1.3 Bipolární tranzistor



Podobné dokumenty
- Stabilizátory se Zenerovou diodou - Integrované stabilizátory

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů tyristoru část Teoretický rozbor

Název: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení

1.1 Pokyny pro měření

Elektronika pro informační technologie (IEL)

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě nízkofrekvenční nevýkonový tranzistor KC 639. Mezní hodnoty jsou uvedeny v tabulce:

Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů

Studium klopných obvodů

1.5 Operační zesilovače I.

Typ UCE0 (V) IC (A) PCmax (W)

+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2

Zesilovač. Elektronický obvod zvyšující hodnotu napětí nebo proudu při zachování tvaru jeho průběhu. Princip zesilovače. Realizace zesilovačů

Návrh a analýza jednostupňového zesilovače

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH

Petr Myška Datum úlohy: Ročník: první Datum protokolu:

2-LC: Měření elektrických vlastností výkonových spínačů (I)

Měření vlastností a základních parametrů elektronických prvků

1.Zadání 2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU 3.TEORETICKÝ ROZBOR

Tranzistory. tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor. Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET

2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω.

II. Nakreslete zapojení a popište funkci a význam součástí následujícího obvodu: Integrátor s OZ

ETC Embedded Technology Club setkání 6, 3B zahájení třetího ročníku

Bipolární tranzistory

Elektronické praktikum EPR1

1.1 Usměrňovací dioda

Ukázka práce na nepájivém poli pro 2. ročník SE. Práce č. 1 - Stabilizovaný zdroj ZD + tranzistor

Měření vlastností stejnosměrných tranzistorových zesilovačů

Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody

Studium tranzistorového zesilovače

Úloha 1: Zapojení integrovaného obvodu MA 7805 jako zdroje napětí a zdroje proudu

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů operačních zesilovačů část Teoretický rozbor

Pokud není uvedeno jinak, uvedený materiál je z vlastních zdrojů autora

ETC Embedded Technology Club setkání 5, 3B zahájení třetího ročníku

Interakce ve výuce základů elektrotechniky

PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus

Elektrotechnická zapojení

[Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] Na rezistoru je napětí 25 V a teče jím proud 50 ma. Rezistor má hodnotu.

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

Výpočet základních analogových obvodů a návrh realizačních schémat

Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/

Manuální, technická a elektrozručnost

Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

4.SCHÉMA ZAPOJENÍ +U CC 330Ω A Y

1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny

Zvyšování kvality výuky technických oborů

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je operační zesilovač. Pro měření byla použita souprava s operačním zesilovačem, kde napájení bylo 5V

Kategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-485 se používá pro:

Měření vlastností střídavého zesilovače

TRANZISTOROVÝ ZESILOVAČ

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, Mělník Ing.František Moravec

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Impulsní regulátor ze změnou střídy ( 100 W, 0,6 99,2 % )

Zesilovače. Ing. M. Bešta

ZÁKLADY POLOVODIČOVÉ TECHNIKY. Doc.Ing.Václav Vrána,CSc. 03/2008

1. Navrhněte a prakticky realizujte pomocí odporových a kapacitních dekáda derivační obvod se zadanou časovou konstantu: τ 2 = 320µs

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřený předmětem jsou v tomto případě polovodičové diody, jejich údaje jsou uvedeny v tabulce:

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření parametrů logického obvodu, část 3-6-5

Určeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče

Měření na unipolárním tranzistoru

Elektrická měření pro I. ročník (Laboratorní cvičení)

SEMESTRÁLNÍ PRÁCE Z PŘEDMĚTU NÁVRH A ANALÝZA ELEKTRONICKÝCH OBVODŮ

VOLTAMPÉROVÉ CHARAKTERISTIKY DIOD

Kurs praktické elektroniky a kutění

Základní druhy tranzistorů řízených elektrickým polem: Technologie výroby: A) 1. : A) 2. : B) 1. :


Operační zesilovač. Úloha A2: Úkoly: Nutné vstupní znalosti: Diagnostika a testování elektronických systémů

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů tyristoru část Test

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření parametrů tyristoru, část 3-5-4

2. Měření odporu rezistoru a volt-ampérové charakteristiky žárovky

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů logického obvodu část Teoretický rozbor

Laboratorní cvičení č.15. Název: Měření na optoelektronických prvcích. Zadání: Popis měřeného předmětu: Teoretický rozbor:

2. Změřte a nakreslete zatěžovací charakteristiku až do zkratu.

propustný směr maximální proud I F MAX [ma] 75 < 1... při I F = 10mA > při I R = 1µA 60 < 0,4... při I F = 10mA > 60...

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ

Zpětnovazební stabilizátor napětí

Klasifikace: bodů výborně bodů velmi dobře bodů dobře 0-49 bodů nevyhověl. Příklad testu je na následující straně.

1 U Zapište hodnotu časové konstanty derivačního obvodu. Vyznačte měřítko na časové ose v uvedeném grafu.

Základy elektrotechniky

Měření VA charakteristik polovodičových diod

Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Měření vlastností a základních parametrů elektronických prvků

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě zenerova dioda její hodnoty jsou uvedeny v tabulce:

200W ATX PC POWER SUPPLY

Anemometr s vyhřívanými senzory

Obrázek 1: Schematická značka polovodičové diody. Obrázek 2: Vlevo dioda zapojená v propustném směru, vpravo dioda zapojená v závěrném směru

Bipolární tranzistory

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření parametrů operačních zesilovačů, část 3-7-3

Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr

ROZD LENÍ ZESILOVA Hlavní hledisko : Další hlediska : A) Podle kmito zesilovaných signál B) Podle rozsahu zpracovávaného kmito tového pásma

Měření na bipolárním tranzistoru.

TENZOMETRICKÝ KOMPARÁTOR

Fotodioda ve fotovodivostním a fotovoltaickém režimu OPTRON

Název: Téma: Autor: Číslo: Prosinec Střední průmyslová škola a Vyšší odborná škola technická Brno, Sokolská 1

Dioda jako usměrňovač

Darlingtonovo zapojení

OPERAČNÍ ZESILOVAČE. Teoretický základ

Jednofázové a třífázové polovodičové spínací přístroje

Děliče napětí a zapojení tranzistoru

Transkript:

1.3 Bipolární tranzistor 1.3.1 Úkol: 1. Změřte vstupní charakteristiku bipolárního tranzistoru 2. Změřte převodovou charakteristiku bipolárního tranzistoru 3. Změřte výstupní charakteristiku bipolárního tranzistoru 4. Zapojte bipolární tranzistor ve funkci spínače 1.3.2 Teorie: Tranzistor je polovodičová součástka, která obsahuje dva polovodičové přechody PN. Každý bipolární tranzistor se skládá ze tří oblastí seřazených v pořadí NPN nebo PNP. Vyvedené elektrody se nazývají emitor, báze, kolektor. Obr. 1. Struktura tranzistorů Činnost obou typů tranzistorů se v podstatě neliší, avšak zásadní rozdíl je v polaritě napájecího napětí kolektoru a emitoru. Pro tranzistor typu NPN platí, že napětím několik desetin voltů otevřeme přechod báze emitor. Protože báze má poměrně malou tloušťku prochází téměř celý kolektorový proud až do emitoru což vyplívá z obrázku. Pro tranzistor PNP platí obdobný princip jen s tím rozdílem, že na bázi musíme přivést zápornější napětí než na emitor. Potom platí,že proud z kolektoru projde téměř celý do emitoru. Tranzistory se používají v zapojení se společným emitorem (SE), společnou bází (SB) a se společným kolektorem (SC).

Tabulka 1. Charakteristické chování bipolárních tranzistorů v různých zapojeních Zesílení Impedance Fázový posun Zapojení bipolárního tranzistoru Společná báze Společný emitor Společný kolektor Proud 0,95 až 0,99 10 až 500 10 až 500 Napětí 10 až 100 10 až 100 0,9 až 0,99 Výkon 10 až 100 100 až 10000 10 až 100 Vstupní 10Ω až 100Ω 100 až 1kΩ 10kΩ až 1MΩ Výstupní 0,1M až 1MΩ 10kΩ až 100kΩ 100Ω až 1kΩ Napěťový 0 180 0 Proudový 0 0 180 Obr. 2. Základní zapojení bipolárních tranzistorů V elektrotechnických zařízeních se nejčastěji používá zapojení se společným emitorem. Abychom zabránili zkreslení signálu, který zesilujeme, musíme nastavit vhodný pracovní bod tranzistoru. Má-li tranzistor pracovat bez zkreslení musíme zajistit, aby tranzistorem bez připojeného vstupního signálu procházel kolektorový proud určité velikosti. Jelikož je pracovní bod určen velikostí kolektorového proudu a kolektorovým napětím, volíme

v praxi kolektorové napětí jako poloviční hodnotu napájecího napětí. Poloha pracovního bodu se z různých příčin může měnit proto je nutné polohu stabilizovat. K tomu slouží obvody stabilizace které přímo souvisí s obvody pro jeho nastavení. Klidový pracovní bod tranzistoru se prakticky realizuje pomocí odporového děliče do báze tranzistoru. R 1 a R 2 spolu tvoří dělič napětí. R C kolektorový odpor I C kolektorový proud I B bázový proud I E emitorový proud Obr. 3. Bipolární NPN tranzistor v zapojení SE s nastaveným pracovním bodem Tranzistor pracující ve spínacím režimu je uzavřen - vypnut nebo otevřen sepnut. Jestliže na vstup tranzistoru přivedeme napětí vhodné velikosti a polarity, pak tranzistor sepne. I když je tranzistor plně otevřen vzniká na přechodu kolektor emitor zbytkové napětí. Toto napětí bývá řádu desetin voltů a ve většině aplikací není na závadu. 1.3.3 Zadání: Poznamenejte si katalogové hodnoty součástek z přiloženého listu. Např. BC546 U CEO = 65V, I C = 0,1A, P tot = 0,5W, hfe = 200-450 při I C = 2mA Popis použitých přístrojů a součástek: Z 1 Z 2 A 1,A 2 V 1,V 2 T R R P stejnosměrný zdroj napájení ze základní desky RC (cca 5,2V) ampérmetr voltmetr bipolární tranzistor rezistor 120Ω proměnný rezistor

LED svítivá dioda LED Ad1) Schéma zapojení: Obr. 4. Zapojení pro měření charakteristik bipolárního tranzistoru b) Vypočítáme minimální hodnotu odporu R a maximální proud procházející obvodem podle vztahů: U Z2 napětí zdroje Z 2 P P tot tot maximální výkon I Max = U I Max maximální proud Z 2 R Min minimální odpor U Z 2 R Min = I c) Proměnný rezistor R nastavíme na hodnotu větší než je R MIN. d) Na stejnosměrném zdroji Z 1 nastavíme 1V abychom docílili plného otevření tranzistoru. Poté na voltmetru V 2 nastavíme postupnou změnou odporu proměnného rezistoru napětí U CE = 1V. e) Na zdroji Z 1 budeme měnit napětí od 0 do 1V. Kroky, po kterých měníme napětí, volíme vhodně kolem hodnoty 0,7V bude docházet k největším změnám proudů protože se začne tranzistor otevírat, tj. kolem této hodnoty provedeme větší počet měření. f) Měření provedeme pro napětí U CE = 1V, 2V. Max

g) Naměřené hodnoty napětí U BE a proudu I B zapisujeme do tabulky, ze které se vytvoří graf (vstupní charakteristika). U [V] I [µa] Obr. 5. Vstupní charakteristika Ad2) b) Proměnný rezistor R nastavíme na hodnotu větší než je R MIN. c) Na stejnosměrném zdroji Z 1 nastavíme 1V abychom docílili plného otevření tranzistoru. Poté na voltmetru V 2 nastavíme postupnou změnou odporu proměnného rezistoru napětí U CE = 1V. d) Na zdroji Z 1 budeme měnit napětí od 0 do 1V. Kroky, po kterých měníme napětí, volíme vhodně kolem hodnoty 0,7V bude docházet k největším změnám proudů protože se začne tranzistor otevírat, tj. kolem této hodnoty provedeme větší počet měření. e) Měření provedeme pro napětí U CE = 1V, 2V. f) Naměřené hodnoty proudů I C a I B zapisujeme do tabulky ze které se vytvoří graf (převodová charakteristika).

I C [µa] I B [µa] Obr. 6. Převodová charakteristika Ad3) b) Na stejnosměrném zdroji Z 1 nastavíme takové napětí, abychom na ampérmetru A 1 naměřili bázový proud I B = 20µA. Odpor nastavíme na 999Ω. c) Na proměnném rezistoru měníme odpor od 999Ω do 200Ω. Celé měření kontrolujeme proudu I B a odchylky od přednastavené hodnoty dolaďujeme. d) Měření provedeme pro proud bází I B = 20µA, 40µA. e) Naměřené hodnoty napětí U CE a proudu I C zapisujeme do tabulky ze které se vytvoří graf (výstupní charakteristika). U [V] Obr. 7. Výstupní charakteristika Ad4) Schéma zapojení: I [ma]

Obr. 8. Zapojení pro bipolární tranzistor ve funkci spínače b) Hodnotu proměnného rezistoru R P snižujeme od nejvyšší hodnoty tak dlouho, dokud nezačne dioda jasně svítit. Spínací funkci tranzistoru ověříme propojením svorek a a b drátovou propojku - dioda zhasne, neboť mezi bází a emitorem zanikne potřebný rozdíl potenciálu a tranzistor se uzavře.