2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě nízkofrekvenční nevýkonový tranzistor KC 639. Mezní hodnoty jsou uvedeny v tabulce:

Rozměr: px
Začít zobrazení ze stránky:

Download "2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě nízkofrekvenční nevýkonový tranzistor KC 639. Mezní hodnoty jsou uvedeny v tabulce:"

Transkript

1 RIEDL 3.EB 10 1/11 1.ZADÁNÍ a) Změřte statické hybridní charakteristiky tranzistoru KC 639 v zapojení se společným emitorem (při měření nesmí dojít k překročení mezních hodnot). 1) Výstupní charakteristiky na krátko pro I B =5, 10, 20, 30, 40, 50 A, I C =f(u CE ) 2) Vstupní charakteristiky nakrátko pro U CE =1; 1,5V, I B =f(u BE ) b) Graficky znázorněte průběh vstupní, výstupní a převodní charakteristiky. Statický parametr volte tak, aby odpovídal pracovnímu bodu tranzistoru, jako zesilovače ve třídě A. c) Určete H parametry v tomto pracovním bodě. 2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě nízkofrekvenční nevýkonový tranzistor KC 639. Mezní hodnoty jsou uvedeny v tabulce: Označení U CE (V) I C (A) P C (mw) KC U CE maximální napětí mezi kolektorem a emitorem I C maximální proud do kolektoru P C maximální výkon do kolektoru 3.TEORETICKÝ ROZBOR 3.1 ROZBOR PŘEDPOKLÁDANÝCH VLASTNOSTÍ MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Tranzistor je polovodičová součástka, která má dva přechody PN. P značí polovodič, který má nevlastní vodivost, ve které jsou majoritními nosiči náboje díry. Polovodič s nevlastní vodivostí typu P vzniká tak, že do vlastního polovodiče například do křemíku přidáme trojmocný prvek například indium. Indium vytvoří vazbu se čtyřmocným křemíkem a v této struktuře volná díra díky tomu, že atom india se spojí pouze se třemi atomy křemíku a mezi čtvrtým atomem křemíku a atomem india vazba nevznikne. Polovodič typu N je nevlastní polovodič, ve kterém jsou majoritními nosiči náboje volné elektrony. Tento typ polovodiče vzniká tak, že do polovodiče s vlastní vodivostí přidáme pětimocný prvek například fosfor. Atom fosforu se spojí se čtyřmi okolními atomy vlastního polovodiče a vytvoří s nimi vazbu, ale protože fosfor je pětimocný prvek, tak mu ještě jeden elektron přebývá a stačí velmi malá energie, aby se tento elektron od fosforu odpojil a stal se tak volným nosičem náboje. Rozlišujeme dva základní typy bipolárních tranzistorů a jsou to: PNP a NPN. Toto rozlišení určuje jakým způsobem jsou uspořádány jednotlivé typy vodivostí polovodiče v tranzistoru. Každý z těchto dvou typů tranzistorů se také jinak zapojuje do obvodu a mají i jinou schématickou značku. Tyto tranzistory jsou řízeny proudem přivedeným do báze. Jedním z hlavních parametrů tranzistoru je proudový zesilovací činitel. Je to poměr proudu, který teče do kolektoru, a proudu, který teče do báze daného tranzistoru, a udává

2 RIEDL 3.EB 10 2/11 tedy, jak velký proud poteče kolektorem tranzistoru při daném proudu, který teče do báze tranzistoru. Měřený tranzistor je typu PNP, což vyplývá i z jeho zapojení do obvodu. Při měření tranzistoru je velmi důležité brát odhled na to, že polovodiče jsou velmi závislé na teplotě (se zvětšující se teplotou odpor polovodiče klesá), a proto musíme zajistit během měření pokud možno konstantní teplotu. Toto z části zajistíme tím, že budeme měřit od nejvyšší hodnoty po hodnotu nejnižší. 3.2 ROZBOR MĚŘÍCÍ METODY K výstupních i vstupních charakteristik tranzistoru využijeme dva zdroje. Při měření výstupních charakteristik jedním zdrojem nastavujeme proud, který teče do báze, a tím i proud, který teče do kolektoru, protože tento proud závisí na velikosti proudového zesilovacího činitele. Druhým zdrojem nastavujeme napětí mezi kolektorem a emitorem a proud, který teče do kolektoru. Ampérmetr a voltmetr zapojíme tedy vůči kolektoru a emitoru jako ohmovu metodu pro měření malých odporů. U této metody musíme brát ohled na chybu metody, která vzniká tak, že ampérmetrem měříme součet proudu, který protéká tranzistorem, a proudu, který protéká voltmetrem. Abychom tuto chybu eliminovali musíme provést korekci změřeného proudu podle vztahu: I K =I-U/R V kde I K je korigovaný proud, I je proud změřený ampérmetrem, U je napětí změřené voltmetrem a R V je vnitřní odpor voltmetru. Při měření vstupní charakteristiky nastavujeme jedním zdrojem konstantní napětí mezi kolektorem a emitorem. Druhým zdrojem nastavujeme napětí mezi bází a emitorem a měříme protékající proud. Ampérmetr a voltmetr zapojujeme vůči bázi a emitoru jako ohmovu metodu pro malé odpory. U této metody dochází k chybě, která je způsobena tím, že ampérmetrem měříme součet proudu, který protéká tranzistorem, a proudu, který teče voltmetrem. Proto musíme provést stejnou korekci jako při měření výstupních charakteristik. Při měření vstupních i výstupních charakteristik musíme před bázi připojit ještě ochranný rezistor, který nám zajistí, že tranzistor nezničíme tím, že do něj pustíme příliš velký proud. 4.SCHÉMA ZAPOJENÍ Schéma č.1 Zapojení pro měření výstupních charakteristik tranzistoru

3 RIEDL 3.EB 10 3/11 Schéma č.2 Zapojení pro měření vstupních charakteristik tranzistoru U B regulovatelný zdroj U C regulovatelný zdroj A 1 číslicový ampérmetr A 2 číslicový ampérmetr V 1 číslicový voltmetr V 2 číslicový voltmetr Tr měřený tranzistor R B ochranný rezistor 5.POSTUP MĚŘENÍ a) Zjistěte mezní parametry tranzistoru a při měření je nepřekročte b) Zapojte přístroje podle schématu č.1 c) Regulovatelným zdrojem U B nastavte požadovaný proud do báze tranzistoru. Začněte měřit od největší hodnoty proudu po hodnotu nejmenší d) Regulovatelným zdrojem U C nastavte požadované napětí mezi kolektorem a emitorem. Měřte od největší hodnoty napětí po hodnotu nejmenší e) Přečtěte hodnotu z voltmetru a zapište ji do tabulky f) Přečtěte hodnotu z ampérmetru A 2 a zapište ji do tabulky g) Pokračujte od bodu d). Pokud jste již změřili všechny potřebné hodnoty napětí a proudu pokračujte od bodu c). Pokud jste již změřili hodnoty napětí a proudů pro všechny požadované proudy do báze pokračujte následujícím bodem h) Zapojte přístroje podle schématu č.2 i) Regulovatelným zdrojem U C nastavte požadované napětí mezi kolektorem a emitorem. Měřte od největší hodnoty napětí po hodnotu nejmenší j) Regulovatelným zdrojem U B nastavte požadované napětí mezi bází a emitorem. Měřte od největší hodnoty po hodnotu nejmenší k) Přečtěte hodnotu z voltmetru V 1 a zapište ji do tabulky l) Přečtěte hodnotu z ampérmetru a zapište ji do tabulky m) Pokračujte od bodu j). Pokud jste již změřili všechny požadované hodnoty napětí a proudů pokračujte od bodu i)

4 RIEDL 3.EB 10 4/11 6.TABULKY NAMĚŘENÝCH A VYPOČTENÝCH HODNOT Tab. č.1 Měření výstupní charakteristiky tranzistoru KC 639 při I B =50 A I C (ma) 0,361 0,912 1,50 2,693 3,52 4,54 4,987 5,293 I k (ma) 0,361 0,912 1,50 2,693 3,52 4,54 4,987 5,293 I C (ma) 5,53 5,659 5,72 5,752 5,774 5,784 5,794 5,802 I k (ma) 5,53 5,659 5,72 5,752 5,774 5,784 5,794 5,802 I C (ma) 5,805 5,808 5,809 5,813 5,814 5,82 5,83 5,839 I k (ma) 5,805 5,808 5,809 5,813 5,814 5,82 5,83 5,839 I C (ma) 5,845 5,856 5,874 5,9 5,960 6,041 6,121 6,284 I k (ma) 5,845 5,856 5,874 5,9 5,960 6,041 6,121 6,284 Tab. č.2 Měření výstupní charakteristiky tranzistoru KC 639 při I B =40 A I C (ma) 0,332 0,578 1,384 2,175 2,778 3,404 3,924 4,13 I k (ma) 0,332 0,578 1,384 2,175 2,778 3,404 3,924 4,13 I C (ma) 4,315 4,418 4,455 4,48 4,493 4,501 4,50 4,51 I k (ma) 4,315 4,418 4,455 4,48 4,493 4,501 4,50 4,51 I C (ma) 4,51 4,91 4,93 4,92 4,92 4,93 4,94 4,93 I k (ma) 4,51 4,91 4,93 4,92 4,92 4,93 4,94 4,93 I C (ma) 4,95 4,97 4,97 4,98 5 5,05 5,08 5,133 I k (ma) 4,95 4,97 4,97 4,98 5 5,05 5,08 5,133 Tab. č.3 Měření výstupní charakteristiky tranzistoru KC 639 při I B =30 A I C (ma) 0,24 0,510 1,125 1,74 2,241 2,591 3,049 3,266 I k (ma) 0,24 0,510 1,125 1,74 2,241 2,591 3,049 3,266 I C (ma) 3,391 3,428 3,470 3,488 3,494 3,502 3,506 3,507 I k (ma) 3,391 3,428 3,470 3,488 3,494 3,502 3,506 3,507 I C (ma) 3,51 3,513 3,515 3,516 3,519 3,52 3,526 3,53 I k (ma) 3,51 3,513 3,515 3,516 3,519 3,52 3,526 3,53 I C (ma) 3,535 3,540 3,548 3,564 3,591 3,635 3,673 3,733 I k (ma) 3,535 3,540 3,548 3,564 3,591 3,635 3,673 3,733

5 RIEDL 3.EB 10 5/11 Tab. č.4 Měření výstupní charakteristiky tranzistoru KC 639 při I B =20 A I C (ma) 0,134 0,338 0,368 1,046 1,32 1,657 1,875 2,042 I k (ma) 0,134 0,338 0,368 1,046 1,32 1,657 1,875 2,042 I C (ma) 2,109 2,148 2,149 2,157 2,164 2,167 2,169 2,171 I k (ma) 2,109 2,148 2,149 2,157 2,164 2,167 2,169 2,171 I C (ma) 2,173 2,174 2,175 2,177 2,179 2,181 2,184 2,186 I k (ma) 2,173 2,174 2,175 2,177 2,179 2,181 2,184 2,186 I C (ma) 2,188 2,192 2,197 2,206 2,22 2,242 2,262 2,303 I k (ma) 2,188 2,192 2,197 2,2063 2,22 2,242 2,262 2,303 Tab. č.5 Měření výstupní charakteristiky tranzistoru KC 639 při I B =10 A I C (ma) 0,101 0,204 0,368 0,631 0,811 0,965 1,077 1,132 I k (ma) 0,101 0,204 0,368 0,631 0,811 0,965 1,077 1,132 I C (ma) 1,174 1,189 1,193 1,204 1,206 1,208 1,209 1,210 I k (ma) 1,174 1,189 1,193 1,204 1,206 1,208 1,209 1,210 I C (ma) 1,212 1,211 1,211 1,211 1,212 1,212 1,213 1,215 I k (ma) 1,212 1,211 1,211 1,211 1,212 1,212 1,213 1,215 I C (ma) 1,218 1,219 1,223 1,228 1,236 1,245 1,256 1,276 I k (ma) 1,218 1,219 1,223 1,228 1,236 1,245 1,256 1,276 Tab. č.6 Měření výstupní charakteristiky tranzistoru KC 639 při I B =5 A I C ( A) I k ( A) I C ( A) I k ( A) I C ( A) I k ( A) I C ( A) I k ( A)

6 RIEDL 3.EB 10 6/11 Tab. č.7 Měření vstupní charakteristiky tranzistoru KC 639 při U CE =1,5V U BE (mv) I B ( A) -0,01-0,02-0,03-0,05-0,05-0,06-0,08-0,1 I k ( A) -0,01-0,02-0,03-0,05-0,05-0,06-0,08-0,1 U BE (V) I B ( A) -0,12-0,16-0,23-0,34-0,42-0,68-0,88-1,22 I k ( A) -0,12-0,16-0,23-0,34-0,42-0,68-0,88-1,22 U BE (V) I B ( A) -1,84-2,82-3,95-5,92-8,52-12,45-18,73-27,18 I k ( A) -1,84-2,82-3,95-5,92-8,52-12,45-18,73-27,18 U BE (V) I B ( A) -40, I k ( A) -40, Tab. č.8 Měření vstupní charakteristiky tranzistoru KC 639 při U CE =1V U BE (V) I B ( A) ,33-0,41-0,70-0,89-1,34 I k ( A) ,33-0,41-0,70-0,89-1,34 U BE (V) I B ( A) -1,67-2,80-4,05-6,34-8,82-14,20-19,04-27,07 I k ( A) -1,67-2,80-4,05-6,34-8,82-14,20-19,04-27,07 U BE (V) I B ( A) -40, I k ( A) -40, Tab. č.9 Vypočtené parametry H v daném pracovním bodě Parametr H H 11 H 12 H 21 H 22 Hodnota 21,4 0, ,8 730,8 Jednotka k S 7.VÝPOČTY Výpočet korigovaného proudu: Například: I K =I-U/R V I K =I-U/R V =0,361mA-0,04/10M=0,360996mA Výpočet parametru H 11 : Například: H 11 =U BE /I B

7 RIEDL 3.EB 10 7/11 Výpočet parametru H 12 : H 11 =U BE /I B =0,642/30u=21,4kA H 12 =U BE /U CE Například: H 12 =U BE /U CE =0,642/1,5=0,428V Výpočet parametru H 21 : H 21 =I C /I B Například: H 21 =I C /I B =3,654m/30u=121,8 Výpočet parametru H 22 : Například: H 22 =I C /U CE H 22 =I C /U CE =3,654m/5=730,8μS 8.GRAFY viz. příloha 9.SEZNAM MĚŘÍCÍCH PŘÍSTROJŮ Zkratka Název a typ přístroje Výrobní číslo U B Regulovatelný zdroj Statron TYP U C Regulovatelný zdroj Statron TYP V 1 Digitální voltmetr METEX ME-32 EJ V 2 Digitální voltmetr METEX ME-32 EJ A 1 Digitální ampérmetr METEX ME-32 EJ A 2 Digitální ampérmetr GDM-8145 CE Tr Předložený tranzistor KC R B Ochranný rezistor

8 RIEDL 3.EB 10 8/11 10.ZÁVĚR Naším úkolem bylo změřit výstupní a vstupní charakteristiky předloženého tranzistoru KC 639. Z teoretického rozboru vyplívá, že tranzistor je součástka, která je velmi závislá na teplotě, proto jsme měření prováděli od největších hodnot po nejmenší, abychom tuto teplotní závislost co nejvíce eliminovali. Z grafu naměřených výstupních charakteristik vyplývá, že při měření s parametrem proudu do báze I B =40μA jsme nechali tranzistor příliš vychladnout mezi dvěmi naměřenými hodnotami. V případě ostatních proudů do báze se nám toto podařilo velmi dobře eliminovat a tento jev již nenastal. Při měření vstupních charakteristik nastala zvláštní chyba, že jsou naměřené hodnoty téměř stejné u obou daných napětích U CE. Z grafu převodní charakteristiky je vidět, že tranzistor je velmi tepelně závislá součástka, protože tento graf by měl být přímka a ne křivka.

9 RIEDL 3.EB 10 9/11 Výstupní charakteristiky tranzistoru KC I C (ma) 5 I B =50uA I B =40uA 4 I B =30uA 3 I B =20uA 2 1 I B =10uA I B =5uA U CE (V)

10 RIEDL 3.EB 10 10/11 I B (ua) Vstupní charakteristiky tranzistoru KC U BE (mv) -600 U CE =1,5V U CE =1V -700

11 RIEDL 3.EB 10 11/11 Převodní charakteristika tranzistoru KC I C (ma) I B (ua)

Typ UCE0 (V) IC (A) PCmax (W)

Typ UCE0 (V) IC (A) PCmax (W) REDL 3.EB 11 1/13 1.ZADÁNÍ Změřte statické charakteristiky tranzistoru K605 v zapojení se společným emitorem a) Změřte výstupní charakteristiky naprázdno C =f( CE ) pro B =1, 2, 4, 6, 8, 10, 15mA do CE

Více

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřený předmětem jsou v tomto případě polovodičové diody, jejich údaje jsou uvedeny v tabulce:

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřený předmětem jsou v tomto případě polovodičové diody, jejich údaje jsou uvedeny v tabulce: REDL 3.EB 8 1/14 1.ZADÁNÍ a) Změřte voltampérovou charakteristiku polovodičových diod pomocí voltmetru a ampérmetru v propustném i závěrném směru. b) Sestrojte grafy =f(). c) Graficko početní metodou určete

Více

4.SCHÉMA ZAPOJENÍ +U CC 330Ω A Y

4.SCHÉMA ZAPOJENÍ +U CC 330Ω A Y RIEDL 4.EB 4 1/8 1.ZADÁNÍ a) Změřte vstupní a převodovou charakteristiku integrovaného obvodu MH 7400 b) Výsledky zpracujte do tabulek a graficky znázorněte c) Zobrazené charakteristiky porovnejte s údaji

Více

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě zenerova dioda její hodnoty jsou uvedeny v tabulce:

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě zenerova dioda její hodnoty jsou uvedeny v tabulce: REDL 3.EB 9 1/11 1.ZADÁNÍ a) Změřte voltampérovou charakteristiku zenerovy diody v propustném i závěrném směru. Charakteristiky znázorněte graficky. b) Vypočtěte a graficky znázorněte statický odpor diody

Více

1.Zadání 2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU 3.TEORETICKÝ ROZBOR

1.Zadání 2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU 3.TEORETICKÝ ROZBOR RIEDL 4.EB 11 1/8 1.Zadání a) Změřte převodní charakteristiku optočlenu WK16321 U 2 =f(i f ) b) Ověřte přesnost obdélníkových impulzů o kmitočtu 100Hz a 10kHz při proudu vysílače 0,3I fmax a 0,9I fmax

Více

Měření vlastností a základních parametrů elektronických prvků

Měření vlastností a základních parametrů elektronických prvků Číslo projektu Číslo materiálu Název školy Autor Název Téma hodiny Předmět Ročník /y/ Z.1.07/1.5.00/34.0394 VY_32_NOVAE_EM_1.10_měření parametrů bipolárního tranzistoru Střední odborná škola a Střední

Více

- + C 2 A B V 1 V 2 - U cc

- + C 2 A B V 1 V 2 - U cc RIEDL 4.EB 10 1/6 1. ZADÁNÍ a) Změřte frekvenční charakteristiku operačního zesilovače v invertujícím zapojení pro růžné hodnoty zpětné vazby (1, 10, 100, 1000kΩ). Vstupní napětí volte tak, aby nedošlo

Více

kde U výst je napětí na jezdci potenciometru, R P2 je odpor jezdce potenciometru, R P celkový odpor potenciometru a U je napětí přivedené

kde U výst je napětí na jezdci potenciometru, R P2 je odpor jezdce potenciometru, R P celkový odpor potenciometru a U je napětí přivedené EDL 3.EB 2 /7.ZADÁÍ a) Změřte průběh výstupního napětí potenciometru v závislosti na poloze jezdce při různém zatížení, které je dáno různými hodnotami poměru / Z, například 0; 0,5; ; 5; 0 b) Změřenou

Více

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je operační zesilovač. Pro měření byla použita souprava s operačním zesilovačem, kde napájení bylo 5V

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je operační zesilovač. Pro měření byla použita souprava s operačním zesilovačem, kde napájení bylo 5V IEDL 4.EB 8 1/8 1.ZADÁNÍ a) Změřte napěťovou nesymetrii operačního zesilovače pro různé hodnoty zpětné vazby (1kΩ, 10kΩ, 100kΩ) b) Změřte a graficky znázorněte přenosovou charakteristiku invertujícího

Více

Elektronické praktikum EPR1

Elektronické praktikum EPR1 Elektronické praktikum EPR1 Úloha číslo 2 název Vlastnosti polovodičových prvků Vypracoval Pavel Pokorný PINF Datum měření 11. 11. 2008 vypracování protokolu 23. 11. 2008 Zadání 1. Seznamte se s funkcí

Více

C p. R d dielektrické ztráty R sk odpor závislý na frekvenci C p kapacita mezi přívody a závity

C p. R d dielektrické ztráty R sk odpor závislý na frekvenci C p kapacita mezi přívody a závity RIEDL 3.EB-6-1/8 1.ZADÁNÍ a) Změřte indukčnosti předložených cívek ohmovou metodou při obou možných způsobech zapojení měřících přístrojů. b) Měření proveďte při kmitočtech měřeného proudu 50, 100, 400

Více

4. SCHÉMA ZAPOJENÍ U R

4. SCHÉMA ZAPOJENÍ U R EDL 3.EB 5 1/11 1. ZADÁÍ a) Změřte voltampérové charakteristiky dvou různých žárovek pomocí voltmetru a ampérmetru b) Sestrojte grafy =f() c) Vypočítejte statický odpor a graficko-početní metodou dynamický

Více

Základní druhy tranzistorů řízených elektrickým polem: Technologie výroby: A) 1. : A) 2. : B) 1. :

Základní druhy tranzistorů řízených elektrickým polem: Technologie výroby: A) 1. : A) 2. : B) 1. : ZADÁNÍ: Změřte výstupní a převodní charakteristiky unipolárního tranzistoru KF 520. Z naměřených charakteristik určete v pracovním bodě strmost S, vnitřní odpor R i a zesilovací činitel µ. Určete katalogové

Více

Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů

Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů Tranzistor je elektronická aktivní součástka se třemi elektrodami.podstatou jeho funkce je transformace odporu mezi

Více

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je operační zesilovač. Pro měření byla použita souprava s operačním zesilovačem, kde napájení bylo 5V

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je operační zesilovač. Pro měření byla použita souprava s operačním zesilovačem, kde napájení bylo 5V IEDL.EB 9 /6.ZADÁNÍ a) Změřte vstupní odpor operačního zesilovače v invertujícím zapojení pro konfiguraci = 0kΩ, = 0kΩ, = 0,5V, = 5V b) Ověřte funkci napěťového sledovače (A =, = 0Ω). Změřte zesílení pro

Více

1.3 Bipolární tranzistor

1.3 Bipolární tranzistor 1.3 Bipolární tranzistor 1.3.1 Úkol: 1. Změřte vstupní charakteristiku bipolárního tranzistoru 2. Změřte převodovou charakteristiku bipolárního tranzistoru 3. Změřte výstupní charakteristiku bipolárního

Více

Název: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení

Název: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení Název: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení Autor: Mgr. Petr Majer Název školy: Gymnázium Jana Nerudy, škola hl. města Prahy Předmět (mezipředmětové vztahy) : Fyzika Tematický celek:

Více

Manuální, technická a elektrozručnost

Manuální, technická a elektrozručnost Manuální, technická a elektrozručnost Realizace praktických úloh zaměřených na dovednosti v oblastech: Vybavení elektrolaboratoře Schématické značky, základy pájení Fyzikální principy činnosti základních

Více

Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody

Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody Přírodní vědy moderně a interaktivně FYZIKA 2. ročník šestiletého studia Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody G Gymnázium Hranice Přírodní vědy moderně a interaktivně

Více

6. STUDIUM SOLÁRNÍHO ČLÁNKU

6. STUDIUM SOLÁRNÍHO ČLÁNKU 6. STUDIUM SOLÁRNÍHO ČLÁNKU Měřicí potřeby 1) solární baterie 2) termoelektrická baterie 3) univerzální měřicí zesilovač 4) reostat 330 Ω, 1A 5) žárovka 220 V / 120 W s reflektorem 6) digitální multimetr

Více

Měření vlastností a základních parametrů elektronických prvků

Měření vlastností a základních parametrů elektronických prvků Číslo projektu Číslo materiálu Název školy Autor Název Téma hodiny Předmět Ročník /y/ C.1.07/1.5.00/34.0394 VY_32_INOVACE_EM_1.09_měření VA charakteristiky enerovy diody Střední odborná škola a Střední

Více

Návrh a analýza jednostupňového zesilovače

Návrh a analýza jednostupňového zesilovače Návrh a analýza jednostupňového zesilovače Zadání: U CC = 35 V I C = 10 ma R Z = 2 kω U IG = 2 mv R IG = 220 Ω Tolerance u napětí a proudů, kromě Id je ± 1 % ze zadaných hodnot. Frekvence oscilátoru u

Více

PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus

PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus Úloha č.: XI Název: Charakteristiky diody Pracoval: Pavel Brožek stud. skup. 12 dne 9.1.2009 Odevzdal

Více

2. POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU

2. POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU IEDL 3.EB 4 1/5 1. ZADÁÍ a) Změřte odpor předložených rezistorů porovnávací metodou pomocí ručkového voltmetru a odporové sady b) Měření proveďte jednou za podmínky = a jednou za podmínky = 0,2. c) Předložené

Více

LABORATORNÍ PROTOKOL Z PŘEDMĚTU SILNOPROUDÁ ELEKTROTECHNIKA

LABORATORNÍ PROTOKOL Z PŘEDMĚTU SILNOPROUDÁ ELEKTROTECHNIKA LABORATORNÍ PROTOKOL Z PŘEDMĚTU SILNOPROUDÁ ELEKTROTECHNIKA Transformátor Měření zatěžovací a převodní charakteristiky. Zadání. Změřte zatěžovací charakteristiku transformátoru a graficky znázorněte závislost

Více

MĚŘENÍ VA CHARAKTERISTIK BIPOLÁRNÍHO TRANZISTORU

MĚŘENÍ VA CHARAKTERISTIK BIPOLÁRNÍHO TRANZISTORU Vypracoval: Petr Vavroš (vav0040) Datum Měření: 29. 10. 2009 Laboratorní úloha č. 5 MĚŘENÍ VA HARAKTERISTIK IPOLÁRNÍHO TRANZISTORU ZADÁNÍ: I. Změřte výstupní charakteristiky I f(u E ) pro I konst. bipolárního

Více

Pokud není uvedeno jinak, uvedený materiál je z vlastních zdrojů autora

Pokud není uvedeno jinak, uvedený materiál je z vlastních zdrojů autora Číslo projektu Číslo materiálu Název školy Autor Název Téma hodiny ředmět očník /y/..07/.5.00/34.0394 VY_3_NOVA_M_.9_měření statických parametrů zesilovače Střední odborná škola a Střední odborné učiliště,

Více

Stabiliz atory napˇet ı v nap ajec ıch zdroj ıch - mˇeˇren ı z akladn ıch parametr u Ondˇrej ˇ Sika

Stabiliz atory napˇet ı v nap ajec ıch zdroj ıch - mˇeˇren ı z akladn ıch parametr u Ondˇrej ˇ Sika - měření základních parametrů Obsah 1 Zadání 4 2 Teoretický úvod 4 2.1 Stabilizátor................................ 4 2.2 Druhy stabilizátorů............................ 4 2.2.1 Parametrické stabilizátory....................

Více

Technická měření v bezpečnostním inženýrství. Elektrická měření proud, napětí, odpor

Technická měření v bezpečnostním inženýrství. Elektrická měření proud, napětí, odpor Technická měření v bezpečnostním inženýrství Čís. úlohy: 6 Název úlohy: Elektrická měření proud, napětí, odpor Úkol měření a) Změřte v propustném i závěrném směru voltampérovou charakteristiku - křemíkové

Více

Nezkreslená věda Vodí, nevodí polovodič? Kontrolní otázky. Doplňovačka

Nezkreslená věda Vodí, nevodí polovodič? Kontrolní otázky. Doplňovačka Nezkreslená věda Vodí, nevodí polovodič? Ve vašich mobilních zařízeních je polovodičů mraky. Jak ale fungují? Otestujte své znalosti po zhlédnutí dílu. Kontrolní otázky 1. Kde najdeme polovodičové součástky?

Více

Petr Myška Datum úlohy: Ročník: první Datum protokolu:

Petr Myška Datum úlohy: Ročník: první Datum protokolu: Úloha číslo 1 Zapojení integrovaného obvodu MA 785 jako zdroje napětí a zdroje proudu Úvod: ílem úlohy je procvičit techniku měření napětí a proudu v obvodové struktuře, měření vnitřní impedance zdroje,

Více

+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2

+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2 Pro zadané hodnoty napájecího napětí, odporů a zesilovacího činitele β vypočtěte proudy,, a napětí,, (předpokládejte, že tranzistor je křemíkový a jeho pracovní bod je nastaven do aktivního normálního

Více

VOLTAMPÉROVÉ CHARAKTERISTIKY DIOD

VOLTAMPÉROVÉ CHARAKTERISTIKY DIOD Universita Pardubice Ústav elektrotechniky a informatiky Elektronické součástky Laboratorní cvičení č.1 VOLTAMPÉROVÉ CHARAKTERISTIKY DIOD Jméno: Pavel Čapek, Aleš Doležal, Lukáš Kadlec, Luboš Rejfek Studijní

Více

E L E K T R I C K Á M Ě Ř E N Í

E L E K T R I C K Á M Ě Ř E N Í Střední škola, Havířov Šumbark, Sýkorova 1/613, příspěvková organizace E L E K T R I C K Á M Ě Ř E N Í R O Č N Í K MĚŘENÍ ZÁKLDNÍCH ELEKTRICKÝCH ELIČIN Ing. Bouchala Petr Jméno a příjmení Třída Školní

Více

Měření na unipolárním tranzistoru

Měření na unipolárním tranzistoru Měření na unipolárním tranzistoru Teoretický rozbor: Unipolární tranzistor je polovodičová součástka skládající se z polovodičů tpu N a P. Oproti bipolárnímu tranzistoru má jednu základní výhodu. Bipolární

Více

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Polovodičové prvky V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku

Více

EUROPEAN TRADESMAN PROJECT NOTES ON ELECTRICAL TESTS OF ELECTRICAL INSTALLATIONS. Použití měřících přístrojů

EUROPEAN TRADESMAN PROJECT NOTES ON ELECTRICAL TESTS OF ELECTRICAL INSTALLATIONS. Použití měřících přístrojů EUROPEAN TRADESMAN PROJECT NOTES ON ELECTRICAL TESTS OF ELECTRICAL INSTALLATIONS Použití měřících přístrojů Student se má naučit používat a přesně zacházet s přístroji na měření : Napětí Proudu Odporu

Více

4.SCHÉMA ZAPOJENÍ. a U. kde a je zisk, U 2 je výstupní napětí zesilovače a U vst je vstupní napětí zesilovače. Zesilovač

4.SCHÉMA ZAPOJENÍ. a U. kde a je zisk, U 2 je výstupní napětí zesilovače a U vst je vstupní napětí zesilovače. Zesilovač RIEDL 4.EB 7 1/6 1.ZADÁNÍ a) Změřte frekvenční charakteristiku korekčního předzesilovače b) Znázorněte ji graficky na semiaritmický papír. Měření proveďte při souměrném napájení 1V v pásmu 10Hz až 100kHz,

Více

1.1 Pokyny pro měření

1.1 Pokyny pro měření Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1 Bipolární tranzistor jako zesilovač Úkol: Proměřte amplitudové kmitočtové charakteristiky bipolárního tranzistoru 1. v zapojení se společným emitorem (SE)

Více

MĚŘENÍ TRANZISTOROVÉHO ZESILOVAČE

MĚŘENÍ TRANZISTOROVÉHO ZESILOVAČE Úloha č. 3 MĚŘÍ TRAZISTOROVÉHO ZSILOVAČ ÚOL MĚŘÍ:. Změřte a) charakteristiku I = f (I ) při U = konst. tranzistoru se společným emitorem a nakreslete její graf; b) zesilovací činitel β tranzistoru se společným

Více

VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů

VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů Vodivost polovodičů pojem polovodiče čistý polovodič, vlastní vodivost příměsová vodivost polovodičová dioda tranzistor Polovodiče Polovodiče jsou látky, jejichž

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

Bipolární tranzistory

Bipolární tranzistory Bipolární tranzistory Historie V prosinci 1947 výzkumní pracovníci z Bellových laboratořích v New Jersey zjistili, že polovodičová destička z germania se zlatými hroty zesiluje slabý signál. Vědci byli

Více

Téma: Měření voltampérové charakteristiky

Téma: Měření voltampérové charakteristiky PRACONÍ LST č. Téma úlohy: Měření voltampérové charakteristiky Pracoval: Třída: Datum: Spolupracovali: Teplota: Tlak: lhkost vzduchu: Hodnocení: Téma: Měření voltampérové charakteristiky oltampérová charakteristika

Více

propustný směr maximální proud I F MAX [ma] 75 < 1... při I F = 10mA > 50... při I R = 1µA 60 < 0,4... při I F = 10mA > 60...

propustný směr maximální proud I F MAX [ma] 75 < 1... při I F = 10mA > 50... při I R = 1µA 60 < 0,4... při I F = 10mA > 60... Teoretický úvod Diody jsou polovodičové jednobrany s jedním přechodem PN. Dioda se vyznačuje tím, že nepropouští téměř žádný proud (je uzavřena) dokud napětí na ní nestoupne na hodnotu prahového napětí

Více

Laboratorní cvičení č.15. Název: Měření na optoelektronických prvcích. Zadání: Popis měřeného předmětu: Teoretický rozbor:

Laboratorní cvičení č.15. Název: Měření na optoelektronických prvcích. Zadání: Popis měřeného předmětu: Teoretický rozbor: Laboratorní cvičení č.15 Název: Měření na optoelektronických prvcích Zadání: Změřte voltampérovou charakteristiku fototranzistoru, fotodiody (fotovodivostní a fotovoltaický režim) a fotorezistoru pro pět

Více

Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice 2 Číslo úlohy : 1

Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice 2 Číslo úlohy : 1 Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice Číslo úlohy : 1 Název úlohy : Vypracoval : ročník : 3 skupina : F-Zt Vnější podmínky měření : měřeno dne : 3.. 004 teplota : C tlak

Více

Měření charakteristik fotocitlivých prvků

Měření charakteristik fotocitlivých prvků Měření charakteristik fotocitlivých prvků Úkol : 1. Určete voltampérovou charakteristiku fotoodporu při denním osvětlení a při osvětlení E = 1000 lx. 2. Určete voltampérovou charakteristiku fotodiody při

Více

INTEGROVANÁ STŘEDNÍ ŠKOLA TECHNICKÁ BENEŠOV. Černoleská 1997, Benešov. Elektrická měření. Tematický okruh. Měření elektrických veličin.

INTEGROVANÁ STŘEDNÍ ŠKOLA TECHNICKÁ BENEŠOV. Černoleská 1997, Benešov. Elektrická měření. Tematický okruh. Měření elektrických veličin. Číslo projektu CZ.107/1.5.00/34.0425 Název školy INTEGROVANÁ STŘEDNÍ ŠKOLA TECHNICKÁ BENEŠOV Černoleská 1997, 256 01 Benešov Předmět Elektrická měření Tematický okruh Měření elektrických veličin Téma Měření

Více

Obrázek 1: Schematická značka polovodičové diody. Obrázek 2: Vlevo dioda zapojená v propustném směru, vpravo dioda zapojená v závěrném směru

Obrázek 1: Schematická značka polovodičové diody. Obrázek 2: Vlevo dioda zapojená v propustném směru, vpravo dioda zapojená v závěrném směru Škola: Autor: DUM: Vzdělávací obor: Tematický okruh: Téma: Masarykovo gymnázium Vsetín Mgr. Jitka Novosadová MGV_F_SS_2S2_D16_Z_ELMAG_Polovodicove_soucastky_PL Člověk a příroda Fyzika Elektřina a magnetismus

Více

Elektrická měření pro I. ročník (Laboratorní cvičení)

Elektrická měření pro I. ročník (Laboratorní cvičení) Střední škola informatiky a spojů, Brno, Čichnova 23 Elektrická měření pro I. ročník (Laboratorní cvičení) Studentská verze Zpracoval: Ing. Jiří Dlapal B R N O 2011 Úvod Výuka předmětu Elektrická měření

Více

Základní měření s výchylkovými multimetry Laboratorní cvičení č. 1

Základní měření s výchylkovými multimetry Laboratorní cvičení č. 1 Základní měření s výchylkovými multimetry Laboratorní cvičení č. 1 Cíle cvičení: seznámit se s laboratorním zdrojem stejnosměrných napětí Diametral P230R51D, seznámit se s výchylkovým (ručkovým) multimetrem

Více

Měření vlastností a základních parametrů elektronických prvků

Měření vlastností a základních parametrů elektronických prvků Číslo projektu Číslo materiálu Název školy Autor Název Téma hodiny Předmět Ročník /y/ CZ.1.07/1.5.00/34.0394 VY_32_INOVACE_EM_1.08_měření VA charakteristiky usměrňovací diody Střední odborná škola a Střední

Více

Laboratorní práce č. 3: Měření elektrického proudu a napětí

Laboratorní práce č. 3: Měření elektrického proudu a napětí Přírodní vědy moderně a interaktivně FYZIK 1. ročník šestiletého studia Laboratorní práce č. 3: Měření elektrického proudu a napětí Přírodní vědy moderně a interaktivně FYZIK 1. ročník šestiletého studia

Více

Praktikum III - Optika

Praktikum III - Optika Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky M UK Praktikum III - Optika Úloha č. 5 Název: Charakteristiky optoelektronických součástek Pracoval: Matyáš Řehák stud.sk.: 13 dne: 2. 3. 28

Více

17. Elektrický proud v polovodičích, užití polovodičových součástek

17. Elektrický proud v polovodičích, užití polovodičových součástek 17. Elektrický proud v polovodičích, užití polovodičových součástek Polovodiče se od kovů liší především tím, že mají větší rezistivitu (10-2 Ω m až 10 9 Ω m), (kovy 10-8 Ω m až 10-6 Ω m). Tato rezistivita

Více

Laboratorní práce č. 2: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody

Laboratorní práce č. 2: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody Přírodní vědy moderně a interaktivně FYZIKA 5. ročník šestiletého a 3. ročník čtyřletého studia Laboratorní práce č. 2: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody G Gymnázium Hranice Přírodní

Více

1. Změřit metodou přímou závislost odporu vlákna žárovky na proudu, který jím protéká. K měření použijte stejnosměrné napětí v rozsahu do 24 V.

1. Změřit metodou přímou závislost odporu vlákna žárovky na proudu, který jím protéká. K měření použijte stejnosměrné napětí v rozsahu do 24 V. 1 Pracovní úkoly 1. Změřit metodou přímou závislost odporu vlákna žárovky na proudu, který jím protéká. K měření použijte stejnosměrné napětí v rozsahu do 24 V. 2. Změřte substituční metodou vnitřní odpor

Více

10. Měření. Chceme-li s měřícím přístrojem cokoliv dělat, je důležité znát jeho základní napěťový rozsah, základní proudový rozsah a vnitřní odpor!

10. Měření. Chceme-li s měřícím přístrojem cokoliv dělat, je důležité znát jeho základní napěťový rozsah, základní proudový rozsah a vnitřní odpor! 10. Měření V elektrotechnice je měření základní a zásadní činností každého, kdo se jí chce věnovat. Elektrika není vidět a vše, co má elektrotechnik k tomu, aby zjistil, co se v obvodech děje, je měření.

Více

Teoretický rozbor : Postup měření : a) Neinvertující zesilovač napětí (Noninverting Amplifier)

Teoretický rozbor : Postup měření : a) Neinvertující zesilovač napětí (Noninverting Amplifier) Teoretický rozbor : Postup měření : a) Neinvertující zesilovač napětí (Noninverting Amplifier) 1) Spojte napájecí modul (Power Connection) s děličem napětí (Input Voltage Unit) a neinvertujícím zesilovačem

Více

Korekční křivka napěťového transformátoru

Korekční křivka napěťového transformátoru 8 Měření korekční křivky napěťového transformátoru 8.1 Zadání úlohy a) pro primární napětí daná tabulkou změřte sekundární napětí na obou sekundárních vinutích a dopočítejte převody transformátoru pro

Více

Laboratorní práce č. 1: Určení voltampérových charakteristik spotřebičů

Laboratorní práce č. 1: Určení voltampérových charakteristik spotřebičů Přírodní vědy moderně a interaktivně FYZIKA 5. ročník šestiletého a 3. ročník čtyřletého studia Laboratorní práce č. 1: Určení voltampérových charakteristik spotřebičů G Gymnázium Hranice Přírodní vědy

Více

Měření vlastností stejnosměrných tranzistorových zesilovačů

Měření vlastností stejnosměrných tranzistorových zesilovačů ysoká škola báňská Technická universita Ostrava Fakulta elektrotechniky a informatiky Základy elektroniky ZEL Laboratorní úloha č. 6 Měření vlastností stejnosměrných tranzistorových zesilovačů Datum měření:

Více

Technická měření v bezpečnostním inženýrství. Elektrická měření proud, napětí, odpor

Technická měření v bezpečnostním inženýrství. Elektrická měření proud, napětí, odpor Technická měření v bezpečnostním inženýrství Čís. úlohy: 6 Název úlohy: Elektrická měření proud, napětí, odpor Úkol měření a) Změřte v propustném i závěrném směru voltampérovou charakteristiku - křemíkové

Více

Měření na bipolárním tranzistoru.

Měření na bipolárním tranzistoru. Měření na bipolárním tranzistoru Změřte a nakreslete čtyři výstupní charakteristiky I C = ( CE ) bipolárního tranzistoru PNP při vámi zvolených hodnotách I B Změřte a nakreslete dvě převodní charakteristiky

Více

Interakce ve výuce základů elektrotechniky

Interakce ve výuce základů elektrotechniky Střední odborné učiliště, Domažlice, Prokopa Velikého 640, Místo poskytovaného vzdělávaní Stod, Plzeňská 245 CZ.1.07/1.5.00/34.0639 Interakce ve výuce základů elektrotechniky TRANZISTORY Číslo projektu

Více

Měření vlastností střídavého zesilovače

Měření vlastností střídavého zesilovače Vysoká škola báňská Technická universita Ostrava Fakulta elektrotechniky a informatiky Základy elektroniky ZEL Laboratorní úloha č. Měření vlastností střídavého zesilovače Datum měření: 1. 11. 011 Datum

Více

Měření vlastností lineárních stabilizátorů. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS.

Měření vlastností lineárních stabilizátorů. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS. Měření vlastností lineárních stabilizátorů Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS. Cílem měření je seznámit se s funkcí a základními vlastnostmi jednoduchých lineárních stabilizátorů

Více

Ukázka práce na nepájivém poli pro 2. ročník SE. Práce č. 1 - Stabilizovaný zdroj ZD + tranzistor

Ukázka práce na nepájivém poli pro 2. ročník SE. Práce č. 1 - Stabilizovaný zdroj ZD + tranzistor Ukázka práce na nepájivém poli pro 2. ročník SE Práce č. 1 - Stabilizovaný zdroj ZD + tranzistor Seznam součástek: 4 ks diod 100 V/0,8A, tranzistor NPN BC 337, elektrolytický kondenzátor 0,47mF, 2ks elektrolytického

Více

.100[% ; W, W ; V, A, V, A]

.100[% ; W, W ; V, A, V, A] Teoretický úvod Stabilizátor napětí je elektronický obvod, který má za úkol - jak vyplývá z jeho názvu - stabilizovat napětí. Uvažujeme situaci, že na vstup stabilizátoru je přiváděno stejnosměrné napětí,

Více

A U. kde A je zesílení zesilovače, U 2 je výstupní napětí zesilovače a U 1 je vstupní napětí na zesilovači. Zisk po té můžeme vypočítat podle vztahu:

A U. kde A je zesílení zesilovače, U 2 je výstupní napětí zesilovače a U 1 je vstupní napětí na zesilovači. Zisk po té můžeme vypočítat podle vztahu: RIEDL 4.EB 6 /8.ZDÁNÍ a) Na předložeém ízkofrekvečím zesilovači změřte vstupí impedaci b) Změřte zesíleí a zisk pro výko 50% c) Změřte útlumovou charakteristiku Měřeí proveďte při cc =0V a maximálě 50%

Více

Klasifikace: bodů výborně bodů velmi dobře bodů dobře 0-49 bodů nevyhověl. Příklad testu je na následující straně.

Klasifikace: bodů výborně bodů velmi dobře bodů dobře 0-49 bodů nevyhověl. Příklad testu je na následující straně. Elektronika - pravidla Zkouška: Délka trvání testu: 12 minut Doporučené pomůcky: propisovací tužka, obyčejná tužka, čistý papír, guma, pravítko, kalkulačka se zanedbatelně malou pamětí Zakázané pomůcky:

Více

PRAKTIKUM... Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Odevzdal dne: Seznam použité literatury 0 1. Celkem max.

PRAKTIKUM... Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Odevzdal dne: Seznam použité literatury 0 1. Celkem max. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM... Úloha č. Název: Pracoval: stud. skup. dne Odevzdal dne: Možný počet bodů Udělený počet bodů Práce při měření 0 5 Teoretická

Více

MĚŘENÍ POLOVODIČOVÝCH DIOD 201-3R

MĚŘENÍ POLOVODIČOVÝCH DIOD 201-3R Vyšší odborná škola a Střední průmyslová škola elektrotechnická Božetěchova 3, Olomouc Laboratoře elektrotechnických měření Název úlohy Číslo úlohy MĚŘENÍ POLOVODIČOVÝCH DIOD 201-3R Zadání 1. Multimetrem

Více

Elektřina a magnetizmus polovodiče

Elektřina a magnetizmus polovodiče DUM Základy přírodních věd DUM III/2-T3-11 Téma: polovodiče Střední škola Rok: 2012 2013 Varianta: A Zpracoval: Mgr. Pavel Hrubý a Mgr. Josef Kormaník VÝKLAD Elektřina a magnetizmus polovodiče Obsah POLOVODIČ...

Více

Úloha 5: Charakteristiky optoelektronických součástek

Úloha 5: Charakteristiky optoelektronických součástek Petra Suková, 2.ročník, F-14 1 Úloha 5: Charakteristiky optoelektronických součástek 1 Zadání 1. Změřte voltampérové a světelné charakteristiky připravených luminiscenčních diod v propustném směru a určete,

Více

ETC Embedded Technology Club setkání 5, 3B zahájení třetího ročníku

ETC Embedded Technology Club setkání 5, 3B zahájení třetího ročníku ETC Embedded Technology Club setkání 5, 3B 6.11. 2018 zahájení třetího ročníku Katedra měření, Katedra telekomunikací,, ČVUT- FEL, Praha doc. Ing. Jan Fischer, CSc. ETC club,5, 3B 30.10.2018, ČVUT- FEL,

Více

1. Změřte závislost indukčnosti cívky na procházejícím proudu pro tyto případy:

1. Změřte závislost indukčnosti cívky na procházejícím proudu pro tyto případy: 1 Pracovní úkoly 1. Změřte závislost indukčnosti cívky na procházejícím proudu pro tyto případy: (a) cívka bez jádra (b) cívka s otevřeným jádrem (c) cívka s uzavřeným jádrem 2. Přímou metodou změřte odpor

Více

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření vlastní a vzájemné indukčnosti, část 3-1-3

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření vlastní a vzájemné indukčnosti, část 3-1-3 MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření vlastní a vzájemné indukčnosti, část Číslo projektu: Název projektu: Šablona: / novace a zkvalitnění výuky prostřednictvím CT Sada: 0 Číslo materiálu: VY_3_NOVACE_

Více

ETC Embedded Technology Club setkání 6, 3B zahájení třetího ročníku

ETC Embedded Technology Club setkání 6, 3B zahájení třetího ročníku ETC Embedded Technology Club setkání 6, 3B 13.11. 2018 zahájení třetího ročníku Katedra měření, Katedra telekomunikací,, ČVUT- FEL, Praha doc. Ing. Jan Fischer, CSc. ETC club,6, 3B 13.11.2018, ČVUT- FEL,

Více

FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4

FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4 Využití vlastností polovodičových přechodů Oblast prostorového náboje elektrické pole na přechodu Propustný směr difůze majoritních nosičů Závěrný směr extrakce minoritních nosičů Rekombinace na přechodu

Více

2-LC: Měření elektrických vlastností výkonových spínačů (I)

2-LC: Měření elektrických vlastností výkonových spínačů (I) 2-LC: Měření elektrických vlastností výkonových spínačů (I) Cíl měření: Ověření a porovnání vlastností výkonových spínačů: BJT, MOSFET a tyristoru. Zkratování řídících vstupů Obr. 1 Přípravek pro měření

Více

1. Navrhněte a prakticky realizujte pomocí odporových a kapacitních dekáda derivační obvod se zadanou časovou konstantu: τ 2 = 320µs

1. Navrhněte a prakticky realizujte pomocí odporových a kapacitních dekáda derivační obvod se zadanou časovou konstantu: τ 2 = 320µs 1 Zadání 1. Navrhněte a prakticky realizujte pomocí odporových a kapacitních dekáda integrační obvod se zadanou časovou konstantu: τ 1 = 62µs derivační obvod se zadanou časovou konstantu: τ 2 = 320µs Možnosti

Více

6 Měření transformátoru naprázdno

6 Měření transformátoru naprázdno 6 6.1 Zadání úlohy a) změřte charakteristiku naprázdno pro napětí uvedená v tabulce b) změřte převod transformátoru c) vypočtěte poměrný proud naprázdno pro jmenovité napětí transformátoru d) vypočtěte

Více

1 VA-charakteristiky tranzistorů JFET a MOSFET. Úloha č. 7

1 VA-charakteristiky tranzistorů JFET a MOSFET. Úloha č. 7 1 A-charakteristik tranzistorů JFET a MOSFET Úloha č. 7 Úkol: 1. Změřte A charakteristik unipolárního tranzistoru (JFET - BF245) v zapojení se společnou elektrodou S 2. JFET v zapojení se společnou elektrodou

Více

INTEGROVANÁ STŘEDNÍ ŠKOLA TECHNICKÁ BENEŠOV. Černoleská 1997, Benešov. Elektrická měření. Tematický okruh. Měření elektrických veličin.

INTEGROVANÁ STŘEDNÍ ŠKOLA TECHNICKÁ BENEŠOV. Černoleská 1997, Benešov. Elektrická měření. Tematický okruh. Měření elektrických veličin. Číslo projektu CZ.107/1.5.00/34.0425 Název školy INTEGROVANÁ STŘEDNÍ ŠKOLA TECHNICKÁ BENEŠOV Černoleská 1997, 256 01 Benešov Předmět Elektrická měření Tematický okruh Měření elektrických veličin Téma Měření

Více

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY VZORY OTÁZEK A PŘÍKLADŮ K TUTORIÁLU 1 1. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Proč je používáme. 2. Co jsou polovodiče vlastní. 3. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Jakým způsobem

Více

Určeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče

Určeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče Určeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče Pracovní list - test vytvořil: Ing. Lubomír Kořínek Období vytvoření VM: listopad 2013 Klíčová slova: dioda, tranzistor,

Více

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, Mělník Ing.František Moravec

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, Mělník Ing.František Moravec ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace Metodický pokyn CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.08 Integrovaná střední škola technická Mělník,

Více

Pracovní list žáka (SŠ)

Pracovní list žáka (SŠ) Pracovní list žáka (SŠ) Ověření platnosti Ohmova zákona Jméno Třída.. Datum.. 1. Teoretický úvod Ohmův zákon vyjadřuje vztah mezi napětím a proudem. Napětí U, měřené mezi konci vodiče s konstantním odporem

Více

7. Elektrický proud v polovodičích

7. Elektrický proud v polovodičích 7. Elektrický proud v polovodičích 7.1 Elektrické vlastnosti polovodičů Kromě vodičů a izolantů existují polovodiče. Definice polovodiče: Je to řada minerálů, rud, krystalů i amorfních látek, řada oxidů

Více

Fotoelektrické snímače

Fotoelektrické snímače SB 272 VŠB TUO Ostrava Program 4. Fotoelektrické snímače Vypracoval: Crlík Zdeněk Spolupracoval: Jaroslav Datum měření: 6.04.2006 Zadání 1. Seznamte se s předloženými součástkami pro detekci světelného

Více

Název: Polovodiče zkoumání závislosti odporu termistoru a fotorezistoru na vnějších podmínkách

Název: Polovodiče zkoumání závislosti odporu termistoru a fotorezistoru na vnějších podmínkách Název: Polovodiče zkoumání závislosti odporu termistoru a fotorezistoru na vnějších podmínkách Autor: Mgr. Lucia Klimková Název školy: Gymnázium Jana Nerudy, škola hl. města Prahy Předmět (mezipředmětové

Více

Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EO.

Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EO. Měření na výkonovém zesilovači Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EO. Cílem měření je seznámit se s funkcí výkonového zesilovače, pracujícího ve třídě B, resp. AB. Hlavními úkoly jsou:

Více

1. Stanovte a graficky znázorněte charakteristiky vakuové diody (EZ 81) a Zenerovy diody (KZ 703).

1. Stanovte a graficky znázorněte charakteristiky vakuové diody (EZ 81) a Zenerovy diody (KZ 703). 1 Pracovní úkoly 1. Stanovte a graficky znázorněte charakteristiky vakuové diody (EZ 81) a Zenerovy diody (KZ 703). 2. Určete dynamický vnitřní odpor Zenerovy diody v propustném směru při proudu 200 ma

Více

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII - 3.2.2 MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII - 3.2.2 MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: MEII - 3.2.2 MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH Obor: Mechanik elektronik Ročník: 2. Zpracoval(a): Bc. Josef Mahdal Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2010

Více

Bipolární tranzistor. Bipolární tranzistor - struktura. Princip práce tranzistoru. Princip práce tranzistoru. Zapojení SC.

Bipolární tranzistor. Bipolární tranzistor - struktura. Princip práce tranzistoru. Princip práce tranzistoru. Zapojení SC. ipolární tranzistor Tranzistor (angl. transistor) transfer resistor bipolární na přenosu proudu se podílejí jak elektrony, tak díry je tvořen dvěma přechody na jednom základním monoktystalu Emitorový přechod

Více

PŘEDNÁŠKA 1 - OBSAH. Přednáška 1 - Obsah

PŘEDNÁŠKA 1 - OBSAH. Přednáška 1 - Obsah PŘEDNÁŠKA 1 - OBSAH Přednáška 1 - Obsah i 1 Analogová integrovaná technika (AIT) 1 1.1 Základní tranzistorová rovnice... 1 1.1.1 Transkonduktance... 2 1.1.2 Výstupní dynamická impedance tranzistoru...

Více

Obrázek a/struktura atomů čistého polovodičeb/polovodič typu N

Obrázek a/struktura atomů čistého polovodičeb/polovodič typu N POLOVODIČE Vlastnosti polovodičů Polovodiče jsou materiály ze 4. skupiny Mendělejevovy tabulky. Nejznámější jsou germanium (Ge) a křemík (Si). Každý atom má 4 vazby, pomocí kterých se váže na sousední

Více