5 Monolitické integrované obvody
|
|
- Bedřich Fišer
- před 9 lety
- Počet zobrazení:
Transkript
1 Technologie 5 Monolitické integrované obvody Jak je všeobecně známo, jsou využívány dvě hlavní technologie integrovaných obvodů. Jednou z nich jsou monolitické integrované obvody, druhou hybridní. Zde se zaměříme na monolitické integrované obvody. 5.1 Rozdělení monolitických integrovaných obvodů Integrované monolitické obvody můžeme rozdělit do různých skupin z mnoha hledisek. Hledisko stupně integrace bylo uvedeno ve stati o polovodičových materiálech. Zde jsou uvedena další dvě: a) Hledisko typu přenášeného signálu: obvody analogové; obvody analogově číslicové; obvody logické a číslicové. b) Hledisko obvodové technologie: obvody bipolární; obvody unipolární; obvody smíšené. Analogové obvody Úkolem analogových obvodů je zpracovávat a přenášet analogové signály, které se vyznačují tím, že v daném rozsahu mohou nabývat libovolnou hodnotu (např. v rozsahu napětí 0 V až 5 V mohou nabývat libovolnou hodnotu). Tyto signály jsou spojité, obvody určené pro jejich zpracování musejí mít, kromě jiných vlastností, předepsanou linearitu (případně nelinearitu). Základními prvky analogových obvodů jsou zesilovače, filtry a jejich obvodové kombinace. Analogově-číslicové obvody Rozvoj integrovaných obvodů umožňuje programové číslicové zpracování signálů. Analogově číslicové obvody převádějí analogový signál na číslicový, číslicově analogové převodníky slouží k převodu čísla na analogový signál. Logické a číslicové obvody Logické a číslicové obvody zpravidla pracují se signály nabývajícími dvě diskrétní úrovně. Rozdíl mezi nimi spočívá v tom, že logické obvody slouží ke konstrukci různých logických funkcí, kdežto číslicové obvody umožňují provádět různé početní operace, jako jsou kromě logických operací také aritmetické. Speciálními typy těchto obvodů jsou paměti umožňující uchovat po stanovenou dobu číslicovou nebo logickou informaci. Obvody, které dokáží vykonávat jak číslicové tak logické operace, jsou různé typy mikrořadičů (mikrokontrolérů) a mikroprocesorů. Moderní typy mikroprocesorů často obsahují i analogověčíslicové převodníky a další obvody. 5.2 Technologický postup při výrobě integrovaných obvodů Výroba čipů integrovaných obvodů využívá obdobné technologické postupy jako výroba diskrétních polovodičových součástek. Jedním z nejdůležitějších faktorů ovlivňujících činnost polovodičových součástek je způsob jejich výroby. řed rokem 1960 byly při výrobě polovodičových součástek používány dvě hlavní metody, tzv. tažený polovodičový přechod a slitinový polovodičový přechod. Obě tyto metody byly nedokonalé. Během 60. let byla vyvinuta planární technologie, později zdokonalená na planárně epitaxní technologii. V současné době umožňuje planárně epitaxní technologie výrobu velmi složitých Si, GaAs a SiGe Struktur
2 Integrované obvody lanárně epitaxní technologie lanárně epitaxní technologie obsahuje následující hlavní výrobní postupy: epitaxní růst; oxidace; dotování příměsemi; fotolitografie; měření; kontaktování a pouzdření. Charakteristickým znakem polovodičových prvků vyrobených planární technologií je, že jsou jejich vývody umístěny v jedné rovině (planar znamená rovinný, dvojrozměrný). ři výrobě jsou využívány maskovací vlastnosti oxidu křemičitého SiO 2. Epitaxe Epitaxe byla původně vyvinuta k rozšíření kvality výroby bipolárních tranzistorů a je stále v bipolárních technologiích využívána. Základní polovodičový materiál má poměrně značnou tloušťku (až 250 µm) a pro elektrické vlastnosti polovodičových součástek zůstává nevyužitý. a základním monokrystalickém materiálu s vysokou elektrickou vodivostí je vytvořena tenká vrstva polovodičového materiálu, která má stejnou krystalickou orientaci a stejnou strukturu jako materiál podložky. Výhoda, kterou epitaxe výrobcům IO poskytuje vzhledem k použití iontové implantace nebo difúze tkví v tom, že dopování epitaxní vrstvy je nezávislé na substrátu. a lehce dopovaném substrátu může být vytvořena silně dopovaná vrstva, případně naopak. Tloušťka epitaxní vrstvy může nabývat velikosti od 5 µm do 500 µm. Výhodou epitaxe je i to, že probíhá za nižších teplot než výroba monokrystalu Oxidace Oxidace křemíku je počáteční fází výroby integrovaných obvodů. ři tom je vytvořena tenká vrstva oxidu křemičitého SiO 2, který je velmi stabilním materiálem. Je to krok usnadňující provedení dalších kroků při výrobě integrovaných obvodů. Dopování Dopováním rozumíme dodání stanoveného množství určitého typu nečistot do polovodivého materiálu. Dotování může být buďto neselektivní, kdy je dotován celý objem materiálu nebo selektivní, kdy dochází k dotování pouze určených oblastí. Dotování může být provedeno dvěma metodami: - difúzí; - iontovou implantací. Difúze je starším způsobem a je levnější. Iontová implantace umožňuje nejlepší možnost řízení procesu dopování. Iontová implantace je rovněž využívána k nastavení prahového napětí obvodů MOS. Řídicí počítač řevodníky a obvody pro ovládání paprsku Destička s vrstvou fotorezistu Aktivace fotorezistu paprskem Obr.č rincip elektronolitografie Systém generování a zaostřování paprsku Vychylovací systém Elektronový paprsek odložka s přesným posuvem X,Y Hloubka implantace je závislá na zrychlení iontů vyvolaném přiloženou energií od 3 kev do 5000 kev. Výroba funkčních částí obvodových prvků Aby byl vyroben celý integrovaný obvod, musejí být nejprve vyrobeny jeho jednotlivé části, jako jsou např. kolektor, emitor a báze bipolárního tranzistoru, rezistory, kondenzátory apod. ři tom je využíván systém CAD
3 Technologie Obr.č říklad masky integrovaného obvodu Maska Maska plátku Obr.č říklad masky plátku Místo, na kterém jsou tyto části vytvořeny je definováno pomocí tzv. fotolitografie, která spočívá v osvětlení fotorezistu UV světlem procházejícím otvory v masce (obr.č.5.2.2, 5.2.3) případně svazkem elektronů pomocí elektronolitografie. rincip elektronolitografie je znázorněn na obr.č Elektronový paprsek je pomocí vychylovacího systému zaměřen na předepsaná místa destičky, na které jej nanesen fotorezist. Elektronolitografie je též využívána k výrobě masek pro fotolitografii. rvním krokem procesu je nanesení fotorezistu. Jako fotorezist je používán polymer, který je rozpustný či nerozpustný v závislosti na osvětlení ve speciálním rozpouštědle. anesený fotorezist je osvětlován zařízením, jehož vychýlení je řízeno počítačem. Další postup je shodný s postupem popsaným ve stati olovodiče. oznámka: S pojmem litografie je svázána zkratka EUV (Extreme Ultraviolet lithography). Tato zkratka označuje technologický proces, který umožňuje vyrábět mikroprocesory pracující na kmitočtech do 10 GHz. Konečná verze tohoto zařízení má být hotova v roce Obvodové technologie integrovaných obvodů Binární technologie 1. fáze 2. fáze 3. fáze Bor 4. fáze 5. fáze Implantace Sb onořená vrstva epitaxní vrstva onořená vrstva Izolace Báze Kolektor Bor SiO 2 Binární technologií jsou realizovány integrované obvody využívající binární tranzistory, polovodičové diody, rezistory, kondenzátory. Základem výroby je polovodičový plátek. Výroba probíhá v několika fázích. Každá fáze začíná vytvořením vrstvy SiO 2 na povrchu plátku. ásleduje nanesení fotorezistu, fotolitografický proces a odleptání fotorezistu a oxidu křemičitého z požadovaných plošek. V nich je prováděna dotace příměsemi pro vytvoření oblastí s potřebným typem vodivosti. ři tom je využíván princip změny typu vodivosti z na, z na, případně vytvoření oblastí s vodivostí, dotací dostatečného množství příměsí používaných pro vytvoření požadovaného typu vodivosti. Obr.č znázorňuje na příkladu tranzistoru fáze výroby bipolárního integrovaného obvodu. 1. fáze v plátku polovodivého materiálu, který má vodivost typu je vytvořena ponořená vrstva (buried layer) s vodivostí typu. 2. fáze na polovodivém plátku je vytvořena epitaxní vrstva typu. 3. fáze vytvoření oblastí typu, které slouží k vzájemnému odizolování jednotlivých komponent integrovaného obvodu. 4. fáze vytvoření oblasti, která zároveň s dalšími oblastmi typu slouží jako kolektor tranzistoru. 5. fáze vytvoření oblasti s vodivostí typu, která je základem pro bázi tranzistoru. 6. fáze v 6. fázi je v oblasti typu, která byla vytvořena v 5. fázi vytvořena oblast typu, která je určena pro emitor tranzistoru. 7. fáze je to konečná fáze, nazývaná metalizace, pomocí které jsou vytvořeny kontakty polovodičových komponent a zároveň jsou - 3 -
4 Integrované obvody 6,fáze 7. fáze Emitor onořená vrstva Báze Emitor Kolektor Obr.č rincip výroby bipolárních integrovaných obvodů Obr.č rincip výroby bipolárních integrovaných obvodů propojeny jednotlivé součástky. Metalizace je uskutečňována zpravidla pomocí tenké vrstvy hliníku, případně mědi. Grafické znázornění uspořádání vrstev tranzistoru je znázorněno na obr.č Jiné součástky, jako jsou diody, rezistory, kondenzátory i cívky jsou rovněž vyrobeny v procesu výroby tranzistorů (rezistor např. jako prvek s dotací určitých rozměrů, pro výrobu kondenzátorů jsou využívány kapacity přechodů, diody jsou zpravidla vyrobeny jako tranzistory se zkratovanými vývody bází a kolektorů). Jednotlivých integrovaných obvodů je na polovodivém plátku vyrobeno velké množství (počet závisí na velikosti IO). oslední fází výroby jsou měření provedená v předepsaných bodech vyrobeného plátku, po vyhodnocení měření následuje nařezání plátku diamantovou pilou a rozlámání plátku na jednotlivé čipy (na jednotlivé kousky IO chips). Vyrobené čipy jsou relativně odolné proti vlivům vnějšího prostředí, jako je oxidace, koroze apod. roto jsou často transportovány a zapouzdřeny v jiné továrně (často dokonce i v jiné zemi). řed zapouzdřením jsou čipy testovány. To se děje automaticky zařízeními, ve kterých je čip automaticky připojen pomocí jehlových kontaktů k testovacímu systému, který odzkouší jeho funkce a provede předepsaná měření. evyhovující čipy jsou automaticky označeny kapkou barvy obsahující magnetickou suspenzi. omocí magnetického pole jsou potom vytříděny. Čip, který odpovídá předepsaným parametrům, je přitmelen na skleněnou nebo keramickou podložku opatřenou fyzickými vývody pro letování (nožičkami). ásleduje propojení výstupů čipu s těmito vývody, což je obvykle provedeno pomocí zlatých drátků (stroje, pomocí kterých je propojování prováděno jsou nazývány šicí stroje ). Konečným výrobním krokem je pouzdření, při kterém je obvod uložen do určitého typu pouzdra (pouzdra obvodů pro komerční použití jsou jiná a levnější než pouzdra obvodů pro průmyslové nebo dokonce speciální použití vojenské, kosmické,..). Zapouzdřené obvody jsou opět změřeny, podle dosažených parametrů tříděny a expedovány. Technologie komplementárních bipolárních obvodů Epitaxní vrstva onořená vrstva Obr.č Vytvoření vnořené vrstvy pro realizaci tranzistoru Báze Emitor Báze Kolektor onořená vrstva Obr.č Způsob uspořádání tranzistoru Komplementární obvody obsahují oba typy tranzistorů, tj. jak tak. Analogové obvody jsou nedílnou součástí v současných systémech a jejich význam vzrůstá v aplikacích, ve kterých se vyskytují vyšší napětí, nebo kde je vyžadován styk s vnějším prostředím (čidla apod.). Obvody, které obsahují kvalitní tranzistory mají velký význam při výrobě operačních zesilovačů i jiných typů analogových, případně i logických obvodů. Z obr.č a je zřejmé, že princip uspořádání tranzistoru je obdobný jako uspořádání tranzistoru. U tranzistoru je vytvořena navíc ponořená vrstva s vodivostí typu. Izolace různých komponent integrovaného obvodu je, stejně jako u tranzistoru, realizována pomocí přechodu vytvořeného vložením oblasti typu
5 5.3.2 Unipolární technologie CMOS. U DD výstup U SS Obr.č Obvod CMOS kanál U DD vst kanál výst Oxid substrát Obr.č Uspořádání CMOS BiCMOS technologie Technologie Unipolární technologie téměř výhradně realizují zapojení CMOS complementary MOS (obr.č.5.3.5). Tato technologie umožňuje realizaci obvodů s velmi malou spotřebou a velmi malými napájecími napětími (od 1,2 V výše). Technologie výroby těchto obvodů je obdobný popsanému postupu výroby bipolárních obvodů, uspořádání obvodů je jiné. Technologie CMOS je výhodnější především pro menší počet výrobních operací. Schématické znázornění uspořádání CMOS struktury je znázorněno na obr.č CMOS technologie jsou využívány jak pro výrobu analogových obvodů, jako jsou např. operační zesilovače, tak pro výrobu U SS logických obvodů. Bez těchto technologií si není možné představit rozvoj mikroprocesorové techniky. V současné době je technologie CMOS dominantní technologií pro výrobu mikroprocesorů, pamětí a různých specifických typů obvodů (ASIC aplication specific integrated circuits). evýhodou oproti MOS nebo MOS technologiím je to, že je pro výrobu hradla potřebná větší plocha polovodičové destičky. BiCMOS technologie umožňuje výrobu integrovaných obvodů obsahujících jak CMOS, tak bipolární komponenty zpravidla komplementární bipolární komponenty. Využití této technologie je v logických obvodech odlišné od využití v obvodech analogových. oužití této technologie umožňuje zvýšení rychlosti, zmenšení spotřeby a snížení úrovně šumů integrovaných obvodů. V oblasti rychlých obvodů přecházejí některé firmy na využití kombinované technologie SiGe, která umožňuje další zvýšení rychlosti jak logických tak analogových obvodů do oblasti desítek GHz BiFET technologie Obr.č říklad zapojení operačního zesilovače vyrobeného technologií BiFET Jak je zřejmé z obr.č.5.3.7, použitá bipolární technologie je komplementární. BiFET technologie je založena na kombinaci binární technologii a technologii tranzistorů JFET. říklad je znázorněn na obr.č Je využívána v analogových integrovaných obvodech, u kterých jsou vstupy osazeny tranzistory JFET. Vyznačuje se proto vysokými vstupními odpory a z toho plynoucími malými vstupními proudy. Další vlastností těchto obvodů je velká šířka pásma, vysoké mezní kmitočty v porovnání s CMOS technologií, velká hodnota rychlosti přeběhu. evýhodou jsou o něco vyšší šumová napětí a nutnost souměrného napájení, např. ± 15 V nelze napájet z nesouměrného zdroje
VY_32_INOVACE_ELT-1.EI-20-VYROBA INTEGROVANEHO OBVODU. Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno
Číslo projektu Číslo materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník CZ.1.07/1.5.00/34.0581 VY_32_INOVACE_ELT-1.EI-20-VYROBA INTEGROVANEHO OBVODU Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno
TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ I. APLIKACE LITOGRAFIE
TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ I. APLIKACE LITOGRAFIE Úvod Litografické technologie jsou požívány při výrobě integrovaných obvodů (IO). Výroba IO začíná definováním jeho funkce a
Zvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
Bipolární tranzistory
Bipolární tranzistory Historie V prosinci 1947 výzkumní pracovníci z Bellových laboratořích v New Jersey zjistili, že polovodičová destička z germania se zlatými hroty zesiluje slabý signál. Vědci byli
ELEKTRONICKÉ PRVKY TECHNOLOGIE VÝROBY POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ
ELEKTRONICKÉ PRVKY TECHNOLOGIE VÝROBY POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ Polovodič - prvek IV. skupiny, v elektronice nejčastěji křemík Si, vykazuje vysokou čistotu (10-10 ) a bezchybnou strukturu atomové mřížky v monokrystalu.
I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup
ELEKTONIKA I N V E S T I C E D O O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í 1. Usměrňování a vyhlazování střídavého a. jednocestné usměrnění Do obvodu střídavého proudu sériově připojíme diodu. Prochází jí proud
Základy elektrotechniky
Základy elektrotechniky Přednáška Tranzistory 1 BIPOLÁRNÍ TRANZISTOR - třívrstvá struktura NPN se třemi vývody (elektrodami): e - emitor k - kolektor b - báze Struktura, náhradní schéma a schematická značka
Lidský vlas na povrchu čipu Více než tranzistorů v 45nm technologii může být integrováno na plochu tečky za větou.
Studijní materiály Technologie výroby integrovaných systémů www.micro.feld.cvut.cz/home/a2m34sis/prednasky Jak integrovat 1 000 000 000 Součástek na 1 cm 2 Jiří Jakovenko Struktury integrovaných systémů
Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.
Polovodičové prvky V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku
U BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D.
Napěťový průraz polovodičových přechodů Zvyšování napětí na přechodu -přechod se rozšiřuje, ale pouze s U (!!) - intenzita elektrického pole roste -překročení kritické hodnoty U (BR) -vzrůstu závěrného
6 Hybridní integrované obvody, tenkovrstvé a tlustovrstvé technologie a jejich využití
6 Hybridní integrované obvody, tenkovrstvé a tlustovrstvé technologie a jejich využití 6.1 Úvod Monolitické integrované obvody není výhodné pro některé aplikace, zejména pro přístroje s některými náročnějšími
Technologie CMOS. Je to velmi malý svět. Technologie CMOS Lokální oxidace. Vytváření izolačních příkopů. Vytváření izolačních příkopů
Je to velmi malý svět Technologie CMOS Více než 2 000 000 tranzistorů v 45nm technologii může být integrováno na plochu tečky za větou. From The Oregonian, April 07, 2008 Jiří Jakovenko Struktury integrovaných
Měření na unipolárním tranzistoru
Měření na unipolárním tranzistoru Teoretický rozbor: Unipolární tranzistor je polovodičová součástka skládající se z polovodičů tpu N a P. Oproti bipolárnímu tranzistoru má jednu základní výhodu. Bipolární
Navrhované a skutečné rozměry. Návrhová pravidla pro návrh topologie (layoutu) čipu. Základní parametry návrhových pravidel
Navrhované a skutečné rozměry Změna skutečných rozměrů oproti navrhovaným Al spoje Kontaktní otvor v SiO Návrhová pravidla pro návrh topologie (layoutu) čipu Jiří Jakovenko Difuzní oblast N+ Vzájemné sesazení
Zvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
Technologie číslicových obvodů
Technologie číslicových obvodů Technologie výroby IO pouzdření Vyšší montážní celky 30.1.2013 O. Novák, CIE 3 1 Diode logic DL: 30.1.2013 O. Novák, CIE 3 2 DL: nepoužívá se, nemožnost invertovat signál,
Základní druhy tranzistorů řízených elektrickým polem: Technologie výroby: A) 1. : A) 2. : B) 1. :
ZADÁNÍ: Změřte výstupní a převodní charakteristiky unipolárního tranzistoru KF 520. Z naměřených charakteristik určete v pracovním bodě strmost S, vnitřní odpor R i a zesilovací činitel µ. Určete katalogové
ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec
ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.05 Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566,
ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY
Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: MEII - 5.4.1 KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY Obor: Mechanik elektronik Ročník: 2. Zpracoval(a): Jiří Kolář Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2010 Projekt je
2.3 Elektrický proud v polovodičích
2.3 Elektrický proud v polovodičích ( 6 10 8 10 ) Ωm látky rozdělujeme na vodiče polovodiče izolanty ρ ρ ( 10 4 10 8 ) Ωm odpor s rostoucí teplotou roste odpor nezávisí na osvětlení nebo ozáření odpor
FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů
FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů (elektrony nebo díry) pracují s kanálem jednoho typu vodivosti
VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_18_Technologie polovodičových součástek. Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing.
Číslo projektu Číslo materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_18_Technologie polovodičových součástek Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav
Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna
Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Tato otázka přepokládá znalost otázky č. - polovodiče. Doporučuji ujasnit
VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl
Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická
FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů
Unipolární tranzistory Řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem: FET [Field - Effect Transistor] Proud přenášen jedním typem nosičů náboje (unipolární): - majoritní nosiče v inverzním kanálu - neuplatňuje
Polovodičov. ové prvky. 4.přednáška
Polovodičov ové prvky 4.přednáška Polovodiče Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku (Si). Čisté krystaly křemíku mají za pokojové teploty jen
TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ III.
TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ III. NANÁŠENÍ VRSTEV V mikroelektronice se nanáší tzv. tlusté a tenké vrstvy. a) Tlusté vrstvy: Používají se v hybridních integrovaných obvodech. Nanáší
Tranzistory. tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor. Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET
Tranzistory tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET Shockey, Brattain a Bardeen 16.12. 1947 Shockey 1952 Bipolární tranzistor
I. Současná analogová technika
IAS 2010/11 1 I. Současná analogová technika Analogové obvody v moderních komunikačních systémech. Vývoj informatických technologií v poslední dekádě minulého století digitalizace, zvýšení objemu přenášených
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Diody a usměrňova ovače Přednáška č. 2 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Diody a usměrňova ovače 1 Voltampérová charakteristika
Témata profilové maturitní zkoušky
Obor vzdělání: 26-41-M/01 elektrotechnika Předmět: automatizační technika 1. Senzory 2. S7-1200, základní pojmy 3. S7-1200, bitové instrukce 4. S7-1200, časovače, čítače 5. Vizualizační systémy 6. S7-1200,
Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů
Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů Tranzistor je elektronická aktivní součástka se třemi elektrodami.podstatou jeho funkce je transformace odporu mezi
Co je litografie? - technologický proces sloužící pro vytváření jemných struktur (obzvláště mikrostruktur a nanostruktur)
Co je litografie? - technologický proces sloužící pro vytváření jemných struktur (obzvláště mikrostruktur a nanostruktur) -přenesení dané struktury na povrch strukturovaného substrátu Princip - interakce
Přednáška 3 - Obsah. 2 Parazitní body effect u NMOS tranzistoru (CMOS proces) 2
PŘEDNÁŠKA 3 - OBSAH Přednáška 3 - Obsah i 1 Parazitní substrátový PNP tranzistor (PSPNP) 1 1.1 U NPN tranzistoru... 1 1.2 U laterálního PNP tranzistoru... 1 1.3 Příklad: proudové zrcadlo... 2 2 Parazitní
Punčochář, J.: OPERAČNÍ ZESILOVAČE V ANALOGOVÝCH SYSTÉMECH 1
Punčochář, J.: OPERAČNÍ ZESILOVAČE V ANALOGOVÝCH SYSTÉMECH 1 Heater Voltage 6.3-12 V Heater Current 300-150 ma Plate Voltage 250 V Plate Current 1.2 ma g m 1.6 ma/v m u 100 Plate Dissipation (max) 1.1
1 VA-charakteristiky tranzistorů JFET a MOSFET. Úloha č. 7
1 A-charakteristik tranzistorů JFET a MOSFET Úloha č. 7 Úkol: 1. Změřte A charakteristik unipolárního tranzistoru (JFET - BF245) v zapojení se společnou elektrodou S 2. JFET v zapojení se společnou elektrodou
Informační a komunikační technologie
Informační a komunikační technologie 5. www.isspolygr.cz Vytvořil: Ing. David Adamovský Strana: 1 Škola Integrovaná střední škola polygrafická Ročník Název projektu 1. ročník SOŠ Interaktivní metody zdokonalující
Určeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče
Určeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče Pracovní list - test vytvořil: Ing. Lubomír Kořínek Období vytvoření VM: listopad 2013 Klíčová slova: dioda, tranzistor,
Paměti počítače ROM, RAM
Paměti počítače ROM, RAM Paměť je zařízení, které slouží k ukládání programů a dat, s nimiž počítač pracuje. Paměti počítače lze rozdělit do tří základních skupin: registry paměťová místa na čipu procesoru
PRINCIP MĚŘENÍ TEPLOTY spočívá v porovnání teploty daného tělesa s definovanou stupnicí.
1 SENZORY TEPLOTY TEPLOTA je jednou z nejdůležitějších veličin ovlivňujících téměř všechny stavy a procesy v přírodě Ke stanovení teploty se využívá závislosti určitých fyzikálních veličin na teplotě (A
Základy elektrotechniky
Základy elektrotechniky Přednáška Diody, usměrňovače, stabilizátory, střídače 1 VÝROBA POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ Polovodič - prvek IV. skupiny, nejčastěji Si, - vysoká čistota (10-10 ), - bezchybná struktura
TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ II.
TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ II. 1. OXIDACE KŘEMÍKU Oxid křemíku SiO2 se během technologického procesu užívá k vytváření: a) Maskovacích vrstev b) Izolačních vrstev (izolují prvky
ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY
ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY VZORY OTÁZEK A PŘÍKLADŮ K TUTORIÁLU 1 1. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Proč je používáme. 2. Co jsou polovodiče vlastní. 3. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Jakým způsobem
SOUČÁSTKY ELEKTRONIKY
SOUČÁSTKY ELEKTRONIKY Učební obor: ELEKTRO bakalářské studium Počet hodin: 90 z toho 30 hodin v 1. semestru 60 hodin ve 2. semestru Předmět je zakončen zápočtem v 1. semestru a zápočtem a zkouškou ve 2.
ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec
ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.06 Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01
Historie počítačů. 0.generace. (prototypy)
Historie počítačů Historie počítačů se dělí do tzv. generací, kde každá generace je charakteristická svou konfigurací, rychlostí počítače a základním stavebním prvkem. Generace počítačů: Generace Rok Konfigurace
2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω.
A5M34ELE - testy 1. Vypočtěte velikost odporu rezistoru R 1 z obrázku. U 1 =15 V, U 2 =8 V, U 3 =10 V, R 2 =200Ω a R 3 =1kΩ. 2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty
9. ČIDLA A PŘEVODNÍKY
Úvod do metrologie - 49-9. ČIDLA A PŘEVODNÍKY (V.LYSENKO) Čidlo (senzor, detektor, receptor) je em jedné fyzikální veličiny na jinou fyzikální veličinu. Snímač (senzor + obvod pro zpracování ) je to člen
Proudové zrcadlo. Milan Horkel
roudové zrcadlo MLA roudové zrcadlo Milan Horkel Zdroje proudu jsou při konstrukci integrovaných obvodů asi stejně důležité, jako obyčejný rezistor pro běžné tranzistorové obvody. Zdroje proudu se často
Kód VM: VY_32_INOVACE_5 PAV04 Projekt: Zlepšení výuky na ZŠ Schulzovy sady registrační číslo: CZ.1.07./1.4.00/21.2581
Kód VM: VY_32_INOVACE_5 PAV04 Projekt: Zlepšení výuky na ZŠ Schulzovy sady registrační číslo: CZ.1.07./1.4.00/21.2581 Autor: Mgr. Petr Pavelka Datum: 15. 10. 2012 Ročník: 9. Vzdělávací oblast: Člověka
popsat princip činnosti základních zapojení čidel napětí a proudu samostatně změřit zadanou úlohu
9. Čidla napětí a proudu Čas ke studiu: 15 minut Cíl Po prostudování tohoto odstavce budete umět popsat princip činnosti základních zapojení čidel napětí a proudu samostatně změřit zadanou úlohu Výklad
SAMOSTATNÁ PRÁCE Z ELEKTRONIKY UNIPOLÁRNÍ TRANZISTORY
Střední odborné učiliště technické Frýdek-Místek SAMOSTATNÁ PRÁCE Z ELEKTRONIKY UNIPOLÁRNÍ TRANZISTORY Jméno: Luděk Bordovský Třída: NE1 Datum: Hodnocení: 1.1. Vlastnosti unipolární tranzistorů Jsou založeny
Zvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
teorie elektronických obvodů Jiří Petržela analýza šumu v elektronických obvodech
Jiří Petržela co je to šum? je to náhodný signál narušující zpracování a přenos užitečného signálu je to signál náhodné okamžité amplitudy s časově neměnnými statistickými vlastnostmi kde se vyskytuje?
Návrhová pravidla pro návrh topologie (layoutu) čipu Vzájemné sesazení masek kontaktu, poly
Navrhované a skutečné rozměry Návrhová pravidla pro návrh topologie (layoutu) čipu Vzájemné sesazení masek kontaktu, poly Minimální šířka motivu Minimální vzdálenost motivů Minimální a maximální rozměr
VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl
Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická
Projekt Pospolu. Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky. Pro obor M/01 Informační technologie
Projekt Pospolu Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky Pro obor 18-22-M/01 Informační technologie Autorem materiálu a všech jeho částí je Ing. Petr Voborník, Ph.D. Bipolární tranzistor Bipolární
Způsoby realizace paměťových prvků
Způsoby realizace paměťových prvků Interní paměti jsou zapojeny jako matice paměťových buněk. Každá buňka má kapacitu jeden bit. Takováto buňka tedy může uchovávat pouze hodnotu logická jedna nebo logická
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Unipolárn rní tranzistory Přednáška č. 5 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Unipolárn rní tranzistory 1 Princip činnosti
VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů
VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů Vodivost polovodičů pojem polovodiče čistý polovodič, vlastní vodivost příměsová vodivost polovodičová dioda tranzistor Polovodiče Polovodiče jsou látky, jejichž
Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek
Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Hlavní požadavky na ideální budič Galvanické
Spínače s tranzistory řízenými elektrickým polem. Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT
Spínače s tranzistory řízenými elektrickým polem Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT Základní vlastnosti spínačů s tranzistory FET, IGBT resp. IGCT plně řízený spínač nízkovýkonové řízení malý
Operační zesilovač. Úloha A2: Úkoly: Nutné vstupní znalosti: Diagnostika a testování elektronických systémů
Diagnostika a testování elektronických systémů Úloha A2: 1 Operační zesilovač Jméno: Datum: Obsah úlohy: Diagnostika chyb v dvoustupňovém operačním zesilovači Úkoly: 1) Nalezněte poruchy v operačním zesilovači
Název: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení
Název: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení Autor: Mgr. Petr Majer Název školy: Gymnázium Jana Nerudy, škola hl. města Prahy Předmět (mezipředmětové vztahy) : Fyzika Tematický celek:
KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY
KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY Použité zdroje: http://cs.wikipedia.org/wiki/logická_funkce http://www.ibiblio.org http://martin.feld.cvut.cz/~kuenzel/x13ups/log.jpg http://www.mikroelektro.utb.cz http://www.elearn.vsb.cz/archivcd/fs/zaut/skripta_text.pdf
VÝKONOVÉ TRANZISTORY MOS
VÝKONOVÉ TANZSTOY MOS Pro výkonové aplikace mají tranzistory MOS přednosti: - vysoká vstupní impedance, - vysoké výkonové zesílení, - napěťové řízení, - teplotní stabilita PNP FNKE TANZSTO MOS Prahové
TECHNICKÁ DOKUMENTACE
Střední škola, Havířov-Šumbark, Sýkorova 1/613, příspěvková organizace TECHNICKÁ DOKUMENTACE Rozmístění a instalace prvků a zařízení Ing. Pavel Chmiel, Ph.D. OBSAH VÝUKOVÉHO MODULU 1. Součástky v elektrotechnice
+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2
Pro zadané hodnoty napájecího napětí, odporů a zesilovacího činitele β vypočtěte proudy,, a napětí,, (předpokládejte, že tranzistor je křemíkový a jeho pracovní bod je nastaven do aktivního normálního
Učební osnova vyučovacího předmětu elektronika Volitelný vyučovací předmět. Pojetí vyučovacího předmětu. 23-41-M/01 Strojírenství
Učební osnova vyučovacího předmětu elektronika Volitelný vyučovací předmět Obor vzdělání: -1-M/01 Strojírenství Délka a forma studia: roky, denní studium Celkový počet týdenních vyuč. hodin: Platnost od:
MĚŘENÍ HRADLA 1. ZADÁNÍ: 2. POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU: 3. TEORETICKÝ ROZBOR. Poslední změna
MĚŘENÍ HRADLA Poslední změna 23.10.2016 1. ZADÁNÍ: a) Vykompenzujte sondy potřebné pro připojení k osciloskopu b) Odpojte vstupy hradla 1 na přípravku a nastavte potřebný vstupní signál (Umax, Umin, offset,
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Optoelektronika Přednáška č. 8 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Optoelektronika 1 Optoelektronika zabývá se přeměnou elektrické
Číslo projektu Číslo a název šablony klíčové aktivity Tematická oblast Autor Ročník 2, 3 Obor Anotace CZ.1.07/1.5.00/34.0514 III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Logické obvody sekvenční,
ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ
Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: T3.2.1 MĚŘENÍ NA UNIPOLÁRNÍCH TRANZISTORECH A IO Obor: Mechanik elektronik Ročník: 2. Zpracoval(a): Bc. Josef Mahdal Střední průmyslová škola Uherský Brod,
Oscilátory Oscilátory
Oscilátory. Oscilátory Oscilátory dělíme podle několika hledisek (uvedené třídění není zcela jednotné bylo použito vžitých názvů, které vznikaly v různých období vývoje a za zcela odlišných podmínek):
Nízkofrekvenční (do 1 MHz) Vysokofrekvenční (stovky MHz až jednotky GHz) Generátory cm vln (až desítky GHz)
Provazník oscilatory.docx Oscilátory Oscilátory dělíme podle několika hledisek (uvedené třídění není zcela jednotné - bylo použito vžitých názvů, které vznikaly v různém období vývoje a za zcela odlišných
Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/34.0452
Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/34.0452 Číslo projektu Číslo materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0452 OV_2_61_Převodník kmitočtu na napětí
Unipolární tranzistory
Unipolární tranzistory MOSFET, JFET, MeSFET, NMOS, PMOS, CMOS Unipolární tranzistory aktivní součástka řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem většinové nosiče menšinové nosiče parazitní charakter
Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto
Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto Registrační číslo projektu Šablona Autor Název materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0951 III/2 INOVACE A ZKVALITNĚNÍ VÝUKY PROSTŘEDNICTVÍM ICT Mgr. Petr
Manuální, technická a elektrozručnost
Manuální, technická a elektrozručnost Realizace praktických úloh zaměřených na dovednosti v oblastech: Vybavení elektrolaboratoře Schématické značky, základy pájení Fyzikální principy činnosti základních
elektrické filtry Jiří Petržela aktivní prvky v elektrických filtrech
Jiří Petržela základní aktivní prvky používané v analogových filtrech standardní operační zesilovače (VFA) transadmitanční zesilovače (OTA, BOTA, MOTA) transimpedanční zesilovače (CFA) proudové konvejory
Bipolární tranzistory
Bipolární tranzistory h-parametry, základní zapojení, vysokofrekvenční vlastnosti, šumy, tranzistorový zesilovač, tranzistorový spínač Bipolární tranzistory (bipolar transistor) tranzistor trojpól, zapojení
Základní zapojení s OZ. Vlastnosti a parametry operačních zesilovačů
OPEAČNÍ ZESLOVAČ (OZ) Operační zesilovač je polovodičová součástka vyráběná formou integrovaného obvodu vyznačující se velkým napěťovým zesílením vstupního rozdílového napětí (diferenciální napěťový zesilovač).
1.3 Bipolární tranzistor
1.3 Bipolární tranzistor 1.3.1 Úkol: 1. Změřte vstupní charakteristiku bipolárního tranzistoru 2. Změřte převodovou charakteristiku bipolárního tranzistoru 3. Změřte výstupní charakteristiku bipolárního
Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr
Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr. Zadání: A. Na předloženém kompenzovaném vstupní děliči k nf milivoltmetru se vstupní impedancí Z vst = MΩ 25 pf, pro dělící poměry :2,
Zvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4
Využití vlastností polovodičových přechodů Oblast prostorového náboje elektrické pole na přechodu Propustný směr difůze majoritních nosičů Závěrný směr extrakce minoritních nosičů Rekombinace na přechodu
Mikrosenzory a mikroelektromechanické systémy. Odporové senzory
Mikrosenzory a mikroelektromechanické systémy Odporové senzory Obecné vlastnosti odporových senzorů Odporové senzory kontaktové Měřící potenciometry Odporové tenzometry Odporové senzory teploty Odporové
2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě nízkofrekvenční nevýkonový tranzistor KC 639. Mezní hodnoty jsou uvedeny v tabulce:
RIEDL 3.EB 10 1/11 1.ZADÁNÍ a) Změřte statické hybridní charakteristiky tranzistoru KC 639 v zapojení se společným emitorem (při měření nesmí dojít k překročení mezních hodnot). 1) Výstupní charakteristiky
Procesor. Hardware - komponenty počítačů Procesory
Procesor Jedna z nejdůležitějších součástek počítače = mozek počítače, bez něhož není počítač schopen vykonávat žádné operace. Procesor v počítači plní funkci centrální jednotky (CPU - Central Processing
LOGICKÉ OBVODY. Dle vnitřní struktury logické obvody rozdělujeme na:
OGICKÉ OBVODY Dle vnitřní strktry logické obvody rozděljeme na: a) kombinační - nemají vnitřní zpětné vazby. Všem kombinacím vstpů jso jednoznačně přiřazeny hodnoty výstpů, bez ohled na předcházející stav.
TRANZISTORY TRANZISTORY. Bipolární tranzistory. Ing. M. Bešta
TRANZISTORY Tranzistor je aktivní, nelineární polovodičová součástka schopná zesilovat napětí, nebo proud. Tranzistor je asi nejdůležitější polovodičová součástka její schopnost zesilovat znamená, že malé
Výpočet základních analogových obvodů a návrh realizačních schémat
Parametrický stabilizátor napětí s tranzistorem C CE E T D B BE Funkce stabilizátoru je založena na konstantní velikosti napětí. Pokles výstupního napětí způsobí zvětšení BE a tím větší otevření tranzistoru.
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Struktura logických obvodů Přednáška č. 10 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Struktura logických obvodů 1 Struktura logických
Zesilovače. Ing. M. Bešta
ZESILOVAČ Zesilovač je elektrický čtyřpól, na jehož vstupní svorky přivádíme signál, který chceme zesílit. Je to tedy elektronické zařízení, které zesiluje elektrický signál. Zesilovač mění amplitudu zesilovaného
1 U Zapište hodnotu časové konstanty derivačního obvodu. Vyznačte měřítko na časové ose v uvedeném grafu.
v v 1. V jakých jednotkách se vyjadřuje proud uveďte název a značku jednotky. 2. V jakých jednotkách se vyjadřuje indukčnost uveďte název a značku jednotky. 3. V jakých jednotkách se vyjadřuje kmitočet
Senzor teploty. Katalogový list SMT 160-30
Senzor teploty Katalogový list SMT 160-30 Obsah 1. Úvod strana 2 2. Inteligentní senzor teploty strana 2 3. Vývody a pouzdro strana 4 4. Popis výrobku strana 4 5. Charakteristické údaje strana 5 6. Definice
Paměti počítače 9.přednáška
Paměti počíta tače 9.přednáška Paměť Paměť je zařízení, které slouží k ukládání programů a dat, s nimiž počítač pracuje Paměti počítače lze rozdělit do tří základních skupin: registry paměťová místa na
Studijní opora pro předmět Technologie elektrotechnické výroby
Studijní opora pro předmět Technologie elektrotechnické výroby Doc. Ing. Václav Kolář Ph.D. Předmět určen pro: Fakulta metalurgie a materiálového inženýrství, VŠB-TU Ostrava. Navazující magisterský studijní
Logické funkce a obvody, zobrazení výstupů
Logické funkce a obvody, zobrazení výstupů Digitální obvody (na rozdíl od analogových) využívají jen dvě napěťové úrovně, vyjádřené stavy logické nuly a logické jedničky. Je na nich založeno hodně elektronických