FRVŠ 1230 / Kluzné vrstvy a metody hodnocení adhezivně-kohezivního a tribologického chování.

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Rozměr: px
Začít zobrazení ze stránky:

Download "FRVŠ 1230 / 2006. Kluzné vrstvy a metody hodnocení adhezivně-kohezivního a tribologického chování."

Transkript

1 FRVŠ 1230 / 2006 Kluzné vrstvy a metody hodnocení adhezivně-kohezivního a tribologického chování. Řešitel: Spoluřešitel: Ing. Martina Sosnová Doc. Dr. Ing. Antonín Kříž 2006

2 Úvod Tenká vrstva Co je tenká vrstva? Kluzné vrstvy Depozice vrstev Metody depozice tenkých vrstev Fyzikální metody depozice vrstev PVD Chemické metody depozice vrstev CVD CVD za použití plazmatu - PECVD (Plasma Enhanced CVD) Použití prekurzoru (pracovního plynu) Předpětí a vliv teploty Struktura a složení vrstev DLC a podobných materiálů Charakteristika vazeb mechanismy vzniku sp 3 a sp 2 vazeb Vodík v DLC vrstvách Vrstvy a-c:h Od polymerů po tvrdé otěruvzdorné vrstvy Optické vlastnosti Elektrické vlastnosti Chemická odolnost Mechanické vlastnosti Tribologické vlastnosti Transferová vrstva Aplikace Nevýhody a jejich potlačení Odstraňování opotřebených povlaků Shrnutí Tenká vrstva MoS Hodnocení chování systémů tenká vrstva substrát Hloubkové koncentrační profily deponovaných vrstev GD OES Měření tloušťky Mikrotvrdost tenkých vrstev Adhezívně kohezivní chování systémů tenká vrstva substrát Adheze Indentační (vnikací) zkouška Mercedes test Scratch test vrypová zkouška... 51

3 Obsah 8 Porovnání testu Mercedes a Scratch testu Tribologická zkouška Metoda PIN-on-DISC Fretting test Porovnání testu PIN-on-DISC a Fretting testu Tribologická měření s PIN tělískemwc Porovnání opotřebení...65 Použitá literatura

4 Úvod Úvod Tenké vrstvy mají široké uplatnění v různých praktických aplikacích, např. v mikroelektronice, elektronice, optice, strojírenství, automobilovém průmyslu a medicíně. Mnohé užitné vlastnosti kovů a slitin jsou určovány stavem povrchu. Během procesu mechanického i chemického namáhání se povrchové vlastnosti postupně mění a tím dochází k ovlivnění užitných vlastností. Samotný základní materiál je důležitým parametrem a silně ovlivňuje proces deposice tenkých vrstev i chování celého systému tenká vrstva substrát v provozních podmínkách. Má-li tento systém dosahovat požadovaných parametrů, musí mít obě jeho části určité specifické vlastnosti mechanické, chemické i technologické. Stav rozhraní je jednou z určujících podmínek pro vysokou odolnost tenkých vrstev, neboť ovlivňuje adhezi k substrátu. Mezi metody, sledující kvalitu a vlastnosti tenkých vrstev, patří vrypová zkouška Scratch test a Mercedes test, které jsou základní a nejrozšířenější zkoušky sledování adheze systému tenká vrstva substrát. Tyto metody našly své uplatnění jako efektivní metody kvalitativní kontroly v oblastech průmyslových i vědeckých. Při zkoušce se posuzují vzniklá porušení systému vrstva substrát a použitím metody Scratch test také hodnota kritického zatížení (Lc), při níž dojde k poškození vrstvy. Další zkouškou hodnotící systém tenká vrstva substrát je tribologická zkouška. Tribologická zkouška metodami PIN-on-DISC a Fretting test, není pouze prostředek k získání hodnot koeficientu tření určité materiálové dvojice, ale je jedním z nejdůležitějších laboratorních testů, který má za cíl určit charakter daného experimentálního materiálu a možnosti jeho využití. V současné době se po každém provedeném testu analyzuje rozsah a mechanismus poškození tenké vrstvy (tribologická stopa), zároveň se hodnotí opotřebení kuličky ( PINu ) a průběh koeficientu tření (µ) v závislosti na počtu cyklů. Cílem této práce je snaha o přiblížení oblasti tenkých vrstev, jejich aplikace a hodnocení studentům. 4

5 Tenké vrstvy 1 Tenká vrstva 1.1 Co je tenká vrstva? O tenké vrstvě můžeme hovořit, pokud se jedná o materiál o tloušťce od několika desítek nanometrů až po několik mikrometrů, který je vytvořený na základním materiálu tj. substrátu (obr. 1). Tenké vrstvy se již řadu let používají k povrchovým úpravám různých substrátů. Dnes existují široké možnosti použití tenkých vrstev například v elektrotechnickém průmyslu, strojírenství, energetice, dekorační technice atd. Obr. 1. Srovnání tloušťek lidského vlasu a tenké vrstvy. Optické vrstvy se používají například k antireflexnímu pokrytí čoček, na interferenční filtry a k nanesení reflexních vrstev na zrcadla. Kovovými vrstvami (Al, Au, Cu) se tvoří například kontakty na polovodičích a Schottkyho bariéry. Pro aplikace jsou velmi zajímavé i tenké vrstvy průhledné ve viditelné oblasti záření a přitom elektricky vodivé (In 2 O 3, SnO 2, ZnO, In 2 O 3 :Sn). Lze je použít k povrchové úpravě skla či průhledných fólií jako odporové vrstvy sloužící k vyhřívání Jouleovym teplem, ke svádění nežádoucích elektrostatických nábojů z nevodivých povrchů, či jako transparentní elektrody k plochým zobrazovacím prvkům a k solárním článkům. Důležitou aplikací těchto vrstev jsou kvalitní přední elektrody v plochých displejích, přes které musí být vidět zobrazovaná informace. Takové transparentní elektrody se používají v plochých zobrazovacích prvcích založených na principu kapalných krystalů (LCD), plazmatu (PD) nebo elektroluminiscence (ELD) například v digitálních hodinkách, kalkulačkách, monitorech počítačů, měřicích přístrojích, hracích automatech atd. [1]. Deponované tenké vrstvy je třeba chápat jako systém, neboť vrstva pro svoji tloušťku dosahuje společně se substrátem specifických vlastností a chování. Samotné tenké vrstvy mají na rozdíl od objemových materiálů rozdílné vlastnosti a to nejen z důvodů svojí tloušťky, ale i následkem depozičních procesů, které lze označit jako nerovnovážné a iniciující vznik metastabilních fází. 5

6 Tenké vrstvy Obr. 2. Systém tenká vrstva substrát. V současné době je snaha vytvářet přesně definované složení tenkých vrstev za účelem zajištění požadovaných vlastností. Vývoj tenkých vrstev tak dosáhl nového stadia. Již se nehledají aplikační možnosti pro vrstvy, které se deponují, ale naopak na základě požadavku praxe je snaha vytvářet nové typy vrstev [2]. V posledních letech došlo ke značnému rozvoji jednotlivých typů tenkých vrstev. Tyto vrstvy přinesly podstatné zlepšení užitných vlastností deponovaných předmětů, např. u řezných nástrojů několikanásobný vzrůst trvanlivosti, a dále možnost zvýšení řezných rychlostí. V současné době, kdy je nárůst trvanlivosti ostří samozřejmostí, směřuje vývoj tenkých vrstev ke zvyšování kvality obrobené plochy, k environmentálnímu způsobu obrábění tj. s minimem procesních kapalin. Rovněž je velmi aktuální obnova použitých nástrojů již jednou opatřených tenkou vrstvou. Proces odstranění vrstvy tzv. stripping je v současnosti vyvíjen snad všemi firmami zabývajícími se depozicí tenkých vrstev [2]. Jednotlivé druhy klasických binárních nitridů splňují tyto požadavky jen částečně. Na obr.3a je zachycena skladba jednoduché binární vrstvy zdokumentované v oblasti kaloty. Pro zlepšení adheze vrstvy k základnímu podkladovému materiálu byla v další generaci vrstev aplikována tzv. mezivrstva (obr.3b). Dalším vývojovým stupněm byla gradientní vrstva, která již nebyla tvořena pouze binárními nitridy, ale obsahovala alespoň dva kovy nitridů, jejichž koncentrace se plynule měnila (obr.3c). [2]. a b c Obr.3. Jednotlivé typy tenkých otěruvzdorných vrstev I. až III. vývojové generace [2]. 6

7 Tenké vrstvy Tenká vrstva nitridu kovu zvyšuje trvanlivost řezných nástrojů. Tento přínos je dán omezením tepelného a mechanického namáhání substrátu. Z tohoto důvodu mají nástroje opatřené těmito vrstvami podstatně vyšší životnost ostří. Vedle uvedených vlastností je zlepšení užitných vlastností nástroje vyvoláno zvýšenou odolností proti abrazivnímu opotřebení. Vrstva, tvořící z důvodů své tloušťky s nástrojem systém, musí vytvářet svojí chemickou stabilitou kvalitní difúzní bariéru. Vlastnosti systému jsou rovněž závislé na jeho adhezivně-kohezivním chování. Požadavky na vrstvy jsou o to vyšší, že uvedené vlastnosti si musí zachovat systém i při vyšších teplotách a tlacích, které doprovází proces obrábění. K dosažení optimálních výsledků systému je nutno volit kombinaci jednotlivých vrstev klasických binárních nitridů TiN modernějšími vrstvami, které jsou v současné době především na bázi kovů titanu a hliníku. Tyto vrstvy jsou řešené buď formou sendvičových systémů nebo multivrstevnými systémy, kdy se jednotlivé vrstvy periodicky opakují (obr.4). Obohacením vrstev o křemík, se výrazně zlepší kompaktnost vrstvy (sníží se zrnitost struktury), což se projeví na zvýšení tvrdosti a tepelné stability. Tyto vrstvy se často nazývají nanovrstvami, neboť jednotlivé rozměry krystalitů TiAlN jsou řádově několik desítek nanometrů. Okolí těchto krystalitů je tvořeno amorfní fází Si 3 N 4. Tato skladba vrstvy zajišťuje nejen vyšší hodnoty mikrotvrdosti a další lepší mechanické vlastnosti, ale i vyšší tepelnou a chemickou odolnost [2]. Obr.4. Multivrstevný systém Budoucí trend vývoje tenkých vrstev, kdy se bude cíleně využívat konkrétních vlastností jednotlivých druhů tenkých vrstev, přičemž skladba vrstevného systému bude převážně sendvičová popř. multikomponentní. Vlastnosti těchto jednotlivých vrstev vychází z jejich fyzikálně-chemické podstaty. Jak dokumentuje obr. uplatňují se u jednotlivých druhů tenkých vrstev zcela odlišné vnitřní síly chemické vazby ovlivňující základní vlastnosti [2]. Obr. 5. Chemické vazby u jednotlivých materiálů aplikovaných v oblasti tenkých vrstev [2]. 7

8 Tenké vrstvy Vlastnosti tenkých vrstev jsou odrazem jejich fázového složení a morfologie přítomných fází. Pro hlubší pochopení příčin a z toho vycházejících důsledků projevujících se v jednotlivých vlastnostech systému tenká vrstva-substrát je třeba věnovat pozornost stavu mikrostruktury. Řada prací autorů Hibbse, Pakuly a Sundgera ukazuje, jak závisí mechanické, ale i fyzikální vlastnosti na mikrostruktuře vrstvy. Přestože je zřejmé, že vlastnosti systému velmi úzce souvisí s mikrostrukturou vrstvy, nebyla dosud jejich závislost uspokojivě prozkoumána [2]. Strukturní zónové modely vysvětlují rozdílné typy mikrostruktur tenkých vrstev a to na základě dodané energie, jak tepelné tak i kinetické ovlivňující pohyb částic iontů, nezahrnují vliv substrátu. Tento vliv bývá často opomíjen a to nejen v praxi, ale dokonce i v základním výzkumu. Vliv substrátu na mikrostrukturu lze rozdělit z hlediska: morfologie substrátu Způsob růstu a konečný charakter vrstvy je určen také krystalovou strukturou substrátu. Mikrostruktura vrstvy je ovlivněna substrátem prostřednictvím strukturních fází v povrchových vrstvách, jejich velikostí a orientací. Dále se na nukleujících krystalitech vrstvy projeví vliv povrchového stavu substrátu (množství defektů, drsnost,...) [2]. fyzikálních vlastností Na výsledných vlastnostech systému tenká vrstva-substrát se promítají velmi zřetelně také mechanické a fyzikální vlastnosti substrátu. Z hlediska depozice a růstu vrstvy, ale i chování systému při mechanickém a hlavně tepelném zatěžování, má značný význam hodnota teplotní roztažnosti substrátu αs i vrstvy αc. Tyto veličiny ovlivňují hodnoty vnitřního pnutí ve vrstvě. Jestliže je αc>αs generuje se ve vrstvě při poklesu teploty tahové pnutí. Následkem toho dochází k častému rozvoji nežádoucích trhlin ve vrstvě. V případě, kdy je αc<αs se při poklesu teploty ve vrstvě vytváří tlakové pnutí. Podle koeficientů teplotní roztažnosti nelze jednoznačně předpovědět, jak se bude daný systém při určité teplotě chovat, neboť jeho stav je komplexně ovlivňován dalšími vlastnostmi a parametry jako např. modulem pružnosti vrstvy i substrátu, množstvím makročástic ve vrstvě, skladbou vrstev u multivrstevných systémů, existencí mezivrstvy atd. [2]. 2 Kluzné vrstvy Shrnutí současného stavu studované problematiky Aplikace tenkých vrstev pronikly již téměř do všech oblastí lidské činnosti. Příčiny tohoto širokého využití tenkých vrstev spočívají především v tom, že řada vlastností látek se principielně mění při zmenšování tloušťky pod určitou mez. Objevují se pak nové vlastnosti, které se mohou stát základem nových prvků a aplikací. Základní rozdíly odlišující tenkou vrstvu od kompaktního materiálu jsou ve změnách krystalové struktury a dalších vlastností. Tenká vrstva často nemá krystalovou strukturu jako stejná látka v objemové formě. Souvisí to s faktem, že většina metod přípravy tenkých vrstev je ve své podstatě nerovnovážná a tak i vznikající vrstva není většinou v rovnovážném stavu. Prakticky všechny fyzikální vlastnosti jsou závislé na krystalové struktuře látky [3]. 8

9 Tenké vrstvy Charakteristika kluzných vrstev Hlavním úkolem kluzných vrstev je vytváření kluzného povrchu. Kluzné vrstvy mají nižší tvrdost než běžné otěruvzdorné vrstvy. Do této skupiny patří měkké vrstvy, které se aplikují jen v kombinaci s tvrdými vrstvami na bázi TiN, TiAlN, TiCN a vrstvy DLC (diamond like carbon = diamantu podobný uhlík), které vhodně kombinují vynikající kluzné vlastnosti s dobrou tvrdostí [4]. Kluzné vrstvy představují důležitou skupinu průmyslových povrchových úprav nástrojů. Jejich technický přínos v obrábění a tváření lze shrnout do několika úzce souvisejících bodů [5]: zlepšení kluzných vlastností výrazné snížení přilnavosti mezi vrstvou a obrobkem rovnoměrnější zaběhnutí nástroje snížení řezných sil a jejich plynulejší průběh omezení tvorby nárůstků, zejména při obrábění neželezných kovů Diamant a diamantu podobné vrstvy jsou středem zájmu stále se zvyšujícího počtu vědců již od začátku 80tých let minulého století. Tyto vrstvy jsou dnes pravděpodobně nejintenzivněji studovanými vrstvami. Komerční zájem o diamant a DLC vrstvy je významný nejen z důvodu jejich užití v tribologických aplikacích, ale také proto, že se dají vhodně využít jako polovodičový a opticky vhodný materiál. Různých variant uhlíkových vrstev je na trhu více. Mají společný nízký koeficient tření, sníženou tepelnou odolnost a tvrdost HV okolo 20 GPa. V řezných aplikacích mohou vhodně doplňovat tvrdou podkladovou vrstvu. Snahou vývoje je vytvořit vhodnou kombinací tvrdé a měkké složky optimální abrazivně odolnou vrstvu s velmi nízkým koeficientem tření [4]. Vazba sigma a pí (π) - vazba sigma = je podmíněná velkou el. hustotou na spojnici jader vázaných atomů vzniká trojím způsobem:1. vzniká překryvem 2orbitalů s 2. vzniká překryvem 2 orbitalů p 3. vzniká překryvem 1 orbitalu s a 1 orbitalu p - vazba π = je podmíněná velkou el. hustotou nad a pod spojnicí jader vázaných atomů (na spojnicích jader je elektronová hustota nulová) Jednoduchá a násobná vazba 1. Jednoduchá vazba - tvořena vazbou sigma, dochází ke sdílení jednoho valenčního elektronového páru 2. Násobné vazby a) dvojná vazba = je tvořena jednou vazbou sigma a jednou pí a dochází ke sdílení dvou elektronových párů b) trojná vazba = tvořena 1 sigma vazbou a dvěma pí - sdílení 3 val. el. páry > 6 e- Hybridizaci podstupují jen orbitaly, které se účastní σ -vazeb 9

10 Tenké vrstvy Uhlík je prvek patřící do IV. podskupiny periodické soustavy a elektronová konfigurace atomu uhlíku v základním stavu je (1s) 2, (2s) 2, (2px) 1, (2py) 1 se dvěma nespárovanými elektrony v orbitalech 2p. Aby mohl atom uhlíku vytvořit čtyři kovalentní vazby a dosáhnout tak oktetovou konfiguraci valenční vrstvy, musí být excitován do valenčního stavu (2s) 1, (2px) 1, (2py) 1, (2pz) 1, v němž má čtyři nespárované elektrony. Podle povahy vazebných partnerů může být uhlík v různých sloučeninách v hybridním stavu sp 3, sp 2 a nebo v hybridním stavu sp (obr.6). Obr.6. Hybridizace orbitalů sp 3, sp 2, sp 1. Hybridní orbitaly sp vzniknou hybridizací jednoho orbitalu s a jednoho orbitalu p. Vzniknou dva nové orbitaly, které vycházejí ze středového atomu a svírají úhel 180º (obr.7). Při slučování se sp hybridizace může uplatňovat tak, že se vytváří dvě σ vazby a dvě π vazby. Dva ze čtyř valenčních elektronů vstupují do σ orbita, každý vytváří σ vazbu orientovanou podél osy x. Zbylé elektrony vstupují do pπ orbitalů v y a z směrech.. Obr.7. Orbitaly sp. Hybridní orbitaly sp 2 vzniknou hybridizací jednoho orbitalu s a dvou orbitalů p. Vzniknou tak tři energeticky rovnocenné orbitaly, které míří do vrcholů pravidelného trojúhelníku a jejich osy svírají úhel 120º (obr.8). Při slučování se tato hybridizace může uplatňovat tak, že se vytváří tři σ vazby a jedna π vazba. Tři ze čtyř valenčních elektronů vstupují do trojúhelníkově orientovaných sp 2 orbitalů, které vytváří σ vazbu v rovině. Čtvrtý valenční elektron leží na pπ orbitalu, který leží kolmo k σ vazbě. Tentoπ orbital vytváří slabší π vazbu s π orbitalem na jednom nebo více sousedních atomech. Obr.8. Orbitaly sp 2. Hybridní orbitaly sp 3 jsou nejčastějším případem hybridizace atomu uhlíku v organických sloučeninách. Tento typ hybridizace vzniká energetickým sjednocením jednoho orbitalu s a tří orbitalů p. Vzniklé čtyři hybridní orbitaly míří do vrcholu pravidelného tetraedru (čtyřstěnu) a jejich osy svírají úhly 109,47º (obr.9). Při slučování se tetraedrická hybridizace může uplatňovat tak, že se vytváří čtyři σ vazby. Čtyři valenční elektrony jsou všechny přiděleny tetrahedrálně směrovanému sp 3 orbitalu, který vytváří silné σ vazby [6]. Obr.9. Orbitaly sp 3. 10

11 Tenké vrstvy Atom uhlíku má velmi vysoké hodnoty ionizačních energií a proto prakticky nevytvářejí jednoduché kladně nabité ionty, ale naopak většinou vytvářejí kovalentní vazby, které mají určitý stupeň iontové vazby. Charakteristickou vlastností atomů uhlíku je schopnost vytvářet řetězce, což je podmíněno mimořádnou pevností jednoduché i násobné vazby uhlík-uhlík. V tab.1. jsou uvedeny meziatomární vzdálenosti atomů uhlíku a energie těchto vazeb. Tab. 1. Meziatomární vzdálenosti atomů uhlíku a energie jednoduché, dvojné a trojné vazby mezi uhlíkovými atom[6]. Vazba Energie vazby (kj.mol -1 ) Vzdálenost (Å) C-C 341,6 1,542 C=C 617 1,326 C C 804,3 1,204 Běžně známé alotropické modifikace elementárního uhlíku jsou grafit a diamant. Struktura grafitu je tvořena grafenovými vrstvami, což je dvourozměrně periodická planární síť uhlíkových atomů uspořádáných do šestiúhelníků s vazebnými úhly 120º. Tyto vrstvy jsou mezi sebou vázány slabými Van der Waalsovými silami, ale jsou na sebe nakladeny tak, že tvoří trojrozměrně periodickou strukturu (obr.10a). Ve struktuře diamantu jsou uhlíkové atomy uspořádány tak, že každý atom uhlíku, ležící ve středu pravidelného tetraedru má ve svém nejbližším okolí čtyři další uhlíkové atomy, které obsahují vrcholy tohoto tetraedru. Vzájemným propojením tetraedrů vzniká pevná trojrozměrně periodická uspořádaná struktura (obr.10b) [6]. a b Obr.10. Krystalografická mřížka (a) grafitu, (b) diamantu. Polykrystalický diamant a amorfnímu diamantu podobné vrstvy jsou dvě specifické formy uhlíkových povrchových vrstev. Uhlík se v nich může vyskytovat jako diamant, grafit, nebo jako amorfní uhlík. Diamant je metastabilní fáze uhlíku za pokojové teploty a tlaku, má krystalovou mřížku kubickou s sp 3 kovalentní vazebnou strukturou. Diamantová fáze je stabilní za pokojové teploty pro tlaky vyšší než 1,6x10 9 Pa, ale přeměna grafitu na diamantovou strukturu musí probíhat při vyšších tlacích a teplotách. Stabilní fáze uhlíku při pokojové teplotě a atmosférickém tlaku je grafit. Grafit má hexagonální mřížku se strukturou tvořenou sp 2 vazbami ve dvou rovinách propojenými slabými silami. Amorfní uhlík je přechodovou formou uhlíku, který nemá uspořádání na dlouhou vzdálenost a místní struktura se mění v závislosti na depozičních parametrech a technologii [7]. Vrstvy na bázi uhlíku je možné deponovat za nízkých tlaků s použitím různých depozičních technik [7], [8]. Vrstvy jsou obvykle deponovány v nízkoteplotní plazmě z uhlovodíkového reaktivního plynu, který je štěpen a ionizován v plazmě. Radikály a ionty vzniklé z plynné fáze dopadají na povrch substrátu, což vede k růstu vrstvy [9]. 11

12 Tenké vrstvy Vrstvy se vytváří rozkladem uhlovodíkového plynu např. metan, acetylen nebo propan. Přidáním dalších plynů (vodík, kyslík, dusík nebo dalších přísadových prvků) k uhlovodíku má za následek změnu chemického složení a atomové struktury. Je to velmi efektivní způsob změny vlastností vrstev (např. tření, tvrdosti, pružnosti) [10]. Amorfní uhlíkové vrstvy typu a-c:h jsou využity v mnoha aplikacích díky jejich mimořádných vlastnostem jako je vysoká tvrdost, propustnost infračerveného světla a chemická stálost. Nejatraktivnější vlastností a-c:h vrstev je odolnost proti opotřebení. Charakteristickým příkladem použití je ochranná vrstva u ventilů v moderních dieselových motorech nebo velmi tenkých vrstev na magnetických discích a magnetických hlavách [9]. Vrstvy a-c:h mají různé fáze jako diamond-like (DLC), graphite-like a polymerlike (PLC) viz. obr 11. Struktura a vlastnosti těchto vrstev závisí na podmínkách přípravy. Pokud je k přípravě vrstev použita depozice za asistence plazmy PECVD, jsou vrstvy DLC a polymer-like a-c:h obvykle připraveny z uhlovodíkového plynu. Zdroj plynu a vodíku je důležitý pro kontrolu struktury a vlastností a-c:h vrstev [11]. Sp 3 vazby propůjčují vrstvám DLC mnoho užitečných vlastností samotného diamantu, jako jsou např. tvrdost, chemická a elektrochemická inertnost a široký zakázaný pás. Složení jednotlivých typů amorfních C-H vrstev je znázorněno v ternárním fázovém diagramu. Existuje mnoho druhů a-c s neuspořádaným grafitickým uspořádáním (řazením) jako je např. skelný uhlík a napařované a-c. Ty leží v levém dolním rohu diagramu. Dva typy uhlovodíkových polymerů polyethylen (CH 2 ) n a polyacetylen (CH) n vymezují hranici trojúhelníku v pravém rohu diagramu, za kterou není možná tvorba C-C zesíťování a dochází zde pouze k tvorbě molekul [12]. Obr. 11. Ternární fázový diagram vazeb u a C:H. 12

13 Depozice tenkých vrstev 3 Depozice vrstev Charakteristika depozice Depozice vrstev se provádí jako finální operace na hotovém již tepelně zpracovaném substrátu. Pro dobré adhezní vlastnosti musí být povrch substrátu před depozicí kovově čistý (broušený). Dále je nutné před samotnou depozicí očistit povrch od organických a anorganických nečistot. Při použití chemického čištění je nutné u všech technologií depozice mechanicky očistit povrch od makronečistot. Při některých druzích depozic je možné provést čištění substrátu pomocí iontového bombardu [13]. Čištění povrchu iontovým bombardem Iontové čištění (iontový bombard nebo iontový etching) je velmi důležitou fází v předdepoziční přípravě substrátu. Toto čištění je založeno na následujícím principu (obr. 12). Kladně nabité ionty odpařené katody kovu, popř. i procesního plynu, dopadají na povrch substrátu, kde jsou zakotveny atomy nečistot, které mají vysokou poruchovou energii. Předáním vysoké kinetické energie iontů (cca 10 ev) dojde k vyražení nečistot z povrchu materiálu. Energie dopadajících iontů je dána záporným předpětím přivedeného na substrát, tlaku plynu v komoře, typem (hmotností) ionizovaných částic, jejich proudovou hustotou a úhlem dopadu. Vlivem dopadu kladných iontů na povrch substrátu dochází také k ohřevu materiálu. Spolu s odporovým ohřevem na stěnách představují hlavní způsob dosažení depoziční teploty. Teplota se měří pomocí termočlánku v komoře zkalibrovaném na reálnou teplotu povrchu substrátů. Vlivem nevhodně zvolených parametrů iontového čištění (čas a předpětí) může dojít k nežádoucí modifikaci povrchu substrátu, např. u slinutého karbidu. V praxi byla zjištěna destrukce nástroje v důsledku úbytku kobaltu v povrchu substrátu [14]. S ohledem na technologii procesu, která probíhá již v depozičním zařízení, nelze zachytit (bez přerušení depozice) stav exploatovaného povrchu. Jestliže dojde k nežádoucí změně povrchových vrstev substrátu s následnou depozicí vrstvy, odhalí se tato degradace systému až v praxi[14]. Iontový bombard hraje také důležitou roli při zvyšování adheze [13]. Obr.12. Schéma principu iontového čištění[14]. 13

14 Depozice tenkých vrstev 3.1 Metody depozice tenkých vrstev Metody depozice tenkých vrstev se dělí na dva základní druhy. Na chemickou metodu Chemical Vapour Deposition (CVD) a na fyzikální metodu Physical Vapour Deposition (PVD) [3]. Fyzikální metoda depozice vrstev PVD technologie je založena na fyzikálních principech, odpaření nebo odprášení materiálů obsažených ve vrstvě (např. Ti, Al, Si, Cr, atd. ) a jejich následné nanesení na nástroje. Chemická metoda depozice vrstev CVD využívá pro depozici směs chemicky reaktivních plynů (např. CH 4, C 2 H 2, apod.) zahřátou na poměrně vysokou teplotu C. Reakční složky jsou přiváděny v plynné fázi a vrstva vzniká na povrchu substrátu heterogenní reakcí. Za hlavní charakteristický rozdíl je brán způsob přípravy vrstvy, tj. z pevného terče u PVD metod a z plynu u CVD. Zásadní kvalitativní změnu v technologii vytváření tenkých otěruvzdorných vrstev přinesla tzv. plazmaticky aktivovaná CVD metoda (označení PCVD, nebo také: PACVD Plasma Assisted CVD, PECVD - Plasma Enhanced CVD), která se od klasické CVD metody liší nízkými pracovními teplotami (běžně 600 o C, podle některých údajů i méně, např o C), přičemž nemění její princip. 3.2 Fyzikální metody depozice vrstev PVD Technologie PVD mohou být použity pro vytváření tenkých vrstev nejen na nástrojích z rychlořezné oceli, součástkách z hliníku a plastů, ale dokonce i na velmi tenkých, pouze několik mikrometrů silných fóliích z polypropylenu, polyethylenu a dalších materiálů bez jejich tepelné degradace během depozice vrstvy [15]. Podstatou fyzikální depozice je vypařování materiálu (vytvářejícího vrstvu) ve vakuu nebo rozprašování ve výboji udržovaném za nízkých tlaků. Celý proces depozice může být obecně rozdělen do třech na sebe navazujících kroků [16]: převedení materiálu do plynné fáze, transport par ze zdroje k substrátu, vytváření vrstvy na povrchu substrátu. Nejčastěji používané fyzikální metody jsou : 1) reaktivní iontové plátování, 2) reaktivní naprašování, 3) reaktivní napařování. Jedna z možností přípravy kluzných vrstev je reaktivním napařováním, bude zmíněn z výše jmenovaných pouze její princip (ad3). V případě reaktivního napařování proud vypařeného kovu prochází skrze plyn přivedený do systému, reaguje s ním a tak vytváří na substrátu depozit chemické sloučeniny. V současných procesech aktivovaného reaktivního napařování je přímo v reakční zóně mezi zdrojem par kovu a substrátem udržován doutnavý výboj. Jak páry kovu tak reaktivní plyny (O 2, N 2, CH 4, C 2 H 2, apod.) jsou ionizovány, čímž se zvyšuje jejich reaktivita na povrchu rostoucí vrstvy což na druhou stranu podporuje tvorbu stechiometrické sloučeniny [16], [17]. 14

15 Depozice tenkých vrstev 3.3 Chemické metody depozice vrstev CVD Tenká vrstva se na povrchu substrátu vytváří v důsledku chemických procesů probíhajících v objemu plazmatu a přímo na rozhraní mezi plazmatem a povrchem substrátu. Reakční složky jsou přiváděny v plynné fázi, za vysokých teplot se rozkládají a vrstva vzniká na povrchu substrátu heterogenní reakcí [18]. CVD technologií lze připravit velmi rozmanité vrstvy kovů, polovodičů a různých chemických sloučenin buď v krystalickém či amorfním stavu, jež jsou vysoce čisté a mají požadované vlastnosti. Rovněž lze řídit stechiometrii v širokých mezích. Výhodou jsou relativně nízké náklady na zařízení a řízení procesu. Z toho vyplývá vhodnost pro velkovýrobu i střední výrobu a slučitelnost s ostatními výrobními postupy. Velké množství materiálů deponovaných CVD metodami mělo za následek návrhy a konstrukce stejně velkého množství procesů a systémů. Ty můžeme rozdělit podle různých hledisek na [17]: nízkoteplotní a vysokoteplotní, atmosférické a nízkotlaké, s horkou nebo chladnou stěnou, otevřené či uzavřené. Dvě nejdůležitější proměnné ovlivňující růstovou morfologii jsou[17],[2]: přesycení plynu ovlivňuje nukleační rychlost, teplota substrátu ovlivňuje rychlost růstu filmu. Použití této metody je značně omezeno vysokou teplotou depozičního procesu (cca 1000 C). V řadě případů, jako např. u nástrojů z rychlořezné oceli, nelze tuto metodu použít, protože depoziční teplota musí být nižší, aby při depozici nedošlo k tepelné degradaci základního materiálu [15]. Za další nevýhody lze považovat ovlivnění podkladového materiálu (snížení ohybové pevnosti), nemožnost deponovat ostré hrany a tahová zbytková pnutí ve vrstvě [18]. Metoda PECVD je založena na zvýšení energie plynné atmosféry v komoře pomocí její ionizace a aktivace v plazmatickém výboji. Takovéto chemicky aktivované plazma umožňuje snížit teplotu potřebnou pro vznik vrstvy na povrchu substrátu. Plazma lze vytvořit pomocí vnějšího elektrického napájecího zdroje (nízkofrekvenční střídavé napětí, vysokofrekvenční střídavé napětí, stejnosměrné napětí, pulzní stejnosměrné napětí) nebo reaktivním plynem (např. CH 4 ) [18] CVD za použití plazmatu - PECVD (Plasma Enhanced CVD) Nejčastěji používanou depoziční metodou přípravy vrstev na bázi uhlíku je metoda CVD za použití plazmatu - PECVD. Metoda PECVD je založena na zvýšení energie plynné atmosféry v komoře pomocí její ionizace a aktivace v plazmatickém výboji. Obecně se využívá vysokofrekvenčního výboje (Rf 100kHz 40MHz) při tlacích 50 mtorr 5 Torr (1 Torr = 133 Pa). Objemová koncentrace µ e ~ µ i ~ cm -3 ; střední kinetická energie ε e = 1 10 ev. Takto energeticky výbojové prostředí je dostatečné k rozkladu molekul na různé složky elektrony, ionty, atomy v základním a excitovaném stavu, volné radikály, atd. [12]. Výsledným efektem chemických reakcí mezi těmito reaktivními molekulárními fragmenty je, že dochází k chemickým reakcím při mnohem nižších teplotách než u konvenčních CVD technik. 15

16 Depozice tenkých vrstev Takovéto chemicky aktivované plazma umožňuje snížit teplotu potřebnou pro vznik vrstvy na povrchu substrátu. Takže dříve vysokoteplotní reakce mohou úspěšně probíhat i na teplotně citlivých materiálech (substrátech). Plazma lze vytvořit pomocí vnějšího elektrického napájecího zdroje (nízkofrekvenční střídavé napětí, vysokofrekvenční střídavé napětí, stejnosměrné napětí, pulzní stejnosměrné napětí) nebo reaktivním plynem (např. C 2 H 2, CH 4 ) [12]. Reaktor se skládá ze 2 elektrod, na jedné je upevněný substrát, druhá může být uzemněna. Rf (vysokofrekvenční) zdroj vytváří plasma mezi elektrodami. Obr. 13. Schéma PECVD reaktoru pro depozici DLC vrstev. Vyšší pohyblivost elektronů než iontů vytváří v plazmě u elektrod sheath (příelektrodová) oblast s převahou (nadbytkem) iontů. Sheath má kladný prostorový náboj, takže plasma vytváří kladné elektrické napětí s ohledem na elektrody, které vyrovnávají střední (průměrný) tok elektronů a iontů ke stěně, viz obr. Sheath může dosahovat tloušťky i několika mm [12]. Při depozici je nezbytně nutné používat nižších tlaků, ale pro běžné PECVD to není možné, poněvadž by plazma již dál nehořelo. Plasma hořící při nižších tlacích může být vytvořeno použitím magnetického pole, které ohraničuje plasmu, zvyšuje dráhu elektronu a zvyšuje ionizační schopnost. Toto umožňuje kapacitně vázané plazma, které je schopné pracovat při tlaku 5x10-4 Torr [12]. Toto je princip PBS. PBS se skládá z magneticky ohraničeného plazmatu, z něhož plazma odchází skrz uzemněnou mřížku. Rf je použit na pohyblivou elektrodu jejíž plocha je větší něž plocha mřížky, takže tato elektroda získá kladné předpětí. Toto odpuzuje kladné ionty skrz mřížku a dochází tak k tvorbě paprsku plazmatu, který potom zkondenzuje na povrchu substrátu a vytváří tím tenkou vrstvu [12]. Kapacitní vazba při rf frekvencích 13,56 MHz poskytuje relativně nedostatečnou excitaci (buzení) plazmatu, takže hustota plazmatu je celkem nízká (max 10 9 cm -3 ). Zvýšením rf frekvence je možné dosáhnout výkonnější excitace [12]. Využitím mikrovln (ECR) výbojů v PECVD dodáváme energii do plazmatu efektem elektronové cyklotronové resonance za přítomnosti statického magnetického pole. [17]. Magnetické pole vyvolá kmitání (vibraci) elektronů. Mikrovlnný zdroj plazmatu je aplikován při frekvenci 2,45 GHz a nosný plyn např. Ar je přiveden do horní části komory. Atomy Ar jsou excitovány a prochází do dolní části komory, kde se setkávají s atomy reaktivního plynu. Atomy anebo ionty Ar předávají energii reaktivnímu plynu srážkami. K dosažení předpětí u elektrody, na které je umístěn substrát, je u ECR obvykle použito přídavné rf napětí, které je k ní kapacitně vázáno. Tohoto se využívá ke kontrole iontové energie, odděleně od iontového proudu [12]. Stupeň ionizace je asi 1000x vyšší než u RF plazmatu. Tato skutečnost ve spojení s nízkým tlakem, řízením energie iontů, plazmatického potenciálu u stěn a elektrod a vysokou depoziční rychlostí a absencí elektrod (zdroj znečistění) apod. dělá ERC plazma velice efektivní jak pro depozici vrstev, tak i pro leptací procesy => produkce vysoce kvalitních vrstev za nízkých teplot substrátu [17]. 16

17 Depozice tenkých vrstev Vrstvy DLC deponované PECVD rostou jako spojitá vrstva, i od tloušťky menší jak 50 nm, jsou homogenní ve velkých oblastech a jejich drsnost může být zlomkem angstrému [19]. Vzhledem k tomu, že DLC je metastabilní materiál. K dosažení diamond-like vlastností musí být DLC a materiály jemu podobné deponovány tak, že jejich povrchy jsou neustále bombardovány energetickými (aktivními) ionty. Metastabilní struktura DLC vrstev nejspíše pramení z působení tepelných a tlakových špiček(spikes), které vznikají dopadem energických představitelů (iontů) na rostoucí povrch. Metody přípravy zahrnují jednotlivé nizko energetické svazky uhlíkových iontů, duální iontovy svazek uhlikových a argonových iontů, iontové plátování, radiofrekvenční naprašování nebo naprašování iontovým svazkem z uhlíkového/grafitového terce a laserová ablace. V rf PECVD reaktorech jsou substráty umístěny na rf-powered elektrodě, tím se dosáhne negativního dc předpětí, který je nezávislý na použití druhu prekurzoru, depozičních parametrech (např. tlak, výkon) a plochy elektrod [19]. Rychlost růstu vrstev může klesat pokud ředíme prekurzor (pracovní plyn) vodíkem a v některých případech má přidání vodíku škodlivý vliv na vlastnosti vrstvy. V jiných případech bylo prokázáno, že při určitých podmínkách depozice přidání argonu k uhlovodíkovému prekursoru může vést ke zlepšení vlastností DLC vrstev. K přípravě DLC vrstev existuje vedle velké rozmanitosti pracovních plynů (prekursorů) také rozsáhlý počet depozičních parametrů. Depozice DLC vrstev byla prováděná v radiofrekvenčním PECVD systému při rf výkonu W, negativním předpětí v rozsahu V dc, tlaku 6 mtorr Torr a teplotou substrátu mezi pokojovou teplotou a 250 C. Z publikovaných prací není možné vždy přesně rozhodnout jak volit hustotu výkonu a rf power, protože depozice byly prováděny v různých typech reaktorů. Nicméně obecně lze říci, že hustoty výkonu v řádech W/cm 2 jsou používány k přípravě DLC vrstev pomocí PECVD. Depozice DLC vrstev musí být provedena při teplotě substrátu pod 325 C, aby se předešlo grafitizaci [19]. V PECVD procesech roste DLC vrstva hlavně kondenzací radikálů, které se vytváří v plasmě. Nicméně koncentrace iontů v plasmě je o několik řádů nižší než koncentrace radikálů, bombardování ionty je tedy důležitý faktor ovlivňující růst a vlastnosti vrstev. Použitím správných podmínek vrstvy deponované na elektrodě s předpětím (rf reaktor) vznikají tvrdé DLC vrstvy [19]. Modifikované DLC vrstvy mohou být připraveny PECVD přimícháním nestálých(těkavých) prekurzorů modifikujících prvků k hlavnímu přívodu plynu. Vrstvy NDLC (nebo CNx) jsou připravovány ze směsí uhlovodík s dusíkem, vrstvy SiDLC jsou připravovány přidáním zředěného SiH 4 k uhlovodíku a vrstvy FDLC byly deponovány z čistého fluorovaného uhlovodíku nebo je fluorovaný uhlovodík ředěn vodíkem. Inkorporace kovu byla dosažena rozprašováním kovu nebo terče karbidu kovu v plazmě se směsí argonu s uhlovodíku [19] Použití prekurzoru (pracovního plynu) Plasma inertního plynu (argon, helium) štěpí chemické vazby (např. C-H, C-C, C=C). Na povrchu nebo v jeho blízkosti se generují volné radikály. Radikály spolu reagují buď přímo (pokud je polymerní řetězec flexibilní) nebo díky migraci v polymerním řetězci tzv. chain-transfer [20]. Plyn, který je použit při PECVD depozici má významný vliv na výsledné vlastnosti a-c:h vrstev. Depoziční rychlost vzrůstá přibližně exponencionálně s poklesem ionizační energie viz.obr.14 [12]. 17

18 Depozice tenkých vrstev Obr. 14. Rychlost růstu a-c:h vrstev deponovaných PECVD vs ionizační potenciál primárního plynu [12]. Pro technické aplikace je žádoucí co nejvíce zvýšit tvrdost vrstvy, což znamená minimalizovat obsah vodíku ve vrstvě. Toto vyžaduje použití prekursoru s nízkým poměrem (podílem) H/C, jako je např. acetylen [12]. Je známo, že vlastnosti DLC vrstev závisí na iontové energii na atom uhlíku. Takže iont benzenu C 6 H + n se šesti uhlíky vyžaduje vysoké proudové předpětí k dosažení požadovaných 100V na atom. Acetylen je přijatelnější protože 200 V se snáze ovládá. Acetylen je velice vhodný zdrojový plyn pro nízkotlaké depozice, protože jeho silná C C vazba má jednoduchý disociační vzor, produkujíc hlavně C 2 H + n ionty. Acetylen je preferovaný zdrojový plyn pro technické aplikace. Ačkoli použití acetylenu není vyhovující pro elektronické aplikace, protože není dostupný ve vysoké čistotě. Metan zůstává oblíbenou volbou pro elektronické aplikace, protože je dostupný ve vysoké čistotě, ale rychlost růstu vrstvy je nižší a obsahuje vysoký obsah vodíku. Depoziční proces, který vytváří sp 3 vazby je fyzikální proces. Největší podíl sp 3 vazeb je tvořen ionty C +, který mají iontovou energii kolem 100eV [12] Předpětí a vliv teploty Předpětí substrátu se zdá jako dominantní faktor, který ovlivňuje vlastnosti DLC vrstev. Jejich tvrdost, hustota a index lomu vzrůstá s rostoucím předpětím, zatímco jejich obsah vodíku a optický pás obvykle klesá s rostoucím předpětím. V depozičních systémech PECVD je předpětí substrátu měněno frekvenčně pomocí změny rf power (W) a/nebo tlaku v reaktoru (p). Předpětí substrátu (V B ) souvisí v určitém reaktoru těmto dvěma parametrům podle rovnice: V B (W/ p) ½ Při relativně vysokých tlacích použitých k přípravě DLC vrstev jsou ionty rozptylovány kolizemi a dosahují substrátu s rozdělením energie nižší než použité předpětí. Průměrná nárazová energie (E) iontů bombardující rostoucí vrstvu proto závisí na předpětí a tlaku v reaktoru dle vztahu: E (V B / p ½ ) 18

19 Depozice tenkých vrstev Minimální předpětí, které je požadované k získání diamondlike charakteristických vlastností může být také ovlivňováno typem prekurzoru, který je použitý k depozici vrstev. A tak pro vrstvy, které jsou deponovány z cyklohexanu je požadováno vyšší předpětí substrátu než u vrstev deponovaných z acetylenu. Snížení předpětí v případě použití cyklohexanu je možno dosáhnout zvýšením iontového bombardu. Předpětí subatrátu je mírou průměrné iontové energie; při charakteristickém pracovním tlaku (3Pa), Ei ~0.4Vb. Obsah vodíku a sp 3 klesá s rostoucím Vb, takže vrstvy jsou velmi polymerní, pokud Vb je nízké a grafitické při Vb ~ 1000 V. Maximální diamond-like charakter je při středním předpětí, kde hustota prochází maximem. Šířka zakázaného pásu závisí v určité míře také na Vb při depozici pro každý plyn zatímco hustota se mění jak s Vb tak i s plynem. Teplota substrátu během depozice je další parametr, který může ovlivňovat vlastnosti a depoziční rychlosti DLC vrstev. Depoziční rychlost DLC vrstev vzrůstá s klesající teplotou a rostoucím iontovým bombardem. Optický pás DLC vrstev se zužuje s rostoucí teplotou substrátu, s prudkým poklesem, který nastává při teplotě nad 250 C. Zatímco některé vlastnosti DLC vrstev, např. jejich index lomu nebo odolnost proti opotřebení jsou slabou funkcí depoziční teploty, teplota substrátu může mít významný vliv na jejich obsah vodíku a tepelné stabilitě. Depozice při teplotách nad 325 C způsobuje ostrý pokles jejich elektrického odporu a výrazné měknutí vrstvy. Proto se depozice DLC vrstev odehrává při teplotách substrátu hodně pod 300 C. Nízká depoziční teplota může při určitých podmínkách vést k tvorbě polymerlike vrstvy nebo polymerlike frakce zabudované v tvrdé DLC vrstvě [19]. Převládající iontový představitelé u CH 4, C 2 H 2, C 6 H 6 jsou CH 4 +, C 2 H 2 +, C 6 H 6 +, např. plasma C n produkuje převážně C n + ionty [12]. Změna hustoty vrstvy s předpětím pro každý zdrojový plyn je zobrazena na obr.15. Molekulový iont dopadající na povrch vrstvy se rozpadne na atomový iont a energie se rozdělí rovnoměrně. Obr. 15. Hustota a-c:h připravených z CH 4, C 2 H 2 a C 6 H 6 vs. předpětí přiřazená k energii na iont C. Z obr.je patrné, že se maximum vyskytuje při podobné energii [12]. 19

20 Depozice tenkých vrstev Existují 3 hlavní etapy (fáze) depozice: reakce v plazmě (disociace, ionizace, atd.), interakce plasma-povrch a podpovrchové reakce ve vrstvě [12]. Uvažujeme-li procesy probíhající v rámci pevné fáze. a-c:h povrchová vrstva musí být dehydrogenovaná aby vytvořila vrstvu. Ve a-c:h vrstvách dochází k tepelně aktivované dehydrogenaci reakcí zanechajíc nechtěné sp 2. Přeměna sp 2 na sp 3 proběhne stlačením - reakcí při konstantním obsahu H. Pozn. samotnou hydrogenizací dochází k tvorbě sp 3 vazeb. Pouze iontový bombard vytváří kvartérní C (nehydrogenizovaný sp 3 C), který je potřebný k tvorbě tvrdých a-c:h vrstev. Dopadající ionty dehydrogenizují a-c:h přednostním přemístěním atomů vodíku. Vodík je přednostně odstraněn, poněvadž jeho prahová hodnota přemístění je nižší než uhlíku (3eV vs. 25eV), v podstatě proto, že je vodík jednomocný zatímco uhlík je vázán k dalším 4 atomům. Volné atomy vodíku se následně znovu spojit do molekul H 2, které potom unikají (efúzí) mikropóry vrstvy [12]. na Výsledkem iontově indukované dehydrogenace je přeměna skupin =(CH).(CH)= skupiny =C=C= viz rovnice nebo skupin CH 2 CH 2 na CH=CH skupiny a dochází tím ke změně složení dle obr.16. Obr. 16. Změna složení vrstev v závislosti na dehydrogenaci[12]. Povrch a-c:h je v podstatě zcela pokryt vazbami C-H, takže je chemicky netečný. Diradikály a další nenasycení představitelé mohou přímo vložit do povrchu vazby C-C nebo C-H, takže výrazně reagují s vrstvou a jejich koeficient ulpění se blíží k 1. Monoradikály se nemohou vložit přímo do vazby, mohou pouze reagovat s vrstvou pokud existuje na jejím povrchu volná vazba. Připojí se k této vazbě, aby vytvořili C-C vazbu. Volná vazba musí být vytvořena odstraněním H z povrchu C-H vazby. Toho může být dosaženo pokud iont odstranění H z vazby nebo vodíkový atom odstraní H z vazby, C + H > C + H 2 nebo další radikál jako CH 3 odstraní H z C-H vazby. CH 3 se pak připojí do této volné vazby, C-CH 3 > C-CH 3 [12]. 20

21 Depozice tenkých vrstev Neutrální uhlovodíkový představitelé mohou pouze reagovat na povrchu, nemohou pronikat do vrstvy. Atomy vodíku a ionty jsou na tom rozdílně. Atomy vodíku jsou tak malé, že mohou pronikat do přibližně 2nm do vrstvy. Tam mohou znovu odstranit vodík z vazeb C-H a vytvořit podpovrchovou volnou vazbu a molekuly H 2. Některé tyto volné vazby budou znovu nasyceny(obsazeny) atomovým vodíkem [12]. Ionty mohou také pronikat vrstvou. Typická role iontů v a-c:h je odstranit vodík z vazeb C-H. Tento vodík se znovu sloučí jiným H a vytvoří molekulu H 2, která desorbuje z vrstvy. To je hlavní proces, který způsobuje, že obsah vodíku v a-c:h klesá s rostoucím předpětím [12]. Depozice a-c:h se skládá ze tří základních procesů: tvorba C x H x iontů v plasmě, interakce těchto iontů s rostoucí vrstvou a reakce uvnitř (v rámci pevné fáze). Depoziční proud deponovaných a-c:h vrstev se skládá z iontů, radikálů a nedisociovaných molekul zdrojového plynu [12]. Každý představitel v elektronovém svazku má různý koeficient ulpění. Ionty mají koeficient ulpění s ~ 1, díky jejich vysoké energii. Molekuly mají nízké koeficient ulpění (s ~10-3 ), protože mají velmi nízké energie a uzavřené valenční slupky [12]. Obr. 17. Dílčí procesy při mechanismu růstu a-c:h vrstev [12]. Koeficient ulpění radikálů se může měnit s počtem jejich neobsazených valenčních elektronů. Depozice se účastní i neutrální představitelé. Toto vedlo autory Catherine, Deutsch et al. a Moiler a kolektiv k vytvoření modelu růstu adsorbované vrstvy. V tomto modelu radikály nejprve adsorbují jako povrchová vrstva. Potom mohou desorbovat nebo dojde k jejich zabudování do objemu vrstvy [12]. Vlastnosti a-c:h závisí na iontové energii atomu C, E. Když molekulární iont (C m H n + ) narazí na povrch vrstvy rozpadne se a sdílí kinetickou energii mezi jednotlivými produkty štěpení/rozpadu atomů uhlíku. To znamená, že vlastnosti a-c:h vrstev závisí na molekule prekurzoru. I když maximum hustoty pro vrstvy a-c:h připravených z acetylenu se objeví při cca dvojnásobném předpětí než je tomu u metanu a než je u benzenu cca 6x. To odpovídá různým variacím sp 3 frakce a hustoty prekurzoru [12]. 21

22 Depozice tenkých vrstev Obsah vodíku v a-c:h vrstvách je vždy mírně nižší než u molekul prekurzoru. Vodík je ztracen během růstu chemickým naprašováním vytlačení (odstranění, nahrazování) H z C H vazeb vstupujícími ionty. Tento proces je přibližně úměrný molekulové iontové energii. Obsah vodíku u vrstev připravených z metanu je vyšší než u vrstev připravených z jiných prekurzorů, hlavně proto, že podíl H/C u metanu je velmi velký [12]. Korelace mezi kinetickou energií dopadajících iontů na povrch rostoucí vrstvy a složením vrstvy bude následně vysvětlena. Pronikající iont přemístí (odstraní) dominantně vázaný vodík v kaskádě nárazů, z důvodu nižší prahové energie na přemístění vodíku (2,5 ev) v porovnání s sp 2 a sp 3 vázaném uhlíku (25 ev) v a-c:h vrstvách. Odstraněné (vytržené) atomy vodíku se mohou znovu sloučit s defekty mřížky nebo mohou formovat molekuly H 2 přes oddělování vázaného vodíku v C:H mřížce. Molekuly H 2 jsou buď zachyceny ve vnitřních mezerách nebo difundují k povrchu kde desorbují. Následkem toho, obsah vodíku klesá s rostoucí energií iontů. Současně se snižováním obsahu vodíku, poměr vazeb sp 2 / sp 3 vzrůstá [21]. Hustota vrstvy vzrůstá v důsledku rostoucí iontové energie. Rostoucí iontová energie má za následek vznik více kompaktní uhlíkové kostry s rostoucím počtem vazeb mezi polymerními řetězci. Zvýšením energie dopadajících iontů na povrch vrstvy nebo snížením koncentrace atomového vodíku v plazmě, jsou preferované konfigurace sp 2, což vede k většímu množství absorbovaného materiálu s nižším podílem vodíku, od 55 do 35 at% [22]. Vazby a vlastnosti a-c:h vrstev spadají do tří režimů definovaných iontovou energií nebo předpětím Vb použitých při depozici. Skutečná hodnota Vb pro tyto režimy závisí na pracovním plynu (prekursoru) a depozičním tlaku. Při nízkém předpětí vrstvy obsahují velké množství vodíku, velký obsah sp 3 vazeb a malou hustotu. Vrstvy se nazývají měkké (polymerní) a-c:h. Optický pás je přes 1,8 ev a může dosáhnout (se zvětšit ) až k 3,5 nebo 4 ev. (tj. velmi široký pás). Při středních hodnotách předpětí se obsah vodíku snižuje, vrstvy dosahují maximální hustoty, vazby C-C sp 3 dosahují svého maxima a vrstvy dosahují nejvíce diamond-like charakteru. Optický pás leží v rozsahu 1,2 1,7eV. Při velkých předpětích, obsah vodíku se dále sníží a vazba se stane více sp 2. Tyto vrstvy mohou být označovány grafitické [12]. Cluster model je založen na pozorování, že σ a π stavy leží v oblasti různých energií a že π stavy leží v rovině kolmé k σ vazbám u sp 2, takže jejich interakce je malá. Hlavní efekt je, že π vazby preferují vznik clusterů sp 2 stavů. Libovolná síť π stavů vytváří z poloviny zaplněný pás. Vazebná energie obsazeného stavu je snížena pokud jeden vytvoří mezeru v tomto stavu ve Fermiho hladině, E F. Model navrhuje, že sp 2 stavy mají tendenci být uspořádány v rovině, π vázaný cluster určité velikosti je zakotvený v sp 3 vázané matrici. Uspořádání sp 2 kontroluje elektronické(elektronové) vlastnosti a optický pás, protože jejich π stavy leží nejblíže k Fermiho hladině, zatímco sp 3 matrice ovládá mechanické vlastnosti. Vliv π vazeb je, za prvé, π stavy jsou stabilizovány tím, že vytváří rovnoběžně orientované páry. Ty jsou dále stabilizovány tím, že vytvoří 6-stranné aromatické prstence(kroužky) a potom pokud se prstence propojí vzniknou grafitový clustery. π stavy clusterů kontrolují optické pásy, které jsou závislé na střední velikosti clusteru. Mezery ve stavech σ jsou mnohem větší (širší) než u stavů π, takže sp 3 vázaná matrice vytvoří tunelovou bariéru mezi clustery. Vrstvy a-c:h obsahují podobné koncentrace sp 2 a sp 3 vazeb [12]. 22

23 Depozice tenkých vrstev Obr. 18. Schématický diagram clusterů vrstev a-c:h deponovaných v plazmě [12]. 4 Struktura a složení vrstev DLC a podobných materiálů Vlastnosti DLC vrstev jsou určeny hybridizací vazeb atomů uhlíku a relativní hustotou různých vazeb tj. sp 3 :sp 2 :sp 1, a také rozložením vodíku podél různých typů vazeb. V hydrogenovaných DLC vrstvách jsou některé vazby uhlíku ukončeny vodíkem. Část vodíku může být začleněná jako samotné atomy stejně jako molekuly v mezerách (pórech, dutinách). V závislosti na depozičních podmínkách více než 50% vodíku začleněného v DLC vrstvách může opravdu být ve formě volného vodíku. Struktura hydrogenovaných DLC vrstev může být popsána jako nepravidelná síť kovalentně vázaného uhlíku v různých koordinacích. Dle Robertsona, existuje kromě pořádku na krátkou vzdálenost určeného hybridizací uhlíku a obsahu vodíku existuje ve vrstvě pořádek na střední vzdálenost (short range order) ~1-nm. Materiál lze podle toho popsat jako síť grafitických clusterů spojených do ostrůvků sp 3 vazbami. Vznik grafitických clusterů uvolňuje vnitřní napětí v DLC struktuře [19]. 4.1 Charakteristika vazeb mechanismy vzniku sp 3 a sp 2 vazeb Výsledná stechiometrie a materiálové vlastnosti vrstev silně závisí na složení, proudění a energii dopadajících jednotlivých představitelů vytvářejících vrstvu. Použitím předpětí substrátu může být například změněna struktura vrstvy od Polymer-like (PLC) a měkké vrstvy po vrstvy tvrdé a odolné proti opotřebení (DLC) [21]. U vrstev typu a-c je možno dosáhnout v závislosti na depozičních podmínkách až 90% sp 3 vazeb. Hustota grafitu a diamantu se liší, a proto je hustota vrstev a-c úzce spjata s množstvím vytvořených sp 3 vazeb. Vznik sp 3 vazeb je dán iontovým proudem, který způsobí metastabilní nárůst hustoty. Je předpokládáno, že hybridizace je závislá na lokální hustotě a to pokud je hustota vysoká vytvoří se více sp 3 vazeb. K vysoké hustotě dojde tehdy, pokud dopadající iont projde první atomovou vrstvou, přechodně zaujme intersticiální polohu a zvýší tím místní hustotu (obr. 19). Místní vazba okolo atomu se pak změní tak, aby se stala vazbou vhodnou k hybridizaci. Pokud je energie iontů příliš nízká, penetrace skončí neúspěchem a iont uvázne na povrchu a vytvoří sp 2 vazbu. Při vyšší energii iontů budou ionty pronikat hlouběji do substrátu a vzroste hustota v dalších vrstvách, které jsou dále od povrchu. V podstatě, všechny pronikající ionty zvyšují hustotu. 23

TEPLOTNÍ ODOLNOST PVD VRSTEV VŮČI LASEROVÉMU POVRCHOVÉMU OHŘEVU

TEPLOTNÍ ODOLNOST PVD VRSTEV VŮČI LASEROVÉMU POVRCHOVÉMU OHŘEVU TEPLOTNÍ ODOLNOST PVD VRSTEV VŮČI LASEROVÉMU POVRCHOVÉMU OHŘEVU Beneš, P. 1 Sosnová, M. 1 Kříž, A. 1 Vrstvy a Povlaky 2007 Solaň Martan, M. 2 Chmelíčková, H. 3 1- Katedra materiálu a strojírenské metalurgie-

Více

Chemická vazba. Příčinou nestability atomů a jejich ochoty tvořit vazbu je jejich elektronový obal.

Chemická vazba. Příčinou nestability atomů a jejich ochoty tvořit vazbu je jejich elektronový obal. Chemická vazba Volné atomy v přírodě jen zcela výjimečně (vzácné plyny). Atomy prvků mají snahu se navzájem slučovat a vytvářet molekuly prvků nebo sloučenin. Atomy jsou v molekulách k sobě poutány chemickou

Více

Uhlík a jeho alotropy

Uhlík a jeho alotropy Uhlík Uhlík a jeho alotropy V přírodě se uhlík nachází zejména v karbonátových usazeninách, naftě, uhlí, a to jako směs grafitu a amorfní formy C. Rozeznáváme dvě základní krystalické formy uhlíku: a)

Více

Uhlíkové struktury vázající ionty těžkých kovů

Uhlíkové struktury vázající ionty těžkých kovů Uhlíkové struktury vázající ionty těžkých kovů 7. června/june 2013 9:30 h 17:30 h Laboratoř metalomiky a nanotechnologií, Mendelova univerzita v Brně a Středoevropský technologický institut Budova D, Zemědělská

Více

Maturitní témata fyzika

Maturitní témata fyzika Maturitní témata fyzika 1. Kinematika pohybů hmotného bodu - mechanický pohyb a jeho sledování, trajektorie, dráha - rychlost hmotného bodu - rovnoměrný pohyb - zrychlení hmotného bodu - rovnoměrně zrychlený

Více

Teorie hybridizace. Vysvětluje vznik energeticky rovnocenných kovalentních vazeb a umožňuje předpovědět prostorový tvar molekul.

Teorie hybridizace. Vysvětluje vznik energeticky rovnocenných kovalentních vazeb a umožňuje předpovědět prostorový tvar molekul. Chemická vazba co je chemická vazba charakteristiky chemické vazby jak vzniká vazba znázornění chemické vazby kovalentní a koordinační vazba vazba σ a π jednoduchá, dvojná a trojná vazba polarita vazby

Více

KRITÉRIA VOLBY METODY A TRENDY TEPELNÉHO DĚLENÍ MATERIÁLŮ Ing. Martin Roubíček, Ph.D. - Air Liquide

KRITÉRIA VOLBY METODY A TRENDY TEPELNÉHO DĚLENÍ MATERIÁLŮ Ing. Martin Roubíček, Ph.D. - Air Liquide KRITÉRIA VOLBY METODY A TRENDY TEPELNÉHO DĚLENÍ MATERIÁLŮ Ing. Martin Roubíček, Ph.D. - Air Liquide Metody tepelného dělení, problematika základních materiálů Tepelné dělení materiálů je lze v rámci strojírenské

Více

Chemická vazba Něco málo opakování Něco málo opakování Co je to atom? Něco málo opakování Co je to atom? Atom je nejmenší částice hmoty, chemicky dále nedělitelná. Skládá se z atomového jádra obsahujícího

Více

Úvod do laserové techniky KFE FJFI ČVUT Praha Michal Němec, 2014. Plynové lasery. Plynové lasery většinou pracují v kontinuálním režimu.

Úvod do laserové techniky KFE FJFI ČVUT Praha Michal Němec, 2014. Plynové lasery. Plynové lasery většinou pracují v kontinuálním režimu. Aktivní prostředí v plynné fázi. Plynové lasery Inverze populace hladin je vytvářena mezi energetickými hladinami některé ze složek plynu - atomy, ionty nebo molekuly atomární, iontové, molekulární lasery.

Více

Dělení a svařování svazkem plazmatu

Dělení a svařování svazkem plazmatu Dělení a svařování svazkem plazmatu RNDr. Libor Mrňa, Ph.D. Osnova: Fyzikální podstat plazmatu Zdroje průmyslového plazmatu Dělení materiálu plazmou Svařování plazmovým svazkem Mikroplazma Co je to plazma?

Více

Vysoká škola technická a ekonomická v Českých Budějovicích. Institute of Technology And Business In České Budějovice

Vysoká škola technická a ekonomická v Českých Budějovicích. Institute of Technology And Business In České Budějovice KAPITOLA 2: PRVEK Vysoká škola technická a ekonomická v Českých Budějovicích Institute of Technology And Business In České Budějovice Tento učební materiál vznikl v rámci projektu "Integrace a podpora

Více

Základní škola, Ostrava Poruba, Bulharská 1532, příspěvková organizace

Základní škola, Ostrava Poruba, Bulharská 1532, příspěvková organizace Fyzika - 6. ročník Uvede konkrétní příklady jevů dokazujících, že se částice látek neustále pohybují a vzájemně na sebe působí stavba látek - látka a těleso - rozdělení látek na pevné, kapalné a plynné

Více

Úpravy povrchu. Pozinkovaný materiál. Zinkový povlak - záruka elektrochemického ochranného působení 1 / 16

Úpravy povrchu. Pozinkovaný materiál. Zinkový povlak - záruka elektrochemického ochranného působení 1 / 16 Úpravy povrchu Pozinkovaný materiál Zinkový povlak - záruka elektrochemického ochranného působení 1 / 16 Aplikace žárově zinkovaných předmětů Běžnou metodou ochrany oceli proti korozi jsou ochranné povlaky,

Více

Metody využívající rentgenové záření. Rentgenovo záření. Vznik rentgenova záření. Metody využívající RTG záření

Metody využívající rentgenové záření. Rentgenovo záření. Vznik rentgenova záření. Metody využívající RTG záření Metody využívající rentgenové záření Rentgenovo záření Rentgenografie, RTG prášková difrakce 1 2 Rentgenovo záření Vznik rentgenova záření X-Ray Elektromagnetické záření Ionizující záření 10 nm 1 pm Využívá

Více

Tabulace učebního plánu. Vzdělávací obsah pro vyučovací předmět : Fyzika. Ročník: I.ročník - kvinta

Tabulace učebního plánu. Vzdělávací obsah pro vyučovací předmět : Fyzika. Ročník: I.ročník - kvinta Tabulace učebního plánu Vzdělávací obsah pro vyučovací předmět : Fyzika Ročník: I.ročník - kvinta Fyzikální veličiny a jejich měření Fyzikální veličiny a jejich měření Soustava fyzikálních veličin a jednotek

Více

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Fakulta technologická. Ing. Ondřej Hudeček Ing. Tomáš Sedláček, PhD.

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Fakulta technologická. Ing. Ondřej Hudeček Ing. Tomáš Sedláček, PhD. Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Fakulta technologická Ing. Ondřej Hudeček Ing. Tomáš Sedláček, PhD. 1 Obsah Úvod do problematiky Dostupná technologická zařízení Pracující v podtlaku Pracující při atmosférických

Více

U BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D.

U BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D. Napěťový průraz polovodičových přechodů Zvyšování napětí na přechodu -přechod se rozšiřuje, ale pouze s U (!!) - intenzita elektrického pole roste -překročení kritické hodnoty U (BR) -vzrůstu závěrného

Více

VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH

VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH Jan Hruška TV-FYZ Ahoj, tak jsme tady znovu a pokusíme se Vám vysvětlit problematiku vedení elektrického proudu v látkách. Co je to vlastně elektrický proud? Na to

Více

MIKROPORÉZNÍ TECHNOLOGIE

MIKROPORÉZNÍ TECHNOLOGIE MIKROPORÉZNÍ TECHNOLOGIE Definice pojmů sdílení tepla a tepelná vodivost Základní principy MIKROPORÉZNÍ TECHNOLOGIE Definice pojmů sdílení tepla a tepelná vodivost Co je to tepelná izolace? Jednoduše řečeno

Více

VODIVOST x REZISTIVITA

VODIVOST x REZISTIVITA VODIVOST x REZISTIVITA Ohmův v zákon: z U = I.R = ρ.l.i / S napětí je přímo úměrné proudu, který vodičem prochází drát délky l a průřezu S, mezi jehož konci je napětí U ρ převrácená hodnota měrné ele.

Více

3) Vazba a struktura. Na www.studijni-svet.cz zaslal(a): Lenka

3) Vazba a struktura. Na www.studijni-svet.cz zaslal(a): Lenka Na www.studijni-svet.cz zaslal(a): Lenka CHEMICKÍ VAZBA = síly, kterými jsou k sobě navzájem vázány sloučené atomy v molekule, popř. v krystalové struktuře - v převážné většině jde o sdílení dvojic elektronů

Více

Polovodičové diody Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA)

Polovodičové diody Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA) Polovodičové diody varikap, usměrňovací dioda, Zenerova dioda, lavinová dioda, tunelová dioda, průrazy diod Polovodičové diody (diode) součástky s 1 PN přechodem varikap usměrňovací dioda Zenerova dioda

Více

1. Řešitelský kolektiv: VŠCHT Praha: Prof. Dr. Ing. Josef Krýsa Ing. Jiří Zita, PhD Ing. Martin Zlámal

1. Řešitelský kolektiv: VŠCHT Praha: Prof. Dr. Ing. Josef Krýsa Ing. Jiří Zita, PhD Ing. Martin Zlámal Příloha - Závěrečná zpráva - Centralizovaný projekt č. C40: Laboratoř pro přípravu a testování samočisticích vlastností tenkých nanočásticových vrstev Program na podporu vzájemné spolupráce vysokých škol

Více

ZŠ ÚnO, Bratří Čapků 1332

ZŠ ÚnO, Bratří Čapků 1332 Animovaná chemie Top-Hit Analytická chemie Analýza anorganických látek Důkaz aniontů Důkaz kationtů Důkaz kyslíku Důkaz vody Gravimetrická analýza Hmotnostní spektroskopie Chemická analýza Nukleární magnetická

Více

Úvod do fyziky plazmatu

Úvod do fyziky plazmatu Úvod do fyziky plazmatu Plazma Velmi často se o plazmatu mluví jako o čtvrtém skupenství hmoty Název plazma pro ionizovaný plyn poprvé použil Irwing Langmuir (1881 1957) v roce 1928, protože mu chováním

Více

ZŠ ÚnO, Bratří Čapků 1332

ZŠ ÚnO, Bratří Čapků 1332 Úvodní obrazovka Menu (vlevo nahoře) Návrat na hlavní stránku Obsah Výsledky Poznámky Záložky edunet Konec Chemie 1 (pro 12-16 let) LangMaster Obsah (střední část) výběr tématu - dvojklikem v seznamu témat

Více

Na Zemi tvoří vodík asi 15 % atomů všech prvků. Chemické slučování je děj, při kterém z látek jednodušších vznikají látky složitější.

Na Zemi tvoří vodík asi 15 % atomů všech prvků. Chemické slučování je děj, při kterém z látek jednodušších vznikají látky složitější. Nejjednodušší prvek. Na Zemi tvoří vodík asi 15 % atomů všech prvků. Chemické slučování je děj, při kterém z látek jednodušších vznikají látky složitější. Vodík tvoří dvouatomové molekuly, je lehčí než

Více

Molekulová spektroskopie 1. Chemická vazba, UV/VIS

Molekulová spektroskopie 1. Chemická vazba, UV/VIS Molekulová spektroskopie 1 Chemická vazba, UV/VIS 1 Chemická vazba Silová interakce mezi dvěma atomy. Chemické vazby jsou soudržné síly působící mezi jednotlivými atomy nebo ionty v molekulách. Chemická

Více

Číslo materiálu Předmět ročník Téma hodiny Ověřený materiál Program

Číslo materiálu Předmět ročník Téma hodiny Ověřený materiál Program Číslo materiálu Předmět ročník Téma hodiny Ověřený materiál Program 1 VY_32_INOVACE_01_13 fyzika 6. Elektrické vlastnosti těles Výklad učiva PowerPoint 6 4 2 VY_32_INOVACE_01_14 fyzika 6. Atom Výklad učiva

Více

Tématické okruhy teoretických zkoušek Part 66 1 Modul 3 Základy elektrotechniky

Tématické okruhy teoretických zkoušek Part 66 1 Modul 3 Základy elektrotechniky Tématické okruhy teoretických zkoušek Part 66 1 3.1 Teorie elektronu 1 1 1 Struktura a rozložení elektrických nábojů uvnitř: atomů, molekul, iontů, sloučenin; Molekulární struktura vodičů, polovodičů a

Více

10. Energie a její transformace

10. Energie a její transformace 10. Energie a její transformace Energie je nejdůležitější vlastností hmoty a záření. Je obsažena v každém kousku hmoty i ve světelném paprsku. Je ve vesmíru a všude kolem nás. S energií se setkáváme na

Více

Elektronová mikroskopie SEM, TEM, AFM

Elektronová mikroskopie SEM, TEM, AFM Elektronová mikroskopie SEM, TEM, AFM Historie 1931 E. Ruska a M. Knoll sestrojili první elektronový prozařovací mikroskop 1939 první vyrobený elektronový mikroskop firma Siemens rozlišení 10 nm 1965 první

Více

- 120 - VLIV REAKTOROVÉHO PROSTŘEDl' NA ZKŘEHNUTI' Cr-Mo-V OCELI

- 120 - VLIV REAKTOROVÉHO PROSTŘEDl' NA ZKŘEHNUTI' Cr-Mo-V OCELI - 120 - VLIV REAKTOROVÉHO PROSTŘEDl' NA ZKŘEHNUTI' Cr-Mo-V OCELI Ing. K. Šplíchal, Ing. R. Axamit^RNDr. J. Otruba, Prof. Ing. J. Koutský, DrSc, ÚJV Řež 1. Úvod Rozvoj trhlin za účasti koroze v materiálech

Více

Úvod do studia organické chemie

Úvod do studia organické chemie Úvod do studia organické chemie 1828... Wöhler... uměle připravil močovinu Organická chemie - chemie sloučenin uhlíku a vodíku, případně dalších prvků (O, N, X, P, S) Příčiny stability uhlíkových řetězců:

Více

Vyšší odborná škola, Obchodní akademie a Střední odborná škola EKONOM, o. p. s. Litoměřice, Palackého 730/1

Vyšší odborná škola, Obchodní akademie a Střední odborná škola EKONOM, o. p. s. Litoměřice, Palackého 730/1 DUM Základy přírodních věd DUM III/2-T3-2-20 Téma: Test obecná chemie Střední škola Rok: 2012 2013 Varianta: A Test obecná chemie Zpracoval: Mgr. Pavel Hrubý Mgr. Josef Kormaník TEST Otázka 1 OsO 4 je

Více

Molekuly 1 21.09.13. Molekula definice IUPAC. Proč existují molekuly? Molekuly. Kosselův model. Představy o molekulách. mezi atomy vzniká vazba

Molekuly 1 21.09.13. Molekula definice IUPAC. Proč existují molekuly? Molekuly. Kosselův model. Představy o molekulách. mezi atomy vzniká vazba C e l k o v á e n e r g i e 1.09.13 Molekuly 1 Molekula definice IUPAC l elektricky neutrální entita sestávající z více nežli jednoho atomu. Přesně, molekula, v níž je počet atomů větší nežli jedna, musí

Více

Testové otázky za 2 body

Testové otázky za 2 body Přijímací zkoušky z fyziky pro obor PTA K vypracování písemné zkoušky máte k dispozici 90 minut. Kromě psacích potřeb je povoleno používání kalkulaček. Pro úspěšné zvládnutí zkoušky je třeba získat nejméně

Více

KOMPLEXNÍ VZDĚLÁVÁNÍ KATEDRA STROJNÍ SPŠSE a VOŠ LIBEREC

KOMPLEXNÍ VZDĚLÁVÁNÍ KATEDRA STROJNÍ SPŠSE a VOŠ LIBEREC KOMPLEXNÍ VZDĚLÁVÁNÍ KATEDRA STROJNÍ SPŠSE a VOŠ LIBEREC CNC CAM CNC CNC OBECNĚ (Kk) SOUSTRUŽENÍ SIEMENS (Ry) FRÉZOVÁNÍ SIEMENS (Hu) FRÉZOVÁNÍ HEIDENHEIM (Hk) CAM EdgeCAM (Na) 3D OBJET PRINT (Kn) CNC OBECNĚ

Více

Trvanlivost,obrobitelnost,opotřebení břitu

Trvanlivost,obrobitelnost,opotřebení břitu Střední průmyslová škola a Vyšší odborná škola technická Brno, Sokolská 1 Šablona: Název: Téma: Autor: Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Obrábění Trvanlivost,obrobitelnost,opotřebení břitu

Více

Inveio Uni-directional crystal orientation. GC4325 stvořena pro dlouhou výdrž. Extrémní trvanlivost a odolnost při soustružení ocelí

Inveio Uni-directional crystal orientation. GC4325 stvořena pro dlouhou výdrž. Extrémní trvanlivost a odolnost při soustružení ocelí Inveio Uni-directional crystal orientation stvořena pro dlouhou výdrž Extrémní trvanlivost a odolnost při soustružení ocelí Břity, na které je spolehnutí V malé zemi na severní polokouli, se tým specialistů

Více

OBSAH str. B 3. Frézovací nástroje s VBD str. B 5

OBSAH str. B 3. Frézovací nástroje s VBD str. B 5 Frézování OBSAH str. B 3 Frézovací nástroje s VBD Frézovací tělesa Frézovací vyměnitelné břitové destičky Technické informace Tvrdokovové monolitické stopkové frézy Tvrdokovové monolitické stopkové frézy

Více

Alexandra Kloužková 1 Martina Mrázová 2 Martina Kohoutková 2 Vladimír Šatava 2

Alexandra Kloužková 1 Martina Mrázová 2 Martina Kohoutková 2 Vladimír Šatava 2 Syntéza leucitové suroviny pro dentální kompozity 1 Ústav skla a keramiky VŠCHT Praha VYSOKÁ ŠKOLA CHEMICKO- TECHNOLOGICKÁ V PRAZE Alexandra Kloužková 1 Martina Mrázová 2 Martina Kohoutková 2 Vladimír

Více

POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ. (40) Zveřejněno 31 07 79 N

POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ. (40) Zveřejněno 31 07 79 N ČESKOSLOVENSKÁ SOCIALISTICKÁ R E P U B L I K A (19) POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ 196670 (11) (Bl) (51) Int. Cl. 3 H 01 J 43/06 (22) Přihlášeno 30 12 76 (21) (PV 8826-76) (40) Zveřejněno 31 07

Více

univerzálnost T9315 T9325 Nové soustružnické materiály www.pramet.com

univerzálnost T9315 T9325 Nové soustružnické materiály www.pramet.com univerzálnost www.pramet.com Nové soustružnické materiály řady T93 s MT-CVD povlakem P M nové soustružnické materiály řady T93 Přinášíme novou UP!GRADE GENERACI soustružnických materiálů s označením T93.

Více

Tabulace učebního plánu. Obecná chemie. Vzdělávací obsah pro vyučovací předmět : Ročník: 1.ročník a kvinta

Tabulace učebního plánu. Obecná chemie. Vzdělávací obsah pro vyučovací předmět : Ročník: 1.ročník a kvinta Tabulace učebního plánu Vzdělávací obsah pro vyučovací předmět : CHEMIE Ročník: 1.ročník a kvinta Obecná Bezpečnost práce Názvosloví anorganických sloučenin Zná pravidla bezpečnosti práce a dodržuje je.

Více

HODNOCENÍ POVRCHOVÝCH ZMEN MECHANICKÝCH VLASTNOSTÍ PO ELEKTROCHEMICKÝCH ZKOUŠKÁCH. Klára Jacková, Ivo Štepánek

HODNOCENÍ POVRCHOVÝCH ZMEN MECHANICKÝCH VLASTNOSTÍ PO ELEKTROCHEMICKÝCH ZKOUŠKÁCH. Klára Jacková, Ivo Štepánek HODNOCENÍ POVRCHOVÝCH ZMEN MECHANICKÝCH VLASTNOSTÍ PO ELEKTROCHEMICKÝCH ZKOUŠKÁCH Klára Jacková, Ivo Štepánek Západoceská univerzita v Plzni, Univerzitní 22, 306 14 Plzen, CR, ivo.stepanek@volny.cz Abstrakt

Více

FYZIKA II. Petr Praus 6. Přednáška elektrický proud

FYZIKA II. Petr Praus 6. Přednáška elektrický proud FYZIKA II Petr Praus 6. Přednáška elektrický proud Osnova přednášky Elektrický proud proudová hustota Elektrický odpor a Ohmův zákon měrná vodivost driftová rychlost Pohyblivost nosičů náboje teplotní

Více

Plynové lasery pro průmyslové využití

Plynové lasery pro průmyslové využití Laserové technologie v praxi I. Přednáška č.3 Plynové lasery pro průmyslové využití Hana Chmelíčková, SLO UP a FZÚ AVČR Olomouc, 2011 Využití plynových laserů v průmyslových aplikacích Atomární - He-Ne

Více

Zdroje optického záření

Zdroje optického záření Metody optické spektroskopie v biofyzice Zdroje optického záření / 1 Zdroje optického záření tepelné výbojky polovodičové lasery synchrotronové záření Obvykle se charakterizují zářivostí (zářivý výkon

Více

Termodynamika (td.) se obecně zabývá vzájemnými vztahy a přeměnami různých druhů

Termodynamika (td.) se obecně zabývá vzájemnými vztahy a přeměnami různých druhů Termodynamika (td.) se obecně zabývá vzájemnými vztahy a přeměnami různých druhů energií (mechanické, tepelné, elektrické, magnetické, chemické a jaderné) při td. dějích. Na rozdíl od td. cyklických dějů

Více

ZŠ ÚnO, Bratří Čapků 1332

ZŠ ÚnO, Bratří Čapků 1332 Animovaná fyzika Top-Hit Atomy a molekuly Atom Brownův pohyb Difúze Elektron Elementární náboj Jádro atomu Kladný iont Model atomu Molekula Neutron Nukleonové číslo Pevná látka Plyn Proton Protonové číslo

Více

BEZPEČNÁ PŘEPRAVA NA NOVÝCH KOLECH

BEZPEČNÁ PŘEPRAVA NA NOVÝCH KOLECH BEZPEČNÁ PŘEPRAVA NA NOVÝCH KOLECH www.pramet.com VYMĚNITELNÉ BŘITOVÉ DESTIČKY RCMH - RCMT - RCMX - RCUM OBRÁBĚNÍ NOVÝCH ŽELEZNIČNÍCH KOL ŽELEZNIČNÍ KOLA Železniční kola patří mezi nejdůležitější součásti

Více

odolnost M9315 M9325 M9340 nové frézovací materiály www.pramet.com

odolnost M9315 M9325 M9340 nové frézovací materiály www.pramet.com odolnost www.pramet.com nové frézovací materiály řady M93 s MT-CVD povlakem P M Materiál je členem nové UP!GRADE GENERACE materiálů. Jedná se o frézovací materiál vyvinutý pro dosažení vysoké produktivity

Více

POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ. (Bl) (И) ČESKOSLOVENSKA SOCIALISTICKÁ REPUBLIKA ( 1S ) (SI) Int Cl* G 21 G 4/08

POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ. (Bl) (И) ČESKOSLOVENSKA SOCIALISTICKÁ REPUBLIKA ( 1S ) (SI) Int Cl* G 21 G 4/08 ČESKOSLOVENSKA SOCIALISTICKÁ REPUBLIKA ( 1S ) POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ 262470 (И) (Bl) (22) přihláženo 25 04 87 (21) PV 2926-87.V (SI) Int Cl* G 21 G 4/08 ÚFTAD PRO VYNÁLEZY A OBJEVY (40)

Více

Gymnázium, Havířov - Město, Komenského 2 MATURITNÍ OTÁZKY Z FYZIKY Školní rok: 2012/2013

Gymnázium, Havířov - Město, Komenského 2 MATURITNÍ OTÁZKY Z FYZIKY Školní rok: 2012/2013 1. a) Kinematika hmotného bodu klasifikace pohybů poloha, okamžitá a průměrná rychlost, zrychlení hmotného bodu grafické znázornění dráhy, rychlosti a zrychlení na čase kinematika volného pádu a rovnoměrného

Více

MATERIÁLY NA TVÁŘENÍ KOVŮ

MATERIÁLY NA TVÁŘENÍ KOVŮ MATERIÁLY NA TVÁŘENÍ KOVŮ Nejrozšířenější technické materiály železné kovy - OCELI V současné době nahrazení NEŽELEZNÉ KOVY Al, Mg, Ti PLASTY KOMPOZITNÍ MATERIÁLY Vysokopevnostní oceli Hlubokotažné oceli

Více

Stanovení forem, termínů a témat profilové části maturitní zkoušky oboru vzdělání 23-41-M/01 Strojírenství STROJÍRENSKÁ TECHNOLOGIE

Stanovení forem, termínů a témat profilové části maturitní zkoušky oboru vzdělání 23-41-M/01 Strojírenství STROJÍRENSKÁ TECHNOLOGIE Stanovení forem, termínů a témat profilové části maturitní zkoušky oboru vzdělání 23-41-M/01 Strojírenství STROJÍRENSKÁ TECHNOLOGIE 1. Mechanické vlastnosti materiálů, zkouška pevnosti v tahu 2. Mechanické

Více

Praktický kurz Monitorování hladiny metalothioneinu po působení iontů těžkých kovů Vyhodnocení měření

Praktický kurz Monitorování hladiny metalothioneinu po působení iontů těžkých kovů Vyhodnocení měření Laboratoř Metalomiky a Nanotechnologií Praktický kurz Monitorování hladiny metalothioneinu po působení iontů těžkých kovů Vyhodnocení měření Vyučující: Ing. et Ing. David Hynek, Ph.D., Prof. Ing. René

Více

test zápočet průměr známka

test zápočet průměr známka Zkouškový test z FCH mikrosvěta 6. ledna 2015 VZOR/1 jméno test zápočet průměr známka Čas 90 minut. Povoleny jsou kalkulačky. Nejsou povoleny žádné písemné pomůcky. U otázek označených symbolem? uvádějte

Více

Kroková hodnocení kombinovaného namáhání systémů s tenkými vrstvami. Roman Reindl, Ivo Štěpánek, Radek Poskočil, Jiří Hána

Kroková hodnocení kombinovaného namáhání systémů s tenkými vrstvami. Roman Reindl, Ivo Štěpánek, Radek Poskočil, Jiří Hána Kroková hodnocení kombinovaného namáhání systémů s tenkými vrstvami Step by Step Analysis of Combination Stress of Systems with Thin Films Roman Reindl, Ivo Štěpánek, Radek Poskočil, Jiří Hána Západočeská

Více

Laserové depoziční metody - obecná charakteristika

Laserové depoziční metody - obecná charakteristika Laserové depoziční metody - obecná charakteristika Laserové odprašování zdrojového materiálu z tzv. targetu (terče), upraveného do zhutnělé formy (lisovaná či zmražená tableta) vhodné pro depozici. Laserové

Více

VY_32_INOVACE_FY.17 JADERNÁ ENERGIE

VY_32_INOVACE_FY.17 JADERNÁ ENERGIE VY_32_INOVACE_FY.17 JADERNÁ ENERGIE Autorem materiálu a všech jeho částí, není-li uvedeno jinak, je Jiří Kalous Základní a mateřská škola Bělá nad Radbuzou, 2011 Jaderná energie je energie, která existuje

Více

Název školy: SPŠ Ústí nad Labem, středisko Resslova

Název školy: SPŠ Ústí nad Labem, středisko Resslova Název školy: SPŠ Ústí nad Labem, středisko Resslova Číslo projektu: CZ.1.07/1.5.00/34.10.1036 Klíčová aktivita: III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT. Digitální učební materiály Autor:

Více

Elektřina a magnetizmus rozvod elektrické energie

Elektřina a magnetizmus rozvod elektrické energie DUM Základy přírodních věd DUM III/2-T3-19 Téma: rozvod elektrické energie Střední škola Rok: 2012 2013 Varianta: A Zpracoval: Mgr. Pavel Hrubý a Mgr. Josef Kormaník VÝKLAD Elektřina a magnetizmus rozvod

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

Maturitní temata z fyziky pro 4.B, OkB ve školním roce 2011/2012

Maturitní temata z fyziky pro 4.B, OkB ve školním roce 2011/2012 Maturitní temata z fyziky pro 4.B, OkB ve školním roce 2011/2012 1. Kinematika pohybu hmotného bodu pojem hmotný bod, vztažná soustava, určení polohy, polohový vektor trajektorie, dráha, rychlost (okamžitá,

Více

w w w. ch y t r a p e n a. c z

w w w. ch y t r a p e n a. c z CHYTRÁ PĚNA - střešní systém EKO H ROOF Jedním z mnoha využití nástřikové izolace Chytrá pěna EKO H ROOF jsou ploché střechy. Náš střešní systém je složen ze dvou komponentů, které jsou aplikovány přímo

Více

I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í

I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í ORGANIKÁ EMIE = chemie sloučenin látek obsahujících vazby Organické látky = všechny uhlíkaté sloučeniny kromě..., metal... and metal... Zdroje organických sloučenin = živé organismy nebo jejich fosílie:

Více

11 Manipulace s drobnými objekty

11 Manipulace s drobnými objekty 11 Manipulace s drobnými objekty Zpracování rozměrově malých drobných objektů je zpravidla spojeno s manipulací s velkým počtem objektů, které jsou volně shromažďovány na různém stupni uspořádanosti souboru.

Více

Konstrukční, nástrojové

Konstrukční, nástrojové Rozdělení ocelí podle použití Konstrukční, nástrojové Rozdělení ocelí podle použití Podle použití oceli: konstrukční (uhlíkové, legované), nástrojové (uhlíkové, legované). Konstrukční oceli uplatnění pro

Více

Výukové texty pro předmět Měřící technika (KKS/MT) na téma Podklady k principu měření hodnoty ph a vodivosti kapalin

Výukové texty pro předmět Měřící technika (KKS/MT) na téma Podklady k principu měření hodnoty ph a vodivosti kapalin Výukové texty pro předmět Měřící technika (KKS/MT) na téma Podklady k principu měření hodnoty ph a vodivosti kapalin Autor: Doc. Ing. Josef Formánek, Ph.D. Podklady k principu měření hodnoty ph a vodivosti

Více

jádro a elektronový obal jádro nukleony obal elektrony, pro chemii významné valenční elektrony

jádro a elektronový obal jádro nukleony obal elektrony, pro chemii významné valenční elektrony atom jádro a elektronový obal jádro nukleony obal elektrony, pro chemii významné valenční elektrony molekula Evropský sociální fond Praha & EU: Investujeme do vaší budoucnosti seskupení alespoň dvou atomů

Více

PSK1-14. Optické zdroje a detektory. Bohrův model atomu. Vyšší odborná škola a Střední průmyslová škola, Božetěchova 3 Ing. Marek Nožka.

PSK1-14. Optické zdroje a detektory. Bohrův model atomu. Vyšší odborná škola a Střední průmyslová škola, Božetěchova 3 Ing. Marek Nožka. PSK1-14 Název školy: Autor: Anotace: Vyšší odborná škola a Střední průmyslová škola, Božetěchova 3 Ing. Marek Nožka Optické zdroje a detektory Vzdělávací oblast: Informační a komunikační technologie Předmět:

Více

Stanovení forem, termínů a témat profilové části maturitní zkoušky oboru vzdělání 78-42-M/01 Technické lyceum STROJNICTVÍ

Stanovení forem, termínů a témat profilové části maturitní zkoušky oboru vzdělání 78-42-M/01 Technické lyceum STROJNICTVÍ Stanovení forem, termínů a témat profilové části maturitní zkoušky oboru vzdělání 78-42-M/01 Technické lyceum STROJNICTVÍ 1. Mechanické vlastnosti materiálů 2. Technologické vlastnosti materiálů 3. Zjišťování

Více

DOUČOVÁNÍ KVINTA CHEMIE

DOUČOVÁNÍ KVINTA CHEMIE 1. ÚVOD DO STUDIA CHEMIE 1) Co studuje chemie? 2) Rozděl chemii na tři důležité obory. DOUČOVÁNÍ KVINTA CHEMIE 2. NÁZVOSLOVÍ ANORGANICKÝCH SLOUČENIN 1) Pojmenuj: BaO, N 2 0, P 4 O 10, H 2 SO 4, HMnO 4,

Více

ANODA KATODA elektrolyt:

ANODA KATODA elektrolyt: Ukázky z pracovních listů 1) Naznač pomocí šipek, které částice putují k anodě a které ke katodě. Co je elektrolytem? ANODA KATODA elektrolyt: Zn 2+ Cl - Zn 2+ Zn 2+ Cl - Cl - Cl - Cl - Cl - Zn 2+ Cl -

Více

Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika

Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika Garant přípravného studia: Střední průmyslová škola elektrotechnická a ZDVPP, spol. s r. o. IČ: 25115138 Učební osnova: Základní

Více

NÁSTROJOVÉ OCELI CPM 10 V

NÁSTROJOVÉ OCELI CPM 10 V NÁSTROJOVÁ OCEL CPM 10 V CERTIFIKACE DLE ISO 9001 Chem. složení C 2,45 % Cr 5,25 % V 9,75 % Mo 1,30 % Mn 0,50 % Si 0,90 % CPM 10 V Je jedinečná vysokovýkonná ocel, vyráběná společností Crucible (USA) metodou

Více

Technologie I. Anodická oxidace hliníku. Referát č. 1. Povrchové úpravy

Technologie I. Anodická oxidace hliníku. Referát č. 1. Povrchové úpravy České vysoké učení technické v Praze Fakulta strojní Ústav strojírenské technologie Technologie I. Referát č. 1. Povrchové úpravy Anodická oxidace hliníku Vypracoval: Jan Kolístka Dne: 28. 9. 2009 Ročník:

Více

14. ELEKTRICKÉ TEPLO. Doc. Ing. Stanislav Kocman, Ph.D. 2. 2. 2009, Ostrava

14. ELEKTRICKÉ TEPLO. Doc. Ing. Stanislav Kocman, Ph.D. 2. 2. 2009, Ostrava 14. ELEKTRICKÉ TEPLO Doc. Ing. Stanislav Kocman, Ph.D. 2. 2. 2009, Ostrava Stýskala, 2002 Osnova přednp ednášky Úvod, výhody, zdroje Elektrické odporové a obloukové pece Indukční a dielektrický ohřev Elektrický

Více

Diamonds are forever

Diamonds are forever Diamonds are forever technologie spojuje čistotu a hygienu klasické úpravy vody s příjemným pocitem bezchlorové úpravy vody. Inovativní AQUA DIAMANTE soda technologie je založená na aktivaci kyslíku z

Více

STUDY OF SELECTED DEPOSITION PARAMETERS ON PROPERTIES AND BEHAVIOUR OF THIN FILM SYSTEMS

STUDY OF SELECTED DEPOSITION PARAMETERS ON PROPERTIES AND BEHAVIOUR OF THIN FILM SYSTEMS STUDIUM VLIVU VYBRANÝCH DEPOSIČNÍCH PARAMETRŮ NA VLASTNOSTI A CHOVÁNÍ TENKOVRSTVÝCH SYSTÉMŮ STUDY OF SELECTED DEPOSITION PARAMETERS ON PROPERTIES AND BEHAVIOUR OF THIN FILM SYSTEMS Ivo Štěpánek a, Matyáš

Více

Látkové množství. 6,022 10 23 atomů C. Přípravný kurz Chemie 07. n = N. Doporučená literatura. Látkové množství n. Avogadrova konstanta N A

Látkové množství. 6,022 10 23 atomů C. Přípravný kurz Chemie 07. n = N. Doporučená literatura. Látkové množství n. Avogadrova konstanta N A Doporučená literatura Přípravný kurz Chemie 2006/07 07 RNDr. Josef Tomandl, Ph.D. Mailto: tomandl@med.muni.cz Předmět: Přípravný kurz chemie J. Vacík a kol.: Přehled středoškolské chemie. SPN, Praha 1990,

Více

5. Materiály pro MAGNETICKÉ OBVODY

5. Materiály pro MAGNETICKÉ OBVODY 5. Materiály pro MAGNETICKÉ OBVODY Požadavky: získání vysokých magnetických kvalit, úspora drahých kovů a náhrada běžnými materiály. Podle magnetických vlastností dělíme na: 1. Diamagnetické látky 2. Paramagnetické

Více

1.1 VLIVY NA JAKOST SVAROVÉHO SPOJE svařitelnost materiálu, správná konstrukce, tvar svarku, volba přídavného materiálu, kvalifikace svářeče.

1.1 VLIVY NA JAKOST SVAROVÉHO SPOJE svařitelnost materiálu, správná konstrukce, tvar svarku, volba přídavného materiálu, kvalifikace svářeče. 1 SVARY A SVAŘOVANÉ KONSTRUKCE SVAŘOVÁNÍ = pevné nerozebíratelné spojení kovových, případně nekovových materiálů účinkem tepla a tlaku nebo jejich kombinací, s použitím přídavného materiálu. 1.1 VLIVY

Více

Černé označení. Žluté označení H R B % C 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5

Černé označení. Žluté označení H R B % C 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 Řešení 1. Definujte tvrdost, rozdělte zkoušky tvrdosti Tvrdost materiálu je jeho vlastnost. Dá se charakterizovat, jako jeho schopnost odolávat vniku cizího tělesa. Zkoušky tvrdosti dělíme dle jejich charakteru

Více

Metody studia mechanických vlastností kovů

Metody studia mechanických vlastností kovů Metody studia mechanických vlastností kovů 1. Zkouška tahem Zkouška tahem při pomalém zatěžování a za tzv. okolní teploty (10 C 35 C) je zcela základní a nejběžněji prováděnou zkouškou mechanických vlastností

Více

Očekávané výstupy podle RVP ZV Učivo předmětu Přesahy a vazby

Očekávané výstupy podle RVP ZV Učivo předmětu Přesahy a vazby Předmět: CHEMIE Ročník: 8. Časová dotace: 2 hodiny týdně Očekávané výstupy podle RVP ZV Učivo předmětu Přesahy a vazby Konkretizované tematické okruhy realizovaného průřezového tématu září orientuje se

Více

ZDROJE ELEKTRICKÉ ENERGIE MOTOROVÝCH VOZIDEL

ZDROJE ELEKTRICKÉ ENERGIE MOTOROVÝCH VOZIDEL ZDROJE ELEKTRICKÉ ENERGIE MOTOROVÝCH VOZIDEL Autorem materiálu a všech jeho částí, není-li uvedeno jinak, je Ing. Zdeněk Vala. Dostupné z Metodického portálu www.rvp.cz; ISSN 1802-4785, financovaného z

Více

Fyzika pro 6.ročník. Stavba látek-vlastnosti, gravitace, částice, atomy a molekuly. Elektrické vlastnosti látek, el.

Fyzika pro 6.ročník. Stavba látek-vlastnosti, gravitace, částice, atomy a molekuly. Elektrické vlastnosti látek, el. Fyzika pro 6.ročník výstupy okruh učivo dílčí kompetence Stavba látek-vlastnosti, gravitace, částice, atomy a molekuly Elektrické vlastnosti látek, el.pole, model atomu Magnetické vlastnosti látek, magnetické

Více

Jednoduchý elektrický obvod

Jednoduchý elektrický obvod 21 25. 05. 22 01. 06. 23 22. 06. 24 04. 06. 25 28. 02. 26 02. 03. 27 13. 03. 28 16. 03. VI. A Jednoduchý elektrický obvod Jednoduchý elektrický obvod Prezentace zaměřená na jednoduchý elektrický obvod

Více

Střední průmyslová škola strojnická Vsetín. Předmět Druh učebního materiálu monitory, jejich rozdělení a vlastnosti

Střední průmyslová škola strojnická Vsetín. Předmět Druh učebního materiálu monitory, jejich rozdělení a vlastnosti Název školy Číslo projektu Autor Střední průmyslová škola strojnická Vsetín CZ.1.07/1.5.00/34.0483 Ing. Martin Baričák Název šablony III/2 Název DUMu 2.13 Výstupní zařízení I. Tematická oblast Předmět

Více

Krystalizace ocelí a litin

Krystalizace ocelí a litin Moderní technologie ve studiu aplikované fyziky reg. č.: CZ.1.07/2.2.00/07.0018. Krystalizace ocelí a litin Hana Šebestová,, Petr Schovánek Společná laboratoř optiky Univerzity Palackého a Fyzikáln lního

Více

Elektrický proud v kovech Odpor vodiče, Ohmův zákon Kirchhoffovy zákony, Spojování rezistorů Práce a výkon elektrického proudu

Elektrický proud v kovech Odpor vodiče, Ohmův zákon Kirchhoffovy zákony, Spojování rezistorů Práce a výkon elektrického proudu Elektrický proud Elektrický proud v kovech Odpor vodiče, Ohmův zákon Kirchhoffovy zákony, Spojování rezistorů Práce a výkon elektrického proudu Elektrický proud v kovech Elektrický proud = usměrněný pohyb

Více

Zákony ideálního plynu

Zákony ideálního plynu 5.2Zákony ideálního plynu 5.1.1 Ideální plyn 5.1.2 Avogadrův zákon 5.1.3 Normální podmínky 5.1.4 Boyleův-Mariottův zákon Izoterma 5.1.5 Gay-Lussacův zákon 5.1.6 Charlesův zákon 5.1.7 Poissonův zákon 5.1.8

Více

JAK EFEKTIVNĚ VÝRÁBĚT LGP (BLU) PANELY

JAK EFEKTIVNĚ VÝRÁBĚT LGP (BLU) PANELY JAK EFEKTIVNĚ VÝRÁBĚT LGP (BLU) PANELY Co jsou LGP panely? LGP je anglická zkratka pro Light Guide Panel znamenající světelný panel. Někdy je též možné se setkat se zkratkou BLU = Back Light Unit (panel

Více

Vnitřní energie. Teplo. Tepelná výměna.

Vnitřní energie. Teplo. Tepelná výměna. Vnitřní energie. Teplo. Tepelná výměna. A) Výklad: Vnitřní energie vnitřní energie označuje součet celkové kinetické energie částic (tj. rotační + vibrační + translační energie) a celkové polohové energie

Více

E K O G Y M N Á Z I U M B R N O o.p.s. přidružená škola UNESCO

E K O G Y M N Á Z I U M B R N O o.p.s. přidružená škola UNESCO Seznam výukových materiálů III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Tematická oblast: Předmět: Vytvořil: Anorganická chemie Chemie Mgr. Soňa Krampolová 01 - Vlastnosti přechodných prvků -

Více

Techniky detekce a určení velikosti souvislých trhlin

Techniky detekce a určení velikosti souvislých trhlin Techniky detekce a určení velikosti souvislých trhlin Přehled Byl-li podle obecných norem nebo regulačních směrnic detekovány souvislé trhliny na vnitřním povrchu, musí být následně přesně stanoven rozměr.

Více

Předmět: Ročník: Vytvořil: Datum: CHEMIE PRVNÍ Mgr. Tomáš MAŇÁK 15. června 2013. Název zpracovaného celku: CHEMICKÁ VAZBA

Předmět: Ročník: Vytvořil: Datum: CHEMIE PRVNÍ Mgr. Tomáš MAŇÁK 15. června 2013. Název zpracovaného celku: CHEMICKÁ VAZBA Předmět: Ročník: Vytvořil: Datum: CHEMIE PRVNÍ Mgr. Tomáš MAŇÁK 15. června 2013 Název zpracovaného celku: CHEMICKÁ VAZBA CHEMICKÁ VAZBA (chemical bond) CHEMICKÉ VAZBY soudržné síly působící mezi jednotlivými

Více