.9) získáme závislost I r I. (.9) R + α + α I I r + α, (.) definující tzv. normovanou rezonanční křivku, pomocí které můžeme popsat jakýkoliv sériový rezonanční obvod. platí Ze vztahu (.) vyplývá, že pro krajní kmitočty propustného pásma je stupeň rozladění Řešením rovnice I I r I I B r + α α ± neboť. (.) f f Q F Q ± (.) f f pro kmitočty f a f, které určují propustné pásmo, tj. f f B, získáme velice důležitý a pro praxi užitečný vztah f Q. (.3) B

12 Poznámka: Ze vztahu (.) lze také odvodit, že rezonanční kmitočet kmitočtů a, tj. platí f f f f f přímky procházející bodem f kolmo na osu kmitočtu!!! f se rovná geometrickému průměru. Rezonanční křivka tedy není osově souměrná podle.3 Paralelní rezonanční obvod Duálním obvodem k sériovému rezonančnímu obvodu, nakresleném na obr.., je paralelní rezonanční obvod, jehož obvodový model je uveden na obr..6. K proudovému zdroji je připojena paralelní kombinace vodivosti, kapacitoru a induktoru. Vodivost G reprezentuje ztráty obou reálných akumulačních prvků, případně zahrnuje i vnitřní vodivost reálného zdroje. Pro admitanci obvodu platí Obr..6. Paralelní rezonanční obvod kmitočtu ( ω ) Z jϕ Y G + j ωc G + jb Ye, (.4) ( ω ) ωl kde B je výsledná susceptance obvodu. Při harmonickém buzení obvodu ze zdroje proudu s amplitudou I, závisí napětí na rezonančním obvodu na modulu admitance Y a tedy na kmitočtu signálu zdroje. Grafické znázornění závislosti napětí na kmitočtu f (nebo ω ) se nazývá rezonanční křivka. Lze ji popsat rovnicí Z podmínky ω resp. LC I I ZI. (.5) Y G + ωc ωl B lze stanovit vztah pro výpočet rezonančního f. (.6) π LC Podobně jako u sériového rezonančního obvodu, lze i pro paralelní rezonanční obvod odvodit vztahy pro admitanci obvodu ve tvaru ( ω ) G( + jα ) Y a Y G + α. (.7) Při rezonanci, kdy α, nabývá modul admitance obvodu své minimální hodnoty Y G, zatímco napětí na obvodu nabývá naopak své maximální hodnoty kde R G se nazývá rezonanční odpor. I r IR, (.8) G Šířka propustného pásma B paralelního rezonančního obvodu je definována jako rozmezí dvou kmitočtů v okolí rezonance, při kterých poklesne napětí na rezonančním obvodu na hodnotu,77 r (pokles o 3 db ), jak je naznačeno na obr..7a. Poněvadž napětí na rezonančním obvodu je přímo úměrné impedanci obvodu, bývá rezonanční křivka kreslena také jako závislost modulu impedance obvodu na kmitočtu. Mezi šířkou propustného pásma a činitelem jakosti obvodu platí opět vztah (.3). Činitel jakosti obvodu Q je definován vztahem (.7). Poněvadž pro energii A a činný výkon P platí lze po dosazení (.9) do (.7) psát A C a P R, (.9)

13 R R R ωc Q ω CR. (.3) ωl L Z G ωlg C Činitel jakosti paralelního rezonančního obvodu se tedy rovná podílu rezonančního odporu a induktivní nebo kapacitní reaktance obvodu za rezonance. Pro charakteristickou impedanci obvodu platí vztah (.). Z Jestliže budíme paralelní rezonanční obvod ze zdroje harmonického signálu s amplitudou I, je za rezonance na obvodu napětí r dané vztahem (.8). Poněvadž admitance obvodu je za rezonance reálná, je napětí r ve fázi s proudem I. Proud tekoucí vodivostí G je stejný, jako proud tekoucí z napájecího zdroje. Pro proudy I tekoucí induktorem a I tekoucí kapacitorem při rezonanci platí Lr Cr r j I I Lr j jq I ω L ω L G (.3) r a I Cr I jωc jq I. G (.3) jω C Proud tekoucí induktorem se zpožďuje za proudem zdroje I a tím i napětím r o 9, zatímco proud tekoucí kapacitorem předbíhá proud I a tedy i napětí r o 9. Za rezonance jsou tedy proudy tekoucí induktorem a kapacitorem stejně veliké, ale opačného směru (jejich součet je roven nule). Ve srovnání s proudem zdroje jsou oba proudy Q krát větší. Jestliže budíme paralelní rezonanční obvod např. z generátoru s výstupním proudem I ma a činitel jakosti obvodu je např. Q, je proud tekoucí cívkou I Lr A!!! Proto je třeba pro konstrukci cívky použít vodič dostatečného průřezu. Cívky rezonančních obvodů ve vysílačích velkých výkonů bývají proto konstruovány z měděných trubek, které mohou být i postříbřené. Model paralelního rezonančního obvodu, nakreslený na obr..6, vytvořený jako duální obvod k sériovému rezonančnímu obvodu, nevystihuje přesně chování skutečného rezonančního obvodu, především při nulovém kmitočtu a v jeho blízkém okolí. Rezonanční křivka skutečného obvodu, nakreslená na obr..7a, vykazuje při nulovém kmitočtu určité malé napětí, které v obvodu vzniká v důsledku nenulového odporu vinutí cívky. Tuto skutečnost lépe vystihuje model nakreslený na obr..8. Cívka je modelována sériovou kombinací induktoru L a ztrátového rezistoru R L, podobně kondenzátor je modelován sériovým spojením kapacitoru C a ztrátového rezistoru RC. Impedance obou větví můžeme vyjádřit ve tvaru Z L R L + jx Pro výslednou impedanci obvodu lze psát ZL ZC Z Z + Z L C L a Z R jx. C ( RL + jx L )( RC jxc ) ( R + jx ) + ( R jx ) L L C C C C. (.33) Oddělíme-li od sebe reálnou a imaginární složku, dostaneme Obr..7. a) Rezonanční křivka paralelního rezonančního obvodu b) Kmitočtová závislost argumentu impedance obvodu kde Z s RLZ Z R + jx C + R C s Z Z L X LZ + j C X Z s C Z L, (.34) je modul impedance, která se rovná sériovému spojení Obr..8. Model paralelního rezonančního obvodu se dvěma větvemi 3

14 impedancí a, takže platí Z L Z C Z s ( R + R ) + ( X X ) L C L C a dále Z L RL + X L a Z C RC + XC. V uvažovaném obvodu nastane rezonance, jestliže imaginární část výsledné impedance (.34) bude rovna nule. Rezonanční podmínka je proto dána vztahem X LZC XCZL X. (.35) Z Z podmínky (.35) vyplývá, že rezonanční kmitočet závisí nejen na indukčnosti L a kapacitě C, ale i na ztrátových rezistorech R a R. Pouze v případě, kdy platí L C L s R << X a R << X, (.36) L tj. rezistory v jednotlivých větvích můžeme zanedbat vůči jejich reaktancím, lze podmínku (.35) zjednodušit do tvaru X L XC XC X L X L XC ( XC X L ) X. (.37) Z Z s Rezonance potom nastává v případě, když X C X L, což je stejná podmínka, jako podmínka platná pro sériový rezonanční obvod. Z ní je možné stanovit rezonanční kmitočet ve tvaru (.3), (.6). Jestliže nelze splnit podmínky (.36), musíme rezonanční kmitočet vypočítat z podmínky (.35), tj. Po dosazení do (.38) a úpravě dostáváme pro rezonanční kmitočet vztah L C Z R ω resp. LC Z R kde je charakteristická impedance obvodu daná vztahem (.). Z C s C X Z X Z. (.38) L C C L L C Z R f, (.39) π LC Z R Odpor obvodu za rezonance neboli rezonanční odpor určíme z (.34), při uvažování rezonanční podmínky (.35). Jestliže navíc platí i podmínky (.36) dostáváme R R L X C L C ( R + R ) RL + RC RL + RC L + R C C X L X X. (.4) Rezonanční odpor paralelního rezonančního obvodu se tedy rovná druhé mocnině reaktance libovolné větve obvodu za rezonance, dělené celkovým odporem obou větví v sérii R s RL + RC. Po dosazení do (.4) za reaktance jednotlivých větví a úpravě, dostáváme další vztahy pro výpočet rezonančního odporu ω R R L s ωc R s Z R s L CR s Q R s QZ. (.4) Lze odvodit, že vztahy (.4) a (.4) můžeme použít s dostatečnou přesností (lepší než %) pro rezonanční obvody, u kterých je Q 5. Kmitočtová závislost argumentu impedance paralelního rezonančního obvodu (.34) je nakreslena na obr..7b. Za rezonance je impedance obvodu reálná a tedy argument impedance je nulový. Na podrezonančních kmitočtech má obvod induktivní charakter neboť impedance induktivní větve je menší než impedance kapacitní větve a při jejich paralelním spojení se výrazněji podílí na výsledné impedanci obvodu. Argument impedance proto nabývá kladných hodnot a pro kmitočty jdoucí k nule se jeho hodnota blíží +9. Na nadrezonančních kmitočtech má obvod kapacitní charakter neboť na výsledné impedanci obvodu se nyní výrazněji podílí impedance kapacitní větve. Argument impedance je proto záporný a pro kmitočet f se jeho hodnota blíží 9. Z (.3) a (.4) vyplývají vzájemné vztahy mezi činitelem jakosti obvodu, rezonančním odporem, reaktancemi jednotlivých větví za rezonance, charakteristickou impedancí obvodu a odporem. Na obr. R s 4

15 .9 jsou nakresleny rezonanční křivky obvodů pro různé hodnoty odporu R s. Rezonanční křivka pro R s R je úzká a vychází téměř z počátku souřadnic poněvadž odpor R je malý. Obvod vykazuje selektivní vlastnosti, jeho šířka propustného pásma je malá, činitel jakosti a rezonanční odpor jsou velké. Naproti tomu rezonanční křivka pro R s R 3 je plochá a v důsledku velkého odporu R 3 vzniká na obvodu při f velké stejnosměrné napětí. Obvod ztrácí selektivní charakter, jeho šířka propustného pásma je veliká, činitel jakosti a rezonanční odpor jsou malé. Na obr.. jsou nakresleny rezonanční křivky obvodů pro různé hodnoty poměru L C. Z obrázku je vidět, že pro větší poměr L C je větší i rezonanční odpor a činitel jakosti obvodu, a proto vykazuje obvod lepší selektivní vlastnosti. Obr..9. Rezonanční křivky paralelního rezonančního obvodu pro různé hodnoty odporu R ( R < < R, L a C jsou konstantní) konstantní, Obr... Rezonanční křivky paralelního rezonančního obvodu pro různé poměry L C ( R je s R 3 C s 3 C L < L C < L 3 ).4 Transformační vlastnosti rezonančních obvodů Na obr.. je nakreslen paralelní rezonanční obvod složený ze tří prvků kapacitoru C, induktoru L a vodivosti G, která reprezentuje pouze ztráty reálných akumulačních prvků. Poněvadž k obvodu není připojen budící zdroj ani zátěž, nazývá se takový obvod nezatížený. Pro tento ryze teoretický případ můžeme podle známých vztahů určit příslušné parametry obvodu. Skutečnost, že parametry platí pro nezatížený obvod, vyjádříme indexem nula u příslušného symbolu. Proto vodivost nezatíženého obvodu označujeme symbolem G a pro činitel jakosti Q nezatíženého obvodu a šířku propustného pásma B nezatíženého obvodu používáme výpočtové vztahy Q ωc G ω LG f a B. (.43) Q (.4) Kdybychom k nezatíženému rezonančnímu obvodu připojili zátěž Y Z nebo budící zdroj s vnitřní admitancí Y G (případně oba prvky), Obr... Nezatížený paralelní rezonanční obvod jak je čárkovaně naznačeno na obr.., rezonanční obvod by výrazně změnil svoje parametry. Vlivem imaginárních částí připojených admitancí by došlo ke změně rezonančního kmitočtu, tj. obvod by se rozladil, a současně by došlo k zatlumení obvodu a tím ke zmenšení jeho činitele jakosti. Celková vodivost zatíženého obvodu by byla G G + G + (.44) G G Z a pomocí ní bychom mohli určit činitele jakosti Q zatíženého obvodu i šířku propustného pásma B zatíženého obvodu. Z vypočítaných parametrů by vyplynulo, že kromě rozladění obvodu se zhorší i jeho selektivní vlastnosti. 5

16 Proto se v praxi budící zdroj i zátěž připojují k rezonančnímu obvodu jiným způsobem než je naznačeno na obr.., a to buď na odbočku cívky - autotransformátorová (indukční) vazba nebo pomocí kapacitního děliče - kapacitní vazba a nebo pomocí vazebního vinutí - transformátorová vazba. Ve všech těchto případech bude vliv připojených admitancí výrazně omezen. Příklady jednotlivých vazeb jsou nakresleny na obr.., kde je pro jednoduchost naznačeno pouze připojení zátěže. Obdobným způsobem je však možné k rezonančnímu obvodu připojit i budící zdroj. M L C M C G L L Y Z L G C Y Z C G L L V Y Z a) b) c) Obr... Způsoby připojení zátěže (nebo zdroje) k paralelnímu rezonančnímu obvodu a) autotransformátorová (indukční) vazba, b) kapacitní vazba, c) transformátorová vazba Za předpokladu, že modul admitance YZ (nebo YG ) je mnohem menší než modul admitance části rezonančního obvodu v bodech připojení a uvažujeme kmitočtové pásmo v okolí rezonance, můžeme pro každou vazbu definovat tzv. transformační činitel p. Pro autotransformátorovou vazbu (obr..a) je transformační činitel definován vztahem p L + M <, (.45) L kde L je indukčnost mezi odbočkou a uzemněným (studeným) koncem cívky, M je vzájemná indukčnost mezi částmi cívky L oddělenými odbočkou a L L + L je indukčnost celé cívky. Transformační činitel pro kapacitní vazbu (obr..b) lze určit ze vztahu p C <. (.46) C + C A konečně při transformátorové vazbě (obr..c) je transformační činitel definován vztahem 6 Obr..3. a) Oboustranně zatížený paralelní rezonanční obvod b) Ekvivalentní obvod s transformovanými admitancemi LV + M p L kde L V je indukčnost vazební cívky, M je vzájemná indukčnost mezi oběma cívkami a L je indukčnost cívky rezonančního obvodu. <, (.47) važujme nyní oboustranně zatížený paralelní rezonanční obvod, který je nakreslený na obr..3a. Budící zdroj s admitancí Y G je připojen k rezonančnímu obvodu kapacitní vazbou s transformačním činitelem p a zátěž Y Z je k obvodu připojena autotransformátorovou vazbou s činitelem p. Připojení obou admitancí vlivní opět parametry rezonančního obvodu, především

17 Q a B, avšak nyní již poněkud jiným způsobem než v případě naznačeném na obr... Jejich vliv si lze představit tak, jako by se obě připojené admitance transformovaly do rezonančního obvodu, a to s druhou mocninou transformačních činitelů. Ekvivalentní obvod s transformovanými admitancemi je nakreslen na obr..3b. Výslednou admitanci rezonančního obvodu po připojení obou admitancí lze určit ze vztahu kde Po dosazení do (.48) za YG a Y dostáváme Z Y p p Y, (.48) YG + Y + Z CC Y G + jω +. (.49) C + C jω L C C Y p ω p C. (.5) GG + jω pcg + G + jω + + pgz + j C + C jωl Transformované kapacity způsobí rozladění obvodu, ale protože oba transformační činitelé jsou menší než jedna, nebude toto rozladění tak výrazné, jako v případě naznačeném na obr... Pro celkovou vodivost obvodu lze psát G p G + G p. (.5) G + G Z Ze srovnání vztahů (.44) a (.5) vyplývá, že použití transformačních vazeb omezuje také vliv připojených vodivostí a tudíž nesnižuje výrazně činitel jakosti obvodu. Čím menší budou transformační činitelé, tj. připojené admitance budou navázány na rezonanční obvod volně, tím méně budou ovlivněny selektivní vlastnosti rezonančního obvodu. vedený případ transformace platí i v opačném směru, kdy se admitance připojená přímo k rezonančnímu obvodu transformuje na vstupní nebo výstupní odbočku prostřednictvím příslušné vazby. Na obr..4 je do rezonančního obvodu, který je vyladěn do rezonance, připojena admitance Y. Na vstupní odbočce obvodu se tato admitance jeví jako admitance Y, přičemž platí transformační vztah Y Y. (.5) p Obr..4. Transformace admitance Transformační vlastnosti rezonančních obvodů lze tedy využívat nejen k omezení vlivu připojených admitancí na parametry selektivního obvodu, ale i jako transformátoru admitancí na požadovanou hodnotu. Ve vysokofrekvenční technice se většinou využívá pouze transformace vodivostí neboť imaginární složky transformované do rezonančního obvodu můžeme eliminovat vyladěním obvodu do rezonance. Rezonanční obvody jsou obvykle konstruovány tak, že umožňují přesné doladění rezonančního kmitočtu buď pomocí dolaďovacího kondenzátoru nebo změnou polohy jádra cívky, případně roztažením nebo stlačením závitů u samonosné cívky. Paralelní rezonanční obvod tvoří velice často zátěž tranzistoru ve vysokofrekvenčních (vf) zesilovačích a současně bývá i vazebním členem mezi jednotlivými stupni vícestupňového vf zesilovače. Rovněž může být využit jako vazební obvod mezi anténou a vstupním tranzistorem vf zesilovače. Všechny uvedené případy můžeme znázornit obvodovým modelem nakresleným na obr..5. Proudovým zdrojem s vnitřní vodivostí G je modelován G Obr..5. Obvodový model oboustranně zatíženého paralelního rezonančního obvodu Z 7

18 výstupní obvod tranzistoru nebo náhradní obvod antény, vodivostí G Z je modelován vstupní obvod následujícího stupně nebo jakákoliv jiná zátěž. Po připojením zdroje s vodivostí G G k rezonančnímu obvodu v bodě X, dodává zdroj do rezonančního obvodu určitý výkon. Aby velikost výkonu dodaného do rezonančního obvodu byla maximální, musí být obě části obvodu v bodě X výkonově přizpůsobeny. Pro výkonové přizpůsobení zdroje a zátěže platí obecná podmínka zdroje Y zátěže Y, (.53) tj. admitance zdroje musí být komplexně sdružená k admitanci zátěže. Pro případ, kdy admitance zdroje i zátěže jsou reálné, se podmínka (.53) zjednoduší na tvar G zdroje G zátěže. (.54) Výkonové přizpůsobení v bodě X tedy nastane, jestliže po přerušení obvodu v tomto bodě se obě části obvodu budou jevit při pohledu ve směru A i B jako stejné vodivosti. Při pohledu ve směru A se obvod jeví jako vodivost G G, a proto i při pohledu ve směru B budeme požadovat, aby se obvod jevil také jako vodivost G. Proto musí být transformační činitelé a p navrženi tak, aby vodivost G transformovaná G do rezonančního obvodu s koeficientem p p (.48), sečtená s vodivostí G a transformovaná na odbočku X s koeficientem p (.5), se jevila jako vodivost G G. Podmínku výkonového přizpůsobení v bodě X lze proto matematicky vyjádřit vztahem pgz + G G G. (.55) p Podobně v bodě Y budeme požadovat, aby došlo k maximálnímu přenosu výkonu signálu z rezonančního obvodu (představuje nyní zdroj signálu) do zátěže. Přerušíme-li nyní obvod v bodě Y (v bodě X obvod opět spojíme), jeví se obvod při pohledu ve směru D jako vodivost G, a proto stejnou vodivost musí obvod vykazovat i při pohledu ve směru C. Transformační činitelé musí být navrženi tak, aby vodivost transformovaná do rezonančního obvodu s koeficientem Z Z G G (.48), sečtená s vodivostí G a transformovaná p na odbočku Y s koeficientem p (.5), se jevila jako vodivost G Z. Pro podmínku výkonového přizpůsobení v bodě Y můžeme psát G p GG + G Z. (.56) p Stanovili jsme dvě podmínky pro výkonové přizpůsobení obvodu v bodech X a Y. Ve vztazích (.55) a (.56) známe vodivosti G G, G i G Z, neznámé veličiny jsou transformační činitelé p a p. Řešíme tedy dvě rovnice o dvou neznámých. Za tím účelem obě rovnice upravíme do tvarů p GG pgz + G (.57) a G + p G p. (.58) G G Z Z (.57) a (.58) však vyplývá, že rovnice budou současně splněny pouze v případě, kdy G. Pro oboustranné výkonové přizpůsobení rezonančního obvodu bychom tedy museli použít ideální akumulační prvky, což je případ pouze teoretický, k němuž se v praxi můžeme pouze více nebo méně přiblížit. Proto se při praktických návrzích vazebních obvodů volí výkonové přizpůsobení pouze na jedné straně rezonančního obvodu, zatímco na druhé straně obvodu můžeme požadovat například šumové přizpůsobení, případně může být obvod výkonově nepřizpůsoben. V takovém případě pouze zkontrolujeme výpočtem, zda toto nepřizpůsobení vyhovuje požadavkům zadání (např. poměr stojatých vln na napáječi k anténě nepřekročí povolenou hodnotu, atd.)..5 Vázané rezonanční obvody Na obr..6 jsou nakresleny obecné příklady vazby dvou obvodů (dvou smyček). Obvod (smyčka) s napájecím zdrojem se nazývá primární obvod, obvod (smyčka) se zátěží se nazývá sekundární obvod. Impedance Z, která je společná oběma obvodům (obr..6a), a impedance Z, která oba obvody svazuje 8 V V

19 (obr..6b), se nazývají vazební impedance. Obvody nakreslené na obr..6a jsou navzájem svázány tzv. paralelní (vnitřní neboli proudovou) vazbou. Příklad nakreslený na obr..6b znázorňuje obvody navzájem svázané tzv. sériovou (vnější neboli napěťovou) vazbou. Poněvadž článek π (trojúhelník) tvořený impedancemi Z V, Z a Z lze nahradit podle známých vztahů ekvivalentním článkem T (hvězda) složeným z impedancí ZV, Z a Z (a naopak), lze oba příklady považovat za ekvivalentní a stačí popsat pouze jeden z nich, např. vázaný obvod nakreslený na obr..6a. a) b) Obr..6. Vazba dvou obvodů a) paralelní (vnitřní neboli proudová), b) sériová (vnější neboli napěťová).5. Činitel vazby a stupeň vazby Velikost vazby dvou obvodů se posuzuje podle činitele vazby k definovaného vztahem Z k V, (.59) ( V ) ( V ) Z. Z ( V ) ( V ) kde je modul vazební impedance a Z resp. Z jsou moduly impedancí primárního resp. Z V sekundárního obvodu, které mají stejný charakter jako vazební impedance. Vázané rezonanční obvody se používají ve vysokofrekvenční technice proto, že mají lepší vlastnosti než jednoduchý rezonanční obvod. Jejich rezonanční křivka má dostatečně široké a ploché maximum i strmé boky, což je potřebné pro nezkreslený přenos signálů v určitém kmitočtovém pásmu. Změnou vazby lze rovněž měnit ekvivalentní impedanci na vstupu i výstupu obvodu. vázaných rezonančních obvodů je vazba zprostředkována vazební reaktancí, protože přídavný vazební odpor by snižoval činitele jakosti primárního i sekundárního rezonančního obvodu. Pro vazbu vazební reaktancí přejde vztah (.59) do tvaru ( V ). ( V ) XV k, (.6) X X ( V ) ( V ) kde je vazební reaktance a X resp. X jsou reaktance primárního resp. sekundárního obvodu, které X V mají stejný charakter jako vazební reaktance. Příklady vázaných rezonančních obvodů pro různé vazební reaktance jsou uvedeny na obr..7. V případě, že vazebním prvkem je kapacitor C V (obr..7a), tzv. vazba elektrickým polem, je absolutní hodnota vazební reaktance rovna ωc V. Pro absolutní hodnotu reaktance (kapacitního charakteru) v primárním resp. sekundárním obvodu lze psát ( ) X V, kde ωc C C v C, resp. C + CV Dosazením těchto vztahů do (.6) vychází činitel vazby ve tvaru C V ( ) X V, kde ωc C C v C. (.6) C + CV C C k.. (.6) 9

20 Jeho hodnota může být nejvýše k, což je případ % vazby, která nastane pro C a C. Stejného výsledku lze dosáhnout i pro C V. V tomto případě se však už nejedná o vázané obvody, ale o jednoduchý kmitavý obvod. Je-li vazebním prvkem induktor L V (obr..7b), jedná se o tzv. vazbu magnetickým polem nebo vazbu autotransformátorovou neboli indukční, (existuje-li mezi induktory magnetická vazba). Pro jednotlivé reaktance ve vztahu (.6) nyní platí X X X ω, (.63a) V L V ( V ) ω L + LV ωl ( ) ( L + LV ) ( V ) ω ωl a činitel vazby má pro tento případ tvar, (.63b) (.63c) V k. (.64) L L.L Pro transformátorovou vazbu dvou rezonančních obvodů (obr..7c) platí a činitel vazby je X V ωm ( ) X V ω L ωl ( ) X V ω L ωl, (.65a), (.65b) (.65c) M k. (.66) Obr..7. Vazba rezonančních obvodů L.L a) vazebním kapacitorem (vazba elektrickým polem), b) vazebním induktorem (vazba magnetickým polem), Jeho hodnota bude tím větší, čím bude větší c) transformátorová vazba vzájemná indukčnost M. V praxi se pro dosažení co největší (nejtěsnější) vazby vinou cívky L a L na společné jádro. Přesto se u vysokofrekvenčního transformátoru bez feromagnetického jádra dosahuje činitele vazby pouze k <,6. Podle velikosti činitele vazby k se hovoří o vazbě velmi volné ( k,), volné ( k,, 5 ), těsné ( k,5,95 ) a velmi těsné ( k,95, ). Při velmi volné vazbě je vliv jednoho obvodu na druhý zanedbatelný. Při volné vazbě se projeví vliv sekundárního obvodu na primární tím, že se zvětší odpor primárního obvodu. Při těsné vazbě se mění nejen odpor primárního obvodu, ale i jeho reaktance, což má vliv na rezonanční kmitočet soustavy. velmi těsné vazby lze soustavu vázaných obvodů nahradit jediným obvodem. Popsané druhy vazeb rezonančních obvodů lze také vhodným způsobem kombinovat a tak dosáhnout optimálních přenosových vlastností obvodu pro danou aplikaci. Příklady vázaných rezonančních obvodů s kombinovanou vazbou jsou nakresleny na obr..8, kde pro jednoduchost nejsou zakresleny rezistory reprezentující ztráty reálných součástek. Kromě činitele vazby je možné posuzovat vlastnosti vázaných rezonančních obvodů také podle veličiny nazývané stupeň vazby, která je definovaná vz tahem X V κ, (.67) R.R

3. Kmitočtové charakteristiky

3. Kmitočtové charakteristiky 3. Kmitočtové charakteristiky Po základním seznámení s programem ATP a jeho preprocesorem ATPDraw následuje využití jednotlivých prvků v jednoduchých obvodech. Jednotlivé příklady obvodů jsou uzpůsobeny

Více

Fázorové diagramy pro ideální rezistor, skutečná cívka, ideální cívka, skutečný kondenzátor, ideální kondenzátor.

Fázorové diagramy pro ideální rezistor, skutečná cívka, ideální cívka, skutečný kondenzátor, ideální kondenzátor. FREKVENČNĚ ZÁVISLÉ OBVODY Základní pojmy: IMPEDANCE Z (Ω)- charakterizuje vlastnosti prvku pro střídavý proud. Impedance je základní vlastností, kterou potřebujeme znát pro analýzu střídavých elektrických

Více

1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny

1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny 1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny Popsaný přijímač slouží k poslechu rozhlasových stanic v pásmu středních vln. Přijímač je napájen z USB portu počítače přijímaný signál je pak připojen na

Více

Czech Technical University in Prague Faculty of Electrical Engineering. Fakulta elektrotechnická. České vysoké učení technické v Praze.

Czech Technical University in Prague Faculty of Electrical Engineering. Fakulta elektrotechnická. České vysoké učení technické v Praze. Nejprve několik fyzikálních analogií úvodem Rezonance Rezonance je fyzikálním jevem, kdy má systém tendenci kmitat s velkou amplitudou na určité frekvenci, kdy malá budící síla může vyvolat vibrace s velkou

Více

Účinky měničů na elektrickou síť

Účinky měničů na elektrickou síť Účinky měničů na elektrickou síť Výkonová elektronika - přednášky Projekt ESF CZ.1.07/2.2.00/28.0050 Modernizace didaktických metod a inovace výuky technických předmětů. Definice pojmů podle normy ČSN

Více

Název: Téma: Autor: Číslo: Prosinec 2013. Střední průmyslová škola a Vyšší odborná škola technická Brno, Sokolská 1

Název: Téma: Autor: Číslo: Prosinec 2013. Střední průmyslová škola a Vyšší odborná škola technická Brno, Sokolská 1 Střední průmyslová škola a Vyšší odborná škola technická Brno, Sokolská 1 Šablona: Název: Téma: Autor: Číslo: Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Elektrický proud střídavý Elektronický oscilátor

Více

Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr

Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr. Zadání: A. Na předloženém kompenzovaném vstupní děliči k nf milivoltmetru se vstupní impedancí Z vst = MΩ 25 pf, pro dělící poměry :2,

Více

1.1. Základní pojmy 1.2. Jednoduché obvody se střídavým proudem

1.1. Základní pojmy 1.2. Jednoduché obvody se střídavým proudem Praktické příklady z Elektrotechniky. Střídavé obvody.. Základní pojmy.. Jednoduché obvody se střídavým proudem Příklad : Stanovte napětí na ideálním kondenzátoru s kapacitou 0 µf, kterým prochází proud

Více

1. Zadání. 2. Teorie úlohy ID: 78 357. Jméno: Jan Švec. Předmět: Elektromagnetické vlny, antény a vedení. Číslo úlohy: 7. Měřeno dne: 30.3.

1. Zadání. 2. Teorie úlohy ID: 78 357. Jméno: Jan Švec. Předmět: Elektromagnetické vlny, antény a vedení. Číslo úlohy: 7. Měřeno dne: 30.3. Předmět: Elektromagnetické vlny, antény a vedení Úloha: Symetrizační obvody Jméno: Jan Švec Měřeno dne: 3.3.29 Odevzdáno dne: 6.3.29 ID: 78 357 Číslo úlohy: 7 Klasifikace: 1. Zadání 1. Změřte kmitočtovou

Více

Základní otázky pro teoretickou část zkoušky.

Základní otázky pro teoretickou část zkoušky. Základní otázky pro teoretickou část zkoušky. Platí shodně pro prezenční i kombinovanou formu studia. 1. Síla současně působící na elektrický náboj v elektrickém a magnetickém poli (Lorentzova síla) 2.

Více

Základní elektronické obvody

Základní elektronické obvody Základní elektronické obvody Soustava jednotek Coulomb (C) = jednotka elektrického náboje q Elektrický proud i = náboj, který proteče průřezem vodiče za jednotku času i [A] = dq [C] / dt [s] Volt (V) =

Více

Tématické okruhy teoretických zkoušek Part 66 1 Modul 3 Základy elektrotechniky

Tématické okruhy teoretických zkoušek Part 66 1 Modul 3 Základy elektrotechniky Tématické okruhy teoretických zkoušek Part 66 1 3.1 Teorie elektronu 1 1 1 Struktura a rozložení elektrických nábojů uvnitř: atomů, molekul, iontů, sloučenin; Molekulární struktura vodičů, polovodičů a

Více

I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup

I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup ELEKTONIKA I N V E S T I C E D O O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í 1. Usměrňování a vyhlazování střídavého a. jednocestné usměrnění Do obvodu střídavého proudu sériově připojíme diodu. Prochází jí proud

Více

Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika

Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika Garant přípravného studia: Střední průmyslová škola elektrotechnická a ZDVPP, spol. s r. o. IČ: 25115138 Učební osnova: Základní

Více

Základy elektrotechniky a výkonová elektrotechnika (ZEVE)

Základy elektrotechniky a výkonová elektrotechnika (ZEVE) Základy elektrotechniky a výkonová elektrotechnika (ZEVE) Studijní program Vojenské technologie, 5ti-leté Mgr. studium (voj). Výuka v 1. a 2. semestru, dotace na semestr 24-12-12 (Př-Cv-Lab). Rozpis výuky

Více

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_01_Děliče napětí frekvenčně nezávislé Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing.

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_01_Děliče napětí frekvenčně nezávislé Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Číslo projektu..07/.5.00/34.058 Číslo materiálu VY_3_INOVAE_ENI_3.ME_0_Děliče napětí frekvenčně nezávislé Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická

Více

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická

Více

DIGITÁLNÍ UČEBNÍ MATERIÁL

DIGITÁLNÍ UČEBNÍ MATERIÁL DIGITÁLNÍ UČEBNÍ MATERIÁL škola Střední škola F. D. Roosevelta pro tělesně postižené, Brno, Křižíkova 11 číslo projektu číslo učebního materiálu předmět, tematický celek ročník CZ.1.07/1.5.00/34.1037 VY_32_INOVACE_ZIL_VEL_123_12

Více

Elektrotechnika SOUBOR PŘÍPRAV PRO 3. R. OBORU 23-41-M/01 Strojírenství

Elektrotechnika SOUBOR PŘÍPRAV PRO 3. R. OBORU 23-41-M/01 Strojírenství STŘEDNÍ PRŮMYSLOVÁ ŠKOLA STROJNICKÁ A STŘEDNÍ ODBORNÁ ŠKOLA PROFESORA ŠVEJCARA, PLZEŇ, KLATOVSKÁ 109 Ing. Petr Vlček Elektrotechnika SOUBOR PŘÍPRAV PRO 3. R. OBORU 23-41-M/01 Strojírenství Vytvořeno v

Více

Otázka 22(42) Přístroje pro měření signálů, metody pro měření v časové a frekvenční doméně. Přístroje

Otázka 22(42) Přístroje pro měření signálů, metody pro měření v časové a frekvenční doméně. Přístroje Otázka 22(42) Přístroje pro měření signálů, metody pro měření v časové a frekvenční doméně Rozmanitost signálů v komunikační technice způsobuje, že rozdělení měřicích metod není jednoduché a jednoznačné.

Více

Mˇeˇren ı vlastn ı indukˇcnosti Ondˇrej ˇ Sika

Mˇeˇren ı vlastn ı indukˇcnosti Ondˇrej ˇ Sika Obsah 1 Zadání 3 2 Teoretický úvod 3 2.1 Indukčnost.................................. 3 2.2 Indukčnost cívky.............................. 3 2.3 Vlastní indukčnost............................. 3 2.4 Statická

Více

Výkon střídavého proudu, účiník

Výkon střídavého proudu, účiník ng. Jaromír Tyrbach Výkon střídavého proudu, účiník odle toho, kterého prvku obvodu se výkon týká, rozlišujeme u střídavých obvodů výkon činný, jalový a zdánlivý. Ve střídavých obvodech se neustále mění

Více

6. Viskoelasticita materiálů

6. Viskoelasticita materiálů 6. Viskoelasticita materiálů Viskoelasticita materiálů souvisí se schopností materiálů tlumit mechanické vibrace. Uvažujme harmonické dynamické namáhání (tzn. střídavě v tahu a tlaku) materiálu v oblasti

Více

Učební osnova předmětu ELEKTRONIKA

Učební osnova předmětu ELEKTRONIKA Učební osnova předmětu ELEKTRONIKA Obor vzdělání: 2-1-M/01 Elektrotechnika (slaboproud) Forma vzdělávání: denní studium Ročník kde se předmět vyučuje: druhý, třetí Počet týdenních vyučovacích hodin ve

Více

Elektrický proud v kovech Odpor vodiče, Ohmův zákon Kirchhoffovy zákony, Spojování rezistorů Práce a výkon elektrického proudu

Elektrický proud v kovech Odpor vodiče, Ohmův zákon Kirchhoffovy zákony, Spojování rezistorů Práce a výkon elektrického proudu Elektrický proud Elektrický proud v kovech Odpor vodiče, Ohmův zákon Kirchhoffovy zákony, Spojování rezistorů Práce a výkon elektrického proudu Elektrický proud v kovech Elektrický proud = usměrněný pohyb

Více

Řešení redukce vyšších harmonických kmitočtů

Řešení redukce vyšších harmonických kmitočtů Řešení redukce vyšších harmonických kmitočtů Jak jsme se již dozvěděli, používá společnost Danfoss stejnosměrné tlumivky jako standardní řešení ke zmírnění působení harmonických kmitočtů. Existují ale

Více

TEORIE ELEKTRONICKÝCH OBVODŮ VI.

TEORIE ELEKTRONICKÝCH OBVODŮ VI. Střední průmyslová škola elektrotechnická a Vyšší odborná škola Pardubice, Karla IV. 3 TEORIE ELEKTRONIKÝH OBVODŮ VI. (VYSOKOFREKVENČNÍ ZESILOVAČE) (SMĚŠOVAČE) Ing. Jiří Nobilis Pardubice Toto skriptum

Více

Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice 2 Číslo úlohy : 1

Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice 2 Číslo úlohy : 1 Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice Číslo úlohy : 1 Název úlohy : Vypracoval : ročník : 3 skupina : F-Zt Vnější podmínky měření : měřeno dne : 3.. 004 teplota : C tlak

Více

11. Polovodičové diody

11. Polovodičové diody 11. Polovodičové diody Polovodičové diody jsou součástky, které využívají fyzikálních vlastností přechodu PN nebo přechodu kov - polovodič (MS). Nelinearita VA charakteristiky, zjednodušeně chápaná jako

Více

Transformátor trojfázový

Transformátor trojfázový Transformátor trojfázový distribuční transformátory přenášejí elektricky výkon ve všech 3 fázích v praxi lze použít: a) 3 jednofázové transformátory větší spotřeba materiálu v záloze stačí jeden transformátor

Více

Poř. č. Příjmení a jméno Třída Skupina Školní rok 2 BARTEK Tomáš S3 1 2009/10

Poř. č. Příjmení a jméno Třída Skupina Školní rok 2 BARTEK Tomáš S3 1 2009/10 Vyšší odborná škola a Střední průmyslová škola elektrotechnická Božetěchova 3, Olomouc Laboratoře elektrotechnických měření Název úlohy MĚŘENÍ CHARAKTERISTIK REZONANČNÍCH OBVODŮ Číslo úlohy 301-3R Zadání

Více

Impedanční spektroskopie

Impedanční spektroskopie Tento dokument je na internetu na adrese: http://ufmt.vscht.cz (Elektronické pomůcky) Celý návod bude rovněž k dispozici ve vytištěné formě v laboratoři, VŠCHT Praha Impedanční spektroskopie Návod k laboratorní

Více

Dioda jako usměrňovač

Dioda jako usměrňovač Dioda A K K A Dioda je polovodičová součástka s jedním P-N přechodem. Její vývody se nazývají anoda a katoda. Je-li na anodě kladný pól napětí a na katodě záporný, dioda vede (propustný směr), obráceně

Více

200W ATX PC POWER SUPPLY

200W ATX PC POWER SUPPLY 200W ATX PC POWER SUPPLY Obecné informace Zde vám přináším schéma PC zdroje firmy DTK. Tento zdroj je v ATX provedení o výkonu 200W. Schéma jsem nakreslil, když jsem zdroj opravoval. Když už jsem měl při

Více

FYZIKA II. Petr Praus 6. Přednáška elektrický proud

FYZIKA II. Petr Praus 6. Přednáška elektrický proud FYZIKA II Petr Praus 6. Přednáška elektrický proud Osnova přednášky Elektrický proud proudová hustota Elektrický odpor a Ohmův zákon měrná vodivost driftová rychlost Pohyblivost nosičů náboje teplotní

Více

3. Změřte závislost proudu a výkonu na velikosti kapacity zařazené do sériového RLC obvodu.

3. Změřte závislost proudu a výkonu na velikosti kapacity zařazené do sériového RLC obvodu. Pracovní úkoly. Změřte účiník: a) rezistoru, b) kondenzátoru C = 0 µf) c) cívky. Určete chybu měření. Diskutujte shodu výsledků s teoretickými hodnotami pro ideální prvky. Pro cívku vypočtěte indukčnost

Více

5. RUŠENÍ, ELEKTROMAGNETICKÁ KOMPATIBILITA (EMC) a NORMY EMC

5. RUŠENÍ, ELEKTROMAGNETICKÁ KOMPATIBILITA (EMC) a NORMY EMC 5. RUŠENÍ, ELEKTROMAGNETICKÁ KOMPATIBILITA (EMC) a NORMY EMC Závažným problémem konstrukce impulsních regulátorů je jejich odrušení. Výkonové obvody měničů představují aktivní zdroj impulsního a kmitočtového

Více

ELEKTRICKÝ PROUD V KOVECH. Mgr. Jan Ptáčník - GJVJ - Fyzika - Elektřina a magnetismus - 3. ročník

ELEKTRICKÝ PROUD V KOVECH. Mgr. Jan Ptáčník - GJVJ - Fyzika - Elektřina a magnetismus - 3. ročník ELEKTRICKÝ PROUD V KOVECH Mgr. Jan Ptáčník - GJVJ - Fyzika - Elektřina a magnetismus - 3. ročník Elektrický proud Uspořádaný pohyb volných částic s nábojem Směr: od + k ( dle dohody - ve směru kladných

Více

ELEKTRICKÝ PROUD ELEKTRICKÝ ODPOR (REZISTANCE) REZISTIVITA

ELEKTRICKÝ PROUD ELEKTRICKÝ ODPOR (REZISTANCE) REZISTIVITA ELEKTRICKÝ PROD ELEKTRICKÝ ODPOR (REZISTANCE) REZISTIVITA 1 ELEKTRICKÝ PROD Jevem Elektrický proud nazveme usměrněný pohyb elektrických nábojů. Např.:- proud vodivostních elektronů v kovech - pohyb nabitých

Více

Katedra obecné elektrotechniky Fakulta elektrotechniky a informatiky, VŠB - TU Ostrava

Katedra obecné elektrotechniky Fakulta elektrotechniky a informatiky, VŠB - TU Ostrava atedra obecné elektrotechniky Fakulta elektrotechniky a informatiky, VŠB - T Ostrava 9. TRASFORMÁTORY. Princip činnosti ideálního transformátoru. Princip činnosti skutečného transformátoru 3. Pracovní

Více

PROTOKOL O LABORATORNÍM CVIČENÍ - AUTOMATIZACE

PROTOKOL O LABORATORNÍM CVIČENÍ - AUTOMATIZACE STŘEDNÍ PRŮMYSLOVÁ ŠKOLA V ČESKÝCH BUDĚJOVICÍCH, DUKELSKÁ 13 PROTOKOL O LABORATORNÍM CVIČENÍ - AUTOMATIZACE Provedl: Tomáš PRŮCHA Datum: 17. 4. 2009 Číslo: Kontroloval: Datum: 5 Pořadové číslo žáka: 24

Více

Stabiliz atory napˇet ı v nap ajec ıch zdroj ıch - mˇeˇren ı z akladn ıch parametr u Ondˇrej ˇ Sika

Stabiliz atory napˇet ı v nap ajec ıch zdroj ıch - mˇeˇren ı z akladn ıch parametr u Ondˇrej ˇ Sika - měření základních parametrů Obsah 1 Zadání 4 2 Teoretický úvod 4 2.1 Stabilizátor................................ 4 2.2 Druhy stabilizátorů............................ 4 2.2.1 Parametrické stabilizátory....................

Více

Rozdělení transformátorů

Rozdělení transformátorů Rozdělení transformátorů Druh transformátoru Spojovací Pojízdné Ohřívací Pecové Svařovací Obloukové Rozmrazovací Natáčivé Spouštěcí Nevýbušné Oddělovací/Izolační Bezpečnostní Usměrňovačové Trakční Lokomotivní

Více

Západočeská univerzita v Plzni Fakulta aplikovaných věd Katedra matematiky. Semestrální práce RLC obvody

Západočeská univerzita v Plzni Fakulta aplikovaných věd Katedra matematiky. Semestrální práce RLC obvody Západočeská univerzita v Plzni Fakulta aplikovaných věd Katedra matematiky Semestrální práce RLC obvody Michaela Šebestová 28.6.2009 Obsah 1 Úvod 2 Teorie elektrotechniky 2.1 Použité teorémy fyziky 2.1.1

Více

Učební osnova předmětu ELEKTRONICKÁ ZAŘÍZENÍ

Učební osnova předmětu ELEKTRONICKÁ ZAŘÍZENÍ Učební osnova předmětu ELEKTRONICKÁ ZAŘÍZENÍ Obor vzdělání: 26-41-M/01 Elektrotechnika, zaměření slaboproud Forma vzdělávání: denní studium Ročník kde se předmět vyučuje: čtvrtý Počet týdenních vyučovacích

Více

1 Zdroj napětí náhradní obvod

1 Zdroj napětí náhradní obvod 1 Zdroj napětí náhradní obvod Příklad 1. Zdroj napětí má na svorkách naprázdno napětí 6 V. Při zatížení odporem 30 Ω klesne napětí na 5,7 V. Co vše můžete o tomto zdroji říci za předpokladu, že je v celém

Více

Ideální frekvenční charakteristiky filtrů podle bodu 1. až 4. v netypických lineárních souřadnicích jsou znázorněny na následujícím obrázku. U 1.

Ideální frekvenční charakteristiky filtrů podle bodu 1. až 4. v netypických lineárních souřadnicích jsou znázorněny na následujícím obrázku. U 1. Aktivní filtry Filtr je obecně selektivní obvod, který propouští určité frekvenční pásmo, zatímco ostatní frekvenční pásma potlačuje. Filtry je možno realizovat sítí pasivních součástek, tj. rezistorů,

Více

Obr. 9.1: Elektrické pole ve vodiči je nulové

Obr. 9.1: Elektrické pole ve vodiči je nulové Stejnosměrný proud I Dosud jsme se při studiu elektrického pole zabývali elektrostatikou, která studuje elektrické náboje v klidu. V dalších kapitolách budeme studovat pohybující se náboje elektrický proud.

Více

1.1 Usměrňovací dioda

1.1 Usměrňovací dioda 1.1 Usměrňovací dioda 1.1.1 Úkol: 1. Změřte VA charakteristiku usměrňovací diody a) pomocí osciloskopu b) pomocí soustavy RC 2000 2. Ověřte vlastnosti jednocestného usměrňovače a) bez filtračního kondenzátoru

Více

18A - PRINCIPY ČÍSLICOVÝCH MĚŘICÍCH PŘÍSTROJŮ Voltmetry, A/D převodníky - principy, vlastnosti, Kmitoměry, čítače, fázoměry, Q- metry

18A - PRINCIPY ČÍSLICOVÝCH MĚŘICÍCH PŘÍSTROJŮ Voltmetry, A/D převodníky - principy, vlastnosti, Kmitoměry, čítače, fázoměry, Q- metry 18A - PRINCIPY ČÍSLICOVÝCH MĚŘICÍCH PŘÍSTROJŮ Voltmetry, A/D převodníky - principy, vlastnosti, Kmitoměry, čítače, fázoměry, Q- metry Digitální voltmetry Základním obvodem digitálních voltmetrů je A/D

Více

Základy elektrotechniky řešení příkladů

Základy elektrotechniky řešení příkladů Název vzdělávacího programu Základy elektrotechniky řešení příkladů rčeno pro potřeby dalšího vzdělávání pedagogických pracovníků středních odborných škol Autor ng. Petr Vavřiňák Název a sídlo školy Střední

Více

Kategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-422 se používá pro:

Kategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-422 se používá pro: Mistrovství České republiky soutěže dětí a mládeže v radioelektronice, Vyškov 2011 Test Kategorie M START. ČÍSLO BODŮ/OPRAVIL U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-422

Více

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Diody a usměrňova ovače Přednáška č. 2 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Diody a usměrňova ovače 1 Voltampérová charakteristika

Více

1.1 Paralelní spolupráce transformátorů stejného nebo rozdílného výkonu

1.1 Paralelní spolupráce transformátorů stejného nebo rozdílného výkonu 1.1 Paralelní spolupráce transformátorů stejného nebo rozdílného výkonu Cíle kapitoly: Cílem úlohy je ověřit teoretické znalosti při provozu dvou a více transformátorů paralelně. Dalším úkolem bude změřit

Více

Základní definice el. veličin

Základní definice el. veličin Stýskala, 2002 L e k c e z e l e k t r o t e c h n i k y Vítězslav Stýskala, Jan Dudek Oddíl 1 Určeno pro studenty komb. formy FBI předmětu 452081 / 06 Elektrotechnika Základní definice el. veličin Elektrický

Více

Počítačový napájecí zdroj

Počítačový napájecí zdroj Počítačový napájecí zdroj Počítačový zdroj je jednoduše měnič napětí. Má za úkol přeměnit střídavé napětí ze sítě (230 V / 50 Hz) na napětí stejnosměrné, a to do několika větví (3,3V, 5V, 12V). Komponenty

Více

JEDNODUCHÝCH STAVEBNÍCH KONSTRUKCÍ. Ing. Barbora Hrubá, Ing. Jiří Winkler Kat. 225 Pozemní stavitelství 2014

JEDNODUCHÝCH STAVEBNÍCH KONSTRUKCÍ. Ing. Barbora Hrubá, Ing. Jiří Winkler Kat. 225 Pozemní stavitelství 2014 VZDUCHOVÁ NEPRŮZVUČNOST JEDNODUCHÝCH STAVEBNÍCH KONSTRUKCÍ Ing. Barbora Hrubá, Ing. Jiří Winkler Kat. 225 Pozemní stavitelství 2014 AKUSTICKÉ VLASTNOSTI STAVEBNÍCH MATERIÁLŮ A KONSTRUKCÍ Množství akustického

Více

Pojetí vyučovacího předmětu

Pojetí vyučovacího předmětu Učební osnova předmětu ZÁKLADY ELEKTROTECHNIKY studijního oboru 26-41-M/01 ELEKTROTECHNIKA Pojetí vyučovacího předmětu Učivo vyučovacího předmětu základy elektrotechniky poskytuje žákům na přiměřené úrovni

Více

Title: IX 6 11:27 (1 of 6)

Title: IX 6 11:27 (1 of 6) PŘEVODNÍKY ANALOGOVÝCH A ČÍSLICOVÝCH SIGNÁLŮ Převodníky umožňující transformaci číslicově vyjádřené informace na analogové napětí a naopak zaujímají v řídícím systému klíčové postavení. Značná část měřených

Více

23-41-M/01 Strojírenství. Celkový počet týdenních vyuč. hodin: 3 Platnost od: 1.9.2009

23-41-M/01 Strojírenství. Celkový počet týdenních vyuč. hodin: 3 Platnost od: 1.9.2009 Učební osnova vyučovacího předmětu elektrotechnika Obor vzdělání: 23-41-M/01 Strojírenství Délka a forma studia: 4 roky, denní studium Celkový počet týdenních vyuč. hodin: 3 Platnost od: 1.9.2009 Pojetí

Více

musí být odolný vůči krátkodobým zkratům při zkratovém přenosu kovu obloukem,

musí být odolný vůči krátkodobým zkratům při zkratovém přenosu kovu obloukem, 1 SVAŘOVACÍ ZDROJE PRO OBLOUKOVÉ SVAŘOVÁNÍ Svařovací zdroj pro obloukové svařování musí splňovat tyto požadavky : bezpečnost konstrukce dle platných norem a předpisů, napětí naprázdno musí odpovídat druhu

Více

Obsah OBVODY STŘÍDAVÉHO PROUDU S LINEÁRNÍMI JEDNOBRANY A DVOJBRANY. Studijní text pro řešitele FO a ostatní zájemce o fyziku Přemysl Šedivý

Obsah OBVODY STŘÍDAVÉHO PROUDU S LINEÁRNÍMI JEDNOBRANY A DVOJBRANY. Studijní text pro řešitele FO a ostatní zájemce o fyziku Přemysl Šedivý OBVODY STŘÍDVÉHO POD S NEÁNÍM JEDNOBNY DVOJBNY Studijní text pro řešitele FO a ostatní zájemce o yziku Přemysl Šedivý Obsah Jednoduchý obvod střídavého proudu Řešení obvodů střídavého proudu pomocí ázorového

Více

h n i s k o v v z d á l e n o s t s p o j n ý c h č o č e k

h n i s k o v v z d á l e n o s t s p o j n ý c h č o č e k h n i s k o v v z d á l e n o s t s p o j n ý c h č o č e k Ú k o l : P o t ř e b : Změřit ohniskové vzdálenosti spojných čoček různými metodami. Viz seznam v deskách u úloh na pracovním stole. Obecná

Více

Zdeněk Faktor. Transformátory a tlumivky pro spínané napájecí zdroje

Zdeněk Faktor. Transformátory a tlumivky pro spínané napájecí zdroje Zdeněk Faktor Transformátory a tlumivky pro spínané napájecí zdroje 2002 Přestože transformátory a tlumivky byly v nejmodernějších elektronických zařízeních do značné míry nahrazeny jinými obvodovými prvky,

Více

YU = I kde I = 0 (6.1)

YU = I kde I = 0 (6.1) Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Klasické a inovované měření rychlosti zvuku

Klasické a inovované měření rychlosti zvuku Klasické a inovované měření rychlosti zvuku Jiří Tesař katedra fyziky, Pedagogická fakulta JU Klíčová slova: Rychlost zvuku, vlnová délka, frekvence, interference vlnění, stojaté vlnění, kmitny, uzly,

Více

MĚŘENÍ ELEKTRICKÉHO NAPĚTÍ

MĚŘENÍ ELEKTRICKÉHO NAPĚTÍ ZÁKLADY ELEKTROTECHNIKY pro 1. ročníky tříletých učebních oborů MĚŘENÍ ELEKTRICKÉHO NAPĚTÍ Ing. Arnošt Kabát červenec 2011 Projekt Využití e-learningu k rozvoji klíčových kompetencí reg. č.: CZ.1.07/1.1.10/03.0021

Více

Západoceská univerzita v Plzni FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ

Západoceská univerzita v Plzni FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ Západoceská univerzita v Plzni FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ KET Merení fyzikálních složek životního prostredí Cejchování snímacu chvení Merení hluku zarízení vypracoval: Václav Laxa datum merení: 13.11.2006

Více

Bipolární tranzistory. Produkt: Zavádění cizojazyčné terminologie do výuky odborných předmětů a do laboratorních cvičení

Bipolární tranzistory. Produkt: Zavádění cizojazyčné terminologie do výuky odborných předmětů a do laboratorních cvičení Název projektu: Automatizace výrobních procesů ve strojírenství a řemeslech Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.30/01.0038 Příjemce: SPŠ strojnická a SOŠ profesora Švejcara Plzeň, Klatovská 109 Tento projekt

Více

ELEKTROTECHNICKÁ SCHÉMATA A ZAŘÍZENÍ, DESKY S PLOŠNÝMI SPOJI

ELEKTROTECHNICKÁ SCHÉMATA A ZAŘÍZENÍ, DESKY S PLOŠNÝMI SPOJI ELEKTROTECHNICKÁ SCHÉMATA A ZAŘÍZENÍ, DESKY S PLOŠNÝMI SPOJI Označování komponent ve schématu Zkratky jmenovitých hodnot rezistorů a kondenzátorů Zobrazování komponentů ve schématu Elektrotechnická schémata

Více

Učební osnova předmětu. Elektronika. studijního oboru. 26-41-M/01 Elektrotechnika (silnoproud)

Učební osnova předmětu. Elektronika. studijního oboru. 26-41-M/01 Elektrotechnika (silnoproud) Učební osnova předmětu Elektronika studijního oboru 26-41-M/01 Elektrotechnika (silnoproud) Pojetí vyučovacího předmětu Předmět elektronika je základním odborným předmětem a je úvodním předmětem do oblasti

Více

Testy byly vypsany ze vsech pdf k 20.1.2012 zde na foru. Negarantuji 100% bezchybnost

Testy byly vypsany ze vsech pdf k 20.1.2012 zde na foru. Negarantuji 100% bezchybnost 1. Jakmile je postižený při úrazu elektrickým proudem vyproštěn z proudového obvodu je zachránce povinen - Poskytnou postiženému první pomoc než příjde lékař 2. Místo názvu hlavní jednotky elektrického

Více

OPENAMP1. Stavební návod a manuál. Všechna práva vyhrazena, volné šíření a prodej nepřípustné 19/12/2012 1 Pavel MACURA - Instruments

OPENAMP1. Stavební návod a manuál. Všechna práva vyhrazena, volné šíření a prodej nepřípustné 19/12/2012 1 Pavel MACURA - Instruments OPENAMP1 Stavební návod a manuál 19/12/2012 1 Pavel MACURA - Instruments 1. Úvod OPENAMP1 je předzesilovač pro gramofonovou přenosku typu MM magnetodynamickou přenosku s pohyblivým magnetem. Zapojení využívá

Více

26-41-M/01 Elektrotechnika

26-41-M/01 Elektrotechnika Střední škola technická, Most, příspěvková organizace Dělnická 21, 434 01 Most PROFILOVÁ ČÁST MATURITNÍ ZKOUŠKY V JARNÍM I PODZIMNÍM OBDOBÍ ŠKOLNÍ ROK 2014/2015 Obor vzdělání 26-41-M/01 Elektrotechnika

Více

Žák plní standard v průběhu primy a sekundy, učivo absolutní hodnota v kvartě.

Žák plní standard v průběhu primy a sekundy, učivo absolutní hodnota v kvartě. STANDARDY MATEMATIKA 2. stupeň ČÍSLO A PROMĚNNÁ 1. M-9-1-01 Žák provádí početní operace v oboru celých a racionálních čísel; užívá ve výpočtech druhou mocninu a odmocninu 1. žák provádí základní početní

Více

Název: Měření paralelního rezonančního LC obvodu

Název: Měření paralelního rezonančního LC obvodu Název: Měření paralelního rezonančního LC obvodu Autor: Mgr. Lucia Klimková Název školy: Gymnázium Jana Nerudy, škola hl. města Prahy Předmět (mezipředmětové vztahy) : Fyzika (Matematika) Tematický celek:

Více

Polovodičové usměrňovače a zdroje

Polovodičové usměrňovače a zdroje Polovodičové usměrňovače a zdroje Druhy diod Zapojení a charakteristiky diod Druhy usměrňovačů Filtrace výstupního napětí Stabilizace výstupního napětí Zapojení zdroje napětí Závěr Polovodičová dioda Dioda

Více

Pracovní list žáka (SŠ)

Pracovní list žáka (SŠ) Pracovní list žáka (SŠ) vzorová úloha (SŠ) Jméno Třída.. Datum.. 1 Teoretický úvod Rezistory lze zapojovat do série nebo paralelně. Pro výsledný odpor sériového zapojení rezistorů platí: R = R1 + R2 +

Více

Proudové zrcadlo. Milan Horkel

Proudové zrcadlo. Milan Horkel roudové zrcadlo MLA roudové zrcadlo Milan Horkel Zdroje proudu jsou při konstrukci integrovaných obvodů asi stejně důležité, jako obyčejný rezistor pro běžné tranzistorové obvody. Zdroje proudu se často

Více

Moduly zpětné vazby v DCC kolejišti

Moduly zpětné vazby v DCC kolejišti 120419-moduly 006 až 010 Moduly zpětné vazby v DCC kolejišti Vytvořil jsem si sadu vlastních modulů pro řešení zpětné vazby v DCC kolejišti. Z praktických důvodů jsem moduly rozdělil na detektory obsazení

Více

NÍZKOFREKVENČNÍ GENERÁTOR BG3

NÍZKOFREKVENČNÍ GENERÁTOR BG3 NÍZKOFREKVENČNÍ GENERÁTOR BG3 Popis a provoz zařízení bg3 Jiří Matějka, Čtvrtky 702, Kvasice, 768 21, e-mail: podpora@wmmagazin.cz Obsah: 1. Určení výrobku 2. Technické parametry generátoru 3. Indikační

Více

ELEKTRICKÉ OBVODY 1. - TEORETICKÉ OTÁZKY

ELEKTRICKÉ OBVODY 1. - TEORETICKÉ OTÁZKY ELEKTRICKÉ OBVODY 1. - TEORETICKÉ OTÁZKY 1. Definujte elektrický proud procházející průřezem vodiče a uveďte jeho jednotku. 2. Definujte elektrické napětí mezi dvěma body v elektrickém poli a uveďte jeho

Více

1. Stanovte a graficky znázorněte charakteristiky vakuové diody (EZ 81) a Zenerovy diody (KZ 703).

1. Stanovte a graficky znázorněte charakteristiky vakuové diody (EZ 81) a Zenerovy diody (KZ 703). 1 Pracovní úkoly 1. Stanovte a graficky znázorněte charakteristiky vakuové diody (EZ 81) a Zenerovy diody (KZ 703). 2. Určete dynamický vnitřní odpor Zenerovy diody v propustném směru při proudu 200 ma

Více

Otázky z ELI 1/10. 15. Jaký je vztah mezi napětím a proudem na induktoru (obecně a v případě po určitou dobu konstantního napětí)

Otázky z ELI 1/10. 15. Jaký je vztah mezi napětím a proudem na induktoru (obecně a v případě po určitou dobu konstantního napětí) Otázky z ELI 1. V jakých jednotkách se vyjadřuje napětí Volt 2. V jakých jednotkách se vyjadřuje proud Amper 3. V jakých jednotkách se vyjadřuje odpor Ohm 4. V jakých jednotkách se vyjadřuje kapacita Farad

Více

1.7.4. Skládání kmitů

1.7.4. Skládání kmitů .7.4. Skládání kmitů. Umět vysvětlit pojem superpozice.. Umět rozdělit různé typy skládání kmitů podle směru a frekvence. 3. Umět určit amplitudu a fázi výsledného kmitu. 4. Vysvětlit pojem fázor. 5. Znát

Více

Návrh tlumivky akumulačního vzestupného měniče

Návrh tlumivky akumulačního vzestupného měniče Návrh tlumivky akumulačního vzestupného měniče ing. Josef Jansa Tento příspěvek přináší výsledky měření účinnosti akumulačního vzestupného měniče v závislosti na parametrech použité pracovní tlumivky.

Více

Multipřepínače MU pro hvězdicové rozvody

Multipřepínače MU pro hvězdicové rozvody Multipřepínače MU pro hvězdicové rozvody Multipřepínače ALCAD série 913 jsou určeny k hvězdicovému rozvodu signálu TV+FM (digitálního i analogového) a satelitního signálu z jednoho nebo dvou satelitních

Více

Gymnázium, Havířov - Město, Komenského 2 MATURITNÍ OTÁZKY Z FYZIKY Školní rok: 2012/2013

Gymnázium, Havířov - Město, Komenského 2 MATURITNÍ OTÁZKY Z FYZIKY Školní rok: 2012/2013 1. a) Kinematika hmotného bodu klasifikace pohybů poloha, okamžitá a průměrná rychlost, zrychlení hmotného bodu grafické znázornění dráhy, rychlosti a zrychlení na čase kinematika volného pádu a rovnoměrného

Více

SYNCHRONNÍ MOTOR. Konstrukce

SYNCHRONNÍ MOTOR. Konstrukce SYNCHRONNÍ MOTOR Konstrukce A. stator synchronního motoru má stejnou konstrukci jako stator asynchronního motoru na svazku statorových plechů je uloženo trojfázové vinutí, potřebné k vytvoření točivého

Více

Trojfázová vedení vvn Přenosové soustavy, mezinárodní propojení. Cíl: vztah poměrů na obou koncích, ztráty, účinnost. RLGC Vedení s rovnoměrně

Trojfázová vedení vvn Přenosové soustavy, mezinárodní propojení. Cíl: vztah poměrů na obou koncích, ztráty, účinnost. RLGC Vedení s rovnoměrně Trojázová vedení vvn Přenosové soustavy, mezinárodní propojení. Cí: vztah poměrů na obou koncích, ztráty, účinnost. RLGC Vedení s rovnoměrně rozoženými parametry Homogenní vedení parametry R, L, G, C jsou

Více

PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus

PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus Úloha č.: XI Název: Charakteristiky diody Pracoval: Pavel Brožek stud. skup. 12 dne 9.1.2009 Odevzdal

Více

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě zenerova dioda její hodnoty jsou uvedeny v tabulce:

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě zenerova dioda její hodnoty jsou uvedeny v tabulce: REDL 3.EB 9 1/11 1.ZADÁNÍ a) Změřte voltampérovou charakteristiku zenerovy diody v propustném i závěrném směru. Charakteristiky znázorněte graficky. b) Vypočtěte a graficky znázorněte statický odpor diody

Více

Obrázek a/struktura atomů čistého polovodičeb/polovodič typu N

Obrázek a/struktura atomů čistého polovodičeb/polovodič typu N POLOVODIČE Vlastnosti polovodičů Polovodiče jsou materiály ze 4. skupiny Mendělejevovy tabulky. Nejznámější jsou germanium (Ge) a křemík (Si). Každý atom má 4 vazby, pomocí kterých se váže na sousední

Více

PROTOKOL O LABORATORNÍM CVIČENÍ - AUTOMATIZACE

PROTOKOL O LABORATORNÍM CVIČENÍ - AUTOMATIZACE STŘEDNÍ PRŮMYSLOVÁ ŠKOLA V ČESKÝCH BUDĚJOVICÍCH, DUKELSKÁ 13 PROTOKOL O LABORATORNÍM CVIČENÍ - AUTOMATIZACE Provedl: Tomáš PRŮCHA Datum: 23. 1. 2009 Číslo: Kontroloval: Datum: 4 Pořadové číslo žáka: 24

Více

FYZIKA. Jednou z možností výkladu dějů v elektromagnetickém oscilátoru v podobě

FYZIKA. Jednou z možností výkladu dějů v elektromagnetickém oscilátoru v podobě FYZIKA Experiment v učivu o kmitání elektromagnetického oscilátoru OLDŘICH LEPIL FRANTIŠEK LÁTAL Přírodovědecká fakulta UP, Olomouc Jednou z možností výkladu dějů v elektromagnetickém oscilátoru v podobě

Více

4. Nakreslete hysterezní smyčku feromagnetika a popište ji. Uveďte příklady využití jevu hystereze v praxi.

4. Nakreslete hysterezní smyčku feromagnetika a popište ji. Uveďte příklady využití jevu hystereze v praxi. IZSE/ZKT 1 1.Definujte el. potenciál. Skalární fyzikální veličina, která popisuje potenciální energii jednotkového elektrického náboje v neměnném elektrickém poli. Značka: φ[v],kde W je potenciální energie

Více

POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ. (Bl) (И) ČESKOSLOVENSKA SOCIALISTICKÁ REPUBLIKA ( 1S ) (SI) Int Cl* G 21 G 4/08

POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ. (Bl) (И) ČESKOSLOVENSKA SOCIALISTICKÁ REPUBLIKA ( 1S ) (SI) Int Cl* G 21 G 4/08 ČESKOSLOVENSKA SOCIALISTICKÁ REPUBLIKA ( 1S ) POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ 262470 (И) (Bl) (22) přihláženo 25 04 87 (21) PV 2926-87.V (SI) Int Cl* G 21 G 4/08 ÚFTAD PRO VYNÁLEZY A OBJEVY (40)

Více

2. Jaké jsou druhy napětí? Vyberte libovolný počet možných odpovědí. Správná nemusí být žádná, ale také mohou být správné všechny.

2. Jaké jsou druhy napětí? Vyberte libovolný počet možných odpovědí. Správná nemusí být žádná, ale také mohou být správné všechny. Psaní testu Pokyny k vypracování testu: Za nesprávné odpovědi se poměrově odečítají body. Pro splnění testu je možné využít možnosti neodpovědět maximálně u šesti o tázek. Doba trvání je 90 minut. Způsob

Více

Číselné charakteristiky a jejich výpočet

Číselné charakteristiky a jejich výpočet Katedra ekonometrie, FVL, UO Brno kancelář 69a, tel. 973 442029 email:jiri.neubauer@unob.cz charakteristiky polohy charakteristiky variability charakteristiky koncetrace charakteristiky polohy charakteristiky

Více