ETC Embedded Technology Club setkání 4, 3B zahájení třetího ročníku

Podobné dokumenty
ETC Embedded Technology Club setkání 5, 3B zahájení třetího ročníku

ETC Embedded Technology Club 10. setkání

ETC Embedded Technology Club setkání 6, 3B zahájení třetího ročníku

Kurs praktické elektroniky a kutění

ETC Embedded Technology Club setkání 4 2B druhý ročník

ETC Embedded Technology Club 7. setkání

ETC Embedded Technology Club setkání 3, 3B zahájení třetího ročníku

ETC Embedded Technology Club 6. setkání

1.3 Bipolární tranzistor

Manuální, technická a elektrozručnost

Abstrakt. fotodioda a fototranzistor) a s jejich základními charakteristikami.

ETC Embedded Technology Club 5. setkání

Fotodioda ve fotovodivostním a fotovoltaickém režimu OPTRON

1.1 Pokyny pro měření

Název: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení

Ukázka práce na nepájivém poli pro 2. ročník SE. Práce č. 1 - Stabilizovaný zdroj ZD + tranzistor

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě nízkofrekvenční nevýkonový tranzistor KC 639. Mezní hodnoty jsou uvedeny v tabulce:

Úloha- Systém sběru dat, A4B38NVS, ČVUT - FEL,

+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2

1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny

Elektronické praktikum EPR1

Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření optoelektronického vazebního členu, část

2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω.

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

Stopař pro začátečníky

Charakteristiky optoelektronických součástek

Impulsní regulátor ze změnou střídy ( 100 W, 0,6 99,2 % )

Studium tranzistorového zesilovače

Typ UCE0 (V) IC (A) PCmax (W)

Návrh a analýza jednostupňového zesilovače

Zvyšování kvality výuky technických oborů

A8B32IES Úvod do elektronických systémů

Kategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-485 se používá pro:

SEMESTRÁLNÍ PRÁCE Z PŘEDMĚTU NÁVRH A ANALÝZA ELEKTRONICKÝCH OBVODŮ

11. Odporový snímač teploty, měřicí systém a bezkontaktní teploměr

VÝVOJOVÁ DESKA PRO JEDNOČIPOVÝ MIKROPOČÍTAČ PIC 16F88 A. ZADÁNÍ FUNKCE A ELEKTRICKÉ PARAMETRY: vstupní napětí: U IN AC = 12 V (např.

Profilová část maturitní zkoušky 2015/2016

Základy elektrotechniky

Darlingtonovo zapojení

11. Polovodičové diody

Manuální, technická a elektrozručnost

FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4

Napájení mikroprocesorů. ČVUT- FEL, katedra měření, přednášející Jan Fischer. studenty zapsané v předmětu: A4B38NVS

Výpočet základních analogových obvodů a návrh realizačních schémat

Zesilovač. Elektronický obvod zvyšující hodnotu napětí nebo proudu při zachování tvaru jeho průběhu. Princip zesilovače. Realizace zesilovačů

Fyzikální praktikum...


Klasifikace: bodů výborně bodů velmi dobře bodů dobře 0-49 bodů nevyhověl. Příklad testu je na následující straně.

Měření vlastností jednostupňových zesilovačů. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS.

VOLTAMPÉROVÉ CHARAKTERISTIKY DIOD

Měření vlastností lineárních stabilizátorů. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS.

4. Optický senzor polohy, měření proudu fotodiody

1. Navrhněte a prakticky realizujte pomocí odporových a kapacitních dekáda derivační obvod se zadanou časovou konstantu: τ 2 = 320µs

[Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] Na rezistoru je napětí 25 V a teče jím proud 50 ma. Rezistor má hodnotu.

Kategorie Ž1. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení!

Projekt - Voltmetr. Přednáška 3 - část A3B38MMP, 2015 J. Fischer kat. měření, ČVUT - FEL, Praha. A3B38MMP, 2015, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 1

ETC Embedded Technology Club 4. setkání

TRANZISTOROVÝ ZESILOVAČ

Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1

MATURITNÍ ZKOUŠKA Z ELEKTROTECHNICKÝCH MĚŘENÍ

2 Přímé a nepřímé měření odporu

Elektrická měření pro I. ročník (Laboratorní cvičení)

Manuální, technická a elektrozručnost

Měření vlastností a základních parametrů elektronických prvků

Profilová část maturitní zkoušky 2016/2017

Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů

Elektronika pro informační technologie (IEL)

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Oscilátory. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EO.

Elektronika pro informační technologie (IEL)

Pokud není uvedeno jinak, uvedený materiál je z vlastních zdrojů autora

Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/

Elektrotechnická zapojení

Tel-30 Nabíjení kapacitoru konstantním proudem [V(C1), I(C1)] Start: Transient Tranzientní analýza ukazuje, jaké napětí vytvoří proud 5mA za 4ms na ka

Fotoelektrické snímače

2-LC: Měření elektrických vlastností výkonových spínačů (I)

Studium klopných obvodů

Měřící technika. 5/2019 (N)

5. MĚŘENÍ TEPLOTY TERMOČLÁNKY

Zesilovače biologických signálů, PPG. A6M31LET Lékařská technika Zdeněk Horčík, Jan Havlík Katedra teorie obvodů

Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Tematická oblast ELEKTRONIKA

Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/

1.Zadání 2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU 3.TEORETICKÝ ROZBOR

PŘEDNÁŠKA 1 - OBSAH. Přednáška 1 - Obsah

Úloha 1: Zapojení integrovaného obvodu MA 7805 jako zdroje napětí a zdroje proudu

Tranzistory. tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor. Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET

ELEKTRONIKA. Maturitní témata 2018/ L/01 POČÍTAČOVÉ A ZABEZPEČOVACÍ SYSTÉMY

Technická měření v bezpečnostním inženýrství. Elektrická měření proud, napětí, odpor

Operační zesilovač. Úloha A2: Úkoly: Nutné vstupní znalosti: Diagnostika a testování elektronických systémů

Identifikace vzdělávacího materiálu VY_52_INOVACE_F.9.A.10 EU OP VK

Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EO.

Popis zapojení a návod k osazení desky plošných spojů STN-G

4. Vysvětlete mechanismus fotovodivosti. Jak závisí fotovodivost na dopadajícím světelném záření?

Střední průmyslová škola elektrotechnická a informačních technologií Brno

v Praze Senzorové systémy Sledování polohy slunce na obloze Ondřej Drbal 5. ročník, stud. sk. 9

Jméno a příjmení. Ročník. Měřeno dne Příprava Opravy Učitel Hodnocení. Charakteristiky optoelektronických součástek

TECHNICKÁ DOKUMENTACE

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ

DIGITÁLNÍ UČEBNÍ MATERIÁL

Transkript:

ETC Embedded Technology Club setkání 4, 3B 30.10. 2018 zahájení třetího ročníku Katedra měření, Katedra telekomunikací,, ČVUT- FEL, Praha doc. Ing. Jan Fischer, CSc. ETC club, 4, 3B 30.10.2018, ČVUT- FEL, Praha 1

Náplň Všichni -dokončit a oživit kit F0 Lab Seznámit se s funkcemi F0- Lab, voltmetr, generátor, osciloskop dle minulé prezentace Zavést dokumentaci (sešit FEL z oddělení PR FEL), nosit sešit na ETC, schémata, záznamy, hodnoty, výpočty. Záznam toho, co se řešilo. Vlastní poznámky, problémy s úlohami, náměty. Měření neznámých odporů, hodnota referenčního odporu 10k (upřesnit a změřit multimetrem). VA charakteristika červené LED, dynamický (diferenciální odpor), napětí v předním směru zelené LED a Si diody, porovnat výsledky. ETC club, 4, 3B 30.10.2018, ČVUT- FEL, Praha 2

Měření odporů Měření neznámých odporů, hodnota referenčního odporu 10k (upřesnit a změřit multimetrem). Srovnávací metodou pomocí F0-lab měřit další odpory (hodnoty označené 68 k, 22 k, 470 a další). Vypočíst hodnoty, zapsat, porovnat s výsledky určenými měřením multimetrem. Určit relativní odchylku chybu- měření. R X Změřená hodnota pomocí F0-Lab) R S Správná hodnota v pomocí přesného multimetru)-? Rozdíl (absolutní chyba) R X R X R S Relativní chyba δ R R R X X ETC club, 4, 3B 30.10.2018, ČVUT- FEL, Praha 3

Odporový napěťový dělič a poměrové měření odporu R N známý odpor, R X neznámý odpor oběma rezistory protéká stejný proud I R R N U RN U 1 RX U RX U 2 V A V B R X R N U2 U U 1 2 Pozn.:Tento způsob poměrového měření odporu - je využit při měření odporu pomocí F0 - Lab ETC club, 4, 3B 30.10.2018, ČVUT- FEL, Praha 4

Měření diod VA charakteristika diody LED červená, změřit charakteristiku červené LED v několika bodech, vynést graf, určit diferenciální dynamický odpor R D ve zvoleném pracovním bodu I F = 2 ma. Zapsat velikost napětí U F při proudu I F = 2 ma při mírně jiném proudu. U Rdif I L L ( U F, I F napětí, proud v předním, to je propustném směru) Změřit napětí U F na zelené LED a Si diodě při proudu I F = 2 ma. Zapsat a porovnat hodnoty U F. ETC club, 4, 3B 30.10.2018, ČVUT- FEL, Praha 5

Měření VA charakteristiky LED a Si diody Změřit VA charakteristiku červené LED a Si diody tak, aby bylo možno určit prahové napětí diod a načrtnout charakteristiku, určit U L při I L = 2 ma Trimr použit jako nastavitelný zdroj napětí U POT napájený ze zdroje 5V nebo 3,3 V, vnitřní odpor zdroje R V, (Při měření pomocí F0- Lab STM32F042 použít napájení pouze +3,3 V), aby se nepřekročilo povolené max. napětí na vstupu procesoru Trimr R T = 5 k, R P = 470 zdroj I ZDR I L R dif U I L L U Z + 0 U pot R p L 1 U Rp U L1 I pot GND ETC club, 4, 3B 30.10.2018, ČVUT- FEL, Praha 6

Charakteristika LED LT1871-81 firmy Ledtech Příklad lin. náhrada pro malé proudy R D = 42 Ω, U d = 1,55 V Pro větší proudy R D = 30 Ω, U d = 1,65 V 0,2V R 6, 45 15 6 D ma ma R L U L celkově postačí zjednodušení R D = 8 Ω, U d = 1,60 V lin. náhrada pro větší proud R= 6,6 Ohmů lin. náhrada pro malý proud R=42 Ohmů ETC club, 4, 3B 30.10.2018, ČVUT- FEL, Praha 7

Fototranzistor Fototranzistor fotocitlivý prvek Funkce obdobná jako tranzistor, avšak proud do báze je generován světlem ( fotoproud ) dopadajícím na PN přechod kolektor báze fungující jako fotodioda. Zesílení fotoproudu (foto)tranzistorem Fototranzistory PT204-6C, FYL-5013SRC1C ;výrobce FORYARD používáme jej, a další mají pouze dva vývody Kolektor a Emitor Čiré (průhledné) pouzdro, průměr 3 mm (vypadá jako LED) Kolektor označen ploška na pouzdře u vývodu kolektoru, u nové součástky je kratší vývod kolektoru E e FT I ETC club, 4, 3B 30.10.2018, ČVUT- FEL, Praha 8

Fototranzistor charakteristiky I FOT je úměrný intenzitě ozáření E e Zesílení fotoproudu tranzistorem I C = h 21E. I FOT Charakteristiky fototranz. parametrem je intenzita ozáření E e FT z hlediska uživatele jako zdroj proudu řízený světlem Aby FT pracoval v lin. oblasti řízení proudu světlem, musí být na něm napětí větší něž 0,5 1 V. prac. oblast PT 204 U CC = +3,3 V FT R 1 10 k U 1 ETC club, 4, 3B 30.10.2018, ČVUT- FEL, Praha 9

Fototranzistor a jeho zapojení do obvodu Fototranzistor jako zdroj proudu řízený světlem převod proudu na napětí pomocí rezistoru R 1. Realizace obvodu, který bude vyhodnocovat velikost okolního osvětlení, měřit pomocí voltmetru v F0-Lab Napájení z +3,3 V (Změnu osvětlení fototranzistoru realizovat zakrýváním) PT 204 U nap = +3,3 V R 1 10 k (68 k) FT U 1 470 Ch1 F0 - Lab volt. ETC club, 4, 3B 30.10.2018, ČVUT- FEL, Praha 10

Fototranzistor, spektrální charakteristiky citlivosti Fototranzistor v čirém pouzdře citlivý na viditelné světlo a blízké infračervené záření (světlo vlnové délky 380 až 780 nm) Úprava citlivosti infra filtr, zadržující viditelné složky záření (světlo). Jak se pozná použito tmavé pouzdro nepropouštějící světlo. Dále v textu označíme zkráceně jako Infra-fototranzistor PT204 čiré pouzdro BPV11F infra propustný filtr ETC club, 4, 3B 30.10.2018, ČVUT- FEL, Praha 11

Fototranzistor Fototranzistor PT204, jako senzor okolního osvětlení (ne přímo do světla) Napájení + 5 V(pokud se měří multimetrem), jinak napájení + 3,3 V (měření pomocí F Lab) (ochranný rezistor 470 Ohmů) měřit napětí ( voltmetr a funkce show recording a pak záznam průběhu napětí při odkrývání a zakrývání U nap = +5 V PT 204 Vzdálená indikace světla, fototranzistor řídí proud LED (proud je malý?), LED svítí slabě (legenda, proč indikace, N.Bor, je venku světlo? ) Pozn. PT204-C má na sobě čočku, která způsobuje úzkou směrovou charakteristiku. Velikost proudu fototranzistoru proto záleží na jeho nasměrování. ETC club, 4, 3B 30.10.2018, ČVUT- FEL, Praha 12

Informace Další části jsou pro pokročilé účastníky ETC, kteří jsou v předstihu. ETC club, 4, 3B 30.10.2018, ČVUT- FEL, Praha 13

Zesílení proudu fototranzistoru Jednoduchá zapojení indikace osvětlení fototranzistoru s využitím LED; proud fototranzistoru je malý téměř nerozsvítí LED U nap = +3,3 V PT 204 Zesílení proudu fototranzistoru proudovým zesilovačem s tranzistorem BC546 ale - příliš velké zesílení, LED svítí stále (i za šera).. Jak řešit? 470 3,3 V BC546 ETC club, 4, 3B 30.10.2018, ČVUT- FEL, Praha 14

Tranzistor, stejnosměrný zesilovací činitel Zesílení proudu tranzistorem NPN typu BC546 stejnosměrný zesilovací činitel h 21E (také označ. ) Určit h 21E ( ) použitého tranzistoru BC546 spínač. OFF,? proud kolektoru I C = 0 Tl. ON,? změřit proud kolektoru I C Změřit napětí U BE (báze - emitor) h 21E I I C B Jak se určí velikost proudu báze I B? Napětí Báze - Emitor U BE = 0,6 až 0,7 V Podobně, jako na Si diodě v předním směru R B 1 M Tl. R k 470 U DD = 3,3 V UR I B = (U DD U BE )/R B T 1 BC546 U C ETC club, 4, 3B 30.10.2018, ČVUT- FEL, Praha 15

Tranzistor Bipolární tranzistor NPN Elektrody B = báze, C = kolektor, E = emitor Schématická značka NPN tranzistoru a jeho diodový model Tranzistor zdroj proudu řízený proudem Zjednodušené náhradní schéma pro zapojení se společným emitorem SE (emitor připojení na společný vodič zde na zem) H parametry parametry náhradního schématu zapojení SE Zjednodušení, jen par. h 11E a h 21E (zanedbání parametrů h 12E a h 22E ) ETC club, 4, 3B 30.10.2018, ČVUT- FEL, Praha 16

Parametry tranzistoru BC546 Závislost I C na proudu I B Pod U BE = 0,6 V proud bází neteče Kolektorové charakteristiky ETC club, 4, 3B 30.10.2018, ČVUT- FEL, Praha 17

Tranzistor měření odporu kůže detektor lži Experiment přerušit obvod s rezistorem R B a uzavřít obvod přes prsty ruky nebo i přes obě ruce (odstranit tlačítko) LED bude svítit podle odporu kůže. Je možno uzavřít obvod i přes dvě osoby (viz. vyděržaj pioněr ) a indikovat dotyk osob. Poznámka: Rušivé signály ze sítě 50 Hz ( brumy ), které mohou vzniknout při dotyku ruky v místě, kde bylo tlačítko, lze odstranit; připojit keramický kondenzátor 100 nf (mezi bázi a emitor T 1 ), který slouží pro filtraci rušivých signálů Pozn. Jaká je časová konstanta filtru realizovaného RC článkem 1M, 100nF? Co se stane při dotyku prstu (jen) na bázi, pokud odpojíme C1 ( anténa )? ruka dotyk Vyzkoušejte detektor podání ruky T 1 1 M C 1 100 n R B R k 470 U DD = 3,3 V BC546 ETC club, 4, 3B 30.10.2018, ČVUT- FEL, Praha 18

Zesílení proudu fototranzistoru tranzistorem NPN Zesílení proudu fototranzistoru Pomocí BC546 příliš velké zesílení. Pomocí rezistoru R b omezení Pro I Fot x R b 0,6 V proud fototranzistoru teče pouze do rezistoru R b 470 3,3 V BC546 Volba R b nastavení prahu Počáteční volba R b = 10 k, (Pokud nestačí 10K, použít samotný odporový trimr 5 k jako proměnný odpor) nastavit, až LED spolehlivě zhasne při zaclonění závory) Další růst I Fot, zesílení proudu, saturace tranzistoru U CE desetiny voltu Funkce jako dvojhodnotového snímače Využít pro optickou závoru R b 470 3,3 V BC546 U CE ETC club, 4, 3B 30.10.2018, ČVUT- FEL, Praha 19

Vložená informace doplňkový výklad pro samostudium Tranzistor BC546C má typickou hodnotu parametru h 21E = 400 600, tedy zesílení proudu bude stejné, cca 500x. Proud fototranzistoru LL-304PTC4B-1AD velikosti 1 ua po zesílení způsobí proud LED cca 0,5 ma, což způsobí znatelný svit LED. Pro proud fototr. 1 ua lze z grafu odhadnout E e1 = 0,001 mw / cm 2 = 10 mw / m 2. To je malá intenzita ozáření, která je v normálně osvětlené místnosti vždy překročena. Pro zhasnutí LED se musí fototranzistor důkladně zakrýt. Takovýto senzor pro nás tedy má příliš velkou citlivost. Použití rezistoru R B způsobí, že až LED nebude svítit, pokud napětí na bázi BC546 bude menší než do napětí cca 0,6V. Tedy součin I. R B musí dosáhnout 0,6 V (Ohmův zákon). Volbou velikosti R B = 0,6 V/ I se nastaví práh proudu, pod kterým LED nebude svítit. Tedy např. použití R B = 10 k nastaví práh na 60 ua. Z grafu se odhadne a následným výpočte určí potřebná intenzita ozáření fototranzistoru jako E e2 = 60 ua x 0,5 (mw/m 2 ) /0,5 ma = 0,6 W / m 2, což je 600 x větší hodnota oproti E e1. Další nárůst proudu fototranzistoru, např. o 5-10 ua, způsobí nárůst proudu báze a následně i prudký nárůst zesíleného proudu kolektoru, čímž vzroste úbytek napětí na rezistoru 68 k. Tím poklesne napětí na kolektoru tranzistoru až na desetiny voltu tranzistor bude sepnut. Tento blok lze tedy využít jako zjednodušený jednoduchý dvouhodnotový snímač osvětlení a jeho výstup může být napojen na logický vstup mikrořadiče. Výpočty výše pro názornost využívají zjednodušené náhrady chování tranzistoru ETC club, 4, 3B 30.10.2018, ČVUT- FEL, Praha 20