FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Rozměr: px
Začít zobrazení ze stránky:

Download "FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů"

Transkript

1 Unipolární tranzistory Řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem: FET [Field - Effect Transistor] Proud přenášen jedním typem nosičů náboje (unipolární): - majoritní nosiče v inverzním kanálu - neuplatňuje se rekombinace minoritních nosičů - odolnost proti změnám teploty a ionizujícímu záření - zapínací a vypínací doby dány parazitními kapacitami - teplotně nezávislé ton a toff Zesilovač s FET Zesílení: - maximální strmost převodní charakteristiky - režim B - pro saturační režim ( B ) je třeba velké napájecí napětí - menší strmost než u BT (5mS / 50 ms) i v režimu B Výpočet pracovního bodu (viz numerické cvičení): - průsečík přímky a paraboly - řešení kvadratické rovnice - dvě řešení; vybereme správné Grafické řešení: - dostačující přesnost - názornější FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2 FET - nastavení pracovního bodu a) Dělič je nezbytný pro IGFET s indukovaným kanálem (U P >0). b) Pro J-FET a IGFET s trvalým kanálem menší závislost na U P. c) Úbytek napětí na odporu R S nahrazuje záporný zdroj pro U GS. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů J-FET - nastavení pracovního bodu a) c) FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 4 J-FET - nastavení pracovního bodu tř. A,B,C J-FET - Teplotní závislost převodní charakteristiky FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 5 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 6 1

2 J-FET - Teplotní závislost převodní charakteristiky Při velkém I D proud I D s teplotou klesá. Při malém I D proud I D s teplotou roste. I D může být v širokém teplotním rozsahu konstantní. Strmost převodní charakteristiky s teplotou klesá: - pokles zesílení zesilovače s JFET - je možné paralelní řazení J-FET Vzrůst teploty Podobná závislost je i u MOSFET!!! pokles proudu pokles výkonové ztráty. U bipolárních tranzistorů proud s teplotou roste!!!! FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 7 Průrazy struktury MOS Průraz kanálu: - při velkém U DS - průraz kanálu lavinovou ionizací - u výkonových mechanické poškození pouzdra!!! Průraz dielektrické vrstvy pod hradlem: - tloušťka menší než 1 µm - statickou elektřinou při manipulaci - při překročení U GSmax - zkratovací pružinka mezi elektrodami - vícevývodové součástky v antistatickém obalu - do přívodů ochranné rezistory a Zenerovy diody FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 8 Využití tranzistrorů FET Integrované obvody: - lepší využití plochy čipu - méně technologických operací větší výtěžnost - výhodnější pro čislicové obvody, procesory, paměti - lineární používáním aktivní zátěže se zvětší zesílení - CMOS velmi malá spotřeba - J-FET slučitelné s bipolární technologií Diskrétní součástky: - spínače N-MOSFET - vf zesilovače (VMOS, MESFET, HEMT) - vf zesilovače, směšovače, modulátory (dvoubázový FET) - řízený odpor ( s vyvedeným substrátem) FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 9 Speciální typy FET Dvoubázové MOS [dual - gate MOS]: - dvě rovnocenná hradla - řízené zesilovače - modulátory - směšovače - chová se jako tetroda FET s vyvedeným substrátem: - FET symetrická součástka - substrát B (bulk) bývá spojen s elektrodou S - vyvedený B možnost nastavení potenciálu mezi S a D -výhodné pro zapojení řízeného odporu a spínače FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 10 MOS se dvěma hradly (double-gate FET) -maláprůchozí kapacita mezi bází a kolektorem. - kaskódové spojení dvou jednoduchých systémů MOSFET, - řízení prvním hradlem je v ochuzovaném režimu - multiplikativní směšovače a nízkošumové zesilovače - mezní kmitočet 1 GHz FET pro vf a mikrovlnnou techniku Krátký kanál + velká pohyblivost nosičů náboje. MESFET (MEtal Semiconductor FET): - hradlo = tenký (napařený) kovový pásek, L < 1 µm (!!!) - kontakt kov polovodič (Schottkyho přechod) - fmax až 10 GHz pro Si ; fmax >10 GHz pro GaAs - šumové vlastnosti při vf lepší než u bipolárních tranzistorů FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 11 HEMT (High Electron Mobility Transistor): - kanál je tvořen tenkou vrstvou "elektronového plynu" - pohyblivost elektronů větší než u tranzistorů MESFET - lepší frekvenční i šumové vlastnosti - větší strmost - menší technologická náročnost a nižší cena - výhodné pro vf aplikace FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 12 2

3 FET jako spínač IGFET - zvýšení vodivosti kanálu Vlastnosti spínače s FET: - majoritní nosiče (neuplatní se akumulace nosičů) - doba sepnutí/rozepnutí je určena (C GS + C GD ) a velikostí I G - I G 0,1 A 1A / 100 ns!!!!! - malý řídící příkon Velký odpor kanálu Kanál pouze v oblasti P (difúzí) MOSFET (VDMOS): - pro U GS = 0 je spínač rozepnutý (U P 4 5 V) - velké závěrné napětí ( V) - menší náchylnost k průrazu - pro malé U DSmax malý R DSON - P max 150W/TO220 (250W/TO247)!!!! pozor na R TH!!! LATERAL LATERAL DIFFUSED FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 14 IGFET - zvýšení vodivosti kanálu Diskrétní tranzistory výkonové vysokofrekvenční a spínací: - kanál je rozprostřen po celé ploše čipu Rozložení kanálu na ploše Obrazce se liší podle výrobce HEXFET (International Rectifier) VERTICAL DIFFUSED V- lept FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 15 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 16 Vliv odporu kanálu na vodivostní ztráty IRF 740 (pro síťové napětí): U DSmax = 400 V, I Dmax = 8 A, R DSON = 0,55 Ω U DSON = R DSON. I Dmax = 0,55 Ω. 8 A = 4,4 V P ON = U DSON. I Dmax = 4,4 V. 8 A = 5,2 W Tranzistor IGBT Struktura VDMOS Emitor BT Bipolární tranzistor : U CES = 1V P ON = U CES. I C = 1 V. 8 A = 8 W Problém: Vypnutí I B!! Tyristor možnost samovolného sepnutí!!! FET - menší dynamické ztráty, R DSON roste s U DSmax BT - menší vodivostní ztráty při napětí věším než cca 100 V Řešení Tranzistor IGBT FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 17 PNP bipolární tranzistor VDMOS řídí proud báze BT nemůže být v saturaci!!!! FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 18

4 Vypnutí tranzistoru IGBT Nosiče akumulované v přechodu BE nemohou být odvedeny: - proud I D po vypnutí neklesne na nulu - koncentrace akumulovaných nosičů se zmenšuje jen rekombinací -I D e se exponenciálně zmenšuje po dobu 0,1µs 1µs Zavedení rekombinačních center do báze: - zmenšení proudového zesilovacího činitele β -je zapotřebí větší proud I B - na VDMOS bude větší úbytek ( = větší vodivostní ztráty IGBT) Řešení : Tranzistory se vyrábí ve skupinách podle doporučeného f MAX. Typy tranzistorů IGBT Podle doporučeného f MAX - S (standard) ; f MAX khz, U DS 1,5 1,8 V (pro U DSMAX = 600V) - F (fast) ; f MAX 10 khz, U DS 1,8 2,0 V (pro U DSMAX = 600V) - U (ultrafast) ; f MAX > 10 khz, U DS 2,0 2,2 V (pro U DSMAX = 600V) Podle zapojení v obvodu - bez paralelní diody - s integrovanou paralelní diodou V ;(900V); 1,2kV; 1,7kV;,kV; 4.5kV; 6,5kV (!!) - 10A 2400A FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 19 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 20 C GD závislá na U DG ( U DD ) -před sepnutím se musí vybít - vybíjí se přes obvod hradla - náboj 10 1 nc C GS ( nf) - musí se nabít na U GS 12 V - náboj 10 1 nc U GS roste až po vybití C GD Vybíjení kapacity C GD U DS klesá Tranzistor převzal proud zátěže FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 21 Tranzistor se otevře až při prahovém napětí FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 22 Vstupní impedance tranzistorů FET Příklad: Orientační výpočet řídícího proudu Uvažujeme pouze nabíjení C GS 1nF (U DS 0) U GS = 12 V t = 100 ns Q t. I C= = G GS 9 GS. C IG = = = 0,12 A = 120mA 9 t Pro U DS >> 0 se I G zvětší podle velikosti U DS ( U DD ) I G (120 00) ma Výkonový tranzistor : (C GS + C GD ) F (100 pf) Pro f 10 MHz : 1 X C = 2πfC 1 1 = = 0, Ω , ,28.10 X C = FET: GS >1V I G 10 ma BT: BE <0,1V I B 100 ma Výkonové zesilovače: Pro f > 10 MHz jsou výhodnější bipolární tranzistory!!!!!!!!!!!!! FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 24 4

5 5

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická

Více

ELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky... 7-1 7.2 První a druhý průraz bipolárního

ELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky... 7-1 7.2 První a druhý průraz bipolárního Bohumil BRTNÍK, David MATOUŠEK ELEKTRONICKÉ PRVKY Praha 2011 Tato monografie byla vypracována a publikována s podporou Rozvojového projektu VŠPJ na rok 2011. Bohumil Brtník, David Matoušek Elektronické

Více

U BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D.

U BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D. Napěťový průraz polovodičových přechodů Zvyšování napětí na přechodu -přechod se rozšiřuje, ale pouze s U (!!) - intenzita elektrického pole roste -překročení kritické hodnoty U (BR) -vzrůstu závěrného

Více

Dioda jako usměrňovač

Dioda jako usměrňovač Dioda A K K A Dioda je polovodičová součástka s jedním P-N přechodem. Její vývody se nazývají anoda a katoda. Je-li na anodě kladný pól napětí a na katodě záporný, dioda vede (propustný směr), obráceně

Více

Polovodičové diody Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA)

Polovodičové diody Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA) Polovodičové diody varikap, usměrňovací dioda, Zenerova dioda, lavinová dioda, tunelová dioda, průrazy diod Polovodičové diody (diode) součástky s 1 PN přechodem varikap usměrňovací dioda Zenerova dioda

Více

Obrázek a/struktura atomů čistého polovodičeb/polovodič typu N

Obrázek a/struktura atomů čistého polovodičeb/polovodič typu N POLOVODIČE Vlastnosti polovodičů Polovodiče jsou materiály ze 4. skupiny Mendělejevovy tabulky. Nejznámější jsou germanium (Ge) a křemík (Si). Každý atom má 4 vazby, pomocí kterých se váže na sousední

Více

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Diody a usměrňova ovače Přednáška č. 2 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Diody a usměrňova ovače 1 Voltampérová charakteristika

Více

Elektronické praktikum EPR1

Elektronické praktikum EPR1 Elektronické praktikum EPR1 Úloha číslo 2 název Vlastnosti polovodičových prvků Vypracoval Pavel Pokorný PINF Datum měření 11. 11. 2008 vypracování protokolu 23. 11. 2008 Zadání 1. Seznamte se s funkcí

Více

Bipolární tranzistory. Produkt: Zavádění cizojazyčné terminologie do výuky odborných předmětů a do laboratorních cvičení

Bipolární tranzistory. Produkt: Zavádění cizojazyčné terminologie do výuky odborných předmětů a do laboratorních cvičení Název projektu: Automatizace výrobních procesů ve strojírenství a řemeslech Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.30/01.0038 Příjemce: SPŠ strojnická a SOŠ profesora Švejcara Plzeň, Klatovská 109 Tento projekt

Více

11. Polovodičové diody

11. Polovodičové diody 11. Polovodičové diody Polovodičové diody jsou součástky, které využívají fyzikálních vlastností přechodu PN nebo přechodu kov - polovodič (MS). Nelinearita VA charakteristiky, zjednodušeně chápaná jako

Více

Dioda - ideální. Polovodičové diody. nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem)

Dioda - ideální. Polovodičové diody. nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem) Polovodičové diody: deální dioda Polovodičové diody: struktury a typy Dioda - ideální anoda [m] nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem) deální vs. reálná

Více

Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr

Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr. Zadání: A. Na předloženém kompenzovaném vstupní děliči k nf milivoltmetru se vstupní impedancí Z vst = MΩ 25 pf, pro dělící poměry :2,

Více

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII - 3.2.2 MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII - 3.2.2 MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: MEII - 3.2.2 MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH Obor: Mechanik elektronik Ročník: 2. Zpracoval(a): Bc. Josef Mahdal Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2010

Více

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě zenerova dioda její hodnoty jsou uvedeny v tabulce:

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě zenerova dioda její hodnoty jsou uvedeny v tabulce: REDL 3.EB 9 1/11 1.ZADÁNÍ a) Změřte voltampérovou charakteristiku zenerovy diody v propustném i závěrném směru. Charakteristiky znázorněte graficky. b) Vypočtěte a graficky znázorněte statický odpor diody

Více

1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny

1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny 1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny Popsaný přijímač slouží k poslechu rozhlasových stanic v pásmu středních vln. Přijímač je napájen z USB portu počítače přijímaný signál je pak připojen na

Více

I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup

I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup ELEKTONIKA I N V E S T I C E D O O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í 1. Usměrňování a vyhlazování střídavého a. jednocestné usměrnění Do obvodu střídavého proudu sériově připojíme diodu. Prochází jí proud

Více

Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika

Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika Garant přípravného studia: Střední průmyslová škola elektrotechnická a ZDVPP, spol. s r. o. IČ: 25115138 Učební osnova: Základní

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ. (40) Zveřejněno 31 07 79 N

POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ. (40) Zveřejněno 31 07 79 N ČESKOSLOVENSKÁ SOCIALISTICKÁ R E P U B L I K A (19) POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ 196670 (11) (Bl) (51) Int. Cl. 3 H 01 J 43/06 (22) Přihlášeno 30 12 76 (21) (PV 8826-76) (40) Zveřejněno 31 07

Více

Proudové zrcadlo. Milan Horkel

Proudové zrcadlo. Milan Horkel roudové zrcadlo MLA roudové zrcadlo Milan Horkel Zdroje proudu jsou při konstrukci integrovaných obvodů asi stejně důležité, jako obyčejný rezistor pro běžné tranzistorové obvody. Zdroje proudu se často

Více

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřený předmětem jsou v tomto případě polovodičové diody, jejich údaje jsou uvedeny v tabulce:

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřený předmětem jsou v tomto případě polovodičové diody, jejich údaje jsou uvedeny v tabulce: REDL 3.EB 8 1/14 1.ZADÁNÍ a) Změřte voltampérovou charakteristiku polovodičových diod pomocí voltmetru a ampérmetru v propustném i závěrném směru. b) Sestrojte grafy =f(). c) Graficko početní metodou určete

Více

Stabiliz atory napˇet ı v nap ajec ıch zdroj ıch - mˇeˇren ı z akladn ıch parametr u Ondˇrej ˇ Sika

Stabiliz atory napˇet ı v nap ajec ıch zdroj ıch - mˇeˇren ı z akladn ıch parametr u Ondˇrej ˇ Sika - měření základních parametrů Obsah 1 Zadání 4 2 Teoretický úvod 4 2.1 Stabilizátor................................ 4 2.2 Druhy stabilizátorů............................ 4 2.2.1 Parametrické stabilizátory....................

Více

OBVODY TTL a CMOS. Úvod

OBVODY TTL a CMOS. Úvod OBVODY TTL a CMOS Úvod Tato úloha si klade za cíl seznámení se strukturou základních logických obvodů technologie TTL a CMOS, seznámení s jejich funkcí, vlastnostmi, základními charakteristikami a parametry.

Více

1. Úvod. 2. Krystalová struktura SiC

1. Úvod. 2. Krystalová struktura SiC Součástky na bázi SiC Ing. Tomáš Křeček VŠB-TU Ostrava, Fakulta elektrotechniky a informatiky, Katedra elektroniky, 17. listopadu 15, 708 33 OSTRAVA-PORUBA, tomas.krecek.fei@vsb.cz Abstract: Substrát karbid

Více

Otázky z ELI 1/10. 15. Jaký je vztah mezi napětím a proudem na induktoru (obecně a v případě po určitou dobu konstantního napětí)

Otázky z ELI 1/10. 15. Jaký je vztah mezi napětím a proudem na induktoru (obecně a v případě po určitou dobu konstantního napětí) Otázky z ELI 1. V jakých jednotkách se vyjadřuje napětí Volt 2. V jakých jednotkách se vyjadřuje proud Amper 3. V jakých jednotkách se vyjadřuje odpor Ohm 4. V jakých jednotkách se vyjadřuje kapacita Farad

Více

Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice 2 Číslo úlohy : 1

Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice 2 Číslo úlohy : 1 Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice Číslo úlohy : 1 Název úlohy : Vypracoval : ročník : 3 skupina : F-Zt Vnější podmínky měření : měřeno dne : 3.. 004 teplota : C tlak

Více

PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus

PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus Úloha č.: XI Název: Charakteristiky diody Pracoval: Pavel Brožek stud. skup. 12 dne 9.1.2009 Odevzdal

Více

Učební osnova předmětu ELEKTRONIKA

Učební osnova předmětu ELEKTRONIKA Učební osnova předmětu ELEKTRONIKA Obor vzdělání: 2-1-M/01 Elektrotechnika (slaboproud) Forma vzdělávání: denní studium Ročník kde se předmět vyučuje: druhý, třetí Počet týdenních vyučovacích hodin ve

Více

STŘEDNÍ ŠKOLA ELEKTROTECHNICKÁ, OSTRAVA, NA JÍZDÁRNĚ

STŘEDNÍ ŠKOLA ELEKTROTECHNICKÁ, OSTRAVA, NA JÍZDÁRNĚ STŘEDNÍ ŠKOLA ELEKTROTECHNICKÁ, OSTRAVA, NA JÍZDÁRNĚ 30, p. o. ELEKTRONIKA Ing. Pavel VYLEGALA 006 - - Obsah Elektrické obvody...4 Základní pojmy...4 Polovodičové součástky...6 Polovodič typu P,typu N,přechod

Více

Jednoduchý Mosfet. Sharkus. Návod na výrobu jednoduchého spínače s mosfetem.

Jednoduchý Mosfet. Sharkus. Návod na výrobu jednoduchého spínače s mosfetem. Jednoduchý Mosfet Sharkus Návod na výrobu jednoduchého spínače s mosfetem. Zřejmě každý majitel AEG zbraně dříve či později narazí na opálené kontakty spouště. Průvodním jevem je nespolehlivé spínání spouště,

Více

FYZIKA II. Petr Praus 6. Přednáška elektrický proud

FYZIKA II. Petr Praus 6. Přednáška elektrický proud FYZIKA II Petr Praus 6. Přednáška elektrický proud Osnova přednášky Elektrický proud proudová hustota Elektrický odpor a Ohmův zákon měrná vodivost driftová rychlost Pohyblivost nosičů náboje teplotní

Více

VYŠŠÍ ODBORNÁ ŠKOLA, STŘEDNÍ ŠKOLA CENTRUM ODBORNÉ PŘÍPRAVY SEZIMOVO ÚSTÍ ABSOLVENTSKÁ PRÁCE. 2012 Jakub Vyškovský

VYŠŠÍ ODBORNÁ ŠKOLA, STŘEDNÍ ŠKOLA CENTRUM ODBORNÉ PŘÍPRAVY SEZIMOVO ÚSTÍ ABSOLVENTSKÁ PRÁCE. 2012 Jakub Vyškovský VYŠŠÍ ODBORNÁ ŠKOLA, STŘEDNÍ ŠKOLA CENTRUM ODBORNÉ PŘÍPRAVY SEZIMOVO ÚSTÍ ABSOLVENTSKÁ PRÁCE 2012 Jakub Vyškovský i Anotace Tato absolventská práce se zabývá souhrnem a měřením aktivních elektronických

Více

Učební osnova předmětu. Elektronika. studijního oboru. 26-41-M/01 Elektrotechnika (silnoproud)

Učební osnova předmětu. Elektronika. studijního oboru. 26-41-M/01 Elektrotechnika (silnoproud) Učební osnova předmětu Elektronika studijního oboru 26-41-M/01 Elektrotechnika (silnoproud) Pojetí vyučovacího předmětu Předmět elektronika je základním odborným předmětem a je úvodním předmětem do oblasti

Více

ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ KATEDRA APLIKOVANÉ ELEKTRONIKY A TELEKOMUNIKACÍ DIPLOMOVÁ PRÁCE

ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ KATEDRA APLIKOVANÉ ELEKTRONIKY A TELEKOMUNIKACÍ DIPLOMOVÁ PRÁCE ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ KATEDRA APLIKOVANÉ ELEKTRONIKY A TELEKOMUNIKACÍ DIPLOMOVÁ PRÁCE Porovnání synchronních usměrňovačů a usměrňovačů se Schottkyho diodami Abstrakt

Více

Parametry a aplikace diod

Parametry a aplikace diod Cvičení 6 Parametry a aplikace diod Teplotní závislost propustného úbytku a závěrného proudu diody (PSpice) Reálná charakteristika diody, model diody v PSpice Extrakce parametrů diody pro PSpice Měření

Více

1 Zdroj napětí náhradní obvod

1 Zdroj napětí náhradní obvod 1 Zdroj napětí náhradní obvod Příklad 1. Zdroj napětí má na svorkách naprázdno napětí 6 V. Při zatížení odporem 30 Ω klesne napětí na 5,7 V. Co vše můžete o tomto zdroji říci za předpokladu, že je v celém

Více

Název: Téma: Autor: Číslo: Prosinec 2013. Střední průmyslová škola a Vyšší odborná škola technická Brno, Sokolská 1

Název: Téma: Autor: Číslo: Prosinec 2013. Střední průmyslová škola a Vyšší odborná škola technická Brno, Sokolská 1 Střední průmyslová škola a Vyšší odborná škola technická Brno, Sokolská 1 Šablona: Název: Téma: Autor: Číslo: Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Elektrický proud střídavý Elektronický oscilátor

Více

Praktikum z výkonové elektroniky

Praktikum z výkonové elektroniky UNIVERZITA OBRANY Fakulta vojenských technologií Katedra elektrotechniky S-3708 Praktikum z výkonové elektroniky Autor: Ing. Jan Leuchter, Ph.D. ISBN 978-80-7231-210-8 BRNO 2006 Obsah Obsah Předmluva.

Více

Kategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-422 se používá pro:

Kategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-422 se používá pro: Mistrovství České republiky soutěže dětí a mládeže v radioelektronice, Vyškov 2011 Test Kategorie M START. ČÍSLO BODŮ/OPRAVIL U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-422

Více

GFK-1913-CZ Prosinec 2001. Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Skladovací teplota -25 C až +85 C.

GFK-1913-CZ Prosinec 2001. Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Skladovací teplota -25 C až +85 C. Modul slouží pro výstup digitálních signálů 24 Vss. Specifikace modulu Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení 48,8 mm x 120 mm x 71,5 mm dvou- a třídrátové Provozní teplota -25 C až +55 C

Více

ELEKTRICKÝ PROUD ELEKTRICKÝ ODPOR (REZISTANCE) REZISTIVITA

ELEKTRICKÝ PROUD ELEKTRICKÝ ODPOR (REZISTANCE) REZISTIVITA ELEKTRICKÝ PROD ELEKTRICKÝ ODPOR (REZISTANCE) REZISTIVITA 1 ELEKTRICKÝ PROD Jevem Elektrický proud nazveme usměrněný pohyb elektrických nábojů. Např.:- proud vodivostních elektronů v kovech - pohyb nabitých

Více

200W ATX PC POWER SUPPLY

200W ATX PC POWER SUPPLY 200W ATX PC POWER SUPPLY Obecné informace Zde vám přináším schéma PC zdroje firmy DTK. Tento zdroj je v ATX provedení o výkonu 200W. Schéma jsem nakreslil, když jsem zdroj opravoval. Když už jsem měl při

Více

Simulace diody (TCE 2006)

Simulace diody (TCE 2006) Simulace diody (TCE 2006) Cíl: 1. Seznámení s prostředím pro device simulation (DECKBUILD) pomocí 1-D simulace P-I-N diody (ATLAS) ve statickém a dynamickém režimu v komutačním obvodu (MIXEDMODE) 3. Sestavení

Více

Senzor teploty. Katalogový list SMT 160-30

Senzor teploty. Katalogový list SMT 160-30 Senzor teploty Katalogový list SMT 160-30 Obsah 1. Úvod strana 2 2. Inteligentní senzor teploty strana 2 3. Vývody a pouzdro strana 4 4. Popis výrobku strana 4 5. Charakteristické údaje strana 5 6. Definice

Více

3. Polovodiče. Obr.3.1. Vlastní polovodič.

3. Polovodiče. Obr.3.1. Vlastní polovodič. 3. Polovodiče. Teorii vedení elektřiny v polovodičích lze podat v zásadě dvěma způsoby. První vychází z klasických představ vedení elektrického proudu jako záporně a kladně nabitých bodových nábojů (elektronů

Více

Výkonová elektronika. Polovodičový stykač BF 9250

Výkonová elektronika. Polovodičový stykač BF 9250 Výkonová elektronika Polovodičový stykač BF 9250 BF 9250 do 10 A BF 9250 do 25 A podle EN 60 947-4-2, IEC 60 158-2, VDE 0660 část 109 1-, 2- a 3-pólová provedení řídící vstup X1 s malým příkonem proudu

Více

VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH

VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH Jan Hruška TV-FYZ Ahoj, tak jsme tady znovu a pokusíme se Vám vysvětlit problematiku vedení elektrického proudu v látkách. Co je to vlastně elektrický proud? Na to

Více

PODPORA ELEKTRONICKÝCH FOREM VÝUKY

PODPORA ELEKTRONICKÝCH FOREM VÝUKY I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í PODPORA ELEKTRONICKÝCH FOREM VÝUKY CZ.1.07/1.1.06/01.0043 Tento projekt je financován z prostředků ESF a státního rozpočtu ČR. SOŠ informatiky a

Více

1. Stanovte a graficky znázorněte charakteristiky vakuové diody (EZ 81) a Zenerovy diody (KZ 703).

1. Stanovte a graficky znázorněte charakteristiky vakuové diody (EZ 81) a Zenerovy diody (KZ 703). 1 Pracovní úkoly 1. Stanovte a graficky znázorněte charakteristiky vakuové diody (EZ 81) a Zenerovy diody (KZ 703). 2. Určete dynamický vnitřní odpor Zenerovy diody v propustném směru při proudu 200 ma

Více

1. V jakých jednotkách se vyjadřuje náboj - uveďte název a značku jednotky Náboj Q se vyjadřuje v coulombech [ C ].

1. V jakých jednotkách se vyjadřuje náboj - uveďte název a značku jednotky Náboj Q se vyjadřuje v coulombech [ C ]. 1. V jakých jednotkách se vyjadřuje náboj - uveďte název a značku jednotky Náboj Q se vyjadřuje v coulombech [ C ]. 2. Jaký je vztah mezi napětím a proudem na rezistoru - vzorec Jsou si přímo úměrné dle

Více

Vladimír Straka ELEKTRONIKA

Vladimír Straka ELEKTRONIKA STŘEDNÍ PRŮMYSLOVÁ ŠKOLA STROJNICKÁ A STŘEDNÍ ODBORNÁ ŠKOLA PROFESORA ŠVEJCARA, PLZEŇ, KLATOVSKÁ 109 Vladimír Straka ELEKTRONIKA SOUBOR PŘÍPRAV PRO 2. R. OBORU 26-41-M/01 Elektrotechnika - Mechatronika

Více

Radiační odolnost výkonových součástek na bázi SiC

Radiační odolnost výkonových součástek na bázi SiC Diplomová práce F3 České vysoké učení technické v Praze Fakulta elektrotechnická Katedra mikroelektroniky Radiační odolnost výkonových součástek na bázi SiC Stanislav Popelka Květen 2013 Vedoucí práce:

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

NÍZKOFREKVENČNÍ GENERÁTOR BG3

NÍZKOFREKVENČNÍ GENERÁTOR BG3 NÍZKOFREKVENČNÍ GENERÁTOR BG3 Popis a provoz zařízení bg3 Jiří Matějka, Čtvrtky 702, Kvasice, 768 21, e-mail: podpora@wmmagazin.cz Obsah: 1. Určení výrobku 2. Technické parametry generátoru 3. Indikační

Více

44 FYZIKÁLNÍ PRINCIP MODERNÍCH ELEKTRONICKÝCH A ELEKTROTECHNICKÝCH PRVKŮ

44 FYZIKÁLNÍ PRINCIP MODERNÍCH ELEKTRONICKÝCH A ELEKTROTECHNICKÝCH PRVKŮ 592 44 FYZIKÁLNÍ PRINCIP MODERNÍCH ELEKTRONICKÝCH A ELEKTROTECHNICKÝCH PRVKŮ PN přechod Polovodičové diody a tranzistory MOS struktury Speciální diody Měniče tepelné a světelné energie na elektrickou Tradiční

Více

Návrh DPS a EMC blokování napájení. Blokování napájení

Návrh DPS a EMC blokování napájení. Blokování napájení Problém: Blokování napájení impulzní spotřeba součástek 10 0.. 10 2 ma /ns zpoždění průchodu proudu na DPS > 0,1ns/cm stabilizátor napětí nestíhá reakční doba > 1μs Řešení: blokovací kondenzátor = velmi

Více

Elektrický proud 2. Zápisy do sešitu

Elektrický proud 2. Zápisy do sešitu Elektrický proud 2 Zápisy do sešitu Směr elektrického proudu v obvodu 1/2 V různých materiálech vedou elektrický proud různé částice: kovy volné elektrony kapaliny (roztoky) ionty plyny kladné ionty a

Více

Základní poznatky o vedení elektrického proudu, základy elektroniky

Základní poznatky o vedení elektrického proudu, základy elektroniky Pedagogická fakulta Masarykovy univerzity Katedra technické a informační výchovy Základní poznatky o vedení elektrického proudu, základy elektroniky PaedDr. Ing. Josef Pecina, CSc. Mgr. Pavel Pecina, Ph.D.

Více

Elektronické součástky

Elektronické součástky FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ Elektronické součástky Autoři textu: Prof. Ing. Jaromír Brzobohatý, CSc. Prof. Ing. Vladislav Musil, CSc. Doc. Ing. Arnošt

Více

Polovodičové usměrňovače a zdroje

Polovodičové usměrňovače a zdroje Polovodičové usměrňovače a zdroje Druhy diod Zapojení a charakteristiky diod Druhy usměrňovačů Filtrace výstupního napětí Stabilizace výstupního napětí Zapojení zdroje napětí Závěr Polovodičová dioda Dioda

Více

Logické obvody CMOS. 2014, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer. A3B38MMP, 2014, J. Fischer, ČVUT - FEL, Praha, kat. měření 1

Logické obvody CMOS. 2014, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer. A3B38MMP, 2014, J. Fischer, ČVUT - FEL, Praha, kat. měření 1 Logické obvody CMOS 2014, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer A3B38MMP, 2014, J. Fischer, ČVUT - FEL, Praha, kat. měření 1 Polovodiče pro logické obvody, silně zjednodušený pohled detaily viz. kniha-

Více

Řízení spínaných zdrojů

Řízení spínaných zdrojů 1 Řízení spínaných zdrojů Výstupní napětí spínaného zdroje je udržováno na konstantní hodnotě pomocí uzavřené řídicí zpětnovazební smyčky. Hodnota výstupního napětí (skutečná hodnota) je porovnávána s

Více

1.1 Usměrňovací dioda

1.1 Usměrňovací dioda 1.1 Usměrňovací dioda 1.1.1 Úkol: 1. Změřte VA charakteristiku usměrňovací diody a) pomocí osciloskopu b) pomocí soustavy RC 2000 2. Ověřte vlastnosti jednocestného usměrňovače a) bez filtračního kondenzátoru

Více

Oldøich Kováø ELEKTRONIKA sbírka pøíkladù Oldøich Kováø ELEKTRONIKA - sbírka pøíkladù Recenzent èeského vydání: Ing Jiøí Hozman Recenzenti pùvodního slovenského vydání: Prof Ing Milan Kejzlar, CSc Doc

Více

Metrologie elektrického napětí

Metrologie elektrického napětí Metrologie elektrického napětí Vysvětlení některých zde užívaných pojmů: Supravodivost je schopnost některých kovů za nízkých teplot (0,35 až 20) K vést elektrický proud bezeztrátově, tj. s nulovým elektrickým

Více

Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody

Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody Přírodní vědy moderně a interaktivně FYZIKA 2. ročník šestiletého studia Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody G Gymnázium Hranice Přírodní vědy moderně a interaktivně

Více

Rád překonávám překážky. Vždy však myslím na jištění.

Rád překonávám překážky. Vždy však myslím na jištění. vidlice dvojpólová s ouškem Rád překonávám překážky. Vždy však myslím na jištění. adaptér 308 Elektroinstalační materiál pro pohyblivé přívody Adaptéry s ochranou před přepětím Pohyblivé přívody vidlice

Více

Elektronika. Ing. Jaroslav Bernkopf

Elektronika. Ing. Jaroslav Bernkopf Elektronika Ing. Jaroslav Bernkopf 8. května 204 Obsah. Zákony... 7. Ohmův zákon... 7.2 Kirchhoffův zákon I o proudech... 7.3 Kirchhoffův zákon II o napětích... 8 2. Pasivní součástky lineární... 8 2.

Více

Elektronické součástky

Elektronické součástky FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ Elektronické součástky Garant předmětu: Ing. Jaroslav Boušek, CSc. Autoři textu: Prof. Ing. Jaromír Brzobohatý, CSc. Prof.

Více

Číselné soustavy: Druhy soustav: Počítání ve dvojkové soustavě:

Číselné soustavy: Druhy soustav: Počítání ve dvojkové soustavě: Přednášející : Ing. Petr Haberzettl Zápočet : práce na doma hlavně umět vysvětlit Ze 120 lidí udělá maximálně 25 :D Literatura : Frištacký - Logické systémy Číselné soustavy: Nevyužíváme 10 Druhy soustav:

Více

5. RUŠENÍ, ELEKTROMAGNETICKÁ KOMPATIBILITA (EMC) a NORMY EMC

5. RUŠENÍ, ELEKTROMAGNETICKÁ KOMPATIBILITA (EMC) a NORMY EMC 5. RUŠENÍ, ELEKTROMAGNETICKÁ KOMPATIBILITA (EMC) a NORMY EMC Závažným problémem konstrukce impulsních regulátorů je jejich odrušení. Výkonové obvody měničů představují aktivní zdroj impulsního a kmitočtového

Více

Digitální učební materiál

Digitální učební materiál VY_32_INOVACE_EL_11_01 Digitální učební materiál Prostředí a ovládání aplikace TESTY Šablona: III/2 - Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Sada: VY_32_INOVACE_EL_11 Praxe - Elektronika I. pro

Více

Základní otázky pro teoretickou část zkoušky.

Základní otázky pro teoretickou část zkoušky. Základní otázky pro teoretickou část zkoušky. Platí shodně pro prezenční i kombinovanou formu studia. 1. Síla současně působící na elektrický náboj v elektrickém a magnetickém poli (Lorentzova síla) 2.

Více

MĚŘENÍ VA CHARAKTERISTIK BIPOLÁRNÍHO TRANZISTORU

MĚŘENÍ VA CHARAKTERISTIK BIPOLÁRNÍHO TRANZISTORU Vypracoval: Petr Vavroš (vav0040) Datum Měření: 29. 10. 2009 Laboratorní úloha č. 5 MĚŘENÍ VA HARAKTERISTIK IPOLÁRNÍHO TRANZISTORU ZADÁNÍ: I. Změřte výstupní charakteristiky I f(u E ) pro I konst. bipolárního

Více

1. Vlastní a nevlastní vodivost 2. Pohyblivost volných nábojů 3.Přechod PN v monokrystalickém polovodiči přechod PN.

1. Vlastní a nevlastní vodivost 2. Pohyblivost volných nábojů 3.Přechod PN v monokrystalickém polovodiči přechod PN. 1. Vlastní a nevlastní vodivost vlastní vodivost - vzniká fononovou generací (pár elektron - díra) nevlastní vodivost - způsobená atomovými poruchami krystalové mříže, zejména substitučními poruchami nevlastní

Více

Analogové elektronické obvody Laboratorní cvičení

Analogové elektronické obvody Laboratorní cvičení FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ Analogové elektronické obvody Laboratorní cvičení Autor textu: Prof Ing Dalibor Biolek, CSc Brno 2003 FEKT Vysokého učení

Více

Zdroj předpětí (triode board OK1GTH) Ing. Tomáš Kavalír, OK1GTH kavalir.t@seznam.cz, http://ok1gth.nagano.cz

Zdroj předpětí (triode board OK1GTH) Ing. Tomáš Kavalír, OK1GTH kavalir.t@seznam.cz, http://ok1gth.nagano.cz Zdroj předpětí (triode board OK1GTH) Ing. Tomáš Kavalír, OK1GTH kavalir.t@seznam.cz, http://ok1gth.nagano.cz Úkolem desky zdroje předpětí je především zajistit stálý pracovní bod elektronky, v našem případě

Více

Základy polovodičové techniky

Základy polovodičové techniky rčeno pro posluchače bakalářských studijních programů FS Obsah 1. Úvod str. 2 2. olovodičové prvky str. 2 2.1. olovodičové diody str. 3 2.2. Tyristory str. 7 2.3. Triaky str. 8 2.4. Tranzistory str. 9

Více

PRAKTIKUM... Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Odevzdal dne: Seznam použité literatury 0 1. Celkem max.

PRAKTIKUM... Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Odevzdal dne: Seznam použité literatury 0 1. Celkem max. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM... Úloha č. Název: Pracoval: stud. skup. dne Odevzdal dne: Možný počet bodů Udělený počet bodů Práce při měření 0 5 Teoretická

Více

Testové otázky za 2 body

Testové otázky za 2 body Přijímací zkoušky z fyziky pro obor PTA K vypracování písemné zkoušky máte k dispozici 90 minut. Kromě psacích potřeb je povoleno používání kalkulaček. Pro úspěšné zvládnutí zkoušky je třeba získat nejméně

Více

Paměti Josef Horálek

Paměti Josef Horálek Paměti Josef Horálek Paměť = Paměť je pro počítač životní nutností = mikroprocesor z ní čte programy, kterými je řízen a také do ní ukládá výsledky své práce = Paměti v zásadě můžeme rozdělit na: = Primární

Více

Témata pro přípravu žáků na závěrečnou zkoušku učební obor 26-51-H/001 Elektrikář zaměření slaboproud

Témata pro přípravu žáků na závěrečnou zkoušku učební obor 26-51-H/001 Elektrikář zaměření slaboproud Střední odborné učiliště, Blatná, U Sladovny 671 Témata pro přípravu žáků na závěrečnou zkoušku učební obor 26-51-H/001 Elektrikář zaměření slaboproud Písemná část: 1. Návrh napájecího zdroje - schéma

Více

Fázorové diagramy pro ideální rezistor, skutečná cívka, ideální cívka, skutečný kondenzátor, ideální kondenzátor.

Fázorové diagramy pro ideální rezistor, skutečná cívka, ideální cívka, skutečný kondenzátor, ideální kondenzátor. FREKVENČNĚ ZÁVISLÉ OBVODY Základní pojmy: IMPEDANCE Z (Ω)- charakterizuje vlastnosti prvku pro střídavý proud. Impedance je základní vlastností, kterou potřebujeme znát pro analýzu střídavých elektrických

Více

Tématické okruhy teoretických zkoušek Part 66 1 Modul 3 Základy elektrotechniky

Tématické okruhy teoretických zkoušek Part 66 1 Modul 3 Základy elektrotechniky Tématické okruhy teoretických zkoušek Part 66 1 3.1 Teorie elektronu 1 1 1 Struktura a rozložení elektrických nábojů uvnitř: atomů, molekul, iontů, sloučenin; Molekulární struktura vodičů, polovodičů a

Více

23-41-M/01 Strojírenství. Celkový počet týdenních vyuč. hodin: 3 Platnost od: 1.9.2009

23-41-M/01 Strojírenství. Celkový počet týdenních vyuč. hodin: 3 Platnost od: 1.9.2009 Učební osnova vyučovacího předmětu elektrotechnika Obor vzdělání: 23-41-M/01 Strojírenství Délka a forma studia: 4 roky, denní studium Celkový počet týdenních vyuč. hodin: 3 Platnost od: 1.9.2009 Pojetí

Více

ELEKTRICKÝ PROUD V KOVECH. Mgr. Jan Ptáčník - GJVJ - Fyzika - Elektřina a magnetismus - 3. ročník

ELEKTRICKÝ PROUD V KOVECH. Mgr. Jan Ptáčník - GJVJ - Fyzika - Elektřina a magnetismus - 3. ročník ELEKTRICKÝ PROUD V KOVECH Mgr. Jan Ptáčník - GJVJ - Fyzika - Elektřina a magnetismus - 3. ročník Elektrický proud Uspořádaný pohyb volných částic s nábojem Směr: od + k ( dle dohody - ve směru kladných

Více

TEORIE ELEKTRONICKÝCH OBVODŮ VI.

TEORIE ELEKTRONICKÝCH OBVODŮ VI. Střední průmyslová škola elektrotechnická a Vyšší odborná škola Pardubice, Karla IV. 3 TEORIE ELEKTRONIKÝH OBVODŮ VI. (VYSOKOFREKVENČNÍ ZESILOVAČE) (SMĚŠOVAČE) Ing. Jiří Nobilis Pardubice Toto skriptum

Více

Technické podmínky a návod k použití detektoru GR31

Technické podmínky a návod k použití detektoru GR31 Technické podmínky a návod k použití detektoru GR31 Detektory GR31 jsou určeny pro detekci výbušných plynů a par hořlavých látek ve vnitřních prostorách jako jsou např kotelny, technologické provozy, prostory

Více

Laboratorní práce č. 1: Určení voltampérových charakteristik spotřebičů

Laboratorní práce č. 1: Určení voltampérových charakteristik spotřebičů Přírodní vědy moderně a interaktivně FYZIKA 5. ročník šestiletého a 3. ročník čtyřletého studia Laboratorní práce č. 1: Určení voltampérových charakteristik spotřebičů G Gymnázium Hranice Přírodní vědy

Více

Title: IX 8 7:40 (1 of 7)

Title: IX 8 7:40 (1 of 7) P N (PN) PŘECHOD P N přechod lze realizovat pouze z POLOVODIČŮ. Jedná se o materiál, který musí mít dokonalý krystal bez příměsí a nečistot (čistota musí být lepší než 99,9999 %). Czochralského metoda

Více

Plán doučování z fyziky kvarta Učebnice: Fyzika 9 učebnice pro základní školy a víceletá gymnázia Nakladatelství Fraus 2007

Plán doučování z fyziky kvarta Učebnice: Fyzika 9 učebnice pro základní školy a víceletá gymnázia Nakladatelství Fraus 2007 Plán doučování z fyziky kvarta Učebnice: Fyzika 9 učebnice pro základní školy a víceletá gymnázia Nakladatelství Fraus 2007 1. pololetí Elektrodynamika - magnetická a elektromagnetická indukce - generátory

Více

Ideální frekvenční charakteristiky filtrů podle bodu 1. až 4. v netypických lineárních souřadnicích jsou znázorněny na následujícím obrázku. U 1.

Ideální frekvenční charakteristiky filtrů podle bodu 1. až 4. v netypických lineárních souřadnicích jsou znázorněny na následujícím obrázku. U 1. Aktivní filtry Filtr je obecně selektivní obvod, který propouští určité frekvenční pásmo, zatímco ostatní frekvenční pásma potlačuje. Filtry je možno realizovat sítí pasivních součástek, tj. rezistorů,

Více

Charakteristiky diod. Cvičení 5. Elektronické prvky A2B34ELP. V-A charakteristika diody a její mezní parametry

Charakteristiky diod. Cvičení 5. Elektronické prvky A2B34ELP. V-A charakteristika diody a její mezní parametry Cvičení 5 Charakteristiky diod V- charakteristika diody a její mezní parametry Simulace V- charakteristiky (PSpice) a její analýza (Excel) Modely diody Pracovní bod P o, náhladní lineární obvod (NLO) pro

Více

Elektrické vlastnosti. Základní pojmy Elektrická vodivost Elektrostatické chování polymerů

Elektrické vlastnosti. Základní pojmy Elektrická vodivost Elektrostatické chování polymerů Elektrické vlastnosti Základní pojmy Elektrická vodivost Elektrostatické chování polymerů Typy materiálů Látky umístěné v elektrickém poli: transport elektricky nabitých částic, tj. vzniká elektrický proud

Více

Title: IX 6 11:27 (1 of 6)

Title: IX 6 11:27 (1 of 6) PŘEVODNÍKY ANALOGOVÝCH A ČÍSLICOVÝCH SIGNÁLŮ Převodníky umožňující transformaci číslicově vyjádřené informace na analogové napětí a naopak zaujímají v řídícím systému klíčové postavení. Značná část měřených

Více

14. ELEKTRICKÉ TEPLO. Doc. Ing. Stanislav Kocman, Ph.D. 2. 2. 2009, Ostrava

14. ELEKTRICKÉ TEPLO. Doc. Ing. Stanislav Kocman, Ph.D. 2. 2. 2009, Ostrava 14. ELEKTRICKÉ TEPLO Doc. Ing. Stanislav Kocman, Ph.D. 2. 2. 2009, Ostrava Stýskala, 2002 Osnova přednp ednášky Úvod, výhody, zdroje Elektrické odporové a obloukové pece Indukční a dielektrický ohřev Elektrický

Více