Laboratorní cvičení č.15. Název: Měření na optoelektronických prvcích. Zadání: Popis měřeného předmětu: Teoretický rozbor:



Podobné dokumenty
Popis měřeného předmětu: Zde bude uvedeno - základní parametry diod - zapojení pouzdra diod - VA charakteristika diod z katalogového listu

Laboratorní cvičení č.10

Laboratorní cvičení č.11

Fotodioda ve fotovodivostním a fotovoltaickém režimu OPTRON

Abstrakt. fotodioda a fototranzistor) a s jejich základními charakteristikami.

Fotoelektrické snímače

Měření vlastností stejnosměrných tranzistorových zesilovačů

- Stabilizátory se Zenerovou diodou - Integrované stabilizátory

MĚŘENÍ VA CHARAKTERISTIK BIPOLÁRNÍHO TRANZISTORU

Úloha 5: Charakteristiky optoelektronických součástek

Měření vlastností střídavého zesilovače

Grafické řešení: obvod s fotodiodou

Měření VA charakteristik polovodičových diod

Praktikum III - Optika

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě nízkofrekvenční nevýkonový tranzistor KC 639. Mezní hodnoty jsou uvedeny v tabulce:

MĚŘENÍ POLOVODIČOVÝCH DIOD 201-3R

Střední průmyslová škola elektrotechnická a informačních technologií Brno

1.3 Bipolární tranzistor

2. Změřte a nakreslete zatěžovací charakteristiku až do zkratu.

MĚŘENÍ PARAMETRŮ FOTOVOLTAICKÉHO ČLÁNKU PŘI ZMĚNĚ SÉRIOVÉHO A PARALELNÍHO ODPORU

Střední průmyslová škola elektrotechnická a informačních technologií Brno

VOLTAMPÉROVÉ CHARAKTERISTIKY DIOD

Charakteristiky optoelektronických součástek

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřený předmětem jsou v tomto případě polovodičové diody, jejich údaje jsou uvedeny v tabulce:

Elektronické praktikum EPR1

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření vlastní a vzájemné indukčnosti, část 3-1-4

Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody

propustný směr maximální proud I F MAX [ma] 75 < 1... při I F = 10mA > při I R = 1µA 60 < 0,4... při I F = 10mA > 60...

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření parametrů tyristoru, část 3-5-4

Stabiliz atory napˇet ı v nap ajec ıch zdroj ıch - mˇeˇren ı z akladn ıch parametr u Ondˇrej ˇ Sika

Klasifikace: bodů výborně bodů velmi dobře bodů dobře 0-49 bodů nevyhověl. Příklad testu je na následující straně.

1.Zadání 2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU 3.TEORETICKÝ ROZBOR

Elektrická měření pro I. ročník (Laboratorní cvičení)

MĚŘENÍ VA CHARAKTERISTIK POLOVODIČOVÝCH DIOD

Měření vlastností a základních parametrů elektronických prvků

Měření charakteristik fotocitlivých prvků

Odporový dělič napětí a proudu, princip superpozice

4.SCHÉMA ZAPOJENÍ +U CC 330Ω A Y

PRAKTIKUM... Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Odevzdal dne: Seznam použité literatury 0 1. Celkem max.

Střední průmyslová škola elektrotechnická a informačních technologií Brno

V-A charakteristika polovodičové diody

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě zenerova dioda její hodnoty jsou uvedeny v tabulce:

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů tyristoru část Teoretický rozbor

Typ UCE0 (V) IC (A) PCmax (W)

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření magnetických veličin, část 3-9-3

Spektrální charakteristiky fotodetektorů

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření parametrů operačních zesilovačů, část 3-7-5

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

FYZIKÁLNÍ PRAKTIKUM Ústav fyziky FEI VUT BRNO

AUTORKA Barbora Sýkorová

Jméno a příjmení. Ročník. Měřeno dne Příprava Opravy Učitel Hodnocení. Charakteristiky optoelektronických součástek

Střední průmyslová škola elektrotechnická a informačních technologií Brno

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů operačních zesilovačů část Teoretický rozbor

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření parametrů logického obvodu, část 3-6-5

Zpráva o měření. Střední průmyslová škola elektrotechnická Havířov. Úloha: Měření výkonu. Třída: 3.C. Skupina: 3. Zpráva číslo: 8. Den:

Střední průmyslová škola elektrotechnická a informačních technologií Brno

Měření vlastností a základních parametrů elektronických prvků

Manuální, technická a elektrozručnost

Teoretický úvod: [%] (1)

Měření vlastností a základních parametrů elektronických prvků

Střední průmyslová škola elektrotechnická a informačních technologií Brno

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření parametrů operačních zesilovačů, část 3-7-4

6 Měření transformátoru naprázdno

VY_52_INOVACE_2NOV38. Autor: Mgr. Jakub Novák. Datum: Ročník: 8. a 9.

Mˇeˇren ı vlastn ı indukˇcnosti Ondˇrej ˇ Sika

INTEGROVANÁ STŘEDNÍ ŠKOLA TECHNICKÁ BENEŠOV. Černoleská 1997, Benešov. Elektrická měření. Tematický okruh. Měření elektrických veličin.

Pracovní list žáka (SŠ)

PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus

Fotoelektrické snímače

Základní měření s výchylkovými multimetry Laboratorní cvičení č. 1

Měření vlastností lineárních stabilizátorů. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS.

6. STUDIUM SOLÁRNÍHO ČLÁNKU

Petr Myška Datum úlohy: Ročník: první Datum protokolu:

13 Měření na sériovém rezonančním obvodu

Střední průmyslová škola elektrotechnická a informačních technologií Brno

Měření umělého osvětlení. Ing. Tomáš Sousedík, METROLUX

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření vlastní a vzájemné indukčnosti, část 3-1-3

Kód VM: VY_32_INOVACE_5 PAV04 Projekt: Zlepšení výuky na ZŠ Schulzovy sady registrační číslo: CZ.1.07./1.4.00/

TECHNICKÁ DOKUMENTACE

Střední průmyslová škola elektrotechnická a informačních technologií Brno

1. Navrhněte RC oscilátor s Wienovým článkem, operačním zesilovačem a žárovkovou stabilizací amplitudy, podle doporučeného zapojení, je-li dáno:

2.3 Elektrický proud v polovodičích

Pokud není uvedeno jinak, uvedený materiál je z vlastních zdrojů autora

Korekční křivka měřícího transformátoru proudu

základní vzdělávání druhý stupeň

Protokol. Vzdáleně měřený experiment charakteristiky šesti různých zdrojů světla

Teorie úlohy: Operační zesilovač je elektronický obvod, který se využívá v měřící, výpočetní a regulační technice. Má napěťové zesílení alespoň A u

Fyzikální praktikum...

1.1 Usměrňovací dioda

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření přechodových dějů, část 3-4-3

Nalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R = 100 kω, φ = 5mW/cm 2.

Poř. č. Příjmení a jméno Třída Skupina Školní rok 2 BARTEK Tomáš S /10

Technická měření v bezpečnostním inženýrství. Elektrická měření proud, napětí, odpor

PROTOKOL O PROVEDENÍ LABORATORNÍ PRÁCE

Elektronické praktikum EPR1

1.1 Pokyny pro měření

- + C 2 A B V 1 V 2 - U cc

Název: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení

EUROPEAN TRADESMAN PROJECT NOTES ON ELECTRICAL TESTS OF ELECTRICAL INSTALLATIONS. Použití měřících přístrojů

Úloha 1: Zapojení integrovaného obvodu MA 7805 jako zdroje napětí a zdroje proudu

Transkript:

Laboratorní cvičení č.15 Název: Měření na optoelektronických prvcích Zadání: Změřte voltampérovou charakteristiku fototranzistoru, fotodiody (fotovodivostní a fotovoltaický režim) a fotorezistoru pro pět různých intenzit osvětlení.u fotorezistoru určete pro každou intenzitu osvětlení, aktuální velikost jeho odporu. U fotodiody ve fotovoltaickým režimu určete maximální výkon získaný při daném osvětlení E..(Lx). Popis měřeného předmětu: Zde bude uvedeno: popis součástek, včetně nákresu předpokládaných charakteristik, které budete měřit. Popis součástek - Fotorezistor - Fotodioda Předpokládaná charakteristika fotodiody. - Fototranzistor Teoretický rozbor: Výpočet maximálního výkonu fotodiody při daném osvětlení E..(Lx).(např.500Lx).Pro zapojení Měření voltampérové charakteristiky fotodiody (fotovoltaický režim) je možné najít takovou hodnotu odporu R2, při

kterém je výkon pro dané osvětlení na zátěži R2 maximální.tento režim je vyžíván u solárních panelů, které jsou vytvořeny soustavami velkoplošných diod. P 500Lx =U df max *I df max Idf max D1 R2 Udf max Legenda: P 500Lx maximální hodnota výkonu fotodiody při intenzitě osvětlení 500lx U df max maximální hodnota napětí I df max maximální hodnota proudu Schéma zapojení: a) Měření voltampérové charakteristiky fototranzistoru Zn1 + - R1 Un MP1 A Ic T1 Uce V MP2 b) Měření voltampérové charakteristiky fotodiody (fotovodivostní režim) + Zn1 - R1 Un MP1 A Idr D1 Udr V MP2 c) Měření voltampérové charakteristiky fotodiody (fotovoltaický režim) R2 Idf D1 Udf V MP2 A MP1

d) Měření odporu fotorezistoru W MP3 R3 e) Zdroj světla Seznam použitých přístrojů: R1=10K (odporová dekáda) R2 (odporová dekáda) MP1 - MP2 - MP3 - Zn1 - Zn2 - Zde bude uvedeno označení přístroje ve schématu,název, typ,parametry (třída přesnosti, vnitřní odpor a atd), inventární číslo Popis postupu měření: Zapojíme obvod podle schématu e) (zdroj světla). Pomoci luxmetru nastavíme svítivost led diod. Fototranzistor: Zdroj světla přiložíme k fototranzistoru a měníme napětí U ce a zapisujeme proud Ic. Fotodioda (fotovodivostní režim): Na regulovaném zdroji měníme napětí a s měřících přístrojů odečítáme hodnoty napětí U dr a proud I dr. Fotodioda (fotovoltaický režim): V tomto zapojení nastavujeme hodnotu odporu R2 a zapisujeme hodnoty napětí U df a proud I df. V tomto zapojení fotodiody (fotovoltaický režim) se také snažíme najít takovou hodnotu odporu R2, při kterém je napětí U df a proud I df pro dané osvětlení na zátěži R2 maximální.

Fotoodpor: Při měření odporu fotorezistoru měníme hodnotu intenzity osvětlení zdroje světla, kterou ověřujeme pomocí luxmetru, a zapisujeme naměřenou hodnotu odporu a intenzitu osvětlení. Tabulky: Seznam naměřených hodnot: Voltampérová charakteristika fototranzistoru E (Lx) U ce (V) 0 1 2 3 4 100 I c1 (ma) 200 I c2 (ma) 300 I c3 (ma) 400 I c4 (ma) 500 I c5 (ma) Voltampérová charakteristika fotodiody (fotovodivostní režim) E (Lx) U dr (V) 0 1 2 3 4 100 I dr1 (ma) 200 I dr2 (ma) 300 I dr3 (ma) 400 I dr4 (ma) 500 I dr5 (ma) Poznámka napětí U dr a proud I dr uvádět v záporných hodnotách Voltampérová charakteristika fotodiody (fotovoltaický režim) E (Lx) U df (mv) 0 100 200 300 400 100 I df1 (μa) 200 I df2 (μa) 300 I df3 (μa) 400 I df4 (μa) 500 I df5 (μa) Poznámka proud I df uvádět v záporných hodnotách

Závislost odporu na osvětlení E (Lx) 0 100 200 300 400 500 R (Ω) Legenda: E (Lx) - intenzita osvětlení U ce - napětí na přechodu kolektor emitor u fototranzistoru I c - kolektorový proud fototranzistoru U dr - reverzní napětí na fotodiodě (fotovodivostní režim) I dr - reverzní proud na fotodiodě (fotovodivostní režim) U df - napětí na fotodiodě (fotovoltaický režim) I df - proud fotodiodou (fotovoltaický režim) R - odpor fotorezistoru Požadavky přehledná tabulka, legenda, vzorový výpočet použitý v tabulce Grafy: Zde bude zobrazena VA charakteristika fototranzistoru Zde bude zobrazena VA charakteristika fotodiody (fotovodivostní režim) Zde bude zobrazena VA charakteristika fotodiody (fotovoltaický režim) Zde bude zobrazena závislost odporu fotorezistoru na intenzitě osvětlení Požadavky čitelnost, přehlednost, název grafu, popis os včetně jednotek, legendu Vyhodnocení: Zde bude uvedeno: - zhodnocení výsledků měření - porovnání výsledků měření s teoretickým rozborem - popsat chyby, kterých jste se dopustili během měření a případně navrhnou způsob jejich odstranění - popsat co vám měření této úlohy přineslo - z jakých informačních zdrojů jste čerpali - co vám činilo největší potíže