Dioda - ideální. Polovodičové diody. nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem)
|
|
- Bohumil Kovář
- před 9 lety
- Počet zobrazení:
Transkript
1 Polovodičové diody: deální dioda Polovodičové diody: struktury a typy Dioda - ideální anoda [m] nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem) deální vs. reálná charakteristika Parametry diod Modely pro propustný a závěrný směr katoda závěrná polarizace propustná polarizace lidový pracovní bod a náhradní lineární obvod diody Parametry modelu v PSpice plikace diod závěrná polarizace propustná polarizace < nevede proud > vede proud při nulovém úbytku napětí Polovodičové diody anoda anoda katoda katoda
2 Polovodičové diody deální V charakteristika přechodu P Shockleyho rovnice e exp k [m] William Shockley závěrný směr propustný směr e exp >> k / e k. [μ] V charakteristika diody B [m] průrazné napětí V závěrný proud typicky n@ [μ] nk 5m propustný úbytek e >> nk e n... ideality factor n ~ až e nk n e e eálná V- charakteristika diody (propustná) [] rekombinační proud reálná ideální difůzní proud e e nk vliv sériového odporu s n~ n~ n~ d~/ s d vysoká injekce
3 Difúzní napětí vliv dotace V- charakteristika reálné diody - propustný směr D k e D k n k p ln ln ln ni e np e p P P Proud (m) apětí (V) log log D x DOD P log log D x P, PP B-E S rostoucí koncentrací příměsí narůstá difúzní (prahové napětí) diody s p-n přechodem. Diody vyrobené na polovodiči s vyšší šířkou zakázaného pásu mají vyšší prahová napětí. P log log D x YSO G- oncentrace (cm -3 ) P + OD OD POPSÝ POD () D POPSÉ PĚÍ (V) V- charakteristika reálné diody - propustný směr V- charakteristika reálné diody - propustný směr oncentrace (cm -3 ) P + OD ÁBOJ + OD POPSÝ POD () POPSÉ PĚÍ (V) D klesá oncentrace (cm -3 ) P + OD ÁBOJ + OD POPSÝ POD () POPSÉ PĚÍ (V) D klesá
4 V- charakteristika reálné diody - propustný směr V- charakteristika reálné diody - propustný směr oncentrace (cm -3 ) P + OD ÁBOJ + OD POPSÝ POD () POPSÉ PĚÍ (V) D klesá oncentrace (cm -3 ) P + OD ÁBOJ + OD POPSÝ POD () POPSÉ PĚÍ (V) D klesá V- charakteristika reálné diody - propustný směr eálná V- charakteristika diody (závěrná) oncentrace (cm -3 ) P + OD ÁBOJ n p + OD POPSÝ POD () POPSÉ PĚÍ (V) D je malý Průraz -lavinový - tunelový (enerův) - tepelný generační proud reálná ideální 5 5 [μ]
5 V- charakteristika reálné diody - závěrný směr apětí V B -84V Proud m V- charakteristika reálné diody - závěrný směr apětí V B -84V Proud m oncentrace (cm -3 ) P + OD OP + OD oncentrace (cm -3 ) P + OD OP + OD V- charakteristika reálné diody - závěrný směr apětí V B -84V Proud m V- charakteristika reálné diody - závěrný směr apětí V B -84V Proud m oncentrace (cm -3 ) P + OD OD OP oncentrace (cm -3 ) P + OD OD OP
6 V- charakteristika reálné diody - závěrný směr apětí V B -84V Proud m Vliv teploty na V charakteristiku diody, B (lavinový průraz) B (enerův průraz) [m] 5 > oncentrace (cm -3 ) P + OD OD OP [μ] k n e ln ~ 3 / d ~ mv / d e E g k Vliv teploty a dotace na závěrnou charakteristiku a) b) Dynamické parametry doba závěrného zotavení t Doba závěrného zotavení t dává rychlost s jakou je dioda schopna přepnout z propustného do závěrného směru. ávisí na tom, jak je dioda resp. vnějšího obvod schopna odčerpat z přechoduin minoritní nositele injekované při propustné polarizaci. propustná polarizace závěrná polarizace 5 a) b) (V) 5 5 > (m) a) D < 5 m -3 b) D 5 m -3 (V) < 7 o C o C o C 7 o C Lavinový průraz a) enerův průraz b) (m) Proud (m) 3 M t rr M 5% M 9% M Čas (μs) M vrcholová hodnota propustného proudu M vrcholová hodnota proudu při závěrném zotavení t rr doba závěrného zotavení komutační náboj Q rr
7 omutace diody omutace diody + DD + DD + DD L MOSE nebo GB Proud () Č as (μ s) L MOSE nebo GB Proud () M 3 4 Č as (μ s) L MOSE nebo GB oncentrace (cm -3 ) P + OD OD malý odpor velký odpor oncentrace (cm -3 ) P + OD OP OD malý odpor omezení proudu na M omutace diody omutace diody + DD + DD Proud () L MOSE nebo GB Proud () L MOSE nebo GB 3 4 Č as (μ s) 3 4 Č as (μ s) oncentrace (cm -3 ) P + OD OD oncentrace (cm -3 ) P + OD OD
8 omutace diody Parametry diody (součástky) + DD Proud () Č as (μ s) L MOSE nebo GB Mezní (absolute ratings) Mezní hodnota proudu, napětí, teploty apod., po jejímž překročení dojde k destrukci součástky oncentrace (cm -3 ) P + OD OD Charakteristické (electrical/thermal characteristics) Hodnota proudu, napětí, kmitočtu, které charakterizují chování součástky (např. prahové napětí) resp. chodnoty po jejichž překročení nedojde k destrukci, ale pouze ke ztrátě funkce (mezní frekvence) Mezní parametry diody atalogový list diody [m] V SM M SM orward Verage Current orward Surge Maximum Current everse epetetive Maximum Voltage everse Surge Maximum Voltage ener Current V M everse epetetive Maximum Voltage B M V SM orward Verage Current orward Surge Maximum Current [μ] orward Voltage everse Current
9 Modely diod exponenciální Modely diod ideální dioda Exponenciální [m] deální [m] závěrná polarizace propustná polarizace pro >> e e k/e závěrná polarizace < propustná polarizace > Modely diod linearizace po částech Modely diod aproximace zdrojem napětí Linearizovaný po částech [m] proximace konstantním zdrojem napětí [m] < > ( - )/ D, D paramery modelu D < > pro Si@3.6-.7V
10 Dioda v obvodu Grafické řešení proud zdroje nakrátko CC 47 [m] CC + ( cc - )/ () G rce () [m] k CC / () () pracovní bod P [ o, o ] CC n. [μ].8 napětí zdroje naprázdno. [μ] áhradní lineární obvod (LO) pro okolí P [m] P Δ Δ linearizace charakteristiky tečnou v P o + d d Δ Δ Parametr PSpice Symbol ázev Jednotka d Model diody v PSpice D S saturační proud n emisní koeficient S s sériový odpor Ω VJ D difúzní napětí V CJO C j bariérová kapacita při M m dotační koeficient τ doba průletu s BV B průrazné napětí V BV B závěrný proud pro B S C D D C e D C d n k/e τ + Cj e n Cj + + D m
11 Parametry modelu diody v PSpice [m] S > plikace diod BV S X EG BV směrňovací - pro všeobecné použití (general-purpose) - s rychlým zotavením (fast recovery) enerova - stabilizace napětí (zdroj ref. napětí) Varikap - ladicí obvody, VCO,... Varaktor - násobení kmitočtu.... BV BV.4.6 Optoelektronické součástky: [μ].8. LED (Light Emitting Diode) otodioda (Photodiode) Laserová dioda (Diode Laser) enerova dioda - definováno průrazné napětí B (lavinový průraz) B (enerův průraz) [m] > Varikap (Variable capacitor) kapacitní dioda Praktické využití blokovací kapacity OP p-n přechodu rozšiřování OP (šířky dielektrické vrstvy) se závěrným napětím OP < C j > C j OP.4.6 w OP w OP.8. [μ] C j ε w OP C J Pro strmý P + přechod ε se D D ( + ) /
12 brání ~ zkratu L zdrojem napětí Varikap unelová dioda V- charakteristika reálné diody závěrný směr a) b) c) Leo Esaki a) b) c) a) D < 5 m -3 b) D 5 m -3 c) D >> 5 m -3 W C W C W W W C W p W n W C P ++ V ++ P ++ > V ++ unelová dioda a) b) c) Schottkyho dioda a) b) c) a) D < 5 m -3 b) D 5 m -3 c) D >> 5 m -3 Volné energetické stavy elektronů musí existovat na obou stranách pn přechodu a na stejné energetické úrovni polovodiče musí být degenerované (W ve W C, ) W C W C směrňující kontakt OV + W. Schottky Ohmický kontakt OV W W WC W p W n W C P ++ V ++ P ++ > V ++ 5μm D m -3 3μm / D 6 m -3
13 směrňující kontakt Schottkyho dioda Ohmický kontakt Schottkyho dioda křemík Si OV + OV 5μm 3μm / D 6 m -3 D m -3 e * e φbn e Δφ e exp S exp exp exp k k k k Schottkyho jev: pokles výšky bariéry s rostoucí intenzitou el. pole malá hodnota M pro Si Schottkyho dioda křemík Si Vlastnosti Schottkyho diod Výhody: malý (.5V) pro malé proudy a malé hodnoty M (Si) žádné závěrné zotavení rychlé vypínání evýhody: velký pro velké proudy a vyšší hodnoty M (Si) nízké hodnoty M (typ. do V u křemíku) Přechod k materiálům s větší šířkou zakázaného pásu: Gas, GaP, SiC M ~ 6 V, V,... ~ V vyšší provozní teploty
14 Schottkyho dioda karbid křemíku SiC Schottkyho dioda karbid křemíku SiC plikace diod - směrňovač plikace diod - směrňovač
15 plikace diod - směrňovač plikace diod - směrňovač SMĚŇOVČ S LEM Výpočet kapacity filtru pro jednocestný D usměrňovač: 3V 5Hz dq dt r Q C C MX M /f d dt C??? t C šš C z d C šš šš f 6,5 V / m +/- V šš V m dt šš f, m 5 šš pro f 3V 5Hz SMĚŇOVČ S LEM Výpočet kapacity filtru pro můstkový usměrňovač: dq dt r Q C C MX M / /f - + d dt t C C??? C šš z / šš C šš f 6,5 V / m +/- V šš V m šš f šš, 5 μ 5 f pro
Parametry a aplikace diod
Cvičení 6 Parametry a aplikace diod Teplotní závislost propustného úbytku a závěrného proudu diody (PSpice) Reálná charakteristika diody, model diody v PSpice Extrakce parametrů diody pro PSpice Měření
VícePolovodičové diody Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA)
Polovodičové diody varikap, usměrňovací dioda, Zenerova dioda, lavinová dioda, tunelová dioda, průrazy diod Polovodičové diody (diode) součástky s 1 PN přechodem varikap usměrňovací dioda Zenerova dioda
VíceCharakteristiky diod. Cvičení 5. Elektronické prvky A2B34ELP. V-A charakteristika diody a její mezní parametry
Cvičení 5 Charakteristiky diod V- charakteristika diody a její mezní parametry Simulace V- charakteristiky (PSpice) a její analýza (Excel) Modely diody Pracovní bod P o, náhladní lineární obvod (NLO) pro
VíceFakulta biomedic ınsk eho inˇzen yrstv ı Teoretick a elektrotechnika Prof. Ing. Jan Uhl ıˇr, CSc. L eto 2017
Fakulta biomedicínského inženýrství Teoretická elektrotechnika Prof. Ing. Jan Uhlíř, CSc. Léto 2017 8. Nelineární obvody nesetrvačné dvojpóly 1 Obvodové veličiny nelineárního dvojpólu 3. 0 i 1 i 1 1.5
VíceNeřízené polovodičové prvky
Neřízené polovodičové prvky Výkonová elektronika - přednášky Projekt ESF CZ.1.07/2.2.00/28.0050 Modernizace didaktických metod a inovace výuky technických předmětů. Neřízené polovodičové spínače neobsahují
VíceA8B32IES Úvod do elektronických systémů
A8B32IES Úvod do elektronických systémů 29.10.2014 Polovodičová dioda charakteristiky, parametry, aplikace Elektronické prvky a jejich reprezentace Ideální dioda Reálná dioda a její charakteristiky Porovnání
VíceDioda jako usměrňovač
Dioda A K K A Dioda je polovodičová součástka s jedním P-N přechodem. Její vývody se nazývají anoda a katoda. Je-li na anodě kladný pól napětí a na katodě záporný, dioda vede (propustný směr), obráceně
VíceProjekt Pospolu. Polovodičové součástky diody. Pro obor M/01 Informační technologie
Projekt Pospolu Polovodičové součástky diody Pro obor 18-22-M/01 Informační technologie Autorem materiálu a všech jeho částí je Ing. Petr Voborník, Ph.D. Polovodičová součástka je elektronická součástka
Vícezpůsobují ji volné elektrony, tzv. vodivostní valenční elektrony jsou vázány, nemohou být nosiči proudu
Vodivost v pevných látkách způsobují ji volné elektrony, tzv. vodivostní valenční elektrony jsou vázány, nemohou být nosiči proudu Pásový model atomu znázorňuje energetické stavy elektronů elektrony mohou
VícePolovodiče, dioda. Richard Růžička
Polovodiče, dioda Richard Růžička Motivace... Chceme součástku, která propouští proud jen jedním směrem. I + - - + Takovou součástkou může být polovodičová dioda. Schematická značka polovodičové diody
VíceUniverzita Tomáše Bati ve Zlíně
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Diody a usměrňova ovače Přednáška č. 2 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Diody a usměrňova ovače 1 Voltampérová charakteristika
VícePolovodičové diody Definice
Polovodičové diody Definice Toto slovo nemám rád. Navádí k puntičkářskému recitování, které často doprovází totální nepochopení podstaty. Jemnější je obrat vymezení pojmu. Ještě lepší je obyčejné: Co to
VícePolovodičové diody. Dělení polovodičových diod podle základního materiálu: Germaniové Křemíkové Galium-arsenid+Au
Polovodičové diody Dioda definice: Elektronická dvojpólová součástka, která při své činnosti využívá přechod, který vykazuje usměrňující vlastnosti (jednosměrnou vodivost). Vlastnosti se liší způsobem
Více1 Polovodiče základní pojmy, vlastnosti. Přechody, diody, jejich struktura, vlastnosti a aplikace.
1 Polovodiče základní pojmy, vlastnosti. Přechody, diody, jejich struktura, vlastnosti a aplikace. Vypracoval: Vojta Polovodiče: Rozdělení pevných látek na základě velikosti zakázaného pásu. Zakázaný pás
VíceProjekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.08/
Projekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.08/03.0009 1. Čím se vyznačuje polovodičový materiál Polovodič je látka, jejíž elektrická vodivost lze měnit. Závisí na
Více2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω.
A5M34ELE - testy 1. Vypočtěte velikost odporu rezistoru R 1 z obrázku. U 1 =15 V, U 2 =8 V, U 3 =10 V, R 2 =200Ω a R 3 =1kΩ. 2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty
VícePolovodiče ELEKTROTECHNIKA TO M Á Š T R E J BAL
Polovodiče ELEKTROTECHNIKA TO M Á Š T R E J BAL Jaké znáte polovodiče? Jaké znáte polovodiče? - Např. křemík, germanium, selen, Struktura křemíku Křemík (Si) má 4 valenční elektrony. Valenční elektrony
VíceOtázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna
Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Tato otázka přepokládá znalost otázky č. - polovodiče. Doporučuji ujasnit
VíceZáklady elektrotechniky
Základy elektrotechniky Přednáška Diody, usměrňovače, stabilizátory, střídače 1 VÝROBA POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ Polovodič - prvek IV. skupiny, nejčastěji Si, - vysoká čistota (10-10 ), - bezchybná struktura
VíceU BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D.
Napěťový průraz polovodičových přechodů Zvyšování napětí na přechodu -přechod se rozšiřuje, ale pouze s U (!!) - intenzita elektrického pole roste -překročení kritické hodnoty U (BR) -vzrůstu závěrného
Více2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřený předmětem jsou v tomto případě polovodičové diody, jejich údaje jsou uvedeny v tabulce:
REDL 3.EB 8 1/14 1.ZADÁNÍ a) Změřte voltampérovou charakteristiku polovodičových diod pomocí voltmetru a ampérmetru v propustném i závěrném směru. b) Sestrojte grafy =f(). c) Graficko početní metodou určete
VíceELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY
ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY VZORY OTÁZEK A PŘÍKLADŮ K TUTORIÁLU 1 1. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Proč je používáme. 2. Co jsou polovodiče vlastní. 3. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Jakým způsobem
Více2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě zenerova dioda její hodnoty jsou uvedeny v tabulce:
REDL 3.EB 9 1/11 1.ZADÁNÍ a) Změřte voltampérovou charakteristiku zenerovy diody v propustném i závěrném směru. Charakteristiky znázorněte graficky. b) Vypočtěte a graficky znázorněte statický odpor diody
Více11. Polovodičové diody
11. Polovodičové diody Polovodičové diody jsou součástky, které využívají fyzikálních vlastností přechodu PN nebo přechodu kov - polovodič (MS). Nelinearita VA charakteristiky, zjednodušeně chápaná jako
VíceTYRISTORY. Spínací součástky pro oblast největších napětí a nejvyšších proudů Nejčastěji triodový tyristor
TYRSTORY Spínací součástky pro oblast největších napětí a nejvyšších proudů Nejčastěji triodový tyristor Závěrný směr (- na A) stav s vysokou impedancí, U R, R parametr U RRM Přímý směr (+ na A) dva stavy
VíceSada 1 - Elektrotechnika
S třední škola stavební Jihlava Sada 1 - Elektrotechnika 8. Polovodiče - nevlastní vodivost, PN přechod Digitální učební materiál projektu: SŠS Jihlava šablony registrační číslo projektu:cz.1.09/1.5.00/34.0284
VíceSoučástky s více PN přechody
Součástky s více PN přechody spínací polovodičové součástky tyristor, diak, triak Součástky s více PN přechody první realizace - 1952 třívrstvé tranzistor diak čtyřvrstvé tyristor pětivrstvé triak diak
VíceELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky... 7-1 7.2 První a druhý průraz bipolárního
Bohumil BRTNÍK, David MATOUŠEK ELEKTRONICKÉ PRVKY Praha 2011 Tato monografie byla vypracována a publikována s podporou Rozvojového projektu VŠPJ na rok 2011. Bohumil Brtník, David Matoušek Elektronické
VíceTyristor. Tyristor. Tyristor. 1956: Bell Labs Silicon Controlled Rectifier (SCR) 1958: General Electric Thyristor. Výkonové polovodičové součástky
(kv) Výkonové polovodičové součástky 1 1 3 1 1 1 VELÝ VÝ SDÉ ŘÍZEÍ VYSOÁ FREVEE 1 1 Thyristor TO BJT MOS 198 1 1 1 1 1 1 1 f (khz) (kv) 1 1 3 1 1 1 1 1 Thyristor BJT TO (kv) IBT MOS 1 5 1 1 3 1 1 1 1 1
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
VíceFEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4
Využití vlastností polovodičových přechodů Oblast prostorového náboje elektrické pole na přechodu Propustný směr difůze majoritních nosičů Závěrný směr extrakce minoritních nosičů Rekombinace na přechodu
VícePolovodičové usměrňovače a zdroje
Polovodičové usměrňovače a zdroje Druhy diod Zapojení a charakteristiky diod Druhy usměrňovačů Filtrace výstupního napětí Stabilizace výstupního napětí Zapojení zdroje napětí Závěr Polovodičová dioda Dioda
VíceBipolární tranzistory
Bipolární tranzistory h-parametry, základní zapojení, vysokofrekvenční vlastnosti, šumy, tranzistorový zesilovač, tranzistorový spínač Bipolární tranzistory (bipolar transistor) tranzistor trojpól, zapojení
VíceTel-30 Nabíjení kapacitoru konstantním proudem [V(C1), I(C1)] Start: Transient Tranzientní analýza ukazuje, jaké napětí vytvoří proud 5mA za 4ms na ka
Tel-10 Suma proudů v uzlu (1. Kirchhofův zákon) Posuvným ovladačem ohmické hodnoty rezistoru se mění proud v uzlu, suma platí pro každou hodnotu rezistoru. Tel-20 Suma napětí podél smyčky (2. Kirchhofův
VíceELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY
TEMATICKÉ OKRUHY ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 1. Základní pojmy fyziky polovodičů. Pásová struktura její souvislost s elektronovým obalem atomu, vliv na elektrickou vodivost materiálů. Polovodiče vlastní a nevlastní.
VíceElektronické praktikum EPR1
Elektronické praktikum EPR1 Úloha číslo 2 název Vlastnosti polovodičových prvků Vypracoval Pavel Pokorný PINF Datum měření 11. 11. 2008 vypracování protokolu 23. 11. 2008 Zadání 1. Seznamte se s funkcí
VíceVOLTAMPÉROVÉ CHARAKTERISTIKY DIOD
Universita Pardubice Ústav elektrotechniky a informatiky Elektronické součástky Laboratorní cvičení č.1 VOLTAMPÉROVÉ CHARAKTERISTIKY DIOD Jméno: Pavel Čapek, Aleš Doležal, Lukáš Kadlec, Luboš Rejfek Studijní
VíceZákladní pojmy z oboru výkonová elektronika
Základní pojmy z oboru výkonová elektronika prezentace k přednášce 2013 Projekt ESF CZ.1.07/2.2.00/28.0050 Modernizace didaktických metod a inovace výuky technických předmětů. výkonová elektronika obor,
VíceUniverzita Tomáše Bati ve Zlíně
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Optoelektronika Přednáška č. 8 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Optoelektronika 1 Optoelektronika zabývá se přeměnou elektrické
VíceFEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů
Unipolární tranzistory Řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem: FET [Field - Effect Transistor] Proud přenášen jedním typem nosičů náboje (unipolární): - majoritní nosiče v inverzním kanálu - neuplatňuje
VíceElektronika pro informační technologie (IEL)
Elektronika pro informační technologie (IEL) Třetí laboratorní cvičení Brno University of Technology, Faculty of Information Technology Božetěchova 1/2, 612 66 Brno - Královo Pole inecasova@fit.vutbr.cz
VíceObrázek 1: Schematická značka polovodičové diody. Obrázek 2: Vlevo dioda zapojená v propustném směru, vpravo dioda zapojená v závěrném směru
Škola: Autor: DUM: Vzdělávací obor: Tematický okruh: Téma: Masarykovo gymnázium Vsetín Mgr. Jitka Novosadová MGV_F_SS_2S2_D16_Z_ELMAG_Polovodicove_soucastky_PL Člověk a příroda Fyzika Elektřina a magnetismus
VíceMetodický návod: 5. Zvyšování vnějšího napětí na 3 V. Dochází k dalšímu zakřivování hladin a rozšiřování hradlové vrstvy.
Metodický návod: 1. Spuštění souborem a.4.3_p-n.exe. Zobrazeny jsou oddělené polovodiče P a N, majoritní nositelé náboje (elektrony červené, díry modré), ionty příměsí (čtverečky) a Fermiho energetické
Více- Stabilizátory se Zenerovou diodou - Integrované stabilizátory
1.2 Stabilizátory 1.2.1 Úkol: 1. Změřte VA charakteristiku Zenerovy diody 2. Změřte zatěžovací charakteristiku stabilizátoru se Zenerovou diodou 3. Změřte převodní charakteristiku stabilizátoru se Zenerovou
VíceVÝKONOVÉ TRANZISTORY MOS
VÝKONOVÉ TANZSTOY MOS Pro výkonové aplikace mají tranzistory MOS přednosti: - vysoká vstupní impedance, - vysoké výkonové zesílení, - napěťové řízení, - teplotní stabilita PNP FNKE TANZSTO MOS Prahové
VícePedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice 2 Číslo úlohy : 1
Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice Číslo úlohy : 1 Název úlohy : Vypracoval : ročník : 3 skupina : F-Zt Vnější podmínky měření : měřeno dne : 3.. 004 teplota : C tlak
VícePRAKTIKUM... Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Odevzdal dne: Seznam použité literatury 0 1. Celkem max.
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM... Úloha č. Název: Pracoval: stud. skup. dne Odevzdal dne: Možný počet bodů Udělený počet bodů Práce při měření 0 5 Teoretická
VícePRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus Úloha č.: XI Název: Charakteristiky diody Pracoval: Pavel Brožek stud. skup. 12 dne 9.1.2009 Odevzdal
VíceMěření charakteristik fotocitlivých prvků
Měření charakteristik fotocitlivých prvků Úkol : 1. Určete voltampérovou charakteristiku fotoodporu při denním osvětlení a při osvětlení E = 1000 lx. 2. Určete voltampérovou charakteristiku fotodiody při
VícePraktikum III - Optika
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky M UK Praktikum III - Optika Úloha č. 5 Název: Charakteristiky optoelektronických součástek Pracoval: Matyáš Řehák stud.sk.: 13 dne: 2. 3. 28
VíceZáklady elektrotechniky 2 (21ZEL2) Přednáška 1
Základy elektrotechniky 2 (21ZEL2) Přednáška 1 Úvod Základy elektrotechniky 2 hodinová dotace: 2+2 (př. + cv.) zakončení: zápočet, zkouška cvičení: převážně laboratorní informace o předmětu, kontakty na
VícePraktikum II Elektřina a magnetismus
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK Praktikum II Elektřina a magnetismus Úloha č. XI Název: Charakteristiky diod Pracoval: Matyáš Řehák stud.sk.: 13 dne: 17.10.2008 Odevzdal
VíceVoltampérová charakteristika diody
Voltampérová charakteristika diody 1 Cíle měření Cílem měření je seznámit se diodou jako s jedním ze základních prvků elektrických obvodů. V rámci úlohy změříte voltampérovou charakteristiku (závislost
VíceVÝKONOVÁ ELEKTRONIKA I
Vysoká škola báňská Technická univerzita Ostrava VÝKONOVÁ ELEKTRONKA učební text Petr Chlebiš Ostrava 2007 Recenze: Pavel Brandštetter Název: Výkonová elektronika Autor: Petr Chlebiš Vydání: první, 2007
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
VíceFotodioda ve fotovodivostním a fotovoltaickém režimu OPTRON
Cvičení 13 Fotodioda ve fotovodivostním a fotovoltaickém režimu OPTRON Přenosová charakteristika optronu Dynamické vlastnosti optronu Elektronické prvky A2B34ELP cv.13/str.2 cv.13/str.3 Fotodioda fotovodivostní
VíceCharakteristiky optoelektronických součástek
FYZIKÁLNÍ PRAKTIKUM Ústav fyziky FEKT VUT BRNO Spolupracoval Jan Floryček Jméno a příjmení Jakub Dvořák Ročník 1 Měřeno dne Předn.sk.-Obor BIA 27.2.2007 Stud.skup. 13 Odevzdáno dne Příprava Opravy Učitel
Vícepropustný směr maximální proud I F MAX [ma] 75 < 1... při I F = 10mA > 50... při I R = 1µA 60 < 0,4... při I F = 10mA > 60...
Teoretický úvod Diody jsou polovodičové jednobrany s jedním přechodem PN. Dioda se vyznačuje tím, že nepropouští téměř žádný proud (je uzavřena) dokud napětí na ní nestoupne na hodnotu prahového napětí
VíceTranzistory. tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor. Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET
Tranzistory tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET Shockey, Brattain a Bardeen 16.12. 1947 Shockey 1952 Bipolární tranzistor
VíceNelineární obvody. V nelineárních obvodech však platí Kirchhoffovy zákony.
Nelineární obvody Dosud jsme se zabývali analýzou lineárních elektrických obvodů, pasivní lineární prvky měly zpravidla konstantní parametr, v těchto obvodech platil princip superpozice a pro analýzu harmonického
VíceELEKTRONICKÉ PRVKY TECHNOLOGIE VÝROBY POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ
ELEKTRONICKÉ PRVKY TECHNOLOGIE VÝROBY POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ Polovodič - prvek IV. skupiny, v elektronice nejčastěji křemík Si, vykazuje vysokou čistotu (10-10 ) a bezchybnou strukturu atomové mřížky v monokrystalu.
VíceBJT jako zesilovač malého signálu. BJT jako odporový dvojbran. Linearizace charakteristik pro okolí P 0. zapojení SE!! U CE
ipolární tranzistor JT JT - řízený prodový zdroj JT jako zesilovač maléo signál náradní lineární obvod a jeo parametry vf model JT I okamžité zatěžovací carakteristiky směrnice / I zesilovače s JT směrnice
VíceZáklady elektrotechniky
Základy elektrotechniky Přednáška Tranzistory 1 BIPOLÁRNÍ TRANZISTOR - třívrstvá struktura NPN se třemi vývody (elektrodami): e - emitor k - kolektor b - báze Struktura, náhradní schéma a schematická značka
VíceMĚŘENÍ POLOVODIČOVÉHO USMĚRŇOVAČE STABILIZACE NAPĚTÍ
Úloha č. MĚŘENÍ POLOVODIČOVÉHO SMĚRŇOVČE STBILIZCE NPĚTÍ ÚKOL MĚŘENÍ:. Změřte charakteristiku křemíkové diody v propustném směru. Měřenou závislost zpracujte graficky formou I d = f ( ). d. Změřte závěrnou
VícePolovodičové senzory. Polovodičové materiály Teplotní závislost polovodiče Piezoodporový jev Fotonové jevy Radiační jevy Magnetoelektrické jevy
Polovodičové senzory Polovodičové materiály Teplotní závislost polovodiče Piezoodporový jev Fotonové jevy Radiační jevy Magnetoelektrické jevy Polovodičové materiály elementární polovodiče Elementární
Více1. Stanovte a graficky znázorněte charakteristiky vakuové diody (EZ 81) a Zenerovy diody (KZ 703).
1 Pracovní úkoly 1. Stanovte a graficky znázorněte charakteristiky vakuové diody (EZ 81) a Zenerovy diody (KZ 703). 2. Určete dynamický vnitřní odpor Zenerovy diody v propustném směru při proudu 200 ma
VícePraktikum II Elektřina a magnetismus
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF K Praktikum II Elektřina a magnetismus Úloha č. V Název: Měření osciloskopem Pracoval: Matyáš Řehák stud.sk.: 13 dne: 1.1.28 Odevzdal dne:...
Více2.3 Elektrický proud v polovodičích
2.3 Elektrický proud v polovodičích ( 6 10 8 10 ) Ωm látky rozdělujeme na vodiče polovodiče izolanty ρ ρ ( 10 4 10 8 ) Ωm odpor s rostoucí teplotou roste odpor nezávisí na osvětlení nebo ozáření odpor
VíceJméno a příjmení. Ročník. Měřeno dne. 11.3.2013 Příprava Opravy Učitel Hodnocení. Charakteristiky optoelektronických součástek
FYZIKÁLNÍ PRAKTIKUM Ústav fyziky FEKT VUT BRNO Jméno a příjmení Petr Švaňa Ročník 1 Předmět IFY Kroužek 38 ID 155793 Spolupracoval Měřeno dne Odevzdáno dne Ladislav Šulák 25.2.2013 11.3.2013 Příprava Opravy
Více1.1 Usměrňovací dioda
1.1 Usměrňovací dioda 1.1.1 Úkol: 1. Změřte VA charakteristiku usměrňovací diody a) pomocí osciloskopu b) pomocí soustavy RC 2000 2. Ověřte vlastnosti jednocestného usměrňovače a) bez filtračního kondenzátoru
VíceZákladní vztahy v elektrických
Základní vztahy v elektrických obvodech Ing. Martin Černík, Ph.D. Projekt ESF CZ.1.07/2.2.00/28.0050 Modernizace didaktických metod a inovace. Klasifikace elektrických obvodů analogové číslicové lineární
VíceA3M38ZDS Zpracování a digitalizace analogových signálů Doc. Ing. Josef Vedral, CSc Katedra měření, FEL, CVUT v Praze
M8ZS Zpracování a digitalizace analogových signálů oc. ng. Jose Vedral, Sc Katedra měření, FEL, V v Praze Evropský sociální ond Praha & E: nvestjeme do vaší bdocnosti M8ZS_ Zpracování a digitalizace analogových
VíceZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ. Katedra technologií a měření BAKALÁŘSKÁ PRÁCE. Návrh laboratorní úlohy s varikapem
ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI FAKULTA ELEKTROTEHNIKÁ Katedra technologií a měření BAKALÁŘSKÁ PRÁE Návrh laboratorní úlohy s varikapem vedoucí práce: Ing. Tomáš Blecha, Ph.D. 0 autor: Michal Ptáček Anotace
Více[Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] Na rezistoru je napětí 25 V a teče jím proud 50 ma. Rezistor má hodnotu.
[Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] 04.01.01 Na rezistoru je napětí 5 V a teče jím proud 25 ma. Rezistor má hodnotu. A) 100 ohmů B) 150 ohmů C) 200 ohmů 04.01.02 Na rezistoru
VíceElektronika pro informační technologie (IEL)
Elektronika pro informační technologie (IEL) Druhé laboratorní cvičení Vysoké učení technické v Brně, Fakulta informačních technologií v Brně Božetěchova 2, 612 66 Brno Cvičící: Petr Veigend (iveigend@fit.vutbr.cz)
VíceODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII - 3.2.2 MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH
Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: MEII - 3.2.2 MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH Obor: Mechanik elektronik Ročník: 2. Zpracoval(a): Bc. Josef Mahdal Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2010
VíceZákladní elektronické prvky a jejich modely
Kapitola 1 Základní elektronické prvky a jejich modely Tento dokument slouží POUZE pro studijní účely studentům ČVUT FEL. Uživatel (student) může dokument použít pouze pro svoje studijní potřeby. Distribuce
VíceProjekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.08/03.0009 NAPÁJECÍ ZDROJE
Projekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.08/03.0009 NAPÁJECÍ ZDROJE Použitá literatura: Kesl, J.: Elektronika I - analogová technika, nakladatelství BEN - technická
VíceMĚŘENÍ JALOVÉHO VÝKONU
MĚŘENÍ JALOVÉHO VÝKONU &1. Které elektrické stroje jsou spotřebiči jalového výkonu a na co ho potřebují? &2. Nakreslete fázorový diagram RL zátěže připojené na zdroj střídavého napětí. &2.1 Z fázorového
Více2. Diody a usmrovae. 2.1. P N pechod
2. Diody a usmrovae schématická znaka A K Dioda = pasivní souástka k P N je charakteristická ventilovým úinkem pro jednu polaritu piloženého naptí propouští, pro druhou polaritu nepropouští lze ho dosáhnout
VíceZÁSADY PARALELNÍHO A SÉRIOVÉHO ŘAZENÍ SOUČÁSTEK VE VÝKONOVÝCH OBVODECH
ZÁSADY PARALELNÍHO A SÉRIOVÉHO ŘAZENÍ SOUČÁSTEK VE VÝKONOVÝCH OBVODECH Jestliže je v dané aplikaci vyžadován větší proud než jaký je možno získat použitím jedné součástky, je třeba součástky zapojovat
VícePraktikum II. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Úloha č. 11. Název: Charakteristiky diod
strana -1/11-, Charakteristiky diod, Jakub Višňák / Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK Praktikum II Úloha č. 11 Název: Charakteristiky diod Pracoval: Jakub Višňák stud.sk.:...
VíceUrčeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče
Určeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče Pracovní list - test vytvořil: Ing. Lubomír Kořínek Období vytvoření VM: listopad 2013 Klíčová slova: dioda, tranzistor,
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
VíceSimulace diody (TCE 2006)
Simulace diody (TCE 2006) Cíl: 1. Seznámení s prostředím pro device simulation (DECKBUILD) pomocí 1-D simulace P-I-N diody (ATLAS) ve statickém a dynamickém režimu v komutačním obvodu (MIXEDMODE) 3. Sestavení
VíceMĚŘENÍ PLANCKOVY KONSTANTY
Úloha č. 14a MĚŘENÍ PLANCKOVY KONSTANTY ÚKOL MĚŘENÍ: 1. Změřte napětí U min, při kterém se právě rozsvítí červená, žlutá, zelená a modrá LED. Napětí na LED regulujte potenciometrem. 2. Nakreslete graf
VíceII. Nakreslete zapojení a popište funkci a význam součástí následujícího obvodu: Integrátor s OZ
Datum: 1 v jakém zapojení pracuje tranzistor proč jsou v obvodu a jak se projeví v jeho činnosti kondenzátory zakreslené v obrázku jakou hodnotu má odhadem parametr g m v uvedeném pracovním bodu jakou
VíceELEKTRICKÝ PROUD ELEKTRICKÝ ODPOR (REZISTANCE) REZISTIVITA
ELEKTRICKÝ PROD ELEKTRICKÝ ODPOR (REZISTANCE) REZISTIVITA 1 ELEKTRICKÝ PROD Jevem Elektrický proud nazveme usměrněný pohyb elektrických nábojů. Např.:- proud vodivostních elektronů v kovech - pohyb nabitých
VíceJméno autora: Mgr. Zdeněk Chalupský Datum vytvoření: Číslo DUM: VY_32_INOVACE_16_ZT_E
Jméno autora: Mgr. Zdeněk Chalupský Datum vytvoření: 3. 11. 2013 Číslo DUM: VY_32_INOVACE_16_ZT_E Ročník: II. ZÁKLADY TECHNIKY Vzdělávací oblast: Odborné vzdělávání Technická příprava Vzdělávací obor:
VíceCharakteristiky tranzistoru MOSFET
Cvičení 7 Charakteristiky tranzistoru MOFET Výstupní V-A charakteristiky tranzistoru MOFET Úplný model tranzistoru MOFET (Ppice-Level 1) a jeho parametry tanovení stejnosměrného pracovního bodu tranzistoru
Víceteorie elektronických obvodů Jiří Petržela analýza šumu v elektronických obvodech
Jiří Petržela co je to šum? je to náhodný signál narušující zpracování a přenos užitečného signálu je to signál náhodné okamžité amplitudy s časově neměnnými statistickými vlastnostmi kde se vyskytuje?
VíceKompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr
Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr. Zadání: A. Na předloženém kompenzovaném vstupní děliči k nf milivoltmetru se vstupní impedancí Z vst = MΩ 25 pf, pro dělící poměry :2,
Více5. Diodové usměrňovače
5. Diodové směrňovače Usměrňovač je polovodičový prvek, který mění střídavé napětí a prod na stejnosměrný. Podle toho, zda je výstpní směrněné napětí možno řídit či ne se dělí směrňovače na řízené a neřízené.
VíceZáklady elektrotechniky
Základy elektrotechniky Přednáška Tyristory 1 Tyristor polovodičová součástka - čtyřvrstvá struktura PNPN - tři přechody při polarizaci na A, - na K je uzavřen přechod 2, při polarizaci - na A, na K jsou
VícePODPORA ELEKTRONICKÝCH FOREM VÝUKY
I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í PODPORA ELEKTRONICKÝCH FOREM VÝUKY CZ.1.07/1.1.06/01.0043 Tento projekt je financován z prostředků ESF a státního rozpočtu ČR. SOŠ informatiky a
VíceTitle: IX 8 7:40 (1 of 7)
P N (PN) PŘECHOD P N přechod lze realizovat pouze z POLOVODIČŮ. Jedná se o materiál, který musí mít dokonalý krystal bez příměsí a nečistot (čistota musí být lepší než 99,9999 %). Czochralského metoda
VíceOsnova: 1. Polovodiče materiály, dotace 2. Polovodičové diody 3. Dynamické parametry. 5. Aplikace diod
K621ZENT Základy elektrotechniky Přednáška ř č. 2 Osnova: 1. Polovodiče materiály, dotace 2. Polovodičové diody 3. Dynamické parametry 4. Typy diod 5. Aplikace diod 6. Tranzistory Polovodiče Pro polovodiče
VíceZdroje optického záření
Metody optické spektroskopie v biofyzice Zdroje optického záření / 1 Zdroje optického záření tepelné výbojky polovodičové lasery synchrotronové záření Obvykle se charakterizují zářivostí (zářivý výkon
VíceMĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů tyristoru část 3-5-1 Teoretický rozbor
MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření část 3-5-1 Teoretický rozbor Výukový materiál Číslo projektu: CZ.1.07/1.5.00/34.0093 Šablona: III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Sada: 1 Číslo materiálu:
Více