Stanovisko hodnotící komise k návrhu Matematicko-fyzikální fakulty UK na jmenování uchazeče doc. RNDr, Ivana Ošťádala, CSc. profesorem pro obor: Fyzika - Fyzika povrchů a rozhraní Složení komise: Předseda: Členové: Doporučení od: Prof. RNDr. Ladislav Skrbek, DrSc. Matematicko-ťyzikální fakulta UK Praha Prof. RNDr. Hynek Biederman, DrSc. Matematicko-fyzikální fakulta UK Praha prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. CEITEC VUT Brno prof. RNDr, Vladimír Čech, Ph.D. Fakulta chemická VUT Brno RNDr. Antonín Fejfar, CSc. Fyzikální ústav AV ČR Praha Prof, Dr. Thomas Michely Universitat zu Kóln Prof. Alastair B. McLean University Queen Kingston, Canada Prof. Leszek Jurczyszyn Uniwersytet Wroclawski Wrocíaw, Poland Generováno systémem Habilion
. Základní údaje o uchazeči.. Jméno, příjmení (dřívější příjmení), tituly, místo a datum narozeni doc. RNDr. Ivan Ošťádal, CSc., Šumperk, 2.2.956.2. Průběh vzdělání a získání vědeckých hodností Získané tituly doktor přírodních věd: 98, Univerzita Karlova v Praze, Matematicko-fyzikální fakulta docent: 998, Univerzita Karlova v Praze, Matematicko-fyzikální fakulta kandidát věd: 987, Univerzita Karlova v Praze, Matematicko-fyzikální fakulta.3. Průběh zaměstnáni 98-dosud, Univerzita Karlova v Praze, Matematicko-fyzikální fakulta 98-983, aspirant 983-987, odborný pracovník 986-995, odborný asistent 996-999, samostatný vědecký pracovník 99-996, hospodář katedry 993-dosud, vedoucí skupiny tenkých vrstev 999-dosud, docent, Katedra fyziky povrchů a plazmatu l.4. Zahraniční pobyty 989-99, Velká Británie, Londýn, King's College London, Department of Physics, Dielectric Group, prof. Robert M. Hill, stipendium Britské rady, měsíců, měření střídavé vodivosti nespojitých vrstev Pt, navázání spolupráce s profesorem R.M. Hillem. 992, Velká Británie, Leicester, DeMontfort University (l měsíc), Department of Physics, prof. R. Pritchard, příprava zařízení STM; Londýn, King's College (l měsíc), Department of Physics, prof. R.M. Hill, programy na zpracování měření střídavé vodivosti, měření na strukturách Al-SiOx-Al, studijní pobyty v rámci projektu Tempus JEP 23/99-93, červen-červenec 992. 993, Velká Británie, Lancaster University, King's College London, 2 měsíce, studijní pobyt pro přípravu přednášek (zaměřených na techniku STM, měření elektrického šumu a relaxací) a seznámení s organizací a náplní výuky fyziky na navštívených univerzitách, grant Tempus IMG-93-CZ-238, červen-červenec 993. strana 2
2. Pedagogická činnost 2.. Výkon funkce garanta studijního programu nebo člena (předsedy) rady garanta bakalářského nebo magisterského studijního programu anebo člena (předsedy) oborové rady doktorského studijního programu 99-2, člen oborové rady doktorského studijního programu F5 - Fyzikální elektronika, 2-dosud, člen oborové rady doktorského studijního programu fyzika, předseda oborové rady F5 - fyzika povrchů a rozhraní, 2-dosud, místopředseda komise K7 pro obhajoby doktorských disertačních prací, 2.. Výuka v pregraduálním studiu 28 / 29 29/2 2/2 2 /22 22/23 23/24 Přednášky (hodin ročně) 3 4 3 4 3 52 Semináře (hodin ročně) Praktická výuka - stáže, cvičení, laboratorní práce (hodin ročně) 52 67 57 52 52 52 CŽV (hodin ročně) 2.2. Vedení absolventů pregraduálního a doktorského studia 2.2.. Vedení bakalářských magisterských prací Bc. vedení 2 íoho absolventi Mgr. vedeni z toho absolventi 28 / 29 3 29/2 2 2/2 2 2 /22 2 22/23 23/24 strana 3
2.2.2. Vedení doktorandů Jméno doktoranda Michael Kučera Filip Rozbořil Josef Mysliveček Tomáš Jarolímek Jakub Javorský Libor Léčko Martin Setvín Karel Majer Téma doktorské práce Studium adsorpce a růstu nanostruktur kovů na povrchu křemíku pomocí STM tudium manipulace adatomů na površích křemíku pomocí STM Scanning Tunneling Microscopy study of Initia! Stages of Growth of Metals on Si()-{7x7)Surface Early Stages of Ag Heteroepitaxial Growth on Si()- (7x7) Surface Early stages of indium growth on thesi(ioo) surface Studium šumových a emisních vlastností M- I-M struktur Interaction of group III and IVmetals with Si() surface in temperature range from 2 to 8K Záznam procesů na površích křemíku pomocí STM Zahájení studia 2 22 997 997 26 992 26 23 Ukončení studia 2 25 2 996 22 Způsob ukončení studium probíhá studium probíhá absolvent absolvent absolvent absolvent absolvent studium probíhá 2.3. Stručná charakteristika hlavních vyučovacích předmětů Fyzika II. - Elektřina a magnetismus, NOFY8, Přednáška základního kurzu výuky obecné fyziky bakalářského studia na Matematicko-fyzikální fakultě. Proseminář z elektrodynamiky, NOFY, přednáška doplňující základní kurz Elektřiny a magnetismu o další vybrané problémy a aplikace v současné fyzice, důraz na aktuální fyzikální problémy. Fyzika II. - Elektřina a magnetismus, NUFY, Přednáška základního kurzu fyziky určená pro studenty učitelství fyziky. Statistika a teorie informace ve fyzice, NEVF43, Přednáška pro magisterské studium fyziky zaměření Fyzika povrchů a ionizovaných prostředí, zabývá se náhodnými procesy, měřením a zpracováním náhodných signálů, obsah přednášky úzce souvisí s fyzikálními problémy řešenými v rámci diplomových prací studijní specializace. Rádkovací mikroskopie-stm, AFM, NEVF6, Přednáška pro magisterské studium fyziky zaměřené na fyziku povrchů a pevných látek, úvod do problematiky mikroskopických technik strana 4
umožňujících měření s atomárním rozlišením - skenovací tunelové mikroskopie a mikroskopie atomárních sil. Metody fyziky povrchů a tenkých vrstev II, NEVF56, Přednáška určená studentům doktorského studia zaměření 4F5-fyzika povrchů a rozhraní, přehled mikroskopických technik a analýz využívaných v současnosti ve fyzice povrchů, důraz na nejnovější poznatky a používané metodiky ve fyzice nanostruktur a nanomateriálů. 2.4. Autorství učebnic a dalších studijních pomůcek Učebnice a skripta Atlasy e-learningové programy Specifické studijní pomůcky 3. Vědecko-výzkumná činnost 3.. Publikace vědecko-vvzkumného charakteru a tvůrčího charakteru české a slovenské cizojazyčné celkem posí. 5 let hlavní autor celkem posl. 5 let hlavní autor monografie kap. v monografiích periodika s IF 4 6 rec. časopisy bez IF 6 2 řeč. sborníky bez IF 4 4 krií. edice pramenů koment. překlady 3.2. Vydavatel monografie 3.3. Nejvýznamnější práce uchazeče Ošťádal I., Kocán P., Sobotík P., Pudl J., Direct observation of long-range assisted formation of Ag clusters on Si(lll)7x7, Phys. Rév. Lett, 95(4): Art. No. 46 (4 pages), 25. (IF 7.943, cit: 29); První experimentální záznam průběhu adsorpce a růstu klastrů pro téměř nepohyblivé adatomy na povrchu - pomocí skenovaní tunelové mikroskopie během depozice kovu. Potvrzení existence daleko-dosahové interakce mezi atomy adsorbátu. Mysliveček J., Sobotík P., Ošťádal., and Jarolínek T., Unconventional features of Ag epitaxy on 8()7*7 surface, Phys. Rév. B, 63(4): Art. No. 4543 (5 pages), 2. (IF 3.767, cit: 33); Propojení růstových experimentů za různých podmínek s kinetickými Monte Carlo simulacemi růstu - první určení difúzních parametrů a vazebních energií pro studovaný systém. Sobotík P., Kocán P., Ošťádal L, Direct observation of Ag intercell hopping on the Si(l )-(7*7) surface, Surf. Sci., 537(-3): L442-446, 23. (IF.838, cit: 2); strana 5
Určení parametrů povrchové difúze ze záznamu pohybu atomů pomocí STM při různých teplotách poprvé pro daný systém. Mysliveček J., Strózecka A., Steffl J., Sobotík R, Ošťádal L, and Voigtlander B., Structure of the adatom electron band of the Si(l l l)-7x? surface, Phys. Rév. B, 73(6): Art. No. 632(R) (4 pages), 26. (IF 3.767, cit: 25); Podrobná studie elektronové struktury povrchu křemíku s rekonstrukcí 7*7 a vlivu teploty na průběh naměřených spekter v důsledku pronikání pole do polovodiče. Setvín M., Mutotnbo P., Ondráček M., Majcik Z., Švec M., Cháb V., Ošťádal L, Sobotík P., Jelínek P., Chemical Identification of Single Atoms in Heterogeneous IH-IV Chains on Si(lOO) Surface by Means of nc-afm and DFT Caículations, ACS Nano 6(8): 6969-6976, 22. (IF 2.62, cit: 5); Spojení experimentálních a teoretických přístupů pro spolehlivou identifikaci typu jednotlivých atomů poprvé pro heterogenní nanostruktury kovů na Si, které mohou obsahovat jak homogenní tak smíšené dimery. 3.4. Citace 3.4.. Celkový počet citací dle WOS bez a u točitá čí Pozn.: Za autocitaci je považováno, je-li uchazeč na seznamu autorů citovaného i citujícího díla. 3.4.2. Počet citovaných prací dle WOS 3.4.3. Počet citací prací uchazeče vydaných v posledních pěti letech dle WOS bez autocitaci 3.4.4. H-index uchazeče dle WOS 265 39 2 2 3.4.5, Údaje 3.4. až 3.4.4 dle jiné metodiky metodika celkový počet citací bez autocitaci poceí citovaných prací počet citaci prací uchazeče vydaných v posledních pěti letech bez autocitaci H-index uchazeče 3.5. Celkové hodnocení publikační činnosti uchazeče Za nejvýznamnější publikace se spoluautorstvím doc. RNDr. L Ošťádala, CSc., lze považovat původní vědecké články v odborných časopisech s vysokým IF, zejména v ACS NANO (Ix, IF 2), Physical Review Letters (Ix, IF7,9), Physical Review B (llx, IF3,8) ae (Ix, IF2,3) a Surface Science (2x, IF,8), celkově jde podle Web of Science o 47 prací. Na jeho publikace bylo k 3.2. 23 265 cizích citací (k 5.5.24 přibyly další 4), hodnota Hirschova indexu h=2. Tyto publikace odrážejí fakt, že doc. Ošťádal založil výzkumnou skupinu zaměřenou na rastrovací tunelovací mikroskopii a její využití při studiu povrchů a nanostruktur. Od dob konstrukce prvního mikroskopu tým doc. Ošťádala využil mikroskop k provedení řady experimentů s uspořádáním atomů kovů na křemíkových površích. Mezi podstatné výsledky patří popís uspořádání stříbra na rekonstruovaném povrchu Si(lll)7x7. Publikované výsledky jsou vždy opřeny o důkladnou fyzikální analýzu a doplněny simulacemi metodou Monte Carlo, které dovolily určit parametry mikroskopických dějů na povrchu. strana 6
Protože téměř všechny původní vědecké práce uvedené v seznamu publikací (kromě Cl-, Cl-2 a C3-), jakož i kapitola v monografii byly publikovány se spoluautorstvím doc. RNDr. P. Sobotíka, CSc. ze stejného pracoviště MFF UK, vyžádala si komise jejich vyjádření k podílu na těchto společných publikacích, které uvádí, že experimentální data byla získána pomocí STM vyvinutých společně oběma autory, měřící hlava STM - Ivan Ošťádal, řídicí elektronika a ovládání - P. Sobotík a že se oba autoři ve srovnatelné míře podíleli na formulování řešených problémů, interpretaci dat a přípravě získaných výsledků k publikaci. Vzhledem k uvedeným skutečnostem, délce odborné kariéry uchazeče, s přihlédnutím ke specifice oboru a poměrně nevysokému počtu cizích citací (2) na práce za posledních pět let hodnotí komise publikační činnost (zejména citační ohlas) doc. RNDr. I. Ošťádala spíše jako průměrnou, avšak vyhovující požadavkům pro jmenování profesorem. 3.6. Řešitelství grantů, výzkumných záměrů a center 3.6.. Řešitel Roky realizace 26-28 997-999 997-999 999-2 2-23 993-995 Název a číslo grantu, VZ nebo VC In-vivo STM study of atomically resolved processes at growíh of metal nanostrucíures on Si() surfaces, 22/6/49 STM study of epitaxiai thin metal films, GAUK-34/97 STM investigation of initial síages of metal epitaxy on Si( ) and Si( ) surfaces, 22/97/ 9 In-vivo STM study of growth of Ag (Pb) on Si() surface at temperatures -4K, 47/999/B FYZ/MFF Study of metal heíeroepiíaxy on Si surfaces, 22//928 STM and STS study of structure and electronic properties at surfaces, GAUK-293 Poskytovatel GAČR GAUK GACR GAUK GAČR GAUK 3.6.2. Spoluřešitel Roky realizace Název a číslo grantu. VZ nebo VC Poskytovatel 3.6.3. Člen řešitelského týmu Roky realizace 2-22 29-2 23-25 Název a číslo grantu, VZ nebo VC Studium bimeíaiických nanostruktur na povrchu Si() v atomárním měřítku, P24/ /952 Růst uspořádaných nanostrukíur kovů IIIA skupiny na povrchu Si()-5x5,22/9/P33 Prostorově rozlišená rastrovací tunelová spektroskopie kovů na povrchu Si, 22/3/792 Poskytovatel GAČR GAČR GAČR 3.7. Autorství (případně spoluautorstvi) patentů 3. 7.. Patenty Patenty podané přijaté v České republice v zahraničí (kde? - EU, USA, JV Asie,...) strana?
3.7.2. Patenty aplikované v praxi (stručná charakteristika) Licenční smlouva pro v jednání uzavřena Českou republiku zahraničí (kde? - EU, USA, JV Asie,...) 3.8. Stručná charakteristika hlavních témat vědecko-výzkumné činnosti uchazeče Příprava a studium nanostruktur kovů na površích křemíku - studium morfologie a elektronové struktury pomocí skenovaní tunelové mikroskopie (STM) a spektroskopie (STS), vliv morfologie na elektronovou strukturu; přímé pozorování procesů adsorpce, povrchové difúze a nukleace s atomárním rozlišením pomocí STM - experimentální stanovení parametrů procesů na atomární úrovni, manipulace atomy; studium vlivu podmínek na kinetiku růstu - Monte Carlo simulace povrchových procesů; elektrický transport, relaxace a šum v tenkovrstvových systémech a na rozhraních kov - dielektrikum. Vývoj a konstrukce zařízení STM a systémů pro ultravakuové experimenty s využitím STM. Doc. Ivan Ošťádal patří k úspěšným zakladatelům rastrovací tunelové mikroskopie (STM) v České republice. V prvních letech své výzkumné činnosti se v této oblasti věnoval zejména konstrukci vlastního mikroskopu STM, a to zejména jeho mechanické části. Zde uplatil především své fyzikální znalosti i technický cit pro přesnou mechaniku. Takto zvolená cesta, vynucená nedostatkem financí k zakoupení komerčního zařízení, byla spojena s řadou technických a organizačních úskalí a z počátku pochopitelně vedla i k méně intenzivní publikační činnosti. Na druhé straně umožnila Ivanu OŠťádalovi lépe proniknout do podstaty této fascinující techniky a získat parametry vyvíjeného zařízení na špičkové úrovni. Existence mikroskopu dosahujícího atomárního rozlišení umožnila Ivanu OŠťádalovi kolem sebe vytvářet skupinu studentů a začít systematický výzkum povrchů touto technikou. Byla postupně zdokonalena elektronická řídící jednotka zařízení, vyvinuty napařovací cely a in siru metody pro depozici povrchových superstruktur (např. Pb) a zahájeny práce na numerických modelech pro simulaci povrchových procesů. Témata, kterým se doc. Ošťádal dosud věnoval ve své vědecké a odborné činnosti lze shrnout do následujícího přehledu: rozvoj techniky rastrovací tunelové mikroskopie (STM) a spektroskopie (STS); rozvoj mikroskopie v blízkém poli s rastrující sondou (SPM); vytvoření pracoviště zabývajícího se konstrukcí a využitím technik STM/STS pro analýzu povrchů; vytváření nanostruktur kovů na površích křemíku pro studium morfologie a elektronové struktury pomocí STM/STS, přímé pozorování procesů adsorpce, povrchové difúze a nukleace s atomárním rozlišením pomocí STM, manipulace atomy; rozvoj kinetických Monte Carlo simulací pro povrchové procesy; strana 8
vývoj a konstrukce zařízení STM a systémů pro ultravakuové experimenty s využitím STM; rozvoj sledování elektrického transportu, relaxace a šumu v tenkovrstvových systémech a na rozhraních kov/dielektrikum. Doc. Ošťádal prokázal schopost samostatně rozvíjet vlastní výzkumou činnost a dosahovat kvalitní mezinárodní úrovně. Nastíněný vývoj skupiny rovněž dokládá jeho organizační schopnosti založit a budovat kvalitní výzkumný tým. 4. Další tvůrčí činnost relevantní k oboru jmenování 4. l. Další profesní kvalifikace 4... Dosažená kvalifikace v oboru a datum dosažení (atestace, advokátní zkoušky apod.) 4..2. Výlučnost práce v oboru (provádění zvláště náročných výkonů, zavedení nových metod či zdokonalení stávajících atd.) Založení první laboratoře skenovací tunelové mikroskopie (STM) v zemi, vývoj a konstrukce vlastních STM zařízení (laboratoř je v současnosti jedním ze dvou českých pracovišť umožňujících celou škálu STM měření v ultravakuu a experimenty v širokém rozsahu teplot - vedle pracoviště ve FZU AVČR vybaveném komerčními STM Omicron). Autor dvou ultravakuových měřících hlav STM, spoluautor dvou systémů STM úspěšně využívaných pro experimenty ve skupině tenkých vrstev na KFPP. Zavedení a ověření metodiky experimentu in-vivo" - záznam povrchových procesů s atomárním rozlišením během depozice pod hrot STM" - pro případ velmi malé pohyblivosti deponovaných adatomů. 4.2. Autorství významných uměleckých děl či organizace tvůrčích akcí 4.2.. Nejvýznamnější díla nebo jiné realizace (vystoupení, koncerty, překlady krásné literatury a poezie atd.) 4.2.2. Hlavní přínos k umělecké činnosti v daném oboru (kupř. vytvoření nové technologie, stylu či založení školy) 4.2.3. Organizace významných akcí (workshopy, festivaly, symposia, výstavy atd.) 4.2.4. Recenze a jiné ohlasy na umělecká díla a tvůrčí činnost (katalogy výstav a dalších uměleckých akcí, monografie věnované uchazeči jako umělci, recenze v odborných časopisech atd.) strana 9
4.3. Popularizující publikace popularizující monografie kapitoly v popul. monografiích studie v nerecenz. časopisech a sbornících recenze v tisku a nerecenz.časopisech překlady edice sborníků články v tisku 5. Ostatní činnosti české a slovenské cizojazyčné 5.. Aktivní účast na mezinárodních vědeckých konferencích 5... Přednášející ve smyslu invited speaker (v příloze doložit zvacími dopisy nebo programy tří nejvýznamnějších akcí) 2nd International Workshop on Scanning Probe Microscopy, Česká republika, Brno, 22, invited speaker, STM experiments in ultra-high vacuum, zahraniční účast - A, 25.-26.3. 22. 7st Annual Meeting (Deutschen Physikalischen Gesselschaft), Německo, Regensburg, 27, invited speaker, Growing metals on silicon surfaces - STM study in-vivo, 26.-3. 3. 27. SPM workshop 23, Česká republika, Lednice, 23, invited speaker, Using STM for investigation of surface processes dynamics, zahraniční účast - A, 2.- 22. 3. 23. 5..2. Jako organizátor konference, člen jejího přípravného výboru 5..3. Předseda sekce konference (chairman) 8.2. ECOSS 28, Polsko, Wroclaw, 2, chairman, session: DIF - Surface diffusion and growth, 3. IVC-9, Francie, Paris, 23, chairman, session: ASS-6 - Oxidation and corrosion, oxide films and insulating films,. 9. 23. 5.2. Členství ve vědeckých nebo uměleckých radách 5.3. Členství v redakčních radách vědeckých časopisů 5.4. Významná ocenění za vědeckou činnost v oboru 5.5. Jiné 983-dosud,JČMF 986-dosud, ČFS (Česká fyzikami sekce) 23-dosud, Česká vakuová společnost, člen revizní komise, zástupce CVS v Electronic Materials and Processes Division při IUVSTA strana
6. Závěr stanoviska hodnotící komise Odůvodnění a závěr Na základě výše uvedených skutečností, doporučení zhraničních specialistů a referencí členů komise, kteří uchazeče profesně znají, komise konstatovala, že doc. RNDr. Ivan Ošťádal, CSc. je ve svém oboru v mezinárodním měřítku uznávanou osobností. K přednostem doc. Ošťádal a patří rozvoj teoretických a technických znalostí v oblasti rastrovací tunelové mikroskopie (STM) a spektroskopie (STS) a jejich využití při návrhu, konstrukci, oživení a optimalizaci dvou zařízení STM/STS a využití těchto zařízení v systémech pro analýzu povrchů materiálů a nanostruktur. Zformování první skupiny v ČR věnující se problematice STM již v 8-tých letech minulého století a později vytvoření pracoviště STM/STS, jehož se stal doc. Ošťádal vedoucím, je jeho velkou zásluhou. O jeho vědecké erudici svědčí i úspěšnost v získávání národních grantů (3 GAČR, 3 GAUK) a žádosti o posuzování zahraničních publikací a grantových projektů. Pedagogické schopnosti Ivana Ošťádala se projevují v mnoha podobách a úrovních. Během své výzkumné činnosti úspěšně vedl celou řadu diplomantů, doktorandů a mladých výzkumných pracovníků, z nichž někteří se stali jeho kolegy, jiní pak zakotvili na renomovaných výzkumných pracovištích doma (např. FZÚ AVCR) nebo i v zahraničí (např. TU Vídeň). V posledních 5-ti letech vyučuje v následujících předmětech: Řádkovací mikroskopie-stm, AFM Metody fyziky povrchů a TV II Praktikum II pro obor Obecná fyzika Fyzika II. Elektřina a magnetismus Proseminář z elektrodynamiky Statistika a teorie informace ve fyzice Experimentální metody fyziky povrchů a plazmatu (Transmisní eí. mikroskop) Na základě studentské ankety za letní semestr 22/3 byla jeho přednáška "Fyzika II. Elektřina a magnetismus" oceněna děkanem MFF UK jako nejlepší v základním kurzu fyziky na MFF UK. Od roku 2 je členem oborové rady doktorského studijního programu fyzika, předsedou oborové rady F5 - fyzika povrchů a rozhraní a místopředsedou komise K7 pro obhajoby doktorských disertačních prací. Doc. Ošťádal je aktivním členem České fyzikální sekce JČMF a České vakuové společnosti, kde působí jako člen revizní komise a zástupce CVS v Electronic Materials and Processes Division při IUVSTA. Komise doporučuje jmenovat doc. RNDr. Ivana Ošťádala, CSc., profesorem v oboru Fyzika - Fyzika povrchů a rozhraní. šíraná
Výsledek hlasování hodnotící komise Počet přítomných Hlasovalo pro ^ Hlasovalo proti ť) Zdržel se ^ V Praze dne A.'- vtt s\ $/^ (jména a podpisy členů komise) Předseda: prof. RNDr. Ladislav Skrbek, DrSc. Členové: prof. RNDr. Hynek Biederman, DrSc. prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. prof. RNDr. Vladimír Čech, Ph.D. RNDr. Antonín Fejfar, CSc. strana 2