Typ UCE0 (V) IC (A) PCmax (W)



Podobné dokumenty
2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě nízkofrekvenční nevýkonový tranzistor KC 639. Mezní hodnoty jsou uvedeny v tabulce:

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřený předmětem jsou v tomto případě polovodičové diody, jejich údaje jsou uvedeny v tabulce:

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě zenerova dioda její hodnoty jsou uvedeny v tabulce:

4.SCHÉMA ZAPOJENÍ +U CC 330Ω A Y

1.Zadání 2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU 3.TEORETICKÝ ROZBOR

- + C 2 A B V 1 V 2 - U cc

kde U výst je napětí na jezdci potenciometru, R P2 je odpor jezdce potenciometru, R P celkový odpor potenciometru a U je napětí přivedené

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je operační zesilovač. Pro měření byla použita souprava s operačním zesilovačem, kde napájení bylo 5V

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je operační zesilovač. Pro měření byla použita souprava s operačním zesilovačem, kde napájení bylo 5V

4. SCHÉMA ZAPOJENÍ U R

Elektronické praktikum EPR1

C p. R d dielektrické ztráty R sk odpor závislý na frekvenci C p kapacita mezi přívody a závity

1.3 Bipolární tranzistor

Základní druhy tranzistorů řízených elektrickým polem: Technologie výroby: A) 1. : A) 2. : B) 1. :

2. POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU

Název: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení

Měření vlastností a základních parametrů elektronických prvků

Manuální, technická a elektrozručnost

4.SCHÉMA ZAPOJENÍ. a U. kde a je zisk, U 2 je výstupní napětí zesilovače a U vst je vstupní napětí zesilovače. Zesilovač

LABORATORNÍ PROTOKOL Z PŘEDMĚTU SILNOPROUDÁ ELEKTROTECHNIKA

+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2

1.1 Pokyny pro měření

Petr Myška Datum úlohy: Ročník: první Datum protokolu:

Měření vlastností a základních parametrů elektronických prvků

[Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] Na rezistoru je napětí 25 V a teče jím proud 50 ma. Rezistor má hodnotu.

VOLTAMPÉROVÉ CHARAKTERISTIKY DIOD

Pokud není uvedeno jinak, uvedený materiál je z vlastních zdrojů autora

INTEGROVANÁ STŘEDNÍ ŠKOLA TECHNICKÁ BENEŠOV. Černoleská 1997, Benešov. Elektrická měření. Tematický okruh. Měření elektrických veličin.

Obrázek č. 1 : Operační zesilovač v zapojení jako neinvertující zesilovač

Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů

Ukázka práce na nepájivém poli pro 2. ročník SE. Práce č. 1 - Stabilizovaný zdroj ZD + tranzistor

Měření na bipolárním tranzistoru.

MĚŘENÍ TRANZISTOROVÉHO ZESILOVAČE

E L E K T R I C K Á M Ě Ř E N Í

Návrh a analýza jednostupňového zesilovače

13 Měření na sériovém rezonančním obvodu

Měření na unipolárním tranzistoru

Technická měření v bezpečnostním inženýrství. Elektrická měření proud, napětí, odpor

10. Měření. Chceme-li s měřícím přístrojem cokoliv dělat, je důležité znát jeho základní napěťový rozsah, základní proudový rozsah a vnitřní odpor!

1. Změřit metodou přímou závislost odporu vlákna žárovky na proudu, který jím protéká. K měření použijte stejnosměrné napětí v rozsahu do 24 V.

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření vlastní a vzájemné indukčnosti, část 3-1-3

Elektrická měření pro I. ročník (Laboratorní cvičení)

Měření odporu ohmovou metodou

Teoretický rozbor : Postup měření : a) Neinvertující zesilovač napětí (Noninverting Amplifier)

Laboratorní práce č. 3: Měření elektrického proudu a napětí

Měření vlastností stejnosměrných tranzistorových zesilovačů

Stabiliz atory napˇet ı v nap ajec ıch zdroj ıch - mˇeˇren ı z akladn ıch parametr u Ondˇrej ˇ Sika

PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus

.100[% ; W, W ; V, A, V, A]

1. Navrhněte a prakticky realizujte pomocí odporových a kapacitních dekáda derivační obvod se zadanou časovou konstantu: τ 2 = 320µs

PŘEDNÁŠKA 1 - OBSAH. Přednáška 1 - Obsah

2 Přímé a nepřímé měření odporu

SEMESTRÁLNÍ PRÁCE Z PŘEDMĚTU NÁVRH A ANALÝZA ELEKTRONICKÝCH OBVODŮ

Studium tranzistorového zesilovače

Měření vlastností a základních parametrů elektronických prvků

Laboratorní cvičení č.11

1. Změřte závislost indukčnosti cívky na procházejícím proudu pro tyto případy:

Měření vlastností lineárních stabilizátorů. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS.

A U. kde A je zesílení zesilovače, U 2 je výstupní napětí zesilovače a U 1 je vstupní napětí na zesilovači. Zisk po té můžeme vypočítat podle vztahu:

Technická měření v bezpečnostním inženýrství. Elektrická měření proud, napětí, odpor

TRANZISTOROVÝ ZESILOVAČ

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření parametrů operačních zesilovačů, část 3-7-5

Elektrický proud. Elektrický proud : Usměrněný pohyb částic s elektrickým nábojem. Kovy: Usměrněný pohyb volných elektronů

ETC Embedded Technology Club setkání 6, 3B zahájení třetího ročníku

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, Mělník Ing.František Moravec

Laboratorní práce č. 1: Určení voltampérových charakteristik spotřebičů

Zesilovače. Ing. M. Bešta

Střední od 1Ω do 10 6 Ω Velké od 10 6 Ω do Ω

Základní měření s výchylkovými multimetry Laboratorní cvičení č. 1

U01 = 30 V, U 02 = 15 V R 1 = R 4 = 5 Ω, R 2 = R 3 = 10 Ω

Bipolární tranzistory

ELEKTRICKÉ STROJE. Laboratorní cvičení LS 2013/2014. Měření ztrát 3f transformátoru

2. Změřte a nakreslete zatěžovací charakteristiku až do zkratu.

Laboratorní cvičení č.10

PRAKTIKUM... Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Odevzdal dne: Seznam použité literatury 0 1. Celkem max.

Zesilovač. Elektronický obvod zvyšující hodnotu napětí nebo proudu při zachování tvaru jeho průběhu. Princip zesilovače. Realizace zesilovačů

Tranzistory. tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor. Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET

Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Elektrický proud střídavý. Název: Téma: Autor:

PRAKTIKUM II. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. úlohač.5 Název: Měření osciloskopem. Pracoval: Lukáš Ledvina

Katedra elektrotechniky Fakulta elektrotechniky a informatiky, VŠB - TU Ostrava MĚŘENÍ NA JEDNOFÁZOVÉM TRANSFORMÁTORU.

- Stabilizátory se Zenerovou diodou - Integrované stabilizátory

Protokol o měření. Jak ho správně zpracovat

Měření na 3fázovém transformátoru

Základy elektrotechniky

Mˇeˇren ı vlastn ı indukˇcnosti Ondˇrej ˇ Sika

6. STUDIUM SOLÁRNÍHO ČLÁNKU

Interakce ve výuce základů elektrotechniky

Fotoelektrické snímače

Laboratorní cvičení č.15. Název: Měření na optoelektronických prvcích. Zadání: Popis měřeného předmětu: Teoretický rozbor:

Střední průmyslová škola elektrotechnická a informačních technologií Brno

Praktikum II Elektřina a magnetismus

MĚŘENÍ VA CHARAKTERISTIK BIPOLÁRNÍHO TRANZISTORU

PŘECHODOVÝ JEV V RC OBVODU

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření parametrů tyristoru, část 3-5-4

Stabilizátory napětí a proudu

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, Mělník Ing.František Moravec

Elektronické praktikum EPR1

Účinnost tepelného stroje

Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody

Transkript:

REDL 3.EB 11 1/13 1.ZADÁNÍ Změřte statické charakteristiky tranzistoru K605 v zapojení se společným emitorem a) Změřte výstupní charakteristiky naprázdno C =f( CE ) pro B =1, 2, 4, 6, 8, 10, 15mA do CE =10V b) Změřte vstupní charakteristiky nakrátko B =f( BE ) pro CE =0,5; 1,5V c) Graficky znázorněte průběh všech charakteristik. Statický parametr převodní charakteristiky, zpětnou charakteristiku volte tak, aby odpovídali pracovnímu bodu tranzistoru jako zesilovače ve třídě A d) rčete h parametry v tomto pracovním bodě 2.POPS MĚŘENÉHO PŘEDMĚT Měřeným předmětem byl v tomto případě výkonový tranzistor v kovovém pouzdře. Mezní hodnoty tranzistoru jsou uvedeny v tabulce: Typ CE0 (V) C (A) P Cmax (W) K605 80 10 50 CE0 maximální napětí mezi kolektorem a emitorem C maximální kolektorový proud P Cmax maximální výkon tranzistoru 3.TEORETCKÝ ROZBOR 3.1 ROZBOR PŘEDPOKLÁDANÝCH VLASTNOSTÍ MĚŘENÉHO PŘEDMĚT Tranzistor je třívrstvá polovodičová součástka, která má dva přechody PN. P znamená, polovodič s nevlastní pozitivní vodivostí, tj. že elektrický proud vodí díry. N je polovodič s nevlastí zápornou vodivostí, tj. že elektrický proud vodí elektrony. Nepoužívá se zde vlastní vodivosti polovodičů, protože polovodiče o vlastní vodivosti začínají vodit až při vyšších teplotách okolo 350K což je přibližně 77 C. Jedná se o výkonový tranzistor což znamená, že je určen pro velké výkony. To pro jaké výkony je tranzistor určen je udáno výrobcem. Tyto tranzistory je zapotřebí chladit pomocí pasivního chlazení. Pro lepší odvod tepla. Schématická značka výkonového tranzistoru, nám říká že kolektor je propojen s kovovým pouzdrem, kvůli lepšímu odvodu tepla. Jedná se o bipolární tranzistor typu NPN. Bipolární tranzistory jsou řízeny proudem báze. Proudem báze zde určujeme jak bude tranzistor otevřen a jaký proud poteče kolektorem tranzistoru. Z tohoto hlediska je velmi důležitý parametr tranzistoru h 21 proudový zesilovací činitel, který nám udává poměr mezi proudem, který teče kolektorem, a proudem, který teče do báze. Jednoduše řečeno nám udává kolikrát větší je kolektorový proud než proud tekoucí do báze. Vzhledem k tomu, že tranzistor je polovodičová součástka je velice teplotně závislá. Odpor polovodiče klesá se se zvětšující se teplotou. Což je pro měření velmi důležité.

REDL 3.EB 11 2/13 3.2 ROZBOR MĚŘÍCÍ METODY K měření výstupních i vstupních charakteristik potřebujeme dva zdroje. Tranzistor je zapojen v zapojení se společným emitorem. Do báze tranzistoru připojujeme ještě ochranný rezistor pro omezení proudu, abychom tranzistor nezničili. Pro měření výstupních charakteristik zapojíme do báze ampérmetr, abychom mohli správně nastavit proud do báze tranzistoru. Tento ampérmetr zapojujeme do série s ochranným rezistorem v případě, že bychom ho zapojili paralelné, zkratovali bychom ochranný rezistor. Mezi kolektor a emitor tranzistoru a zdroj připojíme voltmetr a ampérmetr. Tyto přístroje zapojíme tak, aby tvořili Ohmovu metodu v zapojení pro malé odpory vůči kolektoru a editoru tranzistoru. této metody nastává chyba, způsobená zapojením měřících přístrojů. Voltmetrem měříme úbytek napětí, který je mezi kolektorem a emitorem tranzistoru. Ampérmetrem však měříme součet proudu, který teče do kolektoru tranzistoru, a proudu, který teče voltmetrem. Z tohoto důvodu je zapotřebí provést korekci změřeného proudu podle vztahu: K R V kde K je korigovaný proud, je proud změřený ampérmetrem, je napětí změřené voltmetrem a R V je vnitřní odpor voltmetru. Tato chyba bude nejmenší dokud bude tranzistor plně otevřen. Odpor polovodiče bude tak malý, že tuto chybu budeme moci zanedbat. Pro měření vstupních charakteristik zapojíme mezi kolektor a emitor voltmetr abychom mohli nastavit požadované napětí mezi kolektorem a emitorem tranzistoru. Do báze zapojíme do série s ochranným rezistorem opět ampérmetr a voltmetr zapojíme mezi bázi a emitor tranzistoru. Při takovémto zapojení tvoří voltmetr a ampérmetr vůči bázi a emitoru Ohmovu metodu pro měření malých odporů. Při této metodě dochází k chybě, způsobené zapojením měřících přístrojů. Voltmetrem měříme napětí mezi bází a emitorem. Ampérmetrem však měříme součet proudu, který teče do báze tranzistoru, a proudu, který teče voltmetrem. Z tohoto důvodu musíme provést korekci změřeného proudu podle vztahu: K R V kde K je korigovaný proud, je proud změřený ampérmetrem, je napětí změřené voltmetrem a R V je vnitřní odpor voltmetru. Při měření je zapotřebí dávat pozor, abyste nepřekročili mezní hodnoty tranzistoru a nedošlo tak k jeho zničení.

REDL 3.EB 11 3/13 4.SCHÉMA ZAPOJENÍ Schéma č.1 Zapojení pro měření výstupních charakteristik tranzistoru R B T 2 1 Schéma č.2 Zapojení pro měření vstupních charakteristik tranzistoru R B T 2 1 1 regulovatelný zdroj 2 regulovatelný zdroj R B ochranný rezistor A 1 číslicový ampérmetr A 2 číslicový ampérmetr V 1 číslicový voltmetr V 2 číslicový voltmetr T měřený tranzistor

REDL 3.EB 11 4/13 5.POSTP MĚŘENÍ a) Z katalogu zjistěte mezní parametry měřeného tranzistoru a při měření je v žádném případě nepřekročte b) Zapojte přístroje podle schéma zapojení č.1 c) Regulovatelným zdrojem 1 nastavte na ampérmetru A 1 požadovaný proud do báze tranzistoru. Vzhledem k tepelné závislosti polovodiče měřte od největší hodnoty proudu po nejmenší. d) Regulovatelným zdrojem 2 nastavte požadované napětí mezi kolektorem a emitorem tranzistoru. Měřte od největší hodnoty napětí po nejmenší. e) Přečtěte údaj z voltmetru V 2 a zapište jej do tabulky f) Přečtete údaj z ampérmetru A 2 a zapište jej do tabulky g) Pokračujte pro další hodnotu napětí od bodu d). Pokud jste již změřili všechny požadovaná napětí pokračujte následujícím bodem h) Pokračujte pro další hodnotu proudu do báze od bodu c). Pokud jste již změřili všechny požadované proudy do báze pokračujte následujícím bodem i) Zapojte přístroje podle schéma zapojení č.2 j) Regulovatelným zdrojem 2 nastavte na voltmetru V 2 požadované napětí mezi kolektorem a emitorem. Měřte od největšího napětí po nejmenší. k) Regulovatelným zdrojem 1 nastavte na voltmetru V 1 požadované napětí mezi bází a emitorem. Měřte od největšího napětí po nejmenší. l) Přečtěte údaj z voltmetru V 1 a zapište jej do tabulky m) Přečtěte údaj z ampérmetru A 2 a zapište jej do tabulky n) Pokračujte pro další hodnotu napětí od bodu k). Pokud jste již změřili všechna požadovaná napětí pokračujte následujícím bodem o) Pokračujte pro další hodnotu napětí od bodu j) 6.TABLKY NAMĚŘENÝCH A VYPOČTENÝCH HODNOT Tab. č.1 Měření výstupní charakteristiky tranzistoru K605 při B =15mA CE (V) 0 0,03 0,04 0,06 0,08 0,1 0,12 C (ma) 0 58,8 73,4 129,5 219,2 312,5 345,6 K (ma) 0 58,8 73,4 129,5 219,2 312,5 345,6 CE (V) 0,15 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 C (ma) 435,1 489,1 544,6 550,2 552,4 554,5 556,6 K (ma) 435,1 489,1 544,6 550,2 552,4 554,5 556,6 CE (V) 0,8 0,9 1,1 1,2 1,3 1,4 1,5 C (ma) 559,5 562,9 566,3 569,3 575,5 581 586,5 K (ma) 559,5 562,9 566,3 596,3 575,5 581 586,5 CE (V) 2 3 5 10 ----- ----- ----- C (ma) 597,1 615,2 645,2 685 ----- ----- ----- K (ma) 597,1 615,2 645,2 685 ----- ----- -----

REDL 3.EB 11 5/13 Tab. č.2 Měření výstupní charakteristiky tranzistoru K605 při B =10mA CE (V) 0 0,03 0,04 0,06 0,08 0,1 0,12 C (ma) 0 32,6 60,1 101,4 148,8 192 238,4 K (ma) 0 32,6 60,1 101,4 148,8 192 238,4 CE (V) 0,15 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 C (ma) 295,4 330,8 350,1 351,8 353,3 354,3 355,4 K (ma) 295,4 330,8 350,1 351,8 353,3 354,3 355,4 CE (V) 0,8 0,9 1,1 1,2 1,3 1,4 1,5 C (ma) 356 357,6 360,5 362 363,6 365,3 367,3 K (ma) 356 357,6 360,5 362 363,6 365,3 367,3 CE (V) 2 3 5 10 ----- ----- ----- C (ma) 372,1 380,1 390,4 410,1 ----- ----- ----- K (ma) 372,1 380,1 390,4 410,1 ----- ----- ----- Tab. č.3 Měření výstupní charakteristiky tranzistoru K605 při B =8mA CE (V) 0 0,015 0,04 0,06 0,08 0,1 0,12 C (ma) 0 6,9 47,7 85,7 112,4 163,7 196,5 K (ma) 0 6,9 47,7 85,7 112,4 163,7 196,5 CE (V) 0,15 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 C (ma) 225,1 265 273,9 275,4 276,1 276,8 277,5 K (ma) 225,1 265 273,9 275,4 276,1 276,8 277,5 CE (V) 0,8 0,9 1,1 1,2 1,3 1,4 1,5 C (ma) 278,3 279 280,5 281,3 282,4 284,6 286 K (ma) 278,3 279 280 281,3 282,4 284,6 286 CE (V) 2 3 5 10 ----- ----- ----- C (ma) 289,8 293 302,1 311,4 ----- ----- ----- K (ma) 289,8 293 302,1 311,4 ----- ----- ----- Tab. č.4 Měření výstupní charakteristiky tranzistoru K605 při B =6mA CE (V) 0,015 0,04 0,06 0,08 0,1 0,11 0,15 C (ma) 4,2 29,3 57,2 94,1 193,3 132 170,8 K (ma) 4,2 29,3 57,2 94,1 193,3 132 170,8 CE (V) 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 C (ma) 190 198,2 198,9 199,3 199,6 200 200,4 K (ma) 190 198,2 198,9 199,3 199,6 200 200,4 CE (V) 0,9 1,1 1,2 1,3 1,4 1,5 2 C (ma) 200,7 201,1 201,5 201,9 202,3 203,7 205,6 K (ma) 200,7 201,1 201,5 201,6 202,3 203,7 205,6 CE (V) 3 5 10 ----- ----- ----- ----- C (ma) 208,7 213 218,5 ----- ----- ----- ----- K (ma) 208,7 213 218,5 ----- ----- ----- -----

REDL 3.EB 11 6/13 Tab. č.5 Měření výstupní charakteristiky tranzistoru K605 při B =4mA CE (V) 0,05 0,06 0,08 0,1 0,13 0,2 0,3 C (ma) 26,4 40,3 55 81,5 100,5 120,9 124 K (ma) 26,4 40,3 55 81,5 100,5 120,9 124 CE (V) 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,1 C (ma) 124,4 124,5 124,7 124,9 125,1 125,3 125,5 K (ma) 124,4 124,5 124,7 124,9 125,1 125,3 125,5 CE (V) 1,3 1,5 2 3 5 10 ----- C (ma) 126 126,4 127,2 128,3 130,3 132,4 ----- K (ma) 126 126,4 127,2 128,3 130,3 132,4 ----- Tab. č.6 Měření výstupní charakteristiky tranzistoru K605 při B =2mA CE (V) 0,03 0,05 0,06 0,08 0,1 0,11 0,13 C (ma) 5,62 12,69 19,52 27,84 37,09 40,5 46,51 K (ma) 5,62 12,69 19,52 27,84 37,09 40,5 46,51 CE (V) 0,15 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 C (ma) 50,42 55,56 56,94 57,11 57,16 57,22 57,27 K (ma) 50,42 55,56 56,94 57,11 57,16 57,22 57,27 CE (V) 0,8 0,9 1,1 1,3 1,5 2 3 C (ma) 57,34 57,38 57,5 57,63 57,74 57,97 58,32 K (ma) 57,34 57,38 57,5 57,63 57,74 57,97 58,32 CE (V) 5 10 ----- ----- ----- ----- ----- C (ma) 58,8 59,44 ----- ----- ----- ----- ----- K (ma) 58,8 59,44 ----- ----- ----- ----- ----- Tab. č.7 Měření výstupní charakteristiky tranzistoru K605 při B =1mA CE (V) 0,05 0,06 0,08 0,11 0,13 0,2 0,3 C (ma) 5,81 8,3 12,4 18,37 21,2 25,71 26,25 K (ma) 5,81 8,3 12,4 18,37 21,2 25,71 26,25 CE (V) 0,5 1 2 3 5 10 ----- C (ma) 26,32 26,41 26,51 26,61 26,75 26,97 ----- K (ma) 26,32 26,41 26,51 26,61 26,75 26,97 ----- Tab. č.8 Měření vstupní charakteristiky tranzistoru K605 při CE =1,5V BE (mv) -410-500 -540-550 -560-570 -580 B (ma) 0-0,019-0,101-0,132-0,193-0,255-0,378 K (ma) 0-0,019-0,101-0,132-0,193-0,255-0,378 BE (mv) -590-600 -610-620 -630-640 -650 B (ma) -0,503-0,692-0,961-1,307-1,782-2,444-3,278 K (ma) -0,503-0,692-0,961-1,307-1,782-2,444-3,278 BE (mv) -660-670 -680-690 -700-708 ----- B (ma) -4,31-5,888-7,513-9,831-12,60-15,01 ----- K (ma) -4,31-5,888-7,513-9,831-12,60-15,01 -----

REDL 3.EB 11 7/13 Tab. č.9 Měření vstupní charakteristiky tranzistoru K605 při CE =0,5V BE (mv) -420-500 -550-570 -580-590 -600 B (ma) 0-0,026-0,142-0,275-0,365-0,507-0,677 K (ma) 0-0,026-0,142-0,275-0,365-0,507-0,677 BE (mv) -610-620 -630-640 -650-660 -670 B (ma) -0,942-1,284-1,736-2,387-3,192-4,173-5,543 K (ma) -0,942-1,284-1,736-2,387-3,192-4,173-5,543 BE (mv) -680-690 -700-711 ----- ----- ----- B (ma) -7,155-9,136-11,69-15,06 ----- ----- ----- K (ma) -7,155-9,136-11,69-15,06 ----- ----- ----- Tab. č.10 Vypočtené parametry h v pracovním bodě CE =5V Parametr h h 11 h 12 h 21 h 22 Hodnota 111,67 0,447 35,5 42,6 Jednotka --------- --------- ms CE napětí mezi kolektorem a emitorem BE napětí mezi bází a emitorem C proud tekoucí do kolektoru B proud tekoucí do báze K korigovaný proud h 11 vstupní odpor tranzistoru h 12 zpětný napěťový přenos h 21 proudový zesilovací činitel h 22 výstupní vodivost 7.VÝPOČTY Výpočet korigovaného proudu: K R V Například: K R V 59,44 10 3 10 7 10 59,439 10 3 ma Výpočet parametru h 11 : h 11 BE B

REDL 3.EB 11 8/13 například: h 11 BE B 0,670 3 6 10 111,67 Výpočet parametru h 12 : h 12 BE CE například: h 12 BE CE 0,670 1,5 0,447 výpočet parametru h 21 : h 21 C B například: h 21 C B 213 10 6 10 3 3 35,5 Výpočet parametru h 22 : h 22 C CE například: h 22 C CE 3 213 10 5 42,6mS 8.GRAFY Výstupní charakteristiky tranzistoru K605 viz. str.:10 Vstupní charakteristiky tranzistoru K605 viz. str.:11 Převodní charakteristika tranzistoru K605 viz. str.:12 Zpětná charakteristika tranzistoru K605 viz. str.:13

REDL 3.EB 11 9/13 9.SEZNAM MĚŘÍCÍCH PŘÍSTROJŮ Označení Název a typ přístroje Výrobní číslo 1 regulovatelný zdroj Station TYP 2229 0412026 2 regulovatelný zdroj Station TYP 2229 0412026 V 1 digitální voltmetr METEX ME-32 EJ010536 V 2 digitální voltmetr METEX ME-32 EJ009958 A 1 digitální ampérmetr METEX ME-32 EJ010536 A 2 digitální ampérmetr GDM-8145 C190079 T měřený tranzistor -------- R B ochranný rezistor -------- 10.ZÁVĚR Naším úkolem bylo změřit vstupní a výstupní charakteristiky. Z teoretického rozboru vyplývá, že tranzistor je součástka velmi závislá na teplotě. Z tohoto důvodu jsme měřili vždy od největší hodnoty po nejmenší a co nejrychleji, z důvodu, aby byla teplota na tranzistoru co nejstálejší. Měření výstupních charakteristik proběhlo téměř bez problémů. Z grafu výstupních charakteristiky vyplývá, že při proudu do báze B =15mA, jsme neměřili dostatečně rychle na to, aby se teplota příliš nezměnila. A charakteristika při tomto proudu je trochu deformována. Při měření ostatních proudů do báze se tento problém podařilo eliminovat a charakteristiky mají správný tvar. měření vstupních charakteristik nastal problém, že vstupní charakteristiky při obou parametrech CE leží téměř na sobě. převodní charakteristiky nenastal žádný problém a vypadá téměř jako přímka, pouze na počátku je trochu zaoblená.

REDL 3.EB 11 10/13 VÝSTPNÍ CHARAKTERSTKY TRANZSTOR K605 700 B =15mA 600 C (ma) 500 400 B =10mA 300 B =8mA 200 100 0 B =6mA B =4mA B =2mA B =1mA 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 CE (V)

REDL 3.EB 11 11/13 B (ma) VSTPNÍ CHARAKTERSTKY TRANZSTOR K605-16 -14-12 -10-8 -6-4 -2 0 0-100 -200-300 -400-500 CE =1,5V CE =0,5V -600-700 BE (mv) -800

REDL 3.EB 11 12/13 PŘEVODNÍ CHARAKTERSTKA TRANZSTOR K605 V PRACOVNÍM BODĚ CE =5V 700 600 500 C (ma) 400 300 200 100-16 -14-12 -10-8 -6-4 -2 0 0 B (ma)

REDL 3.EB 11 13/13 ZPĚTNÁ CHARAKTERSTKA TRANZSTOR K605 CE (V) 0 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1 1,1 1,2 1,3 1,4 1,5-100 -200-300 -400-500 -600 BE (mv) -700-800