Centrum základního výzkumu LC Příprava, modifikace a charakterizace materiálů energetickým zářením. Jaroslav Pavlík, KF PřF UJEP, Ústí n. L.
|
|
- Alžběta Křížová
- před 4 lety
- Počet zobrazení:
Transkript
1 Centrum základního výzkumu LC Příprava, modifikace a charakterizace materiálů energetickým zářením Jaroslav Pavlík, KF PřF UJEP, Ústí n. L. Řešitelský tým: Doc. RNDr. S. Novák, CSc. Prof. RNDr. R. Hrach, DrSc. RNDr. J. Lörinčík, CSc. Ing. Martin Kormunda, Ph.D. RNDr. M. Švec, Ph.D. Mgr. Z. Strýhal, Ph.D Mgr. J. Matoušek Vratislav Beleni
2 Činnost v roce 2009: Dílčí úkol V 010 Plazmové modifikace struktur polymer - kov A 14 Modelování elektrických vlastností kompozitních materiálů a rekonstrukce třírozměrných struktur částic kovu v polymerní matrici A 15 Modifikace povrchu materiálů iontovým svazkem a in-situ úpravy vzorků v rámci prováděných srovnávacích analýz hloubkových profilů (SIMS, XPS RBS/ERDA)
3 A 14 Modelování elektrických vlastností kompozitních materiálů a rekonstrukce třírozměrných struktur částic kovu v polymerní matrici Dlouhodobý program výzkumu mechanických, elektrických a dalších vlastností kompozitních a nanokompozitních vrstev struktury kov/dielektrikum metodami počítačové fyziky pokračoval na UJEP i v roce Hlavní pozornost byla zaměřena dvěma směry: 1) inovace modelů kompozitních struktur za účelem zahrnutí inkluzí obecnějších tvarů než kulových, 2) studium dynamiky přenosu náboje mezi kovovými objekty (nano)kompozitních vrstev pod perkolačním prahem.
4 V případě inovací modelů kompozitních struktur byl vytvořen nový vlastní softwarový nástroj pro generaci struktur s inkluzemi různých tvarů, viz. obr. Do řešení této problematiky je zapojen v rámci diplomové práce student Daniel Máslo.
5 V případě dvojrozměrných analogií kompozitních struktur s obecnějšími tvary inkluzí byla studována souvislost perkolačního prahu s tvarem inkluzí, viz. obr. a dále vliv izotropie rozmístění inkluzí na hodnotu perkolačního prahu. Analýza vlivu tvaru inkluzí na perkolační práh. Červeně jsou označeny objekty páteře nekonečného shluku, modře tzv. mrtvé konce, zelené jsou objekty dotýkající se elektrod bez příspěvku k elektrické vodivosti. Černé objekty jsou zcela izolované.
6 Současně byly rozpracovány další problémy, na jejichžřešení bude pokračováno i v příštím roce, jako studium přechodu dielektrikum-kov v kompozitech při změně koncentrace vodivé složky, dále studium detailní struktury tunelových vodivých drah v okolí perkolačního prahua studium dynamiky přenosu náboje mezi kovovými objekty kompozitních a nanokompozitních vrstev. Studium dynamiky a šumu při transportu elektrického náboje ve strukturách pod perkolačním prahem. Studium elektrických vlastností kompozitních struktur zahrnutí elektrických vlastností dielektrické matrice (polarizace). Analýza fuzzy clusterů z teoretického hlediska (porovnání s klasickou teorií perkolace). Zatím dosažené výsledky byly shrnuty ve článku: M. Svec, S. Novak, R. Hrach, D. Maslo, Metal/dielectric composite films particle shapes and transport properties. Thin Solid Films (přijato do tisku), DOI: /j.tsf
7 Dynamické chování přenosu náboje v kompozitní struktuře bylo studováno ve dvou směrech: Prvním z nich je šum způsobení diskretizací elektrického náboje. Kovové inkluze jsou natolik malé, že jejich velmi nízká hodnota elektrické kapacity způsobí velkou změnu potenciálu inkluze při přenosu náboje a dochází ke změně směru přenosu náboje ve vodivostním kanálu. Druhým směrem byla analýza vlivu velikosti připojeného napětí na strukturu vodivostních, tzv. fuzzy shluků, viz. následující obr. Bylo pozorováno, že se změnou napětí dochází např. k rozdělování vodivostních kanálů, k jejich zániku nebo vzniku nových. Vliv změny napětí je však velmi malý a je zastíněn závislostí na vzájemných vzdálenostech inkluzí. Výsledky byly publikovány v článku přijatém do tisku: 1. S. Novak, R. Hrach, M. Svec, V. Hrachova, Electrical properties of nanocomposites near percolation threshold dynamics. Thin Solid Films (přijato do tisku). DOI: /j.tsf Dále bychom rozpracovali téma nekonečných fuzzy shluků z hlediska teorie perkolace a do současný model transportu elektrického náboje rozšířili o transportní vlastnosti dielektrika.
8 Vliv velikosti přiloženého napětí na strukturu tzv. fuzzy shluků.
9 Ve spolupráci s Ústavem buněčné biologie a patologie 1.LF UK byly experimentálně pomocí metody elektronové tomografie TEM měření nanokompozitních vrstev Sn/plazmový polymer určeny 3D skeny rozloženíčástic Sn v matrici polymeru a na základě těchto experimentálních měření byly získány i 2D řezy vzorků s různým koeficientem plnění, viz. obr. Tato data byla porovnána s počítačovými modely, pomocí nichž byl určen form factor (udává míru symetrie inkluzí) a průměrná velikost inkluzí. 3D rekonstrukce a 2D řezy dvou experimentálně připravených vrstev pro různé příkony RF zdroje (vlevo pro P = 90 W, vpravo pro P = 70 W) s různými koeficienty plnění.
10 A 15 Modifikace povrchu materiálů iontovým svazkem a in-situ úpravy vzorků v rámci prováděných srovnávacích analýz hloubkových profilů (SIMS, XPS RBS/ERDA) V roce 2007 byl analyticky systém XPS v laboratoři UJEP, rozšířený v roce 2006 o komoru pro modifikaci substrátů a vzorků iontovým bombardem, doplněn o iontové leptací dělo s magnetronovým zdrojem od firmy Tectra GmbH. Systém iontového děla je doplněn diferenciálním čerpáním pro dosažení nižšího provozního tlaku v komoře při provozu iontového děla. Pomocí tohoto iontového děla je možné provádět in-situčištění povrchů substrátů, vzorků, případně jejich další modifikace před měřením XPS. Dále je možné provádět experimentálně studium interakce povrchů kovů s iontovým svazkem.
11 Zmíněná UHV komora byla tedy doplněna iontovým dělem pomocí kterého je možné provádět in-situ čištění povrchu vzorků, případně jejich další modifikace, před měřením XPS. Dále je možné provádět experimentálně studium interakce povrchu kovu s iontovým svazkem. Rozsah energií iontů: 25 ev 5 kev Proud: 1 ma pro > 2 kev, 1.5 mm aperturu a Ar Pracovní tlak: mbar
12 Pomocí tohoto experimentálního systému byla provedena měření hloubkových profilů nízkých koncentrací Ag implantovaných do skla. Vzorek byl vždy po modifikaci povrchu iontovým svazkem (Ar+, 2.5 kev) pod vakuem přesunut do analytické komory XPS a následně byla provedena analýzy povrchu vzorku. Dále byl vzorek pod vakuem přesunut zpět do komory s iontovým dělem a jeho povrch byl znovu modifikován iontovým svazkem. Takto získané hloubkové profily z postupné sady měření XPS byly porovnány s měřením hloubkových profilů metodou XPS At. % C 1s Mg 2s Ag 3d O 1s Si 2p Ca 2p Na 1s Ag implanted 330 kev, ions/cm 2 Concentration [at. %] 1,2 1,0 0,8 0,6 0,4 0,2 depth profile XPS RBS Simulace 0, Depth [nm] 0, Depth [nm] M. Kormunda, P. Malinský, Macková A., Švecová, B., Nekvindová, P., RBS and XPS measurements of Ag and Er implantation into the silica glass substrates, SAPP XVII, 17th Symposium on Application of Plasma Physics, , Liptovský Ján, Low Tatras, Slovakia
13 Po instalaci nového elektronového děla na SIMS určeného pro kompenzaci nabíjení nevodivých vzorků jsme provedli měření hloubkových profilů implantovaných kovových prvků Ag, Er, a Au ve skle také metodou SIMS. Při experimentech jsme použili jako primárních iontů Cs + o energii 12 kv, proudu ~100 na, rastrovaná plocha 0.25 mm x 0.25 mm. Nabíjení skleněného vzorku jsme kompenzovali svazkem elektronů o energii 1 kv a proudu 5 až 10 ua. Urychlující napětí sekundárních iontů bylo 200 V, šířka energetického pásma ~20 ev a snímali jsme záporné ionty v případě implantátů Au a Ag a kladné ionty v případě implantátu Er. Na obrázku je hloubkový koncentrační profil Au ve skle (pro výpočet koncentrace použito atomární hustoty ~7E22 at/cm 3 ). Pro srovnání je přeložen profil získaný metodou RBS na tomtéž vzorku. V poloze gaussovského píku je výborná shoda. RBS pík je užší, což se vzhledem k atomovému promíchávání u metody SIMS dalo očekávat. Překvapivá je nižší intenzita v maximu píku u RBS vzhledem k SIMS.
14 Hloubkový koncentrační profil Er ve skle změřený metodou SIMS. Hloubkový koncentrační profil Ag ve skle změřený metodou SIMS.
15 V oblasti studia interakce iontů s povrchy byl v roce 2009 studován vliv kyslíku na změnu odprašovacího výtěžku emitovaných druhů materiálů při analýzách SIMS. Přítomnost kyslíku na povrchu vzorku je jednou z příčin tzv. matricového jevu a silně ovlivňuje analýzu SIMS. Proto je zajímavé studovat vliv kyslíku připouštěného do analytické komory SIMS na odprašovací výtěžek a ionizační pravděpodobnost sekundárních iontů. Při vyhodnocení experimentů byla použita nedávno navržená metoda kalibrace povrchového kyslíku pomocí izotopu O18. Výsledky tohoto studia byly publikovány: J. Lorincik, V. Klouček, M. Negyesi, J. Kabátová, L. Novotný, and V. Vrtilkova, SIMS and thermal evolution analysis of oxygen in Zr-1%Nb alloy after high-temperature transitions, Surface and Interface Analysis (zasláno do tisku) J. Lorincik, V. Klouček, M. Negyesi, J. Kabátová, L. Novotný, V. Beleni, and V. Vrtilkova, SIMS and thermal evolution analysis of oxygen in Zr-1%Nb alloy after high-temperature transitions, poster na SIMS XVII 17 th International Conference on Secondary Ion Mass Spectrometry, Toronto, Sept 14 18, 2009, p. 309
16 Dále byly studována interakce povrchu PET folií se svazkem nízkoenergetických ( kev) iontů argonu a kyslíku a následně byla provedena charakterizace takto modifikovaných povrchů metodami XPS a FTIR. Pomocí metody XPS byly detekovány podstatné změny v chemické struktuře povrchové vrstvy. Interakcí povrchu s iontovým svazkem dochází k rozštěpení vazeb, selektivnímu odprašování atomů kyslíku a v důsledku toho k poklesu poměru atomárních koncentrací O/C pro argonové ionty s oběma energiemi (0.2 kev a 2.5 kev). Po velmi krátké době (60 s pro 2.5 kev ionty Ar) je povrch PET folie pokryt tenkou vrstvou uhlíku (96 at. % C ), viz. obr., čerchovaná křivka. Pokud interakce s ionty argonu o energii 0.2 kev je proces selektivního odprašování atomů kyslíku redukován, viz. obr., plná křivka. Lze tedy řízeně převést povrch PETu na 96% uhlík a tak upravit i povrchovou elektrickou vodivost polymerního substrátu. Časový vývoj složení povrchu PET folie během interakce s ionty argonu (0.2 kev a 2.5 kev) se spočítanými O/C poměry ( ) Concentration [at. %] 1,0 0,9 0,8 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 Ar kev C untreated PET O 3,6nm Ar kev 12nm 1,0 0,9 0,8 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 Ratio O/C [1] 0,1 0,1 0,0 0, Etching Time [s] 0,0
17 Dílčí úkol V 012 Syntéza a charakterizace materiálů na bázi nanočástic kovů a jejich oxidů. A 12 Příprava tenkých vrstev oxidů za asistence plazmatu a dalších uspořádaných struktur kovů a oxidů kovů A 10 Interakce nízkoteplotního plazmatu s povrchy kovů
18 A 12 Příprava tenkých vrstev oxidů za asistence plazmatu a dalších uspořádaných struktur kovů a oxidů kovů Byly experimentálně studovány procesy přípravy nanostrukturovaných tenkých vrstev oxidů SnO 2 :Fe. Byl požit depoziční systém pro magnetronovou depozici s válcovým reaktorem délky 500mm o průměru 250mm čerpaný turbomolekulární vývěvou v kombinaci s membránovou vývěvou. Konstrukce komory umožňuje variabilní uspořádání procesu depozice. Uspořádání magnetronu a držáku vzorků může být on-axis, off-axes a pod úhlem 45o, viz. obr.. Systém lze také vybavit více nezávislými magnetrony pro depozice slitinových povlaků.
19 Vzorky jsou umístěny na držáku vzorků, který je vyhřívatelný krátkodobě až na 600o C a může také být chlazen vodou. Na vzorky lze také přivést DC nebo RF předpětí. Hloubka vnoření držáku vzorků do systému je variabilní.
20 Na daném experimentálním systému byly připraveny tenké vrstvy SnO 2 dopované Fe metodou magnetronového naprašování z kombinovaného terče Fe:SnO 2 s možností nastavení různého obsahu Fe ve vrstvách jak konfigurací naprašovacího terče, tak i nastavením RF příkonu při magnetronovém naprašování (podíl Fe ve vrstvách výrazně závisí na RF příkonu). Obsah Fe ve vzorcích byl měřen metodami XPS a RBS. V oblasti depozice tenkých vrstev oxidů kovů bylo pokračováno v přípravě tenkých vrstev oxidů SnO 2 s příměsí Fe, s velikostí zrn spadající do oblasti nanočástic a to zejména v mimo osovém uspořádání depozičního procesu.
21 Pomocí AFM, viz. obr. byla detailně studována topologie povlaků, deponovaných na Si a skleněné podložky, viz. obr. AFM sken povrchu SnO2:Fe deponovaného při 600 o C. Typická sloupcová struktura s detailem sloupcové struktury (měřítko detailu je 200nm) Deponované vrstvy vykazují zajímavý výskyt sloupcových struktur o průměru 200nm. Hustotu výskytu sloupců lze řídit.
22 Byl zkoumán zejména vliv depoziční teploty a post depozičního žíhání až do 600 o C ve vakuu a oxidační atmosféře na strukturu. Krystalická struktura byla určovánametodou RTG. Byl zjištěn pouze minimální vliv teploty na topologii, vrstvy byly prakticky hladké ve všech zkoumaných experimentálních podmínkách, R max do 1nm. Krystalická struktura se vlivem teploty také neměnila, všechny zkoumané povlaky vykazují amorfní strukturu. Teplotní stálost povlaků může být s výhodou využita pro senzorické aplikace, jelikož bude možné dlouhodobě pracovat i za vysokých teplot bez rekrystalizace senzorické vrstvy. Counts [a.u.] a-fe:sno 2 Si substrate 10 min vacuum annealed 600 o C RT 25 h vacuum 400 o C 25 h vacuum 400 o C - on-axis, float substrates Θ [degree] XRD analýza vrstev po různých typech teplených úprav za teplot do 600 o C
23 Složení deponovaných povlaků SnO 2 :Fe na Si substrátech bylo zjišťováno pomocí dvou nezávislých metod, viz. obr. První metodou byla XPS s převážně povrchovou citlivostí a druhou metodou bylo RBS pro určení složení a hloubkového profilu prvků. Byl zjištěn nesoulad obou technika v určování prvkového složení vzorků. Tento rozdíl byl dále analyzován a bylo zjištěno, že je způsoben vlivem kyslíku na rozhraní Si substrátu a vrstvy. Při uvažování pouze složení vrchních cca 10nm zjištěných metodou RBS byla shoda mezi takto upravenými výsledky z RBS a XPS porovnávaná na poměru O/Sn velmi dobrá. Důležitým zjištěním bylo potvrzení složení povrchu povlaku i při žíhání v oxidační atmosféře při teplotě 600 o C ,8 Pa 10W Fe in center deposition temperature 600 o C post-annealed 600 o C vacuum Average values 4,0 3,5 Concentration [At %] top surface RBS XPS Sn O 3,0 2,5 2,0 O/Sn ratio (1) 10 1,5 Fe 0 no heat treatment post-annealed 600 o C oxygen 1,0 Složení povrchu deponovaných vrstev pomocí z RBS a XPS (s výjimkou hodnot označených Average values.)
24 Pomocí vhodně nastavených experimentální podmínek je možné při použití jednoho magnetronového terče množství přidaného železa reprodukovatelněřídit v rozmezí od 0 at. % do 6 at. %, kdy hlavním parametrem je umístění příměsi na terči a dalším výkon přivedený do výboje. Vliv procesního tlaku v oblasti 0,5 Pa až 5 Pa na složení povlaků nebyl detekován. Další studium se zaměření topologii a vlastnosti povlaků deponovaných v bezesrážkovém plazmatu za tlaků pod 0,2 Pa. Vlastnosti SnO 2 :Fe vrstev budou dále zkoumány v dokončovaném systému pro testování senzorických vlastností tenkých vrstev v řízených směsích plynů za atmosférického tlaku. Publikace v časopisech: 1. Martin Kormunda, Jaroslav Pavlik, Anna Mackova, Petr Malinsky, Characterization of off-axis single target RF magnetron co-sputtered iron doped tin oxide films, Surface Coatings and Technology (submitted)
25 A 13 Interakce nízkoteplotního plazmatu s povrchy kovů V oblasti studia interakce povrchu kovů s nízkoteplotním plazmatem metodami počítačového modelování byly připraveny a testovány modely pro nízkoteplotní elektropozitivní plazma inertních plynů tak i na chemicky aktivní plazma. Umožnily detailní pohled na problematiku interakce plazmatu se substrátem. Studium interakce chemicky aktivního plazmatu s povrchy vnořených pevných látek: Počítačové modely v této oblasti se soustředily na multikomponentní plazma popisující směs O 2 /Ar. Vstupem pro model interakce plazma-substrát byla jednak experimentální data získaná ve stejnosměrném doutnavém výboji ve směsích kyslíku s inertními plyny a dále výsledky počítačového modelu směsi O 2 /Ar založeného na makroskopickém kinetickém přístupu. Tento model byl vypracován již v roce 2008 a v roce 2009 byl dále prohlouben. Výsledkem tohoto modelu byla rovnovážná koncentrace nabitých i neutrálních složek chemicky aktivního plazmatu při různých výbojových podmínkách, viz. obr:
26 Časový vývoj koncentrací jednotlivých složek O 2 /Ar plazmatu při E/N = 80 Td.
27 V navazujícím částicovém modelu interakce plazma-pevná látka byly získané koncentrace nabitých složek plazmatu použity jako vstupní data pro popis procesů ve stínící vrstvě a na povrchu vnořeného substrátu. sondy Prostorové rozložení nabitých složek multikomponentního plazmatu v okolí válcové statické výsledky.
28 b) Studium metodiky počítačového modelování plazmatu ve více rozměrech. Částicové modelování interakce plazma-pevná látka je více rozměrech velmi časově náročné, proto mimořádnou pozornost je třeba věnovat efektivitě používaných algoritmů. V roce 2009 byla práce zaměřena na metodu PIC-MC a to jednat na nalezení efektivních algoritmů pro řešení Poissonovy rovnice a dále na paralelizaci výpočtu pro víceprocesorové systémy. Byly testovány následující algoritmy: superrelaxační metoda (SOR), sdružené gradienty (CG), multigridová metoda (MC), algebraické multigridy (AMG) a sdružené gradienty v kombinaci s algebraickými multigridy (AMG-CG). Dosažené výsledky byly publikovány: Černý P., Novák S., Hrach R.: Dynamics of plasma-surface interactions in chemically active plasmas. Vacuum 84 (2010), ISSN X.
29 Zapojení studentů Na projektu pracovali dva PhD studenti doktorského studijního programu na UJEP a budou v dalších letech jako postgraduální studenti zapojeni do činnosti výzkumného centra. Pavel Černý Studium interakce plazma pevná látka v elektronegativnívh plynech Petr Bruna Studium interakce plazma pevná látka pomocíčásticového počítačového modelování Obhájené diplomové práce v roce 2009: UJEP: 1. Petra Bařtipánová Příprava a studium vlastností kompozitních vrstev kov, oxid kovu/plazmový polymer, 2009, (vedoucí práce: Doc. RNDr. Jaroslav Pavlík, CSc.) 2. Romana Mikšová Studium energetických brzdných ztrát iontů v různých typech materiálů, (vedoucí práce: RNDr. Anna Macková, Ph.D.)
Centrum základního výzkumu LC 06041. Příprava, modifikace a charakterizace materiálů energetickým zářením. Jaroslav Pavlík, KF PřF UJEP, Ústí n. L.
Centrum základního výzkumu LC 06041 Příprava, modifikace a charakterizace materiálů energetickým zářením Jaroslav Pavlík, KF PřF UJEP, Ústí n. L. Řešitelský tým: Doc. RNDr. S. Novák, CSc. Prof. RNDr. R.
VíceV001 Dokončení a kalibrace experimentálních zařízení v laboratoři urychlovače Tandetron
V001 Dokončení a kalibrace experimentálních zařízení v laboratoři urychlovače Tandetron Údaje o provozu urychlovačů v ÚJF AV ČR ( hodiny 2009/hodiny 2008) Urychlovač Celkový počet hodin Analýzy Implantace
VíceNanotechnologie a Nanomateriály na PřF UJEP Pavla Čapková
Přírodovědecká fakulta UJEP Ústí n.l. a Ústecké materiálové centrum na PřF UJEP http://sci.ujep.cz/faculty-of-science.html Nanotechnologie a Nanomateriály na PřF UJEP Pavla Čapková Kontakt: Doc. RNDr.
VíceVyužití plazmových metod ve strojírenství. Metody depozice povlaků a tenkých vrstev
Využití plazmových metod ve strojírenství Metody depozice povlaků a tenkých vrstev Metody depozice povlaků Využití plazmatu pro depozice (nanášení) povlaků a tenkých vrstev je moderní a stále častěji aplikovaná
VíceDOUTNAVÝ VÝBOJ. Další technologie využívající doutnavý výboj
DOUTNAVÝ VÝBOJ Další technologie využívající doutnavý výboj Plazma doutnavého výboje je využíváno v technologiích depozice povlaků nebo modifikace povrchů. Jedná se zejména o : - depozici povlaků magnetronovým
VíceREAKTIVNÍ MAGNETRONOVÉ NAPRAŠOV. Jan VALTER HVM Plasma s.r.o. www.hvm.cz
REAKTIVNÍ MAGNETRONOVÉ NAPRAŠOV OVÁNÍ Jan VALTER SCHEMA REAKTIVNÍHO NAPRAŠOV OVÁNÍ zdroj výboje katoda odprašovaný terč plasma inertní napouštění plynů reaktivní zdroj předpětí p o v l a k o v a n é s
VíceVytržení jednotlivých atomů, molekul či jejich shluků bombardováním terče (targetu) ionty s vysokou energií (~kev)
Naprašování: Vytržení jednotlivých atomů, molekul či jejich shluků bombardováním terče (targetu) ionty s vysokou energií (~kev) Po nárazu iont předává hybnost částicím terče, dojde k vytržení Depozice
VíceINTERAKCE IONTŮ S POVRCHY II.
Úvod do fyziky tenkých vrstev a povrchů INTERAKCE IONTŮ S POVRCHY II. Metody IBA (Ion Beam Analysis): pružný rozptyl nabitých částic (RBS), detekce odražených atomů (ERDA), metoda PIXE, Spektroskopie rozptýlených
VícePlazmové metody Materiály a technologie přípravy M. Čada
Plazmové metody Existuje mnoho druhů výbojů v plynech. Ionizovaný plyn = elektrony + ionty + neutrály Depozice tenkých vrstev za pomocí plazmatu je jednou z nejpoužívanějších metod. Pomocí plazmatu lze
VíceKatedra materiálu.
Katedra materiálu Vedoucí katedry: prof. Ing. Petr Louda, CSc. Zástupce vedoucího katedry: doc. Ing. Dora Kroisová, Ph.D. Tajemnice katedry: Ing. Daniela Odehnalová http://www.kmt.tul.cz/ EF TUL, Gaudeamus
VíceFYZIKA VE FIRMĚ HVM PLASMA
FYZIKA VE FIRMĚ HVM PLASMA Jiří Vyskočil HVM Plasma spol.s r.o. Na Hutmance 2, 158 00 Praha 5 OBSAH HVM PLASMA spol. s r.o. zaměření a historie firmy hlavní činnost a produkty POVRCHOVÉ TECHNOLOGIE metody
VícePRINCIPY ZAŘÍZENÍ PRO FYZIKÁLNÍ TECHNOLOGIE (FSI-TPZ-A)
PRINCIPY ZAŘÍZENÍ PRO FYZIKÁLNÍ TECHNOLOGIE (FSI-TPZ-A) GARANT PŘEDMĚTU: Prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (ÚFI) VYUČUJÍCÍ PŘEDMĚTU: Prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc., Ing. Stanislav Voborný, Ph.D. (ÚFI) JAZYK
VíceOddělení fyziky vrstev a povrchů makromolekulárních struktur
Oddělení fyziky vrstev a povrchů makromolekulárních struktur Témata diplomových prací 2014/2015 Studium změn elektrické vodivosti emeraldinových solí vystavených pokojovým a mírně zvýšeným teplotám klíčová
VícePříprava, modifikace a charakterizace materiálů energetickým zářením
Příprava, modifikace a charakterizace materiálů energetickým zářením ČVUT Praha, fakulta elektrotechnická, Praha 6 Výsledky 2008 Řešitelský tým FEL - ČVUT v Praze, katedra mikroelektroniky Jan Vobecký
VícePříprava, modifikace a charakterizace materiálů energetickým zářením
Příprava, modifikace a charakterizace materiálů energetickým zářením ČVUT Praha, fakulta elektrotechnická, Praha 6 Řešitelský tým FEL - ČVUT v Praze, katedra mikroelektroniky Jan Vobecký garant, člen Rady
VíceDOUTNAVÝ VÝBOJ. Magnetronové naprašování
DOUTNAVÝ VÝBOJ Magnetronové naprašování Efektivním způsobem jak získat částice vhodné k růstu povlaku je nahrazení teploty používané u odpařování ekvivalentem energie dodané dopadem těžkéčástice přenosem
VíceSvazek pomalých pozitronů
Svazek pomalých pozitronů pozitrony emitované + zářičem moderované pozitrony střední hloubka průniku Příklad: 0 z P z dz 1 Mg: -1 =154 m Al: -1 = 99 m Cu: -1 = 30 m z pravděpodobnost, p že pozitron pronikne
VícePřehled metod depozice a povrchových
Kapitola 5 Přehled metod depozice a povrchových úprav Tabulka 5.1: První část přehledu technologií pro depozici tenkých vrstev. Klasifikované podle použitého procesu (napařování, MBE, máčení, CVD (chemical
VíceTechniky mikroskopie povrchů
Techniky mikroskopie povrchů Elektronové mikroskopie Urychlené elektrony - šíření ve vakuu, ovlivnění dráhy elektrostatickým nebo elektromagnetickým polem Nepřímé pozorování elektronového paprsku TEM transmisní
VíceIONTOVÉ ZDROJE. Účel. Požadavky. Elektronové zdroje. Iontové zdroje. Princip:
Účel IONTOVÉ ZDROJE vyrobit svazek částic vytvarovat ho a dopravit do urychlovací komory předurychlit ho (10 kev) Požadavky intenzita svazku malá emitance svazku trvanlivost zdroje stabilita zdroje minimální
VíceMetody analýzy povrchu
Metody analýzy povrchu Metody charakterizace nanomateriálů I RNDr. Věra Vodičková, PhD. Povrch pevné látky: Poslední monoatomární vrstva + absorbovaná monovrstva Ovlivňuje fyzikální vlastnosti (ukončení
VíceDOUTNAVÝ VÝBOJ. 1. Vlastnosti doutnavého výboje 2. Aplikace v oboru plazmové nitridace
DOUTNAVÝ VÝBOJ 1. Vlastnosti doutnavého výboje 2. Aplikace v oboru plazmové nitridace Doutnavý výboj Připomeneme si voltampérovou charakteristiku výboje v plynech : Doutnavý výboj Připomeneme si, jaké
VícePočítačový model plazmatu. Vojtěch Hrubý listopad 2007
Počítačový model plazmatu Vojtěch Hrubý listopad 2007 Situace Zajímá nás, co se děje v okolí kovové sondy ponořené do plazmatu. Na válcovou sondu přivedeme napětí U Očekáváme, že se okolo sondy vytvoří
VíceVybrané technologie povrchových úprav. Metody vytváření tenkých vrstev Doc. Ing. Karel Daďourek 2008
Vybrané technologie povrchových úprav Metody vytváření tenkých vrstev Doc. Ing. Karel Daďourek 2008 Metody vytváření tenkých vrstev Vakuové metody dnes nejužívanější CVD Chemical vapour deposition PE CVD
VíceMetody charakterizace
Metody y strukturní analýzy Metody charakterizace nanomateriálů I Význam strukturní analýzy pro studium vlastností materiálů Experimentáln lní metody využívan vané v materiálov lovém m inženýrstv enýrství:
VíceVojtěch Hrubý: Esej pro předmět Seminář EVF
Vojtěch Hrubý: Esej pro předmět Seminář EVF Plazma Pod pojmem plazma většinou myslíme plynné prostředí, které se skládá z neutrálních částic, iontů a elektronů. Poměr množství neutrálních a nabitých částic
VíceGlass temperature history
Glass Glass temperature history Crystallization and nucleation Nucleation on temperature Crystallization on temperature New Applications of Glass Anorganické nanomateriály se skelnou matricí Martin Míka
VícePlazma v technologiích
Plazma v technologiích Mezi moderními strojírenskými technologiemi se stále častěji prosazují metody využívající různé formy plazmatu. Plazma je plynné prostředí skládající se z poměrně volných částic,
VíceMetody analýzy povrchu
Metody analýzy povrchu Metody charakterizace nanomateriálů I RNDr. Věra Vodičková, PhD. 2 Povrch pevné látky: Poslední monoatomární vrstva + absorbovaná monovrstva Ovlivňuje fyzikální vlastnosti (ukončení
VíceZáklady Mössbauerovy spektroskopie. Libor Machala
Základy Mössbauerovy spektroskopie Libor Machala Rudolf L. Mössbauer 1958: jev bezodrazové rezonanční absorpce záření gama atomovým jádrem 1961: Nobelova cena Analogie s rezonanční absorpcí akustických
VícePlazmová depozice tenkých vrstev oxidu zinečnatého
Plazmová depozice tenkých vrstev oxidu zinečnatého Bariérový pochodňový výboj za atmosférického tlaku Štěpán Kment Doc. Dr. Ing. Petr Klusoň Mgr. Zdeněk Hubička Ph.D. Obsah prezentace Úvod do problematiky
VíceV Rmax 3500 V T = 125 o C I. no protons
Příprava, modifikace a charakterizace materiálů energetickým zářením ČVUT Praha, fakulta elektrotechnická, Praha 6 Řešitelský tým katedra mikroelektroniky FEL, ČVUT v Praze Jan Vobecký garant, člen Rady
VíceElektronová Mikroskopie SEM
Elektronová Mikroskopie SEM 26. listopadu 2012 Historie elektronové mikroskopie První TEM Ernst Ruska (1931) Nobelova cena za fyziku 1986 Historie elektronové mikroskopie První SEM Manfred von Ardenne
VíceTypy interakcí. Obsah přednášky
Co je to inteligentní a progresivní materiál - Jaderné analytické metody-využití iontových svazků v materiálové analýze Anna Macková Ústav jaderné fyziky AV ČR, Řež 250 68 Obsah přednášky fyzikální princip
VíceFotoelektronová spektroskopie Instrumentace. Katedra materiálů TU Liberec
Fotoelektronová spektroskopie Instrumentace RNDr. Věra V Vodičkov ková,, PhD. Katedra materiálů TU Liberec Obecné schéma metody Dopad rtg záření emitovaného ze zdroje na vzorek průnik fotonů několik µm
VíceÚvod do fyziky tenkých vrstev a povrchů. Spektroskopie Augerových elektron (AES), elektronová mikrosonda, spektroskopie prahových potenciál
Úvod do fyziky tenkých vrstev a povrchů Spektroskopie Augerových elektron (AES), elektronová mikrosonda, spektroskopie prahových potenciál ty i hlavní typy nepružných srážkových proces pr chodu energetických
VíceAnotace přednášek LŠVT 2015 Česká vakuová společnost. Téma: Plazmové technologie a procesy. Hotel Racek, Úštěk, 1 4. června 2015
Anotace přednášek LŠVT 2015 Česká vakuová společnost Téma: Plazmové technologie a procesy Hotel Racek, Úštěk, 1 4. června 2015 1) Úvod do plasmochemie Lenka Zajíčková, Ústav fyzikální elektroniky, PřF
Více3. Vlastnosti skla za normální teploty (mechanické, tepelné, optické, chemické, elektrické).
PŘEDMĚTY KE STÁTNÍM ZÁVĚREČNÝM ZKOUŠKÁM V BAKALÁŘSKÉM STUDIU SP: CHEMIE A TECHNOLOGIE MATERIÁLŮ SO: MATERIÁLOVÉ INŽENÝRSTVÍ POVINNÝ PŘEDMĚT: NAUKA O MATERIÁLECH Ing. Alena Macháčková, CSc. 1. Souvislost
VíceGD OES a GD MS v praktických aplikacích
GD OES a GD MS v praktických aplikacích Princip povrchových analýz Interakce materiálu s prvotním činidlem Prvotní činidlo prodělá změnu nebo vybudí reakci materiálu Detekce signálu vybuzeného materiálem
VíceDílčí cíle projektu a jejich plnění v roce 2008 (ÚJF AV ČR - laboratoř Tandetronu)
Dílčí cíle projektu a jejich plnění v roce 2008 (ÚJF AV ČR - laboratoř Tandetronu) V001 Dokončení a kalibrace experimentálních zařízení v laboratoři urychlovače Tandetron Bylo dokončeno testování a kalibrace
VíceZákladní experiment fyziky plazmatu
Základní experiment fyziky plazmatu D. Vašíček 1, R. Skoupý 2, J. Šupík 3, M. Kubič 4 1 Gymnázium Velké Meziříčí, david.vasicek@centrum.cz 2 Gymnázium Ostrava-Hrabůvka příspěvková organizace, jansupik@gmail.com
VíceDílčí cíle projektu a jejich plnění v roce 2006 (ÚJF AV ČR - laboratoř Tandetronu)
Dílčí cíle projektu a jejich plnění v roce 2006 (ÚJF AV ČR - laboratoř Tandetronu) V001 Dokončení a kalibrace experimentálních zařízení v laboratoři urychlovače Tandetron 2006 dokončení instalace implantační
Více12. Elektrochemie základní pojmy
Důležité veličiny Elektroda, článek Potenciometrie Evropský sociální fond Praha & EU: Investujeme do vaší budoucnosti Důležité veličiny proud I (ampér - A) náboj Q (coulomb - C) Q t 0 I dt napětí, potenciál
VíceLasery v mikroelektrotechnice. Soviš Jan Aplikovaná fyzika
Lasery v mikroelektrotechnice Soviš Jan Aplikovaná fyzika Obsah Úvod Laserové: žíhání rýhování (orýsování) dolaďování depozice tenkých vrstev dopování příměsí Úvod Vysoká hustota výkonu laseru změna struktury
VíceSecondary Ion mass spectrometry (SIMS)
Secondary Ion mass spectrometry (SIMS) Interakce iontů s povrchy Srážky s ionty a elektrony Implantace iontů Tvorba poruch Emisní jevy: zpětně nebo dopředně rozptýlené ionty odprašování emise atomárních
VíceIradiace tenké vrstvy ionty
Iradiace tenké vrstvy ionty Ve většině technologických aplikací dochází k depozici tenké vrstvy za nízké teploty > jsme v zóně I nebo T > vrstvá má sloupcovou strukturu, je porézní a hrubá. Ukazuje se,
VícePlazmatické metody pro úpravu povrchů
Plazmatické metody pro úpravu povrchů Aleš Kolouch Technická Univerzita v Liberci Studentská 2 461 17 Liberec 1 Obsah 1. Plazma 2. Plazmové stříkání 3. Plazmové leptání 4. PVD 5. PECVD 6. Druhy reaktorů
VíceTechniky prvkové povrchové analýzy elemental analysis
Techniky prvkové povrchové analýzy elemental analysis (Foto)elektronová spektroskopie (pro chemickou analýzu) ESCA, XPS X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) Any technique in which the sample is bombarded
VíceMetody povrchové analýzy založené na detekci iontů. Pavel Matějka
Metody povrchové analýzy založené na detekci iontů Pavel Matějka Metody povrchové analýzy založené na detekci iontů 1. sekundárních iontů - SIMS 1. Princip metody 2. Typy bombardování 3. Analyzátory iontů
VíceTenká vrstva - aplikace
Poznámka: tyto materiály slouží pouze pro opakování STT žáků SPŠ Na Třebešíně, Praha 10; s platností do r. 2016 v návaznosti na platnost norem. Zákaz šíření a modifikace těchto materiálů. Děkuji Ing. D.
VíceSpektroskopie subvalenčních elektronů Elektronová mikroanalýza, rentgenfluorescenční spektroskopie
Spektroskopie subvalenčních elektronů Elektronová mikroanalýza, rentgenfluorescenční spektroskopie Metody charakterizace nanomateriálů I RNDr. Věra Vodičková, PhD. rentgenová spektroskopická metoda k určen
VíceSpojitý popis plazmatu, magnetohydrodynamika
Spojitý popis plazmatu, magnetohydrodynamika Spojitý popis plazmatu V mnoha případech nepotřebujeme znát detailně popis plazmatu, dalším možným popisem plazmatu je tzv. spojitý (fluidní), tj. makroskopický
VíceMembránové potenciály
Membránové potenciály Vznik a podstata membránového potenciálu vzniká v důsledku nerovnoměrného rozdělení fyziologických iontů po obou stranách membrány nestejná propustnost membrány pro různé ionty různá
Více10. Tandemová hmotnostní spektrometrie. Princip tandemové hmotnostní spektrometrie
10. Tandemová hmotnostní spektrometrie Princip tandemové hmotnostní spektrometrie Informace získávané při tandemové hmotnostní spektrometrii Možné způsoby uspořádání tandemové HS a/ scan fragmentů vzniklých
VíceMetody depozice povlaků - CVD
Procesy CVD, PA CVD, PE CVD Chemická metoda depozice vrstev CVD využívá pro depozici směs chemicky reaktivních plynů (např. CH 4, C 2 H 2, apod.) zahřátou na poměrně vysokou teplotu 900 1100 C. Reakční
VíceIonizační manometry. Při ionizaci plynu o koncentraci n nejsou ionizovány všechny molekuly, ale jenom část z nich n i = γn ; γ < 1.
Ionizační manometry Princip: ionizace molekul a měření počtu nabitých částic Rozdělení podle způsobu ionizace: Manometry se žhavenou katodou Manometry se studenou katodou Manometry s radioaktivním zářičem
VíceVLIV SVAROVÉHO SPOJE NA VLASTNOSTI NANÁŠENÝCH TENKÝCH VRSTEV TIN INFLUENCE OF WELDING ON PROPERTIES DEPOSITED THIN FILMS TIN
VLIV SVAROVÉHO SPOJE NA VLASTNOSTI NANÁŠENÝCH TENKÝCH VRSTEV TIN INFLUENCE OF WELDING ON PROPERTIES DEPOSITED THIN FILMS TIN Lenka Pourová a Radek Němec b Ivo Štěpánek c a) Západočeská univerzita v Plzni,
VíceMikroskopie rastrující sondy
Mikroskopie rastrující sondy Metody charakterizace nanomateriálů I RNDr. Věra Vodičková, PhD. Metody mikroskopie rastrující sondy SPM (scanning( probe Microscopy) Metody mikroskopie rastrující sondy soubor
VíceRentgenfluorescenční analýza, pomocník nejen při studiu památek
Rentgenfluorescenční analýza, pomocník nejen při studiu památek Ondřej Vrba (vrba.ondrej@gmail.com) Do Hoang Diep - Danka(dohodda@gmail.com) Verča Chadimová (verusyk@email.cz) Metoda využívající RTG záření
VícePlazmové depozice povlaků. Plazmový nástřik Plasma Spraying
Plazmové depozice povlaků Plazmový nástřik Plasma Spraying Plazmový nástřik patří do kategorie žárových nástřiků. Žárový nástřik je částicový proces vytváření povlaků o tloušťce obvykle větší než 50 µm,
VíceOpakování: shrnutí základních poznatků o struktuře atomu
11. Polovodiče Polovodiče jsou krystalické nebo amorfní látky, jejichž elektrická vodivost leží mezi elektrickou vodivostí kovů a izolantů a závisí na teplotě nebo dopadajícím optickém záření. Elektrické
VíceMERENÍ MECHANICKÝCH VLASTNOSTÍ V MIKROLOKALITÁCH NANOINDENTACÍ. Radek Nemec, Ivo Štepánek
MERENÍ MECHANICKÝCH VLASTNOSTÍ V MIKROLOKALITÁCH NANOINDENTACÍ Radek Nemec, Ivo Štepánek Západoceská univerzita v Plzni, Univerzitní 22, 306 14 Plzen, CR, ivo.stepanek@volny.cz Abstrakt Príspevek se zabývá
VíceMonika Fialová VAKUOVÁ FYZIKA II. ZÍSKÁVÁNÍ NÍZKÝCH TLAKŮ
Monika Fialová VAKUOVÁ FYZIKA II. ZÍSKÁVÁNÍ NÍZKÝCH TLAKŮ CHARAKTERISTIKY VÝVĚV vývěva = zařízení snižující tlak plynu v uzavřeném objemu parametry: mezní tlak čerpací rychlost pracovní tlak výstupní tlak
Vícevodič u něho dochází k transportu el. nabitých částic, který je nevratný, dochází ke vzniku proudu a disipaci energie
Chování polymerů v elektrickém a magnetickém poli vodič u něho dochází k transportu el. nabitých částic, který je nevratný, dochází ke vzniku proudu a disipaci energie dielektrikum, izolant, nevodič v
VíceSTANOVENÍ TVARU A DISTRIBUCE VELIKOSTI ČÁSTIC MODELOVÝCH TYPŮ NANOMATERIÁLŮ. Edita BRETŠNAJDROVÁ a, Ladislav SVOBODA a Jiří ZELENKA b
STANOVENÍ TVARU A DISTRIBUCE VELIKOSTI ČÁSTIC MODELOVÝCH TYPŮ NANOMATERIÁLŮ Edita BRETŠNAJDROVÁ a, Ladislav SVOBODA a Jiří ZELENKA b a UNIVERZITA PARDUBICE, Fakulta chemicko-technologická, Katedra anorganické
VíceUhlíkové struktury vázající ionty těžkých kovů
Uhlíkové struktury vázající ionty těžkých kovů 7. června/june 2013 9:30 h 17:30 h Laboratoř metalomiky a nanotechnologií, Mendelova univerzita v Brně a Středoevropský technologický institut Budova D, Zemědělská
VíceGalvanický článek. Li Rb K Na Be Sr Ca Mg Al Be Mn Zn Cr Fe Cd Co Ni Sn Pb H Sb Bi As CU Hg Ag Pt Au
Řada elektrochemických potenciálů (Beketova řada) v níž je napětí mezi dvojicí kovů tím větší, čím větší je jejich vzdálenost v této řadě. Prvek více vlevo vytěsní z roztoku kov nacházející se vpravo od
Více2. FYZIKÁLNÍ ZÁKLADY ANALYTICKÉ METODY RBS
RBS Jaroslav Král, katedra fyzikální elektroniky FJFI, ČVUT. ÚVOD Spektroskopie Rutherfordova zpětného rozptylu (RBS) umožňuje stanovení složení a hloubkové struktury tenkých vrstev. Na základě energetického
VíceMETODY ANALÝZY POVRCHŮ
METODY ANALÝZY POVRCHŮ (c) - 2017 Povrch vzorku 3 definice IUPAC: Povrch: vnější část vzorku o nedefinované hloubce (Užívaný při diskuzích o vnějších oblastech vzorku). Fyzikální povrch: nejsvrchnější
VícePřednáška 4. Úvod do fyziky plazmatu : základní charakteristiky plazmatu, plazma v elektrickém vf plazma. Doutnavý výboj : oblasti výboje
Přednáška 4 Úvod do fyziky plazmatu : základní charakteristiky plazmatu, plazma v elektrickém vf plazma. Doutnavý výboj : oblasti výboje Jak nahradit ohřev při vypařování Co třeba bombardovat ve vakuu
VíceDaniel Franta. jaro Ústav fyzikální elektroniky, Přírodovědecká fakulta, Masarykova univerzita
Pokročilé disperzní modely v optice tenkých vrstev Lekce 4: Univerzální disperzní model amorfních pevných látek aplikace na elipsometrická a spektrofotometrická měření HfO 2 vrstvy v rozsahu.86-.8 ev Daniel
VíceHODNOCENÍ POVRCHOVÝCH ZMEN MECHANICKÝCH VLASTNOSTÍ PO ELEKTROCHEMICKÝCH ZKOUŠKÁCH. Klára Jacková, Ivo Štepánek
HODNOCENÍ POVRCHOVÝCH ZMEN MECHANICKÝCH VLASTNOSTÍ PO ELEKTROCHEMICKÝCH ZKOUŠKÁCH Klára Jacková, Ivo Štepánek Západoceská univerzita v Plzni, Univerzitní 22, 306 14 Plzen, CR, ivo.stepanek@volny.cz Abstrakt
VíceAnomální doutnavý výboj
Anomální doutnavý výboj Výboje v plynech ve vakuu Základní procesy ve výboji Odprašování dopadající kladné ionty vyrážejí z katody částice, tím dochází k úbytku hmoty katody a zmenšování rozměrů. Odprašování
VíceNanokrystalické tenké filmy oxidu železitého pro solární štěpení vody
Nanokrystalické tenké filmy oxidu železitého pro solární štěpení vody J. Frydrych, L. Machala, M. Mašláň, J. Pechoušek, M. Heřmánek, I. Medřík, R. Procházka, D. Jančík, R. Zbořil, J. Tuček, J. Filip a
VíceElektronová mikroskopie SEM, TEM, AFM
Elektronová mikroskopie SEM, TEM, AFM Historie 1931 E. Ruska a M. Knoll sestrojili první elektronový prozařovací mikroskop 1939 první vyrobený elektronový mikroskop firma Siemens rozlišení 10 nm 1965 první
VíceFotovoltaické systémy
Fotovoltaické systémy Prof. Ing. Vitězslav Benda, CSc ČVUT Praha, Fakulta elektrotechnická katedra elektrotechnologie 1000 W/m 2 Na zemský povrch dopadá část záření pod úhlem ϕ 1 6 MWh/m 2 W ( ϕ) = W0
VíceANORGANICKÁ HMOTNOSTNÍ SPEKTROMETRIE
ANORGANICKÁ HMOTNOSTNÍ SPEKTROMETRIE (c) David MILDE 2003-2010 Metody anorganické MS ICP-MS hmotnostní spektrometrie s indukčně vázaným plazmatem, GD-MS spojení doutnavého výboje s MS, SIMS hmotnostní
VíceUniverzita Karlova v Praze Matematicko-fyzikální fakulta. Martin Petr. Hmotnostní spektrometrie chemicky aktivního plazmatu
Univerzita Karlova v Praze Matematicko-fyzikální fakulta BAKALÁŘSKÁ PRÁCE Martin Petr Hmotnostní spektrometrie chemicky aktivního plazmatu Katedra makromolekulární fyziky Vedoucí bakalářské práce: RNDr.
VíceZákladní typy článků:
Základní typy článků: Články z krystalického Si c on ta c t a ntire fle c tio n c o a tin g Tenkovrstvé články N -ty p e P -ty p e Materiály a technologie pro fotovoltaické články Nové materiály Gratzel,
VíceKlinická a farmaceutická analýza. Petr Kozlík Katedra analytické chemie
Klinická a farmaceutická analýza Petr Kozlík Katedra analytické chemie e-mail: kozlik@natur.cuni.cz http://web.natur.cuni.cz/~kozlik/ 1 Spojení separačních technik s hmotnostní spektrometrem Separační
VíceF6450. Vakuová fyzika 2. Vakuová fyzika 2 1 / 32
F6450 Vakuová fyzika 2 Pavel Slavíček email: ps94@sci.muni.cz Vakuová fyzika 2 1 / 32 Osnova Vázané plyny Sorpční vývěvy kryogenní zeolitové sublimační iontové getrové - vypařované, nevypařované (NEG)
VícePlazma. magnetosféra komety. zbytky po výbuchu supernovy. formování hvězdy. slunce
magnetosféra komety zbytky po výbuchu supernovy formování hvězdy slunce blesk polární záře sluneční vítr - plazma je označována jako čtvrté skupenství hmoty - plazma je plyn s významným množstvím iontů
VíceKovy - model volných elektronů
Kovy - model volných elektronů Kovová vazba 1. Preferuje ji většina prvků vyskytujících se v přírodě. Kov je tvořen kladně nabitými ionty (s konfigurací vzácného plynu) a relativně velmi volnými elektrony.
VíceStudium elektronové struktury povrchu elektronovými spektroskopiemi
Studium elektronové struktury povrchu elektronovými spektroskopiemi Autor: Petr Blumentrit Ve své disertační práci se zabývám Augerovou elektronovou spektroskopií ve speciálním uspořádání, ve kterém jsou
VíceTenké vrstvy pro lékařství 1. Laserové vrstvy ( metody přípravy vrstev, laser, princip metody pulzní laserové depozice PLD, růst vrstev, )
Tenké vrstvy pro lékařství 1. Laserové vrstvy ( metody přípravy vrstev, laser, princip metody pulzní laserové depozice PLD, růst vrstev, ) 2. Vybrané vrstvy a aplikace - gradientní vrstvy, nanokrystalické
VíceVakuové metody přípravy tenkých vrstev
Vakuové metody přípravy tenkých vrstev Metody vytváření tenkých vrstev Vakuové metody dnes nejužívanější CVD Chemical Vapour Deposition (PE CVD Plasma Enhanced CVD nebo PA CVD Plasma Assisted CVD) PVD
VíceVakuová technika. Výroba tenkých vrstev vakuové naprašování
VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ Vakuová technika Výroba tenkých vrstev vakuové naprašování Tomáš Kahánek ID: 106518 Datum: 17.11.2010 Výroba tenkých vrstev
VícePřednáška 8. Chemické metody a fyzikálně-chemické metody : princip CVD, metody dekompozice, PE CVD
Přednáška 8 Chemické metody a fyzikálně-chemické metody : princip CVD, metody dekompozice, PE CVD CVD Chemical Vapor Deposition Je chemický proces používaný k vytváření tenkých vrstev. Substrát je vystaven
VíceVýzkum vlivu přenosových jevů na chování reaktoru se zkrápěným ložem katalyzátoru. Petr Svačina
Výzkum vlivu přenosových jevů na chování reaktoru se zkrápěným ložem katalyzátoru Petr Svačina I. Vliv difuze vodíku tekoucím filmem kapaliny na průběh katalytické hydrogenace ve zkrápěných reaktorech
VíceDny otevřených dveří Přírodovědecká fakulta UJEP
21. 1. 2010 Dny otevřených dveří Přírodovědecká fakulta UJEP / / / program Katedra biologie / České mládeže 8 9.00 15.00 Prohlídka laboratoře biosenzorů a pracoviště mikroskopie atomárních sil a fluorescenční
VícePozitron teoretická předpověď
Pozitron teoretická předpověď Diracova rovnice: αp c mc x, t snaha popsat relativisticky pohyb elektronu x, t ˆ i t řešení s negativní energií vakuum je Diracovo moře elektronů pozitrony díry ve vaku Paul
VíceCo je litografie? - technologický proces sloužící pro vytváření jemných struktur (obzvláště mikrostruktur a nanostruktur)
Co je litografie? - technologický proces sloužící pro vytváření jemných struktur (obzvláště mikrostruktur a nanostruktur) -přenesení dané struktury na povrch strukturovaného substrátu Princip - interakce
VíceIntegrovaná střední škola, Hlaváčkovo nám. 673, Slaný
Označení materiálu: VY_32_INOVACE_STEIV_FYZIKA2_12 Název materiálu: Elektrický proud v plynech. Tematická oblast: Fyzika 2.ročník Anotace: Prezentace slouží k výkladu elektrického proudu v plynech. Očekávaný
VíceStudium fotoelektrického jevu
Studium fotoelektrického jevu Úkol : 1. Změřte voltampérovou charakteristiku přiložené fotonky 2. Zpracováním výsledků měření určete hodnotu Planckovy konstanty Pomůcky : - Ampérmetr TESLA BM 518 - Školní
Vícegalvanicky chemicky plazmatem ve vakuu Vrstvy ve vakuu MBE Vakuová fyzika 2 1 / 39
Vytváření vrstev galvanicky chemicky plazmatem ve vakuu Vrstvy ve vakuu povlakování MBE měření tloušt ky vrstvy během depozice Vakuová fyzika 2 1 / 39 Velmi stručná historie (více na www.svc.org) 1857
VíceÚvod do fyziky plazmatu
Úvod do fyziky plazmatu Lenka Zajíčková, Ústav fyz. elektroniky Doporučená literatura: J. A. Bittencourt, Fundamentals of Plasma Physics, 2003 (3. vydání) ISBN 85-900100-3-1 Navazující a související přednášky:
VíceCOMPARISON OF SYSTEM THIN FILM SUBSTRATE WITH VERY DIFFERENT RESISTANCE DURING INDENTATION TESTS. Matyáš Novák, Ivo Štěpánek
POROVNÁNÍ SYSTÉMŮ TENKÁ VRSTVA SUBSTRÁT S VELICE ROZDÍLNOU ODOLNOSTÍ PŘI INDENTAČNÍCH ZKOUŠKÁCH COMPARISON OF SYSTEM THIN FILM SUBSTRATE WITH VERY DIFFERENT RESISTANCE DURING INDENTATION TESTS Matyáš Novák,
Více