MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření optoelektronického vazebního členu, část 3-11-1

Podobné dokumenty
MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření nízkofrekvenčního koncového zesilovače, část

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů operačních zesilovačů část Teoretický rozbor

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů logického obvodu část Teoretický rozbor

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření magnetických veličin, část 3-9-3

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů tyristoru část Teoretický rozbor

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření parametrů logického obvodu, část 3-6-5

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření parametrů operačních zesilovačů, část 3-7-5

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření přenosových vlastností dvojbranu, část

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření oteplovací charakteristiky, část 3-3-4

Zvyšování kvality výuky technických oborů

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření vlastní a vzájemné indukčnosti část Teoretický rozbor

Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření parametrů operačních zesilovačů, část 3-7-4

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření přechodových dějů část Teoretický rozbor

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů tyristoru část Test

popsat princip činnosti základních zapojení čidel napětí a proudu samostatně změřit zadanou úlohu

1.Zadání 2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU 3.TEORETICKÝ ROZBOR

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření parametrů operačních zesilovačů, část 3-7-3

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření parametrů tyristoru, část 3-5-4

Fotodioda ve fotovodivostním a fotovoltaickém režimu OPTRON

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření nízkofrekvenčního koncového zesilovače, část

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření vlastní a vzájemné indukčnosti, část 3-1-3

TECHNICKÁ DOKUMENTACE

Profilová část maturitní zkoušky 2015/2016

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření přechodových dějů, část 3-4-3

- Stabilizátory se Zenerovou diodou - Integrované stabilizátory

Profilová část maturitní zkoušky 2016/2017

Charakteristiky optoelektronických součástek

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření vlastní a vzájemné indukčnosti, část 3-1-4

Základní pojmy z oboru výkonová elektronika

MĚŘENÍ JALOVÉHO VÝKONU

Optický oddělovač nízkofrekvenčního audio signálu Michal Slánský

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Název: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení


SOUČÁSTKY ELEKTRONIKY

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření na elektrických strojích - transformátor, část 3-2-3

Název: Téma: Autor: Číslo: Prosinec Střední průmyslová škola a Vyšší odborná škola technická Brno, Sokolská 1

Učební osnova vyučovacího předmětu elektronika Volitelný vyučovací předmět. Pojetí vyučovacího předmětu M/01 Strojírenství

ETC Embedded Technology Club setkání 5, 3B zahájení třetího ročníku

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření na elektrických strojích - transformátor, část 3-2-4

Laboratorní práce č. 1: Určení voltampérových charakteristik spotřebičů

Seznam témat z předmětu ELEKTRONIKA. povinná zkouška pro obor: L/01 Mechanik elektrotechnik. školní rok 2018/2019

Studium tranzistorového zesilovače

Kurs praktické elektroniky a kutění

Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů

ETC Embedded Technology Club setkání 6, 3B zahájení třetího ročníku

VÝUKOVÝ MATERIÁL. Pro vzdělanější Šluknovsko. 32 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Bc. David Pietschmann.

Elektronické praktikum EPR1

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika

1.3 Bipolární tranzistor

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zesilovače. Ing. M. Bešta

Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr

ETC Embedded Technology Club 10. setkání

1.1 Pokyny pro měření

Název: Autor: Číslo: Srpen Střední průmyslová škola a Vyšší odborná škola technická Brno, Sokolská 1

Ing. Milan Nechanický. Cvičení. SOUBOR PŘÍPRAV PRO 3. R. OBORU M/01 Elektrotechnika - Mechatronika. Monitorovací indikátor

11. Polovodičové diody

+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2

Praktikum III - Optika

ELEKTRONIKA. Maturitní témata 2018/ L/01 POČÍTAČOVÉ A ZABEZPEČOVACÍ SYSTÉMY

GE - Vyšší kvalita výuky CZ.1.07/1.5.00/

Obrázek 1: Schematická značka polovodičové diody. Obrázek 2: Vlevo dioda zapojená v propustném směru, vpravo dioda zapojená v závěrném směru

A8B32IES Úvod do elektronických systémů

Určeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, měření elektrického napětí

Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Tematická oblast ELEKTRONIKA

Zvyšování kvality výuky technických oborů

UVSSR, ODBOR ELEKTROTECHNIKY LABORATORNÍ CVIČENÍ ELEKTROTECHNIKA A ELEKTRONIKA

Měření vlastností stejnosměrných tranzistorových zesilovačů

- + C 2 A B V 1 V 2 - U cc

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ

Zvyšování kvality výuky technických oborů

I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup

Zvyšování kvality výuky technických oborů

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření magnetických veličin, část 3-9-1

Jméno a příjmení. Ročník. Měřeno dne Příprava Opravy Učitel Hodnocení. Charakteristiky optoelektronických součástek

7. MĚŘENÍ LINEÁRNÍHO POSUVU

Kategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-485 se používá pro:

MĚŘENÍ HRADLA 1. ZADÁNÍ: 2. POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU: 3. TEORETICKÝ ROZBOR. Poslední změna

Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Abstrakt. fotodioda a fototranzistor) a s jejich základními charakteristikami.

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření magnetických veličin, část 3-9-4

Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Učební osnova předmětu ELEKTRONIKA

7. MĚŘENÍ LINEÁRNÍHO POSUVU

Typ UCE0 (V) IC (A) PCmax (W)

MATURITNÍ ZKOUŠKA Z ELEKTROTECHNICKÝCH MĚŘENÍ

Pokud není uvedeno jinak, uvedený materiál je z vlastních zdrojů autora

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě nízkofrekvenční nevýkonový tranzistor KC 639. Mezní hodnoty jsou uvedeny v tabulce:

Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Hustopeče, Masarykovo nám. 1

Měření vlastností střídavého zesilovače

Měření vlastností optického vlákna

Střední průmyslová škola elektrotechnická a informačních technologií Brno

STŘÍDAVÝ PROUD POJMY K ZOPAKOVÁNÍ. Testové úlohy varianta A

Transkript:

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření optoelektronického vazebního členu, část 3-11-1

Výukový materiál Číslo projektu: CZ.1.07/1.5.00/34.0093 Šablona: III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Sada: 22 Číslo materiálu: VY_32_INOVACE_SPŠ-ELE-6-III2_E3_13

Předmět: MĚŘENÍ Ročník: 3. Jméno autora: Ing. Vít Krňávek Škola: VOŠ a SPŠ Šumperk, Gen. Krátkého 1 Anotace : Rozbor parametrů optoelektronického vazebního členu a jejich měření. Klíčová slova: optron, izolační napětí, přenosový poměr, doba náběhu, doba doběhu, převodní charakteristika Autorem materiálu a všech jeho částí, není-li uvedeno jinak, je Ing. Vít Krňávek Financováno z ESF a státního rozpočtu ČR.

POUŽITÉ ZDROJE 1. DOLEČEK, Jaroslav. Moderní učebnice elektroniky - 3.díl, Optoelektronika a optoelektronické prvky. 1. vydání. Praha: BEN technická literatura, 2005. 160 s. ISBN 80-7300-184-5. Kapitola 5, Optoelektronické vazební členy optrony, optočleny, s. 55-64. 2. FROHN, M.; OBERTHÜR, H.; SEIDLER,M.; WIEMER M.; ZASTROW P. Elektronika - polovodičové součástky a základní zapojení. 1. české vydání. Praha: BEN technická literatura, 2006. 480 s. ISBN 80-7300-123-3. Autorem materiálu a všech jeho částí, není-li uvedeno jinak, je Ing. Vít Krňávek Financováno z ESF a státního rozpočtu ČR.

Název optoelektronický vazební člen, zkráceně optočlen (optron) je používán pro elektronické součástky, v nichž je vnitřní vazba mezi elektrickým vstupním a výstupním signálem zprostředkována světelným zářením zpravidla v infračervené oblasti světelného spektra. Základem optočlenu je dvojice, kterou tvoří zdroj světelného záření a detektor optického záření. Většina používaných optických vazebních členů používá jako vysílač IR-LED a jako přijímač fototranzistor, ale mohou to být i jiné prvky jako fotodioda, fototyristor popř.fotorezistor. Otočeny jsou používány k přenosu datových nebo analogových střídavých i stejnosměrných signálů, přičemž zajišťují vysoký izolační odpor mezi vstupem a výstupem. Optrony slouží ke vzájemnému galvanickému oddělení dvou obvodů. Z hlediska aplikace rozlišujeme optočleny pro aplikace v lineárních obvodech, které mají dobrou linearitu a optočleny pro aplikace v logických obvodech, které jsou určeny pro přenos signálů pouze dvou úrovní. Schématická značka, provedení a způsob zapojení optočlenu s tranzistorem. Zdroj: DOLEČEK (1), str. 59. Měření parametrů optočlenu 3-11-1 5

Základní parametry optočlenů s tranzistorem: Měření parametrů optočlenu 3-11-1 6

Měření parametrů optočlenu 3-11-1 7

Zdroj: DOLEČEK (1), str. 63-64. Schématická značka, pouzdro a charakteristické parametry optočlenu CNY21N Měření parametrů optočlenu 3-11-1 Zdroj: FROHN (2), str. 299 a 301. 8

Závislost mezi vstupním a výstupním proudem se většinou udávají ve formě převodní charakteristiky. Níže je uvedená převodní charakteristika optočlenu CNY21N graf a). Z průběhu je zřejmé, že hodnota CTR není konstantní, ale poněkud se mění s velikostí vstupního proudu I F. Různé typy dnešních optočlenů mají poměrný přenos proudu v rozmezí 0,2 až 3,2. Soustava výstupních charakteristik optočlenu - graf b) se podobá soustavě charakteristik fototranzistoru, nebo normálního tranzistoru, činitel proudového zesílení je však podstatně nižší. V grafu je také vynesena pracovní přímka kolektorového rezistoru s hodnotu odporu 1 kω. a) převodní charakteristika Zdroj: FROHN (2), str. 300. b) výstupní charakteristiky 9

Měření parametrů optočlenu Měření parametrů optočlenu můžeme rozdělit na měření statických parametrů a na měření dynamických (časových) parametrů. Statické parametry jako např. převodní charakteristiku I C = f(i F ), nebo úbytek napětí na vysílači U F můžeme měřit voltampérovou metodou při napájení stejnosměrným napětím. Procházející proudy nohou být měřeny přímo miliampérmetry jejichž přívodní svorka musí být zapojena na potenciál zdroje, nebo pomocí voltmetrů jako úbytky napětí na vřazených sériových rezistorech. Ostatní veličiny (parametry) v měřeném obvodu jsou udržovány na konstantní hodnotě. Vliv okolní teploty nebude kompenzován. Dynamické parametry jako je t ON (doba náběhu) a t OFF (doba doběhu) jsou měřeny impulsy z impulsního generátoru, které musí mít dobu náběhu a dobu doběhu kratší než 0,1t ON, resp. 0,1t OFF a střídu 1:1. Vstupní (budící) proudový impuls je obvykle definován v katalogových údajích od výrobce jako I C(ON). Snímání časového průběhu náběžné a doběžné hrany výstupního impulsu na straně přijímače se provádí pomocí osciloskopu jako úbytek napětí na sériovém rezistoru. Měření parametrů optočlenu 3-11-1 10

Způsob stanovení doby t ON a t OFF : 11