Uhlíkové nanostruktury nanotrubky, grafén. Mgr. Ondřej Jašek, Ph.D.
|
|
- Miluše Holubová
- před 7 lety
- Počet zobrazení:
Transkript
1 Uhlíkové nanostruktury nanotrubky, grafén Mgr. Ondřej Jašek, Ph.D. 1
2 Uhlíkové nanotrubky - čištění Odleptání amorfního uhlíku a defektů Principem je nižší stabilita defektních míst než struktury nanotrubky. v plynné fázi : oxidace při teplotách C ve vzduchu, Ar+O 2, Ar+ H 2 O, eventuálně pro odstranění katalyzátoru HCl, Cl 2, H 2 S. Nevýhodou ošetření v plynné fázi je odstranění i většího množství nanotrubek(2-20 %, čist %) a bez speciální příměsi nemůže odstranit katalyzátor (není problém pro MWCNTs z oblouku). Problémem může být také reakční plocha vzorku - promíchání. U SWCNTs eventuálně problém s menší stabilitou díky zakřivení. Poté odleptání katalyzátoru mokrou cestou (HCl, HNO 3, H 2 SO 4 atd.). Problém katalytické aktivity nanočástic. 2
3 Uhlíkové nanotrubky - čištění V kapalné fázi odstranění amorfní fáze, odstranění katalyzátoru, lepší kontrola nad oxidačním účinkem avšak dochází k modifikaci povrchu nanotrubek eventuálně k fragmentaci. Používají se HNO 3, HCl, H 2 SO 4, KMnO 4, H 2 O 2. Některé nejsou schopny odleptat katalyzátor. Výtěžek i přes 50 % s 99 % čist. Obecně se zde opět projevují problémy u SWCNTs. Jako alternativní lze provést elektrochemické čistění v lázni KOH nebo směsi výše zmíněných kyselin. P. Hou, Ch. Liu, H.-M. Cheng, Purification of carbon nanotubes, Carbon ,
4 Uhlíkové nanotrubky - čištění Fyzická separace CNTs a dalších uhlíkových struktur filtrace, odstředění Důležitou roli může hrát surfaktant SDS (Dodecylsíran sodný, též sodiumdodecylsulfát) nebo DMF (dimethylformamid) Další možností je na povrch navázat specifické skupiny umožňující poté tento klíč použít pro separaci. Po separaci je v případě potřeby tyto skupiny odstranit žíháním nebo jiným chemickým procesem. Pokud je odstranění všech katalytických částic kritické lze použít žíhání ve vakuu nebo inertní atmosféře za velmi vysoké teploty. Principem je teplota tání kovů ~ 1400 C a uhlíku (nad 3000 C). Dochází k odstranění defektů což může vést k problému odstranění ne CNT struktur později. 4
5 Uhlíkové nanotrubky - čištění Významnými metodami pro separaci nanotrubek jsou také chromatrografie a elektroforézní metody. Tyto metody jsou nejen schopny od sebe oddělit CNTs a jiné uhlíkové struktury, ale i třídit nanotrubky na základě jejich fyzických rozměrů a elektrických vlastností! Metody separace metalických a polovodivých CNTs Chattopadhyay, D.; Galeska, L.; Papadimitrakopoulos, F., A Route for Bulk Separation of Semiconducting from Metallic Single- Wall Carbon Nanotubes, J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 3370 Separace SWCNTs v roztoku octadecylamine(oda) v tetrahydrofuran.polovodivé CNTs mají větší afinitu než vodivé a ODA se váže na polovodivé. Proto potom dojde k oddělení vodivých a polovodivých. Krupke, R.; Hennrich, F.; vonlohneysen, H.; Kappes, M. M., Separation of Metallic from Semiconducting Single-Walled Carbon Nanotubes, Science, 2003, 301, separace na základě elektroforézy Thierry Lutz, Kevin J. Donovan, Macroscopic scale separation of metallic and semiconducting nanotubes by dielectrophoresis, Carbon, 43 (2005) 2508 Zheng, M.; Jagota, A.; Semke, E. D.; Diner, B. A.; Mclean, R. S.;Lustig, S. R.; Richardson, R. E.; Tassi, N. G., DNA-assisted dispersion and separation of carbon nanotubes, Nature Materials 2003, 2, 338. Chen, Z.; Du, X.; Du, M.-H.; Rancken, C. D.; Cheng, H.-P.; Rinzler, A. G., Bulk Separative Enrichment in Metallic or Semiconducting Single-Walled Carbon Nanotubes, Nano Lett. 2003, 3, ruzná vazba z brominem u polovodivých a vodivých nanotrubek a následná separace v centrifuze 5
6 Nanotube Colors Large-scale single-chirality separation of single-wall carbon nanotubes by simple gel chromatography - Huaping Liu, Daisuke Nishide, Takeshi Tanaka & Hiromichi Kataura, Nature Communications 2, Article number: 309, doi: /ncomms1313 6
7 Růst nanotrubek - vertikální Hustota a velikost katalytických nanočástic hustota růstu nanotrubek Depoziční teplota - kvalita nanotrubek Přítomnost elektrického a magnetického pole Přítomnost elektrického pole skrze předpětí v plazmatu Pokud je růst ve skupině nanotrubek nerovnoměrný může dojít k jejich deformaci Ch.-M. Seah, S.-P. Chai, A.R. Mohamed Synthesis of carbon nanotubes Review, Carbon 49, 2011,
8 Růst nanotrubek - horizontální Metody po depoziční posuv, průtok v daném směru, elektrické a magnetické pole elektroforéza atd., bubliny, Langmuir-Blodgett mechanismus a funcionalizované CNTs s vazbou na substrát Metody depoziční superponované elektrické a magnetické pole v horizontálním směru, průtok plynu, růst podle krystalografické orientace Y. Ma, B. Wang, Y. Wu, Y. Huang, Y. Chen, The production of horizontally aligned single-walled carbon nanotubes Review, Carbon 49, 2011,
9 9
10 Uhlíkové nanotrubky s/m SWCNTs Depozice CNTs na Si/SiO 2 /Fe pomocí PECVD vf. kapacitní výboj v peci ve směsi Ar/CH C, 0,5 Torr, W, 3 min. Y.Li et al., Preferential Growth of Semiconducting Single-Walled Carbon Nanotubes by a Plasma Enhanced CVD Method, Nanoletters,4, 2004,317 Až 90 % povodivých CNTs, Y.Li et al., On the Origin of Preferential Growth of Semiconducting Single-Walled Carbon Nanotubes, J. Phys. Chem. B,109,2005, 6968, polovodivé potřebují nejmenší energii k vytvoření jsou nejstabilnější Je možné selektivně odleptat metalické CNTs v CH4 plazmatu při 400 C s následným přežíháním ve vakuu za 600 C. G. Zhang et.al., Selective Etching of Metallic Carbon Nanotubes by Gas- Phase Reaction, Science 314, 2006,
11 Uhlíkové nanotrubky s/m SWCNTs Preferenční růst m-swcnts byl pozorován při CVD v systému Si/SiO 2 /Fe za použití směsi He/H 2 /H 2 O(3,5 mtorr v 840 Torr) Ve směsi s He tak H 2 O byl oproti směsi s Ar nebo pouze s H 2 byla zjištěna přítomnost až 90 % m-swcnts. Přítomnost He ke změně tvaru částice (rekrystalizaci), přítomnost této rekrystalizace ve spojení s H 2 O pak má za výsledek preferenční růst konfigurací metalických nanotrubek. Harutyunyan A.R. et.al. Preferential Growth of Single-Walled Carbon Nanotubes with Metallic Conductivity, Science 326, 2009, 116. Práce s vlastnostmi a procesy ovlivňující katalyzátor jsou velmi důležité a rozhodující pro řízený růst SWCNTs! Chiang W.-H., R. Mohan Sankaran, Linking catalyst composition to chirality distributions of as-grown single-walled carbon nanotubes by tuning Ni x Fe 1-x nanoparticles, Nature Materials 8, (2009). 11
12 Grafén Graphene 2D struktura tvořená 1 grafitovou rovinu hexagonální uspořádání uhlíkových atomů v sp 2 hybridizaci Vykazuje nulovou efektivní hmotnost vodičů náboje s lineární disperzní relací E ~ k s v F = 10^6 m.s -1. Vykazuje vysokou vodivost, možné až cm 2.V -1.s -1 a hustotu vodičů náboje cm 2. Reálně asi cm 2.V -1.s -1. Měrný odpor 10-6 Ohm.cm. Zakázaný pás je téměr 0 ev semi-metal, zero gap semiconductor Lze pozorovat balistický transport a různé typy Hallova kvantového jevu. Velmi vysoká pevnost a tepelná vodivost překonávající CNTs. Transmise téměř nezávislá na vlnové délce πα 2.3% v bílém světle, α konstanta jemné struktury Mimo grafénu lze v této struktuře také nalézt BN, WS 2, MoS 2, MoSe 2 Tyto struktury mají nenulový zakázaný pás! 12
13 Grafén - vlastnosti R.R.Nair et al.,science, 320, 2008, 1308 Quantum Hall effect A.K. Geim, K. S.Novoselov, The Rise of Graphene, Nature Materials, 6, 2007,
14 Metody přípravy grafénu F. Bonaccorso et. al. Production and processing of graphene and 2d crystals, Materials Today 15(12), 2012,
15 Metody syntézy Exfoliace grafitu Jednoduchá metoda produkující vysoce kvalitní grafén. Identifikace možná díky rychle rostoucímu kontrastu na specifické tloušťce SiO 2 a počtu vrstev grafénu. Výtěžek metody je však relativně velmi malý. Novoselov, K. S. et al. Electric field effect in atomically thin carbon films. Science 306, (2004). Novoselov, K. S. et al. Two-dimensional atomic crystals. Proc. Natl Acad. Sci. USA 102, (2005). Novoselov, K. S. et al. Two-dimensional gas of massless Dirac fermions in graphene. Nature 438, (2005). 15
16 Metody syntézy Exfoliace grafitu - Identifikace Optický kontrast AFM závislé na substrátu Elektrická měření interakce se substrátem Ramanovská spektroskopie Hlavní znaky: Minimální D pík Pokud možno maximální podíl I 2D /I G Pozice 2D píku 2680 cm -1 FWHM 2D píku cm -1 Pík v oblasti cm -1 - více vrstev arxiv: v3 16
17 Metody syntézy Chemická exfoliace Postup: a)disperze zdroje grafitu b) exfoliace c) čištění a redukce Příklad postupu: a) šupiny expandovaného grafitu jsou vloženy do roztoku H 2 SO 4 /H 3 PO 4 s příměsí KMnO 4. Roztok se zahřeje na 50 C, a intenzivně míchá po 4 h. Poté zhládne a je přidána voda a H 2 O 2. Výsledek je pak promyt ve směsi 5 % HCl, ethanol a voda a odstředěn. Směs je pak znovu rozředěna a roztřepána v ultrazvuku a dostáváme roviny GO graphene oxidu. Redukce GO je redukován ve vodíku nebo v chemickém redukčním prostředí za zvýšené teploty hydrazin apod. Výhoda je v dosažení homogenní směsi v kapalině, kterou lze pak nanášet na libovolný substrát postupy pro vytváření vrstev mokrou cestou (stříkání, roztírání apod.) S.Park, R. S. Ruoff, Chemical methods for the production of graphenes, Nature Nanotechnology, 4, 2009,
18 Metody syntézy Epitaxní růst SiC Žíhání krystalu SiC za vysoké teploty (> 1100 C) a vysokého vakua (10-5 Pa) vede k sublimaci atomů Si a vytvoření slabě vázané grafénové roviny na substrátu Touto metodou lze připravit vysoce kvalitní grafénové vrstvy je však velmi náročná na experimentální postup Je také silně závislý na krystalografické orientaci SiC a není self-limiting, tj. může se vytvořit více vrstevná struktura. Ačkoliv je tato metoda nazývaná epitaxní není tomu přesně tak (velký rozdíl mřížkových parametrů a rekonstrukce povrchu není z plynné fáze). Tento postup však sdíli možnosti pracovat kompatibilně s depozice mi pro mikroelektronický průmysl. Subtráty vhodné pro epitaxní růst: hexagonal closed packed (hcp) h-bn, Co (>400 C), dále pak Ru, Hf, Ti, Zn nebo face centred cubic (111) kovy Ni,Cu, Pd apod s ale už větší odchylkou. 18
19 Metody syntézy růst na kovech a CVD Množství uhlíku rozpustného v kovech je v řádu procent nebo méně, závisí i na fázi krystalu. Pro grafén je výhodné používat kovy s nižší rozpustností netvořící stabilní karbidy. Tedy například Cu, Ni, Pt apod. Kov může být v podobě folie nebo tenké vrstvy na substrátu. Uhlík lze dopravit na substrát v různé podobě (plyn, kapalina, pevná látka). Tato metoda vyžaduje velice přesnou kontrolu na množstvím uhlíku a kovu dostupnému při depozici a silně závisí na době žíhání a rychlosti chlazení substrátu. Určitou možností jak využít větší množství uhlíku je přerůstání grafénu přes hranici kovu. 19
20 Metody syntézy CVD, PECVD U CVD je uhlík dodáván z plynné fáze a jsou tedy velmi důležité procesy ovlivňující chování prekurzoru za dané teploty nad substrátem (pyrolýza uhlovodíku, excitace v plazmatu), ale také na substrátu (adsorpce a desorpce z povrchu, katalytické reakce na povrchu). Dnes se v zásadě používá Cu jako vrstva pro růst. Podoba může být jako folie (25 mm tloušťka typicky) nebo napařená nebo naprášená vrstva mědi ( nm) na Si/SiO 2 substrátu. Syntéza probíhá v schématu žíhání ve vodíku, růstová fáze ve směsi H 2 /CH 4 (C 2 H 2 )/ při teplotě C, chladnutí pod inertní nebo růstovou atmosférou. X. Li et.al. Large-Area Synthesis of High-Quality and Uniform Graphene Films on Copper Foils, Science 324, 1312 (2009); 20
21 Metody syntézy CVD, PECVD Podobný scénář i pro CVD na napařené mědi, důležitá je čistota Cu vrstvy (99,99 %). S Substrát Si/SiO 2 (300 nm ). Žíhání ve vodíku 975 C, 5 minut. Poté růst čistě v CH sccm, 5 minut. Chládnutí 50 C/min do 550 ve vakuu, poté už pod 500 sccm N 2 na alespoň 120 C. L. Tao et.al. Uniform Wafer-Scale Chemical Vapor Deposition of Graphene on Evaporated Cu (111) Film with Quality Comparable to Exfoliated Monolayer, J. Phys. Chem. C 2012, 116,
22 Transfer grafénu na libovolný substrát Přenos grafénu je možný s Cu substrátu ve schématu: a) vytvoření přenosové masky z PMMA b) odleptání Cu (např. FeCl 3 ) c) přenesení PMMA a grafénu na daný substrát d) odleptání PMMA. Gao, L. et al. Nature 505, (2014). 22
23 Definované rozdělení roviny grafénu Ni nanočástice na HOPG v Ar/H 2 (85:15) při teplotě K Lijie Ci, Zhiping Xu, Lili Wang, Wei Gao, Feng Ding, Kevin F. Kelly, Boris I. Yakobson, and Pulickel M. Ajayan, Controlled Nanocutting of Graphene, Nano Res (2008) 1:
24 Grafénové pásy, nanoribbons Liying Jiao et al., Narrow graphene nanoribbons from carbon nanotubes, 458, Nature, 877. Dmitry V. Kosynkin et al., Longitudinal unzipping of carbon nanotubes to form graphene nanoribbons, Nature, 458, 2009, 872. GNR zig-zag vodiče, archmchair vodiče i polovodiče 24
25 Literatura Michael F. L. De Volder et.al. Carbon Nanotubes: Present and Future Commercial Applications, Science, 339, 2013,535 K. S. Novoselov, A roadmap for graphene, Nature, 490, 2012, 192 Andrea C. Ferrari and Denis M. Basko, Raman spectroscopy as a versatile tool for studying the properties of graphene, Nature Nanotechnology, 8, 2013, 235 Dokončení příště syntéza grafén v plynné fázi 25
Příprava grafénu. Petr Jelínek
Příprava grafénu Petr Jelínek Schéma prezentace Úvod do tématu Provedené experimenty - příprava grafénu - charakterizace Plánovaná činnost - experimenty Závěr 2 Pohled do historie 1960 HOPG (Arthur Moore)
VíceUhlíkové nanostruktury fullereny, nanotrubky. Mgr. Ondřej Jašek, Ph.D.
Uhlíkové nanostruktury fullereny, nanotrubky Mgr. Ondřej Jašek, Ph.D. 1 Nanostruktury uhlíku 3D, 0D 1D 2D 2 Micro -> Nano 3 Dnešní téma Jak lze syntetizovat fullereny. Jak lze deponovat diamantovou vrstvu
VíceDepozice uhlíkových nanotrubek metodou PECVD a jejich analýza
Depozice uhlíkových nanotrubek metodou PECVD a jejich analýza Jiřina Matějková UPT Brno AV ČR Ondřej Jašek- KFE Přírodovědecká fakulta MU Brno, jasek@physics.muni.cz Marek Eliáš, Lenka Zajíčková, Vít Kudrle,
VíceUhlíkové struktury vázající ionty těžkých kovů
Uhlíkové struktury vázající ionty těžkých kovů 7. června/june 2013 9:30 h 17:30 h Laboratoř metalomiky a nanotechnologií, Mendelova univerzita v Brně a Středoevropský technologický institut Budova D, Zemědělská
VíceZákladní typy článků:
Základní typy článků: Články z krystalického Si c on ta c t a ntire fle c tio n c o a tin g Tenkovrstvé články N -ty p e P -ty p e Materiály a technologie pro fotovoltaické články Nové materiály Gratzel,
VícePlazmová depozice tenkých vrstev oxidu zinečnatého
Plazmová depozice tenkých vrstev oxidu zinečnatého Bariérový pochodňový výboj za atmosférického tlaku Štěpán Kment Doc. Dr. Ing. Petr Klusoň Mgr. Zdeněk Hubička Ph.D. Obsah prezentace Úvod do problematiky
VíceChemické metody plynná fáze
Chemické metody plynná fáze Chemické reakce prekurzorů lze aktivovat i UV zářením PHCVD. Foton aktivuje molekuly nebo atomy, které pak vytvářejí volné radikály nesoucí hodně energie > ty pak rozbijí velké
VícePřehled metod depozice a povrchových
Kapitola 5 Přehled metod depozice a povrchových úprav Tabulka 5.1: První část přehledu technologií pro depozici tenkých vrstev. Klasifikované podle použitého procesu (napařování, MBE, máčení, CVD (chemical
VíceChemické metody přípravy tenkých vrstev
Chemické metody přípravy tenkých vrstev verze 2013 Povrchové filmy monomolekulární Langmuirovy filmy PAL (povrchově aktivní látky) na polární kapalině (vodě), 0,205 nm 2 na 1 molekulu, tloušťka dána délkou
VíceREAKTIVNÍ MAGNETRONOVÉ NAPRAŠOV. Jan VALTER HVM Plasma s.r.o. www.hvm.cz
REAKTIVNÍ MAGNETRONOVÉ NAPRAŠOV OVÁNÍ Jan VALTER SCHEMA REAKTIVNÍHO NAPRAŠOV OVÁNÍ zdroj výboje katoda odprašovaný terč plasma inertní napouštění plynů reaktivní zdroj předpětí p o v l a k o v a n é s
VícePlazmové metody Materiály a technologie přípravy M. Čada
Plazmové metody Existuje mnoho druhů výbojů v plynech. Ionizovaný plyn = elektrony + ionty + neutrály Depozice tenkých vrstev za pomocí plazmatu je jednou z nejpoužívanějších metod. Pomocí plazmatu lze
VíceBudoucnost patří uhlíkatým nanomateriálům
Budoucnost patří uhlíkatým nanomateriálům Otakar Frank Oddělení elektrochemických materiálů Ústav fyzikální chemie J. Heyrovského, v.v.i. Akademie věd ČR otakar.frank@jh-inst.cas.cz www.nanocarbon.cz Nanoúvod
VíceVakuové metody přípravy tenkých vrstev
Vakuové metody přípravy tenkých vrstev Metody vytváření tenkých vrstev Vakuové metody dnes nejužívanější CVD Chemical Vapour Deposition (PE CVD Plasma Enhanced CVD nebo PA CVD Plasma Assisted CVD) PVD
VíceHydrogenovaný grafen - grafan
Hydrogenovaný grafen - grafan Zdeněk Sofer, Daniel Bouša, Vlastimil Mazánek, Michal Nováček, Jan Luxa, Alena Libánská, Ondřej Jankovský, David Sedmidubský Ústav anorganické chemie, VŠCHT Praha, Technická
VíceU BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D.
Napěťový průraz polovodičových přechodů Zvyšování napětí na přechodu -přechod se rozšiřuje, ale pouze s U (!!) - intenzita elektrického pole roste -překročení kritické hodnoty U (BR) -vzrůstu závěrného
VíceVyužití kalorimetrie při studiu nanočástic. Jindřich Leitner VŠCHT Praha
Využití kalorimetrie při studiu nanočástic Jindřich Leitner VŠCHT Praha Obsah přednášky 1. Velikost a tvar nanočástic 2. Povrchová energie 3. Teplota a entalpie tání 4. Tepelná kapacita a entropie 5. Molární
VíceGrafen. Nobelova cena za fyziku 2010. Ludvík Smrčka Fyzikální ústav AVČR v. v. i. Praha
Grafen Nobelova cena za fyziku 2010 Ludvík Smrčka Fyzikální ústav AVČR v. v. i. Praha 25.10.2012 Andre Geim Flying frog The Nobel Prize in Physics 2010 was awarded jointly to Andre Geim and Konstantin
VíceKatedra chemie FP TUL Chemické metody přípravy vrstev
Chemické metody přípravy vrstev Metoda sol-gel Historie nejstarší příprava silikagelu 1939 patent na výrobu antireflexních vrstev na fotografické čočky 60. léta studium vrstev SiO 2 a TiO 2 70. léta výroba
VíceVybrané technologie povrchových úprav. Metody vytváření tenkých vrstev Doc. Ing. Karel Daďourek 2008
Vybrané technologie povrchových úprav Metody vytváření tenkých vrstev Doc. Ing. Karel Daďourek 2008 Metody vytváření tenkých vrstev Vakuové metody dnes nejužívanější CVD Chemical vapour deposition PE CVD
VíceVyužití plazmových metod ve strojírenství. Metody depozice povlaků a tenkých vrstev
Využití plazmových metod ve strojírenství Metody depozice povlaků a tenkých vrstev Metody depozice povlaků Využití plazmatu pro depozice (nanášení) povlaků a tenkých vrstev je moderní a stále častěji aplikovaná
Více10/21/2013. K. Záruba. Chování a vlastnosti nanočástic ovlivňuje. velikost a tvar (distribuce) povrchové atomy, funkční skupiny porozita stabilita
Chování a vlastnosti nanočástic ovlivňuje velikost a tvar (distribuce) povrchové atomy, funkční skupiny porozita stabilita K. Záruba Optická mikroskopie Elektronová mikroskopie (SEM, TEM) Fotoelektronová
VíceMetody depozice povlaků - CVD
Procesy CVD, PA CVD, PE CVD Chemická metoda depozice vrstev CVD využívá pro depozici směs chemicky reaktivních plynů (např. CH 4, C 2 H 2, apod.) zahřátou na poměrně vysokou teplotu 900 1100 C. Reakční
VíceSměsi a čisté látky, metody dělení
Směsi a čisté látky, metody dělení LÁTKY Chemicky čisté látky Sloučeniny Chemické prvky Homogenní Roztoky pevné kapalné plynné Směsi Heterogenní Suspenze Emulze Pěna Aerosol Chemicky čisté látky: prvky
VíceTECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ III.
TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ III. NANÁŠENÍ VRSTEV V mikroelektronice se nanáší tzv. tlusté a tenké vrstvy. a) Tlusté vrstvy: Používají se v hybridních integrovaných obvodech. Nanáší
Vícevodič u něho dochází k transportu el. nabitých částic, který je nevratný, dochází ke vzniku proudu a disipaci energie
Chování polymerů v elektrickém a magnetickém poli vodič u něho dochází k transportu el. nabitých částic, který je nevratný, dochází ke vzniku proudu a disipaci energie dielektrikum, izolant, nevodič v
VíceVysoká škola chemicko-technologická v Praze. Ústav organické technologie. Václav Matoušek
Vysoká škola chemicko-technologická v Praze Ústav organické technologie VŠCHT PRAHA SVOČ 2005 Václav Matoušek Školitel : Ing. Petr Kačer, PhD. Prof. Ing. Libor Červený, DrSc. Proč asymetrická hydrogenace?
VíceNanokrystalické tenké filmy oxidu železitého pro solární štěpení vody
Nanokrystalické tenké filmy oxidu železitého pro solární štěpení vody J. Frydrych, L. Machala, M. Mašláň, J. Pechoušek, M. Heřmánek, I. Medřík, R. Procházka, D. Jančík, R. Zbořil, J. Tuček, J. Filip a
VíceVyberte z těchto částic Cu Cl 2 Fe 2+ Na + CO H 2 SO 4 Ag Cl - NaOH. atomy: Cu Ag molekuly: Cl 2 CO H 2 SO 4 NaOH kationty: Fe 2+ Na +
OPAKOVÁNÍ Vyberte z těchto částic Cu Cl 2 Fe 2+ Na + CO H 2 SO 4 Ag Cl - NaOH atomy: Cu Ag molekuly: Cl 2 CO H 2 SO 4 NaOH kationty: Fe 2+ Na + Vyberte z těchto částic Cu Cl 2 Fe 2+ Na + CO H 2 SO 4 Ag
VícePřednáška 8. Chemické metody a fyzikálně-chemické metody : princip CVD, metody dekompozice, PE CVD
Přednáška 8 Chemické metody a fyzikálně-chemické metody : princip CVD, metody dekompozice, PE CVD CVD Chemical Vapor Deposition Je chemický proces používaný k vytváření tenkých vrstev. Substrát je vystaven
VíceVýstupní práce Materiály a technologie přípravy M. Čada
Výstupní práce Makroskopická veličina charakterizující povrch z pohledu elektronických vlastností. Je to míra vazby elektronu k pevné látce a hraje důležitou roli při procesech transportu nabitých částic
VícePodivuhodný grafen. Radek Kalousek a Jiří Spousta. Ústav fyzikálního inženýrství a CEITEC Vysoké učení technické v Brně. Čichnova 19. 9.
Podivuhodný grafen Radek Kalousek a Jiří Spousta Ústav fyzikálního inženýrství a CEITEC Vysoké učení technické v Brně Čichnova 19. 9. 2014 Osnova přednášky Úvod Co je grafen? Trocha historie Některé podivuhodné
VíceNano a mikrotechnologie v chemickém inženýrství. Hi-tech VYSOKÁ ŠKOLA CHEMICKO-TECHNOLOGICKÁ V PRAZE ÚSTAV CHEMICKÉHO INŽENÝRSTVÍ
Nano a mikrotechnologie v chemickém inženýrství Hi-tech VYSOKÁ ŠKOLA CHEMICKO-TECHNOLOGICKÁ V PRAZE ÚSTAV CHEMICKÉHO INŽENÝRSTVÍ Hi-tech Nano a mikro technologie v chemickém inženýrství umožňují: Samočisticí
VíceDOUTNAVÝ VÝBOJ. Další technologie využívající doutnavý výboj
DOUTNAVÝ VÝBOJ Další technologie využívající doutnavý výboj Plazma doutnavého výboje je využíváno v technologiích depozice povlaků nebo modifikace povrchů. Jedná se zejména o : - depozici povlaků magnetronovým
Vícegalvanicky chemicky plazmatem ve vakuu Vrstvy ve vakuu MBE Vakuová fyzika 2 1 / 39
Vytváření vrstev galvanicky chemicky plazmatem ve vakuu Vrstvy ve vakuu povlakování MBE měření tloušt ky vrstvy během depozice Vakuová fyzika 2 1 / 39 Velmi stručná historie (více na www.svc.org) 1857
VíceChování látek v nanorozměrech
Univerzita J.E. Purkyně v Ústí nad Labem Chování látek v nanorozměrech Pavla Čapková Přírodovědecká fakulta Univerzita J.E. Purkyně v Ústí nad Labem Březen 2014 Chování látek v nanorozměrech: Co se děje
VíceSkupenské stavy. Kapalina Částečně neuspořádané Volný pohyb částic nebo skupin částic Částice blíže u sebe
Skupenské stavy Plyn Zcela neuspořádané Hodně volného prostoru Zcela volný pohyb částic Částice daleko od sebe Kapalina Částečně neuspořádané Volný pohyb částic nebo skupin částic Částice blíže u sebe
VíceModelování nanomateriálů: most mezi chemií a fyzikou
2. Letní škola letní Nanosystémy Bio-Eko-Tech Malenovice, 16. 18. 9. 2010 Modelování nanomateriálů: most mezi chemií a fyzikou František Karlický Katedra fyzikální chemie Regionální centrum pokročilých
VíceNanolitografie a nanometrologie
Nanolitografie a nanometrologie 1 Nanolitografie 2 Litografie svazkem 3 Softlitografie 4 Skenovací nanolitografie Nanolitografie Poznámky k tvorbě nanostruktur tvorba užitečných nanostruktur vyžaduje spojení
VíceLasery v mikroelektrotechnice. Soviš Jan Aplikovaná fyzika
Lasery v mikroelektrotechnice Soviš Jan Aplikovaná fyzika Obsah Úvod Laserové: žíhání rýhování (orýsování) dolaďování depozice tenkých vrstev dopování příměsí Úvod Vysoká hustota výkonu laseru změna struktury
VíceOpakování
Slabé vazebné interakce Opakování Co je to atom? Opakování Opakování Co je to atom? Atom je nejmenší částice hmoty, chemicky dále nedělitelná. Skládá se z atomového jádra obsahujícího protony a neutrony
VíceELEKTRONICKÉ PRVKY TECHNOLOGIE VÝROBY POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ
ELEKTRONICKÉ PRVKY TECHNOLOGIE VÝROBY POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ Polovodič - prvek IV. skupiny, v elektronice nejčastěji křemík Si, vykazuje vysokou čistotu (10-10 ) a bezchybnou strukturu atomové mřížky v monokrystalu.
VíceAutokláv reaktor pro promíchávané vícefázové reakce
Vysoká škola chemicko technologická v Praze Ústav organické technologie (111) Autokláv reaktor pro promíchávané vícefázové reakce Vypracoval : Bc. Tomáš Sommer Předmět: Vícefázové reaktory (prof. Ing.
VícePříprava a aplikace grafenu
Příprava a aplikace grafenu Petr Macháč, Vysoká škola chemicko-technologická, Technická 5, 166 28 Praha 6 petr.machac@vscht.cz Souhrn Grafen je jednou z forem uhlíku. Jedná se o 2D materiál, který je tvořen
Více3. Vlastnosti skla za normální teploty (mechanické, tepelné, optické, chemické, elektrické).
PŘEDMĚTY KE STÁTNÍM ZÁVĚREČNÝM ZKOUŠKÁM V BAKALÁŘSKÉM STUDIU SP: CHEMIE A TECHNOLOGIE MATERIÁLŮ SO: MATERIÁLOVÉ INŽENÝRSTVÍ POVINNÝ PŘEDMĚT: NAUKA O MATERIÁLECH Ing. Alena Macháčková, CSc. 1. Souvislost
VícePrášková metalurgie. Výrobní operace v práškové metalurgii
Prášková metalurgie Výrobní operace v práškové metalurgii Prášková metalurgie - úvod Prášková metalurgie je obor zabývající se výrobou práškových materiálů a jejich dalším zpracováním (tj. lisování, slinování,
VíceTřífázové trubkové reaktory se zkrápěným ložem katalyzátoru. Předmět: Vícefázové reaktory Jméno: Veronika Sedláková
Třífázové trubkové reaktory se zkrápěným ložem katalyzátoru Předmět: Vícefázové reaktory Jméno: Veronika Sedláková 3-fázové reakce Autoklávy (diskontinuální) Trubkové reaktory (kontinuální) Probublávané
VíceNANOSTRUKTURY NA BÁZI UHLÍKU A POLYMERU PRO VYUŽITÍ V BIOELEKTRONICE A V MEDICÍNE
Nanotechnologie pro společnost, KAN400480701 NANOSTUKTUY NA BÁZI UHLÍKU A POLYMEU PO VYUŽITÍ V BIOELEKTONICE A V MEDICÍNE ÚJF Řež, leden 2009 Temata řešená v rámci projektu na VŠCHT A4 Nanostruktury vytvořené
VíceTechnologie CMOS. Je to velmi malý svět. Technologie CMOS Lokální oxidace. Vytváření izolačních příkopů. Vytváření izolačních příkopů
Je to velmi malý svět Technologie CMOS Více než 2 000 000 tranzistorů v 45nm technologii může být integrováno na plochu tečky za větou. From The Oregonian, April 07, 2008 Jiří Jakovenko Struktury integrovaných
VíceVícefázové reaktory. Probublávaný reaktor plyn kapalina katalyzátor. Zuzana Tomešová
Vícefázové reaktory Probublávaný reaktor plyn kapalina katalyzátor Zuzana Tomešová 2008 Probublávaný reaktor plyn - kapalina - katalyzátor Hydrogenace méně těkavých látek za vyššího tlaku Kolony naplněné
VíceIradiace tenké vrstvy ionty
Iradiace tenké vrstvy ionty Ve většině technologických aplikací dochází k depozici tenké vrstvy za nízké teploty > jsme v zóně I nebo T > vrstvá má sloupcovou strukturu, je porézní a hrubá. Ukazuje se,
VíceMINIATURIZACE PRŮTOKOVÝCH ELEKTROCHEMICKÝCH CEL PRO GENEROVÁNÍ TĚKAVÝCH SLOUČENIN. Jakub Hraníček
MINIATURIZACE PRŮTOKOVÝCH ELEKTROCHEMICKÝCH CEL PRO GENEROVÁNÍ TĚKAVÝCH SLOUČENIN Jakub Hraníček Katedra analytické chemie, Přírodovědecká fakulta, Univerzita Karlova, Albertov 6, 128 43 Praha 2 E-mail:
VíceDepozice uhlíkových nanotrubek
MASARYKOVA UNIVERZITA V BRNĚ, PŘÍRODOVĚDECKÁ FAKULTA Depozice uhlíkových nanotrubek v mikrovlnném plazmovém hořáku Bakalářská práce Brno, 2006 Petr Synek Zde bych chtěl poděkovat všem, bez jejichž podpory
VíceOmezování plynných emisí. Ochrana ovzduší ZS 2012/2013
Omezování plynných emisí Ochrana ovzduší ZS 2012/2013 1 Úvod Různé fyzikální a chemické principy + biotechnologie Principy: absorpce adsorpce oxidace a redukce katalytická oxidace a redukce kondenzační
VíceIII/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT. Pracovní list č.3 k prezentaci Křivky chladnutí a ohřevu kovů
Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0514 Číslo a název šablony klíčové aktivity III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Tematická oblast Strojírenská technologie, vy_32_inovace_ma_22_06 Autor
VíceCHO cvičení, FSv, ČVUT v Praze
2. Chemické rovnice Chemická rovnice je schématický zápis chemického děje (reakce), který nás informuje o reaktantech (výchozích látkách), produktech, dále o stechiometrii reakce tzn. o vzájemném poměru
VíceV001 Dokončení a kalibrace experimentálních zařízení v laboratoři urychlovače Tandetron
V001 Dokončení a kalibrace experimentálních zařízení v laboratoři urychlovače Tandetron Údaje o provozu urychlovačů v ÚJF AV ČR ( hodiny 2009/hodiny 2008) Urychlovač Celkový počet hodin Analýzy Implantace
VíceFyzika IV. -ezv -e(z-zv) kov: valenční elektrony vodivostní elektrony. Elektronová struktura pevných látek model volných elektronů
Elektronová struktura pevných látek model volných elektronů 1897: J.J. Thomson - elektron jako částice 1900: P. Drude: kinetická teorie plynů - kov jako plyn elektronů Drudeho model elektrony se mezi srážkami
VíceMetody analýzy povrchu
Metody analýzy povrchu Metody charakterizace nanomateriálů I RNDr. Věra Vodičková, PhD. Povrch pevné látky: Poslední monoatomární vrstva + absorbovaná monovrstva Ovlivňuje fyzikální vlastnosti (ukončení
VícePřednáška 3. Napařování : princip, rovnovážný tlak par, rychlost vypařování.
Přednáška 3 Napařování : princip, rovnovážný tlak par, rychlost vypařování. Realizace vypařovadel, směrovost vypařování, vypařování sloučenin a slitin, Vypařování elektronovým svazkem a MBE Napařování
VíceChemie povrchů verze 2013
Chemie povrchů verze 2013 Definice povrchu složitá, protože v nanoměřítku (na úrovni velikosti atomů) je elektronový obal atomů difúzní většinou definován fyzikální adsorpcí nereaktivních plynů Vlastnosti
VíceVYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ
VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY FAKULTA STROJNÍHO INŽENÝRSTVÍ FACULTY OF MECHANICAL ENGINEERING ÚSTAV FYZIKÁLNÍHO INŽENÝRSTVÍ INSTITUTE OF PHYSICAL ENGINEERING PŘÍPRAVA GRAFENU
VíceVyužití plazmochemické redukce pro konzervaci archeologických nálezů
Využití plazmochemické redukce pro konzervaci archeologických nálezů Zuzana Rašková Technické muzeum v Brně, Purkyňova 105, 612 00 Brno, raskova@technicalmuseum.cz 24.7.2006 1 Nječastější kovové sbírkové
VíceTeorie chemické vazby a molekulární geometrie Molekulární geometrie VSEPR
Geometrie molekul Lewisovy vzorce poskytují informaci o tom které atomy jsou spojeny vazbou a o jakou vazbu se jedná (topologie molekuly). Geometrické uspořádání molekuly je charakterizováno: Délkou vazeb
VíceUFN Nanočástice oxidů
UFN Nanočástice oxidů Magnetické nanočástice a jejich modifikace cyklodextriny 2 Cyklodextriny (CD) 3 cyklické oligosacharidy vyráběny degradací škrobu cyklodextrin glykosyltransferasou tvar dutého komolého
Více12. Elektrochemie základní pojmy
Důležité veličiny Elektroda, článek Potenciometrie Evropský sociální fond Praha & EU: Investujeme do vaší budoucnosti Důležité veličiny proud I (ampér - A) náboj Q (coulomb - C) Q t 0 I dt napětí, potenciál
VíceStruktura a vlastnosti kovů I.
Struktura a vlastnosti kovů I. Vlastnosti fyzikální (teplota tání, měrný objem, moduly pružnosti) Vlastnosti elektrické (vodivost,polovodivost, supravodivost) Vlastnosti magnetické (feromagnetika, antiferomagnetika)
VíceChemické metody depozice z plynné fáze
Kapitola 7 Chemické metody depozice z plynné fáze Chemickými procesy v plynné fázi jsou metody vytváření tenkých vrstev s využitím čistě chemických procesů, jedná se o reakci plynné fáze nebo par na jedné
VíceSlitiny titanu pro použití (nejen) v medicíně
Slitiny titanu pro použití (nejen) v medicíně Josef Stráský a spol. Katedra fyziky materiálů MFF UK Obsah Vývoj slitin Ti pro použití v ortopedii Spolupráce: Beznoska s.r.o., Kladno Ultrajemnozrnné slitiny
VíceGALAVANICKÝ ČLÁNEK. V běžné životě používáme název baterie. Odborné pojmenování pro baterii je galvanický článek.
GALAVANICKÝ ČLÁNEK V běžné životě používáme název baterie. Odborné pojmenování pro baterii je galvanický článek. Galvanický článek je zařízení, které využívá redoxní reakce jako zdroj energie. Je zdrojem
VíceUhlík a jeho alotropy
Uhlík Uhlík a jeho alotropy V přírodě se uhlík nachází zejména v karbonátových usazeninách, naftě, uhlí, a to jako směs grafitu a amorfní formy C. Rozeznáváme dvě základní krystalické formy uhlíku: a)
VíceVÝROBA TANTALOVÝCH KONDENZÁTORŮ V AVX LANŠKROUN. AVX Czech Republic, Dvořákova 328, 563 01 Lanškroun, Česká republika
VÝROBA TANTALOVÝCH KONDENZÁTORŮ V AVX LANŠKROUN Autor: Ing. Tomáš Kárník, CSc. AVX Czech Republic, Dvořákova 328, 563 01 Lanškroun, Česká republika Abstrakt: Abstract: Elektrický kondenzátor je zařízení
VíceAnotace přednášek LŠVT 2015 Česká vakuová společnost. Téma: Plazmové technologie a procesy. Hotel Racek, Úštěk, 1 4. června 2015
Anotace přednášek LŠVT 2015 Česká vakuová společnost Téma: Plazmové technologie a procesy Hotel Racek, Úštěk, 1 4. června 2015 1) Úvod do plasmochemie Lenka Zajíčková, Ústav fyzikální elektroniky, PřF
VíceELEKTROTERMICKÁ ATOMIZACE. Electrothermal atomization AAS (ETA-AAS)
ELEKTROTERMICKÁ ATOMIZACE Electrothermal atomization AAS (ETA-AAS) FA nedosahuje detekčních mezí potřebných pro chemickou praxi (FA mg/l, ETA g/l). ETA: atomizátor obvykle ve tvaru trubičky (Massmannova
VíceZADÁNÍ BAKALÁŘSKÉ PRÁCE
Vysoké učení technické v Brně, Fakulta strojního inženýrství Ústav fyzikálního inženýrství Akademický rok: 2013/2014 ZADÁNÍ BAKALÁŘSKÉ PRÁCE student(ka): Jakub Kuba který/která studuje v bakalářském studijním
VíceSeminář projektu Rozvoj řešitelských týmů projektů VaV na Technické univerzitě v Liberci Registrační číslo projektu: CZ.1.07/2.3.00/30.
Seminář projektu Rozvoj řešitelských týmů projektů VaV na Technické univerzitě v Liberci Registrační číslo projektu: CZ.1.07/2.3.00/30.0024 Fakulta strojního inženýrství - VUT v Brně Nejen ozubená kola
VíceAtom vodíku. Nejjednodušší soustava: p + e Řešitelná exaktně. Kulová symetrie. Potenciální energie mezi p + e. e =
Atom vodíku Nejjednodušší soustava: p + e Řešitelná exaktně Kulová symetrie Potenciální energie mezi p + e V 2 e = 4πε r 0 1 Polární souřadnice využití kulové symetrie atomu Ψ(x,y,z) Ψ(r,θ, φ) x =? y=?
VíceFotokatalytická oxidace acetonu
Fotokatalytická oxidace acetonu Hana Žabová 5. ročník Doc. Ing. Bohumír Dvořák, CSc Osnova 1. ÚVOD 2. CÍL PRÁCE 3. FOTOKATALYTICKÁ OXIDACE Mechanismus Katalyzátor Nosič-typy Aparatura 4. VÝSLEDKY 5. ZÁVĚR
VíceMikroskopie rastrující sondy
Mikroskopie rastrující sondy Metody charakterizace nanomateriálů I RNDr. Věra Vodičková, PhD. Metody mikroskopie rastrující sondy SPM (scanning( probe Microscopy) Metody mikroskopie rastrující sondy soubor
VíceElektronová mikroskopie SEM, TEM, AFM
Elektronová mikroskopie SEM, TEM, AFM Historie 1931 E. Ruska a M. Knoll sestrojili první elektronový prozařovací mikroskop 1939 první vyrobený elektronový mikroskop firma Siemens rozlišení 10 nm 1965 první
VíceJ.Kubíček 2018 FSI Brno
J.Kubíček 2018 FSI Brno Chemicko-tepelným zpracováním označujeme způsoby difúzního sycení povrchu různými prvky. Nasycujícími (resp. legujícími) prvky mohou být kovy i nekovy. Cílem chemickotepelného zpracování
VíceCo je litografie? - technologický proces sloužící pro vytváření jemných struktur (obzvláště mikrostruktur a nanostruktur)
Co je litografie? - technologický proces sloužící pro vytváření jemných struktur (obzvláště mikrostruktur a nanostruktur) -přenesení dané struktury na povrch strukturovaného substrátu Princip - interakce
VíceDUSÍK NITROGENIUM 14,0067 3,1. Doplňte:
Doplňte: Protonové číslo: Relativní atomová hmotnost: Elektronegativita: Značka prvku: Latinský název prvku: Český název prvku: Nukleonové číslo: Prvek je chemická látka tvořena z atomů o stejném... čísle.
VíceNové typy materiálů na bázi uhlíku. Ing. Stanislav Czudek, PhD Třinecké železárny, a.s. Koksochemická výroba
Nové typy materiálů na bázi uhlíku Ing. Stanislav Czudek, PhD Třinecké železárny, a.s. Koksochemická výroba Program prezentace Definice a vlastnosti Základní rozdělení Sorbenty Surovinová základna Technologie
VíceZákladní metody přípravy monokrystalů. RNDr. Otto Jarolímek, CSc.
Základní metody přípravy monokrystalů RNDr. Otto Jarolímek, CSc. Monokrystal a jeho růst Monokrystal pravidelné uspořádání základních strukturních jednotek (atomy, ionty, molekuly) je zachováno i v makroskopickém
VícePolymorfismus kovů Při změně podmínek (zejména teploty), nebo např.mechanickým působením změna krystalické struktury.
Struktura kovů Kovová vazba Krystalová mříž: v uzlových bodech kationy (pro atom H: m jádro :m obal = 2000:1), Mezi kationy: delokalizovaný elektronový plyn, vyplňuje celé kovu těleso. Hmotu udržuje elektrostatická
VíceDETEKCE PAR ORGANICKÝCH ROZPOUŠTĚDEL SÍTĚMI Z VOLNĚ ZAPLETENÝCH UHLÍKOVÝCH NANOTRUBIČEK. Bc. Lucie Gajdušková
DETEKCE PAR ORGANICKÝCH ROZPOUŠTĚDEL SÍTĚMI Z VOLNĚ ZAPLETENÝCH UHLÍKOVÝCH NANOTRUBIČEK Bc. Lucie Gajdušková Diplomová práce 2011 ABSTRAKT Cílem této diplomové práce bylo zjistit, zda je vhodné použít
VíceMetody analýzy povrchu
Metody analýzy povrchu Metody charakterizace nanomateriálů I RNDr. Věra Vodičková, PhD. 2 Povrch pevné látky: Poslední monoatomární vrstva + absorbovaná monovrstva Ovlivňuje fyzikální vlastnosti (ukončení
VíceSkupenské stavy látek. Mezimolekulární síly
Skupenské stavy látek Mezimolekulární síly 1 Interakce iont-dipól Např. hydratační (solvatační) interakce mezi Na + (iont) a molekulou vody (dipól). Jde o nejsilnější mezimolekulární (nevazebnou) interakci.
VíceMikrosenzory a mikroelektromechanické systémy. Odporové senzory
Mikrosenzory a mikroelektromechanické systémy Odporové senzory Obecné vlastnosti odporových senzorů Odporové senzory kontaktové Měřící potenciometry Odporové tenzometry Odporové senzory teploty Odporové
VíceROZDĚLENÍ, VLASTNOSTI A POUŽITÍ MATERIÁLŮ
Poznámka: tyto materiály slouží pouze pro opakování STT žáků SPŠ Na Třebešíně, Praha 10; platnost do r. 2016 v návaznosti na použité normy. Zákaz šířění a modifikace těchto materálů. Děkuji Ing. D. Kavková
VíceSeminární práce Nanomateriály uhlíkové NANOtrubky
Seminární práce Nanomateriály uhlíkové NANOtrubky Antonín Čajka Od fullerenů k nanotrubkám. Fullereny nejsou pouze dvacetistěny C 60. Existuje také spousta jiných, jejichž tvar je více oblý a připomíná
VíceTepelné rozklady železo obsahujících sloučenin pohledem Mössbauerovy spektroskopie
Tepelné rozklady železo obsahujících sloučenin pohledem Mössbauerovy spektroskopie Libor Machala E-mail: libor.machala@upol.cz 21.10.2011 Workshop v rámci projektu Pokročilé vzdělávání ve výzkumu a aplikacích
VíceMATERIÁLOVÁ PROBLEMATIKA PŘI SEPARACI PLYNŮ A PAR
MATERIÁLOVÁ PROBLEMATIKA PŘI SEPARACI PLYNŮ A PAR Ing. Miroslav Bleha, CSc. Ústav makromolekulární chemie AV ČR, v.v.i. bleha@imc.cas.cz Membrány - separační medium i chemický reaktor Membránové materiály
VíceVYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ
VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ FACULTY OF ELECTRICAL ENGINEERING AND COMMUNICATION ÚSTAV MIKROELEKTRONIKY DEPARTMENT OF
VíceZáklady Mössbauerovy spektroskopie. Libor Machala
Základy Mössbauerovy spektroskopie Libor Machala Rudolf L. Mössbauer 1958: jev bezodrazové rezonanční absorpce záření gama atomovým jádrem 1961: Nobelova cena Analogie s rezonanční absorpcí akustických
Více