Nanoelektronika aneb Co by nás nemělo překvapit ve světě malých rozměrů

Rozměr: px
Začít zobrazení ze stránky:

Download "Nanoelektronika aneb Co by nás nemělo překvapit ve světě malých rozměrů"

Transkript

1 Nanoelektronika aneb Co by nás nemělo překvapit ve světě malých rozměrů Radek Kalousek Ústav fyzikálního inženýrství Fakulta strojního inženýrství Vysoké učení technické v Brně

2 Proč nanotechnologie? Mooreův zákon

3 Tunelování Překvapivá kvantová mechanika

4 Tunelování Překvapivá kvantová mechanika

5 Tunelování Překvapivá kvantová mechanika

6 Překvapivá kvantová mechanika Uvězněné částice Energie míčku je nulová

7 Překvapivá kvantová mechanika Uvězněné částice Energie míčku

8 Překvapivá kvantová mechanika Uvězněné částice Energie míčku

9 Překvapivá kvantová mechanika Uvězněné částice Energie míčku

10 Překvapivá kvantová mechanika Uvězněné částice Energie míčku

11 Překvapivá kvantová mechanika Uvězněné částice Energie míčku

12 Překvapivá kvantová mechanika Uvězněné částice?

13 Od jedné k více jamám Překvapivá kvantová mechanika

14 Osvobozování elektronů Pohled dovnitř pevné látky Nejvyšší energie elektronů Dovolené energie elektronů

15 Osvobozování elektronů Pohled dovnitř pevné látky Nejvyšší energie elektronů Dovolené energie elektronů

16 Osvobozování elektronů Pohled dovnitř pevné látky Nejvyšší energie elektronů Dovolené energie elektronů

17 Osvobozování elektronů Pohled dovnitř pevné látky Nejvyšší energie elektronů Dovolené energie elektronů

18 Osvobozování elektronů y z Pohled dovnitř pevné látky x

19 Osvobozování elektronů y z Pohled dovnitř pevné látky x

20 Osvobozování elektronů y z Pohled dovnitř pevné látky x

21 Osvobozování elektronů y z Pohled dovnitř pevné látky x

22 Osvobozování elektronů y z Pohled dovnitř pevné látky x

23 Osvobozování elektronů y z Pohled dovnitř pevné látky x

24 Osvobozování elektronů y z Pohled dovnitř pevné látky x

25 Kvantový bodový kontakt Kvantovaná vodivost

26 Kvantový bodový kontakt Kvantovaná vodivost

27 Kvantový bodový kontakt Kvantovaná vodivost

28 Kvantový bodový kontakt Kvantovaná vodivost

29 Kvantový bodový kontakt Kvantovaná vodivost

30 Kvantový bodový kontakt Kvantovaná vodivost Mikroskopie atomárních sil (Atomic Force Microscopy AFM)

31 Kvantový bodový kontakt Kvantovaná vodivost Mikroskopie atomárních sil (Atomic Force Microscopy AFM) Skener 500 nm

32 Kvantový bodový kontakt Kvantovaná vodivost Klaus Ensslin, ETH Zürich

33 Kvantový bodový kontakt Kvantovaná vodivost Vyrobeno na Ústavu fyzikálního inženýrství, FSI VUT v Brně (M. Bartošík)

34 Kvantový bodový kontakt Spojení nanosvěta s makrosvětem Kvantovaná vodivost Vyrobeno: Ústav fyzikálního inženýrství, FSI VUT v Brně (M. Bartošík) Fyzikální ústav AV ČR (V. Novák a V. Jurka)

35 Coulombovská blokáda Coulombovská blokáda μ N+1 μ 1 e - μ N e - e - μ 2 μ N-1 e -

36 Jednoelektronový tranzistor Coulombovská blokáda μ N+1 μ emitor e - e - e - μ N e - μ kolektor μ N-1 e - U hradlo

37 Jednoelektronový tranzistor Coulombovská blokáda μ N+1 μ emitor e - e - μ N e - e - μ kolektor μ N-1 e - U hradlo

38 Jednoelektronový tranzistor Coulombovská blokáda μ N+1 μ emitor e - e - μ N e - e - μ kolektor μ N-1 e - U hradlo

39 Jednoelektronový tranzistor Coulombovská blokáda μ N+1 μ emitor e - e - μ N e - e - μ kolektor μ N-1 e - U hradlo

40 Jednoelektronový tranzistor Coulombovská blokáda I μ N+1 I μ emitor e - e - μ N e - e - μ kolektor μ N-1 e - U hradlo

41 Jednoelektronový tranzistor Coulombovská blokáda Klaus Ensslin, ETH Zürich C S 0 r 2d E el 2 e 2C 2 e d S 0 r Rozměry 1mm C E term k B T E el 10 T 10 2 K 13 F E el J

42 Jednoelektronový tranzistor Coulombovská blokáda Klaus Ensslin, ETH Zürich C S 0 r 2d E el 2 e 2C 2 e d S 0 r Rozměry 100 nm C E term kbt Eel T K 16 F E el J

43 Jednoelektronový tranzistor Coulombovská blokáda Klaus Ensslin, ETH Zürich

44 Jednoelektronový tranzistor Coulombovská blokáda Klaus Ensslin, ETH Zürich

45 Nanotechnologie ve světě Zlaté elektrody vyrobené na SiO 2 /Si zakončené rozšířením pro kontaktování Nadeponovaný platinový nanodrát (4 mm dlouhý, 300 nm široký a 150 nm vysoký) Botman, A. et al., Nanotechnology 17 (2006)

46 Nanotechnologie ve světě Výroba křemíkových nanodrátů Kapka zlata jako katalyzátor Křemíkový nanodrát spojující dvě elektrody Voltampérová charakteristika FET s nanodrátem Balestra, F. et al., Materials Science in Semiconductor Processing 11 (2008)

47 Nanotechnologie ve světě Výroba vertikálních FET s nanodrátem Dayeh, S. A. et al., Applied Physics Letters 93 (2008)

48 Nanotechnologie ve světě Uhlíková nanotrubice (800 nm dlouhá, průměr desítky nm) mezi dvěma elektrodami Struktura uhlíkové nanotrubice Steele, G. A. et al., Science Express (2009) Převzato od: Morinobu Endoa

49 Nanotechnologie ve světě Integrované nanosystémy Uhlíková nanotrubice Uhlíkové nanotrubice spojující dvě elektrody Nanozávity vyrobené z uhlíkových nanotrubic Dong, L. et al., Nanotoday 2 (2007)

50 Nanotechnologie ve světě Vesmírný výtah vyrobený z uhlíkových nanotrubic? Výpočty pevností uhlíkových nanotrubic: Pugno N. M., Nanotoday 2 (2007)

51

Podivuhodný grafen. Radek Kalousek a Jiří Spousta. Ústav fyzikálního inženýrství a CEITEC Vysoké učení technické v Brně. Čichnova 19. 9.

Podivuhodný grafen. Radek Kalousek a Jiří Spousta. Ústav fyzikálního inženýrství a CEITEC Vysoké učení technické v Brně. Čichnova 19. 9. Podivuhodný grafen Radek Kalousek a Jiří Spousta Ústav fyzikálního inženýrství a CEITEC Vysoké učení technické v Brně Čichnova 19. 9. 2014 Osnova přednášky Úvod Co je grafen? Trocha historie Některé podivuhodné

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

Fotonické nanostruktury (nanofotonika)

Fotonické nanostruktury (nanofotonika) Základy nanotechnologií KEF/ZANAN Fotonické nanostruktury (nanofotonika) Jan Soubusta 4.11. 2015 Obsah 1. ÚVOD 2. POHLED DO MIKROSVĚTA 3. OD ELEKTRONIKY K FOTONICE 4. FYZIKA PRO NANOFOTONIKU 5. PERIODICKÉ

Více

Určeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče

Určeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče Určeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče Pracovní list - test vytvořil: Ing. Lubomír Kořínek Období vytvoření VM: listopad 2013 Klíčová slova: dioda, tranzistor,

Více

Nanoelektronika a MEMS/NEMS Úvod. Nanoelektronika

Nanoelektronika a MEMS/NEMS Úvod. Nanoelektronika Úvod Nanoelektronika plynulý přechod z mikroelektroniky snaha o vyšší výpočetní výkon zmenšování + větší počet tranzistorů zvyšování frekvence nové zdroje energie nové směry: nositelná elektronika integrace

Více

Fotonické nanostruktury (alias nanofotonika)

Fotonické nanostruktury (alias nanofotonika) Základy nanotechnologií KEF/ZANAN Fotonické nanostruktury (alias nanofotonika) Jan Soubusta 27.10. 2017 Obsah 1. ÚVOD 2. POHLED DO MIKROSVĚTA 3. OD ELEKTRONIKY K FOTONICE 4. FYZIKA PRO NANOFOTONIKU 5.

Více

Budoucnost patří uhlíkatým nanomateriálům

Budoucnost patří uhlíkatým nanomateriálům Budoucnost patří uhlíkatým nanomateriálům Otakar Frank Oddělení elektrochemických materiálů Ústav fyzikální chemie J. Heyrovského, v.v.i. Akademie věd ČR otakar.frank@jh-inst.cas.cz www.nanocarbon.cz Nanoúvod

Více

STANOVENÍ TVARU A DISTRIBUCE VELIKOSTI ČÁSTIC MODELOVÝCH TYPŮ NANOMATERIÁLŮ. Edita BRETŠNAJDROVÁ a, Ladislav SVOBODA a Jiří ZELENKA b

STANOVENÍ TVARU A DISTRIBUCE VELIKOSTI ČÁSTIC MODELOVÝCH TYPŮ NANOMATERIÁLŮ. Edita BRETŠNAJDROVÁ a, Ladislav SVOBODA a Jiří ZELENKA b STANOVENÍ TVARU A DISTRIBUCE VELIKOSTI ČÁSTIC MODELOVÝCH TYPŮ NANOMATERIÁLŮ Edita BRETŠNAJDROVÁ a, Ladislav SVOBODA a Jiří ZELENKA b a UNIVERZITA PARDUBICE, Fakulta chemicko-technologická, Katedra anorganické

Více

EXKURZE DO NANOSVĚTA aneb Výlet za EM a SPM. Pracovní listy teoretická příprava

EXKURZE DO NANOSVĚTA aneb Výlet za EM a SPM. Pracovní listy teoretická příprava EXKURZE DO NANOSVĚTA aneb Výlet za EM a SPM Pracovní listy teoretická příprava Úloha 1: První nahlédnutí do nanosvěta Novou část dějin mikroskopie otevřel německý elektroinženýr, laureát Nobelovy ceny

Více

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Polovodičové prvky V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku

Více

TRANZISTORY TRANZISTORY. Bipolární tranzistory. Ing. M. Bešta

TRANZISTORY TRANZISTORY. Bipolární tranzistory. Ing. M. Bešta TRANZISTORY Tranzistor je aktivní, nelineární polovodičová součástka schopná zesilovat napětí, nebo proud. Tranzistor je asi nejdůležitější polovodičová součástka její schopnost zesilovat znamená, že malé

Více

Oponenti: RNDr. Aleš Hendrych, Ph.D. RNDr. Jiří Tuček, Ph.D.

Oponenti: RNDr. Aleš Hendrych, Ph.D. RNDr. Jiří Tuček, Ph.D. Oponenti: RNDr. Aleš Hendrych, Ph.D. RNDr. Jiří Tuček, Ph.D. Publikace byla vytvořena v rámci projektu Otevřená síť partnerství na bázi aplikované fyziky, reg. č. CZ. 1.07/2.4.00/17. 0014 1. vydání Roman

Více

FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4

FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4 Využití vlastností polovodičových přechodů Oblast prostorového náboje elektrické pole na přechodu Propustný směr difůze majoritních nosičů Závěrný směr extrakce minoritních nosičů Rekombinace na přechodu

Více

Mikroskopie se vzorkovací sondou. Pavel Matějka

Mikroskopie se vzorkovací sondou. Pavel Matějka Mikroskopie se vzorkovací sondou Pavel Matějka Mikroskopie se vzorkovací sondou 1. STM 1. Princip metody 2. Instrumentace a příklady využití 2. AFM 1. Princip metody 2. Instrumentace a příklady využití

Více

Základní druhy tranzistorů řízených elektrickým polem: Technologie výroby: A) 1. : A) 2. : B) 1. :

Základní druhy tranzistorů řízených elektrickým polem: Technologie výroby: A) 1. : A) 2. : B) 1. : ZADÁNÍ: Změřte výstupní a převodní charakteristiky unipolárního tranzistoru KF 520. Z naměřených charakteristik určete v pracovním bodě strmost S, vnitřní odpor R i a zesilovací činitel µ. Určete katalogové

Více

Unipolární tranzistory

Unipolární tranzistory Unipolární tranzistory MOSFET, JFET, MeSFET, NMOS, PMOS, CMOS Unipolární tranzistory aktivní součástka řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem většinové nosiče menšinové nosiče parazitní charakter

Více

Obrázek 1: Schematická značka polovodičové diody. Obrázek 2: Vlevo dioda zapojená v propustném směru, vpravo dioda zapojená v závěrném směru

Obrázek 1: Schematická značka polovodičové diody. Obrázek 2: Vlevo dioda zapojená v propustném směru, vpravo dioda zapojená v závěrném směru Škola: Autor: DUM: Vzdělávací obor: Tematický okruh: Téma: Masarykovo gymnázium Vsetín Mgr. Jitka Novosadová MGV_F_SS_2S2_D16_Z_ELMAG_Polovodicove_soucastky_PL Člověk a příroda Fyzika Elektřina a magnetismus

Více

Měření na unipolárním tranzistoru

Měření na unipolárním tranzistoru Měření na unipolárním tranzistoru Teoretický rozbor: Unipolární tranzistor je polovodičová součástka skládající se z polovodičů tpu N a P. Oproti bipolárnímu tranzistoru má jednu základní výhodu. Bipolární

Více

Metody charakterizace

Metody charakterizace Metody y strukturní analýzy Metody charakterizace nanomateriálů I Význam strukturní analýzy pro studium vlastností materiálů Experimentáln lní metody využívan vané v materiálov lovém m inženýrstv enýrství:

Více

http://www.zlinskedumy.cz

http://www.zlinskedumy.cz Číslo projektu Číslo a název šablony klíčové aktivity Tematická oblast Autor Ročník 2, 3 Obor Anotace CZ.1.07/1.5.00/34.0514 III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Elektronické obvody, vy_32_inovace_ma_42_01

Více

NANOTECHNOLOGIE sny a skutenost

NANOTECHNOLOGIE sny a skutenost NANOTECHNOLOGIE sny a skutenost Roman Kubínek Olomoucký fyzikální kaleidoskop 25. listopadu 2005, Pírodovdecká fakulta UP Nanometr 10-9 m (miliardtina metru) 380-780 nm rozsah λ viditelného svtla obor

Více

ELEKTRICKÝ PROUD V POLOVODIČÍCH

ELEKTRICKÝ PROUD V POLOVODIČÍCH LKTRIKÝ ROUD V OLOVODIČÍH 1. olovodiče olovodiče mohou snadno měnit svůj odpor. Mohou tak mít vlastnosti jak vodičů tak izolantů, což záleží například na jejich teplotě, osvětlení, příměsích. Odpor mění

Více

Nanotechnologie a jejich aplikace. doc. RNDr. Roman Kubínek, CSc.

Nanotechnologie a jejich aplikace. doc. RNDr. Roman Kubínek, CSc. Nanotechnologie a jejich aplikace doc. RNDr. Roman Kubínek, CSc. Předpona pochází z řeckého νανος což znamená trpaslík 10-9 m 380-780 nm rozsah λ viditelného světla Srovnání známých malých útvarů SPM Vyjasnění

Více

UNIPOLÁRNÍ TRANZISTOR

UNIPOLÁRNÍ TRANZISTOR UNIPOLÁRNÍ TRANZISTOR Unipolární tranzistor neboli polem řízený tranzistor, FET (Field Effect Transistor), se stejně jako tranzistor bipolární používá pro zesilování, spínání signálů a realizaci logických

Více

Polovodičov. ové prvky. 4.přednáška

Polovodičov. ové prvky. 4.přednáška Polovodičov ové prvky 4.přednáška Polovodiče Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku (Si). Čisté krystaly křemíku mají za pokojové teploty jen

Více

Základní elektronické prvky a jejich modely

Základní elektronické prvky a jejich modely Kapitola 1 Základní elektronické prvky a jejich modely Tento dokument slouží POUZE pro studijní účely studentům ČVUT FEL. Uživatel (student) může dokument použít pouze pro svoje studijní potřeby. Distribuce

Více

Věra Mansfeldová. vera.mansfeldova@jh-inst.cas.cz Ústav fyzikální chemie Jaroslava Heyrovského AV ČR, v. v. i.

Věra Mansfeldová. vera.mansfeldova@jh-inst.cas.cz Ústav fyzikální chemie Jaroslava Heyrovského AV ČR, v. v. i. Mikroskopie, která umožnila vidět Feynmanův svět Věra Mansfeldová vera.mansfeldova@jh-inst.cas.cz Ústav fyzikální chemie Jaroslava Heyrovského AV ČR, v. v. i. Richard P. Feynman 1918-1988 1965 - Nobelova

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

Elektronické a optoelektronické součástky

Elektronické a optoelektronické součástky Garant předmětu: prof. Ing. Pavel Hazdra, CSc. hazdra@fel.cvut.cz Otevřené Elektronické Systémy Virtual Labs OES 1 / 4 Čím se zde bude zabývat? Principy činnosti struktur užívaných k ovládání elektronů

Více

Bipolární tranzistory

Bipolární tranzistory Bipolární tranzistory Historie V prosinci 1947 výzkumní pracovníci z Bellových laboratořích v New Jersey zjistili, že polovodičová destička z germania se zlatými hroty zesiluje slabý signál. Vědci byli

Více

Objevy v oblasti antiferomagnetických materiálů mění způsob ukládání dat

Objevy v oblasti antiferomagnetických materiálů mění způsob ukládání dat Objevy v oblasti antiferomagnetických materiálů mění způsob ukládání dat Vedoucí Oddělení spintroniky a nanoelektroniky ve Fyzikálním ústavu Akademie věd ČR Tomáš Jungwirth informoval účastníky LII. zasedání

Více

Základy elektrotechniky

Základy elektrotechniky Základy elektrotechniky Přednáška Tranzistory 1 BIPOLÁRNÍ TRANZISTOR - třívrstvá struktura NPN se třemi vývody (elektrodami): e - emitor k - kolektor b - báze Struktura, náhradní schéma a schematická značka

Více

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů (elektrony nebo díry) pracují s kanálem jednoho typu vodivosti

Více

VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ FAKULTA STROJNÍHO INŽENÝRSTVÍ Ústav Fyzikálního inženýrství

VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ FAKULTA STROJNÍHO INŽENÝRSTVÍ Ústav Fyzikálního inženýrství VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ FAKULTA STROJNÍHO INŽENÝRSTVÍ Ústav Fyzikálního inženýrství Ing. MIROSLAV BARTOŠÍK APLIKACE AFM V NANOTECHNOLOGIÍCH APLICATION OF AFM IN NANOTECHNOLOGY ZKRÁCENÁ VERZE Ph.D.

Více

Uhlík v elektrotechnice

Uhlík v elektrotechnice Uhlík v elektrotechnice Až do nedávné doby se vědělo, že uhlík má pouze formu diamantu nebo grafitu. Jejich využití je v elektrotechnice dlouhodobě známé. Avšak s nástupem zájmu vědeckých pracovišť o děje

Více

Mikroskopie rastrující sondy

Mikroskopie rastrující sondy Mikroskopie rastrující sondy Metody charakterizace nanomateriálů I RNDr. Věra Vodičková, PhD. Metody mikroskopie rastrující sondy SPM (scanning( probe Microscopy) Metody mikroskopie rastrující sondy soubor

Více

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření VA-charakteristik bipolárního tranzistoru, část 3-10-1

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření VA-charakteristik bipolárního tranzistoru, část 3-10-1 MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření VA-carakteristik bipolárnío tranzistoru, část 3-10-1 Výukový materiál Číslo projektu: Z.1.07/1.5.00/34.0093 Šablona: /2 novace a zkvalitnění výuky prostřednictvím

Více

Seminář projektu Rozvoj řešitelských týmů projektů VaV na Technické univerzitě v Liberci Registrační číslo projektu: CZ.1.07/2.3.00/30.

Seminář projektu Rozvoj řešitelských týmů projektů VaV na Technické univerzitě v Liberci Registrační číslo projektu: CZ.1.07/2.3.00/30. Seminář projektu Rozvoj řešitelských týmů projektů VaV na Technické univerzitě v Liberci Registrační číslo projektu: CZ.1.07/2.3.00/30.0024 Fakulta strojního inženýrství - VUT v Brně Nejen ozubená kola

Více

POHLED DO NANOSVĚTA Roman Kubínek

POHLED DO NANOSVĚTA Roman Kubínek POHLED DO NANOSVĚTA Roman Kubínek Olomoucký fyzikální kaleidoskop 7. listopadu 2003, Přírodovědecká fakulta UP Nanometr 10-9 m (miliardtina metru) 380-780 nm rozsah viditelného světla obor 21. století,

Více

Přednáška 5. SPM (Scanning Probe Microscopies) - STM (Scanning Tunneling Microscope) - AFM (Atomic Force Microscopy) Martin Kormunda

Přednáška 5. SPM (Scanning Probe Microscopies) - STM (Scanning Tunneling Microscope) - AFM (Atomic Force Microscopy) Martin Kormunda Přednáška 5 SPM (Scanning Probe Microscopies) - STM (Scanning Tunneling Microscope) - AFM (Atomic Force Microscopy) Mikroskopie skenovací sondou Mikroskopie skenující (rastrující) sondou (Scanning Probe

Více

3.5. Vedení proudu v polovodičích

3.5. Vedení proudu v polovodičích 3.5. Vedení proudu v polovodičích 1. Umět klasifikovat látky podle vodivosti. 2. Seznámit se s fyzikálními vlastnostmi polovodičů, jejíž poznání vedlo k bouřlivému pokroku v elektronickém průmyslu. 3.5.1.

Více

PREZENTACE FAKULTY STROJNÍHO INŽENÝRSTVÍ

PREZENTACE FAKULTY STROJNÍHO INŽENÝRSTVÍ PREZENTACE FAKULTY STROJNÍHO INŽENÝRSTVÍ pro studenty SPŠ Autor: Hana Petrušková 24. a 27. 9.2019 FAKULTA STROJNÍHO INŽENÝRSTVÍ VUT v Brně jedna z 8 fakult Vysokého učení technického v Brně (VUT) největší

Více

Projekt Pospolu. Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky. Pro obor M/01 Informační technologie

Projekt Pospolu. Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky. Pro obor M/01 Informační technologie Projekt Pospolu Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky Pro obor 18-22-M/01 Informační technologie Autorem materiálu a všech jeho částí je Ing. Petr Voborník, Ph.D. Bipolární tranzistor Bipolární

Více

Otázky ke státní závěrečné zkoušce Nanotechnologie

Otázky ke státní závěrečné zkoušce Nanotechnologie Otázky ke státní závěrečné zkoušce Nanotechnologie (bakalářské studium) Katedra experimentální fyziky Univerzita Palackého v Olomouci 1. Fyzika (KEF/SZZF) 1. Kinematika a dynamika hmotného bodu. Newtonovy

Více

Uhlíkové struktury vázající ionty těžkých kovů

Uhlíkové struktury vázající ionty těžkých kovů Uhlíkové struktury vázající ionty těžkých kovů 7. června/june 2013 9:30 h 17:30 h Laboratoř metalomiky a nanotechnologií, Mendelova univerzita v Brně a Středoevropský technologický institut Budova D, Zemědělská

Více

VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů

VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů Vodivost polovodičů pojem polovodiče čistý polovodič, vlastní vodivost příměsová vodivost polovodičová dioda tranzistor Polovodiče Polovodiče jsou látky, jejichž

Více

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická

Více

Nanosvět očima mikroskopů

Nanosvět očima mikroskopů Nanosvět očima mikroskopů Několik vědců z Ústavu fyzikální chemie J. Heyrovského AV ČR, v.v.i. se prostřednictvím komorní výstavy rozhodlo představit veřejnosti svět, který viděný pouhým okem diváka nikterak

Více

CHARAKTERIZACE 1 D NANOSTRUKTUR METODAMI SPM CHARACTERIZATION OF 1 D NANOSTRUCTURES BY SPM METHODS Zkrácená verze PhD thesis

CHARAKTERIZACE 1 D NANOSTRUKTUR METODAMI SPM CHARACTERIZATION OF 1 D NANOSTRUCTURES BY SPM METHODS Zkrácená verze PhD thesis VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ Fakulta strojního inženýrství Ústav fyzikálního inženýrství David Škoda CHARAKTERIZACE 1 D NANOSTRUKTUR METODAMI SPM CHARACTERIZATION OF 1 D NANOSTRUCTURES BY SPM METHODS

Více

DEM! Program DNY ELEKTRONOVÉ MIKROSKOPIE. dem.brno.cz

DEM! Program DNY ELEKTRONOVÉ MIKROSKOPIE. dem.brno.cz DNY ELEKTRONOVÉ MIKROSKOPIE Program 15. 21. 5. 2017 dem.brno.cz Brno je unikátní metropole v oboru elektronové mikroskopie, a to nejen v České republice, ale i v celosvětovém měřítku. V současné době se

Více

Od kvantové mechaniky k chemii

Od kvantové mechaniky k chemii Od kvantové mechaniky k chemii Jan Řezáč UOCHB AV ČR 19. září 2017 Jan Řezáč (UOCHB AV ČR) Od kvantové mechaniky k chemii 19. září 2017 1 / 33 Úvod Vztah mezi molekulovou strukturou a makroskopickými vlastnostmi

Více

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.05 Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566,

Více

Atomové jádro Elektronový obal elektron (e) záporně proton (p) kladně neutron (n) elektroneutrální

Atomové jádro Elektronový obal elektron (e) záporně proton (p) kladně neutron (n) elektroneutrální STAVBA ATOMU Výukový materiál pro základní školy (prezentace). Zpracováno v rámci projektu Snížení rizik ohrožení zdraví člověka a životního prostředí podporou výuky chemie na ZŠ. Číslo projektu: CZ.1.07/1.1.16/02.0018

Více

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická

Více

VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ

VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY FAKULTA STROJNÍHO INŽENÝRSTVÍ ÚSTAV FYZIKÁLNÍHO INŽENÝRSTVÍ FACULTY OF MECHANICAL ENGINEERING INSTITUTE OF PHYSICAL ENGINEERING PŘÍPRAVA 2D HETEROSTRUKTUR

Více

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Unipolárn rní tranzistory Přednáška č. 5 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Unipolárn rní tranzistory 1 Princip činnosti

Více

Číslo projektu Číslo a název šablony klíčové aktivity Tematická oblast Autor Ročník 2, 3 Obor Anotace CZ.1.07/1.5.00/34.0514 III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Logické obvody sekvenční,

Více

Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů

Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů Tranzistor je elektronická aktivní součástka se třemi elektrodami.podstatou jeho funkce je transformace odporu mezi

Více

VLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU

VLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU VLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU Úvod: Čas ke studiu: Polovodičové součástky pro výkonovou elektroniku využívají stejné principy jako běžně používané polovodičové součástky

Více

Studium růstu kovových nanostruktur na povrchu křemíku Si(100)-(2 1) pomocí techniky STM

Studium růstu kovových nanostruktur na povrchu křemíku Si(100)-(2 1) pomocí techniky STM Studium růstu kovových nanostruktur na povrchu křemíku Si(100)-(2 1) pomocí techniky STM Jan Pudl, KEVF MFF UK Technika STM Technika řádkovací tunelové mikroskopie (STM) umožňuje dosáhnout atomárního rozlišení

Více

ZADÁNÍ BAKALÁŘSKÉ PRÁCE

ZADÁNÍ BAKALÁŘSKÉ PRÁCE Vysoké učení technické v Brně, Fakulta strojního inženýrství Ústav fyzikálního inženýrství Akademický rok: 2013/2014 ZADÁNÍ BAKALÁŘSKÉ PRÁCE student(ka): Jakub Kuba který/která studuje v bakalářském studijním

Více

2.3 Elektrický proud v polovodičích

2.3 Elektrický proud v polovodičích 2.3 Elektrický proud v polovodičích ( 6 10 8 10 ) Ωm látky rozdělujeme na vodiče polovodiče izolanty ρ ρ ( 10 4 10 8 ) Ωm odpor s rostoucí teplotou roste odpor nezávisí na osvětlení nebo ozáření odpor

Více

ROZD LENÍ ZESILOVA Hlavní hledisko : Další hlediska : A) Podle kmito zesilovaných signál B) Podle rozsahu zpracovávaného kmito tového pásma

ROZD LENÍ ZESILOVA Hlavní hledisko : Další hlediska : A) Podle kmito zesilovaných signál B) Podle rozsahu zpracovávaného kmito tového pásma ROZDĚLENÍ ZESILOVAČŮ Hlavní hledisko : A) Zesilovače malého signálu B) Zesilovače velkého signálu Další hlediska : A) Podle kmitočtů zesilovaných signálů -nízkofrekvenční -vysokofrekvenční B) Podle rozsahu

Více

Struktura atomu. Beránek Pavel, 1KŠPA

Struktura atomu. Beránek Pavel, 1KŠPA Struktura atomu Beránek Pavel, 1KŠPA Co je to atom? Částice, kterou již nelze chemicky dělit Fyzikálně ji lze dělit na elementární částice Modely atomů Model z antického Řecka (Démokritos) Pudinkový model

Více

ZADÁNÍ BAKALÁŘSKÉ PRÁCE

ZADÁNÍ BAKALÁŘSKÉ PRÁCE Vysoké učení technické v Brně, Fakulta strojního inženýrství Ústav fyzikálního inženýrství Akademický rok: 2013/2014 ZADÁNÍ BAKALÁŘSKÉ PRÁCE student(ka): Aleš Cahlík který/která studuje v bakalářském studijním

Více

Zobrazovací metody v nanotechnologiích

Zobrazovací metody v nanotechnologiích Zobrazovací metody v nanotechnologiích Optická mikroskopie Z vlnové povahy světla plyne, že není možné detekovat menší podrobnosti než polovina vlnové délky světla. Viditelné světlo má asi 500 nm, nejmenší

Více

Velká věda o malých věcech

Velká věda o malých věcech Velká věda o malých věcech nanos je řecky trpaslík nano- znamená miliardtinu celku, takže 1 nanometr = 10-9 metru Co je to nanosvět? území částic a struktur přibližně o velikosti v rozmezí 1 100 nm pro

Více

Základy nanotechnologií KEF/ZANAN

Základy nanotechnologií KEF/ZANAN Základy nanotechnologií KEF/ZANAN 23. 9. Úvod do nanomateriálů a nanotechnologií 1 Vůjtek 30. 9. Úvod do nanomateriálů a nanotechnologií 2 Vůjtek 7. 10. Mikroskopické metody pro nanotechnologie Vůjtek

Více

ÚVOD DO NANOVĚDY A NANOTECHNOLOGIÍ

ÚVOD DO NANOVĚDY A NANOTECHNOLOGIÍ Moduly jako prostředek inovace v integraci výuky moderní fyziky a chemie reg. č.: CZ.1.07/2.2.00/28.0182 ÚVOD DO NANOVĚDY A NANOTECHNOLOGIÍ Lucie Kolářová Olomouc 2014 Oponenti: doc. RNDr. Roman Kubínek,

Více

17. Elektrický proud v polovodičích, užití polovodičových součástek

17. Elektrický proud v polovodičích, užití polovodičových součástek 17. Elektrický proud v polovodičích, užití polovodičových součástek Polovodiče se od kovů liší především tím, že mají větší rezistivitu (10-2 Ω m až 10 9 Ω m), (kovy 10-8 Ω m až 10-6 Ω m). Tato rezistivita

Více

Skenovací tunelová mikroskopie a mikroskopie atomárních sil

Skenovací tunelová mikroskopie a mikroskopie atomárních sil Skenovací tunelová mikroskopie a mikroskopie atomárních sil M. Vůjtek Tento projekt je spolufinancován Evropským sociálním fondem a státním rozpočtem České republiky v rámci projektu Vzdělávání výzkumných

Více

Diamantu podobné uhlíkové vrstvy pro pokrytí kloubních náhrad

Diamantu podobné uhlíkové vrstvy pro pokrytí kloubních náhrad České vysoké učení technické v Praze Fakulta biomedicínského inženýrství Diamantu podobné uhlíkové vrstvy pro pokrytí kloubních náhrad Ing. Petr Písařík petr.pisarik@fbmi.cvut.cz Kladno Listopad 2010 Cíl

Více

PERSPEKTIVNÍ POLOVODIČOVÉ STRUKTURY A SOUČÁSTKY

PERSPEKTIVNÍ POLOVODIČOVÉ STRUKTURY A SOUČÁSTKY PERSPEKTIVNÍ POLOVODIČOVÉ STRUKTURY A SOUČÁSTKY Vladislav Musil Vysoké učení technické v Brně, Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, Ústav mikroelektroniky, Technická 10, Brno musil@feec.vutbr.cz

Více

Testování nanovlákenných materiálů

Testování nanovlákenných materiálů Testování nanovlákenných materiálů Eva Košťáková KNT, FT, TUL Obsah přednášky Testování nanovlákenných materiálů -Vizualizace (zobrazování nanovlákenných materiálů) -Chemické složení nanovlákenných materiálů

Více

Úvod do moderní fyziky. lekce 9 fyzika pevných látek (vedení elektřiny v pevných látkách)

Úvod do moderní fyziky. lekce 9 fyzika pevných látek (vedení elektřiny v pevných látkách) Úvod do moderní fyziky lekce 9 fyzika pevných látek (vedení elektřiny v pevných látkách) krystalické pevné látky pevné látky, jejichž atomy jsou uspořádány do pravidelné 3D struktury zvané mřížka, každý

Více

NANOMATERIÁLY JSOU TAKÉ ODPADEM BIOMONITORING NANOMATERIÁLŮ

NANOMATERIÁLY JSOU TAKÉ ODPADEM BIOMONITORING NANOMATERIÁLŮ NANOMATERIÁLY JSOU TAKÉ ODPADEM BIOMONITORING NANOMATERIÁLŮ Jana Seidlerová & Oldřich Motyka Centrum nanotechnologií, VŠB-Technická univerzita Ostrava Úvod Historické pozadí Definice nanomateriálů a klasifikace

Více

Otázky ke státní závěrečné zkoušce Aplikovaná fyzika

Otázky ke státní závěrečné zkoušce Aplikovaná fyzika Otázky ke státní závěrečné zkoušce Aplikovaná fyzika (magisterské studium) Katedra experimentální fyziky Univerzita Palackého v Olomouci 1. Teorie měření a experimentu a metrologie (KEF/SZZTM) a) Teorie

Více

PŘÍLOHA Č. 2. Seznam podpořených projektů Center kompetence

PŘÍLOHA Č. 2. Seznam podpořených projektů Center kompetence PŘÍLOHA Č. 2 Seznam podpořených projektů Center kompetence 1 1VS: Identifikační kód Název TE01020020 Centrum kompetence automobilového průmyslu Josefa Božka Fakulta strojní 2012 2017 TE01020022 TE01020028

Více

Další typy kovových nanočástic... 109 7.2 Uhlíkové nanomateriály... 110 Diamanty... 111 Fullereny... 116 Uhlíkové nanotuby... 119 7.

Další typy kovových nanočástic... 109 7.2 Uhlíkové nanomateriály... 110 Diamanty... 111 Fullereny... 116 Uhlíkové nanotuby... 119 7. Obsah Obsah... 3 Předmluva... 5 1. Úvod... 6 2. Stavba hmoty na úrovni atomů a molekul... 9 3. Krystalická stavba hmoty... 20 4. Vlastnosti povrchů a nanomateriálů... 33 5. Metody metrologie nanostruktur

Více

Spínače s tranzistory řízenými elektrickým polem. Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT

Spínače s tranzistory řízenými elektrickým polem. Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT Spínače s tranzistory řízenými elektrickým polem Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT Základní vlastnosti spínačů s tranzistory FET, IGBT resp. IGCT plně řízený spínač nízkovýkonové řízení malý

Více

Depozice uhlíkových nanotrubek metodou PECVD a jejich analýza

Depozice uhlíkových nanotrubek metodou PECVD a jejich analýza Depozice uhlíkových nanotrubek metodou PECVD a jejich analýza Jiřina Matějková UPT Brno AV ČR Ondřej Jašek- KFE Přírodovědecká fakulta MU Brno, jasek@physics.muni.cz Marek Eliáš, Lenka Zajíčková, Vít Kudrle,

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

Materiály pro nanosystémy a MEMS

Materiály pro nanosystémy a MEMS Materiály pro nanosystémy a MEMS Materiály Materiály pro nanotechnologie do následujícího přehledu jsou zahrnuty materiály, které se uplatňují zejména ve strukturách MEMS, v mikro- a nanosenzorech, v nanofluidice,

Více

Otázky ke státní závěrečné zkoušce Nanotechnologie

Otázky ke státní závěrečné zkoušce Nanotechnologie Otázky ke státní závěrečné zkoušce Nanotechnologie (magisterské studium) Katedra experimentální fyziky Univerzita Palackého v Olomouci 1. Nanotechnologie (KEF/SZZM1) 1. Stavba a struktura pevných látek,

Více

SAMOSTATNÁ PRÁCE Z ELEKTRONIKY UNIPOLÁRNÍ TRANZISTORY

SAMOSTATNÁ PRÁCE Z ELEKTRONIKY UNIPOLÁRNÍ TRANZISTORY Střední odborné učiliště technické Frýdek-Místek SAMOSTATNÁ PRÁCE Z ELEKTRONIKY UNIPOLÁRNÍ TRANZISTORY Jméno: Luděk Bordovský Třída: NE1 Datum: Hodnocení: 1.1. Vlastnosti unipolární tranzistorů Jsou založeny

Více

FAKULTA STROJNÍHO INŽENÝRSTVÍ VUT v Brně

FAKULTA STROJNÍHO INŽENÝRSTVÍ VUT v Brně FAKULTA STROJNÍHO INŽENÝRSTVÍ VUT v Brně jedna z 8 fakult Vysokého učení technického v Brně (VUT) největší strojní fakulta v ČR (4300 studentů) široká nabídka oborů výborné uplatnění absolventů na trhu

Více

Mikro a nano vrstvy. Technologie a vlastnosti tenkých vrstev, tenkovrstvé sensory - N444028

Mikro a nano vrstvy. Technologie a vlastnosti tenkých vrstev, tenkovrstvé sensory - N444028 Mikro a nano vrstvy 1 Co je nanotechnolgie? Slovo pochází z řečtiny = malost, trpaslictví. Z něj n j odvozen termín n nanotechnologie. Jako nanotechnologie je označov ována oblast vědy, jejímž cílem je

Více

Odborný styl. Yvona Řepová. Integrace odborného jazyka do výuky odborných předmětů

Odborný styl. Yvona Řepová. Integrace odborného jazyka do výuky odborných předmětů Odborný styl Yvona Řepová Název školy Název a číslo projektu Název modulu Obchodní akademie a Střední odborné učiliště, Veselí nad Moravou Motivace žáků ke studiu technických předmětů OP Vzdělávání pro

Více

nm. mory_cz_02_68x68mm_02.indd :31

nm. mory_cz_02_68x68mm_02.indd :31 20.000 nm mory_cz_02_68x68mm_02.indd 1 17-07-16 12:31 Uhlík strukturou podobný diamantu (Tvrdý) povlak mory_cz_02_68x68mm_02.indd 2 17-07-16 12:31 mory_cz_02_68x68mm_02.indd 3 17-07-16 12:31 Uhlík strukturou

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

NANOTECHNOLOGIE. pro začátečníky. České Budějovice

NANOTECHNOLOGIE. pro začátečníky. České Budějovice NANOTECHNOLOGIE pro začátečníky České Budějovice 16. 2. 2019 The work presented in this document is supported by the European Commission s FP7 programme project Scientix 2 (Grant agreement N. 337250).

Více

Chování látek v nanorozměrech

Chování látek v nanorozměrech Univerzita J.E. Purkyně v Ústí nad Labem Chování látek v nanorozměrech Pavla Čapková Přírodovědecká fakulta Univerzita J.E. Purkyně v Ústí nad Labem Březen 2014 Chování látek v nanorozměrech: Co se děje

Více

NANOTECHNOLOGIE VE VÝUCE NA ČVUT FEL NANOTECHNOLOGY IN EDUCATION AT CTU FEE

NANOTECHNOLOGIE VE VÝUCE NA ČVUT FEL NANOTECHNOLOGY IN EDUCATION AT CTU FEE NANOTECHNOLOGIE VE VÝUCE NA ČVUT FEL NANOTECHNOLOGY IN EDUCATION AT CTU FEE Ivana Pilarčíková, Josef Sedláček, Jan Lipták, Václav Bouda ČVUT-FEL, Technická 2, 166 27 Praha 6, ČR, pilarcik@fel.cvut.cz Abstrakt

Více

Otázky ke státní závěrečné zkoušce Nanotechnologie

Otázky ke státní závěrečné zkoušce Nanotechnologie Otázky ke státní závěrečné zkoušce Nanotechnologie (bakalářské studium) Katedra experimentální fyziky Univerzita Palackého v Olomouci 1. Fyzika (KEF/SZZF) 1. Kinematika a dynamika hmotného bodu. Newtonovy

Více

Polovodičové senzory. Polovodičové materiály Teplotní závislost polovodiče Piezoodporový jev Fotonové jevy Radiační jevy Magnetoelektrické jevy

Polovodičové senzory. Polovodičové materiály Teplotní závislost polovodiče Piezoodporový jev Fotonové jevy Radiační jevy Magnetoelektrické jevy Polovodičové senzory Polovodičové materiály Teplotní závislost polovodiče Piezoodporový jev Fotonové jevy Radiační jevy Magnetoelektrické jevy Polovodičové materiály elementární polovodiče Elementární

Více

Zesilovač. Elektronický obvod zvyšující hodnotu napětí nebo proudu při zachování tvaru jeho průběhu. Princip zesilovače. Realizace zesilovačů

Zesilovač. Elektronický obvod zvyšující hodnotu napětí nebo proudu při zachování tvaru jeho průběhu. Princip zesilovače. Realizace zesilovačů Zesilovač Elektronický obvod zvyšující hodnotu napětí nebo proudu při zachování tvaru jeho průběhu Princip zesilovače Zesilovač je dvojbran který může současně zesilovat napětí i proud nebo pouze napětí

Více

Číslo projektu: CZ.1.07/1.4.00/ Název DUM: Model atomu Číslo DUM: III/2/FY/2/2/2 Vzdělávací předmět: Fyzika Tematická oblast: Elektrické a

Číslo projektu: CZ.1.07/1.4.00/ Název DUM: Model atomu Číslo DUM: III/2/FY/2/2/2 Vzdělávací předmět: Fyzika Tematická oblast: Elektrické a Číslo projektu: CZ.1.07/1.4.00/21.3811 Název DUM: Model atomu Číslo DUM: III/2/FY/2/2/2 Vzdělávací předmět: Fyzika Tematická oblast: Elektrické a magnetické jevy Autor: Mgr. Petra Kejkrtová Anotace: Žák

Více

VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ

VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY FAKULTA STROJNÍHO INŽENÝRSTVÍ ÚSTAV FYZIKÁLNÍHO INŽENÝRSTVÍ FACULTY OF MECHANICAL ENGINEERING INSTITUTE OF PHYSICAL ENGINEERING VÝROBA NANOSTRUKTUR

Více

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: T3.2.1 MĚŘENÍ NA UNIPOLÁRNÍCH TRANZISTORECH A IO Obor: Mechanik elektronik Ročník: 2. Zpracoval(a): Bc. Josef Mahdal Střední průmyslová škola Uherský Brod,

Více