Tyristor. Tyristor. Tyristor. 1956: Bell Labs Silicon Controlled Rectifier (SCR) 1958: General Electric Thyristor. Výkonové polovodičové součástky

Podobné dokumenty
Výkonová elektronika. Příklad. U o. sin

TYRISTORY. Spínací součástky pro oblast největších napětí a nejvyšších proudů Nejčastěji triodový tyristor

Neřízené polovodičové prvky

IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor speciální polovodičová struktura IGBT se používá jako spínací tranzistor nejdůležitější součástka výkonové

Otázka č.4. Silnoproudé spínací polovodičové součástky tyristor, IGBT, GTO, triak struktury, vlastnosti, aplikace.

Součástky s více PN přechody

Základy elektrotechniky

A1M14 SP2 Min. NULOVÉ SPÍNAČE

Interakce ve výuce základů elektrotechniky

Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1

Projekt Pospolu. Polovodičové součástky diody. Pro obor M/01 Informační technologie

Dioda - ideální. Polovodičové diody. nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem)

7. VÍCEVRSTVÉ SPÍNACÍ SOUČÁSTKY

Jednofázové a třífázové polovodičové spínací přístroje

ELEKTRONICKÉ PRVKY TECHNOLOGIE VÝROBY POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ

Polovodiče, dioda. Richard Růžička

ZÁSADY PARALELNÍHO A SÉRIOVÉHO ŘAZENÍ SOUČÁSTEK VE VÝKONOVÝCH OBVODECH

VLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU

Zvyšování kvality výuky technických oborů

způsobují ji volné elektrony, tzv. vodivostní valenční elektrony jsou vázány, nemohou být nosiči proudu

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

Spínače s tranzistory řízenými elektrickým polem. Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT

Řízené polovodičové součástky. Výkonová elektronika

Dioda jako usměrňovač

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů tyristoru část Teoretický rozbor

Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna

Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

VÝKONOVÉ TRANZISTORY MOS

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Obrázek 1: Schematická značka polovodičové diody. Obrázek 2: Vlevo dioda zapojená v propustném směru, vpravo dioda zapojená v závěrném směru

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, Mělník Ing.František Moravec

Projekt Pospolu. Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky. Pro obor M/01 Informační technologie

Osnova: 1. Polovodiče materiály, dotace 2. Polovodičové diody 3. Dynamické parametry. 5. Aplikace diod

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.

Polovodičové diody Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA)

Obrázek a/struktura atomů čistého polovodičeb/polovodič typu N

VÝKONOVÉ POLOVODIČOVÉ PRVKY

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

Polovodičové diody Definice

Elektronika pro informační technologie (IEL)

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH

Základní pojmy z oboru výkonová elektronika

FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů

Jednofázové a třífázové polovodičové spínací přístroje

Projekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.08/

Elektřina a magnetizmus polovodiče

Polovodičové diody. Dělení polovodičových diod podle základního materiálu: Germaniové Křemíkové Galium-arsenid+Au

Elektrický proud v polovodičích

3. Diody, tranzistory, tyristory, triaky, diaky. Použitá literatura: Jan Kesl: Elektronika I. a II. Internet

2-LC: Měření elektrických vlastností výkonových spínačů (I)

MĚŘENÍ JALOVÉHO VÝKONU

Základy elektrotechniky

Bipolární tranzistory

Bipolární tranzistor. Bipolární tranzistor - struktura. Princip práce tranzistoru. Princip práce tranzistoru. Zapojení SC.

17. Elektrický proud v polovodičích, užití polovodičových součástek

SKRIPTA POLOVODIČOVÉ PRVKY V SILNOPROUDÉ ELEKTROTECHNICE

2.3 Elektrický proud v polovodičích

Elektronika pro informační technologie (IEL)

Parametry a aplikace diod

Laboratorní práce č. 2: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody

FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4

A8B32IES Úvod do elektronických systémů

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření parametrů tyristoru, část 3-5-4

Měření na unipolárním tranzistoru

Tel-30 Nabíjení kapacitoru konstantním proudem [V(C1), I(C1)] Start: Transient Tranzientní analýza ukazuje, jaké napětí vytvoří proud 5mA za 4ms na ka

Fotodioda ve fotovodivostním a fotovoltaickém režimu OPTRON

A8B32IES Úvod do elektronických systémů

Stejnosměrné měniče. přednášky výkonová elektronika

7. Elektrický proud v polovodičích

VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů

Určeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče

Tranzistory. tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor. Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET

PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus

ELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky První a druhý průraz bipolárního

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Fakulta biomedic ınsk eho inˇzen yrstv ı Teoretick a elektrotechnika Prof. Ing. Jan Uhl ıˇr, CSc. L eto 2017

Polovodiče ELEKTROTECHNIKA TO M Á Š T R E J BAL

Ochranné prvky pro výkonovou elektroniku

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů tyristoru část Test

Bipolární tranzistory

1.1 Usměrňovací dioda

Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů

Zdroje napětí - usměrňovače

Polovodičov. ové prvky. 4.přednáška

8. ZÁKLADNÍ ZAPOJENÍ SPÍNANÝCH ZDROJŮ

Inteligentní Polovodičový Analyzér Provozní manuál

Simulace diody (TCE 2006)

Výkonová elektronika KE

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Základy polovodičové techniky

BJT jako zesilovač malého signálu. BJT jako odporový dvojbran. Linearizace charakteristik pro okolí P 0. zapojení SE!! U CE

MĚŘENÍ TRANZISTOROVÉHO ZESILOVAČE

Relé nízké do PS/do patice, A

MOSFET. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Julius Edgar Lilienfeld, U.S. Patent 1,745,175 (1930)

Polovodičové součástky

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů

Vícevrstevné polovodičové prvky

+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2

Transkript:

(kv) Výkonové polovodičové součástky 1 1 3 1 1 1 VELÝ VÝ SDÉ ŘÍZEÍ VYSOÁ FREVEE 1 1 Thyristor TO BJT MOS 198 1 1 1 1 1 1 1 f (khz) (kv) 1 1 3 1 1 1 1 1 Thyristor BJT TO (kv) IBT MOS 1 5 1 1 3 1 1 1 1 1 199 TO 1 1 1 1 1 1 1 1 5 f (khz) Thyristor IBT MOS Si 1 1 1 1 1 1 1 1 5 1 f (khz) TO = ate TurnOff thyristor IBT = Insulated ate Bipolar Transistor 1 Tyristor Tyristor 195: Bell Labs Silicon ontrolled Rectifier (SR) 1958: eneral Electric Thyristor Tyristor noda J1 nodový přechod = Závěrný přechod J J3 Blokovací přechod atodový přechod 3 ate (řídicí elektroda) atoda

Tyristor Tyristor noda ate (řídicí elektroda) J1 J J3 emitor báze báze emitor atoda 5 DOTČÍ ROFIL J1 oncentrace příměsí J J3 x Tyristor režimy činnosti Tyristor závěrný směr I (μ) 8 U RRM Závěrný směr I () 1 15 1 5 U 8 Sepnutý stav stav = 1μ = 1m 5 1 15 U b) 7 nodový (závěrný) přechod J1 polarizován v závěrném směru bariéra pro el. a díry protéká závěrný proud @ o až do průrazného napětí U RRM U R b) závěrný směr I (μ) 8 U RRM 1 15 1 5 (μ ) U 8 83 W

Tyristor závěrný směr Tyristor spínání V závěrném směru se k tyristoru chováme jako k diodě: Mezní parametr: U RRM max. špičkové závěrnéopakovatelnénapětí I (μ) 8 U RRM Tyristor je čistě spínací součástka! Buď je sepnuto, nebo rozepnuto. racovní bod v sepnutém stavu nelze ovládat. R U b) závěrný směr 1 15 1 5 (μ ) U 8 93 W Způsoby sepnutí: roudovým impulsem ( ) Impulsem optického záření (světla) řekročením blokovacího napětí řekročením hodnoty dc /dt nebo d /dt 1 Tyristor spínání Tyristor mám největší proudovou zatížitelnost itelnost ROWBR ROTETI. Výjimečnost tyristoru: o sepnutí zůstává v sepnutém stavu i po odeznění spínacího impulsu ( pokud anodový obvod dovolí protékání proudu). To tranzistory neumí! ETHERET SYSTEM V sepnutém stavu vykazuje nejnižší odpor ze všech existujících spínacích polovodičových součástek! Tyristor mám největší proudovou zatížitelnost. 11 1

Tyristor mám největší proudovou zatížitelnost itelnost ROWBR ROTETI. Tyristor blokovací režim a anodě plus, na katodě minus, =: Blokovací přechod J v závěrném směru J BLOUJE průchod nositelů náboje neteče proud. I () 8 13 < c) blokovací režim 5 1 8 15 U 3 U BO J W 8 1 3 Tyristor blokovací režim U = : árazová ionizace na přechodu J generuje elektrony a díry. Elektrony přitahovány na anodu, díry na katodu. Elektrony u anody poruší svým záporným nábojem neutralitu prostorového náboje injekce děr z anody (kompenzace kladným nábojem) Tyristor blokovací režim Elektrony u anody poruší neutralitu prostorového náboje injekce děr z anody Díry poruší neutralitu prostorového náboje u katody injekce elektronů z katody (kompenzace záporným nábojem) < = BO c) blokovací režim 8 3 8 15 3 W < = BO c) blokovací režim 8 3 8 1 3 W

Tyristor blokovací režim Injekce elektronů z katody a děr z anody se vzájemně stimuluje uzavření kladné (regenerativní) zpětné vazby zaplavení blokovacího přechodu volnými nositeli náboje Tyristor blokovací režim Injekce elektronů z katody a děr z anody se vzájemně stimuluje uzavření kladné zpětné vazby zaplavení tyristoru volnými nositeli náboje sepnutí tyristoru zaplavení tyristoru elektrony a děrami sepnutí tyristoru pokles odporu mezi anodou a katodou na minimum < = BO c) blokovací režim 8 3 8 17 3 W I () 8 Sepnutý stav = 5 1 15 U 18 Tyristor blokovací napětí BLOOVÍ ĚTÍ je anodové napětí U při kterém tyristor přejde z blokovacího do sepnutého stavu při =. = BreakOver voltage ěkdy též nazýváno U DRM Typické hodnoty jsou stovky až tisíce V. 8 Tyristor blokovací napětí BLOOVÍ ĚTÍ je anodové napětí U, při kterém tyristor přejde z blokovacího do sepnutého stavu při =. Tento způsob sepnutí je nežádoucí (nelze rozumně ovládat). 8 I () = 5 1 15 U 19 U I () = 5 1 15

8 Tyristor blokovací napětí ro > sepne tyristor i při nižším napětí než. Sepnutí tyristoru proudem I g Hlavní obvod zajišťuje plus na anodě, minus na katodě. řechod J3 polarizujeme do propustného směru proudem I g tekoucím z ate do atody injekce elektronů do báze. I () Sepnutý stav = 1μ = 5 1 15 U 1 Hlavní obvod d) sepnutý stav Řídicí obvod I g U g 8 3 W Sepnutí tyristoru proudem I g řechod J3 polarizujeme do propustného směru proudem I g tekoucím z ate do atody injekce elektronů do báze. Elektrony u anody poruší neutralitu prostorového náboje injekce děr z anody (kompenzace kladným nábojem) Sepnutí tyristoru proudem I g Elektrony u anody poruší svým záporným nábojem neutralitu prostorového náboje injekce děr z anody (kompenzace kladným nábojem) Díry z anody projdou ke katodě a vyvolají zde injekci elektronů uzavření kladné zpětné vazby zaplavení tyristoru volnými nositeli náboje sepnutí Hlavní obvod Řídicí obvod Hlavní obvod Řídicí obvod d) sepnutý stav I g U g W 83 3 d) sepnutý stav I g U g W 8 3

Sepnutí tyristoru proudem I g uzavření kladné zpětné vazby zaplavení tyristoru volnými nositeli náboje = sepnutí tyristoru (latchup) Rozložení koncentrace n=p je shodné jako u diody I (báze, báze a J zaplaveny) obrovská vodivost U F je typicky 1.7 V.7V.V.8V Sepnutí tyristoru proudem I g Tento způsob sepnutí je žádoucí (nejdůležitější z možných) Tyristor lze spolehlivě sepnout malým proudem ze zdroje napětí nízké hodnoty. n = p d) sepnutý stav I g U g 5 x d) sepnutý stav I g U g Tyristor zůstává sepnut i po skončení spínacího impulsu do ate. ladná zpětná vazba je trvale udržována anodovým proudem I. vypnutí tyristoru je možné jen odstraněním I. d) sepnutý stav Sepnutí tyristoru proudem I g I g U g I () 8 Sepnutý stav = = 1μ 5 1 15 U n = p 7 x ozor! Tyristor zůstane trvale sepnut jen pro I >I L, který udrží kladnou zpětnou vazbu. je minimální hodnota proudu I, při níž zůstává tyristor v sepnutém stavu i po zániku řídicího proudu I g bezprostředně po přechodu z blokovacího stavu. I L I () I L = přídržný proud = Latching current 8 Sepnutý stav = 1μ = 5 1 15 U 8

hcemeli tyristor vypnout, musí I klesnout pod I H, kdy dojde k odstranění kladné zpětné vazby. I H = vratný proud = Holding current Vypnutí tyristoru Vnějšími prostředky: 1. přirozenou komutací v obvodech střídavého napětí yklové řízení výkonu je minimální hodnota proudu I potřebná k udržení tyristoru v sepnutém stavu. 8 U z U U I L I () I H Sepnutý stav = 1μ = 5 1 15 U 9 Burst U U 3 Vypnutí tyristoru Fázové řízení výkonu Vnějšími prostředky: 1. přirozenou komutací v obvodech střídavého napětí yklové řízení výkonu Fázové řízení výkonu zátěž Uz R g D U z U U z U α F U z U α D 1 R1: pro R g = chrání přechod (I FV ) D1: ochrana přechodu (U BR ) D: aby R g nemělo vliv na nabíjení zápornou půlvlnou : tyristor sepne po nabití na U c = U D1 U =.7.8 =1.5 V Burst 31 haseangle R g : nastavuje časovou konstantu R g 3

Vypnutí tyristoru Vnějšími prostředky. nucenou komutací v obvodech stejnosměrného napětí a) U U komutace = obrácení polarity anodového napětí (obdoba závěrného zotavení diody) Vypnutí tyristoru Vnějšími prostředky. nucenou komutací v obvodech stejnosměrného napětí a) U c) I T () U T I RM I TM U t rr b) U SS t q Ty Ty3 Ty1 Ty Ty5 zátěž t (μs) U T du/dt 33 t (μs) 3 Vypnutí tyristoru Vnějšími prostředky. nucenou komutací v obvodech stejnosměrného napětí a) U c) I T () I TM U b) U SS Ty Ty3 Ty1 Ty Ty5 zátěž Vypnutí tyristoru Vnějšími prostředky. nucenou komutací v obvodech stejnosměrného napětí U T I RM t rr t q t (μs) U T du/dt t (μs) 35 3

Vypnutí tyristoru Samotným tyristorem vypínací tyristor TO (ate TurnOff) Sepnutí kladným proudem Vypnutí záporným proudem Volba tyristoru mezní a char. parametry Typ tyristoru volíme s pomocí parametrů U RRM,, I FV danými zatížením tyr. U z říklad: zvolte tyristor pro = V, z = 1W 1 kw U RRM není podstatné (jen propustný směr) UT I FV a) b) zátěž c) > V =V TE R TOD R TE U ss TO sepnutí TO S R U F V sepnutém stavu bude: U z = U T = 1.7 V I FV = z / = 1 / =.5 I OD TODOVÉ SEMETY TE RD ochrana vypnutí TO S L 37 U R I FV =.5, = V, U RRM nehraje roli 38 Volba tyristoru mezní a char. parametry Typ tyristoru volíme s pomocí parametrů U RRM,, I FV danými zatížením tyr. Sepnutí tyristoru impulsem optického záření roud nahradíme zářením dopadajícím na přechod J3 () U z říklad: zvolte tyristor pro ef = 3V ~, z = 1W I FV W g U RRM > 3 = 35 V > 35 V 1 kw UT =3V ef bsorpce záření na J3 způsobí vznik fotoproudu, který působí jako Tyristorem teče proud jen jednu půlvlnu sinusového průběhu (:) I FV I Fef = I zef ( z / ef ) / = (1 / 3) /. I FV =., = 35 V, U RRM = 35 V záření přivádíme do tyristoru světlovodem galvanické oddělení řechod J3 (gatekatoda) má průrazné napětí do 5V! je nutné jej chránit proti průrazu ochrannou diodou! 39 Light Triggered Thyristor LTT pro napětí U RRM = 7 1 kv

Light Triggered Thyristor LTT 5 kv dc LTT HVD link Back to back link LTT 1 OTOTRI (Dvojitý optotyristor) Sepnutí tyristoru překročením hodnoty dc /dt (d /dt) Strmý nárůst blokovacího napětí rychlé rozšíření vznik kapacitního proudu vyklízením volných nosičů z uzavření kladné (regenerativní) zpětné vazby zaplavení tyristoru volnými nositeli náboje SEUTÍ TYRISTORU při U «8 3 3 < c) blokovací režim W 8 3

Sepnutí tyristoru překročením hodnoty dc /dt (d /dt) < c) blokovací režim je nežádoucí způsob sepnutí ekontrolovatelné! U velkoplošných tyristorů může způsobit lokální proudové přetížení! (tyristor sepne jen u řídicí elektrody a než se anodový proud rozšíří laterálně po celé ploše, lokální proudové přetížení roztaví křemík) 8 3 8 5 3 W Tyristor shrnutí Tyristor spínáme proudovým impulsem ( ) nebo impulsem optického záření (infračervené záření nebo světlo). Tyristor zůstává sepnutý i po odeznění spínacího impulsu, protékáli anodový proud větší než přídržný proud I L. Tyristor je sepnutý, dokud jím protéká anodový proud větší než vratný proud I H. Tyristor vypínáme poklesem anodového proudu pod I H ( obvody), komutací anodového napětí (= obvody), záporným impulsem do gate (jen TO tyristor)