Preparation of semiconductor nanomaterials
|
|
- Jindřiška Vacková
- před 8 lety
- Počet zobrazení:
Transkript
1 Studijní program:nanotechnologie Studijní obor: Nanomateriály (organizuje prof. J. Šedlbauer, FPP TU v Liberci) Preparation of semiconductor nanomaterials 2014/2015 (prof. E. Hulicius, FZÚ AV ČR, v.v.i.,)
2 9. a 10. Semiconductor (nano)hetero-structures and devices. Semiconductor heterostructures, exploitation of quantum-size properties of nanostructures, reasons of implementation, materials. Understanding of specifics of quantum-size structures and devices will be important for students pretending for better classification. Specifics of quantum-size device properties will be subject of questions.
3 Semiconductor heterostructures, using of quantum-size properties of nanostructures, reasons of implementation, materials, future improvements Semiconductors, monocrystals not only, but mainly Why does crystal exist? Crystal lattice and properties (electrical, optical, (mechanical not here)) Role of defects? Types of defects, their concentration, influence on devices. (point defects, dislocations, stacking faults, twins,...)
4 Bravais lattices It is possible to prove that only 14 different Bravais space lattices does exist. See table: Crystal system krystalová soustava Triclinical triklinická (trojklonná) Monoclinical monoklinická (jednoklonná) Orthorhombic ortorombická (rombická, kosočtverečná) Tetragonal tetragonální (čtverečná) Cubic kubická (izometrická) Hexagonal hexagonální (šesterečná) Trigonal trigonální (romboedrická, klencová) Minimal symmetry minimální symetrie No žádná One double foliate axe along c jedna 2četná osa podél c Three double foliate axes along a, b, c tři 2četné osy podél a, b, c One four foliate axe along c jedna 4četná osa podél c Four triple foliate axes along cube body diagonal čtyři 3četné osy podél tělesových úhlopříček krychle One six foliate axe along c jedna 6četná osa podél c One triple foliate axe along axe of hexagonal cell jedna 3četná osa podél osy hexagonalní buňky
5 Crystal lattice, electron and hole band energy structure High-school band structure, bands in k -space, (Brillouin zone, direct and indirect semiconductors, p-n junction, heterostructure, quantum well, density of electron states). Band structure of Si and GaAs
6
7 Crystal lattice, electron and hole band energy structurer High-school band structure, bands in k -space, (Brillouin zone, direct and indirect semiconductors, p-n junction, heterostructure, quantum well, density of electron states). State exam questions at FEL-CVUT:
8 Principles of electronic devices Jevy v polovodičích: Pásová struktura polovodičů, hustota stavů, efektivní hmotnost, přímý a nepřímý polovodič. Statistika elektronů a děr ve vodivostním a valenčním pásu, Fermiho hladina, vliv příměsí. Poissonova rovnice, rovnice kontinuity, difúzní a vodivostní proud, pohyblivost. Boltzmanova kinetická rovnice, rozptylové mechanismy. Generační a rckombinační mechanismy, doba života, difúní rovnice. Přechod p-n: oblast prostorového náboje, rozložení koncentrace nositelů náboje, intenzity elektrického pole, potenciálu, difúzní napětí, Shockleyho rovnice VA charakteristiky, injekce a extrakce nositelů náboje, injekční účinnost. Bariérová a difúzní kapacita. Průraz tunelový, lavinový, jejich teplotní závislost. Heteropřechody, rozměrové kvantování, elektron v kvantové jámě, hustota stavů v 2D, 1D a OD polovodiči, rezonanční tunelování, transport elektronů v supermřížce. Dioda, výkonová dioda PIN, varikap, Zenerova dioda, tunelová dioda. Kontakt kov-polovodič - kvalitativní popis dějů v: usměrňující a neusměrňující kontakt, VA charaktcristika, Schottkyho dioda. Propustné a závěrné vlastnosti, porovnání s pn přechodem. Teplotní vlastnosti. Struktura MIS - kvalitativní popis dějů ve: slabá a silná inverze, pásový modely, reálná struktura MIS, vliv náboje v oxidu a na rozhraní. Bipolární tranzistor: funkce, zbytkové proudy, průrazné napětí, charakteristiky, zapojení SB, SC, SE a jejich vlastnosti, ss pracovní bod a jeho nastavení, parametry h a y, náhradní obvody, kmitočtové a teplotní vlastnosti. Spínací aplikace. Vliv povahy zátěže, první a druhý průraz. Unipolární tranzistor: JFET. MESFET, MOSFET, DMOS. Indukovaný a zabudovaný kanál. Vlastnosti, charakteristiky, parametry. Základní zapojení, ss pracovní bod a jeho nastavení, parametry, kmitočtové a teplotní vlastnosti. Jevy krátkého kanálu MOSFET.
9 Vícevrstvé součástky: diak, tyristor, charakteristiky a parametry. GTO. Optoelektronické součástky: Fotoelektrický jev, fotovodivost, spontánní a stimulovaná emise, absorpce. elektroluminiscence, katodoluminiscence. Optické vláknové a planární vlnovody: princip funkce, materiálově-technologické řešení, základní vlastnosti. Polovodičové zdroje záření a detektory: princip funkce, materiálové a konstrukční řešení, základní vlastnosti a parametry. Optické přenosové systémy: základní principy, konstrukční komponenty, dosahované parametry. Optické vláknové senzory: základní principy, vlastnosti. Vysokofrekvenční a kvantově vázané polovodičové součástky - principy činnosti, aplikace: RTD, MESFET, HEMT - modulační dotace, HBT, HET - překmitový jev, jednoelektronový tranzistor- Coulombovská blokáda, laser s kvantovou jámou, polovodičový fotonásobič. Šum (typy, š. pasivní součástky, přechodu PN, FET, BJT). Modely součástek statický, pro malý, velký signál, nf., vf. včetně základních modelů používaných v simulačních programech. Trendy technologie submikronových integrovaných obvodů na křemíku, pokroky ve zvyšování hustoty, integrace ULSI, GSI. Ultrafialová, rentgenová, elektronová, iontová litografie. Konstrukce submikronového tranzistoru - potlačení jevu krátkého kanálu a horkých elektronů. Technologie propojování a víceúrovňové metalizace. Multičipové moduly. Jazyky HDL. Prostředky syntézy: simulace a verifikace návrhu IO. Pasivní součástky diskrétní a integrované. Základní konstrukce a parametry. Frekvenční a teplotní vlastnosti. Mikrosystém, mikrosenzor a mikroaktuátor - charakteristické vlastnosti (citlivost, nelinearita, atd.), principy činnosti (elektrostatické, piezoelektrické, magnetické, tepelné, optické, mechanické. atd.).
10 Suitable and used elements, compounds and materials Elementary semiconductors: silicon, silicon, silicon, (also germanium, selenium, diamond), but... They have indirect junctions, forbidden gap (E g ) and refraction index (n) is changeable only small. Compounds semiconductors: A III B V - GaAs, InP, GaSb,... A II B VI - CdTe, CdSe,... A IV B IV -GeSi, A III X B III (1-X) C V -AlGaAs, A III X B III (1-X) C YV D V (1-Y) - GaInAsSb,
11 Elements and compounds
12 Compound semiconductors II.B III.A IV.A V.A VI.A 2 B C N O 3 Al Si P S 4 Zn Ga Ge As Se 5 Cd In Sn Sb Te 6 Hg Tl Pb Bi Po
13 Dependence of E g and absorption edge on the lattice constant:
14 Forbidden gap dependence on lattice constant for some other materials
15 Repetition general information about: Band structure: If you are familiar with this subject, you can jump over.
16 Creation of band structure
17 Band structure in k-space: První aproximace poruchového počtu, bez započtení spinorbitální interakce První aproximace poruchového počtu, se započtením spinorbitální interakce Druhá aproximace poruchovéh počtu, se započtením spinorbitální interakce
18
19 Structures, heterostructures, nanostructures and peculiarities (material engineering) Homogenous structures P-N junctions: Electronics is based on them. Few interesting, simple, cheap, efficient device examples: - LEDs based on GaAs:Si amphoteric doping; - semiconductor solar cells (mainly Si); Semiinsulating on highly conductive layer and vice versa. Bulk crystal separation layer (epitaxial buffer) function epitaxial layer - (gradual improving crystallographic quality) Monocrystal - polycrystalline amorphous layer or vice versa.
20 Heterogenous structures (heterostructures) - clasical" Not only heterosturctures with P-N junctions, there are use homo-heterostructures with Eg junctions or fluent changes of forbidden gaps, refraction index with strong improvement of device parameters. Figures from Scientific American at 1971!! Obr Junctions type I., II. (a III.). Obr Strained junctions. Obr
21
22
23 Heterogenous structures (heterostructures) - clasical" Not only heterostructures with P-N junctions, there are use homo-heterostructures with Eg junctions or fluent changes of forbidden gaps, refraction index with strong improvement of device parameters. Figures from Scientific American at 1971!! Junctions type I., II. (a III.). Obr Strained junctions. Obr
24 Heterojunctions: (a) = b the first type (b) = a the second type (c) - the thirt type
25 Examples of the first type heterostructures can be different
26 D:\Storage\Eda\NSE\pr_25.jpg
27 D:\Storage\Eda\NSE\pr_32.jpg
28 Heterogenous structures (heterostructures) - clasical" Not only heterosturctures with P-N junctions, there are use homo-heterostructures with Eg junctions or fluent changes of forbidden gaps, refraction index with strong improvement of device parameters. Figures from Scientific American at 1971!! Junctions type I., II. (a III.). Strained junctions. Obr
29 Strained and relaxed lattice
30
31
32 Quantum- size structures Nano(hetero)structures - quantum" Decreasing of one or more dimension spaces in the structure to the level comparable with wavelength of electron (from tenths (0.1s) to tens (10s) nanometres (nm)) Quantum wells Quantum wires Quantum dots Figs We can create new artificial types of band structures - superlattices (explanation difference between superlattice and multiple quantum well), quantum cascade lasers.
33 Density of electron energy states
34
35
36
37 Peculiarities" - Solving of troubles of Type II heterojunctions - QD InAs in GaAs on Si - Fullerenes (also buckyballs C 60, 90, 80 (According architect R. Buckminstera Fullera who proposed and created similar dome buildings.) - Quantum cascade lasers - Nanocoils - Spinotronics
38
39 Peculiarities" - Solving of troubles of Type II heterojunctions - QD InAs in GaAs on Si - Fullerenes (also buckyballs C 60, 90, 80 ) (According architect R. Buckminstera Fullera who proposed and created similar dome buildings.) - Quantum cascade lasers - Nanocoils - Spinotronics
40 QD InAs/GaAs na Si
41 Peculiarities" - Solving of troubles of Type II heterojunctions - QD InAs in GaAs on Si - Fullerenes (also buckyballs C 60, 90, 80 ) (According architect R. Buckminstera Fullera who proposed and created similar dome buildings.) - Quantum cascade lasers - Nanocoils - Spinotronics
42
43
44 Peculiarities" - Solving of troubles of Type II heterojunctions - QD InAs in GaAs on Si - Fullerenes (also buckyballs C 60, 90, 85 ) (According architect R. Buckminstera Fullera who proposed and created similar dome buildings.) - Quantum cascade lasers - Nanocoils - Spinotronics
45
46 Základní způsoby generace záření ve (střední) infračervené oblasti
47 Tunable Emission Over a Wide Spectral Range Conduction band schematic of GaInAs/ AlInAs quantum cascade laser lattice matched to InP. Cross sectional schematic of laser waveguide structure. Photograph of a self-contained prototype quantum cascade laser pointer realised at CQD. Demonstrated single mode emission from quantum cascade lasers spanning both atmospheric windows.
48 M. Razeghi, Center for Quantum Devices, Northwestern Univ., Evanston Uncooled Infrared (5-12 m) Quantum Cascade Lasers Lasers operating in the mid- and far-infrared (5-12 m) spectral region are desirable for many applications. Up until recently, the only such laser technologies available were based on bulky gas or solid-state lasers as well as cryogenically cooled semiconductor lasers. One of the most exciting projects at the Center for Quantum Devices (CQD) is uncooled infrared quantum cascade lasers (QCLs), which, being a semiconductor laser, is inherently compact and will help eliminate the need for bulky and unreliable cryogenic cooling. This translates to a smaller, cheaper, system with a longer lifetime and less maintenance. Besides our current records with respect to threshold current density and high peak power, we have recently demonstrated the highest power continuous wave QCLs at room temperature.
49 Distributed Feedback (DFB) Quantum Cascade Lasers
50 High Performance Lasers Operating at Room Temperature 75 period waveguide core Cavity: 3 mm x 25 m Cross section image of a buried-ridge QCL laser. Cross section image of a Au electroplated QCL. Electrical and optical characteristics of a typical 9 m quantum cascade laser operating in pulsed mode at room temperature. Peak output power of 2.5 W is the highest power for a quantum cascade laser in these conditions.
51 Highest average power QCL. Comparison of groups >4 m
52 M. Razeghi, Center for Quantum Devices, Northwestern Univ., Evanston Uncooled Infrared (5-12 m) Quantum Cascade Lasers Lasers operating in the mid- and far-infrared (5-12 m) spectral region are desirable for many applications. Up until recently, the only such laser technologies available were based on bulky gas or solid-state lasers as well as cryogenically cooled semiconductor lasers. One of the most exciting projects at the Center for Quantum Devices (CQD) is uncooled infrared quantum cascade lasers (QCLs), which, being a semiconductor laser, is inherently compact and will help eliminate the need for bulky and unreliable cryogenic cooling. This translates to a smaller, cheaper, system with a longer lifetime and less maintenance. Besides our current records with respect to threshold current density and high peak power, we have recently demonstrated the highest power continuous wave QCLs at room temperature.
53 Peculiarities" - Solving of troubles of Type II heterojunctions - QD InAs in GaAs on Si - Fullerenes (also buckyballs C 60, 90, 85 ) (According architect R. Buckminstera Fullera who proposed and created similar dome buildings.) - Quantum cascade lasers - Nanocoils - Spinotronics
54
55 Peculiarities" - Solving of troubles of Type II heterojunctions - QD InAs in GaAs on Si - Fullerenes (also buckyballs C 60, 90, 85 ) (According architect R. Buckminstera Fullera who proposed and created similar dome buildings.) - Quantum cascade lasers - Nanocoils - Spinotronics
56
57 Using a combination of different materials to prepare useful functional devices (transistors, LEDs and lasers, detectors and photovoltaic cells,...) with better parameters. It is possible to prepare new materials desirable properties like complicated ternaries or quaternaries non existing in the nature. It is possible to use combination of thin binaries instead of chemistry of non existing ternaries with better properties. We can construct structures and devices (mainly on nanostructure base) with new properties (superlattices, quantum cascade lasers (QCL), molecular electronics, nanorobots, devices with quantum wells, wires, dots, with photonic crystals, with photo-electrochemical cells, etc). (In this lectures there were not described nonsemiconductor structures, biological nanostructures, Au, Ag, Fe, TiO, ZnO nanoparticles with huge application fields, nanofibres, nanomechanics, nanocolours, nanotextile also with great application potential.)
58 Structures for devices based on nonclasical (nonintuitive) quantum physical effects Examples of nano-hetero-structures and heterodimensional structures for later described devices.
59
60 Heterodimensional Device Technologies Interfaces between differentdimensional structures.
61 Examples of devices based on nonclasical (nonintuitive) quantum physical effects May be the oldest one is tunnel diode. It is based on resonant tunnelling. Obr. HEMT transistors and other, e.g. one electron transistors. Obr. Quantum etalon of resistivity (ohm normal) is based on quantum Hall effect. Project MÚ, FEL a FZÚ (P. Svoboda) Semiconductor lasers and LEDs in general (and with QW and QD especially). Next lecture on gradual and abrupt improving of their parameters when nanostructures are used.
62
63
64 Examples of devices based on nonclasical (nonintuitive) quantum physical effects May be the oldest one is tunnel diode. It is based on resonant tunnelling. Obr. HEMT transistors and other, e.g. one electron transistors. Obr. Quantum etalon of resistivity (ohm normal) is based on quantum Hall effect. Project MÚ, FEL a FZÚ (P. Svoboda) Semiconductor lasers and LEDs in general (and with QW and QD especially). Next lecture on gradual and abrupt improving of their parameters when nanostructures are used.
65
66
67 Examples of devices based on nonclasical (nonintuitive) quantum physical effects May be the oldest one is tunnel diode. It is based on resonant tunnelling. Obr. HEMT transistors and other, e.g. one electron transistors. Obr. Quantum etalon of resistivity (ohm normal) is based on quantum Hall effect. Project MÚ, FEL a FZÚ (P. Svoboda) Semiconductor lasers and LEDs in general (and with QW and QD especially). Next lecture on gradual and abrupt improving of their parameters when nanostructures are used.
68 Kvantový normál odporu
69 Quantum etalon of resistivity (ohm normal)
70 Quantum normal of resistivity (ohm unit)
71
72 Examples of devices based on nonclasical (nonintuitive) quantum physical effects May be the oldest one is tunnel diode. It is based on resonant tunnelling. Obr. HEMT transistors and other, e.g. one electron transistors. Obr. Quantum etalon of resistivity (ohm normal) is based on quantum Hall effect. Project MÚ, FEL a FZÚ (P. Svoboda) Semiconductor lasers and LEDs in general (and with QW and QD especially). Next lecture on gradual and abrupt improving of their parameters when nanostructures are used.
73 Thank you for your attention
74 Next: LED Light Emitting Diode
75 1907(!) The first electroluminescent diode - SiC, H.J. Round (c) (Rediscovered by Losevem at 1928) Destriau - LEDs from ZnS Welker introduction of A III B V (GaAs) Lasers (RCA, GE, IBM, MIT) th- Expansion of epitaxial technologies th Implementation of heterostructures and quantum wells Solving of the laser degradation and diodes (dislocation free substrates).
76 LD Laser Diode and Semiconductor lasers it is nearly the same, but not quite (there are also semiconductor lasers without P-N junction pumped by light).
77 Laser jako prvek se zpětnou vazbou. Pásová struktura jednoduchý p-n přechod, injekce elektronů. Laserový čip hetrorostruktura, vlnovod, rezonátor. Vlnovod.
78 Resume LED relatively cheap, efficient, notdegrading light sources Further increasing of efficiency (to 90%) and power (up 10 W per chip). Cheap white colour, (tuneability of the colour temperature from blue to yellow); fundamental energy savings. Wavelength expansion to UV and MIR. Multicolour chips for white colour. LD versus classical lasers = analogy vacuum electronics versus transistors? Wavelength expansion to UV and MIR (we are engaged in it),... Further increasing of efficiency (more than 90%) and power (over 20W per chip). Multicolour chip; parallel optical communication. Controlling of colour; laser spectroscopy. One photon sources for quantum communications,... ; Lifetime, cost,
23.2., 9.3., 23.3., 13.4., 27.4.; 18.5. ZK
POLOVODIČOVÉ nanotechnologie 12PN, ve FZÚ AV ČR, v. v. i., Cukrovarnická 10, letní sem. od 16.2. 2015, pondělí (14:30) (18:00) 23.2., 9.3., 23.3., 13.4., 27.4.; 18.5. ZK Eduard Hulicius hulicius@fzu.cz
VícePolovodičové diody Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA)
Polovodičové diody varikap, usměrňovací dioda, Zenerova dioda, lavinová dioda, tunelová dioda, průrazy diod Polovodičové diody (diode) součástky s 1 PN přechodem varikap usměrňovací dioda Zenerova dioda
VíceLitosil - application
Litosil - application The series of Litosil is primarily determined for cut polished floors. The cut polished floors are supplied by some specialized firms which are fitted with the appropriate technical
Více1. Zdroje a detektory optického záření
1. Zdroje a detektory optického záření 1.1. Zdroje optického záření výkon a jeho časový průběh spektrální charakteristika a její stabilita v čase koherenční vlastnosti 1.1.1. Tepelné zdroje velmi malá
VíceJiří Oswald. Fyzikální ústav AV ČR v.v.i.
Jiří Oswald Fyzikální ústav AV ČR v.v.i. I. Úvod Polovodiče Zákládní pojmy Kvantově-rozměrový jev II. Luminiscence Si nanokrystalů III. Luminiscence polovodičových nanostruktur A III B V IV. Aplikace Pásová
VíceVY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl
Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická
VíceTechoLED H A N D B O O K
TechoLED HANDBOOK Světelné panely TechoLED Úvod TechoLED LED světelné zdroje jsou moderním a perspektivním zdrojem světla se širokými možnostmi použití. Umožňují plnohodnotnou náhradu žárovek, zářivkových
VíceTento materiál byl vytvořen v rámci projektu Operačního programu Vzdělávání pro konkurenceschopnost.
Tento materiál byl vytvořen v rámci projektu Operačního programu Vzdělávání pro konkurenceschopnost. Projekt MŠMT ČR Číslo projektu Název projektu školy Klíčová aktivita III/2 EU PENÍZE ŠKOLÁM CZ.1.07/1.4.00/21.2146
VíceOtázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna
Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Tato otázka přepokládá znalost otázky č. - polovodiče. Doporučuji ujasnit
VíceNanocon 1, Rožnov, 2009
nanotechnologie Nanocon 1, Rožnov, 2009 Nanostruktury pro optoelektroniku souboj kaskádových laserů a struktur typu W o reálnou aplikaci jako zdroj laserového záření v blízké infračervené oblasti Eduard
VíceDC circuits with a single source
Název projektu: utomatizace výrobních procesů ve strojírenství a řemeslech egistrační číslo: Z..07/..0/0.008 Příjemce: SPŠ strojnická a SOŠ profesora Švejcara Plzeň, Klatovská 09 Tento projekt je spolufinancován
VíceDioda - ideální. Polovodičové diody. nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem)
Polovodičové diody: deální dioda Polovodičové diody: struktury a typy Dioda - ideální anoda [m] nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem) deální vs. reálná
VíceELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky... 7-1 7.2 První a druhý průraz bipolárního
Bohumil BRTNÍK, David MATOUŠEK ELEKTRONICKÉ PRVKY Praha 2011 Tato monografie byla vypracována a publikována s podporou Rozvojového projektu VŠPJ na rok 2011. Bohumil Brtník, David Matoušek Elektronické
VíceProjekt Pospolu. Polovodičové součástky diody. Pro obor M/01 Informační technologie
Projekt Pospolu Polovodičové součástky diody Pro obor 18-22-M/01 Informační technologie Autorem materiálu a všech jeho částí je Ing. Petr Voborník, Ph.D. Polovodičová součástka je elektronická součástka
VíceELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY
ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY VZORY OTÁZEK A PŘÍKLADŮ K TUTORIÁLU 1 1. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Proč je používáme. 2. Co jsou polovodiče vlastní. 3. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Jakým způsobem
VíceOptoelektronika. elektro-optické převodníky - LED, laserové diody, LCD. Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA)
Optoelektronika elektro-optické převodníky - LED, laserové diody, LCD Elektro-optické převodníky žárovka - nejzákladnější EO převodník nevhodné pro optiku široké spektrum vlnových délek vhodnost pro EO
VíceNávrhová pravidla pro návrh topologie (layoutu) čipu Vzájemné sesazení masek kontaktu, poly
Navrhované a skutečné rozměry Návrhová pravidla pro návrh topologie (layoutu) čipu Vzájemné sesazení masek kontaktu, poly Minimální šířka motivu Minimální vzdálenost motivů Minimální a maximální rozměr
Více11. Polovodičové diody
11. Polovodičové diody Polovodičové diody jsou součástky, které využívají fyzikálních vlastností přechodu PN nebo přechodu kov - polovodič (MS). Nelinearita VA charakteristiky, zjednodušeně chápaná jako
VíceCzech Republic. EDUCAnet. Střední odborná škola Pardubice, s.r.o.
Czech Republic EDUCAnet Střední odborná škola Pardubice, s.r.o. ACCESS TO MODERN TECHNOLOGIES Do modern technologies influence our behavior? Of course in positive and negative way as well Modern technologies
VíceUnipolární tranzistory
Unipolární tranzistory MOSFET, JFET, MeSFET, NMOS, PMOS, CMOS Unipolární tranzistory aktivní součástka řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem většinové nosiče menšinové nosiče parazitní charakter
VíceGymnázium, Brno, Slovanské nám. 7 WORKBOOK. Mathematics. Teacher: Student:
WORKBOOK Subject: Teacher: Student: Mathematics.... School year:../ Conic section The conic sections are the nondegenerate curves generated by the intersections of a plane with one or two nappes of a cone.
VíceGUIDELINES FOR CONNECTION TO FTP SERVER TO TRANSFER PRINTING DATA
GUIDELINES FOR CONNECTION TO FTP SERVER TO TRANSFER PRINTING DATA What is an FTP client and how to use it? FTP (File transport protocol) - A protocol used to transfer your printing data files to the MAFRAPRINT
VíceŠkola: Střední škola obchodní, České Budějovice, Husova 9. Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT
Škola: Střední škola obchodní, České Budějovice, Husova 9 Projekt MŠMT ČR: EU PENÍZE ŠKOLÁM Číslo projektu: CZ.1.07/1.5.00/34.0536 Název projektu školy: Výuka s ICT na SŠ obchodní České Budějovice Šablona
VíceFEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů
Unipolární tranzistory Řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem: FET [Field - Effect Transistor] Proud přenášen jedním typem nosičů náboje (unipolární): - majoritní nosiče v inverzním kanálu - neuplatňuje
VíceEXACT DS OFFICE. The best lens for office work
EXACT DS The best lens for office work EXACT DS When Your Glasses Are Not Enough Lenses with only a reading area provide clear vision of objects located close up, while progressive lenses only provide
VíceGrafen. Nobelova cena za fyziku 2010. Ludvík Smrčka Fyzikální ústav AVČR v. v. i. Praha
Grafen Nobelova cena za fyziku 2010 Ludvík Smrčka Fyzikální ústav AVČR v. v. i. Praha 25.10.2012 Andre Geim Flying frog The Nobel Prize in Physics 2010 was awarded jointly to Andre Geim and Konstantin
VícePolovodičové senzory. Polovodičové materiály Teplotní závislost polovodiče Piezoodporový jev Fotonové jevy Radiační jevy Magnetoelektrické jevy
Polovodičové senzory Polovodičové materiály Teplotní závislost polovodiče Piezoodporový jev Fotonové jevy Radiační jevy Magnetoelektrické jevy Polovodičové materiály elementární polovodiče Elementární
VíceOptoelektronika. Zdroje. Detektory. Systémy
Optoelektronika Zdroje Detektory Systémy Optoelektronika Optoelektronické součástky využívají interakce záření a elektricky nabitých částic v polovodičích. 1839 E. Becquerel - Fotovoltaický jev 1873 W.
Víceλ hc Optoelektronické součástky Fotorezistor, Laserová dioda
Optoelektronické součástky Fotorezistor, Laserová dioda Úvod Optoelektronické součástky jsou založeny na interakci optického záření s elektricky nabitými částicemi v polovodičích. Vztah mezi energií fotonů
VíceDATA SHEET. BC516 PNP Darlington transistor. technický list DISCRETE SEMICONDUCTORS Apr 23. Product specification Supersedes data of 1997 Apr 16
zákaznická linka: 840 50 60 70 DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 Supersedes data of 1997 Apr 16 1999 Apr 23 str 1 Dodavatel: GM electronic, spol. s r.o., Křižíkova 77, 186 00 Praha
VíceSPECIFICATION FOR ALDER LED
SPECIFICATION FOR ALDER LED MODEL:AS-D75xxyy-C2LZ-H1-E 1 / 13 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Absolute maximum Rating Unit Peak Forward Current I FP 500 ma Forward Current(DC) IF
VíceA8B32IES Úvod do elektronických systémů
A8B32IES Úvod do elektronických systémů 29.10.2014 Polovodičová dioda charakteristiky, parametry, aplikace Elektronické prvky a jejich reprezentace Ideální dioda Reálná dioda a její charakteristiky Porovnání
VíceUPM3 Hybrid Návod na ovládání Čerpadlo UPM3 Hybrid 2-5 Instruction Manual UPM3 Hybrid Circulation Pump 6-9
www.regulus.cz UPM3 Hybrid Návod na ovládání Čerpadlo UPM3 Hybrid 2-5 Instruction Manual UPM3 Hybrid Circulation Pump 6-9 CZ EN UPM3 Hybrid 1. Úvod V továrním nastavení čerpadla UPM3 Hybrid je profil PWM
VíceVY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl
Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická
VíceMTP-7-optické materiály. Optické vlastnosti materiálů
MTP-7-optické materiály Optické vlastnosti materiálů Barva, teplota světla Draper point 525 C Žárovka a výbojka - spektra Světlo pod vodou LASER (light amplification by stimulated emission of radiation)
VíceVY_32_INOVACE_06_Předpřítomný čas_03. Škola: Základní škola Slušovice, okres Zlín, příspěvková organizace
VY_32_INOVACE_06_Předpřítomný čas_03 Autor: Růžena Krupičková Škola: Základní škola Slušovice, okres Zlín, příspěvková organizace Název projektu: Zkvalitnění ICT ve slušovské škole Číslo projektu: CZ.1.07/1.4.00/21.2400
VíceNavrhované a skutečné rozměry. Návrhová pravidla pro návrh topologie (layoutu) čipu. Základní parametry návrhových pravidel
Navrhované a skutečné rozměry Změna skutečných rozměrů oproti navrhovaným Al spoje Kontaktní otvor v SiO Návrhová pravidla pro návrh topologie (layoutu) čipu Jiří Jakovenko Difuzní oblast N+ Vzájemné sesazení
VíceProjekt Pospolu. Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky. Pro obor M/01 Informační technologie
Projekt Pospolu Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky Pro obor 18-22-M/01 Informační technologie Autorem materiálu a všech jeho částí je Ing. Petr Voborník, Ph.D. Bipolární tranzistor Bipolární
VícePC/104, PC/104-Plus. 196 ept GmbH I Tel. +49 (0) / I Fax +49 (0) / I I
E L E C T R O N I C C O N N E C T O R S 196 ept GmbH I Tel. +49 (0) 88 61 / 25 01 0 I Fax +49 (0) 88 61 / 55 07 I E-Mail sales@ept.de I www.ept.de Contents Introduction 198 Overview 199 The Standard 200
VíceWORKSHEET 1: LINEAR EQUATION 1
WORKSHEET 1: LINEAR EQUATION 1 1. Write down the arithmetical problem according the dictation: 2. Translate the English words, you can use a dictionary: equations to solve solve inverse operation variable
VíceFEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4
Využití vlastností polovodičových přechodů Oblast prostorového náboje elektrické pole na přechodu Propustný směr difůze majoritních nosičů Závěrný směr extrakce minoritních nosičů Rekombinace na přechodu
VíceElektrické vlastnosti pevných látek
Elektrické vlastnosti pevných látek elektrická vodivost gradient vnějšího elektrického pole vyvolá přenos náboje volnými nositeli (elektrony, díry, ionty) měrná vodivost = e n n e p p [ -1 m -1 ] Kovy
VíceČíslo projektu: CZ.1.07/1.5.00/34.0036 Název projektu: Inovace a individualizace výuky
Číslo projektu: CZ.1.07/1.5.00/34.0036 Název projektu: Inovace a individualizace výuky Autor: Mgr. Libuše Matulová Název materiálu: Education Označení materiálu: VY_32_INOVACE_MAT27 Datum vytvoření: 10.10.2013
VíceDrags imun. Innovations
Energy news 2 Inovace Innovations 1 Drags imun V příštích plánovaných výrobních šaržích dojde ke změně balení a designu tohoto produktu. Designové změny sledují úspěšný trend započatý novou generací Pentagramu
VíceBy David Cameron VE7LTD
By David Cameron VE7LTD Introduction to Speaker RF Cavity Filter Types Why Does a Repeater Need a Duplexer Types of Duplexers Hybrid Pass/Reject Duplexer Detail Finding a Duplexer for Ham Use Questions?
VíceMelting the ash from biomass
Ing. Karla Kryštofová Rožnov pod Radhoštěm 2015 Introduction The research was conducted on the ashes of bark mulch, as representatives of biomass. Determining the influence of changes in the chemical composition
VíceSpínače s tranzistory řízenými elektrickým polem. Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT
Spínače s tranzistory řízenými elektrickým polem Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT Základní vlastnosti spínačů s tranzistory FET, IGBT resp. IGCT plně řízený spínač nízkovýkonové řízení malý
VíceEnabling Intelligent Buildings via Smart Sensor Network & Smart Lighting
Enabling Intelligent Buildings via Smart Sensor Network & Smart Lighting Petr Macháček PETALIT s.r.o. 1 What is Redwood. Sensor Network Motion Detection Space Utilization Real Estate Management 2 Building
VíceStřední průmyslová škola strojnická Olomouc, tř.17. listopadu 49
Střední průmyslová škola strojnická Olomouc, tř.17. listopadu 49 Výukový materiál zpracovaný v rámci projektu Výuka moderně Registrační číslo projektu: CZ.1.07/1.5.00/34.0205 Šablona: III/2 Anglický jazyk
Více2.3 Elektrický proud v polovodičích
2.3 Elektrický proud v polovodičích ( 6 10 8 10 ) Ωm látky rozdělujeme na vodiče polovodiče izolanty ρ ρ ( 10 4 10 8 ) Ωm odpor s rostoucí teplotou roste odpor nezávisí na osvětlení nebo ozáření odpor
VíceELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY
TEMATICKÉ OKRUHY ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 1. Základní pojmy fyziky polovodičů. Pásová struktura její souvislost s elektronovým obalem atomu, vliv na elektrickou vodivost materiálů. Polovodiče vlastní a nevlastní.
VíceCHAPTER 5 MODIFIED MINKOWSKI FRACTAL ANTENNA
CHAPTER 5 MODIFIED MINKOWSKI FRACTAL ANTENNA &KDSWHUSUHVHQWVWKHGHVLJQDQGIDEULFDW LRQRIPRGLILHG0LQNRZVNLIUDFWDODQWHQQD IRUZLUHOHVVFRPPXQLFDWLRQ7KHVLPXODWHG DQGPHDVXUHGUHVXOWVRIWKLVDQWHQQDDUH DOVRSUHVHQWHG
VíceLaboratoř na čipu. Lab-on-a-chip. Pavel Matějka
Laboratoř na čipu Lab-on-a-chip Pavel Matějka Typy analytických čipů 1. Chemické čipy 1. Princip chemického čipu 2. Příklady chemických čipů 3. Příklady analytického použití 2. Biočipy 1. Princip biočipu
VíceLED STANDARD 12V GU4, GU5.3, G53
LED catalog/katalog OBSAH / CONTENT 3 LED STANDARD 12V GU4, GU5.3, G53 5 HIGH POWER LED 230V GU10 7 HIGH POWER LED 230V E14, E27 9 HIGH POWER LED 230V E27 11. HIGH POWER LED 230V GU10, E27 13. LED STANDARD
Více11-1. PN přechod. v přechodu MIS (Metal - Insolator - Semiconductor),
11-1. PN přechod Tzv. kontaktní jevy vznikají na přechodu látek s rozdílnou elektrickou vodivostí a jsou základem prakticky všech polovodičových součástek. v přechodu PN (který vzniká na rozhraní polovodiče
VíceE. Hulicius: 12NT (Polovodičové) nanotechnologie, FJFI, Cukrovarnická 10, zasedačka v budově A, 2015, čtvrtek 15:50 (4 hod.): 1.10., 8.10., 12.11.
E. Hulicius: 12NT (Polovodičové) nanotechnologie, FJFI, Cukrovarnická 10, zasedačka v budově A, 2015, čtvrtek 15:50 (4 hod.): 1.10., 8.10., 12.11.- exkurse, 19.11. F. Novotný: Kvantové kovové tečky, Troja,
VíceSEMI-PRODUCTS. 2. The basic classification of semi-products is: standardized semi-products non-standardized semi-products
Second School Year SEMI-PRODUCTS 1. Semi-products are materials used for further processing. We produce them from incoming materials, for example from ingots, powders and other materials. We most often
VíceJust write down your most recent and important education. Remember that sometimes less is more some people may be considered overqualified.
CURRICULUM VITAE - EDUCATION Jindřich Bláha Výukový materiál zpracován v rámci projektu EU peníze školám Autorem materiálu a všech jeho částí, není-li uvedeno jinak, je Bc. Jindřich Bláha. Dostupné z Metodického
VíceProč by se průmysl měl zabývat výzkumem nanomateriálů
Proč by se průmysl měl zabývat výzkumem nanomateriálů Měření velikost částic Jak vnímat nanomateriály Pigmenty x nanopigmenty Nové vlastnosti? Proč se věnovat studiu nanomateriálů Velikost (cm) 10-1000
VíceFriction drives have constant or variable drives (it means variators). Friction drives are used for the transfer of smaller outputs.
Third School Year FRICTION DRIVES 1. Introduction In friction drives the peripheral force between pressed wheels is transferred by friction. To reach peripheral forces we need both a pressed force and
VíceOptoelektronické polovodičové součástky
Optoelektronické polovodičové součástky směr převodu energie optická na elektrickou elektrická na optickou solární články fotodetektory LED LASER Mechanizmy absorpce a emise fotonů mezipásové přechody
VíceNázev společnosti: VPK, s.r.o. Vypracováno kým: Ing. Michal Troščak Telefon: Datum:
Pozice Počet Popis 1 ALPHA2 25-6 18 Výrobní č.: 9799321 AUTOADAPT function automatically finds the best setpoint and thus reduces the energy consumption and setup time. Insulating shells are supplied with
VíceAktivita CLIL Chemie I.
Škola: Gymnázium Bystřice nad Pernštejnem Jméno vyučujícího: Mgr. Marie Dřínovská Aktivita CLIL Chemie I. Název aktivity: Uhlíkový cyklus v přírodě Carbon cycle Předmět: Chemie Ročník, třída: kvinta Jazyk
VíceLOGOMANUÁL / LOGOMANUAL
LOGOMANUÁL / LOGOMANUAL OBSAH / CONTENTS 1 LOGOTYP 1.1 základní provedení logotypu s claimem 1.2 základní provedení logotypu bez claimu 1.3 zjednodušené provedení logotypu 1.4 jednobarevné a inverzní provedení
VíceUčební osnova předmětu ELEKTRONIKA
Učební osnova předmětu ELEKTRONIKA Obor vzdělání: 2-1-M/002 Elektrotechnika Forma vzdělávání: denní studium Ročník kde se předmět vyučuje: druhý, třetí Počet týdenních vyučovacích hodin ve druhém ročníku:
VíceISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec
ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.05 Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566,
VíceFET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů
FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů (elektrony nebo díry) pracují s kanálem jednoho typu vodivosti
VíceTabulka 1 Stav členské základny SK Praga Vysočany k roku 2015 Tabulka 2 Výše členských příspěvků v SK Praga Vysočany Tabulka 3 Přehled finanční
Příloha I Seznam tabulek Tabulka 1 Stav členské základny SK Praga Vysočany k roku 2015 Tabulka 2 Výše členských příspěvků v SK Praga Vysočany Tabulka 3 Přehled finanční odměny pro rozhodčí platný od roku
VíceProjekt SPOLEČNÉ VZDĚLÁVÁNÍ PRO SPOLEČNOU BUDOUCNOST. Současná kosmonautika a kosmické technologie 2014
Projekt SPOLEČNÉ VZDĚLÁVÁNÍ PRO SPOLEČNOU BUDOUCNOST Současná kosmonautika a kosmické technologie 214 Projekt přeshraniční spolupráce SPOLEČNÉ VZDĚLÁVÁNÍ PRO SPOLEČNOU BUDOUCNOST Carbon quantum dots as
VíceUniverzita Tomáše Bati ve Zlíně
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Unipolárn rní tranzistory Přednáška č. 5 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Unipolárn rní tranzistory 1 Princip činnosti
VíceIntroduction to MS Dynamics NAV
Introduction to MS Dynamics NAV (Item Charges) Ing.J.Skorkovský,CSc. MASARYK UNIVERSITY BRNO, Czech Republic Faculty of economics and business administration Department of corporate economy Item Charges
VíceUniverzita Tomáše Bati ve Zlíně
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Diody a usměrňova ovače Přednáška č. 2 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Diody a usměrňova ovače 1 Voltampérová charakteristika
VíceUSER'S MANUAL FAN MOTOR DRIVER FMD-02
USER'S MANUAL FAN MOTOR DRIVER FMD-02 IMPORTANT NOTE: Read this manual carefully before installing or operating your new air conditioning unit. Make sure to save this manual for future reference. FMD Module
VíceFotonické nanostruktury (nanofotonika)
Základy nanotechnologií KEF/ZANAN Fotonické nanostruktury (nanofotonika) Jan Soubusta 4.11. 2015 Obsah 1. ÚVOD 2. POHLED DO MIKROSVĚTA 3. OD ELEKTRONIKY K FOTONICE 4. FYZIKA PRO NANOFOTONIKU 5. PERIODICKÉ
VíceŠkola: Střední škola obchodní, České Budějovice, Husova 9. Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT
Škola: Střední škola obchodní, České Budějovice, Husova 9 Projekt MŠMT ČR: EU PENÍZE ŠKOLÁM Číslo projektu: CZ.1.07/1.5.00/34.0536 Název projektu školy: Výuka s ICT na SŠ obchodní České Budějovice Šablona
VíceCASTING HAND PRODUCTION USING MOULDS
Second School Year CASTING HAND PRODUCTION USING MOULDS 1. Casting Casting is a production method for complicated components. A melted metal or other material is casted into a mould. There are two basic
VíceStřídače s HD-Wave Technologií
Střídače s HD-Wave Technologií 3/24/2017 FV střídače pomalé tempo vývoje Technologie FV střídačů zaznamenala jen mírný pokrok při zlepšování velikosti, účinnostia výrobních nákladů Srovnejmesito s počítačovýmprůmyslem,
VíceTECHNICKÁ UNIVERZITA V LIBERCI
TECHNICKÁ UNIVERZITA V LIBERCI Fakulta mechatroniky, informatiky a mezioborových studií Polovodičové zdroje fotonů Přehledový učební text Roman Doleček Liberec 2010 Materiál vznikl v rámci projektu ESF
VíceInvitation to ON-ARRIVAL TRAINING COURSE for EVS volunteers
Invitation to ON-ARRIVAL TRAINING COURSE for EVS volunteers (český text pro hostitelské organizace následuje na str. 3) 6.11. 11.11. 2015 Hotel Kaskáda, Ledeč nad Sázavou Husovo nám. 17, 584 01 Ledeč nad
VíceACOUSTIC EMISSION SIGNAL USED FOR EVALUATION OF FAILURES FROM SCRATCH INDENTATION
AKUSTICKÁ EMISE VYUŽÍVANÁ PŘI HODNOCENÍ PORUŠENÍ Z VRYPOVÉ INDENTACE ACOUSTIC EMISSION SIGNAL USED FOR EVALUATION OF FAILURES FROM SCRATCH INDENTATION Petr Jiřík, Ivo Štěpánek Západočeská univerzita v
VícePART 2 - SPECIAL WHOLESALE OFFER OF PLANTS SPRING 2016 NEWS MAY 2016 SUCCULENT SPECIAL WHOLESALE ASSORTMENT
PART 2 - SPECIAL WHOLESALE OFFER OF PLANTS SPRING 2016 NEWS MAY 2016 SUCCULENT SPECIAL WHOLESALE ASSORTMENT Dear Friends We will now be able to buy from us succulent plants at very good wholesale price.
Vícevolno na konzultace či samostudium , příprava na Mikuláše a na Vánoce.
nanotechnologie E. Hulicius: 12NT (Polovodičové) nanotechnologie, FJFI Od 3.10. 2018, čtvrtek, pak pondělí od 15:30/45+ 4 hod. Eduard Hulicius: https://www.fzu.cz/~hulicius/ ve FZÚ Cukrovarnická 10, budova
VíceZubní pasty v pozměněném složení a novém designu
Energy news4 Energy News 04/2010 Inovace 1 Zubní pasty v pozměněném složení a novém designu Od října tohoto roku se začnete setkávat s našimi zubními pastami v pozměněném složení a ve zcela novém designu.
Více1 Polovodiče základní pojmy, vlastnosti. Přechody, diody, jejich struktura, vlastnosti a aplikace.
1 Polovodiče základní pojmy, vlastnosti. Přechody, diody, jejich struktura, vlastnosti a aplikace. Vypracoval: Vojta Polovodiče: Rozdělení pevných látek na základě velikosti zakázaného pásu. Zakázaný pás
VíceUniverzita Tomáše Bati ve Zlíně
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Optoelektronika Přednáška č. 8 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Optoelektronika 1 Optoelektronika zabývá se přeměnou elektrické
VíceÚvod do laserové techniky KFE FJFI ČVUT Praha Michal Němec, 2014. Energie elektronů v atomech nabývá diskrétních hodnot energetické hladiny.
Polovodičové lasery Energie elektronů v atomech nabývá diskrétních hodnot energetické hladiny. Energetické hladiny tvoří pásy Nejvyšší zaplněný pás je valenční, nejbližší vyšší energetický pás dovolených
VícePozn.: obr. výrobku se může lišit od skuteč. výrobku
Počet Popis 1 MAGNA1 25- Pozn.: obr. výrobku se může lišit od skuteč. výrobku Výrobní č.: 99221217 The new MAGNA1 is the simple option for a job well done. It is the perfect choice when replacing older
VíceZdroje optického záření
Metody optické spektroskopie v biofyzice Zdroje optického záření / 1 Zdroje optického záření tepelné výbojky polovodičové lasery synchrotronové záření Obvykle se charakterizují zářivostí (zářivý výkon
VíceFIRE INVESTIGATION. Střední průmyslová škola Hranice. Mgr. Radka Vorlová. 19_Fire investigation CZ.1.07/1.5.00/
FIRE INVESTIGATION Střední průmyslová škola Hranice Mgr. Radka Vorlová 19_Fire investigation CZ.1.07/1.5.00/34.0608 Výukový materiál Číslo projektu: CZ.1.07/1.5.00/21.34.0608 Šablona: III/2 Inovace a zkvalitnění
VíceCARBONACEOUS PARTICLES IN THE AIR MORAVIAN-SILESIAN REGION
UHLÍKATÉ ČÁSTICE V OVZDUŠÍ MORAVSKO- SLEZSKÉHO KRAJE CARBONACEOUS PARTICLES IN THE AIR MORAVIAN-SILESIAN REGION Ing. MAREK KUCBEL Ing. Barbora SÝKOROVÁ, prof. Ing. Helena RACLAVSKÁ, CSc. Aim of this work
VíceUŽIVATELSKÁ PŘÍRUČKA
UŽIVATELSKÁ PŘÍRUČKA Plni víry a naděje míříme kupředu. S odhodláním zlepšujeme své dovednosti. Zapomeňte na zklamání, ale nikoli na svůj nevyužitý potenciál. Touha překonat sám sebe a dosáhnout hranice
VíceProjekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.08/
Projekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.08/03.0009 1. Čím se vyznačuje polovodičový materiál Polovodič je látka, jejíž elektrická vodivost lze měnit. Závisí na
VíceAktuální trendy ve výuce a testování cizích jazyků v akademickém prostředí
Jazykové centrum Aktuální trendy ve výuce a testování cizích jazyků v akademickém prostředí 15. 1. 2018 Projekt Zvýšení kvality vzdělávání a jeho relevance pro potřeby trhu práce CZ.02.2.69/0.0/16_015/0002362
Více1. Kvantové jámy. Tabulka 1: Efektivní hmotnosti nosičů v krystalech GaAs, AlAs, v jednotkách hmotnosti volného elektronu m o.
. Kvantové jámy Pokročilé metody růstu krystalů po jednotlivých vrstvách (jako MBE) dovolují vytvořit si v krystalu libovolný potenciál. Jeden z hojně používaných materiálů je: GaAs, AlAs a jejich ternární
VíceCompression of a Dictionary
Compression of a Dictionary Jan Lánský, Michal Žemlička zizelevak@matfyz.cz michal.zemlicka@mff.cuni.cz Dept. of Software Engineering Faculty of Mathematics and Physics Charles University Synopsis Introduction
Více2N LiftIP. IO Extender. Communicator for Lifts. Version
2N LiftIP Communicator for Lifts IO Extender Version 2.4.0 www.2n.cz Description The IO extender helps you extend 2N LiftIP with 1 input and 2 outputs. The purpose of the input is to cancel the rescue
VíceU BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D.
Napěťový průraz polovodičových přechodů Zvyšování napětí na přechodu -přechod se rozšiřuje, ale pouze s U (!!) - intenzita elektrického pole roste -překročení kritické hodnoty U (BR) -vzrůstu závěrného
VíceStandardní řada lisů Standard range of presses: 1000 600 340 14-85 280 2000 x 1200 900. 260 2000 x 1200 900. 630 500 89 10 80 500 x 500 560
ZS ZS ydraulické čtyřsloupové lisy ZS jsou produkční lisy určené pro tažení, stříhání a jiné tvářecí práce. Standardní a zvláštní příslušenství je obdobné jako u lisů typu Z. Rám a rozměry lisu jsou přizpůsobovány
VícePolovodičové diody Definice
Polovodičové diody Definice Toto slovo nemám rád. Navádí k puntičkářskému recitování, které často doprovází totální nepochopení podstaty. Jemnější je obrat vymezení pojmu. Ještě lepší je obyčejné: Co to
VíceProfilová část maturitní zkoušky 2015/2016
Střední průmyslová škola, Přerov, Havlíčkova 2 751 52 Přerov Profilová část maturitní zkoušky 2015/2016 TEMATICKÉ OKRUHY A HODNOTÍCÍ KRITÉRIA Studijní obor: 26-41-M/01 Elektrotechnika Zaměření: počítačové
Více