Grafen. Nobelova cena za fyziku 2010. Ludvík Smrčka Fyzikální ústav AVČR v. v. i. Praha



Podobné dokumenty
Příprava grafénu. Petr Jelínek

Podivuhodný grafen. Radek Kalousek a Jiří Spousta. Ústav fyzikálního inženýrství a CEITEC Vysoké učení technické v Brně. Čichnova

Modelování nanomateriálů: most mezi chemií a fyzikou

IDENTIFIKACE LÉČIVA V TABLETÁCH POMOCÍ RAMANOVY SPEKTROMETRIE

SCHOTTKYHO SOLÁRNÍ ČLÁNKY NA ROZHRANÍ GRAFEN/KŘEMÍK

Budoucnost patří uhlíkatým nanomateriálům

Lasery RTG záření Fyzika pevných látek

Ideální krystalová mřížka periodický potenciál v krystalu. pásová struktura polovodiče

Spektrální metody NMR I

Josephsonovy čipy. 10 V čipy mají kolem J. přechodů.

Web based dynamic modeling by means of PHP and JavaScript part II

UHLÍKOVÉ NANOSTRUKTURY

TECHNIKY VYTVÁŘENÍ NANOSTRUKTUROVANÝCH POVRCHŮ ELEKTROD U MIKROSOUČÁSTEK TECHNIQUES TO CREATE NANOSTRUCTURED SURFACES OF ELECTRODES FOR MICRO DEVICES

Úloha 1: Vypočtěte hustotu uhlíku (diamant), křemíku, germania a α-sn (šedý cín) z mřížkové konstanty a hmotnosti jednoho atomu.

LEED (Low-Energy Electron Diffraction difrakce elektronů s nízkou energií)

MODELOVÁNÍ A MĚŘENÍ DEFORMACE V TAHOKOVU

IMPULZNÍ MAGNETICKÁ STRUKTUROSKOPIE PLOCHÝCH VÝROBKŮ Z OCELI

Úvod do moderní fyziky. lekce 9 fyzika pevných látek (vedení elektřiny v pevných látkách)

galvanicky chemicky plazmatem ve vakuu Vrstvy ve vakuu MBE Vakuová fyzika 2 1 / 39

Optika. Nobelovy ceny za fyziku 2005 a Petr Malý Katedra chemické fyziky a optiky Matematicko fyzikální fakulta UK

GRAFEN VERSUS MWCNT; POROVNÁNÍ DVOU FOREM UHLÍKU V DETEKCI TĚŽKÉHO KOVU. Název: Školitel: Mgr. Dana Fialová. Datum:

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.

Příprava a aplikace grafenu

PRODUKTIVNÍ OBRÁBĚNÍ OCELI P91

Hydrogenovaný grafen - grafan

STUDIUM SKLOKERAMICKÝCH POVLAKŮ V BIOLOGICKÉM PROSTŘEDÍ

VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ

Fyzikální vlastnosti materiálů FX001

Studentské projekty FÚUK 2013/2014

DATA SHEET. BC516 PNP Darlington transistor. technický list DISCRETE SEMICONDUCTORS Apr 23. Product specification Supersedes data of 1997 Apr 16

EU peníze středním školám digitální učební materiál

VRSTVY Pd NANOČÁSTIC NA InP TYPU N PŘIPRAVENÉ ELEKTROFORETICKOU DEPOZICÍ PRO DETEKCI VODÍKU

Spektrální interferometrie v bílém světle využitá k disperzní charakterizaci vysoce dvojlomných optických vláken

F6450. Vakuová fyzika 2. Vakuová fyzika 2 1 / 32

VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ

Blue-light LED, modrá

SERVISNÍ MANUÁL PEGAS 250 E CEL OVO SERVICE MANUAL PEGAS 250 E CEL OVO

Budoucnost mikroelektroniky ve hvězdách.... spintronika jednou z možných cest

Monitorování svazku elektronů a zvýšení jeho stability na mikrotronu MT 25

ELECTROCHEMICAL HYDRIDING OF MAGNESIUM-BASED ALLOYS

stavební kostičky, z těch vše sestaví TESELACE chybí měřítko na velikosti kostiček nezáleží Pyrit krychle pentagonalní dodekaedr granát trapezoedr

L A S E R. Krize klasické fyziky na přelomu 19. a 20. století, vznik kvantových představ o interakci optického záření s látkami.

Biosensors and Medical Devices Development at VSB Technical University of Ostrava

Evaluation of the Inner Detector with Muon Tracks

MOŽNOSTI TVÁŘENÍ MONOKRYSTALŮ VYSOKOTAVITELNÝCH KOVŮ V OCHRANNÉM OBALU FORMING OF SINGLE CRYSTALS REFRACTORY METALS IN THE PROTECTIVE COVER

Gymnázium, Brno, Slovanské nám. 7 WORKBOOK. Mathematics. Teacher: Student:

Jiří Oswald. Fyzikální ústav AV ČR v.v.i.

DETERMINATION OF MECHANICAL AND ELASTO-PLASTIC PROPERTIES OF MATERIALS BY NANOINDENTATION METHODS

ELEKTRICKÝ PROUD V POLOVODIČÍCH

Elektrické vlastnosti pevných látek

SOUČASNÉ TRENDY ROZVOJE VYSPĚLÝCH TECHNOLOGIÍ - 1

TEORIE NETKANÝCH TEXTILIÍ. Kapky Kapilární délka. Simulace pomocí Isingova modelu. 7.přednáška

POVRCHOVÉ VYTVRZENÍ PM NÁSTROJOVÉ OCELI LEGOVANÉ NIOBEM PLAZMOVOU NITRIDACÍ SURFACE HARDENING OF NIOBIUM-CONTAINING PM TOOL STEEL BY PLASMA NITRIDING

CHAPTER 5 MODIFIED MINKOWSKI FRACTAL ANTENNA

FUNKČNÍ VZOREK VÍCEVRSTVÉ TRUBKY PRO SNÍŽENÍ VÝSKYTU STATICKÉHO NÁBOJE (TA V003)


THE IMPACT OF PROCESSING STEEL GRADE ON CORROSIVE DEGRADATION VLIV TEPELNÉHO ZPRACOVÁNÍ OCELI NA KOROZNÍ DEGRADACI

Zeemanův jev. Pavel Motal 1 SOŠ a SOU Kuřim, s. r. o. Miroslav Michlíček 2 Gymnázium Vyškov

EM, aneb TEM nebo SEM?

Spintronics. Tomas Jungwirth. Institute of Physics ASCR Prague, Czech Rep. and University of Nottingham, UK

Ing. Stanislav Jakoubek

DUM č. 7 v sadě. 24. Ch-2 Anorganická chemie

STÍNÍCÍ EFEKT OXIDOVÉ IZOLAČNÍ VRSTVY NA POVRCHOVÝ POTENCIÁL MĚŘENÝ POMOCÍ KELVINOVY SONDOVÉ MIKROSKOPIE

Klepnutím lze upravit styl předlohy. nadpisů. nadpisů.

Uhlíkové struktury vázající ionty těžkých kovů

BA 1. hloubka 35 cm výška 24.1 cm. šíøka 120 cm BA BA Otvory pro kabely BA 2. hloubka 50 cm výška 24.1 cm. šíøka 120 cm BA BA 22002

Poslední trendy v instrumentaci infračervené a Ramanovy spektroskopie. Ing. Markéta Sedliaková Nicolet CZ s. r. o., Klapálkova 2242/9, Praha 4

Adresa místa konání: Na Slovance 2, Praha 8 Cukrovarnická 10, Praha 6

B A B A B A B A A B A B B

LICÍ PÁNVE V OCELÁRNĚ ARCELORMITTAL OSTRAVA POUŽITÍ NOVÉ IZOLAČNÍ VRSTVY

MĚŘENÍ TEPLOTY. Přehled technických teploměrů. Teploměry kapalinové. Teploměry tenzní. Rozdělení snímačů teploty: Ukázky aplikace termochromních barev


Úvod do studia anorg. materiálů - MC240P33

LCD (3) LCD (1) LCD(Liquid Crystal Display): zobrazovací jednotka, která přisvéčinnosti využívá technologii LCD (4) LCD (2)

Uživatelská příručka. Xperia P TV Dock DK21

VLASTNOSTI KOMPOZITNÍCH POVLAKŮ S KATODICKY VYLUČOVANOU MATRICÍ

o zkoušce elektromagnetické slučitelnosti LED svítidlo stube

12.NMR spektrometrie při analýze roztoků

Typy interakcí. Obsah přednášky

Association for the Heat Treatment of Metals. Program. Chemicko-tepelné zpracování kovových povrchů Chemichal Heat Treatment of Metal Surfaces

VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ

Studium produkce neutronů v tříštivých reakcích a jejich využití pro transmutaci jaderného odpadu

Fyzikální sekce přírodovědecké fakulty Masarykovy univerzity v Brně FYZIKÁLNÍ PRAKTIKUM. Praktikum z pevných látek (F6390)

Distribution of Sorbus thayensis in the Czech Republic

VÝROBA TANTALOVÝCH KONDENZÁTORŮ V AVX LANŠKROUN. AVX Czech Republic, Dvořákova 328, Lanškroun, Česká republika

OPTIKA Fotoelektrický jev TENTO PROJEKT JE SPOLUFINANCOVÁN EVROPSKÝM SOCIÁLNÍM FONDEM A STÁTNÍM ROZPOČTEM ČESKÉ REPUBLIKY.

Klasifikace struktur

PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus

Fotosyntéza. Ondřej Prášil

Senzory teploty. Evropský sociální fond. Praha & EU: Investujeme do vaší budoucnosti.

INTERAKCE IONTŮ S POVRCHY II.

Vysoká škola technická a ekonomická v Českých Budějovicích. Institute of Technology And Business In České Budějovice

Digitální učební materiál

VLIV GEOMETRICKÉ DISPERZE

Preparation of semiconductor nanomaterials

Polovodičov. ové prvky. 4.přednáška

POČÍTAČOVÁ TOMOGRAFIE V ZOBRAZOVÁNÍ MALÝCH ZVÍŘAT ÚVOD. René Kizek. Název: Školitel: Datum:

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

ČESKÁ TECHNICKÁ NORMA

Parametry ovlivňující proces elektrostatického zvlákňování

Transkript:

Grafen Nobelova cena za fyziku 2010 Ludvík Smrčka Fyzikální ústav AVČR v. v. i. Praha 25.10.2012

Andre Geim Flying frog

The Nobel Prize in Physics 2010 was awarded jointly to Andre Geim and Konstantin Novoselov "for groundbreaking experiments regarding the two-dimensional material graphene"

Nobelova cena za fyziku 2010 Andre Geim Konstantin Novoselov

Za co byla cena udělena: Andre Geim a Konstantin Novoselov za průlomové experimenty týkající se dvojrozměrného uhlíkového krystalu grafenu

Trocha historie.. 1946 transistor 2000 Nanotechnologická iniciativa (Bill Clinton) Jak nahradit křemík?

Motivace Najít alternativu k současným křemíkovým MOSFETům a GaAs/AlGaAs HEMTům Aby nebylo moc volných elektronů je třeba tenká vrstva Neměla by být kovová Nejvhodnejším kandidátem je grafit

Polovodiče (Si, Ge, AIIIBV, AII BVI) Čtyři valenční elektrony v buňce

Orbitály atomu uhlíku

Grafen matka všech struktur jak připravit?

Příprava grafitových vrstev exfoliací Exfoliace sejmutí vrstvy lepicí páskou Deposice vrstev na 300 nm SiO na povrchu křemíku (100) Identifikace vloček optickým a AFM mikroskopem

Jedna grafenová vrstva Psaní tužkou (Micromechanical cleavage) identifikace optickým mikroskopem potvrzeno AFM

Grafen skanujícím transmisním mikroskopem

Graphene krystalová struktura graphite Bernal stacking of weakly coupled single sheets ----graphenes--- two atoms in a cell of a hexagonal Bravais lattice nearest neighbors tight binding electronic bands

Elektronová struktura grafenu Ψ=aΦ A1 +bφ B1 Φ A1= exp(i k R A1 ) χ ( r R A1 ) Φ B1= exp(i k R B1 ) χ( r R B1 ) A1 B1 H A1A1 E H A1B1 =0 H B1A1 H B1B1 E kya k x 3 a kya E± ( k x, k y )=± 1+4cos +4cos cos 2 2 2 2 ( ) ( ) ( )

Elektronová struktura grafenu

Dirac massless fermions Power series expansion around K and K, conical low-energy spectrum, Dirac point E ( k )=±ℏ v F k E 2 2 2 =m0 +c massless p 2

Schrödinger and Dirac fermions B=0 2 2 ℏ k S E ( k )= 2 m 1 1 E ( k ) = 2 m ℏ2 k2 E ( k )=±ℏ v F k D 1 v = k E ( k ) ℏ

Transportní vlastnosti v magnetickém poli a kvantový Hallův jev Klaus von Klitzing Horst Stormer 1985 1998

Schrödinger and Dirac fermions B 0 Landau levels S E n =ℏ ω c 1 n+ 2 ( ) ω c= e B/m D E n =± 2 2 ℏ e v F Bn n= 0,1,2,

Poločíselný QHE v grafenu v závislosti na napětí

Měření na nejlepších vzorcích, závislost na magnetickém poli

QHE v závislosti na napětí a) Standardní 2DEG a) Bilayer graphene a) Single layer graphene

Visualisation of fine structure constant The fine structure constant observed with a naked eye

Příprava grafenu

Příprava grafenu depozicí na kov M. Kalbáč UFCH JH

Folie s grafenem

Příprava grafenu na povrchu SiC Epitaxial GrapheneLab - Georgia Institute of Technology Nobel Laureate Albert Fert (center) is working with physicists Claire Berger and Walt de Heer (left to right)

Epitaxial Graphene Transistor (EPIGRAT) The aim of EPIGRAT is to synthesize and characterize epitaxial graphene layers on silicon carbide suitable for future electronics using different growth techniques, and to develop and characterize high frequency transistors made from these materials. Švédsko, Polsko, Turecko, Francie a Česká republika

SiC crystal structure

Povrch SiC

Příprava grafenu na karbidu křemíku

Grafen na podložce SiC

Ramanova spektra grafenu na SiC M. Ledinský FZU

peak id th c m r poruchy 46 34 lokální napětí

Lithography-the layout of the device

Grenoble december 2010

Real sample...

Grenoble april 2012

The sample 9052: longitudinal and Hall magnetoresistances. Origin ITME Warsaw, Poland NSdH = 9.69 1011cm 2, NH = 7.24 1011cm 2, μh = 3.89 103 cm2/v sec.

Influence of samples hydrogenation

The sample 575: longitudinal and Hall magnetoresistances. Origin Linköping University, Sweden.

The sample 576: longitudinal and Hall magnetoresistances. Origin Linköping University, Sweden.

The sample 576: the oscillatory part of ρ xx is compared with the oscillatory part of DOS of Dirac fermions.

Praktické aplikace

Grafenová mikroelektronika

Možné aplikace grafenu hodinky / kalendáře ohebný světelný panel elektronický papír mobilní telefony elektronické platby dotykové displeje, mikroelektronika kompozitní materiály přenosné počítače elektrody fotovoltaických článků Pramen: denní tisk

KONEC