Kapitola 3 UNIPOLÁRNÍ TRNZISTORY 3.1 Obecný popis Unipolární tranzistory s pøechodovým hradlem (JFET) MOSFET MOSFET zvláštní k

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Rozměr: px
Začít zobrazení ze stránky:

Download "Kapitola 3 UNIPOLÁRNÍ TRNZISTORY 3.1 Obecný popis Unipolární tranzistory s pøechodovým hradlem (JFET) MOSFET MOSFET zvláštní k"

Transkript

1 Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího (aby ètenáø vidìl, jakým zpùsobem je titul zpracován a mohl se také podle tohoto, jako jednoho z parametrù, rozhodnout, zda titul koupí èi ne). Z toho vyplývá, že není dovoleno tuto ukázku jakýmkoliv zpùsobem dále šíøit, veøejnì èi neveøejnì napø. umis ováním na datová média, na jiné internetové stránky (ani prostøednictvím odkazù) apod. redakce nakladatelství BEN technická literatura

2 Kapitola 3 UNIPOLÁRNÍ TRNZISTORY 3.1 Obecný popis Unipolární tranzistory s pøechodovým hradlem (JFET) MOSFET MOSFET zvláštní konstrukce Nastavení pracovního bodu Základní zapojení FET Pøíklady použití 232

3 3 UNIPOLÁRNÍ TRNZISTORY 3.1 Obecný popis Unipolární tranzistory se obvykle oznaèují zkratkou FET (Field-Effect-Transistor). Proud je u nich øízen elektrickým polem, které je kolmé ke smìru protékajícího proudu. Tato možnost byla sice objevena již v roce 1928, k praktickému využití došlo až po vývoji vhodných materiálù. Na obr. 3.1 je základní princip èinnosti FET. Obr. 3.1 Základní princip èinnosti FET Zatímco u bipolárních tranzistorù protéká hlavní proud vždy pøes rozhraní mezi polovodièovými materiály s dotací n a s dotací p, v unipolárním tranzistoru putují náboje jen jedním typem materiálu, podle provedení buï n, nebo p. Jestliže dráha proudu probíhá v materiálu s dotací n, mluvíme o typu s kanálem N (N-kanálem). U typu s kanálem P prochází proud naopak materiálem s vodivostí p. Podle toho proud u typu s kanálem P je zprostøedkován pouze dìrami, u typu s kanálem N pouze elektrony. Z toho dùvodu jsou prvky FET oznaèovány jako unipolární tranzistory. Dnes již existují nejrùznìjší druhy unipolárních tranzistorù. Zásadní dìlení však musíme vést mezi dvìma skupinami, a to mezi typy FET s pøechodovým hradlem (hradlem, izolovaným závìrnì polarizovaným pøechodem PN) a MOS-FET (MOS = metal-oxidesemiconductor). FET se závìrnou vrstvou jsou nazývány také jako JFET nebo PN-FET. U MOSFET mùžeme také najít oznaèení IG-FET (IG = insulated gate). Na obr. 3.2 je pøehled rùzných typù unipolárních tranzistorù. FET s pøechodovým hradlem se dìlí na typy s kanálem N a s kanálem P. MOSFET se dìlí na typy, které bez vnìjšího napìtí vedou a které bez vnìjšího napìtí nevedou. Ty se 186 ELEKTRONIK SOUÈÁSTKY ZÁKLDNÍ ZPOJENÍ

4 opìt dìlí na typy s kanálem N a s kanálem P. Kromì toho se vyskytují také typy se zvláštním konstrukèním provedením. Pro oznaèování rùzných typù a provedení FET nebylo vytvoøeno žádné schéma. Také jejich pouzdra se neliší od bipolárních tranzistorù. Obr. 3.2 Pøehled rùzných typù unipolárních tranzistorù. ž na nìkterá zvláštní provedení mají unipolární tranzistory tøi vývody. Oznaèují se jako Source (angl. source = zdroj, zøídlo), Gate (angl. gate = brána, hradlo) a Drain (angl. drain = odtok, výpus ). Elektroda Source (S) odpovídá emitoru, elektroda Gate (G) bázi a elektroda Drain (D) kolektoru bipolárního tranzistoru. V èeských textech bývá zachováno oznaèení hradla (G), elektroda S se oznaèuje jako emitor (E) a elektroda drain jako kolektor (C). Zde bude používáno originální oznaèení. Pro pøehled je užiteèné uvést základní pojmy anglické, èeské a nìmecké terminologie: anglicky èesky nìmecky junction FET FET s pøechodovým hradlem Sperrschicht-FET MOSFET, MOSFET s vodivým kanálem, Selbstleitende MOS-FETs depletion type ochuzovaný typ, Verarmungstyp D-type s technologicky vytvoøeným kanálem MOSFET, MOSFET s nevodivým kanálem, Selbstsperrende MOS-FETs enhancement type obohacovaný typ, nreicherungstyp E-type s indukovaným kanálem 3 UNIPOLÁRNÍ TRNZISTORY 187

5 Obr. 3.3 Schematické znaèky unipolárních tranzistorù Pro jednotlivé typy unipolárních tranzistorù se používají zvláštní schematické znaèky souhrnnì uvedené na obr Charakteristickou vlastností všech unipolárních tranzistorù je velmi vysoký vstupní odpor. U JFET s pøechodovým hradlem je asi 10 9 W, u MOSFET dokonce až W. U unipolárních tranzistorù je øízení proudu provádìno elektrickým polem pøi témìø nulovém výkonu. Z toho vyplývají mnohé výhody pøi jejich používání. Technika MOS se napø. stále více používá v obvodech s vysokou hustotou integrace. Podrobnìjší popis technických vlastností unipolárních tranzistorù uvádìjí výrobci v katalogových listech, stejnì jako u ostatních elektronických souèástí. Katalogové listy obsahují èást s nejdùležitìjšími mezními hodnotami, èást s charakteristickými hodnotami a typické charakteristiky. Protože øídicí výkon je vìtšinou zcela zanedbatelný, je poèet charakteristik menší než u bipolárních tranzistorù. Také u unipolárních tranzistorù existují teplotní závislosti charakteristických hodnot, na nìž je nutné v praktickém používání brát ohled. Dále je tøeba poèítat se ztrátovým výkonem. Ten se mìní na teplo, které musí být odvedeno do okolního vzduchu. Souvislosti a vztahy jsou stejné jako u bipolárních tranzistorù. Kromì standardních provedení tranzistorù s pøechodovým hradlem a MOSFET existují ve skupinì MOSFET zvláštní typy, které jsou výsledkem dalšího vývoje. Jsou to Dual-Gate MOSFET, V-MOSFET a SIPMOS-FET. Dual-Gate MOSFET mají dva øídicí vstupy, které lze použít k navzájem nezávislému øízení dvìma vstupními signály. Tak lze napøíklad postavit zesilovaè, jehož zesílení je možné v širokém rozmezí mìnit. Typy V- MOSFET a SIPMOS-FET byly vyvinuty pro zesilovaèe nebo pro spínání velkého výkonu až 5 kw. Výhodou pøitom je nepatrný øídicí výkon. Také u unipolárních tranzistorù je nutné nastavit a stabilizovat pracovní bod. Protože unipolární tranzistory mají tøi vývody, je možné také je používat ve tøech základních zapojeních. Jsou to zapojení se spoleènou elektrodou source, drain a gate (SS, SD, SG, angl. CS, CD, CG = common source, drain, gate). Název vyjadøuje, která elektroda je spoleèná pro vstupní a výstupní signál. Zapojení se spoleènou elektrodou source odpovídá zapojení se spoleèným emitorem a je nejèastìji používaným zapojením. Zapojení se spoleènou elektrodou drain lze pøirovnat k zapojení se spoleèným 188 ELEKTRONIK SOUÈÁSTKY ZÁKLDNÍ ZPOJENÍ

6 kolektorem a je používáno hlavnì pro transformaci impedance. Zapojení se spoleènou elektrodou gate vykazuje obdobné vlastnosti jako zapojení se spoleènou bází. Jeho použití se omezuje na speciální pøípady. Unipolární tranzistory se jako diskrétní souèásti používají pøedevším ve stejnosmìrných zesilovaèích, ve zdrojích konstantního proudu a ve støídavých zesilovaèích. Použití ve støídavých zesilovaèích se pøitom omezuje pøedevším na pøedzesilovaèe v nízkofrekvenèní a vysokofrekvenèním pásmu, také jako první stupnì vícestupòových zesilovaèù. Použití unipolárních tranzistorù je výhodné v analogových integrovaných obvodech, nejvýznamnìjší oblastí použití je však digitální technika. 3.2 Unipolární tranzistory s pøechodovým hradlem (JFET) Provedení a funkce Èinnost unipolárního tranzistoru s pøechodovým hradlem lze vysvìtlit podle obr Je vytvoøen z tyèky polovodièového materiálu s vodivostí n nebo p. Na jejích koncích jsou umístìny kontaktní plošky, které ve styku s polovodièem netvoøí závìrnou vrstvu. Na obr. 3.4 je øez tranzistorem typu JFET s kanálem N. Obr. 3.4 Øez tranzistorem typu JFET s kanálem N Jako výchozí materiál unipolárního tranzistoru s kanálem N je použit køemík s vodivostí n. Na delších stranách tyèky jsou oblasti s vodivostí p, vytvoøené dodateèným legováním, které jsou navzájem vodivì spojeny. Tím vzniknou proti sobì dva pøechody PN. Pøívod k obou oblastem p je zde oznaèen jako Gate (G). Tyto pøechody jsou dùvodem k oznaèení tìchto unipolárních tranzistorù jako PN-FET nebo JFET (Junction FET). Jestliže se nyní na vývody D a S pøiloží napìtí U DS, bude oblastí køemíkové tyèky s vodivostí n protékat proud elektronù I D. Pøi polaritì napìtí, uvedené na obr. 3.4, putují 3 UNIPOLÁRNÍ TRNZISTORY 189

7 elektrony od pøívodu source (S) k pøívodu drain (D) oblastí køemíku s vodivostí n, oznaèenou zde jako kanál N. Pøiložením záporného napìtí -U GS mezi gate a source pole obr. 3.4 se oba pøechody PN dostávají do závìrného stavu. V køemíku s vodivostí n a s vodivostí p se pøitom vytvoøí závìrné vrstvy, takže pøes tyto pøechody PN, které jsou pólovány v závìrném smìru, nemùže protékat proud. Závìrné vrstvy se však rozšíøí smìrem do kanálu a tím se sníží prùøez, kterým mùže protékat proud. Prùbìh takto vytvoøených závìrných oblastí je ovlivnìn úbytkem napìtí ve smìru proudových èar uvnitø kanálu. V blízkosti elektrody source je dráha proudu nejširší, ve smìru k elektrodì drain se zužuje. Èím vìtší je záporné napìtí -U GS mezi gate a source, tím širší jsou závìrné oblasti v kanálu a v dùsledku toho se zužuje prùøez, kterým mùže v kanálu protékat proud. Velikost odporu R DS, který je v cestì proudu mezi elektrodami source a drain, závisí tedy u JFET s kanálem N na velikosti závìrného napìtí -U GS. Proto je možné záporným napìtím na elektrodì G mìnit v širokých mezích odpor dráhy proudu. Když se napìtí -U GS zvìtší tak, že se závìrné oblasti dotknou, je kanál úplnì zaškrcen a proud je pøerušen. Proud I D klesne k nule. Protože pøechodem PN teèe v závìrném smìru jen velmi malý zbytkový proud, nevyžaduje øízení proudu mezi elektrodami D a S napìtím -U GS prakticky žádný výkon Oznaèení a schematické znaèky Protože se unipolární tranzistory svými vlastnostmi a chováním výraznì liší od bipolárních tranzistorù, Používají se pro nì nejen jiné schematické znaèky, ale také jiné oznaèení elektrod. Na obr. 3.5 je uvedeno srovnání JFET s kanálem N a s kanálem P. Pøívod s oznaèením S dodává (emituje) nosièe náboje, proto je oznaèen jako Source (angl. source = zdroj, zøídlo). Elektroda s oznaèením D tyto nosiè zachycuje a odvádí, proto má název Drain (angl. drain = odtok, výpus ). Pomocí pøívodu G se proud nosièù náboje øídí. Nese tedy oznaèení Gate (angl. gate = brána, hradlo). JFET s kanálem N pracuje s kladným napìtím U DS a se záporným napìtím U GS. Jako nosièe proudu slouží elektrony. U JFET s kanálem P vedou proud díry, proto pracuje se záporným napìtím U DS a s kladným napìtím U GS. Na obr. 3.5 jsou také normalizované schematické znaèky obou typù JFET. Šipka v pøívodu hradla (gate) oznaèuje vždy smìr pøechodu od vrstvy p k vrstvì n. Kromì toho jsou zde také uvedena napìtí U DS a U GS, potøebná pro normální provoz tranzistoru. Také jsou zde uvedeny pøevodní charakteristiky pro oba typy. V obou pøípadech se pøi zvìtšováním hodnoty napìtí U GS a U GS proud I D zmenšuje Charakteristiky Pøevodní charakteristika Øízení prùtoku proudu kanálem je u unipolárních tranzistorù s pøechodovým hradlem provádìno zmìnou závìrného napìtí na pøechodech PN. Z obr. 3.4 je zøejmé, že se vyprázdnìné zóny v kanálu nerozšiøují rovnomìrnì. Ve smìru k elektrodì drain dochází 190 ELEKTRONIK SOUÈÁSTKY ZÁKLDNÍ ZPOJENÍ

8 Obr. 3.5 Øezy strukturou, schematické znaèky a pøevodní charakteristiky pro JFET s kanálem N a P ke klínovitému zúžení, protože se rozdíl napìtí mezi elektrodami G a D postupnì zvyšuje. Když se napìtí mezi gate a source U GS zvýší natolik, že se závìrné oblasti dotknou, je kanál zaškrcen a tím je prakticky zavøen. Napìtí, pøi kterém k tomuto jevu dojde, je oznaèováno jako prahové napìtí U P, anglicky pinch-off-voltage (napìtí pro zaškrcení). Závislost proudu elektrodou drain I D na napìtí gate source U GS mùže být stanovena v zapojení podle obr Pøi vyšetøování vlastností typu s kanálem P postaèí pouze zmìnit polaritu obou napìtí. 3 UNIPOLÁRNÍ TRNZISTORY 191

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

11 Elektrické specifikace Mezní parametry* Okolní teplota pøi zapojeném napájení 40 C až +125 C Skladovací teplota 65 C až +150 C Napájecí napìtí na V

11 Elektrické specifikace Mezní parametry* Okolní teplota pøi zapojeném napájení 40 C až +125 C Skladovací teplota 65 C až +150 C Napájecí napìtí na V Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

VLASTNOSTI PLOŠNÝCH SPOJÙ

VLASTNOSTI PLOŠNÝCH SPOJÙ Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Manfred Frohn Wolfgang Oberthür Hans-Jobst Siedler Manfred Wiemer Peter Zastrow ELEKTRONIK souèástky a základní zapojení Praha 2006 Rozsáhlá uèebnice elektroniky, pokrývající zamìøená na základní polovodièové

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

PODROBNÝ OBSAH 1 PØENOSOVÉ VLASTNOSTI PASIVNÍCH LINEÁRNÍCH KOMPLEXNÍCH JEDNOBRANÙ A DVOJBRANÙ... 9 1.1 Úvod... 10 1.2 Èasové charakteristiky obvodu pøechodné dìje... 10 1.3 Pøechodné charakteristiky obvodù

Více

Měření na unipolárním tranzistoru

Měření na unipolárním tranzistoru Měření na unipolárním tranzistoru Teoretický rozbor: Unipolární tranzistor je polovodičová součástka skládající se z polovodičů tpu N a P. Oproti bipolárnímu tranzistoru má jednu základní výhodu. Bipolární

Více

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická

Více

1.2 Realizace èekání pomocí jednoduché programové smyèky Pøíklad 3: Chceme-li, aby dítì blikalo baterkou v co nejpøesnìjším intervalu, øekneme mu: Roz

1.2 Realizace èekání pomocí jednoduché programové smyèky Pøíklad 3: Chceme-li, aby dítì blikalo baterkou v co nejpøesnìjším intervalu, øekneme mu: Roz Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů (elektrony nebo díry) pracují s kanálem jednoho typu vodivosti

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Izolaèní zesilovaèe s IL300 Zapojení izolaèních zesilovaèù s IL300 se liší pøedevším režimem v nichž pracují interní fotodiody Podle toho zda interní

Izolaèní zesilovaèe s IL300 Zapojení izolaèních zesilovaèù s IL300 se liší pøedevším režimem v nichž pracují interní fotodiody Podle toho zda interní Vážení zákazníci dovolujeme si Vás upozornit že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva tzv copyright To znamená že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího (aby ètenáø

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

CTR pro optoèlen s LED a tranzistorem:,& &75 = [%] U, CE = const ) Obvykle CTR urèíme pøi I F = 10 ma a U CE = 5 V. Hodnoty zjistíme z tabulky.,& &75

CTR pro optoèlen s LED a tranzistorem:,& &75 = [%] U, CE = const ) Obvykle CTR urèíme pøi I F = 10 ma a U CE = 5 V. Hodnoty zjistíme z tabulky.,& &75 Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů

Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů Tranzistor je elektronická aktivní součástka se třemi elektrodami.podstatou jeho funkce je transformace odporu mezi

Více

Oldøich Kováø ELEKTRONIKA sbírka pøíkladù Oldøich Kováø ELEKTRONIKA - sbírka pøíkladù Recenzent èeského vydání: Ing Jiøí Hozman Recenzenti pùvodního slovenského vydání: Prof Ing Milan Kejzlar, CSc Doc

Více

3/ %,1'(& 83'1 &( &3 )XQNFH. + ; ; ; ; / ; ; + ; EH]H]PuQ\

3/ %,1'(& 83'1 &( &3 )XQNFH. + ; ; ; ; / ; ; + ; EH]H]PuQ\ Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Spínaèe jsou elektrické pøístroje, které slouží k zapínání, pøepínání a vypínání elektrických obvodù a spotøebièù. Podle funkce, kterou vykonávají, je

Spínaèe jsou elektrické pøístroje, které slouží k zapínání, pøepínání a vypínání elektrických obvodù a spotøebièù. Podle funkce, kterou vykonávají, je Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Jaroslav Doleèek MODERNÍ UÈEBNICE ELEKTRONIKY 2. díl Polovodièové prvky a elektronky dioda bipolární tranzistor unipolární tranzistor tyristor triak diak trioda vícemøížkové elektronky obrazovka Hallova

Více

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Unipolárn rní tranzistory Přednáška č. 5 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Unipolárn rní tranzistory 1 Princip činnosti

Více

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Polovodičové prvky V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku

Více

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

9. Harmonické proudy pulzních usměrňovačů

9. Harmonické proudy pulzních usměrňovačů Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

1 VA-charakteristiky tranzistorů JFET a MOSFET. Úloha č. 7

1 VA-charakteristiky tranzistorů JFET a MOSFET. Úloha č. 7 1 A-charakteristik tranzistorů JFET a MOSFET Úloha č. 7 Úkol: 1. Změřte A charakteristik unipolárního tranzistoru (JFET - BF245) v zapojení se společnou elektrodou S 2. JFET v zapojení se společnou elektrodou

Více

:5$ =islv GDW V DOWHUQDFt QHMY\ããtKRELWX

:5$ =islv GDW V DOWHUQDFt QHMY\ããtKRELWX Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.05 Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566,

Více

12 15 Instalace mikroturbíny v blokové plynové výtopnì " ZADÁNO: Instalace mikroturbíny v blokové plynové výtopnì Zjistìte: 1 Zda je ekonomicky výhodn

12 15 Instalace mikroturbíny v blokové plynové výtopnì  ZADÁNO: Instalace mikroturbíny v blokové plynové výtopnì Zjistìte: 1 Zda je ekonomicky výhodn Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

nažhavováním elektronek, takže nedochází k neúmìrnému pøetìžování filtraèních kondenzátorù pøi nábìhu anodového proudu. Polovodièový usmìròovaè vytvoø

nažhavováním elektronek, takže nedochází k neúmìrnému pøetìžování filtraèních kondenzátorù pøi nábìhu anodového proudu. Polovodièový usmìròovaè vytvoø Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna

Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Tato otázka přepokládá znalost otázky č. - polovodiče. Doporučuji ujasnit

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Alexandr Krejèiøík DC/DC MÌNIÈE Praha 2001 Alexandr Krejèiøík DC/DC MÌNIÈE Bez pøedchozího písemného svolení nakladatelství nesmí být kterákoli èást kopírována nebo rozmnožována jakoukoli formou (tisk,

Více

Unipolární tranzistory

Unipolární tranzistory Unipolární tranzistory MOSFET, JFET, MeSFET, NMOS, PMOS, CMOS Unipolární tranzistory aktivní součástka řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem většinové nosiče menšinové nosiče parazitní charakter

Více

Alexandr Krejèiøík LINEÁRNÍ NAPÁJECÍ ZDROJE Praha 2001 Alexandr Krejèiøík LINEÁRNÍ NAPÁJECÍ ZDROJE Bez pøedchozího písemného svolení nakladatelství nesmí být kterákoli èást kopírována nebo rozmnožována

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

TRANZISTORY TRANZISTORY. Bipolární tranzistory. Ing. M. Bešta

TRANZISTORY TRANZISTORY. Bipolární tranzistory. Ing. M. Bešta TRANZISTORY Tranzistor je aktivní, nelineární polovodičová součástka schopná zesilovat napětí, nebo proud. Tranzistor je asi nejdůležitější polovodičová součástka její schopnost zesilovat znamená, že malé

Více

Projekt Pospolu. Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky. Pro obor M/01 Informační technologie

Projekt Pospolu. Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky. Pro obor M/01 Informační technologie Projekt Pospolu Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky Pro obor 18-22-M/01 Informační technologie Autorem materiálu a všech jeho částí je Ing. Petr Voborník, Ph.D. Bipolární tranzistor Bipolární

Více

Základní druhy tranzistorů řízených elektrickým polem: Technologie výroby: A) 1. : A) 2. : B) 1. :

Základní druhy tranzistorů řízených elektrickým polem: Technologie výroby: A) 1. : A) 2. : B) 1. : ZADÁNÍ: Změřte výstupní a převodní charakteristiky unipolárního tranzistoru KF 520. Z naměřených charakteristik určete v pracovním bodě strmost S, vnitřní odpor R i a zesilovací činitel µ. Určete katalogové

Více

FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů

FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů Unipolární tranzistory Řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem: FET [Field - Effect Transistor] Proud přenášen jedním typem nosičů náboje (unipolární): - majoritní nosiče v inverzním kanálu - neuplatňuje

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

3.1 Útlum atmosférickými plyny Rezonance molekul nekondenzovaných plynù obsažených v atmosféøe zpùsobuje útlum šíøících se elektromagnetických vln. Ab

3.1 Útlum atmosférickými plyny Rezonance molekul nekondenzovaných plynù obsažených v atmosféøe zpùsobuje útlum šíøících se elektromagnetických vln. Ab Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

8. ZÁKLADNÍ ZAPOJENÍ SPÍNANÝCH ZDROJŮ

8. ZÁKLADNÍ ZAPOJENÍ SPÍNANÝCH ZDROJŮ Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

než je cca 5 [cm] od obvodu LT1070, doporučuje se blokovat napětí U IN

než je cca 5 [cm] od obvodu LT1070, doporučuje se blokovat napětí U IN Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

UNIPOLÁRNÍ TRANZISTOR

UNIPOLÁRNÍ TRANZISTOR UNIPOLÁRNÍ TRANZISTOR Unipolární tranzistor neboli polem řízený tranzistor, FET (Field Effect Transistor), se stejně jako tranzistor bipolární používá pro zesilování, spínání signálů a realizaci logických

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Bipolární tranzistory

Bipolární tranzistory Bipolární tranzistory Historie V prosinci 1947 výzkumní pracovníci z Bellových laboratořích v New Jersey zjistili, že polovodičová destička z germania se zlatými hroty zesiluje slabý signál. Vědci byli

Více

SAMOSTATNÁ PRÁCE Z ELEKTRONIKY UNIPOLÁRNÍ TRANZISTORY

SAMOSTATNÁ PRÁCE Z ELEKTRONIKY UNIPOLÁRNÍ TRANZISTORY Střední odborné učiliště technické Frýdek-Místek SAMOSTATNÁ PRÁCE Z ELEKTRONIKY UNIPOLÁRNÍ TRANZISTORY Jméno: Luděk Bordovský Třída: NE1 Datum: Hodnocení: 1.1. Vlastnosti unipolární tranzistorů Jsou založeny

Více

Jaroslav Doleèek MODERNÍ UÈEBNICE ELEKTRONIKY Operaèní zesilovaèe a komparátory 5. díl Praha 2007 Jaroslav Doleèek Moderní uèebnice elektroniky 5. díl Operaèní zesilovaèe a komparátory Bez pøedchozího

Více

Výkonové tranzistory MOSFET Stengl, Jens-Peer: Leistungs-MOS-FET-Praxis / Jens Peer Stegl ; Jenö Tihanyi 2, neu bearb Aufl - München : Pflaum, 1992 ISBN 3-7905-0619-2 NE: Tihanyi, Jenö 1992 by Richard

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Bipolární tranzistory. Produkt: Zavádění cizojazyčné terminologie do výuky odborných předmětů a do laboratorních cvičení

Bipolární tranzistory. Produkt: Zavádění cizojazyčné terminologie do výuky odborných předmětů a do laboratorních cvičení Název projektu: Automatizace výrobních procesů ve strojírenství a řemeslech Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.30/01.0038 Příjemce: SPŠ strojnická a SOŠ profesora Švejcara Plzeň, Klatovská 109 Tento projekt

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Polovodičov. ové prvky. 4.přednáška

Polovodičov. ové prvky. 4.přednáška Polovodičov ové prvky 4.přednáška Polovodiče Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku (Si). Čisté krystaly křemíku mají za pokojové teploty jen

Více

Interakce ve výuce základů elektrotechniky

Interakce ve výuce základů elektrotechniky Střední odborné učiliště, Domažlice, Prokopa Velikého 640, Místo poskytovaného vzdělávaní Stod, Plzeňská 245 CZ.1.07/1.5.00/34.0639 Interakce ve výuce základů elektrotechniky TRANZISTORY Číslo projektu

Více

2 Deset jednoduchých zkušebních a indikaèních zapojení Na následujících stranách je vidìt, že i velmi jednoduchá zapojení se svìtelnými diodami mohou

2 Deset jednoduchých zkušebních a indikaèních zapojení Na následujících stranách je vidìt, že i velmi jednoduchá zapojení se svìtelnými diodami mohou Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Tranzistory. tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor. Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET

Tranzistory. tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor. Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET Tranzistory tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET Shockey, Brattain a Bardeen 16.12. 1947 Shockey 1952 Bipolární tranzistor

Více

ELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky... 7-1 7.2 První a druhý průraz bipolárního

ELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky... 7-1 7.2 První a druhý průraz bipolárního Bohumil BRTNÍK, David MATOUŠEK ELEKTRONICKÉ PRVKY Praha 2011 Tato monografie byla vypracována a publikována s podporou Rozvojového projektu VŠPJ na rok 2011. Bohumil Brtník, David Matoušek Elektronické

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

UnipolÄrnÅ tranzistory JFET. DělenÅ unipolärnåch tranzistorů. (Junction Field Effect Tranzistor)

UnipolÄrnÅ tranzistory JFET. DělenÅ unipolärnåch tranzistorů. (Junction Field Effect Tranzistor) UnipolÄrnÅ tranzistory Na rozdäl od bipolårnäch tranzistorů, u kteréch řäzené proud prochåzä dvěma polovodičovémi přechody a ovlådajä se båzovém proudem (čämž zatěžujä budäcä obvod näzkém vstupnäm odporem),

Více

SOLID STATE RELÉ Alexandr Krejèiøík Praha 2002 Na konci knihy je jako pøíloha doplnìn katalogový pøehled nejpoužívanìjších a nejdostupnìjších optotriakù a Solid State relé, které jsou v Èeské republice

Více

Otázka č.4. Silnoproudé spínací polovodičové součástky tyristor, IGBT, GTO, triak struktury, vlastnosti, aplikace.

Otázka č.4. Silnoproudé spínací polovodičové součástky tyristor, IGBT, GTO, triak struktury, vlastnosti, aplikace. Otázka č.4 Silnoproudé spínací polovodičové součástky tyristor, IGBT, GTO, triak struktury, vlastnosti, aplikace. 1) Tyristor Schematická značka Struktura Tyristor má 3 PN přechody a 4 vrstvy. Jde o spínací

Více

PDWHULiO FS>-NJ ±. FS>NFDONJ ± ƒ& VW teur åhoh]r FtQ KOLQtN N HPtN. OHG DONRKRO ROHM FFD FFD SHWUROHM UWX YRGD Y]GXFK YRGQtSiUD KHOLXP

PDWHULiO FS>-NJ ±. FS>NFDONJ ± ƒ& VW teur åhoh]r FtQ KOLQtN N HPtN. OHG DONRKRO ROHM FFD FFD SHWUROHM UWX YRGD Y]GXFK YRGQtSiUD KHOLXP Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Jan Humlhans ZAJÍMAVÁ ZAPOJENÍ INSPIRACE KONSTRUKTÉRÙM Zapojení s diodami LED, zapojení s optoèleny, rùzná zapojení, rejstøík 4. díl Praha 2005 Jan Humlhans ZAJÍMAVÁ ZAPOJENÍ 4. díl Bez pøedchozího písemného

Více

Inteligentní Polovodičový Analyzér Provozní manuál

Inteligentní Polovodičový Analyzér Provozní manuál Inteligentní Polovodičový Analyzér Provozní manuál Před uvedením přístroje do provozu si velmi pečlivě přečtěte tento provozní manuál. Obsahuje důležité bezpečnostní informace. 3 Obsah.. Strana Úvod...

Více

Punčochář, J.: OPERAČNÍ ZESILOVAČE V ANALOGOVÝCH SYSTÉMECH 1

Punčochář, J.: OPERAČNÍ ZESILOVAČE V ANALOGOVÝCH SYSTÉMECH 1 Punčochář, J.: OPERAČNÍ ZESILOVAČE V ANALOGOVÝCH SYSTÉMECH 1 Heater Voltage 6.3-12 V Heater Current 300-150 ma Plate Voltage 250 V Plate Current 1.2 ma g m 1.6 ma/v m u 100 Plate Dissipation (max) 1.1

Více

/2*,.$ 5(6(7 Ë=(1Ë +$/7 *(1(5È725. +2',129é & 6./ $/8. ' /,ý. ýë7$ý 5(*,675 5(*,675. 326891é. 6e5,29é 5(*,675 * $.808/È725 5:0. %8',ý(/ 45(*,675 5(*

/2*,.$ 5(6(7 Ë=(1Ë +$/7 *(1(5È725. +2',129é & 6./ $/8. ' /,ý. ýë7$ý 5(*,675 5(*,675. 326891é. 6e5,29é 5(*,675 * $.808/È725 5:0. %8',ý(/ 45(*,675 5(* Vážení zákazníci dovolujeme si Vás upozornit že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva tzv. copyright. To znamená že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího (aby

Více

2 Základní zapojení èasovaèe 555 Základní zapojení jsou taková zapojení, na kterých se na jedné stranì vysvìtlují základní principy funkce obvodu nebo

2 Základní zapojení èasovaèe 555 Základní zapojení jsou taková zapojení, na kterých se na jedné stranì vysvìtlují základní principy funkce obvodu nebo Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Vytváøení sí ového diagramu z databáze: pøíklad

Vytváøení sí ového diagramu z databáze: pøíklad Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek

Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Hlavní požadavky na ideální budič Galvanické

Více

1 U Zapište hodnotu časové konstanty derivačního obvodu. Vyznačte měřítko na časové ose v uvedeném grafu.

1 U Zapište hodnotu časové konstanty derivačního obvodu. Vyznačte měřítko na časové ose v uvedeném grafu. v v 1. V jakých jednotkách se vyjadřuje proud uveďte název a značku jednotky. 2. V jakých jednotkách se vyjadřuje indukčnost uveďte název a značku jednotky. 3. V jakých jednotkách se vyjadřuje kmitočet

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, Mělník Ing.František Moravec

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, Mělník Ing.František Moravec ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace Metodický pokyn CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.08 Integrovaná střední škola technická Mělník,

Více

8,1 [9] 8 287 [9] ± ± ± ± ± ± ± ± ±

8,1 [9] 8 287 [9] ± ± ± ± ± ± ± ± ± Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.16 Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566,

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

1.3 Bipolární tranzistor

1.3 Bipolární tranzistor 1.3 Bipolární tranzistor 1.3.1 Úkol: 1. Změřte vstupní charakteristiku bipolárního tranzistoru 2. Změřte převodovou charakteristiku bipolárního tranzistoru 3. Změřte výstupní charakteristiku bipolárního

Více

PŘEDNÁŠKA 1 - OBSAH. Přednáška 1 - Obsah

PŘEDNÁŠKA 1 - OBSAH. Přednáška 1 - Obsah PŘEDNÁŠKA 1 - OBSAH Přednáška 1 - Obsah i 1 Analogová integrovaná technika (AIT) 1 1.1 Základní tranzistorová rovnice... 1 1.1.1 Transkonduktance... 2 1.1.2 Výstupní dynamická impedance tranzistoru...

Více

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: T3.2.1 MĚŘENÍ NA UNIPOLÁRNÍCH TRANZISTORECH A IO Obor: Mechanik elektronik Ročník: 2. Zpracoval(a): Bc. Josef Mahdal Střední průmyslová škola Uherský Brod,

Více

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY VZORY OTÁZEK A PŘÍKLADŮ K TUTORIÁLU 1 1. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Proč je používáme. 2. Co jsou polovodiče vlastní. 3. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Jakým způsobem

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

4x kombinovaný analogový vstup s vysokou pøesností (0..10V, 0..200R, -150..+260 0 C)

4x kombinovaný analogový vstup s vysokou pøesností (0..10V, 0..200R, -150..+260 0 C) EN 4x kombinovaný analogový vstup s vysokou pøesností (0..10V 0..200R -150..+260 0 C) Mìøení napìtí 0..10 V s pøesností ±0.2% a rozlišením až 0.001 V Mìøení odporu 0..200 ohm s pøesností ±0.2% a rozlišením

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. o znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího (aby

Více

Skládaèka Obr 48 G15 VBP Co to dìlá: Naète vybraný obrázek (vybraný pomocí CommonDialog1), vytvoøí MxN komponent PictureBox obsahujících odpovídající

Skládaèka Obr 48 G15 VBP Co to dìlá: Naète vybraný obrázek (vybraný pomocí CommonDialog1), vytvoøí MxN komponent PictureBox obsahujících odpovídající Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Jan Hájek BLIKAÈE S ÈASOVAÈEM 555 Praha 2006, AA Praha a BEN technická literatura Jan Hájek BLIKAÈE S ÈASOVAÈEM 555 Bez pøedchozího písemného svolení nakladatelství nesmí být kterákoli èást kopírována

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

NOtþRYiQt. YêE U ign

NOtþRYiQt. YêE U ign Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě nízkofrekvenční nevýkonový tranzistor KC 639. Mezní hodnoty jsou uvedeny v tabulce:

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě nízkofrekvenční nevýkonový tranzistor KC 639. Mezní hodnoty jsou uvedeny v tabulce: RIEDL 3.EB 10 1/11 1.ZADÁNÍ a) Změřte statické hybridní charakteristiky tranzistoru KC 639 v zapojení se společným emitorem (při měření nesmí dojít k překročení mezních hodnot). 1) Výstupní charakteristiky

Více

Alexandr Krejèiøík SPÍNANÉ NAPÁJECÍ ZDROJE S OBVODY TOPSwitch Praha 2002

Alexandr Krejèiøík SPÍNANÉ NAPÁJECÍ ZDROJE S OBVODY TOPSwitch Praha 2002 Alexandr Krejèiøík SPÍNANÉ NAPÁJECÍ ZDROJE S OBVODY TOPSwitch Praha 2002 Alexandr Krejèiøík Spínané napájecí zdroje s obvody TOPSwitch Bez pøedchozího písemného svolení nakladatelství nesmí být kterákoli

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více