P1, P2 - SPOJENÍ POLOVODIČOVÉHO SENZORU S PC

Transkript

1 P1, P2 - SPOJENÍ POLOVODIČOVÉHO SENZORU S PC Úvod Od samého počátku své existence sleduje měřicí technika dva základní směry vývoje. První směr hledá nové měřicí principy, druhý se snaží dosáhnout stále dokonalejší zpracování získané informace. Relativně snadná dostupnost výkonné, přitom finančně únosné počítačové techniky se v současné době uvádí jako hlavní příčina podstatných změn v mnoha oborech lidské činnosti a tedy i v měřicí technice. Speciální nebo vhodně doplněný počítač se stává mocným nástrojem pro automatické experimentování či řízení technologických procesů s možností snadné variability činnosti. Komunikace počítače s reálným objektem může mít nejrůznější podobu. Nejčastěji však bývá realizován styk přes standardní sériové rozhraní typu RS (RS 232, RS 422, RS 485), standardní rozhraní GPIB (IMS-2) nebo multifunkční adaptér vkládaný v podobě zásuvné karty na V/V (Vstupně/Výstupní) sběrnici počítače. Poslední ze tří jmenovaných způsobů komunikace je procvičován v rámci této laboratorní práce. Multifunkční adaptér (měřicí karta) Multifunkční adaptér ve spojení s PC patří mezi virtuální měřicí přístroje s určitou vlastní inteligencí, která je daná podpůrným programem. Řada výrobců nabízí karty určené k zabudování do počítače v různých kvalitativních třídách. Téměř všechny karty však mají přibližně stejnou skladbu. Většinou umožňují měřit 16 různých analogových (spojitých) napěťových signálů (pomocí tzv. A/D kanálů) v pevném nebo nastavitelném rozsahu, osm nebo šestnáct vstupních digitálních signálů (často také alternativně označovaných jako číslicové, diskrétní, logické nebo dvouhodnotové signály) a obvykle i počet impulsů. Karty bývají vybaveny jedním nebo dvěma analogovými výstupy (D/A kanály) a opět osmi nebo šestnácti digitálními výstupy, určenými pro ovládání experimentu nebo procesu. Blíže viz příloha 1. Měřicí program EfLab Karty mohou s počítačem komunikovat s podporou speciálních programů psaných v obvyklých jazycích (BASIC, PASCAL, C), avšak mnohem pohodlnější je využít univerzální měřicí a řídicí programy a to od plně profesionálních, až po jednoduché účelové produkty. Za programový produkt střední kategorie lze považovat i program EFLAB tuzemské firmy IPP Measure. Přestože využívá ještě funkce operačního systému DOS, vyznačuje se extrémní jednoduchostí a je tedy vhodný i pro základní seznámení osob bez znalosti programování se způsobem návrhu měřicích aplikací. Z toho důvodu čísla zadávaná v programu EfLab stejně jako v operačním systému DOS používají jako desetinný oddělovací znak tečku a čeština zde používaná je bez diakritických znamének. EFLAB je program dialogového typu, který je určený pro automatizaci měření a řízení procesů, s možností tvorby téměř libovolných, podmínečně větvených scénářů. Podporuje možnost kalibrace (v programu je používán starší pojem cejchování ) celého měřicího řetězce. Za předpokladu znalosti alespoň čtyř dvojic vzájemně si příslušejícího naměřeného napětí a odpovídající hodnoty měřené veličiny, program vypočte jejich vzájemný vztah vyjádřený jako polynom třetího stupně. Šestnáct tzv. výpočetních kanálů umožňuje během měření průběžný výpočet potřebných matematických vztahů používajících základní aritmetické ope- 1

2 rátory a funkce, číselné nebo symbolické konstanty a měřené (nebo počítačem generované) pomocné parametry. Zabudované funkce běžně užívaných regulátorů (s proporcionální, derivační a integrační složkou) jsou určeny pro řízení procesu podle okamžitých naměřených hodnot a požadovaného chování. Připojená statistika umožňuje automatické hodnocení měření pro všechny žádané proměnné. Logická funkce typu IF (kterou program nabízí) je mocným prostředkem pro vyhodnocení rozhodovacích podmínek. Průběh měření (a řízení) je možné vypsat ve formě protokolu s doplněným textem a při grafickém zpracování je možné vygenerovat XY grafy, přitom jednou z veličin může být i čas. Tímto způsobem získané dokumenty mají však pouze pracovní charakter a pro získání dokumentů na v současné době očekávané úrovni je nezbytný export dat např. do tabulkového kalkulátoru EXCEL a textového editoru WORD. Program EfLab je využitelný ve dvou základních režimech. Ve statickém režimu není možné měřit data a provádět výpočty rychleji než přibližně padesátkrát za sekundu. Přitom nejrychlejší možné ukládání naměřených a vypočtených hodnot do paměti počítače je jedenkrát za sekundu. Statický režim, pokud tomu nebrání použitý multifunkční adaptér, umožňuje: 1. Obsluhovat až 16 vstupních kanálů A/D (analogově-digitálního) převodníku. Je tedy možné měřit až šestnáct různých nezávislých veličin prezentovaných analogovým signálem v tomto případě vždy napětím. 2. Obsluhovat až 4 vstupní kanály čítačů/časovačů. Pomocí těchto kanálů program může měřit frekvenci opakování a případně dobu trvání určitého jevu nebo počítat impulsy. 3. Nadefinovat až 16 výpočtových kanálů. Program je tak schopen okamžitě (v reálném čase) matematicky zpracovávat naměřené hodnoty podle zadaných vztahů. 4. Nastavit pro kanály A/D převodníku a čítačů limitní hodnoty. Překročení je programem signalizováno ve dvou krocích. Přiblížení k limitní hodnotě program označí jako kritický stav, překročení této hodnoty je pak klasifikováno jako stav havarijní. 5. Využít až 6 výstupních kanálů D/A (digitálně-analogového) převodníku. Nejčastější využití je ve spojení se zabudovanými algoritmy regulátorů PID pro řízení procesu. 6. Ovládat až 16 vstupních a výstupních digitálních linek. 7. Volbu automatického nebo ručního pokynu k provedení odměru a uložení výsledku. 8. Určit podmíněný (např. určitou hodnotou měřené veličiny) nebo nepodmíněný START a STOP měření. Jednotlivé kanály jsou ve statickém režimu ovládány tzv. multiplexně, tedy postupně jeden po druhém a nikoli všechny v jednom časovém okamžiku. V dynamickém režimu je měření řízeno multifunkčním adaptérem. Dosažitelná rychlost odměrů je závislá na použitém adaptéru a programem je omezena na vzorků za sekundu. Program je pak možné využít jako: 1. Osciloskop použitelný pro měření periodicky se opakujících signálů. 2. Transient memory (paměť přechodových dějů) režim je vhodný pro jednorázové rychlé a neopakující se děje. V obou režimech (statickém i dynamickém) je možné: 1. Kalibrovat jednotlivé kanály A/D převodníku tak, aby měření bylo v souladu se skutečnou hodnotou měřené veličiny. 2. Vytvořit protokol měření obsahující libovolný komentář a výpis výsledků měření. Protokol je možné zobrazit na monitoru počítače a vytisknout nebo uložit do textového souboru. 2

3 Uložené soubory lze pomocí konverzního programu EFCONV transportovat do tabulkových procesorů (např. EXCEL). 3. Generovat protokol POST MORTEM, který v případě, že program zjistil havarijní stav některého kanálu, obsahuje posledních dvacet naměřených hodnot. 4. Využívat jednoduchý kalkulátor. 5. Prezentovat výsledky měření ve formě grafického protokolu. Tento protokol může obsahovat až čtyři různé grafy, které lze v daných mezích upravit. Výsledné grafy lze zobrazit na monitoru nebo vytisknout. Grafy lze také uložit do souborů ve formátu HPGL a transportovat do některých vyšších programových produktů, např. typu CAD. 6. Nadefinovat zvolené posloupnosti podmínečně větveného měření v rámci předem připraveného scénáře. Podrobnější informace lze získat z manuálu programu EFLAB nebo v demonstračním programu EFDEMO, případně přímo v programu EFLAB voláním nápovědy pomocí rychlého klíče F1. Polovodiče - základní pojmy Od kovů se polovodiče liší především tím, že mají větší měrný elektrický odpor ρ, řádově v intervalu 10-4 Ω m až 10 8 Ω m (kovy řádově 10-8 Ω m až 10-6 Ω m). Samotný měrný odpor však k zařazení látky mezi polovodiče nestačí. Důležité je, že elektrické vlastnosti polovodičů závisí mnohem více než elektrické vlastnosti kovů na teplotě, dopadajícím záření, popř. na obsahu různých příměsí. Proto jsou senzory fyzikálních i chemických veličin často založeny právě na polovodičích. S rostoucí teplotou se odpor polovodičů rychle zmenšuje, zatímco odpor kovů se s teplotou zvyšuje (viz obr. 1). Obr. 1 Závislost měrného elektrického odporu kovu a polovodiče na teplotě Mezi polovodiče patří některé chemické prvky, např. křemík Si, germanium Ge, selen Se a některé chemické sloučeniny, např. arsenid galia GaAs, fosfid india InP, sulfid olovnatý PbS aj. Nejrozšířenějším materiálem pro výrobu polovodičových součástek je v současné době velmi čistý monokrystalický křemík. Vlastní polovodiče Atom křemíku má v elektronovém obalu 14 elektronů, z nichž 10 je pevně vázáno k jádru atomu a čtyři zbývající vytvářejí elektronové vazebné dvojice se čtyřmi sousedními atomy v krystalové mřížce. Tento druh vazby mezi atomy označujeme jako kovalentní vazbu. Na obr. 2 je zjednodušený rovinný model krystalové mřížky křemíku. Aby se elektron z kovalentní vazby uvolnil, je třeba mu dodat poměrně malou energii 1,1 ev (čili přibližně 1, J). Při velmi nízkých teplotách jsou všechny valenční elektrony zapojeny do vazeb mezi atomy a křemík má vlastnosti izolantu. Při běžných teplotách však stačí dodat např. zahříváním jen 3

4 málo energie a elektrony se z vazby mohou uvolnit za vzniku tzv. volných elektronů. Porušením vazby vzniknou současně dva druhy volných částic s nábojem, a to vždy v párech. Vznik (generace páru elektron-díra) těchto párů je znázorněn na obr. 3. Obr. 2 Model struktury křemíku Obr. 3 Vznik páru elektron díra Pojmem díra charakterizujeme jev, kdy uvolněný valenční elektron chybí ve vazbě mezi atomy. Materiál byl zpočátku v elektricky neutrálním stavu, a proto na místě po uvolněném elektronu bude kladný náboj. Díra tedy nepředstavuje skutečnou částici s kladným nábojem (jakou je třeba proton), ale prázdné místo, na které může přejít jiný elektron. Pohyb díry si představujeme tedy tak, že některý z valenčních elektronů sousedních vazeb (v daném okamžiku ještě neporušených) přeskočí na místo porušené vazby. Tím se obnoví původně porušená vazba, díra zanikne, ale objeví se na jiném místě. Díry pak mohou v krystalu putovat podobně jako elektrony. Díra může také definitivně zaniknout, když prázdné místo vyplní volný elektron (rekombinace páru elektron-díra). V čistém křemíku je hustota děr rovna hustotě volných elektronů. Při běžné teplotě je rovna 6, m -3. S rostoucí teplotou hustota děr a volných elektronů (tj. volných nosičů náboje) roste, proto se odpor polovodiče při zahřívání zmenšuje. Není-li polovodič zapojen ke zdroji napětí, je pohyb volných nosičů náboje neuspořádaný. Po připojení ke zdroji napětí vznikne v polovodiči elektrické pole, které způsobí, že vedle neuspořádaného pohybu se volné nabité částice pohybují uspořádaně: volné elektrony proti směru a díry po směru intenzity elektrického pole. Vznikne tedy elektrický proud složený z proudu elektronového a proudu děrového. Nevlastní (příměsové) polovodiče Hustota párů elektron-díra u vlastních polovodičů je pro praktické využití nedostatečná. Zvýšení hustoty volných elektronů nebo děr se dosáhne přítomností příměsí (krystalová porucha typu příměs). Jako příměs se volí atomy s oxidačním číslem pět (P, As, Sb) nebo s oxidačním číslem tři (B, In, Ga). Vedle vlastní vodivosti vzniká vodivost příměsová. Podle druhu příměsi rozlišujeme polovodiče s vodivostí elektronovou (polovodiče typu N) a s vodivostí děrovou (polovodiče typu P). Polovodič typu N Elektronovou vodivost vytvářejí v křemíku atomy s pěti valenčními elektrony. např. atomy fosforu. Atom fosforu nahrazuje ve struktuře krystalu křemík a čtyři z jeho valenčních elektronů přispívají k nasycení vazeb se sousedními atomy Si (obr. 4). Pátý elektron zůstává slabě vázaný na atom fosforu, takže již při nízké teplotě se stává v krystalu volným. V křemíku s příměsí fosforu je tedy nadbytek volných elektronů. Proto tyto elektrony označujeme jako většinové (majoritní) nosiče náboje a díry jako nosiče menšinové (minoritní). 4

5 Z příměsového prvku se ve struktuře krystalu stávají kladné nepohyblivé ionty (ionizovaný příměsový atom), které se nazývají donory. Polovodič typu P Děrová vodivost vzniká v křemíku vlivem příměsi se třemi valenčními elektrony, např. bóru. Tím na plné obsazení vazeb se sousedními atomy Si chybí jeden elektron. Jedna ze čtyř vazeb není tedy plnohodnotná. Při dodání velmi malého množství energie zaplní prázdné místo ve vazbě (prázdné místo je zatím bez elektrického náboje) elektron z některé sousední vazby a na jeho původním místě vznikne volná díra. Díry jsou tedy v tomto případě majoritní nosiče náboje, zatímco elektrony jsou zde nosiči minoritními. Zaplněním neúplné vazby elektronem vzniká nepohyblivý záporný iont boru (ionizovaný příměsový atom) zvaný akceptor. Obr. 4 křemík s příměsí fosforu Obr. 5 Křemík s příměsí boru Princip polovodičového senzoru Plynové senzory slouží v mnoha oblastech lidské činnosti, jedná se především o detekci nebezpečných plynů (úniky výbušných nebo toxických plynů, průmyslové závody, doly), plynů škodlivých pro životní prostředí (oxidy dusíku a síry, ozón) a plynných produktů spalování (požární hlásiče, oxid uhelnatý při nedokonalém spalování). Plynové senzory nalézají též uplatnění v chemickém průmyslu (složení reakčních směsí), automobilovém průmyslu (lambda sonda pro měření parciálního tlaku kyslíku ve výfukových plynech) a silničních kontrolách řidičů (dechová zkouška). Polovodičový plynový senzor využívá změny vodivosti polovodiče v důsledku chemických vlivů - přítomnost redukční nebo oxidační složky v atmosféře. Citlivá část senzoru - polovodič - může mít tvar keramické perličky nebo je ve formě polovodivé vrstvy nanesené na elektricky nevodivém substrátu. Polovodič musí být chemicky stálý, tj. nesmí chemicky reagovat se žádnou složkou obsaženou v měřené atmosféře. Proto se pro konstrukci senzoru nepoužívá např. křemík, který se na vzduchu pokrývá vrstvou nevodivého oxidu. Nejčastěji tvoří citlivou část polovodivé oxidy: SnO 2, In 2 O 3, ZnO, Fe 2 O 3 aj., které již nemohou dále oxidovat a měnit tím své elektrické vlastnosti. Obvyklým materiálem je SnO 2 především pro svoji optimální hodnotu měrného elektrického odporu. SnO 2 obsahuje za normálních podmínek kyslíkové vakance (deficit kyslíkových atomů), je tedy nestechiometrický, takže správnější zápis je SnO 2-x. Kyslíkové vakance se chovají jako elektronové donory, oxid cíničitý je tudíž přirozeně polovodič typu N. Pro ovlivnění vodivosti polovodiče v senzoru musí docházet ke kontaktu polovodiče a plynné fáze. Interakce mezi pevnou a plynou látkou se děje obecně na základě dějů: adsorpce, absorpce a chemisorpce. Adsorpce představuje zachycování plynných molekul na povrchu pevné látky pomocí slabých interakcí (fyzikálních sil, např. van der Waalsovy síly), molekuly plynu jsou na povrchu vázány slabě, může tedy snadno dojít k jejich uvolnění - 5

6 desorpci. Absorpce znamená pronikání plynných molekul, případně jejich fragmentů - atomů, do objemu pevné fáze. Plynové polovodičové senzory využívají tzv. chemisorpce, při které dochází k vázání molekul plynu na povrchu pevné látky chemickými silami - tj. chemickou vazbou. Chemická vazba při chemisorpci je daleko pevnější než fyzikální interakce v případě adsorpce, její vznik je doprovázen přenosem elektronů. Předání elektronů mezi dvěma reagujícími látkami se nazývá oxidačně-redukční (nebo též redoxní) děj, při němž oxidační činidlo elektrony přijímá, tím se samo redukuje (tj. snižuje oxidační číslo). Na druhou stranu redukční činidlo elektrony odevzdává, oxidační číslo se u něj zvyšuje, tj. oxiduje se. Ve vzduchové atmosféře se na povrch polovodiče typu N chemisorbuje kyslík (oxidační plyn) za vzniku aniontů O 2 - nebo O Molekulární anionty vznikají tak, že odčerpají volné elektrony z polovodiče. Oxidační plyn tedy působí jako povrchový akceptor, vodivost N polovodiče snižuje pod povrchem na minimum. U polovodiče typu P by se vodivost vlivem oxidačního plynu naopak zvyšovala. V případě, že se ve vzduchové atmosféře objeví redukční plyn například methan (tvoří cca 98 % z objemu zemního plynu), dochází za určitých podmínek k jeho reakci s chemisorbovaným kyslíkem za vzniku plynných produktů - oxidu uhličitého a vody. Produkty reakce jsou elektroneutrální, přebytečný záporný náboj se vrací ve formě volných elektronů zpět do polovodiče. Vodivost polovodiče se zvýší. Nárůst vodivosti je tím vyšší, čím vyšší je koncentrace a reaktivita redukčního plynu. Změna vodivosti je vratná, při snížení koncentrace redukčního plynu na nulu se obnoví počáteční stav, tj. opětovně se naváže kyslík na povrch polovodiče a vodivost se vrátí na původní hodnotu. Měřením vodivosti resp. elektrického odporu polovodiče lze tedy určit koncentraci plynu oxidačně-redukční povahy. Pro správnou funkci obsahuje senzor kromě polovodiče ještě topný element. Vyhřívání usnadňuje překonávání aktivační energie chemických reakcí, které na povrchu polovodivé části senzoru probíhají. Pro snížení aktivační energie povrchových reakcí bývá polovodič pokryt vhodným katalyzátorem. Praktické provedení polovodičových chemických senzorů Světovým producentem polovodičových senzorů se stala japonská firma FIGARO Engineering Inc. Firma vyrábí celou řadu senzorů pod označením TGS (s doplňkovým číselným označením), určených pro detekci různých plynů, např. CO, NH 3, C 2 H 5 OH, H 2, řady uhlovodíků (CH 4, C 3 H 8, i-c 4 H 10 ), freonů atd. Přestože řada jiných výrobců nabízí senzory vykazující srovnatelné a případně i lepší parametry, firma FIGARO dosud své dominantní postavení na trhu neztratila díky hromadné výrobě a tradici. Jedno z běžných konstrukčních uspořádání je uvedeno na obr. 6. Senzor je tvořen nosnou trubičkou z elektricky nevodivého materiálu (keramiky), na jejímž vnějším povrchu je vytvořen systém dvou měřicích elektrod, pokrytý polovodivou citlivou vrstvou. Uvnitř trubičky je uložena topná šroubovice pro ohřev celého systému. Schéma takto koncipovaného senzoru je na obr. 7a. Jiný způsob možnosti provedení polovodičového senzoru u kterého je jedna měřicí elektroda a topná šroubovice sloučena do jediného elementu dokumentuje schéma na obr. 7b. Protože principem detekce sledovaného plynu je interakce plynné fáze s povrchem pevného polovodiče, je nezbytné z důvodu dostatečné citlivosti senzory konstruovat tak, aby povrch polovodiče byl vzhledem k objemu polovodiče dostatečně velký. Toho lze dosáhnout buď sintrováním (spečením) malých zrn polovodiče do podoby vysoce porézní keramické perličky nebo tlusté vrstvy a případně využitím tenkých vrstev nanášených na vhodný plošný substrát pomocí vakuového napařování nebo naprašování. Hlavní oblastí použití polovodičových chemických senzorů je realizace jednoduchých detektorů spalitelných plynů. Pro úspěšné nasazení je však nezbytné dostatečné pochopení základních vlastností takových senzorů. Souhrnně je možno uvést několik společných poznatků důležitých pro praktickou aplikaci. 6

7 1. K normální funkci je nezbytná přítomnost kyslíku. 2. Parciální tlak kyslíku by měl být konstantní. 3. Senzor vykazuje malou citlivost na sledovaný plyn až do teploty, kdy začne být oxidačně aktivní. 4. Senzor vyžaduje stabilizaci teploty nebo řízení teplotního režimu. 5. Senzory jsou obecně neselektivní. Zvýšenou citlivost k určitým plynům je možné ovlivňovat pracovní teplotou nebo přídavkem vybraných oxidačně aktivních katalyzátorů. 6. Polovodičové senzory umožňují detekci až o tři dekadické řády nižších koncentrací než jiné běžné senzory. kovová síťka žhavicí šroubovice 1.elektroda patice s krytkou nosná trubička s citlivou vrstvou 2.elektroda Obr. 6 Senzor TGS řady 800 trubičkový typ topení 1. elektroda polovodivá hmota topení +2. elektroda polovodivá hmota elekroizolant 2. elektroda 1. elektroda a) b) Obr. 7 Polovodičový senzor a) s odděleným topným a měřicím systémem b) se společným topným a měřicím systémem 7

8 Perličkový senzor VŠCHT Pro zvýšení bezpečnosti provozů s možností výskytu nebezpečných koncentrací výbušných plynů a par byl na Ústavu fyziky a měřicí techniky vyvinut polovodičový senzor, který byl využit pro realizaci zabezpečovacích systémů. Senzor je tvořen spirálou (šroubovicí) a měřicí elektrodou zabudovanou do porézního keramického polovodiče ve smyslu obr. 7b. Spirála je vinuta z platinového drátu a zastává dvě základní funkce. Za prvé spirála slouží jako topný element, jehož úkolem je vyhřát polovodič na pracovní teplotu. Za druhé je tato spirála spolu s další měřicí elektrodou součástí měřicího systému, určeného pro vyhodnocení změn vodivosti keramického polovodiče, sintrovaného ze zrn kovových oxidů (SnO 2, In 2 O 3 ) a Pt katalyzátoru. Schéma senzoru v základním elektrickém zapojení je na obr. 8. U N U M R N R M U A A C topný element a 2. elektroda B I D UD U C polovodivá keramika 1. elektroda Obr. 8 Polovodičový chemický senzor VŠCHT v základním zapojení V uvedeném zapojení se po připojení napájecího napětí U M a U N projeví změny elektrické vodivosti polovodivé keramiky jako změny proudu I protékajícího keramikou. Při vhodné volbě velikosti sériového odporu R M vzniká při průtoku proudu na odporu měřitelný napěťový úbytek. Pak lze napětí U C použít jako měronosný signál koncentrace. V případě kovové měřicí elektrody dostatečného průřezu není mezi body C a D měřitelný napěťový úbytek a napětí U C a U D pak lze považovat za totožné. S výhodou je v takovém případě možné ve spojení s multifunkčním adaptérem využít U C pro detekci skutečného napětí a U D případně pro detekci údaje o objemové koncentraci sledovaného plynu (např. v procentech) a to na základě získaného kalibračního vztahu. Zařazením vhodně zvoleného odporu R N do série s topnou platinovou spirálou je možné z úbytku napětí na tomto odporu odvodit hodnotu topného proudu protékajícího spirálou. Následně lze z naměřené hodnoty napětí U A s využitím Ohmova zákona určit odpor platinové spirály a ze závislosti odporu na teplotě (viz odporové platinové teploměry) je pak možné určit teplotu senzoru. Získaný údaj o teplotě je možné vy- 8

9 užít k řízení teploty senzoru nebo k různým výpočtům. Senzor je umístěn v kovové fritě, která omezuje vliv proudění a funguje jako protiexplozní vložka. Toto je pak umístěno v kyvetě se dvěma olivkami Svorkovnice Multifunkční adaptér A3 A1 A0 A4 GND B0 BIT0 B1 BIT1 B2 BIT2 U N U M U C U D U S GHD IN1 OUT 1IN2 OUT 2IN3 OUT 3 5 V + Zdroj BS-525 BK 125 A2 R N R M U A Dvojhodnotové výstupy (diody emitující světlo - LED) Nastavení úrovně signálu NEPOUŽÍVAT! A C OUT1 OUT2 OUT3 IN1 IN2 IN3 Dvojhodnotové vstupy 3x přepínač B D Senzor odpojitelné kabely trvalé propojení přes svorkovnici na multifunkční adaptér Schéma připojení panelu pro úlohu P "Spojení polovodičového senzoru s PC 9