Spínače s tranzistory řízenými elektrickým polem. Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT
|
|
- Václav Tábor
- před 6 lety
- Počet zobrazení:
Transkript
1 Spínače s tranzistory řízenými elektrickým polem Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT Základní vlastnosti spínačů s tranzistory FET, IGBT resp. IGCT plně řízený spínač nízkovýkonové řízení malý odpor v sepnutém stavu vysoké spínací rychlosti
2 Základní struktura tranzistoru řízeného elektrickým polem
3 Náhradní schéma MOSFETu z hlediska mezielektrodových kapacit Parazitní kapacity ovlivňují spínací doby Millerova kapacita
4 Struktura U FETU (a) a trench FETU (b) trench FET vyniká velmi malým odporem v sepnutém stavu
5 Závislost odporu RDSon MOSFETu na teplotě kanálu Tj (obr. a) a odporu RDSon na ID pro různá napětí řídicí elektrody UGS (obr. b)
6 Inteligentní výkonové tranzistory MOSFET (SMART-FET) Mimo výkonové součástky se v pouzdře nachází i řídicí logické obvody MOS které zjišťují vybrané ochranné a řídicí funkce Jejich základní znaky: Vysoká spolehlivost Ochranné funkce přepětí, podpětí, proudové přetížení, zkrat, stav naprázdno, tepelné přetížení Zabudovaná nábojová pumpa pro provoz spínače s uzemněnou zátěží Omezení záporných napěťových špiček při spínání induktivní zátěže Ochrana vstupu a výstupu proti elektrostatickému náboji Kompatibilita vstupů a výstupů s logickými obvody CMOS a TTL Zpětné hlášení pomocí stavových signálů
7 Spínače s tranzistory TEMP-FET (zabudovaná ochrana proti teplenému přetížení)
8 Způsob spojení zemí řídicího a výkonového obvodu tranzistoru TEMP-FET s respektováním parazitních indukčností a odporů v obvodu zátěže
9 Přepěťové ochrany se Zenerovými diodami mezi C-G resp D-G u MOSFETu s kanálem N a P v zapojení se zátěží v kolektoru a emitoru
10 Přepěťové ochrany se Zenerovými diodami mezi C-E a alternativními varistory u MOSFETu s kanálem N a P v zapojení se zátěží v kolektoru a emitoru
11 Alternativní ochranné obvody MOSFETŮ Ochranný obvod s varistorem
12 Budicí obvody tranzistorů MOSFET Budič s paralelně řazenými hradly CMOS Budič s bipolárními komplementárními tranzistory -emitorový sledovač
13 Budicí obvody tranzistorů MOSFET Budič s komplementárními bipolárními tranzistory s kolektorovým výstupem Budič v zapojení Totem-Pole
14 Budicí obvody tranzistorů MOSFET na vysokém potenciálu
15 Budicí obvody tranzistorů MOSFET Rychlý budič s tranzistory v Darlingtonově zapojení Integrovaný budič sběrnice DS 0026 se špičkovým proudem až 1,5 A použitý pro buzení MOSFETU
16 Inteligentní FET Blokové schéma integrovaného obvodu s výkonovým tranzistorem FET a řídicími bloky
17 Tranzistory IGBT Rozdíly ve struktuře čipu, náhradního schématu a charakteristikách FETU (nahoře) a IGBT (dole)
18 Inteligentní řídicí obvod pro IGBT Optoelektronická vazba řídicího a diagnostického stop signálu spolu s galvanicky odděleným napájením zajišťují elektrickou pevnost minimálně 2 kv při frekvenci 50 Hz. Pro aplikace ve VN pohonech je pevnost izolační bariéry přizpůsobena provoznímu napětí spínače
19 A1M14SP2 Inteligentní budič IGBT
20 Tyristor řízený integrovanou řídící elektrodou IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor) Je to extrémně rychle spínaný tyristor GTO. Vychází z podstatného zlepšení klasické struktury GTO a integrované zpětné diody. Součástku IGCT vyvinula firma ABB SEMICONDUCTORS, AG (Lenzburg, Švýcarsko) v roce IGCT je složen ze dvou částí: tyristorová struktura GCT řídicí obvod - je integrován co nejtěsněji k silové části pro potlačení parazitních indukčnosti (maximální strmost nárůstu řídicího vypínacího proudu) Tyristor IGCT - Polovodiče a.s.
21 Tyristor IGCT 4.5 kv, 3 ka.. GCT (1), řídící jednotka,(2), deska plošného spoje řízení GCT. Porovnání VA charakteristik GCT a GTO při různých teplotách.
22 Napěťová a proudová zatížitelnost výkonových polovodičových prvků.
23 Konec
Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek
Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Hlavní požadavky na ideální budič Galvanické
VíceBezkontaktní spínací přístroje
Bezkontaktní spínací přístroje Důvody použití bezkontaktních spínačů Pozitiva Potřeba častého a přesně časově synchronizovaného spínání, které není klasickými kontaktními přístroji dosažitelné Potlačení
VíceGFK-1913-CZ Prosinec 2001. Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Skladovací teplota -25 C až +85 C.
Modul slouží pro výstup digitálních signálů 24 Vss. Specifikace modulu Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení 48,8 mm x 120 mm x 71,5 mm dvou- a třídrátové Provozní teplota -25 C až +55 C
Více9/12/2012. Budicí obvody VPS - drivers. Budicí obvody VPS - drivers obsah prezentace. Požadavky na budicí obvody VPS. Budicí obvod
Budicí obvody VPS - drivers Konstrukce polovodičových měničů Budicí obvody VPS - drivers obsah prezentace požadavky na budicí obvody VPS základní požadavek na budicí obvod - galvanické oddělení budicí
VíceUniverzita Tomáše Bati ve Zlíně
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Struktura logických obvodů Přednáška č. 10 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Struktura logických obvodů 1 Struktura logických
VíceGFK-2005-CZ Prosinec Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Provozní teplota -25 C až +55 C. Skladovací teplota -25 C až +85 C
Výstup 24 Vss, negativní logika, 0,5 A, 2 body Modul slouží pro výstup digitálních signálů 24 Vss. Specifikace modulu Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení 12,2 mm x 120 mm x 71,5 mm dvou-,
VíceIGBT Insulated Gate Bipolar Transistor speciální polovodičová struktura IGBT se používá jako spínací tranzistor nejdůležitější součástka výkonové
IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor speciální polovodičová struktura IGBT se používá jako spínací tranzistor nejdůležitější součástka výkonové elektroniky chová se jako bipolární tranzistor řízený unipolárním
VíceELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky... 7-1 7.2 První a druhý průraz bipolárního
Bohumil BRTNÍK, David MATOUŠEK ELEKTRONICKÉ PRVKY Praha 2011 Tato monografie byla vypracována a publikována s podporou Rozvojového projektu VŠPJ na rok 2011. Bohumil Brtník, David Matoušek Elektronické
VíceGFK-2004-CZ Listopad Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Skladovací teplota -25 C až +85 C.
Modul slouží pro výstup digitálních signálů 24 Vss. Specifikace modulu Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení 48,8 mm x 120 mm x 71,5 mm dvou-, tří- a čtyřdrátové Provozní teplota -25 C až
VíceGFK-1904-CZ Duben Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Skladovací teplota -25 C až +85 C. Provozní vlhkost. Skladovací vlhkost
Modul slouží pro výstup digitálních signálů 24 Vss. Specifikace modulu Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení 12,2 mm x 120 mm x 71,5 mm dvou- a třídrátové Provozní teplota -25 C až +55 C
VíceNeřízené polovodičové prvky
Neřízené polovodičové prvky Výkonová elektronika - přednášky Projekt ESF CZ.1.07/2.2.00/28.0050 Modernizace didaktických metod a inovace výuky technických předmětů. Neřízené polovodičové spínače neobsahují
Více+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2
Pro zadané hodnoty napájecího napětí, odporů a zesilovacího činitele β vypočtěte proudy,, a napětí,, (předpokládejte, že tranzistor je křemíkový a jeho pracovní bod je nastaven do aktivního normálního
VíceFEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů
Unipolární tranzistory Řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem: FET [Field - Effect Transistor] Proud přenášen jedním typem nosičů náboje (unipolární): - majoritní nosiče v inverzním kanálu - neuplatňuje
VíceTRANZISTORY TRANZISTORY. Bipolární tranzistory. Ing. M. Bešta
TRANZISTORY Tranzistor je aktivní, nelineární polovodičová součástka schopná zesilovat napětí, nebo proud. Tranzistor je asi nejdůležitější polovodičová součástka její schopnost zesilovat znamená, že malé
VíceZÁSADY PARALELNÍHO A SÉRIOVÉHO ŘAZENÍ SOUČÁSTEK VE VÝKONOVÝCH OBVODECH
ZÁSADY PARALELNÍHO A SÉRIOVÉHO ŘAZENÍ SOUČÁSTEK VE VÝKONOVÝCH OBVODECH Jestliže je v dané aplikaci vyžadován větší proud než jaký je možno získat použitím jedné součástky, je třeba součástky zapojovat
VíceSoučástky s více PN přechody
Součástky s více PN přechody spínací polovodičové součástky tyristor, diak, triak Součástky s více PN přechody první realizace - 1952 třívrstvé tranzistor diak čtyřvrstvé tyristor pětivrstvé triak diak
VíceMěření na unipolárním tranzistoru
Měření na unipolárním tranzistoru Teoretický rozbor: Unipolární tranzistor je polovodičová součástka skládající se z polovodičů tpu N a P. Oproti bipolárnímu tranzistoru má jednu základní výhodu. Bipolární
VíceŘízené polovodičové součástky. Výkonová elektronika
Řízené polovodičové součástky Výkonová elektronika Polovodičové součástky s řízeným zapnutím řídící signál přivede spínač z blokovacího do propustného stavu do závěrného stavu jen vnější komutací (přerušením)
VíceELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY
ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY VZORY OTÁZEK A PŘÍKLADŮ K TUTORIÁLU 1 1. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Proč je používáme. 2. Co jsou polovodiče vlastní. 3. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Jakým způsobem
VíceVÝKONOVÉ TRANZISTORY MOS
VÝKONOVÉ TANZSTOY MOS Pro výkonové aplikace mají tranzistory MOS přednosti: - vysoká vstupní impedance, - vysoké výkonové zesílení, - napěťové řízení, - teplotní stabilita PNP FNKE TANZSTO MOS Prahové
VíceProjekt Pospolu. Poruchy elektronických zařízení. Autorem materiálu a všech jeho částí, není-li uvedeno jinak, je Ing. Jiří Ulrych.
Projekt Pospolu Poruchy elektronických zařízení Autorem materiálu a všech jeho částí, není-li uvedeno jinak, je Ing. Jiří Ulrych. Používaná terminologie Funkční jednotka je určený celek v rámci celého
VíceVY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl
Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická
VíceZDROJ 230V AC/DC DVPWR1
VLASTNOSTI Zdroj DVPWR1 slouží pro napájení van souboru ZAT-DV řídícího systému ZAT 2000 MP. Výstupní napětí a jejich tolerance, časové průběhy logických signálů a jejich zatížitelnost odpovídají normě
VíceProjekt Pospolu. Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky. Pro obor M/01 Informační technologie
Projekt Pospolu Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky Pro obor 18-22-M/01 Informační technologie Autorem materiálu a všech jeho částí je Ing. Petr Voborník, Ph.D. Bipolární tranzistor Bipolární
VíceZáklady elektrotechniky
Základy elektrotechniky Přednáška Tranzistory 1 BIPOLÁRNÍ TRANZISTOR - třívrstvá struktura NPN se třemi vývody (elektrodami): e - emitor k - kolektor b - báze Struktura, náhradní schéma a schematická značka
VíceOtázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna
Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Tato otázka přepokládá znalost otázky č. - polovodiče. Doporučuji ujasnit
VíceA1M14 SP2 Min. NULOVÉ SPÍNAČE
NULOVÉ SPÍNAČE 1 Nulové spínače Určené pro spínání odporových zátěží Snižují riziko rušení vyvolané sepnutím v náhodném okamžiku po průchodu napětí nulou. Sepnutí v t > 0 strmý nárůst napětí a proudu na
VíceELN 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY 1/14 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY
ELN 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY 1/14 2. Analogové spínače s tranzistory 2.1 Spínací vlastnosti tranzistorů bipolárních a unipolárních 2.2 Příklady použití spínačů 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY
VíceGFK-1905-CZ Duben 2001. Specifikace modulu. Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Skladovací teplota -25 C až +85 C.
Modul má jeden elektricky oddělený kontakt typu C. Specifikace modulu Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení 12,2 mm x 120 mm x 71,5 mm K elektricky oddělenému přepínacímu kontaktu relé. Provozní
VíceVY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl
Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická
VíceUnipolární tranzistory
Unipolární tranzistory MOSFET, JFET, MeSFET, NMOS, PMOS, CMOS Unipolární tranzistory aktivní součástka řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem většinové nosiče menšinové nosiče parazitní charakter
VíceUčební osnova vyučovacího předmětu elektronika Volitelný vyučovací předmět. Pojetí vyučovacího předmětu. 23-41-M/01 Strojírenství
Učební osnova vyučovacího předmětu elektronika Volitelný vyučovací předmět Obor vzdělání: -1-M/01 Strojírenství Délka a forma studia: roky, denní studium Celkový počet týdenních vyuč. hodin: Platnost od:
Více2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω.
A5M34ELE - testy 1. Vypočtěte velikost odporu rezistoru R 1 z obrázku. U 1 =15 V, U 2 =8 V, U 3 =10 V, R 2 =200Ω a R 3 =1kΩ. 2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty
VíceFEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4
Využití vlastností polovodičových přechodů Oblast prostorového náboje elektrické pole na přechodu Propustný směr difůze majoritních nosičů Závěrný směr extrakce minoritních nosičů Rekombinace na přechodu
VíceA8B32IES Úvod do elektronických systémů
A8B3IES Úvod do elektronických systémů..04 Ukázka činnosti elektronického systému DC/DC měniče a optické komunikační cesty Aplikace tranzistoru MOSFET jako spínače Princip DC/DC měniče zvyšujícího napětí
Více9/10/2012. Výkonový polovodičový měnič. Výkonový polovodičový měnič obsah prezentace. Výkonový polovodičový měnič. Konstrukce polovodičových měničů
Výkonový polovodičový měnič Konstrukce polovodičových měničů Výkonový polovodičový měnič obsah prezentace Výkonový polovodičový měnič. Přehled norem pro rozvaděče a polovodičové měniče.. Výběr z výkonových
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
VíceTYRISTORY. Spínací součástky pro oblast největších napětí a nejvyšších proudů Nejčastěji triodový tyristor
TYRSTORY Spínací součástky pro oblast největších napětí a nejvyšších proudů Nejčastěji triodový tyristor Závěrný směr (- na A) stav s vysokou impedancí, U R, R parametr U RRM Přímý směr (+ na A) dva stavy
VíceJističe, stykače, a svodiče přepětí
Jističe, stykače, a svodiče přepětí Jiří Kubín TECHNICKÁ UNIVERZITA V LIBERCI Fakulta mechatroniky, informatiky a mezioborových studií Tento materiál vznikl v rámci projektu ESF CZ.1.07/2.2.00/07.0247,
VíceVýkonová elektronika KE
Vysoká škola báňská - Technická univerzita Ostrava Fakulta elektrotechniky a informatiky Výkonová elektronika KE Učební texty pro kombinované a distanční studium Tomáš Pavelek Václav Sládeček Ostrava 2005
VícePolovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.
Polovodičové prvky V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
VíceISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec
ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.05 Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566,
VíceOsnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika
Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika Garant přípravného studia: Střední průmyslová škola elektrotechnická a ZDVPP, spol. s r. o. IČ: 25115138 Učební osnova: Základní
VíceZdroje napětí - usměrňovače
ZDROJE NAPĚTÍ Napájecí zdroje napětí slouží k přeměně AC napětí na napětí DC a následnému předání energie do zátěže, která tento druh napětí (proudu) vyžaduje ke správné činnosti. Blokové schéma síťového
VíceMìnièe výkonové elektroniky a jejich použití v technických aplikacích
1. Úvod Mìnièe výkonové elektroniky a jejich použití v technických aplikacích prof. Ing. Jiøí Pavelka, DrSc., ÈVUT Praha, Fakulta elektrotechnická, katedra elektrických pohonù a trakce Mìnièe výkonové
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
VíceSystem pro M compact ABB/NN 09/02CZ_11/2007. Přístroje nízkého napětí
ABB/NN 09/02CZ_11/2007 Přístroje nízkého napětí Před připojením hliníkových vodičů (s průřezem 4 mm 2 ) zajistěte, aby kontaktní plochy těchto vodičů byly očištěny, zbaveny oxidační vrstvy a ošetřeny kontaktní
VíceLC oscilátory s transformátorovou vazbou II
1 LC oscilátory s transformátorovou vazbou II Ing. Ladislav Kopecký, květen 2017 V první části článku jsme skončili u realizací oscilátoru s reálným spínačem. Nyní se opět vrátíme k základní idealizované
VíceODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ
Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: T3.2.1 MĚŘENÍ NA UNIPOLÁRNÍCH TRANZISTORECH A IO Obor: Mechanik elektronik Ročník: 2. Zpracoval(a): Bc. Josef Mahdal Střední průmyslová škola Uherský Brod,
VíceKlasifikace: bodů výborně bodů velmi dobře bodů dobře 0-49 bodů nevyhověl. Příklad testu je na následující straně.
Elektronika - pravidla Zkouška: Délka trvání testu: 12 minut Doporučené pomůcky: propisovací tužka, obyčejná tužka, čistý papír, guma, pravítko, kalkulačka se zanedbatelně malou pamětí Zakázané pomůcky:
VíceStabilizátory napětí a proudu
Stabilizátory napětí a proudu Stabilizátory jsou obvody, které automaticky vyrovnávají napěťové nebo proudové změny na zátěži. Používají se tam, kde požadujeme minimální zvlnění nebo požadujeme-li konstantní
VíceModul výkonových spínačů s tranzistory N-FET
NFET4X0AB Modul výkonových spínačů s tranzistory N-FET Milan Horkel Ve starých mainboardech počítačů PC bývají pěkné veliké tranzistory N-FET, které je možné využít. Tranzistory bývají tak asi na proud
VícePolovodičov. ové prvky. 4.přednáška
Polovodičov ové prvky 4.přednáška Polovodiče Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku (Si). Čisté krystaly křemíku mají za pokojové teploty jen
VíceZvyšující DC-DC měnič
- 1 - Zvyšující DC-DC měnič (c) Ing. Ladislav Kopecký, 2007 Na obr. 1 je nakresleno principielní schéma zapojení zvyšujícího měniče, kterému se také říká boost nebo step-up converter. Princip je založen,
Více5. POLOVODIČOVÉ MĚNIČE
5. POLOVODIČOVÉ MĚNIČE Měniče mění parametry elektrické energie (vstupní na výstupní). Myslí se tím zejména napětí (střední hodnota) a u střídavých i kmitočet. Obr. 5.1. Základní dělení měničů 1 Obr. 5.2.
VíceUnipolární Tranzistory
Počítačové aplikace 000 Unipolární Tranzistor aktivní součástka polovodičový zesilující prvek znám od r. 960 proud vedou majoritní nositelé náboje náznak teorie čtřpólů JFET MOS u i i Y Čtřpól - admitanční
VíceELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY
TEMATICKÉ OKRUHY ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 1. Základní pojmy fyziky polovodičů. Pásová struktura její souvislost s elektronovým obalem atomu, vliv na elektrickou vodivost materiálů. Polovodiče vlastní a nevlastní.
VíceVLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU
VLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU Úvod: Čas ke studiu: Polovodičové součástky pro výkonovou elektroniku využívají stejné principy jako běžně používané polovodičové součástky
VíceUniPi 1.1 Lite Technologická dokumentace
UniPi 1.1 Lite Technologická dokumentace Obsah 1 Úvodní představení produktu... 3 2 Popis produktu... 4 2.1 Využití GPIO pinů... 5 2.2 GPIO konektor... 5 2.3 Napájení... 6 2.4 Montáž Raspberry Pi k UniPi
VíceII. Nakreslete zapojení a popište funkci a význam součástí následujícího obvodu: Integrátor s OZ
Datum: 1 v jakém zapojení pracuje tranzistor proč jsou v obvodu a jak se projeví v jeho činnosti kondenzátory zakreslené v obrázku jakou hodnotu má odhadem parametr g m v uvedeném pracovním bodu jakou
VícePunčochář, J.: OPERAČNÍ ZESILOVAČE V ANALOGOVÝCH SYSTÉMECH 1
Punčochář, J.: OPERAČNÍ ZESILOVAČE V ANALOGOVÝCH SYSTÉMECH 1 Heater Voltage 6.3-12 V Heater Current 300-150 ma Plate Voltage 250 V Plate Current 1.2 ma g m 1.6 ma/v m u 100 Plate Dissipation (max) 1.1
VíceKatalog vybraných součástek TESLA
Katalog vybraných součástek TESLA Diody pro všeobecné Typ Popis Závěrné napětí Propustný proud Výkonová ztráta Pouzdro 1NN40 hrotová vf detekce 20V 15mA D-40 1NN41 hrotová vf detekce 20V 15mA D-41 2NN40
VíceOtázka č.4. Silnoproudé spínací polovodičové součástky tyristor, IGBT, GTO, triak struktury, vlastnosti, aplikace.
Otázka č.4 Silnoproudé spínací polovodičové součástky tyristor, IGBT, GTO, triak struktury, vlastnosti, aplikace. 1) Tyristor Schematická značka Struktura Tyristor má 3 PN přechody a 4 vrstvy. Jde o spínací
VíceMějme obvod podle obrázku. Jaké napětí bude v bodech 1, 2, 3 (proti zemní svorce)? Jaké mezi uzly 1 a 2? Jaké mezi uzly 2 a 3?
TÉMA 1 a 2 V jakých jednotkách se vyjadřuje proud uveďte název a značku jednotky V jakých jednotkách se vyjadřuje napětí uveďte název a značku jednotky V jakých jednotkách se vyjadřuje odpor uveďte název
VícePolovodiče Polovodičové měniče
Polovodiče Polovodičové měniče Ing. Tomáš Mlčák, Ph.D. Fakulta elektrotechniky a informatiky VŠB TUO Katedra elektrotechniky www.fei.vsb.cz/kat452 PEZ I ELEKTRONIKA Podoblast elektrotechniky která využívá
VíceProjekt: Autodiagnostika pro žáky SŠ - COPT Kroměříž, Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.38/ REGULÁTORY...1
REGULÁTORY OBSAH REGULÁTORY...1 1 Základní pojmy Zdrojová soustava - REGULÁTORY...1 1.1 Regulace napětí...1 1.2 Regulace proudu...3 1.3 Zpětný spínač...4 1.4.2 Podle způsobu zapojení...4 2 REGULACE ALTERNÁTORU...5
VíceProudový ventil. Pro pulsní řízení AC 24 V pro elektrické výkony do 30 kw. Proudové ventily jsou konstruovány pro spínání těchto odporových zátěží:
4 937 DESIO Proudový ventil Pro pulsní řízení AC 24 V pro elektrické výkony do 30 kw SEA45.1 Použití Proudový ventil se používá pro regulaci topných elementů v zařízeních vytápění, větrání a klimatizace,
VíceJednofázové a třífázové polovodičové spínací přístroje
Jednofázové a třífázové polovodičové spínací přístroje Použité spínací elementy tyristory triaky GTO tyristory Zapínání dle potřeby aplikace Vypínání buď v přirozené nule proudu nebo s nucenou komutací
VíceSpínací a vzorkovací obvody, referenční zdroje
Spínací a vzorovací obvody, referenční zdroje Analogové spínače Spínače s unipolárními tranzistory Spínače CMOS Analogové multiplexery Vzorovací obvody pětnovazební vzorovací obvody eferenční zdroje napětí
VíceTel-30 Nabíjení kapacitoru konstantním proudem [V(C1), I(C1)] Start: Transient Tranzientní analýza ukazuje, jaké napětí vytvoří proud 5mA za 4ms na ka
Tel-10 Suma proudů v uzlu (1. Kirchhofův zákon) Posuvným ovladačem ohmické hodnoty rezistoru se mění proud v uzlu, suma platí pro každou hodnotu rezistoru. Tel-20 Suma napětí podél smyčky (2. Kirchhofův
VíceStejnosměrné měniče. přednášky výkonová elektronika
přednášky výkonová elektronika Projekt ESF CZ.1.07/2.2.00/28.0050 Modernizace didaktických metod a ovace výuky technických předmětů. Stejnosměrné měniče - charakteristika vstupní proud stejnosměrný, výstupní
VíceELEKTRONIKA. Maturitní témata 2018/ L/01 POČÍTAČOVÉ A ZABEZPEČOVACÍ SYSTÉMY
ELEKTRONIKA Maturitní témata 2018/2019 26-41-L/01 POČÍTAČOVÉ A ZABEZPEČOVACÍ SYSTÉMY Řešení lineárních obvodů - vysvětlete postup řešení el.obvodu ohmovou metodou (postupným zjednodušováním) a vyřešte
VíceUnipolární tranzistor aplikace
Unipolární tranzistor aplikace Návod k praktickému cvičení z předmětu A4B34EM 1 Cíl měření Účelem tohoto měření je seznámení se s funkcí a aplikacemi unipolárních tranzistorů. Během tohoto měření si prakticky
Víceelektronické moduly RSE SSR AC1A A1 FA 2 KM1 1 A FA 1 SA1 XV ma +24V +24V FA 2 24V AC RSE KT G12A 12 A FA 1 +24V 100 ma SA 1 XV 1
Y elektronické moduly V Y V AC A M M RSE KT GA SA L A RSE SSR ACA A KM A SA Y V Y V AC A M M RSE KT GA SA L A RSE SSR ACA A KM A SA RSE D RSE D RA - SVORKA S OCHRAOU A ODDĚLOVACÍ DIODOU Základem svorky
VíceBezkontaktní spínací prvky: kombinace spojitého a impulsního rušení: strmý napěťový impuls a tlumené vf oscilace výkonové polovodičové měniče
12. IMPULZNÍ RUŠENÍ 12.1. Zdroje impulsního rušení Definice impulsního rušení: rušení, které se projevuje v daném zařízení jako posloupnost jednotlivých impulsů nebo přechodných dějů Zdroje: spínání elektrických
VíceSAMOSTATNÁ PRÁCE Z ELEKTRONIKY UNIPOLÁRNÍ TRANZISTORY
Střední odborné učiliště technické Frýdek-Místek SAMOSTATNÁ PRÁCE Z ELEKTRONIKY UNIPOLÁRNÍ TRANZISTORY Jméno: Luděk Bordovský Třída: NE1 Datum: Hodnocení: 1.1. Vlastnosti unipolární tranzistorů Jsou založeny
VíceŘada 77 - Relé elektronické (SSR) 5-15 - 25-30 - 40-50 A
Řada 77 - Relé elektronické (SSR) 5-15 - 25-30 - 40-50 A Řada 77 polovodičové relé (SSR), optron, spínač v nule napětí nebo spínač okamžitý 77.01.x.xxx.8050 77.01.x.xxx.8051 230 V AC nebo 400 V AC vstupní
VíceObsah Seznam použitých znakù a symbolù... 9 Seznam použitých zkratek... 10 Úvod... 11 úvod 1 ELEKTROSTTICKÉ GENERÁTORY... 15 1.1 Holtzova tøecí elektrika (též Winterova)... 17 1.2 Jednoduchý elektrostatický
VíceZÁKLADY POLOVODIČOVÉ TECHNIKY. Doc.Ing.Václav Vrána,CSc. 03/2008
ZÁKLADY POLOVODIČOVÉ TECHNIKY Doc.Ing.Václav Vrána,CSc. 3/28 Obsah 1. Úvod 2. Polovodičové prvky 2.1. Polovodičové diody 2.2. Tyristory 2.3. Triaky 2.4. Tranzistory 3. Polovodičové měniče 3.1. Usměrňovače
VíceUNIPOLÁRNÍ TRANZISTOR
UNIPOLÁRNÍ TRANZISTOR Unipolární tranzistor neboli polem řízený tranzistor, FET (Field Effect Transistor), se stejně jako tranzistor bipolární používá pro zesilování, spínání signálů a realizaci logických
VíceRelé elektronické (SSR) A
ŘAA ŘAA polovodičové relé (SSR), optron, spínač v nule napětí nebo spínač okamžitý 230 V AC nebo 400 V AC vstupní obvod 12 V C, 24 V C, 24 V AC nebo 230 V AC napěťová pevnost vstup/výstup 5 kv (1,2/50
VíceStatické měniče v elektrických pohonech Pulsní měniče Jsou to stejnosměrné měniče, mění stejnosměrné napětí. Účel: změna velikosti střední hodnoty
Statické měniče v elektrických pohonech Pulsní měniče Jsou to stejnosměrné měniče, mění stejnosměrné napětí. Účel: změna velikosti střední hodnoty stejnosměrného napětí U dav Užití v pohonech: řízení stejnosměrných
VíceElektronický přepínač rezistorů, řízený PC
Elektronický přepínač rezistorů, řízený PC Miroslav Luňák, Zdeněk Chobola Úvod Při měření VA charakteristiky polovodičových součástek dochází v řadě případů ke změně proudu v rozsahu až deseti řádů (10
VíceOscilátory Oscilátory
Oscilátory. Oscilátory Oscilátory dělíme podle několika hledisek (uvedené třídění není zcela jednotné bylo použito vžitých názvů, které vznikaly v různých období vývoje a za zcela odlišných podmínek):
VíceMS - polovodičové měniče POLOVODIČOVÉ MĚNIČE
POLOVODIČOVÉ MĚNIČE Měniče mění parametry elektrické energie (vstupní na výstupní). Myslí se tím zejména napětí (u stejnosměrných střední hodnota) a u střídavých efektivní hodnota napětí a kmitočet. Obr.
VíceSpÄnacÄ polovodičovç několikavrstvovç součñstky
SpÄnacÄ polovodičovç několikavrstvovç součñstky Diak Tyristor Triak Transil GTO Tyristor Diak Diak je třåvrstvovç spånacå součçstka, jejåž sepnutå je řåzeno vnějšåm napětåm ("napěťovç spénač"). PoužÅvÇ
VíceISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec
ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.16 Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566,
VíceFET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů
FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů (elektrony nebo díry) pracují s kanálem jednoho typu vodivosti
VíceVÝKONOVÉ POLOVODIČOVÉ PRVKY
TECHNICKÁ UNIVERZITA V LIBERCI Fakulta mechatroniky a mezioborových inženýrských studií Katedra elektrotechniky a elektromechanických systémů VÝKONOVÉ POLOVODIČOVÉ PRVKY Učební text Doc. Ing. Eva Konečná,
Více1.3 Bipolární tranzistor
1.3 Bipolární tranzistor 1.3.1 Úkol: 1. Změřte vstupní charakteristiku bipolárního tranzistoru 2. Změřte převodovou charakteristiku bipolárního tranzistoru 3. Změřte výstupní charakteristiku bipolárního
VíceMaturitní témata. 1. Elektronické obvody napájecích zdrojů. konstrukce transformátoru. konstrukce usměrňovačů. konstrukce filtrů v napájecích zdrojích
Maturitní témata Studijní obor : 26-41-L/01 Mechanik elektrotechnik pro výpočetní a elektronické systémy Předmět: Elektronika a Elektrotechnická měření Školní rok : 2018/2019 Třída : MEV4 1. Elektronické
Více11. Polovodičové diody
11. Polovodičové diody Polovodičové diody jsou součástky, které využívají fyzikálních vlastností přechodu PN nebo přechodu kov - polovodič (MS). Nelinearita VA charakteristiky, zjednodušeně chápaná jako
VíceBipolární tranzistory
Bipolární tranzistory h-parametry, základní zapojení, vysokofrekvenční vlastnosti, šumy, tranzistorový zesilovač, tranzistorový spínač Bipolární tranzistory (bipolar transistor) tranzistor trojpól, zapojení
VíceBipolární tranzistory
Bipolární tranzistory Historie V prosinci 1947 výzkumní pracovníci z Bellových laboratořích v New Jersey zjistili, že polovodičová destička z germania se zlatými hroty zesiluje slabý signál. Vědci byli
VíceUčební osnova předmětu ELEKTRONIKA
Učební osnova předmětu ELEKTRONIKA Obor vzdělání: 2-1-M/002 Elektrotechnika Forma vzdělávání: denní studium Ročník kde se předmět vyučuje: druhý, třetí Počet týdenních vyučovacích hodin ve druhém ročníku:
VíceTyristor. Tyristor. Tyristor. 1956: Bell Labs Silicon Controlled Rectifier (SCR) 1958: General Electric Thyristor. Výkonové polovodičové součástky
(kv) Výkonové polovodičové součástky 1 1 3 1 1 1 VELÝ VÝ SDÉ ŘÍZEÍ VYSOÁ FREVEE 1 1 Thyristor TO BJT MOS 198 1 1 1 1 1 1 1 f (khz) (kv) 1 1 3 1 1 1 1 1 Thyristor BJT TO (kv) IBT MOS 1 5 1 1 3 1 1 1 1 1
VíceSoučástky v elektronice pro OV_MET_2
Součástky v elektronice pro OV_MET_2 Značení odporů Jmenovitá hodnota. Je to hodnota odporu vyznačená na rezistoru. Značí se písmenným nebo barevným kódem. Hodnoty odporu odpovídají vyvoleným číslům geometrických
VíceStřední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Tematická oblast ELEKTRONIKA
Číslo projektu Číslo materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 VY_32_INOVACE_ENI_2.MA_03_Filtrace a stabilizace Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická
Více