Fotodioda ve fotovodivostním a fotovoltaickém režimu OPTRON

Rozměr: px
Začít zobrazení ze stránky:

Download "Fotodioda ve fotovodivostním a fotovoltaickém režimu OPTRON"

Transkript

1 Cvičení 13 Fotodioda ve fotovodivostním a fotovoltaickém režimu OPTRON Přenosová charakteristika optronu Dynamické vlastnosti optronu Elektronické prvky A2B34ELP

2 cv.13/str.2

3 cv.13/str.3

4 Fotodioda fotovodivostní režim Fotodioda zapojena jako spotřebič zdroj napětí + R z Určete pracovní bod fotodiody v obvodu při U CC =5V, R Z =150kΩ a intenzitě osvětlení 2mW.cm -2 U AK +I A. R Z +U CC = 0 cv.13/str.4

5 Fotodioda fotovodivostní režim Fotodioda zapojena jako spotřebič zdroj napětí + R z Určete pracovní bod fotodiody v obvodu při U CC =5V, R Z =150kΩ a intenzitě osvětlení 2mW.cm -2 U AK +I A. R Z +U CC = 0 U AK = 5 I A U AK = U I A = 0 I A = U CC /R U AK =0 cv.13/str.5

6 Fotodioda fotovodivostní režim Fotodioda zapojena jako spotřebič zdroj napětí + R z Určete pracovní bod fotodiody v obvodu při U CC =5V, R Z =150kΩ a intenzitě osvětlení 2mW.cm -2 P 0 = [ 3 V ; 14 µa] P 0 cv.13/str.6

7 Fotodioda fotovoltaický režim Fotodioda zapojena jako zdroj + R z Určete pracovní bod fotodiody v obvodu při R Z =10kΩ a intenzitě osvětlení 5mW.cm -2 I A. R Z +U AK = 0 U AK = I A cv.13/str.7

8 Fotodioda fotovoltaický režim Fotodioda zapojena jako zdroj + R z Určete pracovní bod fotodiody v obvodu při R Z =10kΩ a intenzitě osvětlení 5mW.cm -2 P 0 = [ 0,24V ; 24 µa] P 0 cv.13/str.8

9 Fotodioda fotovoltaický režim Rozvaha volby optimálního R Z závislost na osvětlení (zjednodušeno) R Z = U AK / I A obecná závislost U AK U AK0 + k 1.E obecná závislost I A k 2.E k 1, k 2 jsou obecné konstanty cv.13/str.9

10 Fotodioda fotovoltaický režim Rozvaha volby optimálního R Z závislost na osvětlení (zjednodušeno) R Z = U AK / I A R Z (U AK0 + k 1.E) / k 2.E R Z U AK0 / k 2.E + k 1 /k 2 obecná závislost U AK U AK0 + k 1.E konstanta konstanta R Z k / E obecná závislost I A k 2.E k, k 1, k 2 jsou obecné konstanty cv.13/str.10

11 Fotodioda fotovoltaický režim Rozvaha volby optimálního R Z závislost na osvětlení (zjednodušeno) R Z k / E hyperbolická závislost na intenzitě osvětlení E ve skutečnosti dynamická zátěž řízená mikroprocesorem obecná závislost U AK U AK0 + k 1.E obecná závislost I A k 2.E k, k 1, k 2 jsou obecné konstanty cv.13/str.11

12 Fotovoltaický panel - příklad cv.13/str.12

13 I F [A] Fotovoltaický panel - příklad P [W] Příklad charakteristik a volba optimálního R Z pro různá osvětlení E=1000W/m 2 E=800W/m 2 E=600W/m 2 maximální výkon při daném osvětlení U F [V] cv.13/str.13

14 I F [A] Fotovoltaický panel - příklad P [W] Příklad charakteristik a volba optimálního R Z pro různá osvětlení E=1000W/m 2 E=800W/m 2 P 0 = [ 28V ; 7,4A], R Z = 3,8 [Ω] E=600W/m 2 P 0 = [ 27V ; 6,0A], R Z = 4,5 [Ω] P 0 = [ 26V ; 4,4A], R Z = 5,9 [Ω] maximální výkon při daném osvětlení odpovídající pracovní bod při daném osvětlení U F [V] cv.13/str.14

15 OPTRON Přenosová charakteristika optronu Dynamické vlastnosti optronu cv.13/str.15

16 cv.13/str.16

17 cv.13/str.17

18 cv.13/str.18

19 cv.13/str.19

20 Měřící přípravek s optronem cv.13/str.20

21 Měřící přípravek s optronem 4N25 cv.13/str.21

22 I C [ma] Přenosová charakteristika optronu I U A R CC C I C R B 5 4 I CMAX = (U CC - U CEsat ) /R C Proudový přenosový poměr Current Transfer Ratio CTR = I C / I A * 100 (%) I A [ma] cv.13/str.22

23 Přenosová charakteristika optronu Změřte závislost I C = f (I A ) při R D = 1kΩ a R C = 1kΩ Proud I C odečtěte jako úbytek napětí na odporu R C = 1kΩ ( I C = U rc / R C ) a) R B = b) R B = 100kΩ Ochrana před přepólováním napájení Stabilizace napětí U CC U 1 R D = 1kΩ R C = 1kΩ 7805 I A I C U Rc +5V U CC D V R B cv.13/str.23

24 Zapojení měření přenosové charakteristiky optronu U 1 R D = 1kΩ R C = 1kΩ U Rc +5V 7805 I A I C U CC D V R B U Rc +10V U 1 cv.13/str.24

25 Přenosová charakteristika optronu Výsledky zaznamenejte do formuláře Excel: cv.13/str.25

26 Optron jako spínač, definice spínacích časů R D I A R C I C U 1 U AK U CE U CC I A I C LED svítí I CMAX = (U CC - U CEsat ) /R C 50% LED nesvítí R B t 90% I CMAX t d - doba zpoždění t r - doba náběhu t s - doba přesahu U CE t d t r U CC Tranzistor sepnutý t s t f t Tranzistor vypnutý 10% I CMAX 90% U CC t f - doba poklesu (týlu) Terminologie odpovídá průběhu proudu I C t on t off 10% U CC t cv.13/str.26

27 Optron jako spínač, definice spínacích časů R D I A R C I C U 1 U AK U CE U CC I A LED svítí I CMAX = (U CC - U CEsat ) /R C 50% LED nesvítí R B t I C 90% I CMAX t d t r t d - doba zpoždění (delay time) t s t f 10% I CMAX Dáno konečnou rychlostí injekce a následné rekombinace nosičů v LED (vyzáření energie ve formě fotonu) a konečnou dobou průletu minoritních nosičů bází tranzistoru t cv.13/str.27

28 Optron jako spínač, definice spínacích časů R D I A R C I C U 1 U AK U CE U CC I A LED svítí I CMAX = (U CC - U CEsat ) /R C 50% LED nesvítí R B t I C 90% I CMAX t d t r t r - doba náběhu (rise time) t s t f 10% I CMAX Nárůst kolektorového proudu z 10% na 90% maximální hodnoty Přechod tranzistoru z aktivního režimu do saturace t cv.13/str.28

29 Optron jako spínač, definice spínacích časů R D I A R C I C U 1 U AK U CE U CC I A LED svítí I CMAX = (U CC - U CEsat ) /R C 50% LED nesvítí R B t I C 90% I CMAX t d t r t s - doba přesahu (storage time) t s t f 10% I CMAX Saturační zpoždění Odsávání minoritních nosičů z báze do kolektoru, rekombinace minoritních nosičů v bázi t cv.13/str.29

30 Optron jako spínač, definice spínacích časů R D I A R C I C U 1 U AK U CE U CC I A LED svítí I CMAX = (U CC - U CEsat ) /R C 50% LED nesvítí R B t I C 90% I CMAX t d t r t f - doba poklesu (týlu) (fall time) t s t f 10% I CMAX Pokles kolektorového proudu z 90% na 10% maximální hodnoty Pokračující odsávání a rekombinace minoritních nosičů v bázi t cv.13/str.30

31 Zjednodušené zapojení přípravku ve spínacím režimu R D R C +5V I A 7805 D V U 1 D 3 U AK U CE U CC U 1 0 U CE U 1 = +10 V U CC = +5 V 50% U 1 = -10 V R B t Ochrana před přepólováním napájení Stabilizace napětí U CC 90% U CC t d - doba zpoždění t r - doba náběhu t s - doba přesahu t f - doba poklesu (týlu) 0 t d t r t s t f 10% U CC t Terminologie odpovídá průběhu proudu I C cv.13/str.31

32 20 Vpp Ochrana LED optronu před záporným napětím U 1 R D Průběh napětí U AK na přípravku R C +5V I A 7805 D V U 1 D 3 U AK U CE U CC U 1 0 U 1 = +10 V 50% U 1 = -10 V R B t U AK U AK = +1,4 V Propustný úbytek LED optronu 0 t U AK = -0,7 V Propustný úbytek ochranné diody D 3 cv.13/str.32

33 R D Zapojení měření ve spínacím režimu R C +5V I A 7805 D V U 1 D 3 U AK U CE U CC Square 20 Vpp, 10kHz/3kHz/600Hz (dle hodnoty R C ) R B +10V U 1 U AK U CE cv.13/str.33

34 Očekávané průběhy ve spínacím režimu R D R C +5V I A 7805 D V U 1 D 3 U AK Square 20 Vpp, 10kHz/3kHz/600Hz (dle hodnoty R C ) R B U CE U CC U AK 0 U AK = +1,4 V 50% U AK = -0,7 V Propustný úbytek LED optronu t Propustný úbytek ochranné diody D 3 U CE U CC = +5 V 90% U CC 0 t d t r t s t f 10% U CC t cv.13/str.34

35 Měření spínacích časů 1 U AK Změřte závislosti t d a t r na velikostech odporů R D a R B *) Terminologie odpovídá průběhu proudu I C doba zpoždění a doba náběhu *) t d =f(r D,R B ) a t r =f(r D,R B ) při R C = 1kΩ pro R D = 100, 470, 1kΩ a R B =, 100kΩ 0 U CE U CC = +5 V 50% t 90% U CC U 1 obdélník, +/- 10V (20Vpp), 10kHz pro všechny hodnoty R D a R B R D R C +5V I A t d t r D 1 10% U CC t +10 V U 1 D 3 U AK U CE U CC Square, 20 Vpp, 10kHz R B cv.13/str.35

36 Měření vypínacích časů 1 U AK Změřte závislosti t s a t f doba přesahu a doba poklesu *) na velikostech odporů R D a R B 0 50% t *) Terminologie odpovídá průběhu proudu I C t s =f(r D,R B ) a t f =f(r D,R B ) při R C = 1kΩ pro R D = 100, 470, 1kΩ a R B =, 100kΩ U 1 obdélník, +/- 10V (20Vpp), 10kHz pro všechny hodnoty R D a R B R D U CE R C 0 +5V I A 7805 t s U CC = +5 V t f D 1 90% U CC 10% U CC t +10 V U 1 D 3 U AK U CE U CC Square, 20 Vpp, 10kHz R B cv.13/str.36

37 Měření vypínacích časů 2 U AK Změřte závislosti t s a t f na velikostech odporů R C a R B *) Terminologie odpovídá průběhu proudu I C t s =f(r C,R B ) a t f =f(r C,R B ) při R D = 100Ω pro R C = 100, 1k, 10k, 100kΩ a R B =, 100kΩ Pozn.: při malém R C nemusí být optron vybuzen do saturace U 1 obdélník, +/- 10V (20Vpp), 10kHz pro R C = 1kΩ, 3kHz pro R C = 10kΩ, 600Hz pro R C = 100kΩ R D doba přesahu a doba poklesu *) R C +5V I A U CE 0 t s 50% U CC = +5 V t f D 1 t 90% U CC 10% U CC t +10 V U 1 D 3 U AK Square 20 Vpp, 10kHz/3kHz/600Hz (dle hodnoty R C ) R B U CE U CC cv.13/str.37

38 Optron dynamické vlastnosti Výsledky zaznamenejte a vyhodnoťte ve formuláři Excel: cv.13/str.38

39 Měření spotřeby optronu ve spínacím režimu Změřte závislost spotřeby přípravku I 2 na velikostech odporů R C a R B I 2 =f(r C,R B ) při R D = 100Ω pro R C = 100, 1k, 10k, 100kΩ a R B =, 100kΩ U 1 obdélník, +/- 10V (20Vpp), 1kHz Výsledky zaznamenejte do formuláře Excel Zdůvodněte nižší spotřebu při R B = 100 kω U 1 R D R C +5V 7805 D 1 I 2 U V D 3 Square, 20 Vpp, 1kHz R B cv.13/str.39

40 Hledání optimálních hodnot odporů rezistorů Nalezněte optimální hodnoty odporů rezistorů R D, R C a R B pro přenos obdélníkového signálu např. 20kHz Hodnoty odporů volte nejen z hlediska kvality přenášeného signálu (dob sepnutí a vypnutí), ale i minimální spotřeby I 2 a minimální zátěže vstupního signálu U 1 Výsledky zaznamenejte do formuláře Excel U 1 R D R C +5V 7805 D 1 I 2 U V D 3 Square, 20 Vpp, 20kHz R B cv.13/str.40

41 Optoelektronické součástky - zdroje a detektory

42 Optoelektronické součástky - zdroje a detektory Měření vlastností vazby zdroj - detektor (LED - fotodioda nebo fotoodpor) v závislosti na jejich spektrálních charakteristikách +10V

43 Optoelektronické součástky - zdroje a detektory D1 Použité fotodiody spektrální charakteristiky D2

44 Optoelektronické součástky - zdroje a detektory D3 Použité fotodiody spektrální charakteristiky D4 Light dependent resistor

45 Optoelektronické součástky - zdroje a detektory

46 Optoelektronické součástky - zdroje a detektory LED Materiál Barva světla/záření Vlnová délka [nm] Úbytek F =20mA [V] SiC, GaN Modrá 450 3,6 GaP Zelená 565 2,2 GaAs 0,15 P 0,85 :N Žlutá 585 2,1 GaAs 0,35 P 0,65 :N, GaAs 0,6 P 0,4, GaP:Zn- O SiC/GaN + luminofor na povrchu čipu Červená 635 2,0 Bílá K * GaAs:Si Infračervené záření 820 / 900 / 950 1,5 3,6

Laboratorní cvičení č.15. Název: Měření na optoelektronických prvcích. Zadání: Popis měřeného předmětu: Teoretický rozbor:

Laboratorní cvičení č.15. Název: Měření na optoelektronických prvcích. Zadání: Popis měřeného předmětu: Teoretický rozbor: Laboratorní cvičení č.15 Název: Měření na optoelektronických prvcích Zadání: Změřte voltampérovou charakteristiku fototranzistoru, fotodiody (fotovodivostní a fotovoltaický režim) a fotorezistoru pro pět

Více

Optoelektronika. Zdroje. Detektory. Systémy

Optoelektronika. Zdroje. Detektory. Systémy Optoelektronika Zdroje Detektory Systémy Optoelektronika Optoelektronické součástky využívají interakce záření a elektricky nabitých částic v polovodičích. 1839 E. Becquerel - Fotovoltaický jev 1873 W.

Více

Bipolární tranzistory

Bipolární tranzistory Bipolární tranzistory h-parametry, základní zapojení, vysokofrekvenční vlastnosti, šumy, tranzistorový zesilovač, tranzistorový spínač Bipolární tranzistory (bipolar transistor) tranzistor trojpól, zapojení

Více

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY VZORY OTÁZEK A PŘÍKLADŮ K TUTORIÁLU 1 1. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Proč je používáme. 2. Co jsou polovodiče vlastní. 3. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Jakým způsobem

Více

+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2

+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2 Pro zadané hodnoty napájecího napětí, odporů a zesilovacího činitele β vypočtěte proudy,, a napětí,, (předpokládejte, že tranzistor je křemíkový a jeho pracovní bod je nastaven do aktivního normálního

Více

Jméno a příjmení. Ročník. Měřeno dne. 11.3.2013 Příprava Opravy Učitel Hodnocení. Charakteristiky optoelektronických součástek

Jméno a příjmení. Ročník. Měřeno dne. 11.3.2013 Příprava Opravy Učitel Hodnocení. Charakteristiky optoelektronických součástek FYZIKÁLNÍ PRAKTIKUM Ústav fyziky FEKT VUT BRNO Jméno a příjmení Petr Švaňa Ročník 1 Předmět IFY Kroužek 38 ID 155793 Spolupracoval Měřeno dne Odevzdáno dne Ladislav Šulák 25.2.2013 11.3.2013 Příprava Opravy

Více

Charakteristiky optoelektronických součástek

Charakteristiky optoelektronických součástek FYZIKÁLNÍ PRAKTIKUM Ústav fyziky FEKT VUT BRNO Spolupracoval Jan Floryček Jméno a příjmení Jakub Dvořák Ročník 1 Měřeno dne Předn.sk.-Obor BIA 27.2.2007 Stud.skup. 13 Odevzdáno dne Příprava Opravy Učitel

Více

ETC Embedded Technology Club setkání 5, 3B zahájení třetího ročníku

ETC Embedded Technology Club setkání 5, 3B zahájení třetího ročníku ETC Embedded Technology Club setkání 5, 3B 6.11. 2018 zahájení třetího ročníku Katedra měření, Katedra telekomunikací,, ČVUT- FEL, Praha doc. Ing. Jan Fischer, CSc. ETC club,5, 3B 30.10.2018, ČVUT- FEL,

Více

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření optoelektronického vazebního členu, část 3-11-1

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření optoelektronického vazebního členu, část 3-11-1 MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření optoelektronického vazebního členu, část 3-11-1 Výukový materiál Číslo projektu: CZ.1.07/1.5.00/34.0093 Šablona: III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím

Více

2-LC: Měření elektrických vlastností výkonových spínačů (I)

2-LC: Měření elektrických vlastností výkonových spínačů (I) 2-LC: Měření elektrických vlastností výkonových spínačů (I) Cíl měření: Ověření a porovnání vlastností výkonových spínačů: BJT, MOSFET a tyristoru. Zkratování řídících vstupů Obr. 1 Přípravek pro měření

Více

FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4

FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4 Využití vlastností polovodičových přechodů Oblast prostorového náboje elektrické pole na přechodu Propustný směr difůze majoritních nosičů Závěrný směr extrakce minoritních nosičů Rekombinace na přechodu

Více

Bipolární tranzistor. Bipolární tranzistor - struktura. Princip práce tranzistoru. Princip práce tranzistoru. Zapojení SC.

Bipolární tranzistor. Bipolární tranzistor - struktura. Princip práce tranzistoru. Princip práce tranzistoru. Zapojení SC. ipolární tranzistor Tranzistor (angl. transistor) transfer resistor bipolární na přenosu proudu se podílejí jak elektrony, tak díry je tvořen dvěma přechody na jednom základním monoktystalu Emitorový přechod

Více

1.3 Bipolární tranzistor

1.3 Bipolární tranzistor 1.3 Bipolární tranzistor 1.3.1 Úkol: 1. Změřte vstupní charakteristiku bipolárního tranzistoru 2. Změřte převodovou charakteristiku bipolárního tranzistoru 3. Změřte výstupní charakteristiku bipolárního

Více

Abstrakt. fotodioda a fototranzistor) a s jejich základními charakteristikami.

Abstrakt. fotodioda a fototranzistor) a s jejich základními charakteristikami. Název a číslo úlohy: 9 Detekce optického záření Datum měření: 4. května 2 Měření provedli: Vojtěch Horný, Jaroslav Zeman Vypracovali: Vojtěch Horný a Jaroslav Zeman společnými silami Datum: 4. května 2

Více

MĚŘENÍ JALOVÉHO VÝKONU

MĚŘENÍ JALOVÉHO VÝKONU MĚŘENÍ JALOVÉHO VÝKONU &1. Které elektrické stroje jsou spotřebiči jalového výkonu a na co ho potřebují? &2. Nakreslete fázorový diagram RL zátěže připojené na zdroj střídavého napětí. &2.1 Z fázorového

Více

Tranzistory. tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor. Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET

Tranzistory. tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor. Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET Tranzistory tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET Shockey, Brattain a Bardeen 16.12. 1947 Shockey 1952 Bipolární tranzistor

Více

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Optoelektronika Přednáška č. 8 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Optoelektronika 1 Optoelektronika zabývá se přeměnou elektrické

Více

Cvičení 12. Příklad výkonové aplikace. Výkonový MOSFET spínání induktivní zátěže: Měření,

Cvičení 12. Příklad výkonové aplikace. Výkonový MOSFET spínání induktivní zátěže: Měření, Cvičení 12 Příklad výkonové aplikace Výkonový MOSFET spínání induktivní zátěže: Měření, Simulace uacev PSpice Elektronické prvky A2B34ELP Prosté zapínání a vypínání Příklad výkonové aplikace M +PWR I zapnuto

Více

ETC Embedded Technology Club 10. setkání

ETC Embedded Technology Club 10. setkání ETC Embedded Technology Club 10. setkání 21.2. 2017 Katedra telekomunikací, Katedra měření, ČVUT- FEL, Praha doc. Ing. Jan Fischer, CSc. ETC club -10, 21.2.2017, ČVUT- FEL, Praha 1 Náplň Výklad: Fototranzistor,

Více

1.Zadání 2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU 3.TEORETICKÝ ROZBOR

1.Zadání 2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU 3.TEORETICKÝ ROZBOR RIEDL 4.EB 11 1/8 1.Zadání a) Změřte převodní charakteristiku optočlenu WK16321 U 2 =f(i f ) b) Ověřte přesnost obdélníkových impulzů o kmitočtu 100Hz a 10kHz při proudu vysílače 0,3I fmax a 0,9I fmax

Více

ETC Embedded Technology Club setkání 4, 3B zahájení třetího ročníku

ETC Embedded Technology Club setkání 4, 3B zahájení třetího ročníku ETC Embedded Technology Club setkání 4, 3B 30.10. 2018 zahájení třetího ročníku Katedra měření, Katedra telekomunikací,, ČVUT- FEL, Praha doc. Ing. Jan Fischer, CSc. ETC club, 4, 3B 30.10.2018, ČVUT- FEL,

Více

2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω.

2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω. A5M34ELE - testy 1. Vypočtěte velikost odporu rezistoru R 1 z obrázku. U 1 =15 V, U 2 =8 V, U 3 =10 V, R 2 =200Ω a R 3 =1kΩ. 2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty

Více

1.1 Pokyny pro měření

1.1 Pokyny pro měření Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1 Bipolární tranzistor jako zesilovač Úkol: Proměřte amplitudové kmitočtové charakteristiky bipolárního tranzistoru 1. v zapojení se společným emitorem (SE)

Více

Kurs praktické elektroniky a kutění

Kurs praktické elektroniky a kutění Kurs praktické elektroniky a kutění Katedra měření, ČVUT FEL, Praha 12.9. 16.9.2016 19.9. 23.9.2016 Doc. Ing. Jan Holub, PhD. Vedoucí katedry měření Doc. Ing. Jan Fischer, CSc. prezentující Tento materiál

Více

Elektrická měření pro I. ročník (Laboratorní cvičení)

Elektrická měření pro I. ročník (Laboratorní cvičení) Střední škola informatiky a spojů, Brno, Čichnova 23 Elektrická měření pro I. ročník (Laboratorní cvičení) Studentská verze Zpracoval: Ing. Jiří Dlapal B R N O 2011 Úvod Výuka předmětu Elektrická měření

Více

A8B32IES Úvod do elektronických systémů

A8B32IES Úvod do elektronických systémů A8B3IES Úvod do elektronických systémů..04 Ukázka činnosti elektronického systému DC/DC měniče a optické komunikační cesty Aplikace tranzistoru MOSFET jako spínače Princip DC/DC měniče zvyšujícího napětí

Více

Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek

Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Hlavní požadavky na ideální budič Galvanické

Více

Polovodičové senzory. Polovodičové materiály Teplotní závislost polovodiče Piezoodporový jev Fotonové jevy Radiační jevy Magnetoelektrické jevy

Polovodičové senzory. Polovodičové materiály Teplotní závislost polovodiče Piezoodporový jev Fotonové jevy Radiační jevy Magnetoelektrické jevy Polovodičové senzory Polovodičové materiály Teplotní závislost polovodiče Piezoodporový jev Fotonové jevy Radiační jevy Magnetoelektrické jevy Polovodičové materiály elementární polovodiče Elementární

Více

λ hc Optoelektronické součástky Fotorezistor, Laserová dioda

λ hc Optoelektronické součástky Fotorezistor, Laserová dioda Optoelektronické součástky Fotorezistor, Laserová dioda Úvod Optoelektronické součástky jsou založeny na interakci optického záření s elektricky nabitými částicemi v polovodičích. Vztah mezi energií fotonů

Více

Klasifikace: bodů výborně bodů velmi dobře bodů dobře 0-49 bodů nevyhověl. Příklad testu je na následující straně.

Klasifikace: bodů výborně bodů velmi dobře bodů dobře 0-49 bodů nevyhověl. Příklad testu je na následující straně. Elektronika - pravidla Zkouška: Délka trvání testu: 12 minut Doporučené pomůcky: propisovací tužka, obyčejná tužka, čistý papír, guma, pravítko, kalkulačka se zanedbatelně malou pamětí Zakázané pomůcky:

Více

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY TEMATICKÉ OKRUHY ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 1. Základní pojmy fyziky polovodičů. Pásová struktura její souvislost s elektronovým obalem atomu, vliv na elektrickou vodivost materiálů. Polovodiče vlastní a nevlastní.

Více

Nalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R = 100 kω, φ = 5mW/cm 2.

Nalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R = 100 kω, φ = 5mW/cm 2. Nalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R 00 kω, φ 5mW/cm 2. Fotovoltaický režim: fotodioda pracuje jako zdroj (s paralelně zapojeným odporem-zátěží). Obvod je popsán

Více

Praktikum III - Optika

Praktikum III - Optika Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky M UK Praktikum III - Optika Úloha č. 5 Název: Charakteristiky optoelektronických součástek Pracoval: Matyáš Řehák stud.sk.: 13 dne: 2. 3. 28

Více

Unipolární tranzistor aplikace

Unipolární tranzistor aplikace Unipolární tranzistor aplikace Návod k praktickému cvičení z předmětu A4B34EM 1 Cíl měření Účelem tohoto měření je seznámení se s funkcí a aplikacemi unipolárních tranzistorů. Během tohoto měření si prakticky

Více

Elektronické praktikum EPR1

Elektronické praktikum EPR1 Elektronické praktikum EPR1 Úloha číslo 2 název Vlastnosti polovodičových prvků Vypracoval Pavel Pokorný PINF Datum měření 11. 11. 2008 vypracování protokolu 23. 11. 2008 Zadání 1. Seznamte se s funkcí

Více

TRANZISTOROVÝ ZESILOVAČ

TRANZISTOROVÝ ZESILOVAČ RANZISOROÝ ZESILOAČ 301-4R Hodnotu napájecího napětí určí vyučující ( CC 12). 1. Pro zadanou hodnotu I C 2 ma vypočtěte potřebnou hodnotu R C a zvolte nejbližší hodnotu rezistoru z řady. 2. Zvolte hodnotu

Více

2.3 Elektrický proud v polovodičích

2.3 Elektrický proud v polovodičích 2.3 Elektrický proud v polovodičích ( 6 10 8 10 ) Ωm látky rozdělujeme na vodiče polovodiče izolanty ρ ρ ( 10 4 10 8 ) Ωm odpor s rostoucí teplotou roste odpor nezávisí na osvětlení nebo ozáření odpor

Více

Měření vlastností lineárních stabilizátorů. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS.

Měření vlastností lineárních stabilizátorů. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS. Měření vlastností lineárních stabilizátorů Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS. Cílem měření je seznámit se s funkcí a základními vlastnostmi jednoduchých lineárních stabilizátorů

Více

ETC Embedded Technology Club setkání 6, 3B zahájení třetího ročníku

ETC Embedded Technology Club setkání 6, 3B zahájení třetího ročníku ETC Embedded Technology Club setkání 6, 3B 13.11. 2018 zahájení třetího ročníku Katedra měření, Katedra telekomunikací,, ČVUT- FEL, Praha doc. Ing. Jan Fischer, CSc. ETC club,6, 3B 13.11.2018, ČVUT- FEL,

Více

Charakteristiky tranzistoru MOSFET

Charakteristiky tranzistoru MOSFET Cvičení 7 Charakteristiky tranzistoru MOFET Výstupní V-A charakteristiky tranzistoru MOFET Úplný model tranzistoru MOFET (Ppice-Level 1) a jeho parametry tanovení stejnosměrného pracovního bodu tranzistoru

Více

SEMESTRÁLNÍ PRÁCE Z PŘEDMĚTU NÁVRH A ANALÝZA ELEKTRONICKÝCH OBVODŮ

SEMESTRÁLNÍ PRÁCE Z PŘEDMĚTU NÁVRH A ANALÝZA ELEKTRONICKÝCH OBVODŮ Univerzita Pardubice FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A INFORMATIKY SEMESTRÁLNÍ PRÁCE Z PŘEDMĚTU NÁVRH A ANALÝZA ELEKTRONICKÝCH OBVODŮ Vypracoval: Ondřej Karas Ročník:. Skupina: STŘEDA 8:00 Zadání: Dopočítejte

Více

1. Navrhněte a prakticky realizujte pomocí odporových a kapacitních dekáda derivační obvod se zadanou časovou konstantu: τ 2 = 320µs

1. Navrhněte a prakticky realizujte pomocí odporových a kapacitních dekáda derivační obvod se zadanou časovou konstantu: τ 2 = 320µs 1 Zadání 1. Navrhněte a prakticky realizujte pomocí odporových a kapacitních dekáda integrační obvod se zadanou časovou konstantu: τ 1 = 62µs derivační obvod se zadanou časovou konstantu: τ 2 = 320µs Možnosti

Více

MĚŘENÍ PLANCKOVY KONSTANTY

MĚŘENÍ PLANCKOVY KONSTANTY Úloha č. 14a MĚŘENÍ PLANCKOVY KONSTANTY ÚKOL MĚŘENÍ: 1. Změřte napětí U min, při kterém se právě rozsvítí červená, žlutá, zelená a modrá LED. Napětí na LED regulujte potenciometrem. 2. Nakreslete graf

Více

ELN 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY 1/14 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY

ELN 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY 1/14 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY ELN 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY 1/14 2. Analogové spínače s tranzistory 2.1 Spínací vlastnosti tranzistorů bipolárních a unipolárních 2.2 Příklady použití spínačů 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY

Více

Projekt Pospolu. Polovodičové součástky diody. Pro obor M/01 Informační technologie

Projekt Pospolu. Polovodičové součástky diody. Pro obor M/01 Informační technologie Projekt Pospolu Polovodičové součástky diody Pro obor 18-22-M/01 Informační technologie Autorem materiálu a všech jeho částí je Ing. Petr Voborník, Ph.D. Polovodičová součástka je elektronická součástka

Více

Úloha 5: Charakteristiky optoelektronických součástek

Úloha 5: Charakteristiky optoelektronických součástek Petra Suková, 2.ročník, F-14 1 Úloha 5: Charakteristiky optoelektronických součástek 1 Zadání 1. Změřte voltampérové a světelné charakteristiky připravených luminiscenčních diod v propustném směru a určete,

Více

Kód VM: VY_32_INOVACE_5 PAV04 Projekt: Zlepšení výuky na ZŠ Schulzovy sady registrační číslo: CZ.1.07./1.4.00/21.2581

Kód VM: VY_32_INOVACE_5 PAV04 Projekt: Zlepšení výuky na ZŠ Schulzovy sady registrační číslo: CZ.1.07./1.4.00/21.2581 Kód VM: VY_32_INOVACE_5 PAV04 Projekt: Zlepšení výuky na ZŠ Schulzovy sady registrační číslo: CZ.1.07./1.4.00/21.2581 Autor: Mgr. Petr Pavelka Datum: 15. 10. 2012 Ročník: 9. Vzdělávací oblast: Člověka

Více

4. Vysvětlete mechanismus fotovodivosti. Jak závisí fotovodivost na dopadajícím světelném záření?

4. Vysvětlete mechanismus fotovodivosti. Jak závisí fotovodivost na dopadajícím světelném záření? Dioda VA 1. Dvě křemíkové diody se liší pouze plochou PN přechodu. Dioda D1 má plochu přechodu dvakrát větší, než dioda D2. V jakém poměru budou jejich diferenciální odpory, jestliže na obou diodách bude

Více

GFK-2004-CZ Listopad Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Skladovací teplota -25 C až +85 C.

GFK-2004-CZ Listopad Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Skladovací teplota -25 C až +85 C. Modul slouží pro výstup digitálních signálů 24 Vss. Specifikace modulu Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení 48,8 mm x 120 mm x 71,5 mm dvou-, tří- a čtyřdrátové Provozní teplota -25 C až

Více

28 Charakteristiky optoelektronických součástek

28 Charakteristiky optoelektronických součástek 28 Charakteristiky optoelektronických součástek ÚKOL Změřte voltampérovou, luxampérovou a směrovou vyzařovací charakteristiku luminiscenční diody, přenosovou charakteristiku optronu. Z grafu V-A charakteristiky

Více

Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody

Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody Přírodní vědy moderně a interaktivně FYZIKA 2. ročník šestiletého studia Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody G Gymnázium Hranice Přírodní vědy moderně a interaktivně

Více

FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů

FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů Unipolární tranzistory Řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem: FET [Field - Effect Transistor] Proud přenášen jedním typem nosičů náboje (unipolární): - majoritní nosiče v inverzním kanálu - neuplatňuje

Více

II. Nakreslete zapojení a popište funkci a význam součástí následujícího obvodu: Integrátor s OZ

II. Nakreslete zapojení a popište funkci a význam součástí následujícího obvodu: Integrátor s OZ Datum: 1 v jakém zapojení pracuje tranzistor proč jsou v obvodu a jak se projeví v jeho činnosti kondenzátory zakreslené v obrázku jakou hodnotu má odhadem parametr g m v uvedeném pracovním bodu jakou

Více

Měření Planckovy konstanty

Měření Planckovy konstanty Měření Planckovy konstanty Online: http://www.sclpx.eu/lab3r.php?exp=2 Pro stanovení přibližné hodnoty Planckovy konstanty jsme vyšli myšlenkově z experimentu s LED diodami, viz např. [8], [81], nicméně

Více

A8B32IES Úvod do elektronických systémů

A8B32IES Úvod do elektronických systémů A8B32IES Úvod do elektronických systémů 29.10.2014 Polovodičová dioda charakteristiky, parametry, aplikace Elektronické prvky a jejich reprezentace Ideální dioda Reálná dioda a její charakteristiky Porovnání

Více

V4LM4S V AC/DC

V4LM4S V AC/DC VEO relé se zvýšenou odolností Multifunkční hlídací relé výšky hladiny a řízení čerpadel 10 funkcí, 4 sondy, 2 okruhy, 3 P pro digitální výstup 24-240 V AC/DC Popis Seznam funkcí Napájení Multifunkční

Více

Popis obvodu U2403B. Funkce integrovaného obvodu U2403B

Popis obvodu U2403B. Funkce integrovaného obvodu U2403B ASICentrum s.r.o. Novodvorská 994, 142 21 Praha 4 Tel. (02) 4404 3478, Fax: (02) 472 2164, E-mail: info@asicentrum.cz ========== ========= ======== ======= ====== ===== ==== === == = Popis obvodu U2403B

Více

Studium klopných obvodů

Studium klopných obvodů Studium klopných obvodů Úkol : 1. Sestavte podle schématu 1 astabilní klopný obvod a ověřte jeho funkce.. Sestavte podle schématu monostabilní klopný obvod a buďte generátorem a sledujte výstupní napětí.

Více

Multimetr byl navržen za účelem měření AC/DC napětí, AC/DC proudu, odporu, kapacity, pracovního cyklu, teploty a testování diod.

Multimetr byl navržen za účelem měření AC/DC napětí, AC/DC proudu, odporu, kapacity, pracovního cyklu, teploty a testování diod. dodavatel vybavení provozoven firem www.abetec.cz Multimetr CMM-10 Obj. číslo: 106001359 Výrobce: SONEL S. A. Popis Multimetr byl navržen za účelem měření AC/DC napětí, AC/DC proudu, odporu, kapacity,

Více

Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/34.0452

Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/34.0452 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/34.0452 Číslo projektu Číslo materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0452 OV_2_31_Triakový regulátor Název školy

Více

Zadání semestrálních prácí z předmětu Elektronické obvody. Jednodušší zadání

Zadání semestrálních prácí z předmětu Elektronické obvody. Jednodušší zadání Zadání semestrálních prácí z předmětu Elektronické obvody Jiří Hospodka katedra Teorie obvodů, ČVUT FEL 26. května 2008 Jednodušší zadání Zadání 1: Jednostupňový sledovač napětí maximální počet bodů 10

Více

GFK-2005-CZ Prosinec Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Provozní teplota -25 C až +55 C. Skladovací teplota -25 C až +85 C

GFK-2005-CZ Prosinec Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Provozní teplota -25 C až +55 C. Skladovací teplota -25 C až +85 C Výstup 24 Vss, negativní logika, 0,5 A, 2 body Modul slouží pro výstup digitálních signálů 24 Vss. Specifikace modulu Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení 12,2 mm x 120 mm x 71,5 mm dvou-,

Více

VLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU

VLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU VLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU Úvod: Čas ke studiu: Polovodičové součástky pro výkonovou elektroniku využívají stejné principy jako běžně používané polovodičové součástky

Více

4.10 Ovládač klávesnice 07 TC 91 Ovládání 32 přepínačů/kláves a 32 LED

4.10 Ovládač klávesnice 07 TC 91 Ovládání 32 přepínačů/kláves a 32 LED .0 Ovládač klávesnice Ovládání 3 přepínačů/kláves a 3 LED 3 Obr..0-: Ovládač klávesnice 5 Obsah Účel použití...0- Zobrazení a komponenty na desce tištěných spojů...0- Elektrické zapojení...0- Přiřazení

Více

Fakulta biomedic ınsk eho inˇzen yrstv ı Teoretick a elektrotechnika Prof. Ing. Jan Uhl ıˇr, CSc. L eto 2017

Fakulta biomedic ınsk eho inˇzen yrstv ı Teoretick a elektrotechnika Prof. Ing. Jan Uhl ıˇr, CSc. L eto 2017 Fakulta biomedicínského inženýrství Teoretická elektrotechnika Prof. Ing. Jan Uhlíř, CSc. Léto 2017 8. Nelineární obvody nesetrvačné dvojpóly 1 Obvodové veličiny nelineárního dvojpólu 3. 0 i 1 i 1 1.5

Více

Název projektu: EU peníze školám. Základní škola, Hradec Králové, M. Horákové 258

Název projektu: EU peníze školám. Základní škola, Hradec Králové, M. Horákové 258 Název projektu: EU peníze školám Registrační číslo projektu: CZ.1.07/1.4.00/21.2575 Základní škola, Hradec Králové, M. Horákové 258 Téma: Elektronika Název: VY_32_INOVACE_10_02B_30.Výroba jednoduchého

Více

Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1

Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1 Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1 Charakteristiky tyristoru Úkol: 1. Změřte vstupní charakteristiku tyristoru I G = f (U GK ) 2. Změřte spínací charakteristiku U B0 = f (I G ) 1.1 Pokyny pro

Více

Laboratorní zdroj - 3. část

Laboratorní zdroj - 3. část Laboratorní zdroj - 3. část Publikované: 20.03.2016, Kategória: Silové časti www.svetelektro.com Měření statických a dynamických vlastností zdroje. Vývoj zdroje dospěl do fáze, kdy se mi podařilo odladit

Více

Kategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-485 se používá pro:

Kategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-485 se používá pro: Krajské kolo soutěže dětí a mládeže v radioelektronice, Vyškov 2009 Test Kategorie M START. ČÍSLO BODŮ/OPRAVIL U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-485 se používá pro:

Více

Úloha č.9 - Detekce optického záření

Úloha č.9 - Detekce optického záření Úloha č.9 Detekce optického záření 1 Teoretický úvod Detektory optického záření, tzv. fotodetektory, jsou nezbytnou pomůckou při práci s elektromagnetickým zářením. Společný princip většiny detektorů pro

Více

1 Elektrotechnika 1. 14:00 hod. R 1 = R 2 = 5 Ω R 3 = 10 Ω U = 10 V I z = 1 A R R R U 1 = =

1 Elektrotechnika 1. 14:00 hod. R 1 = R 2 = 5 Ω R 3 = 10 Ω U = 10 V I z = 1 A R R R U 1 = = B 4:00 hod. Elektrotechnika Pomocí věty o náhradním zdroji vypočtěte hodnotu rezistoru tak, aby do něho byl ze zdroje dodáván maximální výkon. Vypočítejte pro tento případ napětí, proud a výkon rezistoru.

Více

IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor speciální polovodičová struktura IGBT se používá jako spínací tranzistor nejdůležitější součástka výkonové

IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor speciální polovodičová struktura IGBT se používá jako spínací tranzistor nejdůležitější součástka výkonové IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor speciální polovodičová struktura IGBT se používá jako spínací tranzistor nejdůležitější součástka výkonové elektroniky chová se jako bipolární tranzistor řízený unipolárním

Více

Součástky s více PN přechody

Součástky s více PN přechody Součástky s více PN přechody spínací polovodičové součástky tyristor, diak, triak Součástky s více PN přechody první realizace - 1952 třívrstvé tranzistor diak čtyřvrstvé tyristor pětivrstvé triak diak

Více

GFK-1904-CZ Duben Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Skladovací teplota -25 C až +85 C. Provozní vlhkost. Skladovací vlhkost

GFK-1904-CZ Duben Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Skladovací teplota -25 C až +85 C. Provozní vlhkost. Skladovací vlhkost Modul slouží pro výstup digitálních signálů 24 Vss. Specifikace modulu Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení 12,2 mm x 120 mm x 71,5 mm dvou- a třídrátové Provozní teplota -25 C až +55 C

Více

Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna

Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Tato otázka přepokládá znalost otázky č. - polovodiče. Doporučuji ujasnit

Více

Pokud není uvedeno jinak, uvedený materiál je z vlastních zdrojů autora

Pokud není uvedeno jinak, uvedený materiál je z vlastních zdrojů autora Číslo projektu Číslo materiálu Název školy Autor Název Téma hodiny ředmět očník /y/..07/.5.00/34.0394 VY_3_NOVA_M_.9_měření statických parametrů zesilovače Střední odborná škola a Střední odborné učiliště,

Více

1 Elektrotechnika 1. 11:00 hod. = + Δ= = 8

1 Elektrotechnika 1. 11:00 hod. = + Δ= = 8 :00 hod. Elektrotechnika a) Metodou syčkových proudů (MSP) vypočtěte proudy všech větví uvedeného obvodu. R = Ω, R = Ω, R 3 = Ω, U = 5 V, U = 3 V. b) Uveďte obecný vztah pro výpočet počtu nezávislých syček

Více

prodej opravy výkup transformátorů

prodej opravy výkup transformátorů prodej opravy výkup transformátorů Pozistorová tepelná ochrana s vyhodnocovacím relé MSF 220 V (VU) Tepelné pozistorové relé MSF 220 představuje třístupňový vypínací přístroj s vlastním vyhodnocením a

Více

Základní pojmy z oboru výkonová elektronika

Základní pojmy z oboru výkonová elektronika Základní pojmy z oboru výkonová elektronika prezentace k přednášce 2013 Projekt ESF CZ.1.07/2.2.00/28.0050 Modernizace didaktických metod a inovace výuky technických předmětů. výkonová elektronika obor,

Více

Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/

Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/ Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/34.0452 Číslo projektu Číslo materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0452 OV_2_19_Prozváněčka Název školy Střední

Více

VÝVOJOVÁ DESKA PRO JEDNOČIPOVÝ MIKROPOČÍTAČ PIC 16F88 A. ZADÁNÍ FUNKCE A ELEKTRICKÉ PARAMETRY: vstupní napětí: U IN AC = 12 V (např.

VÝVOJOVÁ DESKA PRO JEDNOČIPOVÝ MIKROPOČÍTAČ PIC 16F88 A. ZADÁNÍ FUNKCE A ELEKTRICKÉ PARAMETRY: vstupní napětí: U IN AC = 12 V (např. VÝVOJOVÁ DESKA PRO JEDNOČIPOVÝ MIKROPOČÍTAČ PIC 16F88 A. ZADÁNÍ FUNKCE A ELEKTRICKÉ PARAMETRY: vstupní napětí: U IN AC = 12 V (např. z transformátoru TRHEI422-1X12) ovládání: TL1- reset, vývod MCLR TL2,

Více

ELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky... 7-1 7.2 První a druhý průraz bipolárního

ELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky... 7-1 7.2 První a druhý průraz bipolárního Bohumil BRTNÍK, David MATOUŠEK ELEKTRONICKÉ PRVKY Praha 2011 Tato monografie byla vypracována a publikována s podporou Rozvojového projektu VŠPJ na rok 2011. Bohumil Brtník, David Matoušek Elektronické

Více

Návrh a analýza jednostupňového zesilovače

Návrh a analýza jednostupňového zesilovače Návrh a analýza jednostupňového zesilovače Zadání: U CC = 35 V I C = 10 ma R Z = 2 kω U IG = 2 mv R IG = 220 Ω Tolerance u napětí a proudů, kromě Id je ± 1 % ze zadaných hodnot. Frekvence oscilátoru u

Více

Identifikace vzdělávacího materiálu VY_52_INOVACE_F.9.A.10 EU OP VK

Identifikace vzdělávacího materiálu VY_52_INOVACE_F.9.A.10 EU OP VK Identifikace vzdělávacího materiálu VY_52_INOVACE_F.9.A.10 EU OP VK Škola, adresa Autor ZŠ Smetanova 1509, Přelouč Mgr. Ladislav Hejný Období tvorby VM Listopad 2011 Ročník 9. Předmět Fyzika Název, anotace

Více

PRAKTIKUM... Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Odevzdal dne: Seznam použité literatury 0 1. Celkem max.

PRAKTIKUM... Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Odevzdal dne: Seznam použité literatury 0 1. Celkem max. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM... Úloha č. Název: Pracoval: stud. skup. dne Odevzdal dne: Možný počet bodů Udělený počet bodů Práce při měření 0 5 Teoretická

Více

Měření vlastností jednostupňových zesilovačů. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS.

Měření vlastností jednostupňových zesilovačů. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS. Měření vlastností jednostupňových zesilovačů Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS. Cílem měření je seznámit se s funkcí a základními vlastnostmi jednostupňových zesilovačů a to jak

Více

- Stabilizátory se Zenerovou diodou - Integrované stabilizátory

- Stabilizátory se Zenerovou diodou - Integrované stabilizátory 1.2 Stabilizátory 1.2.1 Úkol: 1. Změřte VA charakteristiku Zenerovy diody 2. Změřte zatěžovací charakteristiku stabilizátoru se Zenerovou diodou 3. Změřte převodní charakteristiku stabilizátoru se Zenerovou

Více

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření parametrů logického obvodu, část 3-6-5

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření parametrů logického obvodu, část 3-6-5 MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů logického obvodu, část Číslo projektu: Název projektu: Šablona: III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Sada: 21 Číslo materiálu: VY_32_INOVACE_SPŠ-ELE-5-III2_E3_05

Více

1 Zadání. 2 Teoretický úvod. 4. Generátory obdélníkového signálu a MKO

1 Zadání. 2 Teoretický úvod. 4. Generátory obdélníkového signálu a MKO 1 4. Generátory obdélníkového signálu a MKO 1 Zadání 1. Sestavte generátor s derivačními články a hradly NAND s uvedenými hodnotami rezistorů a kapacitorů. Zobrazte časové průběhy v důležitých uzlech.

Více

Grafické řešení: obvod s fotodiodou

Grafické řešení: obvod s fotodiodou 1.11.2011 2E/95 Grafické řešení: obvod s fotodiodou Zadání: Graficky určete napětí zdroje ε a zatěžovací odpor R, potřebný k dosažení požadovaného efektu změnou osvětlení: a) získání velké proudové citlivosti

Více

Multimetr MS8233D R115A

Multimetr MS8233D R115A Multimetr MS8233D R115A Návod k použití 1 Obsah 1. Úvod. 2 2. Bezpečnostní pokyny... 3 3. Popis ovládacích prvků a indikátorů...5 3-1. Popis přístroje... 5 3-2. Popis tlačítek... 6 3-3. LCD displej. 7

Více

ČÍSLICOVÝ MULTIMETR AX-100

ČÍSLICOVÝ MULTIMETR AX-100 ČÍSLICOVÝ MULTIMETR AX-100 NÁVOD K OBSLUZE 1. Bezpečnostní pokyny 1. Nepřivádějte na vstup veličiny, jejichž hodnota během měření překračuje mezní hodnotu. 2. Při měření napětí většího než 36 V DCV nebo

Více

Měření základních vlastností logických IO TTL

Měření základních vlastností logických IO TTL Měření základních vlastností logických IO TTL 1. Zadání: A. Kombinační obvody: U jednoho hradla NAND TTL (IO 7400): a) Změřte převodní statickou charakteristiku U výst = f(u vst ) b) Změřte vstupní charakteristiku

Více

11. Polovodičové diody

11. Polovodičové diody 11. Polovodičové diody Polovodičové diody jsou součástky, které využívají fyzikálních vlastností přechodu PN nebo přechodu kov - polovodič (MS). Nelinearita VA charakteristiky, zjednodušeně chápaná jako

Více

Fyzikální praktikum 3 Operační zesilovač

Fyzikální praktikum 3 Operační zesilovač Ústav fyzikální elekotroniky Přírodovědecká fakulta, Masarykova univerzita, Brno Fyzikální praktikum 3 Úloha 7. Operační zesilovač Úvod Operační zesilovač je elektronický obvod hojně využívaný téměř ve

Více

Převodník MM 6012 AC DC

Převodník MM 6012 AC DC MM GROUP, s.r.o. Pikartská 7, areál VVUÚ, 76 00 Ostrava Radvanice, Česká republika Tel: +420 596 232 0 Fax: +420 596 232 23 GSM: +420 602 70 63 e-mail: mmgroup@mmgroup.cz www.mmgroup.cz Převodník MM 602

Více

Fotoelektrické snímače

Fotoelektrické snímače Fotoelektrické snímače Úloha je zaměřena na měření světelných charakteristik fotoelektrických prvků (součástek). Pro měření se využívají fotorezistor, fototranzistor a fotodioda. Zadání 1. Seznamte se

Více

(s výjimkou komparátoru v zapojení č. 5) se vyhněte saturaci výstupního napětí. Volte tedy

(s výjimkou komparátoru v zapojení č. 5) se vyhněte saturaci výstupního napětí. Volte tedy Operační zesilovač Úvod Operační zesilovač je elektronický obvod hojně využívaný téměř ve všech oblastech elektroniky. Jde o diferenciální zesilovač napětí s velkým ziskem. Jinak řečeno, operační zesilovač

Více

Optoelektronika. elektro-optické převodníky - LED, laserové diody, LCD. Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA)

Optoelektronika. elektro-optické převodníky - LED, laserové diody, LCD. Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA) Optoelektronika elektro-optické převodníky - LED, laserové diody, LCD Elektro-optické převodníky žárovka - nejzákladnější EO převodník nevhodné pro optiku široké spektrum vlnových délek vhodnost pro EO

Více

Elektronika pro informační technologie (IEL)

Elektronika pro informační technologie (IEL) Elektronika pro informační technologie (IEL) Páté laboratorní cvičení Brno University of Technology, Faculty of Information Technology Božetěchova 1/2, 612 66 Brno - Královo Pole Petr Veigend, iveigend@fit.vutbr.cz

Více