Nanoelektronika aneb Co by nás nemělo překvapit ve světě malých rozměrů
|
|
- Luboš Růžička
- před 8 lety
- Počet zobrazení:
Transkript
1 Nanoelektronika aneb Co by nás nemělo překvapit ve světě malých rozměrů Radek Kalousek Ústav fyzikálního inženýrství Fakulta strojního inženýrství Vysoké učení technické v Brně
2 Proč nanotechnologie? Mooreův zákon
3 Tunelování Překvapivá kvantová mechanika
4 Tunelování Překvapivá kvantová mechanika
5 Tunelování Překvapivá kvantová mechanika
6 Překvapivá kvantová mechanika Uvězněné částice Energie míčku je nulová
7 Překvapivá kvantová mechanika Uvězněné částice Energie míčku
8 Překvapivá kvantová mechanika Uvězněné částice Energie míčku
9 Překvapivá kvantová mechanika Uvězněné částice Energie míčku
10 Překvapivá kvantová mechanika Uvězněné částice Energie míčku
11 Překvapivá kvantová mechanika Uvězněné částice Energie míčku
12 Překvapivá kvantová mechanika Uvězněné částice?
13 Od jedné k více jamám Překvapivá kvantová mechanika
14 Osvobozování elektronů Pohled dovnitř pevné látky Nejvyšší energie elektronů Dovolené energie elektronů
15 Osvobozování elektronů Pohled dovnitř pevné látky Nejvyšší energie elektronů Dovolené energie elektronů
16 Osvobozování elektronů Pohled dovnitř pevné látky Nejvyšší energie elektronů Dovolené energie elektronů
17 Osvobozování elektronů Pohled dovnitř pevné látky Nejvyšší energie elektronů Dovolené energie elektronů
18 Osvobozování elektronů y z Pohled dovnitř pevné látky x
19 Osvobozování elektronů y z Pohled dovnitř pevné látky x
20 Osvobozování elektronů y z Pohled dovnitř pevné látky x
21 Osvobozování elektronů y z Pohled dovnitř pevné látky x
22 Osvobozování elektronů y z Pohled dovnitř pevné látky x
23 Osvobozování elektronů y z Pohled dovnitř pevné látky x
24 Osvobozování elektronů y z Pohled dovnitř pevné látky x
25 Kvantový bodový kontakt Kvantovaná vodivost
26 Kvantový bodový kontakt Kvantovaná vodivost
27 Kvantový bodový kontakt Kvantovaná vodivost
28 Kvantový bodový kontakt Kvantovaná vodivost
29 Kvantový bodový kontakt Kvantovaná vodivost
30 Kvantový bodový kontakt Kvantovaná vodivost Mikroskopie atomárních sil (Atomic Force Microscopy AFM)
31 Kvantový bodový kontakt Kvantovaná vodivost Mikroskopie atomárních sil (Atomic Force Microscopy AFM) Skener 500 nm
32 Kvantový bodový kontakt Kvantovaná vodivost Klaus Ensslin, ETH Zürich
33 Kvantový bodový kontakt Kvantovaná vodivost Vyrobeno na Ústavu fyzikálního inženýrství, FSI VUT v Brně (M. Bartošík)
34 Kvantový bodový kontakt Spojení nanosvěta s makrosvětem Kvantovaná vodivost Vyrobeno: Ústav fyzikálního inženýrství, FSI VUT v Brně (M. Bartošík) Fyzikální ústav AV ČR (V. Novák a V. Jurka)
35 Coulombovská blokáda Coulombovská blokáda μ N+1 μ 1 e - μ N e - e - μ 2 μ N-1 e -
36 Jednoelektronový tranzistor Coulombovská blokáda μ N+1 μ emitor e - e - e - μ N e - μ kolektor μ N-1 e - U hradlo
37 Jednoelektronový tranzistor Coulombovská blokáda μ N+1 μ emitor e - e - μ N e - e - μ kolektor μ N-1 e - U hradlo
38 Jednoelektronový tranzistor Coulombovská blokáda μ N+1 μ emitor e - e - μ N e - e - μ kolektor μ N-1 e - U hradlo
39 Jednoelektronový tranzistor Coulombovská blokáda μ N+1 μ emitor e - e - μ N e - e - μ kolektor μ N-1 e - U hradlo
40 Jednoelektronový tranzistor Coulombovská blokáda I μ N+1 I μ emitor e - e - μ N e - e - μ kolektor μ N-1 e - U hradlo
41 Jednoelektronový tranzistor Coulombovská blokáda Klaus Ensslin, ETH Zürich C S 0 r 2d E el 2 e 2C 2 e d S 0 r Rozměry 1mm C E term k B T E el 10 T 10 2 K 13 F E el J
42 Jednoelektronový tranzistor Coulombovská blokáda Klaus Ensslin, ETH Zürich C S 0 r 2d E el 2 e 2C 2 e d S 0 r Rozměry 100 nm C E term kbt Eel T K 16 F E el J
43 Jednoelektronový tranzistor Coulombovská blokáda Klaus Ensslin, ETH Zürich
44 Jednoelektronový tranzistor Coulombovská blokáda Klaus Ensslin, ETH Zürich
45 Nanotechnologie ve světě Zlaté elektrody vyrobené na SiO 2 /Si zakončené rozšířením pro kontaktování Nadeponovaný platinový nanodrát (4 mm dlouhý, 300 nm široký a 150 nm vysoký) Botman, A. et al., Nanotechnology 17 (2006)
46 Nanotechnologie ve světě Výroba křemíkových nanodrátů Kapka zlata jako katalyzátor Křemíkový nanodrát spojující dvě elektrody Voltampérová charakteristika FET s nanodrátem Balestra, F. et al., Materials Science in Semiconductor Processing 11 (2008)
47 Nanotechnologie ve světě Výroba vertikálních FET s nanodrátem Dayeh, S. A. et al., Applied Physics Letters 93 (2008)
48 Nanotechnologie ve světě Uhlíková nanotrubice (800 nm dlouhá, průměr desítky nm) mezi dvěma elektrodami Struktura uhlíkové nanotrubice Steele, G. A. et al., Science Express (2009) Převzato od: Morinobu Endoa
49 Nanotechnologie ve světě Integrované nanosystémy Uhlíková nanotrubice Uhlíkové nanotrubice spojující dvě elektrody Nanozávity vyrobené z uhlíkových nanotrubic Dong, L. et al., Nanotoday 2 (2007)
50 Nanotechnologie ve světě Vesmírný výtah vyrobený z uhlíkových nanotrubic? Výpočty pevností uhlíkových nanotrubic: Pugno N. M., Nanotoday 2 (2007)
51
Podivuhodný grafen. Radek Kalousek a Jiří Spousta. Ústav fyzikálního inženýrství a CEITEC Vysoké učení technické v Brně. Čichnova 19. 9.
Podivuhodný grafen Radek Kalousek a Jiří Spousta Ústav fyzikálního inženýrství a CEITEC Vysoké učení technické v Brně Čichnova 19. 9. 2014 Osnova přednášky Úvod Co je grafen? Trocha historie Některé podivuhodné
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
VíceFotonické nanostruktury (nanofotonika)
Základy nanotechnologií KEF/ZANAN Fotonické nanostruktury (nanofotonika) Jan Soubusta 4.11. 2015 Obsah 1. ÚVOD 2. POHLED DO MIKROSVĚTA 3. OD ELEKTRONIKY K FOTONICE 4. FYZIKA PRO NANOFOTONIKU 5. PERIODICKÉ
VíceUrčeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče
Určeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče Pracovní list - test vytvořil: Ing. Lubomír Kořínek Období vytvoření VM: listopad 2013 Klíčová slova: dioda, tranzistor,
VíceNanoelektronika a MEMS/NEMS Úvod. Nanoelektronika
Úvod Nanoelektronika plynulý přechod z mikroelektroniky snaha o vyšší výpočetní výkon zmenšování + větší počet tranzistorů zvyšování frekvence nové zdroje energie nové směry: nositelná elektronika integrace
VíceFotonické nanostruktury (alias nanofotonika)
Základy nanotechnologií KEF/ZANAN Fotonické nanostruktury (alias nanofotonika) Jan Soubusta 27.10. 2017 Obsah 1. ÚVOD 2. POHLED DO MIKROSVĚTA 3. OD ELEKTRONIKY K FOTONICE 4. FYZIKA PRO NANOFOTONIKU 5.
VíceBudoucnost patří uhlíkatým nanomateriálům
Budoucnost patří uhlíkatým nanomateriálům Otakar Frank Oddělení elektrochemických materiálů Ústav fyzikální chemie J. Heyrovského, v.v.i. Akademie věd ČR otakar.frank@jh-inst.cas.cz www.nanocarbon.cz Nanoúvod
VíceSTANOVENÍ TVARU A DISTRIBUCE VELIKOSTI ČÁSTIC MODELOVÝCH TYPŮ NANOMATERIÁLŮ. Edita BRETŠNAJDROVÁ a, Ladislav SVOBODA a Jiří ZELENKA b
STANOVENÍ TVARU A DISTRIBUCE VELIKOSTI ČÁSTIC MODELOVÝCH TYPŮ NANOMATERIÁLŮ Edita BRETŠNAJDROVÁ a, Ladislav SVOBODA a Jiří ZELENKA b a UNIVERZITA PARDUBICE, Fakulta chemicko-technologická, Katedra anorganické
VíceEXKURZE DO NANOSVĚTA aneb Výlet za EM a SPM. Pracovní listy teoretická příprava
EXKURZE DO NANOSVĚTA aneb Výlet za EM a SPM Pracovní listy teoretická příprava Úloha 1: První nahlédnutí do nanosvěta Novou část dějin mikroskopie otevřel německý elektroinženýr, laureát Nobelovy ceny
VícePolovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.
Polovodičové prvky V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku
VíceTRANZISTORY TRANZISTORY. Bipolární tranzistory. Ing. M. Bešta
TRANZISTORY Tranzistor je aktivní, nelineární polovodičová součástka schopná zesilovat napětí, nebo proud. Tranzistor je asi nejdůležitější polovodičová součástka její schopnost zesilovat znamená, že malé
VíceOponenti: RNDr. Aleš Hendrych, Ph.D. RNDr. Jiří Tuček, Ph.D.
Oponenti: RNDr. Aleš Hendrych, Ph.D. RNDr. Jiří Tuček, Ph.D. Publikace byla vytvořena v rámci projektu Otevřená síť partnerství na bázi aplikované fyziky, reg. č. CZ. 1.07/2.4.00/17. 0014 1. vydání Roman
VíceFEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4
Využití vlastností polovodičových přechodů Oblast prostorového náboje elektrické pole na přechodu Propustný směr difůze majoritních nosičů Závěrný směr extrakce minoritních nosičů Rekombinace na přechodu
VíceMikroskopie se vzorkovací sondou. Pavel Matějka
Mikroskopie se vzorkovací sondou Pavel Matějka Mikroskopie se vzorkovací sondou 1. STM 1. Princip metody 2. Instrumentace a příklady využití 2. AFM 1. Princip metody 2. Instrumentace a příklady využití
VíceZákladní druhy tranzistorů řízených elektrickým polem: Technologie výroby: A) 1. : A) 2. : B) 1. :
ZADÁNÍ: Změřte výstupní a převodní charakteristiky unipolárního tranzistoru KF 520. Z naměřených charakteristik určete v pracovním bodě strmost S, vnitřní odpor R i a zesilovací činitel µ. Určete katalogové
VíceUnipolární tranzistory
Unipolární tranzistory MOSFET, JFET, MeSFET, NMOS, PMOS, CMOS Unipolární tranzistory aktivní součástka řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem většinové nosiče menšinové nosiče parazitní charakter
VíceObrázek 1: Schematická značka polovodičové diody. Obrázek 2: Vlevo dioda zapojená v propustném směru, vpravo dioda zapojená v závěrném směru
Škola: Autor: DUM: Vzdělávací obor: Tematický okruh: Téma: Masarykovo gymnázium Vsetín Mgr. Jitka Novosadová MGV_F_SS_2S2_D16_Z_ELMAG_Polovodicove_soucastky_PL Člověk a příroda Fyzika Elektřina a magnetismus
VíceMěření na unipolárním tranzistoru
Měření na unipolárním tranzistoru Teoretický rozbor: Unipolární tranzistor je polovodičová součástka skládající se z polovodičů tpu N a P. Oproti bipolárnímu tranzistoru má jednu základní výhodu. Bipolární
VíceMetody charakterizace
Metody y strukturní analýzy Metody charakterizace nanomateriálů I Význam strukturní analýzy pro studium vlastností materiálů Experimentáln lní metody využívan vané v materiálov lovém m inženýrstv enýrství:
Vícehttp://www.zlinskedumy.cz
Číslo projektu Číslo a název šablony klíčové aktivity Tematická oblast Autor Ročník 2, 3 Obor Anotace CZ.1.07/1.5.00/34.0514 III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Elektronické obvody, vy_32_inovace_ma_42_01
VíceNANOTECHNOLOGIE sny a skutenost
NANOTECHNOLOGIE sny a skutenost Roman Kubínek Olomoucký fyzikální kaleidoskop 25. listopadu 2005, Pírodovdecká fakulta UP Nanometr 10-9 m (miliardtina metru) 380-780 nm rozsah λ viditelného svtla obor
VíceELEKTRICKÝ PROUD V POLOVODIČÍCH
LKTRIKÝ ROUD V OLOVODIČÍH 1. olovodiče olovodiče mohou snadno měnit svůj odpor. Mohou tak mít vlastnosti jak vodičů tak izolantů, což záleží například na jejich teplotě, osvětlení, příměsích. Odpor mění
VíceNanotechnologie a jejich aplikace. doc. RNDr. Roman Kubínek, CSc.
Nanotechnologie a jejich aplikace doc. RNDr. Roman Kubínek, CSc. Předpona pochází z řeckého νανος což znamená trpaslík 10-9 m 380-780 nm rozsah λ viditelného světla Srovnání známých malých útvarů SPM Vyjasnění
VíceUNIPOLÁRNÍ TRANZISTOR
UNIPOLÁRNÍ TRANZISTOR Unipolární tranzistor neboli polem řízený tranzistor, FET (Field Effect Transistor), se stejně jako tranzistor bipolární používá pro zesilování, spínání signálů a realizaci logických
VícePolovodičov. ové prvky. 4.přednáška
Polovodičov ové prvky 4.přednáška Polovodiče Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku (Si). Čisté krystaly křemíku mají za pokojové teploty jen
VíceZákladní elektronické prvky a jejich modely
Kapitola 1 Základní elektronické prvky a jejich modely Tento dokument slouží POUZE pro studijní účely studentům ČVUT FEL. Uživatel (student) může dokument použít pouze pro svoje studijní potřeby. Distribuce
VíceVěra Mansfeldová. vera.mansfeldova@jh-inst.cas.cz Ústav fyzikální chemie Jaroslava Heyrovského AV ČR, v. v. i.
Mikroskopie, která umožnila vidět Feynmanův svět Věra Mansfeldová vera.mansfeldova@jh-inst.cas.cz Ústav fyzikální chemie Jaroslava Heyrovského AV ČR, v. v. i. Richard P. Feynman 1918-1988 1965 - Nobelova
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
VíceElektronické a optoelektronické součástky
Garant předmětu: prof. Ing. Pavel Hazdra, CSc. hazdra@fel.cvut.cz Otevřené Elektronické Systémy Virtual Labs OES 1 / 4 Čím se zde bude zabývat? Principy činnosti struktur užívaných k ovládání elektronů
VíceBipolární tranzistory
Bipolární tranzistory Historie V prosinci 1947 výzkumní pracovníci z Bellových laboratořích v New Jersey zjistili, že polovodičová destička z germania se zlatými hroty zesiluje slabý signál. Vědci byli
VíceObjevy v oblasti antiferomagnetických materiálů mění způsob ukládání dat
Objevy v oblasti antiferomagnetických materiálů mění způsob ukládání dat Vedoucí Oddělení spintroniky a nanoelektroniky ve Fyzikálním ústavu Akademie věd ČR Tomáš Jungwirth informoval účastníky LII. zasedání
VíceZáklady elektrotechniky
Základy elektrotechniky Přednáška Tranzistory 1 BIPOLÁRNÍ TRANZISTOR - třívrstvá struktura NPN se třemi vývody (elektrodami): e - emitor k - kolektor b - báze Struktura, náhradní schéma a schematická značka
VíceFET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů
FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů (elektrony nebo díry) pracují s kanálem jednoho typu vodivosti
VíceVYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ FAKULTA STROJNÍHO INŽENÝRSTVÍ Ústav Fyzikálního inženýrství
VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ FAKULTA STROJNÍHO INŽENÝRSTVÍ Ústav Fyzikálního inženýrství Ing. MIROSLAV BARTOŠÍK APLIKACE AFM V NANOTECHNOLOGIÍCH APLICATION OF AFM IN NANOTECHNOLOGY ZKRÁCENÁ VERZE Ph.D.
VíceUhlík v elektrotechnice
Uhlík v elektrotechnice Až do nedávné doby se vědělo, že uhlík má pouze formu diamantu nebo grafitu. Jejich využití je v elektrotechnice dlouhodobě známé. Avšak s nástupem zájmu vědeckých pracovišť o děje
VíceMikroskopie rastrující sondy
Mikroskopie rastrující sondy Metody charakterizace nanomateriálů I RNDr. Věra Vodičková, PhD. Metody mikroskopie rastrující sondy SPM (scanning( probe Microscopy) Metody mikroskopie rastrující sondy soubor
VíceMĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření VA-charakteristik bipolárního tranzistoru, část 3-10-1
MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření VA-carakteristik bipolárnío tranzistoru, část 3-10-1 Výukový materiál Číslo projektu: Z.1.07/1.5.00/34.0093 Šablona: /2 novace a zkvalitnění výuky prostřednictvím
VíceSeminář projektu Rozvoj řešitelských týmů projektů VaV na Technické univerzitě v Liberci Registrační číslo projektu: CZ.1.07/2.3.00/30.
Seminář projektu Rozvoj řešitelských týmů projektů VaV na Technické univerzitě v Liberci Registrační číslo projektu: CZ.1.07/2.3.00/30.0024 Fakulta strojního inženýrství - VUT v Brně Nejen ozubená kola
VícePOHLED DO NANOSVĚTA Roman Kubínek
POHLED DO NANOSVĚTA Roman Kubínek Olomoucký fyzikální kaleidoskop 7. listopadu 2003, Přírodovědecká fakulta UP Nanometr 10-9 m (miliardtina metru) 380-780 nm rozsah viditelného světla obor 21. století,
VícePřednáška 5. SPM (Scanning Probe Microscopies) - STM (Scanning Tunneling Microscope) - AFM (Atomic Force Microscopy) Martin Kormunda
Přednáška 5 SPM (Scanning Probe Microscopies) - STM (Scanning Tunneling Microscope) - AFM (Atomic Force Microscopy) Mikroskopie skenovací sondou Mikroskopie skenující (rastrující) sondou (Scanning Probe
Více3.5. Vedení proudu v polovodičích
3.5. Vedení proudu v polovodičích 1. Umět klasifikovat látky podle vodivosti. 2. Seznámit se s fyzikálními vlastnostmi polovodičů, jejíž poznání vedlo k bouřlivému pokroku v elektronickém průmyslu. 3.5.1.
VícePREZENTACE FAKULTY STROJNÍHO INŽENÝRSTVÍ
PREZENTACE FAKULTY STROJNÍHO INŽENÝRSTVÍ pro studenty SPŠ Autor: Hana Petrušková 24. a 27. 9.2019 FAKULTA STROJNÍHO INŽENÝRSTVÍ VUT v Brně jedna z 8 fakult Vysokého učení technického v Brně (VUT) největší
VíceProjekt Pospolu. Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky. Pro obor M/01 Informační technologie
Projekt Pospolu Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky Pro obor 18-22-M/01 Informační technologie Autorem materiálu a všech jeho částí je Ing. Petr Voborník, Ph.D. Bipolární tranzistor Bipolární
VíceOtázky ke státní závěrečné zkoušce Nanotechnologie
Otázky ke státní závěrečné zkoušce Nanotechnologie (bakalářské studium) Katedra experimentální fyziky Univerzita Palackého v Olomouci 1. Fyzika (KEF/SZZF) 1. Kinematika a dynamika hmotného bodu. Newtonovy
VíceUhlíkové struktury vázající ionty těžkých kovů
Uhlíkové struktury vázající ionty těžkých kovů 7. června/june 2013 9:30 h 17:30 h Laboratoř metalomiky a nanotechnologií, Mendelova univerzita v Brně a Středoevropský technologický institut Budova D, Zemědělská
VíceVY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů
VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů Vodivost polovodičů pojem polovodiče čistý polovodič, vlastní vodivost příměsová vodivost polovodičová dioda tranzistor Polovodiče Polovodiče jsou látky, jejichž
VíceVY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl
Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická
VíceNanosvět očima mikroskopů
Nanosvět očima mikroskopů Několik vědců z Ústavu fyzikální chemie J. Heyrovského AV ČR, v.v.i. se prostřednictvím komorní výstavy rozhodlo představit veřejnosti svět, který viděný pouhým okem diváka nikterak
VíceCHARAKTERIZACE 1 D NANOSTRUKTUR METODAMI SPM CHARACTERIZATION OF 1 D NANOSTRUCTURES BY SPM METHODS Zkrácená verze PhD thesis
VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ Fakulta strojního inženýrství Ústav fyzikálního inženýrství David Škoda CHARAKTERIZACE 1 D NANOSTRUKTUR METODAMI SPM CHARACTERIZATION OF 1 D NANOSTRUCTURES BY SPM METHODS
VíceDEM! Program DNY ELEKTRONOVÉ MIKROSKOPIE. dem.brno.cz
DNY ELEKTRONOVÉ MIKROSKOPIE Program 15. 21. 5. 2017 dem.brno.cz Brno je unikátní metropole v oboru elektronové mikroskopie, a to nejen v České republice, ale i v celosvětovém měřítku. V současné době se
VíceOd kvantové mechaniky k chemii
Od kvantové mechaniky k chemii Jan Řezáč UOCHB AV ČR 19. září 2017 Jan Řezáč (UOCHB AV ČR) Od kvantové mechaniky k chemii 19. září 2017 1 / 33 Úvod Vztah mezi molekulovou strukturou a makroskopickými vlastnostmi
VíceISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec
ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.05 Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566,
VíceAtomové jádro Elektronový obal elektron (e) záporně proton (p) kladně neutron (n) elektroneutrální
STAVBA ATOMU Výukový materiál pro základní školy (prezentace). Zpracováno v rámci projektu Snížení rizik ohrožení zdraví člověka a životního prostředí podporou výuky chemie na ZŠ. Číslo projektu: CZ.1.07/1.1.16/02.0018
VíceVY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl
Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická
VíceVYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ
VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY FAKULTA STROJNÍHO INŽENÝRSTVÍ ÚSTAV FYZIKÁLNÍHO INŽENÝRSTVÍ FACULTY OF MECHANICAL ENGINEERING INSTITUTE OF PHYSICAL ENGINEERING PŘÍPRAVA 2D HETEROSTRUKTUR
VíceUniverzita Tomáše Bati ve Zlíně
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Unipolárn rní tranzistory Přednáška č. 5 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Unipolárn rní tranzistory 1 Princip činnosti
VíceČíslo projektu Číslo a název šablony klíčové aktivity Tematická oblast Autor Ročník 2, 3 Obor Anotace CZ.1.07/1.5.00/34.0514 III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Logické obvody sekvenční,
VíceUrčení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů
Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů Tranzistor je elektronická aktivní součástka se třemi elektrodami.podstatou jeho funkce je transformace odporu mezi
VíceVLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU
VLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU Úvod: Čas ke studiu: Polovodičové součástky pro výkonovou elektroniku využívají stejné principy jako běžně používané polovodičové součástky
VíceStudium růstu kovových nanostruktur na povrchu křemíku Si(100)-(2 1) pomocí techniky STM
Studium růstu kovových nanostruktur na povrchu křemíku Si(100)-(2 1) pomocí techniky STM Jan Pudl, KEVF MFF UK Technika STM Technika řádkovací tunelové mikroskopie (STM) umožňuje dosáhnout atomárního rozlišení
VíceZADÁNÍ BAKALÁŘSKÉ PRÁCE
Vysoké učení technické v Brně, Fakulta strojního inženýrství Ústav fyzikálního inženýrství Akademický rok: 2013/2014 ZADÁNÍ BAKALÁŘSKÉ PRÁCE student(ka): Jakub Kuba který/která studuje v bakalářském studijním
Více2.3 Elektrický proud v polovodičích
2.3 Elektrický proud v polovodičích ( 6 10 8 10 ) Ωm látky rozdělujeme na vodiče polovodiče izolanty ρ ρ ( 10 4 10 8 ) Ωm odpor s rostoucí teplotou roste odpor nezávisí na osvětlení nebo ozáření odpor
VíceROZD LENÍ ZESILOVA Hlavní hledisko : Další hlediska : A) Podle kmito zesilovaných signál B) Podle rozsahu zpracovávaného kmito tového pásma
ROZDĚLENÍ ZESILOVAČŮ Hlavní hledisko : A) Zesilovače malého signálu B) Zesilovače velkého signálu Další hlediska : A) Podle kmitočtů zesilovaných signálů -nízkofrekvenční -vysokofrekvenční B) Podle rozsahu
VíceStruktura atomu. Beránek Pavel, 1KŠPA
Struktura atomu Beránek Pavel, 1KŠPA Co je to atom? Částice, kterou již nelze chemicky dělit Fyzikálně ji lze dělit na elementární částice Modely atomů Model z antického Řecka (Démokritos) Pudinkový model
VíceZADÁNÍ BAKALÁŘSKÉ PRÁCE
Vysoké učení technické v Brně, Fakulta strojního inženýrství Ústav fyzikálního inženýrství Akademický rok: 2013/2014 ZADÁNÍ BAKALÁŘSKÉ PRÁCE student(ka): Aleš Cahlík který/která studuje v bakalářském studijním
VíceZobrazovací metody v nanotechnologiích
Zobrazovací metody v nanotechnologiích Optická mikroskopie Z vlnové povahy světla plyne, že není možné detekovat menší podrobnosti než polovina vlnové délky světla. Viditelné světlo má asi 500 nm, nejmenší
VíceVelká věda o malých věcech
Velká věda o malých věcech nanos je řecky trpaslík nano- znamená miliardtinu celku, takže 1 nanometr = 10-9 metru Co je to nanosvět? území částic a struktur přibližně o velikosti v rozmezí 1 100 nm pro
VíceZáklady nanotechnologií KEF/ZANAN
Základy nanotechnologií KEF/ZANAN 23. 9. Úvod do nanomateriálů a nanotechnologií 1 Vůjtek 30. 9. Úvod do nanomateriálů a nanotechnologií 2 Vůjtek 7. 10. Mikroskopické metody pro nanotechnologie Vůjtek
VíceÚVOD DO NANOVĚDY A NANOTECHNOLOGIÍ
Moduly jako prostředek inovace v integraci výuky moderní fyziky a chemie reg. č.: CZ.1.07/2.2.00/28.0182 ÚVOD DO NANOVĚDY A NANOTECHNOLOGIÍ Lucie Kolářová Olomouc 2014 Oponenti: doc. RNDr. Roman Kubínek,
Více17. Elektrický proud v polovodičích, užití polovodičových součástek
17. Elektrický proud v polovodičích, užití polovodičových součástek Polovodiče se od kovů liší především tím, že mají větší rezistivitu (10-2 Ω m až 10 9 Ω m), (kovy 10-8 Ω m až 10-6 Ω m). Tato rezistivita
VíceSkenovací tunelová mikroskopie a mikroskopie atomárních sil
Skenovací tunelová mikroskopie a mikroskopie atomárních sil M. Vůjtek Tento projekt je spolufinancován Evropským sociálním fondem a státním rozpočtem České republiky v rámci projektu Vzdělávání výzkumných
VíceDiamantu podobné uhlíkové vrstvy pro pokrytí kloubních náhrad
České vysoké učení technické v Praze Fakulta biomedicínského inženýrství Diamantu podobné uhlíkové vrstvy pro pokrytí kloubních náhrad Ing. Petr Písařík petr.pisarik@fbmi.cvut.cz Kladno Listopad 2010 Cíl
VícePERSPEKTIVNÍ POLOVODIČOVÉ STRUKTURY A SOUČÁSTKY
PERSPEKTIVNÍ POLOVODIČOVÉ STRUKTURY A SOUČÁSTKY Vladislav Musil Vysoké učení technické v Brně, Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, Ústav mikroelektroniky, Technická 10, Brno musil@feec.vutbr.cz
VíceTestování nanovlákenných materiálů
Testování nanovlákenných materiálů Eva Košťáková KNT, FT, TUL Obsah přednášky Testování nanovlákenných materiálů -Vizualizace (zobrazování nanovlákenných materiálů) -Chemické složení nanovlákenných materiálů
VíceÚvod do moderní fyziky. lekce 9 fyzika pevných látek (vedení elektřiny v pevných látkách)
Úvod do moderní fyziky lekce 9 fyzika pevných látek (vedení elektřiny v pevných látkách) krystalické pevné látky pevné látky, jejichž atomy jsou uspořádány do pravidelné 3D struktury zvané mřížka, každý
VíceNANOMATERIÁLY JSOU TAKÉ ODPADEM BIOMONITORING NANOMATERIÁLŮ
NANOMATERIÁLY JSOU TAKÉ ODPADEM BIOMONITORING NANOMATERIÁLŮ Jana Seidlerová & Oldřich Motyka Centrum nanotechnologií, VŠB-Technická univerzita Ostrava Úvod Historické pozadí Definice nanomateriálů a klasifikace
VíceOtázky ke státní závěrečné zkoušce Aplikovaná fyzika
Otázky ke státní závěrečné zkoušce Aplikovaná fyzika (magisterské studium) Katedra experimentální fyziky Univerzita Palackého v Olomouci 1. Teorie měření a experimentu a metrologie (KEF/SZZTM) a) Teorie
VícePŘÍLOHA Č. 2. Seznam podpořených projektů Center kompetence
PŘÍLOHA Č. 2 Seznam podpořených projektů Center kompetence 1 1VS: Identifikační kód Název TE01020020 Centrum kompetence automobilového průmyslu Josefa Božka Fakulta strojní 2012 2017 TE01020022 TE01020028
VíceDalší typy kovových nanočástic... 109 7.2 Uhlíkové nanomateriály... 110 Diamanty... 111 Fullereny... 116 Uhlíkové nanotuby... 119 7.
Obsah Obsah... 3 Předmluva... 5 1. Úvod... 6 2. Stavba hmoty na úrovni atomů a molekul... 9 3. Krystalická stavba hmoty... 20 4. Vlastnosti povrchů a nanomateriálů... 33 5. Metody metrologie nanostruktur
VíceSpínače s tranzistory řízenými elektrickým polem. Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT
Spínače s tranzistory řízenými elektrickým polem Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT Základní vlastnosti spínačů s tranzistory FET, IGBT resp. IGCT plně řízený spínač nízkovýkonové řízení malý
VíceDepozice uhlíkových nanotrubek metodou PECVD a jejich analýza
Depozice uhlíkových nanotrubek metodou PECVD a jejich analýza Jiřina Matějková UPT Brno AV ČR Ondřej Jašek- KFE Přírodovědecká fakulta MU Brno, jasek@physics.muni.cz Marek Eliáš, Lenka Zajíčková, Vít Kudrle,
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
VíceMateriály pro nanosystémy a MEMS
Materiály pro nanosystémy a MEMS Materiály Materiály pro nanotechnologie do následujícího přehledu jsou zahrnuty materiály, které se uplatňují zejména ve strukturách MEMS, v mikro- a nanosenzorech, v nanofluidice,
VíceOtázky ke státní závěrečné zkoušce Nanotechnologie
Otázky ke státní závěrečné zkoušce Nanotechnologie (magisterské studium) Katedra experimentální fyziky Univerzita Palackého v Olomouci 1. Nanotechnologie (KEF/SZZM1) 1. Stavba a struktura pevných látek,
VíceSAMOSTATNÁ PRÁCE Z ELEKTRONIKY UNIPOLÁRNÍ TRANZISTORY
Střední odborné učiliště technické Frýdek-Místek SAMOSTATNÁ PRÁCE Z ELEKTRONIKY UNIPOLÁRNÍ TRANZISTORY Jméno: Luděk Bordovský Třída: NE1 Datum: Hodnocení: 1.1. Vlastnosti unipolární tranzistorů Jsou založeny
VíceFAKULTA STROJNÍHO INŽENÝRSTVÍ VUT v Brně
FAKULTA STROJNÍHO INŽENÝRSTVÍ VUT v Brně jedna z 8 fakult Vysokého učení technického v Brně (VUT) největší strojní fakulta v ČR (4300 studentů) široká nabídka oborů výborné uplatnění absolventů na trhu
VíceMikro a nano vrstvy. Technologie a vlastnosti tenkých vrstev, tenkovrstvé sensory - N444028
Mikro a nano vrstvy 1 Co je nanotechnolgie? Slovo pochází z řečtiny = malost, trpaslictví. Z něj n j odvozen termín n nanotechnologie. Jako nanotechnologie je označov ována oblast vědy, jejímž cílem je
VíceOdborný styl. Yvona Řepová. Integrace odborného jazyka do výuky odborných předmětů
Odborný styl Yvona Řepová Název školy Název a číslo projektu Název modulu Obchodní akademie a Střední odborné učiliště, Veselí nad Moravou Motivace žáků ke studiu technických předmětů OP Vzdělávání pro
Vícenm. mory_cz_02_68x68mm_02.indd :31
20.000 nm mory_cz_02_68x68mm_02.indd 1 17-07-16 12:31 Uhlík strukturou podobný diamantu (Tvrdý) povlak mory_cz_02_68x68mm_02.indd 2 17-07-16 12:31 mory_cz_02_68x68mm_02.indd 3 17-07-16 12:31 Uhlík strukturou
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
VíceNANOTECHNOLOGIE. pro začátečníky. České Budějovice
NANOTECHNOLOGIE pro začátečníky České Budějovice 16. 2. 2019 The work presented in this document is supported by the European Commission s FP7 programme project Scientix 2 (Grant agreement N. 337250).
VíceChování látek v nanorozměrech
Univerzita J.E. Purkyně v Ústí nad Labem Chování látek v nanorozměrech Pavla Čapková Přírodovědecká fakulta Univerzita J.E. Purkyně v Ústí nad Labem Březen 2014 Chování látek v nanorozměrech: Co se děje
VíceNANOTECHNOLOGIE VE VÝUCE NA ČVUT FEL NANOTECHNOLOGY IN EDUCATION AT CTU FEE
NANOTECHNOLOGIE VE VÝUCE NA ČVUT FEL NANOTECHNOLOGY IN EDUCATION AT CTU FEE Ivana Pilarčíková, Josef Sedláček, Jan Lipták, Václav Bouda ČVUT-FEL, Technická 2, 166 27 Praha 6, ČR, pilarcik@fel.cvut.cz Abstrakt
VíceOtázky ke státní závěrečné zkoušce Nanotechnologie
Otázky ke státní závěrečné zkoušce Nanotechnologie (bakalářské studium) Katedra experimentální fyziky Univerzita Palackého v Olomouci 1. Fyzika (KEF/SZZF) 1. Kinematika a dynamika hmotného bodu. Newtonovy
VícePolovodičové senzory. Polovodičové materiály Teplotní závislost polovodiče Piezoodporový jev Fotonové jevy Radiační jevy Magnetoelektrické jevy
Polovodičové senzory Polovodičové materiály Teplotní závislost polovodiče Piezoodporový jev Fotonové jevy Radiační jevy Magnetoelektrické jevy Polovodičové materiály elementární polovodiče Elementární
VíceZesilovač. Elektronický obvod zvyšující hodnotu napětí nebo proudu při zachování tvaru jeho průběhu. Princip zesilovače. Realizace zesilovačů
Zesilovač Elektronický obvod zvyšující hodnotu napětí nebo proudu při zachování tvaru jeho průběhu Princip zesilovače Zesilovač je dvojbran který může současně zesilovat napětí i proud nebo pouze napětí
VíceČíslo projektu: CZ.1.07/1.4.00/ Název DUM: Model atomu Číslo DUM: III/2/FY/2/2/2 Vzdělávací předmět: Fyzika Tematická oblast: Elektrické a
Číslo projektu: CZ.1.07/1.4.00/21.3811 Název DUM: Model atomu Číslo DUM: III/2/FY/2/2/2 Vzdělávací předmět: Fyzika Tematická oblast: Elektrické a magnetické jevy Autor: Mgr. Petra Kejkrtová Anotace: Žák
VíceVYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ
VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY FAKULTA STROJNÍHO INŽENÝRSTVÍ ÚSTAV FYZIKÁLNÍHO INŽENÝRSTVÍ FACULTY OF MECHANICAL ENGINEERING INSTITUTE OF PHYSICAL ENGINEERING VÝROBA NANOSTRUKTUR
VíceODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ
Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: T3.2.1 MĚŘENÍ NA UNIPOLÁRNÍCH TRANZISTORECH A IO Obor: Mechanik elektronik Ročník: 2. Zpracoval(a): Bc. Josef Mahdal Střední průmyslová škola Uherský Brod,
Více