TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ III.

Rozměr: px
Začít zobrazení ze stránky:

Download "TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ III."

Transkript

1 TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ III.

2 NANÁŠENÍ VRSTEV V mikroelektronice se nanáší tzv. tlusté a tenké vrstvy. a) Tlusté vrstvy: Používají se v hybridních integrovaných obvodech. Nanáší se obvykle ve formě past na nosný substrát pro vytváření vodivých, odporových a dielektrických součástí. Pro získání konečných vlastností jsou vypalovány při vysokých teplotách. Je o nich pojednáno v prezentaci hybridních int.obvodů b) Tenké vrstvy: Dělíme je na - epitaxní na monokrystalický materiál narůstá nová monokrystalická vrstva, - neepitaxní na monokrystalický, polykrystalický nebo sklovitý materiál narůstá polykrystalická nebo amorfní vrstva. Metody vytváření tenkých vrstev používané v technologii mikroelektroniky se rozdělují na metody fyzikální a metody chemické (včetně elektrochemických). Z fyzikálních se nejčastěji používají: vakuové napařování katodové naprašování iontově plazmové nanášení

3 Z chemických metod jsou užívány: chemické depozice z par (CVD procesy) elektrochemické metody chemické metody založené na reakci materiálu podložky s vnější fází Jiný způsob rozdělení metod vytváření tenkých vrstev je podle výchozí fáze, ze které příslušná vrstva narůstá. Podle výchozí fáze pak rozlišujeme: metody z plynné (resp. parní) fáze metody z kapalné fáze Volba metody pro vytvoření konkrétní vrstvy závisí jednak na možnostech metody s ohledem na typ látky vrstvu vytvářející, jednak na technologických požadavcích. 1. Vakuové napařování Pevná látka se ve vakuu zahřeje na takovou teplotu, aby z ní vznikla pára. Tato vypařená látka se pak nechá zkondenzovat na chladné podložce. Jako zdroj par se obvykle používá odporově vyhřívaná lodička z odolného kovu, na níž je umístěn odpařovaný materiál.

4 Vakuovým napařováním se vytvářejí především kovové spoje integrovaných obvodů. Princip planetového napařovacího přípravku: Princip vypařování a kondenzace ve vakuu:

5 2. Vakuové naprašování Principem je obdobné iontovému leptání. Katoda slouží jako zdroj rozprašovaného materiálu. Katoda je bombardována ionty netečného plynu (argon). Ionty vznikají v doutnavém výboji mezi katodou a anodou. Oddělené atomy dopadají na naprašovanou podložku. Děj probíhá ve vakuu: Katodové naprašování lze realizovat více metodami, které rozlišujeme dle: druhu výboje, způsobu vytváření plazmatu - přítomnosti magnetického pole, druhu pracovního plynu Naprašované desky jsou umisťovány na planetově otočný přípravek podobně jako u napařování.

6 3. Chemické nanášení (CVD) Jedná se o chemické nanášení vrstev z par a plynů za různých tlaků a teplot. Nanesené vrstvy se používají jako: maskovací materiál, pro izolaci mezi vodivými vrstvami, materiál hradel pro struktury MOS, zdroje pro dotaci aktivních oblastí tranzistorů, vytváření spojů na čipu, ochrana součástek po ukončení technologických procesů. Principiálně jde o: a) vzájemnou reakci přiváděných plynů nad objektem produkt reakce dopadá na chladnější objekt a kondenzuje na něm, b) reakci plynu s materiálem desky plyny tryskají na vyhřátý objekt, kde reagují. 4. Epitaxní růst Je to nanášení monokrystalické vrstvy na monokrystalický materiál. Atomy nanášeného materiálu sledují rozložení atomu v podložce narůstající vrstva je tedy krystalografickým pokračováním podložky.

7 Jestliže je vrstva ukládána na substrát stejného složení, mluvíme o homoepitaxi, v opačném případě o heteroepitaxi. - Homoepitaxe je druh epitaxe prováděný pouze s jedním materiálem. Při homoepitaxi tenká vrstva roste na substrátu stejného materiálu. Toho se využívá, pokud chceme čistější vrstvu než je substrát nebo pokud má být nová vrstva jinak dotovaná. - Heteroepitaxe je druh epitaxe prováděný s navzájem odlišnými materiály. Při heteroepitaxi se tenká vrstva ukládá na substrát z jiného materiálu. Toto se často používá při růstu vrstev materiálů, u nichž nelze jinak získat monokrystal nebo k výrobě integrovaných krystalických vrstev různých materiálů. Například se jedná o galium nitrid GaN na safíru nebo aluminium galium indium fosfid AlGaInP na azsenidu galia GaAs. Z praktického hlediska jsou důležité tyto metody vytváření epitaxních vrstev: a) Epitaxe z plynné fáze (VPE) Je speciálním případem chemického nanášení vrstev CVD (vysokoteplotní, 1200 C). Jako výchozí zdroj pro růst Si se používají plynné látky (silan, trichlórsilan): SiCl4 + 2H2 Si + 4HCl

8 Blokové schéma zařízení pro epitaxní růst metodou CVD: b) Epitaxe z kapalné fáze (LPE) Je to klasická metoda přípravy epitaxních vrstev binárních polovodičů. Vytváří polovodičové vrstvy na styku povrchu podložky s příslušnou taveninou jako následek přechlazení. To se děje při teplotách hluboko pod bodem tání ukládaného polovodiče. Polovodič je rozpuštěn v tavenině jiného materiálu. Tato metoda se používá zejména pro růst sloučeninových polovodičů na substrátech z galium arsenidu GaAs nebo fosfidu india InP. Pro zvláštní účely se používají jako substráty sklo nebo keramika. Nedostatkem této metody je nízká produktivita procesu.

9 c) Epitaxe z molekulárních svazků (MBE) Jde o napařování v ultravakuu z několika oddělených zdrojů, kdy na monokrystalické podložce dochází k reakci molekulárních svazků a vzniká požadovaná vrstva (růst krystalů kondenzací par dané látky). Princip zařízení pro molekulární svazkovou epitaxi: Dotační příměsi, které určují elektrické vlastnosti epitaxních vrstev, jsou přidávány do molekulárního svazku z dalších pícek. Metoda MBE umožňuje vytvářet dokonalé epitaxní vrstvy. Její nevýhodou je potřeba ultravakua a vysoká cena zařízení.

10 Zdroje: Šavel J., Materiály, technologie a výroba v elektronice a elektrotechnice Szendiuch a kol., Výroba součástek a konstrukčních prvků Szántó L., Integrované obvody Wikipedia Archiv autora Zpracoval ing. František Stoklasa

Iradiace tenké vrstvy ionty

Iradiace tenké vrstvy ionty Iradiace tenké vrstvy ionty Ve většině technologických aplikací dochází k depozici tenké vrstvy za nízké teploty > jsme v zóně I nebo T > vrstvá má sloupcovou strukturu, je porézní a hrubá. Ukazuje se,

Více

Plazmové metody Materiály a technologie přípravy M. Čada

Plazmové metody Materiály a technologie přípravy M. Čada Plazmové metody Existuje mnoho druhů výbojů v plynech. Ionizovaný plyn = elektrony + ionty + neutrály Depozice tenkých vrstev za pomocí plazmatu je jednou z nejpoužívanějších metod. Pomocí plazmatu lze

Více

TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ II.

TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ II. TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ II. 1. OXIDACE KŘEMÍKU Oxid křemíku SiO2 se během technologického procesu užívá k vytváření: a) Maskovacích vrstev b) Izolačních vrstev (izolují prvky

Více

Využití plazmových metod ve strojírenství. Metody depozice povlaků a tenkých vrstev

Využití plazmových metod ve strojírenství. Metody depozice povlaků a tenkých vrstev Využití plazmových metod ve strojírenství Metody depozice povlaků a tenkých vrstev Metody depozice povlaků Využití plazmatu pro depozice (nanášení) povlaků a tenkých vrstev je moderní a stále častěji aplikovaná

Více

Přehled metod depozice a povrchových

Přehled metod depozice a povrchových Kapitola 5 Přehled metod depozice a povrchových úprav Tabulka 5.1: První část přehledu technologií pro depozici tenkých vrstev. Klasifikované podle použitého procesu (napařování, MBE, máčení, CVD (chemical

Více

Studijní opora pro předmět Technologie elektrotechnické výroby

Studijní opora pro předmět Technologie elektrotechnické výroby Studijní opora pro předmět Technologie elektrotechnické výroby Doc. Ing. Václav Kolář Ph.D. Předmět určen pro: Fakulta metalurgie a materiálového inženýrství, VŠB-TU Ostrava. Navazující magisterský studijní

Více

TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ I. APLIKACE LITOGRAFIE

TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ I. APLIKACE LITOGRAFIE TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ I. APLIKACE LITOGRAFIE Úvod Litografické technologie jsou požívány při výrobě integrovaných obvodů (IO). Výroba IO začíná definováním jeho funkce a

Více

Přednáška 3. Napařování : princip, rovnovážný tlak par, rychlost vypařování.

Přednáška 3. Napařování : princip, rovnovážný tlak par, rychlost vypařování. Přednáška 3 Napařování : princip, rovnovážný tlak par, rychlost vypařování. Realizace vypařovadel, směrovost vypařování, vypařování sloučenin a slitin, Vypařování elektronovým svazkem a MBE Napařování

Více

VY_32_INOVACE_ELT-1.EI-20-VYROBA INTEGROVANEHO OBVODU. Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno

VY_32_INOVACE_ELT-1.EI-20-VYROBA INTEGROVANEHO OBVODU. Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Číslo projektu Číslo materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník CZ.1.07/1.5.00/34.0581 VY_32_INOVACE_ELT-1.EI-20-VYROBA INTEGROVANEHO OBVODU Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno

Více

DOUTNAVÝ VÝBOJ. Další technologie využívající doutnavý výboj

DOUTNAVÝ VÝBOJ. Další technologie využívající doutnavý výboj DOUTNAVÝ VÝBOJ Další technologie využívající doutnavý výboj Plazma doutnavého výboje je využíváno v technologiích depozice povlaků nebo modifikace povrchů. Jedná se zejména o : - depozici povlaků magnetronovým

Více

5. Vedení elektrického proudu v polovodičích

5. Vedení elektrického proudu v polovodičích 5. Vedení elektrického proudu v polovodičích - zápis výkladu - 26. až 27. hodina - A) Stavba látky a nosiče náboje Atom: základní stavební částice; skládá se z atomového jádra (protony a neutrony) a atomového

Více

Fyzikální metody nanášení tenkých vrstev

Fyzikální metody nanášení tenkých vrstev Fyzikální metody nanášení tenkých vrstev Vakuové napařování Příprava tenkých vrstev kovů některých dielektrik polovodičů je možné vytvořit i epitaxní vrstvy (orientované vrstvy na krystalické podložce)

Více

Technologie CMOS. Je to velmi malý svět. Technologie CMOS Lokální oxidace. Vytváření izolačních příkopů. Vytváření izolačních příkopů

Technologie CMOS. Je to velmi malý svět. Technologie CMOS Lokální oxidace. Vytváření izolačních příkopů. Vytváření izolačních příkopů Je to velmi malý svět Technologie CMOS Více než 2 000 000 tranzistorů v 45nm technologii může být integrováno na plochu tečky za větou. From The Oregonian, April 07, 2008 Jiří Jakovenko Struktury integrovaných

Více

ELEKTRONICKÉ PRVKY TECHNOLOGIE VÝROBY POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ

ELEKTRONICKÉ PRVKY TECHNOLOGIE VÝROBY POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ ELEKTRONICKÉ PRVKY TECHNOLOGIE VÝROBY POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ Polovodič - prvek IV. skupiny, v elektronice nejčastěji křemík Si, vykazuje vysokou čistotu (10-10 ) a bezchybnou strukturu atomové mřížky v monokrystalu.

Více

Vakuové metody přípravy tenkých vrstev

Vakuové metody přípravy tenkých vrstev Vakuové metody přípravy tenkých vrstev Metody vytváření tenkých vrstev Vakuové metody dnes nejužívanější CVD Chemical Vapour Deposition (PE CVD Plasma Enhanced CVD nebo PA CVD Plasma Assisted CVD) PVD

Více

Lasery v mikroelektrotechnice. Soviš Jan Aplikovaná fyzika

Lasery v mikroelektrotechnice. Soviš Jan Aplikovaná fyzika Lasery v mikroelektrotechnice Soviš Jan Aplikovaná fyzika Obsah Úvod Laserové: žíhání rýhování (orýsování) dolaďování depozice tenkých vrstev dopování příměsí Úvod Vysoká hustota výkonu laseru změna struktury

Více

PRINCIP MĚŘENÍ TEPLOTY spočívá v porovnání teploty daného tělesa s definovanou stupnicí.

PRINCIP MĚŘENÍ TEPLOTY spočívá v porovnání teploty daného tělesa s definovanou stupnicí. 1 SENZORY TEPLOTY TEPLOTA je jednou z nejdůležitějších veličin ovlivňujících téměř všechny stavy a procesy v přírodě Ke stanovení teploty se využívá závislosti určitých fyzikálních veličin na teplotě (A

Více

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_18_Technologie polovodičových součástek. Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing.

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_18_Technologie polovodičových součástek. Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Číslo projektu Číslo materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_18_Technologie polovodičových součástek Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav

Více

Vybrané technologie povrchových úprav. Metody vytváření tenkých vrstev Doc. Ing. Karel Daďourek 2008

Vybrané technologie povrchových úprav. Metody vytváření tenkých vrstev Doc. Ing. Karel Daďourek 2008 Vybrané technologie povrchových úprav Metody vytváření tenkých vrstev Doc. Ing. Karel Daďourek 2008 Metody vytváření tenkých vrstev Vakuové metody dnes nejužívanější CVD Chemical vapour deposition PE CVD

Více

6 Hybridní integrované obvody, tenkovrstvé a tlustovrstvé technologie a jejich využití

6 Hybridní integrované obvody, tenkovrstvé a tlustovrstvé technologie a jejich využití 6 Hybridní integrované obvody, tenkovrstvé a tlustovrstvé technologie a jejich využití 6.1 Úvod Monolitické integrované obvody není výhodné pro některé aplikace, zejména pro přístroje s některými náročnějšími

Více

Základní typy článků:

Základní typy článků: Základní typy článků: Články z krystalického Si c on ta c t a ntire fle c tio n c o a tin g Tenkovrstvé články N -ty p e P -ty p e Materiály a technologie pro fotovoltaické články Nové materiály Gratzel,

Více

Fyzikální vzdělávání. 1. ročník. Učební obor: Kuchař číšník Kadeřník. Implementace ICT do výuky č. CZ.1.07/1.1.02/02.0012 GG OP VK

Fyzikální vzdělávání. 1. ročník. Učební obor: Kuchař číšník Kadeřník. Implementace ICT do výuky č. CZ.1.07/1.1.02/02.0012 GG OP VK Fyzikální vzdělávání 1. ročník Učební obor: Kuchař číšník Kadeřník 1 Elektřina a magnetismus - elektrický náboj tělesa, elektrická síla, elektrické pole, kapacita vodiče - elektrický proud v látkách, zákony

Více

VAKUOVÁ TECHNIKA VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ. Semestrální projekt FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ

VAKUOVÁ TECHNIKA VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ. Semestrální projekt FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ VAKUOVÁ TECHNIKA Semestrální projekt Téma: Aplikace vakuového napařovaní v optice Vypracoval:

Více

ANALÝZA POVLAKOVANÝCH POVRCHŮ ŘEZNÝCH NÁSTROJŮ

ANALÝZA POVLAKOVANÝCH POVRCHŮ ŘEZNÝCH NÁSTROJŮ Středoškolská technika 2019 Setkání a prezentace prací středoškolských studentů na ČVUT ANALÝZA POVLAKOVANÝCH POVRCHŮ ŘEZNÝCH NÁSTROJŮ Jakub Chlaň, Matouš Hyk, Lukáš Procházka Střední škola elektrotechniky

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT. Pracovní list č.3 k prezentaci Křivky chladnutí a ohřevu kovů

III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT. Pracovní list č.3 k prezentaci Křivky chladnutí a ohřevu kovů Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0514 Číslo a název šablony klíčové aktivity III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Tematická oblast Strojírenská technologie, vy_32_inovace_ma_22_06 Autor

Více

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Optoelektronika Přednáška č. 8 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Optoelektronika 1 Optoelektronika zabývá se přeměnou elektrické

Více

Anomální doutnavý výboj

Anomální doutnavý výboj Anomální doutnavý výboj Výboje v plynech ve vakuu Základní procesy ve výboji Odprašování dopadající kladné ionty vyrážejí z katody částice, tím dochází k úbytku hmoty katody a zmenšování rozměrů. Odprašování

Více

VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů

VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů Vodivost polovodičů pojem polovodiče čistý polovodič, vlastní vodivost příměsová vodivost polovodičová dioda tranzistor Polovodiče Polovodiče jsou látky, jejichž

Více

Tenké vrstvy (TV ) Hybridní Integrované Obvody (HIO)

Tenké vrstvy (TV ) Hybridní Integrované Obvody (HIO) Tenké vrstvy (TV ) (Thin Films) + Hybridní Integrované Obvody (HIO) (Hybrid Integrated Circuits) (3) Doc. Ing. Ivan Szendiuch, CSc., Fellow IMAPS Vysoké Učení Technické v Brně, FEKT, ÚMEL e-mail: szend@feec.vutbr.cz

Více

U BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D.

U BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D. Napěťový průraz polovodičových přechodů Zvyšování napětí na přechodu -přechod se rozšiřuje, ale pouze s U (!!) - intenzita elektrického pole roste -překročení kritické hodnoty U (BR) -vzrůstu závěrného

Více

Vakuová technika. Výroba tenkých vrstev vakuové naprašování

Vakuová technika. Výroba tenkých vrstev vakuové naprašování VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ Vakuová technika Výroba tenkých vrstev vakuové naprašování Tomáš Kahánek ID: 106518 Datum: 17.11.2010 Výroba tenkých vrstev

Více

5 Monolitické integrované obvody

5 Monolitické integrované obvody Technologie 5 Monolitické integrované obvody Jak je všeobecně známo, jsou využívány dvě hlavní technologie integrovaných obvodů. Jednou z nich jsou monolitické integrované obvody, druhou hybridní. Zde

Více

galvanicky chemicky plazmatem ve vakuu Vrstvy ve vakuu MBE Vakuová fyzika 2 1 / 39

galvanicky chemicky plazmatem ve vakuu Vrstvy ve vakuu MBE Vakuová fyzika 2 1 / 39 Vytváření vrstev galvanicky chemicky plazmatem ve vakuu Vrstvy ve vakuu povlakování MBE měření tloušt ky vrstvy během depozice Vakuová fyzika 2 1 / 39 Velmi stručná historie (více na www.svc.org) 1857

Více

1/64 Fotovoltaika - základy

1/64 Fotovoltaika - základy 1/64 Fotovoltaika - základy princip FV články FV panely účinnost vliv provozu na produkci Principy struktura křemíku 2/64 křemík krystalická mřížka: každý atom Si má čtyři vazební (valenční) elektrony,

Více

Mikro a nanotribologie materiály, výroba a pohon MEMS

Mikro a nanotribologie materiály, výroba a pohon MEMS Tribologie Mikro a nanotribologie materiály, výroba a pohon MEMS vypracoval: Tomáš Píza Obsah - Co je to MEMS - Materiály pro MEMS - Výroba MEMS - Pohon MEMS Co to je MEMS - zkratka z anglických slov Micro-Electro-Mechanical-Systems

Více

Fotovoltaika - základy

Fotovoltaika - základy 1/64 Fotovoltaika - základy princip FV články FV panely účinnost vliv provozu na produkci Principy struktura křemíku 2/64 křemík krystalická mřížka: každý atom Si má čtyři vazební (valenční) elektrony,

Více

Chemické metody plynná fáze

Chemické metody plynná fáze Chemické metody plynná fáze Chemické reakce prekurzorů lze aktivovat i UV zářením PHCVD. Foton aktivuje molekuly nebo atomy, které pak vytvářejí volné radikály nesoucí hodně energie > ty pak rozbijí velké

Více

Tenká vrstva - aplikace

Tenká vrstva - aplikace Poznámka: tyto materiály slouží pouze pro opakování STT žáků SPŠ Na Třebešíně, Praha 10; s platností do r. 2016 v návaznosti na platnost norem. Zákaz šíření a modifikace těchto materiálů. Děkuji Ing. D.

Více

Technologie a vlastnosti tenkých vrstev, tenkovrstvé senzory

Technologie a vlastnosti tenkých vrstev, tenkovrstvé senzory Vysoká škola chemicko-technologická v Praze Technologie a vlastnosti tenkých vrstev, tenkovrstvé senzory Technologie CVD, PVD, PECVD, MOVPE, MBE, coating technologie (spin-, spray-, dip-) Ondřej Ekrt Vymezení

Více

r W. Shockley, J. Bardeen a W. Brattain, zahájil epochu polovodičové elektroniky, která se rozvíjí dodnes.

r W. Shockley, J. Bardeen a W. Brattain, zahájil epochu polovodičové elektroniky, která se rozvíjí dodnes. r. 1947 W. Shockley, J. Bardeen a W. Brattain, zahájil epochu polovodičové elektroniky, která se rozvíjí dodnes. 2.2. Polovodiče Lze je definovat jako látku, která má elektronovou bipolární vodivost, tj.

Více

Elektřina a magnetizmus polovodiče

Elektřina a magnetizmus polovodiče DUM Základy přírodních věd DUM III/2-T3-11 Téma: polovodiče Střední škola Rok: 2012 2013 Varianta: A Zpracoval: Mgr. Pavel Hrubý a Mgr. Josef Kormaník VÝKLAD Elektřina a magnetizmus polovodiče Obsah POLOVODIČ...

Více

2.3 Elektrický proud v polovodičích

2.3 Elektrický proud v polovodičích 2.3 Elektrický proud v polovodičích ( 6 10 8 10 ) Ωm látky rozdělujeme na vodiče polovodiče izolanty ρ ρ ( 10 4 10 8 ) Ωm odpor s rostoucí teplotou roste odpor nezávisí na osvětlení nebo ozáření odpor

Více

SEZNAMTE SE S FIRMOU PUREON. Čištění stroj. součástí a výr. zařízení Recyklace drahých kovů Rafinace drahých kovů.

SEZNAMTE SE S FIRMOU PUREON. Čištění stroj. součástí a výr. zařízení Recyklace drahých kovů Rafinace drahých kovů. SEZNAMTE SE S FIRMOU PUREON Čištění stroj. součástí a výr. zařízení Recyklace drahých kovů Rafinace drahých kovů February 4, 2013 AGENDA Úvod Služby v průmyslových odvětvích Příklady služeb Výrobní možnosti

Více

Polovodičovéové čipy. - aktivní součástky stky elektronických obvodů a systémů

Polovodičovéové čipy. - aktivní součástky stky elektronických obvodů a systémů Polovodičovéové čipy - aktivní součástky stky elektronických obvodů a systémů Polovodičové čipy Úvod Výroba polovodičových součástek Polovodičová struktura Holé čipy svývody na horní straně (COB) Obrácené

Více

Elektrický proud v polovodičích

Elektrický proud v polovodičích Elektrický proud v polovodičích Polovodič Látka, jejíž měrný elektrický odpor je při obvyklých teplotách mnohem menší než u izolantů, ale zase mnohem větší než u kovů. Polovodič Látka, jejíž měrný elektrický

Více

Tenké vrstvy pro lékařství 1. Laserové vrstvy ( metody přípravy vrstev, laser, princip metody pulzní laserové depozice PLD, růst vrstev, )

Tenké vrstvy pro lékařství 1. Laserové vrstvy ( metody přípravy vrstev, laser, princip metody pulzní laserové depozice PLD, růst vrstev, ) Tenké vrstvy pro lékařství 1. Laserové vrstvy ( metody přípravy vrstev, laser, princip metody pulzní laserové depozice PLD, růst vrstev, ) 2. Vybrané vrstvy a aplikace - gradientní vrstvy, nanokrystalické

Více

TECHNOLOGIE OPTICKÝCH VLÁKEN A KABELŮ

TECHNOLOGIE OPTICKÝCH VLÁKEN A KABELŮ TECHNOLOGIE OPTICKÝCH VLÁKEN A KABELŮ Výhody optického přenosu signálu: Vysoká přenosová rychlost Velká kapacita a šířka přenosových pásem Nízká výkonová úroveň Odolnost proti rušivým vlivům necitlivost

Více

Úvod polovodičové čipy

Úvod polovodičové čipy Polovodičové čipy Obecně o čipech úvod Výroba polovodičových čipů Provedení polovodičových čipů Holé čipy s vývody na horní straně (COB) Obrácené čipy (Flip Chip) Speciální čipy (např. TAB) WLP Závěr Úvod

Více

Mikrosenzory a mikroelektromechanické systémy. Odporové senzory

Mikrosenzory a mikroelektromechanické systémy. Odporové senzory Mikrosenzory a mikroelektromechanické systémy Odporové senzory Obecné vlastnosti odporových senzorů Odporové senzory kontaktové Měřící potenciometry Odporové tenzometry Odporové senzory teploty Odporové

Více

Plazma v technologiích

Plazma v technologiích Plazma v technologiích Mezi moderními strojírenskými technologiemi se stále častěji prosazují metody využívající různé formy plazmatu. Plazma je plynné prostředí skládající se z poměrně volných částic,

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

Monika Fialová VAKUOVÁ FYZIKA II. ZÍSKÁVÁNÍ NÍZKÝCH TLAKŮ

Monika Fialová VAKUOVÁ FYZIKA II. ZÍSKÁVÁNÍ NÍZKÝCH TLAKŮ Monika Fialová VAKUOVÁ FYZIKA II. ZÍSKÁVÁNÍ NÍZKÝCH TLAKŮ CHARAKTERISTIKY VÝVĚV vývěva = zařízení snižující tlak plynu v uzavřeném objemu parametry: mezní tlak čerpací rychlost pracovní tlak výstupní tlak

Více

Chemické metody depozice z plynné fáze

Chemické metody depozice z plynné fáze Kapitola 7 Chemické metody depozice z plynné fáze Chemickými procesy v plynné fázi jsou metody vytváření tenkých vrstev s využitím čistě chemických procesů, jedná se o reakci plynné fáze nebo par na jedné

Více

Senzorika a senzorické soustavy

Senzorika a senzorické soustavy Senzorika a senzorické soustavy Snímače teploty Tato publikace vznikla jako součást projektu CZ.04.1.03/3.2.15.2/0285 Inovace VŠ oborů strojního zaměření, který je spolufinancován evropským sociálním fondem

Více

DOUTNAVÝ VÝBOJ. Magnetronové naprašování

DOUTNAVÝ VÝBOJ. Magnetronové naprašování DOUTNAVÝ VÝBOJ Magnetronové naprašování Efektivním způsobem jak získat částice vhodné k růstu povlaku je nahrazení teploty používané u odpařování ekvivalentem energie dodané dopadem těžkéčástice přenosem

Více

Mgr. Ladislav Blahuta

Mgr. Ladislav Blahuta Mgr. Ladislav Blahuta Střední škola, Havířov-Šumbark, Sýkorova 1/613, příspěvková organizace Tento výukový materiál byl zpracován v rámci akce EU peníze středním školám - OP VK 1.5. Výuková sada ZÁKLADNÍ

Více

Fyzikální metody přípravy tenkých vrstev. Martin Kormunda

Fyzikální metody přípravy tenkých vrstev. Martin Kormunda Fyzikální metody přípravy tenkých vrstev Co je to za techniky? Procesy vyváření tenkých vrstev fyzikálními metodami využívají procesy probíhající za nízkého tlaku k dosažení efektivního transportu částic

Více

Plazmatické metody pro úpravu povrchů

Plazmatické metody pro úpravu povrchů Plazmatické metody pro úpravu povrchů Aleš Kolouch Technická Univerzita v Liberci Studentská 2 461 17 Liberec 1 Obsah 1. Plazma 2. Plazmové stříkání 3. Plazmové leptání 4. PVD 5. PECVD 6. Druhy reaktorů

Více

Fyzikální metody depozice KFY / P223

Fyzikální metody depozice KFY / P223 Fyzikální metody depozice KFY / P223 Obsah Vymezení pojmu tenkých vrstev, význam TV ve vědě a technice, přehled metod vytváření TV Růst tenkých vrstev: módy a fáze růstu TV, vliv parametrů procesu. Napařování

Více

Základy mikroelektronických technologií

Základy mikroelektronických technologií Mikrosenzory a mikroelektromechanické systémy Základy mikroelektronických technologií Technologie tlustých vrstev Technologie tenkých vrstev Základy polovodičových technologií Mikroelektronické technologie

Více

EU peníze středním školám digitální učební materiál

EU peníze středním školám digitální učební materiál EU peníze středním školám digitální učební materiál Číslo projektu: Číslo a název šablony klíčové aktivity: Tematická oblast, název DUMu: Autor: CZ.1.07/1.5.00/34.0515 III/2 Inovace a zkvalitnění výuky

Více

Výstupní práce Materiály a technologie přípravy M. Čada

Výstupní práce Materiály a technologie přípravy M. Čada Výstupní práce Makroskopická veličina charakterizující povrch z pohledu elektronických vlastností. Je to míra vazby elektronu k pevné látce a hraje důležitou roli při procesech transportu nabitých částic

Více

Nové materiály a technologie

Nové materiály a technologie Nové materiály a technologie doc. Ing. Eduard Belas, 10.6.2017 belas@karlov.mff.cuni.cz Obsah: Úvod, rozdělení pevných látek Metody růstu polovodičů Z taveniny, Kapalná epitaxe, Plynná epitaxe, MBE, MOCVD

Více

Polovodičové čipy a integrované obvody (4)

Polovodičové čipy a integrované obvody (4) Polovodičové čipy a integrované obvody (4) Doc. Ing. Ivan Szendiuch, CSc., Fellow IMAPS Vysoké Učení Technické v Brně, FEKT, ÚMEL e-mail: szend@feec.vutbr.cz OBSAH Úvod - obecně o polovodičových čipech

Více

Projekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.08/

Projekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.08/ Projekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.08/03.0009 1. Čím se vyznačuje polovodičový materiál Polovodič je látka, jejíž elektrická vodivost lze měnit. Závisí na

Více

Plazmová depozice tenkých vrstev oxidu zinečnatého

Plazmová depozice tenkých vrstev oxidu zinečnatého Plazmová depozice tenkých vrstev oxidu zinečnatého Bariérový pochodňový výboj za atmosférického tlaku Štěpán Kment Doc. Dr. Ing. Petr Klusoň Mgr. Zdeněk Hubička Ph.D. Obsah prezentace Úvod do problematiky

Více

VY_32_INOVACE_6/15_ČLOVĚK A PŘÍRODA. Předmět: Fyzika Ročník: 6. Poznámka: Vodiče a izolanty Vypracoval: Pták

VY_32_INOVACE_6/15_ČLOVĚK A PŘÍRODA. Předmět: Fyzika Ročník: 6. Poznámka: Vodiče a izolanty Vypracoval: Pták VY_32_INOVACE_6/15_ČLOVĚK A PŘÍRODA Předmět: Fyzika Ročník: 6. Poznámka: Vodiče a izolanty Vypracoval: Pták Izolant je látka, která nevede elektrický proud izolant neobsahuje volné částice s elektrický

Více

RŮST POLOVODIČOVÝCH HETEROSTRUKTUR METODOU ORGANOKOVOVÉ EPITAXE Z PLYNNÉ FÁZE

RŮST POLOVODIČOVÝCH HETEROSTRUKTUR METODOU ORGANOKOVOVÉ EPITAXE Z PLYNNÉ FÁZE RŮST POLOVODIČOVÝCH HETEROSTRUKTUR METODOU ORGANOKOVOVÉ EPITAXE Z PLYNNÉ FÁZE Eduard Hulicius Fyzikální ústav AV ČR v. v. i. Praha 1 Úvod Polovodičové heterostruktury a zvláště nanostruktury co nejdokonalejší

Více

zařízení 2. přednáška Fakulta elektrotechniky a informatiky prof.ing. Petr Chlebiš, CSc.

zařízení 2. přednáška Fakulta elektrotechniky a informatiky prof.ing. Petr Chlebiš, CSc. Konstrukce elektronických zařízení 2. přednáška prof.ing. Petr Chlebiš, CSc. Pasivní a konstrukční prvky - Rezistory - Kondenzátory - Vinuté díly, cívky, transformátory - Konektory - Kontaktní prvky, spínače,

Více

REAKTIVNÍ MAGNETRONOVÉ NAPRAŠOV. Jan VALTER HVM Plasma s.r.o. www.hvm.cz

REAKTIVNÍ MAGNETRONOVÉ NAPRAŠOV. Jan VALTER HVM Plasma s.r.o. www.hvm.cz REAKTIVNÍ MAGNETRONOVÉ NAPRAŠOV OVÁNÍ Jan VALTER SCHEMA REAKTIVNÍHO NAPRAŠOV OVÁNÍ zdroj výboje katoda odprašovaný terč plasma inertní napouštění plynů reaktivní zdroj předpětí p o v l a k o v a n é s

Více

DOUTNAVÝ VÝBOJ. 1. Vlastnosti doutnavého výboje 2. Aplikace v oboru plazmové nitridace

DOUTNAVÝ VÝBOJ. 1. Vlastnosti doutnavého výboje 2. Aplikace v oboru plazmové nitridace DOUTNAVÝ VÝBOJ 1. Vlastnosti doutnavého výboje 2. Aplikace v oboru plazmové nitridace Doutnavý výboj Připomeneme si voltampérovou charakteristiku výboje v plynech : Doutnavý výboj Připomeneme si, jaké

Více

TENKÉ VRSTVY. 1. Modifikací povrchu materiálu (teplem, okysličením, laserem,.. 2. Depozicí (nanášením)

TENKÉ VRSTVY. 1. Modifikací povrchu materiálu (teplem, okysličením, laserem,.. 2. Depozicí (nanášením) TENKÉ VRSTVY Lze připravit : 1. Modifikací povrchu materiálu (teplem, okysličením, laserem,.. 2. Depozicí (nanášením) Metody fyzikální (Physical Vapor Deposition PVD) Metody chemické (Chemical Vapor Deposition-

Více

Nauka o materiálu. Přednáška č.10 Difuze v tuhých látkách, fáze a fázové přeměny

Nauka o materiálu. Přednáška č.10 Difuze v tuhých látkách, fáze a fázové přeměny Nauka o materiálu Přednáška č.10 Difuze v tuhých látkách, fáze a fázové přeměny Difuze v tuhých látkách Difuzí nazýváme přesun atomů nebo iontů na vzdálenost větší než je meziatomová vzdálenost. Hnací

Více

SPECIÁLNÍ METODY OBRÁBĚNÍ SPECIÁLNÍ METODY OBRÁBĚNÍ

SPECIÁLNÍ METODY OBRÁBĚNÍ SPECIÁLNÍ METODY OBRÁBĚNÍ Předmět: Ročník: Vytvořil: Datum: STROJÍRENSKÁ TECHNOLOGIE TŘETÍ JANA ŠPUNDOVÁ 06.04.2014 Název zpracovaného celku: SPECIÁLNÍ METODY OBRÁBĚNÍ SPECIÁLNÍ METODY OBRÁBĚNÍ Používají se pro obrábění těžkoobrobitelných

Více

Principy chemických snímačů

Principy chemických snímačů Principy chemických snímačů Název školy: SPŠ Ústí nad Labem, středisko Resslova Autor: Ing. Pavel Votrubec Název: VY_32_INOVACE_05_AUT_99_principy_chemickych_snimacu.pptx Téma: Principy chemických snímačů

Více

SKUPENSTVÍ LÁTEK Prima - Fyzika

SKUPENSTVÍ LÁTEK Prima - Fyzika SKUPENSTVÍ LÁTEK Prima - Fyzika Skupenství látek Pevné skupenství Skupenství látek Skupenství látek Pevné skupenství Kapalné skupenství Skupenství látek Pevné skupenství Kapalné skupenství Plynné skupenství

Více

SPOLUPRÁCE WESTINGHOUSE S ČVUT A FZÚ AV ČR

SPOLUPRÁCE WESTINGHOUSE S ČVUT A FZÚ AV ČR SPOLUPRÁCE WESTINGHOUSE S ČVUT A FZÚ AV ČR NA PROJEKTU OCHRANY POVRCHU ZIRKONIOVÝCH SLITIN KOMPOZITNÍMI POLYKRYSTALICKÝMI DIAMANTOVÝMI POVLAKY (2014 2016) Michal Šimoník Customer Account Engineer Květen

Více

Přednáška 8. Chemické metody a fyzikálně-chemické metody : princip CVD, metody dekompozice, PE CVD

Přednáška 8. Chemické metody a fyzikálně-chemické metody : princip CVD, metody dekompozice, PE CVD Přednáška 8 Chemické metody a fyzikálně-chemické metody : princip CVD, metody dekompozice, PE CVD CVD Chemical Vapor Deposition Je chemický proces používaný k vytváření tenkých vrstev. Substrát je vystaven

Více

Plazmové svařování a dělení materiálu. Jaromír Moravec

Plazmové svařování a dělení materiálu. Jaromír Moravec Plazmové svařování a dělení materiálu Jaromír Moravec 1 Definice plazmatu Definice plazmatu je následující: Plazma je kvazineutrální soubor částic s volnými nosiči nábojů, který vykazuje kolektivní chování.

Více

Chemické metody přípravy tenkých vrstev

Chemické metody přípravy tenkých vrstev Chemické metody přípravy tenkých vrstev verze 2013 Povrchové filmy monomolekulární Langmuirovy filmy PAL (povrchově aktivní látky) na polární kapalině (vodě), 0,205 nm 2 na 1 molekulu, tloušťka dána délkou

Více

Určeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče

Určeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče Určeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče Pracovní list - test vytvořil: Ing. Lubomír Kořínek Období vytvoření VM: listopad 2013 Klíčová slova: dioda, tranzistor,

Více

TECHNOLOGIE PŘÍPRAVY EPITAXNÍCH VRSTEV KŘEMÍKU

TECHNOLOGIE PŘÍPRAVY EPITAXNÍCH VRSTEV KŘEMÍKU TECHNOLOGIE PŘÍPRAVY EPITAXNÍCH VRSTEV KŘEMÍKU David Krupa, LPE CZ s.r.o. 1 Technologie epitaxního růstu křemíku Název epitaxní je odvozen z řečtiny: epi = na taxis = uspořádaný, pravidelný na růst vrstvy

Více

Jméno autora: Mgr. Zdeněk Chalupský Datum vytvoření: Číslo DUM: VY_32_INOVACE_16_ZT_E

Jméno autora: Mgr. Zdeněk Chalupský Datum vytvoření: Číslo DUM: VY_32_INOVACE_16_ZT_E Jméno autora: Mgr. Zdeněk Chalupský Datum vytvoření: 3. 11. 2013 Číslo DUM: VY_32_INOVACE_16_ZT_E Ročník: II. ZÁKLADY TECHNIKY Vzdělávací oblast: Odborné vzdělávání Technická příprava Vzdělávací obor:

Více

Adresa místa konání: Na Slovance 2, 182 21 Praha 8 Cukrovarnická 10, 162 53 Praha 6

Adresa místa konání: Na Slovance 2, 182 21 Praha 8 Cukrovarnická 10, 162 53 Praha 6 Dny otevřených dveří 2010 Název ústavu: Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. Adresa místa konání: Na Slovance 2, 182 21 Praha 8 Cukrovarnická 10, 162 53 Praha 6 Datum a doba otevření: 4. 11. 9 až 16 hod. pro

Více

Metody využívající rentgenové záření. Rentgenovo záření. Vznik rentgenova záření. Metody využívající RTG záření

Metody využívající rentgenové záření. Rentgenovo záření. Vznik rentgenova záření. Metody využívající RTG záření Metody využívající rentgenové záření Rentgenovo záření Rentgenografie, RTG prášková difrakce 1 2 Rentgenovo záření Vznik rentgenova záření X-Ray Elektromagnetické záření Ionizující záření 10 nm 1 pm Využívá

Více

Mol. fyz. a termodynamika

Mol. fyz. a termodynamika Molekulová fyzika pracuje na základě kinetické teorie látek a statistiky Termodynamika zkoumání tepelných jevů a strojů nezajímají nás jednotlivé částice Molekulová fyzika základem jsou: Látka kteréhokoli

Více

VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH

VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH Jan Hruška TV-FYZ Ahoj, tak jsme tady znovu a pokusíme se Vám vysvětlit problematiku vedení elektrického proudu v látkách. Co je to vlastně elektrický proud? Na to

Více

Tenké vrstvy. metody přípravy. hodnocení vlastností

Tenké vrstvy. metody přípravy. hodnocení vlastností Tenké vrstvy metody přípravy hodnocení vlastností 1 / 39 Depozice tenkých vrstev Depozice vrstev se provádí jako finální operace na hotovém již tepelně zpracovaném substrátu. Pro dobré adhezní vlastnosti

Více

Základy elektrotechniky

Základy elektrotechniky Základy elektrotechniky Přednáška Diody, usměrňovače, stabilizátory, střídače 1 VÝROBA POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ Polovodič - prvek IV. skupiny, nejčastěji Si, - vysoká čistota (10-10 ), - bezchybná struktura

Více

VY_32_INOVACE_F 18 16

VY_32_INOVACE_F 18 16 Název a adresa školy: Střední škola průmyslová a umělecká, Opava, příspěvková organizace, Praskova 399/8, Opava, 746 01 IČO: 47813121 Projekt: OP VK 1.5 Název operačního programu: Typ šablony klíčové aktivity:

Více

FYZIKA VE FIRMĚ HVM PLASMA

FYZIKA VE FIRMĚ HVM PLASMA FYZIKA VE FIRMĚ HVM PLASMA Jiří Vyskočil HVM Plasma spol.s r.o. Na Hutmance 2, 158 00 Praha 5 OBSAH HVM PLASMA spol. s r.o. zaměření a historie firmy hlavní činnost a produkty POVRCHOVÉ TECHNOLOGIE metody

Více

Metody využívající rentgenové záření. Rentgenografie, RTG prášková difrakce

Metody využívající rentgenové záření. Rentgenografie, RTG prášková difrakce Metody využívající rentgenové záření Rentgenografie, RTG prášková difrakce 1 Rentgenovo záření 2 Rentgenovo záření X-Ray Elektromagnetické záření Ionizující záření 10 nm 1 pm Využívá se v lékařství a krystalografii.

Více

b) nevodiče izolanty nevedou el. proud plasty, umělé hmoty, sklo, keramika, kámen, suché dřevo,papír, textil

b) nevodiče izolanty nevedou el. proud plasty, umělé hmoty, sklo, keramika, kámen, suché dřevo,papír, textil VEDENÍ EL. PROUDU V PEVNÝCH LÁTKÁCH 1) Látky dělíme (podle toho, zda jimi může procházet el.proud) na: a) vodiče = vedou el. proud kovy (měď, hliník, zlato, stříbro,wolfram, cín, zinek) uhlík, tuha b)

Více

TOPNÁ MEMBRÁNA TYPU MEMS S NÍZKÝM PŘÍKONEM

TOPNÁ MEMBRÁNA TYPU MEMS S NÍZKÝM PŘÍKONEM VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ ÚSTAV MIKROELEKTRONIKY FACULTY OF ELECTRICAL ENGINEERING AND COMMUNICATION DEPARTMENT OF

Více

Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna

Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Tato otázka přepokládá znalost otázky č. - polovodiče. Doporučuji ujasnit

Více

ELEKTROTERMICKÁ ATOMIZACE. Electrothermal atomization AAS (ETA-AAS)

ELEKTROTERMICKÁ ATOMIZACE. Electrothermal atomization AAS (ETA-AAS) ELEKTROTERMICKÁ ATOMIZACE Electrothermal atomization AAS (ETA-AAS) FA nedosahuje detekčních mezí potřebných pro chemickou praxi (FA mg/l, ETA g/l). ETA: atomizátor obvykle ve tvaru trubičky (Massmannova

Více

Glass temperature history

Glass temperature history Glass Glass temperature history Crystallization and nucleation Nucleation on temperature Crystallization on temperature New Applications of Glass Anorganické nanomateriály se skelnou matricí Martin Míka

Více

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Polovodičové prvky V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku

Více