Fotodioda ve fotovodivostním a fotovoltaickém režimu OPTRON
|
|
- Tomáš Král
- před 7 lety
- Počet zobrazení:
Transkript
1 Cvičení 13 Fotodioda ve fotovodivostním a fotovoltaickém režimu OPTRON Přenosová charakteristika optronu Dynamické vlastnosti optronu Elektronické prvky A2B34ELP
2 cv.13/str.2
3 cv.13/str.3
4 Fotodioda fotovodivostní režim Fotodioda zapojena jako spotřebič zdroj napětí + R z Určete pracovní bod fotodiody v obvodu při U CC =5V, R Z =150kΩ a intenzitě osvětlení 2mW.cm -2 U AK +I A. R Z +U CC = 0 cv.13/str.4
5 Fotodioda fotovodivostní režim Fotodioda zapojena jako spotřebič zdroj napětí + R z Určete pracovní bod fotodiody v obvodu při U CC =5V, R Z =150kΩ a intenzitě osvětlení 2mW.cm -2 U AK +I A. R Z +U CC = 0 U AK = 5 I A U AK = U I A = 0 I A = U CC /R U AK =0 cv.13/str.5
6 Fotodioda fotovodivostní režim Fotodioda zapojena jako spotřebič zdroj napětí + R z Určete pracovní bod fotodiody v obvodu při U CC =5V, R Z =150kΩ a intenzitě osvětlení 2mW.cm -2 P 0 = [ 3 V ; 14 µa] P 0 cv.13/str.6
7 Fotodioda fotovoltaický režim Fotodioda zapojena jako zdroj + R z Určete pracovní bod fotodiody v obvodu při R Z =10kΩ a intenzitě osvětlení 5mW.cm -2 I A. R Z +U AK = 0 U AK = I A cv.13/str.7
8 Fotodioda fotovoltaický režim Fotodioda zapojena jako zdroj + R z Určete pracovní bod fotodiody v obvodu při R Z =10kΩ a intenzitě osvětlení 5mW.cm -2 P 0 = [ 0,24V ; 24 µa] P 0 cv.13/str.8
9 Fotodioda fotovoltaický režim Rozvaha volby optimálního R Z závislost na osvětlení (zjednodušeno) R Z = U AK / I A obecná závislost U AK U AK0 + k 1.E obecná závislost I A k 2.E k 1, k 2 jsou obecné konstanty cv.13/str.9
10 Fotodioda fotovoltaický režim Rozvaha volby optimálního R Z závislost na osvětlení (zjednodušeno) R Z = U AK / I A R Z (U AK0 + k 1.E) / k 2.E R Z U AK0 / k 2.E + k 1 /k 2 obecná závislost U AK U AK0 + k 1.E konstanta konstanta R Z k / E obecná závislost I A k 2.E k, k 1, k 2 jsou obecné konstanty cv.13/str.10
11 Fotodioda fotovoltaický režim Rozvaha volby optimálního R Z závislost na osvětlení (zjednodušeno) R Z k / E hyperbolická závislost na intenzitě osvětlení E ve skutečnosti dynamická zátěž řízená mikroprocesorem obecná závislost U AK U AK0 + k 1.E obecná závislost I A k 2.E k, k 1, k 2 jsou obecné konstanty cv.13/str.11
12 Fotovoltaický panel - příklad cv.13/str.12
13 I F [A] Fotovoltaický panel - příklad P [W] Příklad charakteristik a volba optimálního R Z pro různá osvětlení E=1000W/m 2 E=800W/m 2 E=600W/m 2 maximální výkon při daném osvětlení U F [V] cv.13/str.13
14 I F [A] Fotovoltaický panel - příklad P [W] Příklad charakteristik a volba optimálního R Z pro různá osvětlení E=1000W/m 2 E=800W/m 2 P 0 = [ 28V ; 7,4A], R Z = 3,8 [Ω] E=600W/m 2 P 0 = [ 27V ; 6,0A], R Z = 4,5 [Ω] P 0 = [ 26V ; 4,4A], R Z = 5,9 [Ω] maximální výkon při daném osvětlení odpovídající pracovní bod při daném osvětlení U F [V] cv.13/str.14
15 OPTRON Přenosová charakteristika optronu Dynamické vlastnosti optronu cv.13/str.15
16 cv.13/str.16
17 cv.13/str.17
18 cv.13/str.18
19 cv.13/str.19
20 Měřící přípravek s optronem cv.13/str.20
21 Měřící přípravek s optronem 4N25 cv.13/str.21
22 I C [ma] Přenosová charakteristika optronu I U A R CC C I C R B 5 4 I CMAX = (U CC - U CEsat ) /R C Proudový přenosový poměr Current Transfer Ratio CTR = I C / I A * 100 (%) I A [ma] cv.13/str.22
23 Přenosová charakteristika optronu Změřte závislost I C = f (I A ) při R D = 1kΩ a R C = 1kΩ Proud I C odečtěte jako úbytek napětí na odporu R C = 1kΩ ( I C = U rc / R C ) a) R B = b) R B = 100kΩ Ochrana před přepólováním napájení Stabilizace napětí U CC U 1 R D = 1kΩ R C = 1kΩ 7805 I A I C U Rc +5V U CC D V R B cv.13/str.23
24 Zapojení měření přenosové charakteristiky optronu U 1 R D = 1kΩ R C = 1kΩ U Rc +5V 7805 I A I C U CC D V R B U Rc +10V U 1 cv.13/str.24
25 Přenosová charakteristika optronu Výsledky zaznamenejte do formuláře Excel: cv.13/str.25
26 Optron jako spínač, definice spínacích časů R D I A R C I C U 1 U AK U CE U CC I A I C LED svítí I CMAX = (U CC - U CEsat ) /R C 50% LED nesvítí R B t 90% I CMAX t d - doba zpoždění t r - doba náběhu t s - doba přesahu U CE t d t r U CC Tranzistor sepnutý t s t f t Tranzistor vypnutý 10% I CMAX 90% U CC t f - doba poklesu (týlu) Terminologie odpovídá průběhu proudu I C t on t off 10% U CC t cv.13/str.26
27 Optron jako spínač, definice spínacích časů R D I A R C I C U 1 U AK U CE U CC I A LED svítí I CMAX = (U CC - U CEsat ) /R C 50% LED nesvítí R B t I C 90% I CMAX t d t r t d - doba zpoždění (delay time) t s t f 10% I CMAX Dáno konečnou rychlostí injekce a následné rekombinace nosičů v LED (vyzáření energie ve formě fotonu) a konečnou dobou průletu minoritních nosičů bází tranzistoru t cv.13/str.27
28 Optron jako spínač, definice spínacích časů R D I A R C I C U 1 U AK U CE U CC I A LED svítí I CMAX = (U CC - U CEsat ) /R C 50% LED nesvítí R B t I C 90% I CMAX t d t r t r - doba náběhu (rise time) t s t f 10% I CMAX Nárůst kolektorového proudu z 10% na 90% maximální hodnoty Přechod tranzistoru z aktivního režimu do saturace t cv.13/str.28
29 Optron jako spínač, definice spínacích časů R D I A R C I C U 1 U AK U CE U CC I A LED svítí I CMAX = (U CC - U CEsat ) /R C 50% LED nesvítí R B t I C 90% I CMAX t d t r t s - doba přesahu (storage time) t s t f 10% I CMAX Saturační zpoždění Odsávání minoritních nosičů z báze do kolektoru, rekombinace minoritních nosičů v bázi t cv.13/str.29
30 Optron jako spínač, definice spínacích časů R D I A R C I C U 1 U AK U CE U CC I A LED svítí I CMAX = (U CC - U CEsat ) /R C 50% LED nesvítí R B t I C 90% I CMAX t d t r t f - doba poklesu (týlu) (fall time) t s t f 10% I CMAX Pokles kolektorového proudu z 90% na 10% maximální hodnoty Pokračující odsávání a rekombinace minoritních nosičů v bázi t cv.13/str.30
31 Zjednodušené zapojení přípravku ve spínacím režimu R D R C +5V I A 7805 D V U 1 D 3 U AK U CE U CC U 1 0 U CE U 1 = +10 V U CC = +5 V 50% U 1 = -10 V R B t Ochrana před přepólováním napájení Stabilizace napětí U CC 90% U CC t d - doba zpoždění t r - doba náběhu t s - doba přesahu t f - doba poklesu (týlu) 0 t d t r t s t f 10% U CC t Terminologie odpovídá průběhu proudu I C cv.13/str.31
32 20 Vpp Ochrana LED optronu před záporným napětím U 1 R D Průběh napětí U AK na přípravku R C +5V I A 7805 D V U 1 D 3 U AK U CE U CC U 1 0 U 1 = +10 V 50% U 1 = -10 V R B t U AK U AK = +1,4 V Propustný úbytek LED optronu 0 t U AK = -0,7 V Propustný úbytek ochranné diody D 3 cv.13/str.32
33 R D Zapojení měření ve spínacím režimu R C +5V I A 7805 D V U 1 D 3 U AK U CE U CC Square 20 Vpp, 10kHz/3kHz/600Hz (dle hodnoty R C ) R B +10V U 1 U AK U CE cv.13/str.33
34 Očekávané průběhy ve spínacím režimu R D R C +5V I A 7805 D V U 1 D 3 U AK Square 20 Vpp, 10kHz/3kHz/600Hz (dle hodnoty R C ) R B U CE U CC U AK 0 U AK = +1,4 V 50% U AK = -0,7 V Propustný úbytek LED optronu t Propustný úbytek ochranné diody D 3 U CE U CC = +5 V 90% U CC 0 t d t r t s t f 10% U CC t cv.13/str.34
35 Měření spínacích časů 1 U AK Změřte závislosti t d a t r na velikostech odporů R D a R B *) Terminologie odpovídá průběhu proudu I C doba zpoždění a doba náběhu *) t d =f(r D,R B ) a t r =f(r D,R B ) při R C = 1kΩ pro R D = 100, 470, 1kΩ a R B =, 100kΩ 0 U CE U CC = +5 V 50% t 90% U CC U 1 obdélník, +/- 10V (20Vpp), 10kHz pro všechny hodnoty R D a R B R D R C +5V I A t d t r D 1 10% U CC t +10 V U 1 D 3 U AK U CE U CC Square, 20 Vpp, 10kHz R B cv.13/str.35
36 Měření vypínacích časů 1 U AK Změřte závislosti t s a t f doba přesahu a doba poklesu *) na velikostech odporů R D a R B 0 50% t *) Terminologie odpovídá průběhu proudu I C t s =f(r D,R B ) a t f =f(r D,R B ) při R C = 1kΩ pro R D = 100, 470, 1kΩ a R B =, 100kΩ U 1 obdélník, +/- 10V (20Vpp), 10kHz pro všechny hodnoty R D a R B R D U CE R C 0 +5V I A 7805 t s U CC = +5 V t f D 1 90% U CC 10% U CC t +10 V U 1 D 3 U AK U CE U CC Square, 20 Vpp, 10kHz R B cv.13/str.36
37 Měření vypínacích časů 2 U AK Změřte závislosti t s a t f na velikostech odporů R C a R B *) Terminologie odpovídá průběhu proudu I C t s =f(r C,R B ) a t f =f(r C,R B ) při R D = 100Ω pro R C = 100, 1k, 10k, 100kΩ a R B =, 100kΩ Pozn.: při malém R C nemusí být optron vybuzen do saturace U 1 obdélník, +/- 10V (20Vpp), 10kHz pro R C = 1kΩ, 3kHz pro R C = 10kΩ, 600Hz pro R C = 100kΩ R D doba přesahu a doba poklesu *) R C +5V I A U CE 0 t s 50% U CC = +5 V t f D 1 t 90% U CC 10% U CC t +10 V U 1 D 3 U AK Square 20 Vpp, 10kHz/3kHz/600Hz (dle hodnoty R C ) R B U CE U CC cv.13/str.37
38 Optron dynamické vlastnosti Výsledky zaznamenejte a vyhodnoťte ve formuláři Excel: cv.13/str.38
39 Měření spotřeby optronu ve spínacím režimu Změřte závislost spotřeby přípravku I 2 na velikostech odporů R C a R B I 2 =f(r C,R B ) při R D = 100Ω pro R C = 100, 1k, 10k, 100kΩ a R B =, 100kΩ U 1 obdélník, +/- 10V (20Vpp), 1kHz Výsledky zaznamenejte do formuláře Excel Zdůvodněte nižší spotřebu při R B = 100 kω U 1 R D R C +5V 7805 D 1 I 2 U V D 3 Square, 20 Vpp, 1kHz R B cv.13/str.39
40 Hledání optimálních hodnot odporů rezistorů Nalezněte optimální hodnoty odporů rezistorů R D, R C a R B pro přenos obdélníkového signálu např. 20kHz Hodnoty odporů volte nejen z hlediska kvality přenášeného signálu (dob sepnutí a vypnutí), ale i minimální spotřeby I 2 a minimální zátěže vstupního signálu U 1 Výsledky zaznamenejte do formuláře Excel U 1 R D R C +5V 7805 D 1 I 2 U V D 3 Square, 20 Vpp, 20kHz R B cv.13/str.40
41 Optoelektronické součástky - zdroje a detektory
42 Optoelektronické součástky - zdroje a detektory Měření vlastností vazby zdroj - detektor (LED - fotodioda nebo fotoodpor) v závislosti na jejich spektrálních charakteristikách +10V
43 Optoelektronické součástky - zdroje a detektory D1 Použité fotodiody spektrální charakteristiky D2
44 Optoelektronické součástky - zdroje a detektory D3 Použité fotodiody spektrální charakteristiky D4 Light dependent resistor
45 Optoelektronické součástky - zdroje a detektory
46 Optoelektronické součástky - zdroje a detektory LED Materiál Barva světla/záření Vlnová délka [nm] Úbytek F =20mA [V] SiC, GaN Modrá 450 3,6 GaP Zelená 565 2,2 GaAs 0,15 P 0,85 :N Žlutá 585 2,1 GaAs 0,35 P 0,65 :N, GaAs 0,6 P 0,4, GaP:Zn- O SiC/GaN + luminofor na povrchu čipu Červená 635 2,0 Bílá K * GaAs:Si Infračervené záření 820 / 900 / 950 1,5 3,6
Laboratorní cvičení č.15. Název: Měření na optoelektronických prvcích. Zadání: Popis měřeného předmětu: Teoretický rozbor:
Laboratorní cvičení č.15 Název: Měření na optoelektronických prvcích Zadání: Změřte voltampérovou charakteristiku fototranzistoru, fotodiody (fotovodivostní a fotovoltaický režim) a fotorezistoru pro pět
VíceOptoelektronika. Zdroje. Detektory. Systémy
Optoelektronika Zdroje Detektory Systémy Optoelektronika Optoelektronické součástky využívají interakce záření a elektricky nabitých částic v polovodičích. 1839 E. Becquerel - Fotovoltaický jev 1873 W.
VíceBipolární tranzistory
Bipolární tranzistory h-parametry, základní zapojení, vysokofrekvenční vlastnosti, šumy, tranzistorový zesilovač, tranzistorový spínač Bipolární tranzistory (bipolar transistor) tranzistor trojpól, zapojení
VíceELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY
ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY VZORY OTÁZEK A PŘÍKLADŮ K TUTORIÁLU 1 1. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Proč je používáme. 2. Co jsou polovodiče vlastní. 3. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Jakým způsobem
Více+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2
Pro zadané hodnoty napájecího napětí, odporů a zesilovacího činitele β vypočtěte proudy,, a napětí,, (předpokládejte, že tranzistor je křemíkový a jeho pracovní bod je nastaven do aktivního normálního
VíceJméno a příjmení. Ročník. Měřeno dne. 11.3.2013 Příprava Opravy Učitel Hodnocení. Charakteristiky optoelektronických součástek
FYZIKÁLNÍ PRAKTIKUM Ústav fyziky FEKT VUT BRNO Jméno a příjmení Petr Švaňa Ročník 1 Předmět IFY Kroužek 38 ID 155793 Spolupracoval Měřeno dne Odevzdáno dne Ladislav Šulák 25.2.2013 11.3.2013 Příprava Opravy
VíceCharakteristiky optoelektronických součástek
FYZIKÁLNÍ PRAKTIKUM Ústav fyziky FEKT VUT BRNO Spolupracoval Jan Floryček Jméno a příjmení Jakub Dvořák Ročník 1 Měřeno dne Předn.sk.-Obor BIA 27.2.2007 Stud.skup. 13 Odevzdáno dne Příprava Opravy Učitel
VíceETC Embedded Technology Club setkání 5, 3B zahájení třetího ročníku
ETC Embedded Technology Club setkání 5, 3B 6.11. 2018 zahájení třetího ročníku Katedra měření, Katedra telekomunikací,, ČVUT- FEL, Praha doc. Ing. Jan Fischer, CSc. ETC club,5, 3B 30.10.2018, ČVUT- FEL,
VíceMĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření optoelektronického vazebního členu, část 3-11-1
MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření optoelektronického vazebního členu, část 3-11-1 Výukový materiál Číslo projektu: CZ.1.07/1.5.00/34.0093 Šablona: III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím
Více2-LC: Měření elektrických vlastností výkonových spínačů (I)
2-LC: Měření elektrických vlastností výkonových spínačů (I) Cíl měření: Ověření a porovnání vlastností výkonových spínačů: BJT, MOSFET a tyristoru. Zkratování řídících vstupů Obr. 1 Přípravek pro měření
VíceFEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4
Využití vlastností polovodičových přechodů Oblast prostorového náboje elektrické pole na přechodu Propustný směr difůze majoritních nosičů Závěrný směr extrakce minoritních nosičů Rekombinace na přechodu
VíceBipolární tranzistor. Bipolární tranzistor - struktura. Princip práce tranzistoru. Princip práce tranzistoru. Zapojení SC.
ipolární tranzistor Tranzistor (angl. transistor) transfer resistor bipolární na přenosu proudu se podílejí jak elektrony, tak díry je tvořen dvěma přechody na jednom základním monoktystalu Emitorový přechod
Více1.3 Bipolární tranzistor
1.3 Bipolární tranzistor 1.3.1 Úkol: 1. Změřte vstupní charakteristiku bipolárního tranzistoru 2. Změřte převodovou charakteristiku bipolárního tranzistoru 3. Změřte výstupní charakteristiku bipolárního
VíceAbstrakt. fotodioda a fototranzistor) a s jejich základními charakteristikami.
Název a číslo úlohy: 9 Detekce optického záření Datum měření: 4. května 2 Měření provedli: Vojtěch Horný, Jaroslav Zeman Vypracovali: Vojtěch Horný a Jaroslav Zeman společnými silami Datum: 4. května 2
VíceMĚŘENÍ JALOVÉHO VÝKONU
MĚŘENÍ JALOVÉHO VÝKONU &1. Které elektrické stroje jsou spotřebiči jalového výkonu a na co ho potřebují? &2. Nakreslete fázorový diagram RL zátěže připojené na zdroj střídavého napětí. &2.1 Z fázorového
VíceTranzistory. tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor. Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET
Tranzistory tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET Shockey, Brattain a Bardeen 16.12. 1947 Shockey 1952 Bipolární tranzistor
VíceUniverzita Tomáše Bati ve Zlíně
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Optoelektronika Přednáška č. 8 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Optoelektronika 1 Optoelektronika zabývá se přeměnou elektrické
VíceCvičení 12. Příklad výkonové aplikace. Výkonový MOSFET spínání induktivní zátěže: Měření,
Cvičení 12 Příklad výkonové aplikace Výkonový MOSFET spínání induktivní zátěže: Měření, Simulace uacev PSpice Elektronické prvky A2B34ELP Prosté zapínání a vypínání Příklad výkonové aplikace M +PWR I zapnuto
VíceETC Embedded Technology Club 10. setkání
ETC Embedded Technology Club 10. setkání 21.2. 2017 Katedra telekomunikací, Katedra měření, ČVUT- FEL, Praha doc. Ing. Jan Fischer, CSc. ETC club -10, 21.2.2017, ČVUT- FEL, Praha 1 Náplň Výklad: Fototranzistor,
Více1.Zadání 2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU 3.TEORETICKÝ ROZBOR
RIEDL 4.EB 11 1/8 1.Zadání a) Změřte převodní charakteristiku optočlenu WK16321 U 2 =f(i f ) b) Ověřte přesnost obdélníkových impulzů o kmitočtu 100Hz a 10kHz při proudu vysílače 0,3I fmax a 0,9I fmax
VíceETC Embedded Technology Club setkání 4, 3B zahájení třetího ročníku
ETC Embedded Technology Club setkání 4, 3B 30.10. 2018 zahájení třetího ročníku Katedra měření, Katedra telekomunikací,, ČVUT- FEL, Praha doc. Ing. Jan Fischer, CSc. ETC club, 4, 3B 30.10.2018, ČVUT- FEL,
Více2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω.
A5M34ELE - testy 1. Vypočtěte velikost odporu rezistoru R 1 z obrázku. U 1 =15 V, U 2 =8 V, U 3 =10 V, R 2 =200Ω a R 3 =1kΩ. 2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty
Více1.1 Pokyny pro měření
Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1 Bipolární tranzistor jako zesilovač Úkol: Proměřte amplitudové kmitočtové charakteristiky bipolárního tranzistoru 1. v zapojení se společným emitorem (SE)
VíceKurs praktické elektroniky a kutění
Kurs praktické elektroniky a kutění Katedra měření, ČVUT FEL, Praha 12.9. 16.9.2016 19.9. 23.9.2016 Doc. Ing. Jan Holub, PhD. Vedoucí katedry měření Doc. Ing. Jan Fischer, CSc. prezentující Tento materiál
VíceElektrická měření pro I. ročník (Laboratorní cvičení)
Střední škola informatiky a spojů, Brno, Čichnova 23 Elektrická měření pro I. ročník (Laboratorní cvičení) Studentská verze Zpracoval: Ing. Jiří Dlapal B R N O 2011 Úvod Výuka předmětu Elektrická měření
VíceA8B32IES Úvod do elektronických systémů
A8B3IES Úvod do elektronických systémů..04 Ukázka činnosti elektronického systému DC/DC měniče a optické komunikační cesty Aplikace tranzistoru MOSFET jako spínače Princip DC/DC měniče zvyšujícího napětí
VíceŘídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek
Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Hlavní požadavky na ideální budič Galvanické
VícePolovodičové senzory. Polovodičové materiály Teplotní závislost polovodiče Piezoodporový jev Fotonové jevy Radiační jevy Magnetoelektrické jevy
Polovodičové senzory Polovodičové materiály Teplotní závislost polovodiče Piezoodporový jev Fotonové jevy Radiační jevy Magnetoelektrické jevy Polovodičové materiály elementární polovodiče Elementární
Víceλ hc Optoelektronické součástky Fotorezistor, Laserová dioda
Optoelektronické součástky Fotorezistor, Laserová dioda Úvod Optoelektronické součástky jsou založeny na interakci optického záření s elektricky nabitými částicemi v polovodičích. Vztah mezi energií fotonů
VíceKlasifikace: bodů výborně bodů velmi dobře bodů dobře 0-49 bodů nevyhověl. Příklad testu je na následující straně.
Elektronika - pravidla Zkouška: Délka trvání testu: 12 minut Doporučené pomůcky: propisovací tužka, obyčejná tužka, čistý papír, guma, pravítko, kalkulačka se zanedbatelně malou pamětí Zakázané pomůcky:
VíceELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY
TEMATICKÉ OKRUHY ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 1. Základní pojmy fyziky polovodičů. Pásová struktura její souvislost s elektronovým obalem atomu, vliv na elektrickou vodivost materiálů. Polovodiče vlastní a nevlastní.
VíceNalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R = 100 kω, φ = 5mW/cm 2.
Nalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R 00 kω, φ 5mW/cm 2. Fotovoltaický režim: fotodioda pracuje jako zdroj (s paralelně zapojeným odporem-zátěží). Obvod je popsán
VícePraktikum III - Optika
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky M UK Praktikum III - Optika Úloha č. 5 Název: Charakteristiky optoelektronických součástek Pracoval: Matyáš Řehák stud.sk.: 13 dne: 2. 3. 28
VíceUnipolární tranzistor aplikace
Unipolární tranzistor aplikace Návod k praktickému cvičení z předmětu A4B34EM 1 Cíl měření Účelem tohoto měření je seznámení se s funkcí a aplikacemi unipolárních tranzistorů. Během tohoto měření si prakticky
VíceElektronické praktikum EPR1
Elektronické praktikum EPR1 Úloha číslo 2 název Vlastnosti polovodičových prvků Vypracoval Pavel Pokorný PINF Datum měření 11. 11. 2008 vypracování protokolu 23. 11. 2008 Zadání 1. Seznamte se s funkcí
VíceTRANZISTOROVÝ ZESILOVAČ
RANZISOROÝ ZESILOAČ 301-4R Hodnotu napájecího napětí určí vyučující ( CC 12). 1. Pro zadanou hodnotu I C 2 ma vypočtěte potřebnou hodnotu R C a zvolte nejbližší hodnotu rezistoru z řady. 2. Zvolte hodnotu
Více2.3 Elektrický proud v polovodičích
2.3 Elektrický proud v polovodičích ( 6 10 8 10 ) Ωm látky rozdělujeme na vodiče polovodiče izolanty ρ ρ ( 10 4 10 8 ) Ωm odpor s rostoucí teplotou roste odpor nezávisí na osvětlení nebo ozáření odpor
VíceMěření vlastností lineárních stabilizátorů. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS.
Měření vlastností lineárních stabilizátorů Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS. Cílem měření je seznámit se s funkcí a základními vlastnostmi jednoduchých lineárních stabilizátorů
VíceETC Embedded Technology Club setkání 6, 3B zahájení třetího ročníku
ETC Embedded Technology Club setkání 6, 3B 13.11. 2018 zahájení třetího ročníku Katedra měření, Katedra telekomunikací,, ČVUT- FEL, Praha doc. Ing. Jan Fischer, CSc. ETC club,6, 3B 13.11.2018, ČVUT- FEL,
VíceCharakteristiky tranzistoru MOSFET
Cvičení 7 Charakteristiky tranzistoru MOFET Výstupní V-A charakteristiky tranzistoru MOFET Úplný model tranzistoru MOFET (Ppice-Level 1) a jeho parametry tanovení stejnosměrného pracovního bodu tranzistoru
VíceSEMESTRÁLNÍ PRÁCE Z PŘEDMĚTU NÁVRH A ANALÝZA ELEKTRONICKÝCH OBVODŮ
Univerzita Pardubice FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A INFORMATIKY SEMESTRÁLNÍ PRÁCE Z PŘEDMĚTU NÁVRH A ANALÝZA ELEKTRONICKÝCH OBVODŮ Vypracoval: Ondřej Karas Ročník:. Skupina: STŘEDA 8:00 Zadání: Dopočítejte
Více1. Navrhněte a prakticky realizujte pomocí odporových a kapacitních dekáda derivační obvod se zadanou časovou konstantu: τ 2 = 320µs
1 Zadání 1. Navrhněte a prakticky realizujte pomocí odporových a kapacitních dekáda integrační obvod se zadanou časovou konstantu: τ 1 = 62µs derivační obvod se zadanou časovou konstantu: τ 2 = 320µs Možnosti
VíceMĚŘENÍ PLANCKOVY KONSTANTY
Úloha č. 14a MĚŘENÍ PLANCKOVY KONSTANTY ÚKOL MĚŘENÍ: 1. Změřte napětí U min, při kterém se právě rozsvítí červená, žlutá, zelená a modrá LED. Napětí na LED regulujte potenciometrem. 2. Nakreslete graf
VíceELN 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY 1/14 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY
ELN 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY 1/14 2. Analogové spínače s tranzistory 2.1 Spínací vlastnosti tranzistorů bipolárních a unipolárních 2.2 Příklady použití spínačů 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY
VíceProjekt Pospolu. Polovodičové součástky diody. Pro obor M/01 Informační technologie
Projekt Pospolu Polovodičové součástky diody Pro obor 18-22-M/01 Informační technologie Autorem materiálu a všech jeho částí je Ing. Petr Voborník, Ph.D. Polovodičová součástka je elektronická součástka
VíceÚloha 5: Charakteristiky optoelektronických součástek
Petra Suková, 2.ročník, F-14 1 Úloha 5: Charakteristiky optoelektronických součástek 1 Zadání 1. Změřte voltampérové a světelné charakteristiky připravených luminiscenčních diod v propustném směru a určete,
VíceKód VM: VY_32_INOVACE_5 PAV04 Projekt: Zlepšení výuky na ZŠ Schulzovy sady registrační číslo: CZ.1.07./1.4.00/21.2581
Kód VM: VY_32_INOVACE_5 PAV04 Projekt: Zlepšení výuky na ZŠ Schulzovy sady registrační číslo: CZ.1.07./1.4.00/21.2581 Autor: Mgr. Petr Pavelka Datum: 15. 10. 2012 Ročník: 9. Vzdělávací oblast: Člověka
Více4. Vysvětlete mechanismus fotovodivosti. Jak závisí fotovodivost na dopadajícím světelném záření?
Dioda VA 1. Dvě křemíkové diody se liší pouze plochou PN přechodu. Dioda D1 má plochu přechodu dvakrát větší, než dioda D2. V jakém poměru budou jejich diferenciální odpory, jestliže na obou diodách bude
VíceGFK-2004-CZ Listopad Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Skladovací teplota -25 C až +85 C.
Modul slouží pro výstup digitálních signálů 24 Vss. Specifikace modulu Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení 48,8 mm x 120 mm x 71,5 mm dvou-, tří- a čtyřdrátové Provozní teplota -25 C až
Více28 Charakteristiky optoelektronických součástek
28 Charakteristiky optoelektronických součástek ÚKOL Změřte voltampérovou, luxampérovou a směrovou vyzařovací charakteristiku luminiscenční diody, přenosovou charakteristiku optronu. Z grafu V-A charakteristiky
VíceLaboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody
Přírodní vědy moderně a interaktivně FYZIKA 2. ročník šestiletého studia Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody G Gymnázium Hranice Přírodní vědy moderně a interaktivně
VíceFEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů
Unipolární tranzistory Řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem: FET [Field - Effect Transistor] Proud přenášen jedním typem nosičů náboje (unipolární): - majoritní nosiče v inverzním kanálu - neuplatňuje
VíceII. Nakreslete zapojení a popište funkci a význam součástí následujícího obvodu: Integrátor s OZ
Datum: 1 v jakém zapojení pracuje tranzistor proč jsou v obvodu a jak se projeví v jeho činnosti kondenzátory zakreslené v obrázku jakou hodnotu má odhadem parametr g m v uvedeném pracovním bodu jakou
VíceMěření Planckovy konstanty
Měření Planckovy konstanty Online: http://www.sclpx.eu/lab3r.php?exp=2 Pro stanovení přibližné hodnoty Planckovy konstanty jsme vyšli myšlenkově z experimentu s LED diodami, viz např. [8], [81], nicméně
VíceA8B32IES Úvod do elektronických systémů
A8B32IES Úvod do elektronických systémů 29.10.2014 Polovodičová dioda charakteristiky, parametry, aplikace Elektronické prvky a jejich reprezentace Ideální dioda Reálná dioda a její charakteristiky Porovnání
VíceV4LM4S V AC/DC
VEO relé se zvýšenou odolností Multifunkční hlídací relé výšky hladiny a řízení čerpadel 10 funkcí, 4 sondy, 2 okruhy, 3 P pro digitální výstup 24-240 V AC/DC Popis Seznam funkcí Napájení Multifunkční
VícePopis obvodu U2403B. Funkce integrovaného obvodu U2403B
ASICentrum s.r.o. Novodvorská 994, 142 21 Praha 4 Tel. (02) 4404 3478, Fax: (02) 472 2164, E-mail: info@asicentrum.cz ========== ========= ======== ======= ====== ===== ==== === == = Popis obvodu U2403B
VíceStudium klopných obvodů
Studium klopných obvodů Úkol : 1. Sestavte podle schématu 1 astabilní klopný obvod a ověřte jeho funkce.. Sestavte podle schématu monostabilní klopný obvod a buďte generátorem a sledujte výstupní napětí.
VíceMultimetr byl navržen za účelem měření AC/DC napětí, AC/DC proudu, odporu, kapacity, pracovního cyklu, teploty a testování diod.
dodavatel vybavení provozoven firem www.abetec.cz Multimetr CMM-10 Obj. číslo: 106001359 Výrobce: SONEL S. A. Popis Multimetr byl navržen za účelem měření AC/DC napětí, AC/DC proudu, odporu, kapacity,
VíceInovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/34.0452
Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/34.0452 Číslo projektu Číslo materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0452 OV_2_31_Triakový regulátor Název školy
VíceZadání semestrálních prácí z předmětu Elektronické obvody. Jednodušší zadání
Zadání semestrálních prácí z předmětu Elektronické obvody Jiří Hospodka katedra Teorie obvodů, ČVUT FEL 26. května 2008 Jednodušší zadání Zadání 1: Jednostupňový sledovač napětí maximální počet bodů 10
VíceGFK-2005-CZ Prosinec Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Provozní teplota -25 C až +55 C. Skladovací teplota -25 C až +85 C
Výstup 24 Vss, negativní logika, 0,5 A, 2 body Modul slouží pro výstup digitálních signálů 24 Vss. Specifikace modulu Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení 12,2 mm x 120 mm x 71,5 mm dvou-,
VíceVLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU
VLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU Úvod: Čas ke studiu: Polovodičové součástky pro výkonovou elektroniku využívají stejné principy jako běžně používané polovodičové součástky
Více4.10 Ovládač klávesnice 07 TC 91 Ovládání 32 přepínačů/kláves a 32 LED
.0 Ovládač klávesnice Ovládání 3 přepínačů/kláves a 3 LED 3 Obr..0-: Ovládač klávesnice 5 Obsah Účel použití...0- Zobrazení a komponenty na desce tištěných spojů...0- Elektrické zapojení...0- Přiřazení
VíceFakulta biomedic ınsk eho inˇzen yrstv ı Teoretick a elektrotechnika Prof. Ing. Jan Uhl ıˇr, CSc. L eto 2017
Fakulta biomedicínského inženýrství Teoretická elektrotechnika Prof. Ing. Jan Uhlíř, CSc. Léto 2017 8. Nelineární obvody nesetrvačné dvojpóly 1 Obvodové veličiny nelineárního dvojpólu 3. 0 i 1 i 1 1.5
VíceNázev projektu: EU peníze školám. Základní škola, Hradec Králové, M. Horákové 258
Název projektu: EU peníze školám Registrační číslo projektu: CZ.1.07/1.4.00/21.2575 Základní škola, Hradec Králové, M. Horákové 258 Téma: Elektronika Název: VY_32_INOVACE_10_02B_30.Výroba jednoduchého
VíceElektronické součástky - laboratorní cvičení 1
Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1 Charakteristiky tyristoru Úkol: 1. Změřte vstupní charakteristiku tyristoru I G = f (U GK ) 2. Změřte spínací charakteristiku U B0 = f (I G ) 1.1 Pokyny pro
VíceLaboratorní zdroj - 3. část
Laboratorní zdroj - 3. část Publikované: 20.03.2016, Kategória: Silové časti www.svetelektro.com Měření statických a dynamických vlastností zdroje. Vývoj zdroje dospěl do fáze, kdy se mi podařilo odladit
VíceKategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-485 se používá pro:
Krajské kolo soutěže dětí a mládeže v radioelektronice, Vyškov 2009 Test Kategorie M START. ČÍSLO BODŮ/OPRAVIL U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-485 se používá pro:
VíceÚloha č.9 - Detekce optického záření
Úloha č.9 Detekce optického záření 1 Teoretický úvod Detektory optického záření, tzv. fotodetektory, jsou nezbytnou pomůckou při práci s elektromagnetickým zářením. Společný princip většiny detektorů pro
Více1 Elektrotechnika 1. 14:00 hod. R 1 = R 2 = 5 Ω R 3 = 10 Ω U = 10 V I z = 1 A R R R U 1 = =
B 4:00 hod. Elektrotechnika Pomocí věty o náhradním zdroji vypočtěte hodnotu rezistoru tak, aby do něho byl ze zdroje dodáván maximální výkon. Vypočítejte pro tento případ napětí, proud a výkon rezistoru.
VíceIGBT Insulated Gate Bipolar Transistor speciální polovodičová struktura IGBT se používá jako spínací tranzistor nejdůležitější součástka výkonové
IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor speciální polovodičová struktura IGBT se používá jako spínací tranzistor nejdůležitější součástka výkonové elektroniky chová se jako bipolární tranzistor řízený unipolárním
VíceSoučástky s více PN přechody
Součástky s více PN přechody spínací polovodičové součástky tyristor, diak, triak Součástky s více PN přechody první realizace - 1952 třívrstvé tranzistor diak čtyřvrstvé tyristor pětivrstvé triak diak
VíceGFK-1904-CZ Duben Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Skladovací teplota -25 C až +85 C. Provozní vlhkost. Skladovací vlhkost
Modul slouží pro výstup digitálních signálů 24 Vss. Specifikace modulu Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení 12,2 mm x 120 mm x 71,5 mm dvou- a třídrátové Provozní teplota -25 C až +55 C
VíceOtázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna
Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Tato otázka přepokládá znalost otázky č. - polovodiče. Doporučuji ujasnit
VícePokud není uvedeno jinak, uvedený materiál je z vlastních zdrojů autora
Číslo projektu Číslo materiálu Název školy Autor Název Téma hodiny ředmět očník /y/..07/.5.00/34.0394 VY_3_NOVA_M_.9_měření statických parametrů zesilovače Střední odborná škola a Střední odborné učiliště,
Více1 Elektrotechnika 1. 11:00 hod. = + Δ= = 8
:00 hod. Elektrotechnika a) Metodou syčkových proudů (MSP) vypočtěte proudy všech větví uvedeného obvodu. R = Ω, R = Ω, R 3 = Ω, U = 5 V, U = 3 V. b) Uveďte obecný vztah pro výpočet počtu nezávislých syček
Víceprodej opravy výkup transformátorů
prodej opravy výkup transformátorů Pozistorová tepelná ochrana s vyhodnocovacím relé MSF 220 V (VU) Tepelné pozistorové relé MSF 220 představuje třístupňový vypínací přístroj s vlastním vyhodnocením a
VíceZákladní pojmy z oboru výkonová elektronika
Základní pojmy z oboru výkonová elektronika prezentace k přednášce 2013 Projekt ESF CZ.1.07/2.2.00/28.0050 Modernizace didaktických metod a inovace výuky technických předmětů. výkonová elektronika obor,
VíceInovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/
Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/34.0452 Číslo projektu Číslo materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0452 OV_2_19_Prozváněčka Název školy Střední
VíceVÝVOJOVÁ DESKA PRO JEDNOČIPOVÝ MIKROPOČÍTAČ PIC 16F88 A. ZADÁNÍ FUNKCE A ELEKTRICKÉ PARAMETRY: vstupní napětí: U IN AC = 12 V (např.
VÝVOJOVÁ DESKA PRO JEDNOČIPOVÝ MIKROPOČÍTAČ PIC 16F88 A. ZADÁNÍ FUNKCE A ELEKTRICKÉ PARAMETRY: vstupní napětí: U IN AC = 12 V (např. z transformátoru TRHEI422-1X12) ovládání: TL1- reset, vývod MCLR TL2,
VíceELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky... 7-1 7.2 První a druhý průraz bipolárního
Bohumil BRTNÍK, David MATOUŠEK ELEKTRONICKÉ PRVKY Praha 2011 Tato monografie byla vypracována a publikována s podporou Rozvojového projektu VŠPJ na rok 2011. Bohumil Brtník, David Matoušek Elektronické
VíceNávrh a analýza jednostupňového zesilovače
Návrh a analýza jednostupňového zesilovače Zadání: U CC = 35 V I C = 10 ma R Z = 2 kω U IG = 2 mv R IG = 220 Ω Tolerance u napětí a proudů, kromě Id je ± 1 % ze zadaných hodnot. Frekvence oscilátoru u
VíceIdentifikace vzdělávacího materiálu VY_52_INOVACE_F.9.A.10 EU OP VK
Identifikace vzdělávacího materiálu VY_52_INOVACE_F.9.A.10 EU OP VK Škola, adresa Autor ZŠ Smetanova 1509, Přelouč Mgr. Ladislav Hejný Období tvorby VM Listopad 2011 Ročník 9. Předmět Fyzika Název, anotace
VícePRAKTIKUM... Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Odevzdal dne: Seznam použité literatury 0 1. Celkem max.
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM... Úloha č. Název: Pracoval: stud. skup. dne Odevzdal dne: Možný počet bodů Udělený počet bodů Práce při měření 0 5 Teoretická
VíceMěření vlastností jednostupňových zesilovačů. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS.
Měření vlastností jednostupňových zesilovačů Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS. Cílem měření je seznámit se s funkcí a základními vlastnostmi jednostupňových zesilovačů a to jak
Více- Stabilizátory se Zenerovou diodou - Integrované stabilizátory
1.2 Stabilizátory 1.2.1 Úkol: 1. Změřte VA charakteristiku Zenerovy diody 2. Změřte zatěžovací charakteristiku stabilizátoru se Zenerovou diodou 3. Změřte převodní charakteristiku stabilizátoru se Zenerovou
VíceMĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření parametrů logického obvodu, část 3-6-5
MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů logického obvodu, část Číslo projektu: Název projektu: Šablona: III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Sada: 21 Číslo materiálu: VY_32_INOVACE_SPŠ-ELE-5-III2_E3_05
Více1 Zadání. 2 Teoretický úvod. 4. Generátory obdélníkového signálu a MKO
1 4. Generátory obdélníkového signálu a MKO 1 Zadání 1. Sestavte generátor s derivačními články a hradly NAND s uvedenými hodnotami rezistorů a kapacitorů. Zobrazte časové průběhy v důležitých uzlech.
VíceGrafické řešení: obvod s fotodiodou
1.11.2011 2E/95 Grafické řešení: obvod s fotodiodou Zadání: Graficky určete napětí zdroje ε a zatěžovací odpor R, potřebný k dosažení požadovaného efektu změnou osvětlení: a) získání velké proudové citlivosti
VíceMultimetr MS8233D R115A
Multimetr MS8233D R115A Návod k použití 1 Obsah 1. Úvod. 2 2. Bezpečnostní pokyny... 3 3. Popis ovládacích prvků a indikátorů...5 3-1. Popis přístroje... 5 3-2. Popis tlačítek... 6 3-3. LCD displej. 7
VíceČÍSLICOVÝ MULTIMETR AX-100
ČÍSLICOVÝ MULTIMETR AX-100 NÁVOD K OBSLUZE 1. Bezpečnostní pokyny 1. Nepřivádějte na vstup veličiny, jejichž hodnota během měření překračuje mezní hodnotu. 2. Při měření napětí většího než 36 V DCV nebo
VíceMěření základních vlastností logických IO TTL
Měření základních vlastností logických IO TTL 1. Zadání: A. Kombinační obvody: U jednoho hradla NAND TTL (IO 7400): a) Změřte převodní statickou charakteristiku U výst = f(u vst ) b) Změřte vstupní charakteristiku
Více11. Polovodičové diody
11. Polovodičové diody Polovodičové diody jsou součástky, které využívají fyzikálních vlastností přechodu PN nebo přechodu kov - polovodič (MS). Nelinearita VA charakteristiky, zjednodušeně chápaná jako
VíceFyzikální praktikum 3 Operační zesilovač
Ústav fyzikální elekotroniky Přírodovědecká fakulta, Masarykova univerzita, Brno Fyzikální praktikum 3 Úloha 7. Operační zesilovač Úvod Operační zesilovač je elektronický obvod hojně využívaný téměř ve
VícePřevodník MM 6012 AC DC
MM GROUP, s.r.o. Pikartská 7, areál VVUÚ, 76 00 Ostrava Radvanice, Česká republika Tel: +420 596 232 0 Fax: +420 596 232 23 GSM: +420 602 70 63 e-mail: mmgroup@mmgroup.cz www.mmgroup.cz Převodník MM 602
VíceFotoelektrické snímače
Fotoelektrické snímače Úloha je zaměřena na měření světelných charakteristik fotoelektrických prvků (součástek). Pro měření se využívají fotorezistor, fototranzistor a fotodioda. Zadání 1. Seznamte se
Více(s výjimkou komparátoru v zapojení č. 5) se vyhněte saturaci výstupního napětí. Volte tedy
Operační zesilovač Úvod Operační zesilovač je elektronický obvod hojně využívaný téměř ve všech oblastech elektroniky. Jde o diferenciální zesilovač napětí s velkým ziskem. Jinak řečeno, operační zesilovač
VíceOptoelektronika. elektro-optické převodníky - LED, laserové diody, LCD. Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA)
Optoelektronika elektro-optické převodníky - LED, laserové diody, LCD Elektro-optické převodníky žárovka - nejzákladnější EO převodník nevhodné pro optiku široké spektrum vlnových délek vhodnost pro EO
VíceElektronika pro informační technologie (IEL)
Elektronika pro informační technologie (IEL) Páté laboratorní cvičení Brno University of Technology, Faculty of Information Technology Božetěchova 1/2, 612 66 Brno - Královo Pole Petr Veigend, iveigend@fit.vutbr.cz
Více