Fotodioda ve fotovodivostním a fotovoltaickém režimu OPTRON

Podobné dokumenty
Laboratorní cvičení č.15. Název: Měření na optoelektronických prvcích. Zadání: Popis měřeného předmětu: Teoretický rozbor:

Optoelektronika. Zdroje. Detektory. Systémy

Bipolární tranzistory

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2

Jméno a příjmení. Ročník. Měřeno dne Příprava Opravy Učitel Hodnocení. Charakteristiky optoelektronických součástek

Charakteristiky optoelektronických součástek

ETC Embedded Technology Club setkání 5, 3B zahájení třetího ročníku

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření optoelektronického vazebního členu, část

2-LC: Měření elektrických vlastností výkonových spínačů (I)

FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4

Bipolární tranzistor. Bipolární tranzistor - struktura. Princip práce tranzistoru. Princip práce tranzistoru. Zapojení SC.

1.3 Bipolární tranzistor

Abstrakt. fotodioda a fototranzistor) a s jejich základními charakteristikami.

MĚŘENÍ JALOVÉHO VÝKONU

Tranzistory. tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor. Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Cvičení 12. Příklad výkonové aplikace. Výkonový MOSFET spínání induktivní zátěže: Měření,

ETC Embedded Technology Club 10. setkání

1.Zadání 2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU 3.TEORETICKÝ ROZBOR

ETC Embedded Technology Club setkání 4, 3B zahájení třetího ročníku

2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω.

1.1 Pokyny pro měření

Kurs praktické elektroniky a kutění

Elektrická měření pro I. ročník (Laboratorní cvičení)

A8B32IES Úvod do elektronických systémů

Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek

Polovodičové senzory. Polovodičové materiály Teplotní závislost polovodiče Piezoodporový jev Fotonové jevy Radiační jevy Magnetoelektrické jevy

λ hc Optoelektronické součástky Fotorezistor, Laserová dioda

Klasifikace: bodů výborně bodů velmi dobře bodů dobře 0-49 bodů nevyhověl. Příklad testu je na následující straně.

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

Nalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R = 100 kω, φ = 5mW/cm 2.

Praktikum III - Optika

Unipolární tranzistor aplikace

Elektronické praktikum EPR1

TRANZISTOROVÝ ZESILOVAČ

2.3 Elektrický proud v polovodičích

Měření vlastností lineárních stabilizátorů. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS.

ETC Embedded Technology Club setkání 6, 3B zahájení třetího ročníku

Charakteristiky tranzistoru MOSFET

SEMESTRÁLNÍ PRÁCE Z PŘEDMĚTU NÁVRH A ANALÝZA ELEKTRONICKÝCH OBVODŮ

1. Navrhněte a prakticky realizujte pomocí odporových a kapacitních dekáda derivační obvod se zadanou časovou konstantu: τ 2 = 320µs

MĚŘENÍ PLANCKOVY KONSTANTY

ELN 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY 1/14 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY

Projekt Pospolu. Polovodičové součástky diody. Pro obor M/01 Informační technologie

Úloha 5: Charakteristiky optoelektronických součástek

Kód VM: VY_32_INOVACE_5 PAV04 Projekt: Zlepšení výuky na ZŠ Schulzovy sady registrační číslo: CZ.1.07./1.4.00/

4. Vysvětlete mechanismus fotovodivosti. Jak závisí fotovodivost na dopadajícím světelném záření?

GFK-2004-CZ Listopad Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Skladovací teplota -25 C až +85 C.

28 Charakteristiky optoelektronických součástek

Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody

FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů

II. Nakreslete zapojení a popište funkci a význam součástí následujícího obvodu: Integrátor s OZ

Měření Planckovy konstanty

A8B32IES Úvod do elektronických systémů

V4LM4S V AC/DC

Popis obvodu U2403B. Funkce integrovaného obvodu U2403B

Studium klopných obvodů

Multimetr byl navržen za účelem měření AC/DC napětí, AC/DC proudu, odporu, kapacity, pracovního cyklu, teploty a testování diod.

Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/

Zadání semestrálních prácí z předmětu Elektronické obvody. Jednodušší zadání

GFK-2005-CZ Prosinec Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Provozní teplota -25 C až +55 C. Skladovací teplota -25 C až +85 C

VLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU

4.10 Ovládač klávesnice 07 TC 91 Ovládání 32 přepínačů/kláves a 32 LED

Fakulta biomedic ınsk eho inˇzen yrstv ı Teoretick a elektrotechnika Prof. Ing. Jan Uhl ıˇr, CSc. L eto 2017

Název projektu: EU peníze školám. Základní škola, Hradec Králové, M. Horákové 258

Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1

Laboratorní zdroj - 3. část

Kategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-485 se používá pro:

Úloha č.9 - Detekce optického záření

1 Elektrotechnika 1. 14:00 hod. R 1 = R 2 = 5 Ω R 3 = 10 Ω U = 10 V I z = 1 A R R R U 1 = =

IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor speciální polovodičová struktura IGBT se používá jako spínací tranzistor nejdůležitější součástka výkonové

Součástky s více PN přechody

GFK-1904-CZ Duben Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Skladovací teplota -25 C až +85 C. Provozní vlhkost. Skladovací vlhkost

Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna

Pokud není uvedeno jinak, uvedený materiál je z vlastních zdrojů autora

1 Elektrotechnika 1. 11:00 hod. = + Δ= = 8

prodej opravy výkup transformátorů

Základní pojmy z oboru výkonová elektronika

Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/

VÝVOJOVÁ DESKA PRO JEDNOČIPOVÝ MIKROPOČÍTAČ PIC 16F88 A. ZADÁNÍ FUNKCE A ELEKTRICKÉ PARAMETRY: vstupní napětí: U IN AC = 12 V (např.

ELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky První a druhý průraz bipolárního

Návrh a analýza jednostupňového zesilovače

Identifikace vzdělávacího materiálu VY_52_INOVACE_F.9.A.10 EU OP VK

PRAKTIKUM... Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Odevzdal dne: Seznam použité literatury 0 1. Celkem max.

Měření vlastností jednostupňových zesilovačů. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS.

- Stabilizátory se Zenerovou diodou - Integrované stabilizátory

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření parametrů logického obvodu, část 3-6-5

1 Zadání. 2 Teoretický úvod. 4. Generátory obdélníkového signálu a MKO

Grafické řešení: obvod s fotodiodou

Multimetr MS8233D R115A

ČÍSLICOVÝ MULTIMETR AX-100

Měření základních vlastností logických IO TTL

11. Polovodičové diody

Fyzikální praktikum 3 Operační zesilovač

Převodník MM 6012 AC DC

Fotoelektrické snímače

(s výjimkou komparátoru v zapojení č. 5) se vyhněte saturaci výstupního napětí. Volte tedy

Optoelektronika. elektro-optické převodníky - LED, laserové diody, LCD. Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA)

Elektronika pro informační technologie (IEL)

Transkript:

Cvičení 13 Fotodioda ve fotovodivostním a fotovoltaickém režimu OPTRON Přenosová charakteristika optronu Dynamické vlastnosti optronu Elektronické prvky A2B34ELP

cv.13/str.2

cv.13/str.3

Fotodioda fotovodivostní režim Fotodioda zapojena jako spotřebič zdroj napětí + R z Určete pracovní bod fotodiody v obvodu při U CC =5V, R Z =150kΩ a intenzitě osvětlení 2mW.cm -2 U AK +I A. R Z +U CC = 0 cv.13/str.4

Fotodioda fotovodivostní režim Fotodioda zapojena jako spotřebič zdroj napětí + R z Určete pracovní bod fotodiody v obvodu při U CC =5V, R Z =150kΩ a intenzitě osvětlení 2mW.cm -2 U AK +I A. R Z +U CC = 0 U AK = 5 I A. 150000 U AK = U CC @ I A = 0 I A = U CC /R Z @ U AK =0 cv.13/str.5

Fotodioda fotovodivostní režim Fotodioda zapojena jako spotřebič zdroj napětí + R z Určete pracovní bod fotodiody v obvodu při U CC =5V, R Z =150kΩ a intenzitě osvětlení 2mW.cm -2 P 0 = [ 3 V ; 14 µa] P 0 cv.13/str.6

Fotodioda fotovoltaický režim Fotodioda zapojena jako zdroj + R z Určete pracovní bod fotodiody v obvodu při R Z =10kΩ a intenzitě osvětlení 5mW.cm -2 I A. R Z +U AK = 0 U AK = I A. 10000 cv.13/str.7

Fotodioda fotovoltaický režim Fotodioda zapojena jako zdroj + R z Určete pracovní bod fotodiody v obvodu při R Z =10kΩ a intenzitě osvětlení 5mW.cm -2 P 0 = [ 0,24V ; 24 µa] P 0 cv.13/str.8

Fotodioda fotovoltaický režim Rozvaha volby optimálního R Z závislost na osvětlení (zjednodušeno) R Z = U AK / I A obecná závislost U AK U AK0 + k 1.E obecná závislost I A k 2.E k 1, k 2 jsou obecné konstanty cv.13/str.9

Fotodioda fotovoltaický režim Rozvaha volby optimálního R Z závislost na osvětlení (zjednodušeno) R Z = U AK / I A R Z (U AK0 + k 1.E) / k 2.E R Z U AK0 / k 2.E + k 1 /k 2 obecná závislost U AK U AK0 + k 1.E konstanta konstanta R Z k / E obecná závislost I A k 2.E k, k 1, k 2 jsou obecné konstanty cv.13/str.10

Fotodioda fotovoltaický režim Rozvaha volby optimálního R Z závislost na osvětlení (zjednodušeno) R Z k / E hyperbolická závislost na intenzitě osvětlení E ve skutečnosti dynamická zátěž řízená mikroprocesorem obecná závislost U AK U AK0 + k 1.E obecná závislost I A k 2.E k, k 1, k 2 jsou obecné konstanty cv.13/str.11

Fotovoltaický panel - příklad cv.13/str.12

I F [A] Fotovoltaický panel - příklad P [W] Příklad charakteristik a volba optimálního R Z pro různá osvětlení E=1000W/m 2 E=800W/m 2 E=600W/m 2 maximální výkon při daném osvětlení U F [V] cv.13/str.13

I F [A] Fotovoltaický panel - příklad P [W] Příklad charakteristik a volba optimálního R Z pro různá osvětlení E=1000W/m 2 E=800W/m 2 P 0 = [ 28V ; 7,4A], R Z = 3,8 [Ω] E=600W/m 2 P 0 = [ 27V ; 6,0A], R Z = 4,5 [Ω] P 0 = [ 26V ; 4,4A], R Z = 5,9 [Ω] maximální výkon při daném osvětlení odpovídající pracovní bod při daném osvětlení U F [V] cv.13/str.14

OPTRON Přenosová charakteristika optronu Dynamické vlastnosti optronu cv.13/str.15

cv.13/str.16

cv.13/str.17

cv.13/str.18

cv.13/str.19

Měřící přípravek s optronem cv.13/str.20

Měřící přípravek s optronem 4N25 cv.13/str.21

I C [ma] Přenosová charakteristika optronu I U A R CC C I C R B 5 4 I CMAX = (U CC - U CEsat ) /R C Proudový přenosový poměr Current Transfer Ratio 3 2 1 CTR = I C / I A * 100 (%) 0 0 2 4 6 8 10 I A [ma] cv.13/str.22

Přenosová charakteristika optronu Změřte závislost I C = f (I A ) při R D = 1kΩ a R C = 1kΩ Proud I C odečtěte jako úbytek napětí na odporu R C = 1kΩ ( I C = U rc / R C ) a) R B = b) R B = 100kΩ Ochrana před přepólováním napájení Stabilizace napětí U CC U 1 R D = 1kΩ R C = 1kΩ 7805 I A I C U Rc +5V U CC D 1 +10 V R B cv.13/str.23

Zapojení měření přenosové charakteristiky optronu U 1 R D = 1kΩ R C = 1kΩ U Rc +5V 7805 I A I C U CC D 1 +10 V R B U Rc +10V U 1 cv.13/str.24

Přenosová charakteristika optronu Výsledky zaznamenejte do formuláře Excel: cv.13/str.25

Optron jako spínač, definice spínacích časů R D I A R C I C U 1 U AK U CE U CC I A I C LED svítí I CMAX = (U CC - U CEsat ) /R C 50% LED nesvítí R B t 90% I CMAX t d - doba zpoždění t r - doba náběhu t s - doba přesahu U CE t d t r U CC Tranzistor sepnutý t s t f t Tranzistor vypnutý 10% I CMAX 90% U CC t f - doba poklesu (týlu) Terminologie odpovídá průběhu proudu I C t on t off 10% U CC t cv.13/str.26

Optron jako spínač, definice spínacích časů R D I A R C I C U 1 U AK U CE U CC I A LED svítí I CMAX = (U CC - U CEsat ) /R C 50% LED nesvítí R B t I C 90% I CMAX t d t r t d - doba zpoždění (delay time) t s t f 10% I CMAX Dáno konečnou rychlostí injekce a následné rekombinace nosičů v LED (vyzáření energie ve formě fotonu) a konečnou dobou průletu minoritních nosičů bází tranzistoru t cv.13/str.27

Optron jako spínač, definice spínacích časů R D I A R C I C U 1 U AK U CE U CC I A LED svítí I CMAX = (U CC - U CEsat ) /R C 50% LED nesvítí R B t I C 90% I CMAX t d t r t r - doba náběhu (rise time) t s t f 10% I CMAX Nárůst kolektorového proudu z 10% na 90% maximální hodnoty Přechod tranzistoru z aktivního režimu do saturace t cv.13/str.28

Optron jako spínač, definice spínacích časů R D I A R C I C U 1 U AK U CE U CC I A LED svítí I CMAX = (U CC - U CEsat ) /R C 50% LED nesvítí R B t I C 90% I CMAX t d t r t s - doba přesahu (storage time) t s t f 10% I CMAX Saturační zpoždění Odsávání minoritních nosičů z báze do kolektoru, rekombinace minoritních nosičů v bázi t cv.13/str.29

Optron jako spínač, definice spínacích časů R D I A R C I C U 1 U AK U CE U CC I A LED svítí I CMAX = (U CC - U CEsat ) /R C 50% LED nesvítí R B t I C 90% I CMAX t d t r t f - doba poklesu (týlu) (fall time) t s t f 10% I CMAX Pokles kolektorového proudu z 90% na 10% maximální hodnoty Pokračující odsávání a rekombinace minoritních nosičů v bázi t cv.13/str.30

Zjednodušené zapojení přípravku ve spínacím režimu R D R C +5V I A 7805 D 1 +10 V U 1 D 3 U AK U CE U CC U 1 0 U CE U 1 = +10 V U CC = +5 V 50% U 1 = -10 V R B t Ochrana před přepólováním napájení Stabilizace napětí U CC 90% U CC t d - doba zpoždění t r - doba náběhu t s - doba přesahu t f - doba poklesu (týlu) 0 t d t r t s t f 10% U CC t Terminologie odpovídá průběhu proudu I C cv.13/str.31

20 Vpp Ochrana LED optronu před záporným napětím U 1 R D Průběh napětí U AK na přípravku R C +5V I A 7805 D 1 +10 V U 1 D 3 U AK U CE U CC U 1 0 U 1 = +10 V 50% U 1 = -10 V R B t U AK U AK = +1,4 V Propustný úbytek LED optronu 0 t U AK = -0,7 V Propustný úbytek ochranné diody D 3 cv.13/str.32

R D Zapojení měření ve spínacím režimu R C +5V I A 7805 D 1 +10 V U 1 D 3 U AK U CE U CC Square 20 Vpp, 10kHz/3kHz/600Hz (dle hodnoty R C ) R B +10V U 1 U AK U CE cv.13/str.33

Očekávané průběhy ve spínacím režimu R D R C +5V I A 7805 D 1 +10 V U 1 D 3 U AK Square 20 Vpp, 10kHz/3kHz/600Hz (dle hodnoty R C ) R B U CE U CC U AK 0 U AK = +1,4 V 50% U AK = -0,7 V Propustný úbytek LED optronu t Propustný úbytek ochranné diody D 3 U CE U CC = +5 V 90% U CC 0 t d t r t s t f 10% U CC t cv.13/str.34

Měření spínacích časů 1 U AK Změřte závislosti t d a t r na velikostech odporů R D a R B *) Terminologie odpovídá průběhu proudu I C doba zpoždění a doba náběhu *) t d =f(r D,R B ) a t r =f(r D,R B ) při R C = 1kΩ pro R D = 100, 470, 1kΩ a R B =, 100kΩ 0 U CE U CC = +5 V 50% t 90% U CC U 1 obdélník, +/- 10V (20Vpp), 10kHz pro všechny hodnoty R D a R B R D R C +5V I A 7805 0 t d t r D 1 10% U CC t +10 V U 1 D 3 U AK U CE U CC Square, 20 Vpp, 10kHz R B cv.13/str.35

Měření vypínacích časů 1 U AK Změřte závislosti t s a t f doba přesahu a doba poklesu *) na velikostech odporů R D a R B 0 50% t *) Terminologie odpovídá průběhu proudu I C t s =f(r D,R B ) a t f =f(r D,R B ) při R C = 1kΩ pro R D = 100, 470, 1kΩ a R B =, 100kΩ U 1 obdélník, +/- 10V (20Vpp), 10kHz pro všechny hodnoty R D a R B R D U CE R C 0 +5V I A 7805 t s U CC = +5 V t f D 1 90% U CC 10% U CC t +10 V U 1 D 3 U AK U CE U CC Square, 20 Vpp, 10kHz R B cv.13/str.36

Měření vypínacích časů 2 U AK Změřte závislosti t s a t f na velikostech odporů R C a R B *) Terminologie odpovídá průběhu proudu I C t s =f(r C,R B ) a t f =f(r C,R B ) při R D = 100Ω pro R C = 100, 1k, 10k, 100kΩ a R B =, 100kΩ Pozn.: při malém R C nemusí být optron vybuzen do saturace U 1 obdélník, +/- 10V (20Vpp), 10kHz pro R C = 1kΩ, 3kHz pro R C = 10kΩ, 600Hz pro R C = 100kΩ R D doba přesahu a doba poklesu *) R C +5V I A 7805 0 U CE 0 t s 50% U CC = +5 V t f D 1 t 90% U CC 10% U CC t +10 V U 1 D 3 U AK Square 20 Vpp, 10kHz/3kHz/600Hz (dle hodnoty R C ) R B U CE U CC cv.13/str.37

Optron dynamické vlastnosti Výsledky zaznamenejte a vyhodnoťte ve formuláři Excel: cv.13/str.38

Měření spotřeby optronu ve spínacím režimu Změřte závislost spotřeby přípravku I 2 na velikostech odporů R C a R B I 2 =f(r C,R B ) při R D = 100Ω pro R C = 100, 1k, 10k, 100kΩ a R B =, 100kΩ U 1 obdélník, +/- 10V (20Vpp), 1kHz Výsledky zaznamenejte do formuláře Excel Zdůvodněte nižší spotřebu při R B = 100 kω U 1 R D R C +5V 7805 D 1 I 2 U 2 +10 V D 3 Square, 20 Vpp, 1kHz R B cv.13/str.39

Hledání optimálních hodnot odporů rezistorů Nalezněte optimální hodnoty odporů rezistorů R D, R C a R B pro přenos obdélníkového signálu např. 20kHz Hodnoty odporů volte nejen z hlediska kvality přenášeného signálu (dob sepnutí a vypnutí), ale i minimální spotřeby I 2 a minimální zátěže vstupního signálu U 1 Výsledky zaznamenejte do formuláře Excel U 1 R D R C +5V 7805 D 1 I 2 U 2 +10 V D 3 Square, 20 Vpp, 20kHz R B cv.13/str.40

Optoelektronické součástky - zdroje a detektory

Optoelektronické součástky - zdroje a detektory Měření vlastností vazby zdroj - detektor (LED - fotodioda nebo fotoodpor) v závislosti na jejich spektrálních charakteristikách +10V

Optoelektronické součástky - zdroje a detektory D1 Použité fotodiody spektrální charakteristiky D2

Optoelektronické součástky - zdroje a detektory D3 Použité fotodiody spektrální charakteristiky D4 Light dependent resistor

Optoelektronické součástky - zdroje a detektory

Optoelektronické součástky - zdroje a detektory LED Materiál Barva světla/záření Vlnová délka [nm] Úbytek napětí @I F =20mA [V] SiC, GaN Modrá 450 3,6 GaP Zelená 565 2,2 GaAs 0,15 P 0,85 :N Žlutá 585 2,1 GaAs 0,35 P 0,65 :N, GaAs 0,6 P 0,4, GaP:Zn- O SiC/GaN + luminofor na povrchu čipu Červená 635 2,0 Bílá 450 650 4500K * GaAs:Si Infračervené záření 820 / 900 / 950 1,5 3,6