9/10/2012. Výkonové polovodičové součástky. Výkonové polovodičové součástky obsah prezentace. Výkonové polovodičové součástky přehled
|
|
- Tereza Čechová
- před 5 lety
- Počet zobrazení:
Transkript
1 Výkonové polovodičové součástky Konstrukce polovodičových měničů Výkonové polovodičové součástky obsah prezentace Aplikační možnosti výkonových polovodičových součástek Dioda Tyristor IGBT a MOSFET Pouzdra provedení VPS Technologie kontaktování přípojných terminálů Integrované snímače proudu a teploty ve VPS Spolehlivost výkonových polovodičových součástek Výrobci výkonových polovodičů Výkonové polovodičové součástky přehled Dioda Tyristor SCR Silicon-controlled rectifier GTO Gate Turn Off IGCT Integrated Gate Commutated Thyristor MCT MOS Commutated Thyristor Tranzistory BJT Bipolar Junction Transistor IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor MOSFET Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor 1
2 Aplikační možnosti výkonových polovodičových součástek - VPS Aplikační možnosti výkonových polovodičových součástek - VPS Oblast spínacích frekvencí VPS Aplikační oblasti a limity VSP DIODA vnitřní struktura 2
3 DIODA provedení pouzder DIODA statická charakteristika V RSM (U RSM ) neopakovatelné závěrné napětí V RRM (U RRM ) opakovatelné závěrné napětí V F (U F ) napětí v propustném směru V (TO) (U (TO) ) prahové napětí I FAV střední hodnota proudu v propustném směru I D proud v propustném směru I FSM nárazový záběrný proud I RD závěrný proud i 2 t Jouleův (tepelný) integrál R th(j-c) teplotní odpor přechod pouzdro (K/W) T vj ekvivalentní teplota přechodu ( C) M s utahovací moment k upevnění prvku na chladič DIODA dynamické vlastnosti Děj při vypínání diody 3
4 TYRISTOR TYRISTOR provedení pouzder TYRISTOR statická charakteristika V RSM (U RSM ) neopakovatelné závěrné napětí V RRM, V DRM (U RRM, U DRM ) opakovatelné závěrné napětí, opakovatelné napětí ve vypnutém stavu V T (U T ) napětí na tyristoru v sepnutém stavu V T(TO) (U T(TO) ) prahové napětí V GT (U GT ) spínací napětí V DG (U DG ) napětí na tyristoru v blokovacím stavu (dv/dt) cr kritická hodnota strmosti nárůstu napětí v propustném směru 4
5 TYRISTOR statická charakteristika I TAV střední hodnota proudu v propustném směru I D proud v propustném směru I RMS maximální efektivní hodnota propustného proudu I RD, I DD - závěrný proud I H vratný proud I L přídržný proud I GT minimální zapínací proud I GD proud nesepnutého tyristoru v blokovacím stavu i 2 t Jouleův (tepelný) integrál (di/dt) cr kritická hodnota strmosti nárůstu propustného proudu TYRISTOR statická charakteristika r T diferenciální odpor R th(j-c) teplotní odpor přechod pouzdro (K/W) T vj ekvivalentní teplota přechodu ( C) M t utahovací moment přípojného terminálu M s utahovací moment k upevnění prvku na chladič TYRISTOR řídicí charakteristika Oblast nízkých proudů VA charky Minimální řídicí napětí kdy jsou sepnuty všechny gate čáti tyristoru Minimální řídicí napětí kdy již nejsou sepnuty všechny části gate Maximální gate napětí Maximální okamžitý výkon řídicí elektrody -gate Oblast vysokých proudů VA charky Minimální proud gate požadovaný k sepnutí všech částí gate elektrody VA charakteristika řídicí (gate) elektrody 5
6 TYRISTOR řídicí charakteristika VA charakteristika řídicí (gate) elektrody pro 100A tyristor (převzato z datalistu SEMIKRON) TYRISTOR dynamické vlastnosti Blokovací napětí propustný proud unikající proud napěťový úbytek v propustném stavu čas započetí spínání zapínací čas BLOKOVACÍ STAV proudový překmit vypínací a zotavovací čas STAV SEPNUTÍ Dynamické chování tyristoru zpětný unikající proud závěrné napětí VYPNUTÝ ZÁVĚRNÝ STAV IGBT a MOSFET 6
7 IGBT a MOSFET buněk /mm 2, plocha IGBT/MOSFET čipů 0,1 1,5 cm 2 IGBT a MOSFET vývojové generace čipů IGBT a MOSFET IGBT a MOSFET provedení pouzder 7
8 IGBT, MOSFET statické charakteristiky IGBT, MOSFET hlavní katalogové parametry V CES (U CES ) napětí C E při zkratovaném přechodu G E V GES (U GES ) napětí G E, při zkratovaném C E V CE(sat) (U CE(sat) ) saturační napětí C E V GE(th) (U GE(th) ) prahové napětí G E I C kolektorový proud I Cnom jmenovitý kolektorový proud r CE diferenciální odpor I CRM opakovatelný špičkový kolektorový proud i 2 t Jouleův (tepelný) integrál t d(on) zpoždění při zapínání t d (off) zpoždění při vypínání t r doba nárůstu t f doba poklesu E on, E off energie vynaložená na zapnutí/vypnutí tranzistoru R th(j-c) teplotní odpor jádro - pouzdro Q G náboj řídicí elektrody V DSS V GDS V DS(sat) V GD(th) I D I Dnom r ds I DRM IGBT, MOSFET dynamické vlastnosti 8
9 POUZDRA - PROVEDENÍ VPS Požadavky na pouzdra (packaging) poskytují elektrické propojení mezi jedním nebo více polovodičovými čipy a obvodem během provozu odvod vytvořeného tepla z čipu do chladiče chrání polovodičový čip před škodlivými vlivy prostředí určují typ komponentu a pozici přípojných terminálů Provedení pouzder SMD pouzdra drátových součástek pouzdro se šroubem disková (kotoučová, pastilková) pouzdra bezpotenciálové moduly výkonové moduly IPM SMD pouzdra SMD Surface Mounted Device pouzdra válcového nebo hranolovitého tvaru pouzdra polovodičových prvků nejnižšího výkonu chlazení pouzdra prostřednictvím PCB Pouzdra drátových součástek vnitřní struktura obdobná s pouzdry SMD výkonová ztráta jednotky W přirozené chlazení sáláním montáž dále od DPS chladiče a chladicí profily u výkonnějších pouzder 9
10 Pouzdro se šroubovou montáží robustní měděný, povrchově cínovaný šroub s šestihrannou hlavou s připájeným polovodičovým čipem vysoká robustnost a mechanická odolnost velmi nízký tepelný přechodový odpor montáž přímo do chladiče nutné dodržet hodnotu utahovacího momentu čip uzavřen v inertním plynu pod skleněnou nebo keramickou čepičkou nevýhoda je, že chladič není elektricky izolován od součástky a je na něm elektrický potenciál (anoda) Diskové pouzdro nejvyšší výkony oboustranné odvádění tepla ze součástky stažení součástky mezi dva chladiče dle tlaku určeným výrobcem (10kN.cm -2 ) chladiče součástky mají elektrický potenciál chladicí kapalina musí být nevodivá transformátorový olej keramické tělo přítlačný kotouč polovodičový čip svařená příruba centrování molybden Bezpotenciálové moduly jednostranný odvod ztrátového výkonu přes izolační dobře tepelně vodivou keramickou destičku Izolace nad 3kV pro diody, tyristory IGBT, MOSFET a jejich sestavy moduly lze šroubovat na společný chladič, který může být spojen s kostrou značné zjednodušení kapalinového chlazení základová deska (Baseplate) je měděná, pro trakční aplikace slitina hliníku nebo molybden 10
11 Bezpotenciálové moduly vnitřní struktura 3x paralelní řazení IGBT a diodového čipu v zapojení tranzistorového půlmůstku -DC pól ~AC pól +DC pól IGBT dioda propojení mezi čipy teplotní senzor Bezpotenciálové moduly SEMIKRON family SEMIPACK 15A 1200A, diody, tyristory, měděná základová plocha, od roku 1975 SEMIPONT 1f a 3f usměrňovače, A, V Bezpotenciálové moduly SEMIKRON family SEMITOP 4 rozměrové řady, montáž na chladič pomocí jednoho šroubu, diody, tyristory IGBT, MOSFET, A, V 11
12 Bezpotenciálové moduly SEMIKRON family SEMiX měděná základová deska, moduly pro vysoké výkony, prioritně pro IGBT, A, 1200V, 1600V Bezpotenciálové moduly SEMIKRON family SEMiX Bezpotenciálové moduly SEMIKRON family SEMITRANS standardizovaná pouzdra s šířkách 34 a 61mm, A, 600 V, 1200 V, 1700 V 12
13 Bezpotenciálové moduly SEMIKRON family MiniSKiiP vyvedení výkonových a ovládacích kontaktů přes pružinové kontakty, A, 600 V a 1200 V přítlačná deska se šroubem deska plošného spoje DSP pouzdro kontaktní pružiny terminálů kontaktování čipu čip keramická základová deska chladič Bezpotenciálové moduly SEMIKRON family MiniSKiiP IPM výkonové moduly IPM Intelligent Power Module chladič + výkonové moduly + budicí obvody + kontrolní a měřicích obvody sestavy 2IGBT, 4IGBT, 6IGBT a 7IGBT chlazení vzduchové nebo kapalinové napěťové řady 600 V, 1200 V, 1700 V, max. proud 3600 A 13
14 IPM výkonové moduly SKiiP Semikron integrated intelligent Power chladič je nedělitelnou součástí IPM modulu 1200 V a 1700 V 100kW 1,5 MW snížení teplotního odporu R th(j-r) přímým připojením čipu, keramické základní desky a chladiče optimalizace budicích obvodů velmi kompaktní design s vysokou výkonovou hustotou nízké spínací přepětí docílené nízkoindukční strukturou IPM modulu IPM pro střední výkony SKiM (30 150kW) chladič již není součástí modulu IPM výkonové moduly SKiiP Semikron integrated intelligent Power rozhranní budiče budič hlavní AC terminály hlavní DC kontakt pomocné pružinové kontakty přítlačný element pružná pěna přítlačný kontakt sběrnice keramická základová destička s chladič IGBT a diodovými čipy IPM výkonové moduly SKiiP Semikron integrated intelligent Power 14
15 Materiály využívané při výrobě VPS Nosné materiály polovodičových čipů Pouzdra VPS s jednostranným a oboustranným odvodem tepla: Teplotní roztažnost vodivých materiálů je mnohem vyšší než roztažnost křemíku přímé připájení čipu na měděnou (niklovanou) základnu měkkou pájkou je možné do 70 mm 2. Velkoplošné polovodičové struktury do průměru 63 mm jsou pájeny jednostranně na molybdenovou podložku. Struktury s průměrem nad 75 mm bez pájených spojů Nosné materiály polovodičových čipů VPS bezpotenciálové moduly kontaktování polovodičového čipu na keramické destičky: Korundová keramika (AL 2 O 3 ) Nitridová keramika (AIN) vyšší tepelná vodivost oboustranně plátovaná keramická deska měděnou fólií o tloušťce 300 µm Technologie DCB - substrates (Direct Copper Bond), resp. DBC - substrates (Direct Bond Copper) - izolační napětí 15 kv/mm - nízká teplotní roztažnost 15
16 Technologie kontaktování přípojných terminálů Pájení - měkká pájka SnAg - nízký bod tavení, pájení v inertním plynu - nebezpečí prasknutí při pájení větších ploch Difuzní spékání - nanesení práškového Ag, zapékání při teplotách nad 962 C - lepší tepelná a elektrická vodivost - tenčí nanesená vrstva, vyšší teplotní mechanická stálost Technologie kontaktování přípojných terminálů Drátové propojení - svařování za studena pomocí ultrazvukové energie - kontaktování hliníkových drátů 0,1 0,5 mm na hliníkovou, měděnou nebo zlatou kontaktní plochu (proudová zatížitelnost 0,5 mm 25 A) - nejčastěji používaná, velmi flexibilní a levná metoda přivařeno (nabodováno) dioda keramická základní deska Technologie kontaktování přípojných terminálů Pružné kontakty - vysoká spolehlivost, nezávislost na teplotní roztažnosti materiálů kontaktních ploch - nedochází k praskání kontaktních spojek - mechanická odolnost (vibrace) - pružinové kontakty na modulech SEMiX a miniskiip 16
17 Technologie kontaktování přípojných terminálů pájené pevné kontakty pružinové kontakty Integrované snímače proudu VPS odporový bočník - do struktury modulu je implementován měřicí odpor známé hodnoty (5mΩ) napětí je úměrné proudu - nevýhoda: výkonová ztráta na odporu proudové čidlo - čidlo na principu Hallova jevu nevznikají ztráty IGBT tranzistor s měřicím emitorem Integrované snímače teploty VPS - do struktury modulu jsou implementovány PTC nebo NTC teplotní čidla - odpor čidla 1kΩ/25 C, rozsah měřicího proudu 1 3 ma 17
18 Spolehlivost VPS Spolehlivost (reliability) - velmi důležitý parametr určující kvalitu a životnost VPS - definována parametry MTBF, MTTF a FIT FIT (Failure in Time) - ukazuje kolikrát nastane chyba během jedné hodiny provozu (standardně 10-9 h) n f počet chyb N počet komponentů v provozu t sledovaný časový úsek Pro VPS je definováno FIT h Spolehlivost VPS MTBF = MTTF (Mean time between/to failure) - statistická veličina, která slouží k ohodnocení spolehlivosti výrobku - definuje čas mezi dvěma chybami Pro VPS je definováno MTBF h vanová křivka Výrobci výkonových polovodičů ABB semiconductors (Lenzburg, Švýcarsko) hlavní výrobní sortiment IGCT, asymetrické GTO, rychlé diody, fázově řízené tyristory vyráběny pro nejvyšší napěťové a proudové parametry. Společnost POLOVODIČE, a.s. v roce 2010 přešla se svým výrobním programem pod společnost ABB. Semikron International GmbH (Norimberk, Německo) - kompletní sortiment VPS (diody, tyristory, IGBT, MOSFET, IPM, čipy, driver, chladiče) Infineon Technologies AG (Warstein, Německo) vyrábí IGBT moduly, můstkové usměrňovače (easybridge, IsoPACK), tyristory a diody v kotoučovém provedení, vzduchové a kapalinové chladiče. Westcode Semiconductors Ltd. (Chippenham, Anglie) diody, tyristory, GTO, IGBT převážně v kotoučovém a šroubovém provedení. Usměrňovačové sestavy a fázové spínače. 18
19 Výrobci výkonových polovodičů IXYS Semiconductor GmbH (Lampertheim, Německo) obchodní spojení s firmou Westcode. Vyrábí IGBT a MOSFET na nižší výkonové hladině. Mitsubishi Electric Europe, Semiconductor Division, (Ratingen, Německo) IGBT moduly 1200 V a 1700 V s proudy do 600 A a vysokonapěťové IGBT 6500 V/400 A, 1700V/2400 A. Toshiba Electronics Europe (Düssedorf, Německo) diody, tranzistory, integrované obvody, fotoelektrické součástky. IGBT tranzistory do 1700 V / A. Reference Vondrášek, F.: Výkonová elektronika svazek 6, Projektování výkonových polovodičových měničů vybrané stati, ZČU Plzeň 2008 Wintrich, A.: Application Manual Power Semiconductors, SEMIKRON International GmbH 2010 Motto, J. W.: Introduction to Solid State Power Electronics, POWEREX Semiconductor Division, Youngwood, Pennsylvania &s= děkuji za pozornost Konstrukce polovodičových měničů 19
Spínače s tranzistory řízenými elektrickým polem. Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT
Spínače s tranzistory řízenými elektrickým polem Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT Základní vlastnosti spínačů s tranzistory FET, IGBT resp. IGCT plně řízený spínač nízkovýkonové řízení malý
Více9/12/2012. Budicí obvody VPS - drivers. Budicí obvody VPS - drivers obsah prezentace. Požadavky na budicí obvody VPS. Budicí obvod
Budicí obvody VPS - drivers Konstrukce polovodičových měničů Budicí obvody VPS - drivers obsah prezentace požadavky na budicí obvody VPS základní požadavek na budicí obvod - galvanické oddělení budicí
Více9/10/2012. Výkonový polovodičový měnič. Výkonový polovodičový měnič obsah prezentace. Výkonový polovodičový měnič. Konstrukce polovodičových měničů
Výkonový polovodičový měnič Konstrukce polovodičových měničů Výkonový polovodičový měnič obsah prezentace Výkonový polovodičový měnič. Přehled norem pro rozvaděče a polovodičové měniče.. Výběr z výkonových
VíceŘízené polovodičové součástky. Výkonová elektronika
Řízené polovodičové součástky Výkonová elektronika Polovodičové součástky s řízeným zapnutím řídící signál přivede spínač z blokovacího do propustného stavu do závěrného stavu jen vnější komutací (přerušením)
VíceIGBT Insulated Gate Bipolar Transistor speciální polovodičová struktura IGBT se používá jako spínací tranzistor nejdůležitější součástka výkonové
IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor speciální polovodičová struktura IGBT se používá jako spínací tranzistor nejdůležitější součástka výkonové elektroniky chová se jako bipolární tranzistor řízený unipolárním
VíceVY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl
Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická
VíceNeřízené polovodičové prvky
Neřízené polovodičové prvky Výkonová elektronika - přednášky Projekt ESF CZ.1.07/2.2.00/28.0050 Modernizace didaktických metod a inovace výuky technických předmětů. Neřízené polovodičové spínače neobsahují
VíceZÁSADY PARALELNÍHO A SÉRIOVÉHO ŘAZENÍ SOUČÁSTEK VE VÝKONOVÝCH OBVODECH
ZÁSADY PARALELNÍHO A SÉRIOVÉHO ŘAZENÍ SOUČÁSTEK VE VÝKONOVÝCH OBVODECH Jestliže je v dané aplikaci vyžadován větší proud než jaký je možno získat použitím jedné součástky, je třeba součástky zapojovat
VíceELEKTRONICKÉ PRVKY TECHNOLOGIE VÝROBY POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ
ELEKTRONICKÉ PRVKY TECHNOLOGIE VÝROBY POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ Polovodič - prvek IV. skupiny, v elektronice nejčastěji křemík Si, vykazuje vysokou čistotu (10-10 ) a bezchybnou strukturu atomové mřížky v monokrystalu.
VíceTYRISTORY. Spínací součástky pro oblast největších napětí a nejvyšších proudů Nejčastěji triodový tyristor
TYRSTORY Spínací součástky pro oblast největších napětí a nejvyšších proudů Nejčastěji triodový tyristor Závěrný směr (- na A) stav s vysokou impedancí, U R, R parametr U RRM Přímý směr (+ na A) dva stavy
VíceMìnièe výkonové elektroniky a jejich použití v technických aplikacích
1. Úvod Mìnièe výkonové elektroniky a jejich použití v technických aplikacích prof. Ing. Jiøí Pavelka, DrSc., ÈVUT Praha, Fakulta elektrotechnická, katedra elektrických pohonù a trakce Mìnièe výkonové
VíceŘídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek
Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Hlavní požadavky na ideální budič Galvanické
VíceMěření na unipolárním tranzistoru
Měření na unipolárním tranzistoru Teoretický rozbor: Unipolární tranzistor je polovodičová součástka skládající se z polovodičů tpu N a P. Oproti bipolárnímu tranzistoru má jednu základní výhodu. Bipolární
VíceUnipolární tranzistory
Unipolární tranzistory MOSFET, JFET, MeSFET, NMOS, PMOS, CMOS Unipolární tranzistory aktivní součástka řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem většinové nosiče menšinové nosiče parazitní charakter
VíceOtázka č.4. Silnoproudé spínací polovodičové součástky tyristor, IGBT, GTO, triak struktury, vlastnosti, aplikace.
Otázka č.4 Silnoproudé spínací polovodičové součástky tyristor, IGBT, GTO, triak struktury, vlastnosti, aplikace. 1) Tyristor Schematická značka Struktura Tyristor má 3 PN přechody a 4 vrstvy. Jde o spínací
VíceObsah. Obsah. Profil společnosti 2
Aplikace Obsah Profil společnosti 2 Profil společnosti 2 Aplikace 3 Výkonové polovodičové jednotky PSU 3 Zákaznické PSU 4 Schémata zapojení PSU 5 Řídicí jednotka tyristorů GU 3391 6 Řídicí jednotka tyristorů
Více11/18/2012. Způsoby jištění VPM. Způsoby jištění VPM obsah prezentace. Proudová přetížitelnost VPM. Konstrukce polovodičových měničů
Způsoby jištění VPM Konstrukce polovodičových měničů Způsoby jištění VPM obsah prezentace Proudová přetížitelnost proudová přetížitelnost diod a tyristorů proudová přetížitelnost tranzistorů Jištění diod
VíceVLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU
VLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU Úvod: Čas ke studiu: Polovodičové součástky pro výkonovou elektroniku využívají stejné principy jako běžně používané polovodičové součástky
VíceUniverzita Tomáše Bati ve Zlíně
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Unipolárn rní tranzistory Přednáška č. 5 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Unipolárn rní tranzistory 1 Princip činnosti
VíceFEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů
Unipolární tranzistory Řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem: FET [Field - Effect Transistor] Proud přenášen jedním typem nosičů náboje (unipolární): - majoritní nosiče v inverzním kanálu - neuplatňuje
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
VíceSoučástky s více PN přechody
Součástky s více PN přechody spínací polovodičové součástky tyristor, diak, triak Součástky s více PN přechody první realizace - 1952 třívrstvé tranzistor diak čtyřvrstvé tyristor pětivrstvé triak diak
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
VíceCHLADIČE PRO VÝKONOVÉ POLOVODIČOVÉ SOUĆÁSTKY
POLOVODIČE, a.s. Novodvorská 1768/138a 142 21 PRAHA 4 http://www.polovodice.cz e-mail: info@polovodice.cz Počet listů:6 CHLADIČE PRO VÝKONOVÉ POLOVODIČOVÉ SOUĆÁSTKY Chladič pro výkonové polovodičové součástky
VíceChladiče a příslušenství
Chladiče a příslušenství Vzduchové chladiče pro součástky svorníkového typu Vlastnosti: Vzduchové chladiče pro přirozené i nucené chlazení Vhodné pro pouzdra s různými závity Možno upravit dle přání zákazníka
VíceVY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl
Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická
VícePolovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.
Polovodičové prvky V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku
VícePRINCIP MĚŘENÍ TEPLOTY spočívá v porovnání teploty daného tělesa s definovanou stupnicí.
1 SENZORY TEPLOTY TEPLOTA je jednou z nejdůležitějších veličin ovlivňujících téměř všechny stavy a procesy v přírodě Ke stanovení teploty se využívá závislosti určitých fyzikálních veličin na teplotě (A
VícePODMÍNKY SPOLEHLIVÉHO PROVOZU VÝKONOVÝCH POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK
ODMÍNKY SOLEHLIVÉHO OVOZU VÝKONOVÝCH OLOVODIČOVÝCH SOUČÁSEK ro zabezpečení optimálních provozních podmínek je třeba zajistit : - vhodný způsob odvod ztrátového výkonu (chlazení), úměrný předpokládanému
VíceZáklady elektrotechniky
Základy elektrotechniky Přednáška Diody, usměrňovače, stabilizátory, střídače 1 VÝROBA POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ Polovodič - prvek IV. skupiny, nejčastěji Si, - vysoká čistota (10-10 ), - bezchybná struktura
VíceVazební člen 0, A
ŘADA ŘADA Varianty řady * kontaktní nebo polovodičový vý stup šroubové nebo bezešroubové svorky časové relé ve shodném provedení šířka 6,2 mm EMR = vstup DC, AC nebo AC/DC SSR = vstup DC nebo AC/DC šroubové
VíceTyristor. Tyristor. Tyristor. 1956: Bell Labs Silicon Controlled Rectifier (SCR) 1958: General Electric Thyristor. Výkonové polovodičové součástky
(kv) Výkonové polovodičové součástky 1 1 3 1 1 1 VELÝ VÝ SDÉ ŘÍZEÍ VYSOÁ FREVEE 1 1 Thyristor TO BJT MOS 198 1 1 1 1 1 1 1 f (khz) (kv) 1 1 3 1 1 1 1 1 Thyristor BJT TO (kv) IBT MOS 1 5 1 1 3 1 1 1 1 1
VíceTepelné ztráty a chlazení výkonových polovodičových prvků
výkonových polovodičových prvků Projekt ESF CZ.1.7/2.2./28.5 Modernizace didaktických metod a inovace výuky technických předmětů. Perioda spínání řízeného spínače napětí a proud označení veličin a časových
VíceUNIPOLÁRNÍ TRANZISTOR
UNIPOLÁRNÍ TRANZISTOR Unipolární tranzistor neboli polem řízený tranzistor, FET (Field Effect Transistor), se stejně jako tranzistor bipolární používá pro zesilování, spínání signálů a realizaci logických
VíceZáklady elektrotechniky
Základy elektrotechniky Přednáška Tranzistory 1 BIPOLÁRNÍ TRANZISTOR - třívrstvá struktura NPN se třemi vývody (elektrodami): e - emitor k - kolektor b - báze Struktura, náhradní schéma a schematická značka
VíceChladiče a příslušenství
Chladiče a příslušenství Obsah Profil společnosti 2 Profil společnosti 2 Chladiče 3 Vzduchové chladiče pro součástky svorníkového typu 3 Vzduchové chladiče pro jednostranné chlazení součástek kotoučového
VíceSSR (Solid State Relay) Polovodičové relé s chladičem, jmenovitý proud 10 A až 88 A
PMA a Company of WEST Control Solutions SSR (Solid State Relay) Polovodičové relé s chladičem, jmenovitý proud 10 A až 88 A Jednofázové kompaktní moduly s chladičem Spínání v nule Indikace vstupního signálu
VícePomocné relé RP 700 Neutrální, monostabilní, pro stejnosměrné nebo střídavé ovládací napětí. Charakteristické vlastnosti
Charakteristické vlastnosti - univerzální spínací prvek s širokým použitím v řídicí a regulační technice - vhodný prvek pro vstupní a výstupní obvody v řídicí technice - malé rozměry - vysoký spínaný výkon
VíceBezkontaktní spínací přístroje
Bezkontaktní spínací přístroje Důvody použití bezkontaktních spínačů Pozitiva Potřeba častého a přesně časově synchronizovaného spínání, které není klasickými kontaktními přístroji dosažitelné Potlačení
VíceŘada 41 - Relé nízké do PS/do patice, 8-12 - 16 A
Řada - Relé nízké do PS/do patice, 8-12 - 16 Řada nízké relé do plošnyćh spojů nebo do patice, vy ška 15,7 mm.31.52.61 cívky C a DC citlivé, příkon 400 mw nebo relé bistabilní se dvěma cívkami 650 mw,
VíceChlazení polovodičových součástek
Výkonové polovodičové systémy cvičení Chlazení polovodičových součástek Joule-Lencův zákon: Všechny elektronické součástky, které vykazují elektrický činný odpor, produkují při průchodu elektrického proudu
Vícezařízení 2. přednáška Fakulta elektrotechniky a informatiky prof.ing. Petr Chlebiš, CSc.
Konstrukce elektronických zařízení 2. přednáška prof.ing. Petr Chlebiš, CSc. Pasivní a konstrukční prvky - Rezistory - Kondenzátory - Vinuté díly, cívky, transformátory - Konektory - Kontaktní prvky, spínače,
VícePolovodičové diody. Dělení polovodičových diod podle základního materiálu: Germaniové Křemíkové Galium-arsenid+Au
Polovodičové diody Dioda definice: Elektronická dvojpólová součástka, která při své činnosti využívá přechod, který vykazuje usměrňující vlastnosti (jednosměrnou vodivost). Vlastnosti se liší způsobem
VíceTermostaty a hydrostaty
ŘADA ŘADA termostaty a hydrostaty pro rozvaděče malý zastavěný prostor (17,5 mm široký) bimetalový kontakt široký rozsah nastavení vysoká elektrická životnost na DIN-lištu ČSN EN 60175 TH35.81.0.000.240x.81.0.000.230x.81
VíceA8B32IES Úvod do elektronických systémů
A8B3IES Úvod do elektronických systémů..04 Ukázka činnosti elektronického systému DC/DC měniče a optické komunikační cesty Aplikace tranzistoru MOSFET jako spínače Princip DC/DC měniče zvyšujícího napětí
VíceRelé nízké do PS/do patice, A
ŘD Relé nízké do PS/do patice, 8-12 - 16 ŘD relé do plošný ch spojů nebo do patice, vý ška 15,7 mm cívky C a DC citlivé, příkon 400 mw bezpečné oddělení podle ČSN EN 50178, ČSN EN 60204 a ČSN EN 60335
VíceBipolární tranzistory
Bipolární tranzistory h-parametry, základní zapojení, vysokofrekvenční vlastnosti, šumy, tranzistorový zesilovač, tranzistorový spínač Bipolární tranzistory (bipolar transistor) tranzistor trojpól, zapojení
VíceZáklady elektrotechniky
Základy elektrotechniky Přednáška Tyristory 1 Tyristor polovodičová součástka - čtyřvrstvá struktura PNPN - tři přechody při polarizaci na A, - na K je uzavřen přechod 2, při polarizaci - na A, na K jsou
VíceZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ KATEDRA ELEKTROMECHANIKY A VÝKONOVÉ ELEKTRONIKY BAKALÁŘSKÁ PRÁCE
ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ KATEDRA ELEKTROMECHANIKY A VÝKONOVÉ ELEKTRONIKY BAKALÁŘSKÁ PRÁCE Analýza využití výkonových polovodičových měničů v praxi vedoucí práce: Prof. Ing.
VíceRelé průmyslové, 7-10 A
ŘD Relé průmyslové, 7-10 ŘD miniaturní průmyslové relé do plošných spojů.12.13.14 Typ.12-2P / 10 Typ.13-3P / 10 Typ.14-4P / 7 cívky C a DC materiál kontaktů bez Cd reléové krytí RT III (mytí odolné) na
VíceSSR (Solid State Relay) Polovodičové relé bez chladiče, jmenovitý proud 20 A až 88 A
PMA a Company of WEST Control Solutions SSR (Solid State Relay) Polovodičové relé bez chladiče, jmenovitý proud 20 A až 88 A Jednofázové kompaktní moduly Spínání v nule Indikace vstupního signálu Pracovní
Více9/10/2012. Způsoby chlazení VPM, náhradní tepelná schémata. Způsoby chlazení VPM, náhradní tepelná schémata obsah prezentace
Způsoby chlazení VPM, náhradní tepelná schémata Konstrukce polovodičových měničů Způsoby chlazení VPM, náhradní tepelná schémata obsah prezentace Podmínky spolehlivého provozu VPS Vznik tepla a chlazení
VíceFEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4
Využití vlastností polovodičových přechodů Oblast prostorového náboje elektrické pole na přechodu Propustný směr difůze majoritních nosičů Závěrný směr extrakce minoritních nosičů Rekombinace na přechodu
VíceVÝKONOVÉ TRANZISTORY MOS
VÝKONOVÉ TANZSTOY MOS Pro výkonové aplikace mají tranzistory MOS přednosti: - vysoká vstupní impedance, - vysoké výkonové zesílení, - napěťové řízení, - teplotní stabilita PNP FNKE TANZSTO MOS Prahové
VíceProjekt Pospolu. Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky. Pro obor M/01 Informační technologie
Projekt Pospolu Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky Pro obor 18-22-M/01 Informační technologie Autorem materiálu a všech jeho částí je Ing. Petr Voborník, Ph.D. Bipolární tranzistor Bipolární
VíceŘada 58 - Vazební člen, 7-10 A
58 - Vazební člen, 7-0 A 58 vazební člen P, 3P nebo 4P, součástí indikační a EMC ochranny modul 58.3 58.33 58.34 cívky AC a DC mechanická aretace a mechanicky indikátor moduly řady 99.0 patice se šroubovyḿi
VíceŘada 49 - Vazební člen, A
Řada 49 - Vazební člen, 8-10 - 16 A Řada 49 vazební člen 1P nebo 2P, šířka 15,5 mm, součástí indikační a EMC ochranny modul 49.31-50x0 49.52/72-50x0 cívky AC, DC a DC se zvy šenou citlivostí, 500 mw bezpečné
VíceStykač instalační, A
ŘADA ŘADA 2 nebo 4 kontakty pro 25 A 4 kontakty pro 40 A nebo 63 A můstkové kontakty se vzdáleností kontaktů: zapínacích 3 mm rozpínacích 1,5 mm (u.32,.34) rozpínacích 3 mm (u.44,.64)) nehlučné AC/DC ovládání
VíceModul výkonových spínačů s tranzistory N-FET
NFET4X0AB Modul výkonových spínačů s tranzistory N-FET Milan Horkel Ve starých mainboardech počítačů PC bývají pěkné veliké tranzistory N-FET, které je možné využít. Tranzistory bývají tak asi na proud
VíceŘada 55 - Relé průmyslové, 7-10 A
Řada 55 - Relé průmyslové, 7-10 A miniaturní průmyslové relé do PS nebo do patice cívky AC a DC reléové krytí RT III (mytí odolné) u 55.12, 55.13, 55.14 kompatibilní s časovyḿi relé řady 85 patice do PS
VíceVýkonová elektronika KE
Vysoká škola báňská - Technická univerzita Ostrava Fakulta elektrotechniky a informatiky Výkonová elektronika KE Učební texty pro kombinované a distanční studium Tomáš Pavelek Václav Sládeček Ostrava 2005
VíceMĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů tyristoru část 3-5-1 Teoretický rozbor
MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření část 3-5-1 Teoretický rozbor Výukový materiál Číslo projektu: CZ.1.07/1.5.00/34.0093 Šablona: III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Sada: 1 Číslo materiálu:
VíceČást pohony a výkonová elektronika 1.Regulace otáček asynchronních motorů
1. Regulace otáček asynchronních motorů 2. Regulace otáček stejnosměrných cize buzených motorů 3. Regulace otáček krokových motorů 4. Jednopulzní usměrňovač 5. Jednofázový můstek 6. Trojpulzní usměrňovač
VíceRelé do patice / do PS, 6-10 A
Relé do patice / do PS, 6-10 vý konové relé 2-kontaktní se zvý šenou napěťovou pevností mezi kontaktními sadami 2.500 V C Typ.52-2P, 6 (rastr vývodů 5 mm) Typ.62-2P, 10 (rastr vývodů 5 mm) cívka DC (650
VíceVazební člen, 7-10 A 58.P3 58.P4 ŘADA 58. vazební člen 3P nebo 4P s push-in svorkami
vazební člen 3P nebo 4P s push-in svorkami.p3.p4 typ.p3-3p / 10 A typ.p4-4p / 7 A cívky AC a DC LED indikační a EMC ochranný modul mechanická aretace a mechanický indikátor šířka 31 mm kontakty bez Cd
VíceVÝKONOVÁ ELEKTRONIKA I
Vysoká škola báňská Technická univerzita Ostrava VÝKONOVÁ ELEKTRONKA učební text Petr Chlebiš Ostrava 2007 Recenze: Pavel Brandštetter Název: Výkonová elektronika Autor: Petr Chlebiš Vydání: první, 2007
VíceŘada 77 - Relé elektronické (SSR) 5-15 - 25-30 - 40-50 A
Řada 77 - Relé elektronické (SSR) 5-15 - 25-30 - 40-50 A Řada 77 polovodičové relé (SSR), optron, spínač v nule napětí nebo spínač okamžitý 77.01.x.xxx.8050 77.01.x.xxx.8051 230 V AC nebo 400 V AC vstupní
VíceMikrosenzory a mikroelektromechanické systémy. Odporové senzory
Mikrosenzory a mikroelektromechanické systémy Odporové senzory Obecné vlastnosti odporových senzorů Odporové senzory kontaktové Měřící potenciometry Odporové tenzometry Odporové senzory teploty Odporové
VíceMinistykače Ex9CS. Ministykače dle IEC / ČSN EN a 4pólové verze. Jmenovitý proud AC-3 6, 9 a 12 A při 400 V
Ministykače dle IEC / ČSN EN 6097-- a pólové verze Jmenovitý proud AC- 6, 9 a A při 00 V Ovládací napětí 5 V AC Jmenovitý podmíněný zkratový proud I q 50 ka Vhodné pro průmyslové i domovní aplikace Montáž
VíceŘada 7T - Termostaty a hydrostaty
Řada - Termostaty a hydrostaty Řada Termostaty pro rozváděče maly zastavěny prostor (17,5 mm široký) bimetalovy kontakt široky rozsah nastavení vysoká elektrická životnost na DIN-lištu ČSN EN 60175 TH35.81
Více6. ELEKTRICKÉ PŘÍSTROJE Doc. Ing. Stanislav Kocman, Ph.D , Ostrava Stýskala, 2002
6. ELEKTRICKÉ PŘÍSTROJE Doc. Ing. Stanislav Kocman, Ph.D. 2. 2. 2009, Ostrava Stýskala, 2002 Osnova předn p ednáš ášky Funkce přístrojů a jejich stavba Elektrický oblouk a jeho zhášení Spínací přístroje
VíceŘada 60 - Relé průmyslové, 10 A
Řada 60 - Relé průmyslové, 10 A průmyslové relé do patice cívky AC a DC mechanická aretace a mechanicky indikátor provedení se zdvojenyḿi kontakty u 60.12 a 60.13 rozšíření na časové relé pomocí multifunkčního
VíceELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY
ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY VZORY OTÁZEK A PŘÍKLADŮ K TUTORIÁLU 1 1. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Proč je používáme. 2. Co jsou polovodiče vlastní. 3. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Jakým způsobem
Více11/18/2012. Snímače ve VPM. Snímače ve VPM obsah prezentace. Snímače ve VPM. Konstrukce polovodičových měničů
Snímače ve VPM Konstrukce polovodičových měničů Snímače ve VPM obsah prezentace Vlastnosti snímačů s Hallovým generátorem Proudová čidla smínač s Hallovým generátorem s otevřenou smyčkou smínač s Hallovým
VíceRychlonabíječka trakčních akumulátoru s novými polovodičovými prvky
Rok / Year: Svazek / Volume: Číslo / Number: 011 13 3 Rychlonabíječka trakčních akumulátoru s novými polovodičovými prvky High-power traction battery charger using new semiconductor devices Jan Kuzdas,
Více2-LC: Měření elektrických vlastností výkonových spínačů (I)
2-LC: Měření elektrických vlastností výkonových spínačů (I) Cíl měření: Ověření a porovnání vlastností výkonových spínačů: BJT, MOSFET a tyristoru. Zkratování řídících vstupů Obr. 1 Přípravek pro měření
VíceStejnosměrné měniče. přednášky výkonová elektronika
přednášky výkonová elektronika Projekt ESF CZ.1.07/2.2.00/28.0050 Modernizace didaktických metod a ovace výuky technických předmětů. Stejnosměrné měniče - charakteristika vstupní proud stejnosměrný, výstupní
VíceCP-MM. Návod k obsluze a montáži Hlásicí modul pro spínané napájecí zdroje řady CP-C
CP-MM Návod k obsluze a montáži Hlásicí modul pro spínané napájecí zdroje řady CP-C Pokyn: tento návod k obsluze a montáži neobsahuje všechny podrobné informace ke všem typům této výrobkové řady a tedy
VíceŘada 48 - Vazební člen, A
Řada 48 - Vazební člen, 8-10 - 16 Řada 48 vazební člen 1P nebo 2P, šířka 15,8 mm, součástí indikační a EMC ochranny modul cívky C a DC se zvy šenou citlivostí, 500 mw bezpečné oddělení dle ČSN EN 50178,
VíceProudový ventil. Pro pulsní řízení AC 24 V pro elektrické výkony do 30 kw. Proudové ventily jsou konstruovány pro spínání těchto odporových zátěží:
4 937 DESIO Proudový ventil Pro pulsní řízení AC 24 V pro elektrické výkony do 30 kw SEA45.1 Použití Proudový ventil se používá pro regulaci topných elementů v zařízeních vytápění, větrání a klimatizace,
VíceŘada 46 - Relé průmyslové miniaturní, 8-16 A
Řada 46 - Relé průmyslové miniaturní, 8-16 A průmyslové miniaturní relé do patice / pájecí vy vody cívky AC a DC se zvy šenou citlivostí (500 mw) bezpečné oddělení podle ČSN EN 50178, ČSN EN 60204 a ČSN
VícePolovodičov. ové prvky. 4.přednáška
Polovodičov ové prvky 4.přednáška Polovodiče Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku (Si). Čisté krystaly křemíku mají za pokojové teploty jen
VíceELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky... 7-1 7.2 První a druhý průraz bipolárního
Bohumil BRTNÍK, David MATOUŠEK ELEKTRONICKÉ PRVKY Praha 2011 Tato monografie byla vypracována a publikována s podporou Rozvojového projektu VŠPJ na rok 2011. Bohumil Brtník, David Matoušek Elektronické
VíceA8B32IES Úvod do elektronických systémů
A8B32IES Úvod do elektronických systémů 29.10.2014 Polovodičová dioda charakteristiky, parametry, aplikace Elektronické prvky a jejich reprezentace Ideální dioda Reálná dioda a její charakteristiky Porovnání
VíceŘídící a regulační obvody fázové řízení tyristorů a triaků
A10-1 Řídící a regulační obvody fázové řízení tyristorů a triaků.puls.výstup.proud Ig [ma] pozn. U209B DIP14 155 tacho monitor, softstart, U211B DIP18 155 proud.kontrola, softstart, tacho monitor, limitace
Víceada 34 - Relé úzké na DIN-lištu / do PS, 6 A
ada - Relé úzké na DIN-lištu / do PS, 6 A mm úzké sí ové relé - DC cívka se zvýšenou citlivostí (70 mw) - AC/DC ovládání pomocí patice - bezpečné odd lení podle ČSN EN 078 mezi cívkou a kontaktní sadou
VíceELN 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY 1/14 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY
ELN 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY 1/14 2. Analogové spínače s tranzistory 2.1 Spínací vlastnosti tranzistorů bipolárních a unipolárních 2.2 Příklady použití spínačů 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY
VíceŘada 4C - Vazební člen, A
vazební člen 1P nebo 2P, mechanická aretace, mechanicky indikátor, široké vy vody, indikační a EM ochranny modul bezpečné oddělení dle ČS E 50178, ČS E 60204 a ČS E 605 mezi cívkou a kontaktní sadou 6
VíceUniverzita Tomáše Bati ve Zlíně
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Diody a usměrňova ovače Přednáška č. 2 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Diody a usměrňova ovače 1 Voltampérová charakteristika
VíceISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec
ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.05 Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566,
Víceelektronické moduly RSE SSR AC1A A1 FA 2 KM1 1 A FA 1 SA1 XV ma +24V +24V FA 2 24V AC RSE KT G12A 12 A FA 1 +24V 100 ma SA 1 XV 1
Y elektronické moduly V Y V AC A M M RSE KT GA SA L A RSE SSR ACA A KM A SA Y V Y V AC A M M RSE KT GA SA L A RSE SSR ACA A KM A SA RSE D RSE D RA - SVORKA S OCHRAOU A ODDĚLOVACÍ DIODOU Základem svorky
VíceRelé do patice / do PS, A
ŘD Relé do patice / do PS, 8-10 - 12-16 ŘD výkonové relé 1- nebo 2-kontaktní přímo do plošného spoje nebo do patice Typ.31-1P, 10 (rastr vývodů 3,5 mm) Typ.51-1P, 10 (rastr vývodů 5 mm) Typ.52-2P, 8 (rastr
VíceCvičení 12. Příklad výkonové aplikace. Výkonový MOSFET spínání induktivní zátěže: Měření,
Cvičení 12 Příklad výkonové aplikace Výkonový MOSFET spínání induktivní zátěže: Měření, Simulace uacev PSpice Elektronické prvky A2B34ELP Prosté zapínání a vypínání Příklad výkonové aplikace M +PWR I zapnuto
VíceUnipolární tranzistor aplikace
Unipolární tranzistor aplikace Návod k praktickému cvičení z předmětu A4B34EM 1 Cíl měření Účelem tohoto měření je seznámení se s funkcí a aplikacemi unipolárních tranzistorů. Během tohoto měření si prakticky
VíceRelé průmyslové, 10 A
Relé průmyslové, 10 průmyslové relé do patice cívky C a DC mechanická aretace a mechanický indikátor provedení se zdvojený mi kontakty u.12 a.13 rozšíření na časové relé pomocí multifunkčního časového
Více7. VÍCEVRSTVÉ SPÍNACÍ SOUČÁSTKY
7. VÍCEVRSTVÉ SPÍNACÍ SOUČÁSTKY V této kapitole se budeme zabývat spínacími prvky tyristorového typu. Slovo tyristor má anglickou obdobu thyristor a pochází z řečtiny, kde znamená dveře. Tyristor je obecné
VíceZákladní pojmy z oboru výkonová elektronika
Základní pojmy z oboru výkonová elektronika prezentace k přednášce 2013 Projekt ESF CZ.1.07/2.2.00/28.0050 Modernizace didaktických metod a inovace výuky technických předmětů. výkonová elektronika obor,
VíceŘada 44 - Relé do patice / do PS, 6-10 A
Řada - Relé do patice / do PS, 6-10 Řada vyḱonové relé do patice a do PS se zvy šenou napěťovou pevností mezi kontaktními sadami 2.500 V C cívky DC, DC se zvy šenou citlivostí (500 mw) bezpečné oddělení
Více