Elektronika pro informační technologie (IEL)
|
|
- Stanislava Sedláková
- před 5 lety
- Počet zobrazení:
Transkript
1 Elektronika pro informační technologie (IEL) Čtvrté laboratorní cvičení Brno University of Technology, Faculty of Information Technology Božetěchova 1/2, Brno - Královo Pole Petr Veigend,iveigend@fit.vutbr.cz 2018/2019
2 Základní informace Můj profil: Kancelář: A221 Konzultační hodiny: po domluvě em IEL cvičení 4 2
3 Obsah Bipolární tranzistor Co to je a jak to funguje? Bipolární tranzistor jako spínač Zapojení bipolárního tranzistoru Dvouvstupové hradlo v logice RTL IEL cvičení 4 3
4 Teoretický úvod BIPOLÁRNÍ TRANZISTOR IEL cvičení 4 4
5 Bipolární tranzistor V podstatě se skládá ze dvou diod, podle typu jejich orientace můžeme rozlišit dva typy: NPN a PNP Bipolární tranzistor má tři elektrody Báze Kolektor Emitor Bázový proud řídí průchod proudu mezi kolektorem a emitorem Pokud přivedeme proud do báze, tranzistor se otevře a prochází proud IEL cvičení 4 5
6 Typy bipolárních tranzistorů ještě jednou NPN - šipka ven IEL cvičení 4 6
7 Typy bipolárních tranzistorů ještě jednou IEL cvičení 4 7
8 Bipolární tranzistor jako spínač Dva pracovní stavy Rozepnuto - velký R spínače (MΩ), malý I C Sepnuto - malý R spínače (kω), velký I C Změny stavů Pomocí malého (spínacího) bázového proudu I B sepnutí/rozepnutí smyčky, poté jíž protéká (spínaný) kolektorový proud I C IEL cvičení 4 8
9 Pracovní bod bipolárního tranzistoru (rozepnut) Je-li tranzistor rozepnut (bod P1), je napětí U CE prakticky rovno napájecímu napětí U CC I C 0: U CE = U CC R C I C = U CC IEL cvičení 4 9
10 Pracovní bod bipolárního tranzistoru (sepnut) Je-li tranzistor sepnut (bod P2), začne jím protékat proud I C velikostně omezený jen odporem R C a přímo úměrně závislý velikosti proudu I B IEL cvičení 4 10
11 Pracovní bod bipolárního tranzistoru Sepnutí: pokud je proud I B takový, že U BE 0,7V Po sepnutí tranzistoru začne kolektorem protékat proud I C = β I B = U CC U CE R C β = I C /I B je proudové zesílení daného typu tranzistoru U CC = U CE + R C I C U CE klesne po sepnutí z hodnoty cca U CC typicky na hodnotu několika desetin V. IEL cvičení 4 11
12 Klopné obvody (multivibrátory) Klopný obvod obvod se překlápí mezi log. úrovněmi, změna probíhá skokově Typy KO Bistabilní (flip-flops) Oba stavy jsou stabilní Tyto obvody slouží jako paměťové prvky Astabilní Nemají žádný stabilní stav Neustále oscilují (kmitají) z jednoho stavu do druhého Monostabilní Jeden stabilní stav, ze kterého se obvod překlopí pouze s příchodem spouštěcího impulzu Další informace: letní semestr předmět INC IEL cvičení 4 12
13 Součástky k dispozici Nepájivé kontaktní pole Simulátor NGSpice (online) Pracovní krabička IEL cvičení 4 13
14 Jako spínač nepájivé pole a NGSpice ZAPOJENÍ BIPOLÁRNÍHO TRANZISTORU IEL cvičení 4 14
15 Důležité informace před zapojováním Připomínám strukturu nepájivého kontaktního pole NEVYPOJUJTE TRANZISTOR!!! IEL cvičení 4 15
16 Důležité informace před zapojováním IEL cvičení 4 16
17 Důležité informace před zapojováním IEL cvičení 4 17
18 Bipolární transistor IEL cvičení 4 18
19 Schéma zapojení Budete zapojovat následující obvod v nepájivém poli Napětí U 1 přes potenciometr (jeden vstup 5V, druhý 0V, jezdec se připojí k rezistoru R B ) Napětí U CC přímo 5V, bez potenciometru IEL cvičení 4 19
20 U1 Průběhy napětí U1 0,7 0,6 0,5 0,4 Graf 1 - Čím vyšší U 1, tím vyšší U BE - Spínací obvod 0,3 0,2 0,1 4 3, Graf 2 UBE - Čím vyšší U 1, tím 3 2,5 2 1,5 1 0,5 nižší U 2 = U CE - Spínaný obvod U2 = UCE IEL cvičení 4 20
21 Poznámka Proč bývá tranzistor-spínač označován pojmem invertor logické úrovně? Pokud přivedeme vysoké vstupní napětí U 1 výstupní napětí U 2 U CE bude nízké Pokud přivedeme nízké vstupní napětí U 1 výstupní napětí U 2 U CE bude vysoké IEL cvičení 4 21
22 NGSpice IEL cvičení 4 22
23 NGSpice IEL cvičení 4 23
24 Koncept RTL nepájivé pole a NGSpice DVOUVSTUPÉ HRADLO IEL cvičení 4 24
25 Dvouvstupé hradlo Logika RTL = rezistor-tranzistorová logika Jakou logickou funkci hradlo realizuje? IEL cvičení 4 25
26 Dvouvstupé hradlo Jakou logickou funkci hradlo realizuje? NOR A B C Je-li alespoň jeden vstup na log. 1, je jeden z tranzistorů otevřen (sepnut) a na výstupu je log. 0 Pokud jsou oba vstupy na log. 0, tranzistory jsou uzavřeny (rozepnuty) a na výstupu je log. 1 IEL cvičení 4 26
27 NGSpice Červené hodnoty: rezistory pro zapojení v nepájivém poli IEL cvičení 4 27
28 NGSpice v(a) = 0 v(b) = 0 v(out) = 1 jinak 0 IEL cvičení 4 28
29 Reference [1] Webové stránky cvičení IEL, dostupné online z: cs IEL cvičení 4 29
30 Děkuji Vám za pozornost! IEL cvičení 4 30
Elektronika pro informační technologie (IEL)
Elektronika pro informační technologie (IEL) Páté laboratorní cvičení Brno University of Technology, Faculty of Information Technology Božetěchova 1/2, 612 66 Brno - Královo Pole Petr Veigend, iveigend@fit.vutbr.cz
VíceStudium klopných obvodů
Studium klopných obvodů Úkol : 1. Sestavte podle schématu 1 astabilní klopný obvod a ověřte jeho funkce.. Sestavte podle schématu monostabilní klopný obvod a buďte generátorem a sledujte výstupní napětí.
Více1.3 Bipolární tranzistor
1.3 Bipolární tranzistor 1.3.1 Úkol: 1. Změřte vstupní charakteristiku bipolárního tranzistoru 2. Změřte převodovou charakteristiku bipolárního tranzistoru 3. Změřte výstupní charakteristiku bipolárního
VíceElektronika pro informační technologie (IEL)
Elektronika pro informační technologie (IEL) Třetí laboratorní cvičení Brno University of Technology, Faculty of Information Technology Božetěchova 1/2, 612 66 Brno - Královo Pole inecasova@fit.vutbr.cz
VíceNázev: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení
Název: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení Autor: Mgr. Petr Majer Název školy: Gymnázium Jana Nerudy, škola hl. města Prahy Předmět (mezipředmětové vztahy) : Fyzika Tematický celek:
VíceNa trh byl uveden v roce 1971 firmou Signetics. Uvádí se, že označení 555 je odvozeno od tří rezistorů s hodnotou 5 kω.
Časovač 555 NE555 je integrovaný obvod používaný nejčastěji jako časovač nebo generátor různých pravoúhlých signálů. Na trh byl uveden v roce 1971 firmou Signetics. Uvádí se, že označení 555 je odvozeno
VícePolovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.
Polovodičové prvky V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.4 Prvky elektronických obvodů Kapitola
Více+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2
Pro zadané hodnoty napájecího napětí, odporů a zesilovacího činitele β vypočtěte proudy,, a napětí,, (předpokládejte, že tranzistor je křemíkový a jeho pracovní bod je nastaven do aktivního normálního
VíceII. Nakreslete zapojení a popište funkci a význam součástí následujícího obvodu: Integrátor s OZ
Datum: 1 v jakém zapojení pracuje tranzistor proč jsou v obvodu a jak se projeví v jeho činnosti kondenzátory zakreslené v obrázku jakou hodnotu má odhadem parametr g m v uvedeném pracovním bodu jakou
Více1.1 Pokyny pro měření
Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1 Bipolární tranzistor jako zesilovač Úkol: Proměřte amplitudové kmitočtové charakteristiky bipolárního tranzistoru 1. v zapojení se společným emitorem (SE)
VíceInterakce ve výuce základů elektrotechniky
Střední odborné učiliště, Domažlice, Prokopa Velikého 640, Místo poskytovaného vzdělávaní Stod, Plzeňská 245 CZ.1.07/1.5.00/34.0639 Interakce ve výuce základů elektrotechniky TRANZISTORY Číslo projektu
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
VíceODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY
Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: MEII - 5.4.1 KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY Obor: Mechanik elektronik Ročník: 2. Zpracoval(a): Jiří Kolář Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2010 Projekt je
VíceUniverzita Tomáše Bati ve Zlíně
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Struktura logických obvodů Přednáška č. 10 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Struktura logických obvodů 1 Struktura logických
VíceUkázka práce na nepájivém poli pro 2. ročník SE. Práce č. 1 - Stabilizovaný zdroj ZD + tranzistor
Ukázka práce na nepájivém poli pro 2. ročník SE Práce č. 1 - Stabilizovaný zdroj ZD + tranzistor Seznam součástek: 4 ks diod 100 V/0,8A, tranzistor NPN BC 337, elektrolytický kondenzátor 0,47mF, 2ks elektrolytického
Více2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω.
A5M34ELE - testy 1. Vypočtěte velikost odporu rezistoru R 1 z obrázku. U 1 =15 V, U 2 =8 V, U 3 =10 V, R 2 =200Ω a R 3 =1kΩ. 2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty
VíceTranzistory. tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor. Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET
Tranzistory tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET Shockey, Brattain a Bardeen 16.12. 1947 Shockey 1952 Bipolární tranzistor
VíceSoučástky s více PN přechody
Součástky s více PN přechody spínací polovodičové součástky tyristor, diak, triak Součástky s více PN přechody první realizace - 1952 třívrstvé tranzistor diak čtyřvrstvé tyristor pětivrstvé triak diak
VíceBDIO - Digitální obvody
BIO - igitální obvody Ústav Úloha č. 6 Ústav mikroelektroniky ekvenční logika klopné obvody,, JK, T, posuvný registr tudent Cíle ozdíl mezi kombinačními a sekvenčními logickými obvody. Objasnit principy
VíceSchmittův klopný obvod
Schmittův klopný obvod Použité zdroje: Antošová, A., Davídek, V.: Číslicová technika, KOPP, České Budějovice 2007 Malina, V.: Digitální technika, KOOP, České Budějovice 1996 http://pcbheaven.com/wikipages/the_schmitt_trigger
VíceZáklady elektrotechniky
Základy elektrotechniky Přednáška Tranzistory 1 BIPOLÁRNÍ TRANZISTOR - třívrstvá struktura NPN se třemi vývody (elektrodami): e - emitor k - kolektor b - báze Struktura, náhradní schéma a schematická značka
VíceI N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup
ELEKTONIKA I N V E S T I C E D O O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í 1. Usměrňování a vyhlazování střídavého a. jednocestné usměrnění Do obvodu střídavého proudu sériově připojíme diodu. Prochází jí proud
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
VíceMěření na unipolárním tranzistoru
Měření na unipolárním tranzistoru Teoretický rozbor: Unipolární tranzistor je polovodičová součástka skládající se z polovodičů tpu N a P. Oproti bipolárnímu tranzistoru má jednu základní výhodu. Bipolární
VíceBipolární tranzistory
Bipolární tranzistory h-parametry, základní zapojení, vysokofrekvenční vlastnosti, šumy, tranzistorový zesilovač, tranzistorový spínač Bipolární tranzistory (bipolar transistor) tranzistor trojpól, zapojení
VíceKOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY
KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY Použité zdroje: http://cs.wikipedia.org/wiki/logická_funkce http://www.ibiblio.org http://martin.feld.cvut.cz/~kuenzel/x13ups/log.jpg http://www.mikroelektro.utb.cz http://www.elearn.vsb.cz/archivcd/fs/zaut/skripta_text.pdf
VíceETC Embedded Technology Club setkání 6, 3B zahájení třetího ročníku
ETC Embedded Technology Club setkání 6, 3B 13.11. 2018 zahájení třetího ročníku Katedra měření, Katedra telekomunikací,, ČVUT- FEL, Praha doc. Ing. Jan Fischer, CSc. ETC club,6, 3B 13.11.2018, ČVUT- FEL,
VíceBipolární tranzistory. Produkt: Zavádění cizojazyčné terminologie do výuky odborných předmětů a do laboratorních cvičení
Název projektu: Automatizace výrobních procesů ve strojírenství a řemeslech Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.30/01.0038 Příjemce: SPŠ strojnická a SOŠ profesora Švejcara Plzeň, Klatovská 109 Tento projekt
VíceImpulsní regulátor ze změnou střídy ( 100 W, 0,6 99,2 % )
ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI Fakulta elektrotechnická Impulsní regulátor ze změnou střídy ( 100 W, 0,6 99,2 % ) Školní rok: 2007/2008 Ročník: 2. Datum: 12.12. 2007 Vypracoval: Bc. Tomáš Kavalír Zapojení
VíceELN 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY 1/14 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY
ELN 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY 1/14 2. Analogové spínače s tranzistory 2.1 Spínací vlastnosti tranzistorů bipolárních a unipolárních 2.2 Příklady použití spínačů 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY
VíceUrčení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů
Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů Tranzistor je elektronická aktivní součástka se třemi elektrodami.podstatou jeho funkce je transformace odporu mezi
VíceMĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů tyristoru část 3-5-1 Teoretický rozbor
MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření část 3-5-1 Teoretický rozbor Výukový materiál Číslo projektu: CZ.1.07/1.5.00/34.0093 Šablona: III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Sada: 1 Číslo materiálu:
VíceInovace bakalářského studijního oboru Aplikovaná chemie. Reg. č.: CZ.1.07/2.2.00/
Inovace bakalářského studijního oboru Aplikovaná chemie Reg. č.: CZ.1.07/2.2.00/15.0247 APLIKACE POČÍTAČŮ V MĚŘÍCÍCH SYSTÉMECH PRO CHEMIKY s využitím LabView Logické stavy, číselné systémy, typy logických
VíceKlasifikace: bodů výborně bodů velmi dobře bodů dobře 0-49 bodů nevyhověl. Příklad testu je na následující straně.
Elektronika - pravidla Zkouška: Délka trvání testu: 12 minut Doporučené pomůcky: propisovací tužka, obyčejná tužka, čistý papír, guma, pravítko, kalkulačka se zanedbatelně malou pamětí Zakázané pomůcky:
VíceElektronické praktikum EPR1
Elektronické praktikum EPR1 Úloha číslo 2 název Vlastnosti polovodičových prvků Vypracoval Pavel Pokorný PINF Datum měření 11. 11. 2008 vypracování protokolu 23. 11. 2008 Zadání 1. Seznamte se s funkcí
VíceVY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl
Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická
Více4.SCHÉMA ZAPOJENÍ +U CC 330Ω A Y
RIEDL 4.EB 4 1/8 1.ZADÁNÍ a) Změřte vstupní a převodovou charakteristiku integrovaného obvodu MH 7400 b) Výsledky zpracujte do tabulek a graficky znázorněte c) Zobrazené charakteristiky porovnejte s údaji
Více2-LC: Měření elektrických vlastností výkonových spínačů (I)
2-LC: Měření elektrických vlastností výkonových spínačů (I) Cíl měření: Ověření a porovnání vlastností výkonových spínačů: BJT, MOSFET a tyristoru. Zkratování řídících vstupů Obr. 1 Přípravek pro měření
VíceBipolární tranzistor. Bipolární tranzistor - struktura. Princip práce tranzistoru. Princip práce tranzistoru. Zapojení SC.
ipolární tranzistor Tranzistor (angl. transistor) transfer resistor bipolární na přenosu proudu se podílejí jak elektrony, tak díry je tvořen dvěma přechody na jednom základním monoktystalu Emitorový přechod
Více2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě nízkofrekvenční nevýkonový tranzistor KC 639. Mezní hodnoty jsou uvedeny v tabulce:
RIEDL 3.EB 10 1/11 1.ZADÁNÍ a) Změřte statické hybridní charakteristiky tranzistoru KC 639 v zapojení se společným emitorem (při měření nesmí dojít k překročení mezních hodnot). 1) Výstupní charakteristiky
VícePolovodičov. ové prvky. 4.přednáška
Polovodičov ové prvky 4.přednáška Polovodiče Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku (Si). Čisté krystaly křemíku mají za pokojové teploty jen
VíceElektrotechnická zapojení
Elektrotechnická zapojení 1. Obvod s rezistory Na základě níže uvedeného obrázku vypočítejte proudy I1, I2, I3. R1 =4Ω, R2 =2Ω, R3 =6Ω, R4 =1Ω, R5 =5Ω, R6 =3Ω, U01 =48V 2. Obvod s tranzistorem počet bodů:
VíceELEKTRONIKA. Maturitní témata 2018/ L/01 POČÍTAČOVÉ A ZABEZPEČOVACÍ SYSTÉMY
ELEKTRONIKA Maturitní témata 2018/2019 26-41-L/01 POČÍTAČOVÉ A ZABEZPEČOVACÍ SYSTÉMY Řešení lineárních obvodů - vysvětlete postup řešení el.obvodu ohmovou metodou (postupným zjednodušováním) a vyřešte
VíceKurs praktické elektroniky a kutění
Kurs praktické elektroniky a kutění Katedra měření, ČVUT FEL, Praha 12.9. 16.9.2016 19.9. 23.9.2016 Doc. Ing. Jan Holub, PhD. Vedoucí katedry měření Doc. Ing. Jan Fischer, CSc. prezentující Tento materiál
VíceTranzistor polopatě. Tranzistor jako spínač
Tranzistor polopatě Ing. Jiří Bezstarosti Úlohou toho článku není vysvětlit fyzikální činnost tranzistoru, ale spíše naznačit způsoby jeho použití. Zároveň se tento článek bude snažit vysvětlit problematiku
VíceNalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R = 100 kω, φ = 5mW/cm 2.
Nalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R 00 kω, φ 5mW/cm 2. Fotovoltaický režim: fotodioda pracuje jako zdroj (s paralelně zapojeným odporem-zátěží). Obvod je popsán
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
VíceObrázek 1: Schematická značka polovodičové diody. Obrázek 2: Vlevo dioda zapojená v propustném směru, vpravo dioda zapojená v závěrném směru
Škola: Autor: DUM: Vzdělávací obor: Tematický okruh: Téma: Masarykovo gymnázium Vsetín Mgr. Jitka Novosadová MGV_F_SS_2S2_D16_Z_ELMAG_Polovodicove_soucastky_PL Člověk a příroda Fyzika Elektřina a magnetismus
VíceUčební osnova vyučovacího předmětu elektronika Volitelný vyučovací předmět. Pojetí vyučovacího předmětu. 23-41-M/01 Strojírenství
Učební osnova vyučovacího předmětu elektronika Volitelný vyučovací předmět Obor vzdělání: -1-M/01 Strojírenství Délka a forma studia: roky, denní studium Celkový počet týdenních vyuč. hodin: Platnost od:
VíceODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII - 3.2.2 MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH
Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: MEII - 3.2.2 MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH Obor: Mechanik elektronik Ročník: 2. Zpracoval(a): Bc. Josef Mahdal Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2010
VíceMěření vlastností stejnosměrných tranzistorových zesilovačů
ysoká škola báňská Technická universita Ostrava Fakulta elektrotechniky a informatiky Základy elektroniky ZEL Laboratorní úloha č. 6 Měření vlastností stejnosměrných tranzistorových zesilovačů Datum měření:
VíceZesilovač. Elektronický obvod zvyšující hodnotu napětí nebo proudu při zachování tvaru jeho průběhu. Princip zesilovače. Realizace zesilovačů
Zesilovač Elektronický obvod zvyšující hodnotu napětí nebo proudu při zachování tvaru jeho průběhu Princip zesilovače Zesilovač je dvojbran který může současně zesilovat napětí i proud nebo pouze napětí
VíceMĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů logického obvodu část Teoretický rozbor
MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření část 3-6-1 Teoretický rozbor Výukový materiál Číslo projektu: CZ.1.07/1.5.00/34.0093 Šablona: III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Sada: 1 Číslo materiálu:
VíceELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY
ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY VZORY OTÁZEK A PŘÍKLADŮ K TUTORIÁLU 1 1. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Proč je používáme. 2. Co jsou polovodiče vlastní. 3. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Jakým způsobem
VíceMěření základních vlastností logických IO TTL
Měření základních vlastností logických IO TTL 1. Zadání: A. Kombinační obvody: U jednoho hradla NAND TTL (IO 7400): a) Změřte převodní statickou charakteristiku U výst = f(u vst ) b) Změřte vstupní charakteristiku
VíceOVLÁDACÍ OBVODY ELEKTRICKÝCH ZAŘÍZENÍ
OVLÁDACÍ OBVODY ELEKTRICKÝCH ZAŘÍZENÍ Odlišnosti silových a ovládacích obvodů Logické funkce ovládacích obvodů Přístrojová realizace logických funkcí Programátory pro řízení procesů Akční členy ovládacích
VíceŘídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek
Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Hlavní požadavky na ideální budič Galvanické
VíceElektronické součástky - laboratorní cvičení 1
Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1 Charakteristiky tyristoru Úkol: 1. Změřte vstupní charakteristiku tyristoru I G = f (U GK ) 2. Změřte spínací charakteristiku U B0 = f (I G ) 1.1 Pokyny pro
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V.2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V.2.1 Logické obvody Kapitola 14 Logická funkce
VíceLogická sonda do stavebnice. Milan Horkel
TTLPROBE MLB Logická sonda do stavebnice Milan Horkel Logická sonda v podobě modulu slouží k zobrazování logických stavů H a L a neurčitého stavu X TTL logiky na třech LED. Logická sonda zobrazuje krátké
Více1 Zadání. 2 Teoretický úvod. 4. Generátory obdélníkového signálu a MKO
1 4. Generátory obdélníkového signálu a MKO 1 Zadání 1. Sestavte generátor s derivačními články a hradly NAND s uvedenými hodnotami rezistorů a kapacitorů. Zobrazte časové průběhy v důležitých uzlech.
VíceProjekt Pospolu. Sekvenční logické obvody Klopné obvody. Autorem materiálu a všech jeho částí, není-li uvedeno jinak, je Ing. Jiří Ulrych.
Projekt Pospolu Sekvenční logické obvody Klopné obvody Autorem materiálu a všech jeho částí, není-li uvedeno jinak, je Ing. Jiří Ulrych. Rozlišujeme základní druhy klopných sekvenčních obvodů: Klopný obvod
VíceFEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4
Využití vlastností polovodičových přechodů Oblast prostorového náboje elektrické pole na přechodu Propustný směr difůze majoritních nosičů Závěrný směr extrakce minoritních nosičů Rekombinace na přechodu
VíceVLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU
VLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU Úvod: Čas ke studiu: Polovodičové součástky pro výkonovou elektroniku využívají stejné principy jako běžně používané polovodičové součástky
VíceTRANZISTORY TRANZISTORY. Bipolární tranzistory. Ing. M. Bešta
TRANZISTORY Tranzistor je aktivní, nelineární polovodičová součástka schopná zesilovat napětí, nebo proud. Tranzistor je asi nejdůležitější polovodičová součástka její schopnost zesilovat znamená, že malé
VíceISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec
ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.05 Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566,
VíceOtázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna
Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Tato otázka přepokládá znalost otázky č. - polovodiče. Doporučuji ujasnit
VíceVPP2 zápis ze cvičení
1. cv. - Opakování zákonů VPP2 zápis ze cvičení Ohmův zákon vyjadřuje vztah mezi el. napětím, el. proudem a el. odporem U =R.I, resp. I = U R, resp. R= U I. kde I je elektrický proud, U je elektrické napětí
VíceELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY
TEMATICKÉ OKRUHY ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 1. Základní pojmy fyziky polovodičů. Pásová struktura její souvislost s elektronovým obalem atomu, vliv na elektrickou vodivost materiálů. Polovodiče vlastní a nevlastní.
VíceBipolární tranzistory
Bipolární tranzistory Historie V prosinci 1947 výzkumní pracovníci z Bellových laboratořích v New Jersey zjistili, že polovodičová destička z germania se zlatými hroty zesiluje slabý signál. Vědci byli
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
VíceSpínače s tranzistory řízenými elektrickým polem. Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT
Spínače s tranzistory řízenými elektrickým polem Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT Základní vlastnosti spínačů s tranzistory FET, IGBT resp. IGCT plně řízený spínač nízkovýkonové řízení malý
VíceKroužek elektroniky
Dům dětí a mládeže Bílina Havířská 529/10 418 01 Bílina tel. 417 821 527 http://www.ddmbilina.cz http://ddmbilina.webnode.cz e-mail: ddmbilina@seznam.cz Kroužek elektroniky 2013-2014 Dům dětí a mládeže
VíceETC Embedded Technology Club setkání 5, 3B zahájení třetího ročníku
ETC Embedded Technology Club setkání 5, 3B 6.11. 2018 zahájení třetího ročníku Katedra měření, Katedra telekomunikací,, ČVUT- FEL, Praha doc. Ing. Jan Fischer, CSc. ETC club,5, 3B 30.10.2018, ČVUT- FEL,
VíceObrázek a/struktura atomů čistého polovodičeb/polovodič typu N
POLOVODIČE Vlastnosti polovodičů Polovodiče jsou materiály ze 4. skupiny Mendělejevovy tabulky. Nejznámější jsou germanium (Ge) a křemík (Si). Každý atom má 4 vazby, pomocí kterých se váže na sousední
VíceNízkofrekvenční (do 1 MHz) Vysokofrekvenční (stovky MHz až jednotky GHz) Generátory cm vln (až desítky GHz)
Provazník oscilatory.docx Oscilátory Oscilátory dělíme podle několika hledisek (uvedené třídění není zcela jednotné - bylo použito vžitých názvů, které vznikaly v různém období vývoje a za zcela odlišných
VíceElektronika pro informační technologie (IEL)
Elektronika pro informační technologie (IEL) Druhé laboratorní cvičení Vysoké učení technické v Brně, Fakulta informačních technologií v Brně Božetěchova 2, 612 66 Brno Cvičící: Petr Veigend (iveigend@fit.vutbr.cz)
VíceStudium tranzistorového zesilovače
Studium tranzistorového zesilovače Úkol : 1. Sestavte tranzistorový zesilovač. 2. Sestavte frekvenční amplitudovou charakteristiku. 3. Porovnejte naměřená zesílení s hodnotou vypočtenou. Pomůcky : - Generátor
VíceTest. Kategorie M. 1 Na obrázku je průběh napětí, sledovaný osciloskopem. Jaké je efektivní napětí signálu?
Oblastní kolo, Vyškov 2006 Test Kategorie M START. ČÍSLO BODŮ/OPRAVIL U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Na obrázku je průběh napětí, sledovaný osciloskopem. Jaké je efektivní napětí
VíceJednofázové a třífázové polovodičové spínací přístroje
Jednofázové a třífázové polovodičové spínací přístroje Použité spínací elementy tyristory triaky GTO tyristory Zapínání dle potřeby aplikace Vypínání buď v přirozené nule proudu nebo s nucenou komutací
Více17. Elektrický proud v polovodičích, užití polovodičových součástek
17. Elektrický proud v polovodičích, užití polovodičových součástek Polovodiče se od kovů liší především tím, že mají větší rezistivitu (10-2 Ω m až 10 9 Ω m), (kovy 10-8 Ω m až 10-6 Ω m). Tato rezistivita
VíceKategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-485 se používá pro:
Krajské kolo soutěže dětí a mládeže v radioelektronice, Vyškov 2009 Test Kategorie M START. ČÍSLO BODŮ/OPRAVIL U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-485 se používá pro:
VícePokud není uvedeno jinak, uvedený materiál je z vlastních zdrojů autora
Číslo projektu Číslo materiálu Název školy Autor Název Téma hodiny ředmět očník /y/..07/.5.00/34.0394 VY_3_NOVA_M_.9_měření statických parametrů zesilovače Střední odborná škola a Střední odborné učiliště,
VíceStřední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Tematická oblast ELEKTRONIKA
Číslo projektu Číslo materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 VY_32_INOVACE_ENI_2.MA_03_Filtrace a stabilizace Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická
VíceOtázka č.4. Silnoproudé spínací polovodičové součástky tyristor, IGBT, GTO, triak struktury, vlastnosti, aplikace.
Otázka č.4 Silnoproudé spínací polovodičové součástky tyristor, IGBT, GTO, triak struktury, vlastnosti, aplikace. 1) Tyristor Schematická značka Struktura Tyristor má 3 PN přechody a 4 vrstvy. Jde o spínací
VíceVY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů
VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů Vodivost polovodičů pojem polovodiče čistý polovodič, vlastní vodivost příměsová vodivost polovodičová dioda tranzistor Polovodiče Polovodiče jsou látky, jejichž
Více2. NELINEÁRNÍ APLIKACE OPERAČNÍCH ZESILOVAČŮ
2. NELINEÁRNÍ APLIKACE OPERAČNÍCH ZESILOVAČŮ 2.1 Úvod Na rozdíl od zapojení operačních zesilovačů (OZ), v nichž je závislost výstupního napětí na napětí vstupním reprezentována lineární funkcí (v mezích
VíceProjekt Pospolu. Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky. Pro obor M/01 Informační technologie
Projekt Pospolu Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky Pro obor 18-22-M/01 Informační technologie Autorem materiálu a všech jeho částí je Ing. Petr Voborník, Ph.D. Bipolární tranzistor Bipolární
VíceDarlingtonovo zapojení
Tento dokument slouží pouze pro studijní účely studentům ČVUT FEL, zejména v předmětu X31ELO Dokument nemá konečnou podobu a může se časem upravovat a doplňovat Uživatel může dokument použít pouze pro
VíceZÁKLADY POLOVODIČOVÉ TECHNIKY. Doc.Ing.Václav Vrána,CSc. 03/2008
ZÁKLADY POLOVODIČOVÉ TECHNIKY Doc.Ing.Václav Vrána,CSc. 3/28 Obsah 1. Úvod 2. Polovodičové prvky 2.1. Polovodičové diody 2.2. Tyristory 2.3. Triaky 2.4. Tranzistory 3. Polovodičové měniče 3.1. Usměrňovače
VíceČíslo projektu Číslo a název šablony klíčové aktivity Tematická oblast Autor Ročník 2, 3 Obor Anotace CZ.1.07/1.5.00/34.0514 III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Logické obvody sekvenční,
VíceManuální, technická a elektrozručnost
Manuální, technická a elektrozručnost Realizace praktických úloh zaměřených na dovednosti v oblastech: Vybavení elektrolaboratoře Schématické značky, základy pájení Fyzikální principy činnosti základních
Více[Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] Na rezistoru je napětí 25 V a teče jím proud 50 ma. Rezistor má hodnotu.
[Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] 04.01.01 Na rezistoru je napětí 5 V a teče jím proud 25 ma. Rezistor má hodnotu. A) 100 ohmů B) 150 ohmů C) 200 ohmů 04.01.02 Na rezistoru
VíceManuál přípravku FPGA University Board (FUB)
Manuál přípravku FPGA University Board (FUB) Rozmístění prvků na přípravku Obr. 1: Rozmístění prvků na přípravku Na obrázku (Obr. 1) je osazený přípravek s FPGA obvodem Altera Cyclone III EP3C5E144C8 a
VíceFEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů
Unipolární tranzistory Řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem: FET [Field - Effect Transistor] Proud přenášen jedním typem nosičů náboje (unipolární): - majoritní nosiče v inverzním kanálu - neuplatňuje
VíceLogická sonda do ruky. Milan Horkel
TTLPROBE MLB Logická sonda do ruky Milan Horkel Logická sonda slouží k zobrazování logických stavů H a L a neurčitého stavu X TTL logiky na třech LED. Logická sonda zobrazuje krátké impulsy na vstupu tak,
VíceStroboskop pro školní experimenty
Stroboskop pro školní experimenty PAVEL KRATOCHVÍL ZČU, Pedagogická fakulta Demonstrace stroboskopického jevu může být zajímavým zpestřením výuky fyziky. Bohužel se jedná o okrajové téma, takže se školám
VíceJednofázové a třífázové polovodičové spínací přístroje
Jednofázové a třífázové polovodičové spínací přístroje Použité spínací elementy tyristory triaky GTO tyristory Zapínání dle potřeby aplikace Vypínání buď v přirozené nule proudu nebo s nucenou komutací
Více