Podobné dokumenty










Izolaèní zesilovaèe s IL300 Zapojení izolaèních zesilovaèù s IL300 se liší pøedevším režimem v nichž pracují interní fotodiody Podle toho zda interní


3.7.5 Znaménkové operátory Násobící operátory Rùzné operátory Základní objekty Konstanty Sig

Kniha je urèena všem zájemcùm o teorii elektrických obvodù Poslouží jako pøíruèka pro praxi, ale i jako uèebnice pro studenty støedních a vysokých ško

Autor by chtìl podìkovat všem svým spolupracovníkùm a kolegùm, kteøí mu pomohli s pøípravou textu. K vydání knihy pøispìla firma Newport Electronics s


OBSAH PØEDMLUVA... 11


Kapitola 3 UNIPOLÁRNÍ TRNZISTORY 3.1 Obecný popis Unipolární tranzistory s pøechodovým hradlem (JFET) MOSFET MOSFET zvláštní k


NULOROVÉ MODELY Spokojíme-li se pouze se základní analýzou elektronického obvodu s ideálními prvky, osvìdèuje se èasto užití nulorových modelù aktivní

Zpětná vazba a linearita zesílení


2 Základní zapojení èasovaèe 555 Základní zapojení jsou taková zapojení, na kterých se na jedné stranì vysvìtlují základní principy funkce obvodu nebo





3/ %,1'(& 83'1 &( &3 )XQNFH. + ; ; ; ; / ; ; + ; EH]H]PuQ\


II. Nakreslete zapojení a popište funkci a význam součástí následujícího obvodu: Integrátor s OZ


ELEKTROMAGNETICKÁ KOMPATIBILITA,

Analogová elektronika





OPERA Č NÍ ZESILOVA Č E

4x kombinovaný analogový vstup s vysokou pøesností (0..10V, R, C)

David Matoušek ÈÍSLICOVÁ TECHNIKA základy konstruktérské praxe Bez pøedchozího písemného svolení nakladatelství nesmí být kterákoli èást kopírována ne

PŘEDNÁŠKA 2 - OBSAH. Přednáška 2 - Obsah

Jan Humlhans NÁBOJOVÉ PUMPY funkce, pøehled a použití Bez pøedchozího písemného svolení nakladatelství nesmí být kterákoli èást kopírována nebo rozmno


Senzor teploty. Katalogový list SMT

Zvyšování kvality výuky technických oborů

L1 L2 L3 + (~) - (~) SS1 + - SPCJ 4D28 3I> IRF SGR1. Start Trip Start Trip Start Trip SGR9 1 1 SGR4 1 3I>> 3I>>> SGR6 1 DI> Trip SGR

nažhavováním elektronek, takže nedochází k neúmìrnému pøetìžování filtraèních kondenzátorù pøi nábìhu anodového proudu. Polovodièový usmìròovaè vytvoø

Profilová část maturitní zkoušky 2015/2016

CTR pro optoèlen s LED a tranzistorem:,& &75 = [%] U, CE = const ) Obvykle CTR urèíme pøi I F = 10 ma a U CE = 5 V. Hodnoty zjistíme z tabulky.,& &75



Profilová část maturitní zkoušky 2016/2017



ELEKTRONIKA. Maturitní témata 2018/ L/01 POČÍTAČOVÉ A ZABEZPEČOVACÍ SYSTÉMY

Studium tranzistorového zesilovače

Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Hustopeče, Masarykovo nám. 1

Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika

Operační zesilovač. Úloha A2: Úkoly: Nutné vstupní znalosti: Diagnostika a testování elektronických systémů

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Signál v čase a jeho spektrum



Kapacita, indukčnost; kapacitor-kondenzátor, induktor-cívka

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl


Učební osnova předmětu ELEKTRONIKA

elektrické filtry Jiří Petržela aktivní prvky v elektrických filtrech

1 U Zapište hodnotu časové konstanty derivačního obvodu. Vyznačte měřítko na časové ose v uvedeném grafu.

Výpočet základních analogových obvodů a návrh realizačních schémat

Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Tematická oblast ELEKTRONIKA

[Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] Na rezistoru je napětí 25 V a teče jím proud 50 ma. Rezistor má hodnotu.


Bipolární tranzistory

Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek

Rádiové funkční bloky X37RFB Krystalové filtry

Zesilovače. Ing. M. Bešta

elektrické filtry Jiří Petržela všepropustné fázovací články, kmitočtové korektory

TEMATICKÝ PLÁN PŘEDMĚTU

Zvyšování kvality výuky technických oborů


Publikace prezentuje nìkteré poznatky z obsáhlé oblasti analogových soustav, které v poslední dobì prodìlávají rozvoj. Z toho dùvodu ani nemùže podat


Oscilátory. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EO.

Maturitní témata. 1. Elektronické obvody napájecích zdrojů. konstrukce transformátoru. konstrukce usměrňovačů. konstrukce filtrů v napájecích zdrojích

/2*,.$ 5(6(7 Ë=(1Ë +$/7 *(1(5È ',129é & 6./ $/8. ' /,ý. ýë7$ý 5(*,675 5(*, é. 6e5,29é 5(*,675 * $.808/È725 5:0. %8',ý(/ 45(*,675 5(*

teorie elektronických obvodů Jiří Petržela analýza šumu v elektronických obvodech

Karel Zaplatílek a Bohuslav Doòar MATLAB zaèínáme se signály Bez pøedchozího písemného svolení nakladatelství nesmí být kterákoli èást kopírována nebo

Stabilizátory napětí a proudu

teorie elektronických obvodů Jiří Petržela obvodové funkce

PŘEDNÁŠKA 1 - OBSAH. Přednáška 1 - Obsah

SKØÍÒOVÝ ROZVÁDÌÈ EZB 750L


Děliče napětí a zapojení tranzistoru



Technické údaje ÈÁST M.2. N.1 MAGNETOM Symphony N.1-1. N.2 Fyziologická mìøicí jednotka (PMU) N.2-1

Tel-30 Nabíjení kapacitoru konstantním proudem [V(C1), I(C1)] Start: Transient Tranzientní analýza ukazuje, jaké napětí vytvoří proud 5mA za 4ms na ka

Transkript:

PODROBNÝ OBSAH 1 PØENOSOVÉ VLASTNOSTI PASIVNÍCH LINEÁRNÍCH KOMPLEXNÍCH JEDNOBRANÙ A DVOJBRANÙ... 9 1.1 Úvod... 10 1.2 Èasové charakteristiky obvodu pøechodné dìje... 10 1.3 Pøechodné charakteristiky obvodù prvního øádu... 12 1.3.1 Pøechodný dìj v obvodu s kondenzátorem... 12 1.3.1.1 Nabíjení kondenzátoru... 12 1.3.1.2 Vybíjení kondenzátoru... 16 1.3.2 Pøechodný dìj v obvodu s cívkou... 18 1.3.2.1 Nabíjení cívky... 18 1.3.2.2 Vybíjení cívky... 21 1.3.2.3 Porovnání pøechodných jevù v obvodech s cívkou a s kondenzátorem... 23 1.3.3 RC a RL èlánky v impulzních obvodech... 24 1.3.3.1 RC a RL èlánek v obvodu s jedním impulzem... 24 1.3.3.2 RC a RL èlánek v prostøedí s øadou impulzù... 27 1.3.3.3 Vstupní impulzy jsou symetrické vùèi zemi... 32 1.4 Pasivní lineární obvodové prvky v prostøedí harmonického signálu... 35 1.4.1 Struèné zopakovaní závìrù o ideálních prvcích v prostøedí harmonického signálu... 35 1.4.2 Vázané cívky v prostøedí harmonického signálu... 38 1.4.3 Impedance, admitance, vodivost (konduktance), susceptance... 39 1.5 Základní pasivní RC a RL obvody v prostøedí harmonického signálu.. 40 1.5.1 Kmitoètová charakteristika (frequency response)... 40 1.5.1.1 Napì ový pøenos signálu dvojbranem... 41 1.5.1.2 Integraèní RC èlánek v prostøedí harmonického signálu... 43 1.5.1.3 Derivaèní RC èlánek v prostøedí harmonického signálu... 54 1.5.1.4 Integraèní LR èlánek v prostøedí harmonického signálu... 58 1.5.1.5 Derivaèní RL èlánek v prostøedí harmonického signálu... 59 1.5.2 Zatížený RL a RC èlánek... 59 1.5.2.1 Integraèní èlánek RC zatížený rezistorem RZ... 59 1.5.2.2 Integraèní RC èlánek zatížený kondenzátorem CZ... 64 1.5.2.3 Derivaèní RC èlánek zatížený kondenzátorem... 65 1.5.2.4 Derivaèní RC èlánek zatížený rezistorem RZ... 68 1.5.2.5 Zatížený LR èlánek... 68 1.6 Pøenosové funkce složených RC a RL dvojbranù... 73 1.6.1 Napì ové pøenosové funkce složených elektronických obvodù... 73 1.6.2 Pøenosové funkce složených RC a RL obvodù... 75 1.6.2.1 Složené integraèní RC èlánky s oddìlovacím èlenem... 75 1.6.2.2 Složené integraèní RC èlánky bez oddìlovacího èlenu... 78 1.6.2.3 Složené derivaèní èlánky... 80 4 J. DOLEÈEK: MODERNÍ UÈEBNICE ELEKTRONIKY 4. DÍL A

1.6.2.4 Spojení derivaèního a integraèního èlánku... 81 1.6.2.5 Složené integraèní a derivaèní RL èlánky... 85 1.7 Jednoduché RLC èlánky... 88 1.7.1 Pøechodný dìj v RLC obvodu... 88 1.7.2 Sériový RLC obvod v prostøedí harmonického signálu... 92 1.7.2.1 Impedance sériového obvodu RLC... 93 1.7.2.2 Proudový pøenos šíøka pásma a èinitel jakosti Q... 97 1.7.2.3 Sériový RLC obvod jako dvojbran... 99 1.7.3 Paralelní RLC obvod v prostøedí harmonického signálu... 103 1.7.4 Napájení rezonanèních obvodù... 107 2 PASIVNÍ KMITOÈTOVÉ FILTRY 1. A 2. ØÁDU... 109 2.1 Selektivní filtry... 110 2.2 Pasivní filtry 1. øádu... 111 2.3 Pasivní filtry druhého øádu... 113 2.3.1 Filtry RC 2. øádu... 113 2.3.1.1 Dolní, horní a pásmové propusti RC... 113 2.3.1.2 Pásmové zádrže RC... 120 2.3.2 Filtry RLC 2. øádu... 123 2.4 konstrukce modulové charakteristiky z obvodové funkce... 125 3 ANALÝZA ÈASOVÌ PROMÌNNÝCH SIGNÁLÙ... 129 3.1 Èasová závislost periodických signálù... 131 3.2 Kmitoètová závislost signálù spektrální analýza... 132 3.2.1 Harmonické signály... 132 3.2.2 Spektrální analýza periodického signálu... 133 3.3 Urèení harmonických složek periodického signálu... 134 3.3.1 Fourierovy øady... 134 3.3.2 Diskrétní Fourierova transformace a rychlá Fourierova transformace 138 4 ZESILOVAÈE... 141 4.1 Úvod... 142 4.1.1 Definice zesilovaèe... 142 4.1.2 Hlavní typy zesilovaèù... 143 4.1.3 Dùležité obecné parametry zesilovaèù... 145 4.1.4 Vícestupòové zesilovaèe... 151 4.2 Zpìtná vazba... 153 4.2.1 Princip a základní druhy zpìtné vazby... 153 4.2.1.1 Kladná a záporná zpìtná vazba... 155 4.2.1.2 Vliv zpìtné vazby na pøenosové vlastnosti zesilovaèù... 159 4.2.1.3 Základní druhy zpìtné vazby vzhledem k zapojení... 161 4.2.2 Stabilita zesilovaèe se zpìtnou vazbou... 166 A J. DOLEÈEK: MODERNÍ UÈEBNICE ELEKTRONIKY 4. DÍL 5

4.2.2.1 Zjištìní stability pomocí Bodeho charakteristik... 166 4.2.2.2 Nyquistovo kritérium stability... 168 4.2.3 Parazitní zpìtná vazba... 170 4.3 Zesilovaèe s bipolárními tranzistory... 173 4.3.1 Teplotní, kmitoètové a šumové vlastnosti bipolárních tranzistorù... 173 4.3.2 Nastavení pracovního bodu tranzistoru... 178 4.3.3 Teplotní stabilizace nastavení pracovního bodu... 182 4.3.3.1 Stabilizace pracovního bodu zavedením záporné zpìtné vazby... 182 4.3.3.2 Kompenzaèní metody stabilizace pracovního bodu tranzistoru... 188 4.3.4 Napì ové nízkofrekvenèní jednostupòové zesilovaèe v zapojení se spoleèným emitorem... 190 4.3.4.1 Oblast dolních kmitoètù... 192 4.3.4.2 Oblast støedních kmitoètù... 195 4.3.4.3 Oblast horních kmitoètù... 197 4.3.4.4 Orientaèní návrh tranzistorového zesilovaèe v zapojení se spoleèným emitorem... 198 4.3.5 Zapojení nízkofrekvenèního zesilovaèe se spoleèným kolektorem... 201 4.3.6 Vícestupòové tranzistorové zesilovaèe... 203 4.3.6.1 Støídavé vazby... 203 4.3.6.2 Stejnosmìrné vazby... 206 4.4 Zesilovaèe s unipolárními tranzistory... 209 4.4.1 Nastavení pracovního bodu unipolárních tranzistorù... 212 4.4.2 Zapojení se spoleèným emitorem... 213 4.5 Diferenèní (rozdílové) zesilovací stupnì... 219 4.5.1 Zesílení rozdílového signálu... 222 4.5.2 Zesílení souhlasného signálu... 225 4.5.3 Dùležité parametry diferenèních zesilovaèù... 226 4.5.3.1 Èinitel potlaèení souhlasného signálu (Common Mode Rejection Ratio-CMRR)... 226 4.5.3.2 Vstupní napì ová a proudová nesymetrie... 226 4.5.3.3 Vstupní a výstupní odpor... 227 4.5.3.4 Teplotní závislosti diferenèního zesilovaèe... 228 4.5.4 Diferenèní zesilovaè a velký signál... 229 4.5.5 Zdroje konstantního proudu... 230 4.5.6 Použití proudových zrcadel v diferenèních zesilovaèích... 233 4.5.7 Pøíklad orientaèního výpoètu diferenèního zesilovaèe... 235 4.6 Koncové a výkonové zesilovací stupnì... 238 4.6.1 Tøídy zesilovaèù... 238 4.6.1.1 Analogové tøídy zesilovaèù... 238 4.6.1.2 Realizace analogových koncových výkonových zesilovaèù... 245 4.6.1.3 Pøíklad orientaèního návrhu dvojèinného zapojení... 252 4.6.2 Tøídy spínaných zesilovaèù... 253 4.6.2.1 Zesilovaèe tøídy D a I... 254 4.6.2.2 Zesilovaè tøídy T... 257 4.6.2.3 Zesilovaèe tøídy E, F... 257 6 J. DOLEÈEK: MODERNÍ UÈEBNICE ELEKTRONIKY 4. DÍL A

4.6.3 Porovnání vlastností jednotlivých tøíd zesilovaèù... 258 4.6.4 Chlazení tranzistorù výkonových stupòù... 259 4.7 Širokopásmové (obrazové) zesilovaèe... 261 4.7.1 Hlavní zpùsoby provádìní korekcí... 261 4.7.1.1 Korekce v oblasti dolních kmitoètù... 261 4.7.1.2 Korekce v oblasti vysokých kmitoètù... 262 4.7.2 Zesilování impulzních signálù... 263 4.8 Vysokofrekvenèní zesilovaèe... 264 4.8.1 Úvod... 264 4.8.2 Širokopásmové vysokofrekvenèní zesilovaèe... 265 4.8.3 Vysokofrekvenèní zesilovaèe se selektivní zátìží... 266 4.9 Závìr... 273 DODATKY... 275 DODATEK A... 276 DODATEK B... 279 KNIHY NAKLADATELSTVÍ BEN TECHNICKÁ LITERATURA... 282 KONTAKTY NA PRODEJNY TECHNICKÉ LITERATURY 286 A J. DOLEÈEK: MODERNÍ UÈEBNICE ELEKTRONIKY 4. DÍL 7

O KNIZE Vývoj aplikací elektronických systémù je založen na širokém využití integrovaných obvodù a jejich stále se rozšiøujících funkèních schopností. Aèkoliv pro nerùznìjší aplikace elektroniky bìžnì používáme monolitické èi hybridní integrované obvody jako elektronické funkèní bloky a integrované zesilovaèe jsou dnes stejnì dostupnými souèástkami jako tranzistory (nìkdy i za podobnou cenu), mìli bychom pøed jejich použitím pochopit princip èinnosti základních elektronických obvodù, které tvoøí základ vnitøní obvodové struktury tìchto funkèních blokù. Proto je tento díl uèebnice zamìøen na výklad chování jednoduchých elektrických RC, RL a RLC obvodù v prostøedí impulzních a harmonických signálù. Jsou zde popsány pøechodné dìje a pøenosové vlastnosti základních dvojbranù v kmitoètové oblasti. Velká èást textu je vìnována použití tranzistorù ve funkci zesilovacích stupòù. Vhodným složením rùzných typù zesilovacích stupòù potom dojdeme k principu operaèních zesilovaèù, integrovaných výkonových, vysokofrekvenèních a širokopásmových zesilovaèù. Pochopení této èásti usnadní pochopení vlastností a aplikaèních schopností integrovaných funkèních blokù, mezi které, kromì již zmínìných operaèních a dalších typù zesilovaèù, mùžeme zaøadit analogovì èíslicové obvody až po analogovì-èíslicové programovatelné integrované funkèní bloky používané napø. pro moderní formy pøenosu a zpracování informací. Tøebaže vedlo používání integrovaných obvodù ke zlepšování technických parametrù, ke zvyšování spolehlivosti, zmenšování rozmìrù, snižování energetické spotøeby a ceny elektronických zaøízení, pøesto se nìkdy neobejdeme bez použití diskrétních souèástek. Jako pøíklad je možné uvést tøídu zesilovaèù oznaèovaných jako High-End, u kterých je možné dosáhnout nejvyšších kvalitativních parametrù pouze zapojeními s diskrétními souèástkami. Probíraná látka pøedpokládá znalost matematiky na úrovni støední školy, ètenáø by mìl být seznámen s vlastnostmi základních obvodových prvkù, bipolárních a unipolárních tranzistorù na úrovni 1. a 2. dílu této uèebnice. 8 J. DOLEÈEK: MODERNÍ UÈEBNICE ELEKTRONIKY 4. DÍL A