4.1 Digitální integrované obvody TTL. Vstupní charakteristika i VST (u VST ) U h. Základní stavební jednotkou je logický člen NAND
|
|
- Silvie Havlíčková
- před 7 lety
- Počet zobrazení:
Transkript
1 . Digitální integrovné obvody TTL Zákldní stvební jednotkou je logický člen NND i vst m Vstupní chrkteristik i VST (u VST ) - 5 V 7 R K R K6 R R +5 V Příkldy technologického řešení: - - u vst vstup je spojen se společným vodičem trnzistor T uzvřen i c = i vst B u u B D D B T R K T D T T i výst SN7LS M7HCT Philips 7HCT vstupní proud i vst = i B = (U C -u BE )/R odpovídjící část vstupní chrkteristiky má přibližně ě přímkový chrkter se směrnicí ě i VST /u VST /R U = 5 V c = i vst zvyšování vstupního npětí m rozhodovcí (prhové) vstupní npětí je, ž,5 V trnzistor T se zčíná otvírt, protože do jeho báze zčíná vtékt proud při i VST = m veškerý proud rezistorem R teče do báze T T T v sturci, u B =(, ž,5) V T přechází do inverzního režimu, při i VST = m bude mezi C E minimální npětí, pro U T 5 mv, α N =,98 bude u CES -,5 mv u U + h ln E ces = T = U T he ln α N V dlší zvyšování vstupního npětí u vst proud T: i VST β i.i B = β i (U C -u BE )/R = 8 μ při dlším zvyšování vstupního npětí se proud téměř nemění, ž při npětí 7 ž 8 V dochází k průrzu přechodu emitor-báze T, při kterém musí být vstupní proud omezen n ž m proto mximální vstupní npětí udává výrobce 5,5 V.
2 Výstupní chrkteristik i VÝST (u VÝST ) i vst i výst u VÝST = pro kldná npětí m V záporná vstupní npětí u vst ž do,7 V lineární tvr chrkteristiky zápornější npětí => otvírá se diod D, resp. DB spolu s otevřeným T určuje tvr chrkteristiky mximální velikost vstupního proudu je omezen z důvodu ztrátového výkonu n ž 5 m 5 m stv n výstupu 5 V stv n výstupu T nsycen, chrkteristik i C (u CE ) určuje průběh výstupní chrkteristiky logického členu mlé výstupní proudy: u VÝST = u CES, V při zvyšování výstupního proudu roste výstupní npětí R VÝST je určen odporem nsyceného trnzistoru T ( ž 5 Ω) i VÝST m přechází T z nsyceného do ktivního režimu => výstupní npětí prudce vzrůstá 5 6 stv pro logickou n výstupu výstupní chrkteristik je určen chrkteristikou trnzistoru T i výst 5 m stv n výstupu u VÝST = pro záporná npětí i výst 5 m při dlším snižování se T dostává do ktivního režimu R dvýst klesá z MΩ n 7 ž 8 Ω stv s n výstupu při velkých výstupních npětích teče výstupem minimální kldný proud, i VÝST μ T je uzvřen V stv n výstupu v oblsti záporných npětí závisí průběh chrkteristiky n vlstnostech substrátové diody mezi kolektorem T společným vodičem V stv n výstupu při u VÝST = (, ž,5 V) i VÝST = m zbytkový proud trnzistoru T se kompenzuje z T v oblsti menších výstupních npětí je T v nsyceném stvu R dvýst 6 Ω zkrtový proud při u VÝST < V se opět upltňuje substrátová diod n výstupu 8
3 Převodní chrkteristik TTL u VÝST (u VST ) = U c= 5 V V Čtyři typické oblsti: ) mlá vstupní npětí (,6 ž,8 V) u VÝSTH =, ž,7 V b) při zvětšování u VST se otvírá T jeho npěťové zesílení R /R -, udává přibližně sklon převodní chrkteristiky v oblsti klesjícího u VÝST 5 V 5 V u vst tvr chrkteristiky: - velikost npájecího npětí - chrkter připojené zátěže - prcovní teplot obvodu šrfování vyznčuje zkázné oblsti, do kterých pro dná vstupní npětí (u VSTL <,8 V u VSTH > V) nesmí výstupní npětí ě u VÝST zsáhnout 5 V 5 V u vst c) při u VST, V se zčíná otevírt i výstupní trnzistor T poněvdž je připojen prlelně k rezistoru R jeho vstupní odpor R VST klesá, zvětšuje se zesílení T úměrně poměru - R /(R R VST ), chrkteristik je velmi strmá d) dlší zvětšování u VST způsobí rychlý pokles výstupního npětí n hodnotu sturčního npětí výstupního trnzistoru T, n výstupu členu je typické npětí u VÝSTL, V 9 rychlá změn u VÝSTL při zpětném snižování vstupního npětí v okolí u VST, V je dynmickým jevem, kdy se trnzistor T otevírá dříve, než stčí přejít trnzistor T ze stvu nsycení do stvu zhrzení, po určitou dobu tedy vedou trnzistory T T součsně výstupním obvodem protéká zkrtový proud, vrcholová hodnot zkrtového proudu doshuje u stndrdní řdy TTL 5/7 TTL ž 5 m, dob trvání tohoto proudového impulsu závisí n velikosti kpcitní zátěže výstupu strmosti hrny budicího vstupního npětí Dynmické prmetry obvodů TTL udává výrobce nepřímo, to pomocí typických čsových zpoždění rekce výstupu logického členu při skokové k změně ě ě logické hodnoty vstupního signálu npř. pro řdu TTL udává výrobce TI dobu zpoždění rekce (zdržení) logického členu při přechodu z úrovně L n úroveň H hodnotou t PLH < ns při přechodu z úrovně H n úroveň L hodnotou t PHL < 5 ns
4 Dlší vrinty obvodů TTL 7S R K8 R 9R R 5R + 5 V vyvinuty s cílem: -buďzmenšit příkon, - nebo zmenšit zpoždění signálu, - nebo v optimálním přípdě zmenšit i příkon i zpoždění. B T R 5R T R 5R T 5 R 5 K5 T 5 T Y tk vznikly v řdě 5/7 vrinty L, LS, LS, H, S, S, z nichž dnes mjí největší upltnění moderní zdokonlené vrinty LS S podsttné omezení rychlosti obvodů TTL vyplývá z čsového zpoždění, které je nutné pro přechod trnzistoru z nsyceného stvu do stvu zhrzení rychlé logické obvody TTL proto používjí ke zvýšení rychlosti Schottkyho trnzistory, což jsou trnzistory, mjící mezi kolektor bázi připojenu Schottkyho desturční diodu, která zbrňuje přechodu trnzistoru do nsycení rychlost členu je zvýšen zmenšením odporu jeho prcovních rezistorů D D B jiná konfigurce výstupního obvodu pro (vlivem T,T 5 v Drlingtonově dvojici se snižuje výstupní dynmická n hodnotu si Ω při výstupním signálu náhrd rezistoru R ktivním obvodem s T 6 R, R (tento obvod urychluje otevírání trnzistoru T, omezuje přesycování báze T ndměrným proudem, je-li T otevřen, zlepšuje teplotní chování obvodu, neboť snižuje závislost dynmických prmetrů n teplotě zlepšuje tvr převodní chrkteristiky) T 6 Vnitřní zpojení obvodu 7LS + 5 V R 7K R 5K R K R 7 5R Výkonnost logických hrdel TTL T T T 6 D T 7 R 5K D T Y B T B R 5 K8 R 6 5K6 T 5 t d průměr čsové zpoždění D B T P d příkon n jeden člen D B f m mximální kmitočet 5 6
5 Digitální integrovné obvody IIL Integrovná injekční logik IIL (Integrted Injection Logic) využívá k proudovému buzení bipolárních spíncích trnzistorů injekci minoritních nosičů proudu do báze pomocí injektoru tvořeného trnzistorem PNP nikoliv klsického buzení ze zdroje npájecího npětí přes sériový rezistor. Tím znčně klesá ztrátový výkon tedy i potřebný příkon obvodu součsně se podsttně zvyšuje počet součástek, které lze n čipu téže plochy integrovt. X I N T INJ T Y Y Y Y X Y YY Y Kolektor injekčního trnzistoru T je spojen s bází vícekolektorového trnzistoru T, báze trnzistoru T je součsně emitorem trnzistoru T. Emitor trnzistoru t T (lterální trnzistor t PNP) slouží jko injektor nosičů náboje. Difuzí se minoritní nosiče dostávjí do kolektorového obvodu tohoto trnzistoru tím i do báze trnzistoru T (vícekolektorový trnzistor NPN). 7 Zákldní logickou funkcí obvodu je inverze logického signálu z jednoho společného vstupu (báze T) n několik výstupů (kolektory T). Poždovné dlší logické funkce se u obvodů IIL vytvářejí vhodným spojováním jejich výstupů podle prvidel Booleovy lgebry. Příkldy spojování elementárních spíncích obvodů IIL pro získání logických funkcí NND NOR. Je zde schemticky nznčeno spojení dvou elementárních členů pro vytvoření klopného obvodu typu RS. B B B.B B. B = + B b c S S S R R R 8 Q Q Ztrátový výkon ( tedy i nutný příkon) je u obvodů IIL velmi mlý. Velikost npájecího proudu určuje dobu zpoždění signálu při průchodu hrdlem. Převodník TTL/IIL Závislost mezi proudem I N výsledným zpožděním je pro normlizovnou hodnotu zpoždění t pd /t pd. Vztžná hodnot zpoždění je přibližně t pd = ž ns. t t pd pd Protože vstupní npětí injektoru je přibližně konstntní, u INJ,85 V (je to úbytek npětí u EB n propustně pólovném přechodu EB trnzistoru T ), bude příkon jednoznčně dán průměrnou hodnotou npájecího proudu IN injektoru. U čipů připdá n jeden z n logických členů průměrný proud I N /n. u VST TTL D R K R K T u VÝST IIL,,,, μ I N 9 5
6 Logické obvody v technologii ECL ECL -v několik typových řdách, které se znčně liší odpory rezistorů, větší odpory - menší potřebný příkon, menší rychlost nopk R 9 R logické operce NOR nebo OR. OR T T ž 8 Ω T 5 R7 u Lmin - 5, V - 5, V u Lmx u Hmin -,5 -, u Hmx -,5 V -,75 V -,5 V -,69 V -,5 V u u u Lmin u Lmx u Hmin u Hmx - 5, V -, -, -,5 u u T T T T u u u R K8 (-,75 V) R K5 u (NOR) U EE = - 5, V R 5 K5 u (OR) 5, V -,75 V b R 6 K U EE = - 5, V ECL (emitter-coupled logic), bipolární trnzistory ktivní oblsti jko řízené přepínče proudu vyšší rychlost, logická funkce OR, mlá výstupní dynmická impednce přibližně ž 8 Ω, výstupní signály nvzájem inverzní, stbilní referenční stejnosměrné npětí = -,75 V npájecí npětí logických obvodů ECL U EE = -5, V D D R 8 K6 NOR -,7 V -,85 V -,75 V -,5 V u Hmx u Hmin -, V -,5 V u Lmx -,8 V u Lmin -,5 V šrfování vyznčuje tolernční oblsti, v nichž se může vyskytnout hodnot výstupního npětí u pro dné povolené hodnoty vstupního npětí u ; jmenovité hodnoty přitom jsou u L = -,58 V u H = -,76 V OR -,5 V u Hmx u Hmx -, V -,5 V u Lmx u Lmin -, V Logické obvody v technologii CMOS typické vlstnosti komplementární technologie CMOS: -původně nvržen pro zřízení s omezenými kpcitmi npájecích zdrojů, - velký rozsh npájecích npětí, - jednoduché npájení, - velmi mlý příkon ve sttickém režimu - velká šumová imunit, která se zvětšujesezvětšujícím se npájecím npětím, - velký logický zisk, - reltivně mlé čsové zdržení při přenosu ze vstupu n výstup (u obvodů HCMOS srovntelné s obvody LS TTL), -velký rozsh prcovních íhteplot, t - ochrn všech vstupů výstupů proti přepětí stndrdní řd obvodů /5. Zákldní invertor v technologii CMOS dv trnzistory prcující v obohcovcí módu činnosti T vodivostní knál typ N T vodivostní knál typ P při u VST = H nebo L je klidový proud velmi mlý (n) diody slouží jko ochrn proti vlivům sttické elektřiny proti přepólování rozsh npájecích npětí ž 8 V (řd /5) 6
7 Převodní chrkteristik CMOS Tvr těchto chrkteristik je podmíněn postupným přechodem trnzistoru T z ktivní oblsti jeho výstupních chrkteristik (vějířovitě se rozbíhjící soustv chrkteristik v okolí počátku souřdnic, vyznčujících se velkou strmostí) přes oblst proudové sturce (téměř přímkové chrkteristiky, prkticky rovnoběžné s osou npětí) do stvu zhrzení (chrkteristik splývjící s osou npětí - trnzistorem teče jen zbytkový proud) souběžně probíhjícím přechodem trnzistoru T ze stvu zhrzení přes oblst sturce do ktivní oblsti. V u O 8 6 U DD = 5 V U DD = V U DD = 5 V u O (u I ) Ob trnzistory prcují s obohcením, při nulovém npětí hrdl G trnzistoru vzhledem k jeho emitoru S je trnzistor uzvřen. K otevření trnzistoru s knálem typu N je třeb přivést n jeho hrdlo kldné npětí U GSN převyšující jeho prhové npětí U PN. Trnzistor s knálem typu P se otevírá záporným npětím hrdl vzhledem k jeho emitoru U GSP, toto npětí musí být zápornější, než prhové npětí trnzistoru U PP. 5 TTL 6 8 V u I Převodní chrkteristik pro různá npájecí npětí 6 m i D 8 V 6 u O U DD U DD -, H 8 6 U C = 5 V C 8,7U DD nedef. U C = V U C = 5 V 6,U DD L V V, V u I U DD Proudový odběr hrdl v závislosti n vstupním npětí Překrytí úrovní vstupních výstupních npětí pro přípustné hodnoty npájecích npětí 7 8 7
8 + U N + U N x y = x x x y = x + x x x b Zpojení hrdel ) NOR b) NND 9 Digitální integrovné obvody řdy 5HC/7HC 5HCT/7HCT konstruovány tk, by mohly přímo nhrdit obvody TTL bez problému s nimi spoluprcovt vyrobeny technologií CMOS npájecí npětí U CC = ž 6 V bez potíží je lze budit obvody CMOS i TTL zručovné výstupní npětí obvodů TTL u OH >, V všk nebude stčit pro vybuzení obvodu CMOS při U CC = 5 V u IH >,5 V, je nutné použít pomocný rezistor s odporem kolem kω připojený mezi vstup +5 V rozložení vývodů v pouzdře je shodné s obvody TTL příkld obvodu 7HCT 5 V u O LS HC u O (u I ) 5 V u I Převodní chrkteristiky LSTTL HCMOS příkon obvodů 7HC je význmný především v dynmickém provozu, ve sttickém režimu je příkon v průměru µw pro elementární hrdlo, změn teploty - vliv n příkon obvodu: při zvýšení teploty z 5 C n 85 C se npájecí proud při U CC = 6 V zvětší z µ n µ (příkon se zvětší z µw n µw) dlší zvýšení n mximální přípustnou teplotu 5 C se projeví npájecím proudem µ odpovídjícím ztrátovým výkonem µw 8
9 Digitální integrovné obvody FCT řdy 7C 7HC, m -, i I u I (i I ), 6 V u I npájecí npětí U CC = ž 6 V 7C předstvují skupinu rychlých obvodů CMOS se vstupními úrovněmi CMOS posílenými výstupy CMOS (ž ± m) 7CT přestvují skupinu rychlých obvodů CMOS, le jsou uprveny tk, by při U CC = 5 V mohly přímo prcovt s obvody TTL 5. ZÁSDY NVRHOVÁNÍ DIGITÁLNÍCH OBVODŮ SYSTÉMŮ prktické zkušenosti, pochopením fyzikální podstty jevů v jednotlivých stvebních prvcích jejich vzájemných interkcí ukáží, které obvykle doporučovné plikční zásdy je nutné v dné situci dodržet které lze obejít, popř. které vlstnosti obvykle uváděné jko nevýhodné je možné s výhodou využít k dosžení potřebného efektu. Jde především o plikční zásdy pro následující přípdy: -, vstupní proud v rozmezí vstupních npětí ž U CC typicky μ, mimo toto rozmezí vzrůstá vlivem ochrnných diod obvody FCT mjí doby zpoždění stejné jko obvody LS TTL. hzrdy. připojování vstupů digitálních obvodů,. připojování výstupů digitálních obvodů,. spoje přenos signálů, 5. obecné plikční zásdy, Hzrdy v kombinčních logických obvodech Zákldní pojmy Vznik hzrdu -v důsledku čsového zpoždění při průchodu signálu logickými členy vzniknou n výstupu obvodu při změnách vstupních signálů přechodné jevy ve tvru impulsů (przitní impulsy, glitch). Vznik przitního impulsu při sttickém hzrdu Očekávný výstupní signál má mít stálou úroveň, le při změně sledovné vstupní veličiny může vlivem čsových zpoždění v obvodu n výstupu vzniknout przitní impuls opčné úrovně. Hodnot čsového zpoždění (zdržení) v logických členech závisí n teplotě, npájecím npětí pod. jistý prvek náhodnosti v tom, zd ke vzniku uvedených impulsů, podmíněnému kombincí vhodných hodnot zpoždění, skutečně dojde nebo ne. Podle toho, zd se mění vstupní veličiny vzniká: sttický hzrd, dynmický hzrd. Hzrdní stvy negtivně působí i v sekvenčních obvodech: mohou způsobit, že n ně zregují jen některé (rychlejší) obvody, jiné (pomlejší) n ně zregovt nemusí systém se tk může dostt do nepředvídtelných stvů. 5 KLO - τ τ KLO KLO - τ τ τ 6 9
10 Vznik przitního impulsu při dynmickém hzrdu Při změně vstupní veličiny očekáváme změnu veličiny výstupní. Je-li v obvodu dynmický hzrd, může se odezv výstupní veličiny skládt z většího lichého počtu změn, tj. kočekávné změně se přidá ještě jeden (nebo i více) przitních impulsů. KLO - τ KLO - τ KLO KLO - τ Kombinční obvody s dvoustupňovou strukturou NND-NND NOR-NOR ' ' ( ) ( b ) y y ' y ' y 7 Pro NND vzniká při hzrdu przitní impuls úrovně L při klidové úrovni H, u zpojení se členy NOR je tomu nopk. 8 b Vyšetřování hzrdů Zkreslíme-li vyšetřovnou funkci do Krnughovy mpy, můžeme v ní hzrdy lehce poznt. Obecně mohou vznikt przitní impulsy u těch přechodů, kde se v mpě dotýkjí dvě sousední smyčky, přičemž tento dotyk není překryt dlší smyčkou tyto hzrdy se odstrní doplněním smyček, které tyto dotyky překrývjí. I I I C D F E I I I I I 8 9 B I I I I c d Doplnění mpy o konsensus b.c zvede do mpy smyčku, která tento přechod překrývá. Tento doplňkový součin neobshuje proměnnou ě, tkže svou jedničkovou hodnotu drží i při změně této proměnné. Příkld: ' logická funkce: y = b + c + d y = b + c + d + b c b c d y Przitní impuls zde vzniká při změně proměnné, je-li hodnot y = způsobován buď jedničkovou hodnotou součinu.b nebo c, ne všk hodnotou proměnné d. 9 Zcel podobnou úvhou bychom mohli rozebrt příčiny způsob odstrnění hzrdů v zpojeních s obvody NOR.
11 Potlčení hzrdů způsobem uvedeným v příkldu z cenu poněkud větší složitosti zpojení, podmínkou je použití dvoustupňového zpojení NND-NND nebo NOR-NOR složeného ze zákldních kombinčních logických obvodů, výstupní signály využíváme ž po uplynutí určité doby po změně vstupních proměnných, kdy již dojde k jejich ustálení, tkové vzorkování je typické pro synchronní sekvenční systémy, hzrdy můžeme připustit, pokud jsme si jisti, že nemohou způsobit nepříjemnosti, v nejvyšší nouzi je možno použít filtru RC s chrkterem integrčního článku; toto řešení všk neptří k těm, která lze obecně doporučit, může být příčinou jiných problémů souvisejících s prodloužením hrn tkto uprvených signálů.
DRUHY DIGITÁLNÍCH INTEGROVANÝCH OBVODŮ
DRUHY DIGITÁLNÍCH INTEGROVANÝCH OBVODŮ Základním stavebním blokem digitálních systému je logický člen (hradlo). U daného typu logického členu je jeho logická funkce jednoznačně dána, ale jeho jednotlivé
Více2002 Katedra obecné elektrotechniky FEI VŠB-TU Ostrava Ing.Stanislav Kocman
STEJNOSĚRNÉ STROJE 1. Princip činnosti stejnosměrného stroje 2. Rekce kotvy komutce stejnosměrných strojů 3. Rozdělení stejnosměrných strojů 4. Stejnosměrné generátory 5. Stejnosměrné motory 2002 Ktedr
VíceII. Nakreslete zapojení a popište funkci a význam součástí následujícího obvodu: Integrátor s OZ
Datum: 1 v jakém zapojení pracuje tranzistor proč jsou v obvodu a jak se projeví v jeho činnosti kondenzátory zakreslené v obrázku jakou hodnotu má odhadem parametr g m v uvedeném pracovním bodu jakou
Víceteorie elektronických obvodů Jiří Petržela zpětná vazba, stabilita a oscilace
Jiří Petržel zpětná vzb, stbilit oscilce zpětná vzb, stbilit oscilce zpětnou vzbou (ZV) přivádíme záměrněčást výstupního signálu zpět n vstup ZV zásdně ovlivňuje prkticky všechny vlstnosti dného zpojení
VícePJS Přednáška číslo 4
PJS Přednášk číslo 4 esymetrie v S Řešení nesymetrií je problemtické zejmén u lternátorů, protože díky nesymetriím produkují kompletní spektrum vyšších hrmonických veličiny v souřdném systému d, q,, které
VíceSTEJNOSMĚRNÉ STROJE. Určeno pro posluchače bakalářských studijních programů. 1. Úvod
1. Úvod Stejnosměrné stroje jsou historicky nejstršími elektrickými stroji nejprve se používly jko generátory pro výrobu stejnosměrného proudu. V řdě technických plikcí byly tyto V součsné době se stejnosměrné
VíceUrčeno pro posluchače bakalářských studijních programů FS
STEJNOSĚRNÉ STROJE Určeno pro posluchče bklářských studijních progrmů FS 1. Úvod 2. Konstrukční uspořádání 3. Princip činnosti stejnosměrného stroje 4. Rozdělení stejnosměrných strojů 5. Provozní vlstnosti
VíceNávrh základních kombinačních obvodů: dekodér, enkodér, multiplexor, demultiplexor
Předmět Ústv Úloh č. 2 BDIO - Digitální obvody Ústv mikroelektroniky Návrh zákldních kombinčních obvodů: dekodér, enkodér, multiplexor, demultiplexor Student Cíle Porozumění logickým obvodům typu dekodér,
VíceS t e j n o s měrné stroje Ing. Vítězslav Stýskala, Ph.D., únor 2006
8. ELEKTRICKÉ STROJE TOČIVÉ rčeno pro posluchče bklářských studijních progrmů FS S t e j n o s měrné stroje Ing. Vítězslv Stýskl, Ph.D., únor 6 Řešené příkldy Příkld 8. Mechnické chrkteristiky Stejnosměrný
VíceSTEJNOSMĚRNÉ STROJE (MOTORY) Princip činnosti motoru, konstrukční uspořádání, základní vlastnosti
STEJNOSĚRNÉ STROJE (OTORY) Princip činnosti motoru, konstrukční uspořádání, zákldní vlstnosti Obr. 1. Směr siločr budicího (sttorového) obvodu stejnosměrného stroje Obr. 2. Směr proudu kotevního (rotorového)
VíceTranzistory. tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor. Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET
Tranzistory tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET Shockey, Brattain a Bardeen 16.12. 1947 Shockey 1952 Bipolární tranzistor
Více1.1 Pokyny pro měření
Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1 Bipolární tranzistor jako zesilovač Úkol: Proměřte amplitudové kmitočtové charakteristiky bipolárního tranzistoru 1. v zapojení se společným emitorem (SE)
VíceKOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY
KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY Použité zdroje: http://cs.wikipedia.org/wiki/logická_funkce http://www.ibiblio.org http://martin.feld.cvut.cz/~kuenzel/x13ups/log.jpg http://www.mikroelektro.utb.cz http://www.elearn.vsb.cz/archivcd/fs/zaut/skripta_text.pdf
Více2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω.
A5M34ELE - testy 1. Vypočtěte velikost odporu rezistoru R 1 z obrázku. U 1 =15 V, U 2 =8 V, U 3 =10 V, R 2 =200Ω a R 3 =1kΩ. 2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty
VíceG9SB. Tenká bezpečnostní reléová jednotka. Bezpečnostní reléová jednotka. Informace pro objednání. Struktura číselného značení modelů
Bezpečnostní reléová jednotk Tenká bezpečnostní reléová jednotk Modely o šířce 17,5 mm k dispozici se 2 nebo 3 bezpečnostními kontkty. Modely o šířce 22,5 mm se 3 bezpečnostními kontkty pomocným kontktem
VíceZesilovače. Ing. M. Bešta
ZESILOVAČ Zesilovač je elektrický čtyřpól, na jehož vstupní svorky přivádíme signál, který chceme zesílit. Je to tedy elektronické zařízení, které zesiluje elektrický signál. Zesilovač mění amplitudu zesilovaného
VíceFEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4
Využití vlastností polovodičových přechodů Oblast prostorového náboje elektrické pole na přechodu Propustný směr difůze majoritních nosičů Závěrný směr extrakce minoritních nosičů Rekombinace na přechodu
Více[Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] Na rezistoru je napětí 25 V a teče jím proud 50 ma. Rezistor má hodnotu.
[Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] 04.01.01 Na rezistoru je napětí 5 V a teče jím proud 25 ma. Rezistor má hodnotu. A) 100 ohmů B) 150 ohmů C) 200 ohmů 04.01.02 Na rezistoru
Více6. Setrvačný kmitový člen 2. řádu
6. Setrvčný kmitový člen. řádu Nejprve uvedeme dynmické vlstnosti kmitvého členu neboli setrvčného členu. řádu. Předstviteli těchto členů jsou obvody nebo technická zřízení, která obshují dvě energetické
VíceTechnická kybernetika. Regulační obvod. Obsah
Akdemický rok 6/7 Připrvil: Rdim Frn echnická kybernetik Anlogové číslicové regulátory Stbilit spojitých lineárních systémů Obsh Zákldní přenosy regulčního obvodu. Anlogové regulátory. Číslicové regulátory.
VíceMěření základních vlastností logických IO TTL
Měření základních vlastností logických IO TTL 1. Zadání: A. Kombinační obvody: U jednoho hradla NAND TTL (IO 7400): a) Změřte převodní statickou charakteristiku U výst = f(u vst ) b) Změřte vstupní charakteristiku
VíceFET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů
FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů (elektrony nebo díry) pracují s kanálem jednoho typu vodivosti
VíceElektronika pro informační technologie (IEL)
Elektronika pro informační technologie (IEL) Čtvrté laboratorní cvičení Brno University of Technology, Faculty of Information Technology Božetěchova 1/2, 612 66 Brno - Královo Pole Petr Veigend,iveigend@fit.vutbr.cz
VíceUC485S. PŘEVODNÍK LINKY RS232 na RS485 nebo RS422 S GALVANICKÝM ODDĚLENÍM. Převodník UC485S RS232 RS485 RS422 K1. přepínače +8-12V GND GND TXD RXD DIR
PŘEVODNÍK LINKY RS232 n RS485 neo RS422 S GALVANICKÝM ODDĚLENÍM 15 kv ESD Protected IEC-1000-4-2 Převodník přepínče RS232 RS485 RS422 K1 ' K2 +8-12V GND GND TXD RXD DIR PAPOUCH 1 + gnd Ppouch s.r.o. POPIS
VíceOBVODY TTL a CMOS. Úvod
OBVODY TTL a CMOS Úvod Tato úloha si klade za cíl seznámení se strukturou základních logických obvodů technologie TTL a CMOS, seznámení s jejich funkcí, vlastnostmi, základními charakteristikami a parametry.
VíceZáklady elektrotechniky
Základy elektrotechniky Přednáška Tranzistory 1 BIPOLÁRNÍ TRANZISTOR - třívrstvá struktura NPN se třemi vývody (elektrodami): e - emitor k - kolektor b - báze Struktura, náhradní schéma a schematická značka
VíceLaboratorní práce č. 6 Úloha č. 5. Měření odporu, indukčnosti a vzájemné indukčnosti můstkovými metodami:
Truhlář Michl 3 005 Lbortorní práce č 6 Úloh č 5 p 99,8kP Měření odporu, indukčnosti vzájemné indukčnosti můstkovými metodmi: Úkol: Whetstoneovým mostem změřte hodnoty odporů dvou rezistorů, jejich sériového
VíceODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY
Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: MEII - 5.4.1 KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY Obor: Mechanik elektronik Ročník: 2. Zpracoval(a): Jiří Kolář Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2010 Projekt je
VícePŘEDNÁŠKA 1 - OBSAH. Přednáška 1 - Obsah
PŘEDNÁŠKA 1 - OBSAH Přednáška 1 - Obsah i 1 Analogová integrovaná technika (AIT) 1 1.1 Základní tranzistorová rovnice... 1 1.1.1 Transkonduktance... 2 1.1.2 Výstupní dynamická impedance tranzistoru...
VíceVelmi zjednodušený úvod
Velmi zjednodušený úvod Výroková logika: A, B, C - výroky. Booleova algebra Výroky nabývají hodnot Pravdivý a Nepravdivý. C = A B A B Booleova algebra: a, b, c - logické (Booleovské) proměnné. Logické
VíceDioda jako usměrňovač
Dioda A K K A Dioda je polovodičová součástka s jedním P-N přechodem. Její vývody se nazývají anoda a katoda. Je-li na anodě kladný pól napětí a na katodě záporný, dioda vede (propustný směr), obráceně
Více10. Nebezpečné dotykové napětí a zásady volby ochran proti němu, ochrana živých částí.
10. Nebezpečné dotykové npětí zásdy volby ochrn proti němu, ochrn živých částí. Z hledisk ochrny před nebezpečným npětím rozeznáváme živé neživé části elektrického zřízení. Živá část je pod npětím i v
Více1.3 Bipolární tranzistor
1.3 Bipolární tranzistor 1.3.1 Úkol: 1. Změřte vstupní charakteristiku bipolárního tranzistoru 2. Změřte převodovou charakteristiku bipolárního tranzistoru 3. Změřte výstupní charakteristiku bipolárního
VíceUkázka práce na nepájivém poli pro 2. ročník SE. Práce č. 1 - Stabilizovaný zdroj ZD + tranzistor
Ukázka práce na nepájivém poli pro 2. ročník SE Práce č. 1 - Stabilizovaný zdroj ZD + tranzistor Seznam součástek: 4 ks diod 100 V/0,8A, tranzistor NPN BC 337, elektrolytický kondenzátor 0,47mF, 2ks elektrolytického
Více9 Axonometrie ÚM FSI VUT v Brně Studijní text. 9 Axonometrie
9 Axonometrie Mongeov projekce má řdu předností: jednoduchost, sndná měřitelnost délek úhlů. Je všk poměrně nenázorná. Podsttnou část technických výkresů proto tvoří kromě půdorysu, nárysu event. bokorysu
VíceZkouškové otázky z A7B31ELI
Zkouškové otázky z A7B31ELI 1 V jakých jednotkách se vyjadřuje napětí - uveďte název a značku jednotky 2 V jakých jednotkách se vyjadřuje proud - uveďte název a značku jednotky 3 V jakých jednotkách se
VíceELN 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY 1/14 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY
ELN 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY 1/14 2. Analogové spínače s tranzistory 2.1 Spínací vlastnosti tranzistorů bipolárních a unipolárních 2.2 Příklady použití spínačů 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY
Více1. Vznik zkratů. Základní pojmy.
. znik zkrtů. ákldní pojmy. E k elektrizční soustv, zkrtový proud. krt: ptří do ktegorie příčných poruch, je prudká hvrijní změn v E, je nejrozšířenější poruchou v E, při zkrtu vznikjí přechodné jevy v
VíceDigitální obvody. Doc. Ing. Lukáš Fujcik, Ph.D.
Digitální obvody Doc. Ing. Lukáš Fujcik, Ph.D. Základní invertor v technologii CMOS dva tranzistory: T1 vodivostní kanál typ N T2 vodivostní kanál typ P při u VST = H nebo L je klidový proud velmi malý
VíceFEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů
Unipolární tranzistory Řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem: FET [Field - Effect Transistor] Proud přenášen jedním typem nosičů náboje (unipolární): - majoritní nosiče v inverzním kanálu - neuplatňuje
VícePříklad 22 : Kapacita a rozložení intenzity elektrického pole v deskovém kondenzátoru s jednoduchým dielektrikem
Příkld 22 : Kpcit rozložení intenzity elektrického pole v deskovém kondenzátoru s jednoduchým dielektrikem Předpokládné znlosti: Elektrické pole mezi dvěm nbitými rovinmi Příkld 2 Kpcit kondenzátoru je
VíceDoc. Ing. Vlastimil Jáneš, CSc., K620
Hrdwre počítčů Doc. Ing. Vlstimil Jáneš, CSc., K620 e-mil: jnes@fd.cvut.cz K508, 5. ptro, lbortoř, 2 2435 9555 Ing. Vít Fáber, K614 e-mil: fber@fd.cvut.cz K508, 5. ptro, lbortoř, 2 2435 9555 Informce mteriály
VíceI N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup
ELEKTONIKA I N V E S T I C E D O O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í 1. Usměrňování a vyhlazování střídavého a. jednocestné usměrnění Do obvodu střídavého proudu sériově připojíme diodu. Prochází jí proud
VíceNalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R = 100 kω, φ = 5mW/cm 2.
Nalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R 00 kω, φ 5mW/cm 2. Fotovoltaický režim: fotodioda pracuje jako zdroj (s paralelně zapojeným odporem-zátěží). Obvod je popsán
VíceZavedení a vlastnosti reálných čísel PŘIROZENÁ, CELÁ A RACIONÁLNÍ ČÍSLA
Zvedení vlstnosti reálných čísel Reálná čísl jsou zákldním kmenem mtemtické nlýzy. Konstrukce reálných čísel sice není náplní mtemtické nlýzy, le množin reálných čísel R je pro mtemtickou nlýzu zákldním
VícePolovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.
Polovodičové prvky V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku
VíceStudium tranzistorového zesilovače
Studium tranzistorového zesilovače Úkol : 1. Sestavte tranzistorový zesilovač. 2. Sestavte frekvenční amplitudovou charakteristiku. 3. Porovnejte naměřená zesílení s hodnotou vypočtenou. Pomůcky : - Generátor
VíceOtázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna
Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Tato otázka přepokládá znalost otázky č. - polovodiče. Doporučuji ujasnit
VíceTel-30 Nabíjení kapacitoru konstantním proudem [V(C1), I(C1)] Start: Transient Tranzientní analýza ukazuje, jaké napětí vytvoří proud 5mA za 4ms na ka
Tel-10 Suma proudů v uzlu (1. Kirchhofův zákon) Posuvným ovladačem ohmické hodnoty rezistoru se mění proud v uzlu, suma platí pro každou hodnotu rezistoru. Tel-20 Suma napětí podél smyčky (2. Kirchhofův
VíceBipolární tranzistory
Bipolární tranzistory h-parametry, základní zapojení, vysokofrekvenční vlastnosti, šumy, tranzistorový zesilovač, tranzistorový spínač Bipolární tranzistory (bipolar transistor) tranzistor trojpól, zapojení
VícePolovodičov. ové prvky. 4.přednáška
Polovodičov ové prvky 4.přednáška Polovodiče Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku (Si). Čisté krystaly křemíku mají za pokojové teploty jen
VíceDěliče napětí a zapojení tranzistoru
Středoškolská technika 010 Setkání a prezentace prací středoškolských studentů na ČVUT Děliče napětí a zapojení tranzistoru David Klobáska Vyšší odborná škola a Střední škola slaboproudé elektrotechniky
VíceRPE3-06. Popis konstrukce a funkce HC /2011. Elektromagneticky ovládané rozváděče. Nahrazuje HC /2009
Elektromgneticky ovládné rozváděče RE3-06 HC 4010 11/2011 D n 06 p mx 350 br Q mx 80 dm 3 min -1 certifikce CSA D n 06 p mx 320 br 80 dm 3 min -1 Nhrzuje HC 4010 12/2009 4/3, 4/2 rozváděče šoupátkové konstrukce
VíceRPE3-06. Popis konstrukce a funkce HC /2011. Elektromagneticky ovládané rozváděče. Nahrazuje HC /2009
Elektromgneticky ovládné rozváděče RE3-06 HC 4010 11/2011 D n 06 p mx 350 br Q mx 80 dm 3 min -1 certifikce CSA D n 06 p mx 320 br 80 dm 3 min -1 Nhrzuje HC 4010 12/2009 4/3, 4/2 rozváděče šoupátkové konstrukce
VíceStrana Strana 22-3 a 4
Strn -2 SPÍNANÉ NABÍJEČE BATERIÍ INSTALAČNÍ PROVEDENÍ Pro olověné terie do 50 Ah Jmenovitý výstupní proud: 2,5 4,5 A / 12 V DC 1,25 2,5 A / 24 V DC Elektronická ochrn pro přípd zkrtu terie, orácení polrity
Více1. Navrhněte a prakticky realizujte pomocí odporových a kapacitních dekáda derivační obvod se zadanou časovou konstantu: τ 2 = 320µs
1 Zadání 1. Navrhněte a prakticky realizujte pomocí odporových a kapacitních dekáda integrační obvod se zadanou časovou konstantu: τ 1 = 62µs derivační obvod se zadanou časovou konstantu: τ 2 = 320µs Možnosti
VíceDERIVACE A INTEGRÁLY VE FYZICE
DOPLŇKOVÉ TEXTY BB0 PAVEL SCHAUER INTERNÍ MATERIÁL FAST VUT V BRNĚ DERIVACE A INTEGRÁLY VE FYZICE Obsh Derivce... Definice derivce... Prciální derivce... Derivce vektorů... Výpočt derivcí... 3 Algebrická
VíceRegulace f v propojených soustavách
Regulce f v propojených soustvách Zopkování principu primární sekundární regulce f v izolovné soustvě si ukážeme obr.,kde je znázorněn S Slovenské Republiky. Modře jsou vyznčeny bloky, které jsou zřzeny
VíceHlavní body - magnetismus
Mgnetismus Hlvní body - mgnetismus Projevy mgt. pole Zdroje mgnetického pole Zákldní veličiny popisující mgt. pole Mgnetické pole proudovodiče - Biotův Svrtův zákon Mgnetické vlstnosti látek Projevy mgnetického
Více+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2
Pro zadané hodnoty napájecího napětí, odporů a zesilovacího činitele β vypočtěte proudy,, a napětí,, (předpokládejte, že tranzistor je křemíkový a jeho pracovní bod je nastaven do aktivního normálního
VíceFotodioda ve fotovodivostním a fotovoltaickém režimu OPTRON
Cvičení 13 Fotodioda ve fotovodivostním a fotovoltaickém režimu OPTRON Přenosová charakteristika optronu Dynamické vlastnosti optronu Elektronické prvky A2B34ELP cv.13/str.2 cv.13/str.3 Fotodioda fotovodivostní
VíceISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, Mělník Ing.František Moravec
ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace Metodický pokyn CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.10 Integrovaná střední škola technická Mělník,
VíceGENEROVÁNÍ VÍCEKANÁLOVÉHO DITHERU
GEEROVÁÍ VÍCEKÁLOVÉHO DITHERU Z. ureš, F. Kdlec ČVUT v Prze, Fkult elektrotechnická, ktedr rdioelektroniky bstrkt Při kvntizci zvukových signálů dochází ke vzniku chybového signálu, který ovlivňuje kvlitu
VíceOchrana před úrazem elektrickým proudem Společná hlediska pro instalaci a zařízení. 1. Definice
ČSN EN 61 140 Ochrn před úrzem elektrickým proudem Společná hledisk pro instlci zřízení Tto mezinárodní norm pltí pro ochrnu osob zvířt před úrzem elektrickým proudem. Je určen pro poskytnutí zákldních
VíceLogické obvody - kombinační Booleova algebra, formy popisu Příklady návrhu
MIKROPROCESORY PRO VÝKONOVÉ SYSTÉMY MIKROPROCESORY PRO VÝKONOVÉ SYSTÉMY Logické ovody - kominční Booleov lger, ormy popisu Příkldy návrhu České vysoké učení technické Fkult elektrotechnická ABMIS Mikroprocesory
VíceObecně: K dané funkci f hledáme funkci ϕ z dané množiny funkcí M, pro kterou v daných bodech x 0 < x 1 <... < x n. (δ ij... Kroneckerovo delta) (4)
KAPITOLA 13: Numerická integrce interpolce [MA1-18:P13.1] 13.1 Interpolce Obecně: K dné funkci f hledáme funkci ϕ z dné množiny funkcí M, pro kterou v dných bodech x 0 < x 1
VíceZÁKLADY KRYSTALOGRAFIE KOVŮ A SLITIN
ZÁKLADY KRYSTALOGRAFIE KOVŮ A SLITIN pevné látky jsou chrkterizovány omezeným pohybem zákldních stvebních částic (tomů, iontů, molekul) kolem rovnovážných poloh PEVNÉ LÁTKY krystlické morfní KRYSTAL pevné
VíceStudium klopných obvodů
Studium klopných obvodů Úkol : 1. Sestavte podle schématu 1 astabilní klopný obvod a ověřte jeho funkce.. Sestavte podle schématu monostabilní klopný obvod a buďte generátorem a sledujte výstupní napětí.
Více2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě nízkofrekvenční nevýkonový tranzistor KC 639. Mezní hodnoty jsou uvedeny v tabulce:
RIEDL 3.EB 10 1/11 1.ZADÁNÍ a) Změřte statické hybridní charakteristiky tranzistoru KC 639 v zapojení se společným emitorem (při měření nesmí dojít k překročení mezních hodnot). 1) Výstupní charakteristiky
VícePřednáška 3 - Obsah. 2 Parazitní body effect u NMOS tranzistoru (CMOS proces) 2
PŘEDNÁŠKA 3 - OBSAH Přednáška 3 - Obsah i 1 Parazitní substrátový PNP tranzistor (PSPNP) 1 1.1 U NPN tranzistoru... 1 1.2 U laterálního PNP tranzistoru... 1 1.3 Příklad: proudové zrcadlo... 2 2 Parazitní
VíceSouhrn základních výpočetních postupů v Excelu probíraných v AVT 04-05 listopad 2004. r r. . b = A
Souhrn zákldních výpočetních postupů v Ecelu probírných v AVT 04-05 listopd 2004. Řešení soustv lineárních rovnic Soustv lineárních rovnic ve tvru r r A. = b tj. npř. pro 3 rovnice o 3 neznámých 2 3 Hodnoty
VícePunčochář, J.: OPERAČNÍ ZESILOVAČE V ANALOGOVÝCH SYSTÉMECH 1
Punčochář, J.: OPERAČNÍ ZESILOVAČE V ANALOGOVÝCH SYSTÉMECH 1 Heater Voltage 6.3-12 V Heater Current 300-150 ma Plate Voltage 250 V Plate Current 1.2 ma g m 1.6 ma/v m u 100 Plate Dissipation (max) 1.1
VíceBJT jako zesilovač malého signálu. BJT jako odporový dvojbran. Linearizace charakteristik pro okolí P 0. zapojení SE!! U CE
ipolární tranzistor JT JT - řízený prodový zdroj JT jako zesilovač maléo signál náradní lineární obvod a jeo parametry vf model JT I okamžité zatěžovací carakteristiky směrnice / I zesilovače s JT směrnice
VíceMĚŘENÍ HRADLA 1. ZADÁNÍ: 2. POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU: 3. TEORETICKÝ ROZBOR. Poslední změna
MĚŘENÍ HRADLA Poslední změna 23.10.2016 1. ZADÁNÍ: a) Vykompenzujte sondy potřebné pro připojení k osciloskopu b) Odpojte vstupy hradla 1 na přípravku a nastavte potřebný vstupní signál (Umax, Umin, offset,
VíceElektronické součástky - laboratorní cvičení 1
Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1 Charakteristiky tyristoru Úkol: 1. Změřte vstupní charakteristiku tyristoru I G = f (U GK ) 2. Změřte spínací charakteristiku U B0 = f (I G ) 1.1 Pokyny pro
VíceObrázek: LHS 21S SYSTEM (viz str ) 7 Profesionální integrace nebo kontrolovaný samostatný provoz
Ohřívče vzduchu LHS Řd ohřívčů vzduchu LHS pokrývá široký rozsh výkonu od 550 W do 40 kw. Díky této rozmnitosti jsou ohřívče vzduchu LHS vhodné prkticky pro všechny horkovzdušné plikce. Různá provedení
VíceZÁKLADY. y 1 + y 2 dx a. kde y je hledanou funkcí proměnné x.
VARIAČNÍ POČET ZÁKLADY V prxi se čsto hledjí křivky nebo plochy, které minimlizují nebo mximlizují jisté hodnoty. Npř. se hledá nejkrtší spojnice dvou bodů n dné ploše, nebo tvr zvěšeného ln (má minimální
VíceM A = M k1 + M k2 = 3M k1 = 2400 Nm. (2)
5.3 Řešené příkldy Příkld 1: U prutu kruhového průřezu o průměrech d d b, který je ztížen kroutícími momenty M k1 M k2 (M k2 = 2M k1 ), viz obr. 1, vypočítejte rekční účinek v uložení prutu, vyšetřete
VíceBipolární tranzistor. Bipolární tranzistor - struktura. Princip práce tranzistoru. Princip práce tranzistoru. Zapojení SC.
ipolární tranzistor Tranzistor (angl. transistor) transfer resistor bipolární na přenosu proudu se podílejí jak elektrony, tak díry je tvořen dvěma přechody na jednom základním monoktystalu Emitorový přechod
VíceZadání semestrálních prácí z předmětu Elektronické obvody. Jednodušší zadání
Zadání semestrálních prácí z předmětu Elektronické obvody Jiří Hospodka katedra Teorie obvodů, ČVUT FEL 26. května 2008 Jednodušší zadání Zadání 1: Jednostupňový sledovač napětí maximální počet bodů 10
Více= 2888,9 cm -1. Relativní atomové hmotnosti. leží stejný přechod pro molekulu H 37 Cl? Výsledek vyjádřete jako
Přijímcí zkoušk n nvzující mgisterské studium - 018 Studijní progrm Fyzik - všechny obory kromě Učitelství fyziky-mtemtiky pro střední školy, Vrint A Příkld 1 Určete periodu periodického pohybu těles,
VíceSTEJNOSMĚRNÉ STROJE (DC machines) B1M15PPE
STEJNOSĚRNÉ STROJE (DC mchines) B115PPE TYPICKÝ DC STROJ TOČIVÝ STROJ ŮŽE PRACOVAT JAKO OTOR I JAKO GENERÁTOR Doc. Ing. Pvel Pivoňk, CSc. 2 HLAVNÍ ČÁSTI DC STROJE PŘÍVODY od zdroje vinutí KOTVY JÁDRO ROTOR
VíceMěření na unipolárním tranzistoru
Měření na unipolárním tranzistoru Teoretický rozbor: Unipolární tranzistor je polovodičová součástka skládající se z polovodičů tpu N a P. Oproti bipolárnímu tranzistoru má jednu základní výhodu. Bipolární
VíceOhýbaný nosník - napětí
Pružnost pevnost BD0 Ohýbný nosník - npětí Teorie Prostý ohb, rovinný ohb Při prostém ohbu je průřez nmáhán ohbovým momentem otáčejícím kolem jedné z hlvních os setrvčnosti průřezu, obvkle os. oment se
Více4. Elektronické logické členy. Elektronické obvody pro logické členy
4. Elektronické logické členy Kombinační a sekvenční logické funkce a logické členy Elektronické obvody pro logické členy Polovodičové paměti 1 Kombinační logické obvody Způsoby zápisu logických funkcí:
Více9 - Zpětná vazba. Michael Šebek Automatické řízení 2015 16-3-15
9 - Zpětná vz Michel Šeek Atomtické řízení 2015 16-3-15 Atomtické řízení - Kernetik rootik Proč řídit? Řídicí sstém msí zjistit stilit chování Klsické poždvk n chování přípstná stálená reglční odchlk při
VíceLF Elektroinstalační kanály plastové pro universální použití
LF Elektroinstlční knály plstové pro universální použití Systém je určen pro ukládání vedení v oblsti občnské výstvby, pro knceláře, skldové výrobní prostory gráže dlších objektech ve kterých je vedle
VíceINTEGRACE KOMPLEXNÍ FUNKCE KŘIVKOVÝ INTEGRÁL
INTEGRAE KOMPLEXNÍ FUNKE KŘIVKOVÝ INTEGRÁL N konci kpitoly o derivci je uveden souvislost existence derivce s potenciálním polem. Existuje dlší chrkterizce potenciálného pole, která nebyl v kpitole o derivci
VícePXR3 PXR4 PXR7 PXR5 PXR9 PXR4
Regulátory řady PXR jsou určené pro typické regulační úlohy. Kromě standardních funkcí jako je dvoupolohová, třípolohová nebo PID regulace nabízí též funkce automatické optimalizace regulačních parametrů,
VíceFyzikální praktikum 3 Operační zesilovač
Ústav fyzikální elekotroniky Přírodovědecká fakulta, Masarykova univerzita, Brno Fyzikální praktikum 3 Úloha 7. Operační zesilovač Úvod Operační zesilovač je elektronický obvod hojně využívaný téměř ve
Více4. kapitola: Dvojbrany - rozdělení, rovnice (modely)
Punčochář, J: EO; 4. kpitol 4. kpitol: Dvojbrny - rozdělení, rovnice (modely) Čs ke studiu: 4 hodiny íl: Po prostudování této kpitoly budete umět používt šipkovou konvenci dvojbrnů umět je klsifikovt.
VíceVýpočet základních analogových obvodů a návrh realizačních schémat
Parametrický stabilizátor napětí s tranzistorem C CE E T D B BE Funkce stabilizátoru je založena na konstantní velikosti napětí. Pokles výstupního napětí způsobí zvětšení BE a tím větší otevření tranzistoru.
VíceII. Faktory ovlivňující rozhodnutí o ukončení pracovní aktivity
II. Fktory ovlivňující rozhodnutí o ukončení prcovní ktivity Hrnice pro odchod do strobního důchodu v ČR má rozhodující vliv n ukončení veškerých prcovních ktivit výrzně se projevuje i v pozdějším ukončení
VíceLogické obvody. Logický obvod. Rozdělení logických obvodů - Kombinační logické obvody. - Sekvenční logické obvody
Logické ovody Cílem této kpitoly je sezn{mit se s logickými ovody, se z{kldním rozdělením logických ovodů, s jejich některými typy. Tké se nučíme nvrhovt logické ovody. Klíčové pojmy: Logický ovod,kominční
Více1 U Zapište hodnotu časové konstanty derivačního obvodu. Vyznačte měřítko na časové ose v uvedeném grafu.
v v 1. V jakých jednotkách se vyjadřuje proud uveďte název a značku jednotky. 2. V jakých jednotkách se vyjadřuje indukčnost uveďte název a značku jednotky. 3. V jakých jednotkách se vyjadřuje kmitočet
VíceLogické funkce a obvody, zobrazení výstupů
Logické funkce a obvody, zobrazení výstupů Digitální obvody (na rozdíl od analogových) využívají jen dvě napěťové úrovně, vyjádřené stavy logické nuly a logické jedničky. Je na nich založeno hodně elektronických
VíceStereochemie. Přednáška č. 3
Stereochemie Přednášk č. 3 Nomenkltur sloučenin obshujících centrum chirlity jednoduchou osu symetrie Typ molekuly prvek symetrie bcd žádný bc σ bb 2 + σ b 3 +3σ 4 3 + 3 2 + 6σ Molekuly typu bb b b b b
VíceSchmittův klopný obvod
Schmittův klopný obvod Použité zdroje: Antošová, A., Davídek, V.: Číslicová technika, KOPP, České Budějovice 2007 Malina, V.: Digitální technika, KOOP, České Budějovice 1996 http://pcbheaven.com/wikipages/the_schmitt_trigger
VíceStejnosměrné generátory dynama. 1. Princip činnosti
Stejnosměrné generátory dynama 1. Princip činnosti stator dynama vytváří budící magnetické pole v tomto poli se otáčí vinutí rotoru s jedním závitem v závitech rotoru se indukuje napětí změnou velikosti
Více