Elektronické praktikum EPR1



Podobné dokumenty
2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě nízkofrekvenční nevýkonový tranzistor KC 639. Mezní hodnoty jsou uvedeny v tabulce:

propustný směr maximální proud I F MAX [ma] 75 < 1... při I F = 10mA > při I R = 1µA 60 < 0,4... při I F = 10mA > 60...

PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus

Elektronické praktikum EPR1

.100[% ; W, W ; V, A, V, A]

Typ UCE0 (V) IC (A) PCmax (W)

Měření vlastností a základních parametrů elektronických prvků

Laboratorní práce č. 2: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřený předmětem jsou v tomto případě polovodičové diody, jejich údaje jsou uvedeny v tabulce:

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě zenerova dioda její hodnoty jsou uvedeny v tabulce:

Praktikum II Elektřina a magnetismus

Abstrakt. fotodioda a fototranzistor) a s jejich základními charakteristikami.

Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody

MĚŘENÍ POLOVODIČOVÝCH DIOD 201-3R

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH

Klasifikace: bodů výborně bodů velmi dobře bodů dobře 0-49 bodů nevyhověl. Příklad testu je na následující straně.

VOLTAMPÉROVÉ CHARAKTERISTIKY DIOD

MĚŘENÍ VA CHARAKTERISTIK POLOVODIČOVÝCH DIOD

Měření vlastností a základních parametrů elektronických prvků

- Stabilizátory se Zenerovou diodou - Integrované stabilizátory

Obrázek 1: Schematická značka polovodičové diody. Obrázek 2: Vlevo dioda zapojená v propustném směru, vpravo dioda zapojená v závěrném směru

Měření VA charakteristik polovodičových diod

1.3 Bipolární tranzistor

Měření vlastností lineárních stabilizátorů. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS.

4.SCHÉMA ZAPOJENÍ +U CC 330Ω A Y

PRAKTIKUM... Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Odevzdal dne: Seznam použité literatury 0 1. Celkem max.

Manuální, technická a elektrozručnost

[Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] Na rezistoru je napětí 25 V a teče jím proud 50 ma. Rezistor má hodnotu.

Měření vlastností a základních parametrů elektronických prvků

Základní druhy tranzistorů řízených elektrickým polem: Technologie výroby: A) 1. : A) 2. : B) 1. :

Bipolární tranzistor. Bipolární tranzistor - struktura. Princip práce tranzistoru. Princip práce tranzistoru. Zapojení SC.

Technická měření v bezpečnostním inženýrství. Elektrická měření proud, napětí, odpor

Název: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení

Praktikum II Elektřina a magnetismus

Ukázka práce na nepájivém poli pro 2. ročník SE. Práce č. 1 - Stabilizovaný zdroj ZD + tranzistor

Stabiliz atory napˇet ı v nap ajec ıch zdroj ıch - mˇeˇren ı z akladn ıch parametr u Ondˇrej ˇ Sika

2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω.

A8B32IES Úvod do elektronických systémů

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Technická měření v bezpečnostním inženýrství. Elektrická měření proud, napětí, odpor

MĚŘENÍ NA USMĚRŇOVAČÍCH

VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů

Určeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče

Měření na unipolárním tranzistoru

Měření vlastností stejnosměrných tranzistorových zesilovačů

Dioda jako usměrňovač

Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Pracoval: Jiří Kozlík dne:

Popis měřeného předmětu: Zde bude uvedeno - základní parametry diod - zapojení pouzdra diod - VA charakteristika diod z katalogového listu

PRAKTIKUM II. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. úlohač.5 Název: Měření osciloskopem. Pracoval: Lukáš Ledvina

FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4

Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů

1.1 Pokyny pro měření

Bipolární tranzistory

Projekt Pospolu. Polovodičové součástky diody. Pro obor M/01 Informační technologie

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.

Elektrická měření pro I. ročník (Laboratorní cvičení)

Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Tematická oblast ELEKTRONIKA

Praktikum III - Optika

Petr Myška Datum úlohy: Ročník: první Datum protokolu:

MĚŘENÍ JALOVÉHO VÝKONU

Laboratorní cvičení č.15. Název: Měření na optoelektronických prvcích. Zadání: Popis měřeného předmětu: Teoretický rozbor:

Úloha 1: Zapojení integrovaného obvodu MA 7805 jako zdroje napětí a zdroje proudu

MĚŘENÍ VA CHARAKTERISTIK BIPOLÁRNÍHO TRANZISTORU

INTEGROVANÁ STŘEDNÍ ŠKOLA TECHNICKÁ BENEŠOV. Černoleská 1997, Benešov. Elektrická měření. Tematický okruh. Měření elektrických veličin.

Měření charakteristik fotocitlivých prvků

+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2

II. Nakreslete zapojení a popište funkci a význam součástí následujícího obvodu: Integrátor s OZ

ELEKTRICKÉ STROJE. Laboratorní cvičení LS 2013/2014. Měření ztrát 3f transformátoru

Obrázek a/struktura atomů čistého polovodičeb/polovodič typu N

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů tyristoru část Teoretický rozbor

Grafické řešení: obvod s fotodiodou

Návrh a analýza jednostupňového zesilovače

1. Stanovte a graficky znázorněte charakteristiky vakuové diody (EZ 81) a Zenerovy diody (KZ 703).

E L E K T R I C K Á M Ě Ř E N Í

Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

EUROPEAN TRADESMAN PROJECT NOTES ON ELECTRICAL TESTS OF ELECTRICAL INSTALLATIONS. Použití měřících přístrojů

FYZIKÁLNÍ PRAKTIKUM FJFI ČVUT V PRAZE. Úloha 11: Termická emise elektronů

2. Změřte a nakreslete zatěžovací charakteristiku až do zkratu.

ETC Embedded Technology Club setkání 5, 3B zahájení třetího ročníku

U01 = 30 V, U 02 = 15 V R 1 = R 4 = 5 Ω, R 2 = R 3 = 10 Ω

Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice 2 Číslo úlohy : 1

Fyzikální praktikum...

Charakteristiky diod. Cvičení 5. Elektronické prvky A2B34ELP. V-A charakteristika diody a její mezní parametry

Měření vlastností střídavého zesilovače

Tel-30 Nabíjení kapacitoru konstantním proudem [V(C1), I(C1)] Start: Transient Tranzientní analýza ukazuje, jaké napětí vytvoří proud 5mA za 4ms na ka

1 U Zapište hodnotu časové konstanty derivačního obvodu. Vyznačte měřítko na časové ose v uvedeném grafu.

Laboratorní práce č. 3: Měření elektrického proudu a napětí

A8B32IES Úvod do elektronických systémů

Tranzistory. tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor. Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET

Elektrotechnická měření - 2. ročník

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Teorie: Voltampérovou charakteristiku měříme v propustném i závěrném směru.

1.Zadání 2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU 3.TEORETICKÝ ROZBOR

PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus

1. Změřte voltampérovou charakteristiku vakuové diody (EZ 81) pomocí zapisovače 4106.

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

ELEKTRICKÝ PROUD V POLOVODIČÍCH

Transkript:

Elektronické praktikum EPR1 Úloha číslo 2 název Vlastnosti polovodičových prvků Vypracoval Pavel Pokorný PINF Datum měření 11. 11. 2008 vypracování protokolu 23. 11. 2008

Zadání 1. Seznamte se s funkcí a ovládáním snímače charakteristik HM6042 2. Prohlédněte si na měřiči charakteristik a zaznamenejte V-A charakteristiky různých typů diod: Ge dioda, Si dioda, LED diody různých barev, Zenerova (stabilizační) dioda. Charakterizujte diody úbytkem napětí v propustném směru při proudu 1 ma a závěrným napětím při proudu 100 μa. 3. Změřte V-A charakteristiky Si a Ge tranzistorů, odečtěte a v protokolu uveďte následující parametry: proudový zesilovací činitel zbytkový proud kolektoru při bázi nakrátko i naprázdno maximální napětí K-E při bázi nakrátko i naprázdno 4. Pomocí voltmetru a ampérmetru změřte podrobně V-A charakteristiku Zenerovy diody v závěrném směru, změřte strmost charakteristiky pro proud v závěrném směru v rozsahu proudů 10-20 ma. Diodu měřte v obvodě se zařazeným ochranným odporem v sérii o velikosti 100 300 Ohmů. Uveďte použité schéma zapojení. 5. Stejným způsobem změřte podrobně charakteristiku a určete strmost dvou LED diod různé barvy v propustném směru pro rozsah proudů 10-20 ma. Vypracování V-A charakteristika různých typů diod Graf 1 - Obecná V-A charakteristika diody V Graf 1 - Obecná V-A charakteristika diody je zakreslen přibližný průběh V-A charakteristiky běžné usměrňovací diody. Bod U O značí napětí, při kterém začíná diodou protékat proud v propustném směru, bod U Z značí napětí, při kterém začíná diodou protékat proud v závěrném směru a kde začíná průraz. Tato charakteristika je podobná i pro LED diody, pokud uvážíme pouze propustný směr (závěrný směr nemá u LED diod praktický význam). Pro Zenerovu (stabilizační) diodu platí následující charakteristika.

Graf 2 - V-A charakteristika Zenerovy diody V propustném směru má graf průběh podobný usměrňovací diodě, v závěrném směru je však závěrný proud minimální, až do dosažení Zenerova napětí, kdy proud diodou prudce vzroste. Na snímači charakteristik jsme si zobrazili a odečetli následující hodnoty, které popisují průběh grafu. Přístroj neumožňuje přesný odečet, proto jsou následující hodnoty částečně odhadnuté. Otevírací a průrazné napětí diod Typ diody U O [V] U Z [V] Ge 0,24-10,9 Si 0,48 > - 40V (mimo rozsah přístroje) LED červená 1,46 --- LED zelená 1,77 --- Zenerova --- -12,1 Tabulka 1 - Otevírací a průrazné napětí diod Napětí na diodě při daném proudu Ge Si LED červená LED zelená I [ma] U [V] I [ma] U [V] I [ma] U [V] I [ma] U [V] 1 0,4 0,75 0,57 0,9 1,5 1 1,84-0,1-21 -0,1 --- 10,79 0,86 9,5 0,7 10,7 1,61 12,51 2,23 18,68 1,06 18 0,73 22 1,65 18,8 2,38 Tabulka 2 - Napětí na diodách při daném proudu Hodnoty ve výše uvedených tabulkách upřesňují průběh grafu charakteristiky. Zároveň udávají úbytek napětí na diodě při daném proudu. V-A charakteristiky tranzistorů Na snímači charakteristik jsme změřili průběh charakteristiky tranzistorů PNP (C557C) a NPN (C547C). V obou případech se jednalo o křemíkové tranzistory. Následující tabulka uvádí pro různé proudy bází velikost proudového zesilovacího činitele β a hodnotu napětí U S, kdy se tranzistor saturuje (kolektor začne dostatečně odebírat elektrony z emitoru a proud I C se téměř ustaluje na konstantní hodnotě).

Si PNP transistor C557C Si NPN transistor C547C I B *µa+ β (I C / I B ) U S [V] I B *µa+ β (I C / I B ) U S [V] -0,4 700 --- 0,2 433 --- -9,6 518 0,24 8,6 542 0,33-14,3 492 0,35 17,1 535 0,46-29,6 471 0,35 26,3 524 0,57-39,6 453 0,46 35,6 512 0,84 Tabulka 3 - Zesilovací činitel a saturačního napětí tranzistoru Pro upřesnění charakteristiky jsme odečetli velikost proudu I CE pro dvě pevné hodnoty napětí a pro různé proudy bází. Si PNP transistor C557C Si NPN transistor C547C I B *µa+ I CE pro U CE = 0,8V [ma] I CE pro U CE = 9,6V [ma] I B *µa+ I CE pro U CE = 0,8V [ma] I CE pro U CE = 9,6V [ma] -0,4 0 0,31 0,2 0 0-9,6 4,26 5,46 8,6 4,6 4,99-14,3 8,19 10,56 17,1 8,89 9,65-29,6 11,72 15,25 26,3 13,32 14,58-39,6 14,98 19,64 35,6 17,44 19,32 Tabulka 4 - I CE pro dané napětí a různé I B Ve spolupráci s ing. Pavlem jsme změřili zbytkový proud kolektoru při bázi nakrátko a naprázdno pro germaniový a křemíkový tranzistor. Typ tranzistoru I LC *µa+ (zbytkový proud kolektorem) B-E spojeno B-E rozpojeno Ge 15 250 Si < 1nA < 1nA Tabulka 5 - Zbytkový proud kolektoru Maximální napětí C-E jsme měřili na tranzistoru C547C (Si NPN tranzistor) při bázi nakrátko a naprázdno. Toto měření jsme také provedli ve spolupráci s ing. Pavlem. Zapojení U CE [V] Poznámka Báze naprázdno 65 2. průraz Báze nakrátko 140 1. průraz Tabulka 6 - Napětí U CE při bázi naprázdno a nakrátko Charakteristika Zenerovy diody a LED diody Podle následujícího schématu jsme sestavili obvod pro měření strmosti charakteristiky Zenerovy diody. Schéma 1 - Zapojení pro měření Zenerovy diody Podobné zapojení jsme použili pro změření charakteristiky dvou různě barevných LED diod.

Napětí na diodě [V] Schéma 2 - Zapojení pro měření LED diody Naměřené hodnoty jsou v následující tabulce a grafech. Měřili jsme v rozsahu proudu 10-20 ma s krokem 1 ma. I [ma] U [V] Zenerova LED červená LED zelená 10 13 1,24 2,26 11 13,4 2,29 2,28 12 13,6 2,33 2,3 13 13,7 2,4 2,33 14 14 2,44 2,35 15 14 2,52 2,38 16 14 2,53 2,4 17 14,2 2,64 2,43 18 14,4 2,65 2,45 19 14,6 2,69 2,48 20 14,8 2,74 2,5 Tabulka 7 - Charakteristika Zenerovy a LED diod 2,8 2,7 V-A charakteristika LED diod pro proud 10-20 ma Fitovací funkce: y = 0,0512x + 1,7295 2,6 2,5 2,4 2,3 Fitovací funkce: y = 0,0245x + 2,01 Červená LED Zelená LED Fit (červená LED) Fit (zelená LED) 2,2 10 12 14 16 18 20 Proud LED diodou [ma] Graf 3 - V-A charakteristika LED diod

Napětí na diodě [V] 15 14,8 14,6 14,4 14,2 14 13,8 13,6 13,4 13,2 13 12,8 V-A charakteristika Zenerovy diody pro proud 10-20 ma Fitovací funkce: y = 0,1564x + 11,627 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 Proud diodou [ma] Graf 4 - V-A charakteristika Zenerovy diody Závěr 1. Seznámení 2. Charakteristiky diod jsou zakresleny obecně v grafech Graf 1 - Obecná V-A charakteristika diody a Graf 2 - V-A charakteristika Zenerovy diody. Konkrétní hodnoty významných bodů grafu jsou uvedeny v Tabulka 1 - Otevírací a průrazné napětí diod. Charakteristika diod pomocí napětí při daném proudu je popsána v Tabulka 2 - Napětí na diodách při daném proudu 3. Údaje o charakteristice tranzistorů jsou uvedeny v Tabulka 3 - Zesilovací činitel a saturačního napětí tranzistoru a Tabulka 4 - I CE pro dané napětí a různé I B Ve spolupráci s ing. Pavlem jsme stanovili zbytkový proud kolektoru při bázi nakrátko i naprázdno a maximální napětí K-E při bázi nakrátko i naprázdno. Hodnoty jsou uvedeny v Tabulka 5 - Zbytkový proud kolektoru a Tabulka 6 - Napětí U CE při bázi naprázdno a nakrátko. 4. Podle Schéma 1 - Zapojení pro měření Zenerovy diody jsme zapojili obvod a změřili závislost napětí na proudu Zenerovou diodou. Naměřená data jsou uvedena v Tabulka 7 - Charakteristika Zenerovy a LED diod. Graf 4 - V-A charakteristika Zenerovy diody zobrazuje tyto data. Pomocí lineárního fitu, jsme určili strmost charakteristiky na 0,1564 V/mA, tj. 6,3939 ma/v. 5. Podle Schéma 2 - Zapojení pro měření LED diody jsme zapojili obvod a změřili závislost napětí na proudu Zenerovou diodou. Naměřená data jsou uvedena v Tabulka 7 - Charakteristika Zenerovy a LED diod. Graf 3 - V-A charakteristika LED diod zobrazuje tyto data. Pomocí lineárního fitu, jsme určili strmost charakteristiky pro červenou LED na 0,0512 V/mA, tj. 19,5313 ma/v. U zelené LED je strmost charakteristiky hodnoty 0,0245 V/mA, tj. 40,8163 ma/v.