2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě nízkofrekvenční nevýkonový tranzistor KC 639. Mezní hodnoty jsou uvedeny v tabulce:

Podobné dokumenty
Typ UCE0 (V) IC (A) PCmax (W)

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřený předmětem jsou v tomto případě polovodičové diody, jejich údaje jsou uvedeny v tabulce:

4.SCHÉMA ZAPOJENÍ +U CC 330Ω A Y

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě zenerova dioda její hodnoty jsou uvedeny v tabulce:

1.Zadání 2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU 3.TEORETICKÝ ROZBOR

Měření vlastností a základních parametrů elektronických prvků

- + C 2 A B V 1 V 2 - U cc

kde U výst je napětí na jezdci potenciometru, R P2 je odpor jezdce potenciometru, R P celkový odpor potenciometru a U je napětí přivedené

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je operační zesilovač. Pro měření byla použita souprava s operačním zesilovačem, kde napájení bylo 5V

Elektronické praktikum EPR1

C p. R d dielektrické ztráty R sk odpor závislý na frekvenci C p kapacita mezi přívody a závity

4. SCHÉMA ZAPOJENÍ U R

Základní druhy tranzistorů řízených elektrickým polem: Technologie výroby: A) 1. : A) 2. : B) 1. :

Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je operační zesilovač. Pro měření byla použita souprava s operačním zesilovačem, kde napájení bylo 5V

1.3 Bipolární tranzistor

Název: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení

Manuální, technická a elektrozručnost

Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody

6. STUDIUM SOLÁRNÍHO ČLÁNKU

Měření vlastností a základních parametrů elektronických prvků

Návrh a analýza jednostupňového zesilovače

PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus

2. POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU

LABORATORNÍ PROTOKOL Z PŘEDMĚTU SILNOPROUDÁ ELEKTROTECHNIKA

MĚŘENÍ VA CHARAKTERISTIK BIPOLÁRNÍHO TRANZISTORU

Pokud není uvedeno jinak, uvedený materiál je z vlastních zdrojů autora

Stabiliz atory napˇet ı v nap ajec ıch zdroj ıch - mˇeˇren ı z akladn ıch parametr u Ondˇrej ˇ Sika

Technická měření v bezpečnostním inženýrství. Elektrická měření proud, napětí, odpor

Nezkreslená věda Vodí, nevodí polovodič? Kontrolní otázky. Doplňovačka

Petr Myška Datum úlohy: Ročník: první Datum protokolu:

+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2

VOLTAMPÉROVÉ CHARAKTERISTIKY DIOD

E L E K T R I C K Á M Ě Ř E N Í

Měření na unipolárním tranzistoru

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.

EUROPEAN TRADESMAN PROJECT NOTES ON ELECTRICAL TESTS OF ELECTRICAL INSTALLATIONS. Použití měřících přístrojů

4.SCHÉMA ZAPOJENÍ. a U. kde a je zisk, U 2 je výstupní napětí zesilovače a U vst je vstupní napětí zesilovače. Zesilovač

1.1 Pokyny pro měření

MĚŘENÍ TRANZISTOROVÉHO ZESILOVAČE

VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Bipolární tranzistory

Téma: Měření voltampérové charakteristiky

propustný směr maximální proud I F MAX [ma] 75 < 1... při I F = 10mA > při I R = 1µA 60 < 0,4... při I F = 10mA > 60...

Laboratorní cvičení č.15. Název: Měření na optoelektronických prvcích. Zadání: Popis měřeného předmětu: Teoretický rozbor:

Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice 2 Číslo úlohy : 1

Měření charakteristik fotocitlivých prvků

INTEGROVANÁ STŘEDNÍ ŠKOLA TECHNICKÁ BENEŠOV. Černoleská 1997, Benešov. Elektrická měření. Tematický okruh. Měření elektrických veličin.

Obrázek 1: Schematická značka polovodičové diody. Obrázek 2: Vlevo dioda zapojená v propustném směru, vpravo dioda zapojená v závěrném směru

Elektrická měření pro I. ročník (Laboratorní cvičení)

Základní měření s výchylkovými multimetry Laboratorní cvičení č. 1

Měření vlastností a základních parametrů elektronických prvků

Laboratorní práce č. 3: Měření elektrického proudu a napětí

Praktikum III - Optika

17. Elektrický proud v polovodičích, užití polovodičových součástek

Laboratorní práce č. 2: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody

1. Změřit metodou přímou závislost odporu vlákna žárovky na proudu, který jím protéká. K měření použijte stejnosměrné napětí v rozsahu do 24 V.

10. Měření. Chceme-li s měřícím přístrojem cokoliv dělat, je důležité znát jeho základní napěťový rozsah, základní proudový rozsah a vnitřní odpor!

Teoretický rozbor : Postup měření : a) Neinvertující zesilovač napětí (Noninverting Amplifier)

Korekční křivka napěťového transformátoru

Laboratorní práce č. 1: Určení voltampérových charakteristik spotřebičů

Měření vlastností stejnosměrných tranzistorových zesilovačů

Technická měření v bezpečnostním inženýrství. Elektrická měření proud, napětí, odpor

Měření na bipolárním tranzistoru.

Interakce ve výuce základů elektrotechniky

Měření vlastností střídavého zesilovače

Měření vlastností lineárních stabilizátorů. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS.

Ukázka práce na nepájivém poli pro 2. ročník SE. Práce č. 1 - Stabilizovaný zdroj ZD + tranzistor

.100[% ; W, W ; V, A, V, A]

A U. kde A je zesílení zesilovače, U 2 je výstupní napětí zesilovače a U 1 je vstupní napětí na zesilovači. Zisk po té můžeme vypočítat podle vztahu:

Klasifikace: bodů výborně bodů velmi dobře bodů dobře 0-49 bodů nevyhověl. Příklad testu je na následující straně.

PRAKTIKUM... Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Odevzdal dne: Seznam použité literatury 0 1. Celkem max.

MĚŘENÍ POLOVODIČOVÝCH DIOD 201-3R

Elektřina a magnetizmus polovodiče

Úloha 5: Charakteristiky optoelektronických součástek

ETC Embedded Technology Club setkání 5, 3B zahájení třetího ročníku

1. Změřte závislost indukčnosti cívky na procházejícím proudu pro tyto případy:

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření vlastní a vzájemné indukčnosti, část 3-1-3

ETC Embedded Technology Club setkání 6, 3B zahájení třetího ročníku

FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4

2-LC: Měření elektrických vlastností výkonových spínačů (I)

1. Navrhněte a prakticky realizujte pomocí odporových a kapacitních dekáda derivační obvod se zadanou časovou konstantu: τ 2 = 320µs

6 Měření transformátoru naprázdno

1 VA-charakteristiky tranzistorů JFET a MOSFET. Úloha č. 7

INTEGROVANÁ STŘEDNÍ ŠKOLA TECHNICKÁ BENEŠOV. Černoleská 1997, Benešov. Elektrická měření. Tematický okruh. Měření elektrických veličin.

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

Určeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, Mělník Ing.František Moravec

Pracovní list žáka (SŠ)

7. Elektrický proud v polovodičích

Fotoelektrické snímače

Název: Polovodiče zkoumání závislosti odporu termistoru a fotorezistoru na vnějších podmínkách

Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EO.

1. Stanovte a graficky znázorněte charakteristiky vakuové diody (EZ 81) a Zenerovy diody (KZ 703).

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH

Bipolární tranzistor. Bipolární tranzistor - struktura. Princip práce tranzistoru. Princip práce tranzistoru. Zapojení SC.

PŘEDNÁŠKA 1 - OBSAH. Přednáška 1 - Obsah

Obrázek a/struktura atomů čistého polovodičeb/polovodič typu N

Transkript:

RIEDL 3.EB 10 1/11 1.ZADÁNÍ a) Změřte statické hybridní charakteristiky tranzistoru KC 639 v zapojení se společným emitorem (při měření nesmí dojít k překročení mezních hodnot). 1) Výstupní charakteristiky na krátko pro I B =5, 10, 20, 30, 40, 50 A, I C =f(u CE ) 2) Vstupní charakteristiky nakrátko pro U CE =1; 1,5V, I B =f(u BE ) b) Graficky znázorněte průběh vstupní, výstupní a převodní charakteristiky. Statický parametr volte tak, aby odpovídal pracovnímu bodu tranzistoru, jako zesilovače ve třídě A. c) Určete H parametry v tomto pracovním bodě. 2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě nízkofrekvenční nevýkonový tranzistor KC 639. Mezní hodnoty jsou uvedeny v tabulce: Označení U CE (V) I C (A) P C (mw) KC 639 100 1 500 U CE maximální napětí mezi kolektorem a emitorem I C maximální proud do kolektoru P C maximální výkon do kolektoru 3.TEORETICKÝ ROZBOR 3.1 ROZBOR PŘEDPOKLÁDANÝCH VLASTNOSTÍ MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Tranzistor je polovodičová součástka, která má dva přechody PN. P značí polovodič, který má nevlastní vodivost, ve které jsou majoritními nosiči náboje díry. Polovodič s nevlastní vodivostí typu P vzniká tak, že do vlastního polovodiče například do křemíku přidáme trojmocný prvek například indium. Indium vytvoří vazbu se čtyřmocným křemíkem a v této struktuře volná díra díky tomu, že atom india se spojí pouze se třemi atomy křemíku a mezi čtvrtým atomem křemíku a atomem india vazba nevznikne. Polovodič typu N je nevlastní polovodič, ve kterém jsou majoritními nosiči náboje volné elektrony. Tento typ polovodiče vzniká tak, že do polovodiče s vlastní vodivostí přidáme pětimocný prvek například fosfor. Atom fosforu se spojí se čtyřmi okolními atomy vlastního polovodiče a vytvoří s nimi vazbu, ale protože fosfor je pětimocný prvek, tak mu ještě jeden elektron přebývá a stačí velmi malá energie, aby se tento elektron od fosforu odpojil a stal se tak volným nosičem náboje. Rozlišujeme dva základní typy bipolárních tranzistorů a jsou to: PNP a NPN. Toto rozlišení určuje jakým způsobem jsou uspořádány jednotlivé typy vodivostí polovodiče v tranzistoru. Každý z těchto dvou typů tranzistorů se také jinak zapojuje do obvodu a mají i jinou schématickou značku. Tyto tranzistory jsou řízeny proudem přivedeným do báze. Jedním z hlavních parametrů tranzistoru je proudový zesilovací činitel. Je to poměr proudu, který teče do kolektoru, a proudu, který teče do báze daného tranzistoru, a udává

RIEDL 3.EB 10 2/11 tedy, jak velký proud poteče kolektorem tranzistoru při daném proudu, který teče do báze tranzistoru. Měřený tranzistor je typu PNP, což vyplývá i z jeho zapojení do obvodu. Při měření tranzistoru je velmi důležité brát odhled na to, že polovodiče jsou velmi závislé na teplotě (se zvětšující se teplotou odpor polovodiče klesá), a proto musíme zajistit během měření pokud možno konstantní teplotu. Toto z části zajistíme tím, že budeme měřit od nejvyšší hodnoty po hodnotu nejnižší. 3.2 ROZBOR MĚŘÍCÍ METODY K výstupních i vstupních charakteristik tranzistoru využijeme dva zdroje. Při měření výstupních charakteristik jedním zdrojem nastavujeme proud, který teče do báze, a tím i proud, který teče do kolektoru, protože tento proud závisí na velikosti proudového zesilovacího činitele. Druhým zdrojem nastavujeme napětí mezi kolektorem a emitorem a proud, který teče do kolektoru. Ampérmetr a voltmetr zapojíme tedy vůči kolektoru a emitoru jako ohmovu metodu pro měření malých odporů. U této metody musíme brát ohled na chybu metody, která vzniká tak, že ampérmetrem měříme součet proudu, který protéká tranzistorem, a proudu, který protéká voltmetrem. Abychom tuto chybu eliminovali musíme provést korekci změřeného proudu podle vztahu: I K =I-U/R V kde I K je korigovaný proud, I je proud změřený ampérmetrem, U je napětí změřené voltmetrem a R V je vnitřní odpor voltmetru. Při měření vstupní charakteristiky nastavujeme jedním zdrojem konstantní napětí mezi kolektorem a emitorem. Druhým zdrojem nastavujeme napětí mezi bází a emitorem a měříme protékající proud. Ampérmetr a voltmetr zapojujeme vůči bázi a emitoru jako ohmovu metodu pro malé odpory. U této metody dochází k chybě, která je způsobena tím, že ampérmetrem měříme součet proudu, který protéká tranzistorem, a proudu, který teče voltmetrem. Proto musíme provést stejnou korekci jako při měření výstupních charakteristik. Při měření vstupních i výstupních charakteristik musíme před bázi připojit ještě ochranný rezistor, který nám zajistí, že tranzistor nezničíme tím, že do něj pustíme příliš velký proud. 4.SCHÉMA ZAPOJENÍ Schéma č.1 Zapojení pro měření výstupních charakteristik tranzistoru

RIEDL 3.EB 10 3/11 Schéma č.2 Zapojení pro měření vstupních charakteristik tranzistoru U B regulovatelný zdroj U C regulovatelný zdroj A 1 číslicový ampérmetr A 2 číslicový ampérmetr V 1 číslicový voltmetr V 2 číslicový voltmetr Tr měřený tranzistor R B ochranný rezistor 5.POSTUP MĚŘENÍ a) Zjistěte mezní parametry tranzistoru a při měření je nepřekročte b) Zapojte přístroje podle schématu č.1 c) Regulovatelným zdrojem U B nastavte požadovaný proud do báze tranzistoru. Začněte měřit od největší hodnoty proudu po hodnotu nejmenší d) Regulovatelným zdrojem U C nastavte požadované napětí mezi kolektorem a emitorem. Měřte od největší hodnoty napětí po hodnotu nejmenší e) Přečtěte hodnotu z voltmetru a zapište ji do tabulky f) Přečtěte hodnotu z ampérmetru A 2 a zapište ji do tabulky g) Pokračujte od bodu d). Pokud jste již změřili všechny potřebné hodnoty napětí a proudu pokračujte od bodu c). Pokud jste již změřili hodnoty napětí a proudů pro všechny požadované proudy do báze pokračujte následujícím bodem h) Zapojte přístroje podle schématu č.2 i) Regulovatelným zdrojem U C nastavte požadované napětí mezi kolektorem a emitorem. Měřte od největší hodnoty napětí po hodnotu nejmenší j) Regulovatelným zdrojem U B nastavte požadované napětí mezi bází a emitorem. Měřte od největší hodnoty po hodnotu nejmenší k) Přečtěte hodnotu z voltmetru V 1 a zapište ji do tabulky l) Přečtěte hodnotu z ampérmetru a zapište ji do tabulky m) Pokračujte od bodu j). Pokud jste již změřili všechny požadované hodnoty napětí a proudů pokračujte od bodu i)

RIEDL 3.EB 10 4/11 6.TABULKY NAMĚŘENÝCH A VYPOČTENÝCH HODNOT Tab. č.1 Měření výstupní charakteristiky tranzistoru KC 639 při I B =50 A I C (ma) 0,361 0,912 1,50 2,693 3,52 4,54 4,987 5,293 I k (ma) 0,361 0,912 1,50 2,693 3,52 4,54 4,987 5,293 I C (ma) 5,53 5,659 5,72 5,752 5,774 5,784 5,794 5,802 I k (ma) 5,53 5,659 5,72 5,752 5,774 5,784 5,794 5,802 I C (ma) 5,805 5,808 5,809 5,813 5,814 5,82 5,83 5,839 I k (ma) 5,805 5,808 5,809 5,813 5,814 5,82 5,83 5,839 I C (ma) 5,845 5,856 5,874 5,9 5,960 6,041 6,121 6,284 I k (ma) 5,845 5,856 5,874 5,9 5,960 6,041 6,121 6,284 Tab. č.2 Měření výstupní charakteristiky tranzistoru KC 639 při I B =40 A I C (ma) 0,332 0,578 1,384 2,175 2,778 3,404 3,924 4,13 I k (ma) 0,332 0,578 1,384 2,175 2,778 3,404 3,924 4,13 I C (ma) 4,315 4,418 4,455 4,48 4,493 4,501 4,50 4,51 I k (ma) 4,315 4,418 4,455 4,48 4,493 4,501 4,50 4,51 I C (ma) 4,51 4,91 4,93 4,92 4,92 4,93 4,94 4,93 I k (ma) 4,51 4,91 4,93 4,92 4,92 4,93 4,94 4,93 I C (ma) 4,95 4,97 4,97 4,98 5 5,05 5,08 5,133 I k (ma) 4,95 4,97 4,97 4,98 5 5,05 5,08 5,133 Tab. č.3 Měření výstupní charakteristiky tranzistoru KC 639 při I B =30 A I C (ma) 0,24 0,510 1,125 1,74 2,241 2,591 3,049 3,266 I k (ma) 0,24 0,510 1,125 1,74 2,241 2,591 3,049 3,266 I C (ma) 3,391 3,428 3,470 3,488 3,494 3,502 3,506 3,507 I k (ma) 3,391 3,428 3,470 3,488 3,494 3,502 3,506 3,507 I C (ma) 3,51 3,513 3,515 3,516 3,519 3,52 3,526 3,53 I k (ma) 3,51 3,513 3,515 3,516 3,519 3,52 3,526 3,53 I C (ma) 3,535 3,540 3,548 3,564 3,591 3,635 3,673 3,733 I k (ma) 3,535 3,540 3,548 3,564 3,591 3,635 3,673 3,733

RIEDL 3.EB 10 5/11 Tab. č.4 Měření výstupní charakteristiky tranzistoru KC 639 při I B =20 A I C (ma) 0,134 0,338 0,368 1,046 1,32 1,657 1,875 2,042 I k (ma) 0,134 0,338 0,368 1,046 1,32 1,657 1,875 2,042 I C (ma) 2,109 2,148 2,149 2,157 2,164 2,167 2,169 2,171 I k (ma) 2,109 2,148 2,149 2,157 2,164 2,167 2,169 2,171 I C (ma) 2,173 2,174 2,175 2,177 2,179 2,181 2,184 2,186 I k (ma) 2,173 2,174 2,175 2,177 2,179 2,181 2,184 2,186 I C (ma) 2,188 2,192 2,197 2,206 2,22 2,242 2,262 2,303 I k (ma) 2,188 2,192 2,197 2,2063 2,22 2,242 2,262 2,303 Tab. č.5 Měření výstupní charakteristiky tranzistoru KC 639 při I B =10 A I C (ma) 0,101 0,204 0,368 0,631 0,811 0,965 1,077 1,132 I k (ma) 0,101 0,204 0,368 0,631 0,811 0,965 1,077 1,132 I C (ma) 1,174 1,189 1,193 1,204 1,206 1,208 1,209 1,210 I k (ma) 1,174 1,189 1,193 1,204 1,206 1,208 1,209 1,210 I C (ma) 1,212 1,211 1,211 1,211 1,212 1,212 1,213 1,215 I k (ma) 1,212 1,211 1,211 1,211 1,212 1,212 1,213 1,215 I C (ma) 1,218 1,219 1,223 1,228 1,236 1,245 1,256 1,276 I k (ma) 1,218 1,219 1,223 1,228 1,236 1,245 1,256 1,276 Tab. č.6 Měření výstupní charakteristiky tranzistoru KC 639 při I B =5 A I C ( A) 53 94 174 251 329 376 416 488 I k ( A) 53 94 174 251 329 376 416 488 I C ( A) 617 625 629 632 632 633 632 632 I k ( A) 617 625 629 632 632 633 632 632 I C ( A) 633 633 633 633 633 634 635 636 I k ( A) 633 633 633 633 633 634 635 636 I C ( A) 636 636 640 642 645 649 654 665 I k ( A) 636 636 640 642 645 649 654 665

RIEDL 3.EB 10 6/11 Tab. č.7 Měření vstupní charakteristiky tranzistoru KC 639 při U CE =1,5V U BE (mv) -300-350 -400-440 -450-460 -470-480 I B ( A) -0,01-0,02-0,03-0,05-0,05-0,06-0,08-0,1 I k ( A) -0,01-0,02-0,03-0,05-0,05-0,06-0,08-0,1 U BE (V) -490-500 -510-520 -530-540 -550-560 I B ( A) -0,12-0,16-0,23-0,34-0,42-0,68-0,88-1,22 I k ( A) -0,12-0,16-0,23-0,34-0,42-0,68-0,88-1,22 U BE (V) -570-580 -590-600 -610-620 -630-640 I B ( A) -1,84-2,82-3,95-5,92-8,52-12,45-18,73-27,18 I k ( A) -1,84-2,82-3,95-5,92-8,52-12,45-18,73-27,18 U BE (V) -650-655 ----- ----- ----- ----- ----- ----- I B ( A) -40,78-50 ----- ----- ----- ----- ----- ----- I k ( A) -40,78-50 ----- ----- ----- ----- ----- ----- Tab. č.8 Měření vstupní charakteristiky tranzistoru KC 639 při U CE =1V U BE (V) -490-500 -510-520 -530-540 -550-560 I B ( A) ----- ----- ----- -0,33-0,41-0,70-0,89-1,34 I k ( A) ----- ----- ----- -0,33-0,41-0,70-0,89-1,34 U BE (V) -570-580 -590-600 -610-620 -630-640 I B ( A) -1,67-2,80-4,05-6,34-8,82-14,20-19,04-27,07 I k ( A) -1,67-2,80-4,05-6,34-8,82-14,20-19,04-27,07 U BE (V) -650-656 ----- ----- ----- ----- ----- ----- I B ( A) -40,13-50 ----- ----- ----- ----- ----- ----- I k ( A) -40,13-50 ----- ----- ----- ----- ----- ----- Tab. č.9 Vypočtené parametry H v daném pracovním bodě Parametr H H 11 H 12 H 21 H 22 Hodnota 21,4 0,428 121,8 730,8 Jednotka k --------- --------- S 7.VÝPOČTY Výpočet korigovaného proudu: Například: I K =I-U/R V I K =I-U/R V =0,361mA-0,04/10M=0,360996mA Výpočet parametru H 11 : Například: H 11 =U BE /I B

RIEDL 3.EB 10 7/11 Výpočet parametru H 12 : H 11 =U BE /I B =0,642/30u=21,4kA H 12 =U BE /U CE Například: H 12 =U BE /U CE =0,642/1,5=0,428V Výpočet parametru H 21 : H 21 =I C /I B Například: H 21 =I C /I B =3,654m/30u=121,8 Výpočet parametru H 22 : Například: H 22 =I C /U CE H 22 =I C /U CE =3,654m/5=730,8μS 8.GRAFY viz. příloha 9.SEZNAM MĚŘÍCÍCH PŘÍSTROJŮ Zkratka Název a typ přístroje Výrobní číslo U B Regulovatelný zdroj Statron TYP 2229 0412026 U C Regulovatelný zdroj Statron TYP 2229 0412026 V 1 Digitální voltmetr METEX ME-32 EJ010065 V 2 Digitální voltmetr METEX ME-32 EJ009958 A 1 Digitální ampérmetr METEX ME-32 EJ010065 A 2 Digitální ampérmetr GDM-8145 CE150128 Tr Předložený tranzistor KC 639 -------- R B Ochranný rezistor --------

RIEDL 3.EB 10 8/11 10.ZÁVĚR Naším úkolem bylo změřit výstupní a vstupní charakteristiky předloženého tranzistoru KC 639. Z teoretického rozboru vyplívá, že tranzistor je součástka, která je velmi závislá na teplotě, proto jsme měření prováděli od největších hodnot po nejmenší, abychom tuto teplotní závislost co nejvíce eliminovali. Z grafu naměřených výstupních charakteristik vyplývá, že při měření s parametrem proudu do báze I B =40μA jsme nechali tranzistor příliš vychladnout mezi dvěmi naměřenými hodnotami. V případě ostatních proudů do báze se nám toto podařilo velmi dobře eliminovat a tento jev již nenastal. Při měření vstupních charakteristik nastala zvláštní chyba, že jsou naměřené hodnoty téměř stejné u obou daných napětích U CE. Z grafu převodní charakteristiky je vidět, že tranzistor je velmi tepelně závislá součástka, protože tento graf by měl být přímka a ne křivka.

RIEDL 3.EB 10 9/11 Výstupní charakteristiky tranzistoru KC 639 7 6 I C (ma) 5 I B =50uA I B =40uA 4 I B =30uA 3 I B =20uA 2 1 I B =10uA I B =5uA 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 U CE (V)

RIEDL 3.EB 10 10/11 I B (ua) Vstupní charakteristiky tranzistoru KC 639-60 -50-40 -30-20 -10 0 0-100 -200-300 -400-500 U BE (mv) -600 U CE =1,5V U CE =1V -700

RIEDL 3.EB 10 11/11 Převodní charakteristika tranzistoru KC 639 7 6 I C (ma) 5 4 3 2 1-50 -45-40 -35-30 -25-20 -15-10 -5 0 0 I B (ua)