Nahlédnutí pod pokličku vývoje SHM: Magnetronové naprašování Počítačová simulace procesu
Magnetronové naprašování princip metody vývoj technologie
Magnetronové naprašování princip metody Zdroj: Jan Valter, HVM Plasma s.r.o.
Magnetronové naprašování princip metody - substráty Zdroj: Jan Valter, HVM Plasma s.r.o.
Magnetronové naprašování princip metody - target Zdroj: Jan Valter, HVM Plasma s.r.o.
Magnetronové naprašování princip metody Zdroj: Jan Valter, HVM Plasma s.r.o.
Rychlost růstu (au) Magnetronové naprašování princip metody 1 0.8 0.6 0.4 Hysteresis region 0.2 1 2 3 4 Průtok N2 (sccm) Zdroj: S.Berg
Magnetronové naprašování Process monitoring (OES) výboj v plazmatu
Magnetronové naprašování Process monitoring (OES) foton výboj v plazmatu
Magnetronové naprašování Process monitoring (OES) výboj v plazmatu
Relativní intensita Magnetronové naprašování Process monitoring (OES) OES-TiAl/Ar hranol rozklad světla??? Spectrum analyzer výboj v plazmatu 300 400 500 600 700 800 Vlnová délka [nm]
Magnetronové naprašování OES Spectrum Analyzer (freeware!) Z. Navrátil, D. Trunec, R. Šmíd and L. Lazar (2006). A software for optical emission spectroscopy - problem formulation and application to plasma diagnostics. Czechoslovak Journal of Physics 56, Suppl. B, B944-951. DOI: http://dx.doi.org/10.1007/s10582-006-0308-y
Relative intensty Magnetronové naprašování OES Target poisoning odtrávení otrávení Ar 20 70 120 170 220 N2 flow
Relative intensty Magnetronové naprašování OES Target poisoning N2+ Ar 20 70 120 170 220 N2 flow
Relative intensty Magnetronové naprašování OES Target poisoning N2+ Ar N2/Ar 20 70 120 170 220 N2 flow
Relative intensty Magnetronové naprašování OES Target poisoning N2/Ar tlak 20 70 120 170 220 N2 flow
Magnetronové naprašování Algoritmus regulace
Magnetronové naprašování Algoritmus regulace
Magnetronové naprašování Algoritmus regulace unstable metallic stable
N2 Flow Magnetronové naprašování Algoritmus regulace Metallic Stable Unstable Total Process Pressure (regulated)
Magnetronové naprašování Algoritmus regulace N2 flow Pressure set Time Patent presents algorithm how to find this optimal process pressure
Magnetronové naprašování vývoj magnetického pole katody Myšlenka Simulace MP (FEMM)
Magnetronové naprašování vývoj magnetického pole katody Myšlenka Simulace MP (FEMM)
Magnetronové naprašování vývoj magnetického pole katody Myšlenka Simulace MP (FEMM)
Magnetronové naprašování vývoj magnetického pole katody Myšlenka Simulace MP (FEMM) Konzultace s konstruktérem
Magnetronové naprašování vývoj magnetického pole katody Myšlenka Simulace MP (FEMM) Konzultace s konstruktérem Návrh
Magnetronové naprašování vývoj magnetického pole katody Myšlenka Simulace MP (FEMM) Konzultace s konstruktérem Návrh Výroba - subdodavatel
Myšlenka Magnetronové naprašování vývoj magnetického pole katody Simulace MP (FEMM) Konzultace s konstruktérem Návrh Výroba Prototyp
Myšlenka Magnetronové naprašování vývoj magnetického pole katody Simulace MP (FEMM) Konzultace s konstruktérem Návrh Výroba Prototyp Experiment
Myšlenka Magnetronové naprašování vývoj magnetického pole katody Simulace MP (FEMM) Konzultace s konstruktérem Návrh Výroba Prototyp Experiment Parametry vrstvy -> laboratoř
Myšlenka Magnetronové naprašování vývoj magnetického pole katody Simulace MP (FEMM) Konzultace s konstruktérem Návrh Výroba Prototyp Experiment Parametry vrstvy -> laboratoř
Magnetronové naprašování vývoj magnetického pole katody
Počítačová simulace procesu data z depozic popis algoritmu postprocessing praktické využití
Počítačová simulace procesu ~ druh katody ~ proud oblouku ~ proud do cívky
Relative deposition rate - (um/hod) Počítačová simulace procesu Data z depozic 1 Deposition rate TiN vs Iarc 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 Imac = -3A I mac = 0 A Imac = 3A 0.3 0.2 0.1 0 y=-0,183 + 0,00535 x Iarc - 0,00332 x Imac + 0,00026 x Iarc x Imac 0 50 100 150 200 250 Iarc (A)
Počítačová simulace procesu Popis algoritmu 1. pohyb rotace (~1 O )
Počítačová simulace procesu Popis algoritmu 1. pohyb rotace (~1 O ) 2. Monte Carlo depozice (~10 000x) h = random (min, hmax)
Počítačová simulace procesu Popis algoritmu 1. pohyb rotace (~1 O ) 2. Monte Carlo depozice = random (0, 2 )
Počítačová simulace procesu Popis algoritmu 1. pohyb rotace (~1 O ) 2. Monte Carlo depozice = random (0, )
Počítačová simulace procesu Popis algoritmu 1. pohyb rotace (~1 O ) 2. Monte Carlo depozice = random (0, ) = random (0, )
Počítačová simulace procesu Popis algoritmu 1. pohyb rotace (~1 O ) 2. Monte Carlo depozice jednohodinový proces 1 hodina simulace (3GHz IntelCore2Duo)
Počítačová simulace procesu Postprocessing
Počítačová simulace procesu Postprocessing vodorovný řez
Počítačová simulace procesu Postprocessing svislý řez vodorovný řez 400 mm
Počítačová simulace procesu Praktické využití různá naložení Vzdálenost = 10mm Vzdálenost = 20mm Bez krytů-> Vzdálenost = Délka nástroje = 100mm Délka nástroje = 100mm Délka nástroje = 100mm Tloušťka vrstvy na konci nástroje = 4,1 nm Tloušťka vrstvy na konci nástroje = 4,4 nm Tloušťka vrstvy na konci nástroje = 5,0 nm
Počítačová simulace procesu Praktické využití nevhodné převodové poměry *100 mm x Tvorba multivrstev *100 mm x Nerovnoměrná distribuce po obvodu
Děkujeme za pozornost