Měření na unipolárním tranzistoru

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Rozměr: px
Začít zobrazení ze stránky:

Download "Měření na unipolárním tranzistoru"

Transkript

1 Měření na unipolárním tranzistoru Teoretický rozbor: Unipolární tranzistor je polovodičová součástka skládající se z polovodičů tpu N a P. Oproti bipolárnímu tranzistoru má jednu základní výhodu. Bipolární tranzistor potřebuje ke své činnosti výkon do bázového (v zapojení se společným emitorem) nebo emitorového (v zapojení se společnou bází) obvodu. Z principu funkce bipolárního tranzistoru plne, že primární veličinou ve vstupním obvodu je proud, který teče buď do báze (zapojení SE) nebo do emitoru (zapojení SB) bipolárního tranzistoru. To neumožňuje integrovat větší množství (řádově tisíce) bipolárních tranzistorů na jediném čipu, neboť vzniklé Jouleovo teplo není miniaturní čip schopen odvést. Bipolární tranzistor se proto používají zejména v analogových integrovaných obvodech, kde není tak vsoká hustota integrace, a v číslicových obvodech malé a střední hustot integrace. Pro obvod s vsokou hustotou integrace je potřeba tranzistor, jehož vstupním obvodem neteče proud (je řízený napětím, podobně jako elektronka). A to jsou tranzistor řízené polem, jinak nazývané FET (z anglického field effect transistor). Jejich princip je značně odlišný od principu bipolárního tranzistoru. Řídicí elektrodou tranzistorů tpu FET teče buď jen velmi malý proud ekvivalentní proudu diod v závěrném směru, nebo je tato řídicí elektroda izolovaná od řízeného obvodu vrstvičkou SiO, takže jí neteče praktick žádný proud (má odpor cca 10 1 Ω ). Existují dva druh unipolárních tranzistorů - JFET a MOSFET. MOS (Metal Oxid Semiconductor) Mezi elektrodou hradla a sauce je nutné vtvořit izolační vrstvičku v případě, že je izolační vrstva tvořená oxidem kovu, pak nese označení MOS. Struktura tranzistoru MOSFET: Hradlo je izolováno tenkou vrstvičkou izolantu, např. SiO. Jeho odpor je ted teoretick nekonečný, v praxi je řádu Ω. Struktura tranzistoru MOSFET V kusu polovodiče tpu N jsou dvě oblasti tpu P a t slouží jako elektrod S a D. Řídicí elektroda G je mezi těmito oblastmi a je izolována tenkou vrstvou SiO. Přiložíme-li nní na řídicí elektrodu dostatečně vsoké záporné napětí (avšak nikoliv tak vsoké, ab nastal elektrický průraz vrstvičk SiO ), vtvoří se na povrchu polovodiče tpu N v blízkosti hradla tzv. inverzní vrstva, tj. vrstva o opačné vodivosti, ted o vodivosti P a tato inverzní vrstva propojí obě oblasti tpu P (elektrod S a D) a mezi těmito elektrodami může procházet proud.

2 MOSFET po přiložení záporného napětí na řídící elektrodu Proč inverzní vrstva vzniká? Přiložíme-li na hradlo G záporné napětí vůči elektrodě S, vzniká elektrostatickou indukcí elektrické pole v izolační vrstvě SiO - kladný náboj ve vrstvě se hromadí v blízkosti hradla a záporný v blízkosti povrchu polovodiče. Tento záporný náboj opět indukuje hromadění kladného náboje v polovodiči. V blízkosti rozhraní oxid-polovodič ted vzniká v polovodiči tpu N vrstva ochuzená o elektron. Toto ochuzení o elektron může v polovodiči vést k vtvoření vrstv opačné vodivosti, než měl původní polovodič, ted tpu P; tato vrstva se proto nazývá inverzní vrstva. Obdobný efekt nastává, zvolíme-li základní materiál tpu P, elektrod S a D vtvoříme oblastmi tpu N a na hradlo G a elektrodu D budeme přikládat kladné napětí vůči elektrodě S. Podle toho, jaké vodivosti je inverzní vrstva, rozlišujeme tranzistor MOSFET s kanálem tpu N a s kanálem tpu P. Mnemotechnick si můžeme pamatovat, že polarita napětí na kolektoru bipolárního tranzistoru NPN v zapojení SE je stejná jako na elektrodě D tranzistoru MOSFET s kanálem tpu N, ted kladná vůči emitoru nebo elektrodě S, a naopak záporná vůči emitoru nebo elektrodě S, jedná-li se o tranzistor tpu PNP nebo MOSFET s kanálem tpu P. Proto se také často používá označení K nebo C pro elektrodu D a E pro elektrodu S; je však třeba si uvědomovat, že oba druh tranzistorů (bipolární a unipolární) pracují na zcela odlišných fzikálních principech. U výše popsaného tranzistoru MOSFET nepoteče proud I DS mezi elektrodami D a S, bude-li na elektrodě G nulové napětí vůči elektrodě S. Je to tím, že inverzní vrstva je indukována napětím na hradle tranzistoru, bez napětí inverzní vrstva neexistuje a tranzistor ted nevede. Říkáme, že se jedná o tranzistor MOSFET s indukovaným kanálem. Pracovní oblast napětí na hradle leží ted (pro MOSFET s indukovaným kanálem tpu P) v oblasti záporných napětí vůči elektrodě S. To je často výhoda, neboť nám v aplikaci stačí jeden zdroj napětí, ale nelze vzájemně zaměňovat tp MOSFET a JFET. Z tohoto důvodu bl vvinut ještě jeden druh tranzistorů tpu MOSFET, a sice MOSFET s technologick vtvořeným kanálem. MOSFET s technologick vtvořeným kanálem Jeho struktura se neliší podstatně od té, znázorněné na 3. obrázku, pouze při povrchu základního polovodiče u oxidové vrstvičk je technologick vtvořena tenká oblast vodivosti P, která slouží jako vodivý kanál mezi elektrodami S a D v případě, že na elektrodě G je nulové napětí vůči S. Tranzistor MOSFET s technologick vtvořeným kanálem ted vede proud I DS v případě, že na elektrodě G je nulové napětí. Je-li kanál technologick vtvořen, může tranzistor MOSFET pracovat ve dvou režimech, režimu obohacení a režimu ochuzení. Režim obohacení nastává při přiložení záporného napětí na elektrodu G, kd se elektrostatickou indukcí kanál dále rozšiřuje a ted ochuzuje o elektron a stává se vodivější. Režim ochuzení: Při přiložení kladného napětí na elektrodu G nastává opět elektrostatická indukce, ale s opačným efektem, technologick vtvořený kanál tpu P se obohacuje o elektron, jeho průřez 3

3 klesá, až při určitém dostatečně velikém kladném napětí U GS proud mezi elektrodami S a D klesne praktick na nulu, tranzistor se zavře. MOSFET v režimu obohacení MOSFET v režimu ochuzení Pracovní oblast tranzistoru MOSFET s technologick vtvořeným kanálem leží ted obecně v kladných i záporných napětích U GS, a je možno ji vhodným technologickým postupem posunout buď víc do oblasti kladných nebo víc do oblasti záporných napětí na hradle. Tranzistor MOSFET s technologick vtvořeným kanálem může proto sloužit jako ekvivalent tranzistoru JFET a ted i elektronk. Ab bl tranzistor MOSFET co nejcitlivější, mají velmi tenkou izolační vrstvičku. Ta může být snadno elektrick proražena. Výstupní charakteristik unip. T: Použití: Používá se podobně jako bipolární tranzistor (tj. např. zesilovače či spínače), oproti němu má tu výhodu, že je řízen napětím. Jiný příklad použití je v logických obvodech. Konkrétní zapojení obvodu realizujícího logickou funkci negace je uvedeno níže: Funkce obvodu: Není-li na vstupu žádné napětí (logická nula), je tranzistor zavřen, má velký odpor, neteče jím proud a na jeho výstupu je praktick celé napětí zdroje, ted logická 1. Je-li na vstupu napětí, je tranzistor otevřen, má malý odpor, ted je na něm malé napětí a ted na výstupu je logická nula. Zapojení obvodu NOT s unipolárním tranzistorem Značení: kolektor D (DRAIN ), emitor S (SOURCE), hradlo G (GATE) 4

4 1. Měření charakteristik, určování diferenciálních parametrů Admitanční rovnice: 1 = nemá smsl (vstupní proud neteče) = = při konst. U STRMOST 1 = při konst. U 1 VÝST.VODIVOST 1 r = VÝST. ODPOR Mezní a charakteristické hodnot MOS tranzistoru KF50: Mezní hodnot: Závěrné napětí C-E U CEMAX 30V Napětí řídící elektroda-emitor U GEMAX +70V (U CE = 15V) Ztrátový výkon P TOT 300mW Proud kolektoru I CMAX 30mA Charakteristické hodnot: Proud kolektoru I C 1 až 3mA (U CE = 10V, U GE = 0V) Strmost 1 > 300µS (U CE = 15V, I C = 5mA) Vstupní odpor R vst > Ω Prahové napětí U GET -1 až 5V 5

5 Tabulk: Výstupní charakteristik U GE [V] U CE [V] I C [ma] I C [ma] I C [ma] I C [ma] I C [ma] I C [ma] ,6 1,4 1,3 1 0,6 0, 3,5,8, 1,6 0,9 0,3 3 4,6 3,6,9 1,1 0,3 5 6,7 5,3 3,9,4 1,1 0,3 10 9,5 7 4,5,6 1, 0, ,3 7,3 4,6,6 1, 0,3 0 10,5 7,3 4,7,7 1, 0,3 30-7,4 4,8,8 1,3 0,3 Převodní charakteristik U CE = 15V U GET = - 10V U GE [V] I C [ma] 0,3 1,,6 4,6 7,3 10,3 Maximální kolektorová ztráta: U CE [V] I C [ma] 10 10,7 11,5 1, Příklad výpočtu: P TOT = U CE I C I C P = U TOT CE = = 10 ma 3 C, = = = = S 3 1 GE 3 C 0, 10 = = = =, 10-5 S CE r = = = 45 kω 5, 10 6

6 Zhodnocení: Po naměření hodnot a jejich vnesení do tabulek jsme bli schopni z grafu výstupních charakteristik a grafu převodní charakteristik vpočítat parametr = S, což ted odpovídá hodnotě udávané výrobcem v katalogu. Převodní charakteristika je pouze jedna, jelikož údaje vpočtené i naměřené se shodují a nelze ted barevně vznačit teoretickou charakteristiku od naměřené. 4 5 Admitační rovnice tranzistoru je: = , 10. Parametr Y může být obecně komplexní číslo a nejčastěji se v praxi určuje měřením nakrátko zprava a zleva. Graf: 7

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická

Více

Bipolární tranzistory. Produkt: Zavádění cizojazyčné terminologie do výuky odborných předmětů a do laboratorních cvičení

Bipolární tranzistory. Produkt: Zavádění cizojazyčné terminologie do výuky odborných předmětů a do laboratorních cvičení Název projektu: Automatizace výrobních procesů ve strojírenství a řemeslech Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.30/01.0038 Příjemce: SPŠ strojnická a SOŠ profesora Švejcara Plzeň, Klatovská 109 Tento projekt

Více

Elektronické praktikum EPR1

Elektronické praktikum EPR1 Elektronické praktikum EPR1 Úloha číslo 2 název Vlastnosti polovodičových prvků Vypracoval Pavel Pokorný PINF Datum měření 11. 11. 2008 vypracování protokolu 23. 11. 2008 Zadání 1. Seznamte se s funkcí

Více

Obrázek a/struktura atomů čistého polovodičeb/polovodič typu N

Obrázek a/struktura atomů čistého polovodičeb/polovodič typu N POLOVODIČE Vlastnosti polovodičů Polovodiče jsou materiály ze 4. skupiny Mendělejevovy tabulky. Nejznámější jsou germanium (Ge) a křemík (Si). Každý atom má 4 vazby, pomocí kterých se váže na sousední

Více

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII - 3.2.2 MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII - 3.2.2 MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: MEII - 3.2.2 MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH Obor: Mechanik elektronik Ročník: 2. Zpracoval(a): Bc. Josef Mahdal Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2010

Více

ELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky... 7-1 7.2 První a druhý průraz bipolárního

ELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky... 7-1 7.2 První a druhý průraz bipolárního Bohumil BRTNÍK, David MATOUŠEK ELEKTRONICKÉ PRVKY Praha 2011 Tato monografie byla vypracována a publikována s podporou Rozvojového projektu VŠPJ na rok 2011. Bohumil Brtník, David Matoušek Elektronické

Více

I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup

I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup ELEKTONIKA I N V E S T I C E D O O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í 1. Usměrňování a vyhlazování střídavého a. jednocestné usměrnění Do obvodu střídavého proudu sériově připojíme diodu. Prochází jí proud

Více

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Diody a usměrňova ovače Přednáška č. 2 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Diody a usměrňova ovače 1 Voltampérová charakteristika

Více

Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice 2 Číslo úlohy : 1

Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice 2 Číslo úlohy : 1 Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice Číslo úlohy : 1 Název úlohy : Vypracoval : ročník : 3 skupina : F-Zt Vnější podmínky měření : měřeno dne : 3.. 004 teplota : C tlak

Více

PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus

PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus Úloha č.: XI Název: Charakteristiky diody Pracoval: Pavel Brožek stud. skup. 12 dne 9.1.2009 Odevzdal

Více

Dioda jako usměrňovač

Dioda jako usměrňovač Dioda A K K A Dioda je polovodičová součástka s jedním P-N přechodem. Její vývody se nazývají anoda a katoda. Je-li na anodě kladný pól napětí a na katodě záporný, dioda vede (propustný směr), obráceně

Více

VYŠŠÍ ODBORNÁ ŠKOLA, STŘEDNÍ ŠKOLA CENTRUM ODBORNÉ PŘÍPRAVY SEZIMOVO ÚSTÍ ABSOLVENTSKÁ PRÁCE. 2012 Jakub Vyškovský

VYŠŠÍ ODBORNÁ ŠKOLA, STŘEDNÍ ŠKOLA CENTRUM ODBORNÉ PŘÍPRAVY SEZIMOVO ÚSTÍ ABSOLVENTSKÁ PRÁCE. 2012 Jakub Vyškovský VYŠŠÍ ODBORNÁ ŠKOLA, STŘEDNÍ ŠKOLA CENTRUM ODBORNÉ PŘÍPRAVY SEZIMOVO ÚSTÍ ABSOLVENTSKÁ PRÁCE 2012 Jakub Vyškovský i Anotace Tato absolventská práce se zabývá souhrnem a měřením aktivních elektronických

Více

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřený předmětem jsou v tomto případě polovodičové diody, jejich údaje jsou uvedeny v tabulce:

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřený předmětem jsou v tomto případě polovodičové diody, jejich údaje jsou uvedeny v tabulce: REDL 3.EB 8 1/14 1.ZADÁNÍ a) Změřte voltampérovou charakteristiku polovodičových diod pomocí voltmetru a ampérmetru v propustném i závěrném směru. b) Sestrojte grafy =f(). c) Graficko početní metodou určete

Více

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě zenerova dioda její hodnoty jsou uvedeny v tabulce:

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě zenerova dioda její hodnoty jsou uvedeny v tabulce: REDL 3.EB 9 1/11 1.ZADÁNÍ a) Změřte voltampérovou charakteristiku zenerovy diody v propustném i závěrném směru. Charakteristiky znázorněte graficky. b) Vypočtěte a graficky znázorněte statický odpor diody

Více

Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika

Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika Garant přípravného studia: Střední průmyslová škola elektrotechnická a ZDVPP, spol. s r. o. IČ: 25115138 Učební osnova: Základní

Více

Polovodičové diody Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA)

Polovodičové diody Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA) Polovodičové diody varikap, usměrňovací dioda, Zenerova dioda, lavinová dioda, tunelová dioda, průrazy diod Polovodičové diody (diode) součástky s 1 PN přechodem varikap usměrňovací dioda Zenerova dioda

Více

ELEKTRICKÝ PROUD ELEKTRICKÝ ODPOR (REZISTANCE) REZISTIVITA

ELEKTRICKÝ PROUD ELEKTRICKÝ ODPOR (REZISTANCE) REZISTIVITA ELEKTRICKÝ PROD ELEKTRICKÝ ODPOR (REZISTANCE) REZISTIVITA 1 ELEKTRICKÝ PROD Jevem Elektrický proud nazveme usměrněný pohyb elektrických nábojů. Např.:- proud vodivostních elektronů v kovech - pohyb nabitých

Více

Proudové zrcadlo. Milan Horkel

Proudové zrcadlo. Milan Horkel roudové zrcadlo MLA roudové zrcadlo Milan Horkel Zdroje proudu jsou při konstrukci integrovaných obvodů asi stejně důležité, jako obyčejný rezistor pro běžné tranzistorové obvody. Zdroje proudu se často

Více

MĚŘENÍ VA CHARAKTERISTIK BIPOLÁRNÍHO TRANZISTORU

MĚŘENÍ VA CHARAKTERISTIK BIPOLÁRNÍHO TRANZISTORU Vypracoval: Petr Vavroš (vav0040) Datum Měření: 29. 10. 2009 Laboratorní úloha č. 5 MĚŘENÍ VA HARAKTERISTIK IPOLÁRNÍHO TRANZISTORU ZADÁNÍ: I. Změřte výstupní charakteristiky I f(u E ) pro I konst. bipolárního

Více

Otázky z ELI 1/10. 15. Jaký je vztah mezi napětím a proudem na induktoru (obecně a v případě po určitou dobu konstantního napětí)

Otázky z ELI 1/10. 15. Jaký je vztah mezi napětím a proudem na induktoru (obecně a v případě po určitou dobu konstantního napětí) Otázky z ELI 1. V jakých jednotkách se vyjadřuje napětí Volt 2. V jakých jednotkách se vyjadřuje proud Amper 3. V jakých jednotkách se vyjadřuje odpor Ohm 4. V jakých jednotkách se vyjadřuje kapacita Farad

Více

Měření vlastností a základních parametrů elektronických prvků

Měření vlastností a základních parametrů elektronických prvků Číslo projektu Číslo materiálu Název školy Autor Název Téma hodiny Předmět Ročník /y/ CZ.1.07/1.5.00/34.0394 VY_32_INOVACE_EM_1.08_měření VA charakteristiky usměrňovací diody Střední odborná škola a Střední

Více

Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody

Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody Přírodní vědy moderně a interaktivně FYZIKA 2. ročník šestiletého studia Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody G Gymnázium Hranice Přírodní vědy moderně a interaktivně

Více

Učební osnova předmětu ELEKTRONIKA

Učební osnova předmětu ELEKTRONIKA Učební osnova předmětu ELEKTRONIKA Obor vzdělání: 2-1-M/01 Elektrotechnika (slaboproud) Forma vzdělávání: denní studium Ročník kde se předmět vyučuje: druhý, třetí Počet týdenních vyučovacích hodin ve

Více

1. Stanovte a graficky znázorněte charakteristiky vakuové diody (EZ 81) a Zenerovy diody (KZ 703).

1. Stanovte a graficky znázorněte charakteristiky vakuové diody (EZ 81) a Zenerovy diody (KZ 703). 1 Pracovní úkoly 1. Stanovte a graficky znázorněte charakteristiky vakuové diody (EZ 81) a Zenerovy diody (KZ 703). 2. Určete dynamický vnitřní odpor Zenerovy diody v propustném směru při proudu 200 ma

Více

VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH

VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH Jan Hruška TV-FYZ Ahoj, tak jsme tady znovu a pokusíme se Vám vysvětlit problematiku vedení elektrického proudu v látkách. Co je to vlastně elektrický proud? Na to

Více

1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny

1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny 1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny Popsaný přijímač slouží k poslechu rozhlasových stanic v pásmu středních vln. Přijímač je napájen z USB portu počítače přijímaný signál je pak připojen na

Více

MĚŘENÍ VA CHARAKTERISTIK POLOVODIČOVÝCH DIOD

MĚŘENÍ VA CHARAKTERISTIK POLOVODIČOVÝCH DIOD ypracoval: Petr avroš (vav4) Datum Měření:.. 9 Laboratorní úloha č. 4 MĚŘENÍ A CHARAKTERISTIK POLOODIČOÝCH DIOD I. KŘEMÍKOÁ USMĚRŇOACÍ dioda propustný směr Obr. A multimetr M39 multimetr M39 omezovací

Více

Stabiliz atory napˇet ı v nap ajec ıch zdroj ıch - mˇeˇren ı z akladn ıch parametr u Ondˇrej ˇ Sika

Stabiliz atory napˇet ı v nap ajec ıch zdroj ıch - mˇeˇren ı z akladn ıch parametr u Ondˇrej ˇ Sika - měření základních parametrů Obsah 1 Zadání 4 2 Teoretický úvod 4 2.1 Stabilizátor................................ 4 2.2 Druhy stabilizátorů............................ 4 2.2.1 Parametrické stabilizátory....................

Více

Číselné soustavy: Druhy soustav: Počítání ve dvojkové soustavě:

Číselné soustavy: Druhy soustav: Počítání ve dvojkové soustavě: Přednášející : Ing. Petr Haberzettl Zápočet : práce na doma hlavně umět vysvětlit Ze 120 lidí udělá maximálně 25 :D Literatura : Frištacký - Logické systémy Číselné soustavy: Nevyužíváme 10 Druhy soustav:

Více

Název: Téma: Autor: Číslo: Prosinec 2013. Střední průmyslová škola a Vyšší odborná škola technická Brno, Sokolská 1

Název: Téma: Autor: Číslo: Prosinec 2013. Střední průmyslová škola a Vyšší odborná škola technická Brno, Sokolská 1 Střední průmyslová škola a Vyšší odborná škola technická Brno, Sokolská 1 Šablona: Název: Téma: Autor: Číslo: Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Elektrický proud střídavý Elektronický oscilátor

Více

OBVODY TTL a CMOS. Úvod

OBVODY TTL a CMOS. Úvod OBVODY TTL a CMOS Úvod Tato úloha si klade za cíl seznámení se strukturou základních logických obvodů technologie TTL a CMOS, seznámení s jejich funkcí, vlastnostmi, základními charakteristikami a parametry.

Více

Jednoduchý Mosfet. Sharkus. Návod na výrobu jednoduchého spínače s mosfetem.

Jednoduchý Mosfet. Sharkus. Návod na výrobu jednoduchého spínače s mosfetem. Jednoduchý Mosfet Sharkus Návod na výrobu jednoduchého spínače s mosfetem. Zřejmě každý majitel AEG zbraně dříve či později narazí na opálené kontakty spouště. Průvodním jevem je nespolehlivé spínání spouště,

Více

FYZIKA II. Petr Praus 6. Přednáška elektrický proud

FYZIKA II. Petr Praus 6. Přednáška elektrický proud FYZIKA II Petr Praus 6. Přednáška elektrický proud Osnova přednášky Elektrický proud proudová hustota Elektrický odpor a Ohmův zákon měrná vodivost driftová rychlost Pohyblivost nosičů náboje teplotní

Více

Kategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-422 se používá pro:

Kategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-422 se používá pro: Mistrovství České republiky soutěže dětí a mládeže v radioelektronice, Vyškov 2011 Test Kategorie M START. ČÍSLO BODŮ/OPRAVIL U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-422

Více

44 FYZIKÁLNÍ PRINCIP MODERNÍCH ELEKTRONICKÝCH A ELEKTROTECHNICKÝCH PRVKŮ

44 FYZIKÁLNÍ PRINCIP MODERNÍCH ELEKTRONICKÝCH A ELEKTROTECHNICKÝCH PRVKŮ 592 44 FYZIKÁLNÍ PRINCIP MODERNÍCH ELEKTRONICKÝCH A ELEKTROTECHNICKÝCH PRVKŮ PN přechod Polovodičové diody a tranzistory MOS struktury Speciální diody Měniče tepelné a světelné energie na elektrickou Tradiční

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

Základy polovodičové techniky

Základy polovodičové techniky rčeno pro posluchače bakalářských studijních programů FS Obsah 1. Úvod str. 2 2. olovodičové prvky str. 2 2.1. olovodičové diody str. 3 2.2. Tyristory str. 7 2.3. Triaky str. 8 2.4. Tranzistory str. 9

Více

STŘEDNÍ ŠKOLA ELEKTROTECHNICKÁ, OSTRAVA, NA JÍZDÁRNĚ

STŘEDNÍ ŠKOLA ELEKTROTECHNICKÁ, OSTRAVA, NA JÍZDÁRNĚ STŘEDNÍ ŠKOLA ELEKTROTECHNICKÁ, OSTRAVA, NA JÍZDÁRNĚ 30, p. o. ELEKTRONIKA Ing. Pavel VYLEGALA 006 - - Obsah Elektrické obvody...4 Základní pojmy...4 Polovodičové součástky...6 Polovodič typu P,typu N,přechod

Více

Šum AD24USB a možnosti střídavé modulace

Šum AD24USB a možnosti střídavé modulace Šum AD24USB a možnosti střídavé modulace Vstup USB měřicího modulu AD24USB je tvořen diferenciálním nízkošumovým zesilovačem s bipolárními operačními zesilovači. Charakteristickou vlastností těchto zesilovačů

Více

Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr

Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr. Zadání: A. Na předloženém kompenzovaném vstupní děliči k nf milivoltmetru se vstupní impedancí Z vst = MΩ 25 pf, pro dělící poměry :2,

Více

11. Polovodičové diody

11. Polovodičové diody 11. Polovodičové diody Polovodičové diody jsou součástky, které využívají fyzikálních vlastností přechodu PN nebo přechodu kov - polovodič (MS). Nelinearita VA charakteristiky, zjednodušeně chápaná jako

Více

PRAKTIKUM... Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Odevzdal dne: Seznam použité literatury 0 1. Celkem max.

PRAKTIKUM... Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Odevzdal dne: Seznam použité literatury 0 1. Celkem max. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM... Úloha č. Název: Pracoval: stud. skup. dne Odevzdal dne: Možný počet bodů Udělený počet bodů Práce při měření 0 5 Teoretická

Více

3. Elektrický náboj Q [C]

3. Elektrický náboj Q [C] 3. Elektrický náboj Q [C] Atom se skládá z neutronů, protonů a elektronů. Elektrony mají záporný náboj, protony mají kladný náboj a neutrony jsou bez náboje. Protony jsou společně s neutrony v jádře atomu

Více

Polovodičové usměrňovače a zdroje

Polovodičové usměrňovače a zdroje Polovodičové usměrňovače a zdroje Druhy diod Zapojení a charakteristiky diod Druhy usměrňovačů Filtrace výstupního napětí Stabilizace výstupního napětí Zapojení zdroje napětí Závěr Polovodičová dioda Dioda

Více

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Univrzita omáš Bati v Zlíně LABORAORNÍ CVIČENÍ Z FYZIKY II Názv úlohy: Voltampérová charaktristika polovodičové diody a žárovky Jméno: Ptr Luzar Skupina: I II/1 Datum měřní: 14.listopadu 7 Obor: Informační

Více

Učební osnova předmětu. Elektronika. studijního oboru. 26-41-M/01 Elektrotechnika (silnoproud)

Učební osnova předmětu. Elektronika. studijního oboru. 26-41-M/01 Elektrotechnika (silnoproud) Učební osnova předmětu Elektronika studijního oboru 26-41-M/01 Elektrotechnika (silnoproud) Pojetí vyučovacího předmětu Předmět elektronika je základním odborným předmětem a je úvodním předmětem do oblasti

Více

Obr. 9.1: Elektrické pole ve vodiči je nulové

Obr. 9.1: Elektrické pole ve vodiči je nulové Stejnosměrný proud I Dosud jsme se při studiu elektrického pole zabývali elektrostatikou, která studuje elektrické náboje v klidu. V dalších kapitolách budeme studovat pohybující se náboje elektrický proud.

Více

U BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D.

U BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D. Napěťový průraz polovodičových přechodů Zvyšování napětí na přechodu -přechod se rozšiřuje, ale pouze s U (!!) - intenzita elektrického pole roste -překročení kritické hodnoty U (BR) -vzrůstu závěrného

Více

1.1 Usměrňovací dioda

1.1 Usměrňovací dioda 1.1 Usměrňovací dioda 1.1.1 Úkol: 1. Změřte VA charakteristiku usměrňovací diody a) pomocí osciloskopu b) pomocí soustavy RC 2000 2. Ověřte vlastnosti jednocestného usměrňovače a) bez filtračního kondenzátoru

Více

Základní poznatky o vedení elektrického proudu, základy elektroniky

Základní poznatky o vedení elektrického proudu, základy elektroniky Pedagogická fakulta Masarykovy univerzity Katedra technické a informační výchovy Základní poznatky o vedení elektrického proudu, základy elektroniky PaedDr. Ing. Josef Pecina, CSc. Mgr. Pavel Pecina, Ph.D.

Více

propustný směr maximální proud I F MAX [ma] 75 < 1... při I F = 10mA > 50... při I R = 1µA 60 < 0,4... při I F = 10mA > 60...

propustný směr maximální proud I F MAX [ma] 75 < 1... při I F = 10mA > 50... při I R = 1µA 60 < 0,4... při I F = 10mA > 60... Teoretický úvod Diody jsou polovodičové jednobrany s jedním přechodem PN. Dioda se vyznačuje tím, že nepropouští téměř žádný proud (je uzavřena) dokud napětí na ní nestoupne na hodnotu prahového napětí

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

2. Jaké jsou druhy napětí? Vyberte libovolný počet možných odpovědí. Správná nemusí být žádná, ale také mohou být správné všechny.

2. Jaké jsou druhy napětí? Vyberte libovolný počet možných odpovědí. Správná nemusí být žádná, ale také mohou být správné všechny. Psaní testu Pokyny k vypracování testu: Za nesprávné odpovědi se poměrově odečítají body. Pro splnění testu je možné využít možnosti neodpovědět maximálně u šesti o tázek. Doba trvání je 90 minut. Způsob

Více

Tématické okruhy teoretických zkoušek Part 66 1 Modul 3 Základy elektrotechniky

Tématické okruhy teoretických zkoušek Part 66 1 Modul 3 Základy elektrotechniky Tématické okruhy teoretických zkoušek Part 66 1 3.1 Teorie elektronu 1 1 1 Struktura a rozložení elektrických nábojů uvnitř: atomů, molekul, iontů, sloučenin; Molekulární struktura vodičů, polovodičů a

Více

4.3.2 Vlastní a příměsové polovodiče

4.3.2 Vlastní a příměsové polovodiče 4.3.2 Vlastní a příměsové polovodič Přdpoklady: 4204, 4207, 4301 Pdagogická poznámka: Pokud budt postupovat normální rychlostí, skončít u ngativní vodivosti. Nní to žádný problém, pozitivní vodivost si

Více

Vladimír Straka ELEKTRONIKA

Vladimír Straka ELEKTRONIKA STŘEDNÍ PRŮMYSLOVÁ ŠKOLA STROJNICKÁ A STŘEDNÍ ODBORNÁ ŠKOLA PROFESORA ŠVEJCARA, PLZEŇ, KLATOVSKÁ 109 Vladimír Straka ELEKTRONIKA SOUBOR PŘÍPRAV PRO 2. R. OBORU 26-41-M/01 Elektrotechnika - Mechatronika

Více

17. Elektrický proud v polovodiích, užití polovodiových souástek

17. Elektrický proud v polovodiích, užití polovodiových souástek 17. Elektrický proud v polovodiích, užití polovodiových souástek Polovodie se od kov liší pedevším tím, že mají vtší rezistivitu (10-2.m až 10 9.m) (kovy 10-8.m až 10-6.m). Tato rezistivita u polovodi

Více

X. Hallův jev. Michal Krištof. 2. Zjistěte závislost Hallova napětí na magnetické indukci při dvou hodnotách konstantního proudu vzorkem.

X. Hallův jev. Michal Krištof. 2. Zjistěte závislost Hallova napětí na magnetické indukci při dvou hodnotách konstantního proudu vzorkem. X. Hallův jev Michal Krištof Pracovní úkol 1. Zjistěte závislost proudu vzorkem na přiloženém napětí při nulové magnetické indukci. 2. Zjistěte závislost Hallova napětí na magnetické indukci při dvou hodnotách

Více

Oldøich Kováø ELEKTRONIKA sbírka pøíkladù Oldøich Kováø ELEKTRONIKA - sbírka pøíkladù Recenzent èeského vydání: Ing Jiøí Hozman Recenzenti pùvodního slovenského vydání: Prof Ing Milan Kejzlar, CSc Doc

Více

Elektrický proud v kovech Odpor vodiče, Ohmův zákon Kirchhoffovy zákony, Spojování rezistorů Práce a výkon elektrického proudu

Elektrický proud v kovech Odpor vodiče, Ohmův zákon Kirchhoffovy zákony, Spojování rezistorů Práce a výkon elektrického proudu Elektrický proud Elektrický proud v kovech Odpor vodiče, Ohmův zákon Kirchhoffovy zákony, Spojování rezistorů Práce a výkon elektrického proudu Elektrický proud v kovech Elektrický proud = usměrněný pohyb

Více

POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ. (40) Zveřejněno 31 07 79 N

POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ. (40) Zveřejněno 31 07 79 N ČESKOSLOVENSKÁ SOCIALISTICKÁ R E P U B L I K A (19) POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ 196670 (11) (Bl) (51) Int. Cl. 3 H 01 J 43/06 (22) Přihlášeno 30 12 76 (21) (PV 8826-76) (40) Zveřejněno 31 07

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

Experiment P-10 OHMŮV ZÁKON. Sledování vztahu mezi napětím a proudem procházejícím obvodem s rezistorem známého odporu.

Experiment P-10 OHMŮV ZÁKON. Sledování vztahu mezi napětím a proudem procházejícím obvodem s rezistorem známého odporu. Experiment P-10 OHMŮV ZÁKON CÍL EXPERIMENTU Sledování vztahu mezi napětím a proudem procházejícím obvodem s rezistorem známého odporu. MODULY A SENZORY PC + program NeuLog TM USB modul USB 200 senzor napětí

Více

Parametry a aplikace diod

Parametry a aplikace diod Cvičení 6 Parametry a aplikace diod Teplotní závislost propustného úbytku a závěrného proudu diody (PSpice) Reálná charakteristika diody, model diody v PSpice Extrakce parametrů diody pro PSpice Měření

Více

Měření VA charakteristik polovodičových diod

Měření VA charakteristik polovodičových diod ysoká škola báňská Technická universita Ostrava Fakulta elektrotechniky a informatiky Základy elektroniky ZEL Laboratorní úloha č. 4 Měření A charakteristik polovodičových diod Datum měření: 8.. Datum

Více

3. Polovodiče. Obr.3.1. Vlastní polovodič.

3. Polovodiče. Obr.3.1. Vlastní polovodič. 3. Polovodiče. Teorii vedení elektřiny v polovodičích lze podat v zásadě dvěma způsoby. První vychází z klasických představ vedení elektrického proudu jako záporně a kladně nabitých bodových nábojů (elektronů

Více

Dioda - ideální. Polovodičové diody. nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem)

Dioda - ideální. Polovodičové diody. nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem) Polovodičové diody: deální dioda Polovodičové diody: struktury a typy Dioda - ideální anoda [m] nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem) deální vs. reálná

Více

Základní otázky pro teoretickou část zkoušky.

Základní otázky pro teoretickou část zkoušky. Základní otázky pro teoretickou část zkoušky. Platí shodně pro prezenční i kombinovanou formu studia. 1. Síla současně působící na elektrický náboj v elektrickém a magnetickém poli (Lorentzova síla) 2.

Více

MĚŘENÍ POLOVODIČOVÝCH DIOD 201-3R

MĚŘENÍ POLOVODIČOVÝCH DIOD 201-3R Vyšší odborná škola a Střední průmyslová škola elektrotechnická Božetěchova 3, Olomouc Laboratoře elektrotechnických měření Název úlohy Číslo úlohy MĚŘENÍ POLOVODIČOVÝCH DIOD 201-3R Zadání 1. Multimetrem

Více

Výkonová elektronika. Polovodičový stykač BF 9250

Výkonová elektronika. Polovodičový stykač BF 9250 Výkonová elektronika Polovodičový stykač BF 9250 BF 9250 do 10 A BF 9250 do 25 A podle EN 60 947-4-2, IEC 60 158-2, VDE 0660 část 109 1-, 2- a 3-pólová provedení řídící vstup X1 s malým příkonem proudu

Více

2. Pro každou naměřenou charakteristiku (při daném magnetickém poli) určete hodnotu kritického

2. Pro každou naměřenou charakteristiku (při daném magnetickém poli) určete hodnotu kritického 1 Pracovní úkol 1. Změřte V-A charakteristiky magnetronu při konstantním magnetickém poli. Rozsah napětí na magnetronu volte 0-200 V (s minimálním krokem 0.1-0.3 V v oblasti skoku). Proměřte 10-15 charakteristik

Více

Plán doučování z fyziky kvarta Učebnice: Fyzika 9 učebnice pro základní školy a víceletá gymnázia Nakladatelství Fraus 2007

Plán doučování z fyziky kvarta Učebnice: Fyzika 9 učebnice pro základní školy a víceletá gymnázia Nakladatelství Fraus 2007 Plán doučování z fyziky kvarta Učebnice: Fyzika 9 učebnice pro základní školy a víceletá gymnázia Nakladatelství Fraus 2007 1. pololetí Elektrodynamika - magnetická a elektromagnetická indukce - generátory

Více

1. Vlastní a nevlastní vodivost 2. Pohyblivost volných nábojů 3.Přechod PN v monokrystalickém polovodiči přechod PN.

1. Vlastní a nevlastní vodivost 2. Pohyblivost volných nábojů 3.Přechod PN v monokrystalickém polovodiči přechod PN. 1. Vlastní a nevlastní vodivost vlastní vodivost - vzniká fononovou generací (pár elektron - díra) nevlastní vodivost - způsobená atomovými poruchami krystalové mříže, zejména substitučními poruchami nevlastní

Více

Spektrální charakteristiky fotodetektorů

Spektrální charakteristiky fotodetektorů ČESKÉ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V PRAZE Fakulta elektrotechnická LABORATORNÍ ÚLOHA č. 3 Spektrální charakteristiky fotodetektorů Vypracovali: Jan HLÍDEK & Martin SKOKAN V rámci předmětu: Fotonika (X34FOT)

Více

Analogové elektronické obvody Laboratorní cvičení

Analogové elektronické obvody Laboratorní cvičení FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ Analogové elektronické obvody Laboratorní cvičení Autor textu: Prof Ing Dalibor Biolek, CSc Brno 2003 FEKT Vysokého učení

Více

6. Vnitřní odpor zdroje, volt-ampérová charakteristika žárovky

6. Vnitřní odpor zdroje, volt-ampérová charakteristika žárovky 6. Vnitřní odpor zdroje, volt-ampérová charakteristika žárovky Úkoly měření: 1. Sestrojte obvod pro určení vnitřního odporu zdroje. 2. Určete elektromotorické napětí zdroje a hodnotu vnitřního odporu zdroje

Více

Číslicové obvody základní pojmy

Číslicové obvody základní pojmy Číslicové obvody základní pojmy V číslicové technice se pracuje s fyzikálními veličinami, které lze popsat při určité míře zjednodušení dvěma stavy. Logické stavy binární proměnné nabývají dvou stavů:

Více

18A - PRINCIPY ČÍSLICOVÝCH MĚŘICÍCH PŘÍSTROJŮ Voltmetry, A/D převodníky - principy, vlastnosti, Kmitoměry, čítače, fázoměry, Q- metry

18A - PRINCIPY ČÍSLICOVÝCH MĚŘICÍCH PŘÍSTROJŮ Voltmetry, A/D převodníky - principy, vlastnosti, Kmitoměry, čítače, fázoměry, Q- metry 18A - PRINCIPY ČÍSLICOVÝCH MĚŘICÍCH PŘÍSTROJŮ Voltmetry, A/D převodníky - principy, vlastnosti, Kmitoměry, čítače, fázoměry, Q- metry Digitální voltmetry Základním obvodem digitálních voltmetrů je A/D

Více

Jednoduchý elektrický obvod

Jednoduchý elektrický obvod 21 25. 05. 22 01. 06. 23 22. 06. 24 04. 06. 25 28. 02. 26 02. 03. 27 13. 03. 28 16. 03. VI. A Jednoduchý elektrický obvod Jednoduchý elektrický obvod Prezentace zaměřená na jednoduchý elektrický obvod

Více

Elektřina a magnetizmus

Elektřina a magnetizmus Elektřina a magnetizmus Elektrický náboj Všechny věci kolem nás se skládají z atomů. Atom obsahuje jádro (tvořené protony a neutrony) a obal tvořený elektrony. Protony a elektrony jsou částice elektricky

Více

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření přechodových dějů, část 3-4-3

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření přechodových dějů, část 3-4-3 MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření přechodových dějů, část Číslo projektu: Název projektu: Šablona: III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Sada: 1 Číslo materiálu: VY_32_INOVACE_

Více

1. V jakých jednotkách se vyjadřuje náboj - uveďte název a značku jednotky Náboj Q se vyjadřuje v coulombech [ C ].

1. V jakých jednotkách se vyjadřuje náboj - uveďte název a značku jednotky Náboj Q se vyjadřuje v coulombech [ C ]. 1. V jakých jednotkách se vyjadřuje náboj - uveďte název a značku jednotky Náboj Q se vyjadřuje v coulombech [ C ]. 2. Jaký je vztah mezi napětím a proudem na rezistoru - vzorec Jsou si přímo úměrné dle

Více

Title: IX 6 11:27 (1 of 6)

Title: IX 6 11:27 (1 of 6) PŘEVODNÍKY ANALOGOVÝCH A ČÍSLICOVÝCH SIGNÁLŮ Převodníky umožňující transformaci číslicově vyjádřené informace na analogové napětí a naopak zaujímají v řídícím systému klíčové postavení. Značná část měřených

Více

h n i s k o v v z d á l e n o s t s p o j n ý c h č o č e k

h n i s k o v v z d á l e n o s t s p o j n ý c h č o č e k h n i s k o v v z d á l e n o s t s p o j n ý c h č o č e k Ú k o l : P o t ř e b : Změřit ohniskové vzdálenosti spojných čoček různými metodami. Viz seznam v deskách u úloh na pracovním stole. Obecná

Více

4.2.13 Regulace napětí a proudu reostatem a potenciometrem

4.2.13 Regulace napětí a proudu reostatem a potenciometrem 4..3 Regulace napětí a proudu reostatem a potenciometrem Předpoklady: 405, 407, 40 Nejde o dva, ale pouze o jeden druh součástky (reostat) ve dvou různých zapojeních (jako reostat a jako potenciometr).

Více

Protokol o měření. Jak ho správně zpracovat

Protokol o měření. Jak ho správně zpracovat Protokol o měření Jak ho správně zpracovat OBSAH Co je to protokol? Forma a struktura Jednotlivé části protokolu Příklady Další tipy pro zpracování Co je to protokol o měření? Jedná se o záznam praktického

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

Logické obvody CMOS. 2014, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer. A3B38MMP, 2014, J. Fischer, ČVUT - FEL, Praha, kat. měření 1

Logické obvody CMOS. 2014, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer. A3B38MMP, 2014, J. Fischer, ČVUT - FEL, Praha, kat. měření 1 Logické obvody CMOS 2014, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer A3B38MMP, 2014, J. Fischer, ČVUT - FEL, Praha, kat. měření 1 Polovodiče pro logické obvody, silně zjednodušený pohled detaily viz. kniha-

Více

Základní definice el. veličin

Základní definice el. veličin Stýskala, 2002 L e k c e z e l e k t r o t e c h n i k y Vítězslav Stýskala, Jan Dudek Oddíl 1 Určeno pro studenty komb. formy FBI předmětu 452081 / 06 Elektrotechnika Základní definice el. veličin Elektrický

Více

Praktikum z výkonové elektroniky

Praktikum z výkonové elektroniky UNIVERZITA OBRANY Fakulta vojenských technologií Katedra elektrotechniky S-3708 Praktikum z výkonové elektroniky Autor: Ing. Jan Leuchter, Ph.D. ISBN 978-80-7231-210-8 BRNO 2006 Obsah Obsah Předmluva.

Více

Senzor teploty. Katalogový list SMT 160-30

Senzor teploty. Katalogový list SMT 160-30 Senzor teploty Katalogový list SMT 160-30 Obsah 1. Úvod strana 2 2. Inteligentní senzor teploty strana 2 3. Vývody a pouzdro strana 4 4. Popis výrobku strana 4 5. Charakteristické údaje strana 5 6. Definice

Více

200W ATX PC POWER SUPPLY

200W ATX PC POWER SUPPLY 200W ATX PC POWER SUPPLY Obecné informace Zde vám přináším schéma PC zdroje firmy DTK. Tento zdroj je v ATX provedení o výkonu 200W. Schéma jsem nakreslil, když jsem zdroj opravoval. Když už jsem měl při

Více

Pracovní návod 1/5 www.expoz.cz

Pracovní návod 1/5 www.expoz.cz Pracovní návod 1/5 www.expoz.cz Fyzika úloha č. 14 Zatěžovací charakteristika zdroje Cíle Autor: Jan Sigl Změřit zatěžovací charakteristiku různých zdrojů stejnosměrného napětí. Porovnat je, určit elektromotorické

Více

Fázorové diagramy pro ideální rezistor, skutečná cívka, ideální cívka, skutečný kondenzátor, ideální kondenzátor.

Fázorové diagramy pro ideální rezistor, skutečná cívka, ideální cívka, skutečný kondenzátor, ideální kondenzátor. FREKVENČNĚ ZÁVISLÉ OBVODY Základní pojmy: IMPEDANCE Z (Ω)- charakterizuje vlastnosti prvku pro střídavý proud. Impedance je základní vlastností, kterou potřebujeme znát pro analýzu střídavých elektrických

Více

Limita a spojitost funkce

Limita a spojitost funkce Limita a spojitost funkce Základ všší matematik Dana Říhová Mendelu Brno Průřezová inovace studijních programů Lesnické a dřevařské fakult MENDELU v Brně (LDF) s ohledem na disciplin společného základu

Více

1 Zdroj napětí náhradní obvod

1 Zdroj napětí náhradní obvod 1 Zdroj napětí náhradní obvod Příklad 1. Zdroj napětí má na svorkách naprázdno napětí 6 V. Při zatížení odporem 30 Ω klesne napětí na 5,7 V. Co vše můžete o tomto zdroji říci za předpokladu, že je v celém

Více

Elektronické součástky

Elektronické součástky FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ Elektronické součástky Garant předmětu: Ing. Jaroslav Boušek, CSc. Autoři textu: Prof. Ing. Jaromír Brzobohatý, CSc. Prof.

Více