LOGICKÉ OBVODY. Dle vnitřní struktury logické obvody rozdělujeme na:
|
|
- Aneta Procházková
- před 7 lety
- Počet zobrazení:
Transkript
1 OGICKÉ OBVODY Dle vnitřní strktry logické obvody rozděljeme na: a) kombinační - nemají vnitřní zpětné vazby. Všem kombinacím vstpů jso jednoznačně přiřazeny hodnoty výstpů, bez ohled na předcházející stav. b) sekvenční - mají vnitřní zpětné vazby. Stav výstpních proměnných závisí na časové poslopnosti změn vstpních proměnných, tedy i na předcházejícím stav obvod. Dle možnosti změny logické fnkce: a) logické obvody s pevno fnkcí. ogická fnkce je dána schématem zapojení. b) logické obvody programovatelné. ogická fnkce je dána vloženým programem do obvod s pevným zapojením. Toto řešení je flexibilnější k výměně požadované fnkce. Je realizováno 1) počítačem PC, ale má pomalo fnkci 2) mikropočitačem 3) DSP - Digital Signal Procesor jso rychlé ale fnkčně omezené jednoúčelové mikropočítače 4) radlová pole mají velmi rychlo fnkci, což integrované obvody obsahjící logické a analogové obvody, jejichž propojení vstpů a výstpy je programovatelné. Propojení provede vnitřní mikropočítač podle zavedeného program. Po počáteční fázi tzv. inicializace ž obvod pracje s pevno strktro, tedy velmi rychle. Integrované obvody - hradlová pole mají velmivysoko hstot integrace, při svých malých rozměrem moho plnit velmi složité fnkce, např. imitovat mikroprocesor PC. Číslicové logické obvody se dnes téměř výhradně sestávají ze dvostavových prvků. Dvostavové logické proměnné v těchto obvodech zajímají jeden ze dvo předem definovaných stavů, logických hodnot. Stavy standardně označjeme, ), (dříve se žívalo 0, 1).
2 šm. im. šmová imnita VÝSTUP VSTUP ogické proměnné na vstpech a výstpech bloků se v elektronice většino zobrazjící velikostí napětí. Každá z logických hodnot, se přiřazje rčitém napěťovém stav. Je stáleným zvykem požívat positivní logik, která nižším napětí přiřazje stav (low) a vyšším napětí stav (high). Napětí jso kladná. Příklad: Na obr. 6.1 je přířazení hodnot podle normy TT 5V, původně výchozí normy pro ostatní : 5V 5V 2,4V O ZAKÁZANÉ PÁSMO VÝSTUPU 0V O O I I I 2V ZAKÁZANÉ PÁSMO VSTUPU 0,8V 0V ogický zisk n je maximální počet vstpů obvodů stejného typ, které lze na výstp daného obvod připojit, aniž by vlivem zatížení výstpní napětí vyšlo z mezí tolerančních pásem. Obvykle se n pohybje v rozsah 5 až 30 základních TT obvodů, obvodů CMOS až 200. Pro připojování vstpů a výstp na vnější zařízení je třeba respektovat dávané hodnoty vstpních i výstpních prodů. Nejžívanější stavebnice integrovaných logických obvodů: TT - nejstarší, žívá bipolární tranzistory pro hradla i pro negátory. Napájecí napětí +5 V. Nahrazje je nová technologický modifikace obvody STT,. I 2 T strktra bipolárních tranzistorů je vyrobena technologií implantace iontů. Čím menší a přesnější rozměry P a N vrstev, tím lepší elektrické parametry a rychlejší fnkce. NMOS - vyžívá obvody s nipolárními tranzistory s kanálem vodivosti N, které jso rychlejší než s kanálem P ale pomalejší než bipolární tranzistory v TT. Základní stpeň je vytvořen nipolárním tranzistorem s N kanálem ve zapojení se společným emitorem, odporem v kolektor. Velikost odpor v
3 kolektor ovlivňje spotřeb a rychlost. Jeho velká hodnota vede k nízké spotřebě, ale pomalé nabíjení vstpní kapacity dalšího hradla snižje rychlost. Díky velké hstotě integrace jso N-MOS stále nejrozšířenější při realizaci mikroprocesorů. CMOS, atd. požívají kanály obo N i P vodivosti a hlobkového tvarování jejich profilů. Kolektorový rezistor je nahrazen také tranzistorem takže sepntí výstp do stav se děje přes malý odpor. Tím CMOS obvody s vyšší operační rychlostí mají velmi malo spotřeb energie. Stavebnice neso označení CT. GA, PA jso programovatelná hradlová pole složená z několika desítek tisíc hradel, která jso propojena do složitých celků zadáním program. Dosahjí vysoko rychlost při možnosti přizpůsobení strktry zapojení řešené úloze. Konstrování složitých jednoúčelových logických obvodů dnes již nemá význam, řešení se dosáhne požitím mikropočítače a jeho naprogramováním. Elementární integrované logické obvody a obvody z jednotlivých tranzistorů, mají ale stále význam jako doplňky mikropočítačů. Základní obvody žívané v elektronických stavebnicí jso obvody s logicko fnkcí NAND (negace konjnkce, negace disjnkce ) nebo obvody NOR (negace disjnkce, negace logického sočt) a b x a b x y a b hradlo NOR y hradlo NAND
4 ZÁKADNÍ STAVEBNICE OGICKÝC INTEGROVANÝC OBVODŮ INTEGROVANÉ UNIPOÁRNÍ OGICKÉ OBVODY radla a invertory nipolárních logických obvodů jso tvořeny nipolárními tranzistory. Na nipolární logické obvody se přenášejí výhodné vlastnosti nipolárních tranzistorů, vedené v kap. 12: - nízký potřebný vstpní výkon - velká šmová imnita rostocí s napájecím napětím - velký rozsah napájecích napětí 3 až 15 V - jednodché napájení - velký logický zisk možnost vysokého stpně integrace daného mělko MOS strktro Unipolární integrované obvody jso vyráběny v mnoha versích. N MOS, elementární hradlo tvoří nipolarní tranzistor s N kanálem s rezistorem kolektor. Klasických mikroprocesory jso tvořeny NMOS obvody ve většině svých obvodů. Relativní pomalejší fnkce, která může nastat NMOS obvodů nastaveným na malo spotřeb velkým kolektorovým odporem. Vzniká zde dynamické zpoždění nabíjením vstpních kapacit následjícího stpně pře velký kolektorový odpor. Obvody s kolektorovým rezistory velkých hodmot az M jso pomalé ale mají velmi nízko spotřeb, např. procesory do hodinek, kapesních kalklaček. Snížením hodnot kolektorových rezistorů se zvýší rychlost nabíjení kapacit, vzroste však prod odebíraný ve stav z napájecího zdroje. Při zvyšování rychlosti fnkce roste spotřeba prod pro nabíjení kapacit, tím roste ztrátový výkon integrovaného obvod. Je třeba zvýšit jeho chlazení a tam kde to nestačí si lze pomoci snížením napájecího napětí. Napájecí napětí však lze snižovat jen do té hodnoty, kdy začne být poršena návaznost hodnot napětí pro stavy a na vstp a výstp. N MOS, elementární hradlo tvoří nipolarní tranzistor s P kanálem s rezistorem kolektor. Požívají se zřídka v osamoceném provedení, P MOS je díky děrovém typ vodivosti pomalejší. C MOS elementární hradla tvoří nipolarní tranzistor s N kanálem a místo kolektorového odpor je další nipolární tranzistor P MOS Příkladem jso integrované obvody řady označované a s označením 4000C a CT. Základním obvodem vnitřní strktry většiny C MOS obvodů je invertor, vytvořený dvěma nipolárními tranzistory s doplňkovo vodivostí kanálů, znázorněný na obr Vstpy jso navíc chráněny nezakreslenými Zenerovými diodami. Vstpy nipolárních MOS obvodů jso chráněny před průrazem Zenerovými diodami, které jso vytvořeny přímo na čip. Avšak i přes toto opatření je třeba při práci s MOS prvky dbát na to, aby nebyl náhodně přiveden na vývody elektrostatický náboj. Nejnebezpečnější je přeskok náboje rychlým výbojem, který Zenerova dioda nestačí svést. Unipolární obvody včetně mikroprocesorových MOS obvodů je třeba transportovat v antistatických pozdrech. Při vyjímání a pájení do plošného spoje se msí postpovat opatrně. Zejména páječka nesmí probíjet a je dobré těleso páječky spojit vodivě drátem s plošným spojem. Trafopájka je nebezpečná výbojem, který nastává při přehoření pájecí smyčky. Přepěťová ochrana vstpů se nestále zlepšje, takže moderních obvodů nebezpečí průraz při běžném zacházení již nehrozí.
5 Převodní charakteristika C MOS S velikostí napájecího napětí U DD se převodní charakteristika posová. Největší výhodo C MOS obvodů je nízká spotřeba jak celková tak i vstpní, dobrá šmová imnita.
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Struktura logických obvodů Přednáška č. 10 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Struktura logických obvodů 1 Struktura logických
VíceODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY
Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: MEII - 5.4.1 KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY Obor: Mechanik elektronik Ročník: 2. Zpracoval(a): Jiří Kolář Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2010 Projekt je
VíceSpínače s tranzistory řízenými elektrickým polem. Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT
Spínače s tranzistory řízenými elektrickým polem Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT Základní vlastnosti spínačů s tranzistory FET, IGBT resp. IGCT plně řízený spínač nízkovýkonové řízení malý
VícePolovodičov. ové prvky. 4.přednáška
Polovodičov ové prvky 4.přednáška Polovodiče Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku (Si). Čisté krystaly křemíku mají za pokojové teploty jen
VíceZáklady elektrotechniky
Zálady eletrotechniy Přednáša Zesilovače s tranzistory, operační zesilovače Stpeň se společným emitorem (SE) Pracovní bod tranzistor je vázán: jeho charateristiami podle b h (i b, ) i h (i b, ) a rovnicí
VíceMĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů logického obvodu část Teoretický rozbor
MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření část 3-6-1 Teoretický rozbor Výukový materiál Číslo projektu: CZ.1.07/1.5.00/34.0093 Šablona: III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Sada: 1 Číslo materiálu:
VíceMěření na unipolárním tranzistoru
Měření na unipolárním tranzistoru Teoretický rozbor: Unipolární tranzistor je polovodičová součástka skládající se z polovodičů tpu N a P. Oproti bipolárnímu tranzistoru má jednu základní výhodu. Bipolární
VíceMĚŘENÍ HRADLA 1. ZADÁNÍ: 2. POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU: 3. TEORETICKÝ ROZBOR. Poslední změna
MĚŘENÍ HRADLA Poslední změna 23.10.2016 1. ZADÁNÍ: a) Vykompenzujte sondy potřebné pro připojení k osciloskopu b) Odpojte vstupy hradla 1 na přípravku a nastavte potřebný vstupní signál (Umax, Umin, offset,
VícePolovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.
Polovodičové prvky V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku
VíceKOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY
KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY Použité zdroje: http://cs.wikipedia.org/wiki/logická_funkce http://www.ibiblio.org http://martin.feld.cvut.cz/~kuenzel/x13ups/log.jpg http://www.mikroelektro.utb.cz http://www.elearn.vsb.cz/archivcd/fs/zaut/skripta_text.pdf
VíceVY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl
Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická
VícePřednáška 3 - Obsah. 2 Parazitní body effect u NMOS tranzistoru (CMOS proces) 2
PŘEDNÁŠKA 3 - OBSAH Přednáška 3 - Obsah i 1 Parazitní substrátový PNP tranzistor (PSPNP) 1 1.1 U NPN tranzistoru... 1 1.2 U laterálního PNP tranzistoru... 1 1.3 Příklad: proudové zrcadlo... 2 2 Parazitní
VíceFEKT VUT v Brně ESO / P7 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P7 / J.Boušek 2
UML FK VU V RNĚ J.ošek / lektronické sočástky / P6 echnologie výroby bipolárního tranzistor echnologie výroby bipolárního tranzistor slitinová Diskrétní tranzistor Kolektor sbstrát difúzní PAXNÍ MSA ntegrovaný
VíceNa trh byl uveden v roce 1971 firmou Signetics. Uvádí se, že označení 555 je odvozeno od tří rezistorů s hodnotou 5 kω.
Časovač 555 NE555 je integrovaný obvod používaný nejčastěji jako časovač nebo generátor různých pravoúhlých signálů. Na trh byl uveden v roce 1971 firmou Signetics. Uvádí se, že označení 555 je odvozeno
VícePROGRAMOVATELNÉ LOGICKÉ OBVODY
PROGRAMOVATELNÉ LOGICKÉ OBVODY (PROGRAMMABLE LOGIC DEVICE PLD) Programovatelné logické obvody jsou číslicové obvody, jejichž logická funkce může být programována uživatelem. Výhody: snížení počtu integrovaných
VíceZáklady elektrotechniky
Základy elektrotechniky Přednáška Tranzistory 1 BIPOLÁRNÍ TRANZISTOR - třívrstvá struktura NPN se třemi vývody (elektrodami): e - emitor k - kolektor b - báze Struktura, náhradní schéma a schematická značka
VícePŘEDNÁŠKA 1 - OBSAH. Přednáška 1 - Obsah
PŘEDNÁŠKA 1 - OBSAH Přednáška 1 - Obsah i 1 Analogová integrovaná technika (AIT) 1 1.1 Základní tranzistorová rovnice... 1 1.1.1 Transkonduktance... 2 1.1.2 Výstupní dynamická impedance tranzistoru...
VíceOBVODY TTL a CMOS. Úvod
OBVODY TTL a CMOS Úvod Tato úloha si klade za cíl seznámení se strukturou základních logických obvodů technologie TTL a CMOS, seznámení s jejich funkcí, vlastnostmi, základními charakteristikami a parametry.
VíceProjekt Pospolu. Poruchy elektronických zařízení. Autorem materiálu a všech jeho částí, není-li uvedeno jinak, je Ing. Jiří Ulrych.
Projekt Pospolu Poruchy elektronických zařízení Autorem materiálu a všech jeho částí, není-li uvedeno jinak, je Ing. Jiří Ulrych. Používaná terminologie Funkční jednotka je určený celek v rámci celého
VíceHistorie počítačů. 0.generace. (prototypy)
Historie počítačů Historie počítačů se dělí do tzv. generací, kde každá generace je charakteristická svou konfigurací, rychlostí počítače a základním stavebním prvkem. Generace počítačů: Generace Rok Konfigurace
VíceUčební osnova vyučovacího předmětu elektronika Volitelný vyučovací předmět. Pojetí vyučovacího předmětu. 23-41-M/01 Strojírenství
Učební osnova vyučovacího předmětu elektronika Volitelný vyučovací předmět Obor vzdělání: -1-M/01 Strojírenství Délka a forma studia: roky, denní studium Celkový počet týdenních vyuč. hodin: Platnost od:
Více[Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] Na rezistoru je napětí 25 V a teče jím proud 50 ma. Rezistor má hodnotu.
[Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] 04.01.01 Na rezistoru je napětí 5 V a teče jím proud 25 ma. Rezistor má hodnotu. A) 100 ohmů B) 150 ohmů C) 200 ohmů 04.01.02 Na rezistoru
VíceFEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů
Unipolární tranzistory Řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem: FET [Field - Effect Transistor] Proud přenášen jedním typem nosičů náboje (unipolární): - majoritní nosiče v inverzním kanálu - neuplatňuje
VíceMěření základních vlastností logických IO TTL
Měření základních vlastností logických IO TTL 1. Zadání: A. Kombinační obvody: U jednoho hradla NAND TTL (IO 7400): a) Změřte převodní statickou charakteristiku U výst = f(u vst ) b) Změřte vstupní charakteristiku
VíceElektronika pro informační technologie (IEL)
Elektronika pro informační technologie (IEL) Čtvrté laboratorní cvičení Brno University of Technology, Faculty of Information Technology Božetěchova 1/2, 612 66 Brno - Královo Pole Petr Veigend,iveigend@fit.vutbr.cz
VíceI N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup
ELEKTONIKA I N V E S T I C E D O O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í 1. Usměrňování a vyhlazování střídavého a. jednocestné usměrnění Do obvodu střídavého proudu sériově připojíme diodu. Prochází jí proud
VíceStabilizátory napětí a proudu
Stabilizátory napětí a proudu Stabilizátory jsou obvody, které automaticky vyrovnávají napěťové nebo proudové změny na zátěži. Používají se tam, kde požadujeme minimální zvlnění nebo požadujeme-li konstantní
VíceBipolární tranzistory
Bipolární tranzistory Historie V prosinci 1947 výzkumní pracovníci z Bellových laboratořích v New Jersey zjistili, že polovodičová destička z germania se zlatými hroty zesiluje slabý signál. Vědci byli
VíceČíslicové obvody základní pojmy
Číslicové obvody základní pojmy V číslicové technice se pracuje s fyzikálními veličinami, které lze popsat při určité míře zjednodušení dvěma stavy. Logické stavy binární proměnné nabývají dvou stavů:
VíceAbychom se vyhnuli užití diferenčních sumátorů, je vhodné soustavu rovnic(5.77) upravit následujícím způsobem
Abychom se vyhnuli užití diferenčních sumátorů, je vhodné soustavu rovnic(5.77) upravit následujícím způsobem I 1 = 1 + pl 1 (U 1 +( )), = 1 pc 2 ( I 1+( I 3 )), I 3 = pl 3 (U 3 +( )), 1 U 3 = (pc 4 +1/
VíceOVLÁDACÍ OBVODY ELEKTRICKÝCH ZAŘÍZENÍ
OVLÁDACÍ OBVODY ELEKTRICKÝCH ZAŘÍZENÍ Odlišnosti silových a ovládacích obvodů Logické funkce ovládacích obvodů Přístrojová realizace logických funkcí Programátory pro řízení procesů Akční členy ovládacích
VíceStřídače. přednáška výkonová elektronika. Projekt ESF CZ.1.07/2.2.00/ Modernizace didaktických metod a inovace výuky technických předmětů.
přednáška výkonová elektronika Projekt ESF CZ.1.07/2.2.00/28.0050 Modernizace didaktických metod a inovace výky technických předmětů. Střídače Střídače obvody s vstpní strano stejnosměrno a výstpní střídavo
VíceOchrana citlivých součástek a zařízení před škodlivými účinky elektrostatických jevů
Ochrana citlivých součástek a zařízení před škodlivými účinky elektrostatických jevů Základní pojmy: Elektrostatický výboj přenos náboje mezi tělesy o různých elektrostatických potenciálech Součástka citlivá
VíceKlasifikace: bodů výborně bodů velmi dobře bodů dobře 0-49 bodů nevyhověl. Příklad testu je na následující straně.
Elektronika - pravidla Zkouška: Délka trvání testu: 12 minut Doporučené pomůcky: propisovací tužka, obyčejná tužka, čistý papír, guma, pravítko, kalkulačka se zanedbatelně malou pamětí Zakázané pomůcky:
VíceUniverzita Tomáše Bati ve Zlíně
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Unipolárn rní tranzistory Přednáška č. 5 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Unipolárn rní tranzistory 1 Princip činnosti
VíceElektronika pro informační technologie (IEL)
Elektronika pro informační technologie (IEL) Třetí laboratorní cvičení Brno University of Technology, Faculty of Information Technology Božetěchova 1/2, 612 66 Brno - Královo Pole inecasova@fit.vutbr.cz
VíceOperační zesilovač. Úloha A2: Úkoly: Nutné vstupní znalosti: Diagnostika a testování elektronických systémů
Diagnostika a testování elektronických systémů Úloha A2: 1 Operační zesilovač Jméno: Datum: Obsah úlohy: Diagnostika chyb v dvoustupňovém operačním zesilovači Úkoly: 1) Nalezněte poruchy v operačním zesilovači
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
VíceDigitální obvody. Doc. Ing. Lukáš Fujcik, Ph.D.
Digitální obvody Doc. Ing. Lukáš Fujcik, Ph.D. Základní invertor v technologii CMOS dva tranzistory: T1 vodivostní kanál typ N T2 vodivostní kanál typ P při u VST = H nebo L je klidový proud velmi malý
VíceElektronika pro informační technologie (IEL)
Elektronika pro informační technologie (IEL) Páté laboratorní cvičení Brno University of Technology, Faculty of Information Technology Božetěchova 1/2, 612 66 Brno - Královo Pole Petr Veigend, iveigend@fit.vutbr.cz
VíceTechnická kybernetika. Obsah. Klopné obvody: Použití klopných obvodů. Sekvenční funkční diagramy. Programovatelné logické automaty.
Akademický rok 2016/2017 Připravil: adim Farana Technická kybernetika Klopné obvody, sekvenční funkční diagramy, programovatelné logické automaty 2 Obsah Klopné obvody:. D. JK. Použití klopných obvodů.
VíceŘídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek
Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Hlavní požadavky na ideální budič Galvanické
VíceLogické funkce a obvody, zobrazení výstupů
Logické funkce a obvody, zobrazení výstupů Digitální obvody (na rozdíl od analogových) využívají jen dvě napěťové úrovně, vyjádřené stavy logické nuly a logické jedničky. Je na nich založeno hodně elektronických
VíceODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ
Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: ME II-4.2.1. STAVBA JEDNODUCHÉHO ZESILOVAČE Obor: Mechanik - elekronik Ročník: 2. Zpracoval: Ing. Michal Gregárek Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2010
VíceTémata profilové maturitní zkoušky
Obor vzdělání: 26-41-M/01 elektrotechnika Předmět: automatizační technika 1. Senzory 2. S7-1200, základní pojmy 3. S7-1200, bitové instrukce 4. S7-1200, časovače, čítače 5. Vizualizační systémy 6. S7-1200,
VíceFPGA + mikroprocesorové jádro:
Úvod: V tomto dokumentu je stručný popis programovatelných obvodů od firmy ALTERA www.altera.com, které umožňují realizovat číslicové systémy s procesorem v jenom programovatelném integrovaném obvodu (SOPC
Více1. Navrhněte a prakticky realizujte pomocí odporových a kapacitních dekáda derivační obvod se zadanou časovou konstantu: τ 2 = 320µs
1 Zadání 1. Navrhněte a prakticky realizujte pomocí odporových a kapacitních dekáda integrační obvod se zadanou časovou konstantu: τ 1 = 62µs derivační obvod se zadanou časovou konstantu: τ 2 = 320µs Možnosti
VíceLogické řízení. Náplň výuky
Logické řízení Logické řízení Náplň výuky Historie Logické funkce Booleova algebra Vyjádření Booleových funkcí Minimalizace logických funkcí Logické řídicí obvody Blokové schéma Historie Číslicová technika
VíceÚplný systém m logických spojek. 3.přednáška
Úplný sstém m logických spojek 3.přednáška Definice Úplný sstém m logických spojek Řekneme, že množina logických spojek S tvoří úplný sstém logických spojek, jestliže pro každou formuli A eistuje formule
VíceGFK-1913-CZ Prosinec 2001. Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Skladovací teplota -25 C až +85 C.
Modul slouží pro výstup digitálních signálů 24 Vss. Specifikace modulu Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení 48,8 mm x 120 mm x 71,5 mm dvou- a třídrátové Provozní teplota -25 C až +55 C
VíceL A B O R A T O R N Í C V I Č E N Í
Univerzita Pardubice Ústav elektrotechniky a informatiky Pardubice, Studentská 95 L A B O R A T O R N Í C V I Č E N Í Příjmení Šitina Číslo úlohy: 1 Jméno: Petr Datum měření: 30. 3. 2007 Školní rok: 2006
VíceISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec
ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.05 Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566,
VíceETC Embedded Technology Club setkání 6, 3B zahájení třetího ročníku
ETC Embedded Technology Club setkání 6, 3B 13.11. 2018 zahájení třetího ročníku Katedra měření, Katedra telekomunikací,, ČVUT- FEL, Praha doc. Ing. Jan Fischer, CSc. ETC club,6, 3B 13.11.2018, ČVUT- FEL,
VíceFPC-500 Konvenční ústředna EPS
Systémy EPS FPC-500 Konvenční ústředna EPS FPC-500 Konvenční ústředna EPS www.boschsecrity.cz Vysoce moderní optika vhodná pro veřejná prostranství Displej LCD s prostým textem K dispozici pro 2, 4 nebo
VíceGFK-1904-CZ Duben Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Skladovací teplota -25 C až +85 C. Provozní vlhkost. Skladovací vlhkost
Modul slouží pro výstup digitálních signálů 24 Vss. Specifikace modulu Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení 12,2 mm x 120 mm x 71,5 mm dvou- a třídrátové Provozní teplota -25 C až +55 C
Více2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω.
A5M34ELE - testy 1. Vypočtěte velikost odporu rezistoru R 1 z obrázku. U 1 =15 V, U 2 =8 V, U 3 =10 V, R 2 =200Ω a R 3 =1kΩ. 2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty
VíceGFK-2005-CZ Prosinec Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Provozní teplota -25 C až +55 C. Skladovací teplota -25 C až +85 C
Výstup 24 Vss, negativní logika, 0,5 A, 2 body Modul slouží pro výstup digitálních signálů 24 Vss. Specifikace modulu Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení 12,2 mm x 120 mm x 71,5 mm dvou-,
VícePunčochář, J.: OPERAČNÍ ZESILOVAČE V ANALOGOVÝCH SYSTÉMECH 1
Punčochář, J.: OPERAČNÍ ZESILOVAČE V ANALOGOVÝCH SYSTÉMECH 1 Heater Voltage 6.3-12 V Heater Current 300-150 ma Plate Voltage 250 V Plate Current 1.2 ma g m 1.6 ma/v m u 100 Plate Dissipation (max) 1.1
VíceODHALOVÁNÍ PADĚLKŮ SOUČÁSTEK PARAMETRICKÝM MĚŘENÍM
ODHALOVÁNÍ PADĚLKŮ SOUČÁSTEK PARAMETRICKÝM MĚŘENÍM Unites Systems a.s. 8.12.2011 1 recyklace ZDROJE PROBLÉMOVÝCH SOUČÁSTEK degradace parametrů přehřátím při demontáži, ESD problémy apod. vyřazení při testech/
VíceProjekt realizovaný na SPŠ Nové Město nad Metují. s finanční podporou v Operačním programu Vzdělávání pro konkurenceschopnost Královéhradeckého kraje
Projekt realizovaný na SPŠ Nové Město nad Metují s finanční podporou v Operačním programu Vzdělávání pro konkurenceschopnost Královéhradeckého kraje Modul 03 Technické předměty Ing. Otakar Maixner 1 Blokové
VíceLBB 442x/xx Výkonové zesilovače
Konferenční systémy LBB 442x/xx Výkonové zesilovače LBB 442x/xx Výkonové zesilovače www.boschsecrity.cz, 2, 4 nebo 8 adio výstpů (možnost výběr z výstpů 00 / 70 / 50 V) Zpracování zvk a zpoždění pro každý
VíceHlídač světel automobilu
Hlídač světel automobilu Jan Perný 24.07.2006 www.pernik.borec.cz 1 Úvod Protože se u nás stalo povinným celoroční svícení a za nedodržení tohoto nařízení hrozí poměrně vysoké sankce, požádal mě bratr,
VíceZÁKLADY POLOVODIČOVÉ TECHNIKY
ZÁKLDY POLOVODIČOVÉ TECHNIKY Obsah 1. Úvod 2. Polovodičové prvky 2.1. Polovodičové diody 2.2. Tyristory 2.3. Triaky 2.4. Tranzistory Určeno pro bakalářské stdijní programy na FBI 3. Polovodičové měniče
VíceČíselné vyjádření hodnoty. Kolik váží hrouda zlata?
Čísla a logika Číselné vyjádření hodnoty Au Kolik váží hrouda zlata? Dekadické vážení Když přidám osmé závaží g, váha se převáží => závaží zase odeberu a začnu přidávat závaží x menší 7 závaží g 2 závaží
Více1 U Zapište hodnotu časové konstanty derivačního obvodu. Vyznačte měřítko na časové ose v uvedeném grafu.
v v 1. V jakých jednotkách se vyjadřuje proud uveďte název a značku jednotky. 2. V jakých jednotkách se vyjadřuje indukčnost uveďte název a značku jednotky. 3. V jakých jednotkách se vyjadřuje kmitočet
VíceBJT jako zesilovač malého signálu. BJT jako odporový dvojbran. Linearizace charakteristik pro okolí P 0. zapojení SE!! U CE
ipolární tranzistor JT JT - řízený prodový zdroj JT jako zesilovač maléo signál náradní lineární obvod a jeo parametry vf model JT I okamžité zatěžovací carakteristiky směrnice / I zesilovače s JT směrnice
VíceInovace bakalářského studijního oboru Aplikovaná chemie. Reg. č.: CZ.1.07/2.2.00/
Inovace bakalářského studijního oboru Aplikovaná chemie Reg. č.: CZ.1.07/2.2.00/15.0247 APLIKACE POČÍTAČŮ V MĚŘÍCÍCH SYSTÉMECH PRO CHEMIKY s využitím LabView Logické stavy, číselné systémy, typy logických
VíceODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ
Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: T3.2.1 MĚŘENÍ NA UNIPOLÁRNÍCH TRANZISTORECH A IO Obor: Mechanik elektronik Ročník: 2. Zpracoval(a): Bc. Josef Mahdal Střední průmyslová škola Uherský Brod,
VíceGFK-2004-CZ Listopad Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Skladovací teplota -25 C až +85 C.
Modul slouží pro výstup digitálních signálů 24 Vss. Specifikace modulu Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení 48,8 mm x 120 mm x 71,5 mm dvou-, tří- a čtyřdrátové Provozní teplota -25 C až
VíceProgramovatelný časový spínač 1s 68h řízený jednočip. mikroprocesorem v3.0a
Programovatelný časový spínač 1s 68h řízený jednočip. mikroprocesorem v3.0a Tato konstrukce představuje časový spínač řízený mikroprocesorem Atmel, jehož hodinový takt je odvozen od přesného krystalového
VíceZákladní druhy tranzistorů řízených elektrickým polem: Technologie výroby: A) 1. : A) 2. : B) 1. :
ZADÁNÍ: Změřte výstupní a převodní charakteristiky unipolárního tranzistoru KF 520. Z naměřených charakteristik určete v pracovním bodě strmost S, vnitřní odpor R i a zesilovací činitel µ. Určete katalogové
Více4.SCHÉMA ZAPOJENÍ +U CC 330Ω A Y
RIEDL 4.EB 4 1/8 1.ZADÁNÍ a) Změřte vstupní a převodovou charakteristiku integrovaného obvodu MH 7400 b) Výsledky zpracujte do tabulek a graficky znázorněte c) Zobrazené charakteristiky porovnejte s údaji
VíceTémata profilové maturitní zkoušky z předmětu Souborná zkouška z odborných elektrotechnických předmětů (elektronická zařízení, elektronika)
ta profilové maturitní zkoušky z předmětu Souborná zkouška z odborných elektrotechnických předmětů (elektronická zařízení, elektronika) 1. Cívky - vlastnosti a provedení, řešení elektronických stejnosměrných
VíceFET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů
FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů (elektrony nebo díry) pracují s kanálem jednoho typu vodivosti
VíceOsnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika
Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika Garant přípravného studia: Střední průmyslová škola elektrotechnická a ZDVPP, spol. s r. o. IČ: 25115138 Učební osnova: Základní
Více4. Elektronické logické členy. Elektronické obvody pro logické členy
4. Elektronické logické členy Kombinační a sekvenční logické funkce a logické členy Elektronické obvody pro logické členy Polovodičové paměti 1 Kombinační logické obvody Způsoby zápisu logických funkcí:
VíceTémata profilové maturitní zkoušky
Obor: 18-20-M/01 Informační technologie Předmět: Databázové systémy Forma: praktická 1. Datový model. 2. Dotazovací jazyk SQL. 3. Aplikační logika v PL/SQL. 4. Webová aplikace. Obor vzdělání: 18-20-M/01
VíceSběrnicová struktura PC Procesory PC funkce, vlastnosti Interní počítačové paměti PC
Informační systémy 2 Obsah: Sběrnicová struktura PC Procesory PC funkce, vlastnosti Interní počítačové paměti PC ROM RAM Paměti typu CACHE IS2-4 1 Dnešní info: Informační systémy 2 03 Informační systémy
VíceTémata profilové maturitní zkoušky
Obor vzdělání: 18-20-M/01 informační technologie Předmět: programování 1. Příkazy jazyka C# 2. Datové konstrukce 3. Objektově orientované programování 4. Tvorba vlastních funkcí Obor vzdělání: 18-20-M/01
VíceMĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření nízkofrekvenčního koncového zesilovače, část 3-13-3
MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření nízkofrekvenčního koncového zesilovače, část 3-13-3 Výkový materiál Číslo projekt: CZ.1.07/1.5.00/34.0093 Šablona: III/2 Inovace a zkvalitnění výky prostřednictvím
Více5. Diodové usměrňovače
5. Diodové směrňovače Usměrňovač je polovodičový prvek, který mění střídavé napětí a prod na stejnosměrný. Podle toho, zda je výstpní směrněné napětí možno řídit či ne se dělí směrňovače na řízené a neřízené.
VíceVelmi zjednodušený úvod
Velmi zjednodušený úvod Výroková logika: A, B, C - výroky. Booleova algebra Výroky nabývají hodnot Pravdivý a Nepravdivý. C = A B A B Booleova algebra: a, b, c - logické (Booleovské) proměnné. Logické
VícePopis zapojení a návod k osazení desky plošných spojů STN-G
Popis zapojení a návod k osazení desky plošných spojů STN-G STN-G je aplikací zaměřenou především na detekci obsazenosti a to až 4 izolovaných úseků. Doplňkově ji lze osadit i detektorem přítomnosti DCC
VíceTel-30 Nabíjení kapacitoru konstantním proudem [V(C1), I(C1)] Start: Transient Tranzientní analýza ukazuje, jaké napětí vytvoří proud 5mA za 4ms na ka
Tel-10 Suma proudů v uzlu (1. Kirchhofův zákon) Posuvným ovladačem ohmické hodnoty rezistoru se mění proud v uzlu, suma platí pro každou hodnotu rezistoru. Tel-20 Suma napětí podél smyčky (2. Kirchhofův
VíceTechnologie číslicových obvodů
Technologie číslicových obvodů Technologie výroby IO pouzdření Vyšší montážní celky 30.1.2013 O. Novák, CIE 3 1 Diode logic DL: 30.1.2013 O. Novák, CIE 3 2 DL: nepoužívá se, nemožnost invertovat signál,
VíceELN 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY 1/14 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY
ELN 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY 1/14 2. Analogové spínače s tranzistory 2.1 Spínací vlastnosti tranzistorů bipolárních a unipolárních 2.2 Příklady použití spínačů 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY
VíceTECHNICKÝ POPIS ZDROJŮ ŘADY EZ1 T 73304
Signal Mont s.r.o Hradec Králové T73304 List č.: 1 Výzkumný ústav železniční Praha Sdělovací a zabezpečovací dílny Hradec Králové TECHNICKÝ POPIS ZDROJŮ ŘADY EZ1 T 73304 JKPOV 404 229 733 041 Zpracoval:
VíceNalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R = 100 kω, φ = 5mW/cm 2.
Nalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R 00 kω, φ 5mW/cm 2. Fotovoltaický režim: fotodioda pracuje jako zdroj (s paralelně zapojeným odporem-zátěží). Obvod je popsán
VíceSAMOSTATNÁ PRÁCE Z ELEKTRONIKY UNIPOLÁRNÍ TRANZISTORY
Střední odborné učiliště technické Frýdek-Místek SAMOSTATNÁ PRÁCE Z ELEKTRONIKY UNIPOLÁRNÍ TRANZISTORY Jméno: Luděk Bordovský Třída: NE1 Datum: Hodnocení: 1.1. Vlastnosti unipolární tranzistorů Jsou založeny
Více1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny
1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny Popsaný přijímač slouží k poslechu rozhlasových stanic v pásmu středních vln. Přijímač je napájen z USB portu počítače přijímaný signál je pak připojen na
Více2 Bipolární technologie
1 Technologie výroby číslicových obvodů - úvod Podle technologie výroby rozlišujeme číslicové obvody na hybridní a monolitické. Hybridní integrované obvody obsahují pasivní a aktivní součástky, které se
VíceSTAVEBNÍ NÁVODY 1 pro činnost v elektro a radio kroužcích a klubech
STAVEBNÍ NÁVODY 1 pro činnost v elektro a radio kroužcích a klubech Nejjednodušší stavební návody Verze V.4, stav k 5. prosinci 2014. Byl upraven Stavební návod na Cvrčka. Víte o dalších zajímavých návodech?
VíceProcesor EU peníze středním školám Didaktický učební materiál
Procesor EU peníze středním školám Didaktický učební materiál Anotace Označení DUMU: VY_32_INOVACE_IT1.05 Předmět: Informatika a výpočetní technika Tematická oblast: Úvod do studia informatiky, konfigurace
VíceInovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/34.0452
Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/34.0452 Číslo projektu Číslo materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0452 OV_2_36_Aktivní zátěž Název školy Střední
VíceVÝKONOVÉ TRANZISTORY MOS
VÝKONOVÉ TANZSTOY MOS Pro výkonové aplikace mají tranzistory MOS přednosti: - vysoká vstupní impedance, - vysoké výkonové zesílení, - napěťové řízení, - teplotní stabilita PNP FNKE TANZSTO MOS Prahové
VíceObsah DÍL 1. Předmluva 11
DÍL 1 Předmluva 11 KAPITOLA 1 1 Minulost a současnost automatizace 13 1.1 Vybrané základní pojmy 14 1.2 Účel a důvody automatizace 21 1.3 Automatizace a kybernetika 23 Kontrolní otázky 25 Literatura 26
VíceINFORMAČNÍ A KOMUNIKAČNÍ TECHNOLOGIE
Název školy: Střední odborná škola stavební Karlovy Vary Sabinovo náměstí 16, 360 09 Karlovy Vary Autor: Ing. Hana Šmídová Název materiálu: VY_32_INOVACE_13_HARDWARE_S1 Číslo projektu: CZ 1.07/1.5.00/34.1077
Více5 Monolitické integrované obvody
Technologie 5 Monolitické integrované obvody Jak je všeobecně známo, jsou využívány dvě hlavní technologie integrovaných obvodů. Jednou z nich jsou monolitické integrované obvody, druhou hybridní. Zde
Více