Přednáška 8. Chemické metody a fyzikálně-chemické metody : princip CVD, metody dekompozice, PE CVD
|
|
- Bedřich Bartoš
- před 6 lety
- Počet zobrazení:
Transkript
1 Přednáška 8 Chemické metody a fyzikálně-chemické metody : princip CVD, metody dekompozice, PE CVD
2 CVD Chemical Vapor Deposition Je chemický proces používaný k vytváření tenkých vrstev. Substrát je vystaven proudu jednoho nebo více těkavých prekurzorů, které reagují a/nebo se rozkládaní na substrátu, kde vytváření produkty - vrstvu. Obvykle vznikají také těkavé odpady, které jsou tokem plynu odváděny z oblasti substrátu.
3 Idea depozice CVD Tok prekurzorů Tok odpadů Substrát na vhodné teplotě Pozor na pokles koncentrace prekurzorů při růstu vrstev, lze kompenzovat právě geometrií.
4 Rozdělení CVD podle pracovního tlaku Atmospheric pressure CVD (APCVD) Low-pressure CVD (LPCVD)
5 Rozdělení CVD podle zdroje par Aerosol assisted CVD (AACVD) Direct liquid injection CVD (DLICVD) Metalorganic (MOCVD) chemical vapor deposition
6 CVD s přídavnou aktivací par Microwave plasma-assisted CVD (MPCVD) Plasma-Enhanced CVD (PECVD) Remote plasma-enhanced CVD (RPECVD)
7 Polykrystalický křemík SiH4 Si + 2H2 Silan spontánně hořlavý, dusivý plyn LPCVD Teplota substrátu 600 až 650 oc Tlak 25 až 150 Pa Rychlost růstu cca 10 až 20 nm/min Lze i přímo dopovat připouštěním vhodného plynu
8 Oxid křemičitý - SiO2 Více možností: SiH4 + O2 SiO2 + 2H2 při 300 až 500 C, LPCVD nebo APCVD SiCl2H2 + 2 N2O SiO2 + 2N2 + 2HCl, 900 C, LPCVD Si(OC2H5)4 SiO2 + odpad, 650 and 750 C, LPCVD, TEOS - Tetraethylorthosilicate Dopování fosforem např. pomocí 4 PH3 + 5O2 2P2O5 + 6H2
9 Reaktor pro LPCVD Topné elementy 140 až 1250 oc
10 CVF7000. Cluster-Type Thermal Processing Equipment. Koyo Thermo Systems
11 Oxid křemičitý - SiO2 Další možnosti: 3SiH4 + 6 N2O 3 SiO2 + 4NH3 + 4N2, PECVD Si(OC2H5)4 SiO2 + odpad, PECVD
12 PECVD
13 Depozice na napájené elektrodě
14 Triodový PECVD systém
15 Nitrid křemíku - SiN Opět více možností: 3SiH4 + 4NH3 Si3N4 + 12H2, LPCVD 3SiCl2H2 + 4 NH3 Si3N4 + 6HCl + 6H2, LPCVD Vrstvy mají vysoké vnitřní pnutí, proto praskají při tlouštkách nad 200 nm 16 Odpor cca 10 Ohm.cm
16 SiHN Jak snížit vnitřní pnutí v SiN? Pomocí SiNH SiNH má horší elektrické vlastnosti, ale menší vnitřní pnutí Použijme PECVD reakce 2SiH4 + N2 2SiNH + 3H2 SiH4 + NH3 SiNH + 3H2
17 Depozice TiN - CVD TiN - zlatá vrstva na nástrojích Historická metoda: TiCl4 jako prekurzor těkavá kapalina Páry získáme probubláváním Kde vezmeme dusík? Z NH3. Reakce probíhá dobře nad 600 oc Nižší teploty jen pomocí MOCVD.
18 Depozice W - CVD Wolfram pomocí hexafluoridu wolframu WF6 W + 3F2 WF6 + 3H2 W + 6HF při 300 až 800 C
19 Depozice kovů - CVD Nebo přímo na křemíkovým substrátu povrchu 2WF6 + 3Si 2W + 3SiF4 pod 400 oc WF6 + 3Si2 W + 3SiF2 nad 400 oc Pozor na rozdílnou spotřebu Si!
20 Depozice kovů - problémy Ne všechny kovy lze snadno deponovat pomocí CVD technik Problematické jsou hliník a měď
21 MOCVD pro TiN Prekurzory: tetrakis-(dimethylamido)titanium TDMAT tetrakis-(diethylamido)titanium TDEAT o Pracovní teplota 350 až 400 C Pozor reakce s NH3 je rychlá a musí proběhnout až v pracovní komoře!!
22 MOCVD pro TiN
23 MOCVD metalo-organika pro polovodičový průmysl
24 Růst GaN pomocí MOCVD
25 Doplněk - Transparentní vodiče ZnO, SnO2, In2O3, popř. se vrstvy dopují různými příměsmi pro zlepšení elektrických a optických vlastností, např. ZnO:Al, ZnO:In, SnO2:F, SnO2:Sb, In2O3:Te, In2O3:Sn Původně byly substráty pokrývány jednoduchými chemickými metodami. Jednoduchá metoda spray spočívá v rozprašování drobných kapiček, které chemicky reagují na horkém substrátu. Například: 2InCl3 + 3H2O In2O3 + 6HCl SnCl4 + 2H2O SnO2 + 4HCl Později se osvědčila i metoda PECVD: SnCl4 + 2H2O SnO2 + 4HCl
26 Rovnovážný stav Změna std. volné entalpie Reaktanty na + mb na + mb pc + rd DG Produkty pc + rd p r [C ] [ D] e n m [ A] [ B ] G RT [A] - rovnovážná molární koncentrace látky A
27 Gibbsova volná energie Pozor na reverzibilní procesy, takové kde DG blízká 0 Exotermní reakce DG < 0 Endotermní reakce DG > 0
28 Model selektivního růstu Si
29 Plazmová polymerace Monomer Glyme-2 (C6H14O3) RF power Chamber dimension:27x27x12cm Electrodes diameter:14cm Substrate holder Pump Gas inlet (Shower)
30 Jak připravit CFx Z CxFy prekurzoru pomocí CVD Magnetronovým naprašování z Cfx terče Nebo i jinak
31 PECVD pro CFx PACVD z C4F8 Vzorek na napájené elektrodě Vzorek byl před depozicí zdrsněn pomocí iontového bombardu Výsledný povrch odpuzuje vodu
32 Výsledný povrch CFx 3 -CF3 5W -1 Absorption (cm ) 10W 20W 2 30W -CF2 1 -CF Wavenumber (cm )
33 Literatura Wikipedie Lise-Marie Lacroix, Michael Lejeune, Laura Ceriotti, Martin Kormunda, Tarik Meziani, Pascal Colpo, Francois Rossi, Surface Science 592 (2005)
Chemické a další metody přípravy tenkých vrstev
Chemické a další metody přípravy tenkých vrstev CVD metody Elektrolitické depozice - galvanotechnika Depozice organických vrstev CVD Chemical Vapor Deposition Je chemický proces používaný k vytváření tenkých
Vybrané technologie povrchových úprav. Metody vytváření tenkých vrstev Doc. Ing. Karel Daďourek 2008
Vybrané technologie povrchových úprav Metody vytváření tenkých vrstev Doc. Ing. Karel Daďourek 2008 Metody vytváření tenkých vrstev Vakuové metody dnes nejužívanější CVD Chemical vapour deposition PE CVD
Vakuové metody přípravy tenkých vrstev
Vakuové metody přípravy tenkých vrstev Metody vytváření tenkých vrstev Vakuové metody dnes nejužívanější CVD Chemical Vapour Deposition (PE CVD Plasma Enhanced CVD nebo PA CVD Plasma Assisted CVD) PVD
Základní typy článků:
Základní typy článků: Články z krystalického Si c on ta c t a ntire fle c tio n c o a tin g Tenkovrstvé články N -ty p e P -ty p e Materiály a technologie pro fotovoltaické články Nové materiály Gratzel,
Přehled metod depozice a povrchových
Kapitola 5 Přehled metod depozice a povrchových úprav Tabulka 5.1: První část přehledu technologií pro depozici tenkých vrstev. Klasifikované podle použitého procesu (napařování, MBE, máčení, CVD (chemical
Plazmové metody Materiály a technologie přípravy M. Čada
Plazmové metody Existuje mnoho druhů výbojů v plynech. Ionizovaný plyn = elektrony + ionty + neutrály Depozice tenkých vrstev za pomocí plazmatu je jednou z nejpoužívanějších metod. Pomocí plazmatu lze
Technologie a vlastnosti tenkých vrstev, tenkovrstvé senzory
Vysoká škola chemicko-technologická v Praze Technologie a vlastnosti tenkých vrstev, tenkovrstvé senzory Technologie CVD, PVD, PECVD, MOVPE, MBE, coating technologie (spin-, spray-, dip-) Ondřej Ekrt Vymezení
Technologie CMOS. Je to velmi malý svět. Technologie CMOS Lokální oxidace. Vytváření izolačních příkopů. Vytváření izolačních příkopů
Je to velmi malý svět Technologie CMOS Více než 2 000 000 tranzistorů v 45nm technologii může být integrováno na plochu tečky za větou. From The Oregonian, April 07, 2008 Jiří Jakovenko Struktury integrovaných
Využití plazmových metod ve strojírenství. Metody depozice povlaků a tenkých vrstev
Využití plazmových metod ve strojírenství Metody depozice povlaků a tenkých vrstev Metody depozice povlaků Využití plazmatu pro depozice (nanášení) povlaků a tenkých vrstev je moderní a stále častěji aplikovaná
Vakuová technika. Výroba tenkých vrstev vakuové naprašování
VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ Vakuová technika Výroba tenkých vrstev vakuové naprašování Tomáš Kahánek ID: 106518 Datum: 17.11.2010 Výroba tenkých vrstev
Metody depozice povlaků - CVD
Procesy CVD, PA CVD, PE CVD Chemická metoda depozice vrstev CVD využívá pro depozici směs chemicky reaktivních plynů (např. CH 4, C 2 H 2, apod.) zahřátou na poměrně vysokou teplotu 900 1100 C. Reakční
Mikro a nanotribologie materiály, výroba a pohon MEMS
Tribologie Mikro a nanotribologie materiály, výroba a pohon MEMS vypracoval: Tomáš Píza Obsah - Co je to MEMS - Materiály pro MEMS - Výroba MEMS - Pohon MEMS Co to je MEMS - zkratka z anglických slov Micro-Electro-Mechanical-Systems
galvanicky chemicky plazmatem ve vakuu Vrstvy ve vakuu MBE Vakuová fyzika 2 1 / 39
Vytváření vrstev galvanicky chemicky plazmatem ve vakuu Vrstvy ve vakuu povlakování MBE měření tloušt ky vrstvy během depozice Vakuová fyzika 2 1 / 39 Velmi stručná historie (více na www.svc.org) 1857
Plazmová depozice tenkých vrstev oxidu zinečnatého
Plazmová depozice tenkých vrstev oxidu zinečnatého Bariérový pochodňový výboj za atmosférického tlaku Štěpán Kment Doc. Dr. Ing. Petr Klusoň Mgr. Zdeněk Hubička Ph.D. Obsah prezentace Úvod do problematiky
TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ III.
TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ III. NANÁŠENÍ VRSTEV V mikroelektronice se nanáší tzv. tlusté a tenké vrstvy. a) Tlusté vrstvy: Používají se v hybridních integrovaných obvodech. Nanáší
Lasery v mikroelektrotechnice. Soviš Jan Aplikovaná fyzika
Lasery v mikroelektrotechnice Soviš Jan Aplikovaná fyzika Obsah Úvod Laserové: žíhání rýhování (orýsování) dolaďování depozice tenkých vrstev dopování příměsí Úvod Vysoká hustota výkonu laseru změna struktury
TENKÉ VRSTVY. 1. Modifikací povrchu materiálu (teplem, okysličením, laserem,.. 2. Depozicí (nanášením)
TENKÉ VRSTVY Lze připravit : 1. Modifikací povrchu materiálu (teplem, okysličením, laserem,.. 2. Depozicí (nanášením) Metody fyzikální (Physical Vapor Deposition PVD) Metody chemické (Chemical Vapor Deposition-
Tenká vrstva - aplikace
Poznámka: tyto materiály slouží pouze pro opakování STT žáků SPŠ Na Třebešíně, Praha 10; s platností do r. 2016 v návaznosti na platnost norem. Zákaz šíření a modifikace těchto materiálů. Děkuji Ing. D.
REAKTIVNÍ MAGNETRONOVÉ NAPRAŠOV. Jan VALTER HVM Plasma s.r.o. www.hvm.cz
REAKTIVNÍ MAGNETRONOVÉ NAPRAŠOV OVÁNÍ Jan VALTER SCHEMA REAKTIVNÍHO NAPRAŠOV OVÁNÍ zdroj výboje katoda odprašovaný terč plasma inertní napouštění plynů reaktivní zdroj předpětí p o v l a k o v a n é s
Depozice tenkých vrstev I.
Depozice tenkých vrstev I. Naprašování Mgr. Tereza Schmidtová 15. dubna 2010 Aplikace Klasifikace Obecný přehled aplikací použití pro optické vlastnosti - laserová optika, zrcadla, reflexní a anti-reflexní
Anotace přednášek LŠVT 2015 Česká vakuová společnost. Téma: Plazmové technologie a procesy. Hotel Racek, Úštěk, 1 4. června 2015
Anotace přednášek LŠVT 2015 Česká vakuová společnost Téma: Plazmové technologie a procesy Hotel Racek, Úštěk, 1 4. června 2015 1) Úvod do plasmochemie Lenka Zajíčková, Ústav fyzikální elektroniky, PřF
Plazmatické metody pro úpravu povrchů
Plazmatické metody pro úpravu povrchů Aleš Kolouch Technická Univerzita v Liberci Studentská 2 461 17 Liberec 1 Obsah 1. Plazma 2. Plazmové stříkání 3. Plazmové leptání 4. PVD 5. PECVD 6. Druhy reaktorů
Chemické metody depozice z plynné fáze
Kapitola 7 Chemické metody depozice z plynné fáze Chemickými procesy v plynné fázi jsou metody vytváření tenkých vrstev s využitím čistě chemických procesů, jedná se o reakci plynné fáze nebo par na jedné
ZADÁNÍ BAKALÁŘSKÉ PRÁCE
Vysoké učení technické v Brně, Fakulta strojního inženýrství Ústav fyzikálního inženýrství Akademický rok: 2013/2014 ZADÁNÍ BAKALÁŘSKÉ PRÁCE student(ka): Jakub Kuba který/která studuje v bakalářském studijním
Chemické metody plynná fáze
Chemické metody plynná fáze Chemické reakce prekurzorů lze aktivovat i UV zářením PHCVD. Foton aktivuje molekuly nebo atomy, které pak vytvářejí volné radikály nesoucí hodně energie > ty pak rozbijí velké
PLASMA ENHANCED CVD. Modifikace práškových částic diamantu v chemické plazmové rotační reaktorové komoře
PLASMA ENHANCED CVD Modifikace práškových částic diamantu v chemické plazmové rotační reaktorové komoře Autor: Przemysław Ceynowa, Koszalin University of Technology, Poland CO JE CVD? Chemical vapor deposition
FYZIKA VE FIRMĚ HVM PLASMA
FYZIKA VE FIRMĚ HVM PLASMA Jiří Vyskočil HVM Plasma spol.s r.o. Na Hutmance 2, 158 00 Praha 5 OBSAH HVM PLASMA spol. s r.o. zaměření a historie firmy hlavní činnost a produkty POVRCHOVÉ TECHNOLOGIE metody
Katedra chemie FP TUL Chemické metody přípravy vrstev
Chemické metody přípravy vrstev Metoda sol-gel Historie nejstarší příprava silikagelu 1939 patent na výrobu antireflexních vrstev na fotografické čočky 60. léta studium vrstev SiO 2 a TiO 2 70. léta výroba
Tenké vrstvy. metody přípravy. hodnocení vlastností
Tenké vrstvy metody přípravy hodnocení vlastností 1 / 39 Depozice tenkých vrstev Depozice vrstev se provádí jako finální operace na hotovém již tepelně zpracovaném substrátu. Pro dobré adhezní vlastnosti
Chemické metody přípravy tenkých vrstev
Chemické metody přípravy tenkých vrstev verze 2013 Povrchové filmy monomolekulární Langmuirovy filmy PAL (povrchově aktivní látky) na polární kapalině (vodě), 0,205 nm 2 na 1 molekulu, tloušťka dána délkou
Iradiace tenké vrstvy ionty
Iradiace tenké vrstvy ionty Ve většině technologických aplikací dochází k depozici tenké vrstvy za nízké teploty > jsme v zóně I nebo T > vrstvá má sloupcovou strukturu, je porézní a hrubá. Ukazuje se,
Nanokrystalické tenké filmy oxidu železitého pro solární štěpení vody
Nanokrystalické tenké filmy oxidu železitého pro solární štěpení vody J. Frydrych, L. Machala, M. Mašláň, J. Pechoušek, M. Heřmánek, I. Medřík, R. Procházka, D. Jančík, R. Zbořil, J. Tuček, J. Filip a
Fyzikální metody depozice KFY / P223
Fyzikální metody depozice KFY / P223 Obsah Vymezení pojmu tenkých vrstev, význam TV ve vědě a technice, přehled metod vytváření TV Růst tenkých vrstev: módy a fáze růstu TV, vliv parametrů procesu. Napařování
ANALÝZA POVLAKOVANÝCH POVRCHŮ ŘEZNÝCH NÁSTROJŮ
Středoškolská technika 2019 Setkání a prezentace prací středoškolských studentů na ČVUT ANALÝZA POVLAKOVANÝCH POVRCHŮ ŘEZNÝCH NÁSTROJŮ Jakub Chlaň, Matouš Hyk, Lukáš Procházka Střední škola elektrotechniky
VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ
VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ FACULTY OF ELECTRICAL ENGINEERING AND COMMUNICATION ÚSTAV ELEKTROTECHNOLOGIE DEPARTMENT OF
SYSTÉM TENKÁ VRSTVA SUBSTRÁT V APLIKACI NA ŘEZNÝCH NÁSTROJÍCH
Západočeská univerzita v Plzni SYSTÉM TENKÁ VRSTVA SUBSTRÁT V APLIKACI NA ŘEZNÝCH NÁSTROJÍCH Antonín Kříž Univerzitní 22, 306 14 Plzeň, e-mail: kriz@kmm.zcu.cz Tento příspěvek vznikl na základě řešení
TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ II.
TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ II. 1. OXIDACE KŘEMÍKU Oxid křemíku SiO2 se během technologického procesu užívá k vytváření: a) Maskovacích vrstev b) Izolačních vrstev (izolují prvky
Vytváření tenkých speciálních vrstev metodou plazmochemické depozice z plynné fáze
Vytváření tenkých speciálních vrstev metodou plazmochemické depozice z plynné fáze Teoretické základy: Plazmochemická depozice z plynné fáze metoda PECVD Rozvoj plazmochemických metod vytváření tenkých
3.3 Výroba VBD a druhy povlaků
3.3 Výroba VBD a druhy povlaků 3.3.1 Výroba výměnných břitových destiček Slinuté karbidy Slinuté karbidy jsou materiály vytvořené pomocí práškové metalurgie. Skládají se z tvrdých částic: karbidu wolframu
Seminář z anorganické chemie
Univerzita Jana Evangelisty Purkyně v Ústí nad Labem Přírodovědecká fakulta Studijní opora pro dvouoborové kombinované bakalářské studium Seminář z anorganické chemie Ing.Fišerová Cílem kurzu je seznámit
Tenké vrstvy pro lékařství 1. Laserové vrstvy ( metody přípravy vrstev, laser, princip metody pulzní laserové depozice PLD, růst vrstev, )
Tenké vrstvy pro lékařství 1. Laserové vrstvy ( metody přípravy vrstev, laser, princip metody pulzní laserové depozice PLD, růst vrstev, ) 2. Vybrané vrstvy a aplikace - gradientní vrstvy, nanokrystalické
DOUTNAVÝ VÝBOJ. Magnetronové naprašování
DOUTNAVÝ VÝBOJ Magnetronové naprašování Efektivním způsobem jak získat částice vhodné k růstu povlaku je nahrazení teploty používané u odpařování ekvivalentem energie dodané dopadem těžkéčástice přenosem
TVORBA MOTIVŮ TENKOVRSTVÝMI METODAMI
VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ ÚSTAV ELEKTROTECHNOLOGIE FACULTY OF ELECTRICAL ENGINEERING AND COMMUNICATION DEPARTMENT OF
Principy chemických snímačů
Principy chemických snímačů Název školy: SPŠ Ústí nad Labem, středisko Resslova Autor: Ing. Pavel Votrubec Název: VY_32_INOVACE_05_AUT_99_principy_chemickych_snimacu.pptx Téma: Principy chemických snímačů
VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií Ústav mikroelektroniky
VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií Ústav mikroelektroniky Ing. Ondřej Hégr CHARAKTERIZACE NANOSTRUKTUR DEPONOVANÝCH VYSOKOFREKVENČNÍM MAGNETRONOVÝM NAPRAŠOVÁNÍM
ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ
ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ Katedra technologií a měření DIPLOMOVÁ PRÁCE Optické vlastnosti dielektrických tenkých vrstev Bc. Martin Malán 214 Abstrakt Předkládaná diplomová
Návod pro laboratorní úlohu: Komerční senzory plynů a jejich testování
Návod pro laboratorní úlohu: Komerční senzory plynů a jejich testování Úkol měření: 1) Proměřte závislost citlivosti senzoru TGS na koncentraci vodíku 2) Porovnejte vaši citlivostní charakteristiku s charakteristikou
Návod pro laboratorní úlohu: Závislost citlivosti plynových vodivostních senzorů na teplotě
Návod pro laboratorní úlohu: Závislost citlivosti plynových vodivostních senzorů na teplotě Náplní laboratorní úlohy je proměření základních parametrů plynových vodivostních senzorů: i) el. odpor a ii)
CHO cvičení, FSv, ČVUT v Praze
2. Chemické rovnice Chemická rovnice je schématický zápis chemického děje (reakce), který nás informuje o reaktantech (výchozích látkách), produktech, dále o stechiometrii reakce tzn. o vzájemném poměru
Vlastnosti tenkých DLC vrstev
Vlastnosti tenkých DLC vrstev Ing. Vladimír Jech ČVUT v Praze, FS, Technická 4, 16607 Praha Abstrakt Vrstvy DLC nacházejí díky svým jedinečným vlastnostem stále širší oblasti využití. Vyznačují se vysokou
Typy interakcí. Obsah přednášky
Co je to inteligentní a progresivní materiál - Jaderné analytické metody-využití iontových svazků v materiálové analýze Anna Macková Ústav jaderné fyziky AV ČR, Řež 250 68 Obsah přednášky fyzikální princip
TOPNÁ MEMBRÁNA TYPU MEMS S NÍZKÝM PŘÍKONEM
VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ ÚSTAV MIKROELEKTRONIKY FACULTY OF ELECTRICAL ENGINEERING AND COMMUNICATION DEPARTMENT OF
Chemické senzory Principy senzorů Elektrochemické senzory Gravimetrické senzory Teplotní senzory Optické senzory Fluorescenční senzory Gravimetrické chemické senzory senzory - ovlivňov ování tuhosti pevného
Křemík a jeho sloučeniny
Křemík a jeho sloučeniny Mgr. Jana Pertlová Copyright istudium, 2008, http://www.istudium.cz Žádná část této publikace nesmí být publikována a šířena žádným způsobem a v žádné podobě bez výslovného svolení
Nauka o materiálu. Přednáška č.10 Difuze v tuhých látkách, fáze a fázové přeměny
Nauka o materiálu Přednáška č.10 Difuze v tuhých látkách, fáze a fázové přeměny Difuze v tuhých látkách Difuzí nazýváme přesun atomů nebo iontů na vzdálenost větší než je meziatomová vzdálenost. Hnací
Laboratoř pro přípravu a charakterizaci polovodičových struktur na bázi nitridů LABONIT, registrační číslo projektu CZ.2.16/3.1.
ODŮVODNĚNÍ VEŘEJNÉ ZAKÁZKY v souladu s 156 odst. 1 zákona č. 137/2006 Sb., o veřejných zakázkách, ve znění pozdějších předpisů (dále jen zákon ), a vyhlášky č. 232/2012 Sb. (dále jen vyhláška ) Název veřejné
SPEKTROMETRIE. aneb co jsem se dozvěděla. autor: Zdeňka Baxová
SPEKTROMETRIE aneb co jsem se dozvěděla autor: Zdeňka Baxová FTIR spektrometrie analytická metoda identifikace látek (organických i anorganických) všech skupenství měříme pohlcení IČ záření (o různé vlnové
Metody depozice tenkých vrstev pomocí nízkoteplotního plazmatu
Jihočeská univerzita v Českých Budějovicích Pedagogická fakulta Katedra aplikované fyziky a techniky diplomová práce Metody depozice tenkých vrstev pomocí nízkoteplotního plazmatu Vypracoval: Martin Günzel
1 Moderní nástrojové materiály
1 Řezné materiály jsou podle ISO 513 členěné do šesti základních skupin, podle typu namáhání břitu. - Skupina P zahrnuje nástrojové materiály určené k obrábění většiny ocelí, které dávají dlouhou třísku
Příprava grafénu. Petr Jelínek
Příprava grafénu Petr Jelínek Schéma prezentace Úvod do tématu Provedené experimenty - příprava grafénu - charakterizace Plánovaná činnost - experimenty Závěr 2 Pohled do historie 1960 HOPG (Arthur Moore)
DEGA 05L-2-AC-x-yL kompaktní detektor DETEKCE VÍCE NEŽ 200 HOŘLAVÝCH A TOXICKÝCH PLYNŮ ISO 9001:2008
ISO 9001:2008 Quality Management Systems Systéme de Qualité www.sgs.com MOŽNOST PŘÍDAVNÝCH FUNKCÍ DETEKCE KRITICKÉ TEPLOTY DETEKCE ZAPLAVENÍ ELEKTROCHEMICKÝ SENZOR KATALYTICKY SENZOR INFRAČERVENÝ SENZOR
CZ.1.07/1.1.30/01.0038
Akce: Přednáška, KA 5 Téma: MODERNÍ METODY VSTŘIKOVÁNÍ PLASTŮ (1. přednáška) Lektor: Ing. Aleš Ausperger, Ph.D. Třída/y: 3MS Datum konání: 13. 3. 2014 Místo konání: malá aula Čas: 2. a 3. hodina; od 8:50
Vytržení jednotlivých atomů, molekul či jejich shluků bombardováním terče (targetu) ionty s vysokou energií (~kev)
Naprašování: Vytržení jednotlivých atomů, molekul či jejich shluků bombardováním terče (targetu) ionty s vysokou energií (~kev) Po nárazu iont předává hybnost částicím terče, dojde k vytržení Depozice
DOUTNAVÝ VÝBOJ. Další technologie využívající doutnavý výboj
DOUTNAVÝ VÝBOJ Další technologie využívající doutnavý výboj Plazma doutnavého výboje je využíváno v technologiích depozice povlaků nebo modifikace povrchů. Jedná se zejména o : - depozici povlaků magnetronovým
Nano a mikrotechnologie v chemickém inženýrství. Hi-tech VYSOKÁ ŠKOLA CHEMICKO-TECHNOLOGICKÁ V PRAZE ÚSTAV CHEMICKÉHO INŽENÝRSTVÍ
Nano a mikrotechnologie v chemickém inženýrství Hi-tech VYSOKÁ ŠKOLA CHEMICKO-TECHNOLOGICKÁ V PRAZE ÚSTAV CHEMICKÉHO INŽENÝRSTVÍ Hi-tech Nano a mikro technologie v chemickém inženýrství umožňují: Samočisticí
DEGA NSx-yL II snímač detekce plynů DETEKCE VÍCE NEŽ 200 HOŘLAVÝCH A TOXICKÝCH PLYNŮ. Krytí IP 64
ISO 9001:2008 Quality Management Systems Systéme de Qualité www.sgs.com ELEKTROCHEMICKÝ SENZOR KATALYTICKY SENZOR INFRAČERVENÝ SENZOR POLOVODIČOVÝ SENZOR EX zóna 2 DETEKCE VÍCE NEŽ 200 HOŘLAVÝCH A TOXICKÝCH
Značí se A r Určí se z periodické tabulky. Jednotkou je 1/12 hmotnosti atomu uhlíku. A r (H) = 1 A r (O) = 16
CHEMICKÉ VÝPOČTY Značí se A r Určí se z periodické tabulky. Jednotkou je 1/12 hmotnosti atomu uhlíku. A r (H) = 1 A r (O) = 16 12 6 C Značí se M r Vypočítá se jako součet relativních atomových hmotností
ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ
ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ KATEDRA TECHNOLOGIÍ A MĚŘENÍ DIPLOMOVÁ PRÁCE Příprava a studium křemíkových multivrstevnatých superstruktur a-si:h/sio 2 pro oblast PV vedoucí práce:
Předmět: CHEMIE Ročník: 8. ŠVP Základní škola Brno, Hroznová 1. Výstupy předmětu
Chemie ukázka chemického skla Chemie přírodní věda, poznat chemické sklo a pomůcky, zásady bezpečné práce práce s dostupnými a běžně používanými látkami (směsmi). Na základě piktogramů žák posoudí nebezpečnost
Sol gel metody. Si O Si + H 2 O (2)
Sol gel metody Zdeněk Moravec (hugo@chemi.muni.cz) Sol gel metody jsou používány pro přípravu hlavně anorganických oxidických materiálů a dále pro syntézu organicko-anorganických kompozitních materiálů,
DODATEČNÉ INFORMACE K ZADÁVACÍM PODMÍNKÁM č. 4
DODATEČNÉ INFORMACE K ZADÁVACÍM PODMÍNKÁM č. 4 Název zadavatele: Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. Sídlo: Na Slovance 1999/2, 182 21 Praha 8 Identifikační číslo: 68378271 Osoby oprávněné jednat za zadavatele:
1H 1s. 8O 1s 2s 2p - - - - - - H O H
OXIDAČNÍ ČÍSLO 1H 1s 8O 1s 2s 2p 1H 1s - - - - + - - + - - + - - H O H +I -II +I H O H - - - - Elektronegativita: Oxidační číslo vodíku: H +I Oxidační číslo kyslíku: O -II Platí téměř ve všech sloučeninách.
DODATEČNÉ INFORMACE K ZADÁVACÍM PODMÍNKÁM č. 2
DODATEČNÉ INFORMACE K ZADÁVACÍM PODMÍNKÁM č. 2 Název zadavatele: Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. Sídlo: Na Slovance 1999/2, 182 21 Praha 8 Identifikační číslo: 68378271 Osoby oprávněné jednat za zadavatele:
Energie v chemických reakcích
Energie v chemických reakcích Energetická bilance reakce CH 4 + Cl 2 = CH 3 Cl + HCl rozštěpení vazeb vznik nových vazeb V chemických reakcích dochází ke změně vazeb mezi atomy. Vazebná energie uvolnění
MASARYKOVA UNIVERZITA
MASARYKOVA UNIVERZITA Přírodovědecká fakulta Ústav fyzikální elektroniky BAKALÁŘSKÁ PRÁCE Plazmochemická depozice organosilikonových tenkých vrstev Václav Pekař Vedoucí bakalářské práce: Mgr. Lenka Zajíčková,
Gymnázium Jiřího Ortena, Kutná Hora
Předmět: Náplň: Třída: Počet hodin: Pomůcky: Chemie (CHE) Obecná chemie, anorganická chemie 2. ročník a sexta 2 hodiny týdně Školní tabule, interaktivní tabule, tyčinkové a kalotové modely molekul, zpětný
Předčištění odpadních vod, decentrální čištění odpadních vod. Energetické systémy budov I
Předčištění odpadních vod, decentrální čištění odpadních vod Energetické systémy budov I 1 Decentrální čištění odpadních vod -domovní čistírna odpadních vod několik variant lišící se technologicky, ale
Glass temperature history
Glass Glass temperature history Crystallization and nucleation Nucleation on temperature Crystallization on temperature New Applications of Glass Anorganické nanomateriály se skelnou matricí Martin Míka
OTĚRUVZDORNÉ POVLAKY VYTVÁŘENÉ METODAMI ŽÁROVÉHO NÁSTŘIKU
OTĚRUVZDORNÉ POVLAKY VYTVÁŘENÉ METODAMI ŽÁROVÉHO NÁSTŘIKU Ing. Alexander Sedláček S.A.F. Praha, spol. s r.o. 1. Úvod, princip 2. Přehled metod vytváření ochranných povlaků 3. Použití technologií žárového
VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ
VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ FACULTY OF ELECTRICAL ENGINEERING AND COMMUNICATION ÚSTAV MIKROELEKTRONIKY DEPARTMENT OF
Ch - Chemické reakce a jejich zápis
Ch - Chemické reakce a jejich zápis Autor: Mgr. Jaromír Juřek Kopírování a jakékoliv další využití výukového materiálu je povoleno pouze s uvedením odkazu na www.jarjurek.cz. VARIACE Tento dokument byl
Kyselina fosforečná Suroviny: Výroba: termický způsob extrakční způsob
Kyselina fosforečná bezbarvá krystalická sloučenina snadno rozpustná ve vodě komerčně dodávané koncentrace 75% H 3 PO 4 s 54,3% P 2 O 5 80% H 3 PO 4 s 58.0% P 2 O 5 85% H 3 PO 4 s 61.6% P 2 O 5 po kyselině
CHEMICKÉ VÝPOČTY MOLÁRNÍ HMOTNOST LÁTKOVÉ MNOŽSTVÍ PROJEKT EU PENÍZE ŠKOLÁM OPERAČNÍ PROGRAM VZDĚLÁVÁNÍ PRO KONKURENCESCHOPNOST
CHEMICKÉ VÝPOČTY MOLÁRNÍ HMOTNOST LÁTKOVÉ MNOŽSTVÍ PROJEKT EU PENÍZE ŠKOLÁM OPERAČNÍ PROGRAM VZDĚLÁVÁNÍ PRO KONKURENCESCHOPNOST AMEDEO AVOGADRO AVOGADROVA KONSTANTA 2 N 2 MOLY ATOMŮ DUSÍKU 2 ATOMY DUSÍKU
Vyšší odborná škola, Obchodní akademie a Střední odborná škola EKONOM, o. p. s. Litoměřice, Palackého 730/1
DUM Základy přírodních věd DUM III/2-T3-2-18 Téma: Chemické reakce Střední škola Rok: 2012 2013 Varianta: A Chemické reakce Zpracoval: Mgr. Pavel Hrubý Mgr. Josef Kormaník VÝKLAD CHEMICKÉ REAKCE chemická
Vzdělávání výzkumných pracovníků v Regionálním centru pokročilých technologií a materiálů reg. č.: CZ.1.07/2.3.00/09.0042
Vzdělávání výzkumných pracovníků v Regionálním centru pokročilých technologií a materiálů reg. č.: CZ.1.07/2.3.00/09.0042 Tento projekt je spolufinancován Evropským sociálním fondem a státním rozpočtem
DOUTNAVÝ VÝBOJ. 1. Vlastnosti doutnavého výboje 2. Aplikace v oboru plazmové nitridace
DOUTNAVÝ VÝBOJ 1. Vlastnosti doutnavého výboje 2. Aplikace v oboru plazmové nitridace Doutnavý výboj Připomeneme si voltampérovou charakteristiku výboje v plynech : Doutnavý výboj Připomeneme si, jaké
[ ] d[ Y] rychlost REAKČNÍ KINETIKA X Y
REAKČNÍ KINETIKA Faktory ovlivňující rychlost chemických reakcí Chemická povaha reaktantů - reaktivita Fyzikální stav reaktantů homogenní vs. heterogenní reakce Teplota 10 C zvýšení rychlosti 2x 3x zýšení
DODATEČNÉ INFORMACE K ZADÁVACÍM PODMÍNKÁM č. 5
DODATEČNÉ INFORMACE K ZADÁVACÍM PODMÍNKÁM č. 5 Zadavatel: Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. Sídlo: Na Slovance 1999/2, 182 21 Praha 8 Idetifikační číslo: 68378271 Osoba oprávněná jednat za zadavatele: prof.
Ústřední komise Chemické olympiády. 55. ročník 2018/2019 TEST ŠKOLNÍHO KOLA. Kategorie E ŘEŠENÍ
Ústřední komise Chemické olympiády 55. ročník 2018/2019 TEST ŠKOLNÍHO KOLA Kategorie E ŘEŠENÍ ANORGANICKÁ CHEMIE 16 BODŮ Úloha 1 Vlastnosti sloučenin manganu a chromu 8 bodů 1) Elektronová konfigurace:
Vliv povlakování na životnost šneku VS. Kovařík Václav
Vliv povlakování na životnost šneku VS Kovařík Václav Bakalářská práce 2011 Příjmení a jméno:. Obor:. P R O H L Á Š E N Í Prohlašuji, že beru na vědomí, že odevzdáním diplomové/bakalářské práce souhlasím
TECHNICKÁ UNIVERZITA V LIBERCI FAKULTA STROJNÍ. Katedra materiálu. Posouzení kvality povlakovaných vrstev
TECHNICKÁ UNIVERZITA V LIBERCI FAKULTA STROJNÍ Katedra materiálu Studijní program: Studijní obor: Zaměření: B2341 Strojírenství 3911R018 Materiály a technologie Materiálové inţenýrství Posouzení kvality
Přednáška 3. Napařování : princip, rovnovážný tlak par, rychlost vypařování.
Přednáška 3 Napařování : princip, rovnovážný tlak par, rychlost vypařování. Realizace vypařovadel, směrovost vypařování, vypařování sloučenin a slitin, Vypařování elektronovým svazkem a MBE Napařování
NÍZKOTEPLOTNÍ PLAZMOVÁ DEPOZICE TENKÝCH VRSTEV
NÍZKOTEPLOTNÍ PLAZMOVÁ DEPOZICE TENKÝCH VRSTEV Zdeněk Hubička Fyzikální ústav AV ČR v.v.i. Praha 1 Úvod Dosud bylo vynaloženo mnoho úsilí na vývoj nízkoteplotních plazmových systémů vhodných pro nanášení
Číslo: Anotace: Prosinec 2013. Střední průmyslová škola a Vyšší odborná škola technická Brno, Sokolská 1
Střední průmyslová škola a Vyšší odborná škola technická Brno, Sokolská 1 Šablona: Název: Téma: Autor: Číslo: Anotace: Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Elektrický proud stejnosměrný Elektrický
ELEKTRONICKÉ PRVKY TECHNOLOGIE VÝROBY POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ
ELEKTRONICKÉ PRVKY TECHNOLOGIE VÝROBY POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ Polovodič - prvek IV. skupiny, v elektronice nejčastěji křemík Si, vykazuje vysokou čistotu (10-10 ) a bezchybnou strukturu atomové mřížky v monokrystalu.
1/64 Fotovoltaika - základy
1/64 Fotovoltaika - základy princip FV články FV panely účinnost vliv provozu na produkci Principy struktura křemíku 2/64 křemík krystalická mřížka: každý atom Si má čtyři vazební (valenční) elektrony,
SurTec ČR technický dopis 13B - 1 -
SurTec ČR technický dopis 13B - 1 - Problematika Předmětem zkoušek je tekutý čistící prostředek SurTec 101, vhodný pro ponor i postřik, s přechodnou ochranou proti korozi. Pozadí zkoušek tvoří fakt, že
Plazmové depozice povlaků. Plazmový nástřik Plasma Spraying
Plazmové depozice povlaků Plazmový nástřik Plasma Spraying Plazmový nástřik patří do kategorie žárových nástřiků. Žárový nástřik je částicový proces vytváření povlaků o tloušťce obvykle větší než 50 µm,