F6450. Vakuová fyzika 2. Vakuová fyzika 2 1 / 32

Podobné dokumenty
F6450. Vakuová fyzika 2. () F / 21

F4160. Vakuová fyzika 1. () F / 23

Počet atomů a molekul v monomolekulární vrstvě

Monika Fialová VAKUOVÁ FYZIKA II. ZÍSKÁVÁNÍ NÍZKÝCH TLAKŮ

Ionizační manometry. Při ionizaci plynu o koncentraci n nejsou ionizovány všechny molekuly, ale jenom část z nich n i = γn ; γ < 1.

galvanicky chemicky plazmatem ve vakuu Vrstvy ve vakuu MBE Vakuová fyzika 2 1 / 39

Elastomery, mazy, tmely,...

Základy vakuové techniky

IONTOVÉ ZDROJE. Účel. Požadavky. Elektronové zdroje. Iontové zdroje. Princip:

Vybrané technologie povrchových úprav. Základy vakuové techniky Doc. Ing. Karel Daďourek 2006

Přednáška 4. Tlak nasycených par, odpařování. Materiály pro vakuovou techniku Procesy ve stěnách vak. systémů. Martin Kormunda

Sorpční vývěvy. 1. Vývěvy využívající fyzikální adsorpce (kryogenní vývěvy)

Aplikace fyziky nízkých teplot

Elektronová mikroskopie SEM, TEM, AFM

3. VÁZANÉ P L Y N Y... 81

Povrchové procesy. Přichycení na povrch.. adsorbce. monomolekulární, multimolekulární (namalovat) Přichycení do objemu, také plyn v kapalině.

Elektronová Mikroskopie SEM

Přednáška 9. Vývěvy s vazbou molekul: kryosorpční, zeolitové, iontové a sublimační vývěvy. Martin Kormunda

Rovnice kontinuity V potrubí a vývěvou musí proudit vždy stejné množství plynu. Platí

Proč elektronový mikroskop?

Adsorpce. molekulární adsorpce: (g) (s), (l) (s)/(l),... iontová adsorpce Paneth Fajans. výměnná iontová adsorpce, protionty v aluminosilikátech

Teoretické základy vakuové techniky

Sorpce oxidu uhličitého na vápence pocházejících z různých lokalit České republiky

zbytkové plyny (ve velmi vysokém vakuu: plyny vzniklé rozkladem těchto látek, nebo jejich syntézou Vakuová fyzika 1 1 / 43

REAKTIVNÍ MAGNETRONOVÉ NAPRAŠOV. Jan VALTER HVM Plasma s.r.o.

PRINCIPY ZAŘÍZENÍ PRO FYZIKÁLNÍ TECHNOLOGIE (FSI-TPZ-A)

Přednáška 5. Martin Kormunda

Přednáší a cvičí : Josef Šandera, UMEL

Svařování svazkem elektronů

Radioterapie. X31LET Lékařská technika Jan Havlík Katedra teorie obvodů

Tepelně vlhkostní mikroklima. Vlhkost v budovách

Návod pro laboratorní úlohu: Komerční senzory plynů a jejich testování

Chemie povrchů verze 2013

Mlžnákomora. PavelMotal,SOŠaSOUKuřim Martin Veselý, FJFI ČVUT Praha

Plyn. 11 plynných prvků. Vzácné plyny. He, Ne, Ar, Kr, Xe, Rn Diatomické plynné prvky H 2, N 2, O 2, F 2, Cl 2

12. Struktura a vlastnosti pevných látek

Urychlovače nabitých částic

TECHNOLOGIE KE SNIŽOVÁNÍ EMISÍ (SEKUNDÁRNÍ OPATŘENÍ K OMEZOVÁNÍ EMISÍ)

Zdroje optického záření

Lasery optické rezonátory

Přednáška 2. Martin Kormunda

LEPTONY. Elektrony a pozitrony a elektronová neutrina. Miony a mionová neutrina. Lepton τ a neutrino τ

Vývěvy s transportem molekul z čerpaného prostoru

Kapaliny Molekulové vdw síly, vodíkové můstky

Vakuová fyzika 1 1 / 40

Metalografie ocelí a litin

Autokláv reaktor pro promíchávané vícefázové reakce

Vlnová délka světla je cca 0,4 µm => rozlišovací schopnost cca. 0,2 µm 1000 x víc než oko

Přednáška 3. Napařování : princip, rovnovážný tlak par, rychlost vypařování.


Vakuová fyzika a technika KFY / P222

Získávání nízkých tlaků

Vakuum turbomolekulární vývěvy

Autor: Bc. Tomáš Zelenka Obor: Fyzikální chemie povrchů

Metody depozice povlaků - CVD

Mol. fyz. a termodynamika

ZPRAVODAJ ČVS 2004/2, LŠVT Obsah. Fyzikální principy fyzisorpce a chemisorpce, Iva Matolínová 2. Vypařované getry, Peter Lukáč 7

Přednáška 3. Povrchové procesy: vazby molekul a atomů, fyzikální a chemická sorpce a desorpce, adsorpční izotermy. Martin Kormunda

Svafiování elektronov m paprskem

Carbovet - mechanismus vyvazování mykotoxinů neschopných adsorpce

Radiologická klinika FN Brno Lékařská fakulta MU Brno 2010/2011

Rozměr a složení atomových jader

POPIS VYNALEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ (19) (13) B1. (40) Zveřejněno (45) Vydáno (75) Autor vynálezu A.UTRATA RUDOLF Ing. CSo.

Výzkum vlivu přenosových jevů na chování reaktoru se zkrápěným ložem katalyzátoru. Petr Svačina

Plazma. magnetosféra komety. zbytky po výbuchu supernovy. formování hvězdy. slunce

Veličiny- základní N A. Látkové množství je dáno podílem N částic v systému a Avogadrovy konstanty NA

5. Získávání a měření nízkých tlaků

Primární etalon pro měření vysokého a velmi vysokého vakua

Sol gel metody, 3. část

Při reálném chromatografickém ději nikdy nedojde k ustavení rovnováhy mezi oběma fázemi První ucelená teorie respektující uvedenou skutečnost byla

Urychlovače částic principy standardních urychlovačů částic

Vybrané technologie povrchových úprav. Metody vytváření tenkých vrstev Doc. Ing. Karel Daďourek 2008

Přednáška 4. Úvod do fyziky plazmatu : základní charakteristiky plazmatu, plazma v elektrickém vf plazma. Doutnavý výboj : oblasti výboje

Metody likvidace VOC z průmyslových procesů. Ing. Zbyněk Krayzel zbynek.krayzel@seznam.cz Doc. Ing. Karel Ciahotný, CSc.

Uhlíkové struktury vázající ionty těžkých kovů

Lasery RTG záření Fyzika pevných látek

Měření vakua. Vacuum Technology J.Šandera, FEEC, TU Brno 1

Typy interakcí. Obsah přednášky

PLYNY. Mgr. Jan Ptáčník - GJVJ - Fyzika - Sekunda

Co je litografie? - technologický proces sloužící pro vytváření jemných struktur (obzvláště mikrostruktur a nanostruktur)

Vybrané technologie povrchových úprav. Vakuum 2. Část Doc. Ing. Karel Daďourek 2006

Referát z atomové a jaderné fyziky. Detekce ionizujícího záření (principy, technická realizace)

METODY ANALÝZY POVRCHŮ

Integrovaná střední škola, Hlaváčkovo nám. 673, Slaný

Kinetická teorie plynů

TERMIKA. (Petr Jizba) Doporučená literatura:

Metody využívající rentgenové záření. Rentgenografie, RTG prášková difrakce

Základní experiment fyziky plazmatu

Návod pro laboratorní úlohu: Závislost citlivosti plynových vodivostních senzorů na teplotě

Plynové lasery pro průmyslové využití

Kapaliny Molekulové vdw síly, vodíkové můstky

Lineární urychlovače. Jan Pipek Dostupné na

Teorie chromatografie - I

Vakuové tepelné zpracování

Voda, pára, vypařování,

1 3Tepeln і izolace a hladinom їry kryokapalin

Nekovalentní interakce

KATEDRA MATERIÁLOVÉHO INŽENÝRSTVÍ A CHEMIE. 123TVVM transport vodní páry

Plyn. 11 plynných prvků. Vzácné plyny. He, Ne, Ar, Kr, Xe, Rn Diatomické plynné prvky H 2, N 2, O 2, F 2, Cl 2

Transkript:

F6450 Vakuová fyzika 2 Pavel Slavíček email: ps94@sci.muni.cz Vakuová fyzika 2 1 / 32

Osnova Vázané plyny Sorpční vývěvy kryogenní zeolitové sublimační iontové getrové - vypařované, nevypařované (NEG) Měření ve vakuové fyzice měření proudu plynu měření tenze par plynu Konstrukční prvky vakuových zařízení - vhodné materiály, spoje (pevné, rozebiratelné), el.průchodky, přenos pohybu do vakua, ventily,... Povlakování Vakuová fyzika 2 2 / 32

Literatura J. Groszkowski: Technika vysokého vakua, SNTL, Praha 1981 L. Pátý: Fyzika nízkých tlaků, Academia, Praha 1968 V. Sítko: Vakuová technika, SNTL, Praha 1966 J. Král: Cvičení z vakuové techniky, ČVUT Praha 1996 V. Dubravcová: Vákuová a ultravákuová technika, Alfa, Bratislava 1992 A. Roth: Vacuum technology, Elsevier, 1990 W. Espe: Technologia hmot vákuovej techniky, Slovenská akadémia vied, Bratislava 1960 W.H.Kohl: Handbook of materials and techniques for vacuum devices, AIP Press, 1995 Vakuová fyzika 2 3 / 32

T.A.Delchar: Vacuum Physics and Techniques, Chapman-Hall, 1993 F.OHanlon: A Users Gaude to Vacuum Technology, Wiley (2003) J.Jeĺınek, Z. Málek: Kryogenní technika, SNTL, Praha, 1982 Zpravodaje CVS Firemní katalogy Vakuová fyzika 2 4 / 32

Literatura - internet www.vakspol.cz www.svc.org www.fzu.cz www.shm-cz.cz lhc.web.cern.ch/lhc/ en.wikipedia.org/wiki/main page www - stránky výrobců vakuové techniky Vakuová fyzika 2 5 / 32

Rozdělení vakua vakuum tlak [mbar] tlak [Pa] nízké (GV), 10 3 10 0 10 5 10 2 hrubé, technické střední (FV) 10 0 10 3 10 2 10 1 vysoké (HV) 10 3 10 7 10 1 10 5 velmi vysoké (UHV) 10 7 10 10 10 5 10 8 extrémně vysoké (XHV) < 10 10 < 10 8 Vakuová fyzika 2 6 / 32

Rozdělení vakua vakuum střední (FV) vysoké (HV) (UHV) a (XHV) tlak [Pa] 10 2 10 1 10 1 10 5 < 10 5 koncentrace [cm 3 ] 10 16 10 13 10 13 10 9 < 10 9 střední dráha λ[cm] 10 2 10 1 10 1 10 5 > 10 5 monovrstva τ[s] 10 5 10 2 10 2 10 2 > 10 2 typ proudění Knudsenovo molekulární molekulární Proč UHV a XHV vakuum? Vakuová fyzika 2 7 / 32

Vakuová fyzika 2 8 / 32

Aplikace v mikroelektronice 1 1 http://en.wikipedia.org/wiki/ Vakuová fyzika 2 9 / 32

2 2 http://en.wikipedia.org/wiki/ Vakuová fyzika 2 10 / 32

3 3 F.OHanlon: A Users Gaude to Vacuum Technology, Wiley (2003) Vakuová fyzika 2 11 / 32

Urychlovače částic velká střední volná dráha LHC, synchrotrony,... základní výzkum - částicová fyzika, materiály, biologie, medicina farmaceutický průmysl léčení rakoviny Vakuová fyzika 2 12 / 32

Synchrotron 4 4 http://en.wikipedia.org/ Vakuová fyzika 2 13 / 32

Elektronové mikroskopy katoda termoemisní < 10 2 Pa katoda autoemisní studená emise < 10 8 Pa Schottkyho katoda < 10 6 Pa prodloužení životnosti, vyšší stabilita, užší svazek elektronů výhody autoemise - nižší rozptyl energíı elektronů = menší stopa, větší rozlišení Vakuová fyzika 2 14 / 32

Vázané plyny Plyny, které jsou na povrchu, nebo uvnitř pevné látky, nebo jsou uzavřeny v pórech a dutinách. Plyny se mohou v látkách rozpouštět a difundovat a tak pronikat z vnějšího prostředí stěnami do vakuového systému. Sorpce: adsorpci - na povrchu absorpci - difuze do objemu Vakuová fyzika 2 15 / 32

Příklad: Vliv adsorbovaných plynů na vakuum. Reaktor ve tvaru krychle o straně 10 cm je pokryt na vnitřních stěnách mono-molekulární vrstvou plynu. Je v něm plyn o tlaku 1 10 4 Pa a teplotě 300 K. Nějakým způsobem uvolníme všechen vázaný plyn ze stěn. Předpokládejme, že teplota plynu zůstane stejná. Jaký je výsledný tlak v reaktoru? Vakuová fyzika 2 16 / 32

Řešení: Počet molekul v objemu při tlaku P = 1 10 4 Pa: Počet molekul na stěnách: tlak uvolněných molekul: N = nv = P V = 2, 4 1013 kt N 1 = 6 S N p N 1 = 6 100 0, 5 10 15 = 3 10 17 P 1 = n 1 kt = N 1 kt = 1, 24 Pa V Vakuová fyzika 2 17 / 32

Požadavky na materiály používané ve vakuové technice: co možná nejmenší uvolňování plynů a par, nízká tenze par při pracovní teplotě malá schopnost pohlcovat a propouštět plyny dobré tepelné vlastnosti (4-700 K) dobré mechanické vlastnosti (pnutí, způsob opracování) vhodné elektrické a chemické vlastnosti (podle dané aplikace) Vakuová fyzika 2 18 / 32

5 5 J. Groszkowski: Technika vysokého vakua, SNTL, Praha 1981 Vakuová fyzika 2 19 / 32

6 6 firemní materiály firmy Pfeiffer Vakuová fyzika 2 20 / 32

AFM - sklo Vakuová fyzika 2 21 / 32

Typická křivka čerpání vakuové komory 7 7 F.OHanlon: A Users Gaude to Vacuum Technology, Wiley (2003) Vakuová fyzika 2 22 / 32

Základní procesy probíhající mezi plynem a povrchem pevné látky odraz molekuly adsorpce desorpce Vakuová fyzika 2 23 / 32

difuze po povrchu chemická reakce na povrchu difuze do objemu difuze z objemu na povrch Vakuová fyzika 2 24 / 32

Plyny adsorbované na povrchu fyzisorpce - slabá vazba, Van der Waalsova vazba, dlouhý dosah R 0 > 3 10 10 m, E = A R 9 B R 3 chemisorpce - silné chemické vazby, krátký dosah, 1 10 10 m < R 0 < 3 10 10 m E = D 0 (1 exp[ a(r R 0 )]) 2 Vakuová fyzika 2 25 / 32

8 8 J. Groszkowski: Technika vysokého vakua, SNTL, Praha 1981 Vakuová fyzika 2 26 / 32

9 9 J. Groszkowski: Technika vysokého vakua, SNTL, Praha 1981 Vakuová fyzika 2 27 / 32

Koeficient ulpění ν 1 = 1 4 nv a ν 1ef = γν 1 γ = ν 1ef ν 1 γ = 1, adsorpce každé molekuly, která dopadne na povrch γ = 0, všechny molekuly se odrazí Vakuová fyzika 2 28 / 32

Stupeň pokrytí ϑ = N 1 N 1p N 1 - počet adsorbovaných atomů, N 1p - počet volných míst v mono-molekulární vrstvě, pro méně přesné výpočty se bere N 1p = 0, 5 10 15 cm 2 ϑ = 0, čistý povrch ϑ = 1, zcela pokrytý povrch Vakuová fyzika 2 29 / 32

Koeficient ulpění 10 10 J. Groszkowski: Technika vysokého vakua, SNTL, Praha 1981 Vakuová fyzika 2 30 / 32

Odhad na základě rozměrů molekul plyn He Ne H 2 O 2 Ar N 1p [10 15 cm 2 ] 2,42 1,72 1,52 0,87 0,85 plyn N 2 CO CO 2 H 2 O CH 4 N 1p [10 15 cm 2 ] 0,81 0,81 0,53 0,53 0,52 Vakuová fyzika 2 31 / 32

CO na wolframu T s [K] 300 500 700 900 1100 N 1p [10 15 cm 2 ] 0,56 0,44 0,42 0,33 0,19 γ 0,45 0,40 0,35 0,33 0,3 wolfram, 300 K plyn γ N 1p [10 15 cm 2 ] ϑ N 2 0,3-0,55 0,2-0,55 0,3-0,5 CO 0,2-0,6 0,5-0,65 0,3-0,6 O 2 0,2-0,3 0,87 0,7 H 2 0,2-0,3 0,4-0,7 0,4-0,5 Cs 1 0.38 1 Vakuová fyzika 2 32 / 32